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Centro Federal de Educao Tecnolgica de Santa Catarina


Gerncia Educacional de Eletrotcnica

ELETRNICA INDUSTRIAL

CURSO TCNICO DE ELETROTCNICA

Florianpolis, 2003

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1. ELETRNICA: BREVE HISTRICO

No incio do sculo, com o surgimento da vlvula eletrnica, houve um grande avano na produo de equipamentos e dispositivos fabricados com a finalidade de executar muitas tarefas teis para a poca. Rdios, telgrafos, telefonia e at mesmo a televiso tiveram seu desenvolvimento por causa das vlvulas. Voc deve estar se perguntando: O que uma vlvula eletrnica? Observe a figura abaixo.

catodo

anodo

filamento

Uma vlvula um dispositivo composto por duas placas metlicas encapsuladas em vidro evacuado. Dentro desse bulbo de vidro, tambm h um filamento que, conectado a uma bateria, aquece uma das placas, o catodo, gerando um fluxo de eltrons que tende a se deslocar em direo segunda placa, polarizada positivamente, chamada anodo. Quando invertemos a polarizao da placa, cessa o fluxo de eltrons, ou seja, cessa a corrente eltrica dentro do tubo. Podemos concluir, a partir disso, que possvel fazer circular a corrente em um nico sentido dentro de uma vlvula diodo.

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2. SEMICONDUTORES
Semicondutores so materiais slidos ou lquidos, capazes de mudar com certa facilidade de sua condio de isolante para a de condutor, isto , podem sofrer grandes alteraes em sua condutividade.

2.1.

Condutividade eltrica

a capacidade de conduzir corrente eltrica sob aplicao de uma tenso, tem uma das mais amplas faixas de valores que qualquer outra propriedade fsica da matria. Metais como cobre, prata e alumnio so excelentes condutores, mas isolantes como diamante e vidro so condutores muito pobres. Em baixas temperaturas, semicondutores puros se comportam como isolantes. Sob temperaturas mais altas ou luz ou com a adio de impurezas, porm, pode ser aumentada dramaticamente a condutividade de semicondutores podendo ser alcanados nveis que se aproximam dos metais. As propriedades fsicas de semicondutores so estudadas em fsica do estado slido.

2.2.

Eltrons de conduo e lacunas

Os semicondutores comuns so fabricados a partir de elementos qumicos (semimetais) como silcio, germnio e selnio; alm de combinaes como: arseneto de glio, seleneto de zinco e telureto de chumbo. O aumento da condutividade com a temperatura, luminosidade ou impurezas surge de um aumento no nmero de eltrons de conduo que so os portadores da corrente eltrica. Em um semicondutor puro, ou intrnseco (inerente), como o silcio, os eltrons de valncia, ou eltrons exteriores de um tomo (ltima camada), formam pares e so compartilhados entre tomos vizinhos formando ligaes covalentes que mantm coesa a estrutura do cristal. Estes eltrons de valncia no so livres para produzir corrente eltrica. Para produzir eltrons de conduo, temperatura ou luz usada para excitar os eltrons de valncia para fora de suas ligaes, deixando-os livre para produzir corrente. A deficincia de eltrons, ou lacunas, surgem no lugar de onde saram os eltrons excitados, o que faz com que outros eltrons livres ou de valncia possam vir a completar aquele par na ligao covalente. Diz-se que as lacunas so os "portadores positivos" de eletricidade. Esta a origem fsica do aumento na condutividade eltrica de semicondutores com a temperatura. Devido dupla possibilidade de conduo de corrente, por eltrons livres e por lacunas, a condutividade pode aumentar expressivamente nestes cristais.
2.3. Dopagem

Outro mtodo para produzir portadores de carga eltrica livres adicionar impurezas, ou dopar, ao semicondutor. A diferena no nmero de eltrons de valncia entre o material dopante (doadores ou aceitadores de eltrons), e o cristal intrnseco, d lugar a semicondutores extrnsecos (artificiais) dopados negativamente (tipo negativo ou n) ou positivamente (tipo positivo ou p). Cada tomo de silcio possui quatro eltrons de
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valncia. So necessrios dois eltrons de tomos distintos para formar uma ligao covalente. No semicondutor de silcio tipo n, tomos como o fsforo (P) com cinco eltrons de valncia, substituem tomos de silcio e provem eltrons extras. Como sobram eltrons (carga negativa), o semicondutor do tipo n. No semicondutor de silcio tipo p, tomos com trs eltrons de valncia, como o alumnio (Al), produzem uma deficincia de eltrons, ou uma lacuna que age como um portador de carga positiva. Os eltrons extras e as lacunas podem produzir corrente eltrica. Acrescente-se que quando um eltron ocupa a rbita de uma lacuna, devolve a energia cintica que possui, desaparecendo duas cargas livres (o eltron e a lacuna). A este processo chama-se recombinao.

2.4.

Juno pn

Quando regies de semicondutor do tipo p e tipo n so adjacentes dentro de um mesmo cristal, forma-se um diodo semicondutor. A regio de contato chamada juno pn. Um diodo um dispositivo de dois terminais que tem uma condutncia baixa corrente eltrica em uma direo mas uma alta condutncia eltrica na outra direo.

As propriedades de condutncia da juno pn dependem da polaridade e valor da tenso sobre o dispositivo. Sries de junes pn so usadas para fazer transistores e outros dispositivos semicondutores como: clulas fotoeltricas, tiristores, laser, retificadores, e etc.

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3. DIODO SEMICONDUTOR
O Diodo semicondutor um elemento que tem a funo de deixar passar a corrente em um sentido (para um lado) e no deixar passar a corrente em sentido contrrio. Esse componente muito utilizado em circuitos que precisam transformar corrente alternada em corrente contnua, como se ver na tarefa que envolve retificadores de tenso.

