CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO

EL DIODO ZENER Es un tipo especial de diodo que diferencia del funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo rectificador, en donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y polarizacin inversa, el diodo Zener siempre se utiliza en polarizacin inversa, en donde la corriente desea circular en contra de la flecha que representa el mismo diodo. En este caso analizaremos el diodo Zener, pero no como un elemento ideal, si no como un elemento real y debemos tomar en cuenta que cuando ste se polariza en modo inverso si existe una corriente que circula en sentido contrario a la flecha del diodo, pero de muy poco valor. Smbolo del diodo Zener ( A - nodo K - ctodo)

Analizando la curva del diodo Zener vemos que en el lugar donde se marca como regin operativa, la corriente (Ir, en la lnea vertical inferior) puede variar en un amplio margen, de pero el voltaje (Vz) no cambia. Se mantiene aproximadamente en 5.6 V. (para un diodo Zener de 5.6 V) Caracterstica Su grfica es de la siguiente forma: Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar en l, con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" "Efecto Zener", esto es, la corriente aumenta bruscamente. Para fabricar diodos con un valor determinado de tensin de ruptura (V Z) hay que ver la impurificacin porque VZ es funcin de la impurificacin (NA ND), depende de las impurezas.

La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinacin debida a RZ:

En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los clculos se aproxima siempre.

Las aproximaciones para el zener son estas: Modelo ideal (1 aproximacin)

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensin VZ.

Esto solo es vlido entre IZmn y IZmx. 2 aproximacin

Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

DIODO TUNEL En 1958, el fsico japons Esaki, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un grado de contaminacin del material bsico mucho mas elevado que lo habitual exhiben una caracterstica tensin-corriente muy particular. La corriente comienza por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada hasta alcanzar un valor mximo, denominado corriente de cresta. A partir de este punto, si se sigue aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga haciendo hasta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se hace cada vez mas rpido hasta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a lo que los fsicos denominan efecto tnel, del que no nos ocuparemos aqu debido a su complejidad. Para las aplicaciones prcticas del diodo tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica es la comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la tensin aplicada corresponde una disminucin de la corriente; en otros trminos, la relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una resistencia incremental negativa. Una resistencia negativa puede compensar total o parcialmente una resistencia positiva. As, por ejemplo, las prdidas que se producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa de valor numrico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En tal caso el circuito oscilante se transforma en un oscilador. EFECTO TUNEL : El efecto tnel es un fenmeno nanoscpico por el que una partcula viola los principios de la mecnica clsica penetrando una barrera potencial o impedancia mayor que la energa cintica de la propia partcula. Una barrera, en trminos cunticos aplicados al efecto tnel, se trata de una cualidad del estado energtico de la materia anlogo a una "colina" o pendiente clsica, compuesta por crestas y flancos alternos, que sugiere que el camino ms corto de un mvil entre dos o ms flancos debe atravesar su correspondiente cresta intermedia si dicho objeto no dispone de energa mecnica suficiente como para imponerse con la salvedad de atravesarlo. A escala cuntica, los objetos exhiben un comportamiento ondular; en la teora cuntica, un cuanto movindose en direccin a una "colina" potencialmente energtica puede ser descrito por su funcin de onda, que representa la amplitud probable que tiene la partcula de ser encontrada en la posicin allende la estructura de la curva. Si esta funcin describe la posicin de la partcula perteneciente al flanco adyacente al que supuso su punto de partida, existe cierta probabilidad de que se haya desplazado "a travs" de la estructura, en vez de superarla por la ruta convencional que atraviesa la cima energtica relativa. A esto se conoce como efecto tnel.

SMBOLO DEL DIODO TUNEL

DESCRIPCIN DEL DIODO TUNEL El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. En consecuencia, el diodo tnel puede funcionar como amplificador, como oscilador o como biestable. Esencialmente, este diodo es un dispositivo de baja potencia para aplicaciones que involucran microondas y que estn relativamente libres de los efectos de la radiacin Si durante su construccin a un diodo invertido se le aumenta el nivel de dopado, se puede lograr que su punto de ruptura ocurra muy cerca de los 0V. Los diodos construidos de esta manera, se conocen como diodos tunel. Estos dispositivos presentan una caracterstica de resistencia negativa; esto es, si aumenta la tensin aplicada en los terminales del dispositivo, se produce una disminucin de la corriente (por lo menos en una buena parte de la curva caracterstica del diodo). Este fenmeno de resistencia negativa es til para aplicaciones en circuitos de alta frecuencia como los osciladores, los cuales pueden generar una seal senoidal a partir de la energa que entrega la fuente de alimentacin. Estos diodos tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky. El diodo Tunnel se comporta de una manera muy interesante conforme se le va aumentando una tensin aplicada en sentido directo. CURVA CARACTERSTICA DEL DIODO TUNEL Cuando se aplica una pequea tensin, el diodo tunnel empieza a conducir (la corriente empieza a fluir). Si se sigue aumentando esta tensin la corriente aumentar hasta llegar un punto despus del cual la corriente disminuye. La corriente continuar disminuyendo hasta llegar al punto mnimo de un "valle" y despus volver a incrementarse. En esta ocasin la corriente continuar aumentando conforme aumenta la tensin.

Este comportamiento de la corriente en funcin de la tensin en el diodo tunnel se puede ver en el siguiente grfico. Vp: Tensin pico Vv: Tensin de valle - Ip: Corriente pico - Iv: Corriente de valle

La regin en el grfico en que la corriente disminuye cuando la tensin aumenta (entre Vp y Vv) se llama "zona de resistencia negativa" Los diodos tunnel tienen la cualidad de pasar entre los niveles de corriente Ip e Iv muy rpidamente, cambiando de estado de conduccin al de no conduccin incluso ms rpido que los diodos Schottky.

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