Mikroelektronik und Informationstechnik im Nanokosmos

Facharbeit vorgelegt von: Kevin Straer

Schuljahr 2009/2010 Fachlehrerin: Frau Dr. Karin Gumbiowski

Bohmte, den 2. Oktober 2009

Inhaltsverzeichnis

1)

Einleitung

2)
2.1) 2.2)

Nanostrukturen und ihre Gre

Die subtraktive Fotolithografie

2
2

Die Skalierung und die Auswirkung auf die Funktionsweise 3

3)
3.1) 3.2)

Die Vermessung durch die Atomkraft-Mikroskopie 4

Der Kontaktmodus Der Nicht-Kontaktmodus 4 5

4)

Schlusswort

5)

Literaturverzeichnis

6)

Bildnachweise

7)

Anhang

8)

Erklrung

1.Einleitung Die vorliegende Hausarbeit beschftigt sich mit der Nanotechnologie in der Mikroelektronik und Informationstechnik. Die zentrale Fragestellung bezieht sich dabei auf die Probleme und Vorteile, welche diese Technologie besitzt. Zu Beginn dieser Arbeit werden zunchst die Einsatzgebiete erlutert, wo bereits heute Nanotechnik, in der Informationstechnik, zum Einsatz kommt. Anschlieend wird eines der Produktionsverfahren fr Mikrochips und Computerprozessoren nher erlutert. Am Ende der Arbeit wird aus Platzgrnden nur das Verfahren der Atomkraft-Mikroskopie (AFM) zur Messung der Nanostrukturen vorgestellt. Es sei angemerkt, dass dies nicht das einzigste Verfahren zur Messung von Nanostrukturen ist. Wir sind bereits jeden Tag von Nanotechnologie umgeben, auch wenn wir es nicht einmal wissen. Computer, Handys, Beamer, Plasmafernseher, die Anzeigentafel im Stadion... diese Dinge enthalten alle bereits

Nanotechnologie. Diese Aufzhlung knnte man fast endlos erweitern, selbst mit Dingen in denen man keine Nanotechnik vermutet, wie z.B. der Telefonanschluss. ber dieses zweiadrige Kabel war bis vor einigen Jahren nur das Telefonieren mglich.1 Heute kann man ber dieses Kabel nicht nur Telefonieren, sondern empfngt sein Fernsehprogramm und den DSLInternetanschluss gleichzeitig, immer noch ber zwei Kupferadern. Dies ist ebenfalls nur durch Nanotechnik mglich. Neue Algorithmen, schnellere Rechner und die daraus entstehende Datenkompression machen es mglich und dabei sind die Mikrochips nicht gewachsen, sondern wurden immer kleiner im Laufe der Zeit. Aber um diese Dinge zu erfinden bentigte man eine geraume Zeit, bis Verfahren entwickelt wurden und die bentigten Maschinen klein genug waren um die Nanotechnik so effizient einzusetzen, dass sie diese Dinge vollbringen kann ohne das wir dabei eine Strung empfinden.

Hoffmann, Martin: Nanotechnologie in der Mikroelektronik und Informationstechnik mehr als nur Nanopartikel. In: Scherzberg, Arno/Wendorff, Joachim-H.: Nanotechnologie, De Gruyter Recht, Berlin 2009, S. 13

2.Nanostrukturen und ihre Gre Nanostrukturen 2 1 Die subtraktive Fotolithografie 2.1 subtraktive Prozessoren, wie man sie in Computern einsetzt, basieren momentan auf Prozessoren, einer Transistorgre von 65 nm2 (Zum Vergleich: 1965 war dieser Wert um das 2.100.000 fache grer). Diese Transistoren werden nicht etwa 2.100.000-fache Diese einzeln hergestellt, sondern direkt auf dem Mikrochip mithilfe von Silizium Silizium. Dazu wird die Fotolithografie angewandt. Dieses Produktionsverfahren ermglicht es mehrere Transistoren gleichzeitig auf dem zuknftigen Mikrochip Mikrochip herzustellen. Es existieren zwei Methoden, wobei die subtraktive wobei der additiven vorgezogen wird.3 (1) Bei der subtraktiven Fotolithografie wird zuerst auf das Substrat

