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Formelsammlung

Grundlagen Elektronik

Thema

Bereiche

Seite

Grundlagen

Elektronenverteilung auf Atomschalen

1-3

Elementarladung

1-3

Elektronen in einer Ladungsmenge

1-3

Atommasse und –abmessungen

1-3

Elektronenleitung in Metallen

1-3

Widerstandberechnung

mit spezifischem Widerstand

1-4

mit spezifischer Leitfähigkeit

1-4

Grundformeln

Kreisfläche, Einheiten der Arbeit (Energie)

1-4

Spezifische Leitfähigkeit

wichtige Materialien

1-4

Eigenleitfähigkeit von Halbleitern

1-5

Elektronenablenkung

im elektrischen Feld

1-5

im magnetischen Feld

1-5

Grundlagen

Geschwindigkeit eines Elektron im Vakuum

1-6

Daten von Dioden BAY 18 und 1N4148

1-7

differenzieller Widerstand einer Diode

1-7

Spannung

Definition

1-8

Scheitelwert

1-8

Spitze-Spitze-Wert

1-8

Arithmetischer Mittelwert

1-8

Effektivwert

1-8

Gleichrichterschaltungen

M1-Schaltung (Einweg)

1-9

M2-Schaltung (Zweiweg-Mittelpunkt)

1-9

B2-Schaltung (Zweiweg-Brücken)

1-9

Glättung

Berechnung Bauteile

1-10

Glättungsfaktor

1-10

Stabilisierungsfaktor

1-10

E-Reihe

E6, E12 und E24-Reihe

1-11

Zener-Diode

Berechnung

1-11

Transistor

Darstellung normal und Ersatzschaltbild

1-12

Darstellung als Vierpol

1-12

Kennlinienfeld

1-12

Berechnungen am Transistor

1-13

Regeln für Wechselstrom-ESB

1-13

Arbeitspunkteinstellung

Basis-Spannungsteiler

1-14

Basis-Vorwiderstand

1-14

Stabilisierung des Arbeitspunktes

Stromrückkopplung

1-15

Spannungsrückkopplung

1-15

NTC-Rückkopplung

1-15

Emitterschaltung

Schaltbild

1-16

Eigenschaften

1-16

Wechselstrom-ESB

1-16

Oszillogramme

1-17

Kollektorschaltung

Schaltbild

1-18

Eigenschaften

1-18

Wechselstrom-ESB

1-18

Oszillogramme

1-19

Basisschaltung

Schaltbild

1-20

Eigenschaften

1-20

Wechselstrom-ESB

1-20

Formelsammlung

Grundlagen Elektronik

Thema

Bereiche

Seite

Basisschaltung

Oszillogramme

1-21

H-Parameter für Transistor

Berechnungen

1-22

Wechselstrom-ESB für Transistor

Berechnung und Darstellung

1-22

Transistor als Schalter

Schaltbild

1-23

Berechnungen

1-23

Kennlinie

1-23

Transistor und Induktivität

Schaltbild

1-24

Signalverlauf

1-24

Kennlinie

1-24

Transistor und Kondensator

Schaltbild

1-24

Signalverlauf

1-24

Kennlinie

1-24

Schaltzeiten von Transistoren

Signalverläufe

1-25

Berechnungen

1-25

Feldeffekttransistoren

Übersicht

1-26

Kennwerte

1-26

J-FET (selbstleitend)

Funktionsprinzip

1-27

Ansteuerung

1-27

Funktionsweise

1-27

Kennlinien

1-27

MOS-FET (selbstleitend)

Funktionsprinzip

1-28

Ansteuerung

1-28

Funktionsweise

1-28

Kennlinien

1-28

MOS-FET (selbstsperrend)

Funktionsprinzip

1-28

Ansteuerung

1-28

Funktionsweise

1-28

Kennlinien

1-28

Steuerkennlinie eines FET

Kennlinie

1-29

Berechnungen

1-29

Steilheit S eines FET

Berechnungen,typische Werte der FET-Typen

1-29

typische Werte der FET-Typen

1-29

Ausgangskennlinie eines FET

Kennlinie

1-30

Source-Schaltung

Schaltbilder

1-31

Wechselstrom-ESB

1-31

Berechnungen

1-31

1-32

Drain-Schaltung

Schaltbilder

1-33

Wechselstrom-ESB

1-33

Berechnungen

1-33

1-34

Gate-Schaltung

Schaltbilder

1-34

Wechselstrom-ESB

1-34

Berechnungen

1-35

Formelsammlung

Grundlagen Elektronik

Elektronenanzahl auf der jeweiligen Schale:

Z

= 2n

2

Z

n

= maximale Anzahl der Elektronen auf der Schale

= Nummer der Schale: K = 1, L = 2, M = 3, N = 4, O = 5, P = 6, Q = 7

Elementarladung:

e =

1,602 10

19

As oder C ( Coloumb )

Anzahl der Elektronen in einer Ladungsmenge:

Q Q = n • e n = e
Q
Q
= n • e
n =
e

n

= Anzahl der Elektronen

Q

= Ladungsmenge in As

e

= Elementarladung

Atommasse und –abmessungen:

Masse eines Proton:

Masse eines Neutron:

Masse eines Elektron:

1

1

1

Proton =

Neutron =

Elektron =

1,673 10

1,673 10

27

0,911 10

30

27

kg

kg

kg

Atomkernradius:

Schalenradius:

Geschwindigkeit der Elektronen (nicht auf allen Schalen gleich):

R =

u

=

cm 0,53 10

8

10

12

cm

V Elektron = 1000

km

s

Elektronenleitung in Metallen:

2 m • v K T • = 2
2
m • v
K T
=
2
2 m • v T = 2 • K
2
m • v
T =
2
• K

K = Bolzmannkonstante =

T

m

v = Geschwindigkeit in

= Temperatur in K

= Elektronenmasse

m

s

1,38 10

23 Ws

K

2 • K T • v = m
2
K T
v =
m

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Grundlagen Elektronik

Widerstandsberechnung mit spezifischem Widerstand und spezifischer Leitfähigkeit:

• l • l R A • R • A R = ρ A =
• l
• l
R A
R • A
R
= ρ
A
= ρ
l =
ρ =
A
R
ρ
l
1
1
ρ
=
χ
=
χ
ρ

R = Widerstand in Ohm

ρ = spezifischer Widerstand ( Rho ) in

Ω• mm

2

m

l = Länge in m

A = Querschnittsfläche in mm 2

χ = spezifische Leitfähigkeit in

m

Ω• mm

2

=

10

4

cm

Rho kann auch noch anders berechnet werden:

1 ρ = n • e • b
1
ρ =
n • e • b

n

e

= Elektronendichte ( Anzahl / cm 3 )

= Elementarladung

b

Geschwindigkeit in

= Elektronenbeweglichkeit = elektrischeFeldstärke

cm

2 cm s = V Vs
2
cm
s
=
V
Vs

cm

Grundformeln: d A = r 2 •π r = 2
Grundformeln:
d
A
=
r
2 •π
r =
2
2 •π A = d 4
2 •π
A = d
4

1 Nm = 1 Ws = 1 J = 1 VAs

Spezifische Leitfähgkeit:

Spezifische Leitfähigkeit von Kupfer:

Spezifische Leitfähigkeit von Silber:

Spezifische Leitfähigkeit von Gold:

Spezifische Leitfähigkeit von Alu:

χ

Cu

χ

Ac

χ

Au

χ

Al

=

=

=

=

56

62

m

Ω• mm

m

2

Ω• mm

2

48

m

Ω• mm

2

36

m

Ω• mm

2

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Grundlagen Elektronik

Eigenleitfähigkeit von Halbleitern bei 20 °C:

Spezifische Leitfähigkeit von Silizium:

χ

Si

Spezifische Leitfähigkeit von Germanium:

=

1

m

2

10

5

cm

Ω• mm

2

=

0,5

10

9

χ Ge

1

= =

4

10

1

cm

Ω• mm

2

2,5

10

6

m

Hervorgerufen durch Wärmeschwingung (freigeschlagen, zurückgesprungen), Oberflächenleitfähigkeit (Außen fehlt Bindungselektron) und Restverunreinigungen. Bei Silizium: Bei Erhöhung von Temperatur um 10 K steigt die Leitfähigkeit um das 3- fache !! Heißleiter = NTC

Leitfähigkeit um das 3- fache !! ⇒ Heißleiter = NTC Elektronenablenkung im elektrischen Feld: F F

Elektronenablenkung im elektrischen Feld:

F F = E • Q Q = E F = Ablenkkraft in N
F
F
= E • Q
Q =
E
F
= Ablenkkraft in N

E

Q

V

= elektrische Feldstärke in m

= Ladung in As oder C (Coloumb)

Elektronenablenkung im magnetischen Feld:

F = B I l

oder

F B = I • l
F
B =
I
• l
 
F B = v • Q
F
B =
v • Q

F

= B v Q

F

= Ablenkkraft in N

B

= magnetische Induktion in

Vs

2

m

F I = B • l F v = B Q •
F
I =
B • l
F
v =
B Q
F l = B • I F Q = B • v
F
l =
B • I
F
Q =
B • v

I = Stromstärke in A l = wirksame Stromfadenlänge im Feld

v

Q

m s
m
s

= Geschwindigkeit in

= Ladung in As oder C

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Grundlagen Elektronik

Geschwindigkeit eines Elektrons in Vakuum

Elektron Weg s
Elektron
Weg s

Kathode -

Anode +

Arbeit ⇒ Bewegungsenergie (Arbeit an einem Elektron führt zur Bewegungse.) 1 2 W F s
Arbeit
Bewegungsenergie
(Arbeit an einem Elektron führt zur Bewegungse.)
1
2
W
F s
W
m
v
mech =
kin =
0
2
U
V
E =
Einheit
E
s
= m
W
E Q s
mech =
U
Q • s
AK
W
=
=
U
Q
mech
AK
s
W
= U
• e
mech
AK
mit
W
= W
mech
kin
1
2
U
e
=
m
v
AK •
0
2
2
2 •
U
e
m
V As
Ws
Nm
kg m m
m
m
AK
v
=
in
Einheit:
v =
=
=
=
=
=
2
2
m
s
kg
kg
kg
s
kg
s
s
0
2
 m 
• kg
2
2
v
m
s
m
• kg
Nm
Ws
V A
0
U
=
in V
Einheit:
=
=
=
=
=
= V
AK
U AK
2
2
• e
As
s
• As
As
As
A
W
mech = Mechanische Arbeit in Ws ;
W kin = Kinetische (Bewegungs-) Energie in Nm
F
= Kraft in N
s
= zurückgelegter Weg in m
m
0 = Masse des Elektrons in kg
v
= Geschwindigkeit
U
AK = Anoden-Kathoden-Spannung in V