ANODO

CATODO

I
Como exemplo, podemos analisar o funcionamento do circuito abaixo e que utiliza um diodo entre a lmpada e a fonte de tenso. 1a Situao: Diodo polarizado diretamente

A lmpada acende porque o diodo est diretamente polarizado (o circuito fecha e a corrente passa para a lmpada)

2a Situao: Diodo polarizado reversamente

circuito no percorrido por corrente, pois o diodo est "bloqueado" (reversamente polarizado).

3.1.

Como construdo um diodo?

A funo bsica do diodo semicondutor deixar passar a corrente eltrica em um sentido e no deixar passar no sentido inverso. A construo feita usando um material semicondutor, o qual permite que sua capacidade de conduo seja alterada pela adio de impurezas (negativas ou positivas). Em um dos lados so adicionadas cargas positivas e no outro, negativas, separadas por uma barreira que no permite que elas se recombinem. Para que haja a circulao de corrente, necessrio que se aplique a ele uma polarizao adequada. Como voc observou no experimento, a corrente s passa pelo diodo quando o terminal do ANODO est ligado ao plo positivo da bateria e o CATODO ligado ao plo negativo.

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BARREIRA DE POTENCIAL
Regio P Regio N

Anodo

Catodo

3.2.

Principais especificaes do diodo

Os diodos disponveis no mercado possuem especificaes que se referem sua capacidade de corrente direta, tenso reversa, freqncia de operao, potncia mxima e podem identificados nas folhas de dados dos componentes da seguinte forma:
GRANDEZA Simbologia / unidade Ex: Diodo 1N4001

Corrente Direta Mxima Corrente de Fuga (inversa) Tenso de Pico inversa (reversa) Potncia Mxima

IDM (A) IF (A) VBr (V) PDM (W)

1A 10A 50V 1W

3.3.

A Curva do diodo e a Reta de Carga

ID Corrente no diodo VD Tenso no diodo IS Corrente de saturao (corrente mxima no diodo considerando-o como um curto). Q Ponto quiescente ou ponto de trabalho. Vc Tenso de corte (tenso no diodo para corrente nula). Vcc Tenso da fonte. RL Resistncia da carga. IF Corrente de fuga (com o diodo na polarizao reversa).

O grfico acima mostra a curva caracterstica de um diodo. Quando VD e ID so positivos temos o comportamento do diodo na polarizao direta. Quando VD e ID so negativos temos o diodo na polarizao reversa. Na polarizao reversa temos uma pequena corrente de fuga (IF - 10 A para o diodo 1N4001) e o ponto de quebra (VBR 50V para o diodo 1N4001) ou seja, a mxima tenso reversa que o diodo suporta. Na polarizao direta observamos o V (aproximadamente 0,7V para os diodos de silcio e 0,3V para os diodos de germnio). A inclinao desta curva significa uma resistncia que o diodo apresenta quando polarizado diretamente, isto : aumenta a tenso VD com o aumento da corrente que passa por ele.

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Este grfico apresenta tambm o traado de uma reta de carga. Qual a sua utilidade? De posse da curva de um determinado diodo podemos determinar o seu ponto de trabalho (Q ponto quiescente). Desta forma podemos determinar a reta de carga da seguinte forma: Primeiro: Determina-se a tenso de corte VC = VCC e IS = Zero (na prtica a tenso da fonte). Segundo: Determina-se a corrente de saturao considerando que o diodo um curto Is = VCC/RL e VD = Zero. Terceiro: Unindo-se os dois pontos acima, encontra-se o ponto quiescente (Q) no encontro com a curva caracterstica do diodo. Quarto: O ponto Q fornece a tenso e a corrente no diodo (VD e ID). Com estes dois pontos podemos determinar a potncia dissipada pelo diodo (PD = VD x ID). De posse destes dados podemos escolher o diodo para o circuito comparando os valores calculados com as especificaes tcnicas do componente.

3.4.
3.4.1.

Modelos do Diodo
Diodo Ideal

ID

Aqui ele um curto circuito.

Aqui ele um circuito aberto. VD

3.4.2.

Diodo com V

ID

VD

3.4.3.

Exemplo - 1 Calcule a corrente no diodo de silcio do circuito a seguir:

Considerando o modelo 1 Diodo ideal...


ID = 20 = 100 mA 200

A potncia no diodo zero.

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Considerando o modelo 2 Diodo com V = 0,7V diodo de silcio
ID = 20 0 , 7 = 96 , 5 mA 200

A potncia no diodo : PD = VD x ID = 67,6 mW


3.4.4. Exemplo - 2

Calcule a corrente no diodo de silcio do circuito a seguir:


Considerando o modelo 1 Diodo ideal.

3 = 100mA 30 A potncia no diodo zero. ID =

Considerando o modelo 2 Diodo com V = 0,7V diodo de silcio

ID =

3 0 ,7 = 76 ,7 mA 30

A potncia no diodo : PD=VD*ID = 53,7 mW OBSERVAES: H uma diferena entre as consideraes feitas para o clculo da potncia dissipada no diodo. Isto est relacionado com as tenses aplicadas no diodo. Logo, quando no for especificado, fica por conta do bom senso adotar o primeiro ou o segundo modelo. Normalmente para tenses muito baixas, o 0,7V do diodo faz diferena ... como no clculo de uma fonte de 3V, por exemplo, onde VD representa mais de 20%.

1) Qual a potncia dissipada num diodo de silcio com polarizao direta, se a tenso do diodo for de 0,7 V e a corrente de 100 mA? 2) Determinar a reta de carga, o ponto quiescente (Q) e a potncia dissipada pelo diodo no circuito a seguir, dada a sua curva caracterstica.

