UniABC Universidade do Grande ABC

Tecnologia em Automao Industrial Tecnologia em Mecatrnica Industrial

ELETRNICA I

PROF. DCIO COLANERI

Santo Andr - SP 2010

NDICE
1 DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO..................................................................... 4 1.1 FUNDAMENTOS DE ELETRICIDADE......................................................................... 4 1.1.1 Carga eltrica................................................................................................... 4 1.1.2 Corrente eltrica............................................................................................... 4 1.2 FSICA DOS SEMICONDUTORES............................................................................ 6 1.2.1 A estrutura do tomo........................................................................................ 6 1.2.2 Materiais condutores de eletricidade................................................................ 6 1.2.3 Materiais isolantes............................................................................................ 6 1.2.4 Materiais semicondutores................................................................................. 7 1.2.5 Estudo dos semicondutores............................................................................. 7 1.2.6 Impurezas......................................................................................................... 8 1.2.7 Impureza doadora............................................................................................. 8 1.2.8 Impureza aceitadora......................................................................................... 9 1.2.9 Semicondutor tipo n.......................................................................................... 9 1.2.10 Semicondutor tipo p........................................................................................ 9 1.3 DIODO...................................................................................................................... 10 1.3.1 Polarizao do diodo...................................................................................... 11 1.3.2 Polarizao direta........................................................................................... 11 1.3.3 Polarizao reversa........................................................................................ 11 1.4 CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO........................................................... 11 1.4.1 Polarizao direta do diodo............................................................................ 11 1.4.2 Tenso de joelho............................................................................................ 12 1.4.3 Polarizao reversa do diodo......................................................................... 12 1.5 ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO............................................... 13 1.5.1 Resistor limitador de corrente......................................................................... 13 1.5.2 Reta de carga................................................................................................. 13 1.6 FOTODIODO............................................................................................................ 14 1.7 APROXIMAES DO DIODO................................................................................. 15 1.7.1 1 Aproximao (Diodo ideal)......................................................................... 15 1.7.2 2 Aproximao............................................................................................... 15 1.7.3 3 Aproximao............................................................................................... 16 1.8 RESISTNCIA CC DE UM DIODO.......................................................................... 16 1.8.1 Resistncia direta........................................................................................... 17 1.8.2 Resistncia reversa........................................................................................ 17

4 1
1.1 1.1.1

DIODO SEMICONDUTOR E RETIFICAO

FUNDAMENTOS DE ELETRICIDADE Carga eltrica

O eltron e o prton so cargas elementares e componentes do tomo. Por conveno, estabeleceu-se que a carga do eltron seria negativa (-) e a do prton positiva (+), ou seja, cargas de polaridades opostas. Aproximando-se cargas de polaridades opostas, verifica-se uma fora atrativa entre elas; aproximando-se cargas de mesmas polaridades, verifica-se uma fora de repulso entre elas. Assim, experimentalmente, estabeleceu-se uma unidade para se medir a carga eltrica; esta unidade chamou-se Coulomb. A carga de 1 eltron :

e = 1,6 10 19 Coulomb
ou seja: para se formar 1 Coulomb so necessrios 6x1018 eltrons; 1 cm3 de cobre possui cerca de 8x1022 eltrons livres, ou seja, oito seguidos por vinte e dois zeros. 1.1.2 Corrente eltrica

Corrente eltrica, o deslocamento de cargas dentro de um condutor quando existe uma diferena de potencial eltrico entre as suas extremidades. Tal deslocamento procura restabelecer o equilbrio desfeito pela ao de um campo eltrico ou outros meios (reao qumica, atrito, luz, etc.). Assim, a corrente eltrica o fluxo de cargas que atravessa a seo reta de um condutor, na unidade de tempo. Se este fluxo for constante, denomina-se de Ampre a relao:

1 Ampre = 1

Coulomb ; segundo

ou, generalizando: i =

dq dt

Um gerador eltrico uma mquina como se fosse uma bomba, criando energia potencial. Esta energia potencial acumula cargas em um plo, ou seja, um plo fica com excesso de cargas de certa polaridade e no outro plo h deficincia de cargas. Em outras palavras, o gerador provoca uma diferena de potencial (d.d.p.) entre os seus terminais. Se estes terminais constiturem um circuito fechado, como nas Figuras 1 e 2, teremos uma corrente eltrica.

