Gerrit Schlomer—Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 © Pauli Prinzip Jedes Orbital kann maximal mit zwei Elektronen besetzt werden [Elektronenspins entgegengesetzt) + Elektronenkonfiguration von Elementen Beisplel Schwefel: ,,S ele mm ( o tle » [=] ft LI 19S: 15? 25? 2pt 35? 3p! Erste Ziffer steht flr Bahn | * Orbitale = Elektronenzustande in einem Atom Jedes Elektron im Atom hat eine eindeutige Quantenzahl * Hybridorbitale Beispie!: Kohlenstoff / Silizium besitzt vier Valenzelektronen. Zwei davon sind im s- Orbital und zwei im p-Orbital, Da alle Valenzelektronen das gleiche Energieniveau anstreben, wird ein gemischtes ,Hybridorbital” [sp"] gebildet. * Grundideen der Quantenmechanik Jedes Teilchen kann als Welle beschrieben werden; Die stationaren Zustande sind stehende Wellen, deren Amplituden nur vor Ort, aber nicht von der Zeit abhangen. > Je graer die Masse des Teilchens, desto kiirzer die Wellenlange > Je gréGer die Energie des Teilchens, desto kurzer die Wellenlinge ‘Man kann nicht fur jedes Elektron die Koordinaten und die Energie gleichzeitig exakt angeben Die Wellenfunktion beschreibt den Elektronenzustand in Wechselwirkung mit anderen Elektronen bzw. dem Kern Die Schrédinger-Gleichung gibt die Wahrscheinlichkeit an, dass sich ein Elektron in eltem bestimmten Zustand In einem Volumenelement authalt und wird durch das Produkt der entsprechenden Wellenfunktion ausgedruckt. * Periodensystem der Elemente 109 Elemente; 96 fest, 11 gasférmig, 2 ftssig Zeilen = Periaden; Spalten = Gruppen Elemente die abnliche chemische Eigenschaften haben, bestehen aus Atomen mit ahnlichen elektronischem Bau, gleiche Anzahl von AuRenelektronen -> stehen in derselben Gruppe Grundlagen der Materialwissenschaften (2/35)Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Haufigkeit von Elementen auf der Erde Nach Masseprozent (10 haben einen Anteil 99,59) (4594); Sif2594); Al, Fe, Ca, Mg, Na, K, Ti, H Nach Atomprozent: O} Siz Al; Hy Ca; Ma; Fes Kj Nay Ti Valenzelektronen AuRenelektranen = Valenzelektronen (-> Anordnung nach Gruppen) \nzahl der Protonen + Anzahl der Neutronen akeo Massedefekt Elemente sind leichter als die Summe der Einzelgewichte ven Pretonen und Neutranen. Die Differenz wird in Kembindungsenergie umgewandelt. Bindungsenergie wird bei der Atomspaltung freigesetzt. Isotope = Nuklid (Oberbegriff) Nuklide mit gleicher Protonenzahl [Ordnunglaber unterschiedlicher Neutronenzahl ‘Chemisch gleiche Eigenschaften - Physikalisch unterschiedlich Instabil -> Zerfall | Gerade Anzahl von Protonen und Neutronen sind haufig stabller {92 Stabile Elemente | 264 stabile Isotope | 1200 kiinstliche Isotope] Radioaktiver Zerfall Radioaktivitat spontaner Zerfall Alpha (4/2He-aussendung), beta” (Elektronenaussendung; N => P"+e), beta’ (Elektroneneinfang) Strahlung sowie spontaner Zerfall) Gamma-Strahlung _ tritt meist als Begleitstrahlung von beta und alpha Zerfallen auf Vorlesung 3: Atomare Struktur (2) lonen lonen haben durch Elektronenaufnahme oder Abgabe die Edelgaskonfiguratian erreicht, sind jedoch dadurch negativ (Anionen <> Reduktionsprazess) bew, positiv (Kationen <-> Oxidationsprozess} geladen. -> gemeinsame Elektronennutzung Atom- und lonenradien Je mehr Elektronenbahnen ein Atom hat, desto gréRer ist sein Radius. (> Zunahme in der Gruppe) de kleiner, je mehr positive Kernladung ein Atom hat (> Abnahme in der Periode) Kotionen > normoles Atom > Anionen Grundlagen der Materialwissenschalten 1935)Gerrit Schlomer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 «© Edelgaskonfiguration Fachbegritf fur die vallbesetzte auBere Elektronenschale, auch Valenzschale genannt. Wird von jedem Element auf Grund des niedrigen Energetischen Zustandes aufgesucht. Teilung von Elektronen. (linke HG geben Elektronen ab | rechte HG nehmen Elektronen auf) [Halbvoll besetzte Schalen sind ebenfalls energetisch gOnstiger] © lonisierungsenergie IE Diejenige Energie, die zum Entfernen eines Elektrons aufgewendet werden muss. © Elektronenaffinitat EA Tendenz eines Atoms ein zusdtzliches Elektron an sich zu binden. © Elektronegativitit EN EN=0,5*(EAHE) Nimmt innerhalb einer Perioge zu und innerhalb einer Gruppe ab. Analogie zum Atomdurchmesser © Bindungen und Elektronegativitst Die EN bestimmt den Bindungstyp. Jedes Atom will in einen energetisch giinstigen Zustand kommen => Edelgaskonfiguration (2s oder 25 + 6p) Es gibt keine reinen Bindungen Starke Bindungen [100-500k]] > ¥ Kovalente Bindungen [Nichtmetall - Nichtmetall ocer EN-Differenz < 1,8] [42, 02) Die Elektronen von einem Bindungspaar milssen antiparallele Spins aufweisen. Es gibt jewells ein bindendes (energetisch niedrigerer Endzustand) und ein antibindendes, aft angeregtes, (energetlsch hdherer Endzustand) Atomorbital, durch die Bindung wird die Ubrige Energie freigesetzt. ‘©. Die Aufenthaltswahrscheinlichkeit der Elektronen zw. den Atamen ist erhoht. Ausgepraate Bindungsrichtungen kleine Packungsdichte ‘solatoren Energie/Abstand « >Minimum oo0 o lonenbindungen [Metall €> Nichtmetall oder EN-Differenz > 1,8] [NaCl] Ein Atom mit nur einem Elektran auf der Valenzschale kann durch Abgabe eines Elektrons eine niedrigere Edelgaskonfiguration erreichen, wird dieses Elektron von einem ‘Atom mit sieben Elektronen auf der Valenzschale aufgenommen, so erreicht dieses eine hahere Edelgaskonfiguration. Durch die Coulombkrafte werden beide Elektronen an einander gebunden, ‘© Keine Richtungsabhangigkeit ‘© gféSte Bindungsenergie hat die Struktur mit dem kleinsten Gitterabstand c__ geringe elektrische Leitfahigkeit Grundlagen der Materialwissenschaften [4/351Gerrit Schlémer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 © Mandelungskonstante [rein geometrische Konstante der lonen-/kristalibindung] beriicksichtigt den Einfluss von entfernten lonen > Metallbindungen Das Valenzelektron ist nur sehr schwach gebunden, Vallstandige Dellokation der Valenzelektranen (Elektronenges). Metaligitter besteht aus positiven lonen, Quantentheorie liefert Begriindung fir metallische Bindung. Isotropie -> Keine Vorgugsrichtung Metallkristalle sind dicht gepackt Metallische Bindung nur in Festképrern moglich + hahe Festigkeit ~ groBes Absorptions- und Reflexionsvermégen “> hohe elektrische Leitfahigkeit Schwache Bindungen [<100kJ] > Van-der-Waals (Polymers, Kunststofie) permante und Induzierte Dipolmomente ‘Bindungen beruhen auf Wechselwirkungen zwischen den elektrischen Dipolen schlechte elektrische Leiter Kleine Bindungsenergien > Wasserstofforiicken (Struktur von Eis) Eine spezielle Form der Van-der-Waals Krafte Jedes Sauerstoffatom ist von zwei