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3) Para os circuitos a seguir, utilizando-se os trs modelos de diodos, calcular o valor das correntes nos diodos (D) e analisar os resultados obtidos. Circuito 1:

Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10 Circuito 2:

Especificaes do diodo: V = 0,7 V e RD = 10 4) O circuito abaixo apresenta um problema. Identific-lo e propor uma soluo.

5) Identificar a condio das lmpadas no circuito abaixo, de acordo com a seguinte conveno: - lmpada acende; - lmpada no acende; - lmpada acende com sobrecarga de tenso, podendo danificar-se. Especificaes das lmpadas: VL = 6 V e PL = 120 mW

6) Esboar a curva caracterstica de um diodo de silcio com V = 0,7 V e VBR = 50 V. Explicar com suas palavras cada parte do grfico. 7) Para o circuito da Figura 1, calcular a corrente e a potncia dissipada pelo diodo. Considerar o modelo do diodo com V.

FIGURA 1
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8) Qual o valor da tenso reversa sobre o diodo, no circuito da Figura 2?

FIGURA 2

9) Aqui esto alguns diodos e suas especificaes de tenso de ruptura (VBR) e corrente mxima (DM):
Diodo VBR (V) DM (A)

1N914 1N4001 1N1185 10)

75 50 120

0,2 1,0 35,0

Qual desses diodos rompe-se, quando utilizado no circuito da Figura 3?

FIGURA 3

11) Quais os diodos relacionados no exerccio anterior, que podem ser utilizados no circuito da Figura 4?

FIGURA 4

12) No circuito da Figura 5, VD = 5 V. O diodo est aberto ou em curto ?

FIGURA 5

13) No circuito da Figura 6, a resistncia R est em curto. Qual ser a tenso sobre o diodo? O que acontecer ao diodo?

FIGURA 6
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14) O que h de errado com o circuito da Figura 7?

FIGURA 7 15) Para o circuito da Figura 10, calcular a corrente de saturao, a tenso de corte e o ponto Q, dado a curva caracterstica do diodo. Qual o valor da potncia dissipada pelo diodo?

FIGURA 10

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4. DIODO EMISSOR DE LUZ (LED)


O diodo emissor de luz (LED) um tipo de diodo que funciona da mesma forma que os diodos comuns, com a diferena de que o LED, quando polarizado diretamente, emite luz. Os LED's so muito utilizados em circuito de sinalizao, e podem ter sua luminosidade controlada pela corrente que circula por ele. Sua tenso de funcionamento varia entre 1,2 e 2,5 V. Existem LED's que trabalham emitindo radiao infravermelha (invisvel) e so muito utilizados em circuitos de alarme contra roubo ou leitores de cdigo de barras em cartes de plstico. O circuito abaixo mostra como podemos montar um circuito adequado para polarizar um diodo. Podemos testar um LED simplesmente usando um multmetro analgico na escala de menor resistncia e aplicando as ponteiras do instrumento ao componente para verificar se o mesmo acende. Existem aparelhos que possuem uma funo especfica para teste de diodos. A figura abaixo mostra como podemos ligar um LED a uma bateria atravs de um resistor de 390 para que este apresente uma luminosidade adequada.

12 V

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5. CIRCUITOS RETIFICADORES
A finalidade dos circuitos retificadores converter tenso alternada em tenso contnua (num nico sentido). Para isso utilizamos tambm os transformadores que podem abaixar ou elevar a tenso alternada (transformadores abaixadores e transformadores elevadores).

5.1.

Tipos de transformadores

O primrio ou o secundrio pode ser constitudo de enrolamento nico ou mltiplo. Para o nosso estudo vamos considerar alguns exemplos de transformadores:

5.1.1.

Especificaes resumidas de um transformador Exemplo 1. 110+110 V / 16+16V - 8VA. um transformador com dois enrolamentos no primrio (tipo 4); o secundrio tambm com dois enrolamentos (tipo 2 ou tipo 3) com derivao central ou Center-Tap que fornece 16V eficazes em cada enrolamento e uma corrente de 250mA em cada enrolamento (total de 500mA - 8VA). Os valores fornecidos so todos valores eficazes. A forma de onda senoidal. Exemplo 2. 0 110 - 220V / 15V - 15 VA. um transformador que possui o primrio com derivao central (tipo 3) e o secundrio com enrolamento nico (tipo 1 ou tipo 4) e fornece 1A. O primrio e o secundrio do transformador esto assim relacionados (isto sem levar em conta as perdas... um transformador ideal):

N1 V 1 = N2 V2

I 2 N1 = I1 N 2

onde: V1 I 1 = V2 I 2

onde: N1 = nmero de espiras do primrio N2 = nmero de espiras do secundrio I1 = corrente no primrio I2 = corrente no secundrio

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5.2. Retificadores de Meia-Onda

5.3.
5.3.1.

Retificadores de Onda Completa


Transformador com derivao central

5.3.2.

Retificador em ponte para transformador com enrolamento nico no secundrio

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RESUMINDO: Retificadores Ideais (considerando diodos ideais). ONDA COMPLETA (Transf. c/ deriv. central)
2 0,5V2p V2p 2FENT 0,5Icarga 2 V saida ( pico )

GRANDEZAS Nmero de diodos Tenso de pico de sada Tenso de pico inversa Freqncia de ondulao Corrente mdia no diodo Tenso mdia de sada Tenso mdia de sada

MEIA ONDA
1 V2p V2p FENT Icarga
Vsaida ( pico )

EM PONTE (Transf. sem deriv. central)


4 V2p V2p 2FENT 0,5Icarga 2 V saida ( pico )

2 V2 eficaz

2 2 V2 eficaz

2 2 V2 eficaz

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6. FILTRO CAPACITIVO
Depois que o sinal retificado, a tenso produzida na sada contnua, porm pulsante, inadequada para alimentar circuitos que exijam uma tenso contnua constante. Para obtermos uma tenso mais estvel, usamos um capacitor na sada em paralelo com a carga. A tenso sobre a carga, com a presena do capacitor em paralelo, se tornar "quase contnua" porque o capacitor se carrega at o valor mximo da tenso retificada e tende a permanecer com esse valor. Pode-se observar com o auxlio do Osciloscpio. A finalidade do filtro capacitivo tornar a tenso de sada mais prxima possvel de uma tenso contnua e constante. Este tipo de fonte aplicada em equipamentos que admitem pequenas variaes na tenso de alimentao. Estas variaes recebem o nome de tenso de ondulao ou ripple.

