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Frage 12: Beschreibe die einzelnen Typen von Halbleiterspeicher.

Benenne und beschreibe die wichtigsten Parameter und erkläre die


Speichermatrix an einem einfachen Beispiel. Was ist der
Unterschied zwischen statischem und dynamischem RAM?
(Schaltung)

Typen:
Grundsätzlich lassen sich Halbleiterspeicher in zwei Gruppen einteilen.
• Schreib – Lesespeicher. RAM (Random Access Memory)
• Festwertspeicher

1.) Schreib – Lesespeicher: (flüchtiger Speicher, RAM (Random Access Memory))


Typischerweise schneller als Festwertspeicher.

• Statisch: Speicherzellen sind Flip – Flops


o Schneller, aber aufgrund der aufwendigen Hardware jedoch teurer
Werden hauptsächlich in Handys verwendet

Aufbau:

• Dynamisch: Speicherzellen sind Kapazitäten


o Billiger, jedoch langsamer, da sie mit Kondensatoren immer wieder
aufgefrischt werden müssen, weil sich die Kapazitäten durch Leckströme
entladen.
o Die maximal erzielbare Speicherkapazität je Baustein ist bei
dynamischen Speichern typisch etwa viermal größer, als bei statischen.
Aus diesem Grund werden in Computern hauptsächlich dynamische
RAM’s eingesetzt.

Aufbau:
• Multiple port:
o Der Vorteil eines multiple port RAM’s liegt darin, dass keine CPU auf den
Zugriff warten muss.

/CS1 /CS2
RAM
CPU 1 A1 A2 CPU 2
D1 multiple port D2

2.) Festwertspeicher (nichtflüchtiger Speicher)


Festwertspeicher sind Speicher, die im normalen Betrieb nur gelesen werden
können. Man unterscheidet verschiedene Realisierungsformen:

• ROM (Read Only Memory)


o Die Information wird hier beim Hersteller mittels Masken festgelegt,
indem an der entsprechenden Stelle der Matrix eine Unterbrechung bzw.
ein Kontakt eingebaut ist.
o Kann weder gelöscht noch programmiert werden. Wird für eine fixe
Software in der CPU verwendet und in einer Massenanfertigung
hergestellt.

• PROM (Programmable Read Only Memory)


o IC’s werden im leeren Zustand gefertigt, das heißt, dass hier der
Speicher in allen Zellen eine 0 enthält. Der Anwender kann den Speicher
programmieren, indem er z. B. durch das Durchbrennen einer Sicherung
gezielt Einsen schreibt.
o PROMs sind programmierbar, aber nicht löschbar

• EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory)


o Diese Speicher können mehrfach programmiert werden. Elektronen
werden in eine „Zwischenschicht“ gehoben. Durch UV- Licht kann die
Ladung wieder ausgeglichen und damit die Information gelöscht werden.

• EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory)


o Diese haben denselben Aufbau wie EPROMS, ermöglichen aber das
Löschen einzelner Bytes oder des gesamten Speichers auf elektrischem
Wege ohne UV-Licht.
o Da sich einzelne Bytes ohne das Löschen des gesamten Speichers
löschen lassen, können diese einzelnen Bytes praktisch übergebrannt
werden. Allerdings dauert der Brennvorgang bei einem EEPROM mit bis
zu einigen Millisekunden pro Byte deutlich länger als bei EPROM.
o Um diesen Nachteil wieder zu beheben wurde in EEPROMS eine
Funktion zur Programmierung von so genannten Blocks eingebaut. Dabei
werden 64, 128 oder 256 Byte auf einmal in den Speicherbaustein
geladen und gleichzeitig als Block programmiert. Dieses führt dann zu
deutlich schnelleren Programmierzeiten.
o Der zusätzliche interne Aufwand für die elektrische Löschbarkeit sowie
ggf. die Blockschreibfunktion machen die EEPROMS teurer als die
EPROMS.

• Flash (spezielles EEPROM)


o Wird „in circuit“ programmiert (praktischer)
o Flashs sind intern in Blöcke geteilt (2N groß)
o Es wird Blockweise beschrieben oder gelöscht (schneller)
o Falls beim Schreiben die Blockgrenzen überschritten werden muss einige
Zeit (≈ 10ms) gewartet werden, bis der interne Mechanismus die Werte
gespeichert hat.

Parameter:

1.) Speicherkapazität:
Die Speicherkapazität ist der insgesamt verfügbare Speicherplatz eines
Speichermediums.

Beispiele:
• 1 MB (Megabyte, 106 Byte = 1.000.000 Byte)
• 1 GB (Gigabyte, 109 Byte = 1.000.000.000 Byte)

2.) Speicherorganisation:
Gibt an wie die Anzahl der Speicherzellen aufgeteilt ist.

Beispiele:
• 8k  8 (=64 kBit)
• 4k  16 (= 64 kBit)
3.) Zugriffszeit:
Ist die Zeit vom Zeitpunkt der Adressierung bis zum Zeitpunkt der Verfügbarkeit der
Daten.
Die Zugriffszeit unterscheidet sich beim Lesen oder Schreiben.
Falls die Lese- oder Schreibzugriffszeit der CPU kürzer ist als die definierte
Zugriffszeit vom Speicher müssen in der CPU Wait-States gesetzt werden.

Adressen

CS

WR

RD
Daten werden
übernommen

Daten

tzur

4.) Zykluszeit:

Der Zeitabschnitt in dem 2 Lese- oder Schreibzyklen aufeinander folgen dürfen.


Die Zykluszeit ist meist von der Zugriffszeit abhängig.

RD

tzyr

Matrixspeicher:

Die Speicherzellen sind matrixartig, d.h. in Zeilen und Spalten angeordnet.

Grundsätzlich besteht ein Matrixspeicher aus folgenden Funktionsblöcken, die


aber je nach Speichertyp nicht alle vollständig vorhanden sein müssen:
• die Speichermatrix, die bit- oder wortweise organisiert ist
• eine Dekodiervorrichtung zum dekodieren der X- und Y-Adresse (Zeilen- und
Spaltenleitungen)
• Verstärker für das Lese- und Schreibsignal (Schreib-Lese-Verstärker, evtl.
Bustreiber)
• eine Steuerlogik zur Realisierung der gewünschten Funktion (Lesen,
Schreiben), zur Auswahl des Speichers und zur Freigabe der Ausgänge