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UNIVERSITT BREMEN, FB 1

Institut fr Mikroelektronik und Bauelemente der Elektrotechnik (IMBE)


Prof. Dr. D. Silber
Vorlesungsskript
Halbleiterbauelemente
Das Vorlesungsskript wurde erstellt von:
Marcus Kneifel und Dirk Rabe
Februar 1993
Inhaltsverzeichnis Seite: 1
Inhaltsverzeichnis
Inhaltsverzeichnis .............................................................................................................. 1
Literaturhinweise zur Vorlesung ........................................................................................ 4
1. Grundlagen der Halbleiterphysik .................................................................................. 5
1.1. Energetische Ladungstrgerverteilung............................................................ 5
1.1.1. Bndermodell im Ortsraum.............................................................. 5
1.1.2. Bandstruktur im Impulsraum (k-Raum) ........................................... 6
1.1.3. Das Wellenbild der Elektronen......................................................... 7
1.1.4. Elektron als Wellenpaket ................................................................. 8
1.1.5. Teilchenwelle .................................................................................. 9
1.2. Die effektive Masse ....................................................................................... 10
1.2.1. Leichte und schwere Lcher ............................................................ 10
1.2.2. Die effektive Masse in Halbleiterformeln.......................................... 11
1.2.3. Eigenschaften des effektiven Masse-Tensor ..................................... 12
1.2.4. Bildung der skalaren Masse aus den Komponenten.......................... 13
1.3. Zustandsdichte und k-Raum........................................................................... 13
1.4. Direkte und indirekte Bandbergnge (Optische bergnge) ......................... 14
1.5. Ladungstrgerkonzentrationen in Silizium...................................................... 17
1.6. Rekombinationen........................................................................................... 18
1.6.1. Einflu der Dotierung auf Rekombination, Beweglichkeit
und Bandabstand............................................................................. 18
1.6.2. Rekombinationen ohne Rekombinationszentren ............................... 18
1.6.3. Rekombinationen mit Rekombinationszentren, qualitative
Diskussion....................................................................................... 19
1.6.4. Shockley-Read-Hall-Beschreibung der Rekombination .................... 21
1.6.5. Rekombinationen bei hheren Dotierungen...................................... 24
1.7. Driftgeschwindigkeiten von Ladungstrgern in einem elektrischen Feld.......... 25
1.8. Avalanche-Effekt (Lawinen-Effekt) ............................................................... 25
Inhaltsverzeichnis Seite: 2
1.9. Ladungstrgerbeweglichkeiten....................................................................... 26
1.9.1. Abhngigkeit der Beweglichkeit von der Feldstrke......................... 27
1.9.2. Reziproke Beweglichkeit und mittlere Stofrequenz
im Bereich vd ~ E............................................................................ 27
1.10. Bandgap narrowing ....................................................................................... 28
2. Halbleitergleichungen................................................................................................... 29
2.1. Poisson-Gleichung......................................................................................... 29
2.2. Stromtransportgleichungen............................................................................ 29
2.3. Kontinuittsgleichungen................................................................................. 30
3. Berechnung eines Bipolartransistors............................................................................. 33
3.1. Abrupter pn-bergang im thermischen Gleichgewicht.................................... 34
3.2. Der Basis-Kollektor-bergang....................................................................... 35
3.3. Sperrfhigkeit eines Transistors bei offener und kurzgeschlossener
Basis.............................................................................................................. 37
3.4. Der Basis-Emitter-bergang.......................................................................... 38
3.4.1. Elektronenverhltnisse am pn-bergang ohne uere
Spannung ........................................................................................ 38
3.4.2. Elektronenverhltnisse am pn-bergang mit Fluspannung.............. 38
3.4.3. Die Basis im Normalbetrieb............................................................. 39
3.4.4. Stromflu durch Basis und Emitter .................................................. 40
3.5. Quasistatische Nherung zur dynamischen Beschreibung
des Transistors............................................................................................... 42
3.6. Basiszustand: Hohe Injektion......................................................................... 45
3.7. Sttigung im Bipolar-Transistor ..................................................................... 47
3.8. Kapazitive Effekte im Transistor .................................................................... 52
3.9. Zweidimensionale Effekte im Bipolartransistor............................................... 54
3.10. Gummel-Poon-Ansatz fr Bipolartransistoren................................................ 55
3.11. Gummel-Poon-Ersatzschaltbild fr Transistoren ............................................ 58
Inhaltsverzeichnis Seite: 3
4. Feldeffekttransistoren................................................................................................... 59
4.1. Allgemeines zum Feldeffekttransistor, Dnnschicht-Transistor ....................... 59
4.2. Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET)........................................................ 60
4.2.1. Eingangskennlinie des Sperrschicht-FET.......................................... 63
4.2.2. Ausgangskennlinie des Sperrschicht-FET......................................... 63
4.2.3. Berechnung der Strom-Spannungs-Kennlinie eines JFET................. 64
4.3. Halbleiterbergnge....................................................................................... 67
4.3.1. Homobergang................................................................................ 68
4.3.2. Heterobergang............................................................................... 69
4.3.3. Metall-Halbleiter-bergang, Schottky-Kontakt................................ 69
4.3.4. Mehrschichtstrukturen, MOS-Grenzflche....................................... 71
4.3.5. Grenzflchenstrungen.................................................................... 73
4.4. MOS-Feldeffekttransistor .............................................................................. 76
4.4.1. Funktionsprinzip des MOSFET ....................................................... 76
4.4.2. Bildung einer Inversionsschicht an der MOS-Grenzflche ................ 77
4.4.3. Kennlinien des selbstsperrenden MOSFET....................................... 79
4.4.4. Berechnung der Gleichstromkennlinie eines MOSFET..................... 80
4.4.5. Varianten von MOS-Feldeffekttransistoren...................................... 83
4.4.6. Zweidimensionale Effekte beim MOSFET ....................................... 84
5. Spezielle Halbleiterbauelemente ................................................................................... 85
5.1. Halbleiterlaser................................................................................................ 86
5.1.1. Halbleiterlaser I ............................................................................... 86
5.1.2. Halbleiterlaser II.............................................................................. 91
5.2. Strahlungsempfnger aus Silizium.................................................................. 92
5.3. Solarzellen..................................................................................................... 98
5.4. Leistungsdiode .............................................................................................. 102
5.5. MOS-Transistor fr hohe Leistungen............................................................. 105
5.6. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) ...................................................... 107
Literaturhinweise zur Vorlesung Seite: 4
Literaturhinweise zur Vorlesung
1. A. Mschwitzer und K. Lunze : Halbleiterelektronik Lehrbuch,
Hthig-Verlag, 8. Auflage, 1988
2. S.M. Sze : Semiconductor devices, Physics and Technology,
Wiley, New York, 1985
3. H. Schaumburg : Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik,
Band 2: Halbleiter, Teubner-Verlag, 1991
4. A. Schlachetzki : Halbleiter-Elektronik, Teubner-Studienbcher, 1990
5. K.-H. Lcherer : Halbleiterbauelemente, Teubner-Studienbcher, 1992
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 5
1. Grundlagen der Halbleiterphysik
1.1. Energetische Ladungstrgerverteilung
Die Energie E eines Elektrons ist in seinem gebundenen oder quasifreien Zustand unter-
schiedlich. Um dies auszudrcken, bedient man sich des Bndermodells, das fr ein Ver-
stndnis elektronischer Bauelemente von grundlegender Bedeutung ist.
1.1.1. Bndermodell im Ortsraum
N
c
: Effektive Zustandsdichte im Leitungsband : die Dichte der (thermisch) erreichbaren
Pltze im Leitungsband.
N
v
: Effektive Zustandsdichte im Valenzband.
n N N e
i
2
c V
E
kT
g


n N N e
i c v
E
kT
g


2
n
i
: Eigenleitungskonzentration; kann als Materialparameter angesehen werden, die von
der Breite des verbotenen Bandes E
g
und der Temperatur abhngt.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 6
1.1.2. Bandstruktur im Impulsraum (k-Raum)
Fr optoelektronische Bauelemente spielen die Begriffe direkter und indirekter Bandbergang
eine wichtige Rolle. Sie lassen sich nur verstehen, wenn das Bndermodell im Impulsraum
diskutiert wird. Das Elektron wird als Materiewelle im Kristall aufgefat, dem ein bestimmter
Wellenimpuls
r
p zugeordnet ist. Der Wellenimpuls
r
p und der Wellenvektor
r
k sind durch die
folgende Beziehung miteinander verknpft:
k
h
p
r
r

2
h ist die Planck'sche Konstante.
k
2

und somit p
h

. ist die Wellenlnge der Materiewelle.


Die folgenden Kurven stellen die Energien dar, die fr ein Elektron mit dem Wellenimpuls
r
p
zulssig sind. Die Energie des Elektrons ist mit der Frequenz der Welle durch die Beziehung
E
h
h f
2
verknpft.
Direkter Halbleiter : (typisch bei GaAs)
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 7
Indirekter Halbleiter: (typisch bei Si,Ge)
1.1.3. Das Wellenbild der Elektronen
Schwingung eines Wahrscheinlichkeitsfeldes:
2
ist die Wahrscheinlichkeitsdichte fr den
Aufenthaltsort des Elektrons. Wenn das freie Elektron oder das Elektron im Kristall als ausge-
dehnte Welle dargestellt wird, sind die Frequenz und der Impuls definiert, aber der Aufent-
haltsort des Elektrons ist unbestimmt.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 8
1.1.4. Elektron als Wellenpaket
Der Aufenthaltsort des Elektrons kann jetzt genauer bestimmt werden, aber das Wellenpaket
enthlt ein Spektrum (Fourier). Je genauer der Ort bestimmbar wird, desto breiter wird die
Wellenverteilung der Elektronenwelle. Hierin spiegelt sich auch die Heisenberg'sche Un-
schrferelation ( p x h ) wieder, wo ein bis auf die rtliche Unschrfe x lokalisiertes
Elektron auf Grund seiner Wellennatur nur bis auf p in seinem Impuls festlegbar ist.
Die Funktion ( , ) x t heit Eigenfunktion der Schrdinger Wellengleichung :
j
t
h
m x



2
1
2
2
2
Lsungsansatz: e
j t kx ( )
Zum Vergleich : Wellengleichung eines elektrischen Feldes
2
2
2 2
2
1
t
E
c x
E


Vergleich der Lsungen der Gleichung :
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 9
1.1.5. Teilchenwelle
Gruppengeschwindigkeit : v
d
dk
h k
m
p
m
g

2
Die Masse wird ber die Bandstruktur eingefhrt und ist erst einmal nur Proportionalittsfak-
tor : p v m
g

1
2
2
m
d E
dp
eff

m
eff
: Effektive Masse des Teilchens
E : Energie des Teilchens
p : Impuls des Teilchens
Anmerkung : In anisotropen Medien ist m
eff
ein Tensor (effektiver Massetensor).
Im linearen Kristall (periodische Struktur, eindimensional) benutzt die Elektronenwelle die
Halbleiterstruktur als Wellenleiter. Die Krmmung des jeweiligen Bandes (LB und VB) be-
schreibt die effektive Masse m
eff
.
Im Valenzband ergibt
d E
dp
2
2
eine negative effektive Masse (Grundlage des "Lcher"-Bildes).
Strstellen durch Inhomogenitten in der Halbleiterstruktur (z.B. durch Dotierung des
Halbleiters) verursachen eine Reflexion der Elektronenwelle und vermindern dadurch die
Leitfhigkeit.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 10
1.2. Die effektive Masse
Ein Elektron kann sich im Gitter nicht hnlich unbeeinflut bewegen wie im Vakuum, weil es
nicht frei von Gitterkrften ist. Aus diesem Grund wird von quasifreien Elektronen gesprochen.
Abhngig von der Gitterstruktur und den daraus resultierenden Bndern (Leitungs- und
Valenzband) ergibt sich die effektive Masse m
eff
durch die Beziehung:
1
2
2
m
E
p
eff

Durch Benutzung der effektiven Masse kann man meistens so vorgehen, als ob das Elektron
frei wre, wenn man nur seine Masse im Vakuum durch m
eff
ersetzt.
So wird z.B. eine im Gitter frei bewegliche Ladung q durch ein ueres Feld
r
E mit der Kraft
q E
r
beschleunigt, so da gilt m a q E
r
r
. Ein Elektron im Gitter unterliegt aber den Gitter-
einflssen. Um dennoch die obige Gleichung anwenden zu knnen, wird die effektive Masse
m
eff
benutzt. m
eff
kann auch negativ sein, die reale Masse ist aber nicht negativ.
1.2.1. Leichte und schwere Lcher
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 11
1.2.2. Die effektive Masse in Halbleiterformeln
Beweglichkeit:
Elektronen und Lcher die sich in einem elektrischen Feld befinden werden beschleunigt und
gewinnen dabei Energie. Nach kurzer Zeit stoen sie mit dem Gitter zusammen und verlieren
dabei mehr oder weniger Energie, werden dann wieder beschleunigt usw. Es stellt sich im
Mittel eine konstante Geschwindigkeit ein, die proportional zur anliegenden Feldstrke ist. Die
pro Feldstrke erreichte Geschwindigkeit ist eine Materialkonstante und heit Beweglichkeit .

Geschwindigkeit v
Feldstrke E



m
q
cm
Vs
eff
2
: mittlere Stozeit
q : Ladung
m
eff
: effektive Masse
ein Mittelwert als in gehen
m Lcher schwere
m Lcher leichte
e
e
...
49 , 0 :
16 , 0 :

Im dreidimensionalen k-Raum gehen die Energiebnder in Energieschalen ber. Aus diesem


Grund ist die Darstellung von m
eff
als Skalar nicht korrekt. m
eff
ist eigentlich ein Tensor,
nmlich der sogenannte effektive Masse-Tensor.
Tensorelemente:
j i
j i
p p
E
m

2
,
1

,
_

1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 12


1.2.3. Eigenschaften des effektiven Masse-Tensor
a) symmetrisch
b) in kubischen Kristallen fr k 0 in den drei Hauptachsen gleich

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

,
_

1 0 0
0 1 0
0 0 1
1
1 1 1
1 1 1
1 1 1
eff
zz zy zx
yz yy yx
xz xy xx
m
m m m
m m m
m m m
Jeder symmetrische Tensor lt sich auf Hauptachsen bringen.
Tensor bleibt skalar.
Im Hauptachsensystem von Silizium (kubisches Kristall):
Minimum in k
x
-Richtung:

,
_


,
_

t
t
l
j i
m
m
m
m
1
0 0
0
1
0
0 0
1
1
,
1
m
l
: "zweite Ableitung in Richtung x". Index l: longitudinal
1
m
t
: "zweite Ableitung in Richtung y, z". Index t: transversal
m
l
m
t
m
l
= 0,98m
e
m
t
= 0,16m
e
Wegen der Gleichverteilung der k
x
, k
y,
k
z
-Minima ist die Leitfhigkeit von Si isotrop.
Durch Anwendung von Druck wird die Isotropie aufgehoben und verndert. Die Theorie
der DMS auf Halbleiterbasis beruht auf dieser Vernderung.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 13
1.2.4. Bildung der skalaren Masse aus den Komponenten
Die effektive Masse
eff
C
m
fr die Beweglichkeit (Index c: Conduction, Leitfhigkeit) erhlt
man durch Mittelung der reziproken Massen:

,
_

+
t l eff
m m m
C
2 1
3
1 1
Die effektive Zustandsmasse
eff
d
m
(Index d: density of states):
3
1
t t l
eff
m m m
m
d

1.3. Zustandsdichte und k-Raum
Zustandsdichte N
c
, N
v
: n N N e
i c v
E
k T
g
2

Die Zustandsdichte ist bei geringer Krmmung des Bandes, also entsprechend hoher effektiver
Masse, grer. Die Zustandsdichte ist temperaturabhngig. Es besteht die folgende Proportio-
nalitt : N ~ ( )
2 / 3
T k m
eff

1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 14
1.4. Direkte und indirekte Bandbergnge (Optische bergnge)
Die optischen Bandbergnge sind wichtig in der Optoelektronik.
Bedingung fr eine optische Absorption : h E
g

