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Entwicklung einer kamerabasierten Qualitts- und Prozesskontrolle beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien

Diplomarbeit
von Jose Manuel Baena Martnez Betreuer: Dipl.-Ing. Thomas Stehr

Laser Zentrum Hannover e.V.

Hannover, den 29.02.2008


Laser Zentrum Hannover e.V

Abstract
Das gepulste Laserstrahl-Mikroschweien wird heutzutage in vielen Mikroelektronikbereichen angewandt. Prozessinstabilitten besonders beim Laserstrahlschweien von Kupfer erfordern eine berwachung des Prozesses zur Qualittssicherung zur Verbesserung der Zuverlssigkeit. Mit einem kamerabasierten Qualitts- und Prozessberwachungssystem durch zwei Kameras, koaxial und offaxial zum Laserstrahl, zur berwachung des gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien, knnen die Phasen des Prozess beobachtet und interpretiert werden. Ausgehend von einer unfangreichen Literaturrecherche zu Beginn der Arbeit wurde der Stand der Technik anhand bekannter Ergebnisse zu kamerabasierten berwachungssystemen und zum gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien erarbeitet und in den wesentlichen Punkten zusammenfassend dargestellt. Zunchst war in Rahmen des Entwicklungsprojekts die Haltevorrichtung konzipiert worden. Es wurden die optimalen Laserparameter fr den Schweiprozess identifiziert und die Prozessfhigkeit durch verschiedene Versuche gezeigt. Zwei verschiedene Beobachtstrategien wurden durchgefhrt, eine passive durch Beobachtung der primren und sekundren Emissionen und eine aktive die durch den Einsatz eines Diodenlasers und verschiedener Filtern durchgefhrt wurde. Die Entwicklung von Algorithmen zur automatischen, programmgesttzten Bewertung der aufgenommenen Kamerabilder wurde aufgrund des Umfangs dieses Arbeitspaketes nicht im Rahmen dieser Arbeit behandelt. In zuknftigen Untersuchungen sollte eine weitere Feineinstellung auch hinsichtlich der bildlichen Darstellung bzw. hinsichtlich der softwareseitigen Verarbeitung hin zu einer hheren Auflsung und Differenzierung der unterschiedlichen Bildbereiche erfolgen.

Laser Zentrum Hannover e.V

Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung.........................................................................................................1 1.1 Ausgangssituation und Motivation ............................................................1 1.2 Zielsetzung ..............................................................................................2 2 Stand der Technik ...........................................................................................3 2.1 Bisherige durchgefhrte arbeiten..............................................................3 2.2 Laserstrahl-Mikroschweien von Kupfer ..................................................4 2.3 Kamerabasierte Prozessberwachung .....................................................8 3 Eingesetzte Anlagentechnik und Versuchsaufbau ......................................10 3.1 Lasererzeugung........................................................................................10 3.2 Hochgeschwindigkeits-Kameras...............................................................13 3.2.1 Allgemein .......................................................................................13 3.2.2 Belichtung ......................................................................................15 3.2.3 Kameraaufbau koaxial ...................................................................15 3.2.4 Kameraaufbau off-axial ..................................................................19 3.3 Filter .........................................................................................................23 3.4 Beleuchtungssysteme ..............................................................................33 3.5 Haltevorrichtung .......................................................................................36 3.5.1 Grundplatte ....................................................................................36 3.5.2 Zwischenplatte ...............................................................................37 3.5.3 IC-Halterung ...................................................................................38 3.5.4 Gesamtmontage.............................................................................39 3.6 Ordnung der verschiedenen Komponenten ..............................................42 4 Beschreibung der bearbeiteten Bauteile ..................................................... 45 4.1 Integrated Circuits ....................................................................................45 4.2 FPS Sensoren ..........................................................................................47 5 Versuchsdurchfhrung ..................................................................................48 5.1 Allgemein ..................................................................................................48 5.2 Beschreibung der Versuche und Prozessberwachung ...........................55 5.2.1 Bestimmung der optimalen Laserparameter fr das Schweien der ICs .............................................................................................57 5.2.2 Passiver berwachungsprozess durch Beobachtung der primren Emissionen .......................................................................63 5.2.3 Passiver berwachungsprozess durch Beobachtung der sekundren Emissionen ...................................................................70 5.2.4 Aktiver berwachenprozess ...........................................................75 Laser Zentrum Hannover e.V

6 Auswertung .....................................................................................................80 6.1 Allgemein ..................................................................................................80 6.2 Aufzeigen der verschiedenen Prozessphasen und Zuordnung zu den entsprechenden Kamerabildern................................................................81 7 Zusammenfassung und Ausblick ..................................................................84 8 Literaturverzeichnis ........................................................................................87 9 Anhang ............................................................................................................88

Abbildungsverzeichnis
Abbildung 2.2.1 Prozessphasen beim gepulsten Laserschweien ..............................5 Abbildung 2.2.2 Absorptionsgradverlauf des Kupfers bei verschiedenen Oberflchenbeschaffenheiten in Abhngigkeit der Prozesszeit .....................................7 Abbildung 2.2.3 Prozessoptimierte Pulsform Nach [4] .................................................8 Abbildung 3.1.1 Lasergert bersicht ..........................................................................11 Abbildung 3.1.2 Laser-Software PCT2.........................................................................12 Abbildung 3.1.3 Pulsformung .......................................................................................12 Abbildung 3.2.1 Kamera Photonfocus MV-D752-170 ..................................................16 Abbildung 3.2.2 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Photonfocus MV-D752170 ................................................................................................................................17 Abbildung 3.2.3 Silicon Software .................................................................................18 Abbildung 3.2.4 Einstellung Software der Kamera.......................................................19 Abbildung 3.2.5 Kamera Mikrotron MC1310 ................................................................20 Abbildung 3.2.6 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Mikrotron MC1310 .................22 Abbildung 3.2.7 VCAM95 Software .............................................................................22 Abbildung 3.3.1 Charakteristische Eigenschaften Bandpassfilter ................................23 Abbildung 3.3.2 Charakteristische Eigenschaften Langpassfilter ................................24 Abbildung 3.3.3 Charakteristische Eigenschaften Kurzpassfilter .................................24 Abbildung 3.3.4 Filter FL1064-10 .................................................................................25 Abbildung 3.3.5 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950.....................26 Abbildung 3.3.6 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG665 ........................27 Abbildung 3.3.7 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG715 ........................27 Laser Zentrum Hannover e.V

Abbildung 3.3.8 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG780 ........................28 Abbildung 3.3.9 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG850 ........................28 Abbildung 3.3.10 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG1000 ....................29 Abbildung 3.3.11 Filter FES0950(rechts) und Filter RGXXX(links) ..............................29 Abbildung 3.3.12 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG665 berlagert ..........................................................................................................30 Abbildung 3.3.13 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG715 berlagert ..........................................................................................................30 Abbildung 3.3.14 Grafik Transmisionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG780 berlagert ......................................................................................................................31 Abbildung 3.3.15 Grafik Transmisionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG850 berlagert ......................................................................................................................31 Abbildung 3.3.16 Grafik Transmisionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und R1000 berlagert ......................................................................................................................32 Abbildung 3.3.17 Transmissionskoeffizient des im Bearbeitungskopf verbauten Schutzfilters ...................................................................................................................32 Abbildung 3.4.1 Lampe ................................................................................................33 Abbildung 3.4.2 JOLD-Diodenlaser .............................................................................34 Abbildung 3.4.3 Arbeitplatz mit Diodenlaser zur Beleuchtung .....................................35 Abbildung 3.4.4 Leistungskennlinie des Diodenlasers .................................................35 Abbildung 3.5.1 Bisherige Haltevorrichtung .................................................................36 Abbildung 3.5.2 Grundplatte ........................................................................................37 Abbildung 3.5.3 Zwischenplatte ...................................................................................37 Abbildung 3.5.4 IC-Halterung; Aufsicht ........................................................................38 Abbildung 3.5.5 IC-Halterung; Ansicht von unten ........................................................38 Abbildung 3.5.6 Gesamt Montage Haltevorrichtung a) ................................................39 Abbildung 3.5.7 Gesamt Montage Haltevorrichtung b) ................................................39 Abbildung 3.5.8 Gefertigte Haltevorrichtung ................................................................40 Abbildung 3.5.9 Fixierung IC........................................................................................41 Abbildung 3.5.10 Ansicht Haltevorrichtung und IC im Arbeitplatz ................................41 Abbildung 3.6.1 Anordnung der Komponenten fr die Untersuchungen zur passiven berwachung ................................................................................................................42 Abbildung 3.6.2 Anordnung der Komponenten fr die aktive berwachung (mit Diodenlaser zur Beleuchtung) .......................................................................................43

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Abbildung 3.6.3 Solidworks2000 Ansicht des Arbeitplatzes fr die passive berwachung ................................................................................................................43 Abbildung 3.6.4 Solidworks2000 Ansicht der Elemente fr die passive berwachung (Ausschnittvergrerung 1) ...........................................................................................44 Abbildung 3.6.5 Solidworks2000 Ansicht der Elemente fr die aktive berwachung (mit Diodenlaser zur Beleuchtung) ................................................................................44 Abbildung 4.1.1 IC .......................................................................................................45 Abbildung 4.1.2 PCB....................................................................................................45 Abbildung 4.1.3 Eigenschaften des ICs TSSOP56-BareCu .........................................46 Abbildung 4.1.4 PCB und IC ........................................................................................47 Abbildung 4.2.1 Fixierung der FPS Sensoren ..............................................................47 Abbildung 5.1.1 Profile Load Kamera Mikrotron. .........................................................49 Abbildung 5.1.2 Einstellung der Anzeige der Kamera Photonfocus. ............................50 Abbildung 5.1.3 Einstellung der Photonfocus-Kamera 1. .............................................50 Abbildung 5.1.4 Einstellung der Photonfocus-Kamera 2. .............................................51 Abbildung 5.1.5 Einstellung der Photonfocus-Kamera 3. .............................................51 Abbildung 5.1.6 Einstellung der Photonfocus-Kamera 4. .............................................52 Abbildung 5.1.7 Einstellung der Photonfocus-Kamera 5. .............................................52 Abbildung 5.1.8 Einstellung der Photonfocus-Kamera 6 ..............................................53 Abbildung 5.1.9 Suche des Fokuspunktes. ..................................................................54 Abbildung 5.1.10 Software zur Positionierung. ............................................................54 Abbildung 5.2.1 Transmissionskoeffizient des Spiege im Bearbeitungskopf ...............56 Abbildung 5.2.2 Pulsform fr PCBs mit Leiterplatte aus Kupfer mit Goldbeschichtung ..........................................................................................................57 Abbildung 5.2.3 Pulsform fr PCBs mit Leiterplatte aus Kupfer verzinkt.....................58 Abbildung 5.2.4 Links IC Schweiung mit Verbindung ,rechts ohne Verbindung ........58 Abbildung 5.2.5 Schdigung der ICs wegen zu hoher Pulsdauer ................................59 Abbildung 5.2.6 Nicht verbundene IC Schweiung wegen zu kleinem Einkopplungsgrad ..........................................................................................................59 Abbildung 5.2.7 Verbundene IC-Schweiung auf Leiterplatte aus Kupfer mit Goldbeschichtung ..........................................................................................................60 Abbildung 5.2.8 Zerstrung des PCBs, Leiterplatte aus Kupfer verzinkt .....................60 Abbildung 5.2.9 Verbundene IC Schweiung, leiterplatte aus Kupfer verzinkt ............61

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Abbildung 5.2.10 Nicht verbundene IC Schweiung wegen zu wenig Leistung...........61 Abbildung 5.2.11 Verbundene Schweiung, Leiterplatte aus Kupfer verzinkt, kleine Leistung bei grerer Pulsdauer .........................................................................62 Abbildung 5.2.12 FPS Schweiung a) .........................................................................62 Abbildung 5.2.13 FPS Schweiung b) .........................................................................63 Abbildung 5.2.14 FPS Schweiung c) ........................................................................63 Abbildung 5.2.15 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=0.75ms,exp.time=0.05ms, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung ...............................................64 Abbildung 5.2.16 Positionierungfehler, pp=2KW, f=2Hz, pulseduration=0.75ms, exp.time=0.05ms, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung .............65 Abbildung 5.2.17 pp=1KW,f=2Hz,pulseduration=3ms,exp.time=0.1ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................65 Abbildung 5.2.18 pp=1KW,f=2Hz,pulseduration=10ms,exp.time=0.1ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................67 Abbildung 5.2.19 pp=3KW,f=2Hz,pulseduration=6ms,exp.time=0.1ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................67 Abbildung 5.2.20 pp=5KW,f=2Hz,pulseduration=6ms,exp.time=0.1ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................68 Abbildung 5.2.21 pp=5KW,f=2Hz,pulseduration=1ms,exp.time=0.1ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................68 Abbildung 5.2.22 pp=2KW,f=2Hz,pulseduation=3ms,exp.time=0.1ms mit Graufilter von 50%, FPS-Schweiung ...........................................................................................69 Abbildung 5.2.23 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=3ms,exp.time=0.1ms mit Graufilter von 20%, FPS-Schweiung ...........................................................................................69 Abbildung 5.2.24 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=3ms,exp.time=0.6ms, FPSSchweiung ...................................................................................................................70 Abbildung 5.2.25 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulseduation=1.5ms, Integration time= 50ms ................................................................71 Abbildung 5.2.26 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulseduration=1.5ms, Integration time= 100ms .............................................................71 Abbildung 5.2.27 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulseduration=1.5ms, Integration time= 200ms .............................................................72 Abbildung 5.2.28 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulseduration=1.5 ms, Integration time= 50ms ...........................................................................................72 Abbildung 5.2.29 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulseduration=1.5 ms, Integration time= 100ms .........................................................................................73

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Abbildung 5.2.30 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulseduration=1.5 ms, Integration time= 200ms .........................................................................................73 Abbildung 5.2.31 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=0.75ms,exp.time=20ms,Kupfer........74 Abbildung 5.2.32 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=0.5ms,exptime=1ms,ICmSchweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.........................................................................................74 Abbildung 5.2.33 Fokusabstand des Diodenlaser........................................................76 Abbildung 5.2.34 Bild der Beleuchteten Zone .............................................................76 Abbildung 5.2.35 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=0.5ms,exp.time=0.05ms, Intensitt der beleuchtung=8A, Filterkombination FES0950-RG715, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung .................................................................................77 Abbildung 5.2.36 pp=2KW, f=2Hz, pulseduration=0.75ms, exp.time=0.05ms, Beleuchtungintensitt=8.4A, Filterkombination FES0950-RG780, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung .........................................................................77 Abbildung 5.2.37 pp=2KW, f=2Hz,pulseduration=3ms,exp.time=0.6ms,Beleuchtungintensitt=7.2A, Filterkombination FES0950-RG780, FPS Schweiung........................78 Abbildung 6.2.1 Zuordnung der Bilder zu den Phasen ................................................82

Tabellenverzeichnis
Tabelle 3.1.1 Eigenschaften Laser SLS 200 CL16 ......................................................10 Tabelle 3.1.2 Eigenschaften Laser SLS 200 C60 .........................................................13 Tabelle 3.2.1 Maximale Bilddatenrate in Abhngigkeit von der Auflsung ....................16 Tabelle 3.2.2 Technische Merkmale Kamera Photonfocus MV-D752-170 ....................18 Tabelle 3.2.3 Technische Merkmale Kamera Mikrotron MC1310 .................................20 Tabelle 3.2.4 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Mikrotron MC1310 ......................21

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Projektarbeit
fr Herrn Jos Manuel Baena Martinez Titel der Projektarbeit Entwicklung einer kamerabasierten Qualitts- und Prozesskontrolle beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien Aufgabenstellung Derzeit werden zum Mikroschweien bei industriellen Applikationen berwiegend Nd:YAG-Laser mit einer Wellenlnge von =1064 nm eingesetzt. Die dabei gerade in der Elektronikproduktion berwiegend eingesetzten Werkstoffe wie Kupfer und Gold weisen eine sehr hohe Reflektion fr diese Wellenlnge auf, was das Aufschmelzen der Werkstoffe erschwert.
Falscher Freund
4.0ms

Schweiung i. O.