Wasserstaffatome umgeben (kovalente Bindungen) Jedes Wasserstoffatom ist mit zwei Sauerstoffatomen koordiniert (eine kovalente Bindung | eine Wasserstoffbrticke) Schlechte Raumausnutzung ist fir die geringere Dichte des Eises gegeniiber dem flissigen Wasser verantwortlich. Vorlesung 4: Kristalle Ein Idealkristall kann nur bei T=OK existieren und ist unendlich groB! © Isotropie Die Elgenschaften sind Richtungsunabhangi © Kristalliner Zustand: Fernordnung (geerdnete Anordnung, Symmetrie}, ebene Fernardnung, hohe Symmetrie, Anisotrap -> Metelle / Salze {keine perfekten Kristalle, Baufehler beeinflussen die Eigenschaften) = Amorpher Zustand: Nahordnung / keine Fernordnung, gekrimmte Begrenzungsflachen, Isotrop -> Glaser, Mineratien Grundlagen der Materlalwissenschaften 1535]Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover * Perlodizitat 03.07.2009 In Ideaikristallen gibt es eine regelmaGige Anordnung der Gitterbausteine — der Widerholungsabstand wird Periodizitat genannt + Elementarzelle Kleinste Einheit aus der ein kristall periodiseh aufgebaut sein kann. Achtung: Summe der Atome einer Elementarzelle, Atome werden geteilt: Eckatem = '/s | Flachenzentriert = 4 | Raumzentriert = 1 © Koardinaten von Atomen MaBeinhelt: Gitterkonstante (Atomradius) —_{(0,0,0) © Sieben Kristallsysteme Charakterisiert durch drei Langen und drei Winkel kubieehe + tetragonal as wea te —s asbec azbec aebec @epeye OO! gapsysor — gepayetot Rhombaedrlsch ttrigenal) oes eH azbee eho re? Os Be905 re 120 moneklin oat ial Ly] tet aebve wap e807 90" tin © Flachen- bzw. Raumzentrierung Kristallsystem Achsen kubisch aebac tetragonal =bec orthorombisch | (rombisch) acbre monoklin | aebee = 90° 290° thomboedrisch ae pays 90° triklin asbec azpe hexagonal Kubisch = Reumzentriert Kubisch ~ Flachenzentriert Grundlagen der Materialwissenschaften (body centered cubic) (face centered cubic) [s/35)Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover 14 Bravats-Gitter ABC 1 F Kublach Tatragenal Ortharhemblech Hexagonal Tiigonal Woncklin xe] >| x<| ><] ><] =| x] a] Tiklin [P= Primitiv | = Innenzentriert | F= Flachenzentriert [4,8,C= Basiszentriert (nur zwei Seitenflachen zentriert) | Richtungen in Kristallen Richtungen: [1,0,0] 03.07.2009 Schar équivalenter Richtungen <101> [101};{110][014} [-101};{-110}[0-12] usw. xe Isotropie und Anisotropic Ein Material verhait sich isotrop, wenn seine Eigenschaften nicht von der keristallografischen Richtung abhaingen, in der sie gemessen werden Ebenen in Kristallen (Millersche Indizes) 1. Diese Ebene schneidet die Achsen inx=1, y= ~,2= = 2. Man bilde die Reziprokwerte 1/1, tly #0, tz=0 3. Briiche sind durch Erweiterung zu beseltigen 4, Die erhaltenen Indizes werden in runde Klammern gesetzt L > Millersche Indizes (hjk) = (100) Miller indizes Schnittpunkt mit dernacme =A, a2 4x (2 1 9) ‘Schnittpunkt mit o., derxAchcs < Schnitipunkt mit der y-Achse b Grundlagen der Materialwiscenschatten (rastGerrit Schlomer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 + Aquivalente Richtungen und Ebenen Aquivalente Ebenen / Netzebenen einer Elementarzelle werden als Ebenen einer Form bezeichnet und in geschwelften Klammern geschrieben {100} {010} “J aiskret J eymmetrieaquivarent ‘Gitterpunkte uve wave Achsenabschnitte ‘Gittergeraden tuvw) suv \ichtungen) ‘Achsenabschnitte Hetzobenen Tha) hi {Millersche Incizes) | Reziproke ‘Achsenabschnitts IMMER EINFACHSTE GANZZAHLEN VERWENDEN (2223 = (111) © Kristalle mit mehreren atomaren Komponenten In die Elementarzellen eines Materials werden Atome eines anderen Elementes eingebaut. + Polymorphie Kristalle kénnen bei gleicher chemischer Zusammensetzung (unter verschiedenen thermodynamischen Bedingungen) in verschiedenen Kristallstrukturen auftreten. + Polytypie AusschlieBlich Strukturanderungen ergeben neve elektrische Eigenschaften Vorlesung 5: Realstrukturen Der Realkristalt ist nicht perfekt, besitzt eine Oberflache, hat Gitterschwingungen (ab OK), strukturelle Defekte ‘* Grundtypen von Gitterstérungen: Eigenschaften der Stérungen: Anderung der mechanischen Materialeigenschaften -> véllig neuartige Materialien mit neuartigen Materialeigenschaften moglich -dimensional (Punktdefekte) Fremdatome / Leerstellen / Lacher im Gitter > Die Gleichgewichtskonzentration von Lachern steigt mit stelgender Temperatur, nicht ungewahlich: jeder 10.000ste Gitterplatz kann unbesetzt sein. Metalle: Burch langsames Erwarmen werden Leerstellen geschatfen ~> durch schnelles Abktihlen werden sie eingefroren, © 1-dimensional (Versetzungen -> Burgersvektor) Eine Ebene zuviel / zuwenig © 2-dimensional (Flichendefekte) Korngrenzen / Stapelfehler Grundlagen der Materialwissenschatten (5/35)Gerrit Schlmer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 0 3-dimensional (Einschltisse usw., oft makroskopisch) EinschlUsse / Ausscheidungen / Cluster / Poren Een TO + Punktedetekte: © Interstitiell: Besetzung eines Zwischengitterplatzes durch ein eigenes Atom oder cin Fremdatom {Zwischengitterstarstelie} © Substitutionell: Besetzung eines reguldiren Gitterpunktes durch ein Fremdatam. oder Fehlen eines Atomsim Gitter [Loch baw. Leerstelle] © Schottky-Defekte: geléstes Elektron wandert aus dem Gitterverbund hinaus wechst oben wieder an | bei lonenbind. gehen zwei lonen weg © Frenkel-Typ: —_Leerstellen | Zwischengitterpaar © Diffusion (-> Ausgleich der Stoffkenzentrationen): Bewegungen von Atomen im Kristallverbund, findet statt, wenn die Konzentration eines geldsten Stoffes von Ort 2u Ort verschieden ist, erfolgt Uber Zwischengitteratome Durch Punktdefekte erhdhte Diffusion © Burgersvektor bei Versetzungen _ ‘—stutenversetzung Wir umlaufen den Defekt in der ersten perfekten kristallografischen Ebene = in jeder Richtung mit gleich vielen Schritten. Der zusatzliche Vektor zum SchlieBen der Schleife helt BURGERS-Vektor ® Gleiten von Versetzungen und mechanische Eigenschaften Dureh auBere Kréfte kénnen sich Versetzungen durch den kristall bewegen = Gleiten ‘Grundlagen der Materialwissenschatten (9/35)Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Die Versetzung wandert von einer Gleichgewichtslage zur Nachsten =>Festigkeit der Materialien ist geringer als nach Starke der Bindungen zu erwarten =>Vorraussetzung fr die Schmiedbarkeit von Metallen = Korngrenzen ‘Schmale Ubergengszone mit gestérter atomarer Anardnung us der Schmelze entstehen einzelne Kérner, die wahllas orientiert sind und zu gréReren Kristalliten wachsen, stoBen diese aneinander, entstehen Karngrenzen. Korngrenzen sind Hindernisse fur Versetaungsglelten => Kleinere Korner = mehr Korngrenzen = hohere