Bedingung fr eine optische Emission (LED) : h E
g

Warum ist Si i.a. nicht fr LED's geeignet und warum ist GaAs geeignet?
indirekter Bandbergang: direkter Bandbergang:
wenig wahrscheinlich berwiegend strahlend
berwiegend nichtstrahlend Licht wird besser absorbiert
Ein Lichtquant hat einen vernachlssigbar kleinen Impuls. Beim optischen bergang mssen
die Energie- und die Impulsbilanz stimmen.
Beim indirekten Halbleiter:
Gitterwellen haben bei geringer Energie groe Impulse.
Beim indirekten Halbleiter werden ein Lichtquant und eine
passende Gitterwelle bentigt.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 15
Die Gitterwelle ist eine mechanische Welle des Gitters als Folge der Temperatur. Sie verluft
nahezu waagerecht in der k-Raum-Darstellung, d.h. sie hat bei geringer Energie bereits einen
relativ groen Impuls. Die elektromagnetische Welle des Lichtquants verluft in dieser Dar-
stellung nahezu senkrecht, d.h. sie hat bei geringem Impuls bereits eine relativ groe Energie.
Durch Stren der strengen Kristallstruktur bei Si (kein definierter k-Vektor mehr vorhanden)
ist eine Emission mglich.
Erklrung der Emission und Absorption beim direkten Halbleiter (GaAs) mit dem Mo-
dell der Elektronenwelle :
Elektrotechnische Analogie ber Amplitudenmodulation:
Beispiel:
Schallwelle: e
j t k x ( )
Bildung eines Seitenbandes durch Modulation:
e e
j t kx j t ( )
( , , )

+ 0 9 0 1
0
= 0 9 0 1
0
, ,
( ) (( ) )
+
+
e e
j t kx j t kx
bergang zum Halbleiter:
Sowohl Lichtwelle als auch Gitterwelle bewirken (in einem geringen Ma) eine Modulation der
Elektronenwelle.
z.B.: Elektronenwelle, direkter bergang (fast kein Impuls der Lichtwelle vorhanden)
e Modulationsfaktor e
j t k x j t
L
( ) ( )
( )


0
= ( )
(( ) )
Mod Faktor e
j t kx
L

+
z.B.: Elektronenwelle, indirekter bergang: Modulation in Frequenz und Wellenlnge
e Modulationsfaktor e
j t kx j t
L
( ) ( )
( )


0


( . . )
( )
Mod f Gitter e
j k x
G
0
= ( )
(( ) ( ) )
Faktor e
j t k k x
L G

+ +
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 16
Direkter Halbleiter:
Das Seitenband des Valenzbandes mit der Frequenz
1
und das Seitenband des Leitungsban-
des mit der Frequenz
1
erreichen nicht das Leitungs- bzw. Valenzband. Es kommt zu keiner
optisch angeregten Generation bzw. Rekombination von Ladungstrgern.
Das Seitenband des Valenzbandes mit der Frequenz
2
erzeugt die optisch angeregte Genera-
tion (Absorption). Die Elektronenwelle mit der Frequenz
2
hat die Frequenz des Leitungs-
bandes und koppelt damit in das Leitungsband.
Das Seitenband des Leitungsbandes erzeugt die optisch angeregte Rekombination (Emission).
Diese stimulierte Emission ist eine Erklrung fr die Funktionsweise eines Lasers.
Gibt es eine Absorption, so ist immer eine stimulierte Emission vorhanden, wenn ausreichend
viele Elektronen im Leitungsband und Lcher im Valenzband vorhanden sind.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 17
1.5. Ladungstrgerkonzentrationen in Silizium
n,p in cm
-3

Anzahl der Si-Atome pro cm


-3
: 510
22
10
22
-

10
21
-

10
20
-

Nc 310
19
10
19
- Emitterdotierungen Nv 10
19


10
18
-


10
17
-
Basisdotierungen

10
16
- Solar-
Kollektor- zellen
dotierungen Dotie-
10
15
- "normale rungen
Transistoren"
Grunddotierungen
10
14
- fr
Leistungsbauelemente
Rekombinations-
10
13
- zentren
Dotierungen

10
12
-

10
11
-

n
i
: Intrinsikkonzentration bei
10
10
- Raumtemperatur (T = 300K)
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 18
1.6. Rekombinationen
1.6.1. Einflu der Dotierung auf Rekombination, Beweglichkeit und
Bandabstand
a) n,p 10
10
...10
16
cm
-3
"normale" Shockley-Read-Hall-Rekombinationen
b) n,p 10
16
...10
18
cm
-3
"Scharfetter-Effekt"
"Leicht" erhhte Rekombinationsraten, s. Lehrbcher.
c) n,p 10
18
...510
22
cm
-3
Auger-Rekombinationen
Starke Verminderung der Beweglichkeit
ab 10
18
cm
-3
: "Bandgap-narrowing" (Verminderung des Bandabstandes)
1.6.2. Rekombinationen ohne Rekombinationszentren
direkter Halbleiter (GaAs) :
Bei direkten Halbleitern handelt es sich meistens um eine strahlende Rekombination. Der
Impuls des Elektrons mu mit dem des Lochs identisch sein. Dann rekombinieren
Elektron und Loch unter Abgabe eines optischen Lichtquants. Die Trgerlebensdauer ist
bei direkten Halbleitern generell klein 1 s b gund deshalb die Rekombinationsrate
hoch.
indirekter Halbleiter (Si) :
Rekombinationen sind bei indirekten Halbleitern nur unter Beteiligung von Gitter-
schwingungen mglich. Die Rekombinationsrate ist gering und eine optische Rekom-
bination ist bei Si nur sehr schwach ausgeprgt.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 19
1.6.3. Rekombinationen mit Rekombinationszentren, qualitative Diskussion
Bei der Beschreibung von Rekombinationsvorgngen in Halbleitern hat das Shockley-Read-
Hall-Modell eine groe Bedeutung. Bei diesem Modell verlaufen die Rekombinationen ber
Rekombinationszentren.
Im Rahmen dieses Skripts wird versucht, eine anschauliche Beschreibung von Rekombinati-
onsvorgngen zu geben. Anschlieend wird das Shockley-Read-Hall-Modell hergeleitet und
das sich ergebende Ergebnis diskutiert.
Indirekter Halbleiter :
In Si verlaufen Rekombinationen i.a. ber Rekombinationszentren. Hierbei handelt es sich um
Verunreinigungen (z.B. Au) des Halbleitermaterials, die eine Strstelle darstellen. Energetisch
gesehen liegen diese Strstellen im verbotenen Band. Die Stelle an der die Rekombination
abluft ist im Ortsraum rtlich lokalisiert. Dies bedeutet aber, da sie im Impulsraum
verbreitert erscheint.
Der Rekombinationsvorgang ist nicht strahlend und kann z.B. folgendermaen ablaufen:
Neutrale Strstelle wird durch Elektron ionisiert : x e x
0
+

Negativ ionisierte Strstelle fngt Loch ein :x x

+
0
Darstellung der Rekombination am Bndermodell im Ortsraum :
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 20
Fr das Bndermodell gelten folgende Bedingungen:
E
1
+ E
2
= E
g
1,1eV
Konzentration der Rekombinationszentren (Index T: "Trap"): N
T
Neutrales Rekombinationszentrum: N
T
0
Negativ geladenes Rekombinationszentrum: N
T

N N N
T T T
0
+

n N N e
i C V
E E
kT 2
1 2


+
Fall a) tiefes Rekombinationszentrum
Abstand von der Bandkante > 0,2 eV.
Beim Rekombinationsablauf handelt es sich um "wahrscheinliche" Prozesse, bei dem es fol-
gende Mglichkeiten gibt:
Neutrales Rekombinationszentrum:
x e x
0
+

oder x x
0
+
+
x x

+
0
x e x
+
+
0
Rekombinationszentrum nicht neutral:
x e x
+
+
0
x x
0
+
+
Beispiele:
1. Solarzelle : Mittelgebiets-Dotierung mit p : 510
15
cm
-3
Minorittstrger-Konzentration << Dotierung
Das Rekombinationszentrum ist mit hoher Wahrscheinlichkeit (praktisch vollstndig) mit
Majorittstrgern besetzt. Die Minorittstrger finden ein passend besetztes Re-
kombinationszentrum vor. Somit ist die Minorittstrger-Lebensdauer (low-injection-
lifetime, low-level-lifetime) klein.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 21
2. Leistungsdiode : Mittelgebiets-Dotierung mit n : 510
14
cm
-3
Groe Trgerlebensdauer, wenig Rekombinationszentren.
Typisch fr Leistungsdioden: high injection
z.B.: Lcherkonzentration im n-Material : p10
17
cm
-3
, n10
17
cm
-3
.
Liegt dieser Zustand vor, so spricht man von einem Elektron-Loch-Plasma (El-Hole-
Plasma). Die Zustnde, da das Rekombinationszentrum mit einem Elektron oder mit
einem Loch besetzt ist, finden mit vergleichbarer Wahrscheinlichkeit statt. Es ergibt sich
die high-level-livetime: (hl) =
n
(ll) +
p
(ll) .
Fall b) Nicht zu tiefes Rekombinationszentrum (flaches Rekombinationszentrum)
Abstand von der Bandkante < 0,2 eV.
1. Mglichkeit: "Normaler" Rekombinationsablauf
x e x
0
+

x x

+
0
2. Mglichkeit: Thermischer "Rcksprung" des Elektrons
x e x
0
+

x e x


0
Ab einer gewissen Temperatur steigt die Trgerlebensdauer stark an. Das Elektron
wird vom Rekombinationszentrum wieder in das Leitungsband generiert (thermische
Re-Emission).
1.6.4. Shockley-Read-Hall-Beschreibung der Rekombination
Elektronenkonzentration im Leitungsband: n
Lcherkonzentration im Valenzband: p
E
1
+ E
2
= E
g
1,1eV
Konzentration der Rekombinationszentren: N
T
Neutrales Rekombinationszentrum: N
T
0
Negativ geladenes Rekombinationszentrum: N
T

N N N
T T T
0
+

n N N e
i C V
E E
kT 2
1 2


+
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 22
dn
dt
C n N C e N N
n T n
E
kT
T C
+

0
1
dp
dt
C p N C e N N
p T p
E
kT
T V
+


2
0
Im stationren Zustand gilt:
dn
dt
dp
dt

Diese Voraussetzung darf i.a. nur bei "langsamen" Halbleiterbauelementen gemacht werden.
Bei "schnellen" Halbleitern (z.B. bei HF-Dioden) ist sie nicht mehr richtig und fhrt zu falschen
Ergebnissen.
Aus
dn
dt
dp
dt
folgt:

,
_

+ +

,
_

+
+

V
T k
E
p C
T k
E
n
V
T k
E
p n
T T
N e p C N e n C
N e C n C
N N
2 1
2
Somit ergibt sich die Rekombinationsrate R
rek
zu:

,
_

+ +

,
_

+



V
T k
E
p C
T k
E
n
i p n
T rek
N e p C N e n C
n p n C C
N
dt
dn
R
2 1
) (
2

,
_

+ +

,
_

+



V
T k
E
n C
T k
E
p
i
rek
N e p N e n
n p n
R
2 1
0 0
2

mit:
p
p T
p
C N
0 0
1

~ T
2

n
n T
n
C N
0 0
1

~ T
2
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 23
Interpretation fr wesentliche Spezialflle :
a) n p n
i

2
R
rek
= R = 0
b) n = 10
14
cm
-3
(Leistungsbauelemente)
Annahmen:
N
c
, N
v
10
19
cm
-3
e e E E meV
E
kT
E
kT


1 2
10 200
4
1 2
,
e N n
E
kT
c


1
e N n
E
kT
v


2
Bei den gemachten Annahmen ist die Dotierung kleiner als e N
E
kT
c

1
.
Die Rekombinationsrate ist stark temperaturabhngig und nimmt mit steigender Temperatur
infolge Re-Emission ab.
c) E eV
1 2
300
,
, Rekombinationszentrum ungefhr in der Bandmitte:
Annahmen:
n p oder p n
n p n
i

2
fr n p : R
p
p

0
fr p n : R
n
n

0
d) n p , Hohe Injektion.
R
n
n p

+
0 0

n p 0 0
+ : "Hochinjektions-Lebensdauer"
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 24
e) Raumladungszone: n p n
i
<<
2
(z.B.: RLZ einer gesperrten Diode) :

,
_

,
_


V
T k
E
n C
T k
E
p
i
N e N e
n
R
2 1
0 0
2

In der Raumladungszone werden Ladungstrger generiert. Fr E
1
E
2
gibt es ein starkes Ge-
nerationszentrum. Die Rekombinationsrate hat ein Maximum.
f) Bei groen Dichten von N
T
:
Annahmen:
n-Dotierung
Dichte von N
T
vergleichbar mit n
Infolge von N N
T T
0


wird n vermindert.
1.6.5. Rekombinationen bei hheren Dotierungen
Rekombination bei hher dotiertem Silizium
Oberhalb von n, p 10
16
cm
-3
:
Die Wirkung der Rekombinationszentren wird infolge vergrerter Werte von C
n
und C
p
verstrkt: Scharfetter-Effekt (Theoretisch noch nicht ganz geklrter Effekt).
Rekombination bei sehr hohen Trgerdichten: Auger-Rekombinationen
n p
2
-Proze: Rekombination von zwei Elektronen mit einem Loch unter Abgabe eines Elek-
trons mit zustzlicher Energie.
p n
2
-Proze: Rekombination von zwei Lchern mit einem Elektron unter Abgabe eines Loches
mit zustzlicher Energie.
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 25
1.7. Driftgeschwindigkeiten von Ladungstrgern in einem elektrischen Feld
Freie Ladungstrger in einem Halbleiterkristall fhren eine statistisch ungeordnete Bewegung,
mit der thermischen Geschwindigkeit v
th
aus. Gemittelt ber alle Ladungstrger verschwindet
diese Bewegung.
Wenn im Halbleiter ein elektrisches Feld herrscht, dann erfhrt jeder Ladungstrger zu seiner
thermischen Geschwindigkeit v
th
noch eine durch das elektrische Feld erzwungene Ge-
schwindigkeit. Dies ist die Driftgeschwindigkeit v
d
, mit der sich die Ladungstrger proportio-
nal zur elektrischen Feldstrke E durch den Kristall bewegen:
v E
d

ist die Beweglichkeit der Ladungstrger.
Beweglichkeitswerte in reinem Si bei T = 300K :
el
1500 cm
2
/Vs

h
500 cm
2
/Vs
Die Beziehung v E
d
gilt nur fr relativ kleine Feldstrken, da fr groe Feldstrken die
Driftgeschwindigkeit auf einen Sttigungswert von v
d
10
7
cm/s zustrebt. Das ohmsche Ge-
setz (J=E) ist nur fr den Fall v
th
>> v
d
gltig.
1.8. Avalanche-Effekt (Lawinen-Effekt)
Ab einer Feldstrke von E > 10
5
V/cm (Avalanche-Feldstrke) kommt es zu einer Stoioni-
sation. Die Stoionisation beginnt, wenn ein im elektrischen Feld beschleunigtes Elektron eine
derart groe Energie bekommt, da es ein gebundenes Elektron aus seinem Bindungsverband
herausschlgt und es dadurch in das Leitungsband hebt. Danach befinden sich beide Elektronen
im Leitungsband und zustzlich bleibt ein Loch im Valenzband zurck. Die Stoionisation hat
also ein Elektron-Loch-Paar erzeugt. Die nun vorhandenen Elektronen und das Loch sind in
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 26
der Lage, weitere Stoprozesse zu initiieren. Man erhlt einen Multiplikationsfaktor, der stark
von der Feldstrke E abhngig ist. Die kritische Feldstrke fr den Avalanche-Effekt steigt mit
der Temperatur. Somit wird eine Lokalisierung verhindert. Auerdem bewirkt die Ladung der
erzeugten beweglichen Ladungstrger eine Verminderung der Raumladungsdichte (siehe Son-
derbauelemente: Avalanche-Diode).
Beispiel: Zwei verschieden stark dotierte Dioden, in Sperrichtung gepolt
Die Raumladungszone dehnt sich strker in das schwach dotierte Gebiet aus und der Bereich
hoher Trgermultiplikation wird breiter.
1.9. Ladungstrgerbeweglichkeiten
Bei der Berechnung der Driftgeschwindigkeit liegt die Vorstellung zugrunde, da ein Teilchen
zwischen zwei Sten durch die elektrische Feldstrke beschleunigt werden kann:
v
a F
m
q E
m
E
d
Sto Sto el
eff
Sto
eff

