Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
GESTO DE ENERGIA
ENERGIA SOLAR
Maro 2006
GESTO DE ENERGIA
1. INTRODUO
O fsico francs Edmond Becquerel, descreveu a primeira clula fotovoltaica em 1839, que permaneceu como curiosidade cientfica nos 75 anos posteriores. Becquerel descobriu que certos materiais produziam pequenas quantidades de corrente elctrica quando expostos luz. O efeito foi primeiramente estudado em slidos, como o silcio, por Heinrich Hertz, por volta de 1870. Logo aps, clulas de silcio convertiam luz em electricidade, com eficincia variando entre 1 e 2%. Como resultado, o silcio foi adoptado rapidamente no campo emergente da fotografia, para os dispositivos de medio de luz. Os maiores passos para a comercializao das clulas fotovoltaicas foram tomados nos anos 40 e incio da dcada de 50, quando com o processo de Czochralski se desenvolveu silcio altamente puro e cristalino. Em 1954 cientistas da Bell Laboratories, atravs do processo de Czochralski, desenvolveram a primeira clula fotovoltaica de silcio cristalina, com uma eficincia de 4%. Embora tenham sido realizadas algumas tentativas nos anos cinquenta para usar clulas de silcio em produtos comerciais, foi no programa espacial norte-americano que a tecnologia fotovoltaica encontrou a sua principal aplicao. Em 1958, o satlite norteamericano U. S. Vanguard levou uma pequena de clulas fotovoltaicas para gerar energia para o seu rdio-transmissor, o sistema teve grande sucesso que desde ento a tecnologia fotovoltaica faz parte integrante do programa espacial norte-americano. No presente as clulas fotovoltaicas fornecem energia a praticamente todos os satlites de comunicaes, defesa ou pesquisa cientfica.
Apesar dos avanos obtidos, os dispositivos fotovoltaicos, ainda em 1970, eram muito caros. No meio da dcada de 70, com a crescente procura de energia e a crise mundial do petrleo, aumentou muito o interesse por este tipo de tecnologia. Desde ento custa de investimentos muito elevados, as clulas fotovoltaicas podem converter 7 a 17% da luz solar por elas recebida em energia elctrica. O custo da energia elctrica de origem fotovoltaica tem assim decrescido nos ltimos anos, estando ainda algo longe de um ponto de rentabilidade razovel.
PGINA 2 DE 52
GESTO DE ENERGIA
As clulas fotovoltaicas so constitudas por materiais semicondutores, normalmente o silcio, ao qual so adicionadas substncias dopantes, por forma a permitir que se verifique o efeito fotovoltaico. Por efeito fotovoltaico entende-se a converso directa da potncia da radiao solar em potncia elctrica em corrente contnua.
PGINA 3 DE 52
GESTO DE ENERGIA
GESTO DE ENERGIA
A ttulo de exemplo como sistemas ligados rede, apresentam-se: Faro cobertura de um edifcio de servios, ligada rede de distribuio em 1998, com uma potncia de 5 kW. Setbal instalao de 10 kW, propriedade da EDP. Em termos mundiais no final de 2001 existiam cerca de 982 kW de potncia instalada.
A repartio dos custos toma normalmente a seguinte composio: 50 % 50 % painis solares interfaces de ligao
Os custos de operao e manuteno so normalmente de 1 ou 2 % do investimento total. Perodo de vida da instalao fotovoltaica normalmente considerado como tendo 20 anos de vida til, com uma taxa de actualizao tpica para este tipo de investimento da ordem dos 7 %. Em Portugal os valores tpicos correspondentes ao nmero de horas de utilizao (ha) da potncia instalada so:
PGINA 5 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Atendendo aos valores de h, indicados como mdios para Portugal absolutamente essencial que os valores de investimento no ultrapassem os 6 /Wp.
PGINA 6 DE 52
GESTO DE ENERGIA
3. CLULA FOTOVOLTAICA
Os materiais capazes de converter a energia contida num foto em tenso e corrente elctricas so os semicondutores. Curiosamente temperatura de 0 K o silcio um isolador perfeito. No existem electres livres para circular pelo material como se verifica nos condutores. Quando a temperatura aumenta alguns electres libertam-se do ncleo e pode haver conduo. Neste caso a condutividade aumenta com a temperatura ao contrrio dos materiais condutores. Nos materiais semi-condutores a energia que um electro deve adquirir para passar da banda de valncia para a banda de conduo para o caso do silcio 1,12 eV (1 eV = 1,6 x 10 -19 J energia que o electro adquire quando lhe aplicada uma tenso de 1V). Assim 1,12 eV a energia que um electro de Si necessita para se libertar das foras electroestticas que o prendem banda de valncia e passar banda de conduo. Ao contrrio da maioria dos outros semi-condutores, o dispositivo fotovoltaico no usa a estrutura dos silcio puro, como nos dodos, por exemplo. Ao invs disso usa uma fina camada de xido transparente. Estes xidos so altamente transparentes e tm alta condutividade elctrica. Camadas anti-reflexo podem ser usadas para cobrir a clula fotovoltaica. Os cristais policristalinos so gros minsculos de material semicondutor. As propriedades do filme policristalino so diferentes das do silcio comum. Este provou estar melhor adaptado criao de um campo elctrico entre dois materiais semicondutores diferentes, a este tipo de interface dado o nome de heterojuno. As clulas policristalinas tm uma estrutura de heterojuno na qual a camada mais externa feita de um material semicondutor diferente da camada interna. A camada externa, normalmente tipo-N, constitui uma janela que permite que toda a luz seja absorvida pela camada tipo-P. A camada policristalina muito fina (da ordem de 0,1 micro). E tem o papel de absorver apenas a energia solar de alto espectro deixando passar uma grande quantidade de fotes com energias da ordem de 2,8 eV ou mais.
Os contactos elctricos so muito importantes para a clula fotovoltaica pois estes permitem a ligao do semicondutor carga externa. O contacto da rea no exposta da
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 7 DE 52
GESTO DE ENERGIA
clula relativamente simples e normalmente consiste numa chapa de alumnio ou metal de molibdnio, o contacto frontal mais complexo. Quando exposta luz solar, a clula fotovoltaica gera corrente elctrica por toda a sua superfcie. Assim, os contactos apenas nas suas extremidades no so suficientes, devido resistncia da parte superior da clula, deste modo, para obter contacto elctrico em toda a superfcie da clula usa-se uma malha de metal, tendo como inconveniente o escurecer das partes activas da clula, reduzindo a sua eficincia de converso. A soluo passa por projectar essa malha de modo que seja o mais fina possvel, que tenha boas propriedades de conduo e que se espalhe por toda a superfcie da clula. Concluindo essa malha deve ter uma espessura suficiente para que exista um bom fluxo de corrente e simultaneamente, deve ser suficientemente fina para no bloquear a passagem da luz solar incidente. A fabricao destas malhas tem um custo elevado, feita depositando-se vapores metlicos numa clula, atravs de uma mscara ou pintada por um mtodo semelhante a uma serigrafia.