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Grundlagen Elektronik

Grunddaten von Halbleitern:

Diode BAY 18:

I F = 10mA

U

R = 10 V

I

R = 0,1 mA

t rr = 0,1 µs

Diode 1N4148:

I F = 10mA

U R = 6 V

I R = 1 mA

t rr = 4 µs

Differenzieller (Wechselstrom-) Widerstand einer Diode:

∆ u ∆ u r = ∆ i = ∆ i r
u
u
r =
∆ i =
i
r

u = r • ∆i

r = differenzieller (Wechselstrom-) Widerstand u = Spannungsänderung der Tangente an den Arbeitspunkt i = Stromänderung der Tangente an der Arbeitspunkt

je kleiner r desto besser ist die Diode wenig Verlustleistung an der Diode

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Grundlagen Elektronik

Spannungen:

û u ss
û
u ss

Scheitelwert einer Spannung = maximaler Wert bezogen auf 0V Bezeichnung: û = u max = Amplitude = u s

Spitze-Spitze-Wert einer Spannung = Wert zwischen Maxima und Minima Bezeichnung: u ss = û + |-û| = 2 û

Arithmetischer Mittelwert einer Spannung = Differenz der Flächen über und unter der Zeitachse. Muß bei reinen Wechselspannungen immer 0 sein !! Bezeichnung: U AV

Effektivwert einer Spannung = Wert der Spannung, die benötigt wird, um die selbe Leistung aufzubringen wie eine gleich große Gleichspannung. Bezeichnung: U eff

Formel:

- bei Sinus:

- bei Dreieck:

- bei Rechteck:

1 û = 2 • U • û eff U eff = 2 1 û
1
û =
2 • U
û
eff
U eff =
2
1
û =
3 • U
û
eff
U eff =
3
û = U
eff

Augenblickswert oder Momentanwert = Wert der Spannung bei einer bestimmten Zeit in einer Periode. Bezeichnung: u t , u mom , u α

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Grundlagen Elektronik

M1-Schaltung (Einweggleichrichter-Schaltung):

Elektronik M1-Schaltung (Einweggleichrichter-Schaltung): 1 U • uˆ 1 eff = 2 U 1 • uˆ 2
1 U • uˆ 1 eff = 2 U 1 • uˆ 2 AV =
1
U
1 eff =
2
U
1 •
2 AV =
π
U
2 AV = 0,45 • U 1 eff
U
2 eff = 0,5 • U 1 eff - U D
U
2 eff = 0,35 • û
U
U
û
U
= 0,5 • U 1 eff - U D U 2 eff = 0,35 • û

1 = Spannung vor der Gleichrichtung

2 = Spannung nach der Gleichrichtung

= Scheitelspannung vor der Gleichrichtung

D = Druchbruchspannung der Diode

M2-Schaltung (Zweiweg-Mittelpunkt-Schaltung):

U 3 AV = 0,45 • U 1 eff U 3 eff = 0,5 •
U
3 AV = 0,45 • U 1 eff
U
3 eff = 0,5 • U 1 eff – U D
oder
U
3 AV = 0,9 • U 2 eff
U
3 eff = U 2 eff - U D
U
2 = Spannung vor der Gleichrichtung zwischen Mittelpunkt und Abgriff
U
1 = Spannung vor der Gleichrichtung zwischen beiden Abgriffen
U
3 = Spannung nach der Gleichrichtung
U
D = Druchbruchspannung der Diode

B2-Schaltung (Zweiweg-Brückenschaltung):

U

2 AV = 0,9 U 1 eff

 

U

2 eff = U 1 eff – (2 x U D )

U

U

U

1 = Spannung vor der Gleichrichtung

2 = Spannung nach der Gleichrichtung

D = Druchbruchspannung der Diode

Spannungsverlauf siehe M2-Schaltung

der Diode Spannungsverlauf siehe M2-Schaltung Achtung: Bei kleinen Eingangsspannungen Schwellenspannungen

Achtung: Bei kleinen Eingangsspannungen Schwellenspannungen der Dioden beachten (Bei Si 0,7V, be Ge 0,3 V)!

