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SFH 205 SFH 206

Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter

SFH 205 SFH 206

Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale q Speziell geeignet fr Anwendungen bei 950 nm q Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns) q 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehuse q Auch gegurtet lieferbar Anwendungen
q IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Features
q Especially suitable for applications of

950 nm q Short switching time (typ. 20 ns) q 5 mm LED plastic package q Also available on tape Applications
q IR-remote control of hi-fi and TV sets, video

Rundfunkgerten, Videorecordern, Lichtdimmern, Gertefernsteuerungen q Lichtschranken fr Gleich- und Wechsellichtbetrieb

tape recorders, dimmers, remote control of various equipment q Light reflecting switches for steady and varying intensity

SFH 205 SFH 206

Typ (* ab 4/95) Type (* as of 4/95) SFH 205 (* SFH 205 F) SFH 206 (* SFH 206 F)

Bestellnummer Ordering Code Q62702-P102 Q62702-P128

Gehuse Package 10 A3 DIN 41868 (TO-92-hnlich), schwarzes Epoxy-Gieharz, Ltspiee im 2.54-mm-Raster (1/10), Kathodenkennzeichnung: Gehusekerbe 10 A3 DIN 41 868 (similar to TO-92), black epoxy resin, solder tabs 2.54 (1/10) lead spacing, cathode marking: notch at package

Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Lttemperatur (Ltstelle 2 mm vom Gehuse entfernt bei Ltzeit t 3s) Soldering temperature in 2 mm distance from case bottom (t 3s) Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung, TA = 25 oC Total power dissipation Kennwerte (TA = 25 oC, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity VR = 5 V, Ee = 0.5 mW/cm2 Wellenlnge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit S = 10% von Smax Spectral range of sensitivity S = 10% of Smax Bestrahlungsempfindliche Flche Radiant sensitive area Symbol Symbol S Wert Value 25 ( 15) Einheit Unit A Symbol Symbol Top; Tstg TS Wert Value 55 ... +80 230 Einheit Unit
oC oC

VR Ptot

32 150

V mW

S max

950 800 ... 1100

nm nm

7.00

mm2

SFH 205 SFH 206

Kennwerte (TA = 25 oC, = 950 nm) Characteristics Bezeichnung Description Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Flche Dimensions of radiant sensitive area Abstand Chipoberflche zu Gehuseoberflche Distance chip surface to case surface SFH 205 SFH 206 Halbwinkel Half angle Dunkelstrom, VR = 10 V Dark current Spektrale Fotoempfindlichkeit Spectral sensitivity Quantenausbeute Quantum yield Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2 Open-circuit voltage Kurzschlustrom, Ee = 0.5 mW/cm2 Short-circuit current Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes Rise and fall time of the photocurrent RL= 50 ; VR = 5 V; = 850 nm; Ip = 800 A Durchlaspannung, IF = 100 mA, E = 0 Forward voltage Kapazitt, VR = 0 V, f = 1 MHz, E = 0 Capacitance Temperaturkoeffizient von VL Temperature coefficient of VL Temperaturkoeffizient von IK, Temperature coefficient of IK Rauschquivalente Strahlungsleistung Noise equivalent power VR = 10 V Nachweisgrenze, VR = 10 V Detection limit Symbol Symbol LxB LxW Wert Value 2.65 x 2.65 Einheit Unit mm

H H IR S VL IK tr, tf

2.3 ... 2.5 1.2 ... 1.4 60 2 ( 30) 0.59 0.77 330 ( 250) 25 20

mm mm Grad deg. nA A/W Electrons Photon mV A ns

VF C0 TCV TCI NEP

1.3 72 2.6 0.18 4.3 x 1014

V pF mV/K %/K W Hz cm Hz W

D*

6.2 x 1012

SFH 205 SFH 206


Relative spectral sensitivity Srel = f () Photocurrent IP = f (Ee), VR = 5 V Open-circuit-voltage VL= f (Ee) Total power dissipation Ptot = f (TA)

Dark current IR = f (VR), E = 0

Capacitance C = f (VR), f = 1 MHz, E = 0

Dark current IR = f (TA), VR = 10 V, E = 0

Directional characteristics Srel = f ()

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