Stabilitat © Stapelfehler - das Fehlen einer Atomebene (2 dimensionaler Fehler) ‘> Defekte sind nicht Fehler einer sonst idealen Struktur, sondern sind Fremedatome Interstitleller Einbau Fehistelle Gespannte Bindung Korngrenze offene Bindung Vorlesung 6: Diinne Schichten © Beschichtung (aktiver Korrosionsschute)-> diinne Schicht befindet sich auf einem Substrat Ziel: gezielte Veranderung van Oberflacheneigenschaften Anforderungen an die Materialien sonst oft nicht erfulit * Sinn von Beschichtungen Oberfisichennachehmung / optische Eigenschaften / elektrische Leitfihigkeit * Anforderungen an Schicht und Substrat ‘Substrat muss vorbehandelt werden (Reinigung, Aktivierung) Chemische Vertraglichkelt muss stimmen, sonst Pufferschicht; Thermische Ausdehnune; Grundlagen der ntatediabuissensehatten 119/351Gerrit Schiéimer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 * Wachstum von Schichten / Wachstumsformen Perfekte Benetzung: Glatte Schicht -> 2D Wachstum (Frank-van-der-Merwe] Keine Benetzung: Inselbildung -> 3D Wachstum (Volmer-Weber) Mischformen mdglich (Stransky-Krasanov) © Grenzfléchen- und Oberflachenspannung Energie pro Oberflicheneinheit = Oberfléchenspannung Wechselwirkung der Molekile untereinander -> Kohasian [nicht miglich an OF] Das Erzeugen einer Oberflache kostet Energie Eine Grenzfiache zwischen Materialien hat eine Grenzfiachenspannung a> + op aaah ee File Layer-by-layer 3D Islanding (Frank-¥an der Mervre) (Volmer-Weber) 7 Oberfldchenenergie des Substrates ‘of Oberfléehenenergie des Films oe Grenzttichenenergie * Physikalische Verfahren Durch Physikalische Verfahren werden Atome oder Molekiile der abzuscheicdenden Schicht zum Substrat gebracht und dort abgelagert. Physikalische Abscheidung ist immer gerichtet und somnit Probleme bei Kontaktlochverfiillungen PVD-Verfahren: (physical vapor deposition) Aufdampfen Material wird verdampft, Dampistrahl erreicht das Material im Vakuum und lagert sich ab [Themisches Verdampfen, Verdampfen durch Elektronenbeschuss | Laser] Kathodenzerstauben (Sputtern) © Chemische Verfahren Galvanisieren [Elektrolyse}:(Elekroden im Flissigkeitsmaterial) <10.m CVD-Verfahren: (chemical vapor depostion) Ein Gasstram aus Molekillen wird Uber das Material geleitet, dabei kommt es zu einer Adsorption an der Oberflache, OF Diffusion, Obrige Teilchen werden desorptiert und abgeleltet, es kommt zum Stufenwachstum. Unterteilung in Verfahren mit © Thermischer Anregung [APCVD - Atmospheric Pressure | LPCVD - low pressure] © Plasmaanregung [LECVD Laser Enhanced | PECVD ~ Plasma Enhanced] Vorteil: Wachsturn bei niedrigen Temperaturen © Prinzipien, Unterschiede usw. Klassifizierung erfolgt hinsichtli Grundlagen der Materiahwissenschaften iny3s}Gerrit Schiémer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2008 Arbeitsdruck: APCVD, LPCVD, UHVCVD Anregung (Aktivierung): RTCVD, PECYD, LECVO eingesetzte Gase: (Prescursor) cv Elgensehatt Pvp Ratenund Temperaturon ober Realdionssieichgewichte vacknlipht ‘Termperatur und Prozesssteuerting iniaehePrezess# | Homplizierie Prozasse, ech! ©) gut mesaliornar ‘modeltlerbar Eintaehheit Hiufig kontamrinier! Pee wid asoais sesecopoenechatian feBiceet Schichtelgsnschatan Spitergase) ‘) Beschientung von a Problematisch (2.8 hihtebenen Oberftachen durch Abschattung) Sehr uniform mogtlen Vakuum _ ‘Wir betrachten Hg von 7m’ bel 26°C und Normaldruck (latin), die mit Gas geftillt ist, Wieviele Teilchen befinden sich in der Kiste’ =2.5x 10% Teilchen “fs Wieviel Ptatz nehmen die Telichen ein? Weniger als 1000 em? Das sind nur 0.1% Druck wird durch WandstdBe erzeugt, in der chaotischen Bewegung kollidieren die Teilchen (bis zu 277m/s) bereits nach wenigen nm (10*-9m)} mit anderen Teilchen im Epitaxie Geardnete Positionierung von einzelnen Atomen, Ordnung wird von einem kristallinen Substrat (Wirtsgitter) vergezeben Homoepitaxie— Aufwachsen der gleichen Atome Heteroepitaxie ~ fremde Atome wachsen unter gecigneten Matching-Bedingungen i , Mikroskopische gor Make Beschreibung ablation ittasion Ferasse"t9 fen Mechanic + Aduarpton {Chcwsoration, Pkosionrption, HufthneFlcient) + Molehile Dissaziation, Desarptinn der reaua pssemreabtianes) + Diffasina (aul OberMiche, om wad Wer Stafen) + Sulit (ya Tiss hs am Seofen) + Desert —__| Grundlagen der Matetialwissenschatten 12/35]Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 ‘+ Wachstum von Schichten / Wachstumsformen Perfekte Benetzung: Glatte Schicht -> 20 Wachstum (Frank-van-der-Merwe) Keine Benetzung: inselbildung -> 30 Wachstum (Valmer-Weber} Mischformen méglich (Stransky-Krasanov) © Grenzflachen- und Oberflachenspannung. Energie pro Oberflicheneinheit = Oberflichensponaung Wechselwirkung der Molekille untereinander -> Kohasion [nicht méglich an OF] Das Erzeugen einer Oberflache kostet Energie Eine Grenzfliche zwischen Materialien hat eine Grenzilachenspannung > ot Oe 5% Ht OF Film Layersby-layer SD istanding |(FrankeVan der Merwe) {Volmer-Weber) o,: Oberflichonenorgie des Substrates ox Oberflichenenergie des Films je! Grenaflachenenergi © Physikalische Verfahren Durch Physikalische Verfahren werden Ateme oder Molekiile der abzuscheidenden ‘Schicht zum Substrat gebracht und dort abgelagert, Physikalische Abscheidung ist immer gerichtet und somit Probleme bel Kontaktlachverfillungen PVD-Verfahren: (physical vapor deposition) ‘Aufdampfen Material wird verdampft, Dampfstrah| erreicht das Material im Vakuum und lagert sich ab [Themisches Verdampfen, Verdampfen durch Elektronenbeschuss | Laser] Kathodenzerstiuben (Sputtern) © Chemische Verfahren Galvanisieren [Elektralyse):(Elekroden im Flissigkeltsmaterlal) <10um €VD-Verfahren: (chemical vapor depostion! Ein Gasstrom aus Molekillen wird dber das Material geleitet, dabei kommt es Zu einer Adsorption an der Oberflache, OF Diffusion, Ubrige Tellchen werden desor; und abgeleitet, es kommt zum Stufenwachstum. Unterteilung in Verfahren mit © Thermischer Anregung [APCVO - Atmospheric Pressure | LPCVD - low pressure] © Plasmaanregung [LECVD Laser Enhanced | PECVD ~ Plasma Enhanced] Vorteil: Wachstum bei niedrigen Temperaturen * Prinzipien, Unterschiede usw. Klassifizierung erfolgt hinsichtlich: Grondlagen der Materialwissenschaften (135)Gerrit Schlémer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Wathstum unter Ultrahochvakuumbedinungen (~10*-LOmbar ->freie Wegkinge >1000km), Schwierigkeiten fir Materialien mit hohem Dampfdruck Heizung Si-Scheibe (2 200 mm) Kammer unter Weltraumbedingungen (-10° mbar) Atome aus Verdarfpfern > freie Weglange > 1000 km f Si: ~1200 °C, Ge: ~950 °C Vorlesung 7; Mehrstoffsysteme + Ideale Gase => Teilchen befinden sich in standiger Bewegung, elastische Ste (rein kinetische Energiedbertragung) mit Wand und Atomen -> keine Wechselwirkungskrafte zwischen den Atomen | Atome punktféemig Zustand wird beschrieben durch: p*V = ke®N°T © Stoffmischungen Atomprozent (at%): relative Anzahl der Atome In einer Mischung [CO; = 2/3 O-Atome & 1/3 C-Atome] Masseprozent (massié): relative Gewichtsanzah! der einzeinen Atome [Gesamtmasse CO, = 2°16 +12 = 44] [Masse C= 12/44 = 27,3 mass. | Masse 0 = 2416/44 = 72,7 mass.