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Grundlagen Elektronik

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Glättung:   ˆ C = u L R L • f Br •

Glättung:

 

ˆ

C

=

u

L

R

L

f

Br

• ∆

u

Br

 

ˆ

R

=

u

L

C

L

f

Br

• ∆

u

Br

ˆ

u

f

Br

=

R

L

C

L

• ∆

u

Br

uˆ = C R f

L

L

Br

•∆u

Br

R

L

ˆ

u

f

Br

C

L

u Br

=

C

L = C1 = Glättungskondensator

û

= û 2 = Scheitel- oder Spitzenspannung vor der Glättung

R

L = R2 = Lastwiderstand

f Br = Frequenz der Spannung u Br = u 3 = Brummspannung nach der Glättung

Glättungsfaktor: u u 2 Br G = ∆ 2 = ∆ u 3 u 3
Glättungsfaktor:
u
u
2
Br
G =
∆ 2 =
∆ u
3 u
3
Br

G immer 1, je größer G, desto besser

u 2 = u 2Br = Brummspannung vor der Glättung u 3 = u 3Br = Brummspannung nach Glättung

Stabilisierungsfaktor:

u • U 2 Br 3 m S = u • U 3 Br 2
u
• U
2
Br
3
m
S =
u
• U
3
Br
2
m

S immer 1, je höher S, desto besser

u 2Br = Brummspannung vor der Stabilisierung

U 2m = Gleichspannungsanteil vor der Stabilisierung

u 3Br = Brummspannung nach Stabilisierung

U 3m = Gleichspannungsanteil nach der Stabilisierung

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Grundlagen Elektronik

E-Reihe:

E6

1,0

1,5

2,2

3,3

4,7

6,8

           

E12

1,0

1,2

1,5

1,8

2,2

2,7

3,3

3,9

4,7

5,6

6,8

8,2

E24

1,0

1,1

1,2

1,3

1,5

1,6

1,8

2,0

2,2

2,4

2,7

3,0

3,3

3,6

3,9

4,3

4,7

5,1

5,6

6,2

6,8

7,5

8,2

9,1

Zener-Diode:

5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 Zener-Diode: U 1 − U Z R = V
U 1 − U Z R = V I + I Z R 1
U
1 − U
Z
R
=
V
I
+ I
Z
R
1

R V = Vorwiderstand in U 1 = Eingangsspannung in V U Z = Zenerspannung in V I Z = Strom durch die Zenerdiode in A I R1 = Strom durch den Lastwiderstand in A

P tot I = Z max U Z
P tot
I
=
Z
max
U
Z

I

Z

min

=

0,1

I

Z

max

 

R

=

U

1max

U

Z

V

min

I

L

min

+

I

Z

max

P tot U = = I • U Z P tot Z max Z I
P tot
U
=
= I
• U
Z
P tot
Z
max
Z
I Z max
= U
• I
P V
Z
Z
U
U
1min
Z
R
=
V
max
I
+
I
L
max
Z
min

P tot = Maximale Verlustleistung der Zenerdiode in W P V = Verlustleistung der Diode in W R Vmin = Minimaler Vorwiderstand für Funktion im Arbeitbereich der Diode R Vmax = Maximaler Vorwiderstand für Funktion im Arbeitbereich der Diode

R V muß zwischen R Vmin und R Vmax liegen. Wenn angegeben aus der E-Reihe aussuchen.

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Grundlagen Elektronik

Transistor:

NPN-Transistor mit Diodenersatzschaltbild (Ebers-Moll-Methode)

mit Diodenersatzschaltbild (Ebers-Moll-Methode) PNP-Transistor mit Diodenersatzschaltbild Wirkung des

PNP-Transistor mit Diodenersatzschaltbild

PNP-Transistor mit Diodenersatzschaltbild Wirkung des Tranistors: Ein kleiner Basisstrom hat einen

Wirkung des Tranistors: Ein kleiner Basisstrom hat einen großen Kollektorstrom zur Folge

Darstellung als Vierpol:

I 1 entspricht I B U 1 entpsricht U BE

I 2 entspricht I C U 2 entspricht U CE

B E I 2 entspricht I C U 2 entspricht U C E Kennlinienfeld eines Transistors:

Kennlinienfeld eines Transistors:

entspricht I C U 2 entspricht U C E Kennlinienfeld eines Transistors: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite

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Grundlagen Elektronik

Berechnungen am Transistor:

Für Gleichstrom gilt:

I C

= B I

B

I I C C B = I B = I B B
I
I
C
C
B =
I
B =
I
B
B

I E

= I

C

+ I

B

P tot

= I

C

U

CE

+ I

B

U

BE

I C = Kollektorstrom; U CE = Kollektor-Emitter-Spannung I B = Basisstrom ; U BE = Basis-Emitter-Spannung I E = Emitterstrom B = Verstärkungsfaktor P tot = maximale Verlustleitstung

Für Wechselstrom gilt: ∆ I ∆I = β •∆I β = C C B ∆
Für Wechselstrom gilt:
I
∆I
= β •∆I
β =
C
C
B
I
B
∆ U
∆ U
CE
CE
v
=
=
U
U BE
∆ U
v
BE
U
v
=
β
= v
• v
v P
I
U
I
∆ U
∆ U
= BE
= CE
r BE
r CE
∆ I
∆ I
B
C
∆ I C ∆ I = B β ∆U = v •∆U CE U BE
∆ I
C
∆ I
=
B β
∆U
= v
•∆U
CE
U
BE