Schdigung

Reflexion Rreal > R0 P ul se ne Pulsdauer (%) P ul se ne

Reflexion Rreal = R0 P ul se ne Pulsdauer (%)

Reflexion Rreal < R0

fest

flssig

fest

flssig

fest

flssig

Pulsdauer (%)

LZH

Abbildung 1: Zeitliche Varianz bei der Schmelzbadbildung

Zudem

ergeben

sich

in

der

Produktion

teilweise

unterschiedliche

Oberflcheneigenschaften infolge z.B. von Handhabung oder Oxidation, wodurch die Reflexion hinsichtlich der Laserstrahlung variiert. Diese spezifischen Eigenschaften knnen bei gleich bleibenden Laserparametern zu sehr unterschiedlichen

Schweiergebnissen und somit z.B. zur Zerstrung des Bauteils fhren (vgl. Abbildung 1).

- II Solche prozessbedingten Qualittsschwankungen sollen durch eine geeignete Anlagentechnik erfasst und dokumentiert werden. Ein mgliches Instrumentarium hierfr stellt die CMOS-Kameratechnik dar, die im Rahmen dieser Diplomarbeit hinsichtlich der Mglichkeiten fr eine Qualitts- und Prozesskontrolle nher untersucht werden soll. Mit Hilfe von Hochgeschwindigkeitsaufnahmen co-axial und off-axial zum Laserstrahl sollen Bildverlufe von gut- und Schlecht-Schweiungen im Prozessverlauf aufgezeichnet werden. Signifikante Unterschiede in den Bildverlufen sind aufzuzeigen und hinsichtlich der Mglichkeiten einer Qualittssicherung zu bewerten. Anschlieend ist ein Konzept zur Prozessregelung zu entwickeln. Im Einzelnen sind folgende Arbeitsschritte durchzufhren: Fester Arbeitsrahmen

Recherche und Durcharbeitung der bisher auf diesem Themengebiet durchgefhrten Arbeiten Konstruktion von Haltevorrichtungen fr die zu schweienden Bauteile mittels Solidworks. Messung der Spektralen Anteile whrend des Schweiprozesses. Auswahl der bentigten Komponenten Aufbau des Versuchsstandes, Kamera koaxial zum Laserstrahl Zweite Highspeed-Kamera off-axial zur berprfung des jeweiligen Prozesszustandes Externe Ansteuerung bzw. Synchronisation von Laser und Kameras whrend des Laserpulses, um die Datenmengen zu minimieren. Auswahl geeigneter Optiken (Objektive) fr die Kameras. Schweien in Versuchsreihen von zuvor festgelegten 2-3 Standardbauteilen (IC, Kupferdraht und eventuell flexibler Flachleiter). Dokumentation der mglichen Schweifehler. Finden geeigneter Kamera- bzw. Softwareeinstellungen fr die Durchfhrung der Untersuchungen (z.B. Bildrate, Bildbereich oder einzelne Linien, Softwarefilter, Belichtungszeit usw.). Aufzeigen der verschiedenen Prozessphasen (Aufheizen, Aufschmelzen, Tiefschweien usw.) und Zuordnung der Phasen zu den entsprechenden Kamerabildern. Korrelation der Bilder der zwei Kamerasysteme. Qualittssicherung: Bewertung der Bauteile anhand der Kamerabilder (Gut/Schlechtschweiung). Die Bewertung wird anhand optischer Beurteilung (Per Auge und Lichtmikroskop), Querschliffen und mit Schertests vorgenommen. Aufzeigen von Mglichkeiten fr eine Prozessregelung. Erweiterung (Abschtzung hierfr erfolgt nach erster

Mgliche

Einarbeitungsphase)

- III Ziel: Ziel ist der Aufbau eines kamerabasierten Prozessberwachungssystems fr das Laserstrahl-Mikroschweien. Hinsichtlich eines mglichen spteren industriellen Einsatzes soll auf eine einfache Adaption des Kamerasystems auch an andere Anlagen bzw. Bearbeitungskpfe Wert gelegt werden. Die Arbeit soll schlussendlich eine Aussage ermglichen, bei welchen Schweianwendungen und mit welchen Einstellungen das System eingesetzt werden kann und fr welche Schweifehler es eine mglichst eindeutige Erkennung ermglicht. (Aufstellung eines Konzeptes fr eine Prozessregelung) (Aufbau einer Prozessregelung) (Anwendung der Kenntnisse auf den Einsatz mit einem Scanner)

Richtlinien zur Durchfhrung 1. Die Arbeit wird in Absprache mit dem Betreuer durchgefhrt. Sie darf ohne Genehmigung des Instituts nicht verffentlicht oder an Dritte weitergegeben werden. 2. Soweit Maschinen und Gerte des LZH genutzt werden mssen, drfen diese nur innerhalb der Dienstzeit oder ausnahmsweise auch darber hinaus nach Genehmigung durch den Betreuer genutzt werden. In jedem Fall muss aus Sicherheitsgrnden mindestens eine weitere Person in Sicht- oder Rufweite sein. 3. Vor der Inbetriebnahme von Maschinen und Gerten sind die

Sicherheitsrichtlinien zu studieren. Eine aktuelle Version befindet sich beim betreuenden Mitarbeiter. Richtlinien zur Dokumentation Auf der Titelseite der Arbeit sind Thema, Name des Studenten, Kenn-Nr. aus Aufgabenstellung und Abgabedatum zu vermerken. Der Arbeit ist eine einseitige Kurzfassung voranzustellen. Sie muss enthalten: Ziele der Arbeit und im Wesentlichen die Ergebnisse der Arbeit. Die Arbeit ist wie folgt zu strukturieren: 1. Titelseite 2. Abstract 3. Inhaltsverzeichnis, Abbildungsverzeichnis und Tabellenverzeichnis

- IV 4. Einleitung 5. Stand der Technik 6. Eingesetzte Anlagentechnik und Versuchsaufbau 7. Versuchsdurchfhrung 8. Auswertung 9. Zusammenfassung 10. Literaturverzeichnis Zeitrahmen Literaturrecherche Einarbeitung in Anlagentechnik und Versuchsaufbau Praktische Versuchsreihen Auswertung Dokumentation

40 h 60 h 120 h 40 h 40 h 300 h

Zeitplanung

Hannover, 26.11.2007

Cand. Mach.: Jos Manuel Baena Martinez

Betreuer: Thomas Stehr

Einteilung

1 Einleitung
1.1 Ausgangssituation und Motivation
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit wird das Konzept eines neuen Systems fr Qualitts- und Prozesskontrolle beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien vorgestellt und realisiert. Laserstrahlung wird heutzutage in vielen Fertigungsprozessen wie Schweien, Schneiden, Oberflchenbearbeitung benutzt. Die aktuellen technischen Fortschritte erlauben verbesserte Anlagenkonzepte, neue Laser Gerte, steigende Ausgangleistungen und somit immer neue Anwendungen. Laserstrahlschweiprozesse halten in den vergangenen Jahren vermehrt Einzug in moderne Produktionsablufe. Der Einsatzbereich reicht dabei vom Mikroschweien in der Uhren- und Elektronikindustrie bis zum Tiefschweien von Stahlblechen mit kleineren Dicken. Als Vorteile des Laserschweiens werden folgende Punkte aufgefhrt: Lokale, kurzzeitige Energieeinbringung, d.h. kleine Wrmeeinflusszone , thermische Belastung der umgebenden Bauteile und kurze Fgzeiten . Stoffschlssige Verbindung, dadurch hohe mechanische Verbindungsfestigkeit und gute elektrische Eigenschaften. geringe

und thermische

Auf Zusatzwerkstoffe wie beim Lten kann verzichtet werden, d.h. vereinfachte stoffliche Trennung am Ende der Produktlebenszeit, keine umweltproblematischen Stoffe wie beispielsweise Blei. Sensible Bauteile lassen sich kraftfrei fgen. Im Vergleich Widerstandsschweien treten keine strenden Magnetfelder auf. zum

Schnelle Bearbeitung einzelner Bauteile d.h. unter anderem auch gute Automatisierbarkeit und einfache Integrierbarkeit in Fertigungslinien. Hohe Flexibilitt und schnelle Anpassung an neue Bauteile und Fgegeometrien mglich. Als Nachteile stehen: Sequentielles Verfahren und damit im Vergleich zu Ofenltverfahren weniger produktiv. Begrenztes Prozessfenster, bedingt durch hohe Leistungsdichten und kleine Fgvolumen. Optisches Werkzeug, dadurch wirken sich optische Eigenschaften der Werkstoffe auf Gesamtprozess aus.

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Einteilung

Prozessinstabilitten beim Laserstrahlschweien erfordern eine berwachung des Prozesses zur Qualittssicherung zur Verbesserung der Zuverlssigkeit. Durch High-Speed-Videos kann der Prozess hochaufgelst beobachtet werden. Man kann sowohl das Schmelzbad als auch das Leuchten der Metalldampffackel aufzeichnen. In der vorliegenden Arbeit werden Lsungen fr eine Prozessberwachung und Anstze fr eine Prozessregelung beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien von Integrated Circuits (ICs) erarbeitet.

1.2 Zielsetzung
Das vorrangige Ziel dieser Arbeit ist die Realisierung eines kamerabasierten Qualitts- und Prozessberwachungssystems zur berwachung beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien, sowie die Bestimmung der verschiedenen Prozessphasen und die Zuordnung zwischen den Bildern der koaxialen Kamera und den Bildern der off-axialen Kamera. Andere spezifische Ziele sind die Folgenden: Aufbau der Versuchsanlage, Entwicklung der bentigen Haltevorrichtungen, und Auswahl der bentigen Komponenten. Bauteile wie

Realisierung des kamerabasierten, passiven berwachungssystems durch Aufnahme von Videosquenzen. Aufzeigen der verschiedenen Prozessphasen und Zuordnung der Phasen zu den entsprechenden Kamerabildern. Realisierung einer aktiven Beobachtung durch Videosequenzen mit zustzlicher Diodenlaser-Beleuchtung. Qualittssicherung durch Parametervariation und Bewertung der Bauteile anhand der Kamerabilder. Verbesserung der Zuverlssigkeit bei der Erkennung von Prozessstrungen.

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Stand der Technik

2 Stand der Technik


In der Mikroverbindungstechnik das Strahlwerkzeug Laser bietet zur wirtschaftlichen Fertigung technologische Vorteile gegenber den konventionelle verfahren wie Wiederstandschweissen, Ultraschallschweien oder Lten. Die Benutzung des Lasers bietet wichtige Vorteile die nach besseren Ergebnisse fhrt, wie gesagt; geringe thermische Belastung, hohe thermische und mechanische Verbindungsfestigkeit, gute thermische Eigenschaften, keine Umwelt problematische Stoffe wegen Zusatzwerkstoffe, kraftfrei fgen der sensible Bauteile, schnelle Bearbeitung , gute Automatisierbarkeit und einfache Integrierbarkeit in Fertigungslinien. Auf diese Art Kann man die Kosten reduzieren und die BauteileEigenschaften verbessern.

2.1 Bisherige durchgefhrte Arbeiten


Bisher liegen nach eigenem Kenntnisstand nur folgende Arbeiten vor, die die Anwendung von High-Speed-Kameratechnik fr die Prozessberwachung beim Laserstrahl-Mikroschweien beinhaltet. Bei einer dieser Arbeiten handelt es sich um die Dissertation von Reiner M. Ramsayer bei der Firma Bosch mit dem Titel Prozessstabilisierung beim gepulsten Laserstrahl-Mikroschweien von Kupferstoffen. Zustzliche Arbeiten mit hnlichen Themen (berwiegend berwachung beim Laserstrahlschweien von Nhten) finden sich von Christian Kratzsch von der RWTH Aachen mit dem Titel Realisierung eines kamerabasierten Prozessberwachungssystems am Beispiel des Laserstrahlschweiens, dem Bremer Institut fr angewandte Strahltechnik (BIAS) und mit der Abhandlung von S. Dudeck und F.Puente Len bei der TU Mnchen mit dem Titel Kamerabasierte Insitu-berwachung gepulster Laserstrahlschweiprozesse und Zeitlich und rumlich aufgelste Spektroskopie gepulster Laserschweiprozesse. Diese Arbeiten zeigen die Schwierigkeiten auf, die beim Schweien von Kupferwerkstoffen auftreten und bieten mgliche Lsungsstrategien fr die Prozessberwachung bei diesen Prozessen. Das Laserschweien von Kupferwerstoffen gilt allgemein als sehr kritischer Prozess. Die Schwierigkeiten und die Prozessinstabilitten werden den physikalischen Eigenschaften des Werkstoffs zugeschrieben. Es sind die geringe Absorption bei den derzeit blichen Wellenlngen der Strahlquellen (ND:YAG mit Grundwellenlnge 1064nm) und die hohe thermische Leitfhigkeit der Werkstoffe. Die Oberflcheneinflsse wie Oxidationsprozesse durch Lagerung und Kratzer durch Handlingspuren beeinflussen sehr stark das Absorptionsverhalten des Werkstoffes Kupfer. Als Abhilfe bzw. Beschleunigung und fr eine hhere Absorption schlgt Laser Zentrum Hannover e.V

Stand der Technik

Ramsayer in seiner Arbeit Schweiprozesses vor [1].

die

Splung

mit

Sauerstoff

whrend

des

Zur Prozessberwachung wird die Anwendung einer Cmos-Kamera vorgeschlagen, um die fehlerhaften Bauteile mglichst frhzeitig aus dem Fertigungsprozess auszuschleusen. Eine In-situ-berwachung des Prozesses bietet gegenber einer Nachgelagerten Inspektion mehrere Vorteile wie das Erkennen von Abweichungen von Prozessparametern, z.B. den Abfall der Laserleistung am Werkstck, lassen sich frhzeitig erkennen, bevor es zu Auswirkungen auf die Schweiung kommt [2]. Durch die Beobachtung der Fehlerentstehung lassen sich Rckschlsse auf die Fehlerursache ziehen und diese beheben. Es knnen insbesondere Fehler detektiert werden, welche spter durch den Prozess wieder berdeckt werden und nachlaufend uerlich nicht mehr zu erkennen sind, die Schweiung aber trotzdem strukturell schwchen. Marktverfgbare In-situ-berwachungssysteme arbeiten grtenteils mit optischen Sensoren in koaxialer Konfiguration. Photodetektoren oder Kameras beobachten die zeitlichen und rumlichen Intensitt Vernderungen der zumeist optisch gefilterten Prozessstrahlung und erkennen anhand der Abweichungen zu vorher gelernten Sollkurven Fehler im Prozess. Die Systeme mssen fr unterschiedliche Schweikonfigurationen jeweils ihre Eignung erneut unter Beweis stellen und auf jeden neuen Prozess eingelernt werden. Prinzipiell ergeben sich fr eine kamerabasierte optische In-situ-berwachung des Schweiprozesses zwei Anstze: ein passiver, bei dem die vom Prozess emittierte elektromagnetische Strahlung im sichtbaren und nahinfraroten Bereich des Spektrums beobachtet und ausgewertet wird , sowie ein aktiver, bei dem die Prozesszone zustzlich beleuchtet wird und so unter Ausblendung der Prozessstrahlung die Oberflchentopographie des Schmelzbades und dessen Umgebung sichtbar gemacht wird . Vor- und Nachteile dieser beiden Anstze fr ein kamerabasiertes System zur Qualitts- und Prozesskontrolle sollen im Folgenden fr gepulste Nd:YAGSchweiungen aufgezeigt werden. Dazu wurde ein koaxiales berwachungssystem aufgebaut, bestehend aus optischen Filtern, Fokussieroptik und einer GrauwertHochgeschwindigkeitskamera. Dieser Aufbau wird sowohl fr die Untersuchungen des passiven als auch des aktiven Ansatzes genutzt. Angepasst wird jeweils der optische Filterbereich [3].

