Technische Information /

technical information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T1400N16H75
Key Parameters
VDRM / VRRM 1600V
ITAVM 1410A (TC=85 °C)

ITSM 34000A
VT0 0,80V
rT 0,21mΩ
RthJC 17,0K/kW
Clamping Force 14…26kN
Max. Diameter 75 mm
Contact Diameter 50 mm
Height 26,5 mm
For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features

 Volle Sperrfähigkeit 50/60Hz über einen weiten  Full blocking 50/60Hz over a wide range
Temperaturbereich temperature range
 Hohe DC Sperrstabilität  High DC blocking stability

 Hohe Stoßstrombelastbarkeit  High surge current capability

 Industrie-Standard-Gehäuse  Industial standard package

Typische Anwendungen Typical Applications

 Sanftanlasser  Soft starter

 Mittelspannungsumrichter  Medium voltage converters
 Gleichrichter für Antriebsapplikationen  Rectifier for drives applications

content of customer DMX code DMX code DMX code

digit digit quantity
serial number 1..7 7 4 5
SP material number 8..16 9
datecode (production day) 17..18 2 1 2

datecode (production year) 19..20 2

datecode (production month) 21..22 2
vT class (optional) 23..26 4
QR class (optional) 27..30 4
www.ifbip.com
support@infineon-bip.com

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T1400N16H75
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1600 V

non-repetitive peak forward off-state voltage

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1700 V

non-repetitive peak reverse voltage

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert TC = 85°C ITRMS 2220 A

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 1410 A
average on-state current
Dauergrenzstrom TC = 55°C, θ = 180°sin, tP = 10ms ITAVM 2040 A
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert ITRMS 3200 A
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tP = 10ms ITSM 34000 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10ms 29500 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tP = 10ms I²t 5780 10³ A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10ms 3920 10³ A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 60747-6 (diT/dt)cr 250 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr 1000 V/µs
critical rate of rise of off-state voltage 5.Kennbuchstabe / 5th letter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung Tvj = Tvj max, iT = 3kA vT max. 1,43 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) max 0,80 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT max 0,21 mΩ
slope resistance
Durchlasskennlinie 200A ≤ iT ≤ 8500A Tvj = Tvj max A= 2,235E-01
on-state characteristic B= 1,395E-04
v T  A  B  i T  C  ln (i T  1)  D  iT C= 9,788E-02
D= -2,543E-05
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 12V IGT max. 250 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 12V VGT max. 2 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 12V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 12V IH max. 500 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 12V, RGK ≥ 10Ω IL max. 2500 mA
latching current iGM = 1A, diG/dt = 1A/µs,
tg = 20µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 150 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 60747-6 tgd max. 4 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 1A,
diG/dt = 1A/µs

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T1400N16H75
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq typ. 230 µs
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

Innerer Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthJC
thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, θ = 180°sin max. 18,5 K /kW
beidseitig / two-sided, DC max. 17,0 K/kW
Anode / anode, θ = 180°sin max. 35,7 K/kW
Anode / anode, DC max. 34,2 K/kW
Kathode / cathode, θ = 180°sin max. 36,5 K/kW
Kathode / cathode, DC max. 35,0 K/kW

Übergangs-Wärmewiderstand Kühlfläche / cooling surface RthCH

thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sides max. 2,5 K/kW
einseitig / single-sides max. 5,0 K/kW
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40…+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40…+150 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage Seite 4
case, see annex page 4
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft F 14…26 kN
clamping force
Steueranschlüsse Gate (flat) A 2,8x0,5 mm
control terminals Gate (round, based on AMP 60598) Ø 1,5 mm
Kathode / cathode A 4,8x0,5 mm
Gewicht G typ. 600 g
weight
Kriechstrecke 20 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance

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Phase Control Thyristor T1400N16H75

4 5
1: Anode / Anode
2: Kathode / Cathode
1 2
4: Gate
5: Hilfskathode/
Auxiliary Cathode

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T1400N16H75
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Kühlung /
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Cooling

Rthn [K/kW] 1,5 3 10 1 1,5 0 0

beidseitig
two-sided
n [s] 13 2 0,17 0,018 0,003 1 1

Rthn [K/kW] 15,7 6 10 1 1,5 0 0

anodenseitig
anode-sided
n [s] 21 6 0,17 0,018 0,003 1 1

Rthn [K/kW] 16,5 6 10 1 1,5 0 0

kathodenseitig
cathode-sided
n [s] 21 6 0,17 0,018 0,003 1 1

nmax

R
-t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC  thn 1 e n

n=1

40
c
35
a
30
[K/kW]

25

20
thJC

b
Z

15

10

0
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]

Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC

Z thJC = f(t)

a - Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling

b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c - Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling

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Netz-Thyristor
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Erhöhung des Zth DC bei Sinus und Rechteckströmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln Θ
Rise of Zth DC for sinewave and rectangular current with different current conduction angles Θ
ΔZth Θ sin / ΔZth Θ rec

ΔZth Θ sin180° ΔZth Θ rec 180° ΔZth Θ rec 120° ΔZth Θ rec 90° ΔZth Θ rec 60° ΔZth Θ rec 30°
Kühlung / Cooling
[K/kW] [K/kW] [K/kW] [K/kW] [K/kW] [K/kW]

beidseitig
1,504 1,970 3,307 4,277 5,595 7,331
two-sided

anodenseitig
1,505 1,970 3,307 4,278 5,596 7,335
anode-sided

kathodenseitig
1,505 1,970 3,308 4,278 5,596 7,336
cathode-sided

Zth Θ sin = Zth DC + Zth Θ sin

Zth Θ rec = Zth DC + Zth Θ rec

8.000

7.000 Tvj = Tvj max

6.000

5.000
iT [A]

4.000

3.000

2.000

1.000

0
0,7 0,9 1,1 1,3 1,5 1,7 1,9 2,1 2,3
VT [V]

Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)

Tvj = Tvj max

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Phase Control Thyristor T1400N16H75
100
vG [V]

10
c
b

Tvj = -40 C
Tvj = +25 C
Tvj max = +135 C

0,1
10 100 iG [mA] 1000 10000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation P GM = f (tg) :

a - 20W / 10ms b - 40W / 1ms c - 60W / 0,5ms

10000
iTM =
2000A
Qr [µAs]

1000A

500A

200A

100A

1000

50A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(di/dt)

Tvj= Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlassstrom / On-state current iTM

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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor T1400N16H75
6000

5000 DC

rec
sin
rec 180°
rec 180°
4000 120°
rec 90°
PTAV [W]

θ= 60°
rec 30°
3000

2000

1000

0
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
ITAV [A]

Durchlassverlustleistung / On-state power loss PTAV = f(ITAV)

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

140

120

100
T C [°C]

80

60

40
θ= rec rec rec sin rec
DC
rec 30° 60° 90° 120° 180° 180°
20
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500
I TAV [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAV)

Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling

Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ

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30

20
IT(OV)M [kA]

0-50V

0,33 VRRM
10
0,67 VRRM

0
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen

Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves

Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IT(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM
Typical dependency of maximum overload on-state current IT(OV)M as a number of a sequence of
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM
IT(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvjmax

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