(Trgerplatine) die stromleitende Funktionsschicht aufgebracht. Darber wird aufgebracht. dann ein positiver Fotoresist gegeben. (2) positiver gegeben. (2)
Abb. 2 subtraktive Fotolithografie (schematisch in fnf Schritten chematisch Schritten)

Dieser Fotoresist kann nach dem Aushrten an den gewnschten

Stellen entfernt werden, indem man ihn mit UV Licht bestrahlt4. (3) UV-Licht Nachdem der bestrahlte und lsliche Fotoresist entfernt wurde, (4) wird die berschssige Funktionsschicht vertzt.5 (5) Nun wird der berschssige Fotoresist mithilfe eines Lsungsmittels gestrippt, also abgezogen. Als Endprodukt erhlt man so eine Platine, welche mit den gewnschten Transistoren aus Silizium fest verbunden ist. Um nun einen vollstndigen Mikrochip Mikrochip herzustellen wird dieser Vorgang mehrmals wiederholt, sodass sodass mehrere Ebenen mit Millionen von Transistoren entstehen. Am Ende wird Millionen der Mikrochip in einer Kunststoffschicht versiegelt, damit die sensiblen Mikrochip versiegelt, Transistoren nicht beschdi werden. beschdigt werden.
2 3

nm Die Lngeneinheit Nanometer entspricht Metern Fotolithographie (Wikipedia) Im Internet: [Link siehe Literaturverzeichnis] 4 Fotoresist (Wikipedia) Im Internet: [Link siehe Literaturverzeichnis] 5 Beckmann, Marco und Lenz, Phillip: Profitieren von Nanotechnologie Investment der Zukunft, Finanzbuchverlag, S. 52 59 52-59

2.2 Die Skalierung und die Auswirkung auf die Funktionsweise Diese geringe Gre eines Mikrochips hat allerdings auch erhebliche Nachteile. Dazu ein Beispiel: Wenn man alle Kantenlngen auf 1/10 verkleinert, so verringert sich die Oberflche auf 1/100 (Oberflche = Kantenlnge). Einen noch greren Effekt hat die Verkleinerung auf das Volumen und damit auch auf die Masse. Diese verringert sich auf 1/1000 (Volumen = Kantenlnge). Wenn auch nun der Widerstand des verkleinerten Mikrochips genauer betrachtet wird stellt man fest das dieser Wert um das 10-fache ansteigt (Widerstand = spezifischer Widerstand * (Kantenlnge / Oberflche)). Diese Effekte bewirken, dass die Chipentwickler sich gezwungen sehen, andere Materialien als Aluminium fr die Leiterbahnen zu nutzen, welche einen geringeren spez. Widerstand aufweisen. Aber warum bentigt man einen so geringen Widerstand berhaupt? Die Antwort ist schnell gefunden. Durch einen hheren Widerstand erhht sich die Signallaufzeit, folglich wird der Mikrochip langsamer und verbraucht mehr Strom. Genau dies versucht man ja zu vermeiden, einen langsamen Mikrochip herzustellen der zudem noch ineffizient arbeitet. Die Chipentwickler fanden jedoch einen Ausweg. Sie nahmen Kupfer, welches einen geringeren spez. Widerstand besitzt.6

Kupfer ist eigentlich verboten, da es die halbleitenden Eigenschaften von Silizium drastisch verndert. Mit neuen Technologien kann man es aber in der Verdrahtungsebene so isolieren, dass es den Halbleiter nicht negativ beeinflussen kann. (Hoffmann, 2009,S. 13)7

Auch die Khlung der Mikrochips wird erschwert. Durch die geringere Oberflche und das deutlich verringerte Volumen besitzt der Mikrochips nur noch eine uerst geringe Wrmekapazitt (Wrmekapazitt = spezifische Wrmekapazitt * Masse) und kann so nur erschwert gekhlt werden.

