N Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N
TT162N TD162N DT162N
TT162N...-K TD162N...-A
Kenndaten

Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDRM,VRRM 1200 1400 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages 1600 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = -40°C... Tvj max VDSM 1200 1400 V

non-repetitive peak forward off-state voltage 1600 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = +25°C... Tvj max VRSM 1300 1500 V

non-repetitive peak reverse voltage 1700 V

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert ITRMSM 260 A

maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom TC = 85°C ITAVM 162 A
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25 °C, tP = 10 ms ITSM 5200 A
surge current Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 4400 A
Grenzlastintegral Tvj = 25 °C, tP = 10 ms I²t 135000 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tP = 10 ms 97000 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 f = 50 Hz, (diT/dt)cr 150 A/µs
critical rate of rise of on-state current iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dvD/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 6.Kennbuchstabe / 6th letter C 500 V/µs
6.Kennbuchstabe / 6th letter F 1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung Tvj = Tvj max , iT = 500 A vT max. 1,41 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,85 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj = Tvj max rT 0,95 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6 V IGT max. 150 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6 V VGT max. 2 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max , vD = 6 V IGD max. 10 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM max. 5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RA = 5 Ω IH max. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6 V, RGK ≥ 10 Ω IL max. 800 mA
latching current iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs,
tg = 20 µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iR max. 30 mA
forward off-state and reverse current vD = VDRM, vR = VRRM
Zündverzug DIN IEC 747-6Tvj = 25 °C, tgd max. 3 µs
gate controlled delay time iGM = 0,6 A, diG/dt = 0,6 A/µs

prepared by: C.Drilling date of publication: 04.07.02

approved by: J.Novotny revision: 1

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
5.Kennbuchstabe / 5th letter O typ. 200 µs

Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL 2,5 kV

insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec 3,0 kV

Thermische Eigenschaftenpro Modul / per Module, Θ = 180° sin

Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand RthJC max. 0,100 °C/W
thermal resistance, junction to case pro Zweig / per arm, Θ = 180° sin max. 0,200 °C/W
pro Modul / per Module, DC max. 0,096 °C/W
pro Zweig / per arm, DC max. 0,192 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per Module RthCH max. 0,03 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Zweig / per arm max. 0,06 °C/W

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C

maximum junction temperature
Betriebstemperatur Tc op -40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg -40...+130 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see annex page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation AlN
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 15% M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / Tolerance ± 10% M2 6 Nm
terminal connection torque
Steueranschlüsse DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
control terminals
Gewicht G typ. 310 g
weight
Kriechstrecke 15 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50 Hz 50 m/s²
vibration resistance
file-No. E 83336

Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.

This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N

Maßbild
Maßbild

Maßbild

1 2 3 1 2 3 1 2 3
5 4 7 6 5 4 7 6

TT TD DT
1 2 3 1 2 3
4 5 7 6 5 4

TT-K TD-A

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N

R,T – Werte
Di
R,T-Werte Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,0094 0,0224 0,0586 0,102

τn [s] 0,0014 0,0253 0,267 1,68

n max

S
–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thJC = R thn 1 - e tn
n=1

Luftselbstkühlung / Natural cooling

3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (45W)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA

Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 1,71 0,135 0,013

τn [s] 1200 14 4

Verstärkte Kühlung / Forced cooling

3 Module pro Kühlkörper / 3 modules per heatsink
Kühlkörper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)

Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thCA

Analytical elements of transient thermal impedance Z thCA

Pos. n 1 2 3 4 5 6 7

Rthn [°C/W] 0,515 0,119 0,026

τn [s] 354 13,6 2,41

nmax

S
–t
Analytische Funktion / Analytical function: Z thCA = Rthn 1 - e tn

n=1

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N

0,300
Diagramme

0,250
Trans. Wärmewiderstand bei Sinus Θ=
30°
0° 180° 60°
0 90°
0,200 120°
180°

0,150

0,100

0,050

0,000
0,01 0,1 1 t [s] 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

Trans. Wärmewiderstand bei Rechteck

0,300
Θ=
30°
0,250 60°
90°
0° 180° 120°
0,200
0 180°
DC

0,150

0,100

0,050

0,000
0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 100

Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current

Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor-Modul
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250
Diagramme

