INSTITUO TECNOLOGICO Y DE ESTUDIOS SUPERIORES DE MONTERREY Ingenier F a sica Industrial

Deposicin de pel o culas delgadas con aplicacin a celdas o fotovoltaicas

Segundo reporte: Avance del proyecto

Cl nica Empresarial
Profesor: Dr. Daniel

Alumno: Lucian S. Velez Matr cula 998716

Profesor asesor: Dr. Rodrigo

Monterrey, 25 de octubre de 2011

1.

Introduccin o

El proyecto en el que se est trabajando consiste en investigar algunos parmetros de faa a bricacin que afectan en la eciencia de una celda fotovoltaica. En la actualidad el silicio es o el principal material utilizado para la fabricacin de celdas, sin embargo, el alto grado de puo reza que demanda su aplicacin representa un elevado costo. En este proyecto se explora un o mtodo alternativo de fabricacin de celdas fotovoltaicas utilizando otros materiales. En este e o caso se usa el molibdeno como contacto posterior, cobre indio di-selenio (CIS) como capa de absorcin, sulfuro de cadmio (CdS) como capa ventana y oxido de indio estao (ITO) como o n contacto trasparente superior. El objetivo del proyecto es realizar la deposicin de las part o culas delgadas a travs del mtodo de pulverizacin catdica (sputtering) variando los parmetros e e o o a de temperatura de deposicin, espesor de la pel o cula y potencia en la cmara de sputtering a al momento de hacer la deposicin. Se pretende encontrar los parmetros que produzcan las o a mejores caracter sticas opticas y elctricas en las pel e culas.

2.

Avances

En el proyecto se est colaborando con el Dr. Rodrigo y se han realizado distintas actividades a independientes entre s con el n de contribuir en el progreso el proyecto. En esta primera parte del proyecto se estuvo trabajando en la caracterizacin elctrica de la capa ventana, es o e decir, la pel cula de sulfuro de cadmio. Nos ocupamos principalmente en la preparacin de o las pel culas para la aplicacin del mtodo de las cuatro puntas para medir la resistividad o e de la pel cula delgada. De igual forma se aprovech el proceso de evaporacin de cobre y o o aluminio que se describir ms adelante para estimar la temperatura que alcanza el lamento a a de tungsteno dentro de la cmara. En esta seccin se irn describiendo en orden cronolgico las a o a o actividades realizadas. El orden de las actividades y temas a tratar es el siguiente: evaporacin o de cobre; limpieza y preparacin de la cmara de sputtering; limpieza de las pel o a culas de CdS, reclasicacin y su preparacin para la deposicin de una pel o o o cula de aluminio; evaporacin o de aluminio; estimacin de las temperaturas del lamento de tungsteno a partir de los datos o tomados de la evaporacin de cobre y de aluminio; medicin de la resistividad por el mtodo o o e de las cuatro puntas y limpieza de la cmara de sputtering. a Las actividades que se han realizado han estado orientadas al depsito de una pel o cula de CdS que nos ofrezca una baja resistividad. Para poder realizar esto primero se ensay el mtodo o e de medicin de la resistividad de la pel o cula con otras del mismo tipo que alumnos anteriores hab dejado. Antes de empezar a describir las actividades hay que entender en que consiste an el mtodo de las cuatro puntas que mide la resistencia de un material. El mtodo tradicional e e de medicin de la resistencia de un material consiste en utilizar un ohmetro (ver la g. 1). o La desventaja del mtodo es que al hacer la medicin estamos incluyendo la resistencia de los e o cables y de la unin entre los cables y la muestra. o

Figura 1: Medicin de la resistencia de una muestra con el mtodo tradicional usando un o e ohmetro.[2] Para superar estas desventajas se usa el mtodo de cuatro puntas o mtodo de Kelvin (g. e e 2). Para llevar a cabo esta medicin se utiliza una fuente de corriente externa y un volt o metro. Al circular la corriente de arriba hacia abajo I+ la medicin del volt o metro es V+ . Es importante notar que el signo + que estamos agregando hace referencia al sentido de la corriente que le estamos inyectando a la muestra. Cuando escribamos I y V signica que le estamos inyectando una corriente en el sentido opuesto (de abajo hacia arriba). La tensin que mide el volt o metro es entonces V+ = A + I+ R B (1)

