SFH 309 SFH 309 FA

NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor

SFH 309 SFH 309 FA

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified

Wesentliche Merkmale
q Speziell geeignet fr Anwendungen im

Features
q Especially suitable for applications from

Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA) q Hohe Linearitt q 3 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse q Gruppiert lieferbar Anwendungen q Lichtschranken fr Gleich- und Wechsellichtbetrieb q Industrieelektronik q Messen/Steuern/Regeln

380 nm to 1180 nm (SFH 309) and of 880 nm (SFH 309 FA) q High linearity q 3 mm LED plastic package q Available in groups Applications q Photointerrupters q Industrial electronics q For control and drive circuits

Semiconductor Group

01.97

feof6653

feo06653

SFH 309 SFH 309 FA

Typ Type SFH 309 SFH 309-3 SFH 309-4 SFH 309-5 SFH 309-61)
1) 1)

Bestellnummer Ordering Code Q62702-P859 Q62702-P997 Q62702-P998 Q62702-P999 Q62702-P1000

Typ (*vorher) Type (*formerly) SFH 309 FA (*SFH 309 F) SFH 309 FA-2 (*SFH 309 F-2) SFH 309 FA-3 (*SFH 309 F-3) SFH 309 FA-4 (*SFH 309 F-4) SFH 309 FA-5 (*SFH 309 F-51))

Bestellnummer Ordering Codes Q62702-P941 Q62702-P174 Q62702-P176 Q62702-P178 Q62702-P180

Eine Lieferung in dieser Gruppe kann wegen Ausbeuteschwankungen nicht immer sichergestellt werden. Wir behalten uns in diesem Fall die Lieferung einer Ersatzgruppe vor. Supplies out of this group cannot always be guaranteed due to unforseeable spread of yield. In this case we will reserve us the right of delivering a substitute group.

Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lttemperatur bei Tauchltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 5 s Dip soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 5 s Lttemperatur bei Kolbenltung Ltstelle 2 mm vom Gehuse, Ltzeit t 3 s Iron soldering temperature 2 mm distance from case bottom, soldering time t 3 s Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, < 10 s Collector surge current Symbol Symbol Wert Value 55 ... + 100 260 Einheit Unit C C

Top; Tstg TS

TS

300

VCE IC ICS

35 15 75

V mA mA

Semiconductor Group

SFH 309 SFH 309 FA

Grenzwerte Maximum Ratings (contd) Bezeichnung Description Verlustleistung, TA = 25 C Total power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10 % von Smax Spectral range of sensitivity S = 10 % of Smax Symbol Symbol SFH 309 S max 860 Wert Value SFH 309 FA 900 nm Einheit Unit Symbol Symbol Wert Value 165 450 Einheit Unit mW K/W

Ptot RthJA

380 ... 1150 730 ... 1120 nm

Bestrahlungsempfindliche Flche ( 240 m) A Radiant sensitive area Abmessung der Chipflche Dimensions of chip area Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche Distance chip front to case surface Halbwinkel Half angle Kapazitt, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Dunkelstrom Dark current VCE = 25 V, E = 0

0.2 0.45 0.45 2.4 ... 2.8

0.2 0.45 0.45 2.4 ... 2.8

mm2 mm mm mm

LB LW H

12 5.0 1 ( 200)

12 5.0 1 ( 200)

Grad deg. pF nA

CCE ICEO

Semiconductor Group

SFH 309 SFH 309 FA

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, = 950 nm Photocurrent Ee = 0.5 mW/cm2, VCE = 5 V SFH 309: Ev = 1000 Ix, Normlicht/ standard light A, VCE = 5 V Anstiegszeit/Abfallzeit Rise and fall time IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 k Kollektor-EmitterSttigungsspannung Collector-emitter saturation voltage IC = IPCEmin1) 0.3, Ee = 0.5 mW/cm2
1) 1)

Symbol Symbol -2 -3

Wert Value -4 -5

Einheit Unit

IPCE IPCE tr, tf

0.4 ... 0.8 0.63 ... 1. 1.0 ... 2.0 1.6 ... 3.2 mA 25 1.5 4.5 7.2 mA 2.8 5 6 7 8 s

VCEsat

200

200

200

200

mV

IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group

Directional characteristics Srel = f ()

Semiconductor Group

SFH 309 SFH 309 FA

Semiconductor Group

SFH 309 SFH 309 FA

Relative spectral sensitivity, SFH 309 Srel = f ()

Relative spectral sensitivity, SFH 309 FA Srel = f ()

Photocurrent IPCE = f (Ee), VCE = 5 V

Total power dissipation Ptot = f (TA)

Photocurrent IPCE = f (VCE), Ee = Parameter

Dark current ICEO = f (VCE), E = 0

Dark current ICEO = f (TA), VCE = 25 V, E = 0

Capacitance CCE= f (VCE), f = 1 MHz, E = 0

Photocurrent IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V

Semiconductor Group