Os condutores transparentes so uma alternativa para os contactos da malha, so formados por um xido transparente como o SnO2. Estes xidos so quase invisveis luz e formam uma boa ponte condutora entre o semicondutor e o circuito externo.
GESTO DE ENERGIA
a ser ocupada por outro electro dando-se assim origem a um par electro-lacuna. O electro ter a seguir tendncia para voltar para a sua banda de valncia perdendo a energia adquirida. Para se obter o efeito fotovoltaico necessrio criar um campo elctrico que puxe os electres para um lado e as lacunas para outro e assim haver corrente elctrica. Para criar um campo elctrico no interior de uma clula fotovoltaica, so intercalados dois semicondutores separados tipo P (semi-condutor dopado com uma substncia com 3 electres de valncia na ltima camada electrnica, normalmente o Boro) e tipo N (semicondutor dopado com uma substncia com 5 electres de valncia na ltima camada electrnica, normalmente o Fsforo). Embora ambos os materiais sejam electricamente neutros, o silcio tipo-N tem mais um electro na camada de valncia que o silcio puro e o tipo P, tem menos um electro na camada de valncia que o silcio puro, pelo que da juno de ambos, d-se origem a uma juno P-N associada qual surge um campo elctrico. Deste modo, ao intercalar os dois semicondutores os electres com origem nas impurezas do semicondutor tipo-N flem para o semicondutor tipo P, originando lacunas no primeiro, atravs do fluxo de electres e lacunas, os dois semicondutores comportamse como uma bateria e criam um campo elctrico na juno P-N. este campo elctrico que faz saltar os electres para a superfcie e os disponibiliza ao circuito elctrico exterior (corrente elctrica), no mesmo instante, as lacunas movem-se na direco oposta, ou seja para a superfcie positiva onde as esperam os electres para se recombinarem dando assim origem a um processo contnuo.
p -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ - + - + + + + + + + -
n + + + + + + + + + + +
- + - + - + - + - + - + -+ - + - +
+ +
p -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ -+ - + -
+ + + + + + + + -
n + + + + + + + + + + + p n
id
- + - + -+ - + -+ -
Vd
PGINA 9 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Quando um foto com mais do que 1,12 eV de energia absorvido por uma clula fotovoltaica um electro passa para a banda de conduo deixando uma lacuna na banda de valncia, criando-se assim o chamado par electro-lacuna. Quando estas cargas moveis atingem a vizinhana da juno, o campo elctrico da regio de contacto empurra as lacunas para o lado p e os electres para o lado n. Os electres do lado n flem atravs da carga at ao lado p onde se recombinam com as lacunas. A conveno para I ao contrrio. f n n p p
Fig. 3.4 Movimento dos electres Efeito fotovoltaico
carga
Podemos assim considerar o circuito equivalente para uma clula fotovoltaica apresentado na fig. 3.5 que consiste numa fonte de corrente em paralelo com um dodo real. Este circuito ir ser estudado em detalhe no captulo 4. I I V
Isc
Id
(3.1) (3.2)
PGINA 10 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Onde
c = 3 x 108 m/s a velocidade da luz a frequncia em Hz. o comprimento de onda em m E a energia do foto em J h = 6,626 x 10-34 J s a constante de Plank.
Exemplo 3.1 Qual ser o mximo comprimento de onda que deve ter um foto para criar um par electro-lacuna no silcio? Qual a frequncia mnima que lhe corresponde.
= 1,11 m
= c/ = 2,7 x 10 14 Hz Todos os fotes com > 1,11 m correspondem a energia desperdiada, apenas servem para aquecer a clula. Os fotes com < 1,11 m tm energia a mais para excitar um electro para a banda de conduo e toda a energia a mais do 1,12 eV tambm desperdiada.
E (eV) 3 2 1 Energia perdida Energia perdida 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6
(m)
Sabemos que o Sol emite radiao de diferentes comprimentos de onda. Analisando o espectro solar verifica-se que apenas cerca de 49,6% de toda a energia disponvel da radiao solar pode ser convertida em energia elctrica para uma clula de silcio.
PGINA 11 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Pode-se escolher um material semicondutor com uma banda de energia mais estreita. Se a banda de energia for mais estreita existe um grande nmero de fotes que conseguem excitar os electres para a banda de conduo no entanto grande parte da energia desses fotes perdida. Se a banda de energia for larga s um pequeno nmero de fotes consegue excitar os electres mas a energia dos mesmos j no se perde tanto e leva a maiores tenses. Existe portanto um trade-off na escolha do material semicondutor. Um material com banda de energia estreita origina maior corrente. Um material com banda de energia larga origina maior tenso. Como P = V.I deve-se escolher o material que maximize P. Semicondutor Banda de energia (eV) Comprimento de onda (m) Si 1,12 1,11 GaAs 1,42 0,87 CdTe 1,5 0,83 InP 1,35 0,92
Quadro 3.1 Banda de energia e comprimento de onda para diferentes tipos de material fotovoltaico
Como j foi referido o rendimento terico da clula fotovoltaica afectado pala largura da banda de energia do material semicondutor e atinge valores inferiores a 50%. Este valor ainda mais reduzido devido a factores vrios: Apenas metade a dois teros da tenso da banda de energia da clula se consegue obter aos seus terminais; Alguns electres e lacunas voltam a recombinar-se antes de terem contribudo para a passagem de corrente; Alguns fotes no so absorvidos pela clula ou porque so reflectidos ou porque passam atravs dela; A resistncia interna da clula tambm dissipa alguma potncia.
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 12 DE 52
GESTO DE ENERGIA
3.3.
As clulas mono-cristalinas representam a primeira gerao. O seu rendimento elctrico relativamente elevado (aproximadamente 16%, podendo subir at cerca de 23% em laboratrio), mas as tcnicas utilizadas na sua produo so mais complexas e consequentemente mais caras. Por outro lado, necessria uma grande quantidade de energia para o seu fabrico, devido exigncia de utilizar materiais em estado muito puro e com uma estrutura de cristal perfeita.
As clulas poli-cristalinas tm um custo de produo inferior por necessitarem de menos energia no seu fabrico, mas apresentam um rendimento elctrico inferior (entre 11 e 13%, obtendo-se at 18% em laboratrio). Esta reduo de rendimento causada pela imperfeio do cristal, devido ao seu sistema de fabrico.
As clulas de silcio amorfo so as que apresentam o custo mais reduzido, mas em contrapartida o seu rendimento elctrico tambm o mais reduzido (aproximadamente 8 a 10%, ou 13% em laboratrio). As clulas de silcio amorfo so pelculas muito finas, o que permite serem utilizadas como material de construo, tirando ainda o proveito energtico.
