Projeto Capacitao Eltricos-Eletrnicos

Treinamento de Eletrnica de Potncia

Eletrnica de Potncia
Contedo: Definio de eletrnica de potncia; Histrico; Aplicaes; Dispositivos Semicondutores de Potncia;

Definio:

Tecnologia que trata da aplicao de dispositivos eletrnicos e componentes associadas para converso, controle e condicionamento da energia eltrica;

Controle da Energia Eltrica, meio usado para se obter controle de grandezas no eltricas como: velocidade de mquinas girantes,

controles de temperatura de fornos, processo eletromecnicos, intensidades de iluminamento e etc. De uma maneira geral pode ser considerada como uma tecnologia multidisciplinar que envolve: Dispositivos Semicondutores de Potncia; Circuitos Conversores; Mquinas Eltricas; Teoria de Controle; Microprocessadores; Sistemas Eltricos.

Histrico Retificador a Arco de Mercrio inicio do sculo passado; Estrutura Retificadoras Anos 30; Tiristor Grande evoluo:

 Laboratrio Bell, 1956; Comercializado pela GE, 1958; Anos 70 diodos, Transistores de potncia e GTO; Anos 80 MOSFET e IGBT; Anos 90 Encapsulamento de Potncia.

Aplicaes Fontes Estabilizadas Controles de Motores Equipamentos de soldagem Veculos Eltricos Trao Eltrica Controle de Trnsito Utilizao de fontes no Convencionais de Energias Utilizao Aeroespacial Carregadores de bateria Alimentao de Emergncia (UPS) Sistema Eltricas de Potncia

Dispositivos Semicondutores de Potncia Idealmente possuem apenas dois estados: Apresentam completo bloqueio ou oferecem irrestrita conduo passagem de corrente. Podem ser: Diodos; Tiristores; Chaves controladas: BJT 1kV, 300A, 20kHz, 200kVA; MOSFET 1kV, 100A, 50kHz; IGBT 3kV, 1kA, 20kHz, 3MVA

Diodos: O diodo um semicondutor no controlvel, pois o seu estado, conduzido ou bloqueado determinado pela tenso ou pela corrente do circuito onde ele esta conectado, e no por qualquer ao que possamos tomar. O diodo entra em conduo quando a tenso vak torna-se positiva. Ele permanece em conduo desde que a corrente iD, que governada pelo circuito onde o diodo estiver inserido, for positiva. Quando a corrente torna-se negativa o diodo bloqueia-se comportando-se como circuito aberto, conforme FIG 1.

FIGURA 1 Simbologia e grfico de um diodo ideal H dois tipos de diodos de potncia: o diodo bipolar (baseado em uma juno semicondutora pn) e o diodo Schottky. A caracterstica esttica do diodo bipolar mostradas na FIG.2, abaixo.

FIGURA 2 Caracterstica de um diodo bipolar real Tal caracterstica estabelecida experimentalmente para cada componente. Em conduo, o diodo pode ser representado por uma fora eletromotriz EO (que representa a queda de tenso prpria) em srie com a resistncia rF (resistncia em conduo do diodo), conforme ilustra a FIG.3.

FIGURA 3 Circuito equivalente de um diodo em conduo Na FIG.2 observa-se que o diodo pode bloquear uma tenso finita, representada por VRRM (Tenso de Ruptura Reversa), acima da qual o diodo entra em conduo com corrente reversa e acaba destrudo pela elevao da temperatura na juno. Alm disto, observa-se que quando polarizado reversamente circula no diodo uma corrente de baixo valor denominada corrente de circulao reversa ou corrente de fuga. Como exemplo, apresentase os dados de catlogo fornecidos por um fabricante:

DIODO SKN 20/08 (SEMIKRON) TENSO REVERSA MXIMA (VRRM) 800V TENSO DIRETA (E0) 0,85V RESISTNCIA EM CONDUO (rF) 11m CORRENTE MDIA (IDmed) 20A CORRENTE DE CIRCULAO REVERSA (IR) 0,15mA VRRM - Tenso reversa repetitiva VRSM - Tenso reversa no repetitiva VR ou PIV - Tenso reversa contnua VF - Queda de tenso direta com o diodo em conduo IFSM - Corrente de surto direta no repetitiva (nico) IFM ou IFRM - Corrente de surto direta repetitiva IF ou IFAV - Valor mdio da corrente direta IFRMS - Valor eficaz da corrente direta i2 t - Este valor utilizado para selecionar o fusvel de proteo, que deve possuir um i2 t menor do que o do diodo.