O grfico abaixo mostra que a tenso de sada varia desde o valor de pico at um valor mnimo. Enquanto esta tenso esta aumentando o capacitor carregado. Dependendo do valor do capacitor e tambm do valor carga (RL) o capacitor descarrega com maior ou menor rapidez. Se a rapidez da descarga for maior, a inclinao da reta de descida ser maior. Com isso chega-se a um valor mnimo mais distante do valor de pico. Logo a ripple ser tambm maior. Fazendo uma aproximao podemos dizer que a tenso de sada (Vmf) est no ponto mdio entre o valor mximo (de pico) e o valor mnimo.

VRL Tenso de sada da fonte filtrada ou tenso na carga V2p Tenso no secundrio do trafo ou na sada do filtro considerando o diodo ideal Vmf Tenso mdia fornecida pela fonte Vr Tenso de ripple ou tenso de ondulao

tenso

de

ripple

est onde:

assim

relacionada: V r = Vr = tenso de ripple Vmf = tenso de sada da fonte (mdia) f = freqncia de entrada (freq. da rede) C = capacitncia

Vmf f RL C

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Logo, quanto maior for a constante de descarga do capacitor (R x C) menor ser a tenso de ripple. Com isso podemos perceber que aumentando a resistncia de carga (diminuindo a corrente) ou aumentando o capacitor ou ambos, diminumos a tenso de ripple (diferena entre o valor mximo e mnimo). Como a tenso de sada o valor de pico menos a metade do ripple, conclumos que a tenso de sada da fonte aumenta. RESUMINDO: Retificadores Ideais (considerando diodos ideais) com filtros (com capacitor):

GRANDEZAS
Nmero de diodos Tenso de pico de sada Tenso de pico inversa Freqncia de ondulao Corrente mdia no diodo Tenso mdia de sada Tenso mdia de sada

MEIA ONDA
1 V2p 2V2p FENT Icarga V2p

ONDA COMPLETA (Transf. c/ deriv. central)


2 0,5V2p V2p 2FENT 0,5Icarga 0,5V2p

EM PONTE (Transf. sem deriv. central)


4 V2p V2p 2FENT 0,5Icarga V2p

2 V2eficaz

2 V2eficaz 2

2 V2eficaz

Deste modo voc tem elementos suficientes para calcular e implementar uma fonte filtrada. EXEMPLOS: Basicamente temos dois tipos de problemas para ilustrar o assunto fonte filtrada. Exemplo 1. Tenho um transformador e quero montar uma fonte filtrada com ele. O trafo que possuo de 110+110V / 12 + 12V 10VA. Logo, o trafo disponvel possui enrolamento com derivao central e pode fornecer 416mA em cada enrolamento de 12 V (isto significa fornecer 24V / 416mA ou 12V/ 832mA). Escolha do retificador: Para um transformador com derivao central vamos escolher um retificador de onda completa (melhor aproveitamento do trafo) com 2 diodos. Especificaes dos diodos A tenso mxima na sada do retificador ser : Vp = V2eficaz 2 V = 16,3V Especificaes dos diodos: Tenso reversa maior que 2 V2 2 = 33,9V Os diodos devem suportar uma corrente maior que 416mA Especificando o capacitor Adotando como tenso de ripple 1 Volt e freqncia da rede 60Hz teremos tenso mxima de 16,3 V e tenso mnima de 15,3V e portanto a tenso mdia ser de 15,8V, para isso o capacitor dever ter capacitncia igual a 6.933 F. A tenso suportada pelo capacitor dever ser maior que 16,3V. A carga ter uma resistncia igual a 18,4 Exemplo 2. Quero projetar uma fonte filtrada para fornecer uma corrente de 2 Ampres a 20 V. A tenso de ripple mxima adotada ser de 5%. A tenso mxima ser de 20,5 V e a mnima de 19,5 V. Neste caso tenho as especificaes da carga e vou dimensionar o trafo e os outros componentes. Especificando o transformador Vamos escolher um transformador com secundrio nico (sem derivao central). Poderamos escolher outro tipo transformador. De acordo com o transformador escolhido temos que utilizar um retificador em ponte (4 diodos). A resistncia da carga (RL) ser de 10. Para que a tenso na carga seja 20V, a tenso de pico na sada do transformador ser de: 20,5 + 2 V = 21,9V . Logo, a tenso eficaz no secundrio do transformador ser 15,5V.

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Considerando a rede local, este transformador dever ter o primrio para 220V e o secundrio para 15,5V / 40VA. A relao de espiras de 14,2 (V1/V2) Especificando os diodos A corrente suportada pelo diodo dever ser maior que 1,3 A (40VA/15,3/2). A tenso reversa (breakpoint) deve ser maior que 21,9V. Especificando o capacitor Considerando a corrente na carga 2 A; freqncia da rede 120Hz; obtemos 16.666 F e tenso maior que 21,9V Desenhe o esquema eltrico da fonte indicando as especificaes dos componentes e as tenses nos principais pontos.