2.2 Laserstrahl-Mikroschweien von Kupfer


Wie bereits oben angesprochen wird die Absorption der eingestrahlten Laserleistung stark durch Oberflcheeinflsse wie Oxidationsprozesse sowie durch Lagerung und Laser Zentrum Hannover e.V

Stand der Technik

Kratzer durch Handlingspuren beeinflusst. Sie haben dadurch groen Einfluss auf die Energieeinkopplung bei unbeschichteten Oberflchen. Diese Oxidationsprozesse knnen sehr leicht zu Absorptionsgradschwankungen fhren, die je nach Oxidationszustand im Bereich von 0,01bis 0,5 liegen knnen. Dieser Absorptionsgrad bei oxidierten Kupferwerkstoffen ist abhngig von der Oxidschichtdicke und ist Interferenz bedingt durch einen oszillatorischen Verlauf gekennzeichnet. Fr gewhnlich werden industriell fr das Mikroschweien pw-Nd:YAG-Lasersysteme mit der Grundwellenlnge von 1064nm eingesetzt. Die Strahlfhrung erfolgt dabei ber Glasfaserkabel, die sehr flexibel in die Fertigungsanlagen integrierbar sind und fr diese Anwendung ausreichende Strahleigenschaften von Pulsspitzenleistungen ber 7kW, Pulsenergien ber 100 J und Pulsdauern bis zu 50 ms bereitstellt. Das Prozessmodell ist wie folgt: der Laserstrahl wird ber ein Strahlfhrungssystem und eine Bearbeitungsoptik zur Erzeugung eines Schweipunktes durch eine Abbildung ber Linsen auf das Werkstck fokussiert. Die Prozessphasen beim gepulsten Laserschweien knnen abgegrenzt werden in eine Aufheizphase, Aufschmelzphase, Einschweiphase und eine Tiefsphase (siehe Abbildung 2.2.1). Je nach Werkstoff, Oberflchenbeschaffenheit und Laserparameter knnen die Teilprozesse zeitlich unterschiedlich stark ausgeprgt sein. Insbesondere muss die Laserstrahlintensitt ausreichend hoch gewhlt sein, um alle Prozessphasen zu ermglichen.

Abbildung 2.2.1 Prozessphasen beim gepulsten Laserschweien.

In der Aufheizphase dringt der Laserstrahl beim Auftreffen auf die Werkstckoberflche in der Grenordnung der optischen Eindringtiefe (ca. 1 m) in die Oberflche ein. Bei der Wellenlnge des Nd:YAG-Lasers ist der Absorptionsgrad von Kupfer im Bereich von 0,03 und im vergleich zu anderen technisch eingesetzten Werkstoffen sehr gering. Dieses Merkmal kann man durch Legierung oder Oberflchenbeschichtungen beeinflussen und erhhen.

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Absorptionsgradschwankungen sind bei Kupfer zu beachten, da schon kleine nderungen des Absorptionsgrades sich sehr stark auf die insgesamt absorbierte Energie auswirken. Wenn der Absorptionsgrad einer technischen Oberflche um 1% variiert, so schwankt die absorbierte Energie bei Kupfer mit 3%+1 um 66,7%. In der Aufschmelzphase wird die Schmelz Temperatur in der Werkstckoberflche erreicht. Es bildet sich ausgehend von der Strahlachse eine radiale Schmelzzone aus. Der Absorptionsgrad der Oberflche ist ab diesem Zeitpunkt wesentlich hher als im festen Zustand. Die so genannte Marangoni-Strmung wird wegen der temperaturabhngigen Oberflchenspannung und der wachsenden Temperaturdifferenz im Schmelzbad ausgebildet. In der Einschweiphase wird die Verdampfungstemperatur des Material erreicht, so dass Metalldampf aufsteigt. Der sich durch das Abstrmen des Metalls aufbauende Rckstossdruck wirkt auf die Schmelzbadoberflche, so dass eine Kuhle im Schmelzbad entsteht. In der Tiefschweiphase wird der bergang von der Einschweiphase in die Tiefschweiphase erreicht. berschreitet die eingebrachte Leistung eine Schwelle, so entsteht eine schmale metalldampfgefllte Kapillare, das so genannte Keyhole. Oberhalb der Schmelzzone bildet sich eine Metalldampfwolke aus, die abhngig von Laserleistung und Wellenlnge teilweise ionisiert wird und ein Plasma bilden kann. Die Ausbreitungsgeschwindigkeit der Kapillarfront durch den Werkstoff liegt im Bereich von mehreren Metern pro Sekunde. Liegt die Leistungsdichte des Lasers unter der fr das Tiefschweien erforderlichen Schwellintensitt, entsteht kein Keyhole. Die Ausbreitung der eingebrachten Laserenergie erfolgt lediglich durch Wrmeleitung; es liegt Wrmeleitungsschweien und kein Tiefschweiprozess vor. Der Schweiprozess wird vorrangig durch folgende Einflussgren beeinflusst: Pulsdauer, Pulsform, Laserstrahlintensitt, Wellenlnge, Werkstoffeigenschaften, Wirkungswinkel sowie der Absorption der Oberflchen (siehe Abbildung 2.2.2).

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Abbildung 2.2.2 Absorptionsgradverlauf des Kupfers bei verschiedenen Oberflchenbeschaffenheiten in Abhngigkeit der Prozesszeit.

Das gepulste Schweien zeigt ein extrem dynamisches Verhalten aufgrund des instationren Prozessverlaufes. Die Schwellintensitt, ab welcher der bergang vom Wrmeleitungs-Schweien zum Tiefschweien beginnt, ist von der Pulsdauer abhngig. ber die Eigenschaften des Werkstoffes Kupfer kann man sagen, dass es eine sehr hohe elektrische Leitfhigkeit besitzt und eine relativ hohe Festigkeit und gute Federeigenschaften hat. Deswegen werden Kupferwerkstoffe vielfach in der Elektrotechnik und der Elektronik angewendet. Man muss bercksichtigen, dass sich die physikalischen Eigenschaften des Werkstoffes whrend der Aufheiz- und Aufschmelzphase, insbesondere beim bergang von der festen in die flssige Phase stark ndern. Whrend der Aufheizphase steigt der Absorptionsgrad leicht an und die Wrmeleitfhigkeit sinkt ab. Beim Aufschmelzen, wenn die Schmelztemperatur erreicht wird, steigt der Absorptionsgrad sprunghaft an und die Wrmeleitfhigkeit fllt stark ab. Beim bergang zum Tiefschweien wird der Absorptionsgrad weiter erhht infolge der Vielfachreflexion in der Kapillare. Der Absorptionsgrad einer Oberflche hngt weiterhin von ihrer Rauhigkeit ab. Mit steigender Oberflchenrauhigkeit nimmt die Absorption zu. Bei einer Rauhigkeit im bereich der doppelten Wellenlnge erreicht der Absorptionsgrad ein Maximum. In [4] wurde eine Pulsform mit bestimmten qualitativen Abschnitten entwickelt, die in Abbildung 2.2.3 dargestellt ist. Mit dieser kann gegebenenfalls das Schweiergebniss verbessert werden.

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Abbildung 2.2.3 Prozessoptimierte Pulsform Nach [4].

In der Phase 1 wird die Oberflche aufgeheizt, wodurch sich eine Zunahme der Absorption ergibt. In der Phase 2 beginnt den Schweiprozess, wobei man beachten muss, dass sich die Absorption beim bergang in die Schmelzphase stark ndern kann. Daher kann hier schon ein Peak hoher Leistungsdichte ausreichend sein, um in das Material einzukoppeln. In der Phase 3 stellt sich die Schmelzbadgeometrie ein, in Phase 4 wird die Abkhlphase und die Oberflchenqualitt optimiert. Mit dieser Pulsform kann der Schweiprozess verbessert werden. Bei optimalem Verlauf kann die Verdampfung des Werkstoffes vermieden werden. Bei Verwendung eines gewhnlichen Rechteckimpulses mit hoher, lang andauernder Leistung, kann es leicht zur berhitzung des Schmelzbades und zum Werkstoffverlust durch Verdampfung und Herausschleudern des Materials kommen.

2.3 Kamerabasierte Prozessberwachung


Die Prozessberwachung wird in vielen Bereichen der Industrie gefordert, vor allem in Serien- und Groserienfertigung, wo Qualitts- und Kostengrnden von hoher Wichtigkeit sind. Zur Prozessberwachung werden hufig integral messende Photodetektoren eingesetzt, welche die Intensitt der Prozessstrahlung als Messsignal nutzen. Die dazu verwendeten Photodioden zeichnen sich durch geringe Kosten, kleine Baugre und hohe optische Empfindlichkeit aus. Treten Strungen im Prozess auf, so ndert sich die Intensitt der Prozessstrahlung und der zurckreflektierten Strahlung. Schwankungen und Abweichungen des

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aktuellen Prozesszustandes weisen daher vielfach auf Strungen im Prozess hin und knnen durch Vergleich bestimmt werden Die bekannten Systeme zur berwachung nehmen die Prozessemissionen aus der Wechselwirkungszone auf. Bei pw-Schweien werden blicher Weise folgende Prozessemissionen gemessen: - Thermische Emissionen - Akustische Emissionen
-

Primre Emissionen (Rckreflektiertes laserlicht aus der Wechselwirkungszone mit =Laser).

- Sekundre Emissionen (Strahlung des Metalldampfes und des Plasmas im Wellenlngenbereich von 300nm bis zu 900 nm. Die neuen kamerabasierten Systeme stellen ein groes Potential fr zuknftige Prozesssicherungssysteme, da sie nicht ber eine Flche integrieren sondern ein zweidimensionales Prozessabbild liefern. Prinzipiell ermglichen die kamerabasierten Systeme zwei Arten von Beobachtungen: eine passive, bei der die vom Prozess emittierte elektromagnetische Strahlung im sichtbaren und nahinfraroten Bereich des Spektrums beobachtet und ausgewertet wird (primre und sekundre Emissionen), sowie eine aktive, bei der die Prozesszone zustzlich beleuchtet wird und so, unter Ausblendung der Prozessstrahlung, die Oberflchentopographie des Schmelzbades und dessen Umgebung sichtbar gemacht wird. In dieser Arbeit wird ein Prozessberwachungssystem entwickelt, das auf zwei Kameras basiert, davon eine in koaxialem Aufbau zum Laserstrahl, die zweite off axial. Die koaxial angeordnete Kamera wird benutzt, um den Beginn des Schweiprozesses zu detektieren und die verschiedene Prozessphasen rtlich aufzunehmen. Diese verschiedenen Prozessphasen werden durch die Emissionen und das dadurch entstehende Kamerabild identifiziert. Die Strahlung von der Kapillare tritt wegen der hohen Temperatur an den Kapillarwnden und an der Verdampfungsfront nach dem Planckschen Gesetz ein. Es gibt eine Beziehung zwischen de Kapillargeometrie und der Verteilung die Prozessstrahlungfludichte (PFD), die man mit den CMOS Kameras detektieren kann. Die off-axial angeordnete Kamera ermglicht eine rumliche Aufnahme und eine rumliche Bestimmung der Prozessphasen und eine schnelle und rumliche Positionierung des Laserstrahles auf dem Werkstck.

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3 Eingesetzte Anlagentechnik und Versuchsaufbau


Im Rahmen der Projektplanung wird im folgenden Kapitel die Anlagentechnik und die Auswahl der verschiedene bentigen Elemente erlutert und die Merkmale und die Anordnung der Komponenten beschrieben.

3.1 Lasererzeugung
Als Lasersysteme wurden zwei Laser der Firma Lasag verwendet. Zum einen der LASAG SLS 200 CL16 mit Luftkhlung, der in Abbildung 3.1.1 zu sehen ist. Die hauptschlichen Merkmale des Lasers finden sich in der Tabelle 3.1.1.

Laser
Typ Wellenlnge Prozessgas Pulsdauer Pulsspitzenleistung Mittlere Leistung max. Pulsenergie min. Laserlichtkabel

Lasag SLS200CL16 Nd:YAG-Laser, Blitzlampen gepumpt 1064 nm 0,1-50 ms 2 kW 25 W 10J je nach Kavitt (aktuell 200m) feste Optik / Scannersystem f=100 + 50 / 100 1:1 + 2:1 / 2:1 200 + 100 / 100

Scanneroptik
Brennweite Abbildungsverhltnis Strahlduchmesser im Fokus

Tabelle 3.1.1 Eigenschaften Laser SLS 200 CL16.

Zustzliche Daten sind: Maximale Pulsfrequenz 250 Hz, minimale Pulsfrequenz 2Hz, minimale Pulsleitung 0.2kW, minimale Einstellung der Pulsdauer ist 0.1 ms. Laser Zentrum Hannover e.V

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Abbildung 3.1.1 Lasergert bersicht.

1. Laser-Warnlicht. 2. Hauptschalter. 3. Notaus. 4. Interlock-key-Schalter. 5. Key-Schalter Laserklasse. 6. Key-Schalter. 7. Display Laserstrahl blockiert. 8. Display Laser Off. 9. Display Laser On. 10. Nur fr Wasserkhler. 11. Glasfaserkabel. Die Software, die benutzt wird, ist die Software PCT2 von Lasag, mit der sich die Lasereigenschaften sowie die Pulsform einstellen lassen. Die in dieser Arbeit variierten Merkmale sind die Pulsspitzenleistung und die Pulsdauer (siehe Ausbildung 3.1.2).

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Abbildung 3.1.2 Laser-Software PCT2.

Auch wichtig ist die Mglichkeit, eine angepasste Pulsform einzustellen, wie man in Abbildung 3.1.3 sehen kann.

Abbildung 3.1.3 Pulsformung.

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Der zweite verwendete Laser ist der Lasag SLS 200 C60. Die Merkmale dieses Lasers lassen sich in Tabelle 3.1.2 ablesen.

Laser
Typ Wellenlnge Prozessgas Pulsdauer Pulsspitzenleistung Mittlere Leistung max. Pulsenergie min. Laserlichtkabel

Lasag SLS200C60 Nd:YAG-Laser, Blitzlampen gepumpt 1064 nm 0,1-20 ms 5.5 kW 220 W 50J je nach Kavitt (aktuell 400m) feste Optik / Scannersystem f=100 + 50 / 100 1:1 + 2:1 / 2:1 400 + 200 / 200

Scanneroptik
Brennweite Abbildungsverhltnis Strahlduchmesser im Fokus

Tabelle 3.1.2 Eigenschaften Laser SLS 200 C60.

