Technische Information / Technical Information

IGBT-Module
IGBT-Modules FS 450 R17 KE3
vorläufige Daten
preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Tvj = 25°C VCES 1700 V
collector-emitter voltage

Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 450 A

DC-collector current TC = 25 °C IC 605 A

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 900 A
repetitive peak collctor current

Gesamt-Verlustleistung
TC=25°C, Transistor Ptot 2270 W
total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung
VGES +/- 20V V
gate-emitter peak voltage

Dauergleichstrom
IF 450 A
DC forward current

Periodischer Spitzenstrom
tp = 1 ms IFRM 900 A
repetitive peak forw. current

Grenzlastintegral der Diode

VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C I2t t.b.d. kAs
2
I2t - value, Diode

Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 3,4 kV
insulation test voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung IC = 450A, VGE = 15V, Tvj = 25°C VCE sat - 2,0 2,45 V
collector-emitter saturation voltage IC = 450A, VGE = 15V, Tvj = 125°C - 2,4 t.b.d. V

Gate-Schwellenspannung
IC = 18mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGE(th) 5,2 5,8 6,4 V
gate threshold voltage

Gateladung
VGE = -15V ... +15V QG - 5,1 - µC
gate charge

Eingangskapazität
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cies - 37 - nF
input capacitance

Rückwirkungskapazität
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V Cres - 1,3 - nF
reverse transfer capacitance

VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C - - 5 mA

Kollektor-Emitter Reststrom
ICES
collector-emitter cut-off current VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C - - - mA

Gate-Emitter Reststrom
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C IGES - - 400 nA
gate-emitter leakage current

prepared by: Alfons Wiesenthal date of publication: 2002-07-26

approved by: Christoph Lübke revision: 2.0

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vorläufige Daten
preliminary data

Charakteristische Werte / Characteristic values

Transistor / Transistor min. typ. max.

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 450A, VCE = 900V

turn on delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 25°C td,on - 0,28 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 125°C - 0,32 - µs

Anstiegszeit (induktive Last) IC = 450A, VCE = 900V

rise time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 25°C tr - 0,10 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 125°C - 0,10 - µs

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) IC = 450A, VCE = 900V

turn off delay time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 25°C td,off - 0,85 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 125°C - 1,00 - µs

Fallzeit (induktive Last) IC = 450A, VCE = 900V

fall time (inductive load) VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 25°C tf - 0,10 - µs
VGE = ±15V, RG = 3,3W, Tvj = 125°C - 0,20 - µs

Einschaltverlustenergie pro Puls IC = 450A, VCE = 900V, VGE = ±15V

turn-on energy loss per pulse RG = 3,3W, Tvj = 125°C, Ls = 80nH Eon - 150 - mJ

Abschaltverlustenergie pro Puls IC = 450A, VCE = 900V, VGE = ±15V

turn-off energy loss per pulse RG = 3,3W, Tvj = 125°C, Ls = 80nH Eoff - 150 - mJ

Kurzschlußverhalten tP £ 10µsec, VGE £ 15V

SC Data TVj£125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·di/dt ISC - 1670 - A

Modulinduktivität
LsCE - 20 - nH
stray inductance module

Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip

pro Zweig / per arm, TC = 25°C RCC´+EE´ - 1,10 - mW
module lead resistance, terminals - chip

Charakteristische Werte / Characteristic values

Diode / Diode min. typ. max.
Durchlaßspannung IF = 450A, VGE = 0V, Tvj = 25°C VF - 1,8 2,2 V
forward voltage IF = 450A, VGE = 0V, Tvj = 125°C - 1,9 t.b.d. V

Rückstromspitze IF = 450A, - diF/dt = 4400A/µs

peak reverse recovery current VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C IRM - 560 - A
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 600 - A

Sperrverzögerungsladung IF = 450A, - diF/dt = 4400A/µs

recovered charge VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Qr - 115 - µC
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 185 - µC

Abschaltenergie pro Puls IF = 450A, - diF/dt = 4400A/µs

reverse recovery energy VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 25°C Erec - 60 - mJ
VR = 900V, VGE = -15V, Tvj = 125°C - 110 - mJ

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vorläufige Daten
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Charakteristische Werte / Characteristic values
NTC - Widerstand / NTC - thermistor min. typ. max.

Nennwiderstand TC = 25°C R25 - 5 - kW

rated resistance

Abweichung von R100 TC = 100°C; R100 = 493W DR/R -5 - 5 %

devitation of R100

Verlustleistung TC = 25°C P25 - - 20 mW

Power dissipation

B - Wert R2= R1 exp[B(1/T2 - 1/T1)] B25/50 - 3375 - K

B - value

Thermische Eigenschaften / Thermal properties

min. typ. max.
Innerer Wärmewiderstand Transistor / transistor, DC RthJC - - 0,055 K/W
thermal resistance, junction to case Diode/Diode, DC - - 0,100 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module

RthCK - 0,005 - K/W
thermal resistance, case to heatsink lPaste = 1 W/m*K / lgrease = 1 W/m*K

Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
Tvj max - - 150 °C
maximum junction temperature

Betriebstemperatur
Tvjop -40 - 125 °C
operation temperature

Lagertemperatur
Tstg -40 - 125 °C
storage temperature

Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties

Gehäuse, siehe Anlage

case, see appendix

Innere Isolation
Al2O3
internal insulation

Kriechstrecke
14 mm
creepage distance

Luftstrecke
10 mm
clearance

CTI
225
comperative tracking index

Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung

Schraube / screw M5 M 3 - 6 Nm
mounting torque

Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse

Anschlüsse / terminals M6 M 3 - 6 Nm
terminal connection torque

Gewicht
G 916 g
weight

Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.

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vorläufige Daten
preliminary data

Ausgangskennlinie (typisch) I C = f (VCE)

Output characteristic (typical) VGE = 15V

900

800

700

600
Tvj = 25°C
IC [A]

500 Tvj = 125°C

400

300

200

100

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

Ausgangskennlinienfeld (typisch) I C = f (VCE)

Output characteristic (typical) Tvj = 125°C

900

800

700 VGE=9V
VGE=11V
600 VGE=13V
VGE=15V
VGE=19V
IC [A]

500

400

300

200

100

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0

VCE [V]

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vorläufige Daten
preliminary data

Übertragungscharakteristik (typisch) I C = f (VGE)

Transfer characteristic (typical) VCE = 20V

900

800

Tvj = 25°C
700
Tvj = 125°C

600
IC [A]

500

400

300

200

100

0
5 6 7 8 9 10 11

VGE [V]

Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) I F = f (VF)

Forward characteristic of inverse diode (typical)
900

800
Tvj = 25°C
700 Tvj = 125°C

600
IF [A]

500

400

300

200

100

0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0

VF [V]

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Schaltverluste (typisch) Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC)

Switching losses (typical) VGE = ±15V, RGon = RGoff =3,3W, VCE = 900V, Tvj = 125°C

700

600
Eon
Eoff
500 Erec
E [mJ]

400

300

200

100

0
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900

IC [A]

Schaltverluste (typisch) E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)

Switching losses (typical) VGE = ±15V, IC = 450A , VCE = 900V , Tvj = 125°C

700

600 Eon
Eoff
Erec
500

400
E [mJ]

300

200

100

0
0 10 20 30

RG [W]

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Transienter Wärmewiderstand ZthJC = f (t)

Transient thermal impedance
1

0,1
ZthJC [K/W]

Zth:Diode
0,01
Zth:IGBT

0,001
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]

i 1 2 3 4
ri [K/kW] : IGBT 14 20,68 15,97 4,34
ti [s] : IGBT 0,01565 0,03977 0,07521 1,443

ri [K/kW] : Diode 33,89 37,6 23,81 4,693

ti [s] : Diode 0,02103 0,03011 0,08672 1,1583

Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)

Reverse bias safe operation area (RBSOA) VGE = ±15V, RG = 3,3 Ohm, T vj= 125°C

1000

900

800
IC [A]

700
IC,Chip
600

500

400

300

200

100

0
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 1800

VCE [V]

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