PGINA 13 DE 52
GESTO DE ENERGIA
No quadro seguinte representa-se o rendimento elctrico tpico dos diferentes tipos de clulas fotovoltaicas, este rendimento traduz a converso da energia proveniente dos fotes em energia elctrica, que vo gerar uma corrente elctrica que vai alimentar os circuitos exteriores.
Quadro 3.2 Rendimento elctrico dos vrios tipos de clulas fotovoltaicas (fonte BP Solar)
Na rea dos novos materiais, os desenvolvimentos so constantes. O silcio, material cuja utilizao era consensual, comea cada vez mais a ser substitudo. Uma das razes desta substituio o custo da sua transformao, tarefa suja e tecnologicamente complexa. Alm disso, a sua performance degrada-se consideravelmente com a idade. H tambm quem continue a investir no silcio, embora utilizando tcnicas de transformao mais baratas. Mas o futuro passa pela descoberta de novos materiais, mais baratos e eficientes. Prova disso o facto de todos os grandes fabricantes de clulas fotovoltaicas terem j abandonado o silcio e entrado no negcio dos novos materiais. Os materiais mais promissores so o Disselnio de ndio e Cobre e o Telridio de Cadmium. A BP, lder mundial no fabrico de clulas fotovoltaicas optou pelo Telridio de Cadmium, que, embora no seja o material mais promissor, bastante mais fcil de utilizar e tem menos problemas associados. Esta tecnologia foi desenvolvida na Universidade da Califrnia do Sul. Existem tambm em desenvolvimento clulas com mltiplas junes sendo cada tipo para capturar diferentes comprimentos de onda do espectro solar. Os fotes mais energticos
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 14 DE 52
GESTO DE ENERGIA
so capturados pelas camadas do topo e os restantes passam para a camada seguinte sendo capturados pela prxima juno e assim sucessivamente, capturando cada juno os fotes mais energticos que consegue deixando os restantes para a camada seguinte.
3.4.
Na escolha de um local para a instalao de um empreendimento de energia solar temos que maximizar o rendimento obtido pela clula fotovoltaica. Rendimento esse que depende essencialmente da radiao e da temperatura da clula, como tal, devemse conhecer os nveis de radiao solar tpicos da regio onde se pretende implementar o empreendimento. A capacidade de produo dos mdulos varia com a radiao solar sendo um factor eliminatrio na seleco do local da instalao da central. Na figura 4.7 apresenta-se a quantidade total de radiao, assim como a insolao (valores mdios anuais no nosso pas (fonte, Instituto do Ambiente).
Fig. 3.11 Mapa da radiao e insolao solar global em Portugal continental (fonte Instituto do Ambiente).
GESTO DE ENERGIA
3.5.
3.5.1. INCLINAO SOLAR Devido inclinao do eixo da terra, o sol no atinge a terra sempre com a mesma inclinao para a mesma hora do dia.
Solestcio de 21 de Jun. Equincio de 21 de Mar. 152 Mkm 147 Mkm Equincio de 21 de Set.
Solestcio de 21 de Dez.
O ngulo formado entre o plano do equador e uma linha que parte do centro do sol at ao centro da terra chamado ngulo de inclinao solar e calcula-se da seguinte maneira:
= 23.45 sen
n= 1, 2, . . . , 365
(3.3)
21 de Jun N 23,45
21 de Mar 21 de Set
Este conhecimento d-nos uma noo de qual a melhor inclinao para colocar um painel solar com o objectivo de maximizar a radiao solar por ele atingida. Normalmente este coloca-se com uma inclinao igual da latitude do local.
PGINA 16 DE 52
GESTO DE ENERGIA
No hemisfrio Norte significa que os painis so colocados virados para sul. Se quisermos aproveitar mais radiao no Inverno devemos coloc-lo com uma inclinao maior do que L e no Vero com uma inclinao inferior a L. 3.5.2. POSIO SOLAR A QUALQUER HORA DO DIA A localizao do sol a qualquer hora do dia pode ser descrita em termos do ngulo de altitude e o ngulo do seu azimute s (o ndice s significa relativo ao sol), que o ngulo compreendido entre a projeco do Sol sobre o plano do horizonte e a mesma projeco ao meio dia local.
s>0
s s<0 W
(3.4)
PGINA 17 DE 52
GESTO DE ENERGIA
sen S =
(3.5)
Onde H o chamado ngulo horrio. Este ngulo representa o nmero de graus que a terra tem de girar at chegar ao meio-dia do seu meridiano local. H= 15 x nmero de horas que faltam at ao meio dia solar
15/h
Meridiano local H
Exemplo 3.2 Calcule os ngulos e s em Lisboa (Latitude 38 ) no solestcio de Junho s 15:00. n = 172
= 49,13 s = -82,5
3.5.3. RADIAO INCIDENTE A radiao disponvel superfcie terrestre divide-se em trs componentes: Directa: A que vem directamente desde o disco solar Difusa: A proveniente de todo o cu excepto o disco solar (nuvens) Reflectida: A proveniente da reflexo no cho e dos objectos circundantes.
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 18 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Se tivermos painis regulveis a radiao que os atinge ser sempre a directa e a difusa. No caso de termos painis fixos em determinada direco teremos tambm algumas vezes radiao reflectida. A radiao solar que chega terra depende, como j vimos, do dia do ano em que nos encontramos. Uma expresso usada a seguinte: I0 = SC [ 1 + 0,034 cos (360 n / 365 ) ] Onde SC = 1,353 kW/m2 a constante solar Ao passarem na atmosfera os raios solares so em grande parte absorvidos de modo que menos de metade da radiao que chega atmosfera atinge a superfcie da Terra. A seguinte expresso d a radiao incidente num plano normal ao dos raios incidentes: IB = A e-km
B
W/m2
(3.6)
(3.7)
Onde A = 1160 + 75 sen [ 360 / 365 (n-275) ] k = 0,174 + 0,035 sen [ 360 / 365 (n-100) ] m = 1/ sen
W/m2
Exemplo 3.3 Calcule a radiao incidente em Lisboa ao meio dia Solar (latitude 38) no dia 21 de Maio. n = 141
= 90 - L +
=20,1
W/m2
= 72,1
A = 1160 + 75 sen [ 360 / 365 (n-275) ] = 1104 m = 1/ sen = 1,051 IB = A e-km = 897,5
B
3.5.3.1. RADIAO DIRECTA Como vimos, quando o cu est limpo relativamente fcil calcular a radiao directa que atinge um painel superfcie terrestre colocado perpendicularmente direco dos raios solares. Se o painel no estiver colocado perpendicularmente direco dos raios incidentes a radiao funo do ngulo de incidncia .
