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RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS

CIRCUITOS AMPLIFICADORES.
4.1.-- Elementos que varían con la frecuencia en los sistemas
amplificadores
Todos los elementos pasivos varían sus características electricas en
mayor o menor grado con la frecuencia.
Las resistencias son los únicos elementos cuyo comportamiento
(impedancia) no tendría que varíar con la frecuencia, pero la realidad no
es esa, y dependiendo de la tecnología empleada e su construcción así
son mayores o menores los efectos parásitos que se muestran en su
circuito equivalente.

figura nº 4.1
En este capítulo consideraremos que las resistencias no varían con la
frecuencia
El resto de los elementos pasivos que normalmente nos encontramos en
los sistemas amplificadores (bobinas, condensadores, diodos y
transistores), tienen un comportamiento variable con la frecuencia.
4.1.1.-El Condensador
Presenta una impedancia que viene dada por la ecuación
Zc(ω)=1/jωC
Siendo C la capacidad del condensador.
Analizando este comportamiento en el dominio de la frecuencia vemos
que, normalmente y dependiendo del valor de la capacidad, pueden ser
considerados como circuitos abiertos, en caso de frecuencias bajas y
cortocircuitos en frecuencias altas.

figura nº 4.2
Este comportamiento, unas veces nos resultará muy útil, pero otras
veces nos resultará un gran problema.
4.1.1.1.-Los condensadores de acoplo y desacoplo
Son condensadores de valor muy elevado (decenas o centenas de
microfaradios), que a frecuencias relativamente bajas se pueden
considerar como cortocircuitos. Esta propiedad nos es muy interesante
para la determinación del punto de polarización de los transistores que
componen nuestros sistemas de amplificación. Los condensadores de
acoplo, nos permiten incluir elementos que influyen en los valores
medios de las corrientes que pasan por los transistores, pero no
intervienen en los valores de corriente alterna que pasan por los mismos
transistores.

figura nº 4.3
Estos condensadores van a influir en nuestro circuito de pequeña señal,
cuando la frecuencia de esta sea lo suficientemente baja. La impedancia
de estos condensadores será entonces alta y se quedarán con parte de
la señal que va al transistor. Este efecto se ve en la figura nº 4.4

figura nº 4.4

Un condensador como el indicado en la figura nº 4.4 se carga según


indica la ecuación diferencial
dV 1 1
C /dt + /C(Rg +rπ) VC = ( /C(Rg +rπ) )Vg
En la figura nº 4.5 se muestra la forma de la tensión en el condensador,
según la rapidez con la que varía la señal del generador.
La carga y descarga del condensador se hace
a través de las resistencias Rg y rπ. Cuanto
mayor el la resistencia, más tiempo tarda el
condensador en perder o ganar carga.
Se denomina τ C= CRTHC a la constante de
tiempo que define la carga o descarga del
condensador. Es el tiempo que tarda en
asimilar el 63% de la carga en la variación
de la tensión el generador.

RTHC es la resistencia Thévenin


equivalente en bornas del
condensador C. En nuestro caso

RTHC = Rg + rπ Cuando la constante de


tiempo τ C es muy pequeño
comparado con el tiempo de
variación del generador, la tensión
VC es la que se representa en la
figura nº 4.5 (a), que equivale al
condensador comportándose como
un circuito abierto.

Según va Aumentando τ C
tendremos las tensiones VC que se
indican en la figuras (b),(c) y (d).
Cuando la constantede tiempo es
muy alta figura nº 4.5. (e) la tensión
VC llega a ser muy pequeña.
figura nº 4.5
Si Vg es una tensión sinusoidal podremos expresar las ecuaciones en el
dominio de la frecuencia.
Llamaremos RTHC = (Rg+ rπ) y τ C = C·RTHC
La tensión Vπ vendrá dada por
Vg· jωCrπ
Vπ= -------------
(1+jωτC )
Pueden darse dos casos

1. Que ωτC<<1. En este caso la tensión viene dada por

Vπ=Vg· jωCrπ
2. y la ganancia

|AY| = gmωCrπ

3. Que ωτC>>1. En este caso la tensión viene dada por

Vg· C rπ
Vπ= ---------
τC

4. y la ganacia por

gm· C rπ gm· rπ
AYo= --------- = ---------
τC RTHC
Se ve cláramente que la ganancia se duplica cuando se duplica la
frecuencia, hasta que alcanza el valor de las frecuencias medias. En ese
momento permanece constante.
Como la ganancia suele ser un número muy grande, definiremos la
unidad "decibelio" (dB) como
AY (dB) = 20 log | AY |
en estas unidades, la expresión de la ganancia queda
AY (dB) = 20 log [AYo(RTHC / rπ )] + 20 log ωτC
Si duplicamos el valor de la frecuencia, decimos que incrementamos una
"octava". Si multiplicamos por 10 el valor de la frecuencia, decimos que
incrementamos una "década".
La ganancia aumenta 6 dB por octaba, o 20 dB por década.
Sin embargo, el efecto capacitivo en los transistores, va a originar
grandes pérdidas de ganancia, para valores altos de frecuencia, como
veremos al estudiar el modelo de un transistor con la frecuencia.

figura nº 4.6
Supongamos que Vg varía lo suficientemente lento como para que
podamos considerarlo como un generador de contínua. El condensador C
π se irá cargando hasta que la tensión entre sus bornas sea la tensión

del divisor resistivo formado por Rg y rπ. Si una vez totalmente cargado la
tensión Vg varía, el condensador modifica su carga hasta volver a tomar
la tensión del divisor resistivo.
Un condensador como el indicado en la figura nº 4.6 se carga según
indica la ecuación diferencial
dV 1 1
π /dt + /Cπ(Rg//rπ) Vπ = ( /CπRg )Vg
La carga y descarga del condensador se hace a través de las
resistencias Rg y rπ. Cuanto mayor el la resistencia, más tiempo tarda el
condensador en perder o ganar carga.
RTHC es la resistencia Thévenin equivalente en bornas del condensador C
π. En nuestro caso

Rg·rπ
RTHC= -------
Rg + r π
Cuando la constante de tiempo τ C es muy pequeña comparado con el
tiempo de variación del generador, la tensión Vπ es la que se representa
en la figura nº 4.5 (a), que equivale al condensador comportándose
como un circuito abierto.
Al contrario de lo que ocurre en los condensadores de acolpo, según va
aumentando τ C tendremos las tensiones Vπ que se indican en la figura
nº 4.5 (b),(c) y (d). Cuando la constantede tiempo es muy alto figura nº
4.5. (e) la tensión Vπ llega a ser muy pequeña.
Si Vg es una tensión sinusoidal podremos expresar las ecuaciones en el
dominio de la frecuencia.
Para simplificar las expresiones denominemos
Rg·rπ
RTHC= -------
Rg + r π
La tensión en bornas del condensador
RTHC · Vg
Vπ= ---------------
Rg (1+jωτC )
y la ganancia de transconductancia será
gm·Vπ RTHC · gm AYo
AY = ----------- = --------------- = ------------
Vg Rg (1+jωτC ) (1+jωτC )
Vamos a analizar dos casos

1. Que ωτC <<1. En este caso la ganancia no depende de la frecuencia AY = AYo


2. Que ωτC >>1. En este caso la ganancia disminuirá con la frecuencia.

Para ωτC >>1,


AY (dB) = 20 log AYo - 20 log ωτC
La ganancia disminuye 6 dB por octaba, o 20 dB por década.
4.2.-Circuito equivalente de un transistor a frecuencias altas.
A la hora de su elección en el diseño, el transistor, como elemento
amplificador, es el elemento más crítico en su comportamiento con la
frecuencia. Vamos a "modelizar" el transistor cuando aumenta la
frecuencia, y así obtener las expresiones que nos permitirán calcular los
nuevos valores de ganancia.
4.2.1.-Circuito equivalente de un transistor bipolar.
En un transistor bipolar, son dos las tensiones que pueden variar.
La tensión Base-Emisor.
Es la que genera la corriente de difusión de electrones, desde el emisor
a la base en el caso de un NPN, o desde la base al emisor para el caso
de PNP.
Una variación de esta tensión generará dos variaciones de carga
distintas.

1. Por un lado la variación de la carga en la zona de deplexión de la unión Emisor-


Colector. Este efecto equivale al de una capacidad de valor

Cjeo
Cje= -----------------
(1 - VBE/Vje)1/3

2. Siendo Cjeo el valor de la capacidad de la zona de deplexión Base-


Emisor para VBE = 0V. Vje es la tensión de la zona de deplexión
Base-Emisor, sin polarización. Esta capacidad normalmente es un
dato suministrado en las especificaciones técnicas del fabricante
del transistor.
3. Por otro lado, la base se ve "inundada" de portadores minoritarios. El valor final de
la carga en la base será distinta según el valor de VBE. Este efecto equivale a una
capacidad de valor

IC
Cb=τT·gm =τT · -----
VT

4. Siendo τT el "tiempo de tránsito", el tiempo medio que tardan los


electrones en cruzar la Base. Este dato viene dado por el
fabricante en las hojas técnicas del modelo del transistor.

La capacidad total de la base será la suma de estas dos capacidades


Cπ = Cb + Cje
La tensión Colector-Base.
Es la encargada de generar la corriente de arrastre desde la base al
colector. Al aumentar la tensión, se produce un vaciamiento de carga y
por lo tanto una disminución de la capacidad de la unión Base_Colector.
Esta capacidad vendrá dada por
Cµo
Cµ= -----------------
(1 + VCB/Vjc)1/3
Siendo Cµo el valor de la capacidad de la zona de deplexión Colector-Base
para VCB = 0V. Vjc es la tensión de la zona de deplexión Colector-Base,
sin polarización. Esta capacidad normalmente es un dato suministrado
en las especificaciones técnicas del fabricante del transistor.
4.2.1.1.-Amplificador en emisor común
El circuito equivalente de un transistor bipolar con la frecuencia es el
indicado en la figura nº 4.7

figura nº 4.7
4.2.1.1.1.-Ganancia de corriente del transistor con la salida en
cortocircuito.
Resulta muy útil estudiar el comportamiento del transistor en pequeña
señal, cuando cortocircuitamos la salida. El esquema está representado
en la figura nº 4.8

figura nº 4.8
La ecuación del nodo de entrada es
Ig= Vπ[(rπ)-1 + jω(Cπ + Cµ)]
La corriente que pasa por el cortocircuitro es
Io= (gm - jωCµ)Vπ
(gm - jωCµ)rπ gmrπ(1 - jωCµ/gm)
I
AI = ( o / Ig) = ------------------------ = ------------------------
[1 + jω(Cπ + Cµ)rπ] [1 + jω(Cπ + Cµ)rπ]
Si llamamos
βo = gmrπ ω z = gm / C µ ωβ = 1/(Cπ + Cµ)rπ
Tendremos
βo (1 - jω/ωz )
AI = ---------------
[1 + jω/ωβ]
como ωz >> ωβ podemos aproximar la ganancia a
βo
AI = -------------
[1 + jω/ωβ]
4.2.1.1.2.-Pulsación de ganancia unidad
Es aquella pulsación a la que la ganancia vale 1. En nuestro caso cuando
ωT = βo ωβ
gm gm
ωT=2πfT = ------------- = -----------------
(Cπ + Cµ)] (Cb + Cje + Cµ)]
La pulsación de ganancia unidad depende del punto de polarización, es
decir de IC. Para corrientes de colector muy pequeñas, Cb << Cje + Cµ,
mientras que para corrientes grandes Cb >> Cje + Cµ, y como
Cb=τT(IC/VT) y gm =(IC/VT),
ωT se aproxima a 1/τT asintóticamente.
Para calcular las pulsaciones de corte nos ayudaremos del siguiente
teorema
4.2.1.1.3.-Teorema de Miller
En un sistema si conocemos la tensión en los nodos de una rama,
podemos sustituir dicha rama en otras dos ramas que comparten el
nodo de referencia del sistema. La transformación se muestra en el
circuito de la figura nº 9

figura nº 4.9

Si llamamos AV = VB/VA, se deduce facilmente que


VA-VB=I1·Z
VA= I1·Z1
VB= - I1·Z2
De estas ecuaciones deducimos que
-Z
Z1= ----------
(AV - 1)
y que
ZAV
Z2= ----------
(AV - 1)
Si la ganancia es muy alta, Z1 tiende a cero y Z2 tiende a Z.
Por lo tanto, y siempre que la ganancia sea alta (>10), tendremos el
circuito equivalente de la figura nº 10

figura nº 4.10
Las constantes de tiempo de cada condensador serán:

1. τC1 = rπ[Cπ + Cµ(1+gmrπ)].

Por lo que ω1=(2πrπ[Cπ + Cµ(1+gmrπ)])-1

2. τC2 = roCπ .

Por lo que ω2=(2πroCπ )-1

La frecuencia de corte superior resultante es superior al resultado que


obtendríamos por el cálculo de los τC de cada condensadore.
Hacer los problemas propuestos
4.2.1.2.-Amplificador en base común
El circuito equivalente en pequeña señal es el mostrado en la figura nº
4.11

figura nº 4.11
Aplicando movilidad de generadores se obtiene el esquema de la figura
nº 12

figura nº 4.12
Aplicando el teorema de Miller podemos poner como buena
aproximación, el circuito equivalente como el indicado en la figura nº 13
figura nº 4.13
Las constantes de tiempo de cada condensador serán:

1. τC1 = [rπ // gm-1// (rο/Av)]Cπ

Por lo que ω1=(2π[rπ // gm-1// (rο/Av)]Cπ)-1

2. τC2 = (ro//RC)Cµ = RCCµ.

Por lo que ω2=[2π(ro//RC)Cµ ]-1

La frecuencia de corte superior quedará fijada por aquel tiempo que sea
mayor.
4.2.1.3.-Amplificador en colector común
El esquema equivalente es el mostrado en la figura nº 14.

figura nº 4.14
Este esquema puede simplificarse al esquema que se representa en la
figura nº 15.

figura nº 4.15
A frecuencias altas, los circuitos a considerar para el cálculo de las τ son:
Para la τCµ:
figura nº 4.16
Despreciando ro por estar en paralelo con RE, tendremos que la
resistencia equivalente que ve el condensador Cµ hacia el sistema es
RTHCµ = Rg // [rπ + (1+gmrπ)RE ]
τCµ =CµRTHCµ = Cµ{Rg // [rπ + (1+gmrπ)RE ]}
Para la τCπ:

figura nº 4.17
Despreciando ro por estar en paralelo con RE, tendremos que la
resistencia equivalente que ve el condensador Cπ hacia el sistema es
RTHCπ = rπ // [(Rg + RE )/(1+gmRE)]
τCπ = CπRTHCπ = Cπ {rπ // [(Rg + RE )/(1+gmRE)]}
4.3.-Respuesta amplitud/frecuencia de un sistema amplificador
Un sistema amplificador tiene una respuesta como la mostrada en la
figura nº 18.

figura nº 4.18

4.3.1.-Cálculo de frecuencia de corte a frecuencias bajas


La ganancia es expresada como:
Amedia
A (jw)= ------------------------
(1+ωC1/jw)(1+ωC2/jw)
La ganacia tiende a cero cuando la frecuencia tiende a cero.
La frecuencia de corte se fija cuando
|(1+ωC1/jw)(1+ωC2/jw)|=21/2
Si despreciamos el término ωC1ωC2 / w2 <<1, tendremos
|1+(ωC1+ωC1) /jw|=21/2.
Por lo que la frecuencia de corte será la suma de las frecuencias de
carga y descarga de los condensadores. Es decir:
2πfC=(τC1)-1 + (τC2)-1
Generalizando para N condensadores de acoplo o desacoplo, podemos
encontrar la frecuencia de corte, a frecuencias bajas y de una forma
aproximada. con la expresión
N 1
2πfC= Σ ----
k=1 τCk
Cada vez que introducimos un condensador más, desplazamos la
frecuencia de corte a un valor mayor.
4.3.2.-Cálculo de las frecuencias de corte a frecuencias altas
La ganancia a frecuencias altas tiene una expresión de la forma
Abaja(1+jw/ωCero)
A (jw)= ------------------------
(1+jw/ωC1)(1+jw/ωC2)
La ganancia tiende a cero cuando la frecuencia tiende a infinito.
La frecuencia de corte se fija cuando
|(1+jw/ωC1)(1+jw/ωC2)|=21/2
ya que ωCero >>ωC1, ωC2
Si despreciamos el término w 2/ ωC1ωC2<<1, tendremos
|1+jw [(ωC1)-1+(ωC1)-1]|=21/2.
Por lo que la frecuencia de corte será la suma de las frecuencias de
carga y descarga de los condensadores. Es decir:
2πfC = (τC1 + τC2)-1
Generalizando para N condensadores de acoplo o desacoplo, podemos
encontrar la frecuencia de corte, a frecuencias bajas y de una forma
aproximada. con la expresión
2πfC= (ΣNk=1τCk)-1
Cada vez que introducimos un condensador más, desplazamos la
frecuencia de corte a un valor menor.
4.3.3.-Diagramas de Bode
Es la representación gráfica de la ganancia del sistema de amplificación
en función de la frecuencia.
Definimos tres partes

1. La respuesta del amplificador a frecuencias bajas. Se fija la frecuencia de corte


inferior con los condensadores de desacoplo. Normalmente una frecuencia será
mucho mayor que las otras. Las pendientes de las rectas van siendo 20 dB mayores
según se van añadiendo las frecuencias de corte de los distintos condensadores.
2. La respuesta del amplificador a frecuencias medias. Es constante
3. La respuesta del amplificador a frecuencias altas. La frecuencia de corte se fija con
las capacidades de los transistores. Las pendientes de las rectas van siendo 20 dB
mayores según se van añadiendo las frecuencias de corte de los distintos
condensadores. en la figura se muestra una hoja para pintar el diagrama de la
ganancia.

figura nº 4.19
4.3.3.1.-Diagrama de Bode de amplitud de la ganancia.
Trazado asintótico de las funciones de transferencia de un sistema
amplificador.
Hemos visto que la respuesta de un amplificador a bajas frecuencias es
de la forma
Amedia
A (jw)= ------------------------
(1+ωC1/jw)(1+ωC2/jw)
Si calculamos el valor de A(jw) en decibelios
A (dB)= 20 log |Amedia| - 20 log |(1+ωC1/jw)| - 20 log |(1+ωC2/jw)|
Cuando ωC/w <<1 (es decir w>>ωC, -frecuencias medias-),
20 log 1= 0,
mientras que cuando ωC/w >>1 (es decir w<<ωC, -la frecuencia
tendiendo a cero-)
20 log (ωC/w) va creciendo con una pendiente de 20 dB década. Por lo
tanto A (dB) disminuye según baja la frecuencia, a razón de 20 dB
década.
Para una w> que la pulsación de corte mayor, podemos aproximar la
ganancia al valor de la ganancia a frecuencias medias. Si exite una
frecuencia de corte dominante (mucho mayor que las otras), sabremos
que la ganancia, realmente, está a 3 dB del balor que marca el diagrama
de Bode.
Si no existe una frecuencia dominante, la frecuencia de corte está dada
por la expresión
N 1
2πfC= Σ ----
k=1 τCk
y el diagrama de Bode presentará la ganancia a frecuencias medias
hasta esta frecuencia. para w < que la frecuencia de corte más baja
caerá a
N·20 dB
siendo N el número de frecuencias de corte (nº de condensadores de
acoplo o desacoplo).
Entre estos dos valores, podremos aproximar el diagrama por una recta.
Para frecuencias alta el tratamiento es similar al de las frecuencias
bajas.
La expresión de la ganancia puede aproximarse a
Abaja
A (jw)= ------------------------
(1+jw/ωC1)(1+jw/ωC2)
El diagrama de Bode presentará la ganancia a frecuencias medias hasta
la recuencia de corte superior.
A partir de la última frecuencia el diagrama caerá con una pendiente de
N·20 dB
Siendo N el número de frecuencias de corte calculado (nº de
capacidades que influyen a frecuencia alta).
Entre estos dos valores podemos aproximar por una recta.
4.3.3.2.-Diagrama de Bode de fase de la ganancia.
Para la fase podemos aproximar la variacón de la fase como una recta.
En baja frecuencia, la fase para cada frecuencia de corte es
actg [−ωC/w] = - actg [ωC/w]
cuando w tiende a cero el -angulo baja 90º pasando por 45º a la
frecuencia de corte.
a figura resultante es una máscara de valores máximos de la ganancia
en el sistema amplificador. Podemos aproximar en una recta entre w/10
y 10w, como se indica en el ejemplo de la figura nº 20
figura nº 4.20
Este procedimiento lo podemos generalizar para N frecuencias de corte.
En la figura nº 21 se muestra el ejemplo de (w/10) y (w/50) como
actg (w/10) - actg (w/50)

figura nº 4.21
4.3.3.3.-Los ceros en la función de transferencia (Ganancia)
Para analizar cuales son las pulsaciones o frecuencias a las que la
ganancia del sistema amplificador presenta ceros, es decir, que no hay
tensión de salida, vamos a considerar que sólo tendremos
condensadores.
Estos condensadores estarán asociados a una resistencia, bien en serie,
formando una Zs, bien en paralelo, formando una Zp. En la figura nº 22
se muestran estas asociaciones.

figura nº 4.22
Las impedancias equivalentes son
Zs= (1+ sCsRs)/sCs
Zp= Rp/(1+ sCpRp)
Para el sistema estas impedancias se comportan como se indica en la
figura nº 23.

figura nº 4.23
La Zs en paralelo asocia a la función de transferencia su cero, mientras
que la Zp asocia su polo, como cero de transmisión, en una asociación
en serie.

figura nº 4.24
4.4.-Referencias
Circuitos Microelectrónicos Análisis y Diseño (Muhammad H. Rashid)
Capítulo 14 páginas 723-756
Circuitos Electrónicos. Análisis, Simulación y Diseño (Norbert R.Malik)
Capítulo 8 páginas 565 -629.
Microelectrónica. Circuitos y Dispositivos (Mark N. Horenstein) Capítulo
9 páginas 565-644.
Microelectrónica (Jacob Millman & Aivin Grabel) Capítulo 11 páginas 447
-494