Calderón - Circuitos Electronicos

ESCUELA POLITCNICA NACIONAL
INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES
CIRCUITOS
ELECTRNICOS
DIEGO CARRERA CARLOS CONTRERAS MARCO JARA
Profesor Ing. Antonio Caldern
Octubre 2006 - Marzo 2007
CIRCUITOS ELECTRNICOS
Ing. Antonio Caldern
TABLA DE CONTENIDO
INTRODUCCION: EL TRANSISTOR BIPOLAR Configuraciones del Transistor DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ Diseo de Amplificador en Emisor Comn Diseo de Amplificador en Base Comn Diseo de Amplificador en Colector Comn CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA Circuitos de Autoelevacin Emisor Comn con Autoelevacin Colector Comn con Autoelevacin Circuito Darlington AMPLIFICADORES EN CASCADA Tipos De Acoplamiento Acoplamiento Capacitivo Acoplamiento Directo Amplificador Cascode Amplificador Diferencial Acoplamiento directo RESPUESTA DE FRECUENCIA Introduccin Respuesta de frecuencia en amplificadores Respuesta de frecuencia en alta frecuencia REALIMENTACIN Realimentacin Negativa Formas de Realimentacin Realimentacin Positiva (Circuitos Osciladores) Tipos de osciladores Oscilador RC Oscilador de puente de Wien FUENTES REGULADAS Fuente ms sencilla Fuente con Transistor Fuente con Transistores en configuracin Darlington Fuente con Realimentacin Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente Circuitos De Proteccin Proteccin con Diodos Proteccin con Diodos Zener Proteccin con transistor (limitador de corriente) Proteccin con SCR Fuente regulada con voltaje de salida variable 4 6 8 9 18 24 31 31 31 36 39 45 46 46 62 62 68 73 75 75 85 97 101 104 116 123 123 126 134 138 138 141 144 147 151 154 154 154 155 156 159
AMPLIFICADORES DE POTENCIA Clasificacin de los Amplificadores Clase A Clase AB Clase B Clase C Amplificador Clase A Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria BIBLIOGRAFA ANEXOS
161 161 162 163 166 167 170 173 181 182
INTRODUCCION EL TRANSISTOR BIPOLAR El transistor convencional o bipolar se denomina as porque en su funcionamiento intervienen corrientes de huecos, o de carga positiva, y de electrones, o de carga negativa. Los terminales del transistor reciben el nombre de emisor, colector y base. La base es el terminal que est unido a la zona intermedia del transistor. Las tres partes del transistor se diferencian por el distinto nivel de dopaje; la zona de menor dopaje es la base, a continuacin se encuentra el colector y por ltimo el emisor. Estudio de las corrientes El anlisis del transistor se realizar para una estructura NPN, y es anlogo para el PNP. Un transistor sin polarizar se comporta como dos diodos en contraposicin, y no existen corrientes notables circulantes por l. Si se polariza, aparecen tres corrientes distintas, la corriente de base, IB, corriente de emisor, IE, y por ltimo la corriente de colector, IC. En la figura siguiente estn dibujadas estas corrientes segn convenio, positivas hacia adentro:
De estas tres corrientes, la del emisor es la ms grande, puesto que ste se comporta como fuente de electrones. La corriente de base es muy pequea, no suele llegar al 1% de la corriente de colector. Aplicando la ley de Kirchhoff se tiene la siguiente relacin: IE = IB + IC Existen dos parmetros que relacionan las distintas corrientes, el coeficiente alfa para continua, , y la ganancia de corriente beta, . El factor Alfa. Es el cociente entre la intensidad de colector y la de emisor. Su valor nunca ser superior a la unidad y da idea de hasta qu punto son iguales estas corrientes. = IC / IE El factor Beta. La ganancia de corriente b se define como el cociente entre la corriente de colector y la de base. = IC / IB 4
Curvas caractersticas Un transistor en rgimen esttico se encuentra, solamente, bajo la accin de las voltajes continuos que se le aplican para polarizarle. Una forma de resumir este funcionamiento es utilizar las curvas caractersticas del transistor, que relacionan las tensiones y las corrientes. Las tensiones y corrientes que se utilizan dependen de la configuracin del transistor, pero independientemente de sta, se distinguen dos tipos de curvas: la caracterstica de entrada y la caracterstica de salida. a) Caractersticas de entrada La caracterstica de entrada relaciona dos magnitudes de entrada con una de salida. En el caso de la configuracin en emisor comn se tiene la corriente de base en funcin de la tensin base-emisor, para distintos valores de tensin colector- emisor. La corriente de base y la tensin base-emisor son variables de entrada, mientras que la tensin colector-emisor es una magnitud de salida. Si se tiene una configuracin en base comn, su caracterstica de entrada relacionar la corriente del emisor con la tensin emisor-base, utilizando la tensin colector-base como parmetro. La corriente de emisor y la tensin emisor-base con las magnitudes de entrada. La figura muestra las diferentes caractersticas de entrada de dos transistores NPN de germanio y silicio respectivamente en funcin del voltaje base-emisor para dos valores del voltaje colector-emisor.
b) Caractersticas de salida La caracterstica de salida tiene dos de las tres magnitudes pertenecientes al circuito de salida. Las curvas que relacionan la corriente de colector, la de base y la tensin emisor-colector son caractersticas de salida en configuracin emisor-comn, mientras que las que relacionan la corriente de emisor, la de colector y la tensin colector-base son las curvas correspondientes a una configuracin en base comn.
Regiones de trabajo Un transistor bipolar puede funcionar de tres formas diferentes dependiendo de la polarizacin que tengan las dos uniones, base-emisor y base-colector. Estas zonas se pueden observar en la familia de curvas caractersticas de salida de un transistor como se muestra en la figura. Regin de corte. Para un transistor de silicio, VBE es inferior a 0,6 V ( para germanio 0,2 V), ambas uniones estn polarizadas en sentido inverso y las intensidades en los terminales se pueden considerar despreciables. En otras palabras, el voltaje de base no es lo suficientemente alto para que circule corriente por la juntura base emisor, por lo que la corriente de colector es igualmente despreciable. Regin Activa Normal. La unin base-emisor est polarizada en sentido directo ( VBE > 0,6 V) y la unin colectora lo est en sentido inverso, la corriente inversa que circula en la unin de colector es veces la corriente que circula en sentido directo base emisor. Esta zona es muy importante, puesto que el transistor funciona en ella cuando se utiliza para amplificar seales. Regin de saturacin. Ambas junturas, base-emisor y base-colector, estn polarizadas en sentido directo. La corriente base-emisor es muy grande, por lo que la corriente de colector lo es igualmente grande. Se dice que ha entrado en saturacin si el voltaje del colector es inferior al voltaje base-emisor. CONFIGURACIONES DEL TRANSISTOR Configuracin en emisor comn
OUT IN
Q1 NPN
Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Colector Terminal Comn: Emisor
Configuracin en colector comn

OUT IN
Q1 NPN
Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Emisor Terminal Comn: Colector
Configuracin en base comn

Q1 NPN
IN
OUT
Terminal de Entrada: Emisor Terminal de Salida: Colector Terminal Comn: Base
DISEO DE AMPLIFICADORES CON TBJ Consideraciones iniciales de diseo de amplificadores Los datos necesarios para el diseo que nosotros debemos proponernos puesto que si el diseo es orientado a un cliente, este no nos va a proporcionar, sino nicamente nos va a decir hacia que aplicacin esta orientado el circuito, a partir de esto nosotros debemos plantearnos los datos o indagar al mismo cliente para de alguna manera obtenerlos Entonces los datos necesarios para empezar con nuestro diseo son: Ganancia (A): Se refiere a la amplificacin que se desea a la salida a partir de una seal de entrada.
A=
Vo Vin
Son valores bajos y para el caso de diseo de una etapa de amplificacin se considera como valor mximo una ganancia de 50 puesto que cuando mayor es la ganancia la probabilidad de inestabilidad es mayo (1 Etapa). Voltaje de salida (Vo): voltaje que deseamos obtener a la salida Para amplificadores de seal se manejan bajos voltajes (mV), es poco usual tener voltajes en el orden de decenas e incluso centenas de voltios para una sola etapa. Impedancia de entrada (Rin): Es la impedancia del amplificador que va a observar el generador (por ejemplo un micrfono). Esta impedancia debe ser mayor o igual a ms o menos diez veces la resistencia interna del generador para obtener todo el valor de la seal a las terminales de entrada del circuito ya que se desea amplificar toda la seal de entrada mas no obtener mxima transferencia de potencia. Carga (RL): Es lo que se va a conectar al amplificador a su salida. Este posee una resistencia cuyo valor usualmente esta en las decenas de ohmios o unidades de kilo-ohmios. : Valor caracterstico del transistor a ser utilizado obtenido en manuales del fabricante. El valor de para TBJ de seal es alto, por ejemplo utilizamos 100 que es el valor tpico del transistor 2N3904. Frecuencia de trabajo (f): valor de frecuencia a la cual va a estar operando el circuito amplificador.
DISEO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN Circuito
En el circuito amplificador en emisor comn podemos observar que la seal ingresa por la Terminal de base y la salida esta en e Terminal de colector. Adems debemos mencionar que la seal de salida esta desfasada 180 con respecto a la seal de entrada La regla general para obtener la ganancia en un circuito de emisor comn es: Todo lo que est en colector para seal divido para todo lo que est en emisor para seal. Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:
A=
RC || RL re + RE1
Dado que la seal ingresa en el Terminal de la base se obtiene la expresin de la impedancia de entrada:
Rin = R1 || R2 || RinT
Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta en emisor para seal, por lo tanto: RinT = ( + 1)(re + RE1 ) R1 y R2 estn en paralelo puesto que para seal Vcc es tierra. A este paralelo le podemos representar como RB. Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada: Rin = RB || [( + 1)(re + RE1 )] Para el diseo de un circuito en emisor comn es necesario tener muy en cuenta que se cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto:
Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT obtenemos
RinT Rin ( + 1)(re + RE1 ) Rin (1) De la expresin de ganancia : A= RC || RL re + RE1 Req re + RE1 Req A
sea Req = RC || RL A= re + RE1 = (2)
reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1 R ( + 1) eq Rin A De la que obtenemos la expresin : Req A Rin ( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RC que nos ayudar a empezar con nuestro diseo Dentro del diseo tambin hay condiciones para evitar recortes en la seal de salida las cuales se especifican a continuacin: Con la ayuda de las curvas caractersticas del transistor
Obtenemos la inecuacin que nos evita distorsiones en la seal de salida. En la inecuacin el subndice p indica el valor pico de la onda.
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I C io p VRC Vop RC Req VRC RC Vop Req
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes altas y viceversa De la expresin de VRC podemos deducir:
Si RC << RL VRC vop Si RC = RL VRC 2.vop Si RC >> RL ( RC = 10 RL )
VRC 10.vop Procedemos a graficar el eje vertical de voltajes
Esta grfica nos permite observar lo que nos expresa en la inecuacin y como podemos observar el vop se refiere al del ciclo positivo El eje vertical de voltajes nos va a ayudar a la explicacin de otras condiciones para que no exista distorsin. Por ejemplo, para asumir el voltaje emisor se puede observar en el eje que debe ser mayor a vinp pero adems se debe sumar 1 V que es por motivo de estabilidad trmica en el circuito. Por lo tanto se obtiene:
VE 1V + vinp
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Para el caso del voltaje colector emisor en la grafica podemos observar que debe ser mayor a la suma de vinp y vop , pero adems se debe aumentar 2 V (vact) para garantizar que el transistor trabaje en la regin activa como se observa en la curva caracterstica del TBJ.
VCE vop + vact + vinp

A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el procedimiento de diseo para un amplificador en emisor comn y se aclarar otros aspectos muy importantes a considerar para el correcto funcionamiento del circuito. Nos planteamos los siguientes datos: A = 50 vop = 10 V Rin 3 k RL = 2 k f= 1 kHz = 90 Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.
Req A Rin ( + 1) 50 RC || RL * 3k 90 + 1 RC || RL 1.64 k RC 9.37 k Asumo Rc = 12 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos, tambin el valor de corriente que me generaria Req = RC || RL = 12k || 2k = 1.714 k
Ya que las resistencias poseen una tolerancia los valores de las mismas van a oscilar; esto puede ocasionar que se produzca recortes en la seal de salida por lo que se multiplica los valores de VRC y VE por un factor de seguridad que va a depender de la tolerancia, en la siguiente tabla se muestra el factor de seguridad junto con la tolerancia: 12
Tolerancia Factor de seguridad 10 % 1.2 20 % 1.3 30 % 1.4
En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

VRC VRC RC vop Req 12k 10V VRC 70V 1.714k VRC 84V a este valor final le multiplicamos el factor de seguridad
Asumimos VRC = 84V IC = VRC 84V = = 7 mA RC 12k 25mV IE 25mV 25mV = = 3.57 7mA IC
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula re =
Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto re =
el valor de re varia con la temperatura por lo que se pone R E1 para que el circuito sea estable termicamente A partir de la frmula de ganancia y despejando re + RE1 re + RE1 = 1.714k A 50 re + RE1 = 34.28 = Req
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente. RE1 = 34.28 re = 34.28 3.57 = 30.71 se puede seleccionar dos valores de resistencia estadar (33 y 27) Seleccionamos la resistencia de 33 seleccionamos la resistencia ya que ayuda a aumentar Rin e incluso con la estabilidad del circuito. RE1 = 33 Antes de continuar con el diseo se recomienda terminar primero con el lado de salida y despus con lado de entrada
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vinp = VCE
10V = 0.2V 50 A vop + vact + vinp ; VCE 10V + 2V + 0.2V VCE 12.2V
vop
Este valor es opcional que se multiplique por el factor de seguridad. Ya que si se aumenta el valor de Vcc el sobrante se envia a VCE y ya se cumple el valor mnimo que especifica la condicin. Hay que observar el valor caracterstico del transistor de VCE , ya que si en el calculo supera a este puede causar daos en el dispositivo. La solucin es seleccionar otro transistor de mayor VCE En este ejercicio no se asume el valor de VE con la inecuacin que se dedujo ya que la condicin de Rin no se va a cumplir ya que hay una estrecha relacion de lo que hay en el emisor y lo que hay en la base (R 1 y R 2 ) que son variables que estan dentro de la ecuacin de Rin Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin I 7mA = 77 A IB = C = 90 Sea I1 la corriente que circula por R 1 y I 2 la corriente que circula por R 2
I1 = I B + I 2
Como podemos observar, si I B es comparable con I 2 las variaciones de I B producir cambios de I 2 haciendo que el voltaje de la base sea variable variando todas las caractersticas del lado de salida hecho que no nos combiene por lo tanto se hace : I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.777mA I1 = I B + I 2 = 77 A + 0.777mA = 0.85mA VR1 = VRC + VCE VJBE = 84V + 12.2V 0.6V = 95.6V R1 =
95.6V VR1 = = 112.47k I1 0.85mA
120 k 100 k
La seleccin depende de que si el valor de la resistencia calculada esta dentro de la toleracia de la resistencia escogida y ademas tengamos en cuenta la corriente que produce esto ya que puede afectar la estabilidad polarizacin . R 1 = 120 K Debemos obsevar si esta resistencia cumple con impedancia de entrada, ya que si da menor a Rin no vamos a lograr la condicin pedida, en nuestro caso da mayor por lo tanto si va a satisfacer para lograr la condicin de impedancia. Si es el caso de que no se cumpla, se asume un nuevo R 1 y se pro cede a calcular : VR1 = I1.R1 Y se calcula el nuevo valor de VCE
VCE = VR1 VRC + VJBE

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RinT = ( + 1)(re + RE1 ) = (91)(3.57 + 33) = 3.33 k De la condicin inicial Rin 3k R1 || R2 || RinT 3K obtengo R2 40.48k con el valor mnimo de R 2 calculo VBmin VB min = I 2 .R2 = 0.77mA * 40.48k = 31.45V VEmin = VB min VJBE = 31.45V 0.6V = 30.85V Asumo VE VE 1V + vinp VE 1V + 0.2V VE 1.2V multiplicando por factor de seguridad VE 1.44V V ' E min = 1.44V ( Necesario) Como podemos observar VEmin cumple con el V ' E min necesario por lo tanto se procede a elegir el valor de R 2 inmediato superior para cumplir con Rin. Si no se cumple los VEmin se parte el anlisis desde VE necesario (VE 1V + vinp ) De la condicin R2 40.48k Elegimos R2 = 47k VB = I 2 .R2 = 0.77mA * 47k = 36.52V VE = VB VJBE = 36.52V 0.6V = 35.92V RET = VE 35.92V = = 5.13k IE 7mA
5.6 k 4.7 k
RE 2 = RET RE1 = 5.13k 33 = 5.09k RE 2 = 4.7k
Vcc = VE + VCE + VRC = 35.92V + 12.2V + 84V = 132.12V Elijo Vcc = 135V el exceso envio a VCE Rin = R1 || R2 || RinT = 120k || 47k || 3.3k = 3.01k
La razn por la que da Vcc excesivamente alto es que los valores de Rc son mayores a RL. Calculo de Capacitores El objetivo de los capacitores es controlar el flujo y rechazo de voltajes alternos y voltajes continuos respectivamente (capacitor acopla seal y desacopla continua). Esta deduccin de las frmulas se aplica a cualquier configuracin Capacitor de Base (capacitor de entrada)
CB
Vo
Vo =
+ Vin Rin
Rin Vin Rin + X B

1 2. . f min Rin
Si X B << Rin C B >>
Vo = Vin
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En el ejemplo
C B >> C B >>
1 2. . f min Rin
1 2. .1kHz * 3.01k C B >> 52.87nF C B = 1F

La deduccin de la expresin de los capacitores se la puede realizar con la frmula de la ganancia o con la de impedancia tomando en cuenta en la expresin la reactancia capacitiva Capacitor de Colector (capacitor de salida)
A=
RC || ( X C + RL ) re + RE1 RC || RL re + RE1
Si X C << RL A = CC >> 1 2. . f min RL
En el ejemplo
CC >> C B >>
1 2. . f min RL
1 2. .1kHz * 2k C B >> 79.6nF C B = 1F
Capacitor de Emisor
A=
R eq re + R E 1 + ( X E || R E 2 ) R eq re + R E 1 + X E R eq re + R E 1 1 2 . . f min (re + R E 1 )
Si X E << R E 2 A =
Si X E << re + R E 1 A = C E >> 1 2 . . f min R E 2
C E >>
En el ejemplo
16
C E >> C E >>
1 2. . f min RE 2
C E >>
1 2. . f min (re + RE1 )
1 1 C E >> 2. .1kHz * 4.7k 2. .1kHz (3.57 + 33 ) C E >> 33.86nF C E >> 4.35F C E = 47 F
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DISEO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMN Circuito
En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la Terminal de emisor y la salida esta en el Terminal de colector. La caracterstica de este circuito es que la seal de salida esta en fase a la seal de entrada. La regla general para obtener la ganancia en un circuito en base comn es: Todo lo que est en colector para seal divido para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia emisor para seal. Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:
RC || RL re + RE1 Como el capacitor CB es cortocircuito para seal las resistencias R1 y R2 no estn en la frmula de la ganancia A= Dado que la seal ingresa por el emisor se obtiene la expresin de la impedancia de entrada: Rin = RE 2 || (re + RE1 ) En el diseo de un amplificador en base comn la impedancia de entrada no es un dato ya que es muy baja en estos circuitos y es difcil alcanzar altos niveles de este parmetro.
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Ejercicio En el siguiente circuito obtenga la ecuacin de la ganancia e impedancia de entrada.
Recordemos la regla para obtener la ganancia Todo lo que est en colector para seal divido para todo lo que est en desde el punto de ingreso hacia emisor para seal Lo que esta en colector para seal: RC||RL Lo que esta desde el punto de ingreso hacia emisor para seal: re+[(R1||R2)/(+1)], el factor 1/(+1) esta presente cuando se toma valores de la base vistos desde el emisor Por lo tanto la ganancia es igual a: A= RC || RL R || R re + 1 2 +1
Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que: R || R Rin = RE || re + 1 2 +1

Condiciones de diseo Siguiendo con el procedimiento de diseo para esta configuracin, se inicia asumiendo la resistencia RC y asumiendo el valor de VRC con la misma condicin demostrada en el diseo de emisor comn para evitar distorsiones en la seal de salida.
VRC RC vop Req
siendo Req = RC || RL
La eleccin correcta del valor RC nos permitir obtener valores bajos de Vcc pero corrientes altas y viceversa 19
Con la ayuda del eje vertical de voltajes para esta configuracin, obtenemos las condiciones para asumir VRE2 que es el voltaje de ingreso en este circuito y el VCE.
Por lo tanto VE 1V + vinp VCE vop + vact
La presencia de 1V y vact en VE y VCE respectivamente son por las mismas razones expuestas en el circuito de emisor comn Las condiciones a cumplir referentes a estabilidad trmica y de polarizacin son las mismas. En el siguiente ejercicio se explicar el procedimiento de diseo para un amplificador en base comn con las siguientes condiciones. A = 10 vo = 5 V RL = 5.6 k f = 20 Hz 20 kHz min = 80 El circuito a disear es el mostrado al inicio de este tema ya que ofrece mayor estabilidad que el mostrado en el ejercicio de ganancias e impedancias porque no depende de dos parmetros propios del transistor
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Como el diseo no contiene Rin el proceso es ms sencillo.

