Electrnica

Componentes activos: DIODOS TRANSISTORES

Semiconductores
Los componentes electrnicos activos se fundamentan en los materiales semiconductores. Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante en funcin del aporte exterior de energa. Los materiales semiconductores ms utilizados son el silicio (Si) y el germanio (Ge) Los tomos de silicio y germanio tienen cuatro electrones en su ltima capa. Estos electrones se combinan con otros tantos tomos vecinos. De esta forma al no existir electrones libres se comporta como aislante

Semiconductores
Tipos: Semiconductores intrnsecos: formado por tomos de un mismo elemento. En ellos , la conduccin se puede establecer mediante aporte de calor. Semiconductores extrnsecos: formado por tomos de semiconductor y de impurezas (dopado). Se emplean para fabricar los componentes ms
importantes (diodos, transistor)

Tipo N: Se obtiene cuando las impurezas que se introducen tienen cinco electrones de valencia. Los ms empleados son arsnico,
bismuto, antimonio y fsforo.

Por cada tomo de impureza aadido se genera u electrn libre Tipo P: Se obtiene cuando las impurezas que se introducen tienen tres electrones de valencia. Los ms empleados son indio, alumio,
galio y boro.

En este tipo de dopado falta un electrn para completar los enlaces covalentes entre un tomo de impureza y un tomo de silicio o germanio.

Diodos
Se obtiene a partir de la unin de semiconductores p y n, aadiendo dos terminales, siendo el nodo (+) la zona p y el ctodo (-) la zona n. Representacin + Real Smbolo + -

El polo negativo (ctodo) del diodo, se identifica por una banda de color gris.

Comprobacin del estado del diodo y su polaridad.

Diodos
Polarizacin del diodo: En funcin de cmo conectemos el diodo a los polos de la fuente de alimentacin, permitir o no, el paso de la corriente elctrica.
POLARIZACIN CIRCUITO CARACTERSTICAS

DIRECTA el nodo se conecta al positivo de la batera y el ctodo al negativo. INVERSA el nodo se conecta al negativo y el ctodo al positivo de la batera

El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a 0,7V. El valor de la resistencia interna seria muy bajo.

Se comporta como un interruptor cerrado

El diodo no conduce y toda la tensin de la pila cae sobre el. Puede existir una corriente de fuga del orden de uA. El valor de la resistencia interna sera muy alto

Se comporta como un interruptor abierto.

Diodos

Curva caracterstica del diodo:

Representa la intensidad que recorre un diodo en relacin con el voltaje aplicado.

Cuando se sobrepasa la tensin umbral (Vu), se produce un crecimiento exponencial de la corriente. En esta zona, el diodo se comporta prcticamente como un interruptor cerrado. Intensidad directa mxima admisible (Idmax). Es el valor mximo que puede alcanzar la corriente directa sin sobrepasar la potencia mxima nominal del diodo ( no se destruya). Al aplicar una tensin inversa, se pruduce una corriente de fuga (I0) prcticamente nula. Tensin de ruptura o Zener (VZ): es el valor mximo de la tensin capaz de soportar el diodo sin que se produzca la conduccin en inversa.

Corriente Zener

Diodos

Resolucin de circuitos con diodos:

Existen tres aproximaciones para la resolucin:

a) Diodo ideal ( 1 aproximacin) El diodo ideal acta exactamente igual que un conductor perfecto, cuando est polarizado directamente y como aislante perfecto en polarizacin inversa. Polarizacin directa: acta como un interruptor cerrado.

Curva equivalente

Polarizacin indirecta: acta como un interruptor abierto.

Dado el circuito de la figura calcula la intensidad, y la potencia de la resistencia y el diodo.

Diodos
b) Segunda aproximacin.

Resolucin de circuitos con diodos:

Se necesitarn alrededor de 0,7 voltios para que el diodo de silicio sea realmente un buen conductor. (Para el germanio 0,3 V). El diodo es equivalente a un interruptor cerrado y una pila de 0,7 V.

