Fsica de Dispositivos Semiconductores

Manual de Prcticas

Prctica 3: Caractersticas y modelado del BJT

1. OBJETIVOS
Los objetivos de la presente prctica son: Obtener las curvas caractersticas corriente-voltaje del transistor bipolar. Determinar los parmetros bsicos de corriente directa (CD) del modelo SPICE para un transistor bipolar especfico.

2. MATERIAL PARA LA PRCTICA

Dispositivos: Potencimetro de 1M x 1. Resistores: 100 x 1, 1k x 1, 10k x 1 (5%, W). Transistor bipolar NPN: 2N3904 x 1. Equipo de laboratorio: Fuente de alimentacin variable BK Precision 1760A. Multmetro Digital (DMM) FLUKE-112 x 2. Tarjeta de experimentacin (Protoboard)

3. MARCO TERICO
Estructura y construccin fsica del transistor bipolar El transistor bipolar de unin (BJT) dispositivo cuyo smbolo y estructura simplificada se muestra en la figura 4-1, es utilizado en muchas aplicaciones de circuitos electrnicos, tales como sensores, amplificadores, osciladores y compuertas lgicas digitales. Una estructura comn de un transistor NPN de circuito integrado se muestra en la figura 4-2.

C IB B E
Figura 4-1. Transistor NPN: (a) Estructura fsica y (b) smbolo

IC IE

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Figura 4-2. Estructura simplificada de un transistor NPN de circuito integrado

Operacin del BJT El transistor consiste de dos uniones pn, la unin base-emisor y la unin basecolector. En operacin normal la unin base a emisor es polarizada en forma directa y la unin base a colector es polarizada en inversa. El voltaje positivo de base a emisor VBE atrae electrones del emisor hacia la base. Estos electrones se apilan en la base cerca de la unin creando una distribucin no uniforme de electrones en la base. El movimiento trmico aleatorio causa que los electrones se difundan a travs de la base. Se mueven alejndose de la unin de emisor donde se mantiene una alta densidad de electrones por VBE. Este es el proceso de difusin. La corriente de colector consiste de electrones difundindose a la unin base-colector y siendo arrastrados hacia el colector por el voltaje de polarizacin inverso de colector a base. Los electrones se mueven por difusin. No existe campo elctrico en la base. Los voltajes aparecen a travs de las uniones. No hay voltaje que afecte el flujo de electrones en la base. La corriente de Colector es proporcional a la densidad de electrones en la Base cercanos a la unin base-emisor. Esta densidad vara exponencialmente con VBE. Una ecuacin importante de diseo de circuitos relaciona la corriente de colector IC con el voltaje VBE:

IC = I S e
donde
Vt = KT q

VBE NFVt

(1)

(2)

Vt es el voltaje trmico. Vt tiene un valor de 0.0259V a T = 300 K. IS es una constante. NF es el factor de no idealidad, cercano a 1, q es la carga electrnica y K es la constante de Boltzmann. IS y NF son parmetros del modelo SPICE. Dado que la dependencia de IC con VBE es exponencial, la corriente de colector vara drsticamente cuando el voltaje base-emisor cambia. Una corriente pequea IB fluye hacia la terminal de base debido a las variaciones de VBE, usualmente es una

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fraccin pequea de la corriente de colector IC. Llamamos a la razn de IC entre IB la ganancia de corriente del transistor y es denotada por . Una segunda ecuacin utilizada en el diseo de circuitos es entonces la que relaciona la corriente de Colector IC con la corriente de Base IB:

I C = I B

(3)

El valor de vara de manera significativa con la temperatura y el proceso, por lo que puede tener un valor diferente entre dos transistores del mismo tipo. El parmetro del modelo SPICE que especifica la directa es BF. Un parmetro del modelo SPICE adicional es IKF, el factor de rodilla en directa. Cuando la corriente de Colector se incrementa al punto de acercarse a IKF, se reduce. El BJT tiene tres regiones de operacin: 1. Regin de corte: Si tanto la unin base-emisor como la base-colector est polarizadas inversamente, el transistor entra en la regin de corte. Todas las corrientes terminales son extremadamente pequeas y se puede decir que el transistor est apagado. 2. Regin activa: La unin base-emisor debe estar polariza directamente y la basecolector inversamente para hacer que el transistor trabaje en la regin activa. La regin activa es desea para disear amplificadores lineales. 3. Regin de saturacin: Cuando ambas uniones estn polarizadas directamente, el transistor entra en la regin de saturacin. Por ltimo, otra ecuacin fundamental en la operacin del BJT es:

I E = IC + I B

(4)

4. PRELABORATORIO
1. Familiarzate con las hojas de datos del BJT 2N3904. 2. Considera el circuito mostrado en la figura 4-3. Simula el circuito, utilizando un barrido de CD de la fuente de base para variar VBE en el rango de 0 a 900 mV. Grafique la corriente de colector y la corriente de base vs. Voltaje base-emisor (note que tendr que cambiar el eje de la simulacin en Probe). Coloque el eje vertical a escala logartmica. La grfica deber ser semejante a la que se muestra en la figura 3-4. Exporte los datos a Excel para poder trabajar con ellos. 3. Obtn por simulacin la caracterstica I-V (IC vs. VCE para varios valores de IB) del BJT.