2 2 2


Sto
frei
th
v


d v
d E
q
m
d
eff
Sto
2
Die Gleichungen gelten fr das klassische Teilchenbild. In den Gleichungen bedeuten:

Sto
: mittlere Stozeit

frei
: mittlere freie Weglnge
v
th
: thermische Geschwindigkeit
: Beweglichkeit
1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 27
1.9.1. Abhngigkeit der Beweglichkeit von der Feldstrke
1.9.2. Reziproke Beweglichkeit und mittlere Stofrequenz im Bereich v
d
~ E
r
1

~ f
Sto r : "reziproke Beweglichkeit"
Die mittlere Stofrequenz f
Sto
entspricht der reziproken mittleren Stozeit: f
Sto
= 1/
Sto
.
Diese statistische mittlere Gesamtstofrequenz f
Sto
hat folgende Ursachen:
a) Thermisch angeregte Gitterschwingungen:
f
Sto th ,
~ T T
2 2 5
...
,
b) Kristallgitterstrungen (hier: Dotierungsatome, Ionen).
Bei mittelhohen Dotierungen: f
Sto I ,
~ N T T
Ion ( )
, ,
( ... )
1 5 2 5
c) Elektronen-Loch-Streuung:
f
Sto eh ,
(Wichtig bei hohen Konzentrationen in Leistungsbauelementen)
Die Gesamtstofrequenz setzt sich aus der Summe aller Einzelfrequenzteile zusammen:
f f
Sto ges Sto i
i
, ,

1. Grundlagen der Halbleiterphysik Seite: 28


1.10. Bandgap narrowing
In hochdotierten Zonen (Anzahl der Dotieratome > 10
17
cm
-3
) verringert sich der Bandab-
stand um einen Betrag E
g
~ N
Dot
1 2 /
.
Bei Transistor-Emittern, die i.a. hoch dotiert sind, ist der Bandabstand um 50...100 meV ver-
ringert. Die sich hieraus ergebende Kosequenz ist, da n
i
2
um etwa e
E kT
g
/
ansteigt. Bei
E
g
= 100 meV und T = 300 K steigt n
i
2
um ungefhr e
4
an.
Beispiel:
Emitter-Basis-bergang eines Transistors bei Durchlapolung
Infolge des Bandgap narrowing im Emitter: Vergrerte Minorittstrgerkonzentration in der
hochdotierten Emitterzone, also vergrerter Basisstrom und somit sinkende Stromver-
strkung.
Im hochdotierten Emitter: p N n e e
i
E
kT
U
V
g
F
T
*

2

In der Basis: n P n e
i
U
V
F
T
*

2
2. Halbleitergleichungen Seite: 29
2. Halbleitergleichungen
In diesem Kapitel werden einige Beziehungen aufgefhrt, die die Grundlage zur Behandlung
aller Halbleiterbauelemente sind, die aber allgemeinere Gltigkeit haben. Diese Gleichungen
werden in Bauelementesimulatoren verwendet. Im folgenden werden smtliche Gleichungen
fr den eindimensionalen Fall angegeben.
2.1. Poisson-Gleichung
Die Poisson-Gleichung besagt, da der elektrische Feldstrkevektor aus den elektrischen La-
dungen der Dichte entspringt. Es wurde die Voraussetzung gemacht, da die Dielektrizitts-
konstante orts- und zeitunabhngig ist.

E
x
x

( )
( ) { }
+ +
+ +
T T A D
N N N N n p q
x
E

1
in der Gleichung bedeuten:
p n : Konzentration der beweglichen Ladungstrger
N N
D A
+
: Konzentration der ionisierten Dotieratome
N N
T T
+
: Konzentration der ionisierten "Traps" von Rekombinationszentren
2.2. Stromtransportgleichungen
Die Gesamtstromdichte setzt sich aus der Elektronen- und der Lcherstromdichte zusammen,
wobei sich Elektronen- und Lcherstromdichte wiederum jeweils in Feld- und Diffusions-
stromdichte unterteilen lassen.
j j j
Feld Diffusion
+
j q n E q D
dn
dx
n el el
+
j q p E q D
dp
dx
p h h

2. Halbleitergleichungen Seite: 30
Es wird die Einstein-Relation D = kT/q (D in m
2
/s), die die Diffusionskoeffizienten D
el,h
mit der jeweiligen Beweglichkeit verknpft, verwendet:
D
k T
q
V
el el T el


D
k T
q
V
h h T h

'

+
dx
dn
n
V E n q j
T el n
1
{ }
n ch e el
dx
d
n q
,
+

'


dx
dp
p
V E p q j
T h p
1
{ }
p ch e h
dx
d
p q
,
+
mit:

ch n T
ref
V
n
n
,
ln
ch p T
ref
V
p
p
,
ln

ch
: "chemisches" Potential (Ursache: Konzentrationsgeflle im Kristall)

e
: elektrisches Potential (Ursache: Kraft auf Ladungstrger)
2.3. Kontinuittsgleichungen
Diese Gleichungen beschreiben die lokale nderung der Ladungstrgerkonzentration. Die
Konzentration kann durch eine rtliche Stromnderung und durch Generation und Rekombi-
nation beeinflut werden.

n x t
t q
j
x
G
n
n
( , )
+
1

p x t
t q
j
x
G
p
p
( , )
+
1
mit:
G g r
n n n

G g r
p p p

g
n
, g
p
: "optisch oder thermisch angeregte Generation (im Normalfall: g
n
= g
p
)
r
n
, r
p
: "optisch oder thermisch angeregte Rekombination (im Normalfall: r
n
= r
p
)
2. Halbleitergleichungen Seite: 31
Beispiel: npn-Transistor
Vereinfachte Gleichung fr die Transistorbasis:

n
t q
j
x
r
n
n

1
Durch Einsetzen der Transportgleichung in die Kontinuittsgleichung unter der Annahme, da
nur ein Diffusionsstrom fliet, erhlt man:


n
t
D
n
x
n
el
n

2
2
Im stationren Fall gilt

n
t
0 :


2
2 2
n
x
n
D
n
L
el n


L D
el n
ist die "Diffusionslnge"
Man erhlt die Differentialgleichung fr die Elektronenkonzentration in der Basis eines Transi-
stors. Sie hat folgende Lsung:

,
_

+

L
x
L
x
j
e B e A n x n ) (
A, B sind Integrationskonstanten. Nebenbedingung ist: A + B = 1 .
2. Halbleitergleichungen Seite: 32
Bei einem Transistor treten in der Regel keine Rekombinationen in der Basis auf. Das bedeutet,
da die mittlere Rekombinationszeit
n
geht. Der Rekombinationsterm n/L
2
ist null und
die Dgl. fr die Elektronenkonzentration in der Basis vereinfacht sich weiter:

2
2
0
n
x
fr

n
t
0 (stationrer Zustand) und
n
(keine Rekombinationen).
Die Lsung dieser Dgl. ergibt das "klassische" Diffusionsdreieck in Transistoren:
n x n x
j
( ) +
Im folgenden Bild sind die errechneten Lsungen dargestellt:
Die vorangegangene Rechnung hat gezeigt, da das Diffusionsdreieck nur im stationren Fall
vorhanden ist. Im instationren Fall n/t 0 wird das Diffusionsdreieck zeitlich abgebaut. Der
Abbau erfolgt i.a. durch einen von auen zugefhrten Basisstrom.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 33
3. Berechnung eines Bipolartransistors
In diesem Kapitel wird der im Bild dargestellte Bipolartransistor berechnet und es werden we-
sentliche Effekte, die fr das Verstndnis des Transistors und dessen Funktionsweise wichtig
sind, erlutert. Desweiteren soll ein Modell des Transistors entwickelt werden.
Der Transistor besteht aus zwei gegeneinander geschalteten pn-bergngen, die aber rumlich
so dicht beieinander liegen mssen, da sie sich gegenseitig beeinflussen. Andernfalls geht die
Transistorwirkung verloren. In der weiteren Behandlung werden der Basis-Kollektor-ber-
gang und der Basis-Emitter-bergang zunchst getrennt betrachtet und es wird als vorlufige
Annahme eine jeweils homogene Dotierung vorausgesetzt.
Fr die Berechnung wird der Transistor als eindimensionales Modell an der "Schnittlinie" be-
trachtet:
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 34
3.1. Abrupter pn-bergang im thermischen Gleichgewicht
Stromloser Zustand am pn-bergang:
Ein pn-bergang hat stets eine Raumladungszone zur Folge. Dies ist ein Gebiet, in dem die
beweglichen Elektronen vom n-Gebiet in das p-Gebiet diffundieren, weil im n-Gebiet eine sehr
hohe und im p-Gebiet eine verschwindende Elektronenkonzentration vorherrschen. Ebenso
diffundieren die Lcher in umgekehrter Richtung. Beide Ladungstrgerarten rekombinieren im
jeweils entgegengesetzten Gebiet. Es bleiben ortsfeste ionisierte Dotieratome zurck, positive
Donatoren im n-Gebiet und negative Akzeptoren im p-Gebiet. Diese ortsfesten Ladungen
haben ein elektrisches Feld zur Folge, welches die Diffusionsstrme zum stehen bringt. Der
Diffusionsstrom und der Feldstrom gleichen sich aus:
I I I I
Feld Diff Feld Diff
+ 0
( )
,
_

+ +
dx
dp
D
dx
dn
D e a E p n e a
p n p n

Im folgenden wird nur eine Berechnung fr den Verlauf der Elektronenkonzentration, unter
Benutzung der Einstein-Relation D V
T
, vorgenommen:
n E D
dn
dx
V
dn
dx
n n n T

( )
( )


RLZ T
P n
N n
dx E
V n
dn 1
0
0
( )
( )
D
T
U
V N n
P n

1
ln
0
0
U
D
: Diffusionsspannung
( ) N n
0
: Dotierung des n-Gebiets: N
D
+
( ) P n
0
: Elektronenkonzentration im p-Gebiet
( ) ( ) ( )
2
0 0 0 i A
n N P n P p P n

2
2
ln ln
i
A D
T
A D
i
T D
n
N N
V
N N
n
V U
+
+


3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 35
3.2. Der Basis-Kollektor-bergang
Basis-Kollektor-Sperrfhigkeit:
Im dargestellten Fall ist der Basis-Kollektor-bergang gesperrt und es hat sich eine Raumla-
dungszone ausgebildet. Da die Basis (p = 210
16
cm
-3
) hher dotiert ist als das angrenzende
Kollektorgebiet (n = 510
14
cm
-3
), ist die Raumladungszone wesentlich strker in das Kollek-
torgebiet ausgebreitet. In der Raumladungszone diffundieren die Lcher der Basis in den Kol-
lektor und die Elektronen des Kollektors in die Basis.
Die Breite der wirksamen Basis w
B
(w
B
= 2m) nimmt durch die Ausdehnung der Raumla-
dungszone in das Basisgebiet um den Betrag w
B
ab. Diese Verkleinerung der wirksamen
Basis wird als Early-Effekt bezeichnet. Die Raumladungsdichte im betreffenden Basisgebiet
w
B
besteht nherungsweise aus den ionisierten Dotierungsatomen der Basis: = N
Dot
q. Die
maximale Feldstrke in Silizium betrgt ca. E
max
= 2,510
5
V/cm. Hieraus ist die maximale
Ausdehnung w
B
berechenbar:
x
q N
dx x E
Dot

) (
1
E
N q
w
Dot
B max


w
E
N q
As Vcm V cm
cm As
m
B
Dot

max
/ , /
,
,
10 2 5 10
2 10 1 6 10
0 78
12 5
16 3 19
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 36
Aus dem maximalen Feldstrkeverlauf ergibt sich die maximale Sperrspannung des Ba-
sis-Kollektor-bergangs:

dx x E U ) ( . Die Sperrspannung fllt zum Groteil ber dem


schwach dotierten Kollektor ab. Somit bestimmt der schwach dotierte Kollektor im wesentli-
chen die maximale Sperrspannung. Die Sperrfhigkeit wird weiterhin durch die folgenden Ef-
fekte begrenzt:
a) Avalanche-Feldstrke (E
max
)
b) Basisdotierung: Bei zu schwach dotierter Basis geht w
B
w
B
, d.h die Raumla-
dungszone stt an den Emitter und der Transistor "bricht durch". Man spricht vom
"punch-trough".
Mglichkeiten zur Verkleinerung des Early-Effekts:
Vernderungen an der Basis:
Hhere Dotierung der Basis und Verbreiterung der wirksamen Basis w
B
. Eine Vernde-
rung dieser Parameter hat Auswirkungen auf den Basis-Emitter-bergang und bewirkt
eine sinkende Stromverstrkung.
Vernderungen am Kollektor:
Niedrigere Dotierung des an die Basis angrenzenden Kollektors und Verbreiterung der
n-Kollektorschicht. Bei gleicher maximaler Feldstrke ist dann die RLZ nicht mehr so
weit im Basisgebiet ausgedehnt.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 37
3.3. Sperrfhigkeit eines Transistors bei offener und kurzgeschlossener
Basis
Bei der Sperrspannung gilt: U s U o
CE CE
( ), max ( ), max >> . In der Schaltungstechnik (vor al-
lem bei Leistungsbauelementen) ist dies bedeutungsvoll.
Qualitative Erluterung:
Annahme:
Die Feldstrke am Basis-Kollektor-bergang sei so hoch, da eine geringfgige Trger-
multiplikation (Avalanche-Stromverstrkung) einsetzt. Dieser Stromverstrkungsfaktor
ist relativ klein.
j
n
: "kleiner Elektronenstrom"
j
p
: "Lcherstrom" (Basisstrom)
Bei b) Offene Basis:
Wechselwirkung mit der Stromverstrkung .
Elektronenstrom j
n
erzeugt Lcherstrom j
p
= j
n
der in die Basis fliet, d.h. wenn die Strom-
verstrkung 1 geht, gibt es einen "Durchbruch".
Bei a) Kurzgeschlossene Basis:
Die Wechselwirkung findet nicht statt, da der Lcherstrom j
p
= j
n
ber die kurzgeschlossene
Basis (Basis-Emitter-Kurzschlu) abfliet.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 38
3.4. Der Basis-Emitter-bergang
3.4.1. Elektronenverhltnisse am pn-bergang ohne uere Spannung
( )
( )
( )
( )
+


A D
i
T T T D
N N
n
V
P p
N p
V
N n
P n
V U
2
0
0
0
0
ln ln ln
( )
( )
T
D
V
U
e
N n
P n


0
0
Im Gleichgewichtszustand (Anzahl der Elektronen die zwischen VB und LB hin- und hersprin-
gen ist gleich) ist n
0
(P) die Elektronenkonzentration im p-Gebiet und n
0
(N) ist die Elektro-
nenkonzentration im n-Gebiet. n
0
(N) entspricht der Dotierungskonzentration N
D
.
3.4.2. Elektronenverhltnisse am pn-bergang mit Fluspannung
Die Diffusionsspannung U
D
wird um die Spannung U
F
verringert:
( )
( )
T
F
T
D
T
F D
V
U
V
U
V
U U
e e e
N n
P n

0
*
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 39
Am pn-bergang wird dadurch die Gleichgewichtskonzentration von n
0
(P), p
0
(N) auf die er-
hhte Konzentration n
*
, p
*
angehoben:
( ) ( )
T
F
V
U
e P n P n
0
*
( ) ( )
T
F
V
U
e N p N p
0
*
Durch die Spannung U
F
entstehen Konzentrationsgeflle und die Ladungstrger diffundieren
weg. Es ergibt sich ein Stromfluss:
( ) ( ) ( ) ( )