Figura 1 Esquema de um circuito eltrico completo.

(fonte: Hlio Creder)

Figura 2 Esquema de um circuito eltrico com volta pela terra.

(fonte: Hlio Creder)

Para facilitar a compreenso, vemos na Figura 3 um esquema hidrulico anlogo onde: - a bomba anloga ao gerador; - as tubulaes so anlogas aos condutores eltricos; - a torneira anloga ao interruptor; - a gua retirada anloga energia consumida; - o fluxo dgua (l/s) anlogo corrente.

Figura 3 Esquema de um circuito hidrulico anlogo.

(fonte: Hlio Creder)

6 1.2
1.2.1

FSICA DOS SEMICONDUTORES

A estrutura do tomo

O tomo formado basicamente por 3 tipos de partculas elementares: eltrons, prtons e nutrons. A carga do eltron igual a do prton, porm de sinal contrrio. Os eltrons giram em torno do ncleo distribuindo-se em diversas camadas, num total de at sete camadas. Em cada tomo, a camada mais externa chamada de valncia, e geralmente, ela que participa das reaes qumicas.

Figura 4 tomo em equilbrio. Todos os materiais encontrados na natureza so formados por diferentes tipos de tomos, diferenciados entre si pelos seus nmeros de prtons, eltrons e nutrons. O hidrognio o elemento mais simples porque s possui um eltron em rbita e um prton no ncleo. O urnio dos mais complexos tem 92 eltrons em rbita e 92 prtons no ncleo. Quando um eltron retirado de um tomo, dizemos que esse tomo ficou positivo (on), porque h mais elementos positivos no ncleo do que eltrons em rbita. Em situao contrria, quando um tomo ganha um eltron, dizemos que o tomo ficou negativo (nion). A disposio dos tomos de um corpo possibilita a retirada dos eltrons por meios diversos. Cada material tem uma infinidade de caractersticas, mas uma especial em eletrnica o comportamento passagem de corrente. Pode-se dividir em trs tipos principais: 1.2.2 Materiais condutores de eletricidade

So materiais que no oferecem resistncia passagem de corrente eltrica. Quanto menor for a oposio a passagem de corrente, melhor condutor o material. O que caracteriza o material bom condutor o fato de os eltrons de valncia estarem fracamente ligados ao tomo, encontrando grande facilidade para abandonar seus tomos e se movimentarem livremente no interior dos materiais. O cobre, por exemplo, com somente um eltron na camada de valncia tem facilidade de ced-lo para ganhar estabilidade. O eltron cedido pode tornar-se um eltron livre. 1.2.3 Materiais isolantes

So materiais que possuem uma resistividade muito alta, bloqueando a passagem da corrente eltrica. Os eltrons de valncia esto rigidamente ligados aos seus tomos, sendo que poucos eltrons conseguem desprender-se de seus tomos para se transformarem em eltrons livres. Consegue-se isolamento maior (resistividade) com substncias compostas (borracha, mica, baquelita, etc.).

7
1.2.4 Materiais semicondutores

Materiais que apresentam uma resistividade eltrica intermediria. Como exemplo, temos o germnio (Ge) e o silcio (Si).

Figura 5 Estrutura atmica de materiais semicondutores Ge e Si 1.2.5 Estudo dos semicondutores

Os tomos de germnio e silcio tem uma camada de valncia com 4 eltrons. Quando os tomos de germnio (ou silcio) agrupam-se entre si, formam uma estrutura cristalina, ou seja, so substncias cujos tomos se posicionam no espao, formando uma estrutura ordenada. Nessa estrutura, cada tomo une-se a quatro outros tomos vizinhos, por meio de ligaes covalentes, e cada um dos quatro eltrons de valncia de um tomo compartilhado com um tomo vizinho, de modo que dois tomos adjacentes compartilham os dois eltrons, ver Figura 6.

Figura 6 tomos de Ge ou Si unidos por ligaes covalentes. Se nas estruturas com germnio ou silcio no fosse possvel romper a ligaes covalentes, elas seriam materiais isolantes. No entanto com o aumento da temperatura algumas ligaes covalentes recebem energia suficiente para se romperem, fazendo com que os eltrons das ligaes rompidas passem a se movimentar livremente no interior do cristal, tornando-se eltrons livres.