%] kcitische Isotherme P Vertlissigung von Els unter Druck 220,5 bar |... Normal 0,006 bar . sledepunkt 4g) O01 100°C a7ae T Grundlagen der Materiaiwissenschatten 123/35)Gerrit Schlémer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 * Phase: Materialbereich mit gleicher 2usammensetzung, Struktur und gleichen Eigenschaften definierte Grenzflachen zwischen unterschiedlichen Phasen: Achtung: eine Kompenente —mehrere mégliche Phasen (H,0: Eis <-> fl. Wasser] © Komponenten Sind die um Aufbau eines Stoffes erforderlichen reinen Stoffe (01 und Wasser (unlislich) -> zwei Phasen mit zwei Komponenten} [alkohol und Wasser (unbegrenzt ldslich) -> eine Phase mit zwei Kamponenten] © Zustandsvariable Druck p; Temperatur 7; + Zusammensetzungsvariable Kanzentration ¢; Molenbriiche x; Masseantelle m, * Phasenibergange: Energie wird freigesetzt oder aufgenommen >> i.d.R latente Warme, bewirkt aber keine Temperaturanderung =© ee | ¢ Gibbs'sche Phasenregel: Legt die Anzahl der Freiheitsgrade baw. der unabbhangigen Zustandsvariablen (p, T, } eines Systems fest. FeK-P+2 Mischsysteme: F = K—-P41 nzahl der Komponenten inzahl der verschiedenen Phasen (in dem Punkt) kK P © Leslichkei Relativer Mengenanteil eines Stoffes, der sich in einem 2weiten Stoff chne Bildung einer zweiten Phase vollstindig auflésen kann Abhangigkeiten: > ahnliche Atamgrée [-> mégl. Keine Gitterverzerungen] gleiche Gitterstruktur | kleine Valenzzahl | bie > EN muss annahernd gleich sein Grundlagen der Materialwissensehsften (14/38Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 © Begrenzte Léslichkeit: Liegt vor, wenn ein Stoff nur begrenzt in einem anderen Stoff lOshar ist [Zucker In Wasser] * Unbegrenzte Laslichkelt: Unbegrenzte Auflsung eines Stoffes in einem zweiten ohne Bildung einer zwelten Phase [alicohol in Wasser] ‘* Misehungsliicke: Bereich, in dem 2wei verschiedene fldssige Phasen koexistieren ohne sich zu mischen Zustandsdiagramm: Darstellung der Phasen und ihrer 2usammensetzung in Abhdngigkeit von T und Konzentrationen ia: * Einstoff-2D; Systern mit einer Kamponente ae © Bindres 2D: System mit zwei Stoffkamponenten a | * Tripelpunkts P- und T-Wert, bei dem drei Phasen eines Einstoffsystems im Gleichgewicht koexistieren te Isomorphes ZD: | Druck wird als Variable konstant gehalten Systeme mit unbegrenzter Lislichkeit / Mischungsverhiltnis [Alkohol In Wasser] © Liquidustemperatur, Liquiduskurve: T, bei der sich bei Abkiihlung der erste Festkiirper bildet * Solidustemperatur, Soliduskurve: T, bel der die Schmelze vollstandig erstarrt ist © Erstarrungsbereich: Temperaturdifferenz zwischen Liquidus- und Solidustemperatur ‘Systeme mit Begrenater Léslichkeit © Eutektikum: Schmelze und zwei feste Phasen im Gleichgewicht iy iniedrigste zum Erstarren erforderliche Temperatur "4 Intermetallische Phasen: Verbindung von zwei Metallen mit spezifischer Zusammensetzung, Struktur und spezifischen Eigenschaften Spezielle Mischungen: A Messing: kupfer-Zink-Legicrung | Gute Kalt und Warmverformbarkeit, sehr gute Zerspannbarkeit fy Bronze: Kupfer-Zinn-Legierung (20-40%) ‘Stall Eisen-KubslensLofflegierungen Grundlagen der Materiahwissenschaften (15/35)Gerrit Schlémer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2003 Vorlesung 8: Materialeigenschaften Kriterion fir die Materialauswaht Okonamisches Prinzip: Ausreichende Funktionstichtigkeit bei minimalen Kosten handelsiibliche Stoffe | Prozentuale Materlalkosten Benétigte Eigenschaften -> Materialkosten -> Fertigungseigenschaften -> Gewicht, Energieverbrauch -> Lebensdauer Mechanische Eigenschaften + elastische und plastische Verformung Scherung, Schubmodul > Biegung Flache A [Schersratt J Scherwinkel CE LAS a a) 2 + Der Scherwinkel ist proportional zur Scherkraft Kompression * Torsion Drehwinkel ist Proportional zum Brehmoment Elastische Verformung erfalgt durch Deformation der Elementarzelle -> Gegenkraft wird erzeugt -> Atome kehren wieder in Ruhelage zuriick * Plastische Verformung erfolgt durch Verschieben einer Atomebene [oder Versetzungsgleiten] -> nicht reversibel Hooke'sches Gesetz (Feder Gesetz) Spannung ist proportional zur Behnung a Propersonasisgrne (Hooke cane arco cetcay Elastamasegrenme (tiaands Benrcrg 009% Oe atebanae Datong 8.2%) Fey Ziyhistighelt 4 Bruchéenung ‘Hysterese-Kurve wie bei Magnetislerung * Mechanische Materlalkonstanten Gafriespunts, Pant tet, fet, Hl lage, cpet. Veda Tempaadvr bella, oem nat lags * Spannungs-Dehnungs-Diagramme Ponkt Wird das Material verlangert, dann wird sein Durchmesser kleiner, weil das Volumen annghernd konstant bleibt. Grundlagen der Materiswissenachaften (as/35)Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover = Poissonzahi 03.07.2009 Da Verhaltnis der relativen Anderungen des Durchmessers und der Linge heift Poissonzahl, = Harte Widerstand, den ein Werkstoff dem Eindringen eines sehr viel harterem Kérpers entgegensetzt, [Nicht eindeutig physikalisch definiert] Quantitative Angaben: Ritzverfahren, Fall-Eindringtiefen Messverfahren * Mechanische Verformung und elektrischer jerstand Bei Dehnung wird das Material langer, Quersehaitt nimmt ab -> Widerstand steigt, [Anwendung: Dehnmess-Streifen | auf Material anpassen - gleiche ‘Temperaturausdehnungskeeffizienten] * Korrosion Unter Korrosion versteht man die Zerstérung von Werkstoffen durch chemische oder elektrochemische Reaktion mit ihrer Umgebung. Kethodische Reaktion |_ 0, + 24,0 + 4a" 40H FeQ(OH) Oxidatior Elektronenabeabe Einige Materiatien schiitzen sich durch Korrosion, Prozess wird gestoppt (Kupfer: griine Patina | Aluminium: Oxi Schicht] in der Natur liegen Metalle nur chemisch gebunden, als Oxid oder Sulfid var, dieser Zustand ist energetisch glinstiger -> durch hohen Energieaufwand werden sie in den Elementzustand reduziert, Wenige Metalle in gediegenem Zustand = MaBnahmen dagegen Passive Verfahren: -> Korrosionsbestandiger Beschichtung / Lackierung, MetallUberzug z.8.: Verzinkung Aktive Verfahren: Konstruktive Gestaltung -> Feuchtigkeitsschutz, widerstandsfahige Baustoffe Einbringen einer Opferanode / -Kathode An der Anode gehen