POTENCIAL Y CAMPO ELCTRICO. CONCEPTO, ANLISIS Y SIMULACIN EN UN ENTORNO DIDCTICO.

J.S. Artal; J. Letosa; A. Usn; M. Sampln y F.J. Arcega

Departamento Ingeniera Elctrica. Escuela de Ingeniera Tcnica Industrial. Universidad de Zaragoza. Mara de Luna n3-5. Edificio C Torres Quevedo. 50018. Zaragoza. Tlfno.:976 762152. Fax.: 976 762226. jsartal@posta.unizar.es.

Palabras clave: Potencial y campo elctrico, simulacin y anlisis, Mtodo de Elementos Finitos.

Resumen.
La asignatura de Electricidad y Magnetismo se ubica, en los nuevos planes de estudio de las Ingenieras Tcnicas Industriales, como asignatura anual de primer curso. La disyuntiva entre impartirla con una orientacin fundamentada y terica en espera de que otras asignaturas posteriores desarrollen su aplicabilidad o realizar la conexin con la prctica en la misma asignatura ha sido un dilema habitual agravado por la limitacin temporal para su imparticin. En este sentido unos de los fenmenos ms atractivos para las estudiantes entre los contenidos de la materia que nos ocupa es el campo elctrico, lneas o superficies equipotenciales y la ruptura dielctrica, [1]. A su vez, son unos conceptos que por su dificultad en la experimentacin y complejidad de la explicacin terica que conllevan, resultan difciles de asimilar. Por todo ello, proponemos en este documento una simulacin y demostracin de los mismos, para su exhibicin en clase o laboratorio. Nuestra experiencia docente en una materia fundamental para la ingeniera elctrica como es el electromagnetismo, nos pone en evidencia la importancia de potenciar algunos recursos complementarios a las clases de pizarra para mejorar el proceso enseanza-aprendizaje. El contenido conceptual y la herramienta matemtica necesaria para desarrollarlo hace que los estudiantes pierdan motivacin e inters en la materia, si no se conecta con cuestiones que evidencien su relevancia industrial [2], [3], aplicaciones tecnolgicas [4], [5] y su utilidad prctica [6]. En el presente documento se desarrolla una simulacin numrica que ilustra los diferentes teoremas y magnitudes elctricas analizadas, as como familiariza al estudiante con algunos de los conceptos que se exponen en un curso bsico de electromagnetismo [7], [8]. El objetivo de estos ejemplos es el anlisis cualitativo y posterior estudio cuantitativo mediante el uso del Mtodo de Elementos Finitos (MEF) [9], [10] como entorno didctico, de algunas propiedades y caractersticas de los campos elctricos alrededor de los conductores. De esta manera, se efectuar la simulacin del potencial, campo elctrico, y superficies equipotenciales alrededor de un conductor de forma predeterminada (esfrico, cilndrico, plano, puntiagudo,...).

1. INTRODUCCIN.
Tanto en los nuevos planes de estudio de las Ingeniera Tcnicas Industriales (dentro de sus especialidades de electrnica y especialmente de electricidad) como en los antiguos, el cuerpo de teora asociado al campo elctrico y magntico adquiere relevancia propia bien como asignatura independiente o bien enmarcada dentro de una asignatura de carcter ms amplio como Fundamentos Fsicos de la Ingeniera. La imparticin de este bloque de materia a los estudiantes tiene como uno de sus objetivos bsicos introducir los conceptos y leyes bsicas sobre las que se apoyar gran parte de los contenidos tcnicos que vendrn despus. Esto, junto con el agravante del factor tiempo, invariablemente ms escaso que lo que se deseara, ha colocado tradicionalmente al profesor encargado de la asignatura frente a la disyuntiva de orientar su asignatura a una exposicin rigurosa y fundamentada de conceptos (dejando la aplicabilidad para asignaturas posteriores como mquinas elctricas, electrnica, instalaciones elctricas...), o bien sacrificar parte del rigor en beneficio de una mayor conexin con usos prcticos de los conceptos que se estn exponiendo. Por otra parte, el hecho de que la mayor parte del contenido terico de la asignatura quedase concluido en el siglo pasado y que la estructura expositiva tambin est bastante establecida en sus pocas variantes, tal y como evidencian el gran nmero de libros que con carcter docente se han editado sobre el tema y que presentan en lneas generales una organizacin bastante similar, hace que la praxis de la asignatura de Electricidad y Magnetismo pueda caer en un inmovilismo docente, recogiendo los modelos establecidos y repitindolos sin mayores cambios ao tras ao. La difusin generalizada de la informtica, bsicamente a travs de los ordenadores personales, ha supuesto una revolucin que, lgicamente, tambin est alcanzando al mbito educativo al que se estn incorporando a travs del la triple vertiente muchas veces interdependiente de potencia multimedia, potencia de comunicacin y finalmente materializacin, mediante adecuados programas de simulacin, del mundo virtual como eslabn intermedio entre el mundo real, orgnico y fsico, y el mundo imaginario. La aplicacin del mtodo de elementos finitos (MEF) a la resolucin de problemas de electromagnetismo ha quedado hasta ahora circunscrita al mbito de la investigacin [9], [10], [11], fundamentalmente debido al precio del software. Esta tendencia est comenzando a cambiar y es predecible que en el transcurso de unos aos su uso quede completamente generalizado. El MEF, desde un punto de vista docente, aporta la posibilidad de poder abordar situaciones que tradicionalmente no eran posibles dada la complejidad o imposibilidad prctica de su solucin analtica, como son los efectos de borde en los condensadores o el efecto de las burbujas en los medios dielctricos. Un uso adecuado en el mbito docente del MEF ha de pasar por dos condicionantes: Demostracin al estudiante de la fiabilidad del mtodo. Si bien la experiencia indica que el estudiante medio va a confiar en cualquier resultado que provenga de un programa de ordenador mnimamente avalado por un profesor o simplemente por una interface vistosa, conviene implantar en l una cierta desconfianza sistemtica hacia los resultados obtenidos por ordenador hasta que no vengan refrendados por algn mtodo en el que pueda confiar. En este sentido, la simulacin previa de casos conocidos y solubles analticamente va a permitir por un lado la introduccin expositiva del mtodo y, por otro, la comparacin de los resultados tericos y los obtenidos por simulacin as como la acotacin del error cometido en las simulaciones. Uso de un adecuado sistema de postprocesado. Al hilo de lo apuntado por F. Sez Vacas No hay conocimiento sin informacin y sin trabajo para procesarla (F. Sez Vacas La sociedad informatizada: Apuntes para una patologa de la tcnica Claves de Razn Prctica, 10 de marzo de 1991.), la presentacin al estudiante de un conjunto mas o menos grande de simulaciones (informacin) no va a aportarle gran cosa si no se le invita a realizar un trabajo de anlisis, reflexin y comprensin de los mismos (trabajo de procesado). De aqu se sigue que un buen sistema de postprocesado tiene, desde el punto de vista didctico, casi mayor importancia que el propio motor de simulacin. El MEF simplemente aporta matrices de nmeros, el postprocesador mapas grficos de vectores, lneas de campos vectoriales, campos escalares como campos de color, etc., con los que el estudiante puede captar cualitativamente lo que est sucediendo realmente en el sistema bajo estudio. El presente documento pretende mostrar un posible conjunto de simulaciones mediante el MEF para ilustrar los conceptos de campo y potencial elctrico dentro de un curso de electricidad y magnetismo de un primer curso de una titulacin de ingeniera. Se han estructurado en orden ascendente de complejidad, siguiendo una lnea coincidente con la trayectoria expositiva tradicional de esta materia y revisando, en las ltimas simulaciones,

algunos efectos que si bien se suelen mencionar brevemente por su complejidad analtica, resultan de importancia en su aplicacin en el mundo real y alejado de las idealizaciones de pizarra. As, se comienza con una revisin de la interaccin entre cargas estticas y generalizacin a superficies cargadas: planos infinitos y conductores cilndricos. A partir de ah, mediante la superposicin de dos de estos planos se alcanza el concepto de condensador, analizado de forma ideal en un principio y posteriormente haciendo hincapi en los efectos de borde, y los fenmenos de ruptura del dielctrico de su interior, as como el efecto de discontinuidades del material (burbujas).

2. OBJETIVOS.
Los objetivos educativos que se pretenden conseguir con estas simulaciones son los siguientes: Fundamentar al estudiante los conceptos de campo elctrico y potencial elctrico. No slo mediante su introduccin terica sino a travs de su aplicacin en diversas situaciones en las cuales pueda visualizar y, por tanto, atrapar intuitivamente estos conceptos. Familiarizar al estudiante con programas de simulacin. El uso de programas de simulacin empieza a ser prctica habitual en otras asignaturas (matemticas, teora de circuitos, regulacin automtica...) y constituir en el futuro una opcin generalizada. Exponer y analizar en clase problemas de importancia prctica no solubles analticamente. Situaciones como el efecto de las burbujas en un dielctrico con la importancia prctica que conlleva (aceite de transformadores, etc.) han sido en ocasiones desatendidas debido a la gran cantidad de tiempo necesario para tratarlas adecuadamente. Motivar al estudiante mostrndole la posibilidad de modelar, comprender y manejar sistemas electromagnticos cuya solucin queda fuera de la capacidad de sus herramientas matemticas. A partir del conocimiento de los conceptos (campo y potencial elctrico) as como de las leyes bsicas del electromagnetismo (rotacional del campo elctrico, teorema de Gauss) mostrar al estudiante que es capaz de interpretar los resultados obtenidos por las simulaciones de situaciones ms complejas y que esa capacidad podr emplearla en otras situaciones que se le presenten y que no estn recogidas entre las mostradas en clase.

3. CARGAS ESTTICAS.
Todos los fenmenos electrostticos con los que generalmente se comienza un curso elemental de electromagnetismo tienen su origen en un desequilibrio en el nmero de cargas positivas y negativas en la materia de estudio [1], [7]. As como el concepto de sumas y restas de cargas de distintos signos es muy elemental, los fenmenos a los que da lugar (ley de Coulomb, ley de Gauss, ) acaban siendo abstractos y de difcil comprensin por los alumnos. Una de las mayores dificultades procede de que son magnitudes vectoriales con las que los alumnos todava no se encuentran familiarizados. Problemas clsicos de resolucin terica son los dipolos con cargas puntuales, distribuciones lineales de cargas, - distribuciones planas y uniformes de carga, distribuciones cilndricas y esfricas, etc. Todos estos ejemplos pueden ser resueltos de forma simblica pero el gran nmero de operaciones matemticas que exigen provocan la prdida de una visin ms global del sistema y, como consecuencia, una desmotivacin del alumno. Con objeto de tener accesible en tiempo real una herramienta que permita una adecuada visualizacin espacial del problema que acaba de ser resuelto tericamente en pizarra, se propone la resolucin del mismo haciendo uso del mtodo de elementos finitos (MEF) del que se ha hablado con anterioridad. Se han escogido para ilustrar estas ideas, dos ejemplos de sencilla resolucin. Uno de ellos se refiere a la aplicacin directa de la Ley en Gauss en una distribucin volumtrica de carga. El otro no puede resolverse directamente mediante la aplicacin de esta ley sino mediante el concepto de cargas imagen [8].

3.1. DISTRIBUCIN VOLUMTRICA DE CARGA, PLANA E INFINITA.

Este ejemplo prctico simula un slido de permitividad 0 cuyo espesor es despreciable respecto a las otras dos dimensiones y que se encuentra con una carga neta positiva distribuida uniformemente en su volumen. Esta

carga origina en los puntos del slido y los que rodean a ese slido un campo electrosttico que puede calcularse fcilmente por medio de la ley de Gauss (y apoyndose en las condiciones de simetra que aparecen). Conocido el vector intensidad de campo elctrico E y aplicando la definicin de la diferencia de potencial V podemos calcular el potencial en cualquier punto del espacio respecto a una determinada referencia.
x z y x V(z=+d/2)=0V

DATOS:
S z

d=10 mm

V=310-12 C/m3

V(z=-d/2)=0V z=-d/2 d

QENC=VSd z=0 z=+d/2

V(Z=+d/2)=0 V V(Z=-d/2)=0 V

Figura 1. Diagrama y Datos del ejemplo de anlisis.

Como datos de partida se conocern el espesor de la distribucin d y la densidad volumtrica de carga V . Mediante el desarrollo terico y tomando la referencia de potencial en una de las paredes del slido se calcular el campo y potencial elctrico.

EdS =
S

Q ENC

EZ =

V z; 0

d 2
z d 2

V ( z) =

Wd / 2 Z = Edl V Z = V q 2 0 d /2
Z

d2 2 4 z ;

Para la comprobacin numrica de los resultados se introducen en el programa de elementos finitos los parmetros de estudio anteriores. Los resultados, figura 2, permiten validar las expresiones simblicas obtenidas en la pizarra, y observar en 3 dimensiones la geometra del campo elctrico.

Figura 2. Distribucin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) entre la superficie del slido y un punto interior.

Desde el punto de vista docente, la distribucin cuadrtica de potenciales puntuales nos permiten hacer el smil con la energa potencial gravitatoria. Al avanzar hacia el interior del slido el proceso fsico de trabajo es similar al realizado cuando se sube por una ladera de una montaa. En el punto de mxima altura se consigue el punto

de mxima energa gravitatoria. El descenso por la ladera da lugar a una disminucin de la energa potencial gravitatoria equivalente a la disminucin en el potencial puntual obtenido al alejarnos del centro de la distribucin infinita de carga, figura 3.

Figura 3. Grficas que representan la variacin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y el potencial elctrico (derecha) con la distancia a una de las superficies del slido.

3.2. CONDUCTORES CILNDRICOS INFINITOS A POTENCIAL CONSTANTE.

Si en lugar de trabajar con dielctricos y cargas reales fijas en el espacio se estudian conductores, las cargas dejan de estar fijas en las superficies y ya no pueden aplicarse los principios elementales de resolucin anteriormente utilizados. Un procedimiento que permite el clculo analtico de ciertos problemas electrostticos donde intervienen conductores es el mtodo de las imgenes, figura 4. Para aplicar este sistema y validarlo mediante el MEF se escogi el problema de dos cables conductores paralelos de radio R separados una distancia d y sometidos a una diferencia de potencial V+ y V-. La imposicin de una superficie equipotencial para cada uno de los conductores provoca la aparicin de una distribucin superficial de carga no uniforme.
E E PB rr r+ +Q + a D a + R +V Er

DATOS: V+=+100 V V-=-100 V R=2,5 mm D=15 mm

-Q -V -

Figura 4. Diagrama y Datos del ejemplo de anlisis.

Este problema puede ser tratado como dos distribuciones lineales infinitas de carga, que se encuentran ligeramente desplazadas con respecto a los ejes de los cables conductores (mtodo de las imgenes). Los nuevos parmetros del modelo vienen determinados por las ecuaciones; [8].

1 V+ ; a = R senh ( ) arc cosh (D/ 2 R ) Las expresiones que se obtienen para el potencial puntual y el mdulo del campo electrosttico mediante este mtodo son las siguientes: [8].

= 2 0

V+

; = 2 0

VP =

r ln + ; r 2 0

Er =

a r 2 a 2 cos ; 0 r+2 r2

E =

a r 2 + a 2 sen 0 r+2 r2

Para la comprobacin numrica de los resultados anteriores se escogieron dos puntos en el espacio PA(x,y)=(0,10) y PB(x,y)=(5,5). Los resultados obtenidos fueron los mostrados a continuacin:

Punto PA ( x, y ) = (0,10) E Punto PB ( x, y ) = (5,5) E

PA

PB

V ; V PA = 0 V m V = 11346,75 ; V PA = 49,9 V m = 4011,65

Como se hizo en el caso anterior, el problema se puede resolver numricamente mediante el programa de elementos finitos obtenindose las siguientes distribuciones de potenciales y mdulos de campo electrosttico, figura 5.

Figura 5. Distribucin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) en el espacio que separa los cables conductores.

Figura 6. Grficas que representan la variacin del potencial elctrico (izquierda) y mdulo del campo elctrico (derecha) a lo largo de la lnea que une los cables y es perpendicular a los ejes.

Los resultados numricos para los puntos de anlisis, obtenidos mediante el MEF son:

Punto PA ( x, y ) = (0,10) E Punto PB ( x, y ) = (5,5) E

PA

PB

V ; V PA = +0,11V m V = 11544,425 ; V PA = 48,03 V m = 4019,308

Tambin podemos observar fcilmente mediante este programa, como se modifican estas magnitudes a lo largo de una lnea de estudio. Para ello tomamos como ejemplo el eje que separa a ambos conductores, figura 6. Un ejemplo que, siendo geomtricamente similar al anterior, no posee una fcil resolucin analtica es cuando ambos cables conductores se encuentran sometidos al mismo potencial V+. El potencial del plano equidistante de ambos conductores es distinto de cero, con lo cual no puede aplicarse el mtodo de las imgenes. En este caso, utilizar una herramienta de simulacin como el programa del MEF nos permite conocer tanto la distribucin del campo elctrico como el potencial en cualquier punto del espacio, figura 7.

Figura 7. Distribucin del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) en el espacio que separa los conductores que se encuentran a V+.

El valor del mdulo de E y del potencial puntual V en los puntos PA y PB, calculados para la nueva situacin electrosttica mediante el MEF,

Punto PA ( x, y ) = (0,10) E Punto PB ( x, y ) = (5,5) E

PA

PB

V ; VPA = +38,89 V m V = 7298,541 ; VPA = +70,20 V m = 5464,521

Figura 8. Potencial (izquierda) y campo elctrico (derecha) a lo largo de la lnea que une los conductores.

Las grficas anteriores, figura 8, representan la nueva distribucin del campo elctrico y potencial puntual en el espacio a lo largo de la lnea que une los cables y es perpendicular a los conductores. Resulta interesante comparar las lneas de campo elctrico que se producen entre los conductores cuando se encuentran sometidos a distinto potencial V+=+100V, V-=-100V caso A- y cuando se hayan conectados al mismo potencial V+=+100V caso B-, figura 9.

Figura 9. Distribucin de las lneas de campo elctrico entre los conductores para las 2 situaciones analizadas.

4. CONDENSADORES.
El estudio de los condensadores rene y emplea en un problema aplicado todos los conceptos electrostticos. El clculo de la capacidad del condensador en funcin de su geometra, la carga de sus placas, la energa electrosttica almacenada, etc. justifica a los alumnos la necesidad de introducir los conceptos electrostticos previamente expuestos. Por ello presentamos una serie de ejemplos sencillos de condensadores que ilustran los conceptos bsicos tales como lneas equipotenciales, campos elctricos, efecto de borde, densidades de carga y energa. La representacin espacial de las lneas de campo y superficies equipotenciales obtenidas mediante el MEF es un documento de gran valor didctico por su claridad y descriptibilidad.

4.1. CONDENSADOR PLANO.

En este ejemplo analizaremos el caso de un condensador plano de placas circulares y paralelas, figura 10. Primero mostraremos la solucin despreciando efectos de borde, que puede resolverse tanto con el programa de elementos finitos como analticamente. Con ello se pretende que el alumno verifique la fiabilidad de los resultados obtenidos con este tipo de programas. Despus se simularn los efectos de borde en las placas del condensador, en cuanto a distribucin de cargas en la placa conductora y la deformacin de las lneas de campo elctrico.
z +V R + S d - S
S = R
2

x y + +
E

DATOS:
+V + +

V
-V -

V+=+100 V V-=0 V d=6 mm R=10 mm 0=8,8510-12 F/m

-V

Figura 10. Diagrama y Datos del ejemplo de anlisis.

Tomamos dos placas circulares de radio R separadas una distancia d con una diferencia de potencial entre las placas V y un medio de permitividad 0 tal y como se nos muestra en la figura anterior. La solucin analtica viene dada por las expresiones.

E =

VB V A kV C = 16,66 ; D = 0 E = 1,475 10 7 d m m

siendo la capacidad C asociada a este condensador plano y la energa almacenada:

C=

0 S
d

= 0,463 pF ; Energa =

1 C V 2 = 2.315 10 9 J 2

Los resultados obtenidos mediante el MEF permiten validar las expresiones anteriores, fcilmente calculadas, y observar en tres dimensiones la geometra del potencial elctrico, figuras 11 y 12.

Figura 11. Distribucin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) en un condensador plano.

Figura 12. Variacin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) en el interior de un condensador plano.

Los resultados del anlisis por medio de la simulacin mediante el MEF son,

E = 16,666

kV C ; D = 1,4756 10 7 m m

C=

Q D S 1 = = 0,463 pF ; Energa = E D dV = 2,3169 J V V 2V

En el problema se han supuesto condiciones ideales para su clculo, es decir, se ha considerado despreciable el efecto de los bordes en las placas del condensador. El programa de resolucin numrica nos permite apreciar la variacin del potencial y campo elctrico en los extremos y trazar, del mismo modo, la trayectoria que describirn las lneas de campo al considerar un condensador real. En la grfica de la figura 13 se muestra la densidad de carga real superficial en la placa del condensador. Como puede apreciarse se produce un incremento considerable cuando nos aproximamos al extremo de la placa conductora ocasionado por el efecto de borde.

Figura 13. Efecto de deformacin de lneas de E y acumulacin de cargas en las superficies de radio de curvatura pequeo.

4.2. CONDENSADOR CILNDRICO FINITO.

Otro caso interesante de analizar es el condensador cilndrico, observando los cambios que se producen en las magnitudes de estudio en funcin de su geometra y con respecto al condensador plano, figura 14. En este tipo de condensador las lneas de campo elctrico describen trayectorias perpendiculares a las placas conductoras, como sucede en el condensador plano. Su nueva geometra es radial, deformndose las lneas en las superficies planas que limitan el condensador.
V
z x y L + + + R1
E

DATOS:
R2

V=1 kV
R1=2 mm R2=4 mm

+S

+ + + -

E
Pr

= 5 0

=50 S=2RL

Figura 14. Diagrama y Datos del ejemplo de anlisis.

Partimos de dos conductores cilndricos de radios R1 y R2 con una diferencia de potencial entre las placas V y un medio lineal, homogneo e istropo de permitividad 5 0 , tal y como se nos muestra en la figura anterior. De esta manera la resolucin analtica ser,

 E dS =
S

E=

R1 R Q 1 ln 2 ; V = E dl V = 10 0 L r 10 0 L R1 R2

E =

V 1 1442,7 V = ; R1 r r m ln R2

D = E =

6,3839 10 8 C 2 r m

siendo la carga Q y la capacidad C por unidad de longitud en el condensador cilndrico:

Q = 10 0 L

V C = 4,011 10 7 ; R1 m ln R2

C=

Q pF = 0,4 V m

Una vez aplicado el MEF, y para no dificultar el visionado de las lneas equipotenciales junto con la distribucin de las magnitudes en el objeto simulado, se tomar del condensador cilndrico haciendo uso de su simetra radial, figuras 15 y 16.

Figura 15. Distribucin del mdulo (izquierda) y lneas del campo elctrico en el interior de un condensador cilndrico.

Figura 16. Variacin radial del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) en el interior de un conductor cilndrico.

A continuacin se efecta una comprobacin numrica de los resultados obtenidos mediante el mtodo analtico y los mostrados en el MEF. Para ello calcularemos las variables en un punto situado sobre el radio, R=3mm. Igualmente se compara la carga acumulada Q , la capacidad asociada C y la energa por unidad de longitud en el condensador de estudio, tabla 1.

MAGNITUD |E|R=3mm |D|R=3mm VR=3mm Q C

UNIDAD kV/m

TERICO 480,9

MEF 482,36

C/m2 V C/m pF/m J/m

2,1210-5 415,03 4,01110-7 401,113 200,55710-6

2,13510-5 415,196 4,01310-7 401,293 200,64610-6

Energa

Tabla 1. Relacin de las magnitudes obtenidas analticamente y por el mtodo de elementos finitos.

4.3. CONDENSADOR PLANO CON DIELCTRICOS DIFERENTES.

Un ejemplo clsico que se puede encontrar en cualquier libro de electromagnetismo es el basado en un condensador plano con dos o ms dielctricos diferentes [1], [7], [8]. A este tipo de estructura geomtrica se le denomina tipo sndwich, figura 17. Este caso puede resolverse de una forma sencilla por el mtodo de superposicin o, en su defecto, mediante los conceptos de asociacin de condensadores. De la misma manera que en los ejemplos expuestos anteriormente, se resolver el condensador analticamente para posteriormente y de una forma resumida efectuar una comparacin con el mtodo numrico.
z +V + S2 l y d - S2 l + S1 x + +
D2

DATOS:
+V + +
D1

1
- S1 -

V+=+100 V V-=0 V d=6 mm l=5 mm

-V

-V l

1=0 2=2000

Figura 17. Diagrama y Datos del ejemplo de anlisis.

Tomamos dos superficies conductoras paralelas de dimensiones l 2l separadas una distancia d con una diferencia de potencial entre las placas V y con dos medios dielctricos en su interior de permitividad 1 = 0 y 2 = 200 0 tal y como se muestra en el dibujo anterior,

E = E1 = E 2 =

V kV = 16,66 ; d m

D = E D1 = 1,47 10 7

C C ; D 2 = 2,95 10 5 2 m2 m

siendo ahora la carga QT y la capacidad total CT asociada al condensador:

QT = Q1 + Q2 = S D1 + D2 = 7,411 10 10 C ;

C T = ( 1 + 2 )

S = 7,411 pF d

La energa total almacenada por el condensador y el mdulo de la fuerza F que ejerce el dielctrico 2 sobre la superficie de la placa vendrn dadas por:

Energa T =

1 C T V 2 = 3,706 10 8 J ; 2

F =
S

S2 dS = 6,174 10 6 N 22

Ahora se introduce el modelo en el programa de elementos finitos para su comprobacin numrica, figuras 18 y 19. Los resultados nos permiten observar mediante un proyector de transparencias la geometra y distribuciones en el espacio de los campos elctricos en el interior de los dielctricos. Los resultados del MEF son.

E = 16,666

kV C ; D = 2,9514 10 5 ; QT = 7,378 10 10 C ; CT = 7,378 pF m m 1 1 EnergaT = E D dV = 3,704 10 8 J ; F = E Z DZ dS = 6,147 10 6 N 2V 2S

Figura 18. Distribucin del potencial elctrico (izquierda) y vector desplazamiento (derecha) entre las placas del condensador.

Figura 19. Variacin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y vector desplazamiento (derecha) en el interior de los medios dielctricos del condensador.

5. RUPTURA DIELCTRICA.
Los fenmenos de ruptura dielctrica son fciles de estudiar cuando se plantean como sistemas aislados que trabajan a carga constante, siempre y cuando su geometra sea sencilla. Mucho ms complicado de entender y analizar son los problemas reales de conductores con geometra compleja que se encuentran a una diferencia de potencial constante, siendo sus cargas las que varan al modificarse las condiciones en los conductores. El mtodo de elementos finitos lo utilizaremos aqu para simular el incremento en los valores de campo elctrico en el entorno de un conductor con un radio de curvatura que tiende a cero cuando la diferencia de potencial respecto a un plano conductor aumenta. Constituye una primera aproximacin a lo que sucede en la punta de un pararrayos durante una tormenta.

Figura 20. Distribucin del mdulo del campo elctrico (izquierda) y potencial elctrico (derecha) entre el plano conductor+ y la superficie puntiaguda-.

El plano conductor se supondr a un potencial V+ = 1 kV constante y el objeto puntiagudo puesto a tierra. En la figura 20 se observa el efecto llamarada (alta intensidad del campo elctrico) que produce el elemento con un radio de curvatura despreciable. Cualitativamente, la razn de este fenmeno es que las cargas negativas se acumulan en la superficie del conductor que se encuentra ms cerca a la placa positiva. Una cantidad relativamente pequea de carga en el extremo de la punta da lugar a una densidad superficial grande; y una alta densidad de carga significa un elevado campo elctrico justo en el exterior. Del mismo modo, puede apreciarse con claridad las distintas superficies equipotenciales que existen entre los dos elementos que componen nuestro ejemplo de estudio.

6. DISCONTINUIDADES EN LA MATERIA.
Un ejemplo utilizado comnmente en las explicaciones tericas de la asignatura consiste en el estudio de las perturbaciones del campo elctrico que en un medio dielctrico provocan pequeas burbujas de aire. Inicialmente se pueden llegar a considerar inofensivas pero, estudiadas con detalle, dan lugar a la aparicin de campos elctricos muy intensos en su interior que pueden llegar a provocar fenmenos de ruptura dielctrica, figura 21. Estos fenmenos dan lugar a degradaciones de aceites dielctricos en transformadores, averas en cadenas de aisladores en lneas de alta tensin, etc. En la grfica de la figura 22 podemos observar la variacin del mdulo del campo elctrico en el interior del dielctrico que contiene la burbuja, observando el mximo que alcanza en las paredes de la misma.

Figura 21. Distribucin del mdulo del campo elctrico en el conjunto dielctrico-burbuja (izquierda) y solamente en el medio dielctrico (derecha).

Figura 22. Distribucin del mdulo del campo elctrico en la burbuja de aire (izquierda) y variacin del mdulo del campo elctrico en el conjunto dielctrico-burbuja-dielctrico (derecha).

7. CONCLUSIONES.
Es comn a las asignaturas que introducen los fundamentos tericos en las enseanzas tcnicas la conveniencia de adaptar aplicaciones tecnolgicas o con relevancia industrial al nivel de iniciacin. Pese a que la tarea no resulta fcil habitualmente, ayuda a una mejor comprensin de la materia lo que permite que el estudiante advierta la utilidad y la necesidad de su estudio incrementando su motivacin e inters. A lo largo del presente documento se han presentado diversos sistemas electromagnticos, as como su anlisis mediante el mtodo de elementos finitos. Se ha realizado una conexin entre los mtodos tradicionales de anlisis de estas situaciones, restringidos a los casos ideales, y su generalizacin a casos ms cercanos a la realidad. Se ha analizado la viabilidad del uso de un programa de MEF como complemento docente en una asignatura de Electricidad y Magnetismo y se ha sealado la importancia de contar con un sistema de postprocesado como herramienta docente de anlisis de resultados.

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