Figura 7 Eltron livre liberado por aquecimento de um tomo de Ge ou Si. Com a quebra das ligaes covalentes, no local onde havia um eltron de valncia, passa a existir uma regio com carga positiva, uma vez que o tomo era neutro e um eltron o abandonou. Essa regio positiva recebe o nome de lacuna, sendo tambm conhecida como buraco. As lacunas no tm existncia real, pois so apenas espaos vazios provocados por eltrons que abandonam as ligaes covalentes rompidas. Sempre que uma ligao covalente rompida, surgem, simultaneamente um eltron e uma lacuna. Entretanto, pode ocorrer o inverso, um eltron preencher o lugar de uma lacuna, completando a ligao covalente (processo de recombinao). Como tanto os eltrons como as lacunas sempre aparecem e desaparecem aos pares, pode-se afirmar que o nmero de lacunas sempre igual de eltrons livres. Quando o cristal de silcio ou germnio submetido a uma diferena de potencial, os eltrons livres se movem no sentido do maior potencial eltrico e as lacunas por conseqncia se movem no sentido contrrio ao movimento dos eltrons. 1.2.6 Impurezas

Os cristais de silcio (ou germnio - mas no vamos consider-lo, por simplicidade e tambm porque o silcio de uso generalizado em eletrnica) so encontrados na natureza misturados com outros elementos. Dado a dificuldade de se controlar as caractersticas destes cristais feito um processo de purificao do cristal e em seguida, atravs de um processo controlado, efetua-se a insero proposital de impurezas na ordem de 1 para cada 10 tomos do cristal, com a inteno de se alterar produo de eltrons livres e lacunas. A este processo de insero d-se o nome de dopagem. As impurezas utilizadas na dopagem de um cristal semicondutor podem ser de dois tipos: impurezas doadoras e impurezas aceitadoras. 1.2.7 Impureza doadora So adicionados tomos pentavalentes (com 5 eltrons na camada de valncia. Ex.: Fsforo e Antimnio). O tomo pentavalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo as suas quatro ligaes covalentes, e fica um eltron fracamente ligado ao ncleo do pentavalente (uma pequena energia suficiente para se tornar livre).
6

Figura 8 Dopagem de uma estrutura de silcio com um tomo de fsforo (pentavalente). 1.2.8 Impureza aceitadora

So adicionados tomos trivalentes (tem 3 eltrons na camada de valncia. Ex.: boro, alumnio e glio). O tomo trivalente entra no lugar de um tomo de silcio dentro do cristal absorvendo trs das suas quatro ligaes covalentes. Isto significa que existe uma lacuna na rbita de valncia de cada tomo trivalente.

Figura 9 Dopagem de uma estrutura de silcio com um tomo de boro (trivalente). Um semicondutor pode ser dopado para ter um excesso de eltrons livres ou excesso de lacunas. Por isso existem dois tipos de semicondutores: 1.2.9 Semicondutor tipo n

O cristal que foi dopado com impureza doadora chamado semicondutor tipo n, onde n est relacionado com negativo. Como os eltrons livres excedem em nmero as lacunas num semicondutor tipo n, os eltrons so chamados portadores majoritrios e as lacunas, portadores minoritrios. 1.2.10 Semicondutor tipo p

O cristal que foi dopado com impureza aceitadora chamado semicondutor tipo p, onde p est relacionado com positivo. Como as lacunas excedem em nmero os eltrons livres num semicondutor tipo p, as lacunas so chamadas portadores majoritrios e os eltrons livres, portadores minoritrios.

10 1.3 DIODO

A unio de um cristal tipo p e um cristal tipo n, obtm-se uma juno pn, que um dispositivo de estado slido simples: o diodo semicondutor de juno.

(a)

(b)

Figura 10 (a) Juno de cristais tipo n e p (b) Combinao de eltrons e lacunas Devido a repulso mtua os eltrons livres do lado n espalham-se em todas as direes, alguns atravessam a juno e se combinam com as lacunas. Quando isto ocorre, a lacuna desaparece e o tomo associado torna-se carregado negativamente (um on negativo, ou nion).