Metallionen in Losung und Elektronen werden frel [Oxidation] ‘An der Kathode werden Elektronen Grundlagen der Materialwissenschaften jerbraucht [Reduktion] (37/381Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Wichtige Konstruktionswerkstoffe sind Stahl, Kupterlegierungen, Aluminiumlegierungen, Titan Materialeigenschaften sind durch Leglerungselemente fast beliebslg anpassbar. Legierungselementein Stahl ‘Anderung der Werkstoffeigenschaft | Legierungselement Co, (Si) Verbesserung der magnetischen Eigenschaften Stabilisierung des unmagnetischen | Ni, Co, Mn Austenitgitters Steigerung der Festigkeit C.Ni, Mn, Gr, Si, W, Mo Warmfestigkeit und Dauerstand- Ni, Co. V. W, Mo. festigkeit (Zundertesti gkeit) Korrosions- und Zunderfestigkeit | Cr, Al, SI, (Cu) Versprédend wirk Oz, Hz, No, PS Memory-Metalle ‘An einem bestimmien ‘Spannungsniveau lisst sich das Material mit sehr wenig Kraftinderung bie 2u einigen Prozenten Forménderung elastisch verformen. superelastisehes Verhalten, Ursache: diffusionslose Phasenumwandlung. Die Atome werden durch Umklappen ganzer Gitterbereiche in ihre neue Position aberfahrt, die Umklappprozesse sind reversibel. {[Nickel-Titan oder Kupfer-Zink jewells mit Zusitzen] Anwendung: Zahnspanngen; Implantate; Hochflexible Brillenrahmen Vorlesung 9: Elektrischer Transport Metallische Leitung (Drude Modell) Metallbindung: Gitter aus positiv geladenen Metallatomionen, in denen sich die Valenzelektronen frei bewegen kéinnen. <> gute Leitfahigkeit der Metalle auch bei T=0k| allerdings nur im festen Zustand | - > Isotropie -> unabhangige, freie Elektronen d.h. keine Wechselwirkungen zw. e-¢ & elon -> ein duBeres Feld kann eine Kraft auf die Elektronen erzeugen | Feld etzeugt eine gerichtete Bewegung der Elektronen in Feldrichtung kann elektrisches Verhalten von Halbleitern & Isolatoren sowie die Wrmeleitfahigkelt nicht beschi Grundlagen der Materialwissenschaften 13/35}Gerrit Schlémer = Leibniz Universitat Hannover 93.07,2009 = Konsequenzen aus der metallischen Bindung ~> $t6Re finden nicht an ruhenden Atomen des Gitters statt. ~> StdBe nuran Fremdatomen, oder aus dem Gitter ausgelenkten Atomen (Warme! statt. -> Elektronendichte im Metall ist sehr hoch, aber temperaturabhingig ~ Elektronen bewegen sich mit einer thermischen Geschwindigkelt -> StaBe verandern die Richtung, dber die Zeit geschen findet keine Ortsverinderus statt « effektive Masse m* Einfluss der positiven Metallatomionen des Kristalls auf die Elektronenmasse + Driftgeschwindigkelt Vp = -1, E Driftgeschwindigkeit ist proportional zur SuBeren Feldstarke © Beweglichkeit jy =et/m* T= Relaxionszeit = Mittleres Zeitintervall zwischen 2wei Staen — @= elementar ladung ie m* = effektive Elektronenmasse —_ -- Abhsingigkeit von den Materialkonstanten * Ohmsche Gesetz: j=o& J= Ladung pro Flacheneinheit -> Proportional zur Elektrischen Feldstarke # spezifische Leittihigkeit o= e pen Bo > Beweglichkeit n> Ladungstrgerdichte © Derelektrische Widerstand setzt sich aus einem ‘temperaturabhangigen Anteil (Gitterstreuung) Elektronendichte und die Beweglichkeit (Relaxionszeit) ist temperaturabhangig Gitterschwingungen wachsen bel héherer Ternperatur -> Anzahl der St8Be nimmt zu StéRe an Fehistellen | Ablenkung durch Potentialdifferenz hat aur geringen Einfluss und einem temperaturunabhdngigen Anteil (Streuung an Fehistellen) Einfluss von Verunreinigungen | Dotierungen: milli Fremdatomanteil kana die Leitfaihigkelt extrem verkleinern Korngré8e ist proportional zur Leitfahigkeit Grundlagen der Waterishwissenschaften 129/38)Gerrit Schlmer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 + Elektrische Leitfahigkeit und Warmeleitung [Ges2tr von Wiedemann & ‘Warmeleitung findet Uber die kinetische Energie der Elektronen statt Elektrische Leitfahigkeit und Wérmeleitfahigkeit sind,proportional 2u spez, Widerstand von Konzentration abhéngig Acar © Supraleitung [Wolfram, Aluminium, Zinn, Blei, Niob] Bei Abkihlung fallt der Widerstand bei einer Sprungtemperatur Te auf nahezu 0 -> mehrere Elemente (Gruppenabhangig, auRer gute Leiter [Ag, Cu, Au] / Ferromagnetika / Selten-Erden Metalle Anwendung: groRe Magnete | Problem: kritische Stromdichte | Auswirkungen des E- Feldes * Bandstruktur von Festkérpern Energiehdhe der Atombindung unbesetzt Bandliicke besetzt Lesungsband: Frele Etektronen, (bieht mehr an ein bestimmtes Atom [Gebunden = Siromietting megilch} Verbotene Zone (Bandlicee: Energfebereich, ohne eriaubte Energieniveaus fur Elektrone \Valenzband: Energietiorsich, in dem sich le Suteren Bindungesetronen les Atoms befinden (nicht fir Stromleitung vertlabar) © Fermi-Dirac-Statistike Elektronen sind Fermionen -> Pauliverbot: Zwei Elektronen kbnnen nicht denselben Spin besitzen Die Fermifunktion gibt die Wabrscheinlichkeit an, dass ein Energieniveau bei der Temperatur T mit einem Elektron besetzt ist. Grundlagen der Materiatwissensehaften Ro/sstGerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07,2009 *_Thermoelemente exept + Bletronen aus cum Mstyedam gehen Inae Planer * Gleichoaoictiet erint, ween le Farmlanorgie amas et ‘an deperentaktsaaen entree Potrsarenzl feeperturabhsngig at Vorlesung 10: Analytik © Makroskopische und mikroskopische Eigenschaften: Makroskopiseh: | Mikroskopisch ©) Harte, Elastizitat Strukturell # Elektrische Leitfahigkeit + Gitterstruktur, G-Konstante © Warmeleitfahigkeit Phasenzusammensetzung # Schmelz- oder Siedepunkt * Dicke von Schichten «© Magnetiseher zustand © -Krner, Kamgréfen, Defekte © Spannungen * Mikroskopische Spannungen # Risse, Einschllsse Chemiseh: © Zusammenseteung Bindungsverhaltnisse © Struktur von Grenzflachen * Konzentrationen von Fremdatomen * Grundprinzipien der Diagnostik: [Zerstérende | Nicht zerstérende fabian] © Anregung - Informatic ‘onen, Teil [Anregung = =—s—*=<~*‘=*‘*S MCN | Reflektion B __ Beugung Reflektion [Intensitat, rauml. Verteilung, Energiespektrum]: Liefert immer gemittelte Werte Uber den oberfigichennahen Bereich der Proben Transmission (Modifizierung, Verluste, Stimulierte Emission]: Liefert immer gemittelte Werte Uber die gesamte Probendicke Grunclagen der Materlalwissenechaften I21/ashGerrit Schlémer ~ Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Beugung [Intensitat, réuml. Verteilung, Energiespektrum]: Nur an kristallinen Materialien sinnvoll. Elastische StoRprozess: Unelastische StoBprozesse: Energie / Gesch nergie der Teilchen bleibt erhalten digkeit der Teilchen andert sich + Anregungs- und Informationstiefe © Anregungs-/Eindringtiefe: Bereich der Probe der durch die Anregung erfasst wird © Informationstiefe: Bereich der Probe, aus