ETAGE DE PUISSANCE POUR AMPLIFICATION AUDIO CLASS D HAUTE PERFORMANCE ET RENDEMENT DE 97%

RENE LAMBRUSCHI, NICOLA LOMUTO, ET FREDERIK DEZE CL3, Pontoise, FRANCE cl3connect2@free.fr

Ce document est la version franaise dune documentation technique prsente en septembre 2005 Hilleroed, Danemark, la 27me confrence exceptionnelle de lAES (Audio Engineering Society) ddie lamplification audio haut rendement.

INTRODUCTION Depuis lapparition des premiers schmas en classe D, il y a quelques dcennies dj, les amplificateurs commutation ont dmontr leur capacit remplacer les amplificateurs linaires dans les applications haut rendement. Dans le domaine des caissons de basse actifs notamment, ces amplificateurs se sont trs vite rpandus grce la qualit satisfaisante quils permettent dobtenir. Dans le secteur automobile et dans les applications portables, ils connaissent galement un succs grandissant pour des raisons videntes de compacit et dconomies dnergie. Peu peu, de nouvelles solutions technologiques ont t mises en place pour largir la gamme de produits susceptibles dadopter des circuits en classe D. Un important travail a ainsi t fourni par les diffrents fabricants pour limiter, laide dalgorithmes de correction par exemple, les distorsions imputables aux architectures de cellule de commutation utilises. Lobjet du prsent document est de mettre en vidence les problmes inhrents aux cellules de commutation les plus couramment rencontrs et dintroduire une nouvelle cellule alliant haute frquence de commutation et faible distorsion. 1.1 Configuration P/N Une premire technologie, reprsente par la figure 1, consiste utiliser deux transistors MOSFET (transistor effet de champ de technologie Metal Oxyde Silicium) complmentaires monts en source commune. Il est admis que ce type de cellule de commutation ne convient qu des applications audio de faible puissance. En effet, au-del dune certaine tension dalimentation, le recouvrement des seuils des transistors MOSFET entrane leur mise en conduction simultane, ce qui provoque des pics de courant incontrls, nfastes la fiabilit des composants et au rendement global.

ARCHITECTURES CLASSIQUES DTAGES DE PUISSANCE Dans le domaine de lamplification audio, les amplificateurs actuels obissent essentiellement lune des deux technologies suivantes.

Figure 1: Configuration P/N source commune

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1.2 Configuration N/N totem pole Une deuxime technologie, reprsente par la figure 2, consiste employer deux transistors MOSFET, tous deux canal N, arrangs en montage totem pole. Lun des transistors est alors mont en drain commun et lautre en source commune.

Essayons de comprendre de manire intuitive limpact des temps morts sur le niveau de distorsion gnr par la cellule N/N totem pole. Considrons un signal audio analogique de qualit CD, initialement encod sur 16 bits. Ce signal est inject lentre dun amplificateur commutation dont le modulateur analogique fonctionne la frquence de 500 kHz. Dans ce type damplificateur, le temps de fermeture des transistors de puissance est analogique au signal dentre et doit tre contrl avec prcision car il dtermine la tension aux bornes de la charge (Vs), selon lquation (1).

T V
s

= V
alim

fermeture

T
fermeture

+ T
ouverture

(1)

Figure 2 : Configuration N/N totem pole

Lquation (2) tablit la relation entre laltration du bit de poids faible dun mot de n bits et lerreur introduite dans le temps de fermeture, pour une frquence de commutation donne.

Couramment adopt par les diffrents fabricants damplificateurs en classe D, ce type de montage a linconvnient de provoquer deux types de conduction simultane.

