El JFET Vamos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JFET, y para ello, el captulo, est dividido en varias

secciones. Puedes acceder a cada una de las secciones, mediante el men local que puedes encontrar en la parte derecha de la pgina. Introduccin El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en 1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue posible su implantacin hasta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria para formar sus uniones. No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen aparecer, ms bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen incorporados, por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un pequeo amplificador de la seal dbil que se produce en stas. Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores JFET, los JFET de canal N y los de canal P. En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar JFET de canal N con su smbolo correspondiente:

Este componente est formado por una delgada capa de material semiconductor tipo N denominado canal. A los lados de sta aparecen dos regiones de material semiconductor tipo P. En cada uno de los extremos del canal se sita un terminal. As,

tenemos un terminal de fuente o surtidor (del ingls source) y otro de sumidero o drenador (drain). Las dos regiones P se interconectan entre s, y hacia el exterior, constituyendo el terminal de puerta o graduador (gate). Este componente funciona de la siguiente forma: en los transistores de unin bipolares, la corriente de colector emisor se controlaba gracias a la variacin de la pequea corriente que se aplica a la base, realizndose la conduccin tanto por electrones como por huecos. Sin embargo, los transistores de efecto campo funcionan solamente con un tipo de portadores de carga: huecos o electrones, segn el tipo de canal. As, por ejemplo, en un JFET de canal N, lo portadores son los electrones.

El transistor de la figura de la derecha conduce siempre del terminal de surtidor al de drenador (sentido electrnico de la corriente). El canal N posee suficientes electrones libre como para que se pueda establecer un paso de corriente. Si ahora sometemos al terminal de puerta a una tensin negativa, los electrones libres sern expulsados por repulsin fuera del canal. Esto hace que el canal se quede con menos portadores de carga y, por lo tanto, su resistencia aumente considerablemente, lo que provoca una disminucin de la corriente que atraviesa el canal del surtidor al de drenaje. En el caso de que la tensin sea suficientemente negativa, la corriente puede dejar de fluir. A esta forma de trabajo se la denomina de empobrecimiento, es decir, que la tensin de control aplicada a la puerta empobrece o extrae los portadores del canal, lo que hace que ste se estreche al paso de la corriente.

En el JFET de canal P de la siguiente figura, se utiliza material semiconductor P para el canal y N para la puerta. Observa, cmo en este caso, la flecha del canal, en el smbolo, apunta hacia afuera. La tensin aplicada a la puerta se hace ahora positiva, consiguiendo, as, repeler los huecos existentes en el canal P y controlar de esta forma, la corriente del surtidor. En cualquiera de los dos tipos de transistores unipolares, la tensin de polarizacin del diodo formado por la puerta y el canal se polariza inversamente. De esta forma evita que por esta unin fluya corriente elctrica. Todo el estudio que vamos a realizar a continuacin del JFET, lo hacemos para el de canal tipo N.

Curvas caractersticas de drenador de un JFET En las siguientes figuras, se muestra un ejemplo de la familia de curvas caractersticas de surtidor comn de un transistor JFET de canal N y el circuito correspondiente con el que se han obtenido dichas curvas.

Examinando estas curvas podemos observar que la corriente de drenaje ( ID ) se hace ms pequea a medida que aumenta la tensin negativa aplicada entre la puerta y el surtidor ( VGS ). Al igual que ocurra con los transistores bipolares, en estas curvas se pueden apreciar cuatro zonas de operacin: regin de ruptura, regin activa, regin de corte y regin de saturacin. En la regin de ruptura, cuando la tensin drenador-surtidor ( VDS ) aumenta excesivamente, el JFET entra en la regin de ruptura y se produce una avalancha que puede destruir el transistor. En las curvas, tomadas como ejemplo, de la figura anterior, es del orden de 16 V. En la regin de corte, el transistor entra en corte, es decir, no conduce (se comporta como un interruptor abierto). Esto ocurre cuando la tensin negativa del graduador o puerta es suficiente para estrangular totalmente el canal. En las curvas anteriores, se observa que esta tensin VGS es de -1.2 V. A esta tensin se la representa por VGS(apag).