,
_

1
0 0
*
T
F
V
U
el
el
el
el
n
e P n
L
D
q a P n P n
L
D
q a i
( ) ( ) ( ) ( )

,
_

1
0 0
*
T
F
V
U
h
h
h
h
p
e N p
L
D
q a N p N p
L
D
q a i
D
el
: Diffusionskonstante der Elektronen in der Basis
L
el
: Diffusionslnge der Elektronen in der Basis
D
h
: Diffusionskonstante der Lcher im Emitter
L
h
: Diffusionslnge der Lcher im Emitter
3.4.3. Die Basis im Normalbetrieb
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 40
Der Gradient des "Elektronenverlaufs" in der Basis entspricht dem Kollektorstrom und der
Gradient des "Lcherverlaufs" entspricht dem Basisstrom. In der Basis kann die Rekombina-
tion vernachlssigt werden, weil die Diffusionslnge L
el
der Elektronen in der Basis wesentlich
grer als die wirksame Basisbreite ist. Die notwendige Mindesttrgerlebensdauer der Minori-
ttstrger ist hieraus berechenbar:
L D w
el el el B
>>

el
el
el
B
el
el
L
D
w
D
>>
2 2
,min
in Silizium bei p cm

2 10
16 3
: D cm s
el
30
2
/
( )
ns s
s cm
cm
el
33 , 1 10 33 , 1
/ 30
10 2
9
2
2
4
min ,

In der Basis werden ohne grere Schwierigkeiten Trgerlebensdauern von


el
s 10 erreicht.
3.4.4. Stromflu durch Basis und Emitter

,
_

1
2
,
T
F
V
U
A
i
eff B
el
n
e
N
n
w
D
q a i (Elektronenstrom in der Basis)
Interpretation der Gleichung:
a) Der Early-Effekt verndert den Gradienten: w w w w f U
B eff B B B F ,
, ( )
b) Der Elektronenstrom durch die p-Basis ist unabhngig von den n-Gebieten !
Im Emitter kann die Rekombination (trotz gleicher Abmessungen wie die Basis) nicht vernach-
lssigt werden. Zum einen sind die Diffusionskonstanten von Elektronen und Lchern (bei
gleichen Dotierungen) schon verschieden und zum anderen ist der Emitter aber wesentlich h-
her dotiert und weist deshalb andere Werte bei der Diffusionslnge und der Trgerlebensdauer
auf. Im hochdotierten Emitter mit n cm
+
10
19 3
gelten die Eigenschaften von hochdotierten
Zonen:
Verkleinerte Diffusionskonstante infolge von geringerer Ladungstrgerbeweglichkeit:
D V cm s
h T h
2 4
2
.. /
Trgerlebensdauer wird durch "Auger-Rekombinationen" begrenzt: 20 100 .. ns
Bandgap-narrowing: Verkleinerung des Bandabstands um E meV
g
60
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 41
Lcherstrom im Emitter:

,
_


+
1
2
,
T
F
V
U
D
Emitter i
E
h
p
e
N
n
w
D
q a i
Interpretation der Gleichung unter der Annahme w L D
E h h h
< :
a) Bandgap-narrowing: n n e
i Emitter i
E
k T
g
,
2 2

b) Verkleinerte Diffusionskonstante D
h
Der Basisstrom entspricht dem Lcherdiffusionsstrom in den Emitter. Ein rekombinationsfreier
Diffusionsstrom zeichnet sich durch einen konstanten Gradienten ("Diffusionsdreieck") aus.
Bei einem breiten Emitter (w L D
E h h h
) rekombinieren die Lcher. Der Verlauf der
Ladungstrgerdichte nimmt vom Basis-Emitter-bergang zum Emitter hin exponentiell ab:
( )
h
L
x
e p x p
*
Lcherstrom im Emitter:

,
_

,
_


+ +
1 1
2
,
2
,
T
F
T
F
V
U
D
Emitter i
h
h V
U
D
Emitter i
h
h
p
e
N
n D
q a e
N
n
L
D
q a i

Interpretation der Gleichung unter der Annahme w L D


E h h h
:
a) Bandgap-narrowing: n n e
i Emitter i
E
k T
g
,
2 2

drastisch vergrert
b) Diffusionskonstante D
h
verringert wegen vergrerter Streuung der Lcher
c)
h
verringert durch Auger-Rekombinationen
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 42
Da der Basisstrom dem Lcherstrom entspricht, ist die Verringerung der Diffusionskonstante
von den drei Effekten im hochdotierten Emitter der einzig ntzliche Effekt zur Verbesserung
der Transistoreigenschaften (Stromverstrkung: I I I i
C B B p
/ , mglichst klein). Whrend
die Diffusionskonstante um den Faktor 3..4 verringert ist, steigt die intrinsische Dichte n
i
um
den Faktor 100 und die Trgerlebensdauer
h
verringert sich um den Faktor 10. Das bedeutet,
da die "schdlichen" Effekte die "ntzlichen" Effekte stark berwiegen.
3.5. Quasistatische Nherung zur dynamischen Beschreibung des
Transistors
Im dynamischen Betrieb mssen die Diffusionsladungen der Basis und des Emitters auf- und
abgebaut werden. Fr eine erste Nherung wird die Annahme getroffen, da auch bei einem
schnellen Aufbau der Diffusionsladungen eine nherungsweise lineare Rampe vorhanden ist.
Man spricht von der "Quasistatischen Nherung":
Q
a
n q w
D Basis
B eff
, *
,

1
2
Der Minorittstrgerverlauf (Elektronenkonzentration) in der Basis kann als dreiecksfrmig
angesetzt werden. Dieser Verlauf ruft einen entsprechenden Verlauf der Majorittstrger
(Lcher) hervor, da fr jedes generierte Elektron auch ein Loch entsteht. Die durch Diffusi-
onswirkung abflieenden Lcher gelangen bis zum gesperrten Basis-Kollektor-bergang, kn-
nen diesen aber nicht berwinden, sammeln sich dort und erzeugen ein elektrisches Gegenfeld,
welches den Diffusionsstrom kompensiert. Das elektrische Feld ist im Fall der niedrigen Injek-
tion auf Grund der groen Lcheranzahl klein und vergrert sich mit steigender Injektion.
Das elektrische Feld wirkt auf die Elektronen in der Basis beschleunigend.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 43
Diffusionsstrme:
( )
el
eff B
n
D
w
n n
q j


,
0
*
1
( )
h
eff B
A A
p
D
w
N n n N
q j
+


,
0
*
1
) (
Der Lcherfeldstrom j
p2
als Folge des entstandenen elektrischen Feldes, hebt den Lcherdiffu-
sionsstrom j
p1
auf:
j j q p x E x
p p h 2 1
( ) ( )
q p x E x q
n n
w
D q
n
w
D
h
B eff
h
B eff
h


( ) ( )
*
,
*
,
0
; D V
h T h



E x V
n n
w p x
V
w
n
p x
T
B eff
T
B eff
( )
( ) ( )
*
, ,
*
0
1
Fast immer ist der Quotient n p x
*
/ ( ) << 1. Das elektrische Feld E(x) wird dann vernachlssigt.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 44
Es sei dennoch erwhnt, da infolge des elektrischen Feldes, welches aus der Behinderung des
Lcherdiffusionsstromes entsteht, ein zweiter Anteil des Elektronenstromes erzwungen wird.
Dieser aus dem E-Feld resultierende Elektronenstrom ist ein Feldstrom:
j q n x E x q n x V
n
w p x
n el el T
B eff
2
1
( ) ( ) ( )
( )
*
,
Der Feldstrom j
n2
kann als Diffusionsstrom geschrieben werden:
j q D
n
w
n x
p x
i a gilt aber
n x
p x
n el
B eff
2
1 <<
*
,
( )
( )
. . :
( )
( )
Beispiel: Transistor im inversen Betrieb
Bei diesem Beispiel wird die Polaritt am Emitter und am Kollektor getauscht. Es wird gezeigt,
warum ein Transistor in diesem inversen Betrieb sinnvollerweise nicht eingesetzt werden sollte.
Vier Grnde fr die schlechten Transistoreigenschaften:
a) riesige Speicherladung Q im "Pseudo-Emitter" (Kollektor)
b) geringe Stromverstrkung
c) schlechte Sperrfhigkeit (schmale RLZ, hohe Sperrschichtkapazitt)
d) groer Lcherstrom fliet ab
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 45
3.6. Basiszustand: Hohe Injektion
Der Zustand der hohen Injektion liegt dann in der Basis vor, wenn die Minorittstrgerkonzen-
tration wesentlich grer als die Dotierungskonzentration N
A
+
ist.
Bei hoher Injektion: n N
A
*
>
p n N n
A
* * *
+
n p
Der Feldstrom j
n2
hat demnach bei hoher Injektion ungefhr die gleiche Gre wie der Diffu-
sionsstrom j
n1
:
j q D
n
w
n x
p x
n el
B eff
2
1
*
,
( )
( )
Der gesamte Elektronenstrom hat somit bei hoher Injektion die Gre des doppelten Elektro-
nendiffusionsstroms:
j j j
el Diff n
2 2
1
Probleme bei der hohen Injektion:
Annahmen: Basis in hoher Injektion betrieben.
Emitter noch in niedriger Injektion
Basis-Kollektor-bergang ist sperrgepolt ("Normalbetrieb")
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 46
Es gibt eine Abhngigkeit der Ladungstrgerkonzentration p n
*
( ) im Emitter von der Ladungs-
trgerkonzentration n p
*
( ) in der Basis. Normalerweise gilt:
n p
p n
n
p p
Emitter
*
* *
( )
( ) ( )

+

+
p n
p p
n p
n
*
*
*
( )
( )
( )
Wegen n p p p
* *
( ) ( ) bei hoher Injektion gilt:
n p p p n p p n n
* * * *
( ) ( ) ( ) ( )
+ 2

+
p n
n p
n
*
*
( )
( )
2
Hieraus ergibt sich die unangenehme Konsequenz, da der Lcherstrom j
p,E
im Emitter, der
ungefhr dem Basisstrom j
B
des Transistors entspricht, proportional zum Quadrat des Kollek-
torstroms j
C
ist
Basisstrom j Kollektorstrom j
B C
~ ( )
2
Die Stromverstrkung ist bei hoher Injektion vom Kollektorstrom abhngig:

j
j j
C
B C
~
1
Die hohe Injektion in der Basis wirkt sich folgendermaen aus:
- Die Transistor-Stromverstrkung ist nicht linear. Sie sinkt proportional 1/j
C
ab.
- Der Basisstrombedarf steigt "ber-linear".
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 47
Leistungstransistoren (groe Strme und hohe Sperrspannungen), aber auch Kleinsignaltransi-
storen, werden blicherweise im Zustand der hohen Injektion betrieben. Oftmals wird der Zu-
stand der "hohen Injektion" mit dem Begriff der "Sttigung" eines Bipolartransistors ver-
wechselt:
Hohe Injektion: "Stromeffekt".
Sttigung: "Spannungseffekt".
3.7. Sttigung im Bipolar-Transistor
Von Sttigung bei einem Bipolar-Transistor spricht man, wenn der im Normalbetrieb gesperrte
Basis-Kollektor-bergang in den leitenden (nichtgesperrten) Zustand bergeht. Die Durchla-
polung des Basis-Kollektor-bergangs wird erreicht, wenn die Gesamtspannung U
CE
am
Transistor niedrig ist (typischer Wert: U
CE
< 0,5 V).
Die Kennlinie I U
C CE
( ) wird bezglich des Minorittstrgerdiffusionsstroms durch die Basis in
drei Bereiche unterteilt:
a) Nichtsttigungsbetrieb (normaler Betrieb)
b) Quasisttigungsbetrieb
c) bersttigungsbetrieb
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 48
Darstellung der Sttigung
1) Nichtsttigungsbetrieb, Normalbetrieb
Die Kollektor-Emitter-Spannung ist so hoch, da der Basis-Kollektor-bergang gesperrt
ist. Der Widerstand im n-Gebiet des Kollektors ist aufgrund der wenigen Ladungstrger
relativ hoch. In der Basis wird der Gradient der Minorittstrger durch den Early-Effekt
beeinflut.
2) Quasisttigungsbetrieb
Der Basis-Kollektor-bergang ist durchlagepolt. Das Diffusionsdreieck der Basis-Min-
orittstrger geht in der Basis nicht auf null zurck. Hierdurch bildet sich auch im
schwach dotierten Kollektorteil ein Diffusionsdreieck:
p n p n n
B C C

2
(Hohe Injektion im Kollektor).
Je weiter sich das Diffusionsdreieck in das Kollektorgebiet erstreckt, desto geringer wird
der Kollektor-Bahnwiderstand R
C,B
. Die Steigung der Kennlinie I U
C CE
( ) ist bezogen
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 49
auf den Nichtsttigungsbetrieb grer. Der Gradient des Minorittstrgerverlaufs in der
Basis ist kleiner als im Nichtsttigungsbetrieb. Infolge des Diffusionsdreiecks im Kollek-
tor baut sich in diesem eine Speicherladung auf, die das dynamische Verhalten des Transi-
stors verschlechtert.
3) Quasisttigungsbetrieb
berschwemmung der n

-Kollektorschicht mit Diffusionsladungen. Der Kollektor-Bahn-


widerstand R
C,B
geht gegen null. Somit gibt es keinen ohmschen Spannungsabfall ber
der schwach dotierten Kollektorschicht. Dieser Betriebspunkt ist der typische Arbeits-
punkt eines Leistungstransistors.