der die Informationen zum Detektor kommen (je Energiereicher die Strahlung, je kleiner das Teilehen, deste tiefer) © Mittlere freie Weglange Linge auf der die Anzahl von sich bewegenden Tellchen durch unelastische Streuprozesse auf 1/e reduziert worden Ist. Winkelabhingige Messungen: Bei feststehender Eindringtiefe kann durch Drehung des Einfallswinkel nur die oberste Probenschicht angeregt werden, somit wird nur diese gezielt untersucht -> Tiefenvertellung ° * Photoelektronen © XPS -> Rontgen angeregte Photoelektronenspektroskopie Durch Réntgenstrahiung wird das Material angeregt, dabel werden Elektronen ausgelést, allerdings erreieht nur ein Bruchteil die Oberflache und kann austreten. AES -> Augerelektronen-Spektraskopie [10nm Auflésung] Elektronen werden mit bis zu SkV auf die Probe geschossen, die dabei freigesetzten Photoelektronen und Reflektierten Elektronen ausgewertet, t bestimmt die Anregungs- und Informationstiefe ° = Rasterverfahren Abrastern sehr kleiner Oberflachenteile Gemessen werden Elektronenverteilungen und nicht die Atome, © Rastertunnelmikroskopie (STM) [Scanning Tunnel Microscopy] Messung von Tunnelstrémen, nur im Vakuum maglich, erfordert nicht ‘Tunnein von Elextronen | wlechen Probe und Spitz) \ ef wags > nur lethige Proben, o. Mess-Spitze Atomare Spitzen notwendig, Tunnelstrome treten nur bei kirzesten Abstand aut Bewegung in <0,1nm Schritten notwendig Grundlagen der Materialwissenschaften peayastGerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2008 © Rasterkrafemikroskopie (AFM) [Atomic Force Microscopy) Messung von Van-der-Waals-kraften; an der Luft Bedeckung durch Verunreinigungen ebenfalls im Vakuum mégtich, Rate Garch Abaetng eine lew ae > Auslenkung alner Spltze euren van ter Waals Kae > Dis tadsenden Spitzen warden ale Canitover [Anwendung: Oberflachenrauhigkeit) © Cantilever Sehr kleine Spitze (40um) mit atomaren Messdorn eichnet * Lichtmikroskopie (Amplitude | Polarisation | Phasenverschiebung] VergréGerte Abbildung durch Wellen. Optische Vergré@erung durch Linsen. ‘Auflésung wird durch die Wellentéinge 2. begrenzt: UV., Licht- und IR-Mikroskople Zwei Beleuchtungsarten méglich: Durchlicht-, Auflichtmikrosko! * Elektronenmikroskopie ©. TEM -Transmissionselektronenmikroskople Probe wird durchstrahit-> muss dina sein ( Praparation schwierig abgebildet wird: Reales Bild der Probe; Beugungsbild der Elektranen co SEM{REM) — Scanning Elektronenmikroskopie Probe wird nicht durchstrahlt > Abgebildet wird ein reales Bild der Oberfliche Detektiert werden Sekundarelektronen oder Riekstreuelektronen Atomare Auflésung nicht erreichbar. ° Reflexion, XPS. AES ] [ Rasterung AFM (Van-der-Waals) STM (Elektronenverteilung) | Lichtmikraskopie als Grenze Elektronenmikrask, | SEM / REM [reales Bild der OB) | TEM - «© Réntgenbeugung © Bragg-Bedingung Reflektion von Wellen am Kristallgitter; Interferenzen.-> Gitterabstand kann bestimmt werden xe2asiney | > Brigg Beashing Es gibt keine optischen Linsen far Rontgenstrahlung © Réntgenstrahlung beschleunigte Elektranen treffen aufeine Anade -> Austritt von Réntgenstrahlung ‘Grundlagen der Materlalwissenschaften 123/35)Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 © magliche Informationen Empfindlichkeit hangt von Anregungsenergie ab -> Steuerbar Messung von Schichtdicken auf Substraten Vorlesung 11: Magnetismus * Bewegte elektrische Ladungen erzeugen ein Magnetfeld Die Bewegung von elektrischen Ladungen ist immer mit einem Magnetfeld verknUpft, © Stromdurchflossener Leiter [rechte Hand Regel] Magnetfeld ist von der Stromstarke | und einer Konstanten abhingig und umgekehrt abhangig vom Abstand, * Feldlinien Nord -> Sid; gibt keine Monopole © Lorentakraft Tritt nur bei bewegten elektrischen Ladungen im Magnetischen Feld auf + Holleffekt In einem stromdurchflossenen Leiter im Magnetfeld werden die Elektronen durch die Lorentzkraft zur einen Leiterseite abgedrangt, die resultierende ,Hall"-Spannung auf dem Leiterquersehnite ist messbar. Bei bekannter Anerdnung Ist das B-Feld messbar, * Elektronen auf einer Kreisbahn Bewegte Ladungen auf einer Kreisbahn indurieren ein magnetisches Moment i. + Induziertes Magnetisches Moment Atomares Bild: Bohr'sche Magneton Permanente Kreisstréme in der Materie werden durch die Bahnbewegung det Elektronen um den Atomkern (Bahndrehimpuls) und die Eigendrehung der Elektronen (Spin) verursacht. Das magnetische Feld 1es Atoms entspricht dem eines kleinen Stabmagneten. + Erscheinungsformen von Magnetismus B=UH <= muss nicht linear sein (Magnetisierungskurve} + Diamagnetismus = nicht magnetisches Material (1, < 1) [in allen Stoffen] Ausgefillte Elektronenschalen haben kein mag. Moment => Orbital- und Spinmomente werden kompensiert, keine permanente Magnetisierung méglich. Im magnetischen Feld werden magnetische Momente induziert, die zum auBeren Magnetfeid entgegengesetzt gerichtet sind (Lenzsche Reget). > Magnetfeld im Werkstoff wird geschweicht => sehr schwach; schwer zu messen; nur vorhanden, wenn Magnetfeld anliegt; keine praktische Bedeutung; tritt in allen Stoffen auf, Grundlagen der Materia issenschaften [29/35]Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 * Paramagnetismus [1 In schwach besetzten Elektronenschalen erfalgt eine paarweise Absattigung des Elektronenspins (Hund) => werden durch ein anliegendes Feld ausgerichtet, nicht permanent. © Permanente Dipole richten sich entlang der Feldlinien aus © Keine Wechselwirkungen zwischen den einzelnen Dipolen © Bas auBere Magnetteld wird durch die Ausrichtung der Dipole verstiirkt. ZB: Chen Mant rovtel, Uerparghnolatls Seuaiacrtote Voraussetzung: permanente magnetische Moménte, die sich im Kristallgitter parallel ausrichten 1 « ooo ¢ ver tte Ferromagnetismus (u-Fe) Antiferromagnetismus Ferrimagnetismus Die magnotischen iMemente riehten Das mag. Moment des erie) Sich spontan ine glelehe Zemtralatome wird durch die mag. le mag. Momonte der 4-und B- enn Memente der Eekstorne ‘Atom sind entgegengesetat ae kompensiert ‘auagerichtet, aber Lntersehtestien gros a _fetromagnetism lus = Dauermagnete [11,>> 1] (Fe, Co, Ni, Sei] ope rmanente magnetische Momente, die sich im Kristallgitter paratlel ausrichten > Burch Wechselwirkungen untereinander, bleiben sie bel Abwesenheit eines Feld miteinander ausgerichtet. => Elektronenspins kompensieren sich nicht * Antiterromagnetismus §— (J, 0] Man gaan ont cl Antiparallel Ausrichtung => gegenseitige Kampensation => Durch Wechselwirkungen der permanenten Dipole bleibt die Kompensation erhalten. 