T3 Disipación de Pot.

Electrnica de Potencia
UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA
UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

UNIDAD N 2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA UNIDAD N 3. DISPOSITIVOS DE CUATRO CAPAS UNIDAD N 4. CONVERTIDORES
Tema 1.- Repaso conceptos: Potencia elctrica. Armnicos Tema 2.- Elementos semiconductores de potencia Tema 3.- Disipacin de potencia Disipacin de potencia. Equivalente elctrico. Parmetros fundamentales. Impedancia trmica. Clculo de disipadores de calor.
Prof. J.D. Aguilar Pea Departamento de Electrnica. Universidad Jan jaguilar@ujaen.es http://voltio.ujaen.es/jaguilar
3.1 Introduccin 3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor 3.3 Equivalente elctrico 3.3.1 Resistencias trmicas Resistencia Unin - Contenedor, Rjc Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd Resistencia de disipador, Rd 3.3.2 Temperatura mxima de la unin, Tjmax 3.3.3 Potencias 3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador 3.5 Ventilacin forzada 3.6 Impedancia Trmica Respuesta ante un nico pulso de potencia Respuesta ante una serie de impulsos al azar 3.7 Resumen
1 1 2 3 4 5 6 7 8 10 14 14 17 18 23
TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA
3.1 Introduccin
Siempre que por un elemento conductor circula una corriente elctrica, se generan unas prdidas de potencia que elevan la temperatura del mismo. Estas prdidas son debidas el efecto Joule, y cobran especial protagonismo en los elementos semiconductores de potencia, puesto que por ellos circulan elevadas intensidades, y por tanto el incremento de temperatura que se produce pone en peligro la vida del dispositivo. El calor que se produce en el interior del semiconductor debe ser evacuado rpidamente, con el fin de evitar que la temperatura interna llegue al lmite mximo permitido, lmite por encima del cual se destruir el dispositivo. En los ltimos aos, se ha experimentado un gran avance en los dispositivos electrnicos de potencia; la tendencia es integrar en pequesimas pastillas de silicio la mayor cantidad posible de funciones, tanto de control como de potencia (tecnologa Smart Power, o circuitos integrados inteligentes). El principal freno para el desarrollo de las nuevas tecnologas es precisamente la disipacin del calor que se genera en el interior de los chips. En Electrnica de Potencia la refrigeracin juega un papel muy importante en la optimizacin del funcionamiento y vida til del semiconductor de potencia. En ste tema se analizan los mtodos ms adecuados y seguros para la refrigeracin y se tratarn de mostrar los aspectos ms importantes en el clculo de disipadores de calor.
Fig 3. 1 Disipador de potencia
3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor
(2.08 Mb) [3_1]
Fig 3. 2 La excesiva disipacin de potencia destruye el transistor por sobrecalentamiento. Utilizando un disipador se evacua parte del calor, evitando as que la temperatura de la unin exceda los lmites permitidos por el fabricante.
En todo semiconductor el flujo de corriente elctrica produce una prdida de energa que se transforma en calor. El calor generado en la unin del semiconductor, se propaga por conduccin a la cpsula o contenedor y por conveccin al aire o medio ambiente se produce un aumento de la temperatura en el dispositivo; si este aumento es excesivo e incontrolado provocar una disminucin de la fiabilidad del componente, llegndose incluso a la destruccin de las uniones. Ver figura 3.2 La capacidad de evacuacin de calor al ambiente vara segn el tipo de cpsula o contenedor del dispositivo; en los semiconductores de potencia esta evacuacin es demasiado pequea, por lo que es
1
Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid
necesario facilitar la transferencia de calor generado, esto se consigue mediante un dispositivo de mayor volumen y superficie llamado radiador o disipador de calor, el cual hace de puente para evacuar el calor de la cpsula al medio ambiente. Ejemplos de disipadores:
[3_2] [3_3] [3_4]
3.3 Equivalente elctrico

Aunque el diseo trmico de los elementos semiconductores podra realizarse aplicando las ecuaciones bsicas de la transferencia de calor, se ha generalizado un mtodo mas sencillo basado en una analoga entre las ecuaciones trmicas y la ley de Ohm. Por el principio de analoga se puede realizar un smil elctrico de todo el proceso trmico. La diferencia de temperatura es anloga a una diferencia de potencial (tensin) el flujo calorfico es anlogo al flujo de corriente elctrica (intensidad) y la resistencia trmica similar a la resistencia elctrica. El paso de la corriente elctrica produce un aumento de la temperatura de la unin (Tj). Si sta se quiere mantener a un nivel seguro, debemos evacuar al exterior la energa calorfica generada por la unin. El calor pasar del punto ms caliente al ms fro, con mayor o menor dificultad dependiendo de la resistencia trmica que encuentre a su paso, dicha resistencia expresa el grado de dificultad para evacuar el calor de un dispositivo y se mide en grados centgrados por vatio (C/W). El objetivo principal de este tema es determinar el tipo y longitud del disipador que se ha de colocar en el dispositivo semiconductor, para garantizar que no se supere la temperatura de la unin mxima permitida por el fabricante. Presentamos un listado con todos los parmetros que se utilizaran as como su nomenclatura. Rjc Rja Rcd Rd Rca Rdv Tjmx Tj Tc Td Ta Pd Wat F K C = = = = = = = = = = = = = = = = Resistencia trmica unin-contenedor, otras notaciones: RJC, Rth j-c , Rth j-mb, Resistencia trmica unin ambiente, otras notaciones: RJA, Rth j-a Resistencia trmica contenedor-disipador, otras notaciones: RCHS, Rth mb-h Resistencia trmica disipador-ambiente Resistencia trmica contenedor-ambiente Resistencia trmica del disipador, con ventilador. Temperatura mxima que puede soportar la unin del dispositivo. Temperatura alcanzada por la unin del transistor durante su funcionamiento. Temperatura del contenedor Temperatura del disipador Temperatura ambiente Potencia que disipa el transistor. Potencia mxima que el transistor puede disipar con una Tc = 25C Factor de correccin cuando se utiliza ventilador Coeficiente de seguridad para evitar que se alcance la Tjmx. Capacidad trmica.
El origen de estos datos es muy diverso. Algunos vendrn dados en tablas y manuales; otros, deber de establecerlos el diseador y otros, representan las incgnitas del problema y debern calcularse.
(8.93 Mb) [3_5]
Fig 3.3 Resistencias trmicas y temperaturas, localizadas en un montaje real
Aplicando el principio de analoga a las magnitudes elctricas y trmicas, se cumple:
Tj Ta = Pd (R jc + R ca )
E 3.1
Cuando aadimos un disipador aparecen unas nuevas resistencias, Rcd + Rd que se aaden en paralelo con Rca y debe de cumplirse que Rca>>Rcd+Rd quedando solo Rjc+Rcd+Rd. Como se ve la misin del radiador ha sido reducir la resistencia trmica c-a del conjunto.
Fig 3.4 Equivalente elctrico, para el estudio de la disipacin de calor. La Rca en paralelo con la suma Rcd + Rd se puede despreciar, es decir, es mucho mayor el flujo de calor desde el contenedor - radiador ambiente que desde el contenedor ambiente.
A continuacin se definen estos parmetros uno por uno, con el fin de clarificar los trminos del problema.
3.3.1 RESISTENCIAS TRMICAS

