DISPODITIVOS ELECTRONICOS Nombre: MONTIEL HUITRON OMAR IVAN Horario: 11:00 13:00 hrs.

Practica: 3

INDICE. INTRODUCCION . 2 PREGUNTAS 3

INTRODUCCION:

En la electricidad-Electrnica antigua, se estudiaban indistintamente los circuitos elctricos, ah los elementos bsicos eran la resistencia, el condensador, la inductancia y las fuentes de energa elctrica, sin embargo la necesidad de controlar intensidades de corriente operando a diferentes frecuencias, requiri de nuevos elementos y as, los ingenieros del rea inventaron los bulbos de vaco o de gas, tales como el diodo, el triodo, el tetrodo, pentrodo, etc. Con esto, la incipiente comunicacin electrnica tuvo un desarrollo significativo, pero an se presentaban problemas graves en los sistemas electrnicos a base de estos elementos. Problemas tales como el volumen, la fragilidad y el alto consumo de energa fue lo que requiri a los fsicos e ingenieros buscar nuevos elementos. En la actualidad, los productos semiconductores se distinguen en grupos o familias dependiendo del nmero de elementos concentrados en una pastilla semiconductora o chip, as tenemos:

Tambin se puede hablar de familias lgicas, sobre todo en circuitos para electrnica digital, dependiendo del tipo de elementos empleados, as: RTL.- Familia lgica de resistencia-transistor. DTL.- Familia lgica de diodo-transistor. TTL.- Familia lgica transistor-transistor. MOS.- Tecnologa a base de elementos de metal-oxido semiconductor.

PREGUNTAS:
1.- Investigue cuales son los diferentes tipos de diodos que existen, mencione sus nombres, caractersticas y aplicaciones: Diodo Zener: Al diodo Zener, tambin llamado diodo regulador de tensin, podemos definirlo como un elemento semiconductor de silicio que tiene la caracterstica de un diodo normal cuando trabaja en sentido directo, es decir, en sentido de paso; pero en sentido inverso, y para una corriente inversa superior a un determinado valor, presenta una tensin de valor constante. Este fenmeno de tensin constante en el sentido inverso convierte a los diodos de Zener en dispositivos excepcionalmente tiles para obtener una tensin relativamente invisible a las variaciones de la tensin de alimentacin, es decir, como dispositivos reguladores de tensin.

Diodo Varactor (Varicap): Este diodo, tambin llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya caracterstica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensin inversa a l aplicada. Se usa especialmente en los circuitos sintonizadores de televisin y los de receptores de radio en FM. Representacin en Circuito Smbolo Grfica del Diodo

Diodo Tnel: Este diodo presenta una cualidad curiosa que se pone de manifiesto rpidamente al observar su curva caracterstica, la cual se ve en el grfico. En lo que respecta a la corriente en sentido de bloqueo se comporta como un diodo corriente, pero en el sentido de paso ofrece unas variantes segn la tensin que se le somete. La intensidad de la corriente crece con rapidez al principio con muy poco valor de tensin hasta llegar a la cresta (C) desde donde, al recibir mayor tensin, se produce una prdida de intensidad hasta D que vuelve a elevarse cuado se sobrepasa toda esta zona del valor de la tensin.

Smbolo

Representacin en circuito

Grfica

Fotodiodo: es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad.

Smbolo

Grafica

Diodo Gunn: Este diodo tiene caractersticas muy diferentes a los anteriores, ya que no es rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn. Cuando se aplica entre nodo y ctodo una tensin continua de 7 V, de modo que el nodo sea positivo con respecto al ctodo, la corriente que circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una cavidad resonante. De hecho, la emisin de microondas se produce cuando las zonas de campo elctrico elevado se desplazan del nodo al ctodo y del ctodo al nodo en un constante viaje rapidsimo entre ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.

Smbolos Polarizados inversos y directos Curva del Diodo

Diodo Shockley: es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor.

2.- Consulte los manuales de elementos discretos, y de las caractersticas de los siguientes diodos: a) 1N4006 - Baja cada de tensin, capacidad de gran intensidad, alta fiabilidad, alta capacidad de la sobretensin, apaciguada vidrio. b) Led - emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unin PN en la cual circula por l una corriente elctrica . Este fenmeno es una forma de electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que trabaja como un diodo comn, pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. 3) Explique cual es la diferencia entre un diodo 1N4oo1 y un diodo 1N4007. El 1N4007 puede soportar una tensin inversa ms alta (Vr), 1000 V vs 50V. Incluso puede ser una mejor opcin, especialmente. Si el motor es alimentado por una tensin de cerca de 35V. El 1N4001 est pensado para una Vr (RMS) de 35V.

4.- Mencione el modelo matemtico del diodo y su curva caracterstica, con todas sus acotaciones y regiones:

Donde: I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo VD es la diferencia de tensin entre sus extremos. IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q es la carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T es la temperatura absoluta de la unin k es la constante de Boltzmann n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo, incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo, cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece, de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de la intensidad de corriente. Corriente mxima (Imax ): Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is ): Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas: Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo, esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr ): Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos: Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin. Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de la tensin superiores a 6 V. Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 3105 V/cm. En estas condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores. Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los Zener, se puede producir por ambos efectos.