IR - Corrente reversa mxima (corrente de fuga) Trr - Tempo de recuperao reversa IRM - Pico da corrente de recuperao reversa, dado para valores de temperatura, IF e diF / dt especficos. Qrr - Carga que flui para o circuito durante o intervalo trr. A FIG.4 mostra um circuito retificador de onda completa e a forma de onda de entrada e na sada.

FIGURA 4 Retificador de onda completa

FIGURA 5 Tipos de encapsulamentos

Transistor de potncia - Junes PNP e NPN Emissor cristal de alta dopagem;

 Base cristal de media dopagem; Coletor - cristal de alta dopagem.

FIGURA 6 - (A) simbologia transistor NPN (B) simbologia PNP

FIGURA 7 Estrutura fsica Processo de conduo: Pequena corrente introduzida na base atravs de circuito de controle; Algumas cargas alcanam a camada de depleo (ausente de carga) coletor-base e so arrastados para o circuito externo atravs do coletor, iniciando se uma conduo; A corrente de base satura a juno coletor-base tornando o transistor condutor; Para um certo valor de corrente de base o transistor comporta-se como uma chave fechada, para corrente de base nula comporta-se com uma alta resistncia;

 Conduo no transistor NPN (O mais usado): Inicio de conduo - os eltrons fluem do emissor para base (sentido real de corrente). A grande maioria dos eltrons atingem a camada de depleo base-coletor (inversamente polarizada). O campo eltrico da tenso de polarizao externa atrai os eltrons para camada de depleo, saturando-a. Inicia-se um fluxo de eltrons no sentido emissor coletor, isto corrente eltrica no sentido coletor emissor. Ic=Beta (Hfe)*Ib Ie=Ic+Ib

Ic = corrente de coletor; Ib = corrente de base; Ie = corrente de emissor Beta = ganho; Vantagens e desvantagens: Os BJTs possuem menor queda de tenso na conduo (dissipam menor potncia), mas so mais lentos nas mudanas de estado (dissipam maior potncia no chaveamento).Portanto, em altas freqncias, prefervel o uso dos MOSFETs. Os BJTs so comandados por corrente e os MOSFETs por tenso. Assim, alm de consumir mais potncia no acionamento dos BJTs, os circuitos de controle so um pouco mais complexos. Como os IGBTs constituem-se de um BJT acionado por um MOSFET, eles aproveitam da maior velocidade de comutao dos MOSFETs com o baixo consumo de energia dos BJTs no estado ligado. ESPECIFICAES DOS TRANSISTORES Como existem muitos tipos de transistores existem especificaes de forma a se poder distinguir os vrios tipos. A grande maioria dos dados de um transistor so relativos as tenses reversas aplicadas entre seus eletrodos; as principais so:

VCEO : a mxima tenso que se pode aplicar de coletor para emissor com a base aberta VCBO : a mxima tenso que se deve aplicar entre o coletor e a base com o emissor aberto VEBO : a mxima tenso que se pode aplicar entre emissor e base com o coletor aberto ICMAX : a mxima corrente contnua que pode circular pelo coletor sem destruir o componente. PD : a potncia que pode dissipar um transistor e calculada por: PD = Vce * Ic

Tiristores SCRs O SCR Silicon Controled Rectifier o mais antigo dispositivo semicondutor de potncia, possui construo simples, ainda hoje o dispositivo capaz de manipular as mais altas potncias. possvel encontrar no mercado dispositivos que podem suportar vrios Kilovolts e vrios Kiloampres. Alm de possuir anodo e catodo como os diodos, o SCR possui um terminal de controle, o gate. Desta forma, o SCR comporta-se como um diodo controlvel, sendo capaz de bloquear tenses positivas e negativas. No estado de conduo do SCR real, a queda de tenso direta (VT) bastante pequena, da ordem de 1 a 3V, mesmo nos dispositivos capazes de suportar vrios Kilovolts. O ligamento do SCR feito atravs do terminal Gate (porta ou gatilho), onde deve ser aplicado um pulso de corrente positiva em relao ao catodo, com amplitude e durao suficientes. O SCR entrar em conduo se estiver sob polarizao direta anodo catodo, e manter seu estado de conduo se, antes de ser retirada a corrente de gate, a corrente de anodo for superior ao

valor chamado corrente de travamento (latching), IL . Caso contrrio o SCR retoma o estado de bloqueio. No possvel realizar o desligamento do componente pelo terminal de gate. Inclusive, aps o disparo, a corrente de gate pode ser retirada sem comprometer a condio de conduo do SCR. H dois meios de efetuar o bloqueio do SCR: Comutao natural: neste caso, a corrente de anodo naturalmente cai abaixo do valor mnimo chamado corrente de manuteno IH (Holding Current), o que d incio comutao. Em aplicaes CA, isto ocorre automaticamente nas passagens por zero da forma de onda corrente. Comutao forada: neste caso, o tiristor reversamente polarizado por um circuito auxiliar (chamado circuito de comutao forada) ou, s vezes, pelo prprio circuito de potncia. O processo de bloqueio semelhante ao dos diodos.