2.B.: in keramischen Oxiden, technisch unbedeutend * Fertimagnetismus Antiparaltele Ausrichtung, Magnetische Momente kompensieren sich nicht. Haufig gute Iselatoren, Durch Variation der Zusammensetzung kann die Magnetisierung eingestellt werden. + Temperaturabhingigkeit magnetischer Eigenschaften Oberhalb einer bestimmten Temperatur (Curie-Temperatur) verschwindet das fecromagnetische Verhalten und das Material wird paramagnetisch. * Neel-Temperatur Oberhalb der Neel-Temperatur Klappen Antiferrische Materlalien zu paramagnetischen Verhatten um. © Curie-Konstante Magnetisierung sinkt mit steigender Temperatur ‘Grundlagen der Materialwissenschaften [25/51Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 ‘+ Magnetische Domanen Abschiuss ‘Abschlussdomiinen| ORIN Sioenwand + Dureh Bildung ven Domiinen wird das Austreten der Feldllinien | aus dem Kristall reduziert Die Magnetisierung erfolgt in Richtung leichter Magnetisierung Ferromagnetische Materialien bestehen aus mehreren Kristallen / Korner, dabel ist die Netto-Magnetisierung der Kérner unterschiedlich. Die Domanen haben GréBen von ~10° mundin ‘shure te lsichtesten Magnetisierbarkett orientiert + Urrck Bilt ta Cominen ame des Aaatrete, * WeiB'sche Bezirke Doménen mit verschieden orientierter Maga jerung. * Blochwinde Grenze zwischen zwei wei’schen Bezirken mit unterschiedlich ausgerichteter Magnetisierung. © Magnetisierungsvorgange: _ Bei hohen Feldstarken sind alle Elementarmagneten ausgerichtet > volistiindige Magnetisierung baw. Sattigung (Punkte d bzw. g) 2. Vermindert man H von My, gegen Null so wird M erst b He zu Null (Punkte f und i). > Koerzitivfeldstarken 3, Die Magnetisierung bei H = 0 ‘wird Remanenzmagnetisierung at genannt. =H = © Nevkurve Magnetisierungszustand der nur bei der erstmaligen Magnetisierung erreicht wird. © Sattigung ‘Wenn alle Elementarmagnete ausgerichtet sind, ist die vollstdindige Magnetisierung erreicht. Grundlagen der MaterialwissenschaftenGerrit Schiémer— Leibniz Universitat Hannover © Marte und Wi 03.07,2009 Magnetisch hart Magnetisch weich © Anwendung von Magneten Vorlesung 13: Dielektrika Datenspeicherung. HDD etc. NMR Messung von Verainderungen im Kernmagnetismus eines Molekiils (Atomkerne haben ebenfalls einen Spin} Zeemaneffekt In einem auBeren Magnetfeld spalten Kernniveaus entsprechend ihres Spins aut isolatoren © Passive Dielektrika— Isolation wird genutzt Dielektrika ohne zusatzlich tragende Eigenschaften (0, Luft), Dielektrika mit tragenden Eigenschaften (Leiterplatten, Hochspannungsisolation) © Aktive Dielektrika — Polarisation wird genutzt Kondensatordielektrika ader Gatedielektrika eines FET mit mdglichst hoher Dielektrizitétskonstante 6 (K} Ferroelekirische Werkstoffe (als informationsspeicher} | Piezoelektrische Werkstoffe ‘© Polatisationsmechanismen: Elektrische Felder bewirken die Entstehung von Dipolen in Substanzen bzw. permanent vorhandene ausgerichtet werden. Grundisgen der Materialwissenschatten [27/381Gerrit Schlomer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 © Elektronenpolarisation | Ble aullaros elektricches Fetd verschiabt dle Schwerpunte der positiven und negativen Ladungen im Atom gegeneinander. > Blektrisehes Dipoimoment | sehr kleiner Effekt, tritt in allen Stoffen auf, einziger Effekt in unpolaren Stoffen, temporar © lonenpolarisation [No nur bel lonenbindung | tonenkristalle SuReres Feld verschiebt die positiven und negativen Untergitter gegeneinander, temporar © Orlenticrungs- bzw. Molektilpolarisation baw. Dipolp. [WW'ssser] In Staffe, die permanente elektrische Dipole enthalten (polare Stoffe) bewirkt eine SuReres elektrisches Feld eine Ausrichtung dieser Dipole, tempordr Gesm. Polarisierbarkeit: P= E Elektronenpolisierung + E lonenpolarisierung + E Dipolpol = Ferroelektrike Dipole behalten ihre Ausrichtung nach Abschalten des Feldes, permanente Polarisation (Hystereseschleife usw) Effekt tritt nur Unterhalb der Curie-Temperatur aut * Dielektrika im Plattenkondensator Kapazitat andert sich positiv, wenn ein Dielektrikum eingebracht wird, Durch seine Polarisation bildet das Dielektrikum Dipole, die durch zusatzliche Ladungen auf den Platten kompensiert werden, © Durchschlag Ein reales Dielektrikum weist immer freie Ladungstriger aut, dies fUlnrt zur Gleichstromieitfahigkeit, d.h.: der Widerstand ist immer endlich, Grundlagen der Materlalwissenschaften (28/351Gerrit Schiémer ~ Leibniz Universitat Hannover i oe Der Quotient aus der Durchbruchsspannung U, und der Dicke des Dislektrikuris (bzw, dem Abstand der Elektroden, zwischen denon der Durehschlag stattfand,) wird als Durchschlagsfestigkelt bezeichnet. E, = U,/d Gin vim) Probendicke / Dickeninhomogenitaten oo0 Mechanische Beanspruchung Alterungsprozesse [Schottky-Defekte] oo © Bandliicke im Dielektrikum Eg > 3eV © Dielektrika im Wechselfeld ‘Strom Spannungediagramm DBurchschiags von Dielektrika — Gleichstromieitfahigkelt Inhomogenitat / Verunreinigung des Materials, Umgebungstemperatur, Luftdruck und Feuchte 03.07.2009 ‘ Komplore Diclekbiziatazahle, = GIG,—] Gln = 6, -]=, 1 Der Realtell cet Idantizch zur ¥ Dialekiranas2aht bet DC 126 Bi affhtveLetthigklt wid: « Keone’ = Yes jac Verlustwinkel: tan = GoG= «" Verusteinkel:tan = Glee 3 Komplese Dlelekviittiscehl ¢, = GiC,—j Got 0 Komplexe Dielektrizitatszahl ‘9 Frequenzabhangigkeit Bei ce Bei hs schnellen Feldumkehr folgen Bei den hachs: folgen Verluste ° Grundlagen der Materialwissenschaften + i Sienerong fener PPP teleronen Rae Iiirarot —UWLicht Frequenzen sind alle Polsrisationsmechanismen wirksam en Frequenzen knnen die permanenten Dipole nicht mehr der Frequenzen kann auch die lenenpolarisation nicht mehr [29/35]Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Piezoelektrizitat [BaTiO] Druck bzw. 2ug erzeugt eine makroskopische Polarisierung, eine Spannung ist nachweisbar | Effekt ist umkehrbar ‘Anwendung: Autoschllissel chne Batterie, genaueste Regelungen im Maschinenberetch Pyroelektrivitat Polarisation und damit Oberflachenladungen durch Temperaturinderungen [unterhalb der Curie-Temperatur] High-K Materi nin der Mikroelektronik [Metalloxide] K steht im englischen fur e Problem Transistor: werden immer kleiner, aber Tunnelstrme steigen exponentiall mit abnehmender Dick Far geringe Leckstréme muss das Gatedielektrikum | dicker sein Aber: Die Kapazitat dar sich nicht ancernt Losung: Material mit hoherer Dielektrizititskonstanto K l > High-K Dielektrika (K steht fare.) Magliche Lasung: Selten-Erden-Oxide Low-K Matérialien in der Mikroelektronik [organische Verbindungen] Jannahme: zwei parallels Leitbahnen werden als ses Plattenkondensator tol betrachtet CHLWK,, epltay, RE ~ Piet Kox LMtoxtinet R= Pret LIW tinct