Es obvio pensar que cuanto menor sea el valor de la resistencia trmica, ms fcil ser evacuar el calor y menor el incremento de temperatura en la unin para una misma potencia elctrica disipada. La resistencia trmica global desde la unin del semiconductor hasta el medio ambiente se puede desglosar en varias resistencias trmicas
Rth 2 [3_6]
Resistencia Unin - Contenedor, Rjc
[3_7] (168 Kb)
El foco calorfico se genera en la unin del propio cristal semiconductor, de tal forma que el calor debe pasar desde este punto al exterior del encapsulado. La dificultad que presenta el dispositivo para evacuar este calor se mide como resistencia trmica unin contenedor. Esta resistencia depende del tipo de encapsulado y la suministra el fabricante, bien directamente o indirectamente en forma de curva de reduccin de potencia.
R jc =
Tjmax Tc Pd
E 3. 2
Fig 3.5 Curva de reduccin de Potencia. Muestra la potencia mxima que es capaz de disipar el dispositivo en funcin de la T de la cpsula. La pendiente de la recta es la inversa de la resistencia unin contenedor.
PROBLEMA 3.1
Dados los datos correspondientes a un transistor 2N3055, comprobar que el valor de la Rjc suministrada por el fabricante cumple la ecuacin [E3.2]. Datos hoja de caractersticas: Wat=115W Tjmax=200C Rjc = 1,52C
Solucin: Rjc = 1.52C/W
Tipos de encapsulados [3_8]
TO.3 y TO.220, los ms utilizados [3_9]
Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd
[3_10]
Es la resistencia trmica entre el contenedor y el disipador. La facilita el fabricante o se puede encontrar en tablas, siempre est condicionada por el tipo de contenedor o cpsula y por el tipo de contacto entre la cpsula y la aleta refrigeradora. El valor de la misma depende del sistema de fijacin del disipador, del grado de contacto entre las superficies e incluso de la fuerza con que se aprieten los tornillos fijadores. Para mejorar este contacto, y/o aislar elctricamente las dos superficies, se suelen interponer materiales, que pueden ser de dos tipos: pastas y lminas aislantes. Las Pastas que pueden ser conductoras, o no conductoras de la electricidad, producen una disminucin de la Rcd mejorando el contacto entre las superficies, suelen ser pastas de silicona. Lminas aislantes elctricas como mica, kelafilm, etc, que se pueden emplear solas o conjuntamente con pastas de silicona conductoras de calor. En la mayora de los transistores el contenedor hace las veces de colector, por lo que generalmente es necesario aislarlo elctricamente del disipador (normalmente, el colector suele estar a Vcc y el disipador a tierra puesto que suele colocarse en el chasis del aparato, generalmente conectado a tierra).
Lamina aislante [3_11] Sistemas de fijacin [3_12] [3_13] Montaje (584 Kb)
Por tanto esta resistencia trmica depende del tipo de contacto entre contenedor y disipador y se pueden dar las siguientes combinaciones:
Contacto directo, RD Contacto directo ms pasta de silicona, RD+S Contacto directo ms mica aislante, RD+M Contacto directo ms mica aislante ms pasta de silicona, RD+M+S
El valor de la resistencia Rcd depende bastante del tipo de contacto, a continuacin se ordenan de menor a mayor. RD+S < RD < RD+M+S < RD+M El valor de esta resistencia trmica influye notablemente en el clculo de la Rd y por tanto en la superficie y longitud necesarias en la aleta que aplicaremos al dispositivo a refrigerar. Cuanto ms baja es Rcd menor tendr que ser Rd y por tanto ms pequea la aleta necesaria.
Fig 3.6 Tabla de resistencias trmicas
Cuestin didctica 3.1