I C = Kollektorstromänderung I B = Basisstromänderung I E = Emitterstromänderung β = Wechselstromverstärkung v I = Wechselstromverstärkung v U = Wechselspannungsverstärkung v P = Leistungverstärkung für Wechselspannung U CE = Kollektor-Emitter-Spannungsänderung U BE = Basis-Emitter-Spannungsänderung r BE = Wechselstromwiderstand des Eingangs ( Basis-Emitter-Strecke ) r CE = Wechselstromwiderstand des Ausgangs ( Kollektor-Emitter-Strecke )

Wechselstromersatzschaltbilder: (~ESB)

Vorgaben:

1. Gleichspannungsquellen: Wirken für hohe Frequenzen wie ein Kurzschluß. f x C

2. Kondensatoren: Wirkt auch wie ein Kurzschluß für Wechselspannung. f x C

3. Spulen: Stellen für hohe Frequenzen einen hohen Widerstand dar. Ideal → ∞

4. Sonstige Zweipole: Wirken normal

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Grundlagen Elektronik

Arbeitspunkteinstellung beim Transistor:

Basisspannungsteiler:

⇒ Spannungsprägung I I 2 2 q = n = I = n • I
⇒ Spannungsprägung
I
I
2
2
q =
n
=
I
= n • I
=
I B
2
B
I
n
B
I 1 n + 1)
I
1
n +
1)

I

1

=

(

)

n +1 I

B

 

I B

=

(

 

R

=

U

b

U

BE

=

U

b

U

BE

 

1

I 1 )

(

n

+

1

I

B

 
R C m = R E U BE R = 2 n • I B
R
C
m =
R
E
U BE
R
=
2
n • I
B
I B   R C m = R E U BE R = 2 n •

U

b

U

CE

=

U

b

U

CE

 

I

C

 

B I

B

 

R

C

=

q = n = Querstromverhältnis (2

I 1 = Strom durch Widerstand R 1

I 2 = Strom durch Widerstand R 2 I B = Basisstrom

U

b = Betriebsspannung

U

BE = Basis-Emitterspannung

U

CE = Kollektor-Emitterspannung

B

= Verstärkungsfaktor

R

1 , R 2 = Basisspannungsteiler

10 ; 10 = beste Spannungseinstellung)

m = Verhältnis von Kollektorwiderstand zu Emitterwiderstand

Basisvorwiderstand:

⇒ Stromprägung U − U b BE R = b I B U − U
⇒ Stromprägung
U
− U
b
BE
R
=
b
I
B
U
− U
− U
b
CE
CE
R
=
= U b
C I
C B • I
B

R b = Basisvorwiderstand

U − U b CE CE R = = U b C I C B •

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Grundlagen Elektronik

Stabilisierung des Arbeitspunktes beim Transistor

Stromrückkopplung:

ϑ I B I C I E U RE

U BE I B I C ϑ

Spannungsrückkopplung:

ϑ I B I C

I Rk I B I C

ϑ

NTC-Rückkopplung:

ϑ I B I C

R NTC U BE I B I C ϑ

C ↓ ⇒ U B E ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I C ↓ ⇒
C ↓ ⇒ U B E ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I C ↓ ⇒
C ↓ ⇒ U B E ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I C ↓ ⇒

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Grundlagen Elektronik

Emitterschaltung:

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Emitterschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 180° v I = groß
Formelsammlung Grundlagen Elektronik Emitterschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 180° v I = groß

Eigenschaften:

Phasendrehung des Signales: 180°

v I = groß (100

v U = groß v P = v I v U = sehr groß

200)

Einsatz als Leistungsverstärker

Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB)

200) ⇒ Einsatz als Leistungsverstärker Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB) Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-16

Formelsammlung

Grundlagen Elektronik

Oszillogramme der Emitterschaltung:

Vor Ck1 (Eingang):

Oszillogramme der Emitterschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung:
Nach Ck1: Vor Ck2:
Nach Ck1:
Vor Ck2:

Nach Ck2 (Ausgang):

der Emitterschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite

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Grundlagen Elektronik

Kollektorschaltung:

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Kollektorschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 0° v I = groß

Eigenschaften:

Phasendrehung des Signales: 0°

v I = groß (100 v U 1 v P = v I v U = groß

200)

Einsatz als Impendanz-Wandler (Stromverstärker)

Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB)

als Impendanz-Wandler (Stromverstärker) Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB) Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-18

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Oszillogramme der Kollektorschaltung:

Vor Ck1 (Eingang):

Oszillogramme der Kollektorschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung:
Nach Ck1: Vor Ck2:
Nach Ck1:
Vor Ck2:

Nach Ck2 (Ausgang):

Kollektorschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-19

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Basisschaltung:

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Basisschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 0° v I ≤ 1 v U
Formelsammlung Grundlagen Elektronik Basisschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 0° v I ≤ 1 v U
Formelsammlung Grundlagen Elektronik Basisschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 0° v I ≤ 1 v U
Formelsammlung Grundlagen Elektronik Basisschaltung: Eigenschaften: Phasendrehung des Signales: 0° v I ≤ 1 v U

Eigenschaften:

Phasendrehung des Signales: 0° v I 1

v U = groß (100

v P = v I v U = groß

200)

Einsatz als HF-Verstärker

Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB)

groß 200) ⇒ Einsatz als HF-Verstärker Wechselstromersatzschaltbild: (~ESB) Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-20