Asumo Rc = 2.2 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto y R L Req = RC || RL = 2.2k || 5.6k = 1.58 k
Asumimos resistencias de tolerancia 20 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.3

VRC VRC RC vop Req multiplicado por el factor de seguridad VRC 9.05V
2.2k 5V VRC 6.96V 1.58k Asumimos VRC = 9.5V IC = VRC 9.5V = = 4.3 mA RC 2.2k 25mV 25mV = = 5.81 IC 4.3mA Req = 1.58k 10
I C = I E xq es alto re =
re + RE1 =
A re + RE1 = 158
Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente.
RE1 = 158 re = 158 5.81 = 152.19 RE1 = 150
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vinp = VCE
5V = 0.5V A 10 vop + vact ; VCE 5V + 2V VCE 7V =
vop
VRE2 1V + vinp VRE2 1V + 0.5V VRE2 1.5V por el factor de seguridad VRE2 1.95V VRE 2 = 2V RE 2 = VRE 2 2V = = 465.12 IE 4.3mA
VE = I E (RE1 + RE 2 ) = 4.3mA(150 + 470 ) = 2.66V Vcc = VE + VCE + VRC = 2.66V + 7V + 9.5V = 19.16V Vcc = 20V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin IB = IC
RE 2 = 470
4.3mA = 53.75A 80 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B
I 2 = 0.5375mA I1 = I B + I 2 = 53.75A + 0.5375mA = 0.59mA R2 = VB VE + VJBE 2.66V + 0.6V = = = 6k I2 I2 0.537 mA Vcc VB 20V 3.26V = = 28.4k I2 0.59mA
33 k 27 k 6.8 k 5.6 k
R2 = 5.6k R1 =
R1 = 27 k Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas ofrece mayor estabilidad al circuito. Rin = RE 2 || (re + RE1 ) = 470 || (5.81 + 150 ) = 117
Calculo de Capacitores Son las mismas condiciones para el caso de los capacitores de entrada y salida para el de base se realizar el respectivo anlisis. Al inicio del ejercicio da un rango de frecuencia. La frecuencia utilizada para el calculo es la frecuencia de trabajo fijada en nuestro ejemplo como 1 kHz Capacitor de Emisor (capacitor de entrada)
X E << Rin C E >>
1 2. . f min Rin 22
En el ejemplo
C E >> C E >>
1 2. . f min Rin
1 2. .1kHz *117 C E >> 1.36 F

C E = 18F
Capacitor de Colector (capacitor de salida)
X C << RL CC >> 1 2. . f min RL
En el ejemplo
CC >> C B >>
1 2. . f min RL
1 2. .1kHz * 5.6k C B >> 28.42nF C B = 0.47 F
Capacitor de Base Para obtener la condicin de este capacitor vamos a emplear la formula de impedancia considerando XB
R || X B Rin = RE 2 || RE1 + re + B RB = R1 || R2 +1 X Si X B << RB Rin = RE 2 || RE1 + re + B +1 XB << re + RE1 Rin = RE 2 || (RE1 + re ) +1 1 1 C B >> CB >> 2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1) Si
En el ejemplo
C B >> C B >>
1 1 C B >> 2. . f min RB 2. . f min (re + RE1 )( + 1)
1 1 C B >> 2. .1kHz * (27 k || 5.6k ) 2. .1kHz * 81 * (5.81 + 150 ) C B >> 34.31nF C B >> 12.61nF C B = 0.47 F
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DISEO DE AMPLIFICADOR EN COLECTOR COMN Circuito
En el circuito amplificador en base comn podemos observar que la seal ingresa por la base y la salida esta en el emisor. Este circuito tambin es conocido como seguidor emisor. La caracterstica de este circuito es que la ganancia no es mayor que 1. La regla general para obtener la ganancia en un circuito en colector comn es: Todo lo que est en emisor desde el punto de salida a tierra dividido para todo lo que est en emisor. Por lo tanto se obtiene la expresin de ganancia del circuito mostrado inicialmente:
A=
Req RE || RL = re + RE || RL re + Req
Ejemplo de obtencin de la ganancia: en la grfica aparece solo la parte del circuito que corresponde al emisor.
24
La frmula de la ganancia entonces es: A= RE 2 || RL re + RE1 + RE 2 || RL
Continuando con el diseo en colector comn. Dado que la seal ingresa por la base se obtiene la expresin de la impedancia de entrada similar a la configuracin en emisor comn. Rin = R1 || R2 || RinT Donde RinT es la impedancia de entrada en el transistor y es igual a (+1) por todo lo que esta en emisor para seal, por lo tanto: RinT = ( + 1)(re + RE || RL ) El paralelo entre R1 y R2 denominamos RB y el paralelo entre RE y RL denominamos Req Obteniendo la expresin final de la impedancia de entrada: Rin = RB || ( + 1)(re + Req )
Para el diseo de un circuito en colector comn es necesario tener muy en cuenta que se cumpla la condicin de impedancia de entrada por lo tanto: Analizando la expresin de la impedancia de entrada obtenemos que la peor condicin para que se cumpla esta es que RinT sea al menos Rin y reemplazando la ecuacin de RinT obtenemos
25
RinT Rin ( + 1)(re + Req ) Rin (1)
De la expresin de ganancia : A= Req re + Req Req
donde Req = RE || RL ( 2) A reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1 ( + 1) Rin A De la que obtenemos la expresin : Req Req re + Req =
A Rin ( + 1) La peor condicin es que A = 1 por lo tanto Req Rin ( + 1)
De esta ltima expresin podemos obtener la condicin de RE que nos ayudar a empezar con nuestro diseo Al igual que con la configuracin en emisor comn hay que evitar recortes de la seal, Como en la configuracin en emisor comn a partir de las curvas caractersticas del transistor obtenemos lo siguiente:
I E io p VRE Vop RE Req VRE = VE VE RE Vop Req
Del eje vertical de voltajes obtenemos el VCE.
VCE vop + vact
26
A continuacin se realizar un ejercicio en el que se explicar con ms detalle el procedimiento de diseo para un amplificador en colector comn. Nos planteamos los siguientes datos: vop = 3V Rin 6 k RL = 3.9 k f= 1 kHz = 100 Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.
Rin ( + 1) 6k RE || RL 100 + 1 RE || RL 60 Req RE 60.94 Asumo RE = 390 ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida y teniendo en cuenta que si selecciono el mnimo R B y por lo tanto Vcc pero tam bin si nos alejamos mucho Vcc sube Req = RE || RL = 390 || 3.9k = 354.5
En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

VRE VE RE vop Req por factor de seguridad VRE 3.96V
390 3V VE 3.3V 354.5 Asumimos VRE = 4V IE = 4V VRE = = 10.25 mA RE 390 25mV 25mV = = 2.44 10.25mA IE
Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula re =
Para comprobar que hay estabilidad trmica comparamos R eq >> re lo cual si cumple en el presente ejercicio Del no cumplir la estabilidad trmica asumimos nuevo re tal que cumpla y recalculamos IE y VRE igual procedimiento se realiza en las anteriores configuraciones pero con IC y VRC
27
IE 10.25mA = = 101.49 A 101 +1 I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin IB = I 2 = 1mA I1 = I B + I 2 = 101.49 A + 1mA = 1.1mA R2 = VB VE + VJBE 4V + 0.6V = = = 4.6k I2 I2 1mA
Pero tenemos que observar que las resistencias de la base cumplan con Rin por lo tanto RinT = ( + 1)(re + Req ) = 101 * (2.44 + 354.5) = 36.05k Rin 6k RB || RinT 6k RB 7.92k Asumiendo que R 1 y R 2 son iguales y a partir de R B concluyo que R1 = R2 = 2 * RB = 15.84k R1 = R2 = 18k VB = I 2 * R2 = 1mA * 18k = 18V VR1 = I1 * R1 = 1.1mA * 18k = 19.8V Vcc = VB + VR1 = 18V + 19.8V = 37.8V Vcc = 38V Con el cambio realizado de los valores de R1 y R2 calculo el nuevo valor de VE VE = VB VJBE = 18V 0.6V = 17.4V RET = VE 17.4V = = 1.69k I E 10.25mA
18 k 15 k
RB = R1 || R2
RB 7.2k multiplicando este valor por el punto mximo de tolerancia por seguridad
Para no volver a hacer los recalculos y dejar el mismo valor de R E calculado inicialmente la solucin es aumentar al circuito original una resistencia en serie a R E y en paralelo conectamos un capacitor puesto las dos resistencias en serie solo funcionaran para DC y para AC solo la resistencia que consta en la frmula de ganancia
El cambio realizado es:
28
El valor de R E2 ser RET = RE1 + RE 2 RE 2 = RET RE1 = 1.69k 390 = 1.3k RE 2 = 1.2k A= RE1 || RL 354.5 = = 0.993 re + RE1 || RL 2.44 + 354.5 VCE 3V + 2V VCE 5V Necesario
VCE vop + vact
VCE = Vcc VE = 38V 17.4V = 20.6V Tengo Cumplo con VCE necesario Rin = R1 || R2 || RinT = 18k || 18k || 36.05k = 7.2k
Calculo de Capacitores Capacitor de Base (capacitor de entrada)
X B << Rin C B >>

En el ejemplo
1 2. . f min Rin
C B >> C B >>
1 2. . f min Rin
1 2. .1kHz * 7.2k C B >> 22.1nF C B = 0.47 F
Capacitor de Emisor (1) (capacitor de salida)
X E1 << RL C E1 >> 1 2. . f min RL
En el ejemplo
C E1 >> C B >>
1 2. . f min RL
1 2. .1kHz * 3.9k C B >> 40.8nF C B = 0.47 F
29
Capacitor de Emisor (2)
A=
RL || (RE1 + (RE 2 || X E 2 )) re + RE1 || RL
Si X E 2 << RE 2 A =
RL || (RE1 + X E 2 ) re + RE1 || RL
Si X E 2 << RE1 A = C E 2 >> 1 2. . f min RE 2 1 2. . f min RE 2
RL || RE1 re + RE1 || RL 1 2. . f min RE1
C E 2 >>
En el ejemplo
C E >> C E >>
C E >>
1 2. . f min RE1
1 1 C E >> 2. .1kHz *1.2k 2. .1kHz * 390 C E >> 132.63nF C E >> 408.08nF C E = 4.7 F
30
CIRCUITOS DE ALTA IMPEDANCIA DE ENTRADA
Se crea la necesidad de tener circuitos que proporcionen una alta impedancia de entrada para poder ser conectados a generadores y que toda la seal sea amplificada. Entre los dispositivos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn: FETs (Rin = idealmente) Amplificador Operacional (Rin = idealmente) Tubos de vaco TBJ (dependiendo de la configuracin)
Entre los circuitos electrnicos que proporcional alta impedancia de entrada estn: Emisor y Colector comn Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn) Circuitos Darlington
En este tema vamos a estudiar los Circuitos de Autolevacin (Emisor y Colector comn) y Circuitos Darlington
CIRCUITOS DE AUTOELEVACIN Emisor Comn con Autoelevacin Circuito

Vcc +V
R1 CB + R + C + Vin R2
RC CC + Q1
1 2
RE1 RL
RE2
CE
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
31
Rin = ( R + R1 R 2 RE1 ) RinT = ( R + RB RE1 ) RinT RinT = ( + 1)(re + RE1 R1 R2 ) = ( + 1)(re + RE1 R B ) Para el anlisis en sea l vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 del la grfica v1 = vin v2 = v1 v3 = v2 v1 = v3 Entonces para seal tenemos que : iR = 0 R= Rin = RinT C B cortocircuito Seguidor emisor C cortocircuito
En este circuito, como caracterstica importante es que la impedancia de entrada ya no depende de RB subiendo los niveles de Rin. Una gran ventaja es que los voltajes Vcc son ms bajos. Desde el punto de vista terico se puede asumir el valor mnimo de RC. Resulta ms sencillo el diseo ya que se puede asumir VE y no va influir en la impedancia de entrada. A continuacin se presenta un ejemplo de diseo.
Ejercicio A = 20 vop = 1V RL = 2.7 k Rin 10k f = 1 kHz = 100
Vcc +V
R1 CB + R + C + Vin R2
RC CC + Q1
RE1
RL
RE2
CE
Empezamos el diseo con la ecuacin de Req para obtener la condicin de RC.
32
Req
A Rin ( + 1)
20 *10k 101 RC || RL 1.98 k RC || RL RC 7.43 k Asumo Rc = 8.2 k ; asumo este valor de resistencia observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto lo cual implica ms gastos. Req = RC || RL = 8.2k || 2.7k = 2.03 k
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %

RC vop Req 8.2k 1V VRC 4.03V 2.03k por factor de seguridad VRC 4.84V
VRC VRC
Asumimos VRC = 5V IC = VRC 5V = = 0.609 mA RC 8.2k 25mV 25mV = = 41 IE 0.609mA Req ; donde RB = R1 || R2
re =
A=
re + (RE1 || RB )
re + (RE1 || RB ) =
Req A
2.03k = 101.5 20
33
Comparando este ltimo valor con re , observamos que no es mucho mayor por lo que no es estable termicamente, para corregir asumimos nuevo re re = 10 IC = 25mV 25mV = = 2.5mA 10 re
VRC = I C * RC = 2.5mA * 8.2 K = 20.5V RE1 || RB = 101.5 re = 101.5 10 = 91.5 vinp = 1V = 0.05V A 20 Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte = nuestro valor de Rin. VE 1V + vinp VE 1V + 0.05V VE 1.05V por el factor de seguridad VE 1.26V VE = 2V RET = 2V VE = = 800 I E 2.5mA VCE 1V + 2V + 0.05 VCE 3.05V vop
VCE vop + vact + vinp ;
Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 3.05V + 20.5V = 25.55V Vcc = 26V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin I 2.5mA = 0.025mA IB = C = 100 I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.25mA I1 = I B + I 2 = 0.025mA + 0.25mA = 0.275mA Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el emisor constantes y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente condicin VR << VJBE VR = 0.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R, R= VR 0.06V = = 2.4k I B 0.05mA
2.7 k 2.2 k
R = 2.2k se selecciona el menor para que VR sea aun mucho menor que VJBE
34
R2 =
VB VE + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V = = = 10.64k I2 I2 0.25mA Vcc VB 26V 2.66V = = 84.87 k I1 0.275mA
91k 82 k
R2 = 10k R1 =
R1 = 82k RB = R1 || R2 = 82k || 10k = 8.91k RE1 || RB = 91.5 RE1 = 92.44 RE1 = 91 RE 2 = RET RE1 = 800 91 = 709 RE 2 = 680 Rin = RinT Autoelevacin Rin = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(10 + 91 || 8.91k) = 10.1k
Calculo de Capacitores Capacitor de entrada) Capacitor de salida
750 680
X B << Rin
C B >> C B >>
1 2. . f min Rin
X C << RL CC >> C B >> 1 2. . f min RL
1 2. .1kHz *10.1k C B >> 15.75nF C B = 0.47 F

Capacitor de Emisor
1 2. .1kHz * 2.7k C B >> 58.94nF C B = 1F
X E << RE 2 X E << re + RE1 1 2. . f min RE 2 C E >> 1 2. . f min (re + RE1 )
C E >> C E >>
1 1 C E >> 2. .1kHz * 680 2. .1kHz(10 + 91 ) C E >> 234nF C E >> 1.58F C E = 22 F

Capacitor de autoelevacin (C) Req A= re + (RE1 || ( X + RB ))
Si X << RB A = C >> 1 2 . f min .RB re + (RE1 || RB ) Req
35
En el ejemplo
X << RB
C >>
1 2. . f min RB
1 2. .1kHz * 8.91k C B >> 17.86nF C B >> C B = 0.22F

Colector Comn con Autoelevacin Circuito
Vcc +V
R1 CB + R Q1 CE +
1 3
+ Vin R2 + C
RE
RL
Tenemos el siguiente anlisis del circuito considerando todos los capacitores en cortocircuito:
Rin = ( R + R1 R 2 RE RL ) RinT = ( R + RB Req ) RinT RinT = ( + 1)(re + RE R L RB ) Para el anlisis en seal vamos a analizar el voltaje en los puntos 1, 2 y 3 de la grfica v1 = vin v2 = v1 v3 = v2 v1 = v3 Entonces para seal tenemos que : iR = 0 R= Rin = RinT C B cortocircuito Seguidor emisor C cortocircuito
Tenemos entonces las mismas caractersticas que en el circuito emisor comn con autoelevacin pero en este caso la ganancia de este circuito es menor o igual a 1. Entonces este circuito lo podemos emplear como acoplador de impedancias.
36
Ejercicio vop = 1V RL = 4.7 k Rin 10k f = 1 kHz = 100
Vcc +V
R1 CB + R + C + Vin R2 RE RL Q1 CE +
Rin ( + 1) 10k R 'eq 101 RE || RL || RB 99 R 'eq Si RB >> ( RL || RE ) R'eq Req ; Req 99k RE 101.13 Asumo RE = 390 Req = RE || RL = 390 || 4.7k = 360.11 Asumimos resistencias de tolerancia 10 % R VRE E vop Req
VRC 390 1V VRC 1.08V 360.11 Asumimos VRE = VE = 2V IE = re = 2V VE = = 5.13 mA RE 390 25mV 25mV = = 4.875 5.13mA IE por factor de seguridad VRC 1.29V
Req = RL || RE
re + Req = 4.875 + 360.11 = 394.99 Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo que es estable termicamente VCE vop + vact ; VCE 1V + 2V VCE 3V
Vcc = VCE + VE = 2V + 3V = 5V
37
Vcc = 6V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin 5.13mA I IB = E = = 0.051mA +1 101 I 2 >> I B Estabilidad de polarizacin
I 2 = 0.51mA I1 = I B + I 2 = 0.051mA + 0.51mA = 0.561mA Las variaciones del voltaje en la resistencia R deben ser despreciables para mantener el voltaje en el emisor constante y no afecte al diseo previamente realizado. Para lograr esto se plantea la siguiente condicin VR << VJBE VR = 0.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R, R= VR 0.06V = = 1.18k I B 0.051mA
R = 1.2k V + VJBE + VR 2V + 0.6V + 0.06V V = = 5.2k R2 = B = E 0.51mA I2 I2 R2 = 5.6k R1 = Vcc VB 6V 2.66V = = 5.65k 0.561mA I1
R1 = 5.6k RB = R1 || R2 = 5.6k || 5.6k = 2.8k Rin = RinT Autoelevacin Rin = ( + 1)(re + Req || RB ) = 101(4.875 + 360.11 || 2.8k) = 32.7 k
Calculo de Capacitores Capacitor de entrada)
X B << Rin
Capacitor de salida
X C << RL
C B >> C B >>
1 2. . f min Rin
CC >> C B >>
1 2. . f min RL
1 2. .1kHz * 32.7 k C B >> 4.86nF C B = 0.1F
1 2. .1kHz * 4.7k C B >> 33.86nF C B = 0.47 F
38
Capacitor de autoelevacin (C) X << RB
C >>
1 2. . f min RB
1 2. .1kHz * 2.8k C B >> 56.84nF C B >> C B = 0.68F
CIRCUITO DARLINGTON Una conexin muy popular de dos TBJ para operar como un transistor con superbeta es la conexin Darlington, mostrada en la siguiente figura.
C C
Q1 NPN Q2 NPN
QD NPN
La principal caracterstica de la conexin Darlington es que el transistor compuesto acta como una unidad simple con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de corriente de los transistores individuales. La conexin Darlington de transistores proporciona un transistor que cuenta con una ganancia de corriente muy grande, por lo general en el orden de los miles Existen transistores Darlington encapsulados en el mercado en los cuales internamente ya esta realizada la conexin de los dos transistores. Como por ejemplo el ECG268 (NPN) y el ECG269 (PNP)
Frmulas importantes para transistores Darlington
C
IB1 B Q1 NPN Q2 NPN IE1=IB2 IE2 E
39
Sea D la beta del transistor Darlington y 1 y 2 las de cada transistor
D = D =
( 2 + 1)I E1 = ( 2 + 1)(1 + 1)I B1

I B1 I B1 D = (1 + 1)( 2 + 1) Desde el punto de vista prctico D = 1. 2
I E 2 ( 2 + 1)I B 2 = ; I B1 I B1
I B 2 = I E1
El transistor Darlington va a poseer un reD y va ser igual a : reD = re 2 + reD = re 2 + reD = re 2 + reD = re 2 + reD = 2.re 2 reD = 50mV 50mV = IE2 IE re1 2 + 1 25mV ; I E1 = I B 2 I E1 ( 2 + 1) 25mV I B 2 ( 2 + 1) 25mV IE2
reD = re 2 + re 2
En el caso de transistores PNP la conexin es como muestra la siguiente figura:

E IE2 IE1=IB2 Q2 PNP IB1 B Q1 PNP E
Q3 PNP
Ejercicio Realizar un circuito amplificador que cumpla con las siguientes condiciones
A = 12 vop = 5V RL = 2.7 k Rin 50k f = 1 kHz = 100
40
Planificacin
Diagrama de bloques
A Rin ( + 1) 12 * 50k Req 101 RC || RL 6k con RL = 2.7k no se puede implementar el circuito Req Utilizo Darlington A Req Rin
12 * 50k 100 * 100 RC || RL 60 con RL = 2.7 k Ahora si se puede implementar el circuito Req RC 61.36
Por facilidad en el diseo tambin hago con autoelevacin que incluso me ayudar a tener Vcc ms bajos
Vcc +V
R1 CB + + C + Vin R2 R4
RC CC + R3 Q1 Q2
RE1
RL
RE2
CE
La resistencia R4 es para descargar la juntura base emisor de Q2 ya que hay capacidades en las junturas y hay que realizar la descarga para que no haya distorsin de la seal dentro del procedimiento de diseo se va a indicar la forma de calcular esta resistencia Asumimos resistencias de tolerancia 20 %
41
Observando el v op y R L asumo R C RC = 270 Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45 VRC VRC RC vop Req por factor de seguridad VRC 7.145V
270 5V VRC 5.5V 245.45 Asumimos VRC = 7.5V IC = VRC 7.5V = = 27.8 mA RC 270 50mV 50mV = = 1.8 IC 27.8mA Req =
reD =
245.45 = 20.45 A 12 Comparando este ltimo valor con reD , observamos que es mucho mayor por lo que es estable reD + (RE1 || RB ) = termicamente. RE1 || RB = 20.45 re = 20.45 1.8 = 18.65 vinp = 5V = 0.417V A 12 Ahora como estamos realizando con autoelevacin podemos asumir el valor de VE sin que afecte = vop
nuestro valor de Rin. En la inecuacin de VE ahora colocamos 2V para Darlington por la presen cia de dos junturas VE 2V + vinp VE 2V + 0.417V VE 2.42V por el factor de seguridad VE 3.14V VE = 3.5V RET = VE 3.5V = = 125.9 I E 27.8mA VCE 5V + 3V + 0.417V VCE 8.42V
Para el caso de VCE ponemos al menos 3V para v sat VCE vop + vactD + vinp ;
Vcc = VE + VCE + VRC = 3.5V + 8.42V + 7.5V = 19.42V Vcc = 20V El exceso es enviado a VCE Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin IB = IC = 27.8mA = 2.78A 10000 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B
I 2 = 27.8A
42
I1 = I B + I 2 = 2.78A + 27.8A = 30.58A VR3 << VJBED VR 3 = 0.1V Entonces con los datos I B y VR3 obtengo el valor de R, V 0.1V R3 = R3 = = 35.97 k IB 2.78A R2 =
33 k 39 k
VJBED = 1.2V
por la presencia de dos junturas
R3 = 33k se selecciona el menor para que VR sea an mucho menor que VJBE VB VE + VJBE + VR 3.5V + 1.2V + 0.1V = = = 172.7 k 27.8A I2 I2 Vcc VB 20V 4.8V = = 497 k 30.58A I1
470 k 560 k
R2 = 180k R1 =
R1 = 470k RB = R1 || R2 = 470k || 180k = 130.15k RE1 || RB = 18.65 RE1 = 18.65 RE1 = 18 RE 2 = RET RE1 = 125.9 18 = 107.9 RE 2 = 100 Rin = RinTD Autoelevacin Rin = ( D)(reD + RE1 || RB ) = 10000(1.8 + 18 || 130.15k) = 197.97k Para la resistencia R 4 hacemos que la corriente que va por esta sea muy pequea para que no haya desvi de corriente y cambie el valor de I B variando todos los valores y afectando al diseo i 4 << ib 2 R4 >> RinT 2 RinT 2 = ( 2 + 1)(re 2 + RE1 || RB ) RinT 2 R4 >> 1.91k R4 = 19.1k R4 = 18k
18 k 22 k 100 120
reD 1.8 = = 0.9 2 2 = (101)(0.9 + 18 || 130.15k ) = 1.91k re 2 = al escoger el menor el tiempo de descarga va a disminuir
43
Calculo de Capacitores Capacitor de entrada
X B << Rin
Capacitor de salida
X C << RL
C B >> C B >>
1 2. . f min Rin
CC >> C B >>
1 2. . f min RL
1 2. .1kHz *197.97k C B >> 803.9 pF C B = 10nF