Para un contenedor del tipo TO.3 se tienen los siguientes valores para la resistencia contenedor disipador en funcin del tipo de contacto: RD+S = 0.12C/W; RD = 0.25C/W; RD+M+S = 0.4C/W; RD+M = 0.8C/W. Observar la diferencia de valores e intentar razonar las causas de esta variacin.
Resistencia de disipador, Rd
[3_14]
En realidad es la resistencia disipador - ambiente y representa la oposicin al flujo de calor desde el elemento disipador al aire o medio ambiente. Depende de factores como: condiciones de la superficie, color y posicin de montaje. Para el clculo de esta resistencia, se puede utilizar la siguiente frmula (ver figura 3.4):
Rd =
Tj Ta Pd
(R jc + R cd )
E 3. 3
Una vez calculada la Rd se elige la aleta refrigeradora. En primer lugar se tendr en cuenta que el tipo de encapsulado del dispositivo a refrigerar sea el adecuado para el montaje de la aleta. En segundo lugar, para el caso de grandes radiadores, hay que calcular la longitud necesaria de disipador y cortar la adecuada. Para ello es necesario disponer de grficas que ofrecen los fabricantes de la Resistencia en funcin de la longitud del disipador.
Fig 3. 7 Resistencia trmica, Rd en funcin de la longitud del disipador.
De todos los parmetros que intervienen en el clculo de Rd, el clculo de la potencia disipada, Pd, suele ser el ms complejo. La potencia que disipa un semiconductor variar segn el tipo de dispositivo que se est utilizando y de la seal aplicada. Cuestin didctica 3.2
Disponemos de estos tres perfiles de radiadores para dispositivos semiconductores, si la Rd necesaria es de 3C/W justificar la eleccin del radiador adecuado
Fig 3.8 Radiadores
3.3.2 TEMPERATURA MXIMA DE LA UNIN, TJMAX

Esta temperatura representa el lmite superior al que no debe llegar la unin y menos sobrepasarlo si queremos evitar la destruccin del dispositivo. Este dato est disponible, normalmente, en los manuales de los fabricantes de semiconductores. En su defecto se puede adoptar uno de los valores tpicos mostrados en la tabla que se expone a continuacin, en funcin del dispositivo a refrigerar: DISPOSITIVO
De unin de Germanio De unin de Silicio JFET MOSFET Tiristores Transistores Uniunin Diodos Zener
RANGO DE Tjmx
Entre 100 y 125C Entre 150 y 200C Entre 150 y 175C Entre 175 y 200C Entre 100 y 125C Entre 100 y 125C Entre 150 y 175C
Fuente: Revista Nueva Electrnica
El objetivo principal ser mantener la temperatura de la unin por debajo de la mxima permitida. Utilizaremos un coeficiente de seguridad, K cuyo valor dar una temperatura de la unin comprendida entre el 50% y el 70% de la mxima, K estar comprendido entre 0.5 y 0.7. La temperatura de la unin que se utilizar en los clculos ser:
Tj = K Tjmx
Las condiciones de funcionamiento en funcin de K sern:
E 3. 4
Para valores de K = 0.5: dispositivo poco caliente. Mximo margen de seguridad, pero el tamao de la aleta refrigeradora ser mayor.
Para valores de K = 0.6: menor tamao de la aleta refrigeradora sin que el dispositivo se caliente demasiado. Para valores de K = 0.7: mximo riesgo para el dispositivo. El tamao de la aleta refrigeradora ser menor que en el caso anterior. Este coeficiente de seguridad exige que la aleta se site en el exterior.
3.3.3 POTENCIAS Potencia mxima disipable, Wat

La potencia mxima que puede disipar un dispositivo es un dato que proporciona el fabricante para una temperatura de contenedor de 25C.
Wat =
Tj Tc R jc
T j max 25 C R jc
E 3. 5
Caracterstica 2N3055 [3_15]
Sea un transistor con las siguientes caractersticas:
PT max = 75 W Tj max = 175 C R jc = 2 C/W

Determinar la mxima disipacin de potencia en continua permitida para una temperatura de contenedor de 80C
Fig 3.9
Solucin: Como se puede comprobar grficamente:
PT max =
Tj Tc R jc
175 C 80 C 2 C/W
PT max = 47.5 W
[Power Semiconductor Applications]
PROBLEMA 3.2
Las hojas de caractersticas proporcionadas por el fabricante del transistor 2N3055 informan que puede disipar un mximo de 116 vatios. Se corre riesgo de destruir el dispositivo si se le hace disipar 90 W? Justificar la respuesta Datos: Ta = 25C Solucin: El planteamiento inmediato es pensar que efectivamente se pueden disipar 90 vatios sin correr ningn riesgo de destruir el dispositivo, dado que el dispositivo puede disipar hasta 116 W segn el fabricante. Pero si se realizan los clculos oportunos y se consideran las verdaderas condiciones de funcionamiento la sorpresa es mayscula y las consecuencias se pueden apreciar en la figura 3.2 Sabiendo que la temperatura de la unin mxima permitida es de 200C y la Rja proporcionada por el fabricante, sin considerar aleta refrigeradora es de 35C/W, la mxima potencia disipable sin disipador es:
Pd max =
Tj max Ta R ja
200 C 25 C Pd max = 5 W 35 C/W
Este valor queda muy por debajo del indicado por el fabricante. Considerando una aleta con una buena resistencia trmica: R d = 0.6 C /W una resistencia trmica contenedor disipador: R cd = 0.12 C /W y una resistencia unin contenedor: R jc = 1.5 C/W ambos valores tambin bastante adecuados, la mxima potencia disipable con disipador es:
Pd max =
Tj max Ta R jc + R cd + R d
Pd max = 78.83 W
Ni en el mejor de los casos, con la mnima resistencia unin disipador, es posible disipar los 90W que se pretendan. Las consecuencias son conocidas, se destruira la unin. La potencia que se puede disipar con aleta disipadora es superior a la disipable sin aleta e inferior a la que suministra el fabricante. Ello es debido a que el fabricante ha calculado la Pdmx manteniendo la temperatura del contenedor a 25C, cosa que en condiciones normales de funcionamiento es imposible.
PROBLEMA 3.3
En un circuito determinado, el BD137 ha de disipar 3W. Determinar el disipador adecuado si queremos que el transistor permanezca poco caliente. Datos: Wat = 3W; Watmax = 12W para Tc = 25; Tjmax = 150 Solucin: Rd = 4.85 /W
Rjc se obtiene de las hojas de caractersticas del fabricante. Rcd depende del tipo de contacto entre el dispositivo y el radiador. Rd depende exclusivamente del radiador utilizado.
3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador

En el caso de diodo rectificador, para calcular la resistencia trmica del disipador hay que conocer la intensidad media directa por el diodo IFAV, el factor de forma, "a" que es la relacin entre la intensidad eficaz y la intensidad media, y tambin la temperatura ambiente del entorno en que va a trabajar el dispositivo. Estos datos son propios del circuito en el cual el diodo est funcionando.
a=
I RMS I FAV
E 3. 6
En el tema 2, se calcul la potencia media disipada por un diodo, demostrndose que no slo depende del valor medio de la corriente sino que es funcin tambin de la intensidad eficaz. No obstante, esta potencia suele venir dada por el fabricante en forma de curvas para diodos de potencia. Para formas de onda cuadradas en lugar del factor de forma ser necesario conocer el ciclo de trabajo, D que es la relacin entre el tiempo de conduccin en cada periodo, ton y el periodo, T.
D=
t on T
E 3. 7
La intensidad media para la operacin con ondas cuadradas se calcula segn la expresin:
I TAV = D I RMS
Cuestin didctica 3.3 Demostrar que efectivamente para una seal cuadrada la corriente media que atraviesa el diodo es igual a la corriente eficaz multiplicada por la raz cuadrada del ciclo de trabajo, [E3.8]
E 3. 8
El clculo de la resistencia de disipador se apoya en las curvas que proporciona el fabricante, que son propias de cada diodo.
Fig 3.10 Grficas para el diodo rectificador. Potencia en funcin de la intensidad media para distintos factores de forma y temperaturas de contenedor en funcin de la temperatura ambiente para distintos valores de resistencia contenedor ambiente. Observar la interpretacin de la grfica realizada en el problema 3.4
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Suponiendo conocidas la intensidad media y el factor de forma, la potencia que disipa el diodo se puede obtener directamente en la curva de la izquierda. Con este valor de potencia y el de la temperatura ambiente en la curva de la derecha se pueden ver tanto la temperatura de contenedor como la resistencia contenedor ambiente necesaria.
R ca = R cd + R d
E 3. 9
De esta expresin se puede obtener la resistencia de disipador buscada sabiendo que Rcd depender del tipo de contacto cpsula-disipador. Para un diodo de potencia, las prdidas totales sern la suma de las prdidas en conmutacin y las prdidas en conduccin. Las prdidas en conmutacin son significativas a altas frecuencias y aparecen como consecuencia de la recuperacin inversa. Se pueden calcular aplicando la expresin:
Pconmutacin = VR Q RR f s
E 3.10
En la que VR es la tensin en bornes del diodo en estado de bloqueo, fs es la frecuencia de conmutacin y QRR es la carga de recuperacin inversa
Cuestin didctica 3.4

En la grfica de la figura 3.10, se puede observar que a medida que aumenta la potencia que se quiere disipar, eje Y de la grfica de la izquierda, disminuye la temperatura a la que se debe encontrar el contenedor, eje Y de la grfica de la derecha. Reflexionar sobre esta aparente contradiccin.
PROBLEMA 3.4
Sea un diodo rectificador de 60A del tipo BYW93 con una Rjc = 0.7 C/W y una Tjmax = 150C, que se est utilizando en un circuito que aporta una intensidad media de 30A con un factor de forma de 1.57 Sabiendo que la temperatura ambiente es de 40C, la Rcd seleccionada es de 0.3C/W y las curvas que facilita el fabricante son las de la Figura 3.10 Calcular la Rd Solucin: Rd= 3.7C/W
PROBLEMA 3.5
Para un mismo componente, un fabricante aporta dos curvas de desvataje, segn se indica en la siguiente figura. A la vista de los datos en ellas reflejados, obtngase:
Fig 3.11
(a) A una temperatura ambiente de 50C, qu potencia mxima puede disipar el componente para no requerir disipador? (b) Si la temperatura ambiente es de 40 C, en qu condiciones podra disipar 20W? (c) En un circuito en que disipa 10 w se le ha colocado un disipador de 3C/W (colocado con un aislante que introduce 1C/W), Hasta qu temperatura ambiente funcionara correctamente?
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Solucin: (a) Sin disipador:
ja = Pmax (55 C sin disip .) = Tj max Ta ja (sin disip .) =
150 C 40 C = 55 C/W 2W
150 C 50 C Pmax (55 C sin disip .) = 1.82 W 55 C/W
(b) Si se disipan 20W:
Fig 3.12
jc =
150 C 40 C = 5.5 C/W 20 W
ca = dis + aislante
La temperatura en la cpsula ser:
Tc = Tj 20 jc = Tj 20 W 5.5 C/W = Tj 110 C

Cuando
Tj = Tj max es el caso lmite Tc = 40 C ca = 0

didipador
Como sta es la temperatura deseada para Ta, esto slo se conseguir si infinito. (c)
Fig 3.13
Tj = 10 ( jc + aislante + dis ) + Ta = 95 C+ Ta
Como
Tj Tj max
Ta Tj max 95 C = 150 C 95 C Ta = 55 C
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PROBLEMA 3.6
La mxima temperatura de la unin de un transistor de potencia es de 180C, la resistencia trmica unin-cpsula es Rjc = 5K/W (a) Si la temperatura ambiente es de 50C y se emplea un aislante cpsula-disipador con Rcs = 1K/W, obtener la resistencia trmica mnima que debe poseer el disipador que se utilice, cuando el transistor disipa 20W. (b) Reptase el apartado anterior si el transistor disipase 25W (c) Dibjese la curva de desvataje del transistor, sabiendo que la potencia nominal est dada para 40C. Solucin: (a)
Fig 3.14
Tj = 20 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max dis