3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 50
4) bersttigungsbetrieb
Das Diffusionsdreieck im Kollektor erstreckt sich ber das gesamte n-Gebiet bis in das
n
+
-Gebiet hinein. Im n
+
-Gebiet fllt das Diffusionsdreieck aufgrund der hohen Dotierung
rasch ab. Im bersttigungsbetrieb ist der Bahnwiderstand des Kollektors praktisch nicht
mehr vorhanden, jedoch weist der Transistor infolge einer sehr groen Speicherladung Q
s
die schlechtesten dynamischen Eigenschaften auf.
Eine anschauliche Erluterung der Sttigung erhlt man dadurch, da man zwei Zustnde
(Vorwrtspolung und Rckwrtspolung) des Transistors berlagert. Diese Methode wird auch
so in Simulationsmodellen (Bauelementesimulatoren) angewandt.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 51
Transistorschalter mit Schottky-Diode ("Antisttigungsschaltung")
Bei schnellen Schaltanwendungen ist eine starke Sttigung unbedingt zu vermeiden. Transi-
storschalter werden aber in der Regel im Sttigungsbereich betrieben. Eine Methode, den
bersteuerungsgrad zu verkleinern, ist die berbrckung des Basis-Kollektor-bergangs mit
einer Schottky-Diode. Im Folgenden Bild sind der technologische Aufbau und das Ersatz-
schaltbild einer Schottky-TTL dargestellt.
Antisttigungsschaltungen werden bei Leistungstransistoren mit Hilfe eines "Clamp" aufgebaut.
Typische Schaltungen hierfr sind die Folgenden:
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 52
3.8. Kapazitive Effekte im Transistor
Zur Erluterung der kapazitiven Transistoreffekte werden die folgenden Annahmen getroffen:
- Transistor im Normalbetrieb.
- Niedrige Injektion.
a) Sperrschichtkapazitt des Basis-Kollektor-bergangs:
Die Raumladungskapazitt C
BC
sinkt mit steigender Basis-Kollektor-Spannung infolge
sich verbreiternder Raumladuingszone:
C
A
w U U U
BC
Quer
RLZ BC D BC

( )
~
1
b) Sperrschichtkapazitt des Emitter-Basis-bergangs:
Die Raumladungskapazitt C
EB
ist infolge der sehr geringen Sperrschichtausdehnung rela-
tiv gro.
c) Diffusionskapazitten infolge gespeicherter Ladungen:
Die Diffusionskapazitten C
D
werden durch die Ladungen bestimmt, die zeitlich auf- oder
abgebaut werden mssen. Die Diffusionsladungen des Emitters werden beim Abschalten
des Transistors ber die Basis abgebaut, die der Basis ber den Kollektor. Die Diffusions-
kapazitten bestimmen im wesentlichen die Grenzfrequenz des Transistors bei schnellen
Schaltanwendungen.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 53
Berechnung der Diffusionskapazitt fr die Basis:
Diffusionsstromdichte durch den Kollektor:
j
d n
dx
D q
C el

Gespeicherte Ladung in der Basis:
Q B A w w
d n
dx
q A
w
D
j
D B B
B
el
C
( )
1
2
1
2
2
w
D
B
el
tr
2
"Transitzeit"
( ) 1 5 , 0 ) (
/
0

T BE
V U
C C C tr D
e j j mit j A B Q
C
d Q
d U
A j e
V
A
V
j
D
D
BE
tr C
U V
T
tr
T
C
BE T

1
2
1 1
2
0


/
Die Diffusionskapazitt weist ein extrem starkes nichtlineares Verhalten auf. Der Linearittsbe-
reich betrgt ungefhr 10 mV.
Die Beschreibung des Frequenzverhaltens ber die Diffusionskapazitten ist eine quasistatische
Nherung. Sie wird ungltig fr Frequenzen oberhalb von: f
tr
>1/ . Weiterhin gilt es zu be-
achten, da der hier gemachte Ansatz nur beim Transistor im Normalbetrieb gilt. Beim Zustand
der Quasisttigung oder bersttigung ist der Ansatz nicht richtig, da dort das Diffusionsdrei-
eck am Basis-Kollektor-bergang nicht auf null zurckgeht. Auerdem mten dort die Spei-
cherladungen im Kollektor mit bercksichtidgt werden.
Beispiel: Bipolartransistor
w cm D cm s
B el

2 10 30
4 2
, /

tr
s 1 3 10
9
,
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 54
3.9. Zweidimensionale Effekte im Bipolartransistor
Im vorhergehenden Abschnitt, bei der Behandlung der Sttigung, wurde dem n

-Gebiet des
Kollektors im Normalbetrieb, auf Grund der geringen Leitfhigkeit dieses Gebietes, ein
Lngs-Widerstand R
C,B
zugeordnet. Nun wird auch der Basis, entsprechend des Aufbaus, ein
Quer-Widerstand zugeordnet. Dieser ist von der Grenordnung wesentlich kleiner, kann aber
fr eine korrekte Modellbildung nicht vernachlssigt werden. Der Basis-Querwiderstand be-
rcksichtigt die Verkleinerung der wirksamen Flche des Basis-Emitter-bergangs.
Die Stromdichte j
c
ist auf Grund des Basis-Querwiderstandes R
B
grer als die Stromdichte
j
a
. Der Querwiderstand mu immer dann bercksichtigt werde, wenn die Leitfhigkeit der Ba-
sis relativ schlecht ist, also im wesentlichen nur beim Zustand der niedrigen Injektion. Liegt ho-
he Injektion in der Basis vor, so kann der Basis-Querwiderstand vernachlssigt werden.
Fr einen ohmschen Spannungsabfall von z.B. 50 mV ber der Emitterbreite ergibt sich fol-
gender Unterschied bei der Anzahl der Minorittstrger in der Basis:
n n e
c
U V
F T

0
/
n n e n e e n e n
a
U mV V U V mV V
c c
F T F T T


0
50
0
50 2
0 135
( )/ / /
,
Der Spannungsabfall ber dem Basis-Querwiderstand ist abhngig vom Basisstrom. Somit
hngt auch der Faktor, um den die Stromdichte j
c
gegenber j
a
grer ist, vom Basisstrom ab.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 55
Um den Basis-Querwiderstand bei niedriger Injektion bercksichtigen zu knnen, mu ein
zweidimensionales Modell gebildet werden. Der Transistor wird hierbei als "in Scheiben ge-
schnitten" betrachtet:
3.10. Gummel-Poon-Ansatz fr Bipolartransistoren
Ein oft benutztes Transistormodell, welches die Ladungen in der Basis als Ausgangspunkt
nimmt, ist von H. K. Gummel und H. C. Poon ausgearbeitet worden. Das Modell wird zur Si-
mulation von Transistoren in Schaltungen genutzt.
Fr den Gummel-Poon-Ansatz werden die folgenden Annahmen getroffen:
Transistor im Normalbetrieb
Niedrige Injektion
Basisstrom << Kollektorstrom
Keine Rekombinationen in der Basis
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 56
Dotierungsprofil eines technologischen Transistors:
Untersucht wird der Elektronentransport in einer Basis mit nicht konstanter Dotierung bei
niedriger Injektion. Grundstzlich gilt, da dort wo ein Konzentrationsgeflle (Gradient) vor-
handen ist, ein Diffusionsstrom fliet. Der Diffusionsstrom bewirkt ein elektrisches Feld, er-
zeugt somit einen ihm entgegengesetzten Feldstrom. Diffusionsstrom und Feldstrom gleichen
sich aus.
Diffusionsstrom: j
d p x
d x
q D
d p x
d x
q V
D h T h

( ) ( )

Feldstrom: j E p x q
F D h
( )

,
_

+
0
ln
1
0
p
p
dx
d
V
dx
p d
p
V E j j
T T D F D
Fr die Elektronenstromdichte gilt an jeder Stelle der Basis:
j
dn
dx
q V E n q
dn
dx
q V
p
d p
dx
V n q
el ges T el D el T el el T ,
+ +
1

,
_

+
dx
p d
p
n
dx
dn
V q j
el T ges el

,
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 57
Anwendung eines mathematischen "Tricks" nach Gummel:

,
_

+
dx
x p d
x n
dx
x n d
x p V q j x p
el T ges el
) (
) (
) (
) ( ) (
,

( ) ) ( ) ( ) (
,
x n x p
x d
d
V q j x p
el T ges el

In der Gleichung ist der durch die Basis flieende Elektronenstrom j
el,ges
in der gesamten Ba-
sis rtlich konstant, da keine Rekombinationen auftreten.
II
I
el
II
I
ges el
x n x p D q dx x p j ) ( ) ( ) (
,

p x II ( ) 0
T
BE
T
BE
V
U
i II
I
el V
U
I I II
I
el
II
I
I x el
ges el
e n
dx x p
D q
e n p
dx x p
D q
dx x p
x n x p D q
j


2
, 0 ,
) ( ) ( ) (
) ( ) (
n
n
p
I
i
I
0
2
,

Das Integral dx x p
II
I

) ( wird als "Gummel-number" bezeichnet.


Unter den gemachten Annahmen haben alle Transistoren mit gleicher "Gummel-number" die
gleiche statische Stromverstrkung. Hieraus ergibt sich als Konsequenz, da solange die dy-
namischen Transistoreigenschaften nicht interessieren, eine Umrechnung des technologischen
Dotierungsprofils in das "herkmmliche" Profil vorgenommen werden kann.
3. Berechnung eines Bipolartransistors Seite: 58
3.11. Gummel-Poon-Ersatzschaltbild fr Transistoren
Im Ersatzschaltbild bedeuten:
n
R 1
: Basis-Kollektor-Diode im Rckwrtsbetrieb
n
F 1
: Basis-Emitter-Diode im "Forward"-Betrieb
n n
R F 2 2
, : Parasitre Dioden mit i e
U V
T
~
/2
(Dioden sind nur bei kleinen Spannungen
wirksam)
C C
DF DR
, : Diffusionskapazitten
C C
jF jR
, : Sperrschichtkapazitten
[ ]
0 0 0
/ /
0
) (
n p
dx x p
A q V
I mit e e I I
T n V U V U
CE
T CB T BE

I I e
BF BF
U V
BE T

0
/
I I e
BR BR
U V
BC T

0
/
Im allgemeinen gilt immer: I I
BR BF 0 0
>> . Hier wird bercksichtigt, da der Transistor im
"Revers"-Betrieb schlechte Eigenschaften aufweist.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 59
4. Feldeffekttransistoren
4.1. Allgemeines zum Feldeffekttransistor, Dnnschicht-Transistor
Bei dem bisher betrachteten Transistor sind am Stromflu zwei Ladungstrgerarten beteiligt
gewesen, nmlich Elektronen und Lcher. Diese Transistoren werden deshalb auch als Bipolar-
transistoren bezeichnet.
Beim Feldeffekttransistor (FET) oder auch Unipolartransistor ist am Stromflu nur eine La-
dungstrgerart (Elektronen oder Lcher) beteiligt. Schon lange bevor der erste funktionstch-
tige Bipolartransistor vorgestellt wurde, wurde bereits ein steuerbares Element vorgeschlagen,
welches auf dem Feldeffekt beruht.
Der Ausgangspunkt zur Steuerung des FET ist die Widerstandsvernderung der halbleitenden
Schicht, die entweder schwach n oder p dotiert sein kann. Der ohmsche Widerstandswert der
halbleitenden Schicht ist im wesentlichen bestimmt
von seinen geometrischen Abmessungen, d.h. von der Lnge und dem Querschnitt der
Schicht,
von seiner Leitfhigkeit, d.h. von der Anzahl und der Beweglichkeit der Majorittstrger in
der Schicht.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 60
Die Steuerung des FET erfolgt durch die auf kapazitiven Effekten beruhende Variation der
Leitfhigkeit. Das metallische Gate und die halbleitende Schicht bilden einen Plattenkondensa-
tor, mit der isolierenden Schicht als Dielektrikum:
C
A
d
r

0
Bei Anliegen einer Spannung U
GS
zwischen dem Gate G und der mit Source S bezeichneten
Elektrode, wird der Kondensator aufgeladen:
Ladungsdichte:
Q
A
U
d
GS
r

0
Das Aufladen des Kondensators fhrt dazu, da zustzliche (negative) Ladungen in die halblei-
tende Schicht eingebracht werden. Hierdurch erhht sich die Leitfhigkeit im Halbleiter. Der
wesentliche Grund, warum der Feldeffekttransistor bei den ersten Versuchen (1930) nicht
funktionierte, ist darin zu finden, da ein falsches Halbleitermaterial verwendet wurde. Dieses
wies sehr viele Einfang- oder Haftstellen fr Elektronen auf, so da der Effekt der Leitfhig-
keitserhhung nicht auftrat.
4.2. Sperrschicht-Feldeffekttransistor (JFET)
Ein Sperrschicht-FET besteht hauptschlich aus einem stabfrmigen n-dotierten Halbleiterkri-
stall. Die Enden sind mit Anschlssen versehen, die Source (Quelle, Zuflu) und Drain (Ab-
flu) heien. An den sich gegenberliegenden Seitenflchen des Kristalls wird der n-dotierte
Kristallstab von zwei p-dotierten Zonen, dem Gateanschlu, begrenzt.
Zwischen dem n-dotierten Kanal und den beiden p-dotierten Zonen entstehen zwei pn-ber-
gnge und demnach also Raumladungszonen. Die sich in den schwach n-dotierten Kanal
4. Feldeffekttransistoren Seite: 61
ausbreitenden Raumladungszonen verringern den wirksamen Querschnitt des Kanals und
erhhen somit den Widerstandswert zwischen Source und Drain. Wird zwischen Gate und
Source eine Spannung U
GS
so geschaltet, da die pn-bergnge in Sperrichtung betrieben
werden, so lt sich die Breite der Raumladungszone vergrern und der Transistor ber
diesen Effekt steuern.
Im Folgenden wird eine kleine Spannung U V
DS
0 5 , zwischen Drain und Source angelegt
und Gate mit Source kurzgeschlossen. Es vergrert sich die Raumladungszone in der
Umgebung des Drainanschlusses:
Wird die Spannung U
DS
etwas vergrert und zustzlich eine Spannungsquelle U
GS
zwischen
Gate und Source geschaltet, so erhlt man durch die variable Vernderung der RLZ einen ge-
steuerten Widerstand. Die Vernderung des Kanalwiderstandes mit der Spannung U
GS
erfolgt
4. Feldeffekttransistoren Seite: 62
nahezu leistungslos, da nur ein sehr geringer Sperrstrom ber die Raumladungszone fliet.
Durch die Erhhung der Spannung U
GS
kann die Raumladungszone so verbreitert werden,
da der Kanal abgeschnrt wird. Die Abschnrung erfolgt, wenn U U U
DS GS p
(Abschnr-
spannung U
p
, Index p fr "pinch": abschnren).
In der Raumladungszone ist die Leitfhigkeit infolge fehlender freier Ladungstrger nahezu
null. Trotzdem geht der Stromflu nach der Abschnrung des Kanals nicht auf null zurck.
Dies liegt daran, da die Ladungstrger (Elektronen) im leitenden Kanal eine groe Ge-
schwindigkeit bekommen, mit der sie in die Raumladungszone eindringen. Aufgrund ihrer Ge-
schwindigkeit erreichen die Ladungstrger die Drainelektrode.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 63
4.2.1. Eingangskennlinie des Sperrschicht-FET
Wird zwischen den Anschlssen Drain und Source eine konstante Spannung U
DS
angelegt, so
lt sich der Drainstrom (Kanalstrom) in Abhngigkeit der Spannung U
GS
darstellen. Bei
Vernderung der Spannung U
DS
als Parameter erhlt man ein Kennlinienfeld.
4.2.2. Ausgangskennlinie des Sperrschicht-FET
Das Ausgangskennlinienfeld des Sperrschicht-FET zeigt die Abhngigkeit des Drainstromes I
D
von der Drain-Source-Spannung U
DS
mit der Spannung U
GS
als Parameter. Es zeigt sich,
da die Drainstromstrke im Bereich niedriger Drain-Source-Spannung annhernd linear an-
steigt. Dieser Teil ist der ohmsche Bereich der Ausgangskennlinie. Dort verhlt sich der Ka-
nalwiderstand wie ein ohmscher Widerstand. Fr grere Drain-Source-Spannungen
U U U
DS p GS
+ zeigt sich in der Ausgangskennlinie ein Sttigungsverhalten, welches auf die
Kanalabschnrung zurckzufhren ist. Die Drainstromstrke steigt dann mit zunehmender
Spannung U
DS
nur noch sehr gering an. Bei sehr groen Spannungen U
DS
gibt es einen
Durchbruch und die Drainstromstrke steigt steil an.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 64
Die Gate-Source-Spannung, bei der annhernd kein Drainstrom mehr fliet, wird als Schwell-
Spannung U
T
(Threshold-voltage) bezeichnet. Fr Spannungen U U
GS T
ist der Feldeffekt-
transistor gesperrt.
4.2.3. Berechnung der Strom-Spannungs-Kennlinie eines JFET
Zur Berechnung der Kennlinie eines Sperrschicht-FET wird zunchst das folgende Modell be-
trachtet:
4. Feldeffekttransistoren Seite: 65
Der Verlauf der Spannung entlang des Kanals ist im folgenden Bild dargestellt:
An einem Wegelement der Lnge dy fllt die Spannung dU(y) ab.
d U y I d R y I
dy
e N z a w y
D D
n D
( ) ( )
( )

2
I
D
: Drainstrom
e : Elementarladung
N
D
: Dotierungskonzentration im Kanal

n
: Elektronenbeweglichkeit
z : Tiefe des Kanals
a : Halbe maximale Kanalbreite
w(y) : Breite der RLZ an der Stelle y
Die Breite w(y) der Raumladungszone eines stufenfrmigen pn-bergangs ist von der Span-
nung U(y) am bergang abhngig. Die Spannung U
Diff
ist die Diffusionsspannung des
pn-bergangs.
w y
U y U U
e N
Si GS Diff
D
( )
( )

+ +

2
dw y
dU y w y e N
d U y
e N
w y d w y
Si
D
D
Si
( )
( ) ( )
( ) ( ) ( )