LSB

= T n 2

(2)

1.2.1

Conduction simultane due la nonsimultanit des signaux de commande En physique, il est impossible de garantir la simultanit de deux signaux lorsquils proviennent de sources diffrentes. Dans la configuration N/N totem pole, les signaux de commande des transistors proviennent effectivement de sources diffrentes. Aussi peut-il arriver que les deux transistors soient, durant un court moment, actifs simultanment. Comme dans le montage prcdent, la consquence de cette conduction simultane est la gnration de pics de courant pouvant atteindre plusieurs centaines dampres. Pour viter la conduction simultane, la technique couramment utilise par les constructeurs faisant appel des montages N/N totem pole consiste insrer un temps mort linstant de commutation. On garantit alors louverture dun MOSFET avant la fermeture de lautre, vitant de ce fait la conduction simultane. Bien que cette parade convienne la conversion dnergie brute (alimentations dcoupage par exemple), elle prsente un inconvnient pour les applications audio qui se traduit par la distorsion du signal de sortie.

Pour une frquence de 500 kHz, T vaut 2 s. Lquation (3) montre ainsi quune variation de seulement 30 ps suffit altrer le bit de poids faible dun mot de 16 bits.

2.10 2
16

30 ps

(3)

LSB

A partir de ces rsultats, on comprendra que linsertion courante de temps mort de plusieurs dizaines, voire centaines de nanosecondes, rend impossible le contrle prcis du temps de fermeture des transistors. Cette erreur se traduit bien sr par la distorsion du signal de sortie.

1.2.2 Conduction simultane due leffet Miller Dune part pour limiter les pertes par commutation et dautre part pour accrotre la prcision de contrle des temps de fermeture des transistors, il est ncessaire que les temps de commutation soient les plus petits possibles.

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Leffet Miller est un phnomne qui gnre une tension parasite sur la grille du transistor sous commutation. Lamplitude de cette tension indsirable est dautant plus grande que le temps de commutation est court. Si elle atteint un seuil donn, les deux transistors sont alors ferms en mme temps, ce qui donne lieu une conduction simultane et de forts pics de courant en consquence. Lexemple suivant value les pertes dues la conduction simultane, engendres par lassociation de leffet Millet et de courts temps de commutation. La figure 3 reprsente une cellule de commutation N/N et ses capacits parasites donnant lieu leffet Miller.

Les deux MOSFET ayant typiquement un seuil de 2V sont alors conducteurs simultanment et le courant qui les traverse durant ce temps de 30 ns peut tre calcul selon lquation (5).

V I
Pic

Alim

(5)

DS(On)

Par consquent,

I
Pic

50 5.10
2

= 500 A 2

En adoptant une frquence de commutation de 500 kHz, les pertes dues uniquement la conduction simultane pour chaque MOSFET peut atteindre la valeur donne par lquation (6).
2

P P

= R
DS(On)

( 2 I .F
Pic

.t

(6)

perdue

Commut Commut

= 11,5 W

perdue

Pour un tage de puissance complet, les pertes peuvent atteindre 23 W.

Figure 3 : Configuration N/N avec capacits parasites donnant lieu leffet Miller. Considrons un tage de puissance commutation bas sur cette configuration, utilisant des transistors MOSFET avec une RDS(ON) de 0,05 ohms et prsentant une capacit Miller de 600 pF. La rsistance de grille est de 10 ohms et la tension dalimentation est de 50V. Un temps de commutation raliste de 30 ns donnera invitablement naissance un pic de tension dont lamplitude est donne par lquation (4).

2 ARCHITECTURE GEMINCORE La configuration N/P en drain commun adopte par les amplificateurs Gemincore est reprsente sur la figure 4. Elle remdie intrinsquement aux inconvnients des dispositifs prcdemment dcrits en liminant les deux causes majeures de conduction simultane.

R V
Pic

. C
Grille

. V
A lim

Miller

t
Commut

(4)

Par consquent,
12 9

V
Pic

10 600.10 30.10

50

= 10 V

Figure 4 : Configuration N/P Gemincore, montage en drain commun

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Ici, les deux grilles des transistors sont relies, ce qui limine toute possibilit de conduction simultane due la non-simultanit des signaux de commande et aux consquences de leffet Miller. Par ailleurs, les grilles des MOSFETS sont polarises inversement lorsque ceux-ci sont ferms, ce qui a pour consquence de diminuer considrablement le temps de mise en ouverture du MOSFET considr. Le recours linsertion de temps morts nest plus ncessaire, ce qui autorise le transfert avec prcision de lnergie vers la charge.