Si ahora invertimos la fuente de corriente de tal forma que sta ahora uye de abajo hacia e arriba el volt metro mide V = A I R B Restamos las ecuaciones (1) y (1) V+ V = (I+ + I ) R (3) (2)

Despejando para R y considerando que aplicamos la misma corriente en los dos casos (I+ I = I) R= V+ V V+ V = I+ + I 2I (4)

Figura 2: Diagrama del mtodo de las cuatro puntas.[2] e Podemos observar que el mtodo nos permite eliminar el efecto de las resistencias de los e conectores y al mismo tiempo el de las uniones o contactos [2]. Una vez que ya hemos explicado el mtodo de las cuatro puntas podemos describir las e actividades realizadas. La primera de ellas fue la evaporacin de cobre. Esta actividad tuvo o dos objetivos principales. El primero fue adquirir experiencia en la utilizacin de la unidad o de pulverizacin catdica y evaporacin Intercovamex- V3 y el segundo objetivo fue limpiar o o o el recipiente de tungsteno que sirve para evaporar metales para poder utilizarlo con un metal distinto mientras se esperaba a que llegarn otros recipientes de tungsteno. Originalmente el a recipiente conten cobre por lo que fue necesario evaporarlo por completo. En la actividad a tambin se aprovech la oportunidad para tomar mediciones de la presin; del voltaje y la e o o corriente del recipiente para calentarlo; del espesor de la capa de cobre formada y de la tasa de crecimiento de ese espesor. Esto se hizo para estimar la temperatura a la que llega el recipiente de acuerdo a las temperaturas de fusin y ebullicin del cobre. Los resultados obtenidos se o o presentan ms adelante. En la g. 3 se presenta el diagrama de la unidad de pulverizacin con a o la descripcin de cada elemento [1]. Para realizar la evaporacin de cobre fue necesario limpiar o o la cmara y prepararla cubriendo la ventana de vidrio para evitar que se ensuciara. a

Figura 3: Esquema de la unidad de sputtering.[1] 1. Interruptor principal 2. Indicador Pirani (Vacio medio 103 Torr) 3. Indicador ctodo fr a o 10 (Alto vac 10 o Torr) 4. Control del calentador del porta sustratos (700 C) 5. Monitor de espesores 6. Fuente de energ del a evaporador 7. Fuente de energ de a R.F. para la pulverizacin catdica o o 8. Panel de control de la pulverizacin catdica o o en R.F. 9. Fuente de energ de a la pulverizacin catdica o o en D.C. 10. Interruptor de la bomba mecnica a 11. Panel de control de la Turbo-bomba 12. Vlvula de venteo a 13. Ventana de vidrio 14. Porta-sustratos 15. Motor rotatorio del porta sustratos 16. Calentador sustratos del porta 19. Turbo-bomba 20. Cmara de vac a o 21. Caon de iones de la puln verizacin catdica o o 22. Bomba mecnica a 23. Medidor del ujo de Argn o 24. Tanque de Argn o 25. Regulador de ujo de Nitrgeno o 26. Tanque de Nitrgeno o 27. Recipiente de tungsteno 28. Control del obturador

17. Vlvula de Argn a o 18. Vlvula de vac a o

Posterior a la evaporacin de cobre fue la limpieza y preparacin de las pel o o culas de CdS. La actividad consisti en limpiar con alcohol et o lico dos juegos de pel culas de CdS y clasicarlas 4