Beckmann, Marco und Lenz, Phillip: Profitieren von Nanotechnologie Investment der Zukunft, Finanzbuchverlag, S. 52-59 7 Zitiert aus: Hoffmann, Martin: Nanotechnologie in der Mikroelektronik und Informationstechnik mehr als nur Nanopartikel. In: Scherzberg, Arno/Wendorff, JoachimH.: Nanotechnologie, De Gruyter Recht, Berlin 2009, S. 13

3. Die Vermessung durch die Atomkraft-Mikroskopie (AFM) Die Atomkraft-Mikroskopie (kurz: AFM = engl. Atomic Force Microscopy) ist ein Verfahren zur Messung von Nanostrukturen. AFM existiert seit 1986 und wurde von G. Binnig, H. Rohrer und C. Gerber entwickelt. Das Prinzip dieses Messverfahrens beruht auf der Messung der zwischenmolekularen Krfte der Probe und einer Nadel, welche nur wenige nm dnn ist. Diese Nadel ist an einem Federelement befestigt (ein so genannter Cantileaver), wodurch die entstehende Ablenkung mithilfe eines Lasers, welcher durch das Cantileaver reflektiert wird, gemessen wird und durch einen Computer weiterverarbeitet wird. Um optimale Ergebnisse zu erzielen sollte die Nadel immer den gleichen Abstand zur Probe einhalten und exakt senkrecht justiert sein. Auch der Messmodus spielt bei der Genauigkeit der Messungen eine Rolle. Es ist generell zu sagen, dass der Kontaktmodus zwar ein besseres Ergebnis liefert, jedoch nicht wenn es sich um eine Vielzahl der organischen Proben handelt, welche der hohen Belastung der Nadel nicht standhalten und zerstrt werden.

3.1 Der Kontaktmodus

Im Kontaktmodus befindet sich die Nadel nur etwa 0,5 nm ber der Probe. Whrend der Messung wirkt eine starke Kraft auf die Nadel ein welche den Cantileaver biegt und so eine Ablenkung des Lasers hervorruft. Ein Regelungssystem versucht die Kraft konstant zwischen 5-50 nN8 zu halten. Sollte sich die Kraft nun stark ndern, so wird dies anhand der
Abb. 3 Kontaktmodus schematische Abbildung der Nadel und des Cantileavers (gepunktete Linie entspricht dem Nadelverlauf gestreifte Flche markiert den Probekrper) (Bild nachbearbeitet)

Ablenkung registriert und mithilfe eines Computersystems grafisch ausgewertet. Das Regelungssystem

reguliert die Kraft nun entsprechend, um in den Ausgangszustand von 550nN zurckzukehren. 9

nN Nanonewton Vgl. Tallarida M.: Atomkraft-Mikroskopie (AFM) TU Cottbus Im Internet: [Link siehe Literaturverzeichnis]
9

3.2 Der Nicht-Kontaktmodus

Im Nicht-Kontaktmodus betrgt der durchschnittliche Nadelabstand zur Probe mehr als 1nm. Bei diesem Messmodus wird nicht mit einem Laser die Ablenkung bestimmt, sondern mithilfe eines Hochfrequenzgenerators. Dieser wird vor der Messung auf die bereits vorhandene Schwingung der Nadel justiert (freie Wenn

Schwingungsamplitude).

sich nun whrend der Messung die

Abb. 4 Nicht-Kontaktmodus schematische Abbildung der Nadel und des Cantileavers (Schwingungsamplitude in rot gepunktete Linien entsprechen der minimalen/maximalen Auslenkung gestreifte Flche markiert den Probekrper) (Bild nachbearbeitet)

Schwingungsamplitude ist der Abstand

verkleinert

zwischen Nadel und Probe kleiner geworden (Siehe Abb. 3). Diese

Abstandsnderung wird, wie auch

bei dem Kontaktmodus, von einem Computersystem verarbeitet und wieder auf die Ausgangsfrequenz zurckgebracht.10

4 Schlusswort Durch Nanotechnik gab es in den letzten Jahren viele neue Elektronikartikel ohne die wir heute aus unserem Alltag gar nicht mehr wegdenken knnen. Jedoch hat es lange gebraucht bis wir die Nanotechnik effektiv nutzen konnten. Dies lag zu einem daran, dass immer kleinere Mikrochips immer grere Probleme nach sich zogen und zum anderen das diese Probleme nur gelst werden konnten indem neuartige Methoden und Stoffkombinationen getestet werden mussten. Letztendlich hat die Wissenschaft es jedoch geschafft diese Probleme in den Griff zu bekommen und die Nanotechnik fr sich zu gewinnen. In der Zukunft wird er noch kleinere Mikrochips geben, welche noch effektiver als die heutigen sein werden. Meine persnliche Meinung ist es, dass die Zukunft uns noch bessere Technik bringen wird, auch wenn es Probleme geben wir die Chips noch kleiner zu machen. Jedoch bin ich zuversichtlich, dass die Forschung auch diese Probleme in den Griff bekommen wird.
10

