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Microelectrnica
Febrero de 2008
Proceso de fabricacin
Mscaras
Obleas
Proceso de fabricacin
Oblea procesada Chips
Productos qumicos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo
Cmara limpia
Equipo de fotolitografa Equipo de limpieza de fotorresinas Puestos de limpieza y manejo de substratos.
Cmara limpia
Evaporador por can de electrones Equipo de ataque por iones Campanas para ataques qumicos
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
Pulido de obleas
Patterning
Imprimir las formas geomtricas de un diseo en las diferentes capas del proceso (Si) Incluye:
Elaboracin de las mscaras Fotolitografa: transferencia de patrones al silicio
Utiliza:
Fotorresinas
+ Zonas ilumniadas se eliminan - Zonas iluminadas se mantienen
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
Fotolitografa
La oblea de silicio dopada positivamente se cubre con una capa de xido aislante (amarillo) mediante deposicin qumica por vapor
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo
Se aplica de forma uniforme una capa de fotorresina (sensible a la luz ultra-violeta) en la superficie del SiO2
M. L. Lpez Vallejo
Se coloca la primera mscara sobre la oblea, proyectando luz ultra-violeta. Las zonas de fotorresina expuestas a la luz se endurecen.
M. L. Lpez Vallejo
Se ataca el SiO2 que no est protegido mediante la fotorresina para eliminarlo de la superficie de la oblea. Queda slo una pequea capa que actuar de aislante.
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
De nuevo se coloca una mscara y se aplica luz ultravioleta para endurecer la fotorresina expuesta.
M. L. Lpez Vallejo
Ataque por haz de iones que elimina el polisilicio sobrante (junto con el SiO2 fino) y deja la superficie de la oblea al descubierto.
M. L. Lpez Vallejo
Dopado mediante implantacin de iones de fsforo (verde) que da lugar a la difusin n (drenador y fuente del transistor).
M. L. Lpez Vallejo
Se deposita una segunda capa de SiO2 que actuar como aislante de la superficie de la oblea.
M. L. Lpez Vallejo
La eliminacin de la fotorresina expuesta a la luz UV deja al descubierto las fosas para los contactos.
M. L. Lpez Vallejo
Se realiza un ataque para eliminar el SiO2 de los contactos y dejar al descubierto drenador, fuente y puerta.
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
Se deposita una capa de aluminio (metal) de forma uniforme, rellenando los contactos.
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Fabricacin de CI
Corte transversal de un inversor
field oxide
Fabricacin de CI
Corte transversal de un inversor con contactos a pozo y substrato
(ohmic contact)
Bakos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo
Bakos
Pozos
Photolithography
Fabricacin de CI
Chips are fabricated using set of masks Inverter uses 6 layers:
n-well, poly, n+ diffusion, p+ diffusion, contact, metal
p+
n+
n+
p+ n
p+
n+
Basic steps
La base de la oblea se hace de un material (p/n) y luego se crean pozos del contrario (n/p) Necesitan contactos hmicos a:
Masa: pozo p Alimentacin: pozo n
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oxidize apply photoresist remove photoresist with mask HF acid eats oxide but not photoresist pirana acid eats photoresist ion implantation (diffusion, wells) vapor deposition (poly) plasma etching (metal) Bakos
M. L. Lpez Vallejo
Fabricacin de CI
Fabricacin de CI
Heavy doped poly is grown with gas in furnace (chemical vapor deposition)
piranha acid etch diffusion (gas) or ion implantation (electric field) HF acid etch M. L. Lpez Vallejo Poly is not affected by ion implantation
Bakos
M. L. Lpez Vallejo
Bakos
Fabricacin de CI
Interaccin diseador-fabricante
Fbrica Reglas de Diseo El diseador debe decirle al fabricante qu quiere hacer mediante un conjunto de mscaras El fabricante impone restricciones tecnolgicas mediante las reglas de diseo
No nos preocupan los detalles de fabricacin si cumplimos las reglas de diseo
Bakos
M. L. Lpez Vallejo M. L. Lpez Vallejo
Proceso de fabricacin: definido por mnima longitud de canal Basado en el parmetro Lambda (CMOS escalable) : mitad de la mnima longitud de canal
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
Pozo N
Difusiones n+ y p+
R201 Anchura mn. p+ n+ 4
R102
R202 Distancia p+ n+ 4 R203 Extensin pozo a p+ 6 R204 Distancia n+ a pozo 6 R205 Extensin pozo a n+ 2 R206 Distancia p+(pol) n+ 0 R207 Distancia pozo p+ 6
Polisilicio
Contactos
R301 Anchura mn. 2 R302 Anchura puerta 2 R303 R304 Distancia poly-poly 3 R305 Distancia poly-diff 2 R306 Extensin diff-poly 4 R307 Extensin poly-diff 6
R401 Anchura mn. 2 R402 Distancia contactos 5 R403 Extensin diff-cont 2 R404 Extensin poly-cont 2 R405 Extensin metal-cont 2 R406 Distancia cont-puerta 3
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
Metal 1 y Va
Metal1 R501 Anchura mn. 4 R502 Distancia metal1 4 Via R601 Anchura mn. 2 R602 Distancia via-via 5 R603 Distancia cont-via 0 R604 Extensin metal 2
Metal 2 y Va 2
Metal2 R701 Anchura mn. 4 R702 Distancia metal1 4 Via 2 R801 Anchura mn. 2 R802 Distancia via-via 5 R804 Extensin metal 2
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo
M. L. Lpez Vallejo