3.2 Hochgeschwindigkeits-kameras
3.2.1 Allgemein
Heutzutage sind verschiedene Arten von Hochgeschwindigkeitskameras am Markt zu finden. Durch die fortschreitende Entwicklung erlauben es moderne, schnelle und vor allem preiswerte CMOS-Kamera-Systeme Bildraten im bereich von 20 kHz in ausreichender Auflsung zu erreichen. Somit werden sie fr die berwachung von gepulsten Schweiprozessen zunehmend interessanter. Die CMOS-Kameras sind so aufgebaut, dass jedes Pixel des CMOS-Sensors einer Photodiode entspricht, bei der zustzlich die Signalverstrkung und Signalbearbeitung integriert werden kann. Die ber die Belichtungsdauer des Pixels eingefallene Strahlung wird in ein proportionales Spannungssignal umgewandelt und ber eine Elektronik ausgelesen. Laser Zentrum Hannover e.V

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Mit Hochgeschwindigkeitskameras kann man Vorgnge aufnehmen, die entweder extrem kurzzeitig sind oder extrem schnell ablaufen oder auch beide Bedingungen erfllen (Zeitlupe). Hochgeschwindigkeitskameras sind berall dort im Einsatz, wo Bewegungen oder Materialverhalten analysiert werden mssen, die fr das menschliche Auge oder herkmmliche Kameras nicht zu erfassen sind. Anwendung finden diese Kameras unter anderen in folgenden Bereichen: in der Grundlagenforschung. in der Automobilindustrie. in der Wehrtechnik. in der Medizin. in Produktionsstraen im Maschinen- und Apparatebau. in der Schweitechnik, Laserschweien . bei der Laborsimulation. Ein Problem bei Aufnahmen mit Hochgeschwindigkeitskameras liegt darin, die Aufnahme im richtigen Moment zu starten, da die zu filmenden Vorgnge sehr kurz und oft schon vorbei sind, ehe sie mit dem menschlichen Auge wahrgenommen werden. Jede Hochgeschwindigkeitskamera verfgt daher ber mindestens eine so genannte Trigger-Mglichkeit. Meistens ist dies ein extern eingespeistes, elektrisches Signal. Hochgeschwindigkeitskameras verfgen meistens ber einen so genannten Ringspeicher. Wird eine Kamera gestartet, so nimmt diese unentwegt mit den eingestellten Parametern auf, bis der Kamera ber ein Trigger-Signal mitgeteilt wird, dass der aufzunehmende Vorgang nun stattgefunden hat und die Aufnahme abgeschlossen werden kann. Nach Erhalt des Trigger-Signals wird der noch verbleibende Ringspeicher mit Aufnahmen gefllt und der Aufnahmevorgang beendet. In der Regel werden die Bilddaten, die vor dem Trigger-Signal im Ringspeicher gespeichert worden sind, verworfen. Lediglich die Bilder nach dem Trigger-Signal werden verwendet. Manchmal sind aber auch die Bilder vor dem Trigger-Signal (Pre-TriggerAufnahme) wichtig, und die nach dem Trigger-Signal werden verworfen. Zustzlich zu den elektrisch eingespeisten Trigger-Signalen, gibt es bei modernen Kameras auch die Mglichkeit, ein Trigger-Signal ber das aufgenommene Bild oder ber die Position der Kamera einzuspeisen. Einige Hochgeschwindigkeitskameras verfgen ber Bild-Trigger. Bei diesen Kameras wird ein Trigger-Signal durch bestimmte Aktionen im Bild ausgelst. Die Bewegung von Objekten im Bild wird als Aktion durch die Firmware (Software) der Kamera registriert und lst die eigentliche Aufnahme aus (Trigger). Andere Kamerasysteme verfgen aber auch ber GPSEmpfnger, die eine Aufnahme auslsen, wenn die Kamera sich an einer bestimmten Position befindet oder diese passiert.

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Nach der erfolgreichen Aufnahme werden die aufgenommenen Daten weiterverarbeitet und archiviert. Dazu mssen die einzelnen Bilder aus der digitalen Hochgeschwindigkeitskamera ausgelesen und zusammengefgt werden. Hierin liegt der Hauptnachteil der Kameratechnik, da groe Datenmengen entstehen, die verarbeitet und bewertet werden mssen. Die Datenmengen sollten daher auf den signifikanten Bildausschnitt reduziert werden.

3.2.2 Belichtung
Ein wichtiger Faktor bei allen Kameraaufnahmen und Fotografien ist die Belichtung. Im Bereich der Hochgeschwindigkeitsaufnahmen ist sie sogar noch wichtiger als in anderen Bereichen der Bilderstellung. Whrend die handelsblichen Fotoapparate und Camcorder mit Belichtungszeiten im Millisekunden-Bereich [ms] arbeiten, liegen die Belichtungszeiten von Hochgeschwindigkeitskameras je nach Aufnahmegeschwindigkeit im Mikrosekunden-Bereich. Generell gilt auch, dass Hochgeschwindigkeitskameras wegen der sehr kurzen Belichtungszeiten viel Licht brauchen, um eine sinnvolle Helligkeitsdynamik und Schrfentiefe zu erreichen. Zu diesem Zweck werden die zu filmenden Objekte sehr stark ausgeleuchtet. Mitunter ist es so, dass die richtige Ausleuchtung der zu filmenden Objekte mehr Aufwand verursacht als der tatschliche Filmvorgang und die anschlieende Bildbearbeitung. Auch fhrt das intensive Licht fr Hochgeschwindigkeitsaufnahmen oft dazu, dass die zu filmenden Objekte whrend des Filmvorganges derart hei werden, dass sie schmelzen oder in Brand geraten knnen. Zu erwhnen ist im Zusammenhang mit der Belichtung auch, dass schwarzwei (monochrom) funktionierende Hochgeschwindigkeitskameras bei gleicher Belichtungszeit bis zu drei Mal empfindlicher sind als Farbkameras gleichen Typs. Somit mssen bei Farbkameras teilweise um den Faktor drei lngere Belichtungszeiten oder entsprechend strkere Lichtquellen verwendet werden als bei Schwarzweikameras.

3.2.3 Kameraaufbau koaxial


Die Kamera, die zur koaxialen Beobachtung benutzt wird, ist die Kamera Photonfocus MV-D752-170. Die Kamera Photonfocus MV-D752-170 ist eine CMOS einfarbige (Monochromatik) kompakte und anspruchsvolle Kamera mit CameraLink Format. Die Auflsung betrgt 752 x 582 bei einer Sensorgre von 2/3. Sie kann bis zu 350 Bilder pro Sekunde (fps) bei Vollauflsung aufnehmen (Tabelle 3.2.1 zeigt die mglichen Bilder pro Sekunde bei niedriger Auflsung).

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ROI Dimensionen 752x582 512x512 256x256 128x128 128x16 752x1

Bilddatenrate Tint=10s

80MHz 340 fps 580 fps 2200 fps 7900 fps 39000 fps 63000 fps

PixelTakt,

Tabelle 3.2.1 Maximale Bilddatenrate in Abhngigkeit von der Auflsung.

Die MV-D752-170 hat bis zu 120 dB Dynamik durch LinLog-Technologie, wodurch Bilder mit stark unterschiedlichen Helligkeitsbereichen aufgenommen werden knnen. Auf diese Art kann man sehr dunkle stark leuchtenden Oberflchen aufnehmen und die Abhngigkeit von der Beleuchtung ist nicht so stark. Diese Kamera hat einen spektralen Empfindlichkeitsbereich von 350 1000 nm.

Abbildung 3.2.1 Kamera Photonfocus MV-D752-170.

In der Abbildung 3.2.2 kann man die spektrale Empfindlichkeit der Kamera in Abhngigkeit der Wellenlnge sehen. Im sichtbaren Bereich liegt die hchste Empfindlichkeit der Kamera vor. Im Ultraviolettbereich sowie im Infrarotbereich liegen nur geringe Empfindlichkeiten zwischen 0-10% vor.

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Abbildung 3.2.2 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Photonfocus MV-D752-170.

Die nchste Tabelle zeigt die Eigenschaften der Kamera: Technische Eigenschaften: - monochromer 2/3 CMOS-Bildsensor - 752 x 582 Bildpunkte(Anzahl der Pixel)(CCIR Auflsung) mit 160 MHz Datenrate - Pixelgre: 10,6 m x 10,6 m - Spektralbereich: 350 1000 nm - bis zu 350 Bilder pro Sekunde (fps) bei Vollauflsung - 3 Geschwindigkeitsvarianten (60 fps, 175 fps, 350 fps) - uerst geringe Triggerverzgerung und Triggerjitter - diverse Triggermodi und Bildsynchronisation fr Stereobildaufnahme - lineare Sensorkennlinie - LinLog-Kennlinie (linear-logarithmische Sensorkennlinie) - bis zu 120 dB Dynamik durch LinLog-Technologie - Skimming fr gering beleuchtete Szenen - keine Bewegungsartefakte durch Global-Shutter - keine Geisterbilder (no image lag) - kein Smear und kein berstrahlen (no blooming) - einstellbares Auslesefenster (region of interest ROI) - Bildrate umgekehrt proportional zur Grsse des Auslesefensters (ROI) in xund y-Richtung - Bildvorverarbeitung mit Look-Up-Tabellen (LUT) - Konfiguration der Kameras ber GUI Software Laser Zentrum Hannover e.V

Eingesetze Anlagentechnik und Versuchaufbau API fr Windows Betriebssysteme SDK fr QNX Echtzeitbetriebssysteme CameraLink Schnittstelle Framegrabberanpassungen fr verschiedene Hersteller Abmessungen: 55 x 55 x 46 mm (B x H x T) - Objektiv-Anschluss: C-Mount
Tabelle 3.2.2 Technische Merkmale Kamera Photonfocus MV-D752-170

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Die Software der Kamera ist von Silicon Software, die Framegrabber-Karte die Microenable 3. Die Merkmale, die sich einstellen lassen, sind vor allem die Belichtungszeit, Framezeit und die Region of interest (Verkleinerung des Bildbereiches zur Erhhung der Bildfrequenz bzw. Verringerung der Datenmenge). Das Programm zeigt fr jede Konfiguration, wie viele Frames pro Sekunde aufgenommen werden knnen (siehe Abbildungen 3.2.3 und 3.2.4).

Abbildung 3.2.3 Silicon Software.

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Abbildung 3.2.4 Einstellung Software der Kamera.

3.2.4 Kameraaufbau off-axial


Die Kamera, die zur off-axialen Anwendung benutzt wird, ist die Kamera Mikrotron MC1310. Die Kamera Mikrotron MC1310 ist eine CMOS einfarbige(Monochromatik) kompakte und anspruchvolle Kamera mit CameraLink Technik und einer Auflsung von 1280(H)X1024(V) Pixel. Fr Bildverarbeitungsanwendungen und Hochgeschwindigkeits-Aufnahmen im Bereich bis 500 Bilder/s bei Vollbild, bzw. ber 46.800 fps mit reduziertem ROI, bietet auch die MC1310 Hochgeschwindigkeitskamera optimale Abbildungsqualitt in bis zu 1024 Graustufen (siehe Abbildung 3.2.5).

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Abbildung 3.2.5 Kamera Mikrotron MC1310.

Nchste Tabelle zeigt die Eigenschaften der Kamera: Technische Eigenschaften: - monochromer CMOS-Bildsensor - 1280X1024 Bildpunkte (Anzahl der Pixel) - Sensorformat:15,36(H) x 12,29(V) mm mit 12 x 12 m Pixelgre - Spektralbereich: 389 1100 nm - bis zu 500 Bilder pro Sekunde (fps) bei Vollauflsung - Bildrate ist umgekehrt proportional zur Bildhhe - Beliebige Bildgren und Geschwindigkeiten programmierbar - Pixelauflsung: 10 Bit oder beliebige 8 aus 10 Bit - Frei laufender oder extern triggerbarer Vollbild-Shutter - ImageBLITZ interner Trigger durch parametrierbares, sensitives Liniensegment - Pixelsummierung (H und V) zur Empfindlichkeitserhhung - 1 Kameraprofil und 8 Userprofile abrufbar zur Anwendungsparametrierung - Schock/Stobelastung: 70G/10ms - Geringe Verlustleistung - Kompakte, robuste Bauform - Framegrabber-Anschluss: Full Camera Link - Max. Datenrate: 640 Mbyte/Sek - 8 oder 10 Taps (8x 8 bis 10x 10 bit Datentransfer) - Objektiv-Anschluss: C-Mount
Tabelle 3.2.3 Technische Merkmale Kamera Mikrotron MC1310.

In der Abbildung 3.2.6 und Tabelle 3.2.4 kann man die Spektrale Empfindlichkeit der Kamera in Abhngigkeit der Wellenlnge sehen.

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Eingesetze Anlagentechnik und Versuchaufbau Wavelength (nm) 389.9 399.9 409.9 419.9 430.0 440.0 450.0 460.0 469.9 479.9 489.9 499.9 509.9 520.0 530.0 540.0 550.0 560.0 570.0 579.9 589.8 599.9 609.9 619.9 629.9 639.9 649.9 659.9 669.9 679.9 689.9 699.9 709.9 719.9 729.9 739.9 Quantum efficiency (%) 12.12 14.12 15.46 17.97 19.03 19.82 20.81 21.41 22.50 22.75 22.73 23.44 23.23 21.88 21.01 21.77 20.88 19.55 17.21 18.49 17.49 16.39 15.93 15.01 14.92 13.98 14.16 11.55 11.85 12.51 11.11 11.17 8.80 9.82 8.82 7.67 Wavelength (nm) 749.9 759.8 769.8 779.8 789.8 799.8 809.7 819.7 829.7 839.7 849.7 859.7 869.7 879.7 889.7 899.7 909.7 919.7 929.7 939.7 949.7 959.7 969.7 979.7 989.7 999.7 1009.7 1019.7 1029.7 1039.6 1049.6 1059.6 1069.6 1079.6 1089.6 1099.6

21 Quantum efficiency (%) 8.90 8.24 7.74 7.48 5.93 5.50 5.97 5.27 4.92 5.03 4.38 3.69 3.81 3.77 2.96 2.37 2.42 2.44 1.97 1.60 1.52 1.62 1.36 1.03 0.81 0.79 0.77 0.66 0.45 0.34 0.25 0.23 0.16 0.13 0.08 0.05

Tabelle 3.2.4 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Mikrotron MC1310.

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Abbildung 3.2.6 Spektrale Empfindlichkeit der Kamera Mikrotron MC1310.

Die Kamera verwendet die Software VCAM95 und die Famegrabber-Karte INSPECTA 4DC (siehe Abbildungen 3.2.7).

Abbildung 3.2.7 VCAM95 Software .

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3.3 Filter
Ein optischer Filter ist ein Hilfsmittel zur Selektion von elektromagnetischer Strahlung. Dieses Element selektiert die einfallende Strahlung nach bestimmten Kriterien, z. B. nach der Wellenlnge, dem Polarisationszustand oder der Einfallsrichtung. In dieser Arbeit wurden folgende Arten von Filtern verwendet: - Bandpassfilter: Bandpassfilter sind dadurch gekennzeichnet, dass sich einem Bereich hoher Transmission (Durchlabereich) sowohl langwellig als auch kurzwellig ein Bereich geringer Transmission (Sperrbereich) anschliet, sie also nur fr einen geringen Wellenlngenbereich transmissiv sind. Charakteristische Eigenschaften dieser Filter sind das Maximum der spektralen Transmission im Durchlassbereich, max. und die Halbwertsbreite HW. Diese ergibt sich aus der Differenz der Wellenlngen, bei denen max. Erreicht wird. Liegt die Anwendung des Filters nur im Bereich einer Filterkante, kann auch die Kurz- oder Langpassfunktion des Filters magebend sein (siehe Abbildung 3.3.1).

Abbildung 3.3.1 Charakteristische Eigenschaften BandPassfilter.

Langpassfilter:

Langpassfilter zeigen im kurzwelligen Bereich eine geringe Transmission (Sperrbereich). Getrennt durch die charakteristische Filterkante schliet sich zum langwelligen hin ein Bereich hoher Transmission an (Durchlabereich). Die Lage dieser Kante wird durch die Wellenlnge m beschrieben, bei der max erreicht wird. (siehe Abbildung 3.3.2).