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7. Especificaes do Diodo Zener


1) V - Tenso de conduo na polarizao direta, onde VD V 2) VZ - Tenso Zener (dada pelo fabricante). Como VZ sofre uma pequena variao em funo de IZ, o fabricante fornece um valor obtido por uma corrente de teste IZT. 3) IZM - Corrente Zener mxima 4) IZm ou IZK - Corrente Zener mnima. Caso no seja dado o valor de IZK considera-se IZm como sendo 10% de IZM ou seja: IZm = 0,1 IZM 5) PZM - Potncia Zener mxima. O diodo Zener dissipa esta potncia quando sua corrente atinge o valor IZM, ou seja: PZM = VZ IZM 6) RZ - Resistncia Zener. Esta resistncia reflete a pequena variao de VZ em funo de IZ e pode ser calculada por: V z Rz = I z

EXEMPLO: Diodo 1N961 - especificaes dadas pelo fabricante


Corrente zener mxima Corrente zener mnima Tenso Zener Resistncia Zener Potncia mxima

IZM IZm VZ RZ PDM

32 mA 0,25 mA 10 V 8,5 350 mW

1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1 11 10.5 10 9.5 9 8.5 8 7.5 7 6.5 6 5.5 5 4.5 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0.5 1

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8. Diodo Zener como Regulador de Tenso


8.1. Introduo

Como vimos anteriormente, o Diodo Zener tem uma peculiaridade interessante: enquanto ele est operando na Regio Zener (inversamente polarizado) sua tenso praticamente constante (no varia mais do que 5%) para grandes variaes de corrente (s vezes, mais de 100x) que por ele circula. No entanto, para se conseguir esta condio, existe um valor mnimo de corrente que garanta a presena da Tenso Zener sobre o diodo, j definida como IZmin. Por outro lado, o Diodo Zener tambm tem um limite mximo de corrente para que ele no queime, chamada de IZMAX. Vejamos, ento, como garantir que um Diodo Zener opere dentro dos limites de corrente estabelecidos pelo fabricante e com isso us-lo na sua principal funo: um bom regulador de tenso. Observe a figura do circuito eletrnico e as equaes a seguir.

RS

+ VE
IS IZ

+ VZ -

IS = IZ VE = R S I S + V Z

O resistor RS colocado para limitar a corrente que passa no Diodo Zener (IS = IZ) e, ao mesmo tempo, apresentar a diferena de tenso que existir entre VE e VZ. Se a corrente IZ possui valores mnimos e mximos para que o Diodo Zener opere satisfatoriamente, o resistor RS dever ser escolhido entre um valor mnimo e um mximo para garantir que a corrente IZ esteja dentro da faixa permitida. Vejamos os clculos:

VE V Z RS = IZ

R Smin =

VE V Z I Zmax

R Smax =

VE V Z I Zmin

Note que para o clculo do valor mximo de RS, utilizamos o valor mnimo de corrente IZ, e vice-versa.

Somente a partir do clculo dos valores para RS (mnimo e mximo) poderemos escolher um valor comercial adequado para ser utilizado no circuito.

EXEMPLO: Calcule os limites do resistor RS colocado para limitar a corrente do Diodo Zener 1N961
Corrente zener mxima Corrente zener mnima Tenso Zener Potncia mxima
R S min 12 10 = = 66,6 30mA

IZM 30 mA IZm 0,25 mA VZ 10 V PDM 320 mW

RS = ?
+ 12 V

IZ

+ VZ =10 V

12 10 = 8.000 R SMax = 0,25mA VALORES COMERCIAIS = 68 < RS < 6K8 (sempre ENTRE os valores encontrados)
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8.2. Regulador de tenso para carga e fonte fixas

O que ocorre quando colocamos uma carga para ser alimentada por esta fonte de tenso? Pela figura abaixo, verificamos que a corrente IS deve se dividir em duas: IZ e IL. Logo, devemos alterar nossa forma de clculo do resistor RS, pois a corrente que passa nele diferente da corrente que passa no Diodo Zener (IS IZ). O clculo de RS deve levar em conta que a diviso de corrente deve ser feita de forma a garantir que o Diodo Zener sempre receba sua corrente IZ dentro dos limites estabelecidos.

RS + VE IS IZ IL + RL VZ = VL -

IS = IZ + IL VE = R S I S + V Z

Note que a equao de tenso no se alterou, apenas a equao de corrente, pois IS agora a soma da corrente que circula nos dois ramos. A funo do resistor RS continua a mesma, controlar a corrente que a fonte fornece ao circuito, alm de receber a diferena de tenso existente entre VE e VZ. A alterao em relao ao clculo anterior dos valores limites de RS que agora devemos levar em conta o valor de IL, alm de IZ. Vejamos como ficam os clculos:

VE V Z RS = IZ + IL

R Smin = R Smax =

VE V Z I Zmax + I L VE V Z I Zmin + I L

Note que para o clculo do valor mximo de RS, utilizamos o valor mnimo de corrente IZ, e vice-versa.

EXEMPLO: Calcular os limites do resistor RS que deve ser colocado para garantir a corrente exigida pela carga e pelo Diodo Zener especificado abaixo:

RS + 14 V IS IZ IL 1K
Corrente zener mxima Corrente zener mnima Tenso Zener Potncia mxima
R SMax =

IZM 60 mA IZm 0,5 mA VZ 6,2 V PDM 350 mW

IL =

14 6,2V 6,2V = 117 = 6,2mA R S min = 60 + 6,2mA 1 K

14 6,2V = 1.164 0,5 + 6,2mA

VALORES COMERCIAIS = 120 < RS < 1K (sempre ENTRE os valores encontrados)

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9. TRANSISTOR DE JUNO BIPOLAR (BJT)


9.1. Introduo

DIODO

chave: aberta/fechada

no h controle da corrente

O princpio do transistor controlar a corrente. Ele montado numa estrutura de cristais semicondutores, de modo a formar duas camadas de cristais do mesmo tipo intercaladas por uma camada de cristal do tipo oposto, que controla a passagem de corrente entre as outras duas, Figura 6.1.