En la regin de saturacin, el transistor se convierte en un buen conductor (se comporta como un interruptor cerrado). Esto ocurre cuando se cortocircuitan los terminales de puerta y fuente, y VGS=0. Para este valor (observa las curvas caractersticas), la corriente se mantiene prcticamente constante (aproxiamdamente ID=4 mA) a partir del codo de la curva (aproximadamente VDS=3V). A esta corriente se la conoce por IDSS y es la mxima que se puede dar en el drenador de un JFET con la puerta en cortocircuito. Segn las curvas de la figura, IDSS=4mA. La regin activa del JFET se encuentra entre las regiones de saturacin y ruptura. Segn las curvas expuestas, esta regin se encontrar para los valores de 3 a 16 V de VDS. Corriente de fuga de graduador o compuerta. La unin que se establece entre los cristales del graduador y el surtidor se comporta como si fuese un diodo de silicio polarizado inversamente, por lo que la corriente inversa que fluye por el graduador es muy pequea, prcticamente despreciable. sta es la razn por la que slo se tiene en cuenta una corriente, la ID. Resistencia de entrada. Debido a que la corriente que circula por el terminal graduador es prcticamente cero, la resistencia o impedancia de entrada se hace elevadsima, del orden de miles de kilohmios. Por esta razn, este transistor se emplea ms en aquellos casos en que se requiera una mayor impedancia de entrada. Curvas de transferencia o transconductancia.

Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (ID) en funcin de las variaciones que experimenta la tensin de graduador-surtidor (VGS) para valores de VDS constantes. En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma de una parbola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se corresponde con las curvas de drenador del JFET. Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:

De esta forma, conociendo los valores de IDSS y VGS(apag) (datos que suele proporcionar el fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el valor de la corriente ID para cualquier valor de la tensin VGS aplicada a la puerta. Aplicaciones

El JFET posee bastantes aplicaciones, como son: interruptores analgicos, multiplexores, control automtico de ganancia "CAG" en receptores de radio, amplificadores de pequea seal en receptores de radio y TV, troceadores o choppers, etc. En la figura de la izquierda, se muestra un ejemplo de interruptor analgico con un JFET. Si a este circuito se le aplica una tensin VGS=0, el transistor entrar en saturacin y se comportar como un interruptor cerrado. Por otro lado, si la tensin aplicada es VGS=VGS(apag), el transistor se pondr en corte y actuar como un interruptor abierto. Cuando se utiliza un JFET como interruptor, se le hace trabajar nicamente en dos estados, corte y saturacin. Fabricacin JFET de canal N. La siguiente figura representa un JFET en el que difusin se realiza por una cara solamente. Se representa en ella la seccin del plano AA' de la vista superior de la figura b). El sustrato es de material tipo P en el que se ha formado por crecimiento epitaxial el canal n. Seguidamente, se difunde una puerta P en el canal N. La puerta difundida es de un material de muy baja resistividad permitiendo que la regin de deplexin se extienda ms en el canal tipo N.

JFET de canal P. Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS, aadiendo una conexin metlica al emisor, que la resistencia no necesitaba para a su construccin. Este contacto conductor constituye el terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de fuente y drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia. Obsrvese que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P contrariamente a lo que ocurre al FET de canal N de la anterior figura. Con lo dicho, resulta evidente que tal resistencia es fuertemente no lineal. La resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la curva tensin-corriente (dVDS/dID) y por tanto su valor depende de VDS. Si VDS aumenta hasta provocar la estriccin de la seccin recta del canal y llegar a la corriente de saturacin, la resistencia llega a adquirir valores sumamente elevados. El MOSFET

Introduccin al MOSFET Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte en componentes ideales para amplificar seales muy dbiles. Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas frecuencias o radiofrecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada. Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y al reducido espacio que ocupan. MOSFET de empobrecimiento Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente de fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:

La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenador a travs del canal estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de potencial VDD aplicada por la fuente, mayor ser esta corriente. Como ocurra con el JFET, la tensin negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la corriente de drenador. Aqu se aprecia claramente que, el fenmeno de control se realiza a travs del efecto del campo elctrico generado por la tensin VGG de la puerta. Debido a que la puerta est aislada del canal, se puede aplicar una tensin positiva de polarizacin al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensin positiva del graduador provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el canal, de tal forma que, al aumentar la tensin positiva VGG, aumenta tambin la corriente de drenador. Curvas caractersticas En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.

Obsrvese cmo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de enriquecimiento). La corriente ms elevada se consigue con la tensin ms positiva de VGS y el corte se consigue con tensin negativa de VGS(apag). De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que nos indica la relacin que existe entre VGS e ID. sta posee la forma que se muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente IDSS, correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje ID, ya no es la de saturacin. Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la ecuacin que la define es tambin:

Segn se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este tipo de transistor es muy fcil de polarizar, ya que se puede escoger el punto correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando ste queda polarizado as, el transistor queda siempre en conduccin o, normalmente, encendido. Smbolos de los MOSFET En la siguiente figura, podemos ver un transistor MOSFET de canal N (punta hacia adentro) con cuatro terminales disponibles. El terminal de sustrato est libre, en algunos casos, para dar al transistor un mayor control sobre la corriente de drenador.

Tipo de enriquecimiento Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la forma de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc. En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.

Como se podr observar en las curvas caractersticas, este transistor slo conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que normalmente estar en no conduccin o apagado. El smbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b) MOSFET de enriquecimiento y canal P.

Observa cmo la lnea del canal en estos transistores se representa como una lnea punteada. Proteccin de los MOSFET Tanto los MOSFET de empobrecimiento como los de enriquecimiento, poseen una capa extremadamente delgada de aislante que separa la puerta del canal. Esta capa se

destruye con suma facilidad si se aplica una tensin VGS por encima de la mxima soportable. Por esta razn, nunca debe operarse con una tensin superior a la VGS(max) prescrita en las caractersticas del MOSFET. An as, dicha capa aislante es tan delicada que puede destruirse por otras causas, como pueden ser las sobretensiones provocadas al insertar o retirar un MOSFET del circuito sin haber desconectado la fuente de alimentacin. Tambin puede ocurrir, en ciertos casos, que al tocar con las manos los terminales de un MOSFET se produzca una descarga electrosttica entre ellos, que los destruya. Por esta razn los MOSFET se almacenan con un conductor que cortocircuita sus terminales. Este conductor se retira una vez conectado el MOSFET a su circuito. Consideraciones sobre el MOSFET En un transistor de unin de efecto campo, se aplica al canal un campo elctrico a travs de un diodo p-n. Empleando un electrodo de puerta metlico separado del canal semiconductor por una capa de xido, como se muestra en la figura, se obtiene el efecto de un campo bsicamente distinto. La disposicin Metal-xido-

Semiconductor (MOS) permite que un campo bsicamente distinto afecte al canal si se aplica una tensin externa entre puerta y sustrato, y sto, tambin posee un efecto negativo sobre el comportamiento del MOSFET.

En efecto, si observamos la figura de la derecha, donde en azul marino se representa la capa de Dixido del Silicio y en Rojo las zonas tipo N y el canal, vemos que al aplicar una tensin sobre la puerta se necesitar un campo mnimo que inversione el canal.

Esta tensin, llamada tensin umbral y representada por VTH es aquella que acumula una concentracin de cargas capaz de invertir el canal. Esto da lugar a que los niveles entre los circuitos digitales MOS y TTL sean incompatibles, porque los MOS no pueden trabajar a 5 V, puesto que quedara un margen de ruido muy pequeo para su trabajo. Se puede buscar entonces, reducir esa tensin umbral para la compatibilidad de las dos familias de dispositivos, y se ataca este problema en la fase de fabricacin del dispositivo, teniendo en cuenta que la tensin umbral se debe a: El espesor del SiO2: A ms espesor, menos campo aplicado. A los espacios de registro de la puerta. El contacto de puerta, en su fabricacin, no cubre el 100% de la capa, por lo que baja su efectividad. Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo, mediante fabricacin con la tcnica SATO. Adems, los dispositivos MOS, presentan otro problema: las capacidades asociadas al contacto de puerta y los contactos de drenador y surtidor por el hecho de estar solapados. Esta capacidad, introduce cortes o polos a altas frecuencias. Si disminuimos las capacidades, el transistor, podr trabajar a ms altas frecuencias, sobre todo dirigido para aplicaciones digitales y computacionales.