TechnischeInformation/TechnicalInformation

IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
EasyPIM™ModulmitTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC

VorläufigeDaten/PreliminaryData

VCES = 1200V
IC nom = 15A / ICRM = 30A

TypischeAnwendungen TypicalApplications
• Hilfsumrichter • AuxiliaryInverters
• Klimaanlagen • AirConditioning
• Motorantriebe • MotorDrives

ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures
• NiedrigeSchaltverluste • LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT4 • TrenchIGBT4
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• NiedrigesVCEsat • LowVCEsat

MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen • Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
Widerstand
• KompaktesDesign • Compactdesign
• Lötverbindungstechnik • SolderContactTechnology
• Robuste Montage durch integrierte • Rugged mounting due to integrated mounting
Befestigungsklammern clamps

ModuleLabelCode
BarcodeCode128 ContentoftheCode Digit
ModuleSerialNumber 1-5
ModuleMaterialNumber 6-11
ProductionOrderNumber 12-19
DMX-Code
Datecode(ProductionYear) 20-21
Datecode(ProductionWeek) 22-23

preparedby:DK dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB revision:2.3 ULapproved(E83335)

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES  1200  V
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom TC = 100°C, Tvj max = 175°C IC nom 15 A
 
ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25°C, Tvj max = 175°C IC 28 A
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
tP = 1 ms ICRM  30  A
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
TC = 25°C, Tvj max = 175 Ptot  130  W
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
 VGES  +/-20  V
Gate-emitterpeakvoltage

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C 1,85 2,25 V
Collector-emittersaturationvoltage IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 125°C VCE sat 2,15 V
IC = 15 A, VGE = 15 V Tvj = 150°C 2,25 V
Gate-Schwellenspannung
IC = 0,48 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,2 5,8 6,4 V
Gatethresholdvoltage
Gateladung
VGE = -15 V ... +15 V QG  0,12  µC
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Tvj = 25°C RGint  0,0  Ω
Internalgateresistor
Eingangskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies  0,89  nF
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres  0,03  nF
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES   1,0 mA
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES   400 nA
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,055 µs
td on
Turn-ondelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,055  µs
RGon = 39 Ω Tvj = 150°C 0,055 µs
Anstiegszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,059 µs
tr
Risetime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,065  µs
RGon = 39 Ω Tvj = 150°C 0,065 µs
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,195 µs
td off
Turn-offdelaytime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,275  µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,28 µs
Fallzeit,induktiveLast IC = 15 A, VCE = 600 V Tvj = 25°C 0,145 µs
tf
Falltime,inductiveload VGE = ±15 V Tvj = 125°C  0,19  µs
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 0,215 µs
EinschaltverlustenergieproPuls IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 1,30 mJ
Turn-onenergylossperpulse VGE = ±15 V, di/dt = 550 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eon  1,75  mJ
RGon = 39 Ω Tvj = 150°C 1,95 mJ
AbschaltverlustenergieproPuls IC = 15 A, VCE = 600 V, LS = 50 nH Tvj = 25°C 0,83 mJ
Turn-offenergylossperpulse VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C Eoff  1,20  mJ
RGoff = 39 Ω Tvj = 150°C 1,35 mJ
Kurzschlußverhalten VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
ISC  
SCdata VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C 55 A
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proIGBT/perIGBT RthJC  1,05 1,15 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
RthCH  1,05 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1200  V
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
 IF  15  A
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
tP = 1 ms IFRM  30  A
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C 16,0 A²s
I²t  
I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C 14,0 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C 2,00 2,65 V
Forwardvoltage IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 125°C VF 2,10 V
IF = 15 A, VGE = 0 V Tvj = 150°C 2,10 V
Rückstromspitze IF = 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 13,0 A
Peakreverserecoverycurrent VR = 600 V Tvj = 125°C IRM  12,0  A
VGE = -15 V Tvj = 150°C 12,0 A
Sperrverzögerungsladung IF = 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 1,20 µC
Recoveredcharge VR = 600 V Tvj = 125°C Qr  2,05  µC
VGE = -15 V Tvj = 150°C 2,40 µC
AbschaltenergieproPuls IF = 15 A, - diF/dt = 550 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C 0,37 mJ
Reverserecoveryenergy VR = 600 V Tvj = 125°C Erec  0,68  mJ
VGE = -15 V Tvj = 150°C 0,80 mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  1,75 1,90 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,30 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Tvj = 25°C VRRM  1600  V
Repetitivepeakreversevoltage
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C IFRMSM  30  A
MaximumRMSforwardcurrentperchip
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
TC = 80°C IRMSM  30  A
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
StoßstromGrenzwert tp = 10 ms, Tvj = 25°C 300 A
IFSM  
Surgeforwardcurrent tp = 10 ms, Tvj = 150°C 245 A
Grenzlastintegral tp = 10 ms, Tvj = 25°C 450 A²s
I²t  
I²t-value tp = 10 ms, Tvj = 150°C 300 A²s

CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.