Durchgangsverluste bei Sinus 180°

200 0°
0 180° 120°
90°

150 60°
Q = 30°

100

50

0
0 20 40 60 80 100 ITAV [A] 120 140 160 180

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

300
Durchgangsverluste bei Rechteck
DC
250
0° 180°
0 180°
200 120°
90°
60°
150
Q = 30°

100

50

0
0 50 100 150 ITAV [A] 200 250

Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor-Modul
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140
Gehäusetemperatur bei Sinus
120
0° 180°
0
100

80

60

40
Q = 30° 60° 90° 120° 180°

20
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
ITAVM [A]

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)

Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

140
Gehäusetemperatur bei Rechteck

120
0° 180°
0
100

80

60

40
Q = 30° 60° 90° 120° 180° DC

20
0 50 100 150 ITAVM [A] 200 250

Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)

Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N
800
0,08 0,06 0,05 RthCA [°C/W] B2 ID

+
0,10

0,12
Maximaler Strom bei B2 und B6
~
600 R-Last
R-load
0,15
- L-Last
L-load
0,20
400
0,25
0,30
0,40
200
0,60
0,80
1,00
1,50
0
0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200 250 300 350
T A [°C] I D [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

1200 ID
R thCA [°C/W] B6
0,06 0,05 0,04
+

1000 3~
0,08
-
800 0,10

0,12
600
0,15

0,20
400 0,25
0,30
0,40
200
0,60
0,80

0
0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450
T A [°C] ID [A]

Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT162N
450
0,15 0,12 0,10 W 1C
R thCA [°C/W] ~
IRMS

Maximaler Strom bei W1C und W3C

400

0,20
350

0,25 ~
300

0,30
250

0,40
200
0,50

150 0,60
0,80
100 1,00
1,50
50 2,00
3,00
0
0 20 40 TA [°C] 60 80 100 120 0 100 200 I 300 400
RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient RthCA

1200 W 3C
0,06 0,05 0,04 R thCA [°C/W] ~ ~ ~
IRMS

1000
0,08
~ ~ ~

800 0,10

0,12

600 0,15

0,20
400 0,25
0,30
0,40
200
0,60
0,80

0
0 20 40 60 80 100 120 0 50 100 150 200 250 300 350
T A [°C] I RMS [A]

Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient RthCA

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100

Steuercharakteristik

10 c

b
a

0,1
10 100 iG [mA] 1000 10000

Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 6 V

Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 6 V

Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms

Zündverzug
1000

100

10
a

1 b

0,1
10 100 iGM [mA] 1000 10000

Zündverzug / Gate controlled delay time tgd = f(iG)

Tvj = 25°C, diG/dt = iGM/1µs

a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic

b - typischer Verlauf / Typical characteristic

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10000

Sperrverzögerungsladung

iTM = 500A
200A

1000 100A
50A

20A

100
1 10 -di/dt [A/µs] 100

Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR ≤ 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlaßstrom / On-state current iTM

4.000
Grenzstrom
3.500
a

3.000 TA = 35 °C

2.500

2.000

1.500
TA = 45°C
1.000
b
500

0
0,01 0,1 1
t [s]

Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions

b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35°C, verstärkte Luftkühlung / Forced air cooling
TA = 45°C, Luftselbstkühlung / Natural air cooling

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2.000 Überstrom
I TAV (vor) =
0A
15 A
1.500 22 A
28 A
35 A
40 A
1.000

500

0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]

Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)

B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular

Kühlkörper / Heatsink type KM17 (45W) Luftselbstkühlung bei / Natural cooling at TA = 45°C

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)

I TAV (vor) =
2.000
0A
30 A
50 A
65 A
1.500 80 A
90 A

1.000

500

0
0,01 0,1 1 10 100 1000 10000
t [s]

Überstrom je Zweig / Overload on-state current IT(OV)

B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular

Kühlkörper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N) Verstärkte Kühlung bei / Forced cooling at TA = 35°C

Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm ITAV(vor)

BIP AC / Warstein,den 18.01.88 Spec A513MT Seite/page 12/12

Nutzungsbedingungen
Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die
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lebenserhaltenden Anwendungsbereichen einzusetzen, bitten wir um Mitteilung. Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle
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