1
2
2

4. Feldeffekttransistoren Seite: 66
Aus der Ausgangsgleichung ergibt sich die folgende Beziehung:
I dy e N z a w y d U y
D n D
2 ( ) ( )
In diese Gleichung wird der Ausdruck fr dU(y) eingesetzt. Der Drainstrom I
D
ist im Kanal
konstant und somit unabhngig von dy.
[ ]



) (
) 0 (
2 2
0
) ( ) ( ) (
2
L w
w Si
D n
L y
y
D
y w d y w y w a
z N e
dy I

( ) ( )
1
]
1


) 0 ( ) (
3
2
) 0 ( ) (
3 3 2 2
2 2
w L w w L w a
L
z N e
I
Si
D n
D

w L
U U U
e N
Si DS GS Diff
D
( )
+ +

2
w
U U
e N
Si GS Diff
D
( ) 0
2

1
1
]
1

,
_

+
+

,
_

+ +

2 / 3 2 / 3
3
2
3
2
P
Diff GS
P
Diff GS DS
P
DS
P D
U
U U
U
U U U
U
U
I I
mit: I
z e N a
L
P
n D
Si

2 2 3
U
e N a
P
D
Si

2
2
Die obige Gleichung gilt nur dann, wenn die Spannung U U U
DS GS Diff
<< + ist. Die Spannung
U
P
ist die sogenannte pinch-off-Spannung. Wenn U U U U
DS GS Diff P
+ + , dann wird der
Kanal des JFET am Drain gerade eingeschnrt und es fliet ab dann ein konstanter Sttigungs-
drainstrom.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 67
4.3. Halbleiterbergnge
Fr das Verstndnis von z.B. MOS-Feldeffekt-Transistoren oder Schottky-Kontakten sind
Kenntnisse ber die Phnomene von Halbleiterbergngen notwendig. In diesem Skript werden
einige technisch wichtige bergnge behandelt.
Das Grundproblem besteht darin, da Festkrpermaterialien mit unterschiedlicher Bandstruk-
tur in Kontakt gebracht werden und die entstehende Kontaktspannung ermittelt werden mu.
Zur Berechnung wird eine bei allen Materialien gemeinsame Bezugsenergie gesucht, so da die
Fermi-Energieniveaus in Bezug gesetzt werden knnen. Die Bezugsenergie ist die "Vakuum-
Energie" (vacuum level) der Elektronen. Der Abstand der Fermi-Energie von der Vakuum-
Energie wird durch die "work-function" q beschrieben. Mit Hilfe der work-funktion ist die
Berechnung von Kontaktspannungen zwischen den verschiedenen Materialien mglich.
Beispiel: Bandstrukturen verschiedener Materialien
Werden zwei Materialien miteinander in Kontakt gebracht, so verluft im thermischen Gleich-
gewicht die Fermi-Energie auf konstantem Niveau durch die Materialien. Das bedeutet aber
gleichzeitig, da das Vakuum-Energieniveau (vacuum-level) eine Bandverbiegung (manchmal
auch einen "Sprung") erfhrt. Die Bandverbiegung des vacuum-levels bestimmt infolge der
gleichbleibenden work-function in den einzelnen Materialien die Bandverbiegung des Leitungs-
und des Valenzbandes.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 68
Die bergnge zwischen zwei Materialien werden im wesentlichen in vier Gruppen eingeteilt:
- Homobergnge: Dieses sind bergnge zwischen verschieden dotierten Halbleitermate-
rialien (Bsp.: pn-bergang einer Diode)
- Heterobergnge: Dieses sind bergnge zwischen verschiedenen Halbleitermaterialien
(Bsp.: GaAlAs/GaAs-Halbleiterlaser)
- Metall-Halbleiter-bergang, Schottky-Kontakt
- Mehrschichtstrukturen: Dieses sind z.B. Metall-Isolator-Halbleiter Schichtfolgen, wie sie
bei Feldeffekttransistoren mit isolierter Steuerelektrode vorkommen.
4.3.1. Homobergang
Bsp.: Abrupter pn-bergang, der mit dem Halbleiter 2 und dem Halbleiter 3 realisiert wird.
Bsp.: Abrupter n-n-bergang zwischen Halbleiter 1 und Halbleiter 2.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 69
4.3.2. Heterobergang
Beim Heterobergang grenzen zwei Halbleitergebiete verschiedener Kristallstruktur aneinan-
der. Dies hat gegenber einem Homobergang verschiedene neue Erscheinungen zur Folge:
Unterschiedliches Bandgap in den beiden Gebieten
Unterschiedliche Elektronenaffinitt in den beiden Gebieten
Auftreten von Zwischenschichteffekten: Hierbei handelt es sich um Gitterstrungen an der
Grenzflche, die oft zustzliche Energieterme im verbotenen Band bedingen und dann zu
unstetigen Potentialverlufen fhren.
4.3.3. Metall-Halbleiter-bergang, Schottky-Kontakt
Als Schottky-bergnge bezeichnet man bergnge zwischen Halbleitern und Metallen. Der
bergang kommt in Halbleitern als Kontaktierung zwischen Anschludrhten und den Halblei-
terzonen vor. In diesem Fall soll der bergang mglichst niederohmig sein.
Weiterhin wird der bergang zur Herstellung einer Diode benutzt. Diese Schottky-Diode wird
im wesentlichen in der HF-Technik bei Mikrowellenanwendungen eingesetzt.
Im Folgenden wird kurz erlutert, unter welchen Bedingungen der ohmsche Kontakt auftritt
und wann der bergang eine Diodencharakteristik besitzt. Bei der Betrachtung werden St-
rungen an der Grenzflche durch Zwischenschichtladungen vernachlssigt.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 70
Ohmscher Kontakt:
Weit die work-function der Elektronen im Metall einen kleineren Wert auf als die der
Elektronen in einem n-Halbleiter, so knnen bei Kontaktbildung die Elektronen des Metalls
mit grerer Wahrscheinlichkeit als die Elektronen des Halbleiters in das andere Gebiet
bertreten. Es bildet sich eine Anreicherungsschicht im n-Halbleiter, die eine niederohmige
Zwischenschicht bildet, wie sie fr ohmsche Kontakte gewnscht wird.
Leider ist es aber nur in den seltensten Fllen mglich, ohmsche Kontakte durch eine An-
reicherungsschicht zu realisieren.
Bei Kontaktierungen von Halbleiterbauelementen wird im allgemeinen absichtlich ein Kon-
takt mit Sperrcharakteristik (Verarmungsrandschicht und somit Raumladungszone) ge-
schaffen. An der Kontaktstelle wird die Dotierung stark erhht (p
+
, n
+
10
20
cm
-3
), so
da die Verarmungszone sehr dnn ist (W
RLZ
liegt im Bereich weniger Nanometer).
4. Feldeffekttransistoren Seite: 71
Unter diesen Voraussetzungen haben die Elektronen dann die Mglichkeit, die Raumla-
dungszone in beide Richtungen nach dem quantentheoretischen Tunneleffekt zu durchque-
ren. Hierbei ergibt sich ein nahezu ohmsches Verhalten am bergang. Dies ist die Funkti-
onsweise der meisten ohmschen Kontaktstellen, die einen mglichst geringen Widerstand in
beiden Stromrichtungen aufweisen sollen.
Schottky-Diode:
Bei der Schottky-Diode wird ein Metall-Halbleiterbergang mit Sperrcharakteristik be-
nutzt, der auf eine Diodenkennlinie fhrt. Der Schottky-Kontakt entsteht, wenn die work-
function der Ladungstrger des Halbleiters kleiner ist als die beim Metall. Der Unterschied
zu dem eben beschriebenen "ohmschen bergang" liegt darin, da das Halbleitermaterial
nicht so hoch dotiert ist. Infolgedessen sind die Bnder am bergang nicht so stark ge-
krmmt und die Verarmungsrandschicht ist wesentlich breiter. Schottky-Dioden knnen
mit n- und mit p-dotierten Halbleitermaterialien aufgebaut werden. Im folgenden Bild ist
ein Schottky-Kontakt mit Elektronen-Verarmungsrandschicht (Metall n-Halbleiter-ber-
gang) dargestellt. Die eingezeichnete Schottky-Barriere ist die Energie, die ein Elektron
zum bergang aus dem Metall in den Halbleiter bentigt.

4.3.4. Mehrschichtstrukturen, MOS-Grenzflche
Beim MOS-bergang (Metall-Oxid-Semiconductor) werden drei verschiedene Werkstoffgrup-
pen miteinander in Verbindung gebracht:
Metall oder polykristallines Silizium,
isolierendes Oxid,
dotierter Halbleiter.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 72
Werden ein Metall, ein Isolator (Siliziumoxid) und ein n-dotierter Siliziumhalbleiter zusam-
mengefgt, so ergibt sich das folgende Bndermodell:
ber dem Isolator fllt die Spannung U
i
ab. Zusammen mit dem Spannungsabfall U
B
der
Bandverbiegung bildet sie die Kontaktspannung U
K
.
U U U
K i B
+
Bei einem MOS-bergang hngt die Kontaktspannung unter anderem vom Material des Me-
talls ab. Dies ist dadurch erklrbar, da die Kontaktspannung U
K
ber der MOS-Grenzflche
von der work-function des Gate-Metalls abhngt. Die work-function ist bei verschiedenen
Metallen unterschiedlich.
Eine anschauliche Erklrung erhlt man , wenn man sich einen "kurzgeschlossenen" MOS-
bergang vorstellt. Mit Hilfe der Theorie der Thermoelemente ist dann im Fall des thermischen
Gleichgewichts die Aussage mglich, da die Summe aller Kontaktspannungen null sein mu:
U U U mit U U U
MOS Al Si MOS i B
+
!
/
0
4. Feldeffekttransistoren Seite: 73
Bei einem MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET), welcher ber das isolierte Gate gesteuert
wird, hngt die Schwellspannung vom Material des Gates ab. Dies lt sich mit der Abhngig-
keit der Kontaktspannung vom Gatematerial begrnden. Als Gatematerial wird sehr hufig bei
einem MOS-Transistor anstelle des Metalls polykristallines Silizium verwendet.
Eine in der Sensortechnologie sehr interessante Mglichkeit stellt ein MOS-Transistor dar, der
seine Schwellspannung (Kontaktspannung) durch Umgebungseinflsse verndert. Durch Ver-
wendung spezieller Gatematerialien ist ein Aufbau ionensensitiver oder gassensitiver Feldef-
fekttransistoren mglich.
4.3.5. Grenzflchenstrungen
Bei den vorhergehenden Betrachtungen von Halbleiterbergngen wurde die Annahme ge-
macht, da an den Grenzflchen keinerlei Strungen auftreten (ideale bergnge). In der Rea-
litt sind aber immer Grenzflchenstrungen vorhanden. Diese wirken sich oftmals sogar so
stark aus, da die idealen Annahmen zu vllig falschen Ergebnissen fhren wrden. Bei Bau-
elementen, die Grenzflcheneffekte nutzen, knnen die Strungen an der Grenzflche erhebli-
che Beeintrchtigungen bewirken oder den gewnschten Effekt ganz verhindern. Im Folgenden
werden die an einem MOS-bergang auftretenden Strungen behandelt. Sie werden in zwei
Gruppen aufgeteilt:
Oxidladungen und Grenzflchenladungen
Grenzflchenzustnde
4. Feldeffekttransistoren Seite: 74
Oxidladungen und Grenzflchenladungen
Das Oxid enthlt ortsfeste positive Ladungen. Diese beeinflussen die Kontaktspannung
am MOS-bergang. Beim MOSFET ndert sich entsprechend die Schwellspannung.
Weiterhin gibt es im Oxid "langsam bewegliche" positive Ladungen. Dies sind im we-
sentlichen Natrium- und Kalium-Ionen, die durch ihre Wanderung im Oxid den Zu-
stand und die Eigenschaften von MOS-Bauelementen zeitlich verndern.
Grenzflchenladungen knnen sowohl durch ionisierte Fremdatome entstehen, als auch
durch Fehlstellen im kristallinen Aufbau (ungepaarte Bindungsarme an der Si/SiO
2
-
Grenzflche) verursacht werden.
Die verschiedenen Ladungen im Oxid und an der Grenzflche berlagern sich in ihrer Wirkung
ungestrt. Einen wesentlichen Einflu erlangen die positiven Ladungen dadurch, da sie im
Metall und im Halbleiter negative Spiegelladungen erzeugen. Mit Hilfe der Poissongleichung
kann die sich daraus ergebende Feldverteilung errechnet werden. Hieraus lt sich dann der
Einflu auf die Bandstruktur bestimmen.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 75
Grenzflchenzustnde
Grenzflchenzustnde treten dann auf, wenn ungesttigte Bindungen infolge des
Kristallendes oder durch Verunreinigungsatome vorhanden sind. Die Energieniveaus
liegen im verbotenen Band (Tiefe Zentren).
Die tiefen Zentren liegen im Bndermodell energiemig unterhalb des Ferminiveaus,
welches wiederum unterhalb dem Energieniveau der Dotierungsatome liegt. Bei
Raumtemperatur verringert sich an der Grenzflche die Anzahl der Elektronen im Lei-
tungsband um ca. 30%...50%, da die Elektronen die tiefen Zentren besetzen. Infolge
der verringerten Elektronenanzahl im Leitungsband verschiebt sich das Fermi-
Energieniveau an der Grenzflche in Richtung Bandmitte. Das bedeutet, da die tiefen
Zentren kompensierend auf die Dotierung wirken. Diese Aussage gilt auch bei
p-dotierten Halbleitern. Sie ist unabhngig vom Dotierungstyp.
Beim MOSFET behindern die tiefen Zentren die Bildung einer Inversionsschicht. Eine
zu groe Anzahl von tiefen Zentren im Halbleitermaterial war der wesentliche Grund
dafr, da bei den ersten Versuchen mit Feldeffekttransistoren (1930) kein leitfhiger
Kanal erzeugt werden konnte und die Versuche scheiterten.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 76
4.4. MOS-Feldeffekttransistor
Beim Sperrschicht-FET erfolgt die Steuerung der Drainstromstrke durch eine Beeinflussung
des Kanalquerschnitts in Abhngigkeit der Gate-Source-Spannung. Eine andere Mglichkeit,
die Drainstromstrke zu steuern, besteht darin, die Leitfhigkeit des Kanals durch ein elektri-
sches Feld zu beeinflussen. Dies wird beim MOS-Feldeffekttransistor (MOS: metal-oxid-se-
miconductor) ausgenutzt.
4.4.1. Funktionsprinzip des MOSFET
Das Funktionsprinzip wird an einem n-Kanal MOSFET (Anreicherungstyp oder selbstsperren-
der MOSFET) veranschaulicht. In einem p-dotierten Siliziumkristall (Bulk) sind nebeneinander
zwei hochdotierte n
+
-Zonen eindiffundiert. Die beiden Zonen bilden die Anschlsse fr Source
und Drain. Der Source-Anschlu ist im allgemeinen immer mit dem Bulk elektrisch leitend ver-
bunden. Zwischen der Source- und der Drain-Elektrode ist der Gateanschlu durch eine Oxid-
schicht isoliert vom Substrat angebracht.
Zwischen den beiden n
+
-dotierten Zonen und dem p-Substrat bilden sich Raumladungszonen.
Wird zwischen Drain und Source eine Spannung U
DS
angelegt, so so verkleinert sich die
Sperrschicht im Bereich um Source. Die Sperrschicht der Drain-Zone verbreitert sich dagegen
und verhindert einen Stromflu zwischen Source und Drain.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 77
Wird zwischen Gate und Source eine Spannungsquelle so geschaltet, da das Gate gegenber
Source positiv ist, so bildet sich zwischen Gate und Source ein elektrisches Feld. Infolge dieses
Feldes wandern Elektronen (Minorittstrger) aus dem p-Substrat an die Silizium-Silizi-
umoxid-Grenzflche, wo demnach eine Elektronenanreicherung stattfindet. Wird die Anzahl
der Elektronen grer als die der Lcher, so entsteht ein sogenannter n-leitender Inversionska-
nal und es kann ein Strom zwischen Source und Drain flieen. Da die Gateelektrode isoliert
angebracht ist, erfolgt die Steuerung der Drainstromstrke nahezu leistungslos.
4.4.2. Bildung einer Inversionsschicht an der MOS-Grenzflche
Ausgehend von den im vorhergehenden Abschnitt gemachten Betrachtungen ber MOS-
Grenzflchen, entsteht bei dem hier vorliegenden MOS-Transistor im spannungslosen Zustand
(U
GS
= 0) das folgende Bndermodell:
Die work-function des Metalls ist grer als die des Silizium-Substrats. Infolgedessen tritt an
der Grenzflche im Substrat eine Elektronenverarmung auf. ber dem Oxid liegt die negative
Spannung U
i
an.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 78
Wird an den MOSFET eine positive Gate-Source-Spannung U
GS
angelegt, so entsteht ein
elektrisches Feld zwischen Gate-Source und infolge der leitenden Source-Bulk-Verbindung
auch ein Feld zwischen Gate-Bulk. Aus dem Substrat und aus dem Sourcegebiet wandern
Elektronen an die Halbleiteroberflche. Die Bandstruktur erfhrt an der Halbleiteroberflche
infolge der Elektronenanreicherung eine derartige Verbiegung, da sich das Leitungsband dem
Fermi-Energieniveau annhert. Eine Inversionschicht entsteht dann, wenn der Energieabstand
des Leitungsbandes zum Ferminiveau E
1
kleiner ist als der Energieabstand E
2
des Valenzban-
des zum Fermi-Energieniveau.
Die Inversionsschicht ist dort vorhanden wo E x E x
2 1
( ) ( ) >
Die Schwellspannung, also der Beginn der Inversion, wird bestimmt durch:
1. Dotierung (Lage des Fermi-Niveaus)
2. Unterschied in der work-function von Metall und Halbleiter, also von der "anfnglichen
Bandverbiegung"
3. Dicke der Oxidschicht
4. Feldeffekttransistoren Seite: 79
4.4.3. Kennlinien des selbstsperrenden MOSFET
a) Eingangskennlinie:
b) Ausgangskennlinienfeld:
4. Feldeffekttransistoren Seite: 80
4.4.4. Berechnung der Gleichstromkennlinie eines MOSFET
Zur einfachen Berechnung der Gleichstromkennlinie I f U U
D DS GS
( , ) wird der MOS-ber-
gang als Plattenkondensator mit der Kapazitt C
i
angenommen.
C
b L
w
i
i
i

