Sie sind auf Seite 1von 9

Proceso de Fabricacin

1. 2. 3. 4. 5.

Metodologa Patterning Proceso CMOS Reglas de diseo Latchup

Microelectrnica
Febrero de 2008

Marisa Lpez Vallejo


M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Proceso de fabricacin

Fabricacin de un lingote de silicio


En cmara limpia

Mscaras

Obleas

Proceso de fabricacin
Oblea procesada Chips

Productos qumicos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Cmara limpia
Equipo de fotolitografa Equipo de limpieza de fotorresinas Puestos de limpieza y manejo de substratos.

Cmara limpia
Evaporador por can de electrones Equipo de ataque por iones Campanas para ataques qumicos

M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Pulido de obleas

Patterning
Imprimir las formas geomtricas de un diseo en las diferentes capas del proceso (Si) Incluye:
Elaboracin de las mscaras Fotolitografa: transferencia de patrones al silicio

Utiliza:
Fotorresinas
+ Zonas ilumniadas se eliminan - Zonas iluminadas se mantienen

M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Fotolitografa

Inicio del proceso CMOS

La oblea de silicio dopada positivamente se cubre con una capa de xido aislante (amarillo) mediante deposicin qumica por vapor
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Se aplica de forma uniforme una capa de fotorresina (sensible a la luz ultra-violeta) en la superficie del SiO2
M. L. Lpez Vallejo

Se coloca la primera mscara sobre la oblea, proyectando luz ultra-violeta. Las zonas de fotorresina expuestas a la luz se endurecen.
M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina no expuesta mediante un disolvente especfico.


M. L. Lpez Vallejo

Se ataca el SiO2 que no est protegido mediante la fotorresina para eliminarlo de la superficie de la oblea. Queda slo una pequea capa que actuar de aislante.
M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina endurecida mediante la utilizacin de un disolvente qumico.

Se deposita una capa de polisilicio mediante deposicin qumica de vapor.


M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Se vuelve a depositar fotorresina para un segundo proceso de fotolitografa.


M. L. Lpez Vallejo

De nuevo se coloca una mscara y se aplica luz ultravioleta para endurecer la fotorresina expuesta.
M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina no expuesta lavando la superficie con un disolvente


M. L. Lpez Vallejo

Ataque por haz de iones que elimina el polisilicio sobrante (junto con el SiO2 fino) y deja la superficie de la oblea al descubierto.
M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina (disolvente qumico)


M. L. Lpez Vallejo

Dopado mediante implantacin de iones de fsforo (verde) que da lugar a la difusin n (drenador y fuente del transistor).
M. L. Lpez Vallejo

Se deposita una segunda capa de SiO2 que actuar como aislante de la superficie de la oblea.
M. L. Lpez Vallejo

Nuevo depsito de fotorresina para aplicar otra mscara.


M. L. Lpez Vallejo

Se aplica la nueva mscara: para los contactos.


M. L. Lpez Vallejo

La eliminacin de la fotorresina expuesta a la luz UV deja al descubierto las fosas para los contactos.
M. L. Lpez Vallejo

Se realiza un ataque para eliminar el SiO2 de los contactos y dejar al descubierto drenador, fuente y puerta.
M. L. Lpez Vallejo

Se elimina de nuevo la fotorresina sobrante.

M. L. Lpez Vallejo

Se deposita una capa de aluminio (metal) de forma uniforme, rellenando los contactos.
M. L. Lpez Vallejo

Nueva fotorresina para la mscara de conexionado (wiring).


M. L. Lpez Vallejo

Nueva mscara para las conexiones al transistor.


M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina no expuesta.