(b)
Tj max Ta 20 W
6 C/W dis = 0.5 C/W
Fig 3.15
Repitiendo las operaciones del apartado anterior:
Tj = 25 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max dis Tj max Ta 25 W 6 C/W dis = 0.8 C/W
Imposible! No se podra disipar
esta potencia (c)
Pn = Pmax (Ta = 40 C ) =
Tj max Ta jc
180 C 40 C Pn = 28 W 5 C/W
Fig 3.16
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PROBLEMAS PROPUESTOS
Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura de la cpsula no debe superar los 10C. Calcular la potencia mxima que puede disipar el transistor 2N3904 si la temperatura ambiente es de 50C. Un transistor de potencia, de silicio, tiene las siguientes especificaciones trmicas:
PD (max ) = 20 W , ja = 7 C/W , jc = 0.7 C/W

(a) Obtener la temperatura mxima de la unin. (b) El transistor est montado directamente sobre un radiador de calor de aluminio que tiene ra = 4 C/W y la resistencia trmica cpsula-radiador es de cr = 0.2 C/W . Hallar la mxima disipacin permisible.
Un transistor tiene un encapsulado TO.126 y una temperatura Tj mxima de 150C. Determinar la potencia mxima que puede disipar sin aleta, en el caso que la temperatura ambiente nunca sea inferior a 45C. En estas condiciones, indicar la resistencia trmica mxima de la aleta que permita duplicar la anterior potencia mxima. Un diodo Zener de 2W debe disipar 5W y la temperatura mxima de la unin es 175C. Calcular la ja. Si la temperatura ambiente es de 50C y jc = 15 C/W, determinar la mxima resistencia trmica entre la cpsula-ambiente que evite daar al diodo. Si el encapsulado del diodo es del tipo TO.202, proponer un tipo de aleta que verifique todos los requerimientos.
Caractersticas 2N3904 [3_16]
[Electrnica bsica para ingenieros]
3.5 Ventilacin forzada

Cuando la resistencia trmica obtenida en el clculo es muy baja, se puede elegir entre pocos radiadores, puesto que son pocos los que hay en el mercado que ofrecen una resistencia trmica inferior a 0.5 0.6 C/W. En estos casos, se utiliza un ventilador, el cual es capaz de reducir la resistencia trmica equivalente. Para valorar en trminos numricos la reduccin de la resistencia trmica es absolutamente necesario conocer un dato que nos proporciona el fabricante del ventilador. Este es el aire que es capaz de mover el ventilador por unidad de tiempo.
Fig 3.17 Ventilador
3.6 Impedancia Trmica

El mtodo de diseo empleado anteriormente slo es vlido en aquellos casos en los que la temperatura de pico que alcanza la unin es muy parecida a su temperatura media. El aquellos componentes que soportan pulsos nicos de potencia, pulsos de forma irregular o trenes de pulsos de baja frecuencia con ciclos de trabajo pequeos (<0.5), el factor que limita las prdidas de potencia es la temperatura de pico de la unin y no la temperatura media. La razn de esto es que el calentamiento no llega a la cpsula ni al radiador debido a la inercia trmica, y la cpsula permanece prcticamente a la temperatura ambiente.
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El modelo anterior ( Tj = Pd R jc + Tc ) NO es vlido. El modelo trmico debe ser modificado para contar con la capacidad trmica, se deben incluir estas capacidades que simulan a las inercias trmicas de los elementos.
Fig 3.18 Modelo trmico
En este caso habra que definir una impedancia trmica Zjc<Rjc , que sirve para calcular la evolucin de la temperatura instantnea. Las prdidas de potencia prcticamente se producen en la oblea de silicio, que al tener poca masa, su inercia trmica es muy pequea y puede cambiar de temperatura rpidamente. El radiador tiene mucha masa con lo que su inercia es mucho mayor y los cambios de temperatura son mucho ms lentos. En la prctica se utiliza un mtodo simplificado, a partir de las curvas que el fabricante proporciona de impedancia trmica transitoria (ver figura 3.23). Se tratara de calcular las dos incgnitas de Tc y Rd
Fig 3.19
Qu potencia debo de tomar? Para el clculo de Tc la potencia mxima y para el clculo de Rd la potencia media.
Fig 3.20
Tenemos dos ecuaciones con dos incgnitas, Tc y Rd. En el circuito elctrico que representa la analoga con el comportamiento trmico se pueden ver una serie de grupos Rt Ct cada uno con una constante de tiempo caracterstica = Rt Ct
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El valor de la constante de tiempo determina si cada uno de los grupos Rt Ct alcanzan el equilibrio rpida o lentamente. Cada grupo produce un incremento de temperatura que viene dado por la expresin:
-t R t C t T = t 2 t 1 = R t Pd 1 e
E 3.11
Rt Resistencia trmica del grupo Rt Ct Ct Capacidad trmica del grupo Rt Ct Cuando se aplica el pulso de potencia, la temperatura va aumentando de valor con la consiguiente carga de las capacidades trmicas. Cuando stas se cargan totalmente, se alcanza el rgimen permanente para la temperatura y su aumento ya solo depende de la resistencia trmica
Fig 3.21 Temperatura de la unin en funcin del pulso aplicado. La temperatura, aumenta con la duracin del pulso, hasta que se alcanza el rgimen permanente. (Cortesa Motorola)
Si a esta red se aplica un pulso de potencia, el valor de pico para Tj depende de la amplitud del pulso de potencia y de la anchura del pulso ton. La figura 3.21 muestra la respuesta de Tj ante dos pulsos de diferentes anchuras pero con el mismo valor de pico. El pulso de menor anchura hace que la unin alcance un valor inferior de temperatura. Como se puede observar, si se aplica un pulso lo suficientemente ancho, la temperatura de la unin alcanzar el rgimen estable. Si la duracin del pulso aplicado no permite a Tj llegar al rgimen estable, es cuando la impedancia trmica cobra importancia. La variacin de la impedancia trmica Zjc(t) con la anchura de pulso la puede dar el fabricante directamente, pero lo normal es que suministre una curva como la mostrada en la figura 3.22, en la que se utiliza r(t) que es el resultado de normalizar la impedancia trmica transitoria Zjc(t) con la resistencia trmica Rjc, en rgimen estable.
r(t) =
Zjc(t) Rjc r(t)
Z jc (t) R jc
E 3.12
= Impedancia trmica transitoria. = Resistencia trmica en rgimen estable. = Impedancia trmica normalizada (inferior a la unidad).
Para pulsos de corta duracin r(t) es bastante pequeo pero al incrementarse ton, r(t) se aproxima a 1. Esto quiere decir que para pulsos de larga duracin la impedancia transitoria Zjc(t) se aproxima a la resistencia Rjc en rgimen estable. Conociendo ton se puede obtener r(t) a partir de la grfica de la figura 3.22 La impedancia trmica se obtiene despejando en [E3.12]
Z jc (t) = r(t) R jc
E 3.13
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Fig 3. 22 Impedancia trmica normalizada, r(t) para un solo pulso, en funcin de la duracin de ste, ton
En algunas ocasiones el fabricante suministra las curvas de la resistencia trmica transitoria para trenes de pulsos en funcin del ciclo de trabajo, D tal y como se puede observar en la grfica de la figura 3.23.
Fig 3.23 Impedancia trmica normalizada para trenes de pulsos de larga duracin, en funcin del ciclo de trabajo. (Cortesa de Motorola)
Se define el ciclo de trabajo como la relacin entre la anchura del pulso y el periodo del tren de impulsos.
D=
ton = tp = Anchura del pulso aplicado T = Periodo del tren de impulsos.
t on T
E3. 14
A continuacin se ver como se utilizan las curvas de la impedancia trmica que suministra el fabricante y se aplicar al clculo de la temperatura que alcanzar la unin segn sea aplicado un nico pulso de potencia o un tren de pulsos.
Respuesta ante un nico pulso de potencia