Curva aproximada

Dado el circuito de la figura calcula la intensidad, y la potencia de la resistencia y el diodo, por la segunda aproximacin

Diodos

Tipos de diodos:

a) Diodo LED (Light-Emitting Diode)

Es un diodo que emite luz cuando est polarizado directamente. El voltaje de conduccin o tensin umbral es de 1,8 V a 2 V Se tiene que colocar siempre una resistencia en serie con el LED para protegerlo, limitando la intensidad que pasa por el y proporcionarle la tensin adecuada.
Identificacin de polos + La patilla ms corta es el ctodo (polo negativo).

Smbolo

El chafln corresponde al ctodo (-).

Diodos

Tipos de diodos:

a) Diodo LED (Light-Emitting Diode)

Identificacin de polos (Mediante el polmetro)

Colocamos la ruleta en el smbolo del diodo. La punta de prueba roja sobre el nodo (+),patilla larga y la negra sobre el ctodo (-), patilla corta. Nos dar una lectura en la pantalla. Si se coloca al revs no da lectura o no se enciende el LED

Diodos

a) Diodo LED (Light Emitting Diode)

Clculo de la resistencia en serie: Normalmente se conocen los datos del Led, su intensidad mxima ( 5 mA a 20 mA) y su tensin 1,5 V a 2 V. Ejemplo:

Conocidas las magnitudes de un LED: intensidad mxima de 20 mA y tensin de 2V. Calcula la resistencia a conectar en serie si disponemos de una pila de 6 V.
LED
I = 20 mA VD= 2 V

Esquema:

Por ser un circuito en serie:

VP = VR1 + VD VR1 = VP VD = 4V Ley de Ohm : 4V V = 200 R1 = R1 = 0,02 A I

El valor de resistencia normalizado ms cercano es 180 o 220. Cul pondremos? Se toma la de mayor valor para no superar la Imax

Diodos
Ejercicio:

a) Diodo LED (Light-Emitting Diode)

En el circuito de la figura, calcula la resistencia de proteccin del LED, as como su potencia, sabiendo que la tensin umbral de ste es de 2 v y que la intensidad mxima que ha de circular es de 12,5 mA.

Transistores
Los transistores son operadores electrnicos que, conectados de forma adecuada en un circuito, pueden funcionar como interruptores o como amplificadores de una seal elctrica. Est constituido por tres cristales semiconductores que forman dos uniones PN juntas y en oposicin.
Todo transistor dispone de tres patillas o terminales, que estn conectadas a cada terminales cristal semiconductor:

Base (B): Es la patilla de control Colector (C): Emisor (E):

Transistores
NPN

Dependiendo de la colocacin de los semiconductores existen dos tipos:

Smbolo:

PNP

Smbolo:

Transistores

Identificacin de terminales

Existen muchos tipos de transistores con encapsulados diferentes. Para realizar un montaje, es necesario identificar cada patilla y asegurar as el funcionamiento correcto. Buscando la informacin en las hojas del fabricante (Data sheet) y en funcin del tipo y su encapsulado identificaremos cada patilla.

Transistores

Identificacin de terminales

Los polmetros digitales tienen unas clavijas que sirven para medir la ganancia del transistor. Para identificar los terminales, se coloca la rueda selectora en el indicador de medida de ganancia (hFE), se introducen los terminales del transistor de forma aleatoria en las clavijas E, B,C,E repitiendo el proceso hasta que aparezca un valor coherente en la pantalla (un nmero entero mayor que 1), y , en ese caso, la base, el colector y el emisor del transistor se corresponden con las iniciales B, C y E respectivamente.

Transistores

Funcionamiento del transistor NPN

Los transistores pueden funcionar de tres formas distintas: en activa, en corte y en saturacin.
Analizamos su funcionamiento a travs de un smil hidrulico.
Imaginemos una tubera que dispone de una llave de paso B con un muelle de cierre cuya resistencia se vence al presionar la base. El agua intentar pasar del emisor E al colector C.

Corte: si no hay presin en B (base), no puede abrir la vlvula y no se produce paso de fluido de E a C.
Si no hay corriente en la base del transistor no pasa la corriente del colector al emisor. Se comporta como un interruptor
abierto.

Transistores

Funcionamiento del transistor NPN

Activa: si llega algo de presin a B (base), est abrir ms o menos la vlvula y dejar pasar ms o menos fluido de E a C

El transistor permitir un paso de corriente proporcional a la intensidad en la base y siempre superior a esta. A la relacin entre ambas corrientes se le llama amplificacin o ganancia. Se comporta como un amplificador

Transistores

Funcionamiento del transistor NPN

Saturacin: si llega suficiente presin a B (base) de forma que abra totalmente la vlvula, se comunica E con C y el fluido pasa sin dificultad.

Cuando la intensidad en la base es grande, el transistor se comporta como un interruptor cerrado

Con una pequea seal en la base ( A) se controla el funcionamiento del transistor.

Transistores

Las tensiones y corrientes en el transistor.

En la figura se observa el sentido de las diferentes intensidades de corriente, as como la denominacin de las tensiones entre los tres terminales. Considerando el transistor como un nudo elctrico:

Considerando el transistor como una malla:

Transistores
Para funcionamiento en activa, se cumple:

Donde:

IB = Intensidad de corriente en la base. IC = Intensidad de corriente en el colector. IE = Intensidad de corriente en el emisor.

= ganancia en intensidad

VCE = tensin entre el colector y el emisor. VBE = tensin entre la base y el emisor. VCB = tensin entre el colector y la base.

Transistores
Regin de corte

Regiones de funcionamiento.

Se caracteriza porque tanto la unin base-emisor como la unin base-colector estn polarizadas inversamente.
En estas condiciones la tensin en la base es nula o negativa, luego las intensidades que aparecen son prcticamente nulas, el transistor no conduce.

La tensin entre el colector y el emisor (VCE) es prcticamente igual a la de alimentacin.

VCE = VCC

La tensin entre la base y el emisor (VBE) es menor a 0,7 V (silicio).

VBE < 0,7 v

El transistor se comporta como un interruptor abierto.

Transistores
Regin de corte

Regiones de funcionamiento.

Transistores
Regin activa

Regiones de funcionamiento.

Se caracteriza porque la unin base-emisor se polariza directamente y, en inverso, la unin base-colector.

En este caso, las intensidades de corriente ya no son nulas ( el transistor conduce parcialmente).

La tensin entre el colector y el emisor (VCE) est comprendida entre 0,2 V y la tensin de alimentacin.
0,2 v VCE VCC

La tensin entre la base y el emisor (VBE) es mayor o igual a 0,7 V (silicio). V 0,7 v
BE

La intensidad en el colector ser:

El transistor se comporta como un amplificador.

Transistores
Regin activa

Regiones de funcionamiento.

Transistores

Regiones de funcionamiento.

Regin de saturacin
Se caracteriza porque las uniones base-emisor y basecolector se polariza directamente.
El transistor conduce plenamente y la tensin colector-emisor es aproximadamente 0,2 V. VCE = 0,2 V

En esta regin ya no se cumple la ecuacin fundamental del transistor, sino que la intensidad de colector es inferior a la que se obtendra en zona activa.

El transistor se comporta como un interruptor cerrado.

Transistores

Regiones de funcionamiento.

Regin de saturacin

Transistores

Regiones de funcionamiento.

Tabla resumen del funcionamiento del transistor

Transistores

Curvas caractersticas.

Resolucin de circuitos con transistores

VCC RC RB VBB RB RC

VCC

VBB

Ib

Ib

VCE VBE

Diferenciamos dos circuitos: Circuito de entrada: formado por la base y el emisor.

RB VBE

VBB + I b RB + VBE = 0
VBB VBE Ib = RB

VBB

Ib

Circuito equivalente

Resolucin de circuitos con transistores

VCC RC RB VBB RC

Ic
VCC VBB

Ib
RB

Ib

Ib

VCE VBE

Circuito de salida:

formado por el colector y el emisor.

Malla:

RC

VCC + I c RC + VCE = 0
VCC VCE Ic = RC

VCE

Ic

VCC

Resolucin de circuitos con transistores (NPN)

Pasos a seguir suponiendo transistor en activa.
Suponiendo transistor en activa : VBE 0,7 v

Calcular la intensidad de la base (Ib) : mediante malla de entrada

RB VBB
Ib

RC VCC

VBB VBE Ib = RB

Si Ib> 0

Est en activa

Calcular la tensin VCE : mediante la expresin y la malla de salida VCC + I c RC + VCE = 0 Se comprueba que VCE > VCEsat> 0,2 v

Ic = Ib

Si no se cumplen estas condicines expuestas el transistor esta polarizado en saturacin