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 19 DE 52
GESTO DE ENERGIA
IBC = IB cos
(3.11)
O ngulo de incidncia funo da orientao do painel e dos ngulos de altura e azimute solar e S. N
S
S
(3.12)
Exemplo 3.4 Calcular a radiao directa incidente num painel colocado em Lisboa a 21 de Maio ao meio dia solar considerando a cu limpo e radiao incidente 897, 5 W/m2 (exemplo 4). O painel est colocado com um ngulo de elevao de = 52 e dirigido C=20 sudeste. ngulo de incidncia n = 141 L = 38 = 23,45 sen ( 360 / 265 ( n-81) ) = 20,1 sen = cos L cos cos H + sen L sen = 0.7562 sen s = cos sen H / cos = -0,991 cos = cos cos (S - C) sen + sen cos =0,813454 Radiao directa IBC = IB cos = 730 W/m2
= 72,1 s = 0 = 35,6
PGINA 20 DE 52
GESTO DE ENERGIA
3.5.3.2. RADIAO DIFUSA A radiao difusa muito mais difcil de estimar. Os modelos usados para a determinar consideram que esta depende da radiao directa. Considerando C o factor de difuso a radiao difusa pode ser calculada pela formula: IDH = C IB C = 0,095 + 0,04 sen [ 360 / 365 (n 100) ] (3.13) (3.14)
O que interessa de facto saber quanto desta radiao difusa atinge o painel. A expresso seguinte calcula esse valor para um painel colocado a um ngulo de altura .
IDC = C IB (1+cos )/2
B
(3.15)
3.5.3.3. RADIAO REFLECTIDA Existem vrios modelos para calcular a radiao reflectida. O modelo mais simples considera a existncia de uma rea horizontal com um ndice de refleco onde se encontra colocado o painel. A radiao reflectida incidente num painel colocado a um ngulo de altura .
IRC = ( IBH + IDH ) ( 1 cos ) / 2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos ) / 2
B
(3.16) (3.17)
Quando o painel est na horizontal = 0 e portanto IRC = 0 3.5.4. PAINIS ORIENTADOS As expresses acima indicadas aplicam-se quando os painis esto fixos numa mesma posio durante todo o ano. No entanto, para se poder aproveitar melhor a radiao solar podem-se colocar painis que se orientem no sentido de receber os raios solares sempre na perpendicular. A orientao dos painis pode ser feita segundo dois eixos ou apenas um. A orientao segundo dois eixos faz um maior aproveitamento da radiao conduzindo obviamente a uma maior produo de energia elctrica mas torna o sistema muito mais caro e com maiores custos de manuteno.
PGINA 21 DE 52
GESTO DE ENERGIA
E-W N-S
IBC = IB
= 90
As expresses para as radiaes directa, difusa e reflectida sero: IBC = IB IDC = C IB (1+cos(90- )/2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos(90 - ) / 2 (3.18) (3.19) (3.20)
=L
Fig. 3.21 Painel orientvel segundo um eixo
As expresses para as radiaes directa, difusa e reflectida sero: IBC = IB cos IDC = C IB (1+cos(90- +) )/2 IRC = IB ( sen + C ) ( 1 cos(90 - +) ) / 2 (3.21) (3.22) (3.23)
PGINA 22 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Para alm das condies, meteorolgicas atrs referidas, os mdulos devero estar suficientemente afastados de qualquer objecto que projecte sombra sobre eles no perodo de melhor radiao (habitualmente das 9 s 17 horas) no dia mais curto do ano. A eq. 3.24 permite calcular a distncia mnima (em metros) a que um objecto poder estar dos mdulos por forma a de que no projecte sombra sobre os mesmos durante o Inverno, trs horas antes e trs horas depois do meio dia solar.
Com base na latitude do lugar da instalao obtm-se da fig. 3.20, o factor de espaamento. Assim, a distncia mnima a que poder estar localizado um objecto ser:
Distncia = Fe ( H 0 H m )
em que:
( m)
(3.24)
Fe factor de espaamento obtido da fig. 3.20; H0 altura do objecto; Hm altura em relao ao nvel do solo em que se encontram instalados os mdulos;
GESTO DE ENERGIA
A orientao ptima de um painel fixo no obvia. Na prtica recomenda-se que sejam orientados de modo a que a sua parte frontal fique virada para o Sul geogrfico (ou Norte, quando no hemisfrio Sul). Quando o Sol alcanar o ponto mais alto da sua trajectria (meio dia), a sua posio coincide com o Sul geogrfico. Para conseguir um melhor aproveitamento da radiao solar incidente, os mdulos devero estar inclinados em relao ao plano horizontal num ngulo que variar com a latitude do local da instalao. recomendada a adopo dos seguintes ngulos de inclinao:
ngulo de inclinao dos painis Inverno Vero Latitude do local + 15 Latitude do local - 15
Este o ngulo de inclinao que geralmente maximiza a radiao solar no plano em que os painis fotovoltaicos se encontram instalados em funo da estao do ano. Geralmente os painis so instalados segundo a inclinao de Vero, dado ser o Vero a estao do ano que melhor rentabiliza a instalao fotovoltaica devido ao maior nmero de horas de exposio solar e fraca ocorrncia de nuvens.
PGINA 24 DE 52
GESTO DE ENERGIA
4. MODELO MATEMTICO
A clula fotoelctrica pode ser esquematizada atravs de um modelo matemtico que a descreve como um circuito elctrico equivalente.
4.1.
MODELO SIMPLIFICADO
O circuito elctrico equivalente pretende simbolizar a clula fotovoltaica como um dodo de trs parmetros, que alimenta carga. O modelo representado na figura 4.1 esquematiza a clula fotovoltaica. A fonte de corrente Is, representa a corrente gerada pelo feixe de radiao luminosa constituda por fotes, esta corrente elctrica unidireccional constante para uma dada radiao incidente. A corrente ID, representa a troca de electres na juno P-N que pode ser representada por um dodo, devido a ser uma corrente interna unidireccional, que depende da tenso V aos terminais da clula.
1)
( A)
(4.1)
Id Corrente unidireccional I0 Corrente inversa mxima de saturao do dodo V Tenso aos terminais da clula m factor de idealidade do dodo (dodo ideal m=1, dodo real m>1) O potencial trmico, VT
VT =
KT q
(V )
(4.2)
PGINA 25 DE 52
GESTO DE ENERGIA
K constante de Boltzman (1,38 x 10-23 J/K) T temperatura absoluta da clula em Kelvin (0 C = 273,16 K) q carga elctrica do electro (1,6 x 10-19 C) A corrente que se fecha pela carga Z, :
I = Is Id
( A)
(4.3)
I = I s I 0 (e
V mVT
1)
( A)
(4.4)
4.1.1. ESTUDO DE PONTOS DE FUNCIONAMENTO Existem dois pontos de funcionamento da clula fotovoltaica.
A corrente de curto-circuito, Icc, o valor mximo da corrente de carga, igual corrente gerada por efeito fotovoltaico. O seu valor caracterstico da clula, sendo um dado fornecido pelo fabricante para as condies,STC,- Standard Temperature Conditions. As condies STC a considerar so radiao incidente de 1000 W/m2 e temperatura da clula 25C.
1)
Is = (e mVT 1) I0
SECO DE ECONOMIA E GESTO
(4.6)
PGINA 26 DE 52
GESTO DE ENERGIA
(V )
(4.7)
A tenso em vazio Vca o maior valor que a tenso toma aos terminais da clula, o seu valor caracterstico da clula e fornecido pelo fabricante para condies standard de radiao e temperatura.
4.1.2.
V mVT P = V I = V I cc I 0 (e 1)
(4.8)
A potncia mxima obtm-se para dP/dV = 0, ento igualando a zero e derivando a expresso temos:
V dP V I cc I 0 (e mVT 1) = 0 dV V V mV mV mVT T I cc I 0 e 1 + V I 0 e T = 0 2 ( mVT )
(4.9)
(4.10)
=0
(4.11)
A soluo da equao acima indicada, estando na forma implcita em V, s pode ser obtida recorrendo ao uso de mtodos iterativos por exemplo, Newton-Raphson. O ponto de potncia mxima, corresponde a:
(W )
(4.12)
PGINA 27 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Se tivermos em conta a expresso 4.11, teremos que V = Vmax e Imax. Nas condies de referncia teremos: V = Vrmax ; I = Irmax e P = Prmax
Sendo os valores de Vrca ; Ircc e Prmax caractersticos da clula e sempre fornecidos pelo fabricante, normalmente a maioria dos fabricantes tambm fornece os valores de Vrmax e Irmax . De acordo com o exposto o rendimento da clula fotovoltaica, ser:
r Pmax = A Gr r
(4.13)
Prmax Potncia mxima (W) Gr Radiao incidente (W/m2) A rea da clula (m2) Para outro ponto de funcionamento da clula teremos:
Pmax A G
(4.14)
FF =
r Pmax r r Vca I cc
(4.15)
Para clulas do mesmo tipo os valores de Vrca e Ircc so praticamente constantes, mas a forma da curva I V pode variar consideravelmente. Os painis em uso comercial apresentam factores de forma que variam entre 0,7 e 0,85.
4.1.3. APLICAO DO MODELO Na situao mais comum os fabricantes de clulas fotovoltaicas fornecem os valores de Vrca, Ircc e Prmax , nestas condies podemos definir o factor de idealidade do dodo, m e a corrente inversa de saturao Ir0.
V
I = I s I (e
r 0
mVTr
1)
(4.16) (4.17)
PGINA 28 DE 52
em curto-circuito
SECO DE ECONOMIA E GESTO
r I = I s = I cc
GESTO DE ENERGIA
em circuito aberto
I 0r =
r I cc
r Vca
(4.18)
(e mVT 1)
r
Se utilizarmos as expresses indicadas e substituirmos na corrente I, que percorre a carga do modelo, tem-se que:
I =I
r cc
r I cc
r Vca
(e
1)
mVTr
1)
(4.20)
(e
mVTr
V r (e mVT 1) r I = I cc 1 V r ca mVTr 1) (e
(4.21)
mVTr
>> 1
e mVT >> 1
r
Teremos:
V mVTr e r I = I cc 1 V r ca r e mVT V Vca r 1 e mVT I =I
r
(4.22)
r cc
(4.23)
Pela expresso acima indicada podemos observar que, m, factor de idealidade , constitui um parmetro de ajuste da curva caracterstica corrente-tenso. No caso de dispormos dos valores de Vrmax e Irmax, fornecidos pelos fabricantes das clulas, podemos considerar, trs pontos de funcionamento do circuito, circuito aberto, curto-circuito e potncia mxima, todos nas condies de referncia STC.
r Vca
0 = I sr I 0r (e mVT 1)
r
r I sr = I cc r r I max = I sr I 0 (e
r Vmax mVTr
1)
GESTO DE ENERGIA
Se na expresso de Irmax substituirmos o valor de Irs de Ir0, obtidos atravs dos pontos de funcionamento em circuito aberto e em curto-circuito, temos:
Vmax Vca r r = I cc 1 e mVT
r r
r I max
(4.24)
onde podemos observar, o valor do factor de idealidade explicitando-o na expresso acima indicada.
m=
(4.25)
Assim obtido o valor do factor de idealidade do dodo, podemos obter o valor da corrente inversa de saturao, nas condies de referncia atravs das equaes correspondentes aos pontos de circuito aberto e curto-circuito.
I 0r = (e
r I cc
r Vca
( A) 1)
(4.26)
mVTr
Problema 1 Considere a clula fotovoltaica, que equipa o mdulo BP 585U, o qual em condies STC, apresenta as caractersticas abaixo indicadas:
Potncia mxima (Pmax) Prmax = 2,36 W Tenso potncia mxima (Vmp) Vrmax = 0,5 V Corrente potncia mxima (Imp) Irmax = 4,72 A Corrente de curto-circuito (Isc) Ircc = 5,0 A Tenso de circuito aberto (Voc) Vrca = 0,614 V Dimenses (comp. x larg.) = 125 x 125 mm
Pretende-se calcular as grandezas caractersticas do mdulo: a) b) c) d) Rendimento mximo e o factor de forma Os parmetros caractersticos, m, I0 e Is, em condies STC. Trace as caractersticas I V e P V do mdulo fotovoltaico Determine os valores mximos de tenso, corrente e potncia do mdulo.
GESTO DE ENERGIA
FF =
b)
Factor de idealidade do dodo, corrente inversa de saturao e corrente na carga. Em condies STC.
m=
m=
I 0r = 9,0522 10 7
corrente na carga, Is
r I s = I cc = 5, 0 ( A)
( A)
GESTO DE ENERGIA
CURVA TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 Tenso (V)
CURVA TENSO-POTNCIA
2,5 2 Potncia (W) 1,5 1 0,5 0 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 Tenso (V)
d) Valores mximos de tenso, corrente e potncia De acordo com a expresso 4.11, tem-se, nas condies de referncia:
Vmax r Vmax 5,0 + 9,0522 10 1 + e 1,5380, 025716 1 = 0 1,538 0,025716
r
PGINA 32 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Utilizando o mtodo Newton-Raphson e considerando para Vrmax o valor de arranque de 0,6 (V)
r Vmax = 0,51 (V )
De forma semelhante apresentada no modelo simplificado tem-se para a Corrente I que percorre a carga:
V Rp = I s I 0 (e mVT 1) ( A) R p + Rs + Z R p + Rs + Z
I = ( Is ID )
Rp
(4.27)
GESTO DE ENERGIA
Apresenta como desvantagem o facto de no permitir o dimensionamento de uma instalao apenas com os dados fornecidos pelos fabricantes nos catlogos de painis solares.
(4.28)
TEMPERATURA DA CLULA
A potncia de sada da clula decresce. A tenso em vazio, Vca, decresce. A corrente de curto-circuito, Icc, varia muito pouco (desprezvel). A corrente inversa de saturao, I0, varia.
O efeito da diminuio da tenso de circuito aberto, Vca, da clula pode ser observado na fig. 4.6, constata-se tambm um ligeiro aumento da corrente de curto-circuito, Icc, que como j referimos pode ser desprezado.
PGINA 34 DE 52
GESTO DE ENERGIA
4.4.2.
RADIAO INCIDENTE
A potncia de sada da clula aumenta. A tenso em vazio, Vca, varia muito pouco (desprezvel). A corrente de curto-circuito, Icc, varia linearmente. A corrente inversa de saturao, I0, varia.
PGINA 35 DE 52
GESTO DE ENERGIA
m 'VT
( A)
(4.29)
onde: I0 corrente inversa mxima de saturao do dodo D constante hiato do silcio (1,12 eV) m factor de idealidade equivalente
m' =
m NSM
(4.30)
m factor de idealidade NSM n de clulas ligadas em srie T temperatura da clula em (K) VT potencial trmico em (V)
A corrente inversa de saturao, em quaisquer condies de funcinamento, pode ser obtida custa da corrente inversa de saturao em condies STC.
m 'VTr
I = DT e
r 0 r3
( A)
(4.31)
Realizando o quociente entre as expresses apresentadas, obtemos para a corrente inversa de saturao, a expresso
T m ' r V I 0 = I r e VT T ( A) T r 0
(4.32)
PGINA 36 DE 52
GESTO DE ENERGIA
(4.33)
Problema 2 Considere a clula fotovoltaica indicada no problema 1, com uma rea de 100 cm2 e uma potncia de pico de 1,4 Wp. Trace as curvas I-V parametrizadas em funo de: a) Temperatura da clula (25, 50 e 75 C), considerando a radiao constante e igual radiao de referncia Gr = 1000 W/m2. b) Radiao incidente (1000, 700, 450, 300 e 100 W/m2), considerando a temperatura de referncia r = 25 C. Resoluo a) Vamos conforme j referido admitir que a corrente de curto circuito, Icc, se mantm constante. Das expresses 4.2, 4.32 e 4.4, para = 25C, =50 C e =75C temos o seguinte quadro com o resumo dos valores calculados: (Nota: como nos estamos a referir a uma clula m = m)
Temperatura VT I0 25 0,0257163 50 0,02787255 75 0,0300288
No grfico apresentado na fig. 4.8 so apresentadas em simultneo as curvas I-V, para os trs nveis de temperatura pretendidos (25, 50 e 75 C).
PGINA 37 DE 52
GESTO DE ENERGIA
CURVAS TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,2 0,4 Tenso (V) 0,6 0,8 25C 50C 75C
b)
A corrente de curto-circuito varia linearmente com a radiao incidente, pela anlise da expresso, nas condies de temperatura constante 25 C, VrT e Ir0, so constantes s o valor de Icc vai variar, por exemplo para a radiao incidente de 300 W/m2 300 r G I cc = I cc r = 5 = 1,5 ( A) G 1000
CURVAS TENSO-CORRENTE
6 5 Corrente (A) 4 3 2 1 0 0 0,2 0,4 Tenso (V) 0,6 0,8 1000 750 450 300 100
GESTO DE ENERGIA
Problema 3 Continuando com os dados do problema 2, para cada uma das condies de temperatura e radiao estudadas, obtenha o respectivo valor de potncia mxima. a) Variao da potncia mxima com a temperatura da clula mantendo-se a radiao de referncia de 1000 W/m2.
r I cc = 5 ( A) , no varia com a temperatura
Em primeiro lugar vamos obter o valor de Vmax, o qual como j vimos s pode ser obtido por recurso a mtodos iterativos a partir da equao 4.11. O valor de Imax obtm-se pela expresso 4.4 e Pmax pela expresso 4.8.
G=1000 25 50 75 Vt (V) 2,5716E-02 2,7873E-02 3,0029E-02 Io(A) 9,05221E-07 1,03059E-05 8,41313E-05 Icc (A) 5 5 5 Vmax (V) 0,510 0,456 0,403 Imax (A) 4,640 4,570 4,486 Pmax (W) 2,366 2,084 1,806
Na fig.4.10 observamos percentualmente o decrscimo da potncia da clula fotoelctrica com o aumento da temperatura da clula.
VARIAO POTNCIA/TEMPERATURA
120 25 C 100 50 C 75 C
P/Pmax (%)
80 60 40 20 0
Temperatura ( C)
PGINA 39 DE 52
GESTO DE ENERGIA
b) Variao da potncia mxima com a radiao incidente para a temperatura de referncia de 25 C. O resumo dos valores calculados esto no quadro seguinte:
=25C 1000 750 450 300 100
Verifica-se no grfico seguinte que a potncia mxima diminui acentuadamente quando a radiao solar incidente baixa; A diminuio da potncia mxima com o aumento de temperatura no to acentuada.
VARIAO POTNCIA/RADIAO
120 1000 100 750
P/Pmax (%)
80 60 40 20 0
Radiao (W/m2)
PGINA 40 DE 52
GESTO DE ENERGIA
5. SISTEMAS FOTOVOLTAICOS
5.1. MDULOS E PAINEIS
A potncia mxima de uma clula no excede os 2W, o que insuficiente para a maioria das aplicaes. Assim, as clulas tm de ser agrupadas em srie e em paralelo formando mdulos. O nmero de clulas de um mdulo determinado pelas necessidades de tenso e corrente da carga a alimentar. Os mdulos podem tambm ser associados em srie e em paralelo para obter mais potncia, formando painis.
Os modelos dos mdulos fotovoltaicos so idnticos ao apresentado para a caracterizao de uma clula. Os parmetros do mdulo podem resumir-se assim: i) Parmetros constantes
m=
(5.1)
ii)
(5.2)
iii)
T m ' V r V I 0 = I r e T T ( A) T r 0
(5.3)
iv)
Tenso mxima
PGINA 41 DE 52
GESTO DE ENERGIA
e
v) Corrente mxima
Vmax mVT
Vmax 1 + mV T
I 1 cc = 0 I0
(5.4)
I max
Vmax = I cc I 0 e mVT 1 ( A)
(5.5)
vi)
Potncia mxima
(W )
(5.6)
Problema 4 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585, com as seguintes caractersticas constantes do catlogo: Potncia mxima Tenso mxima Corrente mxima Corrente de curto circuito Tenso de circuito aberto Temperatura normal de funcionamento mero de clulas em srie Comprimento Largura Pmax Vmax Imax Icc Vca NOCT NSM C L 85W 18V 4,72A 5A 22,1V 45C 36 1,204 m 0,537 m
Calcule os parmetros caractersticos m, I0 e Is, o factor de idealidade equivalente m, o rendimento mximo e o factor de forma. Soluo: semelhana do problema 1 excepto porque se trata agora de um mdulo de 85W em vez de uma clula. O quadro 5.2. resume os resultados numricos obtidos. Factor de idealidade Factor de idealidade equivalente Corrente de curto circuito Corrente inversa de Saturao Rendimento mximo Factor de Forma m m Icc I0 r FF
PGINA 42 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Problema 5 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585 do problema anterior e calcule Pmax para as condies tpicas de funcionamento: G=800 W/m2 e c=45C. Soluo: Icc (800) = 4 A VT(45C) = 0,02744 V I0 (45C) = 6,45421E-06 A Vmax = 16,45 V Imax = 3,663 A Pmax = 60,4 W
5.2.
Em sistemas ligados rede de energia elctrica o sistema entrega rede a mxima potncia que produz em cada instante. Neste caso ter-se- que incluir um MPPT (Maximum Power Point Tracker) conversor electrnico DC-DC cujo objectivo colocar o painel no seu ponto de tenso que corresponde potncia mxima gerada e um inversor para converter potncia gerada em DC para AC.
5.2.1. MPPT Este dispositivo electrnico introduzido no circuito de carga com o objectivo de colocar o sistema fotovoltaico a operar no ponto de potncia mximo. A chave deste conversor DCDC poder converter tenses DC de um nvel para outro e colocar a tenso aos terminais da clula no seu valor mximo para as condies de radiao e carga. Com este sistema de toda a convenincia obter a tenso correspondente potncia mxima por um processo rpido. De notar que o clculo dessa tenso feito por recurso a mtodos iterativos pois tem de se resolver uma equao no linear. Podemos, no entanto deduzir uma expresso simplificada para o clculo da tenso correspondente potncia mxima. Considerando que a corrente mxima varia com a radiao segundo uma lei idntica da corrente de curto-circuito
I max =
G r I max Gr
(5.7)
GESTO DE ENERGIA
(I
r max
r cc
(5.8)
Considerando que
Vmax mVT
>> 1 (V )
Vmax
(5.9)
G G r
r I max
(W )
(5.10)
Problema 6 Considere o mdulo fotovoltaico BP-585 do problema anterior e calcule Pmax para as condies tpicas de funcionamento: G=800 W/m2 e c=45C a partir da expresso 5.10. Soluo: Vmax = 15,87 V Imax = 3,776 A Pmax = 59,92 W Como se pode verificar por comparao com os resultados do problema 5 o erro inferior a 1%.
5.2.2.
INVERSOR
Em aplicaes ligadas rede de energia elctrica necessrio um inversor para fornecer rede (AC) a energia produzida pelo mdulo fotovoltaico.
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 44 DE 52
GESTO DE ENERGIA
(5.11)
5.2.3.
A equao (5.10) d-nos o valor da potncia mxima produzida pelo painel como uma funo da temperatura da clula e da radiao incidente. As restantes grandezas que aparecem na expresso so tiradas dos catlogos dos fabricantes dos painis. Assim, para calcular uma estimativa da energia produzida pelo painel temos partida de dispor de uma estimativa da radiao incidente e da temperatura da clula.
5.2.3.1. RADIAO Os dados de radiao de determinado local so normalmente obtidos por medies realizadas habitualmente no plano horizontal usando um piranmetro ou ainda no plano de inclinao a que vo ser colocados os painis.
5.2.3.2. TEMPERATURA Os dados da temperatura da clula no esto disponveis, apenas dispomos de dados da temperatura ambiente. No entanto a temperatura da clula pode-se relacionar com a temperatura ambiente e com a radiao incidente atravs da seguinte expresso:
c = a +
Em que:
(5.12)
Qc Temperatura da clula (C) Qa Temperatura ambiente (C) G Radiao solar incidente (W/m2) NOCT Temperatura normal de funcionamento da clula. Valor dado pelo fabricante e que representa a temperatura atingida pela clula nas condies normais de funcionamento Qa=20C e G=800W/m2.
5.2.3.3. ENERGIA PRODUZIDA A energia durante um intervalo de tempo considerado (t)ser calculada a partir da expresso:
SECO DE ECONOMIA E GESTO PGINA 45 DE 52
GESTO DE ENERGIA
(5.13)
Problema 7 A partir dos dados da radiao incidente (Fig. 5.2) e da temperatura ambiente (Fig. 5.3), calcule a temperatura mdia obtida mensalmente pelo mdulo fotovoltaico BP-585 e uma estimativa da energia anualmente produzida por este mdulo bem como a utilizao anual da potncia instalada. Considere o rendimento do conjunto MPPT e inversor igual a 90%.
Radiao (W/m2)
Abr
Mai
Jun
Jul
Ago
Set
Out
Nov
Dez
Meses
Fig. 5.2 Radiao mdia mensal incidente em painis fixos com inclinao igual latitude
TEMPERATURA AMBIENTE
35,0 30,0 25,0 20,0 15,0 10,0 5,0 0,0 Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez 8,1 10,5 15,4 17,9 29,5 23,0 33,2 31,8 26,6 17,9 11,9 8,5
Temperatura (C)
Meses
PGINA 46 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Soluo
Meses G(W/m2) a (C) c (C) Jan 81,3 8,1 10,8 Fev 116,3 10,5 14,5 Mar 169,6 15,4 21,1 Abr 219,5 17,9 25,3 Mai 260,1 23,0 31,8 Jun 301,2 29,5 39,7 Jul 310,4 33,2 43,7 Ago 272,7 31,8 41,0 Set 209,3 26,6 33,6 Out 133,6 17,9 22,4 Nov 88,9 11,9 14,9 Dez 64,1 8,5 10,7 VT(V) 0,0245 0,0248 0,0254 0,0257 0,0263 0,0270 0,0273 0,0271 0,0265 0,0255 0,0248 0,0245 I0(A) 1,88101E-07 2,83875E-07 5,88622E-07 9,27319E-07 1,79623E-06 3,90803E-06 5,70907E-06 4,41158E-06 2,15837E-06 6,81486E-07 2,97744E-07 1,84032E-07 Vmax (V) 15,86 15,99 15,86 15,81 15,44 14,89 14,56 14,62 14,94 15,39 15,57 15,55 Imax (A) 0,38 0,55 0,80 1,04 1,23 1,42 1,46 1,29 0,99 0,63 0,42 0,30 Pmax (W) 6,08 8,77 12,69 16,38 18,95 21,18 21,33 18,83 14,76 9,70 6,53 4,71
Meses Jan Fev Mar Abr Mai Jun Jul Ago Set Out Nov Dez
Pmax (W) 6,08 8,77 12,69 16,38 18,95 21,18 21,33 18,83 14,76 9,70 6,53 4,71
NDM 31 28 31 30 31 30 31 31 30 31 30 31
E(Wh) 4074,0 5306,6 8499,8 10612,2 12689,6 13722,7 14279,5 12605,6 9563,3 6496,6 4232,7 3152,2
A energia anualmente produzida por este mdulo ser, para estas condies de radiao e temperatura:
E = 0.9 Pmax (G , ) 24 NDM = 105234,9 (Wh)
A utilizao anual da potncia instalada ser calculada pelo quociente entre a energia produzida anualmente e a potncia de pico do mdulo. ha = 1238 horas
PGINA 47 DE 52
GESTO DE ENERGIA
5.2.4.
Pode-se tambm fazer uma estimativa ultra rpida da energia anualmente produzida. Esta faz-se desprezando o efeito da temperatura e considerando que o valor mdio da potncia mxima anual directamente proporcional radiao mdia anual.
Pmax =
G med r Pmax Gr
(5.14) (5.15)
Problema 8 Determine uma estimativa rpida da energia anualmente produzida pelo mdulo BP-585 dos problemas anteriores. Gmed =185.6 W/m2 A = 0,65 m2 r = 13,15% Ea = 0.9 x 8760 x 185.6 x 0.1315 x 0.65 =125073 Wh Comparando este valor com os 105234,9 Wh obtidos no problema anterior verificamos a existncia de um erro de quase 20% em excesso.
GESTO DE ENERGIA
capacidade pode dar uma corrente de 20 A durante 10 horas. Entregar uma energia de 12x20x10=2400 Wh. Assim, para dimensionar um sistema isolado partimos de uma estimativa da energia diariamente consumida pela instalao. Seguidamente escolhemos a tenso apropriada para o sistema fotovoltaico de acordo com a potncia mxima que esperamos consumir de acordo com a seguinte tabela. Potncia < 1200 W 1200 2400 W 2400 4800 W Tenso 12 V 24 V 48 V
Quadro 5.3 Relao entre a potncia mxima e a tenso para um sistema isolado
Em terceiro lugar deve-se converter a carga diria total para Ah a partir da relao Carga total (Ah) = Carga total (Wh) / tenso do sistema (V) De seguida analisam-se os dados da radiao global no local da instalao para decidir para que dados se vai dimensionar o sistema. Normalmente escolhem-se para o dimensionamento de sistemas isolados os dias do ms mais desfavorvel em termos de radiao. Escolhem-se os painis. De seguida estabelecem-se os dias de armazenamento necessrio e calcula-se a capacidade das baterias a instalar. Capacidade (Ah)= carga total (Ah/dia) x n dias armazenamento
Problema 9 Um sistema de converso de energia, constitudo por painis fotovoltaicos e baterias, destinado a abastecer uma pequena vivenda isolada. Considere os seguintes aparelhos e as respectivas potncias instalados: Equipamento Frigorfico Lmpadas TV Antena Satlite Microondas Maq.Lavar Total P[W] Horas/dia 500 4 240 5 70 3 20 3 1000 0.1 500 0.2 E[Wh] 2000 1200 210 60 100 100 3670
PGINA 49 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Radiao mdia solar recebida por unidade de superfcie no ms mais desfavorvel (Janeiro) 108 kWh/m2/ms. A radiao solar mnima diria (por unidade de superficie nunca inferior a 80% da radiao solar mdia diria recebida por unidade de superfcie no ms mais desfavorvel. O conjunto de perdas devidas a: o Disperso das caractersticas dos mdulos; o Funcionamento em ponto diferente do ponto de potncia mxima; igual a 17% da energia fornecida pelos painis As perdas das baterias so iguais a 20% da energia fornecida pelas baterias.
Determine a rea dos painis a colocar se estes forem do tipo do BP-585 que temos vindo a estudar. Calcular tambm o nmero de mdulos a instalar e ainda a capacidade das baterias necessria para 2 dias de armazenamento. Em primeiro lugar calcula-se a energia diria a fornecer em DC. Como no temos dados sobre o inversor vamos considerar um rendimento de 85%. Carga DC = 3670/0,85 = 4318 Wh / dia Vamos considerar uma tenso de 24 V Carga = 4318/24 = 180 Ah /dia Capacidade das baterias = 180 x 3 /0,8 = 675 Ah Para dimensionar o painel consideramos a radiao mdia correspondente ao ms mais desfavorvel 108 kWh/m2/ms. Sabendo que o dia mais desfavorvel nunca receber menos de 108/30X0,8 = 4,8 kWh/m2/dia. Calculmos, no problema 4 o rendimento mximo do painel (13%). Assim, a energia diria fornecida pelo painel nas condies de radiao mais desfavorvel 4,8 x 0,13 = 0,624 kWh/m2 Como devemos considerar ainda mais 17% de perdas relativamente energia fornecida pelos painis, a energia fornecida ao sistema ser de 624 x 0,83 = 518Wh/m2 A energia diria necessria para o sistema ser: 4318 x 3 /0,8 = 16193 Wh Sero assim necessrios 16193/518 = 31.3 m2 de painis aproximadamente 48 mdulos. Considere que cada mdulo custa O inversor O regulador de carga As baterias Suportes por cada 2 mdulos 500 euros (vida til 20 anos) 1300 euros 260 euros 1800 euros (vida til 6 a 7 anos) 60 euros
GESTO DE ENERGIA
O investimento total inicial ser: 27360 euros Considerando dom =1%, n=20 anos i=7% e que as baterias sero substitudas no fim do 7 e do 14 ano. O investimento total actualizado ser: 27360 + 1800/1,077 +1800/1,0714 = 29179 euros A energia anualmente fornecida ser: 3670 x 365 = 1440 kWh 29179 + 291,79 k a O custo mdio actualizado ser: ca = = 2,12 euro/kWh 1440 k a Mais de 2 euros por kWh.
PGINA 51 DE 52
GESTO DE ENERGIA
Bibliografia:
Gilbert M. Masters, Renewable and Efficient Electric Power Systems, Wiley-Interscience,2004 Rui de Castro, Introduo Energia Fotovoltaica, Energias Renovveis e Produo Descentralizada, IST, 2004 D. Yogi Goswami,Frank Kreith, Jan F. Kreider, Principles of Solar Engineering,Taylor & Francis,1999
PGINA 52 DE 52