Lasung: Bessere und klirzere Leiterbahnen [Cu statt Al] Zwisehenschicht mit kleinerem K [z.B: Polymere] Grundlagen der Materialwissenschaften [30/25]Gerrit Schlmer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Vorlesung 14: Halbleiter (Si, Ge |GaAs ] + Klassifizierung von Halbleitern moe —— | Haibieiter Element-HL | Verbindungs-HE new) [weve] Gow) [eam a Sans] [a =] (Eas, cae) [pos i BN, GaAs, | | Cae, Zns,| — Sian | |B Seas | Ease aes [zase.zaTe] Ins, InP, Ins, Gab Z © Ladungstrager in Halbleitern: > Eigenleitung [technisch nicht nutebur] T=0K: Alle méglichen Energiezustinde im Valenzband sind von Elektronen besetzt. Das Leitungsband ist leer -> isolator ‘T>Ok: Einige Elektronenpaarbindungen werden aufgebrochen, die freien Elektronen befinden sich im Leitungsband. Licher bleiben im Valenzband, sind aber dort beweelich. => Ladungstragerkonzentration ist temperaturabhangig. > St6rstellenleitung (Dotierung = Fremdatome) Leitfahigkeit wird erhdhe; © Akzeptoren [3.HG Bor, Gallium, Aluminium, In] [Ber p-dotierte Halblerter } => Lécherdberschuss Akzeptoren sind die positiven Ladungstrager; Das Energieniveau der Akzeptoren liegt dicht oberhalb des VB-Maximums in der Bandllicke. Es gibt mehr Lacher als frele Elektronen, Lacher werden als Majoritatsladungstrager bezeichnet. let renin Pivocied # Grundlagen der Materialwissensthaften [31/35)Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 Donatoren [5.HG Phosphor, Arsen, Atimon] Det n-dotierte Halbieiter => Elektronenberschuss, Energieniveau der Donatoren liegen dicht unterhalb des LB-Minimums in der Bandlicke => Abstand ist eering. Aaet Es gibt mehr frele Elektronen als Lacher, Elektronén werden als Minositatsladungstriger bezeichnet. Bandstruktur von Halbleitern one est nos Zon ana, Banat Eeigebwech, cone wisn Enerpentven ir Carmen Ventre a Be eae, Eincunpnetmeen ee Ass Dec rote Sesritung toi ir Si: “1,1LeV kin. Energie Elektronen bei RT ~0,025eV Energiebénder sind von der Kristalirichtung abhangig (anisotrop), die energetisch _ginstigen Uberginge finden immer zwischen Minimum des Leitungsbandes und Maximum des Valenzbandes stat. indirekter und direkter Haibleiter Direkter HL [InP; Gals]: Minimum des LB und Maximum des VB liegen beim selben oa ee k-Wert. Emax und (min) bet | gleicrernk | verschiedenen k Beim Obergang vor LB zum VB muss der [impuisinderung beim a sony Elektron seinen Impuls nicht &ndern Goergong ‘ibergangs. und dorit ; 5 se Rexomsinations- och ieceig Indirekter HL [Si, Ge]: Minimum des LB | yarvschetniehkat und Maximum des VB liegen bei 7 verschiedenen K-Werten. => Zusatzlicher | + es Impuls notwendig, damit ein aap Caer ia Js rain Elektronentibergang erfolgt, Ubergang ist | vinnemacl etter aceinan Loe unwahrscheinlich. renee hilaiter ane Indirekte HL sind optisch nicht aktiv. Grundlagen der Materiahwlssenscheften [32/351Gerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 > So | gor pee [Diet BamiGe Ey || em Photon & effektive Masse * fire Je flacher das Leitungsband am Minimum, desto schwerer wird die effektive Masse abhangig von der kristallografischen Richtung ® schwere und leichte Massen Zum Ladungstragertransport tragen alle Massen gemessen an ihrem Anteil bel. Lécher und Elektronenmassen sind unterschiedlich ® Temperaturabhéngigkeit der Ladungstrigerdichte sowie des Widerstandes Bei hohen Temperaturen dominiert die Phosonenstreuung —2"ZiHferc-/isiwaunaty oe Bei tlefen Temperaturen die Starstellen Streuung. Sg Leitfahigkeit 15201 | ett | tata [PUT] RIOT | ba a | asi] tase | ses asso | 440 | mito, se | 24s | soo | to | as | ose | mites, Gaars| 1aiar | too | ao | aston) aaz | Minee, eu | asim | se [arto > Beweglichkeiten unterschiedliche Beweglichkeit von Léchern und Elektranen v Generation Entstehung eines Elektron-Lochpaares => Anzahl der Lacher und freien Elektronen ist gleich ¥ Rekombination Verschwinden eines Elektron-Lechpaares > Ladungstragertransport > Driftstrom +9 Unter dem Einfluss des Feldes beweg & Diffusionsstrom [= ereug+ © Konzentrationsuntersehiede der Ladungstrager verursachen eine gerichtete Bewegung, sich Lacher und Elektronen. Grundlagen der Miaterialwissenschafter, (33/35)Gerrit Schlémer — Leibniz Universitat Hannover 03.07.2009 > Beweglichkeiten Die Geschwindigkeit der Ladungstrager ist proportional zur Feldstarke. Proportionalitatskanstante p.,wird als Beweglichkeit bezzichnet. Streuungan Dortieratomen reduziert die mittlere Flugzeit t Halbleiteriiberginge ® Bandschema % Fluss- und Spe » Raumladungszone Ausdehnung erfolgt immer starker in das niedriger dotierte Gebiet. Hessen co feels Lactearctntnern pai cok ober hacer trian > pn-Diode . => Ferminiveau bleibt kanstant. Zwischen den Materialien entsteht eine Raumladungszone => verarmt an Ladungstragern Die elon Lasungsteagerattuntaren ‘ina Konen exer eneren Q) > Raumisdungszone és {vera an fee Lacungatiigae} > Verarmunpezons (sepitien layer 2 entetet ein iokalas Feet 7 > Dritsirom sol enigegengesstst zur htusiansriehtunal —e Durch das Anlegen einer Spannung kann die Diode den Strom in eine Richtung leiten (Raumladungszone geht gegen Null) | In der entgegen gesetat Richtung wird die Raumladungszone vergroRert > Solarzelle Einfallendes Sonnenlicht bringt Elektronen vam Wafenzband in das Leitungsband, Elektronen gehen in die N-Schicht, Locher in die P-Sehicht, Spannung kann abgegriffen werden. pedotlest Mehrere HLim Kontakt = > Grundtypen Homolibergang: Beide Helbleiter besteher aus eater Grundlagen der MaterialwissenschattenGerrit Schlémer— Leibniz Universitat Hannover demselben Material, Dotierung unterschiedlich. 03.07.2009 Heterallbergang: Beide Halbleiter haben verschiedene Bandliicken, Dotierung vom gleichen Typ oder entgegengesetat, > Bandoffsets Leitungsbandoffset / Valenzbandoffset : a _ op or —_ Fr ar i + Spezielle Effekte > Halleffekt im Halbleiter Die Lorentzkraft lenkt Lécher und Elektronen in die gleiche Richtung ab, Bei intrinsischen Halbleitern (Eigenleitung) ist kein Halleffekt messbar. Ladungstragerbeweglichkeit kann ermittelt werden. > Paltierotiekt In elnem n-oder p-leitendem Halbleiter, dessen beiden Enden eine untersehie (SeebeckEffekt) IEin elektrischer Strom ist immer von einem Warmestrom begleitet [Man erzwinge diesen Strom durch ein lelektrisches Feld U ‘Kombiniert man einen p- und einen MHL, so. missen die Elektronen und Lécher an der loberen Elektroce sttindig neu gebiidet werden "> bei konstant gehaltener Temperatur 7, sinkt die Temperatur T, (Peltier-Effekt) |S Kihlung durch Peltier-Elemente @ Temperatur aufweisen, entsteht eine Thermospannung Grundlagen der Materialwissensehaften (35/35)