Vgl. Tallarida M.: Atomkraft-Mikroskopie (AFM) TU Cottbus Im Internet: [Link siehe Literaturverzeichnis]

Literaturverzeichnis

1) Hoffmann, Martin: Nanotechnologie in der Mikroelektronik und Informationstechnik mehr als nur Nanopartikel. In: Scherzberg, Arno/Wendorff, Joachim-H.: Nanotechnologie, De Gruyter Recht, Berlin 2009, S. 13 2) Beckmann, Marco und Lenz, Phillip: Profitieren von Nanotechnologie Investment der Zukunft, Finanzbuchverlag, S. 52-59 3) Fotolithografie (Wikipedia) Im Internet: http://de.wikipedia.org/wiki/Fotolithografie_(Halbleitertechnik) 4) Fotoresist (Wikipedia) Im Internet: http://de.wikipedia.org/wiki/Fotoresist 5) Tallarida, M., Atomkraft-Mikroskopie (AFM) TU Cottbus http://www.physik.tucottbus.de/physik/xp2/newhp/fileadmin/Lehre/FPraktikum/Atomkraf tmikroskopie.pdf Zugehrige Seite: http://www.physik.tucottbus.de/physik/xp2/newhp/index.php?id=prakt

Bildnachweise

Abb. 1 Titelbild: http://www.spiegel.de/img/0,1020,131132,00.jpg Entnommen aus: http://www.spiegel.de/netzwelt/web/0,1518,253801,00.html DPA Abb. 2 Subtraktive Fotolithografie: http://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/95/TyLithographyAndPatternTransferByEtching-de.svg Entnommen aus: http://de.wikipedia.org/w/index.php?title=Datei:TyLithographyAndPatternTransferByEtchingde.svg&filetimestamp=20071216150656 Abb. 3 Kontaktmodus schematische Abbildung der Nadel und des Cantileavers Entnommen aus: Literatur [5]: Tallarida, M., Atomkraft-Mikroskopie (AFM) TU Cottbus S. 2 http://www.physik.tucottbus.de/physik/xp2/newhp/fileadmin/Lehre/FPraktikum/Atomkraf tmikroskopie.pdf Abb. 4 Nicht- Kontaktmodus schematische Abbildung der Nadel und des Cantileavers Entnommen aus: Literatur [5] Tallarida, M., Atomkraft-Mikroskopie (AFM) TU Cottbus S. 3 http://www.physik.tucottbus.de/physik/xp2/newhp/fileadmin/Lehre/FPraktikum/Atomkraf tmikroskopie.pdf

Anhang

Abb. 2 (Vergrerung) subtraktive Fotolithografie (schematisch in fnf Schritten) Schritten)

Abb. 3 (Vergrerung) Kontaktmodus schematische Abbildung der Nadel und des Cantileavers (gepunktete Linie entspricht dem Nadelverlauf gestreifte Flche (gepunktete markiert den Probekrper) (Bild nachbearbeitet)

Abb. 4 Nicht-Kontaktmodus - schematische Abbildung der Nadel und des Nicht Kontaktmodus Cantileavers (Schwingungsamplitude in rot - gepunktete Linien entsprechen der Cantileaver ntileavers minimalen/maximalen Auslenkung gestreifte Flche markiert den Probekrper) minimalen/maximale maximalen (Bild nachbearbeitet)

Erklrung
Hiermit erklre ich, dass ich die vorliegende Facharbeit selbststndig angefertigt , keine anderen als die angegebenen Hilfsmittel benutzt und die Stellen der Facharbeit, die im Wortlaut oder im wesentlichen Inhalt aus anderen Werken entnommen wurden, mit genauer Quellenangabe kenntlich gemacht habe.

Bohmte, den 2. Oktober 2009

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Kevin Straer