Algunas veces el fabricante suministra en una sola grfica la curva para un nico pulso de potencia y para trenes de impulsos con diferentes ciclos de trabajo (D). En este caso la curva con D = 0 es la correspondiente a un pulso nico de potencia.
Fig 3. 24 Respuesta de la temperatura de la unin ante un nico pulso de potencia
Ante la aplicacin de un nico pulso de potencia como el que se puede observar en la figura, se puede calcular Tj mediante la curva r(t) frente a ton si se conoce, Pd, Rjc y Tc utilizando la expresin 3.15
17
Tj1 = Tc + Z jc (t1 ) Pd = Tc + r(t1 ) R jc Pd

PROBLEMA 3.7
Dada la curva de la figura 3.27 de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton D)) de un transistor 2N3716, determinar la temperatura de la unin al final del primer pulso bajo las siguientes condiciones: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W
E 3.15
Fig 3.27 Impedancia trmica transitoria normalizada para el 2N3716 (Cortesa de Motorola)
En la grfica de la figura se obtiene el valor de r (ton) para un nico pulso, es decir la interseccin de la vertical para ton = 10 ms con la curva para D = 0.
r (t on ) = 0.4
La temperatura que alcanzar la unin al final del pulso se calcula mediante la ecuacin [E3.15]
Tj = Tc + r (t on ) R jc Pd = 50 C+ 0.4 1.17 C/W 40 W
Tj = 68.72
Respuesta ante una serie de impulsos al azar

En una serie de impulsos de potencia al azar cada impulso tiene valores diferentes para la anchura y la altura. Para hallar el valor de los incrementos de temperatura ocasionados se debe aplicar el principio de superposicin. En la utilizacin de este principio cada intervalo de potencia que produce calor, es considerado positivo en valor y cada intervalo de refrigeracin es considerado negativo. Un intervalo de calentamiento comienza al mismo tiempo de la aplicacin del impulso y se extiende al infinito. Un intervalo de refrigeracin comienza al finalizar el impulso de potencia y tambin se extiende al infinito.
18
Fig 3.28 Serie de impulsos al azar, principio de superposicin para calcular la variacin de la T de la unin. Este mtodo tambin puede ser aplicado cuando el tiempo total de calentamiento es ms pequeo que el tiempo necesario para alcanzar el rgimen permanente. (Cortesa de Motorola)
Llamando Tj a la diferencia de temperatura entre la unin y la cpsula
Tj = Tj Tc
se cumplir que el Tj considerando el primer impulso es:
Tj1 = P1 r ( t1 ) R jc
mientras que considerando hasta el tercer impulso, la expresin se complica:
Tj3 = [P1 r ( t 3 ) P1 r ( t 3 t 1 ) + P2 r ( t 3 t 2 )] R jc
y para el quinto impulso:
Tj5 = [P1 r ( t 5 ) P1 r ( t 5 t1 ) + P2 r ( t 5 t 2 ) P2 r ( t 5 t 3 ) + P3 r ( t 5 t 4 )] R jc
Como se puede observar, se hace un sumatorio, con el signo adecuado, segn se trate de calentamiento o de refrigeracin, de los efectos que tiene cada impulso sobre el instante en el que se desea saber la temperatura que alcanzar la unin Tj. Considerando un tren de impulsos de larga duracin, ste permitir alcanzar el equilibrio a la temperatura de la unin. Al final del primer impulso los clculos son iguales que para un nico pulso. Al final de un impulso en un estado estable se cumple la expresin
Tj = Pd R jc r(t on , D)
r (ton, D) se obtiene de la grfica de la impedancia trmica normalizada suministrada por el fabricante. Para poder utilizar la curva de r(t) en funcin de varios ciclos de trabajo, r(ton, D) es necesario que el producto del nmero de pulsos, n por el perodo sea al menos equivalente al tiempo necesitado por el semiconductor para alcanzar el equilibrio trmico.
19
Las curvas de resistencia trmica transitoria que facilita el fabricante son tiles para pulsos rectangulares de potencia. Los pulsos de potencia no rectangulares pueden ser analizados mediante sus equivalentes rectangulares. Para formas de onda simples como la senoidal y triangular pueden utilizarse expresiones matemticas para convertirlas en sus equivalentes rectangulares pero en cualquier caso un anlisis grfico haciendo que las energas almacenadas en ambas formas de onda sean las mismas (en la original y en la equivalente rectangular), ser una buena aproximacin.
Fig 3.25 Aproximacin de un pulso de potencia mediante pulsos rectangulares
Fig 3.26
20
PROBLEMA 3.8
Dado un transistor que requiere 3 segundos para alcanzar el equilibrio trmico. Sabemos que ton = 100 s y que el ciclo de trabajo D = 0.5. Determinar el nmero de pulsos, n para poder usar la grfica r(ton, D). Solucin:
t on 100 s = T = 2 10 4 s D 0.5 3s 3s n T = 3 s n = = n = 1.5 10 4 4 T 2 10 s T=
Visita el tutorial interactivo de electrnica de potencia