NPN inicia a conduo; Circula corrente pela juno base-emissor do transistor PNP; H uma realimentao positiva; Corrente atravs do dispositivo autosustentada. J1 e J3 so polarizadas diretamente e J2 inversamente; A ao dos dois emissores saturam a juno J2; A camada n absorve a camada de depleo; Logo J2 determina a tenso mxima aplicvel ao tirisitor;

Caracterstica V x I de um tiristor Sob tenso inversa o tiristor comporta-se similarmente a um diodo polarizado inversamente, que conduz pouca corrente at que avalanche ocorra. A regio de alta tenso e baixa corrente a regio de bloqueio em polarizao direta;

Caracterstica de chaveamento Bloqueio: Bloquear um tiristor requer a aplicao de uma tenso negativa entre anodo e catodo por um perodo de tempo mnimo; Processo similar ao de um diodo; Dispositivo bloqueia quando J1 ou J3 ficar inversamente polarizada Conduo acidental do tiristor: O tempo que o tiristor mantido sob tenso reversa deve ser suficientemente longo para garantir um real bloqueio; A taxa de crescimento dv/dt da tenso de polarizao direta deve ser mantida abaixo de um Mximo valor especificado pelo fabricante. Parmetros do SCR VDRM - Tenso direta repetitiva VRRM - Tenso reversa repetitiva

VRSM - Tenso de surto reversa no repetitiva VR - Tenso reversa contnua VT - Queda de tenso direta com o SCR em conduo (dv/dt)cr - Mxima taxa de crescimento da tenso ITSM - Corrente de surto direta no repetitiva ITM ou ITRM - Corrente de surto direta repetitiva IT ou ITAV - Corrente direta mdia ITRMS - Corrente direta eficaz IR - Corrente reversa (corrente de fuga) IRD - Corrente direta com o SCR bloqueado (corrente de fuga) IL - Corrente de travamento (latching current) IH - Corrente de manuteno (holding current) (di / dt) cr - Mxima taxa de crescimento da corrente tq - Tempo de comutao tgr - Tempo de recuperao de gate td ou tgd - Tempo de atraso no ligamento tr ou tgr - Tempo de decaimento da tenso anodo catodo tON ou tgt - Tempo de ligamento trr - Tempo de recuperao reversa IRM - Pico da corrente de recuperao reversa, dado para valores de temperatura, IF e diF / dt especficos. Qrr - Carga que flui para no circuito durante o intervalo trr PTOT ou PD(AV) - Dissipao de potncia Tj - Faixa de temperatura de operao da juno Rthjc ou R_JC - Resistncia trmica entre a juno encapsulamento em C/W rT - Resistncia hmica do tiristor

IGT - Mnima corrente de gate para o disparo VGT - Mnima tenso de gate para o disparo VGRM - Tenso reversa que pode ser aplicada juno G-K IGD - Mxima corrente de gate que certamente no provocar o disparo (gate non-trigger current) VGD - Mxima tenso de gate que certamente no provocar o disparo (gate non-trigger voltage) PGM - Pico de potncia de gate PG(AV) - Potncia mdia de gate IGTM ou IGSM - Corrente de gate

FET Transistor de efeito de campo

O FET (Field Effect Transistor) que traduzindo para o portugus significa Transistor de Efeito de Campo (TEC), um transistor unipolar. Nos transistores bipolares, para que haja controle de corrente, torna-se necessrio envolver correntes de eltrons e lacunas. Nos transistores unipolares para que haja controle de corrente esto envolvidas correntes de eltrons quando o mesmo do tipo canal n ou esto envolvidas correntes de lacunas quando o mesmo do tipo canal p. Os FETs possuem algumas vantagens com relao aos transistores bipolares como: impedncia de entrada elevadssima; relativamente imune radiao; produz menos rudo e possui melhor estabilidade trmica. No entanto, apresentam algumas desvantagens como: banda de ganho relativamente pequena e maior risco de dano quando manuseado. A exemplo do transistor bipolar, o FET um dispositivo de trs terminais, contendo uma juno p-n bsica, podendo ser do tipo de juno (JFET) ou do tipo metal-xido-semicondutor (MOSFET). A figura abaixo mostra a estrutura fsica de em FET canal n com seus respectivos terminais: D - (drain) ou dreno: de onde os portadores majoritrios saem;