FIGURA 6.1 Aspectos construtivos e smbolos dos transistores bipolares


Cada uma das camadas, Figura 6.2, recebe um nome em relao a sua funo na operao do transistor:

FIGURA 6.2 Portadores nos transistores bipolares


Base (B):

dopagem mdia e muito fina. Assim, a maioria dos portadores lanados do emissor para a base, conseguem atravess-la dirigindo-se ao coletor; Coletor (C): levemente dopado, coleta (recolhe) ao portadores que vm da base. Ele muito maior que as outras camadas, pois nele que se dissipa a maior parte da potncia gerada pelos circuitos transistorizados; Emissor (E): fortemente dopado, tem por funo emitir portadores de carga para a base (e- no transistor NPN e lacunas no PNP).
9.2. Barreiras de potencial

Da mesma forma que na juno PN dos diodos, nas duas junes J1 e J2 dos transistores, Figura 6.3, surgem devido recombinao dos portadores barreiras de potencial, cujos valores a 25oC so V = 0,7 V para semicondutores de silcio e V = 0,3 V para semicondutores de germnio.

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FIGURA 6.3 Barreiras de potencial nos transistores bipolares

9.3.

Princpio do transistor

O comportamento bsico dos transistores nos circuitos eletrnicos fazer o controle da passagem de corrente entre o emissor e o coletor, atravs da base. Isto conseguido, polarizando-se adequadamente suas junes.
9.3.1. Polarizao direta da juno E B

A juno E B funciona como um diodo quando polarizada diretamente, ou seja, por ela circula uma elevada corrente (B) de portadores majoritrios (e-), Figura 6.4. Existe uma pequena corrente (corrente de fuga) em sentido contrrio, devido aos portadores minoritrios.

FIGURA 6.4 Polarizao direta da juno E B


9.3.2. Polarizao reversa da juno B C

Polarizando-se reversamente a juno C B a barreira de potencial aumenta, diminuindo o fluxo de corrente de portadores majoritrios, Figura 6.5. Os portadores minoritrios atravessam a barreira de potencial com facilidade no sentido contrrio, produzindo uma corrente reversa desprezvel.

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FIGURA 6.5 Polarizao reversa da juno B C


9.3.3. Polarizao completa

Polarizando-se diretamente a juno E B e reversamente a juno B C, o fluxo de e- livres na primeira, que antes dirigia-se ao terminal da base, agora, devido a maior atrao exercida pelo coletor, dirige-se quase que totalmente para ele, atravessando a outra juno sem encontrar dificuldades, Figura 6.6.

FIGURA 6.6 Polarizao completa do transistor bipolar


Como a base mais fina e menos dopada, os portadores do emissor saturam a base atravs de recombinaes. Assim, uma pequena parte dos portadores saem pela base e a maioria sai pelo coletor.
9.3.4. Tenses e correntes nos transistores NPN e PNP

Da Figura 6.7, tem-se que:

NPN: E = C + B e VCE = VBE + VCB ; PNP: E = C + B e VEC = VEB + VBC .

FIGURA 6.7 Tenses e correntes nos transistores bipolares

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As correntes de portadores minoritrios, por serem muito menores que as correntes de portadores majoritrios, sero sempre desprezadas.
9.3.5. Efeito de amplificao

Aumentado-se a corrente B aumenta o nmero de recombinaes, aumentando-se a corrente C, pois B controla a corrente entre o emissor e o coletor. Como B << C, uma pequena variao em B (iB), Figura 6.8, provoca uma grande variao em C (iC). Portanto, verifica-se que iC um reflexo amplificado de iB.

FIGURA 6.8 Efeito de amplificao no transistor NPN


Como o transistor possibilita a amplificao de um sinal, ele chamado de componente ativo. O efeito de amplificao do transistor chamado de ganho de corrente (), sendo expresso pela equao: i = C i B
9.3.6. Configuraes bsicas

Base Comum

Emissor Comum

Coletor Comum

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9.4. Principais caractersticas

Caracterstica de entrada: relao entre a corrente e a tenso de entrada, para vrios valores constantes da tenso de sada. Caracterstica de sada: relao entre a corrente e a tenso de sada, para vrios valores constantes da corrente de entrada. Estas caractersticas, em forma de curva, permitem o clculo dos resistores de polarizao.
9.5. Configurao emissor comum (EC)

a configurao mais utilizada em circuitos transistorizados, Figura 6.9. Por isso, os diversos parmetros dos transistores fornecidos pelos manuais tcnicos, tm como referncia esta configurao.

FIGURA 6.9 Configurao emissor comum (EC)


Para esta configurao, tem que: Base (B): entrada de corrente; Coletor (C): sada de corrente; Emissor (E): terminal comum s tenses de entrada e sada. Curva caracterstica de entrada

VCE = cons tan te VBE B ; caracterstica de base; controla-se B, variando-se VBE.

FIGURA 6.10 Curva caracterstica de entrada EC

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Curva caracterstica de sada

B = cons tan te VCE C ;


caracterstica de sada ou de coletor; regies: corte: C 0 ; saturao: VCE 0 ; ativa: regio entre o corte e a saturao (B linear).