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Fig 3.29 Equivalente trmico
21
Fig 3.30 Impedancia trmica
Un nuevo ejemplo ilustrar mejor el clculo de Tj al aplicar un tren de impulsos de larga duracin a un transistor.
PROBLEMA 3.9
Dada la curva de la impedancia trmica transitoria normalizada en funcin de la anchura del pulso aplicado y del ciclo de trabajo (r(ton, D)) del transistor 2N3716, Fig. 3.27, encontrar el mximo valor que alcanzar la temperatura de la unin al aplicar un tren de impulsos Datos: Pd = 40W; ton = 10ms; T = 50ms; Tc = 50C; Rjc = 1.17C/W Solucin: El mximo valor de la temperatura de la unin se alcanzar cuando el nmero de impulsos sea suficiente como para dejar que la temperatura alcance el rgimen estable. Se puede calcular el ciclo de trabajo mediante la expresin E3.20
D=
t on D = 0.2 T
De la curva suministrada por el fabricante para D = 0.2 y ton = 10 ms se obtiene:
r (t on , D ) = 0.56
con lo cual la Tj ser:
Tj = Tc + r (t on , D ) R jc Pd Tj = 76.2
Se podra haber utilizado tambin el principio de superposicin, para resolver este problema, pero los clculos son largos. No tendremos ms remedio que aplicarlo si el fabricante slo nos da la curva de r(t) / ton para un solo pulso de potencia correspondiente a D = 0.
22
3.7 Resumen
A continuacin vamos a presentar un resumen de los conceptos estudiados en esta leccin para posteriormente ver algunos ejemplos de aplicacin
Funcionamiento en continua (valores medios de potencia)
R ja =
Combinando estas ecuaciones:
Tj Ta PT (AV ) Tj Ta PT (AV )
R jc =
Tj Tc PT (AV )
R da =
R jc R cd
Cuando queremos obtener valores medios de temperatura que alcanzar la unin hay que tomar Potencia media y Resistencia trmica
Funcionamiento discontinuo 1. Tren de pulsos de corta duracin
Fig 3.31 Variacin de la temperatura de la unin y temperatura contenedor cuando la duracin del pulso es pequea comparada con la constante de tiempo trmica del disipador
PTmax =
Tj Tc Z jc
Tc = Tj PTmax Z jc
Tjmax = Tc + PMAX Z jc = Ta + PT (AV ) (R cd + R da ) + PMAX Z jc

2. Un solo pulso de larga duracin
Cuando la duracin del pulso es mayor que la constante de tiempo del radiador
Fig 3.32 Pulso de larga duracin
En los ejemplos vamos a suponer que Tc = 75C
23
Sea una seal rectangular peridica de potencia en un dispositivo (normalmente la podemos encontrar en convertidores conmutados). 100W son disipados cada 400s con un periodo de 20s. Calcular la temperatura mxima que alcanzar la unin del semiconductor. Solucin: Tjmax:
t p = 400 s = 4 10 4 s ; T = 2 10 5 s ; P = 100 W
Fig 3.33 Curvas de impedancia trmica. Cortesa de Philips
20 = 0.05 400
El valor de Zjc lo obtenemos para = 0.05 de las figura 3.33: Z jc 0.1 C/W
Tjc P Z jc = 100 W 0.1 C/W = 10 C Tj Tc + Tjc = 75 C+ 10 C = 85 C

Tjmax(media):
Pav = P = 100 W 0.05 = 5 W Tjc (a v ) = Pa v Z jc ( =1) = 5 W 2 C/W = 10 C Tj(a v ) = 75 C+ 10 C = 85 C