i
: Dielektrizittskonstante des Oxids
b : Kanalbreite
L : Kanallnge
w
i
: Dicke der Oxidschicht
Wenn ber dem isolierenden Oxid die Spannung U
i
anliegt, dann wird an der Halbleiterober-
flche die negative Ladung Q
N
influenziert.
Q C U
N i i

Die negative Ladung Q
N
setzt sich aus zwei Anteilen zusammen:
Q Q Q
N n n
+
0
Q
n0
: Unbeweglicher Anteil der influenzierten Ladung.
Q
n
: Bewegliche influenzierte Elektronen, die an der Oberflche den n-Kanal
verursachen. Die beweglichen Elektronen tragen den Drainstrom.
Der Strom durch den Kanal ist ein reiner Feldstrom:
I e b w n
d U y
dy
n n

( )
b : Kanalbreite.
w
n
: Breite des Inversionskanals.

n
: Elektronenbeweglichkeit im Kanal.
n : Elektronendichte im Kanal.
U(y) : Spannungsabfall entlang des Kanals, bezogen auf Source.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 81
Fr die weitere Berechnung wird die Annahme getroffen, da sich die beweglichen influenzier-
ten Ladungen Q
n
gleichmig ber das Kanalvolumen verteilen. Fr eine exaktere Rechnung
mu man den Verlauf der Elektronenkonzentration an der Halbleiteroberflche ermitteln. Die
Elektronenverteilung ist so beschaffen, da an jeder Stelle der entstehende Feldstrom in
x-Richtung durch einen Diffusionsstrom ausgeglichen wird Es zeigt sich dabei, da der Verlauf
der Elektronenverteilung ein Maximum an der Halbleiteroberflche hat und zum Substrat nhe-
rungsweise quadratisch abfllt.
Bei der fr diese Rechnung angenommenen Elektronengleichverteilung im Kanal, lt sich die
folgende Elektronendichte berechnen:
n
Q
e b L w
Q Q
e b L w
C U Q
e b L w
U U
e w w
n
n
N n
n
i i n
n
i i p
i n











( ) ( )
( )
0 0

In der Gleichung ist U
p
die sogenannte Schwellspannung. Sie mu mindestens zwischen dem
Gate und dem Substrat anliegen, damit bewegliche Elektronen entstehen. Ist die Spannung U
i
kleiner als die Schwellspannung U
p
, so werden die influenzierten Ladungen nur zum Ausgleich
der Akzeptorladungen und zum Auffllen der tiefen Zentren verwendet. Die Spannung U
p
ist
folgendermaen definiert:
U
Q
C
p
n
i

0
Wenn im Kanal ein Strom fliet, so entsteht entlang des Kanals der Spannungsabfall U(y). Mit
Hilfe der Gate-Source-Spannung kann die Spannung ber dem Oxid an der Stelle y berechnet
werden:
U y U U y
i GS
( ) ( )
Hiermit folgt fr die Dichte der beweglichen Elektronen:
n y
U U y U
e w w
i GS p
i n
( )
( ( ) )

4. Feldeffekttransistoren Seite: 82
Die Gleichung fr die Elektronendichte wird in die Gleichung fr den Kanal-Feldstrom einge-
setzt:
I
b
w
U U y U
d U y
dy
n i
i
GS p




( ( ) )
( )




DS
U L U
U
p GS
i
i n
L y
y
y dU U y U U
w
b
dy I
) (
0 ) 0 ( 0
) ( ) ) ( (

Die Integration liefert fr den Drainstrom die folgende Strom-Spannungs-Kennlinie, die nur fr
den Bereich U U U
DS GS p
( ) gilt:
1
]
1

2
) (
2
DS
DS p GS
i
i n
D
U
U U U
w L
b
I

Fr U U U
DS GS p
( ) ist die Spannung ber dem Oxid am Drain gleich der Schwellspannung
und es wird dort kein Inversionskanal mehr angereichert. Der Kanal ist fr U U U
DS GS p
( )
eingeschnrt (pinch off). Der Drainstrom I
D
steigt bei Kanaleinschnrung nicht mehr mit der
Drain-Source-Spannung U
DS
an, sondern verluft nahezu konstant. Fr den Einschnr- oder
Sttigungsbereich gilt mit U U U
DS GS p
( ) die folgende Gleichung:
I
b
L w
U U
D Stt
n i
i
GS p
,
( )




2
2
Die Kennlinien fr den aktiven Bereich und den Einschnrbereich stimmen hinsichtlich ihrer
Spannungsabhngigkeit mit der Kennlinie einer exakten Rechnung berein. Jedoch mu bei ei-
ner exakteren Rechnung die Schwellspannung U
p
mit Hilfe der inneren Ladungsverteilung und
der Bercksichtigung von Grenzflchenzustnden ermittelt weden. Weiterhin mu die oben
schon erwhnte Elektronenverteilung im Halbleiter bercksichtigt werden.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 83
4.4.5. Varianten von MOS-Feldeffekttransistoren
Bei MOS-Feldeffekttransistoren werden abhngig von der Art der Inversionsschicht vier
Grundtypen unterschieden.
Im Bild sind fr die vier Grundtypen der prinzipielle Aufbau, das Eingangs- und das Ausgangs-
kennlinienfeld dargestellt. Bei MOSFET werden bevorzugt n-Kanal-Typen verwendet, da die
Ladungstrgerbeweglichkeit grer ist als bei p-Kanal-Typen.
4. Feldeffekttransistoren Seite: 84
Fast ausschlielich werden MOS-Feldeffekttransistoren (und auch Bipolartransistoren) aus Si-
lizium hergestellt. Anhand einiger Punkte werden die Vorteile von Silizium gegenber z.B.
GaAs erlutert:
Silizium: - gute elektrische Leitfhigkeit
- gute Sttigungseigenschaften (Oxidbildung)
- sehr gute mechanische Eigenschaften von SiO
2
- indirekter Halbleiter, lange Ladungstrgerlebensdauer
GaAs: - keine Oxidschicht, knstliche Isolierschicht wird aufgebracht
- direkter Halbleiter, kurze Ladungstrgerlebensdauer
4.4.6. Zweidimensionale Effekte beim MOSFET
Der wesentliche zweidimensionale (laterale) Effekt wird durch die endliche Leitfhigkeit des
Poly-Siliziums-Gate oder des Gate-Metalls verursacht. Infolge des auftretenden Lateralwider-
standes im Gate kommt es in Kombination mit der Gatekapazitt zu R-C-Problemen, die sich
besonders bei schnellen Schaltvorgngen sehr strend bemerkbar machen.
Beispiel: D-MOSFET
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 85
5. Spezielle Halbleiterbauelemente
Spezielle
Halbleiterbauelemente
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 86
5.1. Halbleiterlaser
5.1.1. Halbleiterlaser I
Der Name Laser (light amplification by stimulated emission of radiation) deutet an, da seine
Funktion auf der Verstrkung von Strahlung durch stimulierte Emission beruht. Generell bei
allen Lasern mssen folgende Voraussetzungen erfllt sein:
1. Medium mit Besetzungsinversion. Hieraus folgt die vorherrschende induzierte
Emission
2. Optisches Resonatorsystem (gebildet aus den beiden reflektierenden Endflchen)
Realisierung des Halbleiterlasers:
Der grundlegende physikalische Mechanismus bei der Strahlerzeugung mit Halbleitern ist die
Wechselwirkung von Photonen mit Ladungstrgern im Leitungs- und Valenzband des Kristalls.
Damit eine strahlende Rekombination auftreten kann, mu es sich um einen direkten Halbleiter
handeln.
Ein Halbleiterlaser kann durch eine pin-Diode realisiert werden:
Doppel-Heterostruktur-Laser: pin-Diode
i : GaAs
p n
+ +
, : Ga Al As
x x ( ) 1
Heterostrukturen weisen einen erhhten Bandabstand auf. Durch den erhhten Bandabstand
wird das Eindringen von Minoritts-Trgern behindert. Desweiteren ist der Brechungsindex
leicht vermindert, dadurch hat die Struktur Lichtwellenleiter-Eigenschaften.
Funktionsweise des Halbleiterlasers:
1. Fall: Spontane Emission
Laser durchlagepolt.
Konzentration im Intrinsik-Gebiet:
n N
i c ( )
<
p N
i v ( )
<
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 87
Lichtemission durch spontane Emission (Rekombination). Die induzierte Generation berwiegt
die induzierte Rekombination. Der Halbleiterlaser wird unterhalb des Schwellstroms betrieben.
Im folgenden Bild ist die spontane Emission am Bndermodell von GaAs veranschaulicht.
2. Fall: Stimulierte Emission
Laser durchlagepolt.
Konzentration im Intrinsik-Gebiet:
n
i ( )
p N N
i c v ( )
, >> (hohe Stromdichten)
Der Effekt der stimulierten Emission tritt dann auf, wenn ein Photon mit einer dem Bandab-
stand entsprechenden Frequenz (hE
g
) mit einem Leitungselektron in Wechselwirkung tritt.
Dieses Photon stimuliert dann den Elektronenbergang vom Leitungsband in das Valenzband.
Die induzierte Rekombination berwiegt. Um den Proze der stimulierten Emission wahr-
scheinlicher zu machen, mu eine Inversion der Ladungstrger erreicht werden. Dies bedeutet,
da die Anzahl der Elektronen im Leitungsband und die Anzahl der Lcher im Valenzband
stark erhht wird. Um die hohen Besetzungsdichten im Leitungsband und im Valenzband zu
erreichen, ist ein bestimmter Mindeststrom (Schwellstrom I
s
) notwendig.
Bemerkenswert ist, da bei der stimulierten Emission das generierte Photon hinsichtlich Wel-
lenlnge, Phase, Polarisation und Ausbreitungsrichtung mit dem stimulierten Photon
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 88
bereinstimmt. Die stimulierte Emission entspricht einer Verstrkung des einfallenden Photons.
Im folgenden Bild ist die stimulierte Emission am Bndermodell von GaAs veranschaulicht.
Laserkennlinie
Darstellung der optischen Ausgangsleistung P
opt
eines Halbleiterlasers in Abhngigkeit vom
Diodenstrom I
F
. Der Schwellstrom I
S
ist "alterungs-abhngig", d.h. er steigt mit wachsender
Betriebszeit.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 89
Emissionsspektrum des Lasers:
a) Unterhalb des Schwellstroms (I
F
< I
S
)
b) Oberhalb des Schwellstroms (I
F
>> I
S
)
Das optische Resonatorsystem bestimmt die Periodenlnge im "Modenkamm". Derjenige
Schwingungszustand, der am dichtesten am Maximum der Verstrkungskurve des pn-ber-
gangs liegt (Mode
0
), setzt sich durch. Er kann wegen verstrkter stimulierter Emission auf
Kosten der anderen Schwingungszustnde wachsen. Eventuell kann infolge von Temperatur-
einflssen ein Moden-Springen auftreten.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 90
Aufbau eines GaAlAs/GaAs-Halbleiterlasers (Hetero-Struktur)
Prinzipiell ist der Laser folgendermaen aufgebaut:
1 n-GaAlAs-Heteroschicht
2 "Laser-Untaugliches-Gebiet"
3 p-GaAlAs-Heteroschicht
4 Aktive Zone, optische Fhrung
5 Spiegelnde Endflchen ("Optisches Resonatorsystem")
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 91
5.1.2. Halbleiterlaser II
Halbleiterlaser (pin-Diode) in Durchlapolung bei hohem Durchlastrom. Hohe Injektion im
intrinsischen Gebiet:
Bei hoher Durchlapolung (hohe Injektion):
Groe Ladungstrgerkonzentration im n

-Gebiet. Die n

-Schicht wird in einen Zustand hoher


Leitfhigkeit gebracht. Die hohe Leitfhigkeit ist wichtig bei Leistungsdioden. Dort erhlt man
infolge der Konzentrationsanhebung eine um zwei Zehnerpotenzen hhere Leitfhigkeit. Ein
Nachteil entsteht in schnellen Leistungsschaltungen dadurch, da das Plasma nicht schnell ge-
nug abgebaut werden kann.
Beim Laser wird die pin-Diode im Zustand der hohen Injektion betrieben (Plasmakonzentration
im intrinsischen Gebiet). Ein Problem entsteht dadurch, da die Minorittstrgerkonzentratio-
nen in den hochdotierten Gebieten quadratisch mit der Plasmakonzentration ansteigen. Die La-
dungstrger "laufen" aus dem intrinsischen Gebiet weg und rekombinieren dort nicht.
Um dies zu verhindern, haben die hochdotierten Schichten ein um E
g
breiteres Bandgap
(Heterostrukturen). Hierdurch wird die Injektion von Ladungstrgern aus dem intrinsischen
Gebiet in die hochdotierten Zonen um e
E k T
g
/
reduziert. Beispiele sind die GaAs/GaAlAs-
Heterostrukturlaser.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 92
5.2. Strahlungsempfnger aus Silizium
Alle in diesem Abschnitt behandelten Bauelemente beruhen auf der Wechselwirkung optischer
Strahlung mit dem Festkrper, also von Photonen mit Ladungstrgern wie Elektronen und
Lchern. Betrachtet wird hier im wesentlichen der fr GaAs-Strahlung typische Wellen-
lngebereich von 700...950 nm.
Um die Funktion der Bauelemente zu verstehen, mssen einige eng mit der Bandstruktur ver-
knpfte physikalische Gren herangezogen werden. Desweiteren mu der Lichtempfnger
noch bestimmte Kriterien erfllen.
Optischer Absorptionskoeffizient und mittlere optische Eindringtiefe:
Die elektomagnetische Strahlung liegt in Form von Photonen vor. Jedes Photon besitzt die
folgende Energie: W h
ph