Capacitor de Emisor
1 2. .1kHz * 2.7k C B >> 58.94nF C B = 1F
X E << RE 2 X E << re + RE1 1 2. . f min RE 2 C E >> 1 2. . f min (reD + RE1 )
C E >> C E >>
1 1 C E >> 2. .1kHz *100 2. .1kHz (1.8 + 18 ) C E >> 1.59 F C E >> 8.04F C E = 100F
Capacitor de autoelevacin (C) X << RB
C >>
1 2. . f min RB
C B >>
1 2. .1kHz *130.15k C B >> 1.22nF C B = 47nF
44
AMPLIFICADORES EN CASCADA
El presente tema nos introduce a la necesidad de emplear dos o mas amplificadores conectados en cascada con el propsito de que nuestro sistema amplificador pueda reunir las caractersticas que con el empleo de un solo amplificador (con un solo elemento activo) no se podran obtener: por ejemplo si el problema de diseo consiste en construir un amplificador que tenga una impedancia de entrada muy alta (por ejemplo 1 M) y que a su vez nos proporcione una ganancia de voltaje considerable (por ejemplo 80) entonces podemos percatamos que ningn amplificador de una sola etapa resolvera el problema. Sin embargo, para este caso, si conectamos varias etapas de amplificacin, entonces el propsito de diseo podra cumplirse. El siguiente grfico muestra la forma esquemtica de una conexin en cascada:
Para analizar la ganancia total de un amplificador en cascada vamos a hacerlo con dos etapas, este anlisis sirva para n etapas. Sea el siguiente diagrama de bloques
A= A= A= A=
vo vin A2 vin 2 ; vin A2 vo1 vin A2 . A1vin vin vin 2 = vo1
A = A1. A2 A = A1 * A2 * A3 * .......... * An para n etapas conectadas en cascada
45
TIPOS DE ACOPLAMIENTO En cuanto al dispositivo que utilicemos para interconectar las etapas, nos permitir definir el tipo de acoplamiento a utilizar. Los dispositivos usuales de acoplamiento son: Cable, condensador, y transformador. Acoplamiento Capacitivo Permite desacoplar los efectos de polarizacin entre las etapas. Permite dar una mayor libertad al diseo. Pues, la polarizacin de una etapa no afectar a la otra.
Acoplamiento Directo Consiste bsicamente en interconectar directamente cada etapa mediante un cable. Presenta buena respuesta a baja frecuencia. Tpicamente se utilizan para interconectar etapas de emisor comn con otras de seguidor de emisor.
Acoplamiento Inductivo Muy popular en el dominio de las radiofrecuencias (RF). Seleccionando la razn de vueltas en el transformador permite lograr incrementos de tensin o de corriente.
ACOPLAMIENTO CAPACITIVO
El diseo de amplificadores se inicia desde las ltimas etapas hacia la primera. Se debe colocar las mayores ganancias al principio y las menores en las ltimas etapas para disminuir la distorsin no lineal o distorsin de amplitud. La distorsin no lineal es cuando el ciclo positivo de la seal no es igual al ciclo negativo. Hay que tener en cuenta que en el diseo la resistencia de carga que observa una etapa es la impedancia de entrada de la siguiente y as sucesivamente hasta llegar a la carga. El Vcc de la primera etapa que se disea debe abastecer a todas las etapas subsiguientes. En realidad se puede hacer varias fuentes Vcc para cada etapa pero implica un gasto innecesario. Si el Vcc inicialmente calculado es muy grande para las otras etapas se recomienda enviar el exceso de voltaje a VCE y si es muy grande aun para las caractersticas del TBJ se puede implementar la siguiente conexin y enviar el exceso de voltaje DC a la resistencia que en la 46
grfica es rotulada como RC3 y conectada con capacitor en paralelo para que su funcionamiento solo sea para la parte de polarizacin (DC) del TBJ
Vcc +V
RC3
RC2
CC
Q1 NPN
A continua se presenta un ejemplo de diseo de un amplificador en cascada con acoplamiento capacitivo con las siguientes condiciones. A = 120 vop = 3V RL = 1 k = 100 Como observamos en los datos tenemos una ganancia muy alta que debe realizarse con varias etapas. Para iniciar con el diseo procedemos a realizar la planificacin en la que consta el nmero de etapas y en que configuracin est cada una. Vamos a realizar un diseo de dos etapas; la primera en emisor comn de ganancia de 12 y la segunda etapa en base comn de ganancia 10. Graficamos el diagrama de bloques del circuito.
Realizamos el circuito a disear:
47
Diseo de la segunda etapa (configuracin base comn) Se la realiza normalmente como si fuese una sola etapa y considerando los voltajes de entrada y salida del bloque segn el diagrama, por lo tanto
Asumo Rc2 = 1 k ; asumo este valor observando el voltaje de salida para no obtener un Vcc muy alto y RL Asumimos resistencias de tolerancia 10 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.2 para ambas etapas Req = RC 2 || RL = 1k || 1k = 500 VRC 2 VRC 2 RC 2 vop Req multiplicado por el factor de seguridad VRC 2 7.2V
1k 3V VRC 2 6V 500 Asumimos VRC 2 = 7.5V IC 2 = VRC 2 7.5V = = 7.5 mA RC 2 1k
I C 2 = I E 2 xq es alto re = 25mV 25mV = = 3.3 7.5mA IC 2 Req A2 = 500 10
re + RE 3 =
re + RE 3 = 50 Comparando este ltimo valor con re , observamos que es mucho mayor por lo tanto se concluye que es estable termicamente.
48
RE 3 = 50 re = 50 3.3 = 46.66 RE 3 = 47 VCE 2 vop + vact ; VCE 2 3V + 2V VCE 2 5V

VRE4 1V + vinp VRE2 1V + 0.3V VRE4 1.3V por el factor de seguridad VRE2 1.56V VRE 4 = 1.56V RE 4 = VRE 4 1.56V = = 208 Al escoger el inmediato superior aseguro estab. trmica IE2 7.5mA
VE 2 = I E 2 (RE 3 + RE 4 ) = 7.5mA(47 + 220 ) = 2.002V Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5V + 7.5V = 14.5V Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa I B2 = IC2 = 7.5mA = 0.075mA 100 Estabilidad de polarizacin
RE 2 = 220
I 4 >> I B2
I 4 = 0.75mA I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA R4 = VB 2 VE 2 + VJBE 2V + 0.6V = = = 3.47 k I4 I2 0.75mA Vcc VB1 15V 2.6V = = 15.03k I3 0.825mA
3.3 k 4.7 k
R4 = 3.3k R3 =
R1 = 15k Los criterios de eleccin de las resistencias se basan en la influencia de la tolerancia y cual de ellas ofrece mayor estabilidad al circuito. Rin2 = RE 4 || (re + RE 3 ) = 220 || (47 + 3.33 ) = 40.96
Diseo de la Primera etapa Para este diseo tengo como datos Rin2 que es el RL para esta etapa y Vcc
Este ejemplo tiene como propsito el practicar. Pero en realidad no se debe hacer as ya que no es recomendable conectar la primera etapa en emisor comn y la segunda en base comn ya que el emisor comn ve una impedancia muy baja generada por la etapa en base comn. Como conclusin podemos decir que toca hacer un anlisis profundo si se desea hacer las etapas con distintas configuraciones y tener en cuenta las caractersticas de cada configuracin como es el caso del colector comn que tiene alta impedancia de entrada pero no amplifica la seal o en el caso del de base comn que ofrece una ganancia pero su impedancia de entrada es muy baja; y finalmente el emisor comn que ofrece ganancia y una 49
alta impedancia de entrada. A ms de esto podemos aadir los circuitos de alta impedancia en una o varias etapas Asumo RC1 = 390 Req1 = RC1 || Rin 2 = 390 || 40.96 = 37.06 VRC1 VRC1 RC1 vop Req1 por factor de seguridad VRC 3.78V
390 0.3V VRC1 3.16V 37.06 Asumimos VRC1 = 4V I C1 = re = 4V VRC1 = = 10.25 mA RC1 390
25mV 25mV = = 2.44 10.25mA I E1 Req1 A1 = 37.06k = 3.09 12
re + RE1 =
El circuito no es estable termicamente, corregimos Asumo re = 0.25 25mV = 100mA 0.25 VRC1 = I C1 * RC1 = 100mA * 390 = 39V I C1 = RE1 = 3.09 re = 3.09 0.25 = 2.84 RE1 = 2.7 VCE vop + vact + vinp ; VCE 0.3V + 2V + 25mV VCE 2.325V VE 1V + vinp VE 1V + 25mV VE 1.025V por el factor de seguridad VE 1.23V VE = 2V RET = 2V VE = = 20 I E 100mA
RE 2 = RET RE1 = 20 2.7 = 17.3 RE 2 = 18 Vcc = VE1 + VCE1 + VRC1 = 2V + 2.325V + 39V = 43.325V Vcc = 45V el exceso envio a VCE1 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa I B1 = I C1 = 100mA = 1mA 100 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B I 2 = 10mA
I1 = I B + I 2 = 10mA + 1mA = 11mA
50
R2 =
VB1 VE1 + VJBE 2V + 0.6V = = = 260 I2 I2 10mA Vcc VB 45V 2.6V = = 3.85k I1 11mA
R2 = 270 R1 =
R1 = 3.9k RB = R1 || R2 = 3.9k || 270 = 252.5 Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 252.5 || (101(0.25 + 2.7 )) = 136.6
Para que la fuente de 45V abastezca los 15V de la segunda etapa se recalcula R 3 y el resto no cambia ya que la diferencia de voltaje sa va a VCE2 R3 = Vcc VB 45V 2.6V = = 51.39k 0.825mA I3
47 k 56 k
R3 = 56k VCE 2 = Vcc VRC 2 VE 2 = 45V 7.5V 2V = 35.5V Hay que tener encuenta este voltaje ya que puede daar al transistor seleccionado. O se puede hacer lo que se indico anteriormente cuando se tiene mucho voltaje en VCE Si es el caso de que Rin depende de RB2 es necesario poner la nueva R3 con un capacitor en paralelo. Clculo de capacitores X 5 << RL C5 >> C5 >> 1 2. . f min RL X 4 << RB 2 C4 >> C4 >> 1 2. . f min RB 2 X 3 << RE1 + re C3 >> 1 2. . f min (RE1 + re )
1 2. .1kHz *1k C5 >> 159.15nF C5 = 2.2F
1 1 C3 >> 2. .1kHz * (2.7 + 0.25 ) 2. .1kHz * (56k || 3.3k ) C3 >> 53.9F C4 >> 51.07 nF C4 = 0.68F C3 = 1000F
X 2 << Rin2 C2 >> C2 >> 1 2. . f min Rin2
X 1 << Rin1 C1 >> 1 2. . f min Rin1
1 1 C1 >> 2. .1kHz * 40.96 2. .1kHz *136.6 C2 >> 3.88F C1 >> 1.165F C2 = 47 F C1 = 18F
51
Como observamos en el ejercicio anterior hay valores exagerados de Vcc y de algunas resistencias, esto se debe a la incompatibilidad que existe al conectar la primera etapa en emisor comn y la segunda en colector comn. Ahora vamos a hacer un ejercicio en que las dos etapas son en emisor comn para observar la mejora. Los datos son los mismos que el ejercicio anterior pero aadimos una condicin de impedancia de entrada. A = 120 vop = 3V RL = 1 k Rin 10k = 100
Planificacin Haciendo la primera etapa con ganancia de 12 y la segunda con ganancia de 10
Req1 A1 Rin; ( + 1) Req1 12 * 10k 100 Req1 1.2k RC1 || Rin2 1.2k Rin2 1.2k peor condicin Req 2 A2 Rin2 ; ( + 1) Req 2 10 *1.2k 100 Req 2 120 RC 2 || RL 120 RC 2 136.36
Haciendo la segunda etapa con autoelevacin.

Vcc +V
R1
RC1 C2 +
R3
RC C4 + R5 + Q1
C1 +
Q2
RE1 Vin1 + R2 RE2 + C3 R4
C5
RE3
RL
RE4
C6
Diseo de la segunda etapa Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
52
Asumo RC 2 = 1k ; Req = RC || RL = 1k || 1k = 500 VRC 2 VRC 2 RC2 vop Req por factor de seguridad VRC 6V
1k 1V VRC 2 5V 500 Asumimos VRC = 7.5V IC 2 = VRC 2 7.5V = = 7.5 mA RC 2 1k 25mV 25mV = = 3.33 IE2 7.5mA Req A2 =
re 2 =
RB 2 = R3 || R4 re 2 + (RE 3 || RB 2 ) = 500 = 50 Estable termicamente 10
RE 3 || RB = 50 re 2 = 50 3.3 = 46.66 VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 3V + 2V + 0.3 VCE 2 5.3V VE2 1V + vinp VE2 1V + 0.3V VE2 1.3V por el factor de seguridad VE2 1.56V VE 2 = 2V RET = VE 2 2V = = 266.67 I E 2 7.5mA
Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 2V + 5.3V + 7.5V = 14.8V Vcc = 15V el exceso envio a VCE2 para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa I B2 = IC 2 = 7.5mA = 0.075mA 100 Estabilidad de polarizacin
I 4 >> I B2
I 4 = 0.75mA I 3 = I B 2 + I 4 = 0.075mA + 0.75mA = 0.825mA VR5 << VJBE VR 5 = 0.06V Entonces con los datos I B y VR obtengo el valor de R, R5 = VR5 0.06V = = 800 I B 2 0.075mA
R = 820
53
R4 =
VB 2 VE 2 + VJBE + VR 5 2V + 0.6V + 0.06V = = = 3.54k I4 I4 0.75mA Vcc VB 2 15V 2.66V = = 14.95k 0.825mA I3
R4 = 3.3k R3 =
R3 = 15k RB 2 = R3 || R4 = 15k || 3.3k = 2.705k RE 3 || RB 2 = 46.67 RE 3 = 47.5 RE 3 = 47 RE 4 = RET RE 3 = 266.67 47 = 219.67 RE 4 = 220 Rin2 = RinT Autoelevacin Rin2 = ( + 1)(re + RE1 || RB ) = 101(3.33 + 47 || 2.705k) = 5k
Diseo de la primera etapa

Req1 1.2k RC1 || Rin2 1.2k RC1 1.58k
Asumo RC1 = 4.7 k ; Req1 = RC1 || Rin2 = 4.7k || 5k = 2.42 k VRC1 VRC1 RC1 vop Req1 VRC1 0.699V
4.7k 0.3V VRC1 0.582V por factor de seguridad 2.42k Asumimos VRC = 1V I C1 = VRC1 1V = = 0.213 mA RC1 4.7k 25mV 25mV = = 117.5 I C1 0.213mA Req1 =
re1 =
re1 + RE1 =
2.42k 12 A re1 + RE1 = 201.89 Entonces asumo re1 = 20 I C1 = 25mV 25mV = = 1.25mA re1 20
Por lo tanto no es estable termicamente
VRC1 = I C1 * RC1 = 1.25mA * 4.7 k = 5.875V
54
RE1 = 201.89 re 2 = 201.89 20 = 181.89 RE1 = 180 VCE1 vop + vact + vinp ; VCE1 0.3V + 2V + 25mV VCE1 2.325V x fact. seg. VCE1 2.325V VE1 = Vcc VRC VCE1 = 15V 5.875V 2.79V = 6.33V RET = VE1 6.33V = = 5.06k I E1 1.25mA
RE 2 = RET RE1 = 5.06k 180 = 4.88k RE 2 = 4.7 k I B1 = I C1 =

1.25mA = 0.0125mA 100 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B
I 2 = 0.125mA I1 = I B + I 2 = 0.0125mA + 0.125mA = 0.1375mA R2 = VB1 VE1 + VJBE 6.33V + 0.6V = = = 55.4k I2 I2 0.125mA Vcc VB1 15V 6.93V = = 58.7k 0.1375mA I1
R2 = 56k R1 =
R1 = 56k RB1 = R1 || R2 = 56k || 56k = 28k Rin1 = RB1 || ( + 1)(re + RE1 ) = 28k || (101 * (20 + 180) ) = 11.73k
Despus de realizado este ejercicio se recomienda hacer ambas etapas con autoelevacin. Si se desea hacer sin autoelevacin pero no se cumple con Rin basta aadir R y C de autoelevacin, esto no vara los clculos en nada.
Calculo de capacitores X 1 << Rin1
X 2 << Rin2 C2 >>

1 2. . f min Rin2
X 3 << RE1 + re C3 >> C3 >>

1 2. . f min (RE1 + re )
C1 >> C1 >>
1 2. . f min Rin1
1 1 C2 >> 2. .1kHz *11.73k 2. .1kHz * 5k C1 >> 13.57nF C2 >> 31.8nF
C1 = 0.22F
C2 = 0.47 F
1 2. .1kHz * (180 + 20 ) C3 >> 795nF
C3 = 10F
55
X 4 << RL C4 >> C4 >>

1 2. . f min RL
X 5 << RB 2 C5 >> C5 >>

1 2. . f min RB 2
X 6 << re + RE 3 C6 >>
1 2. . f min (re + RE 3 )
1 2. .1kHz *1k C4 >> 159.15nF
C4 = 2.2F
1 1 C6 >> 2. .1kHz * (15k || 3.3k ) 2. .1kHz * (3.33 + 47 ) C5 >> 58.8nF C6 >> 3.16F
C5 = 1F
C6 = 47 F
Ejercicio Realizar el anlisis inicial para un diseo con las siguientes condiciones:
A = 15 vop = 4V RL = 100 Rin 100k Ya que la ganancia es baja se puede realizar con una etapa
Req
A Rin; ( + 1)
Req
15 * 100k 100
Req 15k RC || RL 15k
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada. Probemos ahora con una etapa y utilizando Darlington 15 A *100k Req Rin; Req 100 *100 D Tampoco se puede lograr con Darlington por el valor de R L Ahora se intenta resolver este ejercicio con 2 etapas
Req 150 RC || RL 150
56
Req1
A1 Rin; ( + 1)
Req1
5 * 100k 100
Req1 5k Rin2 5k peor condicin
RC1 || Rin2 5k
Req 2
A2 Rin2 ; ( + 1)
Req 2
3 * 5k 100
Req 2 150 RC 2 || RL 150
Ya que el valor de R L es 100 es imposible realizar este cirucito de la forma planificada. Probemos ahora con Darlington en la segunda etapa : A 3 Req 2 2 Rin2 ; Req 2 * 5k 100 2 D
Req 2 1.5 RC 2 || RL 1.5 RC 2 1.52
Lo que intentamos demostrar en este ejercicio es que tambin al hacer con multietapa se tiene circuitos de alta impedancia de entrada. Otra opcin en el ejercicio anterior es realizarlo con dos etapas, la primera etapa con emisor comn y una ganancia de 15 y la segunda etapa realizar una configuracin en colector comn.
Ejercicio A = 150 vop = 5V RL = 1 k Rin 100k = 100 Planificacin Haciendo la primera etapa con ganancia de 15 y la segunda con ganancia de 10
57
Req1
A1 Rin; ( + 1)
Req1
15 *100k 101
Req1 14.85k RC1 || Rin2 14.85k Rin2 14.85k peor condicin
Req 2
A2 Rin2 ; ( + 1)
Req 2
10 *14.85k 101
Req 2 1.47 k RC 2 || RL 1.47
Con esta planificacin no se puede obtener la impedancia de entrada requerida Hacemos la segunda etapa con Darlington : A 10 Req 2 2 Rin2 ; Req 2 Req 2 14.85 *14.85k D 100 2 RC 2 || RL 14.85 RC 2 15.07
Haciendo ambas etapas con autoelevacin.

Vcc +V
R1 C1 + R3 + C2 + Vin1 R2
RC1 C4 + Q3 NPN
R4
RC2 C6 + R6 + Q1 NPN Q2NPN
RE1 R5 +
C5 R7
RE3
RL
RE2
C3
RE4
C7
Diseo de la segunda etapa
Asumimos resistencias de tolerancia 10 %
Asumo RC 2 = 100 ; Req = RC 2 || RL = 100 || 1k = 90.9 VRC 2 VRC 2 RC2 vop Req 100 5V VRC 2 5.5V 90.9 por factor de seguridad VRC 6.6V
58
Asumimos VRC = 7V IC 2 = re 2 = VRC 2 7V = = 70 mA RC 2 100
50mV 50mV = = 0.714 IE2 70mA Req A2 = 90.9 = 9.09 Estable termicamente 10
RB 2 = R4 || R5 reD + (RE 3 || RB 2 ) =
RE 3 || RB = 9.09 re 2 = 9.09 0.714 = 8.376 VCE 2 vop + vact + vinp ; VCE 2 5V + 3V + 0.5V VCE 2 8.5V VE2 2V + vinp VE2 2V + 0.5V VE2 2.5V por el factor de seguridad VE2 3V VE 2 = 3.5V RET 2 = VE 2 3.5V = = 50 I E 2 70mA
Vcc = VE 2 + VCE 2 + VRC 2 = 3.5V + 8.5V + 3.5V = 19V Vcc = 19V I B2 = IC 2 = 70mA = 7 A 100 2 Estabilidad de polarizacin
I 5 >> I B2 I 5 = 70A
I 4 = I B 2 + I 5 = 7 A + 70A = 77 A VR6 << VJBED VR 6 = 0.1V R6 = VR6 0.1V = = 14.3k I B 2 7 A VB 2 VE 2 + VJBED + VR 6 3.5V + 1.2V + 0.1V = = = 68.5k 70A I5 I5 Vcc VB 2 19V 4.8V = = 184.4k 77 A I4
R6 = 12k R5 =
R5 = 68k R4 =
R4 = 180k
59
RB 2 = R4 || R5 = 180k || 68k = 49.35k RE 3 || RB 2 = 8.376 RE 3 = 8.37 RE 3 = 8.2 RE 4 = RET RE 3 = 50 8.2 = 41.8 RE 4 = 47 R7 >> RinT 2 RinT 2 = ( + 1)(re 2 + RE 3 || RB 2 ) = 101 * (0.357 + 8.2 || 49.35k ) = 864.1 R7 = 8.64k R7 = 8.2k Rin2 = RinTD Autoelevacin Rin2 = ( D )(reD + RE 3 || RB 2 ) = 100 2 (0.714 + 82 || 49.35k) = 89.13k
10 k 8.2 k
Diseo de la primera etapa

Req1 14.85k RC1 || Rin2 14.85k RC1 17.81k
Asumo RC1 = 22 k ; Req1 = RC1 || Rin2 = 22k || 89.13k = 17.64 k VRC1 VRC1 RC1 vop Req1 VRC1 0.748V
22k 0.5V VRC1 0.623V por factor de seguridad 17.64k Asumimos VRC = 1V I C1 = VRC1 1V = = 45.45A RC1 22k 25mV 25mV = = 550 I C1 45.45A Req1 =
re1 =
re1 + RE1 || RB =
17.64k A 15 re1 + RE1 || RB = 1.17k
Por lo tanto no es estable termicamente Entonces asumo re1 = 100 I C1 = 25mV 25mV = = 250A re1 100
VRC1 = I C1 * RC1 = 250A * 22k = 5.5V RE1 || RB = 1.17k re1 = 1.17k 100 = 1.07k
60
VCE1 vop + vact + vinp ; VCE1 0.5V + 2V + 0.033V VCE1 2.533V ( Necesario) VE1 1V + vinp ; VE1 1V + 0.0333V VE1 10333V por fact seg VE1 1.24V ( Necesario)
Disponemos de Vcc - VRC = 19V 5.5V = 13.5V VCE1 = 6.5V VE1 = 7V RET = I B1 = VE1 7V = = 28k I E1 250A
I C1 250 A = = 2.5A 100 +1 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B I 2 = 25A
I1 = I B + I 2 = 2.5A + 25A = 27.5A VR3 << VJBE VR 3 = 0.06V R3 = VR3 0.06V = = 2.4k I B1 2.5A VB1 VE1 + VJBE + VR 3 7V + 0.6V + 0.06V = = = 306.4k I2 I2 25A
270 k 330 k
R3 = 2.2k R2 =
R2 = 270k R1 = Vcc VB1 19V 7.66V = = 412.36k I1 27.5A

390 k 470 k
R1 = 390k RB1 = R1 || R2 = 390k || 270k = 159.5k RE1 || RB1 = 1.07 k RE1 = 1.08k RE1 = 1k RE 2 = RET RE1 = 28k 1.08 = 26.92k RE 2 = 27 k Rin1 = RinT 1 = ( + 1)(re1 + RE1 || RB ) = 101 * (100 + 1k || 159.5k) = 110.47 k
61
Calculo de capacitores X 1 << Rin1
X 2 << RB1 C2 >> C2 >> 1 2. . f min RB1
X 3 << RE1 + re C3 >> 1 2. . f min (RE1 + re )
C1 >> C1 >>
1 2. . f min Rin1
1 2. .1kHz *110.47k C1 >> 1.44nF C1 = 0.1F X 4 << Rin2
1 1 C3 >> 2. .1kHz * (1k + 100 ) 2. .1kHz * (159.5k ) C3 >> 144.7nF C2 >> 0.99nF C2 = 10nF X 5 << RB 2 C3 = 2.2F X 6 << RL C6 >> 1 2. . f min RL
C4 >> C4 >>
1 2. . f min Rin2
C5 >> C5 >>
1 2. . f min RB 2
1 2. .1kHz * 89.13k C4 >> 1.8nF C4 = 0.1F
1 1 C6 >> 2. .1kHz *1k 2. .1kHz * (49.35k ) C6 >> 159.15nF C5 >> 3.22nF C6 = 2.2F C5 = 0.1F
X 7 << reD + RE 3 C7 >> C7 >> 1 2. . f min (reD + RE 3 )
1 2. .1kHz * (0.714 + 8.2 ) C7 >> 17.8F C7 = 220F
ACOPLAMIENTO DIRECTO Amplificador Cascode El amplificador cascode es un amplificador que mejora algunas caractersticas del amplificador de Base Comn. El amplificador Base Comn es la mejor opcin en aplicaciones de altas frecuencias, sin embargo su desventaja es su muy baja impedancia de entrada. El amplificador cascode se encarga de aumentar la impedancia de entrada pero manteniendo sobre todo la gran utilidad de la configuracin Base Comn, ventajoso en el manejo de seales de alta frecuencia. Para conseguir este propsito, el amplificador cascode tiene una entrada de Emisor Comn y una salida de Base Comn, a esta combinacin de etapas se le conoce como configuracin cascode.
62
Circuito
Anlisis
Q1 Emisor Comn A1 A = A1 * A2 Q2 Base Comn A2 R Req re 2 . eq = A = A1 * A2 = re1 + RE1 re 2 re1 + RE1 R || RL Req A2 = C = re 2 re 2 El procedimiento de diseo se reduce ahora a un diseo de una sola etapa con ganancia Req A= re1 + RE1 A1 = re 2 <1 re1 + RE1 Las pricipales caractersticas son detallas en las siguientes frmulas muy importantes en el procedimiento de diseo VRC I C 2 = R C IC 2 I C 2 = 2 I E 2 = I C 2 + I B 2
63
I C1 = I E 2 I C1 I B1 = 1 I E1 = I C1 + I B1 Para el calculo de re solo se toma la del transistor 1 re1 = 25mV I E1 Req A
re1 + RE1 =
Para que no haya distorsin en la onda nos ayudamos del eje vertical de voltajes para realizar el respectivo anlisis: VCE 2 vop + vact VCE1 vop1 + vact + vinp VE1 1V + vinp Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC
Para el calculo de corriente del lado de entrada ya que tienen que cumplir estabilidad de polarizacin en ambos TBJ se emplea las siguientes formulas I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1 I 2 = I 3 + I B1 I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2 I1 = I 2 + I B 2 VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2 VB 2 VB1 = VCE1 VB1 = VE1 + VJBE1 V V VB1 VCE1 = R3 = B1 R2 = B 2 I3 I2 I2
R1 =
Vcc VB 2 I1
64
Vamos a realizar un ejemplo de diseo de un amplificador Cascode. El circuito es el mismo indicado al inicio del tema y las condiciones a cumplir son: A = 120 vop = 3V RL = 1 k Rin 10k = 100
Asumo RC = 270 ; Req = RC || RL = 270 || 2.7k = 245.45 VRC RC vop Req por factor de seguridad VRC 6.6V
VRC
270 5V VRC 5.5V 254.45 Asumimos VRC = 7V IC 2 = I B2 = IE2 7V VRC = = 25.92 mA RC 270 IC 2 =
25.92mA = 0.25mA 100 = I C 2 + I B 2 = 25.92mA + 0.26mA = 26.18mA I C1 = IE2 =
I C1 = I E 2 26.18mA = 0.262mA 100 I E1 = I C1 + I B1 = 26.18mA + 0.262mA = 26.44mA I B1 = re1 = 25mV 25mV = = 0.955 26.18mA I C1
65
re1 + RE1 =
245.45 = 8.18 30 A RE1 = 8.18 re1 = 8.18 0.955 = 7.23 =
Req
RE1 = 7.5 I 3 >> I B1 Estabilida de polarizaci n en Q 1
I 2 = I 3 + I B1 I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizaci n en Q 2 I1 = I 2 + I B 2 V B 2 = V E 1 + VCE 1 + V JBE 2 V B 2 V B1 = VCE 1 V B1 = V E 1 + V JBE 1 V V V B1 VCE 1 R3 = B 1 R2 = B 2 = I3 I2 I2 VCE 2 vop + vact ; VCE 2 5V + 2V VCE 2 7V
VCE1 vop1 + vact + vinp re 2 = 25mV 25mV = = 0.964 IC 2 25.92mA re 2 .vop 0.964 5V = = 19mV . re1 + RE1 A 0.955 + 7.5 30
R1 =
Vcc V B 2 I1
vop1 = A1 * vinp = VE1 19mV + 2V + VE1 1V + vinp VE1 = 2V
5V VCE1 2.19V ; 30 VE1 1V + 0.166V VE1 1.16V
por fact. seg. VE1 1.39V
Vcc = VE1 + VCE1 + VCE 2 + VRC = 2V + 2.19V + 7V + 7V = 18.19V Vcc = 20V Vcc = 20V 18.19V = 1.81V Vcc hay como enviar a VCE1 o VCE2 . Envio a VCE1 VCE1 = 4V RET = 2V VE1 = = 75.64 I E1 26.44mA
RE 2 = RET RE1 = 75.64 7.5 = 68.14 RE 2 = 69 I 3 >> I B1 Estabilida de polarizacin en Q1 I 3 = 2.62mA I 2 = I 3 + I B1 = 2.62mA + 0.262mA = 2.88mA I 2 >> I B 2 Estabilida de polarizacin en Q 2 ; I1 = I 2 + I B 2 = 2.88mA + 0.226mA = 3.14mA 2.88mA >> 0.26mA Cumple
66
VB 2 = VE1 + VCE1 + VJBE 2 VB 2 VB1 = VCE1 VB1 = VE1 + VJBE1 V V VB1 VCE1 R3 = B1 R2 = B 2 = I3 I2 I2 R3 = R2 = R1 = VB1 2V + 0.6V = = 992 2.62mA I3 VCE1 3V = = 1.042k 2.88mA I2 R3 = 1k R2 = 1k
R1 =
Vcc VB 2 I1
Rin = R2 || R3 || ( + 1)(re1 + RE1 ) = 1k || 1K || (101)(0.955 + 7.5) = 315.4

Calculo de capacitores X 1 << Rin
Vcc VB 2 20V 2V 3V 0.6V = = 4.58k 3.14mA I1
R1 = 4.7k
X 2 << re 2 ( 2 + 1) C2 >> C2 >> 1 2. . f min re 2 ( 2 + 1)
C1 >> C1 >>
1 2. . f min Rin
1 2. .1kHz * 315.4 C1 >> 504.6nF C1 = 6.8F X 3 << RL C3 >> C3 >> 1 2. . f min RL
1 2. .1kHz * 0.964 *101 C2 >> 1.6F C2 = 18F X 4 << RE1 + re1 C4 >> C4 >> 1 2. . f min (RE1 + re )
1 2. .1kHz * 2.7k C3 >> 58.9nF C3 = 0.68F
1 2. .1kHz * (7.5 + 0.955 ) C4 >> 18F C4 = 220F
67
Amplificador Diferencial El circuito amplificador diferencial es una conexin extremadamente comn utilizada en circuitos integrados. Esta conexin se puede describir al considerar el amplificador diferencia bsico que se muestra en la figura. Este circuito posee dos entradas separadas y dos salidas separadas y los emisores estn conectados entres s. Mientras que la mayora de los circuitos amplificadores diferenciales utilizan dos fuentes de voltaje, el circuito puede operar utilizando slo una de ellas.
Es posible obtener un nmero de combinaciones de seales de entrada: Si una seal de entrada se aplica a cualquier entrada con la otra entrada conectada a tierra, la operacin se denomina Terminal simple. Si se aplican dos seales de entrada de polaridad opuesta, la operacin se denomina Terminal doble. Si la mismas entrada se aplica a ambas entradas, la operacin se denomina modo comn
Anlisis del amplificador diferencial
68
Vin = Vin1 Vin2 La salida se encuentra en cualquiera de los colectores.
Vo Q1 EC A1 A1 = RC re1 + re 2 || RE
pero si re 2 << RE A1 = A1 = RC re1 + re 2 RC 2 re ; re1 = re 2 = re
Vo Q1 CC A1 A = A1 A2 Q2 BC A2 A1 = re 2 || RE re1 + re 2 || RE
69
si re 2 << RE A1 = A1 = A2 =
re 2 re1 + re 2
re1 = re 2 = re
1 2
RC RC = re 2 re
A = A1 A2 1 R = C 2 re A= RC 2 re
Es decir, tenemos la misma seal de salida pero con fase distinta.
A=
RC re1 + RE1 + RE 2 || ( RE1 + re 2 )
si RE 2 >> re2 + RE1 A= A= RC re1 + RE1 + re2 + RE1 RC 2( re + RE1 ) ; re1 = re 2 = re (como sucede en la prctica)
70
Para el diseo
-
Asumimos RC Calculamos: 1. 2. 3. 4. 5. 6. VRC IC re re + RE1 VCE VE
comprobando estabilidad con A
VCC = VRC + VCE VJBE VE se puede asumir para tener simetra VRE 2 = VCC VJBE VRE 1 RE 2 = VRE 2 2IE VE = VCC + VJBE
siendo VRE1 = I E RE1
Haciendo con simetra, es decir, VCC = VCC RE 2 NO molesta y tenemos:
Implementando la fuente de corriente
71
VCE al menos 3V Vact VC 3 = VCC VJBE VRE1 VCE 3 3V Primero se debe elegir un Zener tal que VZ < VCC Asumir VZ VRE 2 = VZ VJBE RE 2 = VRE 2 2IE
Calculando VCC VZ R = I I >> I B Z I Z I ZT I = IZ + I B
dato que da el manual de tal forma que el Zener funcione al valor deseado
Entonces, si se utiliza una sola fuente
72
Acoplamiento directo
Es un circuito conectado en cascada pero la nica diferencia es que no se utiliza capacitor para acoplar sino simplemente un cable
V1 +V
R1
IB2
RC1 IB2 IC Q1 VB2
RC1 CC1 +
CB +
Q2
RE1 Vin 1 KHz + R2 RE2 CE
RE4
RL
RE3
CE1
VB 2 >> VC1 VC1 = VCE1 + VE1 VCE1 >> vop1 + Vact + vinp VE1 >> 1v + vinp VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 >> VRC1 VRC1 >> RC1 vop1 RC1 Rin 2
I C1 >> I B 2 I RC1 = I C1 + I B 2
73
Si VB 2 < VC1 Entonces se recalcula VB 2 luego el nuevo VCC y el exceso se manda al voltaje VCE a la regin activa. Se realiza el diseo normalmente hasta el calculo de re + RE1 luego se calcula VC1 con lo que calculo RET El Q2 esta en emisor comn con lo que se realiza los clculos de Rc, VRc, Ic, re, RE2 y VE=1+ vinp En el siguiente circuito las condiciones a cumplir son:
V B 2 = VE + VJBE 2 VB 2 >> VRC1 RC1 VRC1 vop1 RC1 Rin 2 VRC 2 + VCE 2 VJBE 2 VC1 V = V + V CE1 E1 C1 V v + V + v act inp1 CE1 op1 VE1 1V + vinp1 I RC1 >> I B 2 Estas condiciones se deben verificar. En este circuito siempre se cumplen I C1 = I RC1 + I B 2
74
RESPUESTA DE FRECUENCIA INTRODUCCION
El anlisis hasta el momento se ha limitado a una frecuencia particular. Para el caso del amplificador, se trata de una frecuencia que, por lo regular, permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos, con lo que se reduce el anlisis a uno que solamente incluye elementos resistivos y fuentes independientes o controladas. Ahora, se revisarn los efectos de la frecuencia presentados por los elementos capacitivos mayores de la red en bajas frecuencias y por o elementos capacitivos menores del transistor para altas frecuencias. Para el anlisis de frecuencia vamos a utilizar el diagrama de Bode y manejar valores en decibeles (dB). La respuesta de frecuencia es la curva que se obtiene a la salida, a partir de los diferentes valores que toma la seal de salida en funcin de la frecuencia de la seal de entrada. En la siguiente grfica vamos a observar un ejemplo de caracterstica de frecuencia sobre la carga.
El anlisis de la seal de salida la podemos hace con la potencia, voltaje, corriente de salida del circuito o incluso las ganancias de potencia, voltaje o corriente.
Ancho de Banda: Es un trmino muy utilizado en anlisis de frecuencia y es el rango de frecuencias correspondiente a su utilizacin normal.
75
A continuacin haremos el anlisis de los puntos de media potencia para las opciones de la seal de salida.
Potencia de Salida
Potencia Po Sea Pomax el valor mximo Los puntos de media potencia estarn localizados en : Pomax 2
En Decibeles : 10 * log Pomax = 10 log Pomax 10 log 2 2 = Pomax (dB) 3dB
76
Voltaje de Salida La relacin que existe entre el voltaje y la potencia es :

Po Vo 2 Puntos de media potencia Pomax Vo Vo 2 max = max = (0.707 * Vomax ) 2 2 2
2 2
En Decibeles : Vo 10 * log max 2

2
= 20 log
Vomax 2
= 20 log Vomax 20 log 2 = Vomax (dB) 3dB
77
Ganancia de potencia
Se tiene la relacin de potencia : Gp =
Po Pin Los puntos de media potencia estarn localizados en : Pomax Gpmax = 2 Pin 2
En Decibeles : 10 * log Gpmax = 10 log Gpmax 10 log 2 2 = Gpmax (dB) 3dB
78
Ganancia de voltajes
Al igual que en potencia, la relacin que existe entre la ganancia voltaje y la ganancia de potencia es : Gp Gv 2 puntos de de media potencia Gpmax Gv Gv 2 max = max = (0.707 * Gvmax ) 2 2 2
2 2 2
En Decibeles : Gv 10 * log max 2

2
= 20 log
Gvmax 2
= 20 log Gvmax 20 log 2 = Gvmax (dB) 3dB
79
Respuesta de frecuencia Para determinar la caracterstica de un circuito debemos obtener la funcin de transferencia del mismo en funcin de la frecuencia. A partir de esta expresin en funcin de la frecuencia realizaremos el diagrama de Bode
Funcin de transferencia G =
(1 + ja1 )(1 + ja2 )................................(1 + jan ) (1 + jb1 )(1 + jb2 )................................(1 + jbm )
En decibeles:
GdB = 10 log1 + ja1 + 10 log1 + ja2 + ... + 10 log1 + jan 10 log1 + jb1 10 log1 + jb2 ... 10 log1 + jbm
Dada ya la funcin de transferencia tenemos que realizar la respectiva grfica que representa dicha funcin (caracterstica de magnitud), para esto vamos a utilizar el modelo asinttico de ciertos trminos que generalmente aparecen en estas funciones.
Para un trmino: 0 jk
0 jk = k 2 2 = k .
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico. Para: Para 0 Para
Bajas frecuencias Alta frecuencia
Funcin En dB transferencia
G=0
G=
G =1
Para = 1 / k
Por lo tanto las grficas para este trmino son:
Para un trmino:
1 = 0 jk 1 k 2 2
1 0 jk
1 k
80
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico. Para: Para 0 Para Para = 1 / k Por lo tanto las grficas para este trmino son: Funcin En dB transferencia G= G=0 G =1 0
1 jk = 1 + k 2 2
Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico. Para: Para 0 Para = 1 / k Para Por lo tanto las grficas para este trmino son: Funcin En dB transferencia G =1 0 3 G= 2 G=
81
Para un trmino:
1 1 jk
1 1 = 1 jk 1 + k 2 2 Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico.
Para: Para 0 Para = 1 / k Para
Funcin En dB transferencia G =1 0 3 G = 1/ 2 G=0
La pendiente de las rectas se justifica mediante: Sea una seal de ganancia de potencias cuya funcin de transferencia sea Gp = 1 + jk GpdB = 10 * log 1 + jk = 10 log 1 + k 2 2 = 5 log 1 + k 2 2 ;
sea C =
1 k
>> C 2 = 5 log1 + 2 ; = 10C C 2 GpdB = 5 log 2 = 10 log(10) = 10 dB / dcada C

Ahora si es una seal de ganancia de voltajes cuya funcin de transferencia sea igual a la anterior Gv = 1 + jk 1 GvdB = 20 * log 1 + jk = 20 log 1 + k 2 2 = 10 log 1 + k 2 2 ; sea C = k >> C 2 = 10 log1 + 2 ; = 10C C
2 GpdB = 10 log 2 = 20 log(10 ) = 20 dB / dcada C
82
Frecuencia de corte Se denomina as al codo que est presente en algunos diagramas de bode por ejemplo en la grfica la frecuencia de corte est indicada como C:
La localizacin de la frecuencia de corte va depender de en que seal estemos trabajando por lo que se demostrar para potencias y para voltajes
Sea G = Go(1 + jk ) Si G = Gp Ganancia de potencia En decibeles : GdB = 10 log Go + 10 * log 1 + jk Para estar en los puntos de media potencia la expresin 10 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB 10 * log 1 + jk = 3dB 1 + jk = 10 0.3 1 + jk = 2 1 + k 2 2 = 2 1 + k 2 2 = 4 k 2 2 = 3 La frecuencia de corte es = C = Si G = Gv Ganancia de voltaje En decibeles : GdB = 20 log Go + 20 * log 1 + jk Para estar en los puntos de media potencia la expresin 20 * log 1 + jk debe ser igual a 3dB 20 * log 1 + jk = 3dB 1 + jk = 10 0.15 1 + jk = 2 1 + k 2 2 = 2 3 k si G = Gp
83
1 + k 2 2 = 2 k 2 2 = 1 La frecuencia de corte es = C = 1 k si G = Gv
Caracterstica de Fase Ahora vamos a observar las grficas para las caractersticas de fase de cada uno de los trminos detallados anteriormente. Para un trmino: 1 jk
k 1 jk = arctg 1 Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico. Para: Para 0 Para = C = 1 / k Para Por lo tanto la grfica para este trmino es: = 0 = 45 = 90
Para un trmino:
1 1 jk
1 k = arctg 1 jk 1 Entonces realizamos una tabla que nos permitir luego generar el grfico. Para: Para 0 Para = C = 1 / k Para = 0 = 45 = 90
84
Por lo tanto la grfica para este trmino es:
k 0 jk = arctg ; = 90 0 Por lo tanto la grfica para este trmino es:
Para un trmino:
1 0 jk
1 k = arctg ; 0 jk 0
= 90
Por lo tanto la grfica para este trmino es:
Respuesta de frecuencia en amplificadores Ahora ya conocida la forma de realizar los diagramas de Bode para distintas formas de la funcin de transferencia analizaremos la respuesta de frecuencia para los amplificadores con TBJ.
Debemos tomar en cuenta las siguientes consideraciones: En caso de que el circuito produzca desfasamiento, deber tambin aadirse la caracterstica de desfasamiento que produce este.
85
Los elementos reactivos son los que producen la parte imaginaria de la funcin de transferencia de entrada Capacitores de salida de ajuste de ganancia La metodologa que se utiliza para demostrar la caracterstica de frecuencia en la configuracin de emisor comn es igual para el resto de configuraciones Para sacar la caracterstica de frecuencia total hay que sumar la caracterstica de fase de cada capacitor
A continuacin se va a realizar el anlisis de la caracterstica de fase de la configuracin en emisor comn en cada uno de los capacitores.
Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de entrada
Se tiene el siguiente circuito equivalente de la parte de entrada del amplificador donde se ha considerado que el generador es ideal y lo que observa este es el capacitor de base CB y la impedancia de entrada.
CB
Vo
+ Vin Rin
Si Vin = constante generador es ideal Rg = 0 Vo = Rin Vin X B + Rin
Vo Rin = Gv = Vin X B + Rin
86
Gv en funcin de Gv = j.C B .Rin 1 + j.C B Rin
Rin 1 + Rin j.C B
Gv =
Sea b la frecuencia de corte del capacitor de base
b =
1 C B .Rin
b 1+ j b
j
Con nuestro conocimiento para realizar el diagrama de bode de la funcin de transferencia, graficamos el numerador y el denominador y despus los sumamos las pendientes para obtener la grfica total. Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador
De la grfica total podemos concluir que a bajas frecuencias el capacitor de base es circuito abierto mientras que a altas frecuencias a partir de la frecuencia de corte b es corto circuito.
87
Podemos concluir entonces que cuando:
= b = =
1 C B .Rin 1 1 .Rin X B
X B
Rin
X B = Rin
Caracterstica de frecuencia que produce un capacitor de salida
A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de salida obtenemos: Gv = A = A= RC || ( X C + RL ) re + RE1
RC .( X C + RL ) (re + RE1 )(RC + X C + RL )
1 j.C + RL RC C A= . (re + RE1 ) 1 RC + + RL j.CC A= RC 1 + j.CC .RL . (re + RE1 ) 1 + j.CC .(RC + RL )
Sea C1 y C2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces
C2 = C1
C1 > C2 1 = CC (RC + RL ) 1 C C RL 1+ j
RC C2 . A= (re + RE1 ) 1 + j C1
Entonces realizamos la grafica del numerador y del denominador
88
Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador
Lo que se concluye de la grfica es que a baja frecuencia se obtiene la ganancia mxima y hasta C2 va disminuyendo; a partir de esta frecuencia la ganancia es constante pero baja. Baja frecuencia:
max. A max. Vo
A=
RC re + RE1 RC || RL re + RE1
Capacitor abierto Carga en colector RC
Alta frecuencia:
A=
Capacitor cortocircuito Carga en colector Req
Comprobacin
C2 RC A= . (re + RE1 ) 1 + j C1 Para 0 baja frecuencia

1+ j A= RC (re + RE1 ) ( LQQD)
Para alta frecuencia RC RC CC .RL RC .RL 1 A= . C1 = . . = (re + RE1 ) C 2 (re + RE1 ) CC .(RC + RL ) (RC + RL ) (re + RE1 ) A= RC || RL (re + RE1 ) ( LQQD)
89
Caracterstica de frecuencia sobre la carga (RL)
El anlisis anterior era en el Terminal del colector, ahora en la carga debemos tener una caracterstica semejante a la caracterstica del capacitor de entrada para poder conectarla a una siguiente etapa por lo tanto con las graficas anteriores hacemos un arreglo de tal manera que me genere el siguiente grfica.
Del anlisis del capacitor de salida hecho anteriormente obtenemos que: Cuando : = C1 = CC .(RC + RL ) 1
1 1 .(R + RL ) X C C
(RC + RL )
X C
X C = (RC + RL ) Cuando : = C 2 = 1 CC .RL 1 1 .RL X C
X C
RL
X C = RL Del grfico se observ que solo se va utilizar una frecuencia de corte (C2) y potemos decir que esta frecuencia es el punto de divisin en el que el capacitor o est en cortocircuito (altas frecuencias) o est en circuito abierto (bajas frecuencias) 90
Caracterstica de frecuencia del capacitor para ajuste de ganancia
En el caso de la configuracin en emisor comn es el capacitor colocado en emisor. A partir de la ganancia del circuito incluyendo la reactancia que produce el capacitor de emisor obtenemos: A= A= Req re + RE1 + X CE || RE 2 Req 1 .R E 2 j.C E re + RE1 + 1 + RE 2 j.C E Req re + RE1 + A= Req re + RE1 + RE 2 Req re + RE1 + RE 2 RE 2 1 + j.C E RE 2 = Req re + RE1 + RE 2 + j.C E RE 2 (re + RE1 ) 1 + j.C E RE 2 Sea REeq =
A=
1 + j.C E RE 2 ; R (r + RE1 ) 1 + j.C E E 2 e re + RE1 + RE 2 1 + j.C E RE 2 1 + j.C E REeq
RE 2 (re + RE1 ) = RE 2 || (re + RE1 ) re + RE1 + RE 2
A=
Sea E1 y E2 las frecuencias de corte del capacitor de salida entonces
E1 = E2
1 C E RE 2 > E1 1 E2 = CC REeq 1+ j
Req E1 A= . re + RE1 + RE 2 1 + j E2
Del anlisis anterior obtenemos que: 1 Cuando : = E1 = C E .R E 2
1 1 .R E 2 X E
X E
RE 2
X E = RE 2
91
Cuando : = E 2 =
1 C E .REeq 1
1 .R X E Eeq
X E
REeq
X E = REeq
Caracterstica de frecuencia del Numerador y denominador Graficando la funcin de transferencia y ubicando los valores de E1 y E1.
A baja frecuencia hasta E1 (capacitor circuito abierto) en el denominador de la frmula de la ganancia se tiene re+RE1+RE2 y para al alta frecuencia (capacitor cortocircuito) a partir de E2 se tiene en el denominador re+RE1. En el intervalo desde E1 hasta E2 no hay ni circuito abierto ni cortocircuito hay la una reactancia. Comprobacin del comportamiento del capacitor:
Req E1 . A= re + RE1 + RE 2 1 + j E2 Para 0 baja frecuencia

1+ j A= Req re + RE1 + RE 2
( LQQD) 92
Para alta frecuencia Req Req Req R (r + RE1 + RE 2 ) C .R A= . E2 = . E E2 = . E2 e re + RE1 + RE 2 E1 re + RE1 + RE 2 C E .REeq re + RE1 + RE 2 RE 2 (re + RE1 ) A= Req re + RE1 ( LQQD)
Cuando se vaya a resolver ejercicios que requieran cumplir con condicin de frecuencia se recomienda graficar primero la caracterstica del emisor y ubicar sus respectivas frecuencias de corte luego dibujar las caractersticas de base y colector haciendo que coincidan las frecuencias de corte de estos con la grfica de las caractersticas de emisor segn como se desee y no ubicar entre las frecuencias de corte (E1 < < E2). Finalmente realizar la respectiva suma de las pendientes de cada caracterstica. A continuacin se muestra un ejemplo.
Como observamos en las graficas los y estn rotulados con una C, esta indica caracterstica mas no capacitor por lo tanto en el eje que esta CE lo que seala es que es la caracterstica del emisor.
93
Ejercicio
A = 20 vop = 3V RL = 7.5 k = 100
Y tenga la siguiente caracterstica de frecuencia
Asumo Rc = 1 k Req = RC || RL = 7.5k || 1k = 882.3 Asumimos resistencias de tolerancia 10 % VRC VRC RC vop Req por factor de seguridad VRC 4.08V
1k 3V VRC 3.4V 882.3 Asumimos VRC = 4.5V IC = re = VRC 4.5V = = 4.5 mA 1k RC 25mV 25mV = = 5.56 4.5mA IE Req =
882.3k = 44.12 20 A El objetivo del ejercicio es realizar la parte de respuesta de frecuencia por lo que se da poca importancia el hecho de que no sea estable termicamente. re + RE1 =
94
RE1 = 44.12 re = 44.12 5.56 = 38.56 RE1 = 39 vinp = VCE 3V = 0.15V A 20 vop + vact + vinp ; VCE 3V + 2V + 0.15V VCE 5.15V = vop
VE 1V + vinp VE 1V + 0.15V VE 1.15V por el factor de seguridad VE 1.38V VE = 2V RET = 2V VE = = 444.4 I E 4.5mA
RE 2 = RET RE1 = 444.4 39 = 405.4 RE 2 = 390 Vcc = VE + VCE + VRC = 2V + 5.15V + 4.5V = 11.65V Vcc = 12V el exceso envio a VCE para asegurar ms que el TBJ este en la reg, activa Ahora pasamos al diseo del lado de entrada para eso utilizamos la relacin IB = IC
4.5mA = 45A 100 Estabilidad de polarizacin
I 2 >> I B
I 2 = 450 A I1 = I B + I 2 = 45A + 450 A = 495A R2 = VB VE + VJBE 2V + 0.6V = = = 5.77 k 450 A I2 I2 Vcc VB 12V 2.6V = = 18.99k 495A I1
R2 = 5.6k R1 =
R1 = 18k Rin = RB || RinT = RB || (( + 1)(re + RE1 ) ) = 4.27 k || (101(5.56 + 39 )) = 2.2k RB = R1 || R2 = 18k || 5.6k = 4.27 k
Ahora para realizar el anlisis de frecuencia para el clculo de capacitores primero se realiza la planificacin graficando cada una de las caractersticas. 95
Planificacin
Para f B = 1kHz X B = Rin X B = 2.2k CB = 1 1 = 2. . f B . X B 2. .1kHz * 2.2k

82 nF 68 nF
C B = 72.34nF Para f E 2 = 1kHz X E = REeq
X E = RE 2 || (re + RE1 ) X E = 39.99 CE =
X E = 390 || (5.56 + 39 ) 1 1 = 2. . f E 2 . X E 2. .1kHz * 39.99

4.7 F 3.3 F
C E = 3.98F Para f C = 1kHz X C = RL X C = 7.5k CC =
1 1 = 2. . f C . X C 2. .1kHz * 7.5k
22 nF 18 nF
CC = 21.22nF Para calcular fE1 X E = RE 2 = 390 fE2 = 1 1 = 2. . X E .C E 2. * 390 * 43.98F
f E 2 = 102.54 Hz Queremos que el capacitor de base fije el codo C B = 68nF fB = 1 1 = = 1.06kHz 2. . X B .C B 2. * 2.2k * 68nF
ya que el capacitor de base fija el codo elejimos valores mayores al calculado para que estas frecuencias no varien a la de base. C E = 4.7 F CC = 22nF
96
Respuesta de frecuencia en alta frecuencia
En la regin de alta frecuencia, los elementos capacitivos de relevancia son las capacitancias interelectrdicas (entre terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de cableado entre las terminales de la red. Todos los capacitores grandes de la red que controlaron la repuesta de baja frecuencia se han reemplazado por su corto circuito equivalente debido a sus muy bajos niveles de reactancia. Para el anlisis en alta frecuencia se aade el concepto de efecto Miller y como regla tenemos que para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se incrementar por una capacitancia de efecto Miller sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia interelectrdica (parsita) entre las terminales de entrada y salida del dispositivo activo. A continuacin se seala cada una de estas capacitancias en un grafico y su equivalencia por el efecto Miller.
Se tiene la configuracin en emisor comn con los capacitores de baja frecuencia en cortocircuito y considerando los capacitancias interelectrdicas.
97
Se realiza el anlisis respectivo para obtener el diagrama de bode de cada capacitor.

Co
A= Req || X Co re + RE1 Req .
1 j.CO 1 Req + Req j.CO A= = (re + RE1 )(1 + j.CO .Req ) re + RE1 A= Req re + RE1 . 1 1 + j.CO .Req
Sea o la frecuencia de corte del capacitor
o =
1 Co Req re + RE1 1 + j Req . 1
A=
o
X Co = Req
Cuando = o
Por lo tanto la grfica es
Ce
A=
Req re + RE1 || X Ce
Req (1 + j.Ce RE1 ) Req Req = = RE1 1 re + RE1 + j.Ce RE1re re + .RE1 j.Ce 1 + j.Ce RE1 re + 1 + RE 1 j.Ce
A=
Req re + RE1
1 + j.Ce RE1 R r 1 + j.Ce . E1 e re + RE1
Sea Re eq =
RE1re = re || RE1 re + RE1 98
A=
Req re + RE1
1 + j.Ce RE1 1 + j.Ce . Re eq
Sea e1 y e2 las frecuencias de corte del capacitor
e1 =
1 Ce RE1 > e1 1 e2 e2 = Ce Re eq
e1 . A= re + RE1 1 + j e2
Req 1+ j Cuando = e1 X Ce = RE1
= e1 X Ce = Re eq
Graficando el numerador y el denominador
Cin
99
Zin = X Cin || Rin 1 .Rin Rin j.Cin = Zin = 1 + Rin 1 + j.Cin.Rin j.Cin Rin Zin = . 1+ j
Sea i la frecuencia de corte del capacitor
i =
1 Cin.Rin X Cin = Rin
Cuando = i
Ahora por efecto de las capacidades parsitas podemos disear un circuito que tenga tanto una codo en bajas frecuencia y otro en altas frecuencias segn nuestras necesidades, si deseamos cambiar la frecuencia de corte en alta frecuencia se puede aadir un capacitor por ejemplo en paralelo a cualquier de los capacitores parsitos y luego se procede a disear con el valor de frecuencia que se desea.
100
REALIMENTACIN
Es tomar una parte (una muestra) de la seal de salida y realimentarla (sumarla) con la seal de entrada.
Tipos de realimentacin -
Realimentacin negativa (sinnimo de estabilidad) Realimentacin positiva (sinnimo de inestabilidad)
Sistema de lazo abierto
Vo = AVin Vo + Vo = ( A + A)Vin Vo + Vo = AVin + AVin De (1) y (2) Vo = AVin Vo A (3) = Vo A (1)
(1)
(2) (3)
Sistema de lazo cerrado
Se producir realimentacin negativa cuando en el sumador se d efectivamente la resta de las 2 seales, es decir: Vin V f Se tendr realimentacin positiva cuando en el sumador se d efectivamente la suma de las 2 seales, es decir: Vin + V f 101
Realimentacin Negativa
Ve = Vin V f V f desfasada 180 respecto a Vin Vin > V f
Realimentacin Positiva
Ve = Vin + V f V f en fase respecto a Vin
Ganancia el lazo cerrado G = Af =

Vo = AVe = A (Vin V f ) = A (Vin BVo ) = AVin ABVo
Vo Vin
Vo (1 + AB ) = AVin Vo A =G = Para Realimentacin Negativa Vin 1 + AB
102
Vo = AVe = A (Vin + V f ) = A (Vin + BVo ) = AVin + ABVo
Vo (1 AB ) = AVin Vo A =G= Para Realimentacin Positiva Vin 1 AB
Tomando en general G =
A 1 AB
Realimentacin Negativa
G =
A A = 1 ( A) B 1 + AB
El signo negativo indica nicamente el defasamiento entre la seal de salida y la seal de entrada Otra opcin
G =
A A = 1 A( B ) 1 + AB 103
Realimentacin Positiva
G =
A 1 AB
Otra opcin
G =
A A = 1 ( A)( B ) 1 AB
REALIMENTACIN NEGATIVA
La realimentacin (feedback en ingls) negativa es ampliamente utilizada en el diseo de amplificadores ya que presenta mltiples e importantes beneficios. Uno de estos beneficios es la estabilizacin de la ganancia del amplificador frente a variaciones de los dispositivos, temperatura, variaciones de la fuente de alimentacin y envejecimiento de los componentes. Otro beneficio es el de permitir al diseador ajustar la impedancia de entrada y salida del circuito sin tener que realizar apenas modificaciones. La disminucin de la distorsin y el aumento del ancho de banda hacen que la realimentacin negativa sea imprescindible en amplificadores de audio y etapas de potencia. Sin embargo, presenta dos inconvenientes bsicos. En primer lugar, la ganancia del amplificador disminuye en la misma proporcin con el aumento de los anteriores beneficios. Este problema se resuelve incrementando el nmero de etapas amplificadoras para compensar esa prdida de ganancia con el consiguiente aumento de coste. El segundo problema est asociado con la realimentacin al tener tendencia a la oscilacin lo que exige cuidadosos diseos de estos circuitos. La teora de realimentacin exige considerar una serie de suposiciones para que sean vlidas las expresiones que se van a obtener seguidamente. Estas suposiciones son:
-
La seal de entrada se transmite a la salida a travs del amplificador bsico y no a travs de la red de realimentacin.
104
La seal de realimentacin se transmite de la salida a la entrada nicamente a travs de la red de realimentacin y no a travs del amplificador bsico. El factor B es independiente de la resistencia de carga (RL) y de la resistencia de la fuente.
En las dos primeras suposiciones se aplica el criterio de unidireccionalidad a travs de A y a travs de B, respectivamente. Estas suposiciones hacen que el anlisis de circuitos aplicando teora de realimentacin y sin ella difieran mnimamente. Sin embargo, la teora de realimentacin simplifica enormemente el anlisis y diseo de amplificadores realimentados y nadie aborda directamente un amplificador realimentado por el enorme esfuerzo que exige.
Ventajas -
Estabilizacin de la ganancia Cambio en las impedancias de entrada y salida Extensin de la respuesta de frecuencia (ampliacin del Ancho de Banda) Disminucin de la distorsin no lineal o de amplitud, y en algunos casos del ruido.
Estabilizacin de la ganancia Las variaciones debidas al envejecimiento, temperatura, sustitucin de componentes, etc., hace que se produzca variaciones en el amplificador bsico y, por consiguiente, al amplificador realimentado. Si AB >> 1 A G = B
donde B es generalmente un divisor de tensin
Para el divisor de tensin se recomienda usar resistencias de precisin. Si AB >> 1 y B = 1 (V f = Vo )

G = 1 Vo = Vin pero siempre Vo < Vin Se cumple mejor mientras mayor sea A Ve mnima
105
Si AB >> 1 y B < 1 G = 1 Amplificador
G=
A 1 + AB 1 dG = dA 2 (1 + AB ) dG dA 1 = 2 G (1 + AB ) G dG 1 dA = G 1 + AB A
G 1 A = G 1 + AB A
Los peores enemigos de la estabilidad suelen ser los elementos activos (transistores). Si la red de realimentacin contiene solamente elementos pasivos estables se logra una alta estabilidad. Ejercicio
G=5 Vo = 3V RL = 1 K A = 20% A G = 1% G f = 1 KHz
= 100
Empezamos por el anlisis matemtico 1 A G = G 1 + AB A 1 1= 20 1 + AB 1 + AB = 20 AB = 19
106
G=
A 1 + AB A = G (1 + AB ) = 5 20 A = 100
AB = 19 19 19 B= = A 100 B = 0.19
Terminado el anlisis matemtico previo
Circuito a implementarse
Comenzando el diseo de la 2 Etapa
107
Asumo RC 2 = 1K
VRC 2 VRC 2 RC 2 Vo p Re q2
1K 3V 0.5K 6V 1.3 = 7.8V
VRC 2 = 8V VRC 2 RC 2
IC 2 =
8 1K
I C 2 = 8 mA
re 2 =
25 mV 25m = = 3.125 IC 2 8m Re q2 0.5K = = 50 A2 10

existe estabilidad
re 2 + RE 3 =
RE 3 = 50 re 2 = 50 3.125 = 46.875 RE 3 = 47
VCE 2 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.3 + 2 = 5.3V VE 2 = 1 + Vin p = 1 + 0.3 = 1.3 1.3 = 1.69 VE 2 = 2V
VCC = VRC 2 + VCE 2 + VE 2 = 8 + 5.3 + 2 = 15.3 VCC = 18V

VE 2 2 = = 250 I C 2 8m
RET 2 =
RE 4 = RET 2 RE 3 = 250 47 = 203 RE 4 = 220
108
IB2 =
IC 2
8m = 80 A 100
I 4 = 10 I B = 800 A I 3 = I B 2 + I 4 = 80 + 800 = 880 A VE 2 + VJBE 2 + 0.6 = = 3.25K I4 800
R4 =
R4 = 3.3 K
R3 =
VCC VE VJBE 18 2 0.6 = = 17.5K I3 880
R3 = 18 K Rin 2 = ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || RB = ( + 1)( re 2 + RE 3 ) || R3 || R4 Rin 2 = 101(3.125 + 47) ||18 K || 3.3K = 1.798 K
Diseando la 1 Etapa Asumo RC1 = 1K VRC 2 RC1 Vo p Re q1
1K 0.3V 1.3 = 0.608V 641.578 VRC1 = 6V Distribuyendo de una vez (para no poner solo 1V) I C1 = VRC1 6 = = 6 mA RC1 1K 25 mV 25m = = 4.167 I C1 6m Re q1 641.578 = = 64.158 A1 10 es estable 109
re1 =
re1 + RE1 =
RE1 = 64.158 re1 = 64.158 4.167 = 59.991 RE1 = 62

VCE1 Vo p + Vin p + Vact = 3 + 0.03 + 2 = 2.33V (necesario) VE1 = 1 + Vin p = 1 + 0.03 = 1.03 1.3 = 1.339V (necesario) Dispongo de 12 V VCE1 = 6V y VE1 = 6V VE1 6 = = 1 K I C 1 6m RE 2 = 1 K
RET 1 =
RE 2 = RET 1 RE1 = 1K 62 = 938
I B1 =
I C1
6m = 60 A 100
I 2 = 10 I B1 = 600 A I1 = I B1 + I 2 = 60 + 600 = 660 A VE1 + VJBE 6 + 0.6 = = 11K I2 600
R2 =
R2 = 10 K
R1 =
VCC VE VJBE 18 6 0.6 = = 17.273K I1 330
R1 = 18 K
Para la realimentacin:
110
Vf = Vf Vo
Rb || Rin A Vo p Ra + Rb || Rin A Rb || Rin A = 0.19 Ra + Rb || Rin A
=B=
Por facilidad hacemos:
Vf = Vf Vo
Rin A Vo R f + Rin A
Habiendo hecho Rb >> Rin A
=B=
Rin A = 0.19 R f + Rin A
R + R2 || Rg Rin A = RE1 || re + 1 +1 Rin A = RE1 (?!) B= RE1 = 0.19 R f + RE1
VALOR REAL
CON ERROR
R f = 264.3
P = 500
Potencimetro del doble corregir error
Si hubisemos hecho en una sola etapa, habramos tenido que conectar la realimentacin a BASE.
111
Calculando el capacitor adicional tenemos que B = Teniendo que cumplirse que X Cf << R f + RE1
RE1 R f + X Cf + RE1
Para tener un comportamiento adecuado es necesario que:

-
El bloque B NO cargue al bloque A El bloque A NO cargue al bloque B
Para que el bloque B NO cargue al bloque A:

Caso IDEAL Rin B = Rin B >> Ro A Caso PRCTICO
Para que el bloque A NO cargue al bloque B:

Caso IDEAL Rin A = Rin A >> RoB Caso PRCTICO
Pasos de Diseo -
Asumimos Rf para que el bloque B no cargue el bloque A R f >> RL De la expresin para el bloque B, B =
RE1 , determinamos RE1. R f + RE1
112
Asumiendo la 1 Etapa estable (re despreciable), A1 Siendo Req1 = RC1 || Rin2 Rin2 Req1
Re q1 , de donde obtenemos Req1. RE1
obtenemos condicin de Rin2
Para comenzar el diseo de la 2 Etapa
Impedancias de entrada y salida La realimentacin negativa, mejora las caractersticas de las impedancias de entrada y salida del amplificador realimentado, respecto del amplificador sin realimentar. Por ejemplo para el caso de un amplificador de tensin, es deseable que presente una alta impedancia de entrada para la fuente de seal y una baja impedancia de salida para la carga. La alta impedancia de entrada, evita la sobrecarga y la cada de tensin en la impedancia interna de la fuente de seal. La baja impedancia de salida, tiende a idealizar el equivalente de thevenin de la salida del amplificador, evitando las variaciones de tensin de la salida, por cada de tensin en esta impedancia, ante variaciones de la carga. Extensin de la respuesta en frecuencia Una de las caractersticas ms importantes de la realimentacin es el aumento del ancho de banda del amplificador que es directamente proporcional al factor de desensibilizacin 1 + AB . Para demostrar esta caracterstica, consideremos un amplificador bsico que tiene una frecuencia de corte superior f C . La ganancia de este amplificador se puede expresar como:
A=
AO 1+ j
f fC
siendo AO la ganancia a frecuencias medias y f la frecuencia de la seal de entrada.
113
Pasando a un sistema realimentado G= A 1 + AB Ao 1+ j
f fC G= AoB 1+ f 1+ j fC G= Ao 1 + AoB + j G= f fC 1 f f C (1 + AoB )
Ao 1 + AoB 1 + j
Como se puede observar claramente en la ecuacin obtenida y en el grfico, se aumenta el ancho de banda. Sin embargo, este aumento es proporcional a la disminucin de la ganancia del amplificador. Por ejemplo, si a un amplificador con una Ao = 1000 con una c =200 kHz se le introduce una realimentacin tal que 1+AB = 20, entonces su aumenta hasta 4 MHz aunque su ganancia disminuye a Ao = 50. Disminucin de la dispersin no lineal o de amplitud La realimentacin negativa en amplificadores reduce las caractersticas no lineales del amplificador bsico y, por consiguiente, reduce su distorsin.
Sin realimentacin
Vo = A2 Ve
= A2 (Vo1 + Vd ) = A2 ( A1 Vin + Vd ) 114
Vo = A1 A2 Vin + A2 Vd
Con Realimentacin
Vo = A2 Ve2
= A2 (Vo1 + Vd ) = A2 ( A1Ve1 + Vd ) = A1 A2 Ve1 + A2 Vd = A1 A2 (Vin V f ) + A2 Vd = A1 A2 (Vin BVo ) + A2 Vd
= A1 A2 Vin A1 A2 BVo + A2 Vd Vo(1 + A1 A2 B ) = A1 A2 Vin + A2 Vd
Vo =
A1 A2 A2 Vin + Vd Hemos bajado la distorsin 1 + A1 A2 B 1 + A1 A2 B
Reduccin del ruido En trminos generales, respecto al ruido, podemos decir que la realimentacin negativa reduce los niveles de estas tensiones elctricas indeseables. El ruido y la distorsin presentes en la salida de un amplificador pueden considerarse como consecuencias de la introduccin de una tensin espuria en alguna seccin del amplificador y que es amplificada por la parte del amplificador comprendida entre el punto de inyeccin y la salida. Merced al circuito de realimentacin, esta tensin vuelve al punto de origen y, si la realimentacin es negativa, llega a este con fase opuesta a la original y tiende a anular la que le dio origen.
-
Ruido Blanco: es una seal aleatoria que se caracteriza porque sus valores de seal en dos instantes de tiempo diferentes no guardan correlacin estadstica. Como consecuencia de ello, su densidad espectral de potencia es una constante. Esto significa que la seal contiene todas las frecuencias y todas ellas tienen la misma potencia. Igual fenmeno ocurre con la luz blanca, lo que motiva la denominacin.
115
Ruido peridico: es ms fcil de eliminar (como el rizado)
Formas de Realimentacin
Un amplificador es diseado para responder a tensiones o corrientes a la entrada y para suministrar tensiones o corrientes a la salida. En un amplificador realimentado, el tipo de seal muestreada a la salida (corriente o tensin) y el tipo de seal mezclada a la entrada (tensin o corriente) dan lugar a cuatro tipos de topologas: 1) Realimentacin de tensin en serie 2) Realimentacin de tensin en paralelo 3) Realimentacin de corriente en serie, y, 4) Realimentacin de corriente en paralelo Realimentacin de Voltaje
Desde el punto de vista ideal

Vf = Rb Vo Ra + Rb Vf Rb =B= Vo Ra + Rb
en paralelo (divisor de voltaje)
Modelo equivalente de voltaje
116
Este modelo es adecuado cuando Z i >> RS Z O << RL Realimentacin de Corriente
en serie
2 Vf =
Vf Vo io R f io RL
Rf RL + R f
Vo
1 B= = B=
Rf Vf =B= Vo RL + R f Para que el bloque B no cargue al bloque A Si R f << RL B= Rf RL
Rf RL
Modelo equivalente de corriente
Este modelo es adecuado cuando Z i << RS Z O >> RL

117
Realimentacin de Voltaje en serie
Vo = AVe V f = BVo
Realimentacin de Voltaje en paralelo
Vo = Aie i f = BVo
Realimentacin de Corriente en serie Otra configuracin de realimentacin consiste en seleccionar muestras de la corriente de salida y devolver un voltaje proporcional en serie con la entrada. Al mismo tiempo que se estabiliza la ganancia del amplificador, la conexin con realimentacin de corriente en serie, incrementa la resistencia de entrada.
118
io = AVe V f = Bio
Realimentacin de Corriente en paralelo
io = Aie i f = Bio
Impedancia de entrada Realimentaciones en serie (tanto de voltaje como de corriente)

Zin f = (1 + AB ) Zin
Realimentaciones en paralelo (tanto de voltaje como de corriente)

Zin f = Zin (1 + AB )
Impedancia de salida
119
Realimentacin de Voltaje
Zo f = Zo (1 + AB )
Realimentacin de Corriente
Zo f = (1 + AB ) Zo
Ejercicio G=5 Vo = 5V RL = 470 A = 15% A G = 1% G Zin f 1 K = 100
Anlisis matemtico G 1 A = G 1 + AB A 1 1= 15 1 + AB 1 + AB = 15 AB = 14 A 1 + AB A = G (1 + AB ) = 5 15 A = 75
G=
120
AB = 19 14 14 B= = A 75 B = 0.187 Haciendo realimentacin de voltaje en paralelo
Zin f =
Zin 1K 1 + AB Zin (1 + AB )1K 151K
Zin 15 K
Asumiendo ganancias A1 = 15 y A2 = 5 Req1 A1 Rin +1 1 15 15K 100 Req1 2.25K A2 Rin2 +1 5 2.25K 100 Req2 112.5 Req2 RC 2 || RL 112.5 Rc2 147.902
RC1 || Rin2 2.25 K
Haciendo que el bloque B no cargue al bloque A

R f >> RL Asumo R f = 4.7 K
B=
RE1 R f + RE1 B R f =
RE1 =
(0.187)(4.7 K ) B 1 0.187 1 RE1 = 1.08K RE1 = 1 K
121
A1 =
Req1 re1 + RE1 Req1 RE1
Asumiendo estabilidad para esta etapa re1 << RE1
A1 =
Req1 = 15 1K = 15 K RC1 || Rin2 = 15K Rin2 15K A2 Rin2 +1 5 15K 100 RC 2 || RL 750 470
Req2
Utilizando Darlington en la 2 Etapa Req2
A2
Rin2
5 15K 10000 Req2 7.5 RC 2 || RL 750

470 RC 2 7.62
Resumiendo Para:
Zin f 1 K RC 2 147.9 Recalculando con Darlington en A 2 RC 2 1.12
122
Para que B no cargue a A: RC 2 7.62 RC 2 7.62 (A 2 con Darlington)
(Cumpliendo Ambas Condiciones)
REALIMENTACIN POSITIVA
La utilizacin de realimentacin positiva que da por resultado un amplificador con realimentacin que cuenta con ganancia de lazo cerrado G mayor a uno y que satisface las condiciones de fase, provocar una operacin de circuito oscilador. Un circuito oscilador como tal ofrece una seal variante de salida.
Circuitos Osciladores
Un circuito oscilador es aquel que genera una seal de salida, a una frecuencia determinada, sin seal de entrada. La seal generada puede ser alterna o continua fluctuante (una sola direccin, lo que cambia es la amplitud).
Tipos de osciladores
Onda sinusoidal Los osciladores sinusoidales juegan un papel importante en los sistemas electrnicos que utilizan seales armnicas. A pesar de que en numerosas ocasiones se les denomina osciladores lineales, es preciso utilizar alguna caracterstica no lineal para generar una onda de salida sinusoidal. De hecho, los osciladores son esencialmente no lineales lo que complica las tcnicas de diseo y anlisis de este tipo de circuitos. El diseo de osciladores se realiza en dos fases: una lineal, basado en mtodos en el dominio frecuencial que utilizan anlisis de circuitos realimentados, y otra no lineal, que utiliza mecanismos no lineales para el control de amplitud. nicamente se debe satisfacer la condicin BA = 1 para que se obtengan oscilaciones autosostenidas. En la prctica, BA se hace mayor a 1 y el sistema comienza a oscilar mediante la aplicacin de voltaje de ruido, que siempre est presente. Los factores de saturacin en el circuito prctico proporcionan un valor promedio de BA de 1. Las formas de onda resultantes nunca son exactamente senoidales, sin embargo, mientras ms cercano se encuentre el valor de BA a 1, la forma de onda ser ms cercana a una senoidal. Una diferencia fundamental respecto a los circuitos multivibradores es que estos ltimos son circuitos no lineales (basados en comparadores, disparadores de Schmitt, etc.) frente a los circuitos cuasi-lineales de los osciladores.
123
Onda no sinusoidal Dentro de este tipo se encuentran los osciladores de relajacin, los cuales emplean dispositivos biestables tales como conmutadores, disparadores Schmitt, puertas lgicas, comparadores y flip-flops que repetidamente cargan y descargan condensadores. Las formas de onda tpicas que se obtiene con este mtodo son de tipo triangular, cuadrada, exponencial o de pulso.
Aplicaciones -
En transmisin y recepcin de radio y TV (como oscilador local generador de seales portadoras). En calentamiento dielctrico o inductivo. En equipos de medida y/o laboratorio.
Condiciones bsica de oscilacin
1. El circuito bsicamente debe ser un amplificador. 2. Debe tener realimentacin positiva. 3. La cantidad de realimentacin debe ser suficiente para vencer las prdidas del circuito de entrada.
Vo = AVe = A (Vin + V f ) = A (Vin + BVo ) = AVin + ABVo
Vo (1 AB ) = AVin Vo A =G= 1 AB Vin
Para que el circuito oscile:
124
G= ( + A)( + B ) = 1 AB = 1 ( A)( B ) = 1
A = 0 AB = 0 B = 0 A = 180 AB = 360 B = 180
Las condiciones de oscilacin que tenemos son:

AB = 1 AB = 0 360 1 2
Las Funciones de Transferencia (FT) A = Ar + jAi B = Br + jBi
tan =
Ai Ar
tan =
Bi Br
1 AB = 1 A B = 1 Ar 2 + Ai 2 + Br 2 + Bi 2 = 1
(A
+ Ai 2 )( Br 2 + Bi 2 ) = 1
125
2 AB = 0 360 A = = 0 tan = 0 Para AB = 0 B = = 0 tan = 0 A = = 180 tan = 0 Para AB = 360 B = = 180 tan = 0 tan = 0 Ai = 0 tan = 0 Bi = 0
1 Ar Br = 1 Generalmente encontramos la FT del bloque B
Circuito oscilador de desplazamiento de fase u oscilador RC
Todos los osciladores involucran uno o ms elementos almacenadores de energa. En forma general se pueden clasificar segn el tipo de almacenadores. Tenemos, as, los osciladores LC, que utilizan capacitores e inductores, y los osciladores RC, que utilizan capacitores y resistores. Para frecuencias menores que 100 KHz, se trata de evitar el uso de bobinas, surgiendo as los osciladores RC. Este tipo de oscilador sigue el desarrollo bsico de un circuito realimentado, es decir, la ganancia de lazo AB es mayor que la unidad y el corrimiento de fase alrededor de la red de realimentacin es de 180 (proporcionando realimentacin positiva).
Cada conjunto de RC produce un defasamiento de 60 126
Vo
Vo = io Req Req = Rc || RL R = R + Rin X
Vf Vo
= B = Br + jBi = ?
De este desarrollo tenemos B= R 2 Rin 3 C 3 ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )

2
(1 6R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 ) + ( R3 3C 3 + 3R 2 Req 3C 3 5RC + ReqC ) (1 6R C

2 2
4 RReq 2 C 2 ) + ( R 3 3 C 3 + 3R 2 Req 3 C 3 5RC + ReqC )

2
R 2 Rin 3 C 3 (1 6 R 2 2 C 2 4 RReq 2 C 2 )
Para que el circuito oscile:

Bi = 0 f OSC = 1 2 RC 6 + 4 K , K= Req R
Ar Br = 1 Ar = 29 + 23K + 4 K 2
127
A = 29 + 23K + 4 K 2 4 K 2 + 23K + 29 A = 0 23 232 4(4)(29 A) 8 23 65 + 16 A K= como nicamente puede ser (+) 8 K= K= 23 + 65 + 16 A 8
65 + 16 A > 23 65 + 16 A > 529 A > 29
Ejercicio
Vo = 3V RL 1 K f OSC = 2KHz
Asumo A=40 23 + 65 + 16 A 8 23 + 65 + 16(40) = 8 K = 0.444 K= Asumo RC = 1 K Req = RC || RL = 1K ||1K = 500 R= Req 500 = = 1.126 K 0.444 K R = 1.2 K
Calculando C
128
C= =
1 2 R f OSC 6 + 4 K 1 2 (1.2 K )(2 K ) 6 + 4(0.444)
C = 23.781 nF
Desde este punto se disea como se ha venido haciendo Asumo resistencias de Tolerancia 20 % VRC VRC RC 1 Vop 1.3 = 3 1.3 = 7.8V Req 0.5 = 8V VRC 8 = = 8 mA RC 1K 25 mV 25m = = 3.125 iC 8m Req 500 = = 12.5 A 40 No es estable
IC =
re =
re + RE1 =
Corrigiendo la estabilidad, asumo re = 1 IC = 25 mV 25m = = 25 mA re 1
VRC = I C RC = (25m )(1K ) = 25V RE1 = 12.5 re = 12.5 1 = 11.5 Vin p = 0 debido a que es oscilador VE = 1 + Vin p = 1 1.3 = 1.3V VE = 2V VCE = Vo p + 1 = 3 + 1 = 4 VCE = 4V debe ser exacto - NO redondear
0
RE1 = 12
129
RET =
VE 2 = = 80 I C 25m
VCC = VRC + VCE + VE VCC = 25 + 4 + 2 = 31V
NOTA:
Si realizamos algn redondeo en VCC debemos:

-
Mandar el voltaje sobrante a VE y, Recalcular RE2
130
IB =
IC
25m = 250 A 100
I 2 = 10 I B = 10 250 = 2.5 mA I1 = 11I B = 11 250 = 2.75 mA VR1 = VCC VJBE VE = 31 0.6 2 = 28.4V
R1 =
VR1 28.4 = = 10.327 K I1 2.75m VB 2 + 0.6 = = 1.04 K I2 2.5m
R1 = 10 K
R2 =
R2 = 1 K
Rin = RB || RinT = R1 || R2 || RinT = 537.17
23.8 nF
23.8 nF
23.8 nF
Ponemos potencimetro del doble
Rx = 662.83 1.2 K 1.2 K Rin = 537.17
Vo
Si el valor de Rin saldra mayor a lo requerido tendramos que realizar el siguiente procedimiento: Ejemplo Rin = R1 || R2 || RinT = 2 K
R1 || R2 || RinT = 1.2 K ?
Ya NO necesitamos RX
Tenemos que calcular R2 y cambiar el circuito de la siguiente manera: 131
Donde sera mejor utilizar un potencimetro en R2.

NOTA:
En el diseo RL 1 K , debido a que para valores mayores el diseo funciona, pero:

-
Oscila a una frecuencia distinta. El Vo es mayor. Existe demasiada realimentacin.
Hay que tener en cuenta que al elegir el valor de A (ganancia) debemos considerar la tolerancia de las resistencias a utilizarse y su respectivo factor de seguridad. Diseo para que el bloque B no cargue al bloque A
En forma aproximada R >> RL , para lograr que el bloque B no cargue al A. Asumo R = 10 K Comenzando el diseo del amplificador, asumo RC = 1 K K= Req 1K ||1K = = 0.05 10 K R
A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.05) + 4(0.05) 2 A = 30.16 132
Obtenido este valor se debe hacer una consideracin acerca de la tolerancia de las resistencias. En este caso todas las resistencias a utilizarse deberan ser de una tolerancia < 4%.
C= = 1 2 R f OSC 6 + 4 K 1 2 (10 K )(2 K ) 6 + 4(0.05)
C = 3.196 nF
El resto del diseo se realiza de manera similar a la que se ha venido utilizando. Otro diseo para que el bloque B no cargue al bloque A
Para que el bloque B no cargue al A: R >> Req Asumo RC = 1 K Req = RC || RL = 1K ||1K = 0.5K Entonces, asumo R = 5.6 K K= Req 0.5K = = 0.0893 5.6 K R
A = 29 + 23K + 4 K 2 = 29 + 23(0.0893) + 4(0.0893) 2 A = 31.085 Al igual que en la anterior opcin, es necesario considerar la tolerancia requerida para las resistencias con las cuales vamos a trabajar. En este ejemplo todas las resistencias a utilizarse deberan ser de una tolerancia < 7%.
C= = 1 2 R f OSC 6 + 4 K 1 2 (5.6 K )(2 K ) 6 + 4(0.0893)
C = 5.636 nF
133
Oscilador de puente de Wien
El oscilador de desplazamiento de fase estudiado es muy sencillo y funciona con facilidad. Sin embargo, su estabilidad en frecuencia es ms bien pobre, hacindolo inviable para aplicaciones de precisin. Se puede sustituir la red de desplazamiento de fase por un circuito conocido como puente de Wien cuya aplicacin ms conocida es la medicin de impedancias.
El amplificador operacional se constituye en el bloque A, pero tambin podra hacerse con TBJs. Para la realimentacin negativa (bloque B) tenemos:
134
Vf = Vf Vo
R2 || X C 2 Vo R1 + X C1 + R2 || X C 2 R2 || X C 2 R1 + X C1 + R2 || X C 2
=B= : :
B = Br + jBi = ?
Br =
(1 C C R R )
2 1 2 1 2
2C1R2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )

2
+ 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
Br =
(1 C C R R )
2 1 2 1 2
C1R2 (1 2C1C2 R1R2 )

2
+ 2 ( C1R1 + C2 R2 + C1R2 )
Bi = 0
f OSC =
1 2 C1C2 R1R2
Br =
C1R2 C1R1 + C2 R2 + C1R2 C1R1 + C2 R2 + C1R2 C1R2
Ar =
C = C2 = C El la prctica lo que se hace es 1 R1 = R2 = R
Entonces
f OSC = 1 2 C R Br = 1 3
Ar = 3
Br = B =
Vf Vo
1 3
Vf =
Vo = V1 3 135
Para que el puente est equilibrado V1 = V2

Rb Vo Vo = Ra + Rb 3 3Rb = Ra + Rb Ra = 2 Rb
Con amplificador operacional Un factor a considerar en este caso es que debido a que la corriente de salida (IO) est en unidades de mA vamos a requerir de un valor mnimo de RL. Para evitar inconvenientes el momento de elegir las resistencias observamos que se cumpla: R f + R1 50 K Para el diseo:
-
Comenzamos asumiendo R Tomamos en cuenta que todas las resistencias sean > 50 K
Con TBJ En 2 Etapas

R f = Ra Tomamos la consideracin que RE1 = Rb
La realimentacin negativa () se conecta a emisor La realimentacin positiva (+) se conecta a base
a la entrada
Rin || R2 || C2
136
Otra opcin que tenemos es hacer que Rin haga de R2 En 1 Etapa

-
La realimentacin negativa () se conecta a base. Rin = Rb La realimentacin positiva (+) se conecta a emisor. R2 = RE1
Consideraciones En la prctica resulta que la oscilacin crece constantemente en amplitud ya que los amplificadores operacionales no son ideales, sino que alcanzarn la saturacin al cabo de unos pocos ciclos. Para solventar este problema se debe reajustar la ganancia, con una resistencia variable con la tensin. Esto es relativamente complejo y se suele recurrir a elementos no lineales, como los diodos.
137
FUENTES REGULADAS (Regulacin de Voltaje)
IN
VIN mx VIN mn
t
Fuente ms sencilla
Vz = Vo VIN > Vz
138
I = I Z mn + I L mx I = IZ + IL I = I Z mx + I L mn
; ;
I Z mn I ZK I Z mx I ZM
Para que el Diodo Zener funcione correctamente. VIN = VR + VZ = I R + VZ VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ 0 VIN mx = ( I Z mx + I Lmn ) R + VZ V mx = I mxR + V IN Z Z Para seal (para las variaciones)
Vo =
rZ || RL Vin R + rZ || RL
Vo r || RL = Z Vin R + rZ || RL Vin R + rZ || RL = a = FR = Atenuacin o Factor de Regulacin Vo rZ || RL
Si RL >> rZ a = FR = R rZ
R >> rZ
Como sucede en la prctica
El Factor de Regulacin (FR) indica la calidad de la fuente y su valor depende de la aplicacin para la cual se vaya a utilizar. Mientras mayor sea ste, la fuente se vuelve ms costosa.
139
Ejercicio Vo = 20V IL = 1 A FR 100 Vlnea = 80V 130V
corresponde al valor mximo
El Zener lo elegimos dependiendo de las caractersticas solicitadas. Para este caso un Zener de 20 V y que soporte 1 A sin carga. Pd Z I Z VZ I L VZ 1 A20V Pd Z 20W Pd Z va a ser mayor a 20 W
Al azar elegimos un Zener de Pd = 40W y observamos sus caractersticas en el respectivo manual.

I ZK = 5mA I ZT I ZM rZ = 15
Debemos caer en cuenta que mientras mayor es la potencia de Zener, mayor es IZK y mayor es rZ. R rZ R = rZ FR FR = = 15 100 R = 1500 R = 1.5K
Si el valor de la resistencia calculada no resulta un valor estndar elegimos el valor inmediato superior. De esta manera aumentamos el valor del FR. 140
VIN mn = ( I Z mn + I L mx ) R + VZ
I Z mn I ZK I ZK 1.3 = 5m 1.3 = 6.5m I ZK = 7mA = (7mA + 1 A)(1.5K ) + 20

VIN mn = 1530.5V ?!
Considerando la tolerancia
cuando el Vlnea es mnimo
Vlnea 80V 130V
VIN 1530.5V x
x = VIN mx =
I Z mx =
1530.5 130 = 2487.063V 80

Quitando R L I ZM > 1.64 (para que no se queme)
2487V 20V = 1.64 A 1.5K
Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ = 73.14W 40W ?! (no sirvi el azar)
Nos tocara recalcular todo porque el valor elegido no funcion. El Diodo Zener a utilizarse debe ser de al menos el doble para evitar inconvenientes, es decir, de unos 150W 200W. Adems, la resistencia a usarse debe ser de una potencia grandsima. Entonces, este diseo presenta deficiencias y es usado para valores de
FR baja I L baja
Es decir, para cuando no se necesita Vo extremadamente fijo.

Fuente con Transistor
El transistor Q1 es el elemento de control en serie, y el diodo Zener proporciona el voltaje de referencia. Esta operacin de regulacin puede describirse de la forma siguiente: 1. Si el voltaje de salida disminuye, un mayor voltaje base-emisor ocasionar que el transistor Q1 conduzca ms, con lo que se eleva el voltaje de salida y se mantiene la salida constante.
141
2. Si el voltaje de salida incrementa, un menor voltaje base-emisor ocasionar que el transistor Q1 conduzca menos, de esta forma se reduce el voltaje de salida y se mantiene la salida constante.
Al variar RL vara IZ I = IZ + IB I IB = L +1 debiendo ser
I Z >> I B I Z I ZT
para que I Z = cte
VZ = Vo + VJBE VIN = VR + VZ = I R + VZ VIN > Vo VCE 3V
para que est en la regin activa
Para seal (para las variaciones)
RL = ( + 1)( re + RL ) Vo = rZ || RL Vin R + rZ || RL Vo r || RL = Z Vin R + rZ || RL Vin R + rZ || RL = a = FR = Vo rZ || RL 142
Si
R RL >> rZ ms exacto que antes a = FR = rZ R >> rZ
Ejercicio Vo = 20V IL = 1 A FR 100 Vlnea = 80V 130V VZ = Vo + VJBE = 20 + 0.6 VZ = 20.6V

rZ = 10 Buscando las caractersticas del Zener en el respectivo manual I ZK = 1mA I = 10mA ZT
El transistor: = 50
FR = R rZ
disminuye su valor al aumentar la potencia
R = rZ FR = 10 100 R = 1K
En el transistor P = V I = 3V 1 A = 3W 6W como sabemos que es mayor P = 10W IB = IL = 1A = 20mA 50
143
Fuente con Transistores en configuracin Darlington
Al haber llegado a un valor de corriente que no cumple los requerimientos, usamos Darlington QD, para bajar IB.
Tenemos que Q1 Pd1 = VCE1 I C1 = VCE1 I L

Q2 Pd 2 = VCE 2 I C 2 = (VCE1 VJBE1 ) VCE1 Pd 2 = Pd1 I C1 I C1
1 = 50 10 ya protegido depende de la potencia 50 2 = 100
Con Darlington VZ = Vo + VJBED = 20 + 1.2 VZ = 21.2V IB = IL = 1A 50 100
I B = 0.2mA
I Z >> I B I Z = 10mA I Z I ZT
144
I = IZ + IB = 10m + 0.2m I = 10.2mA VIN = I R + VZ = (10.2m )(1K ) + 21.2 VIN = 31.4V Ya teniendo el VIN tenemos varias alternativas que podemos elegir para el diseo. 1. Considerar que VIN = VIN mn VIN = VIN mn = 31.4V 80V 130V 31.4V x = VIN mx = 31.4 130 = 51.025V 80 I = 10.2mA
La corriente va a cambiar I= VIN mx VZ 51.025 21.2 = = 29.825mA 1K R I Z mx = I = 29.825mA I ZM > I Z mx Pd Z = I ZVZ + I Z 2 rZ = (29.825m )(21.2) + (29.825m )2 (10) Pd Z = 641.185mW
Esta alternativa necesariamente va a funcionar, pero la potencia del Zener a usarse va a ser mayor.
2. Considerar VIN = VIN promedio =
VIN mx VIN mn 2
145
VIN = VIN promedio =
VIN mx VIN mn = 31.4V 2
I = 10.2mA
Vlnea promedio =
130 + 80 = 105V 2 31.4V x = VIN mn = 31.4 80 = 23.924V 105 VIN mn VZ = 2.72mA R
105V 80V
VIN mn = 23.92V
I=
Si sacamos de la fuente 1 A (mxima corriente requerida), esto se llama a plena carga. I Z mn = I I B = 2.72m 0.2m = 2.52m
105V 130V
31.4V x = VIN mx = 31.4 130 105 I= VIN mx VZ = 17.68mA R se verifica que se cumpla con la condicin de I ZM
VIN mx = 38.88V
I Z mx = I = 17.68mA
Pd Z = 377.94mW Esta alternativa exige que la potencia del Zener sea de menor valor, pero podra suceder que I Z mn < I ZK , con lo cual sera descartada esta opcin.
146
Fuente con Realimentacin
I = IC 3 + I B I = I Z C3 IL I C 3 >> I B para que el voltaje se mantenga cte ; I B = D I C 3 = I Z I ZT IC 3 I B3 = 3 I 2 >> I B 3 I1 = I 2 + I B 3 I hay que verificar que se cumpla I1 L I1 <<< I L 100 para que el bloque B no cargue al boque A I >> I (corriente de fuga) CO 1
VZ = Vo + VJBED VCE 3 para que siempre est trabajando en la regin activa VCE 3 3V VIN = VZ + VCE 3 + VR VCED 3V
voltaje de entrada AL MENOS 3V ms que el voltaje de salida
En este circuito no se necesita una resistencia de descarga para la configuracin Darlington. Para seal (realimentacin negativa) A G= 1 + AB
147
A QD
A3
A=1
B ( R1 , R2 y Q3 )
Vf 1 =
R2 || RinT 3 Vo R1 + R2 || RinT 3
V f 2 = A3 V f 1 = A3 Vf 2 R2 || RinT 3 Vo R1 + R2 || RinT 3
R2 || RinT 3 = B = A3 Vo R1 + R2 || RinT 14 244 3 4 3

DT
B = A3 DT
A3 = R || RinD re 3 + rZ debido que que B no carga a A
RinD = D ( reD + RL )
1 1+ B 1 G= B G=
menor que 1 para no amplificar seales B lo ms gande posible B >> 1
Vin 1 = = B = a = FR Vo G
DT < 1 B = A3 DT A3 >>>
(siempre) lo ms alto posible
148
Ejercicio
Vo = 20V I L = 1A FR 100 ----------------1 = 50 (de potencia )
2 = 3 = 100
----------------I ZK = 1mA I ZT = 10mA rZ = 10 IL 1 = 0.2mA 50 100
IB =
I C 3 >> I B IC 3
I C 3 = I Z = 10mA = I Z I ZT
I = I C 3 + I B = 10m + 0.2m = 10.2mA IC 3 10m = 0.1mA 100
I B3 =
I 2 >> I B 3 I 2 = 1mA Comprobando que se cumplan las condiciones

I1 = I 2 + I B 3 = 1m + 0.1m I1 = 1.1mA
( I CO A o nA)
VZ = Vo + VJBED VCE 3 = 20 + 1.2 3 VZ = 18.2V VZ = 18V 149 elegimos Zener de MENOR valor estndar (aumenta VCE3 )
VB 3 = VZ + VVBE 3 = 18 + 0.6 VB 3 = 18.6V VB 3 18.6 = = 18.6 K I2 1m
R2 =
R2 = 18K
R1 =
Vo VB 3 20 18.6 = = 1.27 K I1 1.1m
R1 = 1.2 K
FR = A3 DT DT = R2 || RinT 3 R1 + R2 || RinT 3
RinT 3 = ( 3 + 1)( re 3 + rZ ) 25mV + 10) 10mA RinT 3 = 1.263K = 101( Reemplazando los valores FR 100 = = 200 DT 0.5 R || RinD = 200 A3 = re 3 + rZ A3 = Vo 20 = = 20 IL 1
DT = 0.5
RL =
RL > 20
RinD = D ( reD + RL ) 50m = (50 100) + 20 1 RinD = 100.25K 2.7 K 2.2 K
R = 2.56 K R = 2.7 K
elegimos el MAYOR para obtener un mayor A 3
150
VIN = VZ + VCE 3 + VR = 18 + 3.2 + 10.2m 2.7 K VIN = 48.74V Habiendo obtenido en valor de VIN tenemos las mismas alternativas que se expusieron anteriormente:
-
Considerar VINmn Considerar VINpromedio
Teniendo previamente en cuenta que este diseo exige transistores ms costosos. Debido a que la ganancia es muy alta el circuito puede oscilar y por este motivo para evitar oscilaciones se coloca un capacitor adicional que sea cortocircuito a la frecuencia de oscilacin. Este capacitor puede tener un valor entre 0.1F y 0.47F.
Fuente con Realimentacin y Fuente de Corriente
Para subir la calidad de la fuente anterior (aumentar FR) la nica opcin que tenemos es subir el valor de R, pero esto provoca que:
-
El voltaje de entrada VIN aumente VCE aumente El transistor de salida Q1 aumente su potencia (ms costoso)
Una opcin que se presenta es poner una fuente de corriente en vez de R, consiguiendo que: R= A3 = RinD re 3 + rZ mximo valor de ganancia y mximo FR
151
Reemplazando
FR = A3 DT A3 = RinD re 3 + rZ
Con los valores con los cuales hemos venido trabajando tenemos: A3 = 100.25K = 8020 2.5 + 10 FR = 4010
Implementando la fuente de corriente
Hacemos que a pesar que vare el Voltaje de Entrada, I = cte. VIN = VZ 1 + VCE 3 + VCE 4 + VRE , VRE = I RE
152
VCE 3 3V VCE 4 3V
para que estn en la regin activa
VRE = VZ 2 VJBE 4 = 2.2 0.6 = 1.6V VZ 2 conviene que sea lo ms bajo posible y en la actualidad el menor valor que se puede conseguir es 2.2 V. VIN = 18 + 3.2 + 3 + 1.6 = 25.8V Nos damos cuenta que bajamos el VCE1 y de esta manera disminuye la potencia, y por consiguiente el costo. RE = IB4 = VRE VZ 2 VJBE 4 2.2 0.6 = = = 156.863 I I 10.2m I
10.2m = 102 A 100
I Z 2 >> I B 4 I3 = I Z 2 + I B4 R3 = VIN VZ 2 I3
I Z 2 I ZT (segn el manual)
As acaba el diseo de la fuente de corriente.
153
CIRCUITOS DE PROTECCIN Proteccin con Diodos
Con los diodos hemos hecho una fuente de corriente. Cuando el voltaje sobre la resistencia Rs < 0.6 V es como si los diodos no existieran, pero cuando por Rs pase una corriente mayor a la deseada hacemos que 0.6 V caigan en ella y los diodos comienzan a funcionar.
Para esta proteccin se usan tantos diodos como junturas ms uno se tengan. RS = VD I L mx con esta proteccin incluso podramos hacer cortocircuito
Tenemos que considerar que la potencia del transistor de salida Q1 va a aumentar y se puede calentar demasiado e incluso quemarse, por lo que es necesario usar un disipador de calor.
Proteccin con Diodos Zener
Otra opcin que tenemos es usar un Zener en vez de los diodos, en este caso: 154
RS =
VZ VJBED I L mx
La resistencia Rs no es buena para la fuente y desde el punto de vista ideal tendra que ser Rs = 0, pero en la prctica se toma el valor ms bajo posible. Teniendo ambas alternativas (Diodos y Zener) analizamos cul nos entrega un valor de Rs ms bajo y esa se convierte en la mejor opcin.
Proteccin con transistor (limitador de corriente)
La limitacin de corriente reduce el voltaje a travs de la carga cuando la corriente se vuelve mayor al valor lmite.
155
Lo que se hace en este caso es que el transistor Qs se sature, es decir que entre base y emisor caiga un voltaje mayor a 0.6 V. Esto lo conseguimos haciendo que sobre la resistencia Rs caigan 0.8 V al pasar una corriente superior a la mxima deseada.
De esta forma, al detectarse una corriente mayor a la deseada, los transistores de salida se prenden y se apagan continuamente. Debido a esta situacin los transistores de salida (Q1 y Q2) se van a calentar menos y van a ser de una potencia menor. RS = VJBEsat 0.8V = I L mx I L mx
Si aumentamos la resistencia Rb damos proteccin al transistor Qs. El exceso de voltaje sobre la resistencia Rs va a caer sobre Rb. El valor de la resistencia Rb va a estar entre 100 y 1 K y se la selecciona empricamente hasta que el voltaje sobre Rs sea bajo.
Proteccin con SCR
El rectificador controlado de silicio (SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP.
Un SCR posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se 156
aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir. Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Cuando se produce una variacin brusca de tensin entre nodo y ctodo de un tiristor, ste puede dispararse y entrar en conduccin an sin corriente de puerta. Por ello se da como caracterstica la tasa mxima de subida de tensin que permite mantener bloqueado el SCR. Este efecto se produce debido al condensador parsito existente entre la puerta y el nodo. Los SCR se utilizan en aplicaciones de electrnica de potencia y de control. Podramos decir que un SCR funciona como un interruptor electrnico. Caractersticas de la compuerta de los SCR Un SCR es disparado por un pulso corto de corriente aplicado a la compuerta. Esta corriente de compuerta (IG) fluye por la unin entre la compuerta y el ctodo, y sale del SCR por la terminal del ctodo. La cantidad de corriente de compuerta necesaria para disparar un SCR en particular se simboliza por IGT. Para dispararse, la mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0.1 - 50 mA). Dado que hay una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas terminales (VGK) debe ser ligeramente mayor a 0.6 V. En la figura 4 se muestran las condiciones que deben existir en la compuerta para que un SCR se dispare.
Voltaje de compuerta a ctodo (VGK) y corriente de compuerta (IG) necesarios para disparar un SCR.
Una vez que un SCR ha sido disparado, no es necesario continuar el flujo de corriente de compuerta. Mientras la corriente contine fluyendo a travs de las terminales principales, de nodo a ctodo, el SCR permanecer en ON. Cuando la corriente de nodo a ctodo (IAK) caiga por debajo de un valor mnimo, llamado corriente de retencin, simbolizada IHO el SCR se apagara. Esto normalmente ocurre cuando la fuente de voltaje de ca pasa por cero a su regin negativa. Para la mayora de los SCR de tamao mediano, la IHO es alrededor de 10 mA.
Esta proteccin se constituye en la mejor de todas y se puede aplicar tanto a la fuente con resistencia o cuando dicha resistencia ha sido reemplazada por una fuente de corriente.
157
Se usa un pulsante que normalmente est cerrado para que de esta forma al pulsarlo el SCR deje de conducir. VAK = 1V El SCR se dispara al haber un cortocircuito o una sobrecarga (sacar de la fuente una corriente mayor a la fijada, es decir, poner una resistencia de menor valor al lmite establecido). Al estar el SCR disparado:
-
NO funciona el Darlington (no consumen potencia lo transistores de salida). NO existe Vo. NO existe IL.
VGKdisparo I L mx 0.8V I L mx
RS =
La resistencia Rg se coloca para que sobre ella caiga el exceso de voltaje y de esta forma proteger al SCR. El valor de Rg va a estar entre 100 y 1 K. Debido a los transitorios de alta frecuencia que ocurren en el transformador y que pueden activar el SCR, se coloca el capacitor C en paralelo con Rs para de esta forma eliminarlos.
158
Fuente regulada con voltaje de salida variable
El VB = cte, sin importar la posicin del potencimetro.
Vo = Vomn I 2 >> I B 3 I1 = I 2 + I B 3 P + R2 = R1 =
( I 2mn hacer cumplir I 2 >> I B 3 )
VB 3 VZ 1 + VJBE 3 = I2 I2
Vomn VB 3 I1
Vo = Vomx V I 2 = B 3 R2 I1 = I 2 + I B 3 R1 + P = R1 =
( I 2 > I 2 que tenamos antes)
Vomx + VB 3 I1
Vomn VB 3 I1
Necesitamos emplear sistemas de ecuaciones para encontrar nuestras incgnitas.