Para el caso de que la seal sea un solo pulso y con igual duracin al anterior problema:
t p = 400 s = 4 10 4 s
Solucin: Ahora: =
tp T
= 0 T = ; P = 100 W
De la grfica 3.33, para = 0 : Zjc = 0.04C/W
Tjc = P Z jc = 100 W 0.04 C/W = 4 C
24
Para la forma de onda compuesta de la figura 3.34, calcular la temperatura de la unin. T = 400s
Fig 3. 34 Cortesa de Philips
La forma de onda de la figura consiste en 3 pulsos rectangulares (40W para 10s, 20W para 130s y 100W para 20s). La temperatura de la unin se puede calcular en cualquier punto del ciclo. Para el primer clculo todos los pulsos, positivos y negativos, deben terminar en tx y para el segundo clculo en ty. Pulsos positivos incrementan la temperatura de la unin, mientras que los negativos la decrementan. Hacer el clculo para tx Solucin:
Tj max = P1 Z jc ( t 1) + P2 Z jc ( t 3) + P3 Z jc ( t 4 ) P1 Z jc ( t 2 ) P2 Z jc (t 4 )
Los valores de P1, P2 y P3 son: P1 = 40 W , P2 = 20 W , P3 = 100 W Los valores de Zjc los sacamos de la figura 3.33 Por ltimo: t1 = 180s, t2 = 170s, t3 = 150s, t4 = 20s. Para t1 : =
180 = 0.45 Z jc = 0.9 K/W 400
En la siguiente tabla pueden verse los valores calculados para este ejemplo:
Realizar el clculo para ty
25
PROBLEMA PROPUESTO
Un transistor MOSFET que presenta una resistencia en conduccin de valor RDSON = 100m , se coloca en un circuito de manera que, cuando conduce, lleva una corriente igual a 10A. La impedancia trmica unin-cpsula de este transistor se muestra en la figura. La resistencia trmica del radiador sobre el que va montado, presenta un valor RRA=5C/W. La temperatura ambiente es de 30C. Calcular, para los casos siguientes, la temperatura mxima que alcanza la unin del semiconductor: a) El transistor lleva pulsos de corriente de 10kHz y ciclo de trabajo 0,1. b) El transistor conduce de forma permanente. c) El transistor conduce corriente con una frecuencia de 1Hz y ciclo de trabajo 0,1. d) En el transistor se produce un nico pulso de corriente de 1ms de duracin cada 10 minutos de funcionamiento.
Fig 3.35
26
Bibliografa
AGUILAR PEA, J. D.; MOLINA SALIDO, J. DE LA CRUZ; NIETO PULIDO, J.; LOPEZ MUOZ, P. Disipadores de calor para semiconductores de potencia. Cmara oficial de comercio e industria de la provincia de Jan, Jan 1994. AGUILAR J. D.; ALMONACID G. Disipadores de calor. Revista Espaola de Electrnica. JulioAgosto, 1991. AGUILAR PEA, J. D.; VALERO SOLAS, D. Amplificadores De potencia. Teora y problemas. Ed. Paraninfo, Madrid 1993. INTERACTIVE POWER ELECTRONICS SEMINAR (iPES). <www.ipes.ethz.ch> [Consulta: 5 de julio de 2005] POWER SEMICONDUCTOR APPLICATIONS, PHILIPS SEMICONDUCTOR. Tema7. Thermal management. <www.semiconductors.philips.com> [Consulta: 5 de julio de 2005] RUIZ ROBREDO, G. A. Electrnica para ingenieros. Dpto. Electrnica y Computadores. Facultad de ciencias, Universidad de Cantabria. <http://grupos.unican.es/dyvci/ruizrg/html.files/libroWeb.html> [Consulta: 5 de julio de 2005] TIRISTOR DATA (Leccin 8: Reliability and Quality) <http://onsemi.com>
27

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Electrnica de Potencia

UNIDAD N 0. INTRODUCCIN A LA ASIGNATURA

UNIDAD N 1. REPASO DE CONCEPTOS Y DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

3.2 Propagacin del calor en el dispositivo semiconductor

(2.08 Mb) [3_1]

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

3.3 Equivalente elctrico

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

(8.93 Mb) [3_5]

Fig 3.3 Resistencias trmicas y temperaturas, localizadas en un montaje real

Aplicando el principio de analoga a las magnitudes elctricas y trmicas, se cumple:

3.3.1 RESISTENCIAS TRMICAS

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Resistencia Unin - Contenedor, Rjc

[3_7] (168 Kb)

Solucin: Rjc = 1.52C/W

Tipos de encapsulados [3_8]

TO.3 y TO.220, los ms utilizados [3_9]

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Resistencia Contenedor - Disipador, Rcd

Fig 3.6 Tabla de resistencias trmicas

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Cuestin didctica 3.1

Fig 3. 7 Resistencia trmica, Rd en funcin de la longitud del disipador.

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Fig 3.8 Radiadores

3.3.2 TEMPERATURA MXIMA DE LA UNIN, TJMAX

Fuente: Revista Nueva Electrnica

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TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

3.3.3 POTENCIAS Potencia mxima disipable, Wat

Caracterstica 2N3055 [3_15]

Sea un transistor con las siguientes caractersticas:

PT max = 75 W Tj max = 175 C R jc = 2 C/W

Solucin: Como se puede comprobar grficamente:

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TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

200 C 25 C Pd max = 5 W 35 C/W

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TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

3.4 Clculo de Rd de diodo rectificador

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TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Cuestin didctica 3.4

Universidad de Jan; J. D. Aguilar Pea; M. Olid

TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Solucin: (a) Sin disipador:

ja = Pmax (55 C sin disip .) = Tj max Ta ja (sin disip .) =

150 C 50 C Pmax (55 C sin disip .) = 1.82 W 55 C/W

(b) Si se disipan 20W:

150 C 40 C = 5.5 C/W 20 W

La temperatura en la cpsula ser:

Tc = Tj 20 jc = Tj 20 W 5.5 C/W = Tj 110 C

Tj = Tj max es el caso lmite Tc = 40 C ca = 0

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TEMA 3: DISIPACIN DE POTENCIA

Tj = 20 W (5 C/W + 1 C/W + dis ) + Ta Tj max dis