Durchlassspannung
Tvj = 150°C, IF = 15 A VF  0,85  V
Forwardvoltage
Sperrstrom
Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR  1,00  mA
Reversecurrent
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
proDiode/perdiode RthJC  1,20 1,35 K/W
Thermalresistance,junctiontocase
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
RthCH  1,15 K/W
Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
TemperaturimSchaltbetrieb
 Tvj op -40  150 °C
Temperatureunderswitchingconditions

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Nennwiderstand
TC = 25°C R25  5,00  kΩ
Ratedresistance
AbweichungvonR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5  5 %
DeviationofR100
Verlustleistung
TC = 25°C P25   20,0 mW
Powerdissipation
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50  3375  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80  3411  K
B-value
B-Wert
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100  3433  K
B-value
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.

Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min VISOL  2,5  kV
Isolationtestvoltage
InnereIsolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
  AI203  
Internalisolation basicinsulation(class1,IEC61140)
Kriechstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 11,5
   mm
Creepagedistance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 6,3
Luftstrecke Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink 10,0
   mm
Clearance Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 5,0
VergleichszahlderKriechwegbildung
 CTI  > 200  
Comperativetrackingindex
min. typ. max.
Modulstreuinduktivität
 LsCE  30  nH
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
RCC'+EE' 8,00
Chip TC=25°C,proSchalter/perswitch   mΩ
RAA'+CC' 6,00
Moduleleadresistance,terminals-chip
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper 175 °C
Tvj max  
Maximumjunctiontemperature Gleichrichter/rectifier 150 °C
TemperaturimSchaltbetrieb Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper -40 150 °C
Tvj op 
Temperatureunderswitchingconditions Gleichrichter/rectifier -40 150 °C
Lagertemperatur
 Tstg -40  125 °C
Storagetemperature
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
 F 20 - 50 N
mountig force per clamp
Gewicht
 G  24  g
Weight

Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
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VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE) IC=f(VCE)
VGE=15V Tvj=150°C

30 30
Tvj = 25°C VGE = 19 V
27 Tvj = 125°C 27 VGE = 17 V
Tvj = 150°C VGE = 15 V
VGE = 13 V
24 24 VGE = 11 V
VGE = 9 V
21 21

18 18
IC [A]

IC [A]
15 15

12 12

9 9

6 6

3 3

0 0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0
VCE [V] VCE [V]

ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE) Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VCE=20V VGE=±15V,RGon=39Ω,RGoff=39Ω,VCE=600V

30 8
Tvj = 25°C Eon, Tvj = 125°C
27 Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C
Tvj = 150°C 7 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
24
6
21

5
18
E [mJ]
IC [A]

15 4

12
3

9
2
6

1
3

0 0
5 6 7 8 9 10 11 12 13 0 5 10 15 20 25 30
VGE [V] IC [A]

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5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
switchinglossesIGBT,Inverter(typical) transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Eon=f(RG),Eoff=f(RG) ZthJH=f(t)
VGE=±15V,IC=15A,VCE=600V

9,0 10
Eon, Tvj = 125°C ZthJH : IGBT
Eon, Tvj = 150°C
8,0 Eoff, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 150°C
7,0

6,0

ZthJH [K/W]
5,0
E [mJ]

1
4,0

3,0

2,0

i: 1 2 3 4
1,0 ri[K/W]: 0,154 0,345 0,865 0,736
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,0 0,1
0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400 0,001 0,01 0,1 1 10
RG [Ω] t [s]

SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
(RBSOA) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IF=f(VF)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=39Ω,Tvj=150°C
33 30
IC, Modul Tvj = 25°C
30 IC, Chip 27 Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
27
24

24
21
21
18
18
IC [A]

IF [A]

15
15
12
12
9
9

6
6

3 3

0 0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0
VCE [V] VF [V]

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6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical) switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF) Erec=f(RG)
RGon=39Ω,VCE=600V IF=15A,VCE=600V

1,4 1,0
Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C 0,9 Erec, Tvj = 150°C
1,2
0,8

1,0 0,7

0,6
0,8
E [mJ]

E [mJ]
0,5

0,6
0,4

0,4 0,3

0,2
0,2
0,1

0,0 0,0
0 5 10 15 20 25 30 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
IF [A] RG [Ω]

TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
transientthermalimpedanceDiode,Inverter forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
ZthJH=f(t) IF=f(VF)

10 30
ZthJH : Diode Tvj = 25°C
Tvj = 150°C

25

20
ZthJH [K/W]

IF [A]

1 15

10

5
i: 1 2 3 4
ri[K/W]: 0,404 0,664 1,174 0,808
τi[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2

0,1 0
0,001 0,01 0,1 1 10 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2
t [s] VF [V]

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TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)

100000
Rtyp

10000
R[Ω]

1000

100
0 20 40 60 80 100 120 140 160
TC [°C]

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8
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline

Gehäuseabmessungen/packageoutlines

In fin eon

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9
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules FP15R12W1T4_B3
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen

DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.

IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.

SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.

AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.

SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.

Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.

InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.

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interestedwemayprovideapplicationnotes.

Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
-toperformjointRiskandQualityAssessments;
-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.

Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.

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10