Wenn sich ein Photonenstrom mit der am Ort x=0 vorhandenen Dichte
0
durch einen Halb-
leiter fortpflanzt, dann nimmt die Photonenstromdichte nach der Strecke x folgendermaen ab:


( ) x e
x


0
wird als optischer Absorptionskoeffizient bezeichnet. Der Kehrwert von ist die mittlere
optische Eindringtiefe. Der Absorptionskoeffizient und die mittlere optische Eindringtiefe sind
bei verschiedenen Wellenlngen unterschiedlich.
Weiterhin wird die Annahme getroffen, da die "innere" Quantenausbeute bei eins liegt. Das
bedeutet, da jedes Lichtquant ein Elektron-Loch-Paar erzeugt.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 93
Kriterien fr Lichtempfnger:
1. Empfindlichkeit (Verhltnis von Signalleistung zur Lichtleistung)
2. Ansprechgeschwindigkeit, Grenzfrequenz
3. Signal-Rausch-Verhltnis
4. Linearitt
Angemerkt sei noch, da spezielle Kenngren durch Zusammenfassung der Punkte 1. und 3.
gebildet werden.
Wichtige Bauelemente als Strahlungsempfnger:
Im wesentlichen handelt es sich um drei Bauelemente:
a) pin-Fotodiode
b) Fototransistor
c) Avalanche-Fotodiode
a) pin-Fotodiode
Fotodioden knnen mit direkten und indirekten Halbleitern gebaut werden. Sie arbeiten in dem
durch E
ph
> E
g
bestimmten Wellenlngenbereich. Die besten Fotodioden werden aus Silizium
gefertigt. Ihr prinzipieller Aufbau ist in dem folgenden Bild dargestellt:
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 94
Fotodioden werden in Sperrichtung betrieben. Fr die vernnftige Betriebsweise ist eine Min-
destsperrspannung an der pin-Diode erforderlich.
Die Verarmungszone umfat die gesamte eigenleitende Schicht und erstreckt sich wegen der
hohen Dotierung nur sehr minimal in die angrenzenden Bereiche. Der Ladungstrgertransport
durch Diffusion und somit das Auftreten von Rekombinationen soll vermieden werden.
Der Feldstrkeverlauf fhrt dazu, da jedes Photon ausgenutzt wird (Erzeugung von Elek-
tron-Loch-Paaren). Somit trgt jedes Elektron und Loch zum Stromtransport bei.
pin-Fotodioden sind "schnelle" Dioden, da die Ladungstrger schnell ausgeschwemmt werden
und weiterhin die Raumladungskapazitt gering ist.
Konsequenzen aus dem Feldstrkeverlauf:
Beispiel: Viele Elektronen-Loch-Paare wurden erzeugt.
Feldstrkeverlauf am vereinfachten Modell:
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 95
Annahmen:
Dotierungskonzentration im nherungsweise intrinsischen Gebiet: p
-
510
13
cm
-3
Eine hohe Stromdichte wurde erzeugt: J = 100 A/cm
2
J p q v
drift

p
J
q v
A cm
As cm s
cm
drift
100
1 6 10 10
0 6 10
2
19 7
14 3
/
, /
,
Die Anzahl der beweglichen Lcher ist grer als die Dotierungskonzentration. Die Raumla-
dungszone wird durch die bewegten Ladungstrger verndert. Der Effekt, bei dem bewegte
Ladungstrger nicht rechtzeitig ausgerumt werden knnen und somit die Raumladungszone
beeinflussen, wird bei Hochfrequenzbauelementen ausgenutzt und beeinflut auch das Schalt-
verhalten von bipolaren Leistungsbauelementen.
Das folgende Bild zeigt den Feldstrkeverlauf bei Stromfluss:
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 96
b) Fototransistor
Ein Fototransistor liefert eine Verstrkung des Fotostroms. Im folgenden Bild ist das Schema
eines bipolaren Fototransistors dargestellt:
Die Basis ist beim Fototransistor meist nicht angeschlossen. Die einfallende optische Strahlung
P
opt
fllt auf den Basis-Kollektorbergang und erzeugt im Basisgebiet als auch im angrenzen-
den Kollektor Elektronen-Loch-Paare. Der in Sperrichtung gepolte Basis-Kollektorbergang
saugt in Kollektorrichtung die Elektronen ab, drckt aber auch die Lcher in die Basis. Da-
durch wird die Basis positiver gegenber dem Emitter und der Basis-Emitterbergang wird
strker in Durchla getrieben. Emitterstrom und somit auch Kollektorstrom werden erhht.
Fototransistoren sind infolge von Minorittstrgereffekten in der Basis nur von begrenzter Ge-
schwindigkeit.
Da der Kollektorbergang im Fototransistor wie eine Fotodiode arbeitet, kann fr die Mo-
dellbildung der Transistor von der Fotodiode getrennt werden. Das sich ergebende Ersatz-
schaltbild ist auch im physikalischen Aufbau funktionstchtig.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 97
c) Avalanche-Fotodiode (Lawinenfotodiode)
Dotierungsstruktur einer Avalanche-Fotodiode und sich ergebender Feldstrkenverlauf:
Die obige Struktur bietet prinzipiell die Mglichkeit, durch Erhhung der Sperrspannung bis
nahe an die Durchbruchspannung eine innere Verstrkung des Fotostroms infolge des Avalan-
che-Effektes zu erreichen. Die elektrische Feldstrke liegt dann im Bereich hoher
"Trgermultiplikation" und die Verstrkung der Elektronen-Loch-Paare erreicht ungefhr den
Faktor 10...50.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 98
5.3. Solarzellen
Ein pn-bergang, welcher mit der optischen Leistung P
opt
bestrahlt wird, arbeitet als Solar-
zelle, wenn er seine erzeugte Leistung an einen Lastwiderstand R
L
abgeben kann. Bei Licht-
einwirkung gilt fr den pn-bergang eine um I
Phot
zum "normalen" pn-bergang verschobene
Schockley'sche Kennlinie:
( ) [ ]
q
T k
U mit I e I U I
T Phot
U U
T

1
/
0
Wird der pn-bergang so betrieben, da die Spannung ber dem pn-bergang und der Strom
durch den pn-bergang entgegengesetzt gepolt sind, so liegt eine Solarzelle ("Generator") vor.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 99
Planck'sches Strahlungsgesetz:
Die von der Sonne abgestrahlte spektrale Energiedichte u(,T) nach Planck lt sich als die
Energie h auffassen, die ein Photon der Frequenz zur Energiedichte u(,T)d beisteuert,
multipliziert mit einer Verteilungsfunktion w(,T) die angibt, wieviele Photonen der Frequenz
im Gesamtspektrum vorhanden sind. Das Spektrum der Sonne wird hierbei als das eines
schwarzen Strahlers angenommen.
( )
( )


d
e c
h
d T u
T k h




1
8
,
/
3
3
( ) ( ) ( )
( )
1
8
, , ,
/
2
3


T k h
e c
T w mit d T w h d T u



Durch Absorption weist die Sonne nicht exakt eine "schwarze Strahler Charakteristik" auf.
Solarzellen werden zur Stromerzeugung bei Satelliten oder bei erdgebundenen Anwendungen
eingesetzt. Aus diesem Grund ist eine Unterscheidung von verschiedenen Charakteristiken
sinnvoll:
AM
0
: auerhalb der Erdatmosphre.
AM
x
: auf der Erdoberflche. Die Charakteristik ist infolge Strahlungsabsorption in
der Atmosphre stark verformt.
Ladungstrgererzeugung im Halbleiter
Nur Photonen mit W W W h
Phot L V g
knnen Elektronen-Loch-Paare erzeugen. Photo-
nen, die eine hhere Frequenz als die Grenzfrequenz
g
haben, fhren zu einer Erwrmung des
Halbleitermaterials. Photonen mit einer Frequenz kleiner als die Grenzfrequenz, besitzen keine
ausreichende Energie um eine Ladungstrennung zu erreichen. Im folgenden Bild ist der bei
Siliziumsolarzellen vom Sonnenspektrum (T
Sonne
5900K) nutzbare Spektralanteil ge-
strichelt dargestellt. Weiterhin sind noch die Grenzwellenlngen fr andere Halbleitermate-
rialien eingezeichnet.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 100
Strahlungsabsorption im Halbleiter
Die auf den Halbleiter auftreffende Strahlung, mit der Strahlungsintensitt I
0
an der Halblei-
teroberflche, wird vom Halbleiter absorbiert:
( )
x
e I x I



0
ist der Absorptionskoeffizient. Er beschreibt die mittlere Eindringtiefe der Strahlung und
kann als Ma fr die Wahrscheinlichkeit einer Wechselwirkung des Photons angesehen wer-
den. Der Absorptionskoeffizient ist frequenzabhngig: = ().
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 101
Aufbau einer Silizium-Solarzelle
Auf einem ca. 0,5mm dicken p-dotiertem (p = 10
16
cm
-3
) Si-Substrat wird der pn-bergang
durch Aufbringen einer nur wenige m dicken n-Schicht realisiert. Die n-Schicht wird durch
eine netzartige Leiterbahn kontaktiert, die einen mglichst niederohmigen bergangswider-
stand aufweisen soll. Die lichtsammelnden Flchen werden mit einem SiO
2
-Film vergtet, um
Lichtreflexionen zu minimieren.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 102
5.4. Leistungsdiode
Als Leistungsdioden werden pin-Dioden mit hoher Plasmaberschwemmung des intrinsischen
Gebietes verwendet. pin-Dioden haben zwischen einem hochdotierten p
+
- und einem n
+
-Ge-
biet eine eigenleitende i-Schicht (oft auch eine schwach dotierte n- oder p-Schicht).

Wird die Leistungsdiode in Durchla betrieben, so werden vom p
+
-Gebiet Lcher und vom
n
+
-Gebiet Elektronen in die i-Schicht injiziert und es liegt der Zustand der Plasmaber-
schwemmung in der i-Schicht vor. Die sich ergebende Ladungstrgerverteilung ist im obigen
Bild dargestellt. Die pin-Leistungsdiode wird so dimensioniert, da der Spannungsabfall ber
dem i-Gebiet im Durchlabetrieb sehr klein ist.
Zum Durchlaufen des i-Schicht (Dicke der i-Schicht: w cm
n



10
2
) bentigen die Ladungs-
trger eine gewisse Zeit, die sogenannte Transitzeit
tr
.

tr
n
a
w
D
cm
cm s
s

2
4 2
2
10
20
5
/
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 103
Die Diffusionskonstante D
a
ergibt sich aus einer Mischkalkulation der Diffusionskonstanten
von Elektronen und Lchern:
D
D D
D D
cm
s
a
el h
el h


+
2 20
2
Beispiel: Anwendung einer Leistungsdiode in einer "Chopper-Schaltung" bei berwiegend
induktiver Last. Es wird der Fall angenommen, da der Transistor aus dem "Freilauf" heraus
eingeschaltet wird.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 104
In der Leistungsdiode mssen nach dem Einschalten des Transistors die Diffusionsladungen
abgebaut werden, um die Diode in den sperrenden Zustand zu bringen. Infolge eines ungleich-
migen Abbaus der Diffusionsladungen kann die Diode zerstrt werden, wenn die maximale
Feldstrke berschritten wird.. Im Betriebspunkt b ist der Widerstand R
RLZ
der entstehenden
Raumladungszone schon relativ gro, die Raumladungszone aber noch recht schmal.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 105
5.5. MOS-Transistor fr hohe Leistungen
Hochsperrende MOS-Transistoren (D-MOS: "Double diffused MOS" oder V-D-MOS) werden
nur als Schalttransistoren verwendet. Sie weisen die folgenden Vorteile auf:
leistungslose Steuerung am MOS-Gate,
hohe Stromstrken durch kleine Kanallnge (L 0,8 m) und Parallelschalten vieler Ein-
zeltransistoren zu Leistungs-Arrays,
sehr hohe Sperrspannungsfestigkeit infolge n
-
-Gebiet.
Struktur und Elektronenstromflu in MOS-Transistoren:
1. einfache MOS-Struktur (IC-Technik)
2. hhersperrende "DMOS"-Struktur (Hochspannungs-IC-Technik)
3. Leistungs-MOS-Transistor (V-D-MOS)
Bei Leistungs-MOS-Transistoren sind die maximale Drain-Source-Spannung U
DS
(Durch-
bruchspannung) und der Widerstand R
on
im eingeschalteten Zustand die wichtigsten Parame-
ter. Der Durchlawiderstand eines Leistungs-MOS-Transistors setzt sich aus dem Widerstand
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 106
des Kanalgebietes und dem Widerstand des n
-
-Gebietes zusammen. Hierbei berwiegt bei
hochsperrenden MOS-Transistoren (Sperrspannung grer 100 V) der Widerstand des
n
-
-Gebietes.
Ausbildung der Raumladungszonen in den drei MOS-Strukturen:
Bei D-MOS und V-D-MOS kann sich die Raumladungszone sehr weit in das n
-
-Gebiet aus-
dehnen. Dadurch wird eine hohe Sperrfhigkeit erreicht. Gleichzeitig erhlt man aber wegen
der schlechten Leitfhigkeit der n
-
-Schicht hohe Durchlawiderstnde. Zwischen dem Durch-
lawiderstand, der maximalen Sperrspannung und der Sperrschichttemperatur bestehen die
folgenden Beziehungen:
R U
on DS
~
,max
, 2 5
R T
on
~
2
Leistungs-Transistoren werden aus Silizium hergestellt. Die Maximaltemperatur einer Sperr-
schicht in Silizium darf generell 150C...170C nicht bersteigen.
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 107
5.6. Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
Ein IGBT entsteht, wenn ein V-D-MOS-Transistor anstatt auf einem n
+
-Substrat auf einem
p
+
-Substrat aufgebaut wird.
Im Normalbetrieb liegt am Kollektor gegenber dem Emitter eine positive Spannung an. Der
IGBT ist gesperrt, wenn zwischen Gate und Emitter die Spannung null Volt betrgt. Wird eine
positive Spannung zwischen Gate und Emitter angelegt, so gelangen Elektronen ber den
gebildeten MOS-Kanal aus dem n
+
-Gebiet in die n
-
-Schicht. Dieser Elektronenstrom wirkt fr
den PNP-Transistor als Basisstrom und schaltet den IGBT in den Durchlazustand.
Infolge der sehr breiten n
-
-Basis des PNP-Transistors ist die Stromverstrkung dieses Transi-
stors kleiner als eins. Das bedeutet, da sein Basisstrom grer als der Kollektorstrom ist.
Gleichzeitig mit dem Erreichen des Durchlazustandes gelangen aus der p
+
-Schicht (Kollek-
tor) Lcher in die n
-
-Basis des PNP-Transistors. Die Basis wird in den Zustand der hohen In-
jektion gebracht, also mit einem Elektron-Loch-Plasma berschwemmt. Hierin ist auch der
wesentliche Vorteil des IGBT gegenber einem V-D-MOS zu finden, da durch die ber-
schwemmung des n
-
-Gebietes des IGBT der Durchlawiderstand im Gegensatz zum VDMOS
um einen Faktor 10...100 verringert wird. Ein Nachteil der mit Elektronen und Lchern
berschwemmten n
-
-Schicht besteht darin, da beim schalten die Ladungen auf- und abgebaut
5. Spezielle Halbleiterbauelemente Seite: 108
werden mssen. Das bedeutet, da die gute Leitfhigkeit im Durchlabetrieb zu Lasten der
Schnelligkeit infolge der Speicherladung Q
s
geht. Im Gegensatz zum VDMOS hat der IGBT
erhhte Schaltzeiten und Schaltverluste.
Infolge der im IGBT vorhandenen parasitren Vierschichtstruktur (NPN-Transistor und PNP-
Transistor ergeben einen Thyristor) ist beim berschreiten von Strom- und Temperatur-
grenzwerten ein Einrasten (Latch-Effekt) mglich. Dabei geht die Steuerbarkeit verloren und
der IGBT wird zumeist zerstrt.
Fr einen IGBT mit dem obigen Aufbau wird das folgende Schaltzeichen verwendet: