6.

002

CIRCUITOS Y ELECTRNICA

Anlisis de gran seal del amplificador MOSFET

6.002 Otoo 2000

Clase 9

Repaso
Amp. construido utilizando una fuente dependiente

control a puerto a

DS

b salida b puerto

Fuente dependiente en un circuito

a +
a

i = f (v )
b

Superposicin con fuentes dependientes: una forma dejar todas las fuentes dependientes dentro (in); resolver las fuentes independientes de una en una [seccin 3.5.1 del libro de texto] Siguiente, repaso rpido de los amplificadores

Lectura: captulos 7.3 al 7.7

6.002 Otoo 2000 Clase 9
2

Repaso de los amplificadores

VS
RL

vO
VCCS

vI

K 2 iD = (vI 1) 2 para v I 1V = 0 si no,

vO = VS iD RL K (vI 1)2 2
6.002 Otoo 2000 Clase 9
3

Es necesario un dispositivo clave:

v
A B
i = f (v )
fuente de corriente controlada por tensin

Examinemos nuestro conocido MOSFET...

6.002 Otoo 2000

Clase 9

Es necesario un dispositivo clave:

Nuestro conocido MOSFET
De alguna forma mentimos, puesto que el comportamiento de un estado estado conductor del MOSFET es bastante ms complejo de lo que hacen creer el conmutador ideal o el modelo de resistencia.

D G vGS < VT

D
G S vGS VT

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Clase 9

Grficamente
+ vGS
iDS v+ DS

Demo

e tr

iDS vGS VT

iDS vGS VT

iDS

vDS = vGS VT vGS 1

Regin de saturacin

n d

odo

Regi

vGS 2
...

vGS3
vDS

vGS < VT

vDS

vGS < VT

vDS

MODELO S MODELO SR

vGS < VT Regin de

corte

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Clase 9

Grficamente
+ vGS
iDS v+ DS

e tr

iDS vGS VT

iDS vGS VT

iDS

vDS = vGS VT vGS 1

Regin de saturacin

n d

odo

Regi

vGS 2
...

vGS3
vDS

vGS < VT

vGS < VT MODELO S MODELO SR cuando vDS vGS VT

vDS

vGS < VT

vDS

6.002 Otoo 2000

Clase 9

Observe que el MOSFET se comporta como una fuente de corriente

7

Cuando

Modelo MOSFET SCS

vDS vGS VT

el MOSFET se encuentra en su regin de saturacin y el modelo de fuente de corriente de conmutacin del MOSFET es ms preciso que el modelo S o el SR.

D G vGS < VT D G S vGS G VT S D iDS = f (vGS ) K 2 = (vGS VT ) 2 S

cuando,

vDS vGS VT

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Clase 9

Reconciliacin de los modelos

iDS vGS VT vGS VT vGS < VT vGS < VT iDS iDS vDS = vGS VT vGS 1
Regin de saturacin
odo

n d

e tr

Regi

vGS 2
...

vGS3
vDS

vDS

vDS

vGS < VT
para diseos analgicos

MODELO S
por diversin

MODELO SR MODELO SCS

para diseos digitales

Utilizacin de cada modelo en el curso 6.002

Nota: como alternativa (en cursos ms avanzados)

vDS vGS VT vDS < vGS VT

utilice el modelo SCS utilice el modelo SR

o utilice el modelo SU (seccin 7.8 de A&L)

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Clase 9

De vuelta al amplificador
VS
vI

AMP

vO

VS
RL vI

D S

vO K 2 iDS = (vI VT ) 2 en la regin de saturacin

Para asegurarnos de que el MOSFET funciona como un VCCS, debemos manejarlo solamente en su regin de saturacin. Para ello, nos comprometemos a cumplir la "disciplina de saturacin"

6.002 Otoo 2000

Clase 9

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Amplificador MOSFET
VS
RL vI

D S

vO K 2 iDS = (vI VT ) 2 en la regin de saturacin

Para asegurar que el MOSFET funciona como un VCCS, debemos manejarlo solamente en su regin de saturacin. Para ello, prometemos cumplir la disciplina de saturacin.
En otras palabras, accionaremos el circuito de amplificador tal que:

vGS VT y

v DS vGS VT vO vI vT
Clase 9

siempre.