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RB 10k VB 0Vdc Q1 Q2N3904

VCC 5Vdc

Figura 4-3. Circuito con BJT para simulacin

Figura 4-4. Resultado de la simulacin

5. PROCEDIMIENTO
Curvas caractersticas del BJT 1. Arme el circuito de la figura 4-5. Mida y grafique las caractersticas IC vs. VCE del BJT para los valores de VCE e IB que se muestran en la tabla 4-1. Escriba los datos en la misma tabla.
RC 1k RB 10k VBB Q1 Q2N3904 RE 100 VCC

Figura 4-5. Circuito de prueba del BJT

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Tabla 1

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VCE IB 50A 40A 30A 20A 10A 5A 0.5V 1.0V 2.0V 4.0V 6.0V 8.0V 10V

Modelado SPICE del BJT Para esta parte del experimento, puede utilizar el circuito ms prctico (y seguro) de la figura 4-6.
RC 1k 1 R3 1 MEG 3 2 Vin Q1 Q2N3904 VCC 10Vdc

Figura 4-6. Circuito experimental con BJT

2. Mida el valor real de RC y RB que se utilizar en el laboratorio. Conecte el circuito de la figura 4-6. 3. Coloque Vin a 2V y ajuste el potencimetro para que el voltaje a travs de RC sea de 5V. Mida el voltaje a travs de RB (recuerde medir el valor de RB). Utilice la ley de Ohm y los valores reales de RC y RB para calcular IB e IC. Utilice la Ecuacin (3) para calcular . 4. Coloque el potencimetro a su valor mximo de resistencia y luego vare el valor de Vin de 0 a 10 V, observando que VBE cambie de 0.4 V a 0.8 V con incrementos lineales en Vin de 0.25 V (o incrementos lineales de VBE de 0.05 V). Mida y registre Vin, VBE, VC y RB. Tip: Si Vin alcanza los 10 V antes de que VBE alcance los 0.8 V, fije Vin a 10 V y comience a reducir la resistencia del potencimetro. Puede explicar porque esto funciona?

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6. REPORTE

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Nota: Aunque el trabajo se sugiere realizarlo en MATLAB, puede utilizar tambin Excel (ver Apndices). 1. Guarde sus datos en un archivo con tres columnas. En la primera columna coloque VBE. En la segunda coloque IB, en la tercera IC. Cada fila debe representar un punto de operacin de su transistor. Llame el archivo bipolar. Cargue los datos a MATLAB, utilizando el comando:
load bipolar

MATLAB tiene ahora los datos en un arreglo llamado bipolar. Lea VBE, IB e IC del arreglo bipolar utilizando los comandos:

VBE = bipolar(:,1); IB = bipolar(:,2); IC = bipolar(:,3)

Note que el arreglo que direcciona de la forma (:,1) representa todas las filas de la primera columna. 2. Grafique IC e IB vs. VBE. Es comn graficar el ln (IC) y el ln (IB) como funciones de VBE. Lo que se obtiene es conocido como la grfica de Gummel. Utilice:
LnIC = log(IC) LnIB = log(IB) Plot(VBE,IC,VBE,IB)

Note que el comando log en MATLAB calcula el logaritmo natural de un nmero, mientras que log10 es el comando para el logaritmo base 10. Utilice los comando title, xlabel, ylabel, grid y text para etiquetar su grfica. 3. Grafique vs. IC. Calcule primero el valor de :
Beta = IC./IB Semilogx(IC,Beta)

Note que ./ es utilizado para lograr una divisin elemento por elemento de los dos arreglos. Aada ttulos y etiquetas a sus grficas. 4. Utilice MATLAB para extraer los parmetro SPICE IS de los datos. Considerando la Ecuacin 1, podemos llegar a:
ln (I C ) = ln(I S ) + VBE NFVt

(5)

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Observamos que el ln (IC) es una funcin lineal de VBE. Ajuste ln (IC) vs. VBE a una lnea recta para extraer IS. Utilice
LnIC = log (IC); ICp = polyfit (VBE, LnIC, 1); ICfit = ICp(1)*VBE + ICp(2);

ICfit es el logaritmos natural del IC terico. ICp es un arreglo con dos elementos, que describe la lnea recta ajustada a los datos. ICp(1) es la pendiente de la lnea e ICp(2) es el valor de IC cuando VBE es igual a cero. Se entiende entonces que ln(IS) = ICp(2) e IS = eICp(2). Para obtener IS utilizando MATLAB use:
IS = exp(ICp(2));

5. Observando la Ecuacin (5), es fcil entender que ICp(1) (la pendiente de la recta extrada) es igual a 1/NFVt. Calcule entonces el valor de NF utilizando:
NF = 1 ICp (1) (0.0255)

(6)

6. Evale el valor del parmetro BF para SPICE. Utilice el valor mximo observado en la grfica obtenida en el paso 3 del post-laboratorio. 7. Cree un modelo SPICE con los parmetros que ha encontrado y repita la simulacin del pre-laboratorio. Luego, haga una sola grfica comparativa (en Excel, MATLAB) de la grfica de Gummel, donde presente las curvas para los datos medidos, la recta de ajuste y la simulacin con el modelo creado. 8. Incluya algunas conclusiones personales.

7. BIBLIOGRAFA
1. Robert F. Pierret. Semiconductor Device Fundamentals. 1st Edition. Addison Wesley, 1996. 2. H. Craig Casey Jr. Devices for Integrated Circuits. 1st Edition. John Wiley and Sons. 1999. 3. S. M Sze. Semiconductor Devices, Physics and Technology. John Wiley and Sons.

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