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Oszillogramme der Basisschaltung:

Vor Ck1 (Eingang):

Oszillogramme der Basisschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung:
Nach Ck1: Vor Ck2:
Nach Ck1:
Vor Ck2:

Nach Ck2 (Ausgang):

der Basisschaltung: Vor Ck1 (Eingang): Nach Ck1: Vor Ck2: Nach Ck2 (Ausgang): Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite

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Darstellung des Transistors mit Hilfe der H-Parameter:

H-Matrix (Hybrid-Matrix):

   h

  h

U

h

  h

I

1

2

=

11

21

12

22

I

U

1

2

 

= h

U

1

11

I

1

+ h

12

U

2

= h

I

2

21

I

1

+ h

22

U

2

h

=

U

BE

= r

 

11

I

B

BE

U

U

1

h

12 =

BE

=

CE

v

U

∆ I = C = β h 21 ∆ I B
∆ I
= C
= β
h 21
∆ I
B

h

22

=

I

B

1

=

U

CE

r

CE

h 11 = Wechselstromeingangswiderstand r BE

h 12 = Kehrwert der Wechselspannungsverstärkung

1

v

U

h 21 = Wechselstromverstärkung β

h 22 = Kehrwert des Wechselstromausgangswiderstandes (Ausgangsleitwert)

1

r CE

~ESB für Transistor:

∆ U = BE r BE ∆ I B ∆ U = CE r CE
∆ U
= BE
r BE
∆ I
B
∆ U
= CE
r CE
∆ I
C
= β • i i C B
= β • i
i C
B
BE ∆ I B ∆ U = CE r CE ∆ I C = β •

I C = Kollektorstromänderung ; I B = Basisstromänderung ; β = Wechselstromverst. U CE = Kollektor-Emitter-Spannungsänderung U BE = Basis-Emitter-Spannungsänderung r BE = Wechselstromwiderstand des Eingangs ( Basis-Emitter-Strecke ) r CE = Wechselstromwiderstand des Ausgangs ( Kollektor-Emitter-Strecke )

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Transistor als Schalter:

Grundlagen Elektronik Transistor als Schalter: C 1 = Kondensator zur Verkürzung der Einschaltzeit

C 1 = Kondensator zur Verkürzung der Einschaltzeit

Schaltzustand EIN: (A1)

U

CE

=

U

CEsat

(

0,1

0,2V

)

   

P

V

= U

CEsat

I

C

U

U

     

U

U

   

R =

C

b

I

C

CEsat

I

C

=

I

C

max

=

b

CEsat

R

C

I

= ü I

B

P L

= I R = I U U

C

C

C

b

2

(

CEsat

)

Schaltzustand AUS: (A2)

U CE

U

b

I

C

=

I

C

Re

st

0

U

CEsat = Restspannung am Transistor im Sättigungsbereich (A1)

P

V = Verlustleistung am Transistor

I Bü = Übersteuerter Basisstrom

ü = Übersteuerungsfaktor

I B = Basisstrom an der Sättigungsgrenze

U b = Betriebsspannung

I CRest = Reststrom im Sperrbereich (A2)

Die Punkte A1 und A2 müssen außerhalb der P tot -Kennlinie liegen !!!

Die Punkte A1 und A2 müssen außerhalb der P t o t -Kennlinie liegen !!! Letzte

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Transistor und Induktivität:

Grundlagen Elektronik Transistor und Induktivität: ⇒ problematisch. Das Einschalten von Induktivitäten ist
Grundlagen Elektronik Transistor und Induktivität: ⇒ problematisch. Das Einschalten von Induktivitäten ist

problematisch.

Das Einschalten von Induktivitäten ist un-

!! Das Ausschalten erzeugt durch Selbstinduktion in der Spule Spannungsspitzen, die den Transistor zerstören können.

Abhilfe: Freilaufdiode

Transistor und Kondensator:

⇒ Abhilfe: Freilaufdiode Transistor und Kondensator: ⇒ problematisch Das Ausschalten kapazitiver Lasten ist un-
⇒ Abhilfe: Freilaufdiode Transistor und Kondensator: ⇒ problematisch Das Ausschalten kapazitiver Lasten ist un-

problematisch

Das Ausschalten kapazitiver Lasten ist un-

!! Beim Einschalten fließt im ersten Moment ein hoher Strom bei der maximalen Betriebs- spannung am Transistor. P V ist sehr hoch.

Abhilfe: Vorwiderstand vor RC-Glied

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Schaltzeiten von Transistoren:

Grundlagen Elektronik Schaltzeiten von Transistoren: t Ein = t + t d r t d t

t Ein

= t + t

d

r

t d

t r

t Aus

= t + t

s

f

t Ein = Einschaltzeit des Transistors t d = Verzögerungszeit (delay) t r = Anstiegszeit (rise)

t Aus = Ausschaltzeit des Transistors t s = Speicherzeit (save) t f = Abfallzeit (fall)

t s

t f

Je nach Transistortyp ergeben sich Schaltzeiten von 5ns bis 500ns pro Schaltvorgang. !!! Einschaltzeit und Ausschaltzeit müssen nicht gleich sein !!!!

Aus den Schaltzeiten ergibt sich die Grenzfrequenz f Gr des Transistors im Schalterbetrieb:

T Gr

= t

Ein

+ t

Aus

= t + t + t + t

d

r

s

f

1 f = Gr T Gr
1
f
=
Gr
T
Gr

T Gr = minimale Schaltzeit des Transistors als Schalter f Gr = Grenzfrequenz (maximale Schaltfrequenz) des Transistors als Schalter

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Feldeffekt-Transitoren Übersicht:

Der Name Feldeffekt-Transistor (FET) kommt daher, das die steuernde Größe für den Drainstrom ein elektrisches Feld ist, das zwischen Gate und Source durch die Spannung U GS erzeugt wird. Es fließt kein Gate-Strom (I G = 0), daher leistungslose Ansteuerung.

FET’s heißen auch unipolare Transistoren, da der Drainstrom zwischen Drain und Source keine Sperrschichten durchlaufen muß, sondern nur in Schichten einer Dotierungsart (N oder P) fließt. Es gibt folgenden FET-Typen:

Sperrschicht-FET’s

 

Isolierschicht-FET’s (IG-FET’s , MOS-FET’s)

 

(J-FET’s)

Verarmungstyp

Verarmungstyp

Anreicherungstyp

Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal
Verarmungstyp Verarmungstyp Anreicherungstyp N-Kanal P-Kanal N-Kanal P-Kanal N-Kanal

N-Kanal

P-Kanal

N-Kanal

P-Kanal

N-Kanal

P-Kanal

 

selbstleitend

 

selbstsperrend

Kennwerte eines FET:

Eingangswiderstand statisch (Gleischspannung):

U

I

G

R E

= R

GS

=

GS

U GS I = G R E
U
GS
I =
G
R
E

U GS

= R I

E

G

R E ist sehr hochohmig, da I G im nA-Bereich liegt.

Eingangswiderstand dynamisch (Wechselspannung):

∆ U GS r = E ∆ I G
∆ U
GS
r
=
E
∆ I
G
∆ U GS ∆ I = G r E
∆ U
GS
∆ I
=
G
r E

r E ist sehr hochohmig.

U

GS

= r

E

• ∆I

G

Ausgangswiderstand statisch (Gleischspannung):

U DS R = A I DS
U DS
R
=
A
I DS
U DS I = DS R A
U
DS
I
=
DS
R
A

U DS

= R I

A

DS

R A ist variabel von ca. 100 bis in den G -Bereich.

Ausgangswiderstand dynamisch (Wechselspannung):

∆ U DS r = A ∆ I DS
∆ U
DS
r
=
A
∆ I
DS
∆ U DS ∆ I = DS r A
∆ U
DS
∆ I
=
DS
r
A

U

DS

= r

A

•∆I

DS

r E in der Praxis von ca. 25 k bis 100 k

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J-FET’s (Junction-FET’s , selbstleitend):

Funktionsprinzip:

Beim J-FET wird der Querschnitt bzw. die Anzahl der freien Ladungsträger durch die angelegte Gate-Spannung verändert.

Ansteuerung:

- Die Spannung U GS muß so gepolt sein, daß der PN-Übergang in Sper- richtung gepolt ist.

- Die Spannung U DS muß so gepolt sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann.

Funktionsweise:

1. U GS = 0V J-FET leitet

kann. Funktionsweise: 1. U G S = 0V ⇒ J-FET leitet 2. Mit zunehmender Sperrspannung (U
kann. Funktionsweise: 1. U G S = 0V ⇒ J-FET leitet 2. Mit zunehmender Sperrspannung (U

2. Mit zunehmender Sperrspannung (U GS wird negativer) am Gate verbreitern sich die Sperrschichten der PN-Übergänge und schnüren den Kanal Drain-Source ab.

J-FET sperrt

3. Gatespannung entgegen der Polungsrichtung (z.B. bei N-FET + ans Gate)

Dioden sind nun in Durchlaßrichtung gepolt. Sperrschicht baut sich schnell ab.

Es fließt ein großer Gatestrom.

!!! Leistungslose Ansteuerung geht verloren. Große Gefahr der Zerstörung !!!

Kennlinien:

Ansteuerung geht verloren. Große Gefahr der Zerstörung !!! Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-27
Ansteuerung geht verloren. Große Gefahr der Zerstörung !!! Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-27

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MOS-FET’s ( Metal Oxide Semiconductor ) vom Verarmungstyp (selbstleitend):

Funktionsprinzip:

Es ist ein leitender Kanal zwischen Drain und Source vorhanden. Durch Anlegen einer entsprechenden Gate-Spannung werden entweder Ladungsträger aus dem Kanal verdrängt oder in den Kanal gezogen.

Ansteuerung:

- Das Potential am Gate muß die Ladungsträger im Kanal mehr oder weniger ins Substrat drängen, so daß der Kanal verarmt.

- Die Spannung U DS muß so gepolt sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann.

Kennlinien:

die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: MOS-FET’s vom Anreicherungstyp (selbstsperrend):
die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: MOS-FET’s vom Anreicherungstyp (selbstsperrend):
die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: MOS-FET’s vom Anreicherungstyp (selbstsperrend):
die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: MOS-FET’s vom Anreicherungstyp (selbstsperrend):

MOS-FET’s vom Anreicherungstyp (selbstsperrend):

Funktionsprinzip:

Es ist kein leitender Kanal zwischen Drain und Source vorhanden. Durch anlegen einer entsprechenden Gate-Spannung werden Ladungsträger, die im Substrat als Minoritäts- träger vorhanden sind, im Substrat unter den Gate-Anschluß gezogen und bilden dort einen leitenden Kanal. Man nennt diesen Vorgang Inversion, da die Minoritätsträger den Ladungstransport übernehmen.

Ansteuerung:

- Das Potential an Gate saugt nach überschreiten einer Schwellen- spannung Minoritätsträger aus dem Substrat in die Kanalzone.

- Die Spannung U DS muß so gepolt sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann.

sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-28
sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-28

Kennlinien:

sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-28
sein, daß Drain die Ladungsträger aus Source absaugen kann. Kennlinien: Letzte Änderung: 21.06.2001 Seite 1-28

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Die Steuerkennlinie:

I DSS (maximaler Drainstrom) U P = Pinch off Voltage Point (Abschnürspannung)
I DSS (maximaler Drainstrom)
U P = Pinch off Voltage Point (Abschnürspannung)

Für |U DS | |U P | stellt sich der maximale Drainstrom ein.

Für |U DS | |U P | sinkt der Drainstrom.

Berechnung:  U  GS I = I •  1 −  D DSS
Berechnung:
U
GS
I
=
I
1
D
DSS
U
P

2

für

|U DS | |U P |

Die Steilheit S:

Die Steilheit S gibt die Verstärkereigenschaften des FET an.

∆ I DS S = ∆ U GS S = Steilheit in
∆ I
DS
S =
∆ U
GS
S = Steilheit in
∆ I DS ∆ = U GS S
∆ I
DS
=
U GS
S

mA

V

I

DS

= ∆

U

GS

S

I DS = Änderung des Drain-Source-Stromes (im Arbeitspunkt) in mA U GS = Änderung der Gate-Source-Spannung (im Arbeitspunkt) in V

FET- Typ

Steilheit

J-FET

2 bis 5

mA

V

MOS-FET

 

mA

Verarmungstyp

3 bis 8

V

MOS-FET

 

mA

Anreicherungstyp

bis ca. 30

V

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Ausgangskennlinie:

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Ausgangskennlinie: Die Ausgangskennlinie besitzt 3 Bereiche: 1. Ohm’scher

Die Ausgangskennlinie besitzt 3 Bereiche:

1. Ohm’scher Bereich:

Der Drainstrom I DS ist abhängig von der Drain-Source-Spannung U DS . Im Bereich des Nullpunktes verhält sich der J-FET wie ein ohm’scher Widerstand

2. Abschnürbereich:

Der Drainstrom ist nahezu konstant. (U GS = konstant)

Verstärkerbetrieb

!! Spannungen dürfen nicht in den Ohm’schen Bereich abfallen, sonst Verzerrung !!

3. Durchbruchbereich: (U DS U DSmax )

sehr starker Drainstromanstieg. Führt meist zur Zerstörung des FET

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Source-Schaltung:

Formelsammlung Grundlagen Elektronik Source-Schaltung: Wechselstrom-ESB: Wechselstrom-ESB mit FET-ESB: Berechnungen zur

Wechselstrom-ESB:

Grundlagen Elektronik Source-Schaltung: Wechselstrom-ESB: Wechselstrom-ESB mit FET-ESB: Berechnungen zur

Wechselstrom-ESB mit FET-ESB:

Wechselstrom-ESB: Wechselstrom-ESB mit FET-ESB: Berechnungen zur Source-Schaltung:

Berechnungen zur Source-Schaltung:

Wechselstromeingangswiderstand:

r E = R G || R GS

r

E

=

R

G r

GS

R

G

+ r

GS

; da r GS sehr viel hochohmiger als R G

Wechselstromausgangswiderstand:

r A = r DS || R D

r

A

=

r

DS

R

D

r

DS

+

R

D

; da r DS hochohmiger als R D

Spannungsverstärkung:

ohne Lastwiderstand R1:

R D ⇒ Spannungsverstärkung: ohne Lastwiderstand R1: v U = S • r A ⇒ v

v U

= S r

A

ohne Lastwiderstand R1: v U = S • r A ⇒ v U = S •

v U

= S R

D

mit Lastwiderstand R1:

v v U U S = R D = R S D
v
v
U
U
S =
R
D =
R
S
D

v U

=

S

(

r

A

|| R

1 )

S R • R D • 1 v = U R + R D 1
S R
R
D •
1
v
=
U R
+ R
D
1
r ≈ R A D
r
≈ R
A
D
r ≈ R E G
r
≈ R
E
G

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Fortsetzung Berechnungen zur Source-Schaltung:

Einkoppelkondensator:

x = r Ck 1 E
x
= r
Ck
1
E
 

Ck

1

1

     

=

 

1

= 2

π

f

GrU

R

G

f

GrU

2

π R

Ck

1

G

f GrU = Tiefste noch zu verstärkende Frequenz

 

Auskoppelkondensator:

 

ohne Lastwiderstand R1: