Tesis Celulas Alta Concentracion MARISA - CASTRO - DELGADO - A

Instituto de Energa Solar
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN
Clulas Solares de Silicio para Alta Concentracin: Industrializacin y Clulas de Contacto Posterior
TESIS DOCTORAL
Autora: Marisa Castro Delgado Licenciada en Ciencias Fsicas Director: Gabriel Sala Pano Doctor Ingeniero de Telecomunicacin
Tribunal nombrado por el Mgfco. y Excmo. Sr. Rector de la Universidad Politcnica de Madrid.
PRESIDENTE:
VOCALES:
SECRETARIO:
SUPLENTES:
Realizado el acto de defensa y lectura de la Tesis en Madrid, el da 2009. Calificacin:
de
de
EL PRESIDENTE
LOS VOCALES
EL SECRETARIO
Para reducir lo infinito a lo finito, lo inasequible a lo humanamente real, no hay ms que un camino: la concentracin. Thophile Gautier
El trabajo es amor en estado slido. Mark Titchner
AGRADECIMIENTOS
Este libro que tienes en tus manos es el resultado de un trabajo que se ha extendido a lo largo de ms de siete aos. Casi cuatro de dedicacin diaria, en su mayor parte experimental, en el Instituto de Energa Solar, seguido de ms de tres de arduo esfuerzo en fines de semana y vacaciones para explicar de la mejor forma que he podido dicho trabajo. Durante este largo perodo de preparacin, muchsima gente que se merece estar aqu por los ms diversos motivos se ha cruzado en mi camino. Este es el momento de agradeceros a todas y todos el apoyo inmenso que he tenido en este tiempo de formacin y crecimiento personal tan importante para m. Espero no olvidarme de nadie. En primer lugar, agradecer a la persona que tanto ha contribuido a mi formacin cientfica y director de esta tesis, Gabriel Sala. Muchas gracias por la confianza, el apoyo y el nimo tanto en el da a da del instituto como en la distancia. Y sobre todo, gracias por todo lo que me has enseado. Trabajar a tu lado es una de las mayores satisfacciones de este camino. A toda la gente que hace cada da del IES un lugar inolvidable. Aqu he encontrado no slo calidad cientfica y profesional, sino una calidad humana difcil de superar. Amigas duraderas es lo mejor que me llevo de aqu. Gracias a todas sin excepcin por la ayuda mutua, el humor tan necesario delante de la evaporadora ms lenta del mundo, el turismo fotovoltaico, los debates del pollo al limn, la tesis paralela en msica rock... Especialmente citar a mis compaeras de grupo Nacho, Loli, David, Marta, Mara y Csar. Y las de despacho, Estbaliz, Rafa, Bea, Jorge, Jos Ramn, Ivn; fue un placer compartir tantas horas con vosotras. A todas las que habis compartido cmaras, sabidura y equipos de medida. No me puedo olvidar de Mateo y Elisa, con quienes he compartido tantas cosas dentro y fuera del IES; quien sabe en qu pas volveremos a encontrarnos. Un agradecimiento especial para quienes me han enseado todo lo que s de tecnologa. Gracias, Carlos y Rosa, por iniciarme en el mgico mundo de la fabricacin de clulas. Gracias, Pepe, Zamorano, ngel, por hacer que todo est a punto para todas y cada una de las tesis de este instituto, la ma no iba a ser menos. A Javi Montes, por tantas y tantas clulas que hicimos juntos, viajes a Bilbao incluidos; para acabar viviendo los dos por aqu. Gracias tambin a Rubn Gutirrez, Fede Recart y el resto de la gente del Instituto de Microelectrnica en Bilbao. Sin vuestro alineador jams habramos finalizado a tiempo y con xito esta pequea gran produccin de clulas. To Peter Fath, Michelle McCann and all the people at the photovoltaics department in the University in Konstanz. Thank you for giving me the opportunity to spend there two beautiful and cold months learning about characterization, encapsulation and some German. Special thanks to Claudia and Gunnar, my office mates, and Alwin for taking care of me and introducing me to jazz music. It was a very stimulating time. Vielen dank. Aunque en parte responsables del largo tiempo que ha costado escribir esta tesis, me gustara agradecer a toda la gente que trabaja y ha trabajado en Guascor Foton su apoyo en todo este tiempo. Ha sido y es cada da una experiencia inolvidable en todos los sentidos y me siento privilegiada por haber compartido con todas vosotras este reto fotovoltaico nico en el mundo; aunque haya retrasado tanto este momento, ha merecido
la pena. Junto a ellas, gracias a la indescriptible cuadrilla global de Bilbao por el inters mostrado da a da en mi tema favorito, por acogerme, compartir tantas experiencias y convertiros en mi familia bilbana. En pocos sitios se hace tan difcil encerrarse en casa el fin de semana. Preparaos, txikiteras, que esto se acab. El azar y la concentracin me han llevado a desarrollar este trabajo en tres sitios separados entre s miles de kilmetros tanto fsicos como emocionales. En todo este periplo siempre he encontrado gente maravillosa dispuesta a apoyarme sin condiciones. Gracias a todas ellas en Madrid, Malasaa, Los ngeles y Bilbao. Gracias, Jose, por compartir Madrid y Malasaa conmigo. Gracias por estar a mi lado en los inicios solares. Me regalaste el mundo y lo hiciste un lugar por el que merece la pena seguir luchando cada da. Alex, thousands of thanks for making Los Angeles such a warm, easy and exciting place instead of the loneliest place in the world it could have been. You gave me the peace and a place by the beach to start this writing and the impulse to keep on right until the end. I can't believe I was so lucky to meet you at the other end of the world. ... eta zu... nire bizitzara bilboko argiaz etorri zinen hegohaizeaz biltzeko. Mila esker batzutan emandako lasaitasunagatik, baina batez ere azkenengo txanpan bultzatu nauen amorruagatik -coraje. Y por ltimo, y lo ms importante, a mi familia, a mis padres, mi hermano y mi abuelo. Los artfices ltimos de que iniciara, continuara y llevara a buen puerto todo lo que he hecho en esta vida, especialmente este trabajo. Gracias por el apoyo incondicional, en la cercana y en la distancia, por la alegra, por el refugio que siempre me espera. Este trabajo va especialmente dedicado a mi padre, que no podr leer estas lneas, y a mi madre, que espera pacientemente.
RESUMEN
El objetivo de esta tesis es el desarrollo de clulas de silicio para sistemas de concentracin fotovoltaica. El punto de partida fue la confluencia de varios factores, incluyendo la existencia de una tecnologa madura de concentracin, con numerosos prototipos instalados pero sin presencia en el mercado y con una total escasez de clulas solares adecuadas a ellos, junto a una tecnologa de clulas de silicio de alta eficiencia probada con xito en el Instituto de Energa Solar para concentraciones de 100 soles. Por otro lado, aunque casi todos los sistemas de demostracin instalados utilizaban clulas de silicio, generalmente se hicieron con clulas de geometra y estructura especialmente adaptada a la ptica del mismo, con limitaciones de tamao o mxima concentracin a la que trabajar debido a la resistencia serie. Las estructuras de contacto posterior permitiran conectar varias clulas en mdulos compactos sin reas inactivas, eliminando ambas limitaciones. En este trabajo abordar dichos problemas complementarios. Por un lado, la industrializacin de la fabricacin de clulas; por otra parte, el desarrollo de un nuevo concepto de clulas de contacto posterior, clula CEP, manteniendo la metalizacin frontal y pasando la corriente a la cara posterior mediante un pequeo nmero de agujeros. As se reducen la resistencia serie y el factor de sombra, aumentando la eficiencia de la clula. Relajamos de esta manera los requisitos de tiempo de vida efectivo final o el elevado nmero de agujeros de las clulas de contacto posterior sin metalizacin frontal. Con respecto a la industrializacin, en este contexto surgi la oportunidad de hacer la mayor produccin de clulas de silicio de concentracin que se haban hecho en el Instituto, por lo que establecimos una pequea lnea piloto para procesar obleas de 4". Presento aqu los resultados de esta primera produccin en serie en nuestro laboratorio, demostrando que es posible hacerlo de forma fiable, repetitiva y econmica. Describo el proceso inicial, los resultados de las primeras tandas y cmo solucionamos los diferentes problemas que se presentaron, especialmente el relacionado con la capa altamente resistiva que aparece al crecer la capa antirreflectante de SiO 2 durante el paso de redistribucin de impurezas. Finalmente, describo el proceso definitivo junto con los resultados de la produccin y medida de ms de mil clulas, logrando una eficiencia promedio a 100X del 18.5%, con ms del 70% de clulas con eficiencias superiores al 18%. Utilic los datos de rendimiento en produccin y eficiencia para estimar el coste, entre 0.31 y 0.41 /W incluyendo el silicio FZ de partida. En cuanto a las clulas de contacto exclusivamente posterior, CEP, presento el concepto y el diseo de malla, con la estimacin del nmero de agujeros necesarios y el aumento de eficiencia a que daran lugar al recolectar la corriente de forma distribuida en toda la oblea. Asimismo, estudio dos formas de hacer los agujeros necesarios para conectar ambas caras: el ataque qumico anisotrpico con TMAH y el taladrado a alta velocidad con fresas de diamante. Este ltimo proceso nos permite taladrar las clulas al final del proceso sin prdida significativa de las caractersticas elctricas de la clula, por lo que se puede simplificar mucho su fabricacin. Finalmente, presento los primeros resultados de encapsulado de las clulas, que permitiran demostrar plenamente el concepto de clula CEP. Observamos un pequeo incremento en la eficiencia, pero slo hasta concentraciones de 5X debido a la alta resistencia con el pegamento conductor utilizado para unir la clula al sustrato. Es necesario profundizar en este aspecto para aprovechar plenamente el potencial de este tipo de clulas.
ABSTRACT
The main aim of this thesis is the development of silicon solar cells for its use under concentrated light. The starting point of this work was the convergence of several facts, including the existence of a mature concentrator technology, with many prototypes installed in the field but no presence in the PV market, together with a lack of commercial concentrator cells in the market and a technology developed at the Institute of Solar Energy ready to produce cells for light densities around 100X. On the other hand, though almost all of the demonstration plants used silicon solar cells, their structure and geometry was specially adapted to the optical system, being then limited either the size of the cell or the maximum concentration ratio due to series resistance. Back-contacted structures allow the connection of several cells in modules without inactive areas, removing those limitations. In this work I approach these two complementary problems. First, the industrialization of cells manufacturing; second, the development of a new concept of back contact cell, the CEP cell, in which we keep the front metallization that directs the current to the rear side by a limited number of holes equally spaced all over the cell area, thus reducing the series resistance and shadowing factor and increasing the efficiency of the cell. This way, we relax the requirements of final effective lifetime or the high number of holes of back-contact cells without front metal. Regarding industrialization, in this context, arose the possibility to make the largest production of silicon concentrator solar cells at the Institute. For that, we set up a small pilot line to manufacture cells in 4" wafers. Here I present the results of this first series production in the laboratory, demonstrating that is possible to do it in a feasible, repetitive and economic way. I present the initial process and the results of the first batches, together with the problems that arose and the solutions implemented for further runs. Specially important is the appearance of a highly resistive layer in the rear side during the thermal growth of the SiO2 antireflection coating in the drive-in step. Finally I describe the definitive process along with the results of more than 1000 cells, yielding an average efficiency at 100X of 18.5% with 70% of them having an efficiency greater than 18%. With the yield and efficiency results I estimate the costs of manufacturing these cells ranging from 0.31 to 0.41 /W including the FZ silicon material. Regarding the exclusively back contact cells, CEP, I present the concept and the front metal grid design, including the number of holes necessary to reach the maximum efficiency and its predicted increase due to a more uniform photocurrent collection. Besides, I consider two means of drilling the holes in the silicon wafer: the anisotropic wet etch with TMAH and the high speed mechanical drilling with diamond-coated drill-bits. The last method allows to make the holes at the end of the process without significant performance looses, simplifying the fabrication process. Finally I present the first results of encapsulated cells, that would allow to fully proof the concept. Some increase in the efficiency is seen but just up to 5X due to a high back contact resistance in the glue to attach the cell to the substrate. Further research in the encapsulation process is needed in order to achieve the full potential of these cells.
ndice de contenido
Captulo I. Introduccin.........................................................................................................11 I.1.- Energa solar fotovoltaica..........................................................................................14 I.2.- Concentracin fotovoltaica.......................................................................................19 I.3.- Marco y estructura de esta tesis...............................................................................21 Captulo II. Clulas Solares de Silicio.....................................................................................25 II.1.- Clulas solares de silicio de concentracin: industrializacin..................................27 II.2.- Clulas solares de silicio de contacto posterior........................................................31 II.2.1.- Breve historia de las clulas de contacto posterior..........................................32 Clula de contactos posteriores interdigitados, IBC.................................33 Clula Polka-Dot........................................................................................34 Clula de contacto posterior puntual, BPC...............................................35 Clula Emitter Wrap-Through, EWT..........................................................37 Clulas con metalizacin frontal, FMWT, PUM y MWA............................39 II.3.- Conclusiones.............................................................................................................40 Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin...........43 III.1.- Introduccin............................................................................................................45 III.2.- La clula UPM-PPV: estructura y diseo.................................................................48 III.2.1.- Estructura de la clula.....................................................................................48 III.2.2.- Diseo de la malla de metalizacin.................................................................50 Clculo de la resistencia serie...................................................................51 Medida de la resistencia de contacto de la malla frontal.........................53 Optimizacin de la malla de metalizacin................................................54 III.3.- Proceso de fabricacin de la clula.........................................................................56 III.4.- Primeros resultados.................................................................................................64 III.5.- Resistencia de contacto posterior: anlisis y mejoras.............................................67 III.6.- Resultados de la fabricacin....................................................................................74 Resultados por grupos..............................................................................75 Mejores resultados...................................................................................77 i
Curva de aprendizaje y rendimiento del proceso.....................................80 III.7.- Viabilidad, costes y posibles mejoras......................................................................82 III.8.- Conclusiones............................................................................................................88 Captulo IV. Clulas de Concentracin de Contacto Exclusivamente Posterior: Clula CEP..89 IV.1.- La clula CEP: descripcin.......................................................................................91 IV.2.- La clula CEP: diseo. Malla de metalizacin y nmero de agujeros......................93 IV.2.1.- Clculo de la resistencia serie.........................................................................93 IV.2.2.- Optimizacin de la malla de metalizacin.......................................................96 IV.2.3.- Eleccin de la malla de metalizacin ptima para 100 soles........................101 IV.3.- Medidas en oscuridad...........................................................................................102 IV.4.- Cmo hacer agujeritos en silicio?........................................................................104 IV.4.1.- Grabado hmedo anisotrpico.....................................................................105 Propiedades de las disoluciones para el grabado anisotrpico del silicio ................................................................................................................107 Materiales para enmascarar el ataque...................................................109 Grabado con TMAH.................................................................................112 IV.4.2.- Taladrado con fresas de diamante................................................................118 Sistema de taladrado de obleas de silicio...............................................119 Resultados del taladrado de agujeritos en obleas de silicio...................122 IV.5.- Caracterizacin de clulas solares taladradas al final del proceso........................125 Caracterizacin elctrica a 1 sol y oscuridad..........................................126 Medidas de eficiencia cuntica...............................................................130 Medidas de termografa y LBIC...............................................................132 IV.6.- Conclusiones..........................................................................................................137 Captulo V. Clula CEP: fabricacin, encapsulado y resultados...........................................139 V.1.- La clula CEP: Fabricacin.......................................................................................141 V.1.1.- Agujeritos al principio del proceso, CEP-P......................................................141 V.1.2.- Agujeritos al final del proceso, CEP-F.............................................................145 V.2.- La clula CEP: Encapsulado.....................................................................................149 V.2.1.- Materiales para el encapsulado a doble cara.................................................151
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V.2.2.- Resultados del encapsulado a doble cara......................................................153 V.3.- Conclusiones...........................................................................................................157 Captulo VI. Conclusiones y futuros trabajos......................................................................159 VI.1.- Resumen de contribuciones..................................................................................161 VI.1.1.- Industrializacin de clulas de concentracin de contacto convencional....161 VI.1.2.- Clulas de concentracin de contacto posterior, CEP...................................162 VI.2.- Futuros trabajos....................................................................................................163 VI.3.- Publicaciones realizadas en el marco de esta tesis...............................................165 VI.3.1.- Publicaciones en revistas internacionales....................................................165 VI.3.2.- Publicaciones en congresos internacionales................................................165 Presentaciones orales.............................................................................165 Presentaciones visuales..........................................................................165 Bibliografa...........................................................................................................................167
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ndice de figuras
Fig. I.1. A. Potencia fotovoltaica acumulada instalada en los pases IEA-PVPS hasta 2006, tomada de [IEA07]. B. Potencia instalada anualmente en Alemania, Japn, Espaa y total de los pases IEA-PVPS, [IEA07], comparada con la generacin mundial de electricidad [BP08]. Fig. I.2. Potencia acumulada instalada en Espaa en los ltimos aos, junto con la electricidad que ha generado y la demanda de energa, [CNE08]. Los datos de 2008 slo incluyen hasta agosto. Fig. I.3. Produccin de clulas solares por tecnologa, [Photon07]. Fig. I.4. Nmero de ponencias por tema en el tercer congreso mundial de energa fotovoltaica, WCPEC3, tomada de [WCPEC03]. Fig. I.5. Esquema de dos sistemas de concentracin, con lentes y espejos, comparados con el panel plano. Fig. II.1. Sistemas de demostracin de concentracin (tomadas de [Sala02]). Fig. II.2. Sistemas de demostracin de concentracin (tomadas de [Sala02], excepto B., [Hayden02]). Fig. II.3. Varias clulas y receptores de sistemas de concentracin con clulas de silicio. Fig. II.4. Sistema de concentracin de disco parablico. Fig. II.5. Vista frontal y corte de las dos primeras patentes de clulas de contacto posterior, tomadas de [DeJong75] y [Pack75]. Fig. II.6. Clula de contacto posterior interdigitado y su seccin, tomadas de [Lammert77]. Fig. II.7. Clula Polka-Dot mostrada con la cara frontal hacia abajo, tomada de [Hall80]. Fig. II.8. Estructura de la clula de contacto puntual y seccin mostrando su funcionamiento, tomadas de [Swanson85] y la metalizacin de doble capa, tomada de [Verlinden88]. Fig. II.9. Vista frontal de la clula EWT y seccin de la clula EWT con emisor posterior, tomadas de [Gee93]. Fig. II.10. Estructuras de las clulas A. Front Metallization Wrap Through, B. Metallization Wrap Around, tomadas de [Joos00a], C. y D. Pin Up Module, tomadas de [Bultman00] y [Bultman03]. Fig. III.1. Simulacin de PC1D de la eficiencia de la clula frente a la resistividad de la base a 100X. Fig. III.2. Vista frontal y corte de la clula UPM-PPV. Fig. III.3. Esquema de la clula UPM-PPV con los componentes de la resistencia serie y vista superior de la celda unidad. iv
Fig. III.4. Imgenes de A. hornos de difusin, B. planetario para evaporadora, C. til para electrolisis de Ag y D. centrifugadora para aclarado / secado de obleas. Fig. III.5. Proceso de fabricacin de las clulas UPM-PPV. Fig. III.6. Reflectividad de obleas con diferentes texturados. Fig. III.7. Resumen de las diferentes difusiones realizadas para obtener el emisor de 50 /cuadro. Los smbolos llenos corresponden a las obleas situadas al fondo del horno y los vacos a las obleas situadas ms cerca de la boca del horno. Fig. III.8. til de medida en concentracin. Fig. III.9. Imgenes de A. una oblea antes de metalizar y B. una oblea terminada. Fig. III.10. Curvas IV tomadas con el flash a la clula A7, con gran resistencia de medida, que no permite medir el punto de mxima potencia a concentraciones mayores de 30 soles. Fig. III.11. Resultados de medidas de algunas clulas de la tanda A. Fig. III.12. vs X en clulas con el mismo proceso que la tanda A. Fig. III.13. Imgenes de SEM de A. corte y B. superficie frontal de las tandas B y C. Fig. III.14. Eficiencia frente a concentracin para los procesos de eliminacin de la capa resistiva posterior. La mejor clula del ataque con cido clorhdrico slo se midi a 100X. Fig. III.15. A. Histograma de la eficiencia a 100X de todas las obleas con distintos ataques de la capa resistiva posterior y B. Diferencia de tensin de circuito abierto con respecto al proceso inicial para cada ataque. Fig. III.16. Proceso de fabricacin de las clulas UPM-PPV. Fig. III.17. Histograma con los resultados del total de la produccin con el proceso definitivo y el ajuste a una distribucin normal (lnea gruesa). Fig. III.18. Distribucin de eficiencias de la produccin con el proceso definitivo por grupos. La lnea continua representa el ajuste a una distribucin normal. Fig. III.19. Corriente de cortocircuito de la produccin total, separada por grupos, y su ajuste a una distribucin normal (lneas). Fig. III.20. Eficiencia vs concentracin de una de las mejores clulas fabricadas, que mantiene cerca del 20% de eficiencia hasta 250X. Fig. III.21. Reflectividad, eficiencia cuntica externa e interna medidas y simuladas. Fig. III.22. Curva de aprendizaje: roturas y eficiencia para cada tanda. Las tandas D, E y F forman el Grupo 1 y el resto el Grupo 2. La lnea discontinua es la prdida total de rendimiento; la lnea continua indica las clulas medidas con eficiencia mayor del 16%. Fig. III.23. Distribucin de clulas en la oblea de 4 pulgadas con la forma de las clulas Proteas y una ms genrica de 1 cm2 en oblea de 6 pulgadas. Fig. III.24. Distribucin de costes para los dos escenarios considerados. v
Fig. IV.1. Estructura de la clula CEP. Fig. IV.2. Corte transversal y vista superior de la celda unidad de la clula CEP. Fig. IV.3. Eficiencia, factor de sombra y resistencia serie tecnolgica en funcin del nmero de agujeritos por fila de la clula ptima de 2 x 2 cm2 en cada caso a 100 soles. Fig. IV.4. Eficiencia en funcin del nmero de agujeritos y del lado de la celda unidad para diferentes concentraciones y dos resistividades de base diferentes. Fig. IV.5. Comparacin del comportamiento en concentracin entre las clulas ptimas con diferente resistividad de base. Fig. IV.6. Comparacin entre la densidad de agujeritos de la clula CEP y otras clulas de contacto posterior (tablas II.2. y IV.5.) Fig. IV.7. Distribucin de la resistencia serie en la clula CEP100X y en la clula UPM-PPV trabajando a 100X. Fig. IV.8. Medida en simulador solar de las clulas sin encapsular, cogiendo contactos en la cara frontal. Fig. IV.9. Eficiencia en concentracin predicha a partir de las medidas de oscuridad. Los diamantes indican la medida a un sol tomando slo un punto de contacto en la cara superior. Fig. IV.10. Grabados hmedos en Si: A. y C. anisotrpico, B. y D. isotrpico. Fotos tomadas de [Elwenspoek98]. Fig. IV.11. Vista superior y seccin de un ataque anisotrpico en silicio. Fig. IV.12. Velocidad de ataque del silicio <100> en KOH a distintas concentraciones y temperaturas, tomadas de [Seidel90]. Fig. IV.13. Dependencia con la concentracin y la temperatura de la velocidad de ataque del silicio <100> en disoluciones de TMAH, tomada de [Tabata92]. Fig. IV.14. Velocidad de ataque del SiO2 en A. KOH, tomada de [Seidel90], y B. TMAH, tomada de [Tabata92]. Fig. IV.15. Superficie del silicio vista en un microscopio ptico en campo oscuro a 1000X tras atacar con TMAH al A. 4%, B. 10% y C. 15%. Al 20% la superficie es completamente lisa. Fig. IV.16. A. Espesor de silicio atacado a 90 C en funcin del tiempo para distintas concentraciones de TMAH. Las lneas son los ajustes por mnimos cuadrados de las medidas correspondientes, continuas para los espesores medidos y discontinuas para los calculados por pesada. B. Velocidad de ataque del silicio (100) y del SiO2 a 90 C para diferentes concentraciones de TMAH. Fig. IV.17. A. Imagen de SEM de la seccin de un agujerito atacado en TMAH al 10%. B. Imagen de microscopa ptica a 4X de varios agujeritos en TMAH al 15%. Fig. IV.18. Sistema de taladrado de obleas de silicio. vi
Fig. IV.19. A. Turbina con lupa para alineacin y B. pantalla de alineacin del programa de taladrado. Fig. IV.20. Imgenes de microscopa ptica de agujeritos en diferentes condiciones. Todas las fotos estn tomadas a 50 aumentos, excepto C. a 150 aumentos. Fig. IV.21. Imgenes de SEM de dos agujeritos totalmente traspasados. Se aprecia claramente la diferencia entre las primeras micras taladradas y el final (entre la mitad y un tercio del espesor de la oblea), posiblemente arrancado. En la imagen de la derecha tambin se ve que el metal de la cara frontal se ha despegado. En este caso se hizo el taladro antes del recocido final. En caso de hacer el recocido final antes de taladrar comprob que esto no ocurre. Fig. IV.22. Medidas de tiempo de vida en obleas con y sin agujeritos a diferentes niveles de inyeccin. Fig. IV.23. Clula P/Al taladrada. Fig. IV.24. Cara frontal (la misma para todas) y posterior de los dos tipos de clulas CEP caracterizadas. Fig. IV.25. Curvas IV a 1 sol de diferentes clulas antes y despus de taladrar. Fig. IV.26. A. Eficiencia frente a concentracin para la clula simulada en la optimizacin y la real introduciendo las nuevas J02 y Rp de clulas taladradas. B. Diferencias en la potencia mxima y la eficiencia entre ambas simulaciones. Fig. IV.27. Ajuste de las medidas de eficiencia cuntica de clulas con BSF local, k3i, y total, k8i. A. y B. Medidas y ajustes de eficiencia cuntica (EQ) de cada una de las clulas. C. Medidas de EQ de las dos clulas. D. Medidas y ajustes de la curva IV a un sol de ambas clulas. Fig. IV.28. Sistema de medida ILIT de la Universidad de Constanza, tomada de [Kaes04]. Fig. IV.29. Imgenes de termografa, LBIC y pticas de varias clulas CEP. Fig. IV.30. Imgenes de termografa, LBIC y pticas de varias clulas CEP (2). Fig. V.1. Diagrama de flujo del proceso CEP-P, junto al estndar del IES. Fig. V.2. Pasos iniciales de fabricacin de la clula CEP realizando los agujeritos al principio mediante un ataque qumico anisotrpico. Fig. V.3. Pasos iniciales de fabricacin de la clula CEP mecanizando los agujeros al principio del proceso con fresas de diamante o con lser. Fig. V.4. Pasos comunes a las dos lneas de fabricacin CEP-P. Fig. V.5. Estructura final de las clulas CEP-PQ y CEP-PM. Fig. V.6. Diagrama de flujo del proceso CEP-FL, junto al estndar del IES. Fig. V.7. Proceso de fabricacin de CEP-FL. Fig. V.8. Estructura final de la clula CEP-FT. vii
Fig. V.9. Corte y vista superior del encapsulado en un circuito de A. cara simple (CEP-FL) y B. cara doble (CEP-FT). Fig. V.10. Clula CEP encapsulada en sustrato de A. una cara; B. dos caras; C. cara posterior de B. Fig. V.11. Clula CEP-FL sin capa AR en distintas etapas del proceso de encapsulado. Fig. V.12. Eficiencia vs. concentracin de la mejor clula CEP-FL encapsulada.
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ndice de tablas
Tabla II.1. Resumen de sistemas de demostracin de concentracin. Tabla II.2. Caractersticas elctricas de las clulas de contacto posterior. Tabla III.1. Caractersticas geomtricas de la clula UPM-PPV. Tabla III.2. Factor de sombra y componentes de la resistencia serie de la clula UPM-PPV. Tabla III.3. Resistividades de los distintos componentes de la resistencia serie. Tabla III.4. Datos utilizados en las simulaciones de PC1D de la clula UPM-PPV. Tabla III.5. Caractersticas de la clula UPM-PPV ptima. En las componentes de la resistencia serie se indica su contribucin porcentual a la resistencia serie total entre parntesis. Tabla III.6. Descripcin de los procesos estndar del IES para clulas y del nuevo para las clulas UPM-PPV. Tabla III.7. Caractersticas de las clulas de la Fig. III.12. Tabla III.8. Resumen de los procesos de ataque de la cara posterior resistiva. Tabla III.9. Resumen de los procesos de ataque de la cara posterior resistiva. Tabla III.10. Descripcin del proceso inicial y del nuevo para las clulas UPM-PPV. Tabla III.11. Eficiencia a 100 soles del ajuste normal por grupos. Tabla III.12. Efecto de la modulacin de la conductividad en la base. Tabla III.13. Proceso alternativo al lift-off. Tabla III.14. Algunos nmeros clave del clculo de costes en los dos escenarios considerados. Tabla IV.1. Caractersticas geomtricas de la clula CEP. Tabla IV.2. Factor de sombra y componentes de la resistencia serie de la clula CEP. Tabla IV.3. Datos utilizados en las simulaciones de PC1D de la clula CEP. Tabla IV.4. Caractersticas de la metalizacin ptima para diferentes concentraciones para bases de 1 cm. Tabla IV.5. Caractersticas de la metalizacin ptima para diferentes concentraciones para bases de 0.2 cm. Tabla IV.6. Caractersticas geomtrica, elctricas y resistencia serie de la clula CEP100X. Tabla IV.7. Caractersticas de las clulas medidas en oscuridad. Tabla IV.8. Comparacin de las caractersticas de las disoluciones de TMAH [Merlos93], [Tabata92] y KOH [Seidel90]. ix
Tabla IV.9. Velocidad de ataque del Si (100), SiO2 crecido trmicamente y selectividad en disoluciones de TMAH. Tabla IV.10. Resultados del ataque de agujeritos de 470 m de dimetro en distintas concentraciones de TMAH. Tabla IV.11. Propiedades mecnicas del silicio y del acero inoxidable, [Petersen82]. Tabla IV.12. Medidas en proceso del tiempo de vida de obleas con y sin agujeritos a varios niveles de inyeccin. Tabla IV.13. Caractersticas de algunas clulas antes y despus del mecanizado de agujeritos. Tabla IV.14. Parmetros empleados en la simulacin PC1D de la clula de P/Al de contactos convencionales antes y despus de taladrarla. Tabla IV.15. Diferencia entre los dos tipos de clulas CEP, K3i y K8d, con BSF local y total, respectivamente, antes y despus de taladrar. Tabla IV.16. Parmetros de ajuste de PC1D de clulas con BSF local y total. Tabla V.1. Resumen de los distintos procesos de fabricacin de clulas CEP. Tabla V.2. Caractersticas trmicas de los sustratos estudiados. Tabla V.3. Caractersticas de los adhesivos conductores utilizados. Las cifras entre parntesis indican el porcentaje de la resistencia serie total de la clula CEP100X que supondra. Tabla V.4. Caractersticas de las clulas CEP encapsuladas que difieren de las de diseo. Tabla V.5. Caractersticas a 5X de la mejor clula encapsulada junto con algunas simulaciones de PC1D.
Captulo I. Introduccin
La coyuntura energtica, medioambiental y poltica mundial actuales, con un consumo de energa per cpita en constante aumento basado esencialmente en combustibles fsiles, crecientes problemas medioambientales y un agotamiento cada vez ms evidente de los yacimientos de combustibles fsiles, as como una fuerte inestabilidad de los precios basada en factores polticos y especulativos, que han llevado a una escalada de precios de los mismos sin precedentes (el barril de petrleo ha pasado de un precio medio mensual de 71.89 $ en Julio del 2007 a 135.06 $ en Julio de 2008 [OPEC08]), ha convertido la bsqueda de energas renovables en un rea prioritaria tanto en la industrializacin, instalacin y reduccin de costes de las tecnologas actuales, como en la bsqueda de nuevas soluciones (por ejemplo, en la Unin Europea la inversin en investigacin y desarrollo en el sector fotovoltaico ha crecido desde menos de 20 millones de euros en el programa de I+D en Energa 1975-1979 hasta 120 M en el 5 Programa Marco, 1998-2002 y 95 M en el 6 Programa Marco, 2003-2006, [IEA06]). El protocolo de Kioto establece para los aos 2008-2012 una reduccin del 5% de las emisiones respecto a los niveles de 1990. Dichas reducciones cambian por regiones, y para la Unin Europea es del 8% [NU98]. Aun as, ya se duda de que dichas reducciones sean suficientes, y la Unin Europea ha aprobado en enero de 2008 una directiva cuyo objetivo es la reduccin de un 21% con respecto a 2005 de las emisiones de gases de efecto invernadero cubiertos por el rgimen comunitario de comercio de derechos de emisin (principalmente instalaciones industriales), una reduccin del 10% en los sectores no cubiertos por dicho mercado (construccin, transporte, agricultura, residuos...), y un aumento de hasta el 20% de la cuota de energas renovables en el consumo energtico hasta 2020 [UE08]. Para alcanzar estos objetivos, la Unin Europea recomienda el uso e investigacin en fuentes de energas renovables, entre otras medidas como la eficiencia energtica o el comercio de emisiones, [UE06]. Dentro de estas energas renovables, la energa solar lleva varias dcadas tanto en las agendas de los centros de investigacin como en uso en sistemas reales en el espacio, inicindose dicho uso durante la carrera espacial en la dcada de los cincuenta. La crisis del petrleo de 1973 fue el punto de partida de la investigacin en el aumento de la eficiencia y el abaratamiento de costes que la llevara finalmente desde el espacio hasta las aplicaciones terrestres. La energa solar fotovoltaica presenta una serie de ventajas frente a los combustibles fsiles, como son: Ambientales: reduccin de emisiones de gases de efecto invernadero (con emisiones a lo largo de su ciclo de vida de 20 55 g CO2 eq/kWh de gases de efecto invernadero dependiendo de la tecnologa y la mezcla de tecnologas en la electricidad de fabricacin de los paneles [Fthenakis08], frente a los, por ejemplo, 750-900 g CO2 eq/kWh del carbn, 400 g CO2 eq/kWh de una turbina de ciclo combinado y 454 g CO2 eq/kWh en la mezcla europea de electricidad en 2007, [Raugei07]). Estas emisiones se producen durante la fabricacin de las clulas y mdulos y su instalacin, pero no durante su funcionamiento, por lo que son dependientes de la
Captulo I. Introduccin 1
mezcla de combustibles en la electricidad en el lugar de produccin, y por tanto disminuirn a medida que aumente la proporcin de energas menos emisoras en dicha mezcla. Adems, no suponen la instalacin de grandes partes mviles que generen ruidos o peligros potenciales para las y los habitantes y la fauna cercana (incluso en sistemas con seguimiento en doble eje, el movimiento necesario es muy suave, de una rotacin este-oeste al da). Sociales y de disminucin de dependencias energticas externas, ya que el recurso solar, a pesar de ser variable y muy poco denso, es renovable y disponible en cantidades suficientes en prcticamente todo el planeta. Tengamos en cuenta que, aunque con una densidad muy baja, la energa que nos llega a la tierra desde el sol en tan slo una hora es suficiente para cubrir la demanda energtica mundial de todo un ao. Por ello, podra permitir el acceso a la electricidad a una gran parte de los 1600 millones de personas que an viven alejadas de las grandes lneas de distribucin, como ya lo hace en muchos lugares remotos. Adaptacin al mercado de la electricidad: la energa FV se produce cuando la demanda de energa es mayor. Asimismo, debido a su descentralizacin, se produce cerca del consumidor, por lo que se reducen las prdidas debidas a la transmisin de la energa, que son mayores cuanto mayor es la potencia que circula por ellas y por tanto tambin cuando se produce la mayor generacin fotovoltaica. La mayor desventaja de este tipo de energa es el coste del kWh fotovoltaico, que an sigue siendo muy superior al coste de otras fuentes de energa: entre 20 y 40 c$/kWh segn la tecnologa y la irradiancia, frente a un promedio de 8 - 10 c$/kWh de la electricidad procedente de combustibles fsiles y los actuales precios de venta de la energa domstica de unos 15 c$/kWh [Martinot05]. Aunque los anlisis de costes convencionales obvian alguna de las ventajas citadas de esta energa, especialmente externalizando los costes medioambientales de las tecnologas basadas en combustibles fsiles (que podran llegar a duplicar sus precios actuales), ste es el escenario en el que la energa fotovoltaica tiene que incorporarse al mercado energtico, y por tanto la reduccin de costes es uno de los temas que ha dominado la mayor parte de los esfuerzos, tanto investigadores como en el paso a la produccin en masa.
I.1.- Energa solar fotovoltaica.

Al comienzo de esta tesis, a principios del ao 2001, haba instalados 729 MW de energa solar fotovoltaica en los 19 pases que colaboran en el Programa de Sistemas Fotovoltaicos de la Agencia Internacional de la Energa, IEA Photovoltaic Power Systems Programme, IEA-PVPS [IEA07]. Durante ese ao se instalaron otros 260 MW en dichos pases, el 78% de ellos entre Alemania y Japn, y slo un 1.4% (3.6 MW) fueron instalados en Espaa, Fig. I.1.
Esto significa un crecimiento del 36% con respecto al ao 2000 [IEA07]. Mientras tanto, el consumo mundial de energa primaria creci el 0.3% y el de electricidad un 1.6% [BP08], muy por debajo del crecimiento fotovoltaico. Aun as, menos del 0.05% de la energa primaria del mundo en el ao 2000 se suministr mediante instalaciones fotovoltaicas [IEA02]. A pesar de que en los ltimos 30 aos, debido a la experiencia acumulada, el precio de los sistemas fotovoltaicos ha disminuido un 19% por cada duplicacin de la potencia instalada, [Luque03], p. 16, el precio de la misma segua siendo bastante superior al de otras fuentes de energa tanto convencionales como alternativas. En el ao 2006 haba instalados 5692 MW en los pases IEA- PVPS, alcanzando por primera vez casi los 2000 MW instalados en un slo ao [IEA07].
Fig. I.1. A. Potencia fotovoltaica acumulada instalada en los pases IEA-PVPS hasta 2006, tomada de [IEA07]. B. Potencia instalada anualmente en Alemania, Japn, Espaa y total de los pases IEA-PVPS, [IEA07], comparada con la generacin mundial de electricidad [BP08].
Fig. I.2. Potencia acumulada instalada en Espaa en los ltimos aos, junto con la electricidad que ha generado y la demanda de energa, [CNE08]. Los datos de 2008 slo incluyen hasta agosto. Captulo I. Introduccin 3
En el caso espaol, en el ao 2001 haba 15.7 MW instalados, en 2006 haba 140 MW, antes de finales de 2007 se alcanzaban los 400 MW del objetivo del Plan de Energas Renovables para el perodo 2005-2010 [PER05], y 1127 MW en el momento de escribir esto, en septiembre de 2008 [CNE08], Fig. I.2. Dichas instalaciones fotovoltaicas generaron un total de 1645 GWh desde 2001 (el 0.08% de la demanda de electricidad, llegando a suponer el 0.52% en el ao 2008) [CNE08], dejndose de emitir unas 700 kilotoneladas de CO2. A pesar de todo, las emisiones de gases de efecto invernadero en 2006 haban aumentado un 50% con respecto al ao de referencia, 1990, mucho ms del 15% permitido por el Protocolo de Kioto en 2012, por lo que parece claro que estos objetivos no son suficientes y, junto con medidas en eficiencia energtica, es necesario plantearse ms potencia fotovoltaica instalada, incluyendo nuevas tecnologas. En cuanto a la fabricacin de dichos mdulos, en ese momento, el mercado estaba dominado por 10 compaas, que producan el 76% de los mdulos, esencialmente en Japn y Europa. Desde entonces, el mercado ha seguido experimentando un crecimiento exponencial, como se ve en la Fig. I.1., pero la escena mundial ha cambiado sustancialmente, con mayor nmero de pequeas compaas fabricando clulas y mdulos (hasta el 35% de la produccin mundial), y nuevas compaas entre las 10 primeras, especialmente en Alemania, China y Taiwan. Y esto en tiempos de escasez de materia prima. Las capacidades de produccin en todo el mundo son mucho mayores, y los planes de expansin de todas las compaas han estado limitados por dicha escasez, [Photon07]. El silicio hiperpuro que se utiliza para las clulas solares comerciales de panel plano sola encontrarse como un material de rechazo en la fabricacin de obleas para la industria microelectrnica a un precio mucho menor del que se paga en ella. Sin embargo, el crecimiento de la industria fotovoltaica durante la dcada de los 90 acab con todas las reservas de esta fuente, y desde el inicio de esta dcada se tema una escasez de silicio que impidiera el crecimiento de la industria fotovoltaica, [Luque03], p. 25. Dicha escasez se confirm durante el transcurso de esta tesis, [Photon05] y [Pichel06], llegando la disponibilidad de material a ser el factor limitante en el crecimiento de la produccin de mdulos en muchos de los fabricantes del mundo. El silicio es uno de los materiales ms abundantes de la tierra, pero requiere de un proceso de purificacin complicado y extremadamente costoso (proceso Siemens). Poner en marcha una fbrica de produccin de polisilicio puede llevar varios aos, por lo que esto ha dado un nuevo hueco de mercado para diferentes tecnologas, tanto en las diferentes partes del sistema actual (especialmente clulas y mdulos), como en la bsqueda de materiales menos puros o de mtodos de purificacin del silicio metalrgico ms sencillos pero con la calidad suficiente para mantener las actuales eficiencias con los mtodos convencionales de fabricacin de la industria fotovoltaica actual (denominado Silicio Solar). Tanto las grandes compaas de produccin de silicio como algunos fabricantes de clulas solares y una serie de nuevas compaas (incluyendo grandes compaas qumicas y fabricantes de silicio metalrgico) han visto la oportunidad de un mercado con un crecimiento sin precedentes y durante estos aos han aumentado sus capacidades de produccin de forma considerable, por lo que a lo largo de este 2008 parece que la
4 Clulas Solares de Silicio para Alta Concentracin: Industrializacin y Clulas de Contacto Posterior
escasez de polisilicio ha sido finalmente superada [Kreutzmann08]. Qu factores han provocado dicho crecimiento, impensable hace unos pocos aos? En primer lugar, como demostraron los casos de Japn y Alemania (los dos pases del mundo con mayor potencia fotovoltaica instalada), las medidas de apoyo por parte del gobierno son fundamentales. Estas ayudas se han organizado bien en forma de subvenciones a la instalacin del sistema (como el programa del METI japons, 1994-2003, o el primer programa 1000 tejados solares del gobierno alemn, 1990-1995), bien en forma de crditos blandos (como el programa alemn 100 000 tejados solares, 1999-2003), o finalmente con las primas a la produccin, como la Ley de Fuentes Renovables de Energa alemana, implementada en 2000 y revisada en 2004. Otros pases, como Espaa e Italia han implementado este tipo de polticas, dando un empujn considerable a la instalacin de sistemas fotovoltaicos. En Espaa, por ejemplo, las tarifas marcadas por el Real Decreto 436/2004 y las del R.D. 661/2007 que lo sustituy han dado un fortsimo impulso al mercado en los ltimos aos, alcanzndose antes de finales de 2007 el lmite de 400 MW previsto por el plan de energas renovables para 2010. Muchas de estas polticas gubernamentales partieron de una conciencia ecolgica importante, como en Alemania, o un intento de depender menos de fuentes de energa exteriores, como en el caso de Japn. Posteriormente, primero la sospecha y luego la certeza del cambio climtico [IPCC01], [IPCC07], unida a la necesidad de cumplir los objetivos del protocolo de Kioto en cuanto a emisiones de gases de efecto invernadero y a los indicios de agotamiento de muchos yacimientos petrolferos junto con el aumento de precios asociado, han impulsado a los gobiernos a iniciar, mantener o incluso aumentar estas ayudas. Aun as, muchas de ellas se plantean como un impulso a que se establezca una industria a gran escala y disminuyan los costes, y por tanto llevan asociadas revisiones a la baja de las tarifas a pagar por kWh al aumentar la potencia instalada (caso espaol, que acaba de aprobar un nuevo Real Decreto, el 1578/2008, que supone una reduccin del 23% en la tarifa a pagar con respecto al anterior) o bien una disminucin anual prefijada (en el 5% anual en el caso alemn). Con este apoyo institucional, se ha producido un importante avance en la industrializacin del panel plano (la tecnologa dominante en todo el mundo), que actualmente ha alcanzado un nivel de estandarizacin y fiabilidad muy elevado, lo cual ha permitido la aparicin de un gran nmero de fabricantes de clulas y mdulos. Han aparecido adems varios fabricantes de maquinaria especializados en este rea, como GP Solar, Pasan-Belval, BERGER Lichttechnik..., tambin fabricantes de maquinaria del sector de la microelectrnica se han interesado en el tema, como Applied Materials. E incluso hoy en da hay proveedores de fbricas automatizadas llave en mano, instaladas y produciendo en un tiempo relativamente corto, como Spire, Centrotherm, GT Solar, M+W Zander, etc. No obstante, a pesar de esta explosin en el mercado fotovoltaico, tecnolgicamente no ha cambiado mucho, puesto que la tecnologa favorita ha sido y sigue siendo el panel plano de silicio cristalino (mono, c-Si, y multi, mc-Si), Fig. I.3., con el 85% del mercado en 2001 y el 90% en 2006, [Photon07]. En este tiempo tanto el silicio amorfo como el silicio en cinta han retrocedido, y no han aparecido nuevas tecnologas en el mercado.
Fig. I.3. Produccin de clulas solares por tecnologa, [Photon07].
Llevados tanto por la escasez de materia prima como por la reduccin de costes, se ha trabajado en la bsqueda de nuevos procesos de produccin de obleas de silicio que desperdicien menos material, como el silicio en cinta (ribbon o sheet segn la tecnologa). Tambin se ha impulsado el uso de obleas progresivamente ms delgadas en lneas de produccin automticas cada vez ms precisas y con menos porcentajes de ruptura de obleas durante su manipulacin. Sin embargo, hay muchas ms tecnologas en investigacin y desarrollo, como muestran por ejemplo las estadsticas del nmero de ponencias presentadas en el tercer congreso mundial en energa fotovoltaica, WCPEC3, celebrado en Osaka en 2003. Un 21% de los artculos presentados estuvieron relacionados con el silicio cristalino, mientras que las secciones de fundamentos, capa delgada, III-V y espacio, CIGS y II-VI juntas, duplicaron dicho nmero, Fig. I.4.
Fig. I.4. Nmero de ponencias por tema en el tercer congreso mundial de energa fotovoltaica, WCPEC3, tomada de [WCPEC03].
Las tecnologas de mdulos de capa delgada de diversos tipos (silicio amorfo, CdTe y CIGS) tambin han experimentado un gran crecimiento en el ltimo ao, con el establecimiento de varias fbricas de produccin de paneles de capa delgada de todas estas tecnologas (CdTe, CIGS o amorfo), ver por ejemplo [Gay08].
I.2.- Concentracin fotovoltaica.

Una de estas nuevas tecnologas es la concentracin fotovoltaica (CPV). Y escribo nueva con comillas porque la concentracin ha estado en la agenda de varios centros de investigacin desde prcticamente el principio del desarrollo de la energa solar fotovoltaica terrestre durante la crisis del petrleo a principios de los aos setenta [Swanson00]. La concentracin fotovoltaica consiste, en pocas palabras, en utilizar un sistema ptico (ms barato) que concentra la luz solar en un rea mucho menor de clula solar (ms cara). Esto se puede conseguir mediante diferentes tipos de lentes o espejos, Fig. I.5., y generalmente con un seguimiento de la posicin del sol en uno o dos ejes para enfocar permanentemente la luz concentrada en la clula.
SUNLIGHT Luz solar
ONE - SUN
Un sol
SUNLIGHT Luz solar
Alta CONCENTRATION HIGH - Concentracin
Concentracin con lentes de foco puntual
Concentracin con espejos de foco lineal (tomada de [Sala02])
Fig. I.5. Esquema de dos sistemas de concentracin, con lentes y espejos, comparados con el panel plano.
En un panel plano, el coste de la oblea de silicio para la clula puede llegar a suponer ms el 65% del coste total del mdulo, [Luque03], p. 25. Concentrando la luz podemos disminuir el rea de clula notablemente, de forma que es posible fabricar clulas fotovoltaicas ms sofisticadas tecnolgicamente y de mayor rendimiento con una influencia mucho menor en el precio final del sistema. Asimismo, es posible tener rendimientos mayores en clulas funcionando con luz concentrada.
En su artculo The Promise of Concentrators, Richard Swanson hace un extenso anlisis de porqu la concentracin fotovoltaica no ha alcanzado el mercado, junto con una breve historia de los concentradores, y un anlisis de las opciones en aquel momento [Swanson00]. Respecto a qu fue mal en la concentracin, dos factores parecen ser clave en la falta de introduccin en el mercado. En primer lugar los concentradores, debido a la necesidad de seguimiento, parecen ms adecuados para plantas de produccin de energa, terreno en el que tienen que competir con las plantas de energa trmica convencional de combustibles fsiles. Cuando se comenz su desarrollo, los precios del petrleo eran muy elevados y se esperaba que siguieran subiendo. Cuando los precios bajaron de nuevo en la dcada de los ochenta, la energa solar no lleg a alcanzar los bajos precios de los combustibles fsiles y se redujeron mucho los fondos dedicados a la investigacin en concentracin, a la vez que sus posibilidades de introduccin en el mercado. Sin embargo, en la misma situacin el panel plano ha experimentado un desarrollo mucho mayor. La principal razn es que el panel plano encontr un mercado maduro en aplicaciones remotas de pequea potencia, como la alimentacin de puestos de emergencia y telecomunicaciones. En tales sistemas, el coste inicial no es tan importante como la alta disponibilidad y el nulo mantenimiento del panel plano. Otros mercados importantes para el panel plano son las reas en desarrollo sin acceso a la red elctrica y la integracin en arquitectura. Ninguna de estas aplicaciones es adecuada para la concentracin fotovoltaica. Otro factor es la falta en el mercado de uno de los componentes claves del sistema: clulas solares de concentracin. Como describo con ms detalle en el captulo II, a pesar de una gran actividad en la investigacin en clulas solares de concentracin, especialmente en clulas multiunin basadas en compuestos del grupo III-V (clulas multiunin o MJ, Multi-Junction), al inicio de esta tesis era muy difcil adquirir clulas de concentracin en el mercado. Slo SunPower tena disponibles sus clulas de contacto posterior puntual de silicio, pero a unos precios que en pocos casos hacan viable el sistema. Adems, especialmente debido a la gran diversidad de los prototipos de sistemas de concentracin instalados, haba una absoluta falta de estandarizacin y normativa, tanto de cualificacin de los sistemas y aseguramiento de la calidad, como de medicin de su potencia y energa producida. Debido a todos estos factores, incluso en las pequeas reas donde la concentracin sera efectiva, como los sistemas remotos de media potencia (alrededor de 100 kW) no se ha elegido sta por su elevado coste, ya que no hay una industria de fabricacin en masa, sino nicamente proyectos de demostracin. Por tanto, al comienzo de esta tesis el mercado de la concentracin se encontraba en un crculo vicioso, con numerosos proyectos de demostracin en marcha y una investigacin muy activa en el tema que se ha mantenido en varios centros de investigacin y algunas compaas a pesar de los altibajos sufridos, pero sin grandes perspectivas de mercado. Durante el desarrollo y escritura de esta tesis, el mercado fotovoltaico de concentracin ha cambiado radicalmente, con un gran nmero de sistemas que han
pasado del nivel de prototipo al de industrializacin. Han aparecido numerosas compaas que fabrican e instalan el producto completo (p.ej., Concentrix con el sistema FLATCON en Alemania, SolFocus en EEU.UU. o Guascor Foton fabricando en Espaa el sistema SIFAC desarrollado por Amonix en EE.UU., entre otras muchas); compaas tradicionalmente dedicadas al panel plano, como Isofotn o Sharp han comenzado a instalar sus sistemas de concentracin; y diversas compaas (como Spectrolab, Emcore o Azurspace) han comenzado a suministrar clulas de triple unin para todos estos sistemas, con eficiencias promedio en produccin del 37% entre 200 y 600 soles. En el captulo II se describen estos sistemas, de los cuales histricamente se haban instalado 1.7 MW (ver Tabla II.1, excluyendo los proyectos de Amonix y Solar Systems posteriores al ao 2000) en diversos prototipos. Actualmente hay instalados unos 16 MW en el mundo, principalmente en Espaa en ISFOC y las diversas plantas instaladas por Guascor Foton, y en Australia por Solar Systems; la capacidad mundial anual se estima en 140 MW, [Rubio08]. Ligado a este crecimiento de la concentracin fotovoltaica y las actividades de investigacin asociadas, especialmente en Espaa, ha surgido el Instituto de Sistemas Fotovoltaicos de Concentracin, ISFOC, establecido en Puertollano y dependiente del gobierno regional de Castilla la Mancha. Su objetivo es establecer un centro de referencia internacional que proporcione informacin fiable sobre la potencia y la produccin energtica de los sistemas comerciales de concentracin [Rubio07]. En una primera fase se adjudicaron 1.7 MW a diversas compaas y se van a instalar diversos sistemas hasta un total de 3 MW [ISFOC08]. Actualmente, se est finalizando la instalacin de los primeros sistemas. Tambin como resultado de toda esta actividad se han publicado las primeras normas de cualificacin de sistemas de concentracin, especialmente la IEC 62108, sobre cualificacin de tipo y aseguramiento de la calidad, que es anloga a la IEC61215 de mdulos de silicio cristalino [IEC08], [IEC06]. Actualmente se est trabajando en la redaccin de nuevas normas para la medida de potencia y energa producida por dichos sistemas, as como de cualificacin de los sistemas de seguimiento y de seguridad de los sistemas de concentracin.
I.3.- Marco y estructura de esta tesis.

En el marco de escasez de clulas de concentracin que exista en 2001, y por lo que respecta al silicio, exista en el Instituto de Energa Solar, IES, una tecnologa bien asentada de fabricacin de clulas solares de Fsforo/Aluminio, P/Al, que se desarroll para aplicaciones a un sol y dio lugar a las primeras clulas del 19% en silicio de zona flotante, (FZ, del ingls Float Zone), lo cual constituy un rcord europeo en su momento, [Cuevas88]. Esta tecnologa tambin se utiliz para hacer clulas bifaciales, con lo que se aprovecha tambin la luz reflejada por el suelo hacia la cara posterior de los mdulos, y tambin se pueden utilizar en mdulos estticos de concentracin a dos soles. Estas clulas fueron desarrolladas en varias tesis doctorales en el IES durante los aos 80 y 90, tanto para la realizacin de clulas bifaciales ([Eguren81], [Lpez84] y [Jimeno87] entre otros), como convencionales ([Moussaoui93] y [Alonso98] entre otros).
Captulo I. Introduccin 9
Posteriormente, tambin se han utilizado estas estructuras para mayores concentraciones [Terrn97], alcanzando eficiencias del 20.6% a 116 soles en clulas con texturado selectivo (es decir, sin texturar bajo los dedos de metalizacin para reducir la resistencia de contacto). Dentro del proyecto EU-MONOCHESS se realiz una transferencia de esta tecnologa a la empresa ASE (actualmente Azurspace), aunque cambiando algunos procesos para adaptarlos a un entorno industrial, [Caizo00], [Lago02]. A pesar de unos alentadores resultados, con clulas de hasta el 20.7% a 102X sin texturado selectivo y con un mejorable rendimiento en fabricacin del 50%, no se hicieron ms esfuerzos para desarrollar esta tecnologa para su uso en concentracin y comprobar la estabilidad de los procesos, cmo hacer controles de calidad, las posibles mejoras en el rendimiento en fbrica y su viabilidad econmica. En este contexto se plantea el marco de esta tesis. En ella me voy a centrar en el uso de clulas solares de silicio para sistemas de concentracin, utilizando la tecnologa base P/ Al desarrollada en el IES. Es una tecnologa que mantiene la sencillez en el procesado y que abordar desde dos aspectos diferentes: Por un lado, la posibilidad de fabricar mayores cantidades de estas clulas de forma repetitiva, fiable y econmica. Solamente algunas empresas, como BP Solar, Amonix o Sunpower, han fabricado series de clulas de silicio para concentracin. BP Solar utiliza clulas de contactos enterrados y las otras dos compaas utilizan clulas de contacto posterior puntual. Con tcnicas ms sencillas, como las utilizadas en el IES y en las clulas del espacio, no se han hecho ms que series muy pequeas, artesanales, para las diversas tesis y proyectos citados anteriormente y en el captulo II. En esta tesis presento los resultados de la mayor fabricacin de estas clulas en el IES, para lo que hemos puesto en marcha una pequea lnea piloto de obleas de 4 pulgadas de dimetro. Por otro lado, veremos la forma de mejorar tanto el comportamiento en concentracin de estas clulas como su encapsulado conectando varias clulas por su cara posterior, para poder hacer mdulos de mayor tamao y ms compactos, sin prdidas de rea activa. Para ello hemos diseado, fabricado y encapsulado clulas hechas con la misma tecnologa de P/Al, aadiendo agujeritos a la estructura distribuidos por el rea de la clula, de manera que es posible encapsularlas en mdulos compactos. Adems, esta forma distribuida de colectar la corriente permite reducir la resistencia serie de la clula, de modo que se puede aumentar el tamao de la misma sin disminucin de su eficiencia en concentracin. En el captulo II de esta tesis describo con ms detalle el estado actual de las clulas de silicio para su uso en concentracin desde el punto de vista de su industrializacin, incluyendo un pequeo resumen de los sistemas que se han instalado y las clulas que llevaban los mismos. Por otro lado, y para situar la segunda parte de esta tesis, hago una pequea revisin histrica de las clulas solares de contacto posterior, describiendo las diversas estructuras que se han desarrollado.
El captulo III est dedicado al primero de los grandes temas abordados en este trabajo: la fabricacin de la mayor serie de clulas de de concentracin realizada hasta la fecha en las instalaciones del Instituto de Energa Solar. En l describo la tecnologa base de la que partimos, los resultados de las primeras tandas, las mejoras necesarias en el proceso para alcanzar las eficiencias esperadas y los resultados finales de la fabricacin y caracterizacin de ms de 1000 clulas con el proceso final. Asimismo, he incluido un ltimo apartado con un anlisis de costes de una posible fbrica de 20 MW/ao utilizando este proceso, as como las posibles mejoras que se podran implementar en el mismo. Los captulos IV y V estn dedicados a la clula de concentracin de contacto exclusivamente posterior basada en este mismo proceso, clula CEP. En el captulo IV describo su estructura junto con un modelado de la malla de metalizacin para encontrar el diseo adecuado. Tambin abordo las diferentes tcnicas para hacer los agujeritos necesarios para conectar ambas caras en la oblea de silicio, prestando especial atencin al taladrado con fresas de diamante, que se propone aqu por primera vez para esta aplicacin. Finalmente, presento la caracterizacin de varias obleas y clulas taladradas al final del proceso para demostrar la viabilidad de dicha tcnica incluso en el estadio final de la fabricacin de las clulas. En el captulo V describo las diferentes posibilidades de fabricacin y encapsulado de las clulas CEP, junto con los resultados obtenidos.
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Captulo
II. Clulas Solares de Silicio
En este captulo describo con detalle el estado actual de las clulas de silicio para su uso en concentracin desde el punto de vista de su industrializacin, incluyendo un pequeo resumen de los sistemas que se han instalado hasta ahora y las clulas que llevaban los mismos. Por otro lado, y para situar la segunda parte de esta tesis, hago una pequea revisin histrica de las clulas solares de contacto posterior, describiendo las diversas estructuras que se han desarrollado para lograr dicho contacto posterior, as como las condiciones de iluminacin en las que se han utilizado, los mtodos utilizados para contactar las caras frontal y posterior y los resultados obtenidos con ellas.
II.1.- Clulas solares de silicio de concentracin: industrializacin.

El desarrollo que han experimentado los sistemas de concentracin durante el proceso de escritura de esta tesis era inimaginable al principio de la misma. Como ya he comentado anteriormente, la investigacin en concentracin no es nueva, y ya a mediados de los 70 se comenzaron algunos proyectos de demostracin. El primer sistema de concentracin instalado fue el desarrollado a finales de los aos 70 en los Laboratorios Sanda, en Albuquerque. Este sistema es de foco puntual, con lentes de Fresnel y clulas de silicio, montado en un sistema de dos ejes. En el primer libro del proyecto europeo C-Rating, coordinado por el IES, hay una descripcin muy completa de todos estos proyectos, cuya tabla resumen reproduzco en la pgina siguiente, traducida y reordenada para focalizarnos en nuestro punto de inters: las clulas solares de silicio, Tabla II.1., Fig. II.1. y Fig. II.2., [Sala02]. En la tabla de la pgina siguiente, las clulas utilizadas son en casi todos los casos clulas de un sol adaptadas al sistema concreto (Si- 1X en la tabla), salvo las clulas de contacto puntual posterior (Si- BPC, del ingls, Back Point Contact) que describo en el apartado II.2.1. utilizadas por Amonix y Solar Systems, y las clulas de contactos enterrados (Si- LGBC, del ingls Laser Groove Buried Contact) utilizadas por el sistema Euclides. En cuanto a las clulas y/o receptores utilizados en estos proyectos, en la Fig. II.3. se pueden ver algunos de ellos.
A. Panel Ramn Areces (Madrid)
B. Entech (Texas)
Fig. II.1. Sistemas de demostracin de concentracin (tomadas de [Sala02]). Captulo II. Clulas Solares de Silicio 15
Tabla II.1. Resumen de sistemas de demostracin de concentracin. Tipo de clula Si-1X Tipo de sistema Foco puntual en una sola clula ptica Refrigeracin Seguimiento solar Dos ejes PCA Ansaldo. Italia Martin Marieta: - SOLERAS Village. Arabia Saud - Sky Harbour. Aeropuerto de Phoenix POCA. Alpha Solarco Amonix IHCPV: - Arizona Public Service - California Polytechnic University. Pomona Si-1X Foco lineal Lentes (Fresnel curvadas) Pasiva Dos ejes Entech: - 3M/Austin - 20kW PVUSA - CSW Solar Park PVI (antes SEA corp.): - Clean Air Now, Los Angeles, CA - Sacramento Municipal Utility District Activa - Arizona Public Service E-Systems (luego Entech) - PV/Thermal System. Aeropuerto Dallas Si-LGBC Si-1X Espejos Pasiva (parablico Activa lineal) Foco puntual en parquet de lentes Espejos Activa (disco parablico) Un eje EUCLIDES PV/Thermal Acurex-System BDM Corp. Office Block. Albuquerque Dos ejes Solar Systems White Cliffs. Australia (Si) Solar Systems Hermannsburg, Alemania (TJ) 25X 40X 100X 42X 340X 500X 12X 30 30 3 25 450 35 50 40 100 1996 1996 1996 1982 [O'Neill85] 1999 [Sala01] 1981 [Spencer82] 1982 [Kauffman84] 1996 [Verlinden01] 2006 [Verlinden06] [Kaminar98] 22X 300 20 100 1990 [O'Neill91] 1991 1995 [O'Neill96] 260X 20 1994 [Garboushian94] 570 2000-4 [Stone04] 15 1998 [Sala02] 400X 36X 350 225 10 Aplicacin Panel Ramn Areces IES UPM Madrid Concentracin (soles) 40X Tamao (kW) 1 1 Ao Referencia
Si-BPC
Pasiva Lentes (Fresnel de diversos materiales y fabricadas por laminacin o moldeo)
1978 [Sala02] 1978 [Pizzini79] [Edenburn84] 1981 [Salim85] 1982 [Zittle81] 1989 [Carroll90]
Si-BPC III-V
A. Soleras Village (Arabia Saud)
B. Amonix (Arizona)
C. Solar Systems (Australia)
D. Euclides (Tenerife)
Fig. II.2. Sistemas de demostracin de concentracin (tomadas de [Sala02], excepto B., [Hayden02]).
A. Clula de silicio de foco puntual, tomada de [Terrn97]
B. Clula de foco lineal (Euclides), tomada de [Antn04]
C. Mdulo compacto de Solar Systems, tomada de [Lasich02]
D. Receptor de foco puntual de Amonix, tomada de [Garboushian94]
Fig. II.3. Varias clulas y receptores de sistemas de concentracin con clulas de silicio.
Captulo II. Clulas Solares de Silicio
17
Otros proyectos en investigacin al inicio de esta tesis incluyen sistemas estticos de bajo nivel de concentracin, como el proyecto Venetian del IES e Isofotn, con clulas bifaciales trabajando a 2X. Este tipo de concentradores no llegaron a alcanzar el objetivo de reduccin de costes necesario y nunca se lleg a construir proyectos de demostracin, [Sala02]. Como se puede ver en la Tabla II.1., la mayora de los grandes sistemas instalados en campo hasta ahora han utilizado clulas de silicio. Casi todos ellos utilizan clulas de silicio de alta eficiencia, optimizadas para concentracin. Las dos excepciones notables son el sistema Euclides, que utiliza clulas Saturno de BP de contactos enterrados, [Sala01], y Amonix, que utiliza las clulas de silicio de Contacto Posterior Puntual desarrolladas por Swanson et al. en la universidad de Stanford [Garboushian94]. El sistema de disco parablico de Solar Systems requiere de un parquet compacto de clulas, y comenz su desarrollo utilizando clulas de silicio de contacto posterior de Sunpower, con la misma tecnologa de Stanford que Amonix. Recientemente han desarrollado, junto con Spectrolab, un nuevo receptor de clulas de triple unin, que ha estado en campo desde 2006 [Verlinden06]. En general, en todos estos sistemas se requirieron de fabricaciones especficas de clulas solares adecuadas a dicho proyecto. Adems, desde hace varios aos se ha realizado un desarrollo enorme en las clulas multiunin de materiales de los grupos III-V, que han alcanzado mucha mayor eficiencia a niveles de concentracin ms elevados, llegando al 40.7% de eficiencia a 240X para una clula metamrfica de triple unin [King07]. Por tanto, muchos proyectos de desarrollo de concentracin tratan de utilizar este tipo de clulas a concentraciones muy elevadas, aunque hasta hace un par de aos no se han puesto prototipos en campo. Estos proyectos incluyen el mdulo all-glass desarrollado por el ISE Fraunhofer en colaboracin con el instituto ruso Ioffe, con lentes de Fresnel de foco puntual de vidrio; los mdulos compactos con ptica anidlica RXI (Refraccin, refleXin, reflexin total Interna) y TIR-R (Reflexin Total Interna, Refraccin) desarrollados por el IES, y otros muchos en desarrollo actualmente, [Sala02]. Al inicio de esta tesis, slo Sunpower comercializaba clulas de concentracin. Sin embargo, y probablemente por la falta de mercado para ellas, en 2004 comenzaron a comercializar tanto clulas como mdulos de contacto posterior para aplicaciones a un sol, instalando una fbrica para ello en Filipinas [Sunpower04], y abandonando las clulas de concentracin. Durante el desarrollo de la misma han aparecido nuevos proveedores de clulas de concentracin, especialmente Spectrolab y Emcore [Spectrolab], [Emcore], ambas dedicadas a la comercializacin de clulas multiunin basadas en compuestos III-V. Sin embargo, y a diferencia del panel plano, la concentracin fotovoltaica es an un campo muy abierto, y varias tecnologas estn an en la carrera por alcanzar las reducciones de coste deseadas. Una de las posibilidades, a la que probablemente no se ha prestado la suficiente atencin, es el uso de clulas de silicio de estructuras ms sencillas (y tambin ms econmicas) que las de alta eficiencia de contacto posterior puntual, que actualmente son las nicas producidas industrialmente, y slo por Amonix y Guascor Foton para sus propios sistemas. Tambin las clulas Saturno de contactos enterrados de BP son adecuadas para sistemas de concentraciones de hasta unos 40 soles, como demostr el proyecto Euclides
[Sala01], pero no son comercializadas por BP excepto bajo pedidos para proyectos especiales, como el citado Euclides. Una de estas tecnologas ms sencillas, basada en el desarrollo para concentracin de las clulas de alta eficiencia de Fsforo/Aluminio (P/Al) existente en el IES, fue desarrollada por M.J. Terrn en su tesis, [Terrn97]. Posteriormente, se hizo una transferencia de tecnologa a la empresa ASE (luego RWE solar y actualmente Azurspace), con algunos cambios para acomodar el proceso a las instalaciones y procesos de la compaa [Lago02], [Caizo00]. Sin embargo, a pesar de los prometedores pero mejorables resultados, no se sigui ms all, y actualmente Azurspace nicamente comercializa clulas de silicio de alta eficiencia para aplicaciones espaciales, [Azurspace]. Por ello, en esta tesis se propone la instalacin de una lnea piloto y la realizacin de una produccin considerable de clulas para un laboratorio como el IES, con el fin de analizar los rendimientos de cada uno de los procesos y la viabilidad de la industrializacin de este tipo de clulas.
II.2.- Clulas posterior.
solares
de
silicio
de
contacto
La mayor parte de las clulas solares de silicio, tanto en el mercado como en el laboratorio, presentan una metalizacin frontal en forma de rejilla que permite pasar la luz solar y recoger de forma eficiente los portadores generados por la misma, y una metalizacin posterior que suele cubrir toda la superficie. Cuando estas clulas se conectan en serie para fabricar un mdulo convencional es necesario conectar la cara frontal de una clula con la posterior de la siguiente, para lo cual hay que dejar espacios entre ellas para las cintas conectoras. Estas reas inactivas pueden suponer hasta un 10% del rea del mdulo, incluyendo la sombra que producen en la clula las cintas metlicas que es necesario soldar para hacer la interconexin. Sin embargo, hay sistemas pticos que concentran la luz en un rea mayor. Un ejemplo de este tipo de sistemas es el disco parablico de gran rea (de 100 a 200 m2) con refrigeracin activa, Fig. II.2.C. y Fig. II.4. Estas prdidas son especialmente importantes si queremos utilizar las clulas en concentracin. Por ello, casi todas las clulas de concentracin que se han desarrollado hasta ahora se han diseado para una aplicacin concreta, manteniendo los buses fuera del rea activa de la clula, es decir, fuera de la zona iluminada. As, se han desarrollado clulas con geometra circular o lineal para sistemas de foco puntual o lineal, respectivamente, como aparece en la Fig. II.3, donde muestro, entre otras, una clula circular para una cavidad confinadora de luz [Terrn97] y una clula lineal del sistema Euclides [Antn04]. El hecho de realizar la coleccin de portadores en el permetro de la clula limita el tamao de la misma para no tener una gran resistencia serie o la mxima concentracin a la que puede trabajar.
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Fig. II.4. Sistema de concentracin de disco parablico.
Este tipo de concentrador enfoca mucha densidad de potencia (de 100 a 400 soles) en un rea relativamente grande (0.5 a 1 m2), con lo que se evita el cableado extenso, sus prdidas asociadas y posibles fallos de aislamiento. Este sistema requiere un receptor de clulas ms compacto que otros sistemas de concentracin, y el sistema de refrigeracin es ms pequeo. La tecnologa de fabricacin de discos parablicos est bien desarrollada para aplicaciones trmicas, como los motores Stirling. Otra ventaja que presenta este sistema es la posibilidad de redirigir la parte del espectro que no se utiliza para la conversin trmica (principalmente infrarrojo) hacia un sistema de cogeneracin [Lasich94]. Un rea de 0.5 a 1 m2 como el requerido por este sistema no puede ser cubierta con una nica clula fotovoltaica, por lo cual el blanco donde se enfoca la luz debe estar constituido por un mosaico compacto de clulas solares. Para aprovechar la luz que cae sobre el blanco dicho receptor no deber presentar en la cara superior reas inactivas como las que se precisan en los mdulos convencionales. Para evitar este problema se ha utilizado un concepto diferente de clulas: la clula de contacto posterior, [Lasich94], Fig. II.3.C. En esta estructura los contactos metlicos se sitan en la parte posterior de la oblea en forma de peine interdigitado, por lo que no es necesario dejar espacios entre clulas vecinas y podemos aprovechar toda la luz que llega al receptor. Adems, este tipo de contacto podra permitir una mayor sencillez en la automatizacin del montaje de mdulos incluso para los paneles convencionales de 1 sol. Esta disposicin de los contactos positivo y negativo en la cara posterior de la clula se puede conseguir de varias maneras, y a lo largo de los aos se han hecho muy diferentes aproximaciones al tema, que describo a continuacin.
II.2.1.- Breve posterior.
historia
de
las
clulas
de
contacto
Probablemente la primera aproximacin a la clula de contacto posterior aparece en dos patentes estadounidenses del ao 1975, presentadas por George J. Pack y Pieter N. DeJong, [Pack75], [DeJong75]. En ellas se describe una clula con uno o varios agujeritos para conducir la corriente a la cara posterior a travs de ellos, disminuyendo la sombra debida a las cintas de interconexin sin incrementar la resistencia serie, aumentando el
rea para generar corriente, disminuyendo las prdidas de potencia (I2R) y eliminando los espacios entre clulas en un mdulo y por tanto aumentando la densidad de empaquetamiento de clulas en el mdulo [DeJong75], Fig. II.5. Estas estructuras es lo que ms tarde se ha desarrollado con el nombre de clulas Metallization Wrap- Through, MWT, o Front Metallization Wrap- Through, FMWT [Kerschaver98].
Fig. II.5. Vista frontal y corte de las dos primeras patentes de clulas de contacto posterior, tomadas de [DeJong75] y [Pack75].
Clula de contactos posteriores interdigitados, IBC En 1977, M.D. Lammert y R.J. Schwartz presentaron la clula con contactos posteriores interdigitados, clula IBC -Interdigitaded Back Contact-, [Lammert77]. Esta clula, al contrario que las anteriores, se planteaba con el objetivo principal de aumentar la eficiencia de las clulas de silicio bajo densidades elevadas de luz, entonces limitadas principalmente por la alta resistencia interna del dispositivo, proveniente en su mayor parte de la conduccin lateral de corriente por la difusin frontal. Esta clula, mostrada en la Fig. II.6., supone un cambio cualitativo en la forma de entender las clulas de contacto posterior. En ella los pares electrn-hueco se generan en una base de alto tiempo de vida y son colectados en uniones difundidas en la cara posterior en forma de peine interdigitado. Con las uniones p+ y n+ situadas en la cara posterior, no hay una malla de metalizacin en la cara frontal que intercepte la luz solar. Adems, como prcticamente la mitad de la superficie posterior est cubierta con la metalizacin de cada tipo, la resistencia serie del metal puede ser muy baja. Otro efecto positivo es que no hay flujo de corriente lateral a travs de zonas difundidas de bajo espesor, por lo que se puede reducir ms an la resistencia serie del dispositivo y disear las uniones nicamente para optimizar el comportamiento elctrico, es decir, para valores bajos de J0, [Lammert77].
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Fig. II.6. Clula de contacto posterior interdigitado y su seccin, tomadas de [Lammert77].
La contribucin primaria a la resistencia serie viene dada por la conduccin de portadores en la base. Utilizando bases poco dopadas, la clula operar en alta inyeccin, y los portadores generados por la luz determinarn la resistividad de la base (modulacin de la conductividad). Esto da lugar a una disminucin de la resistencia serie de la base a elevadas densidades luminosas y hace tan interesante la clula IBC para su uso en concentracin [Smith99]. Los primeros dispositivos fabricados con esta estructura, sin texturado ni capa AR optimizada y con las clulas pegadas con epoxy a un disipador activo, dieron un 11% a un sol, aumentando su eficiencia hasta el 15% a unos 60X y mantenindose constante en el 15% para concentraciones superiores. Estas medidas se hicieron a 15.5 C hasta un sol, y a temperaturas superiores para mayores concentraciones, debido a una disipacin insuficiente [Lammert77]. Esta estructura requiere de materiales y procesos que mantengan longitudes de difusin elevadas, bases muy finas y elevada precisin en la definicin de las difusiones y metalizaciones. Resultados posteriores demostraron eficiencias superiores al 20% a 50X [Verlinden85]. Los diferentes desarrollos posteriores se han orientado a disminuir algunos de estos requerimientos y/o el coste, eliminando pasos de alineacin utilizando contactos autodopantes [Meier00]; estructuras mesa con slo un paso de fotolitografa [Verlinden90], [Sinton90]; o tcnicas lser para eliminar los pasos de fotolitografa, como en las clulas de contactos enterrados, [Guo04], aunque estas ltimas slo se han utilizado a 1X. Clula Polka- Dot Debido a las exigencias de longitud de difusin de la clula IBC, se inicia poco despus el desarrollo de clulas con contactos posteriores, pero con la coleccin de portadores mediante una doble unin presente en ambas caras, que pasa a la cara posterior mediante una serie de agujeritos repartidos por de la clula, que estn conectadas entre s mediante un gran nmero de agujeros, Fig. II.7. Los contactos se toman en la cara posterior, como tambin se observa en esta figura. Los agujeros se realizan en la oblea por medio de un ataque qumico anisotrpico, dando lugar a la caracterstica forma troncopiramidal de base cuadrada delimitada por los planos de la familia {111}.
Esta clula se denomin Polka- Dot, presentada por R.N. Hall y T.J. Soltys en la 14 conferencia de especialistas en energa solar fotovoltaica del IEEE, en el ao 1980, [Hall80], y dio lugar a lo que ms adelante se conocera como clulas Emitter Wrap-Through, EWT, por James Gee [Gee93].
Fig. II.7. Clula Polka-Dot mostrada con la cara frontal hacia abajo, tomada de [Hall80].
A pesar de la doble unin, los primeros resultados obtenidos mostraron una eficiencia limitada por una pequea longitud de difusin (debida a los procesos de alta temperatura utilizados en el proceso de fabricacin) y una resistencia serie elevada (RSA = 1.61 cm2). Esta ltima disminuira tomando un mayor nmero de contactos en la base. La mejor eficiencia obtenida fue del 10.5% en clulas de base tipo p con una densidad de interconexiones frontal-posterior de 319 agujeros por cm2 [Hall80]. 13%. La clula Waffle [Leistiko94] mejor un poco el concepto, alcanzando eficiencias del
Ambas estructuras han sido nicamente utilizadas a 1 sol, debido a la gran resistencia serie generada por el gran flujo lateral de corriente en una fina capa difundida. Clula de contacto posterior puntual, BPC La siguiente estructura citada en la bibliografa para obtener el contacto posterior parti de la clula IBC, tratando de resolver los problemas de alta recombinacin superficial de sta y mejorar el atrapamiento de luz en clulas delgadas. Esta clula, que supuso un gran avance en rendimiento de las clulas solares, especialmente de concentracin, es la denominada Back Point Contact, BPC, o de contacto posterior puntual, desarrollada por Richard M. Swanson et al. en la universidad de Stanford a partir de 1984, [Swanson84a, b, 85, 86]. Esta estructura consiste en una matriz de puntos n+ y p+ alternados en la cara posterior de la clula, en lugar de lneas como en la clula IBC, Fig. II.8. La cara frontal est totalmente pasivada con una capa de xido de silicio, que adems acta de capa antirreflectante, capa AR o CAR. Tambin est pasivada la superficie posterior entre las regiones n+ y p+, disminuyendo la recombinacin y aumentando el atrapamiento de luz, ya que es muy difcil hacer superficies metalizadas muy reflectantes.
Captulo II. Clulas Solares de Silicio 23
Para evitar los problemas de encapsulado que esta estructura podra presentar al tener los dos contactos en la misma cara y separados por distancias muy pequeas, esta clula presenta una metalizacin en dos capas. Ambas capas de metal se aislan elctricamente con materiales dielctricos, como almina y xido de silicio [Verlinden88].
Fig. II.8. Estructura de la clula de contacto puntual y seccin mostrando su funcionamiento, tomadas de [Swanson85] y la metalizacin de doble capa, tomada de [Verlinden88].
Esta estructura presenta las siguientes caractersticas: Maximiza la generacin de portadores, aumentando la luz absorbida por la clula (como consecuencia de la eliminacin del metal frontal y de una superficie frontal texturada y con capa antirreflectante de xido de silicio). Adems, la cara posterior tambin es muy reflectante debido al xido de silicio de la capa pasivadora, lo que aumenta la coleccin de fotones, muy importante en clulas delgadas. Para maximizar la coleccin de los portadores generados en todo el espesor de la clula hasta los contactos posteriores es necesario tener longitudes de difusin largas. Esto se consigue con material FZ ligeramente dopado, superficies pasivadas y una fraccin de contacto pequea. Adems, se requiere el uso de bases muy delgadas: el ptimo est en torno a las 75 m. La base muy poco dopada va a trabajar en condiciones de alta inyeccin, lo cual se traduce en un voltaje de salida elevado. El problema es que las condiciones de alta
inyeccin resultan en una alta recombinacin. Con tiempos de vida de la base elevados y superficies pasivadas, la recombinacin dominante es la producida en los contactos. Por eso, la pequea fraccin de contacto es importante en esta estructura, mejorando los resultados de la clula IBC. Con esta clula se obtuvieron las ms altas eficiencias alcanzadas en su momento en clulas de silicio de concentracin. An hoy el rcord mundial de eficiencia en clulas de silicio de concentracin lo tiene una clula con esta estructura fabricada por Amonix en 2005 [Green08]. En la Tabla II.2. se muestran estos resultados. Los primeros dispositivos fabricados tanto con esta estructura como con la IBC presentaban una degradacin muy rpida al ser expuestas a la luz concentrada [Gruenbaum88]. Esta degradacin se debe al impacto de la radiacin ultravioleta, UV, en la superficie Si/SiO2. Numerosos estudios han tratado de eliminar este problema, utilizando soluciones como una difusin de fsforo en la cara frontal (denominada FSF, Front Surface Field) que genera una barrera de potencial para que los portadores no se recombinen en la superficie [Gruenbaum88] o una doble capa compuesta por un xido de silicio muy fino cubierto por una capa tambin fina de polisilicio [Verlinden93]. La primera de estas aproximaciones resulta en una disminucin de la eficiencia, mientras que la segunda requiere un proceso costoso que implica el uso de gases pirofricos (silano). Estos dispositivos fueron comercializados desde finales de los aos 80 por las compaas Sunpower y Amonix. Actualmente, Sunpower produce mdulos comerciales para un sol utilizando silicio PV-FZ y serigrafa [Sunpower], [Mulligan04]. Utiliza una difusin frontal de fsforo para evitar la degradacin por UV. Amonix es la nica empresa que actualmente comercializa clulas de silicio de alta concentracin [Amonix], utilizando una capa de SiO2/polisilicio/SiO2 o TiO2 para evitar la degradacin por UV [Slade02]. Debido a la unin en la cara posterior, para que los portadores sean colectados eficientemente, es necesario utilizar materiales de muy alta calidad y procesos de microelectrnica para la fabricacin de las clulas de contacto puntual. Sin embargo, estas calidades no son compatibles con la mayor parte de las instalaciones de produccin de clulas solares convencionales. Clula Emitter Wrap-Through, EWT Buscando una aproximacin que permitiese una industrializacin ms acorde con el estado del arte de fabricacin de clulas solares, J.M. Gee et al. propusieron en el 93 la clula denominada Emitter Wrap-Through, EWT, [Gee93]. Esta estructura est basada en el proceso de clulas de contactos enterrados, que estaba en fase piloto en varios lugares en aquel momento, y que hoy sigue utilizando BP Solar en sus clulas Saturno [BP], Fig. II.9. Esta estructura es similar a la de la clula Polka- Dot, sustituyendo el ataque anisotrpico por un lser para hacer los agujeros a travs de los cuales circula la corriente. La cara frontal no presenta metalizacin, slo una superficie texturada con un emisor frontal y una capa antirreflectante. La cara posterior presenta dos mallas de metalizacin, que contactan las zonas n y p, respectivamente. La rejilla n se hace por medio de surcos realizados con el lser, fuertemente dopados con fsforo para minimizar la resistencia de contacto, y posteriormente metalizados. El emisor frontal se contacta con la regin
posterior mediante una serie de agujeritos perforados con un lser, difundidos y metalizados a la vez que el contacto n.
Fig. II.9. Vista frontal de la clula EWT y seccin de la clula EWT con emisor posterior, tomadas de [Gee93].
Las primeras clulas reportaron un 15.7% de eficiencia en material crecido por el mtodo Czochralski, CZ [Gee96]. Estudios posteriores han mostrado eficiencias de hasta el 18.7% en clulas con contactos evaporados [Kray03] y 16.6% con contactos metlicos depositados por mtodos autocatalticos1 [Knauss01] en silicio CZ. En material FZ y con contactos evaporados se han alcanzado eficiencias del 21.4% [Schnecker02]. Tambin se han hecho clulas con silicio multicristalino (mc-Si), obtenindose valores de hasta 14.2% en clulas texturadas mecnicamente [Schnecker02]. Otras aproximaciones incluyen la clula VEST, Via-hole Etching for the Separation of Thin Films, desarrollada por Deguchi et al. en 1994 y que utiliza los agujeritos para realizar el ataque que separa la clula de capa delgada de su sustrato, [Deguchi94]. Las clulas EWT requieren un gran nmero de agujeros para obtener un bajo valor de la resistencia serie, tpicamente de 100 agujeros/cm2. En la prctica, esto limita la posibilidad de industrializacin de este tipo de clulas, ya que no se han desarrollado sistemas capaces de realizar esta tarea al ritmo de produccin de una fbrica moderna de clulas solares [Kerschaver01]. Adems, esto limita su posible uso a clulas de 1 sol, puesto que los altos valores de resistencia serie no son compatibles con el uso de la clula a grandes intensidades luminosas.
1 Un breve comentario sobre la terminologa de metalizado. Hay dos formas bsicas de metalizar superficies por medios electroqumicos. Una de ellas, conocida en castellano simplemente como electrlisis (electroplating o electrodeposition en ingls), requiere de una corriente circulando para que el metal se deposite en el ctodo de la pila electroltica, que es el objeto a metalizar. ste es el mtodo que utilizamos en el IES para depositar plata, como veremos ms adelante. El otro mtodo, se denomina autocataltico o qumico en castellano (electroless plating o immersion plating en ingls), y consiste en una reaccin de reduccin que se produce en el metal sumergido en el bao qumico sin la presencia de una corriente elctrica. Se emplea habitualmente en microelectrnica para depositar nquel, cobre y oro, como en las clulas descritas en esta referencia. 26 Clulas Solares de Silicio para Alta Concentracin: Industrializacin y Clulas de Contacto Posterior
Clulas con metalizacin frontal, FMWT, PUM y MWA Una nueva aproximacin a esta estructura, requiriendo una menor densidad de agujeritos es la propuesta por E. Van Kerschaver en 1998, denominada (Front) Metallization Wrap Through, (F)MWT [Kerschaver98]. Muy similar a esta estructura es la Pin Up Module, PUM, desarrollada por J.H. Bultman et al. a partir de 2000 [Bultman00]. Ambas estructuras parten de las antiguas patentes de Pack y DeJong. En ellas se mantiene parte de la metalizacin frontal, trasladando los buses a la cara posterior, Fig. II.10. De esta forma se necesita un nmero mucho menor de agujeros para conectar esta metalizacin frontal con la cara posterior manteniendo la resistencia serie suficientemente baja.
A. Clula Front Metallization Wrap Through
B. Clula Metallization Wrap Around
C. Corte de la clula Pin Up Module
D. Malla de metalizacin de la clula Pin Up Module
Fig. II.10. Estructuras de las clulas A. Front Metallization Wrap Through, B. Metallization Wrap Around, tomadas de [Joos00a], C. y D. Pin Up Module, tomadas de [Bultman00] y [Bultman03].
En la clula FMWT el contacto entre la cara frontal y la posterior se realiza efectivamente durante la metalizacin, bien por serigrafa [Kerschaver98], bien por mtodos autocatalticos [Jooss00a]. En la clula PUM el contacto se realiza mediante pines en la fase de encapsulado de la clula para formar el mdulo [Bultman00]. Adems, esta clula incorpora una malla de metalizacin fractal de menor resistencia, basada en un mtodo de clculo de la malla que no parte de una geometra dada para la metalizacin, sino que sta es el resultado del diseo, con dedos de metalizacin paralelos a la corriente en todo momento [Burgers99], Fig. II.10. Varios investigadores en el Centro Interuniversitario de Microelectrnica de Leuven, (Interuniversity Microelectronic Center, IMEC), el Centro para la Investigacin en Energa de
los Pases Bajos, (Energy Research Centre of the Netherlands, ECN) y la universidad de Constanza han desarrollado procesos compatibles con los presentes actualmente en la industria, utilizando silicio CZ o multicristalino y serigrafa o mtodos autocatalticos para la formacin de los contactos. En la Tabla II.2. se muestran algunos resultados para cada estructura y material. Otra aproximacin al contacto posterior es la clula Metallization Wrap Around, MWA, que consigue la conexin entre las caras frontal y posterior metalizando el canto de la clula, Fig. II.10.B. De esta forma, se elimina la necesidad de hacer agujeritos en la misma, reduciendo el dao en el material de base y ahorrando un paso en el proceso.
II.3.- Conclusiones.
En este captulo presento los esfuerzos que se han realizado en el rea de clulas de concentracin, tanto en industrializacin como en investigacin en clulas de contacto posterior. Como se ha comentado anteriormente, la concentracin fotovoltaica es an un campo muy abierto, sin una tecnologa que destaque claramente sobre los dems. En concreto, en el campo de la fabricacin industrial de clulas, solamente las clulas de contacto posterior puntual de Stanford se fabrican industrialmente, y todos los esfuerzos de los ltimos aos se han dedicado a la mejora de eficiencia y la industrializacin de clulas multiunin de III-V. En cuanto a las clulas de contacto posterior, en el resumen siguiente y la Tabla II.2., muestro las diferentes estructuras que resuelven el contacto posterior, as como los primeros resultados de cada tipo de clula y el mejor resultado actual de las mismas. En resumen, podemos clasificar las clulas de contacto posterior en dos grandes grupos, segn la clula tenga o no metalizacin en la cara frontal: 1. Clulas sin metalizacin en la cara frontal. a. Clulas con la unin en la cara posterior y el resto de las superficies pasivadas, como las clulas IBC y BPC, [Lammert77] [Swanson84a]. b. Clulas con unin en las caras frontal y posterior, conduciendo la corriente a la cara posterior a travs de agujeritos en la clula, como las clulas Polka- Dot, [Hall80], o EWT, [Gee93]. 2. Clulas con metalizacin en la cara frontal. a. La corriente es conducida a la cara posterior a travs del canto de la clula, como las clulas MWA, [Jooss00b]. b. La corriente es conducida a la cara posterior a travs de algunos agujeritos repartidos en la clula, como las clulas FMWT, [Kerschaver98] y PUM, [Bultman00].
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Como se puede comprobar en la Tabla II.2., slo las estructuras de contactos posteriores, tanto lineal como puntual, han sido utilizadas en clulas de concentracin, mientras que todos los esfuerzos en clulas con estructura EWT, MWT o similares se han dirigido hacia la industrializacin en panel plano de un sol y la reduccin de costes. La propuesta que se hace en esta tesis es utilizar el concepto de la clula MWT con materiales de alta calidad y procesos de alta eficiencia para desarrollar clulas de contacto posterior apropiadas para su uso en alta concentracin. Este concepto, denominado clula de Contacto Exclusivamente Posterior, CEP, es el que desarrollar en el captulo IV.
Tabla II.2. Caractersticas elctricas de las clulas de contacto posterior. Clula Polka-Dot Jsc(1X) Voc (mA/ (%) (mV) 2 cm ) 26.3 570 10.5 rea X Agujeros Tcnica (cm2) (soles) /cm2 14.1 1 319 Ataque anisotrpico N/A N/A N/A N/A Ao Observaciones
1980 [Hall80]
Interdigitated Back Contact Back Point Contact Emitter WrapThrough
-32.8 33.8 39.4 41.7 34.9 37.7 40.9 40.9 35.7
-677 803 807 808 613 591 616 685 585 581 620 610 611 614 598
15.0 0.212 62-35 17.0 8 1 19.7 26.8 27.6 15.7 16.6 18.7 21.4 14.2 13.1 16.0 15.3 17.5 16.6 15.7 0.64 1.6 1 42 23 6.23 6 -100 155 225 25 100 25 88 100 92 1 1
1977 [Lammert77] No Tra cte. 2004 [Guo04] 1984 Stanford, [Swanson84b] 1995 Sunpower, [Verlinden95] 2004 Amonix, [Slade05] 1996 CZ-Si, Sandia [Gee96] 2001 CZ-Si, Constanza [Knauss01] 2003 CZ-Si, tras degradacin, Fraunhofer ISE [Kray03] 2002 FZ-Si, ECN [Schnecker02] 2002 mc-Si, ECN [Schnecker02]
1 100-200 1 1 1 1 1 1 1 1 0.12 0.64 0.07
Lser
Metallization Wrap Through Pin Up Module Metallization Wrap Around
29.5 35.6 33.3 37.2 35.9 35.1
Lser Lser
1998 mc-Si, [Kerschaver98] 2000 CZ-Si, [Knauss05] 2003 ECN, [Bultman03] CZ-Si, 2000 CZ-Si, mc-S Constanza [Jooss00b]
N/A
Lser
29
Captulo
III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin
Como he descrito en la introduccin, en el momento de comenzar esta tesis pocas experiencias se haban llevado a cabo para industrializar la tecnologa de clulas de alta eficiencia de Fsforo/Aluminio. En este captulo expongo los trabajos llevados a cabo en el IES para poner a punto y hacer una fabricacin de clulas de silicio de concentracin en obleas de 4", desde el proceso inicial, las mejoras que es necesario realizar y los resultados de la fabricacin final. Por ltimo, hago un pequeo anlisis de la viabilidad de industrializar la fabricacin de este tipo de clulas y las posibles mejoras que se podran aadir al proceso. He de destacar que nunca habra podido llevar a cabo esta fabricacin sin el incansable trabajo de produccin y medida de clulas de Javier Montes y la siempre indispensable ayuda de los tcnicos del Instituto, ngel Barreno, Pepe Piero y Juan Carlos Zamorano. Tambin la ayuda del equipo de Juan Carlos Jimeno, en aquel momento dirigido por Rubn Gutirrez, en el Instituto de Tecnologa Microelectrnica en Bilbao prestndonos su sala y equipos de fotolitografa fue imprescindible para terminar todas las clulas a tiempo y con xito. La caracterizacin de las clulas se la debo a Nacho Antn y a Mara Martnez, que pusieron a punto y agilizaron muchsimo el mtodo de medida, y en muchas ocasiones incluso midieron las clulas.
III.1.- Introduccin.
Adems de la bsqueda de nuevos conceptos en la fabricacin de mdulos y receptores en concentracin, como es el caso de las clulas de contacto posterior analizadas ms adelante en esta tesis, actualmente es necesario un gran esfuerzo en la industrializacin de la tecnologa de clulas de concentracin, puesto que a su escasez se ha achacado en muchas ocasiones la falta de un mercado estable de sistemas de concentracin [Swanson00]. Los materiales y mtodos actualmente utilizados en la industria de clulas solares convencionales son insuficientes para la fabricacin de clulas de concentracin por varios motivos, descritos a continuacin: Material de partida. La industria fotovoltaica de panel plano utiliza generalmente el material ms barato que es posible encontrar en el mercado que es suficiente para este propsito, ya que los mtodos utilizados no permitiran sacar partido de un material de mucha mayor calidad. El silicio ms utilizado en los paneles planos es el monocristalino crecido con el mtodo Czochralski, CZ-Si, o el multicristalino, mc-Si, prcticamente a partes iguales, Fig. I.2. Estos materiales tienen ms impurezas que el crecido con el mtodo de zona flotante, FZ-Si. Dichas impurezas son principalmente tomos de oxgeno que vienen del crisol de cuarzo en el que se crece el CZ-Si, que no existe en el FZ-Si y que dan lugar a tiempos de vida insuficientes para clulas de concentracin. Adems, como resultado de las impurezas presentes, varios autores han descrito degradaciones iniciales de la eficiencia de los dispositivos con la exposicin a la luz [Schmidt97], especialmente debido a la formacin de complejos de Oxgeno-Boro en el silicio tipo p dopado con boro, que es el ms habitual en la industria fotovoltaica. Esto supone un grave
Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin
33
problema en clulas que van a estar sometidas a elevadas densidades de luz, como es el caso que nos ocupa. Hay varios caminos para dar una solucin a este problema. Actualmente hay varias investigaciones en curso con materiales dopados con galio [Caballero05], p. 145, o tipo n, p.ej. [Zhao02], de momento todos ellos para aplicaciones a un sol. Otro camino es elegir materiales de mejor calidad (y ms caros), como los que utiliza la industria de dispositivos microelectrnicos, como el silicio FZ. ste es el camino que hemos tomado en esta tesis, puesto que nuestro objetivo no est tanto en la bsqueda de nuevos materiales como en el procesado de los mismos. Emisor. Existen grandes diferencias en el emisor entre las clulas comerciales y las de alta eficiencia. Debido a la utilizacin de tcnicas de serigrafa el emisor de las primeras debe ser altamente dopado (para asegurar un buen contacto con el metal de la malla frontal, as como una cada de tensin lo menor posible en la conduccin lateral de la corriente generada hasta los dedos de metalizacin bastante alejados). El emisor de las primeras se suele difundir en hornos a partir de fuente lquida (POCl3) en condiciones de supersaturacin. Este proceso es muy adecuado, puesto que da lugar a un efecto de extraccin de impurezas (gettering en ingls). Sin embargo, esta capa presenta precipitados elctricamente inactivos, que aumentan significativamente la recombinacin en la superficie, y se denominan capa muerta [Cuevas86]. Por ello, en clulas de alta eficiencia tanto a un sol como en concentracin, se utilizan difusiones controladas de fsforo, que evitan dicha zona muerta. Metalizacin frontal. Sin embargo, el factor ms importante y limitador del potencial de la tecnologa comercial para su uso en concentracin es la tcnica para realizar la metalizacin frontal. En el proceso de alta eficiencia la metalizacin se realiza mediante fotolitografa y evaporacin en vaco de metales muy puros. De esta manera se pueden obtener mallas de metalizacin muy finas y con baja resistencia de contacto con el silicio. Sin embargo, las mallas definidas por serigrafa no se pueden hacer tan finas (75 m en el mejor de los casos frente a 10 - 15 m en fotolitografa) y sobre todo las resistencias no son tan buenas (10-2 cm2 frente a 510-5 cm2 en el contacto frontal, 410-2 cm2 frente a 10-3 cm2 en el contacto posterior y 410-6 cm comparado con 210-6 cm2 en la resistencia del metal). En el IES se han hecho algunos experimentos para mejorar clulas comerciales para su uso en concentracin, mejorando la metalizacin frontal con una malla de metalizacin ms densa y disminuyendo la resistencia de volumen de la metalizacin con un paso adicional de crecimiento electroltico de plata, obtenindose eficiencias por encima del 14% hasta 15 soles [Coello04]. A pesar de todo, no es posible mejorar estas clulas para concentraciones mayores. Durante su tesis doctoral, M.J. Terrn desarroll en el IES los cambios necesarios para adaptar la tecnologa existente de clulas de P/Al de alta eficiencia a clulas de concentracin [Terrn97]. ste es un proceso bien establecido que requiere de slo dos pasos de fotolitografa para clulas sin texturado selectivo y de tres pasos para clulas con texturado selectivo. Con este proceso, el mejor resultado obtenido fue del 20.6% a
116 soles en clulas delgadas de 0.1 cm de resistencia de base, con capa antirreflectante de xido de tntalo, Ta2O5, y con texturado selectivo. Posteriormente, se hizo una transferencia de dicha tecnologa a la empresa ASE (actualmente Azurspace), descrito por R. Lago en su tesis doctoral [Lago02]. El proceso anterior fue modificado, sustituyendo el crecimiento electroltico de plata por una mayor cantidad de plata evaporada por cuestiones medioambientales y la capa BSF de aluminio por una capa p+ de tomos de boro implantados (por la dificultad del manejo de clulas con capas rugosas en una lnea automatizada industrial). Esta capa hace un efecto BSF (campo superficial posterior, del ingls Back Surface Field) tan bueno como el del aluminio, adems de dar lugar a una menor recombinacin superficial [Slade00], aunque elimina el efecto de extraccin de impurezas. Con este proceso se fabric un pequeo nmero de clulas en sustratos FZ de diferentes resistividades, con resultados de hasta el 20.7% a 102X en bases de 0.2 cm y de 18.5% a 100X para bases de 2 a 10 cm, siempre sin texturado selectivo. Se encontraron problemas de bajo rendimiento en fabricacin2 (<50%), que se atribuyeron a microcortocirtuitos (spikes o microshunts en ingls) bajo los dedos de metalizacin debidos a partculas presentes en la oblea durante el proceso [Caizo00]. Sin embargo, y a pesar de los prometedores resultados obtenidos tanto en laboratorio como en la lnea de produccin de ASE, no se hicieron posteriores anlisis del resultado del proceso a mayor escala, tanto de los valores medios como de la dispersin y del rendimiento en fabricacin, cuestiones importantes a la hora de plantear una posible produccin a gran escala de clulas de concentracin de este tipo. Surge, por tanto, la necesidad de preguntarnos por estas cuestiones, junto con un contexto adecuado dentro del proyecto europeo PROTEAS PV. El proyecto PROTEAS PV es un proyecto europeo coordinado por el Instituto de Microelectrnica Demokritos (Grecia), cuyo objetivo es la fabricacin de un prototipo de sistema fotovoltaico de concentracin de 3 kWp, operando a 100X, que utilice el agua de la refrigeracin activa de las clulas solares para producir agua caliente a 70 C y aire acondicionado (fro calor) para una vivienda [Papadopoulos05]. Dentro de este proyecto, y debido a la falta de un suministrador europeo de clulas de concentracin, el IES fue subcontratado para suministrar las clulas de concentracin. En el marco del mismo realizamos la implantacin de una lnea piloto de produccin de clulas de P/Al en obleas de silicio de 4", fabricando ms de 2000 clulas.
2 Utilizar el trmino rendimiento en fabricacin para sustituir al ingls yield. Esto es, la relacin entre las obleas (o dispositivos) que llegan al final de cada proceso y las que empezaron. No confundir con el rendimiento elctrico o eficiencia elctrica de las clulas, que es la relacin entre la potencia elctrica mxima que da la clula y la potencia de luz incidente en la misma. Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 35
III.2.- La clula UPM-PPV: estructura y diseo.

III.2.1.- Estructura de la clula. La clula que denominamos UPM-PPV es una clula de silicio con una estructura n+pp+. El material de base es silicio monocristalino FZ tipo p dopado con boro. El factor limitador del silicio para trabajar en altas concentraciones es la base. El silicio tiene un salto indirecto en la banda de energa prohibida (gap en ingls), por lo que el coeficiente de absorcin es menor que en el arseniuro de galio, con salto directo, ya que en el caso del silicio es necesario que intervengan no slo un fotn y un electrn, sino tambin un fonn, que cambie el momento del sistema. Por tanto, la luz penetra en todo el espesor de la clula solar, generando portadores en dicho espesor, que deben desplazarse hasta las superficies contactadas para ser utilizados. Esto hace que a altas concentraciones sea la resistencia de la base la que limite la eficiencia. Necesitamos, por tanto, obleas de baja resistividad. Adems, esto presenta una ventaja, ya que al aumentar el dopaje, disminuye la recombinacin Shockley-Read-Hall, SRH, [Luque03], p. 263. La Fig. III.1. muestra la eficiencia en funcin de la resistividad de base a 100 soles, simulada con el programa de simulacin unidimensional de clulas solares PC1D, donde se ve esta disminucin. En esta simulacin nicamente he tenido en cuenta la variacin en la resistividad de la base y he considerado en todos los casos un tiempo de vida de 100 s, que es tecnolgicamente factible con obleas de baja resistividad. No he tenido en cuenta que el tiempo de vida es mayor en obleas menos dopadas, por lo que esta curva tiene en realidad una pendiente ligeramente menor, pero no deja de ser necesario el uso de bases poco dopadas para obtener buenas eficiencias en concentracin. Por ello, decidimos trabajar con obleas en el entorno de 0.2 cm, que es la resistividad para la que hemos hecho la optimizado el diseo de estas clulas.
Fig. III.1. Simulacin de PC1D de la eficiencia de la clula frente a la resistividad de la base a 100X.
36
No es habitual utilizar materiales de bases tan dopadas, por lo que no fue fcil encontrar en el mercado obleas FZ de 4" con tan baja resistividad. Finalmente, la compaa Virginia Semiconductors fabric las obleas para este proyecto, con resistividades de base de entre 0.21 y 0.25 cm (en las obleas utilizadas, el valor fue de 0.24 0.01 cm, con espesores de 289 3 m). El emisor n+ es un emisor profundo de fsforo de 50 /, que es el descrito por M.J. Terrn en su tesis como el ptimo para clulas de concentracin [Terrn97]. La BSF es de aluminio evaporado en vaco y posteriormente redistribuido a alta temperatura. Para optimizar la absorcin de luz, la clula est texturada y tiene una capa antirreflectante. Dicha capa generalmente se disea para que presente un mnimo alrededor de 600 nm, donde el espectro solar presenta mayor nmero de fotones. Esta capa suele consistir en el depsito de una o dos finas capas transparentes de ndices de refraccin y espesores adecuados para acomodar la diferencia de ndices de refraccin entre el silicio y el medio incidente (vidrio para clulas encapsuladas o aire para clulas sin encapsular) [Luque03], p. 268. Las ms habituales en la industria son el TiO2 y el SiN (estequiomtrico o no) y en laboratorio el SiO2, el Ta2O5 y una capa doble de ZnS y MgF2. En nuestro caso, vamos a utilizar una capa AR de 100 nm de xido de silicio crecido trmicamente. Teniendo en cuenta que las clulas estn texturadas, el camino ptico recorrido dentro de la capa AR es algo mayor, por lo que para tener 100 nm pticos, tenemos que crecer una capa de 85 nm de espesor. Esta capa, adems, tiene unas excelentes propiedades de pasivacin de la superficie en espesores de hasta 110 nm [Markvart03], p. 162. Los contactos metlicos son de Ti/Pd/Ag en la cara frontal y de Al/Ag en la cara posterior. Esta clula tiene una estructura de contactos convencional, con una malla de tipo peine con dos colectores de corriente (busbar)3 longitudinales que sern utilizados para extraer la corriente de la cara frontal, y un contacto posterior que cubre toda la superficie. Fig. III.2. Los colectores de corriente laterales estn fuera del rea activa de la clula y crecidos sobre xido de silicio, para evitar el efecto de diodo en oscuridad en paralelo. Esta geometra vino impuesta por las caractersticas del sistema PROTEAS PV, de foco puntual con una mancha de luz en la clula de forma rectangular de 60 x 10 mm. Elegimos una geometra de 30 x 10 mm de clula, de forma que cada lente enfoca la luz en una asociacin de dos de estas clulas en paralelo. Las caractersticas de la malla frontal vienen determinadas por la tecnologa de metalizacin realizada en el IES, Tabla III.1.
Silicio 13 mm 10 mm SiO2 grueso n+ (P) p+ (Al) 30 mm CAR SiO2 Metal
Fig. III.2. Vista frontal y corte de la clula UPM-PPV.
3 A lo largo de esta tesis, utilizar el trmino colector de corriente para sustituir a los ingleses bus y busbar. Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 37
Parmetro Longitud de la clula, L Anchura de la clula, A Longitud del rea activa, l Anchura del rea activa, a Espesor de la oblea, w Anchura de los dedos de metalizacin, wf Altura de los dedos de metalizacin, hf Separacin entre dedos, s
Valor
Unidades 30 mm 13 mm 30 mm 10 mm
280 m 15 m 4 m Variable
Tabla III.1. Caractersticas geomtricas de la clula UPM-PPV.
III.2.2.- Diseo de la malla de metalizacin. El diseo adecuado de la malla de metalizacin es muy importante en clulas de concentracin. En este caso, el factor decisivo es la resistencia serie, ya que sta hace que, a elevados valores de la concentracin, la eficiencia disminuya de forma proporcional a sta, como JSC(1X)2rs [Coello04], donde JSC(1X) es la densidad de corriente de cortocircuito a un sol y rs la resistencia serie especfica de la clula. De hecho, la concentracin a la cual una clula presenta la mxima eficiencia, para una resistencia serie dada, ocurre aproximadamente cuando la cada hmica, Jscrs Jsc(1X)Xrs, iguala al voltaje trmico, kT V t= , donde X es la concentracin, k la constante de Boltzmann, T la temperatura de q la clula y q la carga del electrn. La resistencia serie es un parmetro variable (depende de las condiciones de operacin) y distribuido por naturaleza. A lo largo de la curva de iluminacin, varan las condiciones de inyeccin, y tambin la resistencia de la base. Sin embargo, si las cadas hmicas en las diferentes regiones son pequeas, lo cual ocurre en clulas bien diseadas, se puede considerar la resistencia serie tecnolgica (suma de todas las componentes excepto la base) como un parmetro agrupado (lumped en ingls) y constante, que es lo que haremos aqu. La malla de metalizacin de la clula UPM-PPV, que viene determinada por el sistema ptico del sistema Proteas, tiene forma de peine con un doble colector de corriente de 1.5 mm de ancho fuera del rea activa de la clula. Determinadas estas caractersticas, es necesario optimizar el nmero de dedos de metalizacin, de forma que lleguemos al compromiso ptimo entre la resistencia serie y el factor de sombra. Para ello realic el clculo de la resistencia serie y el factor de sombra de la clula en funcin de la separacin entre dedos. Con estos valores y simulaciones de PC1D busqu el mximo de potencia a 100 soles.
38
Clculo de la resistencia serie He calculado la resistencia serie de la clula con el mtodo de las prdidas de potencia, determinando la potencia que se pierde en un elemento de rea e igualando la potencia perdida a J2Ars. La potencia perdida en un elemento de rea por el que circula una corriente I es:
dP=I dR
2
[Ec. III.1]
donde dR es la resistencia que presenta ste al paso de la corriente. Integrando esta potencia a todo el rea, y teniendo en cuenta que esta prdida de potencia tiene que ser igual a
P perdida=J Ar s
2
[Ec. III.2]
donde J es la densidad de corriente generada y A el rea de dicho elemento, podemos calcular la resistencia serie del rea que estemos analizando. Debido a la geometra de la clula, podemos dividir la misma en celdas con la misma resistencia especfica denominada celda unidad. La resistencia serie especfica total de una clula unidad la podemos dividir en distintos componentes, Fig. III.3: Resistencia especfica debida a la base, rb. Resistencia especfica debida a los contactos frontal y posterior, rcf y rcp. Resistencia especfica debida al emisor, re. Resistencia especfica debida a los dedos de metalizacin, rmf. Resistencia especfica debida a los colectores de corriente, rbus.
Fig. III.3. Esquema de la clula UPM-PPV con los componentes de la resistencia serie y vista superior de la celda unidad. Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 39
No consideramos la resistencia del metal posterior, puesto que el transporte de corriente en l se produce de forma perpendicular directamente al sustrato del encapsulado, y es mucho menor que el resto de los componentes citados arriba. La suma de todos estos componentes, exceptuando la resistencia debida a la base, es lo que se denomina resistencia serie tecnolgica, y es la que vamos a calcular para incluir en las simulaciones de PC1D. Este programa tiene en cuenta las densidades de carga de portadores en la base, y por tanto incluye en los clculos los posibles cambios en la resistencia de la base debido a efectos de alta inyeccin. Adems, en nuestro caso los colectores de corriente estn fuera del rea activa y se utilizarn para extraer la corriente de la clula en toda su longitud mediante cintas soldadas en toda su longitud, por lo que no tendremos en cuenta los efectos resistivos de los mismos, puesto que son despreciables frente a los otros componentes. En cualquier caso, su anchura viene determinada por el sistema y no ser optimizada. Se calcula cada uno de estos componentes de la resistencia serie por separado definiendo como clula unidad la comprendida entre dos dedos de metalizacin, Fig. III.3. Las expresiones para el factor de sombra y los componentes de la resistencia serie calculados de esta forma son los que aparecen en la Tabla III.2., donde fs es el factor de sombra; s es la separacin entre dedos de metalizacin; b es la resistividad de la base; cf y cp son las resistencias especficas de contacto frontal y posterior, respectivamente; Re es m la resistencia de capa del emisor y Rsm= es la resistencia de capa de la metalizacin hf frontal. En este caso, la cara posterior est totalmente cubierta de metal, por lo que el factor de recubrimiento posterior, frp, es la unidad.
Factor de sombra Base Contacto frontal
f s=
wf s
[Ec. III.3] [Ec. III.4] [Ec. III.5]
r b=b w
r cf =
r cp =
cf fs
Contacto posterior
cp = cp f rp
3
[Ec. III.6]
Emisor
sw f 1 r e = Re 12 s r mf =
[Ec. III.7]
2
Metalizacin frontal
1 f s 1 R sm a 2 12 wf
[Ec. III.8]
Tabla III.2. Factor de sombra y componentes de la resistencia serie de la clula UPM-PPV.
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Los valores de las resistencias y de las dimensiones vienen impuestos por la tecnologa, excepto la separacin entre dedos, que optimizaremos con PC1D buscando la configuracin que nos d la mxima potencia, Tabla III.3.
Parmetro Resistividad de la base, b Resistencia de capa del emisor, Re Resistividad de la metalizacin frontal, m Resistividad de capa de la metalizacin frontal, Rsm Resistencia especfica de contacto frontal, cf Resistencia especfica de contacto posterior, cp
Valor
Unidades 0.2 cm 50 /
1.610-6 cm 410-3 / 510-5 cm2 10-3 cm2
Tabla III.3. Resistividades de los distintos componentes de la resistencia serie.
La metalizacin frontal consiste en un apilamiento de tres capas de titanio, paladio y plata, de 200 , 500 y 4 m, respectivamente. El titanio, que es un metal refractario, se utiliza para lograr una baja resistencia de contacto entre el silicio y el metal, el paladio para conseguir una buena resistencia a la corrosin, y por tanto una buena adherencia entre el titanio y la plata, y finalmente la capa de plata mejora la resistencia de la metalizacin [Fischer68]. El titanio, el paladio y una pequea parte de la plata (unos 1000 ) se evaporan en vaco con un can de electrones. El resto de la plata se deposita posteriormente mediante crecimiento electroltico. Las resistencias de contacto medidas en clulas fabricadas previamente en el IES son de 10-6 cm2 y 710-4 cm2 para la resistencia especfica de contacto frontal con y sin texturado selectivo y de 10-3 cm2 en el contacto posterior, respectivamente [Terrn97]. Se puede ver que la diferencia entre hacer o no el texturado selectivo es muy grande. A pesar de esto, en las clulas realizadas en ASE se obtuvieron buenos resultados sin necesidad de hacer este paso extra de fotolitografa, y por tanto, de alineacin. Para estar seguros de si mereca la pena introducir un nuevo paso de fotolitografa, y antes de hacer el diseo de la nueva metalizacin, hice algunos dispositivos para medir la resistencia de contacto frontal en la nueva lnea de procesado de obleas de 4". Medida de la resistencia de contacto de la malla frontal La resistencia de contacto se refiere a la resistencia asociada con la barrera metal/semiconductor en la superficie entre el semiconductor y el contacto de metal. En una clula solar la corriente lateral en el emisor debe pasar a travs de esta barrera antes de pasar a la malla metlica. La magnitud de esta resistencia de contacto depende del material semiconductor, el tipo de dopado y el material de contacto, pero depende ms fuertemente de la concentracin de dopantes cerca de la superficie del semiconductor. Valores bajos de la resistencia de contacto estn asociados con superficies muy dopadas y viceversa [Schroder84].
Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 41
En el caso de clulas solares en concentracin, la densidad de corriente es aproximadamente proporcional al nmero de soles, por lo que la resistencia de contacto ha de ser reducida proporcionalmente a stos. Por tanto, conocer la resistencia de contacto de nuestra malla de metalizacin es un parmetro necesario para hacer el diseo de la malla ms adecuado. En concreto, como indiqu anteriormente, es importante conocer la diferencia de resistencia de contacto entre contactos hechos en superficies texturadas y sin texturar. Para medir esta resistencia de contacto, he seguido el mtodo propuesto por Meier y Schroder, [Meier84]. Dicho mtodo parte de la tcnica propuesta por Shockley en 1964, que introduce el concepto de longitud de transferencia. La idea es que la resistencia de contacto es equivalente a la resistencia de una longitud adicional de semiconductor. Es decir, se considera que el efecto de la resistencia de contacto es la aparicin de un voltaje V0 en el semiconductor de la misma magnitud que si la corriente total I hubiese viajado una distancia adicional, LT, solamente en el semiconductor, para despus pasar inmediata y completamente al contacto. Esta distancia adicional se conoce como longitud de transferencia de corriente, y est directamente relacionada con la resistencia especfica de contacto y la resistencia de capa del emisor. Adems, Meier y Schroder generalizaron el mtodo para incluir valores de resistencia de capa del metal no despreciables y difusiones con diferentes resistencias de capa bajo el metal y en las zonas pasivadas, [Meier84], [Schroder84]. Utilizando este mtodo, hice varios dispositivos para medir la resistencia del contacto frontal en nuestro proceso, obteniendo resistencias de contacto frontal del orden de 510-5 - 910-5 cm2 y longitudes de transferencia de unas 30 m. En todos los casos he utilizado una resistencia de capa de metal de 0.211 /, que obtuve por el mtodo de Van der Pauw en motivos de test definidos en las mismas obleas, [Pauw58]. Para obleas con texturado bajo los dedos de metalizacin, se obtienen resistencias de contacto bastante inferiores a las medidas anteriormente en el IES. Con estos valores, de 510-5 cm2, se pueden obtener buenas eficiencias sin necesidad de hacer el texturado selectivo, por lo que se elimina un paso de alineacin, lo cual es muy importante a la hora de industrializar el proceso. Optimizacin de la malla de metalizacin Con las expresiones para la resistencia serie calculadas anteriormente y con los valores conocidos de todas las magnitudes, he simulado la clula con el programa PC1D. Los valores que he utilizado en dichas simulaciones aparecen en la siguiente tabla.
Tabla III.4. Datos utilizados en las simulaciones de PC1D de la clula UPM-PPV. Parmetro Estructura de la clula Sustrato Espesor clula 42 Clula de silicio n+pp+ Silicio tipo p dopado con boro, de resistividad de base b = 0.2 cm w = 280 m Especificacin
Parmetro Difusin frontal, n+ Difusin posterior, p+ Reflectividad frontal Reflectividad interna Temperatura Tiempo de vida volumen
Especificacin Gaussiana, dopaje pico Ns = 4.81018 cm-3, resistencia de capa Re = 48.6 /, profundidad de la unin xj = 3.07 m Funcin error complementario, dopaje pico Ns = 21018 cm-3, profundidad de la unin xj = 16.41 m Medida experimental de una oblea de silicio texturada con CAR de 85 nm de SiO2 Reflectividad frontal interna = 0.86, difusa Reflectividad interna de la cara posterior = 0.56, especular T = 300 K
= 100 s
Velocidad de recombinacin superficial Superficie frontal, Sf = 1000 cm/s Superficie posterior, Sp = 107 cm/s Concentracin Intensidad de luz incidente Resistencia serie tecnolgica Diodo en paralelo X = 100 soles Variable, E = 0.1X(1-fs) W/cm2 Variable J0 = 10-13 A/cm2, m = 1
Tabla III.4. (Continuacin). Datos utilizados en las simulaciones de PC1D de la clula UPM-PPV.
Con estas simulaciones, y cambiando el valor de la resistencia serie tecnolgica y del factor de sombra para diferente nmero de dedos de metalizacin, he calculado el diseo que da la mxima eficiencia a 100 soles, que es el mostrado en la tabla siguiente.
Nmero de dedos, n Separacin entre dedos, s Factor de sombra, fs Resistencia serie tecnolgica, rst Resistencia serie total, rs Contacto frontal, rcf Contacto posterior, rcp Emisor, re Base, rb Metalizacin frontal, rmf Densidad de corriente de cortocircuito a 100X, Jsc Tensin de circuito abierto a 100X, Voc Eficiencia a 100X, Factor de forma, FF
113 265 m 5,65 % 9.6 mcm2 14.4 mcm2 0.9 (6%) mcm2 1.0 (7%) mcm2 2.5 (17%) mcm2 4.8 (33%) mcm2 5.3 (36%) mcm2 3,47 A/cm2 776 mV 21.83 % 81.17 %
Tabla III.5. Caractersticas de la clula UPM-PPV ptima. En las componentes de la resistencia serie se indica su contribucin porcentual a la resistencia serie total entre parntesis. Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 43
He calculado la resistencia serie de la base a partir de [Ec. III.4.], teniendo en cuenta el espesor de la base, ya que con estas concentraciones de luz y resistividad de base estamos muy lejos de las condiciones de alta inyeccin que podran dar lugar a la modulacin de la conductividad en el espesor de la misma.
III.3.- Proceso de fabricacin de la clula.

Con el objeto de procesar estas clulas hemos puesto a punto una nueva lnea piloto en el laboratorio del IES. Para ello hemos utilizado los equipos de laboratorio previamente existentes en las cmaras junto con otros de nueva adquisicin para este proyecto, realizando las siguientes tareas: Puesta a punto de los hornos de difusin para la realizacin de las diferentes capas. Puesta a punto de las campanas de ataques qumicos y limpiezas hmedas, especialmente el bao de texturado, donde hemos aadido una nueva resistencia y control de temperatura para evitar descensos bruscos de temperatura al introducir la barquilla con obleas y obtener un texturado ms homogneo. Diseo y fabricacin de un nuevo planetario para la evaporadora, permitiendo colocar hasta 14 obleas en cada tanda. Diseo y fabricacin de un nuevo til para el recrecimiento de plata por electrolisis, junto con una fuente de alimentacin de mayor potencia, que permite el crecimiento de hasta 8 obleas de 4" simultneamente. Adquisicin e instalacin de un spinner para depsito de resina en obleas de 4", una mquina centrifugadora para aclarado y secado automtico de obleas y una pista automtica de revelado de obleas tras la fotolitografa. Se inici la puesta a punto de un alineador semiautomtico para obleas de 4", pero no fue posible terminarlo en el tiempo de este proyecto, por lo que hicimos todos los pasos de fotolitografa en el alineador manual para obleas de 4" en las instalaciones del Instituto de Tecnologa Microelectrnica de la Escuela Superior de Ingenieros de la Universidad del Pas Vasco (UPV/EHU). En la Fig. III.4. muestro algunas imgenes de dichas instalaciones. El tamao de las tandas es diferente en algunos procesos, y algunos de ellos, como la fotolitografa, se han realizado en un equipo manual. Todas las limpiezas, ataques qumicos y pasos de horno se han hecho en tandas de 20 obleas, los procesos de evaporacin en tandas de 14, y la electrlisis de plata en tandas de 8. Los pasos de fotolitografa y lift-off se han realizado manualmente clula a clula. En un ambiente industrial, las tandas se podran hacer del mimo tamao para todos los procesos, permitiendo un gran ahorro de tiempo y una mejor gestin de la fabricacin.
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D C
Fig. III.4. Imgenes de A. hornos de difusin, B. planetario para evaporadora, C. til para electrolisis de Ag y D. centrifugadora para aclarado / secado de obleas.
El proceso de fabricacin de la clula UPM-PPV est basado en el proceso convencional utilizado en el IES para obleas de 2 pulgadas, resumido en la Tabla III.6. y la Fig. III.5. Este proceso ha sido descrito en detalle en varias tesis realizadas en el IES, especialmente las de M. J. Terrn y R. Lago en las cuestiones relacionadas con la optimizacin de clulas de concentracin y la de A. El Moussaoui en la integracin de la CAR de xido de silicio [Terrn97], [Lago02], [Moussaoui93]. En este captulo me centrar en los pasos que requirieron de mayor adaptacin para el cambio a obleas de 4" y clulas de concentracin con CAR de SiO2; para el resto de cuestiones remito al lector o lectora a las citadas tesis. Dichas diferencias aparecen marcadas en negrita en la Tabla III.6. Las limpiezas y ataques utilizados en todo el proceso son los siguientes: RCA1. Limpieza de orgnicos y metales: NH3:H2O2:H2O DI 1:1:5. (H2O DI: agua desionizada) RCA2. Limpieza de orgnicos y metales: HCl:H2O2:H2O 1:1:5. DHF (Diluted HF). Eliminacin SiO2 fino: HF 0.1%. BHF (Buffered HF, HF tampn). Eliminacin SiO2 grueso, NH4F:HF (9:1). Limpieza resina: Acetona (2 veces) + Alcohol isoproplico (IPA). Ataque piraa. Limpieza de restos de resina y metales: H2SO4:H2O2 5:1.
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Paso 1.- Oxidacin
Proceso estndar IES, 2" Limpiezas previas: RCA1 + RCA2 + DHF T=1000C; T(H2O)=95C Flujos 1 l/min Entrada seca a 700 C, 5' Oxidacin: Ox. seca, O2, 40' / Ox. hmeda, O2(burbujeador) 150' / Ox. seca, O2, 60' Recocido: N2, 10' Rampa de bajada y salida: N2, 35' Resina: 3000 rpm. 50s Secado: estufa, 95C, 25' Exposicin y revelado: variable Endurecimiento: estufa, 95C, 25' Ataque xido: BHF Limpieza resina+ ataque piraa T=84C; t=60'. 500 ml H2O DI: 5 g KOH: 37.5 ml IPA Limpiezas: RCA1 + DHF + RCA2 + DHF
Proceso UPM-PPV, 4" Limpiezas previas: RCA1 + RCA2 + DHF T=1000C; T(H2O)=95C Flujos 5.4 l/min Entrada seca a 850 C, 5'. Oxidacin: Ox. seca, O2, 40' / Ox. hmeda, O2(burbujeador) 150' / Ox. seca, O2, 60' Recocido: N2, 10' Salida: N2, 5' Resina: 5000 rpm. 50s Secado: estufa, 95C, 25' Exposicin y revelado: variable Endurecimiento: estufa, 95C, 25' Ataque xido: BHF Limpieza resina + RCA1 + DHF + RCA2 + DHF T=84C; t=90'. 4.5 l H2O DI: 90 g KOH: 337.5 ml IPA Limpiezas: RCA1 + DHF + RCA2 + DHF T=850 C. Fuente POCl3 lquido a 24 C Entrada: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min), 5' Predepsito: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min) + N2/POCl3 (0.1 l/min), 30' Oxidacin: O2 (5.4 l/min), 10' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 5' Evaporacin en vaco con can de electrones. 1 m T=1100 C Entrada: O2 (5.4 l/min), 5' Redistribucin: N2 (5.4 l/min), 2h14' CAR, oxidacin: 36' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 5' Fotolitografa 2. Ataque xido, BHF Evaporacin Ti/Pd/Ag (500/200/1000 ) Lift-off + limpieza resina Crecimiento electroltico de Ag, 4-5 m Evaporacin Al/Ag (1500/4000 ) Forming-gas, 5.4 l/min T=450C, 30' + 1h30' horno apagado Crecida durante la redistribucin
2.- Apertura de ventanas. Fotolitografa 1.
3.- Texturado
4.- Predepsito de T=850 C. Fuente POCl3 lquido a 24 C fsforo Entrada: N2(1.48 l/min)+O2(0.09 l/min), 5' Precalentamiento, mismos flujos, 5' Predepsito: N2 (1.48 l/min) + O2 (0.09 l/min) + N2/POCl3 (0.0175 l/min), 10' Oxidacin: O2 (1 l/min), 10' Recocido: N2 (1 l/min), 10' Salida: N2 (1 l /min), 5' 5.- Evaporacin de Al Evaporacin en vaco con can de electrones. 1 m
6.- Redistribucin T=1050 C de P/Al + CAR Entrada: N2 (1 l/min) + O2 (1 l/min), 5' Redistribucin: N2 (1 l/min), 16 h No se hace crecimiento de CAR Salida: N2 (1 l/min), 5' 7.- Metalizacin frontal. Fotolitografa 2 Fotolitografa 2. Ataque xido, BHF Evaporacin Ti/Pd/Ag (500/200/1000 ) Lift-off + limpieza resina Crecimiento electroltico de Ag, 4-5 m Evaporacin Al/Ag (1500/1500 ) Forming-gas (90% N2, 10% H2), 1 l/min T=450C, 30' + 1h30' horno apagado Ta2O5
8.- Metalizacin posterior 9.- Recocido en forming-gas 10.- CAR
Tabla III.6. Descripcin de los procesos estndar del IES para clulas y del nuevo para las clulas UPM-PPV.
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1. Oxidacin
2. Apertura ventanas. Fotolitografa 1
3. Texturado
4. Predepsito de P
5. Evaporacin Al
6. Redistribucin de P/Al + CAR de SiO2 Silicio SiO2 grueso n+ (P) p+ (Al) CAR SiO2 Metal
7. Metalizacin frontal. Fotolitografa 2
8. Metalizacin posterior + Recocido
Fig. III.5. Proceso de fabricacin de las clulas UPM-PPV.
Por razones de simplificacin del proceso y debido al cambio de equipos para procesar obleas de 4", hemos introducido algunos cambios, sealados en negrita en la Tabla III.6., y que se describen a continuacin.
Flujos de gases en hornos
Debido a la diferencia de tamao de los hornos, todos los flujos deben de ser escalados teniendo en cuenta la relacin de reas de los mismos. Por ello, todos los flujos de gases aparecen multiplicados por 5.4.
Eliminacin del ataque piraa
Este ataque, compuesto por cido sulfrico y agua oxigenada (5:1), se utiliza tras la fotolitografa para eliminar los restos de la resina. Debido a la dificultad de manejar grandes cantidades de cido sulfrico, en su lugar he optado por realizar una RCA1, eliminando el xido generado por sta con HF diluido y seguido de una RCA2. No he observado ningn efecto negativo en el tiempo de vida final debido a la eliminacin de este ataque.
Texturado
En el proceso de obleas de 2", el texturado se hace siempre a 4 obleas, con las cantidades indicadas en la Tabla III.6. Si escalamos estas cantidades para el bao de obleas de 4", tendramos que utilizar 45 g de potasa (KOH). Se hicieron algunas pruebas de texturado con esta concentracin, pero en 90' el texturado apenas ha comenzado, con pirmides de 1 - 2 m y muy irregulares. Adems, se observa que la temperatura del bao
de texturado disminuye mucho al meter en l la barquilla con las obleas, y tarda bastante en recuperar la temperatura de 84 C. Esto puede influir bastante en el pequeo tamao de las pirmides, ya que las velocidades de ataque dependen exponencialmente con la temperatura. Todos los baos para limpiezas y ataques funcionan por calentamiento mediante un bao de aceite caliente alrededor de ellos. Este sistema consume menos energa que poner resistencias elctricas en los baos, y adems es ms limpio y resistente a los ataques qumicos, pero tiene una elevada inercia trmica, por lo que la temperatura tarda mucho tanto en subir al ponerlos en marcha como en recuperar la temperatura de proceso al introducir material fro en ellos. Por ello, en este bao en concreto se aadi una resistencia elctrica al bao de texturado, junto con un control electrnico ms preciso de la temperatura. De esta manera, en slo unos minutos se recupera la temperatura de proceso de 84 C. Para determinar el proceso ptimo, realic varias pruebas ms, utilizando 65 y 90 g de KOH, con y sin burbujeador de N2. Los resultados aparecen en la Fig. III.6. En todos los casos, el tiempo de ataque fue de 90 minutos. Como se puede ver en esta grfica, el mejor resultado se obtiene utilizando 90 g de KOH (el doble que en el bao habitual de 2") y sin burbujeador. En este caso, obtenemos pirmides de 4 - 5 m de altura.
Fig. III.6. Reflectividad de obleas con diferentes texturados.
Predepsito de fsforo y redistribucin de fsforo y aluminio. Tiempo de vida en volumen
El predepsito de fsforo consiste en una difusin controlada de fsforo, a partir de una fuente lquida de POCl3 por la que se hace burbujear un flujo de nitrgeno. De esta manera, se deposita una capa fina de fsforo, que posteriormente ser difundida hacia el
interior del silicio en el paso de redistribucin, dando lugar a un emisor profundo de 50 / de resistencia de capa. El proceso desarrollado para obleas de 2" en el IES estaba basado en el mismo predepsito controlado utilizado para clulas de un sol, con emisor de 100 /. La diferencia en este proceso est en la redistribucin, que se realizaba a 1050 C durante 16 horas, en lugar de las 3 h utilizadas para el emisor de 100 /. Sin embargo, no podemos plantear un proceso industrial con 16 h de redistribucin. Por tanto, necesitamos buscar un proceso ms corto. Esto es posible elevando la temperatura de redistribucin a 1100 C y manteniendo en 3 h el tiempo del proceso. Adems, durante este paso se va a realizar el crecimiento de una capa de xido de silicio de 85 nm de espesor, que servir como capa antirreflectante. Adems, esta capa pasiva muy bien la superficie del silicio, fundamental para lograr buenos tiempos de vida efectivos. Crecimos esta capa sustituyendo el flujo de nitrgeno por un flujo de oxgeno durante 36'. El tiempo necesario para obtener este espesor se ha calculado a partir de las ecuaciones de Deal-Grove con los parmetros A, B y t correspondientes a las condiciones de nuestro proceso [Grove67]. En los procesos de fabricacin de clulas comerciales, el emisor de fsforo se suele hacer en condiciones de supersaturacin, dando lugar a un proceso muy estable, repetitivo y con un cierto efecto de extraccin de impurezas. Sin embargo, este proceso da lugar a un emisor con una zona plana en la superficie de gran concentracin de fsforo donde aparecen precipitados elctricamente inactivos, denominada zona muerta. Esta zona presenta una alta recombinacin de portadores, [Cuevas86]. Esta zona muerta se puede evitar haciendo el predepsito de fsforo de forma controlada, con una concentracin pequea de POCl3 [Cuevas87]. En el caso de difusiones controladas, varios autores han sealado la influencia del estado de carga de las paredes del horno, as como el nmero y disposicin de obleas en el horno en algunos procesos [Lago02]. Por ello, realizamos todas las difusiones en un horno que no estuvo sometido a ningn otro flujo de supersaturacin o a mayores temperaturas de proceso que pudieran cargar o descargar las paredes del horno de fsforo. Realizamos varias pruebas para asegurar la estabilidad de los resultados en el tiempo y disminuir la dispersin de resultados entre las obleas situadas ms cerca de la fuente de POCl3 y las situadas ms lejos. Para ello utilizamos los resultados obtenidos por A. Sanz en su proyecto de fin de carrera para emisores de 100 /, descrito en la Tabla III.6., donde el tiempo de predepsito es de 30 minutos, en lugar de los 10 minutos utilizados en el proceso de 2" [Sanz03]. En primer lugar comprob que con este proceso y la redistribucin de 3 h a 1050 C se obtiene el emisor de 100 / en 20 obleas (da 1 en Fig. III.7.). Posteriormente, realic el mismo predepsito a 20 obleas, de las cuales redistribu las mitad a 1050 C, y las otras 10 a 1100 C (da 5 en Fig. III.7.). Vemos que en este caso, obtenemos el emisor ptimo. Repet el proceso unos das ms tarde, comprobando que el dopado es menor.
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Posteriormente, trat de reducir la diferencia entre las distintas partes del horno generando un flujo turbulento con un rompeflujos de vidrio. Hice pruebas con los flujos habituales y con los flujos duplicados. Adems, previamente a las difusiones realic un proceso de carga del horno, haciendo pasar por el mismo un flujo de POCl 3 durante una hora, para que tambin el rompeflujos est cargado de fsforo. Como se puede ver en la Fig. III.7., el rompeflujos no disminuye la diferencia entre las diferentes partes del horno, que incluso aumenta en el caso de los flujos duplicados. Varios das despus repet el proceso sin rompeflujos, obteniendo 39.5 /, que est cerca del ptimo. Por tanto, decid realizar las difusiones sin rompeflujos, con el proceso descrito en la Tabla III.6., manteniendo el horno dedicado slo a este proceso y realizando difusiones peridicas para mantener la carga de fsforo de las paredes. En las difusiones de las primeras tandas comprob que efectivamente el horno se mantiene estable varias semanas despus.
Fig. III.7. Resumen de las diferentes difusiones realizadas para obtener el emisor de 50 /cuadro. Los smbolos llenos corresponden a las obleas situadas al fondo del horno y los vacos a las obleas situadas ms cerca de la boca del horno.
El hecho de realizar la redistribucin a 1100 C en lugar de a 1050 C podra dar lugar a una mayor contaminacin de la oblea por impurezas, y por tanto disminuir el tiempo de vida. Por otro lado, tambin aumentara el efecto de extraccin de impurezas de la capa de aluminio. Por tanto, tenemos que asegurar no slo el conseguir un emisor ptimo, sino adems un tiempo de vida en el volumen suficientemente alto como para asegurar una alta eficiencia. Para asegurarme de este punto, realic medidas de tiempo de vida tras el proceso de redistribucin a 1100 C durante 3 h. Hice las medidas con las tcnicas de medida de la cada de fotoconductancia (PCD, del ingls PhotoConductance Decay) y de medida de la
fotoconductancia en estado cuasi-estacionario (QSSPC, del ingls Quasi Steady State PhotoConductance). Los resultados fueron de unos 50 s en promedio para densidades de portadores de n = 1015 cm-3, an lejos de la alta inyeccin, que es donde van a trabajar nuestras clulas a 100 soles. Estos tiempos de vida dan lugar a longitudes de difusin del orden del espesor de la clula, y son suficientes para garantizar altas eficiencias.
Contacto posterior
En el proceso habitual del IES, el contacto posterior consiste en una doble capa de Al/Ag de 1500/1500 . Esta capa es suficiente para medir las clulas sin encapsular en el simulador solar, utilizando vaco para hacer un buen contacto entre la cara posterior y la plataforma de medida. Sin embargo, si queremos soldar las clulas necesitamos una capa ms gruesa de plata. Por ello, evaporamos 4000 de Ag en lugar de 1500 .
Capa antirreflectante
Como ya he comentado anteriormente, la capa antirreflectante se crece durante el paso de redistribucin de fsforo y aluminio, dando lugar a una capa de xido de silicio de 85 nm. Esta integracin del crecimiento de la capa AR en la redistribucin ha sido realizado anteriormente con xito en el IES con clulas de un sol [Moussaoui93], pero no en clulas de concentracin, donde se utiliz una capa de xido de tntalo evaporada en vaco por efecto Joule tras el recocido.
Caracterizacin en concentracin
Tras el procesado de las clulas, las cortamos con un disco de diamante, obteniendo 10 clulas por oblea, y las caracterizamos en concentracin. Las medidas en concentracin las hemos realizado con una lmpara de flash y un sistema de adquisicin de datos previamente desarrollado por I. Antn [Antn04]. El sistema de flash permite medir las clulas a 25 C. Para medir las clulas sin necesidad de encapsularlas, hemos diseado un til especial que permite el posicionamiento rpido de la clula y tiene una baja resistencia, necesaria para medir la clula hasta 100 soles, Fig. III.8.La intensidad de la luz es de 10 W/cm2 (100X) y medimos el nivel de concentracin con una clula de silicio de concentracin previamente calibrada y asumiendo linealidad en la corriente.
Fig. III.8. til de medida en concentracin.
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III.4.- Primeros resultados.