Figura 11 Formao da camada de depleo. Cada vez que um eltron atravessa a juno ele cria um par de ons. Os ons esto fixos na estrutura do cristal por causa da ligao covalente. medida que o nmero de ons aumenta, a regio prxima juno fica sem eltrons livres e lacunas. Chamamos esta regio de camada de depleo. Alm de certo ponto, a camada de depleo age como uma barreira impedindo a continuao da difuso dos eltrons livres. A intensidade da camada de depleo aumenta com cada eltron que atravessa a juno at que se atinja um equilbrio. A diferena de potencial atravs da camada de depleo chamada de barreira de potencial. A 25C, esta barreira de 0,7V para o silcio e 0,3V para o germnio. O smbolo mais usual para o diodo mostrado a seguir:

Figura 12 (a) Smbolo do diodo; (b) representao da juno pn.

11

1.3.1

Polarizao do diodo

Polarizar um diodo significa aplicar uma diferena de potencial s suas extremidades. Supondo uma bateria sobre os terminais do diodo, h uma polarizao direta se o plo positivo da bateria for colocado em contato com o material tipo p e o plo negativo em contato com o material tipo n. 1.3.2 Polarizao direta

No material tipo n os eltrons so repelidos pelo terminal da bateria e empurrados para a juno. No material tipo p as lacunas tambm so repelidas pelo terminal e tendem a penetrar na juno, e isto diminui a camada de depleo. Para haver fluxo livre de eltrons a tenso da bateria tem de sobrepujar o efeito da camada de depleo. 1.3.3 Polarizao reversa

Invertendo-se as conexes entre a bateria e a juno pn, isto , ligando o plo positivo no material tipo n e o plo negativo no material tipo p, a juno fica polarizada inversamente. No material tipo n os eltrons so atrados para o terminal positivo, afastando-se da juno. Fato anlogo ocorre com as lacunas do material do tipo p. Podemos dizer que a bateria aumenta a camada de depleo, tornando praticamente impossvel o deslocamento de eltrons de uma camada para outra. 1.4 CURVA CARACTERSTICA DE UM DIODO

A curva caracterstica de um diodo um grfico que relaciona cada valor da tenso aplicada com a respectiva corrente eltrica que atravessa o diodo. 1.4.1 Polarizao direta do diodo

Figura 13 (a) Circuito com polarizao direta do diodo; (b) Curva de resposta. Nota-se pela curva que o diodo ao contrrio de, por exemplo, um resistor, no um componente linear. A tenso no diodo uma funo do tipo:

U = RF I +

kT I ln + 1 q IS

12

1.4.2

Tenso de joelho

Ao se aplicar a polarizao direta, o diodo no conduz intensamente at que se ultrapasse a barreira potencial. A medida que a bateria se aproxima do potencial da barreira, os eltrons livres e as lacunas comeam a atravessar a juno em grandes quantidades. A tenso para a qual a corrente comea a aumentar rapidamente chamada de tenso de joelho. ( No Si aprox. 0,7V). 1.4.3 Polarizao reversa do diodo

Figura 14 (a) Circuito com polarizao reversa; (b) Curva de resposta.

Quando polarizado reversamente, pelo diodo extremamente pequena, chamada de corrente de fuga.

passa

uma

corrente

eltrica

Se for aumentado a tenso reversa aplicada sobre o diodo, chega um momento em que atinge a tenso de ruptura (varia muito de diodo para diodo) a partir da qual a corrente aumenta sensivelmente. Salvo o diodo feito para tal, os diodos no podem trabalhar na regio de ruptura.

13
Figura 15 Grfico completo de resposta de um diodo. ESPECIFICAES DE POTNCIA DE UM DIODO

1.5

Em qualquer componente, a potncia dissipada a tenso aplicada multiplicada pela corrente que o atravessa e isto vale para o diodo: P=U*I (1) No se pode ultrapassar a potncia mxima, especificada pelo fabricante, pois haver um aquecimento excessivo. Os fabricantes em geral indicam a potncia mxima ou corrente mxima suportada por um diodo. Exemplo: diodo tipo 1N914 diodo tipo 1N4001 -> -> PMAX = 250 mW IMAX = 1 A

Usualmente os diodos so divididos em duas categorias, os diodos para pequenos sinais (potncia especificada abaixo de 0,5W) e os retificadores (PMAX > 0,5W). 1.5.1 Resistor limitador de corrente

Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tenso aplicada pode gerar uma alta intensidade de corrente. Em geral um resistor usado em srie com o diodo para limitar a corrente eltrica que passa atravs deles.

