Reporte de prctica Aplicacin de transistores II

Brian Natanael Bez Morales; Manuel Alejandro Anguiano Rivera; Raymundo Cruz Salas; Luis Enrique Pichardo Torres Ing. Mecatrnica 2A

I.INTRODUCCIN En la prctica que se realizo hace una semana, se usaron dos nuevos tipos de transistores, el TIP41 y el TIP42, los cuales demuestran ser de gran ayuda para el control de voltajes. Para esta prctica se dio el uso de varios tipos de transistores, los cuales fueron puestos en los circuitos sealados y se hizo una observacin del comportamiento de estos en los circuitos, adems de que se anotaron los resultados de los circuitos. Algunos de estos transistores se usaron para conocer sus reacciones dentro de un circuito y como pueden ayudar en cuanto a respuestas de estos. II. OBJETIVO Conocer los posibles comportamientos de los transistores dentro de un circuito; adems de saber la forma adecuada para lograr que el transistor provea una mayor ayuda o un mejor funcionamiento del circuito. Identificar los transistores que se usaran en la prctica as como observar el comportamiento de estos al momento de ser colocados en un circuito, conocer adems las diferencias que hay entre cada uno de estos. III. SUSTENTO TERICO Los fototransistores son estn constituidos de manera muy anloga a los BJT convencionales, si bien no suelen tener conexin exterior a la base. Su funcionamiento se basa en el fotodiodo que existe en la unin colector-base. La configuracin ms corriente de fototransistor es la de silicio npn. Usualmente el fototransistor se construye mediante el proceso de difusin. El

fototransistor se hace funcionar con el emisor tipo n negativo respecto al colector tipo n. con ello la unin base-emisor queda polarizada directamente, mientras que la unin colector base lo est en sentido inverso. Si incide la luz sobre la unin colector base y los fotones tienen energa suficiente para crear portadores de carga libres adicionales, la polarizacin inversa en la unin hace que los electrones pasen a la zona del colector. En un fototransistor, la corriente en oscuridad es ms intensa que en un fotodiodo.

Un transistor tiene 3 zonas de dopaje el emisor, la base y el colector estos pueden ser NPN o PNP, en la figura se muestra un NPN:

Figura 1. Comportamiento interno de transistor

Adems de eso el transistor cuenta con dos uniones, una entre el emisor y la base y otra entre la base y el

colector; por lo tanto, un transistor acta como dos diodos contrapuestos.

IV. DESARROLLO Para llevar a cabo esta prctica, se utilizaron los siguientes materiales y equipos: Materiales 2 transistores NPN 2 transistores PNP Resistencias Clavija y foco Capacitores de 10F Resistencia de 10 a 2W TIP 42 & TIP 41 Fototransistor Equipos Fuente de voltaje Multimetro Cables de voltaje Cable telefnico

Figura 2. Representacin de un transistor

Como se puede observar en la figura anterior, el transistor tiene esta representacin grafica, adems de que la flecha que se encuentra en la parte del emisor puede ir hacia adentro o hacia afuera del transistor. Si el electroimn est activo jala el brazo (armadura) y conecta los puntos C y D. Si el electroimn se desactiva, conecta los puntos D y E. De esta manera se puede conectar algo, cuando el electroimn est activo, y otra cosa conectada, cuando est inactivo.

PRUEBA 1. Polarizaciones alternativas. En esta prueba realizamos la medicin y clculo de las corrientes de emisor, base y colector, as como el voltaje de emisor.

Es importante saber cul es la resistencia del bobinado del electroimn (lo que est entre los terminales A y B) que actica el rel y con cuanto voltaje este se activa. Este voltaje y esta resistencia nos informan que magnitud debe de tener la seal que activar el rel y cuanta corriente se debe suministrar a ste. La corriente se obtiene con la ayuda de la Ley de Newton: V = I R, donde I es la corriente necesaria para activar el Rel, V es el voltaje para activar el rel y R es la resistencia del bobinado del rel.

Los valores encontrados se muestran en la tabla siguiente. Transistor Parmetro IB Ic IE VE Datos Calculados Reales 104.66 uA 13.49 mA 9.48 mA 6.28 V 104.7uA 13.58mA 9.44mA 6.2V

Despus realizamos las mismas mediciones con la variante de que ahora la resistencia del circuito corresponde a una magnitud de 10k ohms. Transistor Parmetro Datos Calculados Reales

PRUEBA 2. Oscilador transistorizado estable. En esta prueba construimos los siguientes circuitos y observamos el comportamiento de los LEDs e identificamos la funcin que adopta el transistor en cada uno de ellos.

IB 17.61uA 17.5uA Ic 1.11mA 1.09mA IE 0.442 mA 0.46mA VE 4.55 V 4.53 V Por ltimo realizamos la siguiente modificacin al circuito original como se muestra en el circuito.

Observaciones. Se puede observar que los LEDs tienen un comportamiento de prendido y apagado continuo e intercalado entre estos, por lo que podemos mencionar que los transistores 2N2222A funcionan como switches que regulan el encendido y apagado de los LEDs, una de las principales causas que presenta este comportamiento son los capacitores es el que define tambin el comportamiento de los LEDs de manera que uno se carga y otro se descarga.

Calculamos las corrientes de emisor, base y colector, as como el voltaje del emisor. Los datos obtenidos se encuentran en la siguiente tabla. Transistor Parmetro IB Ic IE VE Datos Calculados Reales 6.6 uA 1.12 mA 1.15 mA 12.1 V 6.5 uA 1.13 mA 1.12 mA 12.4 V

Observaciones. Se puede observar que los valores de las fuentes que en este caso son 12 V tanto positivos como negativos dan una polarizacin al transistor, por lo que se puede deducir que el voltaje que es encuentra en el emisor ahora es considerado como el de la fuente negativa.

Observaciones. Este circuito es muy parecido al anterior en el cual el LED se prende y apaga en el circuito, pero en este

caso ahora se presentan tres LEDs por lo que existe una mayor diferencia en cuanto el cambio de reaccin de los LEDs. PRUEBA 3. Amplificador de corriente. En esta parte de la prctica se construyo el siguiente circuito. Posteriormente medimos la corriente y voltaje que llega a la resistencia RL, al terminar este pas, cambiamos las resistencias de RL con valor de 1 k ohm por una resistencia de 10 ohm a 2 watts o mayor y realizamos la medicin de las mismas variables.

La intercalacin de los transistores mostro un comportamiento diferente a como si estos se encontraran independientes uno del otro.

Observaciones. Al finalizar con el circuito anterior, realizamos el siguiente circuito y analizamos los parmetros de voltaje y corriente.

Podemos decir que este circuito muestra un comportamiento similar al anterior, a diferencia que este cuenta con el TIP 42, permitiendo que el voltaje sea repartido en la maya de transistores y en las resistencias en paralelo. V.CONCLUSIONES Prueba 1. Al momento de la realizacin de este circuito me ayudo para entender de mejor manera el comportamiento de un transistor al ser polarizado, y al mismo tiempo ya q la prctica lo requera recordar el acomodo de fuentes en serie.

Observaciones. Se pudo observar que el transistor 7805 permite una ganancia de voltaje dentro de los circuitos que se encuentran en paralelo, adems de que da un lmite de voltaje para las resistencias que estn en paralelo.

Prueba 2. El circuito terminado nos plasma resultados satisfactorios pero que ocasionan controversia debido al funcionamiento de los LEDs lo cual nos hace introducirnos ms en el tema y conocer ms acerca de este fenmeno. Prueba 3. Esta prueba no se realiz por una falla en el regulador de voltaje que se adquiri.

Al terminar el anlisis anterior construimos los siguientes circuitos. Se requiri comparar las mediciones con los clculos obtenidos y realizar una comparacin final entre ambos.

Prueba 4 Este tipo de circuitos son muy comnmente usados en electrnica analgica por lo que es de suma importancia conocer acerca de su funcionamiento, ya

que podramos usar estos modelos en un futuro y realizar distintas practicas para el uso en nuestra carrera. El comportamiento de los transistores dentro de un circuito muestra ser de grandes modificaciones adems de que muestran ser una gran ayuda en los circuitos de los cuales se desea un cambio y comportamiento especfico. Se llego a la conclusin de que en esta prueba nomas se quiso comprobar el comportamiento del uso del transistor y su aplicacin. Y con el segundo circuito vemos el comportamiento de un puente Darlington el cual tiene mucha influencia en el circuito y sus componentes conectados. Observamos en esta prueba que la corriente de la base es menor a la corriente del colector y que el voltaje del colector es menor a diferencia del voltaje registrado en su resistencia, respetando los parmetros reales del transistor empleado en dicho circuito. Podemos observar que la beta entregada en este circuito corresponde a un valor 9.83 como resultado de lo visto en clase respecto al clculo basado en corriente de base y colector, dicha magnitud nos indica que la medicin de corrientes es aproximada a la real o considerarse como correcta, pues se encuentra en los parmetros del transistor. En esta prueba realizamos un amplificador Darlington debido a la conexin de los transistores como se muestra en el circuito, podemos notar que la corriente de la base del segundo transistor es la igual a la corriente que registramos a la salida del emisor del primer transistor. Con respecto a los voltajes medidos notamos que su valor disminuye a la salida, aunque el flujo de corriente se incrementa debido a la posicin del transistor respecto a las resistencias del circuito.

VI. BIBLIOGRAFIAS Malvino, A (2000) Principios de Electrnica. 6 Edicin. McGraw-Hill: Espaa. Pgs. 218-240. Bravo, I (2006) Electrnica Analgica. Marcombo: Espaa. Pgs. 50-58. Cirovic, M (2003). Electrnica fundamental: dispositivos, circuitos y sistemas. Revert: Espaa. Pgs. 146-147.