Para establecer la lnea piloto para el procesado de estas clulas, procesamos una primera tanda de 20 obleas. Los resultados de esta primera tanda nos permitieron verificar la viabilidad de todos los pasos, a la vez que revel algunos problemas inesperados: gran nmero de roturas, un contacto posterior no soldable y especialmente una gran resistencia serie, que impeda obtener clulas de elevada eficiencia a grandes concentraciones. A continuacin describo dichos problemas, el motivo y las soluciones que adoptamos.
Elevado nmero de roturas de clulas
Durante esta primera tanda tuvimos un elevado nmero de rotura de clulas, tanto en el manejo de las mismas, como sobre todo, en el paso de lift-off, al someterlas a ultrasonidos para eliminar la capa de metal sobrante. Todas las roturas comenzaron tras el ltimo paso de hornos, la redistribucin a 1100 C, dndose el mayor numero de roturas en el lift-off. El motivo es la acumulacin de tensiones trmicas tras los distintos pasos de alta temperatura y la tensin debida a la capa gruesa de xido de silicio, atacada en forma de rejilla paralela a las direcciones de fcil rotura del silicio, Fig. III.9. En tandas posteriores redujimos considerablemente este problema con un manejo cuidadoso de las obleas en zonas de menos tensiones, y aumentando los tiempos de entrada y salida de hornos a 10' en lugar de 5' para reducir tensiones trmicas. A pesar de todo, el lift-off sigue siendo el paso con mayor nmero de roturas, por lo que este paso se realiz de oblea en oblea en lugar de hacerlo por tandas.
Fig. III.9. Imgenes de A. una oblea antes de metalizar y B. una oblea terminada.
Contacto posterior no soldable
El ltimo paso del proceso consiste en un recocido en forming-gas (90% N2 y 10% H) para mejorar la calidad de los contactos metlicos. Adems, el recocido sirve para recomponer enlaces rotos entre el silicio y el xido frontal pasivador, gracias al hidrgeno atmico que circula en el gas.
El recocido habitual realizado en el IES consiste en un paso de 30 minutos a 450 C ms una bajada lenta de temperatura apagando el horno y manteniendo las obleas en forming-gas durante 1h30'. Tras este paso, el contacto posterior de las obleas es soldable. Sin embargo en nuestro caso, y a pesar de haber aumentado hasta 4000 el espesor evaporado de plata, el contacto tras el recocido no result soldable. Esto supone adems el problema de que no se pueden medir hasta concentraciones de 100X, puesto que no hacen buen contacto con el til de medida, introducen mucha resistencia serie en la medida y no podemos medir el punto de mxima potencia ms all de 30 soles, Fig. III.10.
Fig. III.10. Curvas IV tomadas con el flash a la clula A7, con gran resistencia de medida, que no permite medir el punto de mxima potencia a concentraciones mayores de 30 soles.
Para solucionar este problema en tandas posteriores hice varias pruebas para disminuir el tiempo y la temperatura del recocido, obteniendo resultados similares de tensin de circuito abierto. Por tanto, aun reduciendo el tiempo y la temperatura del recocido, mantenemos su funcin, por lo que finalmente redujimos el proceso de recocido a 10' a 405 C ms 30' con el horno apagado. Aun as, seguimos teniendo el problema de tener un contacto posterior no soldable, por lo que modificamos tambin el proceso de evaporacin del contacto posterior, hacindolo en dos tandas: Primero se evapora el aluminio (1500 ), se hace el recocido y por ltimo se evapora plata (4000 ). De esta forma, logramos evitar que la plata se degradara y por tanto result soldable; adems as conseguimos clulas que se podan medir sin encapsular hasta concentraciones elevadas (incluso hasta 250X).
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Elevada resistencia serie
Pudimos recuperar algunas clulas de esta tanda y medirlas hasta 100 soles evaporando una ltima capa de plata de 3 m en el contacto posterior. En la Fig. III.11. muestro los resultados de dichas medidas. Las clulas A5 y A8 tienen evaporada esta ltima capa de plata, mientras que A3 y A7 estn medidas tal cual se termin la tanda, y por esto no se pueden medir hasta 100X.
Fig. III.11. Resultados de medidas de algunas clulas de la tanda A.
Hicimos estas medidas con una referencia que no estaba bien calibrada, por lo que los valores de Isc y de eficiencia no son absolutos. Sin embargo, en este punto vamos a fijarnos en la forma de la curva eficiencia vs. concentracin, que nos da informacin acerca de la resistencia serie, y sigue siendo vlida. Lo primero que observamos en Fig. III.11 es una gran diferencia de una clula a otra. Desde clulas como la A3, con una gran resistencia serie, hasta la A7, con menos resistencia serie y mayor eficiencia que las dems. El hecho ms destacable de estas medidas es la gran resistencia serie que presentan, entre 14 y 25 m. La resistencia serie del diseo ptimo es de 4.8 m, y de 5 m si tenemos en cuenta las diferencias entre el diseo y la clula real: mayor anchura de dedos de metalizacin (19 m en lugar de 15 m), i.e., mayor factor de sombra y por tanto menor resistencia de contacto frontal; y la pequea diferencia en la resistividad de base (0.25 cm en vez de 0.2 cm). Este aumento de la resistencia serie es un problema muy importante, puesto que supone la imposibilidad de fabricar clulas con alta eficiencia a cien soles, y lo estudio con detalle en el siguiente apartado.
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III.5.- Resistencia de contacto posterior: anlisis y mejoras.

Este aumento de la resistencia serie slo podra ser debido a una resistencia de contacto elevada, bien en el contacto frontal, bien en el posterior, que son los parmetros tecnolgicos que pueden tener mayor variabilidad en la fabricacin de los dispositivos. El parmetro ms crtico en el proceso de fabricacin es la resistencia de contacto frontal, puesto que depende de condiciones ms variables de una tanda a otra, como la completa eliminacin del xido bajo los dedos de metalizacin antes de la evaporacin de la capa metlica. He medido esta resistencia en dispositivos incluidos a tal efecto en las mscaras de fotolitografa, por lo que se fabrican a la vez que las propias clulas. Encontr valores de dicha resistencia de contacto frontal en la tanda A de casi un orden de magnitud superior a lo medido en las primeras muestras y que utilic para hacer la optimizacin, del orden de 410-4 - 710-4 cm2. en lugar de 510-5 cm2 . A pesar de lo elevado de estos valores, no se puede explicar as todo el aumento de resistencia serie medido anteriormente. No disponemos de dispositivos para la medida de la resistencia de contacto posterior en las obleas ya procesadas, por lo que calcul cul sera el valor de dicha resistencia como la diferencia entre la real y la suma del resto de los componentes utilizando los parmetros de las clulas reales (dedos de metalizacin ms anchos que en la simulacin y resistencia de contacto frontal mayor que la usada en la optimizacin). As, he obtenido que es necesario un aumento tambin de un orden de magnitud, de 10-3 cm2 a valores de aproximadamente 410-2 cm2. Este aumento podra ser debido a la oxidacin durante el proceso de redistribucin para crecer la capa antirreflectante de xido de silicio. El proceso habitual de redistribucin, sin crecimiento de capa AR, comienza siempre con una entrada lenta en el horno con un gran flujo de oxgeno, seguido de 3 h en ambiente de nitrgeno, a 1050 C. Esta entrada en ambiente oxidante se hace para que se cree una primera capa muy fina de xido de aluminio que evite que el mismo se deslice de la oblea cuando se licue. Esta pequea capa de xido no suele suponer un problema de resistencia de contacto con el metal posterior, puesto que la capa de aluminio evaporada se alea con la capa de Al-Si durante el recocido final. Sin embargo, en nuestro proceso tenemos un tiempo largo de oxidacin a 1100 C para crecer la CAR, que podra estar dando lugar a la formacin de xidos de aluminio y silicio en la capa exterior de la cara posterior, impidiendo el adecuado contacto entre esta capa y la capa de Al/Ag evaporada posteriormente. Este proceso de integracin del crecimiento de la capa AR de xido de silicio ha sido realizado con xito anteriormente para clulas de un sol, y no se han encontrado problemas de resistencia de contacto. En cualquier caso, hay que sealar que la resistencia serie es un factor mucho menos limitante en clulas de un sol que en concentracin. Debido a la gran importancia de este problema, fabricamos algunas clulas ms con el proceso inicial, para comprobar que efectivamente es un problema del mismo y no un error aleatorio durante el procesado de una nica tanda. Los resultados de estas clulas se muestran en la Fig. III.12. y en la Tabla III.7.
Fig. III.12. vs X en clulas con el mismo proceso que la tanda A. Clula B9A B9D B9E C3A C3B C3I Promedio Desviacin (%) Jsc (1sol) (mAcm2) 31 31 31 34 34 32 3.0 21 Voc (mV) 752 743 759 753 736 748 749 1 FF 0.59 0.48 0.75 0.41 0.38 0.35 0.49 31 (100X) (%) 13.9 10.7 17.8 10.5 7.5 4.5 10.8 43 Rs (m) 10 17 N/A 21 18 14 16 26
Tabla III.7. Caractersticas de las clulas de la Fig. III.12.
Como podemos ver, los resultados no son nada homogneos y vuelven a presentar una gran resistencia serie, excepto en la clula B9E, que presenta el comportamiento esperado en estas clulas, y cuya resistencia serie no podemos deducir de esta grfica, puesto que no tenemos suficientes valores de la eficiencia despus del mximo. Estas medidas ya las realizamos con un patrn calibrado, por lo que los valores tanto de eficiencia como de corriente de cortocircuito son absolutos. Esto nos permiti observar, incluso en medidas a bajas concentraciones o a 1X, una baja densidad de corriente de cortocircuito, del orden de 32 mA/cm2 a 1X. Esto es aproximadamente un 10% inferior a la esperada. Esto fue debido a dos causas: En esta tanda y en algunas posteriores crecimos una capa de xido ligeramente ms gruesa del ptimo, utilizando un tiempo de oxidacin de 40' en lugar de los 36' del ptimo, aunque esta variacin no es muy grande (unos 7 nm), ni capaz de explicar la reduccin en la Isc por s sola (manteniendo el resto de los parmetro iguales a la clula optimizada, esto supone un 0.035%).
Adems, en esta tanda y en las dos siguientes el texturado proceso de texturado, de 90', dio lugar a pirmides ms altas de lo normal (8 m en lugar de 3 - 5 m). Esto supuso luego un problema con la fotolitografa, puesto que no logramos cubrir completamente la superficie de las pirmides con resina, quedando metal depositado en el extremo de las mismas tras el lift-off, Fig. III.13. En tandas posteriores solucionamos este problema reduciendo el tiempo de texturado a 40'.
Fig. III.13. Imgenes de SEM de A. corte y B. superficie frontal de las tandas B y C.
En cuanto a la resistencia serie, estas medidas confirman que efectivamente tenemos un proceso de fabricacin que da lugar a una gran resistencia. De nuevo comprobamos valores de resistencia total ms elevados de lo esperado y parecidos a los de la tanda A, y por tanto, de valores de resistencia de contacto posterior tambin muy elevados y del mismo orden de magnitud que en dicha tanda (1 - 410-2 cm2) para poder explicar el alto valor total de la resistencia serie. Como he comentado anteriormente, lo ms probable es que este aumento se deba a la presencia de un contacto altamente resistivo en la cara posterior de las clulas. R. Lago seala en su tesis doctoral la presencia de xido de aluminio en la cara posterior de las clulas, y los ataques utilizados para tratar de eliminar esta capa [Lago02]. En dicho trabajo no se obtienen resultados positivos para obleas procesadas a temperaturas mayores de 730 C, que es nuestro caso. Sin embargo, el objetivo de dicho trabajo era la eliminacin total de la capa eutctica Al-Si para disminuir la recombinacin que se produce en ella, y no la capa ms superficial de almina, que es lo que trataremos de hacer en este caso. Existen varias formas de solucionar este problema. La ms sencilla sera eliminar la oxidacin del paso de redistribucin y evaporar despus la capa AR, como en el proceso anteriormente desarrollado, pero esto requiere otra evaporacin, que es mejor evitar. Otra opcin sera crecer capas AR de xido de titanio o de nitruro de silicio, pero en el momento de realizar esta tesis no disponamos de estas tcnicas en el IES. La opcin que elegimos en este caso fue tratar de eliminar esta capa altamente resistiva antes de evaporar el contacto posterior. Esto podra suponer adems una ventaja adicional, si eliminamos no slo la capa resistiva, sino tambin al menos parte de la capa de eutctico Al-Si, que es altamente recombinante.
Los experimentos que realizamos fueron varios ataques qumicos y un pulido mecnico con almina. Hay que recordar que en este punto del proceso tenemos ya metalizada la cara frontal de la clula, y por tanto necesitamos protegerla con una capa de resina antes de realizar cualquier ataque qumico. Debido a la gran altura de las pirmides del texturado en estas dos tandas en concreto, necesitamos depositar 3 capas de resina para cubrirlas completamente. Los procesos que probamos fueron: Pulido mecnico. Consiste en un pulido mecnico con polvo de almina de muy pequeo tamao de grano. En nuestro caso, lo hicimos manualmente, por lo que el espesor de la capa eliminada puede ser muy variable. Sin embargo, hay disponibles en el mercado mquinas de pulido de gran productividad y que realizan el proceso de manera muy controlada. Tras el pulido, hay que aclarar muy bien la oblea y hacemos una limpieza con ultrasonidos para eliminar cualquier resto de almina que pudiera quedar en ella. BHF, 10' (Buffered HF, NH4F:HF 9:1). Es una disolucin tampn de cido fluorhdrico y fluoruro de amonio, con la misma concentracin que para el ataque de las capas gruesas de xido durante la apertura de ventanas y la metalizacin frontal. El objetivo de este ataque es el xido de silicio. Hay que recordar que durante la metalizacin frontal se realiza este ataque con la cara posterior descubierta, es decir, estamos atacando posibles xidos de silicio. Sin embargo aqu vamos a aumentar el tiempo a 10', en lugar de los aproximadamente 2' necesarios para eliminar el xido de la cara frontal. HCl:H2O, 1:5, 37 - 40 C, 40' + BHF, 10'. El cido clorhdrico ataca al aluminio y el BHF el xido de silicio. NH3:H2O2:H2O, 1:1:3, 35 - 40 C, 13' + BHF, 5'. El amoniaco ataca a la almina (tambin el aluminio) y el BHF el xido de silicio. Tras 13' de ataque en amoniaco la capa de resina que protege la cara frontal se empieza a desprender, por lo que paramos el ataque en este punto.
Proceso Pulido mecnico con polvo de almina HF tampn, BHF (NH4F:HF 9:1) HCl:H2O 1:5 + BHF NH3:H2O2:H2O 1:1:3 + BHF
Materiales que ataca Todo SiO2 Al + SiO2 Al2O3 / Al + SiO2
Tiempo (minutos) N/A 10 40 +10 13 +5
Temperatura (C) N/A Ambiente 37 40 + Ambiente 35 40 + Ambiente
Necesita capa protectora? No S S S
Tabla III.8. Resumen de los procesos de ataque de la cara posterior resistiva.
Otra opcin podra ser hacer el ataque justo tras el paso de redistribucin, cuando no hay metales que necesiten ser protegidos de los ataques. Pero como en todos los casos hemos hecho un ataque de BHF, necesitamos proteger la capa AR de xido de silicio, por lo que la cara frontal necesita ser protegida en cualquier caso.
Se procesaron 10 obleas (unas 100 clulas) por cada proceso, excepto para el ataque de amoniaco, donde se proces una oblea y vimos que, adems de tener problemas con la resina, los resultados no mejoraban el proceso inicial. La Fig. III.14. y la Tabla III.9. muestran los resultados.
Clula promedio de cada proceso.
Mejor clula de cada proceso
Fig. III.14. Eficiencia frente a concentracin para los procesos de eliminacin de la capa resistiva posterior. La mejor clula del ataque con cido clorhdrico slo se midi a 100X.
Proceso Inicial Pulido BHF HCl + BHF NH3 + BHF
Rs promedio promedio Rs mejor mejor (m) (%) clula (m) clula (%) 18 3 63 41 42 27 5 82 18 2 17 2 19 2 62 21 2 2 N/A 26 10.5 21.0 20.0 21.3 8.2
Voc promedio Incremento (mV) Voc (%) 748 7 766 3 756 3 764 2 750 3 2.4 1.1 2.1 0.3
Tabla III.9. Resumen de los procesos de ataque de la cara posterior resistiva.
Se puede ver una clara reduccin en la resistencia serie, de 18 m en el proceso inicial a 4 6 m para las obleas atacadas con HCl o pulidas, respectivamente. En la Fig. III.15.A. muestro el histograma de eficiencias a cien soles de todas las clulas con pulido de la cara posterior y con ataques de BHF y HCl + BHF. Para comparar los procesos, y teniendo en cuenta que no todas las tandas tienen el mismo nmero de clulas, en el eje de ordenadas he representado el porcentaje de clulas del proceso en cuestin con el intervalo de eficiencias mostrado en el eje de abscisas. Como se puede ver, el ataque de slo BHF da peores resultados, mientras que los resultados del pulido y el ataque con cido clorhdrico son muy parecidos. Ambos tienen el nmero mximo de clulas con eficiencias entre el 19% y el 20%, aunque el ataque con cido clorhdrico da un nmero considerablemente mayor de clulas con eficiencias mayores del 20%. Por tanto, podemos concluir que tanto con el pulido mecnico de la cara posterior de la oblea como con su ataque con HCl + BHF, eliminamos la capa resistiva de la cara
posterior, obteniendo resultados muy similares de resistencia serie. Por motivos de simplicidad del proceso, decidimos realizar el pulido mecnico a las obleas, puesto que no requiere de la proteccin de la cara frontal de la oblea con resina.
Fig. III.15. A. Histograma de la eficiencia a 100X de todas las obleas con distintos ataques de la capa resistiva posterior y B. Diferencia de tensin de circuito abierto con respecto al proceso inicial para cada ataque.
Adems de la mejora en el contacto posterior, podemos apreciar una pequea mejora en la tensin de circuito abierto de las clulas en todos los procesos excepto en el ataque con amoniaco, Fig. III.15.B. El mayor aumento se produce en el proceso de pulido. Este aumento era esperable, puesto que junto con la capa resistiva estamos eliminando parte de la capa de aluminio, que es una zona de gran recombinacin de portadores. Es muy probable que en el caso del pulido la capa eliminada sea mayor, aunque no he realizado medidas del espesor de la capa eliminada. Teniendo en cuenta todos estos cambios y mejoras, el proceso definitivo de fabricacin de las clulas de silicio de concentracin qued un poco ms complejo que el inicial, como muestran la Fig. III.16. y la Tabla III.10., donde se marcan las diferencias entre el proceso inicial y el definitivo. En este proceso se ha mantenido la evaporacin de Al/Ag antes del recocido, aadiendo una ltima evaporacin de plata. En realidad, esta primera evaporacin no es necesaria, pudindose evaporar todo el contacto posterior despus del recocido.
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Paso 1.- Oxidacin
Proceso Inicial Limpiezas previas: RCA1 + RCA2 + DHF T=1000C; T(H2O)=95C Flujos 5.4 l/min Entrada seca a 850 C, 5' Oxidacin: Ox. seca, O2, 40' / Ox. hmeda, O2(burbujeador) 150' / Ox. seca, O2, 60' Recocido: N2, 10' Salida: N2, 5' Resina: 5000 rpm. 50s Secado: estufa, 95C, 25' Exposicin y revelado: variable Endurecimiento: estufa, 95C, 25' Ataque xido: BHF Limp. resina + RCA1 + DHF + RCA2 + DHF T=84C; t=90' 4.5 l H2O DI: 90 g KOH: 337.5 ml IPA Limpiezas: RCA1 + DHF + RCA2 + DHF
Proceso Definitivo Limpiezas previas: RCA1 + RCA2 + DHF T=1000C; T(H2O)=95C Flujos 5.4 l/min Entrada seca a 850 C, 10' Oxidacin: Ox. seca, O2, 40' / Ox. hmeda, O2(burbujeador) 150' / Ox. seca, O2, 60' Recocido: N2, 10' Salida: N2, 10' Resina: 5000 rpm. 50s Secado: estufa, 95C, 25' Exposicin y revelado: variable Endurecimiento: estufa, 95C, 25' Ataque xido: BHF Limp. resina + RCA1 + DHF + RCA2 + DHF T=84C; t=40' 4.5 l H2O DI: 90 g KOH: 337.5 ml IPA Limpiezas: RCA1 + DHF + RCA2 + DHF T=850 C. Fuente POCl3 lquido a 24 C Entrada: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min), 10' Predepsito: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min) + N2/POCl3 (0.1 l/min), 30' Oxidacin: O2 (5.4 l/min), 10' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 10' Evaporacin en vaco con can de electrones. 1 m T=1100 C Entrada: O2 (5.4 l/min), 10' Redistribucin: N2 (5.4 l/min), 2h14' CAR, oxidacin: 36' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 10' Fotolitografa 2. Ataque xido, BHF Evaporacin Ti/Pd/Ag (500/200/1000 ) Lift-off + limpieza resina Crecimiento electroltico de Ag, 4-5 m Pulido de la cara posterior Limpieza ultrasonidos
2.- Apertura de ventanas. Fotolitografa 1.
3.- Texturado
4.- Predepsito de T=850 C. Fuente POCl3 lquido a 24 C Entrada: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min), 5' fsforo Predepsito: N2(8 l/min) + O2 (0.485 l/min) + N2/POCl3 (0.1 l/min), 30' Oxidacin: O2 (5.4 l/min), 10' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 5' 5.- Evaporacin de Evaporacin en vaco con can de aluminio electrones. 1 m 6.- Redistribucin T=1100 C de P/Al + CAR Entrada: O2 (5.4 l/min), 5' Redistribucin: N2 (5.4 l/min), 2h14' CAR, oxidacin: 36' Recocido: N2 (5.4 l/min), 10' Salida: N2 (5.4 l/min), 5' 7.- Metalizacin frontal. Fotolitografa 2 Fotolitografa 2. Ataque xido, BHF Evaporacin Ti/Pd/Ag (500/200/1000 ) Lift-off + limpieza resina Crecimiento electroltico de Ag, 4-5 m
8.- Eliminacin de la capa resistiva 9.- Metalizacin posterior 10.- Recocido en forming-gas 11.- Evaporacin Ag metal posterior Evaporacin Al/Ag (1500/4000 )
Evaporacin Al/Ag (1500/3000 )
Forming-gas, 5.4 l/min T=450C, 30' + 1h30' horno apagado
Forming-gas, 5.4 l/min T=405C, 10' + 30' horno apagado Evaporacin Ag (4000 )
Tabla III.10. Descripcin del proceso inicial y del nuevo para las clulas UPM-PPV.
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1. Oxidacin
2. Apertura ventanas. Fotolitografa 1
3. Texturado
4. Predepsito de P
5. Evaporacin Al
6. Redistribucin de P/Al + CAR de SiO2
7. Metalizacin frontal. Fotolitografa 2 Silicio CAR SiO2 SiO2 grueso Capa resistiva
8. Pulido capa resistiva
9. Metalizacin posterior + Recocido + Evaporacin Ag p+ (Al)
n+ (P) Metal
Fig. III.16. Proceso de fabricacin de las clulas UPM-PPV.
III.6.- Resultados de la fabricacin.

Con este proceso definitivo bien establecido, procesamos varias tandas ms de 20 obleas, con ms de 1000 clulas terminadas y medidas. En total procesamos 10 tandas de 20 obleas divididas en 2 grupos, que denominaremos Grupo 1 y Grupo 2. El Grupo 1 est compuesto por las tandas B, C, D, E y F; y el Grupo 2 por las tandas G, H, I, J y K. Del Grupo 1 utilizamos varias obleas para las pruebas de recocidos y mejora del contacto posterior, por lo que de este grupo nicamente analizar las obleas tandas D, E y F con el proceso definitivo. Las clulas del Grupo 1 tienen todas la capa AR ms gruesa del ptimo y pirmides de texturado demasiado grandes, por lo que tienen un mayor factor de sombra. Las clulas del Grupo 2 no tienen estos problemas, y hemos medido densidades de corriente de cortocircuito de ms de 35 mA/cm2. Adems, ahora las clulas tienen un contacto posterior soldable y sin resistencia de contacto posterior elevada. La resistencia serie es del orden de 4 - 5 m, segn lo esperado en diseo.
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En el Grupo 2 el emisor est menos dopado, debido a las condiciones de carga del horno, altamente variables, con resistencia de capa de hasta 120 /, muy lejos del ptimo. Adems, debido a un error, algunas obleas de las tandas G y H no se pulieron, por lo que no las voy a tener en cuenta en el anlisis de los resultados, puesto que no nos dan informacin sobre la repetitibilidad del proceso. Todas las clulas fueron procesadas, cortadas y caracterizadas en concentracin. Para reducir el tiempo de medida, slo tomamos 3 puntos cerca de la corriente de cortocircuito, otros 6 cerca del punto de mxima potencia y 3 ms cerca de la tensin de circuito abierto. Adems, slo tomamos datos del comportamiento a 100 soles. De un total de 1310 clulas procesadas, medimos 1075 clulas (el 82%), de las cuales 995 alcanzaron eficiencias mayores del 16% a 100 soles, lo que supone un 76% de las clulas procesadas y un 93% de las clulas medidas. Un 70% de las clulas medidas presenta eficiencia mayor del 18% a 100 soles. El mayor nmero de clulas se concentra en la franja de eficiencias del 18.5% al 19%, como se puede ver en el histograma de la Fig. III.17. En esta figura presento la eficiencia a 100 soles de todas las clulas medidas con el proceso definitivo, junto con el ajuste a una distribucin normal por el mtodo de mnimos cuadrados. El valor medio de esta distribucin es de 18.5% de eficiencia y la desviacin estndar es de 1.1%. Hemos llegado a medir clulas con eficiencia mxima del 21.7% a 100 soles.
Fig. III.17. Histograma con los resultados del total de la produccin con el proceso definitivo y el ajuste a una distribucin normal (lnea gruesa).
Resultados por grupos En la Fig. III.18.A. muestro los histogramas de eficiencia a 100 soles de las clulas de los grupos 1 y 2. Para poder hacer una comparacin efectiva, en el eje de ordenadas presento el porcentaje de clulas del grupo con una eficiencia dada.
En las Fig. III.18.B. y C. he representado los histogramas de cada grupo por separado, junto con su correspondiente ajuste a una distribucin normal. Los resultados se muestran en la Tabla III.11. Como se puede ver en estas grficas y en la tabla, el Grupo 1 presenta mejores resultados que el Grupo 2, tanto de valores medios como de dispersin.
Fig. III.18. Distribucin de eficiencias de la produccin con el proceso definitivo por grupos. La lnea continua representa el ajuste a una distribucin normal.
Grupo 1 Media Desviacin estndar Moda 19.0 0.7 19.0 - 19.5%
Grupo 2 18.3 1.0 18.5 - 19.0%
Total 18.5 1.0 18.5 - 19.0%
Tabla III.11. Eficiencia a 100 soles del ajuste normal por grupos.
A pesar del problema en la difusin del emisor, algunas caractersticas del Grupo 2 mejoraron mucho. La mayor mejora se produjo en la corriente de cortocircuito, con menor factor de sombra y una capa antirreflectante ptima, Fig. III.19, donde muestro la distribucin de corrientes de cortocircuito en cada grupo. En dicha figura se ve la gran mejora del Grupo 2. La distribucin en B. es claramente la suma de dos distribuciones muy diferenciadas. El primer grupo presenta una Jsc promedio de 3.26 0.07 A/cm2 a 100X, mientras que en el segundo conseguimos aumentar hasta 3.53 0.08 A/cm2. Sin embargo, este aumento del 8% de la corriente de cortocircuito no se tradujo en un aumento en la mxima potencia, debido al emisor muy resistivo, lejos del ptimo, como hemos comentado anteriormente.
Fig. III.19. Corriente de cortocircuito de la produccin total, separada por grupos, y su ajuste a una distribucin normal (lneas).
Mejores resultados La mayor parte de las clulas fabricadas presentan eficiencias a 10 W/cm2 entre 18.5% y 19.5%. Sin embargo, hay un 20% de clulas de ms del 19.5% y un 8% con ms del 20%. Hemos medido algunas de las mejores clulas hasta concentraciones tan elevadas como 25 W/cm2, con eficiencias del 21% a 100 soles y que se mantienen muy cercanas al 20% para 250 soles, Fig. III.20. En esta figura muestro la curva eficiencia frente a concentracin para una de las mejores clulas fabricadas, junto con dos simulaciones de PC1D. La primera de ellas es la clula diseada, mientras que la segunda es la misma clula pero con un mayor factor de sombra, ya que esta clula pertenece a una de las tandas con grandes sombras por el metal. En esta grfica se puede ver que es posible mantener eficiencias elevadas de la clula de silicio a concentraciones por encima de doscientos soles. Como ya he comentado anteriormente, la resistencia de la base es el factor que ms limita el comportamiento de las clulas de silicio a concentraciones luminosas elevadas, ver Tabla III.5. El hecho de que podamos seguir trabajando eficientemente con esta luz, est relacionado con la modulacin de la conductividad en la base, y por tanto con la disminucin de la componente de resistencia debida a ella.
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Fig. III.20. Eficiencia vs concentracin de una de las mejores clulas fabricadas, que mantiene cerca del 20% de eficiencia hasta 250X.
En el rango de dopajes en el que estamos trabajando, aunque no entramos totalmente en rgimen de alta inyeccin, al aumentar la densidad de luz aumenta la concentracin de portadores de ambos tipos en la base, lo cual reduce algo la resistencia serie, pero sin aumentar excesivamente la recombinacin. He calculado la influencia de este aumento de portadores en la resistencia serie calculando la contribucin a la misma de la regin de base (250 m en este caso) a partir de la concentracin y movilidad de los de portadores a la tensin de mxima potencia, que es el punto de trabajo en el que estamos ms interesados. La expresin utilizada es: r base=base r x dx=base 1 dx q n x n x p x p x [Ec. III.9]
donde los perfiles de concentracin de portadores los he obtenido de la simulacin de PC1D con esta misma clula. En la Tabla III.12. resumo los resultados para varias concentraciones en una base de 0.227 cm, que es el valor medido en la oblea F8f. Como se puede ver, a 250X la resistencia de la base efectiva disminuye un 10.8% con respecto a la calculada teniendo nicamente en cuenta los mayoritarios. Es esta disminucin, mientras que se mantiene la concentracin de portadores a niveles aceptables, y por tanto la recombinacin, lo que permite alcanzar buenas eficiencias hasta concentraciones tan elevadas. En las ltimas columnas muestro la fotogeneracin y recombinacin acumuladas en un punto intermedio de la clula, a 150 m de la cara frontal, as como su relacin. Vemos que la recombinacin crece ms rpidamente que la fotogeneracin, por lo que su relacin se reduce. Al aumentar la concentracin, este
efecto se vuelve ms importante que la disminucin de resistencia serie, y se convierte en la principal limitacin. En nuestro caso, esto an no ocurre, y an podemos sacar partido de la modulacin de la conductividad.
X rbase PC1D (soles) (mcm2) 100 150 200 250 5.4 5.2 5.1 5.0
rbase terica [Ec. III.4] (mcm2) 5.5 5.5 5.5 5.5
Diferencia
Fotogeneracin Recombinacin acumulada a 150 m, acumulada a 150 m, G (s-1) R (s-1) 2.21019 3.31019 4.410 5.510
19 19
G/R
3.5% 6.0% 8.0% 10.8%
1.21018 1.91018 2.610 3.710

18 18
18.6 17.1 16.7 14.9
Tabla III.12. Efecto de la modulacin de la conductividad en la base.
En caso de tener bases menos dopadas, este efecto aumenta, de forma que la relacin entre generacin y recombinacin pasa del 13 al 2 al aumentar la concentracin de 100 a 250X. De esta forma, mientras que con bases muy dopadas tenemos eficiencias del 20% a 250X, con la base menos dopada caeramos hasta el 18%. Hemos realizado medidas de eficiencia cuntica de una de las clulas con buenos resultados de fotogeneracin, pero elevada resistencia serie, Fig. III.21. En esta grfica muestro las medidas de reflectividad total de la clula (incluyendo metal), eficiencia cuntica interna y externa. Adems, he simulado en PC1D esta misma medida, tomando la reflectividad real de esta clula, algo diferente a la de diseo. Como se puede ver en la grfica, el ajuste es muy bueno, por lo que los parmetros de diseo se han elegido adecuadamente. Ademas, corrobora que el problema de dichas tandas era la resistencia de contacto posterior.
Fig. III.21. Reflectividad, eficiencia cuntica externa e interna medidas y simuladas. Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin 67
En esta grfica podemos ver que la superficie frontal est muy bien pasivada, y que el peor comportamiento de la clula se produce en la zona de longitudes de onda largas, relacionadas con el comportamiento de la superficie posterior. En nuestro caso, debido a la capa BSF de aluminio, eran esperables velocidades de recombinacin posterior elevadas (107 cm/s), que vemos que se ajustan bien a la clula real. Curva de aprendizaje y rendimiento del proceso A pesar de la disminucin de eficiencia en las clulas del segundo grupo, debido a los problemas con la difusin del emisor, podemos ver una clara curva de aprendizaje en esta secuencia de fabricacin en dos sentidos, Fig. III.22.: en primer lugar, el nmero de clulas rotas durante el procesado de cada tanda ha disminuido desde casi el 50% en las primeras tandas hasta menos del 10% de las clulas iniciadas en la ltima. En segundo lugar, de las clulas terminadas, podemos ver un aumento del nmero de clulas con eficiencias a cien soles por encima de un valor dado. En concreto, en esta grfica muestro el nmero de clulas con eficiencias mayores del 16%, aunque la tendencia es similar para cualquier valor de eficiencia. Las ltimas tandas tienen hasta el 99% de las clulas con eficiencia por encima del 16% y 70% de ellas por encima del 18% a 100X.
Fig. III.22. Curva de aprendizaje: roturas y eficiencia para cada tanda. Las tandas D, E y F forman el Grupo 1 y el resto el Grupo 2. La lnea discontinua es la prdida total de rendimiento; la lnea continua indica las clulas medidas con eficiencia mayor del 16%.
En esta figura muestro tambin el paso del proceso donde se rompen las clulas. Los pasos que causan el mayor nmero de roturas son el lift-off (27% del total de clulas rotas), y el corte de las clulas (51% de roturas). La segunda causa se debi a un problema
con la plataforma de vaco de sujecin de la oblea en la cortadora de obleas, que fue eliminado en el segundo grupo, reduciendo dichas roturas a menos del 3% de las clulas cortadas. An as, es un nmero elevado, pero que en una produccin estable no tendra porqu producirse con las cortadoras automticas que hay actualmente en el mercado. Tambin aparece un pequeo nmero de roturas en otros pasos, como durante el secado y aclarado de las mismas en una centrifugadora y problemas de manipulacin durante la evaporacin y la medida de las clulas. Como comentamos en el Apartado III.4., solucionamos los problemas de manipulacin disminuyendo las tensiones trmicas y manejando las obleas de los puntos con menos tensiones acumuladas. Todos esos problemas fueron solucionados durante las primeras tandas. El peor problema, que no resolvimos durante esta produccin, fue la rotura durante el proceso de lift-off en acetona y con ultrasonidos. Este porcentaje no se redujo a medida que la produccin avanz y se mantuvo estable entre un 3 y un 9% de las clulas procesadas, con slo una tanda sin ninguna rotura. Este paso s debera ser ms optimizado en caso de una completa industrializacin de este proceso, ya que supone no slo la rotura de muchas clulas, sino la ruptura completa del ritmo de procesado. En nuestro caso, en muchas ocasiones hemos podido utilizar obleas rotas que an tenan la mitad o ms de las clulas debido a nuestro proceso manual. Si hubisemos desechado todas las clulas de cada oblea rota en el lift-off el rendimiento de este proceso en concreto habra sido bastante peor, con un promedio de roturas de obleas del 19% y mximos de hasta el 30% de obleas de la tanda slo en el paso de lift-off. Se podra eliminar el paso de ultrasonidos cambiando el mtodo de depsito y delineacin de los dedos de metalizacin frontal por ataques qumicos del metal en lugar del levantamiento(lift-off) del metal sobrante. Para ello, primero hay que depositar el metal y luego hacer la fotolitografa y atacar qumicamente los metales sobrantes, como se resume en la Tabla III.13.
Proceso de Lift-off Fotolito: Depsito de resina + Exposicin + Revelado (Mscara de Metalizacin) Ataque capa SiO2 pasivador y antirreflectante Evaporacin Ti/Pd/Ag Lift-off con acetona en ultrasonidos Limpieza de resinas
Proceso alternativo Fotolito: Depsito de resina + Exposicin + Revelado (Mscara de Contacto) Ataque capa SiO2 pasivador y antirreflectante Limpieza de resinas Evaporacin Ti/Pd/Ag Fotolito: Depsito de resina + Exposicin + Revelado (Mscara de Metalizacin, negativo de las de lift-off y contacto) Ataque de Ti/Pd/Ag Limpieza de resinas
Tabla III.13. Proceso alternativo al lift-off.
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Como podemos ver en esta tabla, el proceso es ms complicado, puesto que requiere de un paso ms de fotolitografa, y por tanto de alineacin, que adems ha de ser muy precisa, entre la mscara de contacto para eliminar el xido pasivador bajo los dedos de metalizacin y la mscara del ataque de metales. Sin embargo, elimina el paso de ultrasonidos. Es un compromiso entre rendimiento y simplicidad del proceso que debera ser evaluado en caso de industrializacin de este proceso.
III.7.- Viabilidad, costes y posibles mejoras.

Como hemos visto a lo largo de este captulo, es viable el procesado de clulas de concentracin de silicio con eficiencias razonablemente buenas a concentraciones luminosas elevadas. Dicho procesado se ha hecho en unas condiciones de fabricacin poco exigentes, como las que podran existir en cualquier fbrica de clulas solares, y sin utilizar los equipos ms caros de instalar, utilizar y mantener que existen en una fbrica tpica de microelectrnica. Hemos utilizado difusin de fsforo en horno a partir de fuente lquida y evaporacin de aluminio, lo que evita la necesidad de caros implantadores inicos y adems da lugar a un buen efecto de extraccin de impurezas. Este tipo de clulas solares no tiene motivos muy pequeos que delinear por fotolitografa (el tamao mnimo es de 15 m), por lo que los requisitos de precisin en la alineacin, y por tanto de los equipos y la propia sala son muy sencillos. No son necesarias salas de fotolitografa de clase 10 con flujo laminar ni acondicionadas frente a vibraciones, como lo que ocurre en las salas de microelectrnica dedicadas a la fabricacin de dispositivos en el umbral de las 0.35 m. Prcticamente cualquier alineador semiautomtico se puede utilizar con este tipo de procesos, que ni siquiera requieren de steppers, mucho ms precisos. El mayor problema aparecido en este trabajo ha sido la capa altamente resistiva de xidos de silicio y aluminio durante el proceso de redistribucin y crecimiento de la capa antirreflectante de xido de silicio. Esto se podra evitar utilizando otro tipo de capas antirreflectantes, como TiO2, SiN depositado por tcnicas de CVD (Chemical Vapour Deposition) o PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) o bien depositando el SiO2 por otras tcnicas, como LPCVD (Low Presure Chemical Vapour Deposition), LTO (Low Thermal Oxide) o PECVD. Todas ellas se realizan a baja temperatura, por lo que no generaran estos xidos no deseados y estn disponibles en cualquier fbrica de microelectrnica y tambin actualmente en las fbricas de clulas solares de panel plano, ya que cada vez ms se utilizan equipos de PECVD para el depsito de capas AR de nitruro de silicio, que tiene muy buenas propiedades pticas. Adems, el nitruro de silicio tiene la ventaja de tener buenas caractersticas pasivadoras tanto del volumen como de la superficie cuando se crece en exceso de hidrgeno [Luque03], p. 284. Otro de los problemas aparecidos, como es la difusin del emisor resistivo del segundo grupo de tandas procesado, es fcilmente evitable. Especialmente en una produccin continua, con los hornos de difusin cargados y controlados, donde se realiza continuamente el mismo tipo de difusin controlada, se pueden obtener emisores muy
repetitivos tanto dentro de la misma oblea como de oblea a oblea y de tanda a tanda. Es de esperar, pues, un pequeo aumento de eficiencia an, en clulas que tengan las fotocorrientes del segundo grupo y con el emisor del primero. En cuanto al rendimiento del proceso, hemos visto que los puntos dbiles son el liftoff y el corte de las clulas. El segundo no es un problema intrnseco del proceso, sino de la mquina cortadora, manual y bastante antigua, donde se han cortado las clulas. El problema con el vaco se redujo hasta romper slo el 3% de las clulas cortadas, generalmente por desgaste o rotura de la cuchilla de corte. Las cortadoras actuales tienen rendimientos mucho mejores, ya que controlan por visin tanto el aspecto del corte (chipping en ingls) como el estado de la cuchilla. Este defectivo se debera reducir hasta nmeros inferiores al 1%. El mayor problema se mantiene en el proceso de lift-off, al que no encontramos solucin durante este proyecto. Como he comentado en el apartado anterior, se podra cambiar a un proceso con mscara de contacto y ataque de metales en lugar de lift-off. En cuanto al coste de utilizar este tipo de tecnologa para clulas trabajando a 100 soles (10 W/cm2 sobre la clula, o lo que es lo mismo 140 soles geomtricos, teniendo en cuenta 850 W/m2 de irradiancia directa y una eficiencia ptica del 85%), el principal resultado de este trabajo ha sido la obtencin de la distribucin de eficiencia, as como el rendimiento de fabricacin. Estas dos figuras me han permitido calcular el coste de este proceso, basado en el coste de los equipos, materiales, mano de obra y costes financieros de la tecnologa de clulas solares del espacio, as como de la microelectrnica, que es la tecnologa ms similar a la lnea de partida de la tecnologa que presento aqu. He llevado a cabo el anlisis separando el coste en las siguientes categoras: Equipos, con amortizacin a 5 aos e incluyendo mantenimiento (1% del coste total por ao). Materiales, incluyendo electricidad y todos los consumibles excepto las obleas de silicio de partida. Mano de obra, que incluye la debida directamente a produccin y mantenimiento, as como las personas dedicadas a tareas indirectas (ingeniera, administracin o direccin). Costes de infraestructura, que engloba el edificio, los materiales en almacn y los costes financieros. Silicio de partida.
Teniendo en cuenta el trabajo previo realizado en este captulo, as como las posibles mejoras esperables en un entorno productivo, he definido dos escenarios de coste: Lnea piloto: con la eficiencia y el rendimiento de fabricacin promedios de las ltimas tandas de este trabajo, 70% de rendimiento y 18% de eficiencia. Produccin industrial: 90% de rendimiento de fabricacin y una eficiencia del
19.5%. ste es un caso mejorado, suponiendo que trabajamos en una lnea automtica o semiautomtica dedicada al mismo proceso, donde se podra reducir significativamente la dispersin que hemos visto en este trabajo (p.ej., errores como el emisor resistivo del segundo grupo seran mucho ms improbables en hornos dedicados continuamente al mismo proceso). Adems, considero una mayor eficiencia promedio, que hemos demostrado alcanzable en este captulo. Esta estimacin de costes est basada en una fbrica con una capacidad de 20 MW/ao, procesando obleas FZ de 6 pulgadas de dimetro, trabajando a 3 turnos durante 5 das a la semana (utilizando los fines de semana para labores de mantenimiento) y suponiendo que las mquinas trabajan a un 90% de su capacidad para poder absorber las paradas de equipos no previstas. La estimacin de costes de cada categora se ha basado en los siguientes supuestos, resumidos en la Tabla III.14:
Equipos
He calculado el nmero de equipos necesarios teniendo en cuenta las productividades y tiempos de proceso de este tipo de equipos. En cada caso, he tenido en cuenta el rendimiento en fabricacin final, no el de cada paso individual. De esta forma, cada equipo es capaz de manejar el total de las obleas necesarias para llegar a los 20 MW finales. Como se puede puede ver en la Tabla III.14., por el nmero de equipos necesarios, el cuello de botella de este proceso es la evaporacin por bombardeo de electrones (e- beam evaporation en ingls), debido al largo tiempo necesario para hacer vaco, as como para evaporar los metales. Especialmente, la evaporacin de 1 m de aluminio, que requiere tiempos del orden de media hora. Una alternativa ms rpida es el sputtering, pero su influencia en la pasivacin de la superficie, y por tanto en la eficiencia, no ha sido comprobada durante este trabajo. Los costes de inversin asociados a estos equipos los he calculado teniendo en cuenta que la industria de la microelectrnica se est moviendo hacia mayores dimetros de obleas (200 y 300 mm) y menores tamaos de los motivos (por debajo de la micra), por lo que hay una gran disponibilidad en el mercado de equipos de segunda mano capaces de aceptar obleas de 6" a un coste mucho menor que el del equipo nuevo [Crane96].
Materiales
Calculados con las cantidades, concentraciones y tiempos utilizadas en este captulo, Tabla III.10.
Mano de obra
Teniendo en cuenta el nmero de equipos a manejar ms los empleados indirectos, ver Tabla III.14.
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Infraestructura, material almacenado y costes financieros
Se ha estimado con los precios actuales para construir una sala de clase 100 000 de 1000 m2. Como hemos visto en este captulo, con el tamao de malla de metalizacin que utilizamos y un paso de extraccin de impurezas de aluminio, no es necesaria una sala muy limpia para fabricar estas clulas con buenas eficiencias. Sin embargo, he incluido un cierto filtrado y recirculacin del aire, as como cabinas de flujo laminar en las entradas del horno y en el rea de fotolitografa. Estas mejoras con respecto a las instalaciones utilizadas en este proyecto pueden dar lugar a menores dispersiones en los resultados y a tener un proceso ms robusto, necesario para una produccin industrial. El coste de las instalaciones incluye los equipos auxiliares para el suministro de agua desionizada, aire comprimido, vaco y eliminacin de los residuos. En cuanto al almacn y los costes financieros, he considerado un 6% del coste de los materiales que se manejan en un ao.
Lnea piloto (70% rendimiento, 18% eficiencia) Equipos: - Bancos de qumicos - Hornos de difusin - Alineadores - Evaporadoras - Pulidoras - Cortadoras de diamante Mano de obra: - Directa - Ingeniera - Administracin y direccin Materiales: - Obleas de silicio - Uso de silicio - Qumicos de grado electrnico - Gases de alta pureza - Metales - Dopantes 126 986 0.74 10010
3
Produccin (90% rendimiento, 19.5% eficiencia) 4 4 1 columna con 4 tubos 1 6 2 2
Unidades
1 columna con 4 tubos 1 8 2 2
19 5 8
14
Personas por turno
5 Personas 8 Personas 91 170 Obleas/ao 0.53 g/W 70103 l/ao 3.6103 m3/ao 35 Kg/ao 1.8 l/ao
5.0103 48 2.5
Tabla III.14. Algunos nmeros clave del clculo de costes en los dos escenarios considerados.
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Silicio de partida
Para calcular el nmero de obleas a procesar, he tenido en cuenta el rendimiento en fabricacin final de la lnea, no el de cada paso individual. Adems, he tenido en cuenta un mejor uso de la oblea. Las dimensiones de la clula de este proyecto estaban establecidas por el sistema Proteas, que proporciona un foco puntual rectangular de 6 x 1 cm2. Para hacer un mejor aprovechamiento de la oblea, fabricamos clulas de 3 x 1 cm2. Aun as, dicha relacin de aspecto da lugar a un aprovechamiento muy bajo de la oblea (10 clulas por oblea, lo que supone el 31% del rea en obleas de 4 pulgadas de dimetro si tenemos en cuenta el rea activa de la clula, y el 50% si tenemos en cuenta el rea total de la clula incluyendo los colectores de corriente laterales). Para el clculo de costes, sin embargo, he utilizado una clula ms genrica, de 1 cm2 con dos colectores de corriente de 0.5 mm de anchura. Esto resulta en una ocupacin del 71% de la oblea de 6 pulgadas si tenemos en cuenta el rea activa, y del 78% si tenemos en cuenta el rea total de la clula, Fig. III.23.
Fig. III.23. Distribucin de clulas en la oblea de 4 pulgadas con la forma de las clulas Proteas y una ms genrica de 1 cm2 en oblea de 6 pulgadas.
El uso de silicio va de 0.53 a 0.74 g/W, lo cual supone una reduccin muy importante comparado con los valores del orden de 9.1 g/W de las clulas de un sol de silicio policristalino [Caizo08]. A pesar de la mayor eficiencia de la clula y del nivel de concentracin, esta cantidad no es una centsima parte del material utilizado, ya que en este caso no se utiliza toda la oblea redonda, mientras que las obleas cuadradas de silicio policristalino se usan en su totalidad. Sin embargo, an supone el mayor componente del coste (entre el 38% y el 41% del coste total de la clula, Fig. III.24., frente al 55% del coste en clulas de un sol), ya que la calidad del material de partida en nuestro caso es mucho mayor, y las obleas son ms caras. El coste estimado va desde 0.31 a 0.41 /W para los escenarios de produccin y lnea piloto, respectivamente. Sin la oblea de partida, esto supone entre 0.19 y 0.24 /W, que es el coste del proceso. En caso de la tecnologa estndar actual de panel plano con polisilicio,
el coste promedio del proceso es de 0.58 y 1.29 /W sin y con oblea de silicio, respectivamente [Caizo08]. A pesar de un proceso ms complicado, vemos que utilizando un factor de concentracin de 100X es posible reducir el precio de la clula de forma significativa. Estos costes son comparables (en trminos de /W) con los precios actuales del mercado y utilizando un sistema de concentracin a 100 soles, frente a los ms de 300 con los que se utilizan actualmente las clulas de silicio de contacto posterior, o los ms de 500 e incluso cerca de 1000 que requieren las clulas multiunin, que actualmente son unas cien veces ms caras que las clulas comerciales de panel plano [Kinsey08]. Las ventajas de un menor nivel de concentracin son la necesidad de un sistema menos rgido (puesto que en general, el ngulo de aceptancia aumenta al disminuir la concentracin y por tanto disminuyen la rigidez del sistema y los requisitos de seguimiento al sol) y una menor cantidad de calor que disipar (lo que permite una menor temperatura de operacin y por tanto aumentar la fiabilidad, o bien relajar los requisitos de disipacin del sistema para trabajar a la misma temperatura, y por tanto reducir el coste).
Fig. III.24. Distribucin de costes para los dos escenarios considerados.
Aunque en esta tesis no hemos entrado en ms detalles del sistema, es muy razonable suponer que con estas ventajas en el sistema, sea posible alcanzar precios comparables con los actuales sistemas de mayores concentraciones con este tipo de clulas trabajando a 100 soles efectivos en la clula o 140 soles geomtricos, no siendo la fabricacin o el precio de la clula el factor limitante de dicha tecnologa.
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III.8.- Conclusiones.
En este captulo hemos visto que es viable tanto tecnolgica como econmicamente la fabricacin de clulas solares de silicio de alta eficiencia para su uso en concentracin hasta unos 100 soles efectivos en lneas de fabricacin muy sencillas comparados con los procesos habituales de la microelectrnica y con rendimientos tanto en produccin como elctricos muy razonables. Durante el desarrollo de este proyecto hemos complicado algo la secuencia debido a algunos problemas inesperados. Estos cambios incluyen el recocido antes de la evaporacin del contacto frontal y la necesidad de aadir un paso de pulido mecnico de la cara posterior para eliminar la capa altamente resistiva que se forma durante la redistribucin y crecimiento de la capa antirreflectante. Con este proceso, hemos fabricado ms de 1000 clulas, con una eficiencia promedio a cien soles del 18.5% y con ms del 70% de las clulas producidas con eficiencias por encima del 18% a 100X. Hemos medido clulas de hasta 21.7% a 10 W/cm2. Los puntos dbiles del proceso son el lift-off y el corte. Ambos podran mejorarse mediante la automatizacin del proceso. Adems, diferentes capas antirreflectantes podran evitar la capa resistiva, dando lugar a un proceso ms simplificado an. Hemos evaluado el coste de este proceso, dando lugar a valores del orden de 0.31 a 0.41 /W, incluyendo la oblea de silicio. Este es el resultado ms significativo de este trabajo: demostrar que la tecnologa de base del IES, basada en la utilizada para las clulas del espacio, es capaz de producir clulas de silicio de concentracin de alta eficiencia en una fabricacin industrial con un coste competitivo.
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Captulo
IV. Clulas de Concentracin de Contacto Exclusivamente Posterior: Clula CEP
Como he descrito en el captulo II, desde mediados de los aos 70 se han propuesto diferentes estructuras para tener clulas con contacto exclusivamente posterior. De todas ellas, slo la clula de contacto puntual, BPC, se ha utilizado en concentracin, mientras que en el resto de conceptos los esfuerzos se han dirigido hacia la disminucin de costes para clulas de un sol. La clula de contacto puntual requiere de elevadas longitudes de difusin, por lo que es necesario partir de material con longitudes de difusin elevadas y mantenerlas durante el proceso, lo cual exige la fabricacin en un ambiente muy limpio y con procesos muy controlados, resultando muy cara. La propuesta que presento en este captulo y el siguiente es el uso de clulas de concentracin con contacto posterior del tipo Front Metallization Wrap Through realizadas en material FZ y con procesos de clulas de alta eficiencia ms sencillos y con requisitos menos estrictos de calidad de ambiente y de proceso que la clula de contacto puntual. En este captulo describo la clula de Contacto Exclusivamente Posterior, CEP, y hago una optimizacin de la malla de metalizacin y el nmero de agujeritos ptimos para cada nivel de concentracin, basndome en el clculo de la resistencia serie de la clula por el mtodo de prdidas de potencia y utilizando dichos valores para hacer una serie de simulaciones en PC1D con las que buscar la configuracin ptima. A continuacin, me centro en la principal diferencia tecnolgica entre estas clulas y la clula convencional de P/Al utilizada en la clula UPM-PPV descrita en el captulo anterior: cmo conseguir hacer un nmero pequeo de agujeritos en una oblea de silicio sin daar el material. En concreto, estudio las posibilidades de hacerlo por ataque qumico anisotrpico, as como taladrando con fresas de diamante. En el ltimo caso, aado un apartado con los resultados de taladrar clulas ya terminadas, analizando las clulas resultantes por varios mtodos (curvas IV en iluminacin a un sol, LBIC, termografa...).
IV.1.- La clula CEP: descripcin.

La Clula Solar de Contacto Exclusivamente Posterior, clula CEP, es una clula de concentracin con una malla de metalizacin frontal que dirige los portadores colectados a un pequeo nmero de agujeritos metalizados, los cuales conducen la corriente a la cara posterior. De esta manera, se incrementa la eficiencia de coleccin de portadores, disminuyendo la resistencia serie y el factor de sombra. Adems, esto permite la conexin de varias clulas en serie o en paralelo sin necesidad de dejar reas inactivas entre ellas o de soldar cintas metlicas anchas que dan ms sombra a la clula. En la Fig. IV.1. muestro un esquema de la geometra de la clula donde aparecen las metalizaciones frontal y posterior, y un corte transversal. Esta es una de las posibles estructuras, en la que los agujeritos se habran hecho al principio del proceso, permitiendo que haya una difusin de fsforo en las paredes de los mismos. En el captulo siguiente veremos las diferentes propuestas de proceso de fabricacin y la estructura resultante, que en cualquier caso es muy similar a la que muestro en la Fig. IV.1.
Captulo IV. Clulas de Concentracin de Contacto Exclusivamente Posterior: Clula CEP
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Fig. IV.1. Estructura de la clula CEP.
Para la cara frontal, muestro una metalizacin rectangular, donde la corriente es recogida por unos dedos ms finos (verticales en la Fig. IV.1.) que cruzan a una barra colectora perpendicular a ellos que pasa por cada fila de agujeritos (horizontales en la Fig. IV.1.). Esta barra colectora conduce la corriente a los agujeritos y es ms ancha que los dedos perpendiculares, aunque mucho ms estrecha que la de una clula convencional (56 m en una clula CEP para 100X, frente a ms de 700 m en una clula convencional para 1X), como veremos en el apartado de optimizacin de la malla de metalizacin. En la cara posterior tendremos una malla en forma de peine interdigitado, para realizar las conexiones positiva y negativa de la clula solar. En cuanto a materiales, capas difundidas, etc., la estructura en la misma que la de la clula de alta eficiencia de P/Al descrita en el captulo anterior, a saber: material de base Si tipo p, dopado con boro, con resistividades entre 0.1 y 1 cm, emisor de fsforo difundido a partir de fuente lquida de 50 /, BSF de aluminio evaporado y posteriormente redistribuido, metalizacin frontal de Ti/Pd/Ag, metalizacin posterior de Al/Ag y capa antirreflectante de xido de silicio crecido trmicamente durante la redistribucin de P/Al. La geometra de la clula es cuadrada, de 2 x 2 cm2, con N = m2 agujeritos repartidos uniformemente en la clula en m filas y m columnas, y con las caractersticas de la metalizacin determinadas por la tecnologa del IES, Tabla IV.1. El dimetro de los agujeritos lo escog teniendo en cuenta los diferentes mtodos para hacerlos, que detallo en el apartado IV.4. En esta tabla aparecen las dos opciones: en forma tronco-piramidal, resultado de un ataque qumico anisotrpico, y en forma cilndrica, que corresponde a un agujero taladrado con una broca de diamante de 0.6 mm de dimetro. En el siguiente apartado analizar el efecto de esta metalizacin en la eficiencia de la clula, optimizando la metalizacin (nmero de dedos y anchura de los colectores de corriente), junto con el nmero de agujeritos, para varias concentraciones y resistividades de base.
80
Parmetro Lado de la clula, L Espesor de la oblea, w Anchura de los dedos de metalizacin, wf Semianchura de la barra colectora, wb Altura de la metalizacin frontal (dedos y barra colectora), hf Separacin entre dedos, s Nmero de agujeritos, N = m2 Lado de los agujeritos en la cara frontal (qumico), lf Lado de los agujeritos en la cara posterior (qumico), lp , l p=l f 2w Dimetro de los agujeritos (circular), da Tabla IV.1. Caractersticas geomtricas de la clula CEP.
Valor
Unidades
20 mm 280 m 15 m Variable 4 m Variable Variable 815 m 420 m 600 m
IV.2.- La clula CEP: diseo. Malla de metalizacin y nmero de agujeros.

Para optimizar la malla de metalizacin de la clula CEP utilic el mismo mtodo que para la malla de metalizacin de la clula UPM-PPV, descrito en el apartado III.1.2.: calculo la resistencia serie como un nico parmetro constante y agrupado suma de varias componentes cuyas expresiones obtuve por el mtodo de las prdidas de potencia que utilic en dicho apartado. Para cada nmero de agujeritos en la clula calculo la resistencia serie variando el nmero de dedos y la anchura del colector de corriente. Con estos valores de la resistencia serie y factores de sombra, ejecuto una serie de simulaciones de PC1D hasta encontrar el mximo de potencia a la concentracin deseada. Repitiendo para diferente nmero de agujeritos, podemos ver su influencia en el comportamiento de la clula y elegir el diseo ptimo de la misma.
IV.2.1.- Clculo de la resistencia serie. El anlisis que voy a hacer aqu es unidimensional, considerando que la resistencia serie es un parmetro agrupado y constante. Adems, en el caso de la base, voy a considerar que, para disminuir al mximo la resistencia de contacto, la mayor fraccin posible de la cara posterior estar contactada, por lo que supongo que la corriente se mueve de forma perpendicular a la superficie de la clula. Adems, esto supone que al encapsular la clula los portadores atravesarn directamente el metal posterior para pasar a la pista de cobre del sustrato, que tiene un espesor mucho mayor que ste, y por tanto no contribuye apreciablemente a la resistencia serie de la clula, por lo que no he tenido en cuenta este trmino en los clculos de optimizacin (en el diseo que finalmente se hizo, y teniendo en cuenta pistas de cobre de 400 m de espesor, supone del orden de un
Captulo IV. Clulas de Concentracin de Contacto Exclusivamente Posterior: Clula CEP 81
1% de la resistencia serie tecnolgica). En la Fig. IV.2 se muestran las vistas transversal y superior de la celda unidad de la clula CEP. En este ejemplo se muestra un agujero en forma de tronco de pirmide cuadrada, que es lo que se obtiene en caso de hacerlos con ataque qumico, como describir ms adelante. Otra opcin es tener un agujero cilndrico, que es el ejemplo con el que voy a hacer los clculos de resistencia serie, y es la forma que se obtiene al hacer los agujeros mecnicamente, como tambin tratar posteriormente.
Fig. IV.2. Corte transversal y vista superior de la celda unidad de la clula CEP.
Los componentes en que podemos dividir la resistencia serie total de la clula unidad son: Resistencia debida a la base, rb. Resistencia debida a los contactos frontal y posterior, rcf y rcp. Resistencia debida al emisor, re. Resistencia debida a los dedos de metalizacin, rmf. Resistencia debida al colector de corriente, rbus. Resistencia debida a los agujeritos, ra. Las expresiones para el factor de sombra y los componentes de la resistencia serie calculados de esta forma son los que aparecen en la Tabla IV.2., donde fs es el factor de a L sombra; n= es el nmero de dedos por celda unidad; a= es el lado de la s 2m celda unidad; s es la separacin entre dedos de metalizacin; b es la resistividad de la base; cf y cp son las resistencias especficas de contacto frontal y posterior, m respectivamente; Re es la resistencia de capa del emisor y Rsm= es la resistencia de hf capa de la metalizacin frontal. Suponemos que el contacto posterior se hace en toda la
superficie salvo en los agujeritos, por lo que el factor de recubrimiento posterior es el expresado en la [Ec. IV.2], ya que a cada celda unidad le corresponde de agujerito. En ella muestro las expresiones para la componente de los agujeritos para varios casos de taladrado (agujeritos cilndricos) o ataque qumico anisotrpico, (agujeritos tronco-piramidales). Se puede ver que, debido al estrechamiento de la seccin que se da en los agujeritos tronco-piramidales, es necesario un agujerito piramidal mucho mayor para tener la misma resistencia serie que uno cilndrico. En concreto, si quisiramos mantener la misma resistencia debida a los agujeritos que en la clula diseada, CEP100X, es necesario un agujero de 815 mm de lado en su base mayor y 420 mm en su base menor para igualar la resistencia de uno cilndrico de 600 mm de dimetro, que da lugar a un 28% ms de factor de sombra (del 8.1% con agujeritos cilndricos al 10.5% en agujeros troncopiramidales), por lo que la fotogeneracin ser menor, y tambin la eficiencia.
Factor de sombra
f s=
d 1 n w f awbwb ad a /2 a 4 2 a
2 2 1 d a f rp =1 16 a 2
[Ec. IV.1]
Factor de recubrimiento posterior Base Contacto frontal
[Ec. IV.2] [Ec. IV.3] [Ec. IV.4]
r b=b w
r cf = r cp =
cf fs cp f rp
3
Contacto posterior
[Ec. IV.5]
Emisor
awb sw f 1 r e = Re 12 a s
[Ec. IV.6]
Metalizacin frontal
awb3 sw f 2 1 r mf = Rsm 3 a swf awb 2 ad a /23 1 r bus = Rsm 3 wb a2 r a , circular=16 m w a 2 1 f s 2 d2 a
[Ec. IV.7]
Barra colectora
[Ec. IV.8]
Agujeritos (circular) Agujeritos (troncopiramidales)
[Ec. IV.9]
w a 2 1 f s2 r a , piramidal =16 m lf lp
[Ec. IV.10]
Tabla IV.2. Factor de sombra y componentes de la resistencia serie de la clula CEP.
Los valores de resistividades utilizados en la optimizacin son los mismos que para la clula UPM-PPV, descritos en la tabla III.3.
IV.2.2.- Optimizacin de la malla de metalizacin. En la Tabla IV.3. aparecen las caractersticas de la clula que he utilizado en las simulaciones de PC1D.
Parmetro Estructura de la clula Sustrato Espesor clula Difusin frontal, n+ Clula CEP de silicio n+pp+
Especificacin Silicio tipo p dopado con boro, de resistividades de base b = 0.2 y 1 cm w = 280 m Para X < 100 soles: Gaussiana, dopaje pico Ns = 4.81018 cm-3, resistencia de capa Re = 100 /, profundidad de la unin xj = 1.77 m Para X 100 soles: Gaussiana, dopaje pico Ns = 4.81018 cm-3, resistencia de capa Re = 50 /, profundidad de la unin xj = 3.55 m Funcin error complementario, dopaje pico Ns = 21018 cm-3, profundidad de la unin xj = 22 m Medida experimental de una oblea de silicio texturada con CAR de 85 nm de SiO2 Reflectividad frontal interna = 0.86, difusa Reflectividad interna de la cara posterior = 0.56, especular T = 300 K
Difusin posterior, p+ Reflectividad frontal Reflectividad interna Temperatura Tiempo de vida volumen
= 100 s
Velocidad de recombinacin superficial Superficie frontal, Sf = 1000 cm/s Superficie posterior, Sp = 107cm/s Concentracin Intensidad de luz incidente Resistencia serie tecnolgica Diodo de oscuridad X = variable Variable, E = 0.1X(1-fs) W/cm2 Variable J0 = 10-13 A/cm2, m = 1
Tabla IV.3. Datos utilizados en las simulaciones de PC1D de la clula CEP.
Para cada valor de concentracin, he buscado la mejor metalizacin para una malla cuadrada de 0 a 10 agujeritos por fila (es decir, de 0 a 100 agujeritos repartidos por toda la clula). En todos los casos, 0 agujeritos sera una clula convencional con una sola barra colectora en uno de los extremos de la clula. En la Fig. IV.3. muestro la eficiencia, el factor de sombra y la resistencia serie tecnolgica de la clula ptima para diferente nmero de agujeritos por fila a 100 soles con una base de 0.2 cm. El nmero de agujeritos por fila est relacionado de forma inversa con el lado de la celda unidad, como se muestra en el eje x superior.
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Lado de la celda unidad (cm)

2.00 22.00
21.00

0.13 0.11 0.10 2.00 0.30 1.00 0.50 0.33 0.25 0.20 0.17 0.14 0.13 0.11 0.10 50
1.00
0.50
0.33
0.25
0.20
0.17
0.14
Factor de sombra
0.25
20.00
rst Fs
40
19.00 18.00 17.00 16.00 15.00 14.00 0
0.20
30
0.15
20
0.10
10
10
0.05 0
0 10
N de agujeritos por fila, m
Fig. IV.3. Eficiencia, factor de sombra y resistencia serie tecnolgica en funcin del nmero de agujeritos por fila de la clula ptima de 2 x 2 cm2 en cada caso a 100 soles.
En esta figura se puede ver que la eficiencia aumenta drsticamente al aadir unos pocos agujeros (de 14.84% a 18.19% nicamente aadiendo un agujero). Esto se produce debido a una gran disminucin de la resistencia serie al disminuir el tamao de la celda unidad, y por tanto, recoger la corriente de forma ms uniforme; adems, el factor de sombra tambin disminuye, como consecuencia de sustituir una barra colectora ancha en un extremo de la clula por varios colectores de corriente ms estrechos repartidos por la misma. Esta tendencia se mantiene hasta los 5 agujeritos por fila, momento en que la eficiencia empieza a disminuir debido al aumento del factor de sombra. Tecnolgicamente, sera posible disminuir an ms el factor de sombra, utilizando tecnologas de fotolitografa ms precisas, que permitan dedos de metalizacin ms finos. Sin embargo, como se ve en la Fig. IV.3., la eficiencia sube muy rpidamente y las variaciones al aadir mayor nmero de agujeritos son muy pequeas, por lo que la complejidad necesaria para la fotolitografa (sistemas muy precisos en salas limpias de flujo laminar y aisladas contra vibraciones) no se ve compensada con la ganancia en la eficiencia. Como he comentado, con esta configuracin, la clula ptima sin agujeritos da una eficiencia menor del 15%. Como hemos visto en el captulo III, es posible tener eficiencias mucho mayores a cien soles sin agujeritos, pero con clulas ms pequeas, que permiten una mejor coleccin de los portadores en todo el permetro de la misma, fuera del rea activa. Esto ocurre, p. ej. en las clulas circulares para sistemas de foco puntual mostradas en la Fig.II.2. (0.67 cm2) y en las clulas UPM- PPV desarrolladas en el captulo III (1 x 3 cm2), con clulas fabricadas en el laboratorio del IES con eficiencias mximas del 20.6% y 21.7%, a 100 soles, respectivamente. Incluso con clulas de 2 x 2 cm2 y sacando el colector de corriente del rea activa, y por tanto, sin tener en cuenta su contribucin a la resistencia serie, sera posible tener clulas del 17 - 18% segn la base a 100X, muy similares a las que se obtienen al poner un agujerito. Sin embargo, esto no servira en caso de querer hacer un receptor compacto con varias clulas. El resultado mostrado en las grficas de la Fig. IV.3. no es un resultado nico para clulas de 2 cm de lado. En la escala superior de ambas figuras se muestra el resultado en funcin del lado de la celda unidad. Este resultado es totalmente general. Lo cual significa que con la introduccin de puntos de coleccin de portadores distribuidos uniformemente
Resistencia serie tecnolgica (mcm2)
Eficiencia (%)
a lo largo de toda la clula podemos mejorar mucho la eficiencia de forma inversa a la longitud de la celda unidad sin un cambio importante en la tecnologa en el procesado de las clulas. As, es posible hacer clulas mucho mayores manteniendo la eficiencia mientras que se mantenga la densidad de agujeritos en la clula (que est relacionada de forma inversa con el lado de la celda unidad). Esto es, siempre que se mantenga este nmero, es posible hacer clulas tan grandes como permita el tamao de oblea empleado. De esta forma, en determinados casos sera posible cubrir todo el rea del receptor con una nica clula, sin necesidad de conectar varias clulas en serie. As se eliminaran los posibles efectos de desajuste (mismatch en ingls) de parmetros entre clulas diferentes. Sin embargo, esta solucin dara lugar a un sistema de muy alta corriente y bajo voltaje, no muy recomendable por las altas prdidas por resistencia, por lo que aun as lo mejor sera conectar varias clulas en serie y paralelo en un receptor compacto, sacando el mximo partido de la conexin posterior y obteniendo corrientes y voltajes mucho ms apropiados para todo el sistema. La forma de las grficas de la Fig. IV.3. es general, y se repite para cada nivel de concentracin utilizado, variando la densidad de agujeritos para la cual se alcanza el mximo. En la Fig. IV.4 muestro los resultados para diferentes concentraciones entre uno y cuatrocientos soles y dos resistividades de base diferentes: 1 y 0.2 cm. En todos ellos se marca con una estrella el nmero de agujeritos para el cual se alcanza el mejor comportamiento, datos que resumo en las tablas de las figuras. Como se puede ver, al aumentar la concentracin, el ptimo se produce con un mayor nmero de agujeritos o lo que es lo mismo, con una distribucin ms densa de puntos de coleccin de la corriente. En las tablas IV.4. y IV.5 muestro los valores de factor de sombra, resistencia serie y caractersticas elctricas para la metalizacin ptima a cada valor de concentracin y de resistividad de base y en la Fig. IV.5. muestro la eficiencia en funcin de la concentracin para ambas resistividades de base.
X (soles) 1 50 100 200 300
m 3 5 5 6 6
a (cm) 0,33 0,20 0,20 0,17 0,17
wb (m) 9 22 31 30 37
s (m) 1111 333 333 238 208
rst Jsc fs (%) (A/cm2) (mcm2) 153 14 9 5 4 2.2 7.2 7.5 10.2 11.4 0,038 1.8 3.5 6.9 10.2
Voc (mV)
(%)
FF
643 19,93 0,83 745 21,39 0,80 761 20,66 0,77 776 19,27 0,72 785 17,94 0,67
400 7 0,14 31 204 4 12.4 13.5 790 16,78 0.63 Tabla IV.4. Caractersticas de la metalizacin ptima para diferentes concentraciones para bases de 1 cm.
86
Resistencia de base: 1 Ohmcm

2.00 22 21 20 1.00 0.50 0.33 0.25 0.20 0.17 0.14 0.13 0.11 0.10
Eficiencia (%)
19 18 17 16 15 14 13 12 11 10 0 1 2 3
X (soles) 1 50 100 200 300 400 m Eff. Mx. (eff. Mx.) (%) 3 19.93 5 21.39 5 20.66 6 19.27 6 17.94 7 16.78
1X 50X 100X 200X 300X 400X
10
Resistencia de base: 0.2 Ohmcm

22 21 20
2.00
1.00
0.50
0.33
0.25
0.20
0.17
0.14
0.13
0.11
0.10
Eficiencia (%)
19 18 17 16 15 14 13 12 11 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
X (soles) 1 50 100 200 300 400
m Eff. Mx. (eff. Mx.) (%) 3 19.97 5 21.7 5 21.53 6 21.25 6 20.86 6 20.41
1X 50X 100X 200X 300X 400X
Fig. IV.4. Eficiencia en funcin del nmero de agujeritos y del lado de la celda unidad para diferentes concentraciones y dos resistividades de base diferentes.
87
X (soles) 1 50 100 200 300
m 3 5 5 6 6
a (cm) 0,33 0,20 0,20 0,17 0,17
wb (m) 9 20 29 23 35
s (m) 1111 333 333 278 238
rst Jsc fs (%) (A/cm2) (mcm2) 153 14 9 6 5 2.2 7.1 7.4 9.2 10.4 0,036 1.7 3.4 6.7 10.0
Voc (mV)
(%)
FF
662 19,97 0,83 760 21.70 0,82 775 21,53 0,82 790 21,25 0,80 797 20,86 0,78
400 6 0,17 41 208 4 11.6 13.3 802 20,41 0.77 Tabla IV.5. Caractersticas de la metalizacin ptima para diferentes concentraciones para bases de 0.2 cm.
Como era de esperar, la diferencia entre ambos materiales se hace mayor a medida que aumentamos la concentracin. Con bases de baja resistividad sera posible trabajar a concentraciones tan grandes como 400 soles con eficiencias an mayores del 20%, lo cual es imposible con bases menos dopadas (Fig. IV.5.).Por tanto, tericamente es posible fabricar clulas de silicio de gran rea para su uso a elevadas concentraciones con eficiencias muy superiores a las de clulas de contacto convencional y con densidades de agujeritos mucho menores que en el caso de las clulas de contacto posterior sin malla de metalizacin frontal, como se muestra en la Fig. IV.6. Las densidades de agujeritos aumentan al aumentar la concentracin a la que deseamos trabajar, pero an se mantienen ms cerca de las clulas de 1 sol con malla frontal que de las clulas tipo EWT.
22
21
Eficiencia (%)
20
19
18
1 Ohmcm 0.2 Ohmcm
17
16
50
100
150
200
250
300
350
400
X (soles)
Fig. IV.5. Comparacin del comportamiento en Fig. IV.6. Comparacin entre la densidad de concentracin entre las clulas ptimas con agujeritos de la clula CEP y otras clulas de contacto diferente resistividad de base. posterior (tablas II.2. y IV.5.)
88
IV.2.3.- Eleccin de la malla de metalizacin ptima para 100 soles. Tras este anlisis terico, y con el objeto de poder comparar las clulas CEP fabricadas con clulas de contacto convencional procesadas a la vez, elegimos una malla de metalizacin para trabajar a 100X. Como se ve en la Fig. IV.4. y en las tablas IV.4. y IV.5., las mallas de metalizacin ptimas para clulas de 1 y 0.2 cm de resistividad de base son muy similares, aunque no lo sean sus rendimientos, por lo que la misma metalizacin servira para comparar materiales de diferente resistividad. La malla finalmente elegida tiene las caractersticas mostradas en la Tabla IV.6. La denominar CEP100X, y es muy similar a la ptima para concentraciones entre 50X y 100X, pero con una separacin entre dedos ligeramente inferior, con el objeto de estudiar dichas clulas incluso a concentraciones mayores de 100X. Adems, esta malla incluye una pequea pista para poder soldar los pines de conexin entre las caras frontal y posterior de la clula alrededor del agujerito. Dichas pistas tienen 650 m de lado, por lo que el factor de sombra final es mayor que el calculado sin ellos (del 9.5% en lugar del 8.1%).
Caractersticas geomtricas: Nmero de agujeritos por fila, m Nmero de dedos por celda unidad, n Semianchura barra colectora, wb Factor de sombra, fs Resistencia serie:
Resistencia serie (mOhmcm2)
2
5 7 28 m 9.5 % 7.6 mcm2 12.5 mcm 0.6 mcm 2.9 mcm

2 2
15.0 14.0 13.0 12.0 11.0 10.0 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0.0 CEP UPM-PPV
38.99% 33.48% 22.79% 17.08% 0.02% 4.91% 6.98% 8.13% 18.17% 6.93% 36.38% 6.13%
Agujeritos Contacto frontal Dedos de metalizacin Contacto posterior Bus Emisor Base
Resistencia serie tecnolgica, rst Resistencia serie total, rs Contacto frontal, rcf Contacto posterior, rcp Emisor, re Base (0.2 cm/100X), rb Total metalizacin, rm Malla frontal, rmf Colector de corriente, rbus Agujeritos, ra
1.0 mcm2
2
4.9 mcm2 3.2 mcm2 0.9 mcm 210

-3 2
2.3 mcm2 mcm

2
Caractersticas elctricas a 10 W/cm2 (0.2 cm) Jsc Voc h FF 3.32 A/cm2 775 mV 21.2 % 0.82
Fig. IV.7. Distribucin de la resistencia serie en la clula CEP100X y en la clula UPM-PPV trabajando a 100X.
Tabla IV.6. Caractersticas geomtrica, elctricas y resistencia serie de la clula CEP100X. Captulo IV. Clulas de Concentracin de Contacto Exclusivamente Posterior: Clula CEP 89
Se muestran los valores para una base de 0.2 cm operando a 100X, que son los mismos que para 1 cm, excepto la resistencia debida a la base (cuyo valor efectivo es de 15.5 mcm2, presentando ya los efectos de la modulacin de la conductividad de la base descritos en el captulo III, pero tambin una mayor recombinacin puesto que las densidades de portadores minoritarios son mucho mayores que para bases menos resistivas). En la Fig. IV.7. muestro la distribucin de los distintos componentes de la resistencia serie de la clula CEP100X, comparados con la clula UPM-PPV diseada en el captulo III. Se puede ver que ahora la resistencia serie total es casi 2 mcm2 menor. Ahora la mayor contribucin viene de la base y del emisor, mientras que la metalizacin frontal, que en la clula de contacto convencional supona el 36% de la resistencia serie, se queda reducida al 25% incluyendo los colectores de corriente y los agujeritos, que ahora s que estn dentro del rea activa. Por tanto, de esta forma podemos reducir al mximo la componente de la metalizacin, dando la posibilidad de usar este tipo de clulas de silicio a concentraciones mayores hasta que el lmite lo pone la base. Una vez elegida la mejor malla y vista la posible mejora que se obtendra, procedimos a validar el concepto con algunas medidas de oscuridad de clulas con la malla CEP100X sin taladrar que describo en el apartado siguiente.
IV.3.- Medidas en oscuridad.

Durante su tesis doctoral, Ignacio Antn desarroll un mtodo para la prediccin de la curva IV de una clula trabajando en concentracin a partir del comportamiento en oscuridad de la misma junto con una medida de la Isc a un bajo nivel de iluminacin, [Antn04]. Este mtodo, que est ampliamente descrito en dicha tesis, est basado en el clculo de la resistencia serie a partir de la curva de oscuridad con el mtodo de la derivada. Se obtiene una expresin para Rs a partir de los pares de puntos (Vosc, Iosc) y el factor de idealidad, m: Rs= dR dV kT m I s dI q I I 0 dI
[Ec. IV.11]
donde k es la constante de Boltzmann, q la carga del electrn e I0 la corriente de saturacin del diodo. El factor de idealidad, m, tambin es desconocido, y al igual que Rs depende del nivel de corriente. En puntos de corriente elevada (5 - 10 A/cm2), el error cometido en el clculo de Rs haciendo m = 1 es muy pequeo. Una vez calculada Rs, se predice la curva de iluminacin a partir de la de oscuridad y la corriente fotogenerada, IL, aplicando el principio de superposicin:
90
V ilum=V oscI L Rs I ilum =I L I osc
[Ec. IV.12] [Ec. IV.13]
Al calcular Rs hay que tener en cuenta que la resistencia serie de la base no es constante, sino que vara a lo largo de la curva si la clula entra en alta inyeccin. Utilizando este mtodo, podemos medir las clulas CEP en oscuridad antes de encapsularlas, haciendo contactos en los agujeritos sobre los que se soldarn los pines, de forma que reproducimos las condiciones del encapsulado antes de efectuarlo. Para ello utilizamos el equipo TRANSCORDER para la medida hasta densidades de corrientes elevadas y la prediccin del comportamiento en iluminacin de estas clulas, [Antn04]. Medimos varias clulas CEP de una misma tanda, hecha en material muy dopado (0.15 cm de resistividad de base), con capa antirreflectante de xido de silicio y con BSF en toda la cara posterior. Tomamos medidas de la corriente fotogenerada a un sol, as como la curva de iluminacin y oscuridad contactando slo en un pin, como muestro en la Fig. IV.8. Tambin medimos las clulas en el TRANSCORDER con la configuracin final de contactos, prediciendo su comportamiento hasta 150 soles. Los resultados se muestran en Tabla IV.7. y Fig. IV.9. En dicha tabla, la resistencia serie en simulador est calculada a partir de la curva de oscuridad cerca del punto de circuito abierto.
Fig. IV.8. Medida en simulador solar de las clulas sin encapsular, cogiendo contactos en la cara frontal.
Clula N1i N1d N8i
rs en simulador (no contacto CEP) (mcm2) 280 280 252
rs en Transcorder (contacto CEP) (mcm2) 8.6 10.3 8.7
Isc (1X) (medido) (A) 0.130 0.130 0.130 0.123
Voc (100X) en Transcorder (mV) 755 757 761 757
a 100X (%)
20.72 20.58 20.85 19.44
N11d 188 7.9 Tabla IV.7. Caractersticas de las clulas medidas en oscuridad.
91
Recordemos que la eficiencia a 100X de la clula optimizada es del 21.0% con 130 mA de Isc a 1X y 775 mV de Voc a 100X. Vemos que en casi todos los casos tenemos una eficiencia algo menor, que se debe generalmente a una pequea diferencia en la tensin de circuito abierto en todas ellas, as como en el punto de mxima potencia. En el caso de la clula N11d, que tiene una corriente menor, tambin hay una prdida de eficiencia casi proporcional a ella. Vemos tambin que la mejora en la resistencia serie que se obtiene al tomar los contactos repartidos uniformemente por toda la clula es muy significativa, como ya esperbamos a la vista de la simulacin terica. En Fig. IV.9. muestro la eficiencia en funcin de la concentracin, donde se puede ver que estamos bastante cerca de los clculos tericos para la clula CEP100X.
Fig. IV.9. Eficiencia en concentracin predicha a partir de las medidas de oscuridad. Los diamantes indican la medida a un sol tomando slo un punto de contacto en la cara superior.
Una vez calculada la malla ptima y la mejora que se obtiene con ella, analizar las diferentes posibilidades para hacer los agujeritos necesarios en el silicio produciendo el menor dao posible en la oblea y que nos permita elegir el proceso de fabricacin ms simple posible. Esto es lo que presento en las prximas secciones de este captulo.
IV.4.- Cmo hacer agujeritos en silicio?

La mayor diferencia entre la clula CEP y la clula convencional de P/Al es la presencia de un pequeo nmero de agujeritos que conectan las caras frontal y posterior de la clula. Como he descrito en el apartado II.2.1., hasta ahora se han utilizado dos mtodos para hacer agujeritos en obleas de silicio: con ataques qumicos (clula
Polka- Dot, [Hall80]) y con un lser (clulas Emitter Wrap- Through [Gee93], Metallization Wrap- Through [Kerschaver98] y Pin- Up Module [Bultmann00]). Adems de estos dos mtodos, en este trabajo propongo un tercero, que consiste en el taladrado a alta velocidad con fresas de diamante. En este apartado voy a describir dos de estos mtodos: el ataque qumico anisotrpico y el mecanizado, para los cuales se dispona de equipamiento en el IES (ataque qumico) o se ha adquirido y puesto en marcha en el transcurso de esta tesis (mecanizado). Puesto que no disponemos de un lser de potencia como el requerido para hacer agujeritos en el silicio, no voy a tratar dicha posibilidad en este trabajo.
IV.4.1.- Grabado hmedo anisotrpico. El grabado hmedo o ataque qumico hmedo del silicio es una de las tecnologas clave en la fabricacin de dispositivos de silicio. Mediante esta tcnica podemos grabar las estructuras en las mscaras durante los pasos de fotolitografa en los circuitos integrados ms habituales, as como fabricar las ms complejas estructuras tridimensionales en los dispositivos microelectromecnicos. Dichos dispositivos, conocidos abreviadamente como MEMS de las siglas en ingls Micro-Electro-Mechanical Systems, integran elementos mecnicos, sensores, actuadores y electrnica en un mismo sustrato de silicio mediante tcnicas de mirofabricacin. Para ello, se usan tcnicas fotolitogrficas para definir la estructura, y ataques selectivos (tanto hmedos como secos) para atacar determinadas partes de la oblea de silicio o aadir nuevas capas [MEMS08]. Hay dos tipos de procesos de grabado: hmedos y secos. En los primeros, el material se disuelve cuando se sumerge en una disolucin qumica. En los ltimos, el material se arranca o se disuelve utilizando iones o un elemento qumico en fase vapor. Dentro de los grabados hmedos, podemos distinguir: isotrpicos y anisotrpicos. Un ataque isotrpico se produce a la misma velocidad en todos los planos cristalogrficos, mientras que un ataque anisotrpico se produce ms deprisa en determinados planos del cristal. El efecto que se produce al realizar estos dos tipos distintos de grabado en una oblea de silicio a travs de una apertura en la mscara se puede ver en la Fig. IV.10. En los casos A. y C. vemos un grabado hmedo anisotrpico realizado con EDP (etilendiamina, pirocatecol y agua) en el cual podemos apreciar que la forma tridimensional de la cavidad producida estar determinada por los planos cristalogrficos de menor velocidad de ataque (en el caso del silicio stos son predominantemente la familia de planos {111}). Adems, vemos que el tamao de la cavidad en la superficie de la oblea es aproximadamente el mismo que el de la apertura en la mscara. En los casos B. y D. muestro una oblea de silicio atacada isotrpicamente con CP4 (cidos ntrico, fluorhdrico y actico); en este caso, la cavidad es semiesfrica, pero vemos que su tamao es algo mayor que el de la apertura en la mscara, debido a que la disolucin tambin ataca el silicio en la misma cantidad hacia los lados debajo de la mscara que hacia abajo. Este fenmeno es conocido como ataque lateral (undercutting en ingls), y aunque tambin ocurre en los ataques anisotrpicos, es especialmente importante en el caso de ataques isotrpicos.
93
A ANISOTRPICO
B ISOTRPICO
Fig. IV.10. Grabados hmedos en Si: A. y C. anisotrpico, B. y D. isotrpico. Fotos tomadas de [Elwenspoek98].
Debido a estas diferencias, en el procesado del silicio se utilizan principalmente grabados isotrpicos para el decapado o adelgazamiento de obleas, mientras que para definir estructuras tridimensionales se utilizan grabados anisotrpicos que permiten, partiendo de una apertura en la mscara cuidadosamente alineada a lo largo de las direcciones cristalogrficas, controlar exactamente la forma y las dimensiones de la microestructura. Este tipo de ataque es el que vamos a utilizar para traspasar la oblea de silicio de caras de orientacin {100}, por lo que nos quedarn agujeritos limitados por los planos de ataque lento, tendrn esquinas en ngulo recto y las paredes no sern verticales, sino que siguen los planos {111}, Fig. IV.11.
Vista superior
Seccin
Mscara
Fig. IV.11. Vista superior y seccin de un ataque anisotrpico en silicio.
94
Propiedades de las disoluciones para el grabado anisotrpico del silicio Hay bastantes disoluciones que atacan anisotrpicamente el silicio. Generalmente las ms utilizadas son las basadas en hidrxidos alcalinos, como la potasa (KOH), una mezcla llamada EDP (etilendiamina, pirocatecol y agua), la hidrazina, y el hidrxido de tetrametilamonio, TMAH. La hidrazina y el EDP son muy txicas e inestables, y esto hace que sean difciles de manejar. Por ello, en este trabajo vamos a tratar nicamente las propiedades de la potasa, KOH, y el TMAH, [Elwenspoek98], [Seidel90], [Tabata92], [Merlos93]. Al elegir una disolucin para atacar el silicio, tenemos que tener en cuenta los siguientes factores: Facilidad de manejo. Toxicidad. Velocidad de ataque. Topologa de la superficie atacada. Compatibilidad con los procesos de la tecnologa de circuitos integrados. Selectividad del ataque en otros materiales. Material para enmascarar el ataque y el espesor de la mscara.
Potasa, KOH
Las disoluciones de KOH en agua y alcohol isoproplico son las ms utilizadas para atacar anisotrpicamente el silicio. Son mucho menos peligrosas que otros ataques, puesto que la potasa no es txica, como la disolucin EDP, o inflamable, como la hidrazina, y adems es fcil de manejar y de obtener. La mayor desventaja que presentan este tipo de disoluciones es que la potasa es incompatible con los procesos de fabricacin de circuitos integrados, puesto que introduce iones mviles K+, que son especialmente peligrosos si posteriormente debemos realizar pasos a alta temperatura. En cualquier caso, en la tecnologa de clulas solares se utiliza KOH rutinariamente para hacer los texturados antes de la difusin de fsforo sin mayores problemas. En nuestro caso, como vamos a ver ms abajo, el mayor problema es la dificultad de enmascarar este ataque con xido de silicio. Las velocidades de ataque del silicio en una disolucin de KOH en agua a distintas temperaturas y concentraciones se muestran en la Fig. IV.12. En la Fig. IV.12.A. podemos ver que se produce un mximo en la velocidad de ataque a concentraciones cercanas al 20% en peso. Sin embargo, a estas concentraciones (y por debajo del 40%) la superficie del silicio queda rugosa y con tendencia a la formacin de pirmides. Para obtener una superficie lisa, se debe atacar con soluciones ms concentradas, del orden del 40%.
95
La selectividad con respecto al xido de silicio (relacin entre la velocidad de ataque del silicio y la del xido de silicio) es bastante baja, por lo cual no permite realizar un ataque profundo del silicio, puesto que necesitaramos una capa de xido gruesa, que introducira muchas tensiones. Por ejemplo, con una disolucin al 20% en peso de KOH a 90 C, la velocidad de ataque del silicio <100> es de 148 m/h, y la del xido 578 nm/h; esto significa que para atravesar una oblea de 300 m se requieren 2 h, en las cuales el espesor de xido atacado es de 1.2 m.
Fig. IV.12. Velocidad de ataque del silicio <100> en KOH a distintas concentraciones y temperaturas, tomadas de [Seidel90].
Hidrxido de tetrametilamonio, TMAH
El hidrxido de tetrametilamonio, (CH3)4NOH, o TMAH, es un compuesto orgnico, que por tanto presenta muy buena compatibilidad con los procesos de circuitos integrados, ya que no introduce iones metlicos. Esta es una de sus mayores ventajas respecto al KOH. Adems, no es txico ni inflamable, pero reacciona con el CO2 del aire, por lo que el bao de ataque no debe permanecer abierto durante largo tiempo. Otra ventaja que presenta el TMAH respecto al KOH es la selectividad del ataque con respecto al xido, ya que la velocidad de ataque del xido de silicio es un orden de magnitud menor en TMAH que en KOH, por lo que esta disolucin resulta ms adecuada que las de potasa para realizar ataques profundos de la oblea. Las disoluciones acuosas de TMAH dan lugar a mayores ataques laterales que las de KOH. Esto hace que la compensacin de las esquinas convexas para la fabricacin de estructuras mesa sea ms dificultosa, aunque esto es evitable aadiendo alcohol isoproplico a las disoluciones de TMAH, [Merlos93]. En nuestro caso esto no es relevante, ya que slo vamos a tratar de obtener agujeritos, es decir, slo tendremos esquinas cncavas.
En la Fig. IV.13 se muestran las distintas velocidades de ataque del silicio <100> en funcin de la concentracin de TMAH y la temperatura. La mxima velocidad se da con disoluciones al 4%, y disminuye cuando aumenta la concentracin. Sin embargo, al 4% se obtiene una superficie muy rugosa, recubierta de pirmides. Al aumentar la concentracin, la superficie va siendo cada vez ms suave, hasta que por encima del 22% se obtiene una superficie muy lisa.
Fig. IV.13. Dependencia con la concentracin y la temperatura de la velocidad de ataque del silicio <100> en disoluciones de TMAH, tomada de [Tabata92].
En general, todos los procesos de grabado hmedo siguen una ley de Arrhenius con diferentes energas de activacin para cada concentracin. A una determinada concentracin en peso de la solucin, el ritmo de ataque es el mximo posible (20% para el KOH y 4% para el TMAH), aunque en este caso el aspecto de las caras <100> no es liso. La mejor topologa se consigue para disoluciones de ms del 40% para la potasa y del 22% en el TMAH, Tabla IV.8. En nuestro caso, pretendemos traspasar completamente el espesor de la oblea, por lo que nicamente tendremos paredes {111}, que siempre son suaves en todas las disoluciones, temperaturas y concentraciones, segn han reportado Seidel y otros [Seidel90]. Por tanto, en este caso son mucho ms importantes las velocidades de ataque y la selectividad del grabado, como veremos a continuacin. Materiales para enmascarar el ataque Para poder definir la zona donde queremos que se realice el ataque, necesitamos algn material que no sea atacado por la disolucin, o lo haga mucho ms lentamente que el silicio. Los materiales utilizados fundamentalmente en microelectrnica son el xido de silicio, SiO2, y el nitruro de silicio, SiN, tanto estequiomtrico como no estequiomtrico.
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Dixido de silicio, SiO2
La superficie del silicio est permanentemente cubierta de una capa de xido de silicio, incluso una oblea recin cortada comienza a cubrirse de xido al contacto con el aire, de unos 20 . Para enmascarar un ataque al silicio, necesitamos una capa considerablemente ms gruesa. Para obtenerla tenemos varias opciones; las ms utilizadas en microelectrnica son la oxidacin trmica del silicio a alta temperatura en ambiente oxidante y el depsito qumico en fase vapor a baja presin, LPCVD. El xido de silicio crecido trmicamente produce grandes tensiones en la oblea, por lo que no vamos a crecer capas de ms de 2 m en nuestros dispositivos. Este proceso da lugar a capas de xido relativamente densas y libres de trampas. El xido depositado por LPCVD es menos denso y es atacado ms rpidamente tanto en KOH como en TMAH [Elwenspoek98], [Merlos93]. En la Fig. IV.7 se muestran las velocidades de ataque del xido de silicio trmico en funcin de la concentracin para disoluciones de KOH y TMAH.
Fig. IV.14. Velocidad de ataque del SiO2 en A. KOH, tomada de [Seidel90], y B. TMAH, tomada de [Tabata92].
Nitruro de silicio, SiN
El nitruro de silicio se crece mediante LPCVD o PECVD y es atacado mucho ms lentamente que el xido de silicio en ambas disoluciones, tanto que para el KOH no ha sido determinada la velocidad a la cual se produce el ataque [Seidel90] (teniendo en cuenta la incertidumbre en la medida, Seidel establece un lmite superior de 1 /h), y para el TMAH
se sabe que sta es menor de 20 /h en todas las condiciones experimentales [Merlos93]. En la Tabla IV.8. comparo los datos relativos al ataque del silicio con TMAH y KOH para las disoluciones que presentan mejor selectividad con respecto al xido de silicio. Teniendo en cuenta todo lo anterior, vamos a ver cul es la disolucin ptima para realizar nuestro propsito, que es el perforado de una oblea de silicio de unas 300 m de espesor. En el IES contamos con todo el equipo necesario para realizar el proceso de fotolitografa y ataque de la oblea, adems de hornos de cuarzo donde llevar a cabo una oxidacin trmica del silicio. Sin embargo, en el momento de realizar esta tesis no se dispona de ningn equipo para el crecimiento y ataque seco de nitruro de silicio. Por tanto, vamos a utilizar SiO2 para enmascarar el ataque del silicio. La velocidad de ataque en KOH es mucho mayor que en TMAH, pero requiere de una mscara de xido de silicio ms gruesa, y no es totalmente compatible con el procesado de circuitos integrados.
KOH Toxicidad Compatibilidad IC Concentracin para la mxima velocidad de ataque del (100)-Si Concentracin para la mejor topologa Para la mxima selectividad con respecto al SiO2 y 90C Concentracin Velocidad de grabado en (100)-Si Anisotropa: relacin entre velocidades (111)/(100) Velocidad de ataque de SiO2 Velocidad de ataque de Si3N4 Espesor de SiO2 para enmascarar un ataque de 300 m Tiempo para atacar 300 m 20 148 2.510
-3
TMAH Baja Baja 20 >40 Baja Alta
Unidades
4 % en peso >22 % en peso 15 % en peso 84 m/h 3.310-2 8 nm/h <2 nm/h 0.03 m 3.6 h
578 <0.1 1.2 2
Tabla IV.8. Comparacin de las caractersticas de las disoluciones de TMAH [Merlos93], [Tabata92] y KOH [Seidel90].
Una vez determinado el xido de silicio como mscara, y teniendo en cuenta que en disoluciones de KOH la selectividad es muy baja, descart esta disolucin para realizar un ataque tan profundo del silicio, puesto que, como hemos visto antes, necesitamos un espesor de 1.2 m como mnimo. Este espesor se crece habitualmente en el IES en el proceso de oxidacin sin crear problemas de tensiones en la oblea. Sin embargo, si utilizamos este proceso de ataque, necesitaramos este espesor de xido slo para realizar el primer paso de apertura de los agujeritos. Para continuar con el posterior procesado de la oblea, tendramos que crecer un xido ms grueso, que no es muy recomendable debido a las tensiones que introduce. Otra opcin sera volver a hacer una oxidacin trmica despus de hacer los agujeritos, pero esto supone aadir otro paso de alta
temperatura al proceso, que es preferible evitar por lo que reduce el tiempo de vida [Moussaoui93]; adems, en este caso supone un proceso de alta temperatura tras una posible contaminacin con iones de potasio, lo cual empeorara an ms la situacin. Adems, en nuestro caso la velocidad no es un parmetro tan importante como mantener los tiempos de vida altos, por lo que eleg una disolucin de TMAH para realizar el ataque anisotrpico del silicio. Grabado con TMAH Con objeto de hallar las velocidades de ataque del silicio en este sistema, hice una serie de experimentos con obleas de dos pulgadas de silicio tipo p, con orientacin (100), y resistividades entre 1 y 10 cm. Prepar las disoluciones de TMAH por dilucin de una solucin comercial de TMAH al 25% en peso en agua. Realic los ataques sin agitacin en un bao de temperatura controlada, con el recipiente tapado para evitar cambios en la concentracin durante el ataque. Med el espesor atacado con un micrmetro, y tambin mediante pesada, e inspeccion la superficie atacada con un microscopio ptico. Con objeto de eliminar el xido nativo de la oblea y presentar al TMAH el silicio descubierto, justo antes de introducir la oblea en el ataque, la sumerg unos segundos en HF al 1%. En primer lugar, med la velocidad de ataque de la oblea de silicio entera a distintas concentraciones (4, 10, 15 y 20% en peso) a 90 C. Posteriormente, defin un patrn de fotolitografa con una mscara de crculos de 470 m de dimetro y cuyos centros estn separados 1000 m, sobre obleas con un xido de silicio de 1.3 m de espesor y las ataqu a esas mismas concentraciones y temperatura, midiendo el tiempo necesario para traspasar la oblea del todo y analizando la forma y el tamao de dichos agujeritos. Realic todos los experimentos a 90 C, puesto que a temperaturas inferiores la velocidad de ataque disminuye bastante, de manera que el tiempo que necesitara para realizar un ataque tan profundo sera muy largo. Adems, slo voy a estudiar disoluciones de TMAH en agua, puesto que la adicin de alcohol isoproplico se utiliza para mejorar las esquinas convexas [Merlos93], que no es relevante en nuestro caso, ya que nicamente vamos a tener esquinas cncavas, y la adicin de IPA reduce la velocidad de ataque, lo cual no nos interesa.
Ataque de la oblea de silicio
El proceso experimental fue el siguiente: Limpieza RCA1. HF al 1% hasta que se la oblea se vuelve hidrfoba. Aclarado con agua desionizada. Ataque de TMAH a 90 C y a la concentracin correspondiente. Medida del espesor y la masa cada 30 minutos de ataque. Inspeccin visual de la calidad de la superficie con un microscopio ptico. Este ltimo punto no es especialmente importante en nuestro caso, puesto que
nuestra intencin es traspasar completamente la oblea. Sin embargo, presento aqu los resultados por su posible inters en el adelgazamiento de obleas para hacer clulas de silicio en bases delgadas.
Aspecto de la superficie
En todos los casos fui analizando la superficie de la oblea con un microscopio ptico cada media hora. Con la disolucin al 4%, rpidamente la superficie de la oblea se vuelve muy irregular, con grandes zonas ms claras y oscuras que se aprecian incluso a simple vista. Se observa que el ataque es muy inhomogneo, con zonas claramente ms atacadas que otras. En el microscopio ptico se pueden observar pirmides muy grandes distribuidas irregularmente. Al ir atacando con concentraciones mayores la superficie mejora mucho, obteniendo pirmides cada vez ms pequeas distribuidas ms regularmente. Con concentraciones del 20% no observ pirmides dentro de la resolucin disponible (1 m), Fig. IV.15.
Fig. IV.15. Superficie del silicio vista en un microscopio ptico en campo oscuro a 1000X tras atacar con TMAH al A. 4%, B. 10% y C. 15%. Al 20% la superficie es completamente lisa.
Schnakenberg et al. han propuesto una explicacin a este fenmeno. El ataque del silicio se produce a travs de una serie de reacciones de oxidacin y reduccin, en las cuales la superficie del silicio primero es oxidada y luego reducida para formar un producto que puede ser disuelto [Choi98]. El proceso de oxidacin puede ser expresado como:
Si + 2OH- Si(OH)22+ + 4eSi(OH)22+ + 4OH- SiO2(OH)22- + 2H2O [Ec. IV.14] [Ec. IV.15]
Y el proceso de reduccin:
4H2O + 4e- 4OH- + 2H2 [Ec. IV.16]
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La reaccin total se puede resumir de la siguiente forma [Seidel90]:

Si + 2OH- + 2H2O SiO2(OH)22- + 2H2 [Ec. IV.17]
Segn la concentracin de la disolucin va cambiando desde una que contiene principalmente la especie oxidante a una que contiene principalmente la especie reductora, la velocidad de ataque debe pasar por un mximo, en el cual los procesos de oxidacin y reduccin son ms eficientes. Este mximo ocurre a una concentracin del 4% en peso. A esta concentracin el silicio se oxida rpidamente, y en la superficie del silicio aumenta la concentracin de SiO2(OH)22-. Schnakenberg et al. han sugerido que las pirmides se originan cuando el SiO2(OH)22- no se disuelve apropiadamente. Esta acumulacin de SiO2(OH)22- puede ser la responsable de obtener una superficie muy rugosa, y tambin de que la reaccin se vuelva muy lenta, puesto que la mayor parte de la superficie est cubierta de SiO2(OH)22-. Cuando aumentamos la concentracin, la reaccin de reduccin se va volviendo dominante, aunque la eliminacin del SiO2(OH)22- todava no es suficiente, y por eso sigue habiendo una superficie rugosa. Cuando la concentracin aumenta al 12%, la eliminacin de SiO2(OH)22- se vuelve significativa, y la superficie del silicio aparece ms suave [Choi98]. Esto est de acuerdo con nuestras observaciones de las superficies atacadas, Fig. IV.15. Adems, en nuestro caso he observado que, al sumergir la oblea en HF antes de volverla a introducir en el bao de ataque, al aumentar la concentracin cada vez tardaba menos tiempo en volverse hidrfoba, lo cual quiere decir que cada vez hay menos xido en la superficie de la oblea. Esto coincide de nuevo con la explicacin presentada por Schnakenberg et al.
Velocidad de ataque
Suponiendo que el ataque es uniforme en toda la oblea, y teniendo en cuenta que atacamos a la vez por las dos caras de la oblea, podemos calcular el espesor atacado por cada cara de la misma en funcin de la masa inicial y final de la oblea: espesor atacado= e0 e m e0 = 1 2 m0 2
[Ec. IV.18]
donde A es el rea de la oblea, m0 y e0 la masa y el espesor inicial de la oblea, respectivamente, y m y e la masa y el espesor de la oblea en un momento dado del ataque. En este clculo no he tenido en cuenta el cambio en el rea debido a que la oblea tambin es atacada por los bordes, porque este volumen de silicio atacado es despreciable frente al atacado en las dos superficies. En todos los casos, comprob que las medidas tomadas con el micrmetro se ajustan a las obtenidas a partir de la masa de la oblea, Fig. IV.16.A.
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Fig. IV.16. A. Espesor de silicio atacado a 90 C en funcin del tiempo para distintas concentraciones de TMAH. Las lneas son los ajustes por mnimos cuadrados de las medidas correspondientes, continuas para los espesores medidos y discontinuas para los calculados por pesada. B. Velocidad de ataque del silicio (100) y del SiO2 a 90 C para diferentes concentraciones de TMAH.
Ajustando a una recta que pasa por el origen cada conjunto de datos, obtenemos el valor de la velocidad de ataque del silicio para cada disolucin. Estos datos se muestran en la Tabla IV.9. Adems, se muestran las velocidades de ataque del xido de silicio, que aqu no podemos medir, puesto que son tan pequeas que no sirven los mtodos que hemos utilizado para medir la velocidad de ataque del silicio (habitualmente se utilizan procedimientos de interferometra); estos datos estn tomados de [Merlos93] y [Thong97]. Tambin se muestra la selectividad del ataque del silicio con respecto al xido de silicio.
Concentracin TMAH (%) 4 10 15 20
Vel. ataque Si (100) (m/h) 29 67 56 46
Vel. ataque SiO2 Selectividad, (nm/h) V Si (100)/V SiO2 17 13 9 8 1648 5135 6000 5795
Tabla IV.9. Velocidad de ataque del Si (100), SiO2 crecido trmicamente y selectividad en disoluciones de TMAH.
En la Fig. IV.16.B. muestro los resultados de las velocidades de ataque a 90C y distintas concentraciones de TMAH en comparacin con los datos de la bibliografa, [Tabata92], [Merlos93] y [Thong97]. En este grfico se puede ver que hay una gran dispersin en los datos referenciados, aunque la tendencia es similar, y para todas las concentraciones obtuve valores parecidos a los existentes en la bibliografa, salvo en el caso del ataque al 4%, donde se espera obtener la mxima velocidad de ataque, mientras que aqu obtuve la mnima, muy por debajo de los valores obtenidos por Tabata y Thong.
Al analizar la superficie de la oblea, observo que en este caso es muy irregular, y hay zonas ms claras que otras, tambin se ve claramente que hay zonas que estn ms atacadas que otras, y la superficie est cubierta de pirmides, por lo que no se puede tomar un valor nico del espesor con un micrmetro como hemos hecho aqu. Esto tambin ha sido reportado por Tabata [Tabata92]. Se puede explicar teniendo en cuenta el proceso explicado anteriormente por el cual se produce la reaccin.
Ataque de un patrn de agujeritos
Con objeto de comprobar la eficacia del xido de silicio como mscara para el ataque de todo el espesor de la oblea, realic los mismos ataques en obleas con un patrn de crculos de 470 m de dimetro cuyos centros estn separados 1000 m. Este patrn fue definido en el xido mediante fotolitografa. Utilic obleas con un espesor de xido de 1.3 m crecido trmicamente en un horno de cuarzo. El procedimiento experimental fue el siguiente: Limpiezas: RCA1 y 2, HF 0.1%. Crecimiento de 1.3 m de xido trmico. Proteccin cara posterior con resina. Fotolitografa cara frontal. Ataque SiO2. Limpieza resinas. HF 0.1% hasta que se hace hidrfoba. Ataque TMAH hasta traspasar la oblea. Voy observando el desarrollo del ataque cada 30 minutos. Mido el tiempo total que tardan en aparecer agujeritos totalmente traspasados y sus dimensiones. Los resultados son los siguientes.
Forma del agujero y ataque lateral
Como es esperable en un ataque anisotrpico, a pesar de haber definido un patrn circular, la forma final del agujero es cuadrada y con las paredes inclinadas 54.7 respecto al plano de la oblea, delimitadas por los planos de ataque lento, Fig. IV.17. Se produce un pequeo ataque lateral, ya que el tamao final del agujerito es de 500 m de lado. En nuestro caso esto no es un problema, nicamente tenindolo en cuenta al hacer la mscara de fotolitografa.
Velocidad de ataque
Vemos los resultados obtenidos en la Tabla IV.10. En ella, lf y lp son las dimensiones de los agujeritos en la cara frontal y posterior, respectivamente, y es el ngulo formado por la superficie de la oblea, {100}, y la pared del agujerito, {111}, que es de 54.74. En la
tabla vemos que obtenemos ngulos muy cercanos a ste, las diferencias pueden atribuirse a errores de medida.
500 m
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Fig. IV.17. A. Imagen de SEM de la seccin de un agujerito atacado en TMAH al 10%. B. Imagen de microscopa ptica a 4X de varios agujeritos en TMAH al 15%.
Concentracin TMAH (%) 4 10 15 20
Espesor (m) 250 250 260 260
Tiempo Velocidad lf (m) ataque (h) ataque (m/h) 3.50 3.75 4.00 4.50 71 67 65 58 499 486 507 504
lp (m) () 131 125 150 155 54 54 56 56
Tabla IV.10. Resultados del ataque de agujeritos de 470 m de dimetro en distintas concentraciones de TMAH.
En esta tabla tambin podemos ver que las dimensiones del agujerito en la superficie frontal son algo mayores que las definidas por fotolitografa. Esto sucede debido al ataque lateral del silicio. En el caso de la disolucin al 4%, vemos que ahora obtenemos un valor ms elevado de la velocidad de ataque que en el resto de las disoluciones, como era de esperar. Esto puede deberse a que, al atacar en pequeas zonas, y debido al burbujeo del hidrgeno que se produce en la reaccin, la eliminacin del SiO2(OH)22- es ms eficaz, y por tanto no ralentiza el ataque. Tambin podemos observar que en el resto de los casos las velocidades que obtuve tambin son ligeramente diferentes a las obtenidas cuando ataqu la oblea entera. Es posible que estos nmeros sean bastante menos precisos que los anteriores, puesto que no podemos controlar el espesor atacado en distintos tiempos y hacer una regresin lineal para obtener la velocidad de ataque. Aqu lo que he hecho ha sido controlar cundo aparecen agujeros totalmente traspasados y tomar ese tiempo y el espesor de la oblea para calcular la velocidad de ataque, que es mucho menos exacto.
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Con todos estos datos ya podemos decidir qu disolucin vamos a utilizar para realizar el ataque anisotrpico del silicio. La disolucin que mejor selectividad del silicio frente al xido presenta es la disolucin al 15%, por lo que esta disolucin es la que mayor cantidad de xido nos dejara para el resto del procesado de la clula. Especialmente nos dejara xido suficiente para resistir el texturado en KOH y posteriormente enmascarar la difusin de fsforo para formar el emisor. Por tanto, esta es la disolucin idnea para nuestro proceso.
IV.4.2.- Taladrado con fresas de diamante. El silicio es un material semiconductor con enlaces covalentes entre sus tomos. El potencial de estos enlaces covalentes es fuertemente anisotrpico, y tiene un mnimo. Esto es muy diferente de lo que ocurre con el enlace metlico, y debido a ello las dislocaciones tienen una mayor movilidad en los metales que en los semiconductores. Por eso, los metales son dctiles y los semiconductores frgiles. Adems, los metales se deforman plsticamente, por lo que estn sujetos a un ciclo de histresis mecnica. A temperatura ambiente, el silicio puede ser deformado slo elsticamente, no hay histresis mecnica. Es posible crecer monocristales de silicio libres de dislocaciones. Cuando se le aplica una carga, no hay dislocaciones que se puedan mover, y la introduccin de una dislocacin causara la rotura del cristal, [Elwenspoek98]. En la Tabla IV.11 muestro algunas propiedades mecnicas del silicio, comparado con el acero inoxidable. Vemos que el silicio es ms duro que el acero inoxidable, y tiene un mayor lmite elstico.
Lmite Dureza Knoop Mdulo de Elstico (Gpa) (kg/mm2) Young (Gpa) Silicio Acero inoxidable 7.0 2.1 850 660 190 200
Densidad (g/cm3) 2.3 7.9
Expansin Trmica (10-6/K) 2.33 17.3
Tabla IV.11. Propiedades mecnicas del silicio y del acero inoxidable, [Petersen82].
Adems del ataque qumico y el lser, otra posible forma de obtener agujeritos en una oblea de silicio es hacerlo mecnicamente. Nos encontramos pues con el problema de mecanizar agujeros muy pequeos (menos de 1 mm de dimetro) en una delgada oblea de silicio, que es un material duro y frgil, como se muestra en la Tabla IV.11. Para estropear el material de base lo menos posible y obtener un buen acabado, as como evitar la rotura de las brocas, las fuerzas de corte deben ser minimizadas, para lo cual necesitamos un sistema de mecanizado con unos requerimientos especiales. Las fuerzas de corte son proporcionales tanto al radio de la fresa como al avance, [Kudla01]. Por tanto, para reducirlas, dado un radio, debemos disminuir el avance. El movimiento de avance se puede describir con el avance por diente, f (mm/rev) o la
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velocidad de avance, vf (mm/min). La relacin entre ellos viene dada por: v f =n z f

[Ec. IV.19]
donde n representa las revoluciones del eje de giro (rpm) y z el nmero de dientes. El avance influye en la intensidad de las fuerzas de corte, y por tanto en la calidad de los agujeritos, y tambin en la vida de las fresas. Cuando se mecanizan pequeos agujeros, las fuerzas que actan sobre las herramientas son relativamente grandes comparadas con la resistencia de las mismas, lo cual puede causar su rotura. Si el avance es muy alto, aumentan las fuerzas de corte y aparecen grietas en la entrada del agujero. Si el avance es muy lento, en vez de cortar, la fresa friccionar, desgastndose y generando mucho calor. Por tanto, para minimizar el dao se requiere un avance por diente lo menor posible sin llegar al punto en el cual la fresa se desgasta. Esto se puede conseguir con herramientas muy resistentes, tanto al calor como al desgaste. Para ello se han utilizado fresas de carburo de wolframio y cobalto recubiertas de diamante crecido por CVD. Adems, para minimizar las fuerzas de corte manteniendo una velocidad de avance fija, es necesario aumentar la velocidad de giro del eje [Iwata81]. Para conseguirlo, hemos montado en el IES un sistema para el mecanizado de obleas de gran precisin y alta velocidad de giro (hasta 100 000 rpm) con rodamientos de aire, que describo a continuacin. Sistema de taladrado de obleas de silicio Por tanto, el objetivo era hacer agujeros de pequeo dimetro (entre 0.4 y 1.0 mm) en un material muy frgil, como el silicio, y que adems es muy abrasivo, con el menor dao posible para el material. Para ello, puse en marcha un sistema de taladrado de obleas de silicio, mostrado en la Fig. IV.18, donde se pueden ver los principales componentes, que describo con detalle a continuacin: Turbina de aire comprimido que llega hasta 100 000 rpm, junto con su sistema de filtros y regulador de velocidad de giro, con fresas recubiertas de diamante. Sistema de posicionamiento de la oblea con control automtico mediante un PC. Plataforma para sujetar la oblea por vaco. Bomba y depsito de agua para refrigerar la oblea durante el taladrado.
Mquina para el taladrado a 100 000 rpm
Para hacer pequeos taladros en silicio necesitamos de una mquina de pequea potencia y de gran velocidad de giro. Las dos opciones principales existentes en el mercado para ello son los motores de alta frecuencia y las turbinas de aire comprimido. El sistema de aire comprimido es ms compacto y necesita menos equipos auxiliares que los motores de alta frecuencia (un filtro de aire que a la vez regula la presin y con ella la velocidad de giro y un compresor de aire para la turbina, frente a un filtro de aire, un convertidor de alta frecuencia y un tanque refrigerador para los motores elctricos).
Adems, en nuestro caso ya disponamos en el IES de un compresor de aire suficientemente limpio para esta aplicacin. Por tanto, adquirimos una turbina de aire de Westwind Airbearings con rodamientos de aire comprimido y en el IES se hizo un sistema de sujecin para la turbina.
Refrigeracin
Turbina de aire comprimido
Oblea
Sistema filtro/regulador
Sistema de posicionamiento con control automtico. Depsito de agua y bomba para refrigeracin
Mesa rgida de granito
Sujecin por vaco
Fig. IV.18. Sistema de taladrado de obleas de silicio.
Fresas de diamante
Para hacer taladros de pequeo dimetro en un material tan duro y abrasivo como el silicio, necesitamos herramientas especiales, tanto en dimetro como en dureza y resistencia al desgaste. Tras una bsqueda de los distintos tipos de fresas de pequeo tamao que hay disponibles en el mercado, decidimos utilizar las fresas MINI de Jabro Tools [Jabro]. Estas fresas estn fabricadas en un material base consistente en carburo de wolframio (WC) y cobalto (Co). Las propiedades de este material estn determinadas principalmente por la proporcin de WC y Co y por el tamao de grano del carburo de wolframio. Jabro Tools utiliza materiales de tamao de grano entre 0.5 y 0.8 m, con una estructura lo ms homognea posible, que es fundamental para una larga vida til de las herramientas. Adems, el rea de corte de estas herramientas lleva un recubrimiento en funcin del tipo de material que se va a mecanizar. Este recubrimiento protege el material de base de la herramienta de las altas temperaturas que pueden llegar a alcanzarse en el mecanizado, y es ms duro que el material de base, lo que permite obtener herramientas ms resistentes. Adems, el recubrimiento asegura una menor friccin, lo que significa un desgaste ms lento de la herramienta, y la optimizacin de la eliminacin de las esquirlas producidas en el mecanizado. En el caso de las herramientas que vamos a utilizar, tienen un recubrimiento de diamante crecido por CVD especialmente desarrollado para el mecanizado de materiales abrasivos.
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Sistema de posicionamiento
Para realizar los taladros con la suficiente precisin, necesitamos colocar la oblea muy precisamente en un punto determinado en el plano horizontal, xy, y que durante el taladrado la oblea no se mueva de esa posicin. Adems, el avance vertical, eje z, debe ser muy lento, para mejorar la calidad del agujerito. Por ello, se ha decidido utilizar un sistema de control automtico del movimiento con motores paso a paso de la marca Owis de gran precisin (2.5 m en los ejes x e y, y 0.625 m en el eje z), colocado sobre una mesa rgida de granito para evitar las vibraciones. El control del movimiento de los motores paso a paso se hace con un ordenador mediante una tarjeta PCI. Partiendo de las libreras preestablecidas del sistema, prepar un programa en Visual Basic que permite el manejo de los distintos ejes para taladrar el nmero deseado de agujeritos. Este programa permite adems establecer dos puntos de referencia para alinear la oblea con precisin utilizando un sistema de visin.
Fig. IV.19. A. Turbina con lupa para alineacin y B. pantalla de alineacin del programa de taladrado.
Sujecin de obleas por vaco
Adems de este sistema de posicionamiento en xyz, necesitamos un sistema para sujetar la oblea lo mejor posible, para evitar que cualquier movimiento de la misma durante el taladrado produzca su rotura. Para ello se ha hecho un sistema de sujecin por vaco con placas intercambiables que permitan el taladrado de obleas de diferentes tamaos.
Sistema de refrigeracin
La turbina de aire comprimido tiene un sistema de rodamientos que tambin funciona por aire comprimido, por lo que no es necesario ningn otro sistema de refrigeracin de la misma mediante agua. Por tanto, en este sistema el nico componente que necesita refrigeracin es la fresa durante el proceso del taladrado. Para ello se mont un pequeo sistema de refrigeracin por agua, consistente en un depsito de agua y una bomba, que se activa siempre que se realiza un taladro.
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Resultados del taladrado de agujeritos en obleas de silicio

Evaluacin visual del dao y aspecto de los agujeritos
Con el sistema descrito anteriormente taladr agujeritos de varios tamaos en diferentes condiciones, que describo a continuacin. Taladr agujeritos de 0.4, 0.6 y 1 mm de dimetro en obleas de silicio de 2 pulgadas de unas 300 m de espesor. Durante el taladrado la oblea est sujeta con vaco y refrigerada con agua. Analic la calidad de los agujeros obtenidos con un microscopio ptico variando la velocidad de avance de la fresa. sta es importante, puesto que una velocidad excesivamente elevada produce un mayor dao de las superficies, mientras que una velocidad demasiado pequea nicamente produce el calentamiento y desgaste de las fresas. Las principales conclusiones que obtuve son las siguientes: El dao es menor si la velocidad de retroceso al terminar el taladro es la misma que la de avance, del orden de pocas decenas de micras por segundo, que si la aumentamos a 1000 m/s. El dao es menor si la oblea est bien sujeta con vaco. De hecho, los nicos casos de roturas de obleas se dieron al fallar el vaco de sujecin. En general, para una velocidad dada, el dao aumenta al aumentar el tamao de la fresa, siendo el porcentaje de dao mucho mayor al utilizar la fresa de 1.0 mm que la de 0.4 mm, Fig. IV.20.A,B,E. Generalmente, el rea daada aumenta al aumentar la velocidad de avance. Los menores daos se han encontrado a velocidades de 20 m/s para fresas de 0.4 mm y de 10 m/s para fresas de 0.6 y 1.0 mm de dimetro, Fig. IV.20.B,E. Esta tendencia es menos marcada en el caso de que no traspasemos del todo el silicio, Fig. IV.20.C,D. En todos los casos, cuando no se traspasa la oblea del todo, el dao es mucho menor a la entrada que cuando se traspasa totalmente en las mismas condiciones de taladrado (tamao de fresa y velocidad de avance), Fig. IV.20.C-D. Como vemos en la Fig. IV.20.E., es posible hacer agujeritos muy juntos, de hasta 1 mm de distancia entre centros con una fresa de 0.6 mm. Se produce mayor dao en el orificio de salida del agujerito que en el de entrada. Esto puede deberse a que la ltima capa de silicio se rompe bruscamente, soltando posiblemente una esquirla, Fig. IV.20.F-G y Fig. IV.21. He comprobado que se puede atacar el dao alrededor de los agujeritos a la vez que se elimina la capa delgada que dej sin taladrar con un ataque isotrpico lento (CP4 con la mitad de HF que para decapar la oblea). Por tanto, en caso de hacer el taladrado de los agujeros al principio del proceso, se podran hacer sin traspasar del todo el silicio, haciendo despus un ataque para eliminar la ltima capa, a la vez que la zona ms daada. Otras opciones que aparecen en la bibliografa tras el taladrado de agujeros con lser es un ataque alcalino [Knauss01].
Fig. IV.20. Imgenes de microscopa ptica de agujeritos en diferentes condiciones. Todas las fotos estn tomadas a 50 aumentos, excepto C. a 150 aumentos.
Fig. IV.21. Imgenes de SEM de dos agujeritos totalmente traspasados. Se aprecia claramente la diferencia entre las primeras micras taladradas y el final (entre la mitad y un tercio del espesor de la oblea), posiblemente arrancado. En la imagen de la derecha tambin se ve que el metal de la cara frontal se ha despegado. En este caso se hizo el taladro antes del recocido final. En caso de hacer el recocido final antes de taladrar comprob que esto no ocurre.
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Medidas de tiempo de vida en volumen de obleas taladradas.
Para comprobar cul es el dao en el volumen de la base realizado por los agujeritos, hice medidas de tiempo de vida en obleas taladradas tras los diferentes pasos trmicos de una tanda. El material de partida es silicio FZ, tipo p, dopado con boro, de 3.7 cm. Las obleas a medir tienen 50 taladros de 0.6 mm de dimetro hechos a 20 m/s de velocidad de avance y totalmente traspasados. stos son los que corresponden a dos clulas CEP100X de 4 cm2 en una oblea de 2". Adems, se utiliza una oblea de control sin taladrar, procesada y medida a la vez. El proceso seguido se detalla en la Tabla IV.12., junto con los valores del tiempo de vida medidos en las condiciones de trabajo de esta oblea (ni = 91015 cm-3, que ya est en alta inyeccin), as como en las condiciones de inyeccin de obleas de resistividades bajas, (ni = 1 y 31015 cm-3 para 0.2 y 1 cm respectivamente), Fig. IV.22. En todos los casos se ha pasivado la superficie con HF durante la medida, por lo que medimos el tiempo de vida en volumen de las obleas. La medida de la oblea sin agujeritos tras la oxidacin tena demasiado ruido como para sacar conclusiones.
@ ni = 1015 cm-3 (s) Proceso Taladrado + Limpiezas (RCA 1 y 2) Ataque dao agujeritos (Decapado 40 m) + RCA1 Oxidacin 1.4 m, 1000 C + Eliminacin SiO2 + RCA1 Evaporacin 1.5 m Al + Predepsito P y Redistribucin P/Al + Ataque Al + RCA1 Sin agujeritos 350 800 N/A 160 Con agujeritos 260 900 20 55
@ ni = 31015 cm-3 (s) @ ni = 91015 cm-3 (s) Sin agujeritos 630 1200 N/A 250 Con agujeritos 480 1300 45 100 Sin agujeritos 875 1400 N/A 390 Con agujeritos 600 1400 70 145
Tabla IV.12. Medidas en proceso del tiempo de vida de obleas con y sin agujeritos a varios niveles de inyeccin.
Fig. IV.22. Medidas de tiempo de vida en obleas con y sin agujeritos a diferentes niveles de inyeccin.
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Podemos ver que el tiempo de vida en volumen vara mucho a lo largo del proceso, y que generalmente en las obleas con agujeritos es menor que en la de control sin agujeritos. Es de destacar el gran aumento de tiempo de vida con el decapado inicial. El hecho de que aumente tambin en las obleas sin agujeritos podra deberse a que las primeras micras del material estuvieran daadas por el corte de las obleas. En el caso de las obleas con agujeritos tambin se ataca la parte ms daada del material, por lo que es lgico que mejore tanto en este caso. Desafortunadamente, la mala calidad de la medida de la oblea de control tras la oxidacin no nos da un resultado fiable de la efectividad de la extraccin de impurezas debido a la redistribucin de aluminio, aunque parece que mejora algo ms que en las obleas con agujeritos. Una posible explicacin a este fenmeno sera que en esta zona, probablemente con ms defectos cristalinos, las impurezas se queden atrapadas y la extraccin de impurezas no funcione tan eficientemente como cuando no hay agujeritos presentes en la oblea. Tambin podra ocurrir que no estuvisemos pasivando adecuadamente la superficie de la oblea y por tanto esta afecte algo a la medida del tiempo de vida en volumen. Sin embargo, este fenmeno ocurrira tambin en el resto de las medidas, cosa que no ocurre tras el decapado. Habra que investigar con ms profundidad porqu ocurre esto, pero no lo hicimos en este trabajo. En cualquier caso, aunque el tiempo de vida empeora al taladrar, es importante recordar que para obleas de estos dopajes, todos los valores dan lugar a longitudes de difusin mayores que el espesor de la oblea (297 m para el peor de los casos, de 55 s), por lo que podremos colectar los portadores generados en todo el espesor de la oblea. Cambios en tiempos de vida en volumen mucho mayores que este valor afectan mucho menos a la eficiencia final de la clula que lo que ganamos por las mejoras en la resistencia serie y el factor de sombra al taladrar. Por tanto, es posible obtener obleas taladradas al principio del proceso, con buen aspecto visual, sin roturas y con tiempos de vida suficientemente altos como para obtener buenas eficiencias en los niveles de inyeccin en los que trabaja la clula a cien soles.
IV.5.- Caracterizacin de clulas solares taladradas al final del proceso.

El principal objetivo de este experimento fue comprobar si existe una degradacin importante de las caractersticas elctricas de una clula taladrada despus de finalizar el proceso de fabricacin. Para ello hice una serie de medidas de curvas IV a 1 sol y en oscuridad a clulas de varios tipos taladradas al final del proceso. Adems, durante una estancia en la Universidad de Constanza (Alemania) tom medidas de termografa en iluminacin, corriente fotoinducida, LBIC (del ingls Light-Beam Induced Current) y eficiencia cuntica de algunas clulas CEP100X que fueron taladradas al final del proceso. En este apartado
explico los resultados de las mismas. Caracterizacin elctrica a 1 sol y oscuridad En este experimento med las curvas IV a 1 sol y en oscuridad de varios tipos de clulas, despus taladr N2 agujeritos de 0.4 mm de dimetro dispuestos en m filas y m columnas equiespaciadas, y posteriormente volv a medir la curvas IV en iluminacin y oscuridad. Las clulas que utilic fueron las siguientes: Clulas comerciales. Clulas comerciales de panel plano de un sol fabricadas por Isofotn. Las clulas utilizadas son de 100 x 100 mm2 con malla en forma de H. Sin embargo, estas clulas son demasiado grandes para la plataforma de vaco de nuestro sistema de taladrado. Por ello, antes de medirlas y mecanizarlas, las cort con una sierra de diamante, de manera que quedan cuadradas, de 3.5 cm de lado, y con una sola barra colectora en un lado. Estas clulas, con eficiencias tpicas del 15% cuando tienen soldadas las cintas de conexin, dan eficiencias del 12% al 14% en estas condiciones. Clulas P/Al. Clulas de P/Al de alta eficiencia de contacto convencional y malla para un sol fabricadas en el IES. Estas clulas son de 4 cm2 y malla en forma de peine con una sola barra colectora, Fig. IV.23
Fig. IV.23. Clula P/Al taladrada.
Clulas CEP100X. Clulas de P/Al de alta eficiencia con la malla diseada para contacto posterior en el apartado IV.2., sin capa antirreflectante y sin conectar la cara frontal con la posterior, medidas tomando el contacto negativo en la cara frontal, Fig. IV.8. De stas, hay dos tipos de clulas: Algunas de ellas presentan un contacto posterior con forma de patrn interdigitado, as como una BSF local bajo el metal, entre las columnas de agujeritos, mientras que el rea alrededor de ellos est pasivada con xido de silicio para tener un mejor aislamiento de las zonas n+ y p+; mientras que otras tienen contacto posterior, as como BSF de aluminio, en toda la cara posterior, Fig. IV.24. Esta ltima disposicin requiere de un encapsulado a doble cara como describir en el prximo captulo.
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Los resultados ms representativos obtenidos para los distintos tipos de clulas son los presentados en la Fig. IV.25. y