Figura 16 Circuito com diodo polarizado diretamente. RS chamado de resistor limitador de corrente. Quanto maior o RS, menor a corrente que atravessa o diodo e o RS. 1.5.2 Reta de carga

Sendo a curva caracterstica do diodo no linear, torna-se complexo determinar atravs de equaes o valor da corrente e tenso sobre o diodo e resistor. Um mtodo para determinar o valor exato ca corrente e da tenso sobre o diodo, o uso da reta de carga. Baseia-se no uso grfico das curvas do diodo e da curva do resistor. Na Figura 17, a corrente I atravs do circuito a seguinte:

I=

UR Us UD = RS RS

(1)

No circuito em srie a corrente a mesma no diodo e no resistor. Se forem dados a tenso da fonte e a resistncia RS, ento so conhecidas as corrente e a tenso sob o diodo. Se, por exemplo, no circuito da Figura 16 o US = 2V e RS = 100 Ohms, ento:

14

I=

2 U D = 0,01*U D + 20mA 100

(2)

Se UD = 0V I = 20mA. Esse ponto chamado de ponto de saturao, pois o mximo valor que a corrente pode assumir. E se I = 0A UD = 2V. Esse ponto chamado corte, pois representa a corrente mnima que atravessa o resistor e o diodo. A equao (2) indica uma relao linear entre a corrente e a tenso (y = ax + b). Sobrepondo esta curva com a curva do diodo tem-se:

Figura 17 Reta de carga de um diodo em operao. (I=0A, U=2V) (I=20mA, U=0V) - Ponto de corte - Ponto de saturao Corrente mnima do circuito Corrente mxima do circuito Representa a corrente atravs

(I=12mA, U=0,78V) - Ponto de operao ou quiescente

do diodo e do resistor. Sobre o diodo existe uma tenso de 0,78V. 1.6 DIODO EMISSOR DE LUZ E FOTODIODO O diodo emissor de luz (LED Light Emitter Diode) um diodo que, quando polarizado diretamente, emite luz visvel (branca, amarela, verde, vermelha, laranja ou azul) ou luz infravermelha. Ao contrrio dos diodos comuns no feito de silcio, que um material opaco, e sim, de elementos como glio, arsnico e fsforo. amplamente usada em equipamentos devido a sua longa vida, baixa tenso de acionamento e boa resposta em circuitos de chaveamento.

Figura 18 Circuito tpico de um LED.

15
A polarizao do LED similar ao de um diodo comum, ou seja, acoplado em srie com um resistor limitador de corrente, como mostrado na Figura 18. O LED esquematizado como um diodo comum com seta apontando para fora como smbolo de luz irradiada. A corrente que circula no LED :

ID =

Vs VD R

(3)

Para a maioria dos LEDs disponveis no mercado, a queda de tenso tpica de 1,5 a 2,5 V, para correntes entre 10 e 50 mA. 1.6 FOTODIODO

um diodo com encapsulamento transparente, reversamente polarizado, que sensvel a luz. Nele, o aumento da intensidade luminosa aumenta sua corrente reversa. Num diodo polarizado reversamente, circula somente os portadores minoritrios. Esses portadores existem porque a energia trmica entrega energia suficiente para alguns eltrons de valncia sarem fora de suas rbitas, gerando eltrons livres e lacunas, contribuindo, assim, para a corrente reversa. Quando uma energia luminosa incide numa juno pn, ela injeta mais energia aos eltrons de valncia e com isto gera mais eltrons livres. Quanto mais intensa for a luz na juno, maior ser a corrente reversa num diodo. 1.7 APROXIMAES DO DIODO

Ao analisar ou projetar circuitos com diodos se faz necessrio conhecer a curva do diodo, mas dependendo da aplicao pode-se fazer aproximaes para facilitar os clculos. 1.7.1 1 Aproximao (Diodo ideal)

Um diodo ideal se comporta como um condutor ideal quando polarizado no sentido direto e como um isolante perfeito no sentido reverso, ou seja, funciona como uma chave aberta.