6.002 Otoo 2000

11

Analicemos el circuito
En primer lugar, sustituya el MOSFET por su modelo SCS.

VS
RL

vO G D
+ vI

iDS

vGS = vI

K 2 = (vI VT ) 2

para vO vI VT

6.002 Otoo 2000

Clase 9

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Analicemos el circuito
VS
RL

vO G D
+ vI

iDS =

vGS = vI

K (vI VT )2 2

para vO vI VT
(vO = vDS en nuestro ejemplo)

Mtodo analtico: vO vs vI vO = VS iDS RL B K 2 o vO = VS (vI VT ) RL para vI VT 2 vO vI VT

vO = VS

v I < VT (el MOSFET se desconecta)

para

6.002 Otoo 2000

Clase 9

13

Mtodo grfico:

vO vs vI

K A partir de A : i DS = (vI VT 2 vO vI VT
para

),
2

2iDS vO K K 2 iDS vO 2

B : iDS

VS v0 = RL RL

6.002 Otoo 2000

Clase 9

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Mtodo grfico: vO vs vI K 2 K 2 A : iDS = (vI VT , para iDS vO 2 2 V v iDS = S O B : RL RL

iDS VS RL
B

iDS

K 2 vO 2
A
vI = vGS

Ln ea de ca rg a

VS

vO

Se deben cumplir las restricciones de A y B

6.002 Otoo 2000

Clase 9

15

Mtodo grfico:

vO vs vI

iDS VS RL
B

iDS

K 2 vO 2
A
vI

I DS

VI vO

VO

VS

Se deben cumplir las restricciones de A y B Despus, dado V, podemos hallar VO, IDS . I

6.002 Otoo 2000

Clase 9

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Anlisis de gran seal

del amplificador (bajo la disciplina de saturacin)
1

vO frente a vI

2 Mrgenes de funcionamiento de entrada y

de salida vlidos.

6.002 Otoo 2000

Clase 9

17

Anlisis de gran seal

1

vO frente a v I vO VS K 2 VS (vI VT ) RL 2

VT

vO = vI VT entra en la regin de trodo vI

6.002 Otoo 2000

Clase 9

18

Anlisis de gran seal

2 Cules son los mrgenes de funcionamiento
vlidos bajo la disciplina de saturacin?
Nuestras restricciones

vI VT vO vI VT iDS

iDS K 2 vO 2

K 2 vO 2

iDS VS RL

K 2 iDS = (vI VT ) 2 vI v V iDS = S O RL RL vO

VS

?
6.002 Otoo 2000

vI = VT vO = VS e iDS = 0
Clase 9
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Anlisis de gran seal

2 Cules son los mrgenes de funcionamiento
vlidos bajo la disciplina de saturacin?

iDS

iDS

K 2 vO 2

K 2 iDS = (vI VT ) 2 vI VS vO iDS = RL RL vO 1 + 1 + 2 KRLVS vI = VT + KRL

1 + 1 + 2 KRLVS vO = KRL VS vO iDS = RL RL
6.002 Otoo 2000 Clase 9

vI = VT vO = VS e iDS = 0

20

Resumen del anlisis de gran seal

1

vO frente a vI vO = VS K (vI VT )2 RL 2

2 Cules son los mrgenes de funcionamiento

vlidos bajo la disciplina de saturacin?

Margen de entrada vlido:

vI : VT

1 + 1 + 2 KRLVS VT + KRL

margen de salida correspondiente:

vO : VS a

1 + 1 + 2 KRLVS KRL

6.002 Otoo 2000

Clase 9

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