FIGURA 6.11 Curva caracterstica de sada EC


Ganho de Corrente

h FE = =

C B

Como C >> B, >> 1. Logo, o transistor na configurao EC, funciona como um amplificador de corrente. Como a inclinao da curva caracterstica de sada varia para cada valor de B, o ganho de corrente no constante. Os valores tpicos de so de 50 a 900.
9.6. Limites dos transistores

tenso mxima de coletor: VCEmax; corrente mxima de coletor: Cmax; potncia mxima de coletor: PCmax; para EC: PCmax = VCEmax x Cmax; tenso de ruptura da junes (BV): BVCBO = tenso de ruptura entre C e B, com E aberto; BVCEO = tenso de ruptura entre C e E, com B aberto; BVCES = tenso de ruptura entre C e E, com B em curto.

FIGURA 6.12 Limites do transistor bipolar


9.7. Polarizao dos transistores bipolares

As principais aplicaes dos transistores so na amplificao de sinais e como chave. Para tanto, o transistor deve estar polarizado.

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9.7.1. Ponto quiescente (Q)

Polarizar um transistor fix-lo num ponto de operao em corrente contnua, que esteja dentro de sua regio de operao. A polarizao tambm chamada de polarizao DC, pois fixa atravs de resistores externos, valores de correntes e tenses contnuas no transistor. O ponto de trabalho do transistor chamado de ponto de operao esttica ou ponto quiescente (Q). A escolha do ponto Q feita em funo da aplicao do transistor (regies de corte, saturao ou ativa.

QA: regio ativa (grandes variaes em B, C e VCE); QB: regio de saturao (VCE 0); QC: regio de corte (C 0).

FIGURA 6.13 Regies de trabalho do transistor bipolar


9.7.2. Reta de carga

A reta de carga, Figura 6.14, o lugar geomtrico de todos os pontos quiescentes possveis, para uma determinada polarizao e depende da configurao adotada.. Para determin-la, necessita-se de apenas dois pontos de operao conhecidos.

FIGURA 6.14 Reta de carga do transistor bipolar


9.7.3. Circuitos de polarizao EC

Para que transistor trabalhe na regio ativa: juno E B: polarizada diretamente; juno B C: polarizada reversamente. Para tanto, utilizam-se duas fontes de alimentao e resistores para limitar as correntes e fixar o ponto Q do circuito.

FIGURA 6.15 Circuito de polarizao EC

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VBB + R B B + VBE = 0 B =
VCC + R C C + VCE = 0

Malha de entrada: Malha de sada:

VBB VBE RB

C = B

VCE = VCC R C C

9.7.4.

Circuito de polarizao EC com corrente de base constante

RB > RC para garantir a polarizao direta da juno E B e reversa da juno B C; elimina-se a fonte de alimentao VBB simplificao.

FIGURA 6.16 Circuito de polarizao EC com corrente de base constante


Malha de entrada: Malha de sada:

VCC + R B B + VBE = 0 B =
VCC + R C C + VCE = 0

VCC VBE C = B RB VCE = VCC R C C

9.8.

Influncia da temperatura no comportamento dos transistores

O material semicondutor sensvel temperatura, ou seja, com o aumento da temperatura ocorre a gerao de novos portadores. Nos transistores, a variao de temperatura (T) altera o ganho de corrente (), a tenso baseemissor (VBE) e a corrente de fuga (F).

a variao de VBE com a temperatura desprezvel; a F e o podem apresentar variaes acentuadas;

T grande variao em C, sem variao em B circuito instvel. FIGURA 6.17 Influncia da temperatura no transistor bipolar

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o ponto Q do circuito ao lado, deve fixar os valores de CQ e VCEQ; na malha de sada um aumento na temperatura, provoca um aumento de CQ e da queda de tenso em RC (VRC). Como VCC = constante, esse aumento de VRC tem de ser compensado pela diminuio de VCEQ. A diminuio de VCEQ provoca novo aumento de CQ, gerando uma realimentao positiva que provoca a instabilidade do circuito;

FIGURA 6.18 Variao do ponto Q em funo da temperatura

soluo: realimentao negativa, ou seja, colocar em srie com o emissor um resistor RE.

9.8.1.

Circuito de polarizao EC com corrente de emissor constante

aumentando a temperatura, aumenta C, E, VRC e VRE, diminuindo VCEQ realimentao positiva instabilidade; com o aumento de VRE, diminui VRB (VBE constante); com a diminuio de VRB, diminui BQ. Assim, CQ diminui compensando seu aumento inicial; o aumento de VRE gera uma realimentao FIGURA 6.19 Circuito de polarizao EC negativa, que garante a estabilidade do circuito e do ponto Q. com corrente de emissor contante Como a realimentao negativa faz CQ voltar ao seu valor original, o mesmo acontece com EQ que mantm-se constante. Por isso, esse circuito de polarizao conhecido por polarizao EC com corrente de emissor constante. Malha de entrada: VCC + R B B + VBE + R E E = 0 E = C + B = B + B = ( + 1) B VCC VBE VCC + R B B + VBE + R E ( + 1) B = 0 B = C = B R B + ( + 1) R E Malha de sada: VCC + R C C + VCE + R E E = 0 VCE = VCC R C C R E E como: >> 1 C E VCE = VCC (R C + R E ) C

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9.8.2. Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base

este circuito uma outra forma de solucionar o problema da instabilidade; o circuito projetado para fixar o valor da tenso no resistor RB2 (VRB2); VRB2 = VBE + VRE fixado o valor de VRB2, como VBE constante, VRE tambm permanece constante. Assim, garante-se a estabilidade de EQ e CQ, independente da variao de ;

FIGURA 6.20 Circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base

Malha de entrada:

>> 1 B 0

VB =

R B2 VCC R B1 + R B2

VB + VBE + VRE = 0 VRE = VB VBE


mas: VRE = VE = R E E E = como: >> 1 C E Malha de sada: VCC + R C C + VCE + R E E = 0
VCE = VCC RC C RE E

VRE RE

como: >> 1 C E Determinao da Reta de Carga (a) Ponto de saturao: Malha de sada: (b) Ponto de corte: Malha de sada: VCEsat = 0

VCE = VCC (R C + R E ) C

VCC = VCEsat + (R C + R E ) Csat Csat =

VCC RC + RE

Ccorte = Ecorte = 0 VCC = VCEcorte + (R C + R E ) Ccorte VCEcorte = VCC

A reta de carga do circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base, apresentada na Figura 6.21.