escribiendo en el reverso del sustrato de vidrio su caracter stica. El primer juego estaba compuesto por pel culas depositadas a distintas temperaturas con un espesor jo. Las temperaturas eran 50 C, 200 C, 350 C y 400 C. En el segundo juego los espesores eran los que variaban: 100 nm, 200 nm, 350 nm, 500 nm. La preparacin de las pel o culas, por otro lado, requiri que se o colocar una cinta adhesiva de un espesor de 2mm en medio de las pel a culas de tal forma que al evaporar el aluminio toda la pel cula quedara cubierta de aluminio excepto una franja de 2mm en medio de la placa. Esto se hace con el propsito de usar las zonas cubiertas de aluminio o como contactos para medir la resistencia de la pel cula que queda descubierta en la franja de 2mm. La actividad siguiente fue la evaporacin de aluminio para cubrir las placas y posteriormente o aplicar el mtodo de las cuatro puntas. Los resultados de la evaporacin fueron satisfactorios. e o Las pel culas quedaron listas para que se les midiera la resistividad, sin embargo, esta actividad no fue realizada ya que el objetivo de la actividad era solamente practicar con la deposicin de o la pel cula de aluminio y no arruinar la pel cula de CdS que posteriormente va a ser creada de midiendo todas sus caracter sticas de una manera ms rigurosa. Esta ultima actividad an no a u ha sido realizada. Se espera hacer la medicin de cuatro puntas prximamente. o o La evaporacin de aluminio, al igual que la evaporacin de cobre, fue aprovechada para o o tomar mediciones de presin, corriente, voltaje, espesor y tasa de crecimiento de espesor para o estimar la temperatura del recipiente de tungsteno para una corriente dada. El procedimiento que se sigui fue ir aumentando la corriente de poco a poco e ir tomando los datos de presin, o o corriente, voltaje, espesor y tasa de crecimiento de espesor para cada valor de corriente. Para determinar el punto en que el metal se empieza a evaporar se considera la tasa de crecimiento del espesor, as como tambin el espesor que marca el instrumento. Se considera que cuando la e tasa empieza a marcar un valor positivo distinto de cero y el espesor empieza aumentar entonces se ha llegado a la temperatura de evaporacin del metal. o Para el caso del cobre se vari la corriente en intervalos de 1 A. De los datos medidos el o punto de evaporacin se dio con los siguientes datos: o Presin: 2.0103 torr o Corriente: 182.0 A Voltaje: 1.640 V Espesor: 0.080 k A Tasa de crecimiento: 2.0 /s A Para el aluminio los intervalos fueron de 5 A. El punto de evaporacin se detect para los o o siguientes valores: Presin: 2.8103 torr o Corriente: 170.0 A 5

Voltaje: 1.300 V Espesor: 0.679 k A Tasa de crecimiento: 11.5 /s A Considerando que la temperatura de ebullicin del cobre es de 2562 C y la temperatura de o ebullicin del aluminio es de 2519 C podemos estimar que entre 170 A y 182 A la temperatura o del recipiente de tungsteno est entre 2519 C y 2562 C. Aproximadamente a 175 A tenemos a una temperatura de 2540 C. La actividad nal que se realiz fue la limpieza de la cmara de sputtering. Esto se hizo para o a remover las capas de metal que se quedaron pegadas en las paredes de las cmaras despus de las a e evaporaciones. La limpieza de la cmara es muy importante para evitar que material no deseado a contamine las pel culas que se van a depositar. La limpieza se realiz con un desengrasante y o solvente que tambin remueve las capas de metal adherido. En la gura 4 se puede observar la e cmara mientras se estaba limpiando. a

Figura 4: Fotograf del proceso de limpieza de la cmara a a

3.

Conclusiones

Las actividades que se han hecho hasta ahora no son muchas debido a contratiempos relacionados con la unidad de pulverizacin catdica ya que hubo necesidad de esperar a la compra de o o mscaras de proteccin para evitar inhalar el vapor de selenio que es cancer a o geno que qued en o la bomba de vaci. Las mscaras ya fueron compradas y las actividades han empezado a ser o a ms frecuentes an y cuando todav faltan muchos puntos que cubrir. Por ejemplo, se planea a u a hacer un depsito de Molibdeno para los prximos d y as ir armando las cuatro capas de o o as la celda previamente caracterizadas. De igual forma, se planea hacer le depsito de la capa o ventana (CdS) prximamente. Para las otras dos capas hace falta un poco ms de trabajo y o a de tiempo. Por otro lado, las actividades que se han realizado han permitido desarrollar las habilidades en el manejo de la unidad de pulverizacin y de las pel o culas.

Referencias
[1] Rodrigo Cu. Unidad de pulverizacin catdica y evaporacin INTERCOVAMEX - V3: e o o o Manual de Operacin. o [2] Medicin de resistividades - Mtodo de cuatro puntas. Universidad de Buenos Aires. o e http://www.df.uba.ar/~sgil/labo3 uba/guias/cuatro punta2k6 l3.pdf [3] Rodrigo Cu Sampedro Soberanis. Fabrication of microwave oven setup for depositing e semiconductor nanostructures for photovoltaic applications Tsis e [4] Jos de Juana. Energas Renovables para el Desarrollo. Thomson Editores. Espaa: 2007 e n [5] Jenny Nelson. The Physics of Solar Cells. Imperial College Press. Singapure: 2003.