159
Para la eleccin del Diodo Zener consideramos el caso del VOmn. VZ 1 = Vomn + VJBED VCE 3 Si quisiramos que esta fuente vare desde 0V hasta 20V, la tierra debe reemplazarse por un valor de voltaje negativo ().
160
AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Las etapas de salida, tambin denominadas etapas de potencia, son configuraciones especiales localizadas a la salida de un amplificador utilizadas para proporcionar cierta cantidad de potencia a una carga con aceptables niveles de distorsin. Adems, una etapa de salida debe ser independiente del propio valor de la carga, tener reducido consumo esttico de potencia y no limitar la respuesta en frecuencia del amplificador completo. Las etapas de salida son diseadas para trabajar con niveles de tensin y corriente elevados. Las aproximaciones y modelos de pequea seal no son aplicables o deben ser utilizados con mucho cuidado. Sin embargo, la linealidad de una etapa es una medida que proporciona la calidad del diseo, muchas veces caracterizada a travs de la distorsin armnica total (total harmonic distortion o THD). Este parmetro es un valor eficaz o rms de las componentes armnicas de la seal de salida, sin incluir la fundamental de la entrada, expresada a travs del porcentaje en trminos de rms respecto a la fundamental. Los equipos de sonido de alta fidelidad tienen un THD inferior a 0.1%. Otro parmetro importante de una etapa de potencia es su eficiencia, que indica el porcentaje de potencia entregada a la carga respecto de la potencia total disipada por la etapa. Un valor alto de eficiencia se traduce en una mayor duracin del tiempo de vida de las bateras o en el uso de fuentes de alimentacin de bajo coste, adems de minimizar los problemas de disipacin de potencia y coste del propio transistor de potencia. Es por ello, que las etapas de salida utilizan transistores de potencia (> 1W) y el uso de aletas refrigeradoras resulta en algunos casos imprescindible. Las etapas de salida tradicionalmente son clasificadas de acuerdo a la forma de onda de la corriente de colector del transistor de salida en clase A, clase B, clase AB y clase C. En la etapa clase A, el transistor es polarizado con un corriente en continua de valor ICQ mayor que la corriente de alterna de amplitud IC de forma que el periodo de conduccin es de 360. En contraste, en la clase B la polarizacin DC es nula y slo conduce en un semiperiodo de la seal de entrada (180). La etapa clase AB, intermedio entre la A y la B, el transistor conduce un ngulo ligeramente superior a 180 y mucho menor que 360. En la etapa clase C conduce ngulos inferiores a 180 y son empleadas usualmente en radiofrecuencia como por ejemplo telfonos mviles y transmisores de radio y TV.
Clasificacin de los Amplificadores -
Clase A Clase AB Clase B Case C
161
Clasificacin de las etapas de salida: a) clase A, b) clase B, c) Clase AB y d) Clase C.
Clase A
Un amplificador clase A se polariza de tal modo que conduce corriente de manera continua. La polarizacin se ajusta para que la entrada haga variar la corriente del colector (o de drenaje) en una regin lineal de la caracterstica del transistor. En consecuencia, su salida es una reproduccin lineal amplificada de la entrada. Son amplificadores de potencia ineficaces que se usan como amplificadores de voltaje de seales pequeas o para amplificadores de baja potencia. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de potencia. El funcionamiento en clase A se lleva a cabo, ntegramente, dentro de la regin activa, comprendida entre el corte y la saturacin del dispositivo, sin llegar a salirse de ella en ningn momento. El punto de trabajo de reposo se fija en el punto medio entre los puntos de corte y saturacin de la recta de carga. 162
Se caracteriza por presentar una corriente continua media de colector constante y suficientemente grande como para mantenerse en todo momento dentro de la regin activa. El dispositivo activo se comporta como una fuente de corriente. El empleo de circuitos sintonizados o filtros de paso bajo en los colectores de este tipo de amplificadores (al igual que en los de clase B) no es inherente a su modo de operar y, cuando se ponen es por asegurar una supresin adecuada de armnicos en la salida o por razones de adaptacin. De cualquier manera la escasa importancia de los armnicos en las cuestiones de potencia hace que se consideren inexistentes en el clculo de sta y que se traten slo en el estudio especfico de distorsiones. En teora, la clase A puede alcanzar un rendimiento de hasta el 50%, pero, dado que no se puede apurar al mximo, queda alrededor del 25%, o, incluso, puede bajar hasta el 15%, segn la exigencia de linealidad. En el caso terico de 50% de rendimiento, la eficacia instantnea es proporcional a la potencia de salida y la eficacia media es inversamente proporcional a la relacin de potencia de pico a potencia media. En cambio, la ganancia es uno de los puntos fuertes de los transistores trabajando en clase A. Suele ser 3 a 6 dB mayor que operando en clase B, y mucho mayor que en clase C. No existe una lnea de separacin definida entre los amplificadores de potencia de clase A y los amplificadores de seal dbil, es decir, es prcticamente lo que se ha venido haciendo, pero la metodologa de diseo es diferente. Caractersticas
-
ngulo de conduccin: 360 Baja distorsin Bajo rendimiento (se desperdicia mucha potencia)
Clase AB
Un amplificador clase AB se polariza cerca del corte con cierto flujo de corriente continuo del colector. Tambin se usa en amplificadores push-pull y proporciona una linealidad mejor que 163
un amplificador clase B, pero con menos eficiencia. Esta configuracin es una variante de la etapa de tipo B en la que se sacrifica la disipacin de una pequea cantidad de potencia cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona muerta de respuesta. Esta clase sigue requiriendo de una conexin en contrafase, para obtener un ciclo completo de salida, sin embargo, el nivel de polarizacin de DC es, por lo general, ms cercano al nivel de corriente de base cero, para una mejor eficiencia de potencia. En los amplificadores de clase A, la distorsin no lineal disminuye montonamente con la potencia de salida. Sin embargo, la cosa cambia cuando de clase B se trata. Su comportamiento irregular obedece a la existencia del mencionado crossover. Precisamente, si se quiere paliar este problema en la zona de relevo se recurre a que cada transistor saliente acompaase al entrante durante algunos grados. Lo que da origen a la clase AB, que mejora notablemente la distorsin, aunque afectando, ligeramente, al rendimiento. La operacin en clase AB tiene, pues, su origen en perfeccionamiento de circuitos amplificadores en contrafase. Esta configuracin proporciona, al igual que la clase A una seal de salida altamente lineal con respecto a la seal de entrada, pues, aunque cada transistor slo conduce durante medio ciclo, ambos transistores se ceden el relevo, en el paso por cero, de modo que en su conjunto se comportan de manera lineal, especialmente si ambos transistores son idnticos. En cuanto a la ganancia de potencia, los amplificadores del tipo AB son algo intermedio entre los de tipo A y los de B. El razonamiento con respecto al valor de la transconductancia efectiva es el mismo que se hizo en el caso de clase B. En frecuencias elevadas puede obtenerse, mediante estructura en push-pull, un satisfactorio funcionamiento en banda ancha. Lamentablemente no pueden utilizarse topologas complementarias a esas frecuencias (HF; VHF), dado el deficiente comportamiento a tales frecuencias de los transistores PNP. Los montajes complementarios se circunscriben al audio y las frecuencias de radio bajas y medias. Caractersticas
-
ngulo de conduccin entre 180 y 360 Presenta distorsin (mayor que en el clase A) Mayor rendimiento que el clase A Para tener una seal de salida se 360 se necesita de un montaje en contrafase.
Las configuraciones ms utilizadas para polarizar los transistores de salida son: con diodos y con un multiplicador VBE.
164
Clase AB con polarizacin por diodos
En ausencia de seal, vi = 0, la cada de tensin en el diodo D1 hace que el transistor Q1 est en la regin lineal con una corriente de colector baja y lo mismo sucede a Q2 con el diodo D2; es decir, ambos transistores conducen. Cuando se aplica una tensin a la entrada uno de los transistores estar en la regin lineal y el otro cortado, funcionando de una manera similar a la etapa clase B pero con la ausencia de distorsin de cruce. En este caso la potencia promedio suministrada por una fuente de alimentacin es PCC = VCC Vo + I V RL Q CC
En general, el segundo trmino es despreciable frente al primero. La polarizacin con diodos presenta una importante ventaja al proporcionar estabilizacin de la polarizacin con la temperatura. Al aumentar la temperatura, el VBE de los transistores disminuye pero a su vez la cada de tensin de los diodos tambin lo que permite mantener constante la corriente de polarizacin de los transistores de salida. Clase AB con polarizacin por multiplicador VBE
165
Otro procedimiento para obtener la diferencia de tensin 2VBE entre la base de los transistores necesaria para eliminar la distorsin de cruce es utilizar lo que se denomina un multiplicador de VBE. Este circuito consiste en un transistor (Q3) con dos resistencias (R1 y R2) conectadas entre su colector y emisor con la base. Si se desprecia la corriente de base (para ello R1 y R2 VBE 3 y la tensin deben ser de unos pocos K) entonces la corriente que circula por R1 es R1 entre el colector y emisor de ese transistor es
VCE 3 = VBE 3 R ( R1 + R2 ) = VBE 3 1 + 2 R1 R1
R es decir, la tensin VCE3 se obtiene multiplicando la VBE3 por un factor 1 + 1 . R2
Clase B
La mayor desventaja de la anterior etapa de salida es el consumo esttico de potencia incluso en ausencia de seal de entrada. En muchas aplicaciones prcticas existen largos tiempos muertos (standby) a la espera de seal de entrada o con seales intermitentes como es el caso de voz humana. Etapas de salida que desperdician potencia en perodos standby tienen efectos perniciosos importantes. En primer lugar, se reducen drsticamente el tiempo de duracin de las bateras de los equipos electrnicos. En segundo lugar, ese consumo de potencia continuado provoca un incremento de temperatura en los dispositivos que limitan su tiempo medio de vida dando lugar a una mayor probabilidad de fallar con el tiempo el sistema electrnico. Un amplificador clase B se polariza en corte de modo que cuando en el colector la entrada es cero no fluye corriente. El transistor slo conduce la mitad de la entrada de onda senoidal. En otras palabras, conduce en 180 de una entrada de onda senoidal. Esto significa que slo se amplifica la mitad de la onda senoidal. Por lo comn, en una configuracin push-pull se conectan dos amplificadores clase B de modo que la alternacin positiva y la negativa se amplifican en forma simultnea. En estas etapas no se produce disipacin de potencia cuando la seal es nula. Puesto que la corriente de colector es proporcional a la amplitud de la seal de entrada, la clase B proporciona amplificacin sensiblemente lineal, mientras est conduciendo el 166
transistor. sta componente lineal siempre est presente a la salida, y ser aprovechable como seal amplificada, aunque el hecho de que se produzca una interrupcin de la seal durante el medio ciclo negativo provoca la aparicin de fuertes componentes armnicos (en especial pares). Si estos armnicos estn fuera de la banda de utilidad, pueden eliminarse por filtrado y el amplificador cumple perfectamente su cometido. En otros casos, en cambio, pueden hacer el sistema inservible. La etapa de salida clase B tiene consumo esttico de potencia en modo standby prcticamente cero. Utiliza dos transistores, uno NPN y otro PNP, en contrafase que conducen alternativamente en funcin de si la seal de entrada es positiva o negativa. De ah, el nombre de push-pull. Otra ventaja adicional es su mejor eficiencia que puede alcanzar un valor mximo prximo al 78% muy superior al 25% de la etapa de salida clase A. Caractersticas
-
ngulo de conduccin: 180 Presenta mayor distorsin que el clase AB Mayor rendimiento que el clase AB Si se necesita que la seal de salida sea de 360 se requiere un montaje en contrafase.
Clase C
Se encuentra polarizado en una zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal, es decir, menos de 180 del ciclo. De esta forma se consiguen rendimientos mximos, aunque se necesitan elementos reactivos que acumulen la energa durante la conduccin y la liberen en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce, es decir, operar solamente con un circuito de sintonizacin (resonante), el cual proporciona un ciclo completo de operacin para la frecuencia sintonizada o resonante.. Esta clase de operacin es, por tanto, utilizada en reas especiales de circuitos de sintonizacin, tales como radio o comunicaciones (amplificacin de seales de banda muy estrecha).
167
Esta modalidad tiene su autntica razn de ser, y su origen, en la amplificacin de muy alta potencia con vlvulas termoinicas. El punto de trabajo ha de conseguirse polarizando inversamente la entrada del dispositivo activo. En clase C el dispositivo activo es llevado, deliberadamente, a un funcionamiento absolutamente no lineal. La eficacia puede llevarse, tericamente, a las proximidades del 100%, en la medida que el ngulo de conduccin se aproxima a cero. Desgraciadamente esto conlleva que la ganancia vaya disminuyendo de manera que la potencia de excitacin necesaria tiende a infinito. Un buen compromiso es un ngulo de conduccin de 150, que resulta en una eficacia de 85%. Se puede decir que casi funciona como un conmutador, para reducir las prdidas por resistencia. El dispositivo conduce durante un ngulo muy pequeo y el circuito sintonizado del colector se encarga de reconstruir (en realidad, seleccionar) la seal fundamental a partir de la seal peridica impulsiva que le entrega el amplificador. El filtro de salida de un verdadero clase C es un circuito resonante paralelo que deriva a tierra los componentes armnicos de la seal pulsante, que, de este modo, no generan tensiones correspondientes a los citados armnicos. Cuando se lleva el amplificador a saturacin, la eficacia se estabiliza y la tensin de salida est determinada por la tensin de alimentacin, lo que permite la modulacin lineal de amplitud a alto nivel (haciendo que la tensin se alimentacin sea la seal moduladora). Una dificultad aadida para el verdadero funcionamiento en clase C con semiconductores es que se requiere una muy baja impedancia de salida y esto crea serios problemas para adaptar circuitos resonantes paralelos a estas salidas. La clase C, a diferencia de la B unilateral, no slo genera importantes armnicos, como aquella, sino que su respuesta es esencialmente no lineal, incluso para el fundamental. Polarizacin en clase C La clase C clsica es excelente en tubos de vaco pero resulta impracticable en amplificadores de estado slido, en particular con transistores bipolares. En efecto, esta clase no suele ser 168
muy recomendable porque acorta su vida. La operacin en C exige polarizar negativamente la base con respecto al emisor y la tensin de ruptura inversa base-emisor. Solamente puede hacerse una excepcin. En tal caso puede recurrirse a un procedimiento de autopolarizacin para conseguir la adecuada tensin continua inversa de polarizacin en la base. El sistema se basa en la autopolarizacin que produce la rectificacin de la propia seal de entrada al circular por el diodo que constituye la unin base-emisor del transistor de potencia. Caractersticas
-
ngulo de conduccin menor a 180 Presenta mayor distorsin que el clase B Mayor rendimiento que el clase B No es posible utilizar montaje en contrafase En la prctica se utiliza el Clase B.
En este tipo de amplificadores es muy importante tomar en cuenta:

Pdmx VCE mx I mx C
ya que puede quemarse por cualquiera de ellos o en conjunto
Existe una familia de curvas de disipacin de potencia
169
Metodologa de diseo
VCET =
VCEM 2 I I CT = CM 2 Pd = VCET I CT Rac = VCEM I CM
Rac es la carga que pide el transistor y se obtiene del inverso de la pendiente de carga.
Potencias
Nos va a permitir elegir la curva adecuada Clase A Clase B

Pd = 2 Po
Pd =
Po 2
Amplificador Clase A
170
No se pone capacitor con RL porque se desperdicia potencia. No se usa en la prctica. Para 10 W de potencia de salida hay que elegir la curva de 20 W, y es mejor escoger una superior para evitar posibles recortes.
En este caso las rectas de carga dinmica y esttica son las mismas. El pto. Q es el eje de la recta de carga dinmica. PCC = VCC I CQ Vo 1 Po = pr 2 Rac Pd r = VCET I CT = VCEQ I CQ
2
Potencia eficaz
R=
Po 100 [%] PCC
rendimiento
171
Rac =
VCEM = n 2 RL I CM
n=
n1 n2
Donde n1 es el nmero de vueltas del primario y n2 es el nmero de vueltas del secundario. Vo Pd r = pi Pd i Vo pr

2
Pd i = 2 Po
Ahora con transformador
Se pone para compensar las prdidas en el transformador. 172
1 1.1 = 1.2 M
caso ideal 10% prdidas en el transformador 20% prdidas en el transformador
Para el diseo
-
Se deben tener todos los datos. Asumir VCC Asumir VE y lo que queda es VCEM V VCET = CEM y tambin obtenemos Vo pi 2 De la frmula VCET = Vo pr + Vact + Vin pi Obtengo Vo pr Calculo I CT de la potencia y, adems, tengo I CM = 2 I CT Calculo Rac
; Vin pr = Vo pr A
Amplificador Clase B con salida con simetra complementaria
173
Montaje en contrafase
Elementos
R1 R2 Diodos C P1 P2
sirve para limitacin de corriente de salida (funciona como Rs de las protecciones). sirve para descarga de la juntura base-emisor de Q1. para mantener a los transistores de salida en clase B y se utiliza uno por juntura. debe ser cortocircuito para seal. De esta manera el voltaje de salida de Q3 estar presente en los ptos. 1 y 2. sirve para disminuir o eliminar la distorsin de cruce. para calibrar el pto. 3 a salida. VCC para que exista simetra en la seal de 2
Distorsin de cruce Se produce debido a que cada transistor conduce slo un semiciclo.
174
Por este motivo en la prctica hay que calibrar los diodos de tal manera que estn a punto de conducir, es decir, logrando una mnima distorsin y que los mismos slo conduzcan con seal. Para el diseo
Po Datos RL (parlante)
Vo 1 Po = p 2 RL
Vo p = 2PoRL Vo p iop = RL
R1 << RL R R1 L 10 VR1 = iop R1
para que no sea carga
voltaje que se va a desperdiciar y que se debe compensar
R2 >> RinT 1 RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL )
Hay que tener en cuenta que la etapa de Q3 es la ltima etapa de amplificacin de voltaje, es decir, que pueden existir etapas previas de amplificacin en cascada.
para no desperdiciar voltaje RC << RinD RinD = D ( reD + R1 + RL ) RC VRC R || Rin Vo p 3 C D Vo p 3 = Vo p + VR1 I C 3 = VRC RC
En lo que respecta a los potencimetros tenemos:
175
P = 1
nVd IC 3
VD = voltaje de los diodos
P = 2P 1 1
(para poder calibrar)
R3 + P2 = R3 P2
VCC VB 3 I3 P2 = 2 P2
VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC El resto del diseo se realiza de manera similar a lo que se ha venido realizando. Ejercicio Po = 10W RL = 8 Vo p = 2PoRL = 2(10)(8) = 12.649V
iop = Vo p RL = 12.649 = 1.581 A 8
R1 = 0.75 VR1 = iop R1 = (1.58)(0.75) = 1.185V
Asumo R2 >> RinT 1 re1 =
Q1 : Q2 :
1 = 50 2 = 100
25mV 25mV IE I E med
176
I E med =
I op
Vop
Vop
RL
= 12.649 = 0.503 A (8)
I E med =
RL
re1 =
25mV 25m = = 0.05 I E med 0.503
RinT 1 = ( 1 + 1)( re1 + R1 + RL ) = (50 + 1)(0.05 + 0.75 + 8) RinT 1 = 448.8 R2 = 4.7 K 50mV 50m = = 0.10 I E med 0.503
reD =
RinD = D ( reD + R1 + RL ) = (50 100)(0.01 + 0.75 + 8) RinD = 44.25K RC << RinD RC = 3.9 K
Calculo el voltaje de entrada a la etapa de potencia

Vo p 3 = Vo p + VR1 = 12.649 + 1.185 Vo p 3 = 13.834V
177
VRC VRC
RC Vo p 3 RC || RinD
3.9 K 13.834 1.3 = 19.57V 3.9 K || 44.25K = 20V
IC 3 =
VRC 20 = = 5.128mA RC 3.9 K nVD 4(0.6) = = 468 I C 3 5.128m
P = 1
P = 1K 1 VCE 3 = Vo p 3 + Vact + Vin3 = Vo p 3 + Vact + Vo p 3 A3 13.834 10 para este ejemplo asumimos un A3 , pero en la prctica tendr una ganancia propia determinada por los requerimientos = 13.834 + 2 + VCE 3 = 17.217V 25mV 25m = = 4.87 IC 3 5.128m
re 3 =
re 3 + RE1 =
Req RC || RinD 3.9 K || 44.25K = = = 358.411 A3 A3 10
hay estabilidad
RE1 = 358.411 4.87 = 353.541 RE1 = 330
VE 3 1 + Vin p 3 = 1 + VE 3 = 3.5V
13.834 = 2.383 1.3 = 3.1V 10
RET =
VE 3 3.5 = = 682.527 I C 3 5.128m 178
RE 2 = RET RE1 = 682.527 330 = 352.527 RE 2 = 330 VCC = VE 3 + VCE 3 + nVD + VRC = 3.5 + 17.217 + 4(0.6) + 20 = 43.117 = 45V
VCC
I B3 =
IC 3
5.128m = 51.28 A 100
I 4 = 10 I B 3 = 10(51.28 ) = 512.8 A I 3 = 11I B 3 = 11(51.28 ) = 564.08 A VB 3 = VE 3 + VJBE 3 = 3.5 + 0.6 = 4.1V VB 3 4.1 = = 8K I 4 512.8
R4 =
R4 = 8.2 K VCC VB 3 45 4.1 = = 72.507 K 564.08 I3 P2 = 100 K
R3 + P2 =
R3 = 33K P2 = 39 K
Para comprobar en 3 V3 = 23.8V cercano a lo deseado
Para poner la proteccin analizamos el nmero de junturas y el voltaje sobre la resistencia R1. iop = 1.58 A VR1 = iop R1 = 1.58 0.75 1.2V
179
Protegiendo para una io mx = 2 A , entonces VR1 = io mxR1 = 20.75 = 1.5V
VT = VR1 + VJBEQ1 = 1.5 + 0.6 VT = 2.1V VT = nVD n= VT 2.1 = = 3.5 VD 0.6
n = 4 DIODOS
Finalmente, si desearamos hacer una fuente regulada para una cadena de amplificadores en cascada que terminan en un amplificador de potencia, tendramos que considerar los siguientes requerimientos para la fuente: Vo = VCC I L = ( I1 , I RC ) + iop Y el diseo se efecta de manera similar a como se explica en la parte referente a fuentes reguladas.
180
BIBLIOGRAFA
-
BOYLESTAD, Robert L. y NASHELSKY, Louis; Electrnica: Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 8va Edicin, Pearson Educacin, Mxico, 2003. http://es.wikipedia.org/ http://www.inele.ufro.cl/apuntes/Circuitos_1_3012_3017/Capitulo3_ce1.pdf http://iniciativapopular.udg.mx/muralmta/mrojas/cursos/elect/apuntesdefinitivos/UNIDA D2/2.1.1.pdf http://www.frino.com.ar/resistor.htm http://www.datasheetarchive.com
181
ANEXOS
182
Caractersticas Transistores 2N3904 y 2N3906

Este dispositivo se disea como propsito general como un amplificador y el de un interruptor. El rango dinmico til se extiende a 100 mA como un interruptor y a 100 MHz como un amplificador. El transistor 2N3904 (NTE 123AP) es de disposicin NPN, mientras que el transistor 2N3906 (NTE 159 ) de disposicin PNP.
183
184
185
186
CIRCUITOS ELECTRNICOS Cdigo de colores
Identificar un resistor no es una tarea muy complicada, note que la mayora, salvo los de montaje superficial, poseen 4 bandas de colores, 3 de idnticas proporciones y una ms alejada de stas. Estas bandas representan el valor real del resistor incluyendo su porcentaje de tolerancia o error siguiendo un cdigo de colores estndar. En primer lugar tratamos de identificar el extremo que corresponde a la banda de tolerancia del resistor, que en la mayora de los casos suele ser dorada (5%) o (algo ms raro) plateada (10%). Una vez localizada sta la dejamos de lado, (literalmente a la derecha), vamos al otro extremo y leemos la secuencia: fig: 1 -primera banda: corresponde al primer dgito del valor -segunda banda: corresponde al segundo dgito del valor -tercera banda: representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar -cuarta banda: porcentaje de tolerancia (la que habamos identificado primero) Los colores corresponden a valores estandarizados
como se detallan: Color 1 y 2 dgitos multiplicador tolerancia Negro 0 1 (x100) Marron 1 10 (x101) 1% Rojo 2 100 (x102) Naranja 3 1000 (x103) Amarillo 4 10000 (x104) Verde 5 100000 (x105) Azul 6 1000000 (x106) Violeta 7 10000000 (x107) Gris 8 100000000 (x108) Blanco 9 1000000000 (x109) Marron o nulo 1% Dorado 0.1 (x10-1) 5% Plata 10% Esto nos da para el ejemplo de la fig. 1
Resistores de montaje superficial SMD (Surface Mounted Device) Identificar el valor de un resistor SMD es ms sencillo que para un resistor convencional ya que las bandas de colores son reemplazadas por sus equivalentes numricos y as se estampan en la superficie del resistor, la banda indicadora de tolerancia desaparece y se la "presupone" en base al nmero de dgitos que se indica, es decir: un nmero de tres dgitos nos indica en esos tres dgitos el valor del resistor, y la ausencia de otra indicacin nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia del 5%. Un nmero de cuatro dgitos indica en los cuatro
187
dgitos su valor y nos dice que se trata de un resistor con una tolerancia de error del 1%. fig.1 fig.2 -primer dgito: corresponde al primer dgito del valor -segundo dgito: corresponde al segundo dgito del valor -tercer dgito (5%): representa al exponente, o "nmeros de ceros" a agregar (fig. 1) -tercer dgito (1%): corresponde al tercer dgito del valor (fig. 2) -cuarto dgito (1%): representa al exponente, o "nmero de ceros" a agregar
188
Valores Estndar de Resistencias y capacitores
189
190
191
192
193
194
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197
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199
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202

Calderón - Circuitos Electronicos

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ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

INGENIERA EN ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

DIEGO CARRERA CARLOS CONTRERAS MARCO JARA

Profesor Ing. Antonio Caldern

Octubre 2006 - Marzo 2007

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Colector Terminal Comn: Emisor

Ing. Antonio Caldern

Configuracin en colector comn

Terminal de Entrada: Base Terminal de Salida: Emisor Terminal Comn: Colector

Configuracin en base comn

Terminal de Entrada: Emisor Terminal de Salida: Colector Terminal Comn: Base

Ing. Antonio Caldern

Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN Circuito

Ing. Antonio Caldern

sea Req = RC || RL A= re + RE1 = (2)

reemplazando la ec. 2 en la inecuacin 1 R ( + 1) eq Rin A De la que obtenemos la expresin : Req A Rin ( + 1)

Ing. Antonio Caldern

I C io p VRC Vop RC Req VRC RC Vop Req

VRC 10.vop Procedemos a graficar el eje vertical de voltajes

Ing. Antonio Caldern

VCE vop + vact + vinp

Ing. Antonio Caldern

Tolerancia Factor de seguridad 10 % 1.2 20 % 1.3 30 % 1.4

En el presente ejercicio seleccionamos resistencias de tolerancia 10 %

Se procede a calcular el parmetro propio del transistor re mediante la frmula re =

Dado que el es alto podemos realizar la aproximacin de I E = I C por lo tanto re =

Ing. Antonio Caldern

VCE = VR1 VRC + VJBE

Ing. Antonio Caldern

RE 2 = RET RE1 = 5.13k 33 = 5.09k RE 2 = 4.7k

Rin Vin Rin + X B

Si X B << Rin C B >>

Ing. Antonio Caldern

1 2. .1kHz * 3.01k C B >> 52.87nF C B = 1F

Si X C << RL A = CC >> 1 2. . f min RL

1 2. .1kHz * 2k C B >> 79.6nF C B = 1F

Si X E << re + R E 1 A = C E >> 1 2 . . f min R E 2

Ing. Antonio Caldern

1 2. . f min (re + RE1 )

1 1 C E >> 2. .1kHz * 4.7k 2. .1kHz (3.57 + 33 ) C E >> 33.86nF C E >> 4.35F C E = 47 F

Ing. Antonio Caldern

DISEO DE AMPLIFICADOR EN BASE COMN Circuito

Ing. Antonio Caldern

Ejercicio En el siguiente circuito obtenga la ecuacin de la ganancia e impedancia de entrada.

Para el caso de la impedancia de entrada observamos el circuito y obtenemos que: R || R Rin = RE || re + 1 2 +1

Ing. Antonio Caldern

Por lo tanto VE 1V + vinp VCE vop + vact

Ing. Antonio Caldern

Como el diseo no contiene Rin el proceso es ms sencillo.

Asumimos resistencias de tolerancia 20 %, por lo tanto factor de seguridad de 1.3

RE1 = 158 re = 158 5.81 = 152.19 RE1 = 150

Ing. Antonio Caldern

5V = 0.5V A 10 vop + vact ; VCE 5V + 2V VCE 7V =

4.3mA = 53.75A 80 Estabilidad de polarizacin

X E << Rin C E >>

Ing. Antonio Caldern

1 2. .1kHz *117 C E >> 1.36 F

X C << RL CC >> 1 2. . f min RL