Figura 19 Sentido direto e reverso de um diodo ideal. 1.7.2 2 Aproximao Leva-se em conta o fato de o diodo precisar de 0,7 V para iniciar a conduzir.

16

Figura 20 Sentido direto e reverso de um diodo ideal e tenso reversa de 0,7V. Pensa-se no diodo como uma chave em srie com uma bateria de 0,7 V. 1.7.3 3 Aproximao Na terceira aproximao considera a resistncia interna do diodo.

Figura 21 Sentido direto e reverso de um diodo ideal considerando-se a tenso reversa de 0,7V e resistncia equivalente rb. Obs.: Ao longo do curso ser usada a 2 aproximao. Exemplo 1: Utilizar a 2. aproximao para determinar a corrente do diodo no circuito da figura abaixo:

Soluo: O diodo est polarizado diretamente, portanto age como uma chave fechada em srie com uma bateria.

I D = I RS =

U RS U S U D 10 0,7 = = = 1,86mA RS RS 5k

17
1.8 RESISTNCIA CC DE UM DIODO

a razo entre a tenso total do diodo e a corrente total do diodo. Pode-se considerar dois casos: RD - Resistncia CC no sentido direto RR - Resistncia CC no sentido reverso

1.8.1

Resistncia direta

a resistncia quando aplicada uma tenso no sentido direto sobre o diodo. varivel, pelo fato do diodo ter uma resistncia no linear. Por exemplo, no diodo 1N914 se for aplicada uma tenso de 0,65V entre seus terminais existir uma corrente I=10mA. Caso a tenso aplicada seja de 0,75V a corrente correspondente ser de 30mA. Por ltimo se a tenso for de 0,85V a corrente ser de 50mA. Com isto pode-se calcular a resistncia direta para cada tenso aplicada: RD1 = 0,65/10mA = 65 RD2 = 0,75/30mA = 25 RD3 = 0,85/50mA = 17 Nota-se que a resistncia CC diminui com o aumento da tenso. 1.8.2 Resistncia reversa

Tomando ainda como exemplo o 1N914. Ao aplicar uma tenso de -20V a corrente ser de 25nA, enquanto uma tenso de -75V implica numa corrente de 5A. A resistncia reversa ser de: RS1 = 20/25nA = 800M RS2 = 75/5A = 15M A resistncia reversa diminui medida que se aproxima da tenso de ruptura.

18

EXERCCIOS a) Responda questo. 1. O que se entende por dopagem de material semicondutor? b) Associe a coluna da esquerda com a da direita. 2. (A) Impureza tipo N (B) Impureza tipo P ( ) Boro ( ) Trs eltrons na camada de valncia ( ) Arsnio ( ) Cinco eltrons na camada de valncia c) Complete a lacuna com uma das palavras entre parnteses 3. Obtm-se um cristal semicondutor tipo N, quando se insere impurezas ____________________ em sua estrutura cristalina (silcio, trivalentes, pentavalentes). 4. Um tomo carregado negativamente, denominado _____________(eltron, nion, on). d) Assinale a alternativa correta 5. O eltron livre, fornecido pela impureza ao cristal semicondutor, quando retirado da estrutura dar origem a um: ( ) Desequilbrio eltrico do elemento receptor ( ) Cation ( ) Anion ( ) Equilbrio eltrico do elemento doador ( ) n.d.a. e) Coloque (V) ou (F) caso as afirmaes sejam verdadeiras ou falsas. 1. Ao cristal semicondutor tratado para que haja uma predominncia de lacunas, d-se o nome de: ( ) Impureza doadora ( ) Cristal tipo P ( ) Impureza receptora ( ) Cristal tipo N ( ) n.d.a. f) Coloque (V) ou (F) caso as afirmaes sejam verdadeiras ou falsas. ( ) A dopagem com impurezas pentavalentes, aumenta consideravelmente o nmero de eltrons livres na estrutura do material semicondutor.

19
( ) A dopagem com impurezas trivalentes, aumenta consideravelmente o nmero de eltrons livres na estrutura do material semicondutor. ( ) Os eltrons livres e as lacunas so chamados de portadores de carga eltrica. ( ) A dopagem do material semicondutor aumenta o nmero de portadores de carta, impedindo com isto o aparecimento de corrente quando o cristal for submetido a um campo eltrico.