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Abbildung 3.3.2 Charakteristische Eigenschaften Langpassfilter

- Kurzpassfilter: Filtertyp, bei dem kurzwellige Strahlung transmittiert, whrend langwellige unterdrckt wird. Je nach Einsatzgebiet bernehmen diese auch die Funktion von Bandpassfiltern. KG Filtertypen zeigen im sichtbaren Spektralbereich hohe Transmission, whrend das Infrarot, d.h. die Wrmestrahlung, absorbiert wird. (siehe Abbildung 3.3.3).

Abbildung 3.3.3 Charakteristische Eigenschaften Kurzpassfilter.

- Graufilter: Graufilter werden eingesetzt zur Lichtreduzierung. Sie vermeiden berbelichtungen bei zu viel Helligkeit, wenn der Belichtungsspielraum der Digitalkamera oder des Films berschritten wird.

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Mit einem Graufilter kann auch bei hoher Lichtflle die durch eine kleine Blendenffnung bedingte groe Schrfentiefe vermieden werden. Der Graufilter vermindert den Lichtdurchfluss, was eine grere Blende ermglicht, die dann ganz nach Wunsch und Einstellung den strenden Vorder- oder Hintergrund in der Unschrfe zerflieen lsst (abhngig ist dieser Effekt natrlich von der Lichtstrke des Objektivs). Der Filter der in den Untersuchungen zur passiven Beobachtung der primren Emissionen verwendet wurde, ist der Filter FL1064-10, ein Bandpassfilter von Thorlabs, der mit m=1064nm beschrieben wird. (siehe Anhang C fr die Abgrenzung).

Abbildung 3.3.4 Filter FL1064.

Das Filter das in Versuchen der Passiven Beobachtung der sekundren Emissionen ist das Filter FES0950, dieses KurpassFilter hat c= 950nm und max=0.45 und die Grafik Transmisionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.5 sehen[5]. (siehe Anhang C fr die Abgrenzung).

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Abbildung 3.3.5 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950.

Die Filter, die in den Untersuchungen mit Beleuchtungslaser benutzt wurden (zur Aktiven Beobachtung), selektieren die einfallende Strahlung nach der Wellenlnge. Auf diese Art ermglicht man die Aufsicht im Infrarotbereich (siehe Anhang B) und man vermeidet die Strungen der reflektierenden Laserstrahlung oder des Metalldampfes, die eine sehr hohe Intensitt besitzen und dadurch das Bild berbelichten wrden. Im Prinzip wird nur ein BandPassFilter gebraucht, der nur im bereich von ca. 808nm transmissiv ist (Wellenlnge des Beleuchtungslasers). Da dieser am LZH nicht vorlagt, wurden zwei einzelne Filter hintereinander gesetzt, die in der Addition den gewnschten Wellenlngenbereich ergeben. Die Filter, die dazu benutzt wurden, sind der Kurzpassfilter FES0950 (Beschreibung siehe oben), der mit 5 verschiedenen SCHOTT Langpass Filter in Kombination getestet wurde, um abzuschtzen, welcher am besten fr die Untersuchungen geeignet scheint: RG665, RG715, RG780, RG850, RG1000. -RG665: Dieser Langpassfilter hat c=665nm und max=0.49. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.6 sehen [6]. (siehe auch Anhang D fr das Datenblatt).

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Abbildung 3.3.6 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG665.

-RG715: Dieser Langpassfilter hat c= 715nm und max=0.49. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.7 sehen[6]. (siehe auch Anhang D fr das Datenblatt).

Abbildung 3.3.7 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG715.

-RG780: Dieser Langpassfilter hat c= 780nm und max=0.49. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.8 sehen[6]. (siehe auch Anhang D fr das Datenblatt).

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Abbildung 3.3.8 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG780.

-RG850: Dieser Langpassfilter hat c= 850nm und max=0.49. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.9 sehen[6]. (siehe auch Anhang D fr das Datenblatt).

Abbildung 3.3.9 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG850.

-RG1000: Dieser Langpassfilter hat c= 1000nm und max=0.49. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge kann man in der Abbildung 3.3.10 sehen[6]. (siehe auch Anhang D fr das Datenblatt).

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Abbildung 3.3.10 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter RG1000.

Mit diesen zwei Filtern zusammen in der koaxialen Kamera eingesetzt, wird die Kamera nur im Bereich 665, 715, 780, 850, 1000 (je nach eingesetztem Langpassfilter) bis zu 975nm aufnehmen. Somit wird der sichtbare Bereich und die reflektierte Laserstrahlung ausgeblendet und es wird im Infrarotbereich aufgenommen. In der Abbildung 3.3.11 kann man rechts den FES0950 Kurzpassfilter und links den SCHOTT Langpassfilter.

Abbildung 3.3.11 Filter FES0950 (rechts) und Filter RGXXX (links)

In den nchsten Abbildungen kann man die Grafiken TransmissionsgradWellenlnge der Filterkombinationen sehen:

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Abbildung 3.3.12 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG665 berlagert.

Abbildung 3.3.13 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG715 berlagert.

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Abbildung 3.3.14 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG780 berlagert.

Abbildung 3.3.15 Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und RG850 berlagert.

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Abbildung 3.3.16 Grafik Transmisionsgrad-Wellenlnge Filter FES0950 und R1000 berlagert.

- Schutzfilter: Schutzfilter werden benutzt, um die Zerstrung der Kameras zu vermeiden. Die Grafik Transmissionsgrad-Wellenlnge des Schutzfilters, der in einigen Versuchen benutzt wurde, kann man in der Abbildung 3.3.17 sehen. Dieser Filter lsst das reflektierte Laserlicht nicht durch, so dass eine Zerstrung der Koaxialkamera vermieden wird.

Abbildung 3.3.17 Transmissionskoeffizient des des im Bearbeitungskopf verbauten Schutzfilters.

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3.4 Beleuchtungssysteme
Zur Beleuchtung in den passiven Beobachtungsversuchen wird eine 2-fachKaltlichtlichtquelleFlexilux 30HL benutzt (siehe Abbildung 3.4.1). Diese Lampe besitzt zwei Lichtfasern und wird mit 220V/50-60Hz betrieben.

Abbildung 3.4.1 Lampe.

Zur Beleuchtung in den Versuchen zur aktiven Beobachtung wird ein Diodenlaser benutzt. Der Diodenlaser der eingesetzt wird ist der JOLD-Diodenlaser. Die Wellenlnge ist =808nm mit einer Leistung von P=30W. Weitere zuvor fr die Beleuchtung getestete Diodenlaser -Marke SDL und JDS- besaen mit 6 bzw. 4W zu wenig Leistung, um den Schweibereich ausreichend fr hohe Bildfrequenzen zu beleuchten. Beim Betrieb des JOLD-Diodenlasers ist besonders auf die Einschaltreihenfolge der Gerte sowie die Leistungsregelung des Lasers zu achten, da dieser sonst beschdigt werden kann. Eine entsprechende Anleitung liegt dem Gert bei.

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Eingesetze Anlagentechnik und Versuchaufbau In der Abbildung 3.4.2. sind die Komponenten des Temperaturregelung, Versorgungsnetzteil und Diodenlaser zu sehen.

34 JOLD-Lasers

Abbildung 3.4.2 JOLD-Diodenlaser.

In Abbildung 3.4.3 ist rechts die Diodenlaserstirnlampe zu sehen. In Abbildung 3.4.4 ist die Leistungskennlinie des DiodenLasers dargestellt (gemessen direkt am Faserende/Durchmesser 600m).

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Abbildung 3.4.3 Arbeitplatz mit Diodenlaser zur Beleuchtung.

Abbildung 3.4.4 Leistungskennlinie des Diodenlasers.

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3.5 Haltevorrichtung
Eine der ersten Schwierigkeiten, die beim Schweien der ICs auftreten kann, ist die Erzeugung eines Nullspaltes in der Fgezone und eine ausreichend exakte Positionierung. Die kleinen Abmessungen der Bauteile stellen sehr hohe Anforderung an die Genauigkeit sowie die Handhabung. Die bisher verwendete Klemmvorrichtung (Siehe Abbildung 3.5.1) erfllt nicht vollstndig die Anforderungen. Daher wird in dieser Arbeit eine neue Haltvorrichtung konstruiert und gefertigt.

Abbildung 3.5.1 Bisherige Haltevorrichtung.

Die Konstruktionszeichnungen wurden mit Solidworks 2000 erstellt. Die Haltevorrichtung besteht aus drei Bauteilen: der Grundplatte, der Zwischenplatte und der IC-Halterung. (im Anhang E wird die Abgrenzung der verschiedenen Bauteile gezeigt).

3.5.1 Grundplatte
Das erste Bauteil der Haltevorrichtung ist die Bodenplatte, die aus Aluminium gefertigt wurde und vier Stirnsenkungen M6 mit Durchgangsbohrung fr die Befestigung auf dem Positioniersystem sowie 49 Gewindebohrungen M5 fr die Positionierung der Zwischenplatte besitzt (siehe Ahnhang E fr die Abgrenzung des Bauteiles). (siehe Abbildung 3.5.2).

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Abbildung 3.5.2 Grundplatte.

3.5.2 Zwischenplatte
Dieses Bauteil dient dazu, den PCB (Leiterplatte) zu fixieren und dient auch zum einschrauben der IC-Halterung. Sie ist auch aus Aluminium gefertigt und hat vier Stirnsenkungen fr Gewinde M5, um die Zwischenplatte auf der Grundplatte einschrauben zu knnen, sowie 4x Bohrungen M3, um die IC-Haltung zu fixieren und 2 mal Bohrung fr Passstifte 3mm H7, um die PCBs zu fixieren. (siehe Ahnhang E fr die Abgrenzung des Bauteiles). (siehe Abbildung 3.5.3).

Abbildung 3. 5.3 Zwischenplatte.

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3.5.3 IC-Halterung
Dieses Bauteil fixiert die ICs auf den PCBs. Ebenfalls aus Aluminium gefertigt hat es zwei Stirnsenkungen fr Gewinde M3, um es auf der Zwischenplatte einzuschrauben. Dieser Bauteil besitzt eine Aussparung, um die ICs einzusetzen (siehe Abbildung 3.5.4 und 3.5.5). (siehe Ahnhang E fr die Abgrenzung des Bauteiles).

Abbildung 3.5.4 IC-Halterung; Aufsicht.

Abbildung 3.5.5 IC-Halterung; Ansicht von unten.

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3.5.4 Gesamt Montage


In der Abbildung 3.5.6 und 3.5.7 wird die Gesamtmontage gezeigt, sowie die Anordnung der Bauteile und die Schritte, um die ICs auf den PCBs zu fixieren.

Abbildung 3.5.6 Gesamt Montage Haltevorrichtung a).

Abbildung 3.5.7 Gesamt Montage Haltevorrichtung b).

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Abbildung 3.5.8 Gefertigte Haltevorrichtung.

Die Schritte, um die ICs zu fixieren sind wie folgt: 1. Zuerst Gundplatte auf dem Positionierungssystem des Arbeitsplatzes befestigen. 2. PCB mit 2 Passstiften auf der Zwischenplatte fixieren. 3. IC-Halterung auf der zwischenplatte fixieren. 4. IC in die Aussparung stellen. 5. Unter dem Mikroskop die Beine des ICs genau mit den Leitern des PCBs in Deckung bringen. 6. Die IC-Halterung festschrauben.(siehe Abbildung 3.5.9) 7. Die Zwischenplatte auf der Grundplatte einschrauben.(siehe Abbildung3.5.10).

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Abbildung 3.5.9 Fixierung IC.

Abbildung 3.5.10 Ansicht Haltevorrichtung und IC im Arbeitsplatz.

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3.6 Ordnung der verschiedenen Komponenten


Eines der wichtigsten Themen ist die Anordnung der verschiedenen Elemente, wie das Positionieren der Kameras hinsichtlich des Laserstrahls und die Ausrichtung des Beleuchtungslasers. Die Konfiguration zur passiven Beobachtung der Fgezone wird in der Abbildung 3.6.1 gezeigt. Der Laser Strahl wird von der linken Seite durch die Faser zugefhrt und wird durch eine Linse (Dem Kollimator) kollimiert. Der Kollimator erzeugt einen parallelen Strahlenverlauf, so wie ihn ein unendlich entferntes Objekt erzeugt. Dieser kollimierte Laserstrahl wird durch einen Spiegel unter 45 -Winkel reflektiert, senkrecht nach unten geleitet und durch eine zweite Linse auf die Bauteile fokussiert. Ein Rechner kontrolliert den Laser (siehe Abschnitt 3.1) sowie das Positioniersystem. Die Photonfocus Kamera (Rosa) wird koaxial eingesetzt und durch eine Framegrabber-Karte im Rechner gesteuert. Die Mikrotron (dunkelgrn) wird off-axial aufgebaut und auch durch eine Framegrabber-Karte in einem zweiten Rechner gesteuert. Die Filter, die in den Versuchen bentigt wurden, werden in der Richtung der koaxialen Kameraaufnahme zwischen der Kamera und dem Umlenkspiegel eingesetzt.

Abbildung 3.6.1 Anordnung der Komponenten fr die Untersuchungen zur passiven berwachung.

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In den Untersuchungen zur aktiven Beobachtung wird ein Diodenlaser in off-axialer Konfiguration bentigt wie Abbildung 3.6.2 zeigt. Dieser Diodenlaser wird durch drei Gerte gesteuert (siehe Abschnitt 3.4). Die Filter werden in der Richtung der koaxialen Kameraaufnahme zwischen der Kamera und dem Spiegel eingesetzt.

Abbildung 3.6.2 Anordnung der Komponenten fr die aktive berwachung (mit Diodenlaser zur Beleuchtung).

Die nchsten Abbildungen zeigen ein Raumgesamtbild der Montage und zwei Zoome vom Bearbeitungsplatz und den wichtigsten Komponenten mit dem Programm Solidworks 2000 realisiert.

Abbildung 3.6.3 Solidworks2000 Ansicht des Arbeitplatzes fr die passive berwachung.

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Abbildung 3.6.4 Solidworks2000 Ansicht der Elemente fr die passive berwachung (Ausschnittvergrerung 1).

Abbildung 3.6.5 Solidworks2000 Ansicht der Elemente fr die aktive berwachung (mit Diodenlaser zur Beleuchtung).

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Beschreibung der bearbeiteten Bauteile

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4 Beschreibung der bearbeiteten Bauteile


4.1 Integrated Circuits
Die Integrated Circuits, die benutzt wurden sind die Practical TSSOP56-BareCu (siehe Abbildung 4.1.1). Sie werden auf eine Leiterplatte (PCB) (siehe Abbildung 4.1.2) eingesetzt. Die Beine des ICs sind aus Kupfer ohne jegliche Beschichtung. Von den PCBs wurden 2 verschiedene Arten benutzt, eine mit Leiterplatte aus Kupfer mit Gold beschichtet und eine weitere mit Leiterplatte aus Kupfer verzinkt.

Abbildung 4.1.1 IC.

Abbildung 4.1.2 PCB.

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Beschreibung der bearbeiteten Bauteile Die geometrischen Merkmale des ICs sind in der Abbildung 4.1.3 beschrieben.

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Abbildung 4.1.3 Eigenschaften des ICs TSSOP56-BareCu.

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Beschreibung der bearbeiteten Bauteile

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Abbildung 4.1.4 PCB und IC.

4.2 FPS Sensoren.


In den Versuchen mit dem leistungsstrkeren Laser und fr die Versuche, bei denen die Positionierung aufgrund der Filter kompliziert war, wurden anstelle der ICs die FPS Sensoren mit 4 Kontaktbeinen aus verzinktem Kupfer geschweit. Aufgrund der greren Oberflche ist die Positionierung allein mit dem HeNe-Laser mglich. Das grere Materialvolumen erlaubt lngere Pulszeiten und damit hhere Belichtungszeiten (Exposure Time). Die Abbildung 4.2.1 zeigt die FPS Sensoren.