M. L. Lpez Vallejo

Ataque para eliminar el aluminio sobrante (no protegido por fotorresina)


M. L. Lpez Vallejo

Se elimina la fotorresina y se ha terminado el proceso


M. L. Lpez Vallejo

Fabricacin de CI
Corte transversal de un inversor
field oxide

Fabricacin de CI
Corte transversal de un inversor con contactos a pozo y substrato

(ohmic contact)

Bakos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Bakos

Pozos
Photolithography

Fabricacin de CI
Chips are fabricated using set of masks Inverter uses 6 layers:
n-well, poly, n+ diffusion, p+ diffusion, contact, metal

p+

n+

n+

p+ n

p+

n+

Basic steps

La base de la oblea se hace de un material (p/n) y luego se crean pozos del contrario (n/p) Necesitan contactos hmicos a:
Masa: pozo p Alimentacin: pozo n
M. L. Lpez Vallejo

oxidize apply photoresist remove photoresist with mask HF acid eats oxide but not photoresist pirana acid eats photoresist ion implantation (diffusion, wells) vapor deposition (poly) plasma etching (metal) Bakos
M. L. Lpez Vallejo

polarizan en inversa los diodos parsitos

Fabricacin de CI

Fabricacin de CI
Heavy doped poly is grown with gas in furnace (chemical vapor deposition)

Furnace used to oxidize (900-1200 C) Masked used to pattern poly

Mask exposes photoresist to light, allowing removal HF acid etch

piranha acid etch diffusion (gas) or ion implantation (electric field) HF acid etch M. L. Lpez Vallejo Poly is not affected by ion implantation

Bakos
M. L. Lpez Vallejo

Bakos

Fabricacin de CI

Interaccin diseador-fabricante

Fbrica Reglas de Diseo El diseador debe decirle al fabricante qu quiere hacer mediante un conjunto de mscaras El fabricante impone restricciones tecnolgicas mediante las reglas de diseo
No nos preocupan los detalles de fabricacin si cumplimos las reglas de diseo
Bakos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Metal is sputtered (with vapor) and plasma etched from mask

Reglas de diseo Microwind 0,12 m


Las reglas de diseo definen restricciones geomtricas con rangos para la representacin de las mscaras
Ejemplos:
min. anchura conexiones para evitar discontinuidades min. distancia para evitar cortocircuitos min. extensin para garantizar recubrimientos

Reglas de diseo Microwind 0,12 m


Caractersticas del proceso:
0,12 m ( = 0,06 m) 6 capas de metal Pozo N Escalable: disponible desde 1,2 m hasta 0,05 m

Se miden en micras Necesario por tolerancia de las mscaras

Proceso de fabricacin: definido por mnima longitud de canal Basado en el parmetro Lambda (CMOS escalable) : mitad de la mnima longitud de canal

M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Pozo N

Difusiones n+ y p+
R201 Anchura mn. p+ n+ 4

R102

R202 Distancia p+ n+ 4 R203 Extensin pozo a p+ 6 R204 Distancia n+ a pozo 6 R205 Extensin pozo a n+ 2 R206 Distancia p+(pol) n+ 0 R207 Distancia pozo p+ 6

R101 Mnimo tamao de pozo: 12 R102 Distancia entre pozos: 12


M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo

Polisilicio

Contactos

R301 Anchura mn. 2 R302 Anchura puerta 2 R303 R304 Distancia poly-poly 3 R305 Distancia poly-diff 2 R306 Extensin diff-poly 4 R307 Extensin poly-diff 6

R401 Anchura mn. 2 R402 Distancia contactos 5 R403 Extensin diff-cont 2 R404 Extensin poly-cont 2 R405 Extensin metal-cont 2 R406 Distancia cont-puerta 3

M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Metal 1 y Va
Metal1 R501 Anchura mn. 4 R502 Distancia metal1 4 Via R601 Anchura mn. 2 R602 Distancia via-via 5 R603 Distancia cont-via 0 R604 Extensin metal 2

Metal 2 y Va 2
Metal2 R701 Anchura mn. 4 R702 Distancia metal1 4 Via 2 R801 Anchura mn. 2 R802 Distancia via-via 5 R804 Extensin metal 2

M. L. Lpez Vallejo

M. L. Lpez Vallejo

Cules son los costes?

M. L. Lpez Vallejo

Das könnte Ihnen auch gefallen