S - (source) ou fonte: o terminal no qual os portadores majoritrios entram; G - (gate) ou porta: so regies fortemente dopadas em ambos os lados do canal. Quando o canal n o gate p. VDD a tenso aplicada entre o dreno e a fonte; VGG a tenso aplicada entre o gate (porta) e a fonte; VDS a tenso medida entre o dreno e a fonte; VGS a tenso medida entre o gate (porta) e a fonte. Comparativamente a um transistor bipolar, podemos ento estabelecer as equivalncias entre os terminais: D - (drain) = coletor S - (source) = emissor G - (gate) = base

A figura a seguir mostra a simbologia para os FETs de canal n e canal p:

FUNCIONAMENTO: Consideremos o FET canal n conforme mostra a figura abaixo, para VGS = 0.

a) VDD normal de VDD

b) Aumento

A medida que a tenso VDD aumenta, aumenta a polarizao inversa e a corrente de dreno circula atravs do canal, produzindo uma queda de tenso ao longo do canal, que mais positiva no terminal drain (dreno), produzindo a regio de depleo. Conforme a tenso VDD aumenta, a corrente ID tambm aumenta, resultando em uma regio de depleo maior. O aumento da regio de depleo provoca um aumento da resistncia entre drain e source. O aumento da regio de depleo pode ser feito at que todo o canal seja abrangido (veja fig. b). A partir da, qualquer aumento de VDD resultar apenas em aumento da tenso nos terminais da regio de depleo e a corrente ID permanece constante. PARMETROS IMPORTANTES: IDSS : corrente de saturao dreno-fonte (drain-source). a corrente na qual o canal estrangulado quando os terminais gate e source esto em curto (VGS = 0). um parmetro importantssimo do dispositivo.

VGS(OFF) = Vp : tenso de corte (estrangulamento) gate-source. Tenso entre gate e source para a qual o canal drain-source estrangulado, resultando em praticamente nenhuma corrente de dreno. BVGSS : tenso de ruptura source-gate. A tenso de ruptura de uma juno source-gate medida em uma corrente especificada com os terminais drain-source em curto. O valor da tenso de ruptura indica um valor limite de tenso nos terminais gate-source, acima do qual a corrente do dispositivo deve ser limitada pelo circuito externo para evitar danos ao FET. A tenso de ruptura um valor limite de tenso e deve ser usado na escolha da fonte de tenso de dreno.

MOSFET O transistor MOSFET (acrnimo de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) ou transistor de efeito de campo de semicondutor de xido metlico

Ele uma parte de material tipo n com um regio p direita e uma porta isolada esquerda.Os eltrons livres podem fluir da fonte para p dreno atravs do material n.A regio p chamada substrato ou corpo.Os eltrons que fluem da fonte para o dreno tm de passar atravs do estreito canal entre a porta e a regio p. Com uma tenso de porta negativa a tenso Vdd fora os eltrons livres a fluir da fonte para o dreno.Como em um JFET a tenso de porta controla a largura do canal.Quanto mais negativa a tenso da porta, menor a corrente de dreno.Quando a tenso da porta suficientemente negativa, a corrente de dreno cortada.Portanto, o funcionamento de um MOSFET similar ao JFET quando Vgs negativa. Como a porta do MOSFET est

eletricamente isolada do canal , podemos aplicar uma tenso positiva na porta, essa tenso positiva aumenta o nmero de eltrons livres que fluem atravs do canal.Quanto maior a tenso positiva, maior a conduo da fonte para o dreno.

IGBT TRANSISTOR BIPOLAR DE PORTA ISOLADA

O surgimento do Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT no final dos anos 80 representou um enorme avano na rea da eletrnica de potncia. Embora com velocidades menores do que as do MOSFET, o IGBT mais rpido do que o transistor bipolar, e pode controlar potncias muito mais elevadas do que o MOSFET. H disponveis hoje IGBTs com capacidade de tenso de 1700V e 600 A, e mais recentemente dispositivos de 3,3kv e 1000 A. Os tempos de comutao variam desde 0,2 micro seg nos IGBTs de menor potncia at 2 micro seg nos de maior potncia, aproximadamente. A figura seguinte mostra os smbolos mais usuais do IGBT.