Abbildung 4.2.1 Fixierung der FPS Sensoren.

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Versuchsdurchfhrung

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5 Versuchsdurchfhrung
5.1 Allgemein
Im Rahmen der vorliegenden Arbeit werden die bentigten Versuche durchgefhrt, die als Grundlage zur Realisierung eines kamerabasierten Qualitts- und Prozessberwachungssystems durch eine bzw. zwei Kameras beim LaserstrahlMikroschweien dienen. Dafr werden die verschiedenen Prozessphasen bestimmt und den Bildern der koaxialen Kamera und den Bildern der off-axialen Kamera zugeordnet. Mit Hilfe der High-Speed-Kameras kann der Prozess zeitlich hoch aufgelst beobachtet werden. ber entsprechende Filter und unter Zuhilfenahme von Beleuchtungsquellen kann sowohl das Schmelzbad als auch das Leuchten der Metalldampffackel beobachtet werden. Diese Untersuchungen sollen Aufschluss ber die Teilprozesse des Schweivorganges liefern. Die verschiedenen Versuche, die durchgefhrt werden, knnen in zwei Gruppen klassifiziert werden: die passive Prozessberwachung und die Aktive Prozessberwachung. Bei der passiven Prozessberwachung wird die prozessemittierte elektromagnetische Strahlung im sichtbaren und nahinfraroten Bereich des Spektrums beobachtet und ausgewertet. Bei der aktive Prozessberwachung wird die Prozesszone zustzlich beleuchtet, und so, unter Ausblendung der Prozessstrahlung, die Oberflchentopographie des Schmelzbades und dessen Umgebung sichtbar gemacht. Die Prozessvideos der koaxialen Kamera werden ber die Framegrabber-Karte MikroEnable III und die Silicon Software auf den PC bertragen. Die Auswertung, das Schneiden der Filme und die Trennung der relevanten Bilder erfolgt mit der Software VirtualDub 1.7.7. Die Versuche werden wie folgt durchgefhrt: Vor Arbeitsbeginn mssen die verschiedene Gerte gestartet (Rechnern, Laser, Kameras) und die Software initialisiert (des Lasers, der Kameras, Software zum Positionieren) werden. Um den Laser zu benutzen wird der Hauptschalter bis Position 1 gedreht, danach der Interlockkeyschalter nach rechts bis Position 1 gedreht und der Keyschalter Laserklasse auch nach rechts gedreht bis Position Nummer 4 (Offene Laserklasse hoher Leistung). Zuletzt wird der Schalter Laser on gedrckt bis das weie Licht der Laserwarnlampe angeht. Siehe Abschnitt 3.1 und Abbildung 3.1.1. Anschlieend werden die zwei Kameras initialisiert: -Die Mikrotron:

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Versuchsdurchfhrung

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Zuerst wird die Software VCAM95, die sich im Startmenu befindet gestartet (Start ProgrammeInspectaVCAM95). Danach knnen die Kameraaufnahmen beginnen (CameraProfileLoadProfileMC1310_11_02_03640x480 4-Pixel binning Load Profile)(siehe Abbildung 5.1.1). Danach CameraCapture drcken.

Abbildung 5.1.1 Profile Load Kamera Mikrotron.

Zuletzt die Einstellung Software Starten (Start Mikrotron13XX) und die Frame rate bis zu 38, Black Level bis zu 64, FPN bis zu 109 und Gain bis zu 119 einstellen (siehe Abbildung 3.2.7). -Die Photonfocus: Zuerst die Software Mikro Display starten und auf alten zustand wieder herstellen drcken und die Arten der Kameraaufnahmen von Bild zu AVI Sequenz wechseln (Die Grnde hierfr sind im Abschnitt 5.2 beschrieben). Einstellung der Breite und Hhe der Anzeige zu 128x128 wechseln (um die Aufnahmegeschwindigkeit zu steigern). Und CameraLink Format auf 8bit DualTap festlegen (siehe Abbildung 5.1.2). Die Pixelgroe ist 10,6 m x 10,6 m, 10,6 m mal die Pixelnummer 128 =1.36mm die wegen der Laserkopfspiegel ergibt sich einen Aufnahmebereich von circa 678.4X678.4m.

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Abbildung 5.1.2 Einstellung der Anzeige der Kamera Photonfocus.

Anschlieend die Software PFRemote 2.0 starten und den Kamera-Port MV-D752160 suchen und drcken. Diese Software ermglicht die Einstellung der Exposure Time und Region of interest. Exposure Trigger auf Free Running festlegen und Exposure Time je nach Versuch einstellen. Danach auf Windows drcken und in Region of interest W und H auf 128 einstellen. X und Y dienen dazu, die Oberflche, die man aufnehmen will, genau in den Anzeigenbereich zu legen (siehe Abbildungen 5.1.3 bis 5.1.8).

Abbildung 5.1.3 Einstellung der Photonfocus-Kamera 1.

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Abbildung 5.1.4 Einstellung der Photonfocus-Kamera 2.

Abbildung 5.1.5 Einstellung der Photonfocus-Kamera 3.

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Abbildung 5.1.6 Einstellung der Photonfocus-Kamera 4.

Abbildung 5.1.7 Einstellung der Photonfocus-Kamera 5.

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Abbildung 5.1.8 Einstellung der Photonfocus-Kamera 6.

Parameter wie Exposure Time oder Region of interest sind sehr wichtig, da sie groen Einfluss auf die Bilder pro Sekunde (frames per second, fps) haben. Weil mit Pulsdauern im Bereich von Millisekunden gearbeitet wird, um Bilder der verschiedenen Prozessphasen zu kriegen, wird mindestens eine Bildfrequenz von 1000 bis zu 5000 fps gebraucht. Um die Bilder pro Sekunde (fps) zu erhhen, muss man die Region of interest und die Exposure Time reduzieren. Mit einem kleinen Wert fr die Exposure Time von 0.01ms und einer Region of interest von X=100,Y=75,W=128,H=128, bekommt man Werte von etwa 6000 Bilder pro Sekunde. Das entspricht 6 Bildern pro ms, was bei einer Pulsdauer von 0.5ms bedeutet, dass man im besten Fall 3 Bilder aufnimmt, die den Prozess zeigen. Die Schwierigkeit dabei ist, dass bei sehr kleinen Werten fr die Exposure Time sehr wenig Belichtung fr den Cmos-Sensor der Kamera zur Verfgung steht und dadurch nur ein schlechtes Bild vorliegt. Nach dem starten der Kameras werden die Parameter des Lasers eingestellt. Dazu wird die Software PCT2 geffnet. Die Parameter, die je nach Versuch gendert werden, sind Pulse peak Power (maximale Leistung des Pulses), die Frequency (Frequenz) und die Pulsduration (Pulsdauer) (siehe Abbildung 3.1.2). Die PCT2 Software bietet auch die Mglichkeit, die Pulsform anzupassen (siehe Abbildung 3.1.3). Sofort nach Fertigstellung der Einstellungen der Gerte wird die Fokuslage gesucht.

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Dazu wird eine kleine blau eloxierte Aluminiumplatte benutzt und die folgenden Schritte vollzogen (siehe Abbildung 5.1.9): - Ttigen von 10-20 Schssen bei denen die Z-Achse und die X-Achse oder Y-Achse jeweils um 1mm in Richtung beider Achsen verfahren wird. - Finden des kleinsten Punktes unter dem Mikroskop. - Wiederholen des Verfahrens zwischen den drei kleinsten Punkte jedoch mit geringeren Werten beim Verfahren der Z-Achse. - Finden des kleinsten Punktes unter dem Mikroskop. - Zum Schluss die Z-Achse auf die gefundene Fokusposition einstellen.

Abbildung 5.1.9 Suche des Fokuspunktes.

Um die Achse zu bewegen wird die Software fr die Positionierung benutzt (siehe Abbildung 5.1.10). Das Startkommando ist SH; um Bewegungswerte anzuweisen wird das Kommando PR und die Achse X,Y,Z gefolgt vom Abstandswert eingegeben. Um die Achse zu bewegen wird das Kommando BG benutzt, gefolgt von X,Y oder Z [7].

Abbildung 5.1.10 Software zur Positionierung.

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Nach der Suche des Fokuspunktes wird das Positionierlicht des Lasers eingeschaltet (roter HeNe-Laser) und mit der Koaxialkamera betrachtet und der Punkt in der Region of Interest platziert durch nderung der X und Y Werte (siehe Abbildung 5.1.4). In den Versuchen, die es erfordern, dass die Kamera entfernt wird, um Filter einzusetzen, ist es sehr wichtig darauf zu achten, dass die Positionierung des Laserstrahls in der Region of interest liegt, da nach Einsetzen einiger Filter wie zum Beispiel dem Bandpassfilter 1064nm der Positionierlaser nicht mehr zu sehen ist. Nun die Lampe einschalten und mit der off-axial Kamera das Positionierungslaser auf den Beinen der Bauteile positionieren. Mit der koaxialen Kamera kann man die Zunahme der Intensitt des reflektierten Positionierungslasers sehen, wenn dieser exakt auf den Beinen der Bauteile (Kupfer) ist. Sobald der Laserstrahl auf dem Bauteil positioniert ist, kann die Aufnahme des Videos gestartet und der Laser bettigt werden. Bei den Versuchen mit zustzlicher aktiver Beleuchtung wird natrlich zuvor der Beleuchtungslaser aktiviert und die Messfasern durch Pointer ausgerichtet. Nach dem Schuss kann das Video gespeichert und mit dem Programm Virtualdub ausgewertet und die wichtigen Frames ausgewhlt werden. Zustzlich wurden die Bauteile auch unter dem Mikroskope ausgewertet, um zu entscheiden ob der Versuch fehlerfrei war und ob die Schweiung gut oder schlecht war.

5.2 Beschreibung der Versuche und Prozessberwachung.


Es wurden vier Versuchsabschnitte durchgefhrt. Als Erstes wurden die optimalen Laserparameter fr das Schweien der ICs ermittelt, um die Schweiqualitt der Proben bewerten zu knnen. Zweitens wurde die passive Prozessberwachung durch Beobachtung der primren Emissionen (Rckreflektiertes laserlicht aus der Wechselwirkungszone mit =Laser) untersucht. Drittens die passive Prozessberwachung durch Beobachtung der sekundren Emissionen (Strahlung des Metalldampfes und des Plasmas im Wellenlngenbereich von 400nm bis zu 900nm). Und viertens die aktive Prozessberwachung mit zustzlichen Beleuchtung durch einen Diodenlaser durch Beobachtung der Prozesszone unter Ausblendung der reflektierten Strahlungen mit Hilfe von Filtern. Eine der Schwierigkeiten, die beim Aufnehmen des Schweiprozesses auftraten, war die Konfiguration der Kameras, die Synchronisation der Kameras im Millisekundenbereich und die Synchronisation der Kameras mit dem Schweiprozess, um die Datenmengen zu reduzieren und die Bilder beider Kameras direkt vergleichen zu knnen. Diese Ansteuerung konnte im Rahmen dieser Arbeit trotz Untersttzung durch die Elektrowerkstatt und die Hersteller von Software und Framegrabber-Karten nicht realisiert werden. Fr an diese Arbeit anschlieende Laser Zentrum Hannover e.V

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Untersuchungen mssen diese Probleme behoben werden, um den Prozess weiter analysieren zu knnen. Eine weitere Schwierigkeit -wie schon im Abschnitt 5.1 erwhnt- ist die hohe bentigte Bildfrequenz, um auch bei sehr kurzen Pulszeiten des Lasers von unter 1ms noch eine ausreichende Anzahl von Bildern zu erhalten, um den Prozess bewerten zu knnen. Um diese hohen Bildraten zu erreichen, wird eine extrem kleine Exposure time (Belichtungszeit) gebraucht. Bei so kleiner Belichtungszeit muss die Intensitt des Strahls, der den Cmos-Sensor der Kamera anregt, sehr hoch sein, da sonst die Bildqualitt nicht ausreichen ist. Eine weitere Schwierigkeit ist der Transmissionskoeffizient des Spiegels, der den Laserstrahl im rechten Winkel reflektiert. Dessen Transmission in Abhngigkeit der Wellenlnge ist in der Abbildung 5.2.1 zu sehen.

Abbildung 5.2.1 Transmissionskoeffizient des Spiegels im Bearbeitungskopf.

Dieser Spiegel ist entsprechend seiner Funktion so ausgelegt, dass er im sichtbaren Bereich eine hohe Transmission besitzt, wohingegen er die Wellenlnge des Laserlichtes reflektiert und somit nur ein verschwindend geringer Anteil an reflektierter Laserleistung fr die Untersuchungen hierzu vorliegt. Sollten weitere Untersuchungen zu diesem Thema durchgefhrt werden, sollte dieser Spiegel durch einen speziell abgestimmten Spiegel gewechselt werden, der einen hheren Prozentsatz an reflektierter Laserleistung transmitiert.

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5.2.1 Bestimmung der optimalen Laserparameter fr das Schweien der ICs.


In diesem Abschnitt werden die optimale Parameter des Lasers bestimmen. Hierzu wurde auch eine Recherche der bisher zu diesem Thema am Laser Zentrums Hannover durchgefhrten Projekte gemacht. Die wichtigen Parameter sind die Pulse Peak Power (maximale Leistung des Pulses), die Frequency (Frequenz), die Pulsduration (Pulsdauer) und die Pulsform. Aufgrund der geometrischen Merkmale der Bauteile und der Eigenschaften des Kupfers und gesttzt auf die bisherige Recherche des LZH, wurde davon ausgegangen, dass eine hohe Leistung bei kurzen Pulsdauern am besten ist, um ICs zu Schweien. Wird die erforderliche Energie durch lngere Pulse eingebracht, kann es zur Beschdigung des Substrates kommen. Es wurde die Pulsform benutzt, wie sie in Abschnitt 2.2 vorgeschlagen wurde, mit dem Unterschied, dass die mittlere Leistung erhht wurde. Mit dieser Pulsform wurde der Schweiprozess verbessert und die berhitzung des Schmelzbades vermieden. In diesen Versuchen wurden 2 verschiedene PCB benutzt: einmal mit Leiterplatten aus Kupfer mit Gold beschichtet und zum anderen mit Leiterplatten aus Kupfer die verzinkt waren. Die Pulsform fr PCBs mit Leiterplatten aus Kupfer und Goldbeschichtung brauchte eine hhere mittlere Leistung, um eine gute Schweiung zu erzeugen, weshalb eine Pulsform wie in Abbildung 5.2.2 genutzt wurde.

Abbildung 5.2.2 Pulsform fr PCBs mit Leiterplatte aus Kupfer mit Gold beschichtet.

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Fr die Pulsform fr PCBs mit Leiterplatte aus verzinktem Kupfer wurde eine geringere mittlere Leistung bentigt, um erfolgreich eine Schweiung zu erzielen. Deshalb wurde eine Pulsform wie in Abbildung 5.2.3 benutzt.

Abbildung 5.2.3 Pulsform fr PCBs mit Leiterplatte aus Kupfer verzinkt.

Eine Schwierigkeit beim Finden der richtigen Prozessparameter ist die geringe Reproduzierbarkeit der Ergebnisse, da diese durch viele Faktoren wie Oxidation der Oberflche, Positionierung, optisches Verhalten, Genauigkeit der Fokuslage und so weiter beeinflusst werden, die stark variieren. Die nachfolgenden Bilder zeigen die mglichen Schweifehler, die beim Schweien der ICs auf die PCBs auftreten knnen.

Pulse peak power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 1ms

Pulse peak power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 0.5ms

Abbildung 5.2.4 Links IC Schweiung mit Verbindung ,rechts ohne Verbindung.