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FIGURA 6.21 Reta de carga do circuito de polarizao EC com divisor de tenso na base

9.9.

Transistor como chave

O transistor operando na regio de saturao e de corte funciona como uma chave, ou seja, como um elemento de controle on off, Figura 6.22, conduzindo corrente ou no.

FIGURA 6.22 Analogia transistor bipolar chave


Para que o transistor comporte-se como uma chave, utiliza-se o circuito de polarizao EC com corrente de base constante com duas fontes de alimentao, Figura 6.23.

FIGURA 6.23 Circuito de polarizao para o transistor bipolar operando como chave
Para que o transistor trabalhe na regio de corte (Q1), figura 6.24: VE < VBE

Ccorte 0 VS = VCEcorte = VCC

chave aberta

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Para que o transistor trabalhe na regio de saturao (Q2) Figura 6.13: VE > VBE Malha de entrada: Malha de sada:

C = Csat VS 0 chave fechada

VE + R B B + VBE = 0 B =
VCC + R C C + VCE = 0

VE VBE C = B RB VCE = VCC R C C

O corte do transistor depende apenas da tenso VE, ento, para a determinao do ponto de saturao tem-se que:

Bsat =

VE VBE RB

Csat = Bsat

e VCEsat = VCC R C Csat

FIGURA 6.24 Reta de carga para o transistor bipolar operando como chave

9.10. Reguladores Srie

Pode-se usar um transistor na configurao coletor comum, para melhorar o desempenho de um regulador zener, Figura 6.25. A tenso zener a tenso na base do transistor, de modo que a tenso de sada expressa por: VS = VZ VBE Esta tenso de sada fixa. Se a tenso de entrada variar, a tenso zener permanecer aproximadamente constante e, tambm, a tenso de sada. Assim, o circuito funciona como um regulador de tenso.

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FIGURA 6.25 Regulador srie


A vantagem deste regulador sobre o regulador zener comum, visto no captulo 5, que como a corrente atravs de RS dada por:

RS = Z + B mas:

B =

RL

Esta corrente de base muito menor que a corrente de carga, podendo-se utilizar um diodo zener com menor capacidade de corrente do que aquele do regulador zener comum. Para projetar um regulador srie, deve-se considerar a potncia dissipada no transistor que dada por: PD = VCE C onde: VCE = VE VS

C E

Como os terminais C E do transistor esto em srie com a carga, a corrente de carga deve passar atravs do transistor, que chamado de transistor de passagem. Devido a sua simplicidade, os reguladores srie so amplamente empregados. A principal desvantagem de um regulador srie, a potncia dissipada no transistor de passagem. Desde que a corrente de carga no seja muito grande, o transistor de passagem no aquece demais. Mas, quando a corrente de carga muito elevada, o transistor de passagem tem que dissipar uma boa quantidade de potncia, aumentando a temperatura interna do equipamento. Em alguns casos, pode ser necessrio um ventilador para diminuir o calor.

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9.11. Exerccios
Determinar as seguintes quantidades para a configurao da figura 1: B, C, VCE, VB e VC.

Resp.: B = 47,08 A - C = 2,35 mA VCE = 6,83 V VB = 0,7 V VC = 6,83 V

Figura 1 Para o circuito da figura 2, determinar: B, C, E ,VCE, VB, VC e VE.

Resp.: B = 40,1 A - C =E = 2,01 mA VCE = 13,97 V VB = 2,71 V VC = 15,98 V = 2,01 V

VE

Figura 2 Determinar o ponto Quiescente (Q) e a reta de carga para a configurao da figura 3.

Resp.: VCEQ = 12,22 V - CQ = 0,85 mA - Csat = 1,91 mA VCEcorte = 22 V

Figura 3
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Determinar VC e VB para o circuito da figura 4.

Resp.: VC = - 4,48 V VB = - 8,3 V

Figura 4 Determinar VC e VB para o circuito da figura 5.

Resp.: VC = 8,53 V VB = - 11,59 V

Figura 5 Para o circuito da figura 6, determinar: C, RC, RB e VCE.

Resp.: C = 3,2 mA RC = 1,87 k - RB = 282,5 k - VCE = 6 V

Figura 6

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Para o circuito da figura 7, determinar: C, VCC, e RB.

Resp.: C = 3,98 mA VCC = 15,96 V - = 199 RB = 763 k

Figura 7 Para o circuito da figura 8, determinar: BQ, CQ, VCEQ, VC, VB e VE.

Resp.: BQ = 29,24 A - CQ = 2,92 mA - VCEQ = 8,59 V - VC = 12,99 V - VB = 5,08 V VE = 4,38 V

Figura 8 Para o circuito da figura 9, determinar: RC, RE, RB, VCE e VB.

Resp.: RC = 4,7 k - RE = 1,2 k - RB = 356 k - VCE = 0,2 V VB = 3,1 V

Figura 9

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Para o circuito da figura 10, determinar: BQ, CQ, VCEQ, VC, VB e VE.

Resp.: BQ = 24,78 A - CQ = 1,98 mA - VCEQ = 6,9 V - VC = 8,28 V - VB = 2,05 V - VE = 1,35 V

Figura 10

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