Simbologia IGBT Os terminais do IGBT so: gate, coletor e emissor. Como pode ser notado nos smbolos, o IGBT, assim como o MOSFET, possui o terminal de controle (gate) isolado, ou seja, um dispositivo controlado por tenso. Isto significa circuitos de acionamento de gate menores, mais simples e mais baratos do que os utilizados nos BJTs. O IGBT rene caractersticas do transistor bipolar e do MOSFET. Na realidade, a caracterstica de entrada do IGBT a mesma do MOSFET, enquanto a caracterstica de sada similar do BJT. Esta ltima confere ao IGBT quedas de tenso coletor-emissor pequenas (1.5 a 3.5V), mesmo nos dispositivos com maior capacidade de bloqueio de tenso. Ao contrrio do MOSFET, IGBT no possui internamente o diodo intrnseco.

Pode-se adquirir IGBTs com ou sem o diodo anti-paralelo. Por outro lado, o IGBT possui internamente um tiristor parasita. Caso esse tiristor entre em conduo, o controle do IGBT ser perdido, o que pode lev-lo destruio. Esse fenmeno conhecido por latch-up, que pode ser provocado por excesso de corrente de coletor ou dvce / dt excessivo. Nas geraes atuais de IGBT esse problema foi minimizado: o latch-up dificilmente ocorre. So os chamados latch-up free IGBTS. O ligamento do IGBT feito de maneira similar do MOSFET: deve-se carregar a capacitncia gate-emissor com uma tenso suficiente. O desligamento efetuado fazendo-se VGE inferior ao valor de limiar V ce(th). Normalmente se utilizam as tenses 0 e 15V ou 15 e +15V para efetuar o comando do IGBT. Assim como nos MOSFETs, os tempos de comutao so diretamente relacionados com a velocidade de carga da capacitncia CGE . Variando-se a resistncia externa de gate pode-se alterar o comportamento dinmico do IGBT. A maior fonte de perdas por comutao no IGBT a presena da cauda de corrente (current tailing) no desligamento. Nas geraes atuais, esse problema foi reduzido, mas ainda persiste. A figura seguinte ilustra esse fenmeno.

Corrente no desligamento do IGBT Nos manuais, as perdas por chaveamento dos IGBTs so especificadas explicitamente (parmetros Eon e Eoff) em mJ (mWs). Estas especificaes so vlidas para condies pr-estabelecidas, devendo ser corrigidas de acordo com a situao de interesse.

Aplicaes dos IGBTs Os IGBTs so os dispositivos mais utilizados em inversores e choppers de pequena e mdia potncia, existindo mdulos de IGBTs com uma ponte trifsica completa integrada. Alm de mdulos meia ponte (half bridge), etc. Esses mdulos facilitam a montagem e levam a indutncias parasitas menores, entretanto, caso um dos IGBTs se danifique, todo o mdulo perdido. H tambm os chamados IPMs mdulos de potncia inteligentes (Inteligent Power Modules), que integram o circuito de potncia, circuitos de proteo e os drives de gate dos IGBTs. Parmetros de IGBTs VCES - Tenso coletor emissor estando o gate em curto com o emissor VCGR - Tenso coletor gate estando o gate ligado ao emissor por de um resistor V(BR) CES - Tenso de ruptura coletor-emissor com VGE=0 VCE(sat) - Mxima tenso coletor emissor quando em saturao VCE(on) - Mxima tenso coletor emissor quando em saturao IC - Corrente DC de coletor ICM - Corrente de surto de coletor (vlida para uma dada largura de pulso) ICES - Corrente de coletor com gate ligado ao emissor (corrente de fuga) IGES - Corrente gate emissor com VCE= 0 (corrente de fuga) PD - Potncia mxima dissipada (normalmente a 25c) Eon - Perda de energia no ligamento Eoff - Perda de energia no desligamento Ets - Perda total de energia no chaveamento td(on) - Tempo de atraso no ligamento tr - Tempo de subida da corrente td (off) - Tempo de atraso no desligamento tf - Tempo de queda da corrente Qg - Carga total de gate (gate-emissor mais gate-coletor) Qge - Carga gate-emissor

Qgc - Carga gate-coletor Ciss - Capacitncia de entrada Coss - Capacitncia de sada Crss - Capacitncia gate-coletor (capacitncia reversa) LCE - Indutncia interna R_JC - Resistncia trmica juno ambiente TJ - Temperatura da pastilha