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Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 1.5ms

Abbildung 5.2.5 Schdigung der ICs wegen zu hoher Pulsdauer.

Pulse Peak Power 2 KW Frequency 1Hz Pulse duration 0.5ms

Abbildung 5.2.6 Nicht verbundene IC Schweiung wegen zu kleinem Einkopplungsgrad.

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Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 0.75ms

Abbildung 5.2.7 Verbundene IC-Schweiung auf Leiterplatte aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 0.5ms

Abbildung 5.2.8 Zerstrung des PCBs, Leiterplatte aus Kupfer verzinkt.

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Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 0.75ms

Abbildung 5.2.9 Verbundene IC Schweiung, leiterplatte aus Kupfer verzinkt.

Pulse Peak Power 1.5 KW Frequency 2Hz Pulse duration 0.5ms

Abbildung 5.2.10 Nicht verbundene IC Schweiung wegen zu wenig Leistung.

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Pulse Peak Power 1 KW Frequency 2Hz Pulse duration 1ms

Abbildung 5.2.11 Verbundene Schweiung, Leiterplatte aus Kupfer verzinkt, kleine Leistung bei grerer Pulsdauer.

Die nchsten Abbildungen zeigen die Schweiungen der FPS Sensoren mit dem Laser Lasag SLS 200 C60.

Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 3ms

Abbildung 5.2.12 FPS Schweiung a).

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Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 3ms

Abbildung 5.2.13 FPS Schweiung b).

Pulse Peak Power 2 KW Frequency 2Hz Pulse duration 3ms

Abbildung 5.2.14 FPS Schweiung c).

5.2.2 Passive Prozessberwachung primren Emissionen

durch

Beobachtung

der

In diesem Abschnitt wird eine passive Prozessberwachung durch Beobachtung der primren Emissionen (Rckreflektiertes Laserlicht aus der Wechselwirkungszone mit =Laser) realisiert. Diese rckreflektierte Laserstrahlung (Rckreflex) aus der Laser Zentrum Hannover e.V

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Wechselwirkungszone mit =1064nm wurde durch die Kamera ortsaufgelst beobachtet. Die restlichen Strahlungsanteile wurden mit Hilfe eines Bandpassfilters ausgeblendet (Siehe Abschnitt 3.3, Filter FL1064-10). Die spektrale Empfindlichkeit der Kamera im Bereich der Wellenlnge des Lasers ist zwar gering aber reicht noch aus, um den Rckreflex ortsaufgelst zu detektieren (siehe Abbildung 3.2.2). Eine Schwierigkeit, die in diesem Versuch auftrat, war die Positionierung des Laserstrahls mittig auf den Kamerabildern, weil der Filter den ganzen sichtbaren Bereich ausblendet und man damit das Licht des Positionierlasers nicht sehen kann (siehe Abbildung 3.3.1). Das machte die Positionierung des Laserstrahls kompliziert, so dass zuerst ohne Filter der Laserstrahl positioniert wurde und anschlieend die Koaxialkamera rausgenommen und der Filter wieder eingesetzt und anschlieend die Kamera wieder aufgebaut wurde. Durch diese Problematik kann es sein, dass die anschlieend aufgenommenen Bilder und Filme keinen mittigen Prozess aufweisen. Auch diese Schwierigkeit bei der Einsetzung der Filter muss in zuknftigen Projekte gelst bzw. optimiert werden, z.B. durch die Entwicklung eines Laserkopfes, der ein einfaches Wechseln der Filter erlaubt. Die folgenden Abbildungen zeigen die Bilder geschweiter ICs auf PCBs aus Kupfer mit Goldbeschichtung. Sie wurden mit dem Filter FL1064-10 aufgenommen. Die unterschiedlich farbigen Bilder zeigen jeweils einen Prozess, wobei pro Farbreihe die Darstellung gendert wurde, um den Verlauf zu verdeutlich.

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Abbildung 5.2.15 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=0.75ms,exp.time=0.05ms, IC-Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

Die Zonen, die in den Bildern schwarz innerhalb der Strahlzone sind, sind berbeleuchtete Zonen, die man durch die Benutzung von Graufiltern vermeiden kann. In der nchsten Abbildung ist ein Positionierungsfehler gezeigt. Die Bilder sind von einer IC-Schweiung mit einem PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung und mit dem Filter FL1064-10 aufgenommen.

Abbildung 5.2.16 Positionierungsfehler,pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=0.75ms,exp.time=0.05ms, IC-Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

Nachfolgend wurde der leistungsstrkere Lasag SLS 200 C60 (siehe Tabelle 3.1.2) benutzt und die FPS Sensoren (siehe Abbildung4.2.1) geschweit. Diese Bauteile erlauben lngere Pulsdauern und deshalb mehr Bilder des Prozesses bzw. das Einstellen einer greren Exposure time (Belichtungszeit).

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Abbildung 5.2.17 pp=1KW,f=2Hz,pulse duration=3ms,exp.time=0.1ms, FPS-Schweiung.

Abbildung 5.2.18 pp=1KW,f=2Hz,pulse duration=10ms,exp.time=0.1ms, FPS-Schweiung.

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Abbildung 5.2.19 pp=3KW,f=2Hz,pulse duration=6ms,exp.time=0.1ms, FPS-Schweiung.

Abbildung 5.2.20 pp=5KW,f=2Hz,pulse duration=6ms,exp.time=0.1ms, FPS-Schweiung.

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Abbildung 5.2.21 pp=5KW,f=2Hz,pulse duration=1ms,exp.time=0.1ms, FPS-Schweiung.

Nachfolgend wurden verschiedene Graufilter eingesetzt.

Abbildung 5.2.22 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=3ms,exp.time=0.1ms mit Graufilter von 50%, FPS-Schweiung.

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Abbildung 5.2.23 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=3ms,exp.time=0.1ms mit Graufilter von 20%, FPS-Schweiung.

In den nchsten Abbildungen kann man den gleichen Versuch jedoch mit einem Filter RG 1000 anstatt das Bandpassfilter und mit hher Exposure time was die Bilder helliger macht.

Abbildung 5.2.24 pp=2KW,f=2Hz,pulseduration=3ms,exp.time=0.6ms, FPS Schweiung.

5.2.3 Passive Prozessberwachung sekundren Emissionen.

durch

Beobachtung

der

In diesem Abschnitt wird die Realisierung einer passiven Prozessberwachung durch Beobachtung der sekundren Emissionen (Strahlung des Metalldampfes und des Plasmas im Wellenlngenbereich von 400nm bis zu 900 nm) realisiert. Die beim Laserstrahl-Mikroschweien emittierte Strahlung kommt berwiegend von dem Metalldampf, also im sichtbaren Bereich, und durch das Plasma aus dem ionisierten

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Metalldampf, das im UV-Bereich strahlt. Die Abbildungen 5.2.25 bis 5.2.27 zeigen die Messungen der Wellenlnge der Emissionen mit dem Spektrometer und bei verschiedenen Integrationszeiten beim Schweien von ICs.

Abbildung 5.2.25 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 50ms.

Abbildung 5.2.26 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 100ms.

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Abbildung 5.2.27 Spektrum der Emissionen beim Schweien der ICs, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 200ms.

Die Abbildungen 5.2.28 bis 5.2.30 zeigen die Messungen der Wellenlnge der Emissionen mit dem Spektrometer und bei verschiedener Integration times beim Schweien von FPS.

Abbildung 5.2.28 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 50ms.

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Abbildung 5.2.29 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 100ms.

Abbildung 5.2.30 Spektrum der Emissionen von FPS, pp=1.5KW, pulse duration=1.5ms, Integration time= 200ms.

Man kann in diesen Grafiken sehen, dass auch bei lngeren Integrationszeiten von 200ms noch ein vergleichbarer Signalpegel im sichtbaren Bereich vorliegt wie bei krzeren Integrationszeiten. Dieser Strahlungsanteil ergibt sich vor allem aus der Metalldampfwolke. Daraus kann man schlieen, dass eine koaxiale Beobachtung im

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Bereich dieses Wellenlngenbereiches keinen Sinn macht, da das Bild durch die lang strahlende Metalldampffackel berstrahlt wird. Eine Beurteilung der einzelnen Prozessfasen oder gar eine Qualittssicherung ist somit in diesem Wellenlngenbereich nicht mglich. Die nchsten Abbildungen zeigen Aufnahmen, die in diesem Wellenlngenbereich gemacht wurden. Zudem wurde hier eine sehr groe Exposure time von 20 ms gewhlt, so dass diese natrlich die Pulsdauer um ein Vielfaches berschreitet. Dennoch ist ber mehrere Bilder ein Prozessleuchten zu sehen, was auf die lang strahlende Metalldampffackel schlieen lsst. In diesen Aufnahmen wurde auch der Schutzfilter eingesetzt (siehe Abbildung 3.3.17).

Abbildung 5.2.31 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=0.75ms,exp.time=20ms,Kupfer.

Die folgende Abbildung zeigt die Aufnahmen einer Schweiung mit den Parametern: pp=2KW, f=2Hz, pulse duration=0.5ms und mit einer Exposure time von 1 ms. Als Filter wurde der Kurpassfilter Filter FES0950 verwendet.

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Abbildung 5.2.32 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=0.5ms,exp.time=1ms, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

5.2.4 Aktive Prozessberwachung.


In diesem Abschnitt wird eine aktive Prozessberwachung durch Beobachtung der Prozesszone unter Ausblendung der reflektierten Laserstrahlung mit Hilfe von Filtern und zustzlicher Beleuchtung durch einen Diodenlaser aufgebaut. Der Diodenlaser verwendet eine Jenoptik-Diode mit der Wellenlnge =808nm und ist im Abschnitt 3.4 beschrieben. Um mit dem Diodenlaser zu beleuchten, muss man die Fokuslage des Diodenlasers auf dem Bauteil mglichst genau finden, um eine hohe Leistungsdichte und damit eine intensive Beleuchtung zu erzielen (Siehe Abbildung 5.2.33).

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Abbildung 5.2.33 Fokusabstand des Diodenlasers.

Es wurden zwei Filter verwendet: Zum einen der Kurzpassfilter FES0950 in Kombination mit jeweils einem weiteren von 5 verschiedenen SCHOTT Langpassfiltern, um den am besten geeigneten Filter zu finden (siehe Abschnitt 3.3). Die nchste Abbildung zeigt das Bild der off-axialen Kamera beim Beleuchten. Da bei dieser Kamera keine zustzlichen Filter verwendet wurden, ist das Bild stark berbelichtet.

Abbildung 5.2.34 Bild der beleuchteten Zone.

Die Nchsten Abbildungen zeigen die Bilder mit den Filterkombinationen FES0950RG715 und FES0950-RG780.

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Abbildung 5.2.35 pp=2KW,f=2Hz,pulse duration=0.5ms,exp.time=0.05ms, Intensitt der beleuchtung=8A, Filterkombination FES0950-RG715, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

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Abbildung 5.2.36 pp=2KW, f=2Hz, pulse duration=0.75ms, exp.time=0.05ms, Beleuchtungsintensitt=8.4A, Filterkombination FES0950-RG780, IC Schweiung mit PCB aus Kupfer mit Goldbeschichtung.

Eine Schwierigkeit, die in diesem Versuch auftrat, ist die Verbrennung der ICs durch den Diodenlaser. Aufgrund der geringen Exposure times, die ntig sind, um genug Bilder beim Schweien der ICs mit geringen Laserpulsdauern von 1ms aufzunehmen und aufgrund der niedrigen Transmission der Filter RG850 und RG1000 im Bereich der Beleuchtungswellenlange des Diodenlasers (siehe Abbildungen 3.3.15 und 3.3.16), wurden hohe Leistungen fr die Beleuchtung bentigt. Bei Strmen von mehr als 15A treten Leistungen von circa 13W auf (Siehe Abbildung 3.4.4), durch die die ICs beschdigt werden. Da das Verbrennen des Kunststoffes der ICs den Prozess zu stark beeinflusste, wurden die Versuche ebenfalls mit den FPS-Sensoren durchgefhrt, da diese Bauteile hhere Beleuchtungsleistungen aushalten und lngere Pulsdauer erlauben. Es konnten daher mehr Bilder des Prozesses bei einer hheren Exposure time (Belichtungszeit) aufgenommen werden. Fr diese Versuche wurde wiederum der leistungsstrkere Lasag SLS 200 C60 (siehe Tabelle 3.1.2) verwendet. Die nchsten Abbildungen zeigen die mit der Filterkombination FES0950-RG780 aufgenommenen Bilder.

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Abbildung 5.2.37 pp=2KW, f=2Hz, pulse duration=3ms, exp.time=0.6ms, Beleuchtungsintensitt=7.2A, Filterkombination FES0950-RG780, FPS-Schweiung.

Trotz Variation der Prozessparameter in diversen Versuchsreihen konnte kein wirklich klares Bild erzielt werden. Den Bildern nach zu urteilen scheint auch noch ein groer Teil der Laserwellenlnge durchzukommen, so dass das Bild teilweise berblendet ist. Vllig unzureichende Ergebnisse wurden dagegen bei Anwendung der Filtern RG850 und RG1000 erzielt. Aufgrund des geringen Transmissionskoeffizienten beider Filter im Bereich der Beleuchtungswellenlnge des Diodenlasers (siehe Abbildungen 3.3.15, 3.3.16) waren hohe Ausgangsleistungen desselben erforderlich. Um mit den RG1000 genug Beleuchtung zu haben, wird eine Exposure time von mehr als 60ms bei einer Beleuchtungsleistung von ca. 18W bentigt, was die Verbrennung der FPS bzw. des darunter liegenden Folienleiters verursacht.

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Auswertung

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6 Auswertung
6.1 Allgemein
Nach Durchfhrung der diversen Versuchsreihen erfolgt in diesem Abschnitt eine Auswertung der Ergebnisse sowie eine Bewertung hinsichtlich ihrer Relevanz und Verwendbarkeit. In den Untersuchungen zur Bestimmung der optimalen Laserparameter fr das Schweien ICs auf die PCBs haben sich folgende Werte als am besten geeignet erwiesen: Pulse peak power = 2KW Puls duration = 0.75ms (goldbeschichtete PCBs) Puls duration = 0,5ms (verzinnte PCBs) Ferner ergeben sich der Schweiverlauf und die verschiedenen Prozessphasen aus den Bildern und werden diesen zugeordnet. Bei den Untersuchungen zur Beobachtung der passiven Primremissionen kann gezeigt werden, dass zuerst die Oberflche langsam aufgeheizt wird (Aufheizphase; siehe auch Pulsformung), danach schmilzt die Oberflache kreisfrmig, dem Laserfokus entsprechend, auf. Hierbei nimmt der Einkoppelgrad zu und das Rckreflexsignal entsprechend ab. Es bildet sich ein Schmelzpool aus, der sich auch in den High-speed-Aufnahmen erkennen lsst (Siehe Abbildung 6.2.1). Infolge der verstrkten Absorption an der Oberflche der heien Schmelze und der abnehmenden thermischen Leitfhigkeit bei und nach Erreichen der Schmelztemperatur wird verstrkt Energie in die Schmelze eingebracht, so dass Verdampfung einsetzt (Einschweiphase). Die einsetzende Verdampfung kann in den High-Speed-Aufnahmen beobachtet werden. Danach ist die Verdampfung so stark angewachsen, dass sich eine Dampfkapillare ausbildet und der Tiefschweiprozess einsetzt. nderungen im Rckreflexsignal knnen nicht mehr aufgelst werden (Tiefschweiphase). Die besten Resultate fr die Beurteilung der Schweiergebnisse wurden bei den Untersuchungen zur passiven Prozessberwachung durch Beobachtung der primren Emissionen erzielt. Hierbei lassen sich die verschiedenen Phasen des Prozesses erkennen, so dass Rckschlsse auf den Prozess gezogen werden knnen. Durch Auswertung dieser Bilder kann beurteilt werden, ob die Schweiung in Ordnung oder nicht in Ordnung verlaufen ist. Die Phasen im Bildverlauf ergeben sich aus der unterschiedlichen Intensitt der rckreflektierten Laserstrahlung. Die Zonen, in denen die Mitte des Bildausschnitts schwarz erscheint, sind berbeleuchtete Bereiche. Dies kann durch den Einsatz entsprechender Graufilter vermieden werden. Hierzu mssen jedoch weitere Untersuchungen erfolgen, um die Balance zwischen ausreichendem Signal fr die Auswertung und mglichst geringer berstrahlung dieser Bereiche zu finden. Ein weiteres Ziel muss es sein, nicht nur Laser Zentrum Hannover e.V

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das Aufschmelzen der Oberflche des oberen Fgepartners zu detektieren sondern im Verlaufe des Tiefschweiens auch das Aufschmelzen des unteren Fgepartners, um hier Aussagen ber eine Kontaktierung machen zu knnen. Hier sind jedoch noch wesentlich weitreichendere Untersuchungen erforderlich, als sie im Rahmen dieser Arbeit mglich waren. Die Untersuchungen zur Beobachtung der sekundren Emissionen sind zumindest fr die koaxiale Konfiguration nicht relevant und nicht aussagekrftig in Bezug auf den Prozesszustand, da die Strahlungen des Metalldampfes und des Plasmas das Bild berstrahlen und somit die Prozessphasen nicht detektiert werden knnen. Die Beobachtung der sekundren Emissionen lsst sich nur mit der off-axialen Kamera aufnehmen, weil hier die Metalldampffackel aufgenommen werden kann. Hierfr wre ein Sperrfilter fr die Wellenlngen >900nm erforderlich, der sowohl die Laserstrahlung bei =1064nm als auch den Bereich der langwelligen Temperaturstrahlung ausgeblendet. Da eine Synchronisation beider Kamera mit dem Laserpuls nicht mglich war, wurden diese Untersuchungen nicht weiter verfolgt. Die Untersuchungen zur aktiven Prozessbeobachtung zeigen viele Schwierigkeiten beim Schweien der ICs aufgrund zu geringer mglicher Beleuchtungsleistung. Wird diese zu hoch gewhlt, kommt es zur Zerstrung der Bauteile. Bei zu geringer Leistung des Diodenlasers konnten keine Bilder aufgenommen werden. In den whrend dieser Untersuchungen aufgenommenen Bildern ist zu sehen, dass Die Oberflche der Bauteile nicht in einem guten Kontrast und klar sichtbar aufgenommen werden kann, da noch Strahlungsanteile im Bereich zwischen 800nm und 1000nm (siehe Abschnitt 3.3) vorhanden sind, die ein klares Bild stren. Dieses Problem lsst sich eventuell durch die Verwendung eines Filters lsen, der den Frequenzbereich noch genauer um den des Diodenlasers eingrenzt.

6.2 Aufzeigen der verschiedenen Prozessphasen und Zuordnung zu den entsprechenden Kamerabildern
Beim den Untersuchungen zur passiven Prozessbeobachtung knnen die Bilder den einzelnen Prozessphasen zugeordnet werden. Zu Prozessbeginn wird nahezu die komplette Laserstrahlung zurckreflektiert. Im Kamerabild ist in dieser Phase ein stark berbelichteter Kreis, der dem Fokusdurchmesser entspricht, zu erkennen. Daran anschlieend erfolgt das Aufschmelzen der Oberflche, die im Kamerabild durch eine Kreisstruktur erkennbar wird. Im Bereich der Tiefschweiung wird vornehmlich nur noch Strahlung vom Randbereich und aus der Schweipunktmitte zurckreflektiert, die beim Durchschweien das Bauteil auf der Rckseite verlsst. Daraus kann ein Modell der Prozessphasen entwickelt werden. Eine Zuordnung der

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Auswertung

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Koaxial-CMOS-Kamera-Bilder zu den einzelnen Prozessphasen ist in Abbildung 6.2.1 dargestellt.

Abbildung 6.2.1 Zuordnung der Bilder zu den Phasen.

Bei Prozessbeginn, in der Aufheizphase, wird ein groer Teil der Laserstrahlung zurckreflektiert, und es bildet sich ein heller, den Fokus entsprechender Strahlfleck ab. In der Aufschmelzphase bildet sich in Folge der Schmelzbadbewegungen eine Ringstruktur aus, die je nach Aufschmelzgrad und Schmelzbadgre aus mehreren konzentrischen Ringen bestehen kann. In der Einschweiphase kommt nur noch von der Kapillarmitte ein Strahlsignal zurck, da die Kapillarwand die Strahlung vermehrt zur Seite streut und diese somit durch die koaxiale Beobachtung nicht mehr erfasst werden kann. Wenn eine Durchschweiung auftritt, wird aus der Kapillarmitte keine Strahlung mehr zurckreflektiert, da diese die Kapillare auf der Werkstckunterseite verlsst. Diese Prozessphase kann aus den aufgelsten Rckreflexmessungen sehr gut detektiert werden. Die hier durchgefhrten Untersuchungen mssten diesbezglich weitergefhrt werden, da sich auch das Aufschmelzen des unteren Fgepartners durch das Keyhole hindurch aufgrund der dann wieder ansteigenden Rckreflektion detektieren lassen sollte. Bei der Auswertung des ortaufgelsten Rckreflexsignals besteht die Schwierigkeit, dass Teile der Bilder stark berbelichtet sind, wohingegen andere Teile der Bilder und Prozessphasen nur unzureichend aufgelst werden knnen. Das bedeutet, dass die hohe Bilddynamik der Kamera von 120dB nicht ausreicht. Auch die Anwendung der so genannten LinLOG-Kennlinie der Kamera, die eine anpassbare, logarithmische Kennlinie zur Verfgung stellt, reicht nicht aus, um den Laser Zentrum Hannover e.V

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Gesamtprozess ausreichend gut aufzulsen und berbelichtungen zu vermeiden. Fr weiterfhrende Untersuchungen sollte ein Programm zur besseren Darstellung der Filme erstellt werden, welches die verschiedenen Bits des erzeugten Kamerabildes in unterschiedlichen Farben ermglicht und dadurch eine bessere Darstellung und Detektierung der Prozessphasen erlaubt.

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Zusammenfassung und Ausblick

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7 Zusammenfassung und Ausblick.


Im Zuge der steigenden Anforderungen seitens der Mikroelektrotechnik hinsichtlich hherer Temperatur- und Kraftbelastungen der Verbindungspunkte stellt das gepulste Lasermikroschweien eine alternative Fgtechnik mit hohem Potential dar. Das Laserstrahl-Mikroschweien gilt allgemein als sehr kritischer Prozess, insbesondere wenn der zu schweiende Werkstoff Kupfer ist. Zustzliche hohe Anforderungen an die Verbindungstechnik stellen die geringen geometrischen Abmessungen der verwendeten Bauteile. Die Oberflcheneinflsse wie Oxidationsprozesse durch Lagerung und Kratzer durch Handlingspuren beeinflussen sehr stark das Absorptionsverhalten des Kupferwerkstoffs und haben dadurch grossen Einfluss auf die Energieeinkopplung bei unbeschichteten Oberflchen. Prozessinstabilitten beim Laserstrahl-Schweien erfordern eine berwachung des Prozesses zur Qualittssicherung zur Verbesserung der Zuverlssigkeit. Diese Instabilitten knnen durch ein kamerabasiertes Qualittsund Prozessberwachungssystem durch zwei Kameras, koaxial off-axial zum Laserstrahl, detektiert und zur Bestimmung der verschiedenen Prozessphasen fr eine Regelung bzw. zur Feststellung von Schweifehlern genutzt werden. Ein generell wichtiger Faktor beim Einsatz von Kameratechnik fr die Bilderfassung ist die Belichtung. Diese ist im Bereich der Hochgeschwindigkeitsaufnahmen noch wichtiger, da die Hochgeschwindigkeitskameras wegen der sehr kurzen Belichtungszeiten viel Licht brauchen, um eine sinnvolle Helligkeitsdynamik und Schrfentiefe zu erreichen. Auch fhrt das intensive Licht fr Hochgeschwindigkeitsaufnahmen oft dazu, dass die zu filmenden Objekte whrend des Filmvorganges derart hei werden, dass sie schmelzen oder in Brand geraten knnen. Diese Schwierigkeiten zeigten sich auch im Rahmen dieser Arbeit. Ein Problem stellt das Fehlen eines Shutters fr den Beleuchtungsdiodenlaser dar. Bei diesem muss die Diodenspannung langsam erhht werden, um die die Diode nicht zu zerstren. Das fhrt jedoch dazu, dass entweder der beleuchtete Bereich und damit die Bauteile unzulssig hoch aufgeheizt werden knnen bzw. dass ein manueller Shutter z.B. in Form einer in den Strahlengang geschobenen Keramikplatte verwendet werden muss. Fr zuknftige Untersuchungen sollte hier eine Mglichkeit der optischen Zuschaltung des Beleuchtungslasers gefunden werden. Zudem bringt die off-axiale Anordnung des Diodenlasers Einschrnkungen bezglich der Positionierung und der gleichmigen Ausleuchtung mit sich. Hierzu gibt es Untersuchungen zu den Vorteilen einer koaxialen Belichtung, die ebenfalls in weiteren Untersuchungen in Betracht gezogen werden sollte, die jedoch einen besonderen Laserkopf bentigt und daher im Rahmen dieser Arbeit nicht untersucht werden konnte. Die im Rahmen der Untersuchungen getesteten Filter haben die Mglichkeiten und Restriktionen dieser Variante gezeigt, um bestimmte Wellenlngenbereiche zu selektieren. So wren teilweise Filter von Vorteil gewesen, die den Bereich der Laser Zentrum Hannover e.V

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transmittierten Strahlung noch weiter eingrenzen. Da diese am LZH nicht vorlagen, wurden sie durch die Kombination mehrerer Farbglasfilter realisiert. Ferner wurde festgestellt, dass trotz der geringen Transmissionswerte der Filter noch geringe Anteile von Strahlanteilen hherer Amplituden durchgelassen werden, die das Messergebnis negativ beeinflussen. Daher muss hier auch die Mglichkeiten der selektiven Auswahl durch Spiegel untersucht werden. Diese knnten am LZH gefertigt- so ausgelegt werden, dass sie ausschlielich den gewnschten Wellenlngenbereich auf die Kamera reflektieren und die nicht gewnschten Strahlanteile transmittieren, was mgliche Fehler minimiert. Zuletzt lag eine weitere Schwierigkeit in der Positionierung der Filter vor der Kamera. Auch hier muss bei weiteren Untersuchungen ein optimiertes Konzept gefunden werden, um die Filter zu wechseln, ohne die Position der Kamera und damit den aufgenommenen Bildbereich zu verndern. Um den Positionieraufwand fr die zu schweienden Bauteile (ICs) zu verbessern und einen Nullspalt zu erzeugen, wurde eine Haltevorrichtung konstruiert, die eine einfache Fixierung der Bauteile ermglicht. Die auftretenden Strungen im Prozess und Vernderungen whrend des Durchlaufens der Prozessphasen verursachen eine Vernderung der Intensitt der Prozessstrahlung und der zurckreflektierten Strahlung. Schwankungen und Abweichungen des aktuellen Prozesszustandes weisen daher vielfach auf Strungen im Prozess hin und knnen durch Vergleich bestimmt werden. Kamerabasierte Systeme ermglichen zwei Arten von Beobachtungen, eine passive, bei der die vom Prozess emittierte elektromagnetische Strahlung im sichtbaren und nahinfraroten Bereich des Spektrums beobachtet und ausgewertet wird (Primre und sekundre Emissionen), sowie eine aktive, bei der die Prozesszone zustzlich beleuchtet wird und so, unter Ausblendung der Prozessstrahlung, die Oberflchentopographie des Schmelzbades und dessen Umgebung sichtbar gemacht wird. Bei der Auswertung der Untersuchungen hat sich die passive Methode durch die Aufnahme der reflektierten Laserstrahlung als potentiell beste Variante hinsichtlich einer Qualittsund Zustandbeurteilung herausgestellt Bei den Messungen zeigte sich, dass vor allem die Parameter wie Exposure Time oder Region of interest von besonderer Wichtigkeit sind, da sie groen Einfluss auf die Bildfrequenz haben (frames pro second, fps). Fr die Auswertung whrend der sehr kurzen Prozesszeiten im Millisekundenbereich sind Bildraten von 1000 bis zu 5000 fps erforderlich. Diese hohen Bildraten konnten mit den vorhandenen Kamerasystemen erzielt werden jedoch nur durch eine Reduzierung der Region of interest und der Exposure Time, wodurch der Bild- und Dynamikbereich eingeschrnkt wird. Der Ansatz der Beobachtung der sekundren Emissionen mit Hilfe der koaxialen Kamerakonfiguration scheint nicht sinnvoll, da die Strahlungen des Metalldampfes und des Plasmas das Erkennen der einzelnen Phasen des Prozesses verhindern.

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Bei den Untersuchungen zur passiven Aufnahme der Prozessemissionen konnte gezeigt werden, dass sich mit Hilfe der aufgenommenen reflektierten Laserleistung die unterschiedlichen Prozessphasen abbilden lassen. Hier muss eine weitere Verfeinerung der Messeinstellungen und Filter erfolgen, um die Zuordnung noch eindeutiger zu machen und auch die Phase des Aufschmelzens des unteren Fgepartners detektieren zu knnen. Die Variante sollte daher weiter verfolgt und hinsichtlich einer Qualittssicherung bzw. einer Prozessreglung optimiert werden.

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Literaturverzeichnis

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8 Literaturverzeichnis

[1] Ramsayer, Reiner M.: Prozessstabilisierung beim gepulsten LaserstrahlMikroschweissen von Kupferwerkstoffen. [2] Dudeck S. und Puente Len F : Kamerabasierte In-situ-berwachung gepulster Laserstrahlschweiprozesse. [3] Dudeck, S.; Rieger, D.; Puente Len, F.: Zeitlich und rumlich aufgelste Spektroskopie gepulster Laserschweiprozesse, Proc. Sensoren und Messsysteme 2006, S. 113116, ITG/GMA, VDE Verlag GmbH, 2006. [4] Drr, U. :Schweissstrategien mit gepulsten Nd:YAG-Lasern in der Mikrotechnik. [5] www.itos.de [6] www.thorlabs.com/ [7] Command Reference Manual Rev 1.0j by Galil Motion Control, Inc.

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Anhang

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9Anhang
A Eigenschaften von Kupfer
Kristallstruktur kubisch flchenzentriert

Dichte

8,92 g/cm3

Mohshrte

3,0

Magnetismus

diamagnetisch

Schmelzpunkt

1357,6 K (1084,4 C)

Siedepunkt

2840 K (2567 C)

Molares Volumen

7,11 10-6 m3/mol

Verdampfungswrme

300,3 kJ/mol

Schmelzwrme

13,05 kJ/mol

Dampfdruck Schallgeschwindigkeit Spezifische Wrmekapazitt Elektrische Leitfhigkeit Wrmeleitfhigkeit

0,0505 Pa bei 1358 K 3570 m/s bei 293,15 K 385 J/(kg K) 58 106 S/m 401 W/(m K)

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Anhang

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B Elektromagnetisches Spektrum

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Anhang

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C Abmessungen Filter FES0950 und FL1064-10

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Anhang

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D Datenblatt Filter RG665,RG715,RG780,RG850,RG1000

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Anhang

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E Abgrenzung Haltevorrichtung

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Anhang

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