Afin de simplifier son implmentation, le module inclue son propre convertisseur DC/DC qui gnre partir de lunique alimentation les tensions auxiliaires ncessaires ses circuits internes. 3.2 Filtre de sortie de puissance Un filtre de sortie butterworth du quatrime ordre t ralis. Il assure une propagation de groupe constante de DC 30 kHz. Le bobinage des inductances a t ralis en fil de Litz pour limiter les pertes cuivre. 3.3 Circuit de commande Dans la configuration Gemincore, lalimentation de ltage de commande est rfrence par rapport aux sources des MOSFET, plutt que par rapport au zro de l'alimentation, et le signal de commande est translat en utilisant un comparateur diffrentiel, comme dans la figure (6) Cependant la translation du signal de commande rsultant du modulateur PWM est une fonction qui peut tre ralise de diffrentes manires, en utilisant un optocoupleur, un transformateur dimpulsion ou un isolateur digital, par exemple.

3 DE LA THEORIE A LA PRATIQUE Un module amplificateur Gemincore de 150 W RMS est reprsent sur la figure 5. Il inclue toutes les fonctions ncessaires au traitement du signal, de lentre analogique la sortie de puissance. Le module mesure 80 mm x 70 mm x 15mm. Le rendement est exceptionnel puisquil dpasse 97% 120 W.

Figure 5 : Module amplificateur Gemincore, 150 W RMS sous 8 ohms, encombrement rduit de 80 x 70 x 15 mm 3.1 Configuration en pont Le module amplificateur Gemincore est en pont et fait appel deux paires complmentaires de transistors MOSFET. Cette configuration prsente une sortie de puissance diffrentielle et offre une bonne rjection de lalimentation. Par ailleurs, la configuration en pont autorise lutilisation dun rail unique dalimentation, ce qui permet de choisir des MOSFET avec une tension maximale deux fois infrieure celle qui serait ncessaire en configuration demi-pont.

Figure 6 : Reprsentation synoptique dun tage de puissance Gemincore employant un comparateur diffrentiel

3.4 Modulateur analogique PWM Le module amplificateur Gemincore emploie un modulateur PWM analogique fonctionnant la frquence fixe de 500 kHz. Le signal dentre est compar une onde de rfrence en dent de scie pour donner naissance au signal PWM. Ce type de modulateur analogique prsente lnorme avantage sur les modulateurs numriques doffrir une rsolution infinie de quantification du temps de fermeture des MOSFET. Enfin, il rend la contre-raction possible.

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Lamplificateur oprationnel employ lentre du modulateur est un AD8620 de chez Analog Device. 3.5 Performances Le module prsente les caractristiques suivantes : Puissance de 150 W RMS sous 8 ohms, Rendement typique de 97 % Frquence de commutation de 500 kHz encombrement de 80 x 68 x 15 mm poids de 70 g, filtre de sortie du type butterworth, propagation de groupe constante de DC 30kHZ THD, 1kHz, 1W, 8 ohms : 0,0037% THD+N, 1kHz, 150W, 8 ohms : 0,03%

4 CONCLUSION Nous avons observ que les pertes couramment rencontres dans les architectures classiques damplification en classe D peuvent tre vites grce au montage en drain commun de transistors complmentaires et la mise en uvre dun dispositif de commande adquat. Un haut rendement peut donc tre obtenu sans sacrifier la qualit et la transparence de la restitution sonore.

En raison de son rendement lev, cet amplificateur ne ncessite pas le recours un systme de refroidissement externe. La figure 6 exprime puissance de sortie, frquence 1 kHz. La analyseur numrique Audio Precision. le rapport entre la THD et la pour un signal dentre de mesure a t ralise avec un audio "System Two" de chez

Figure 6 : THD vs. output power De nombreuses comparaisons avec des amplificateurs linaires et en classe D du commerce ont t effectues. Les performances acoustiques sont remarquables dans la restitution des timbres autant que dans la dynamique des instruments. Aussi lamplificateur Gemincore fait-il preuve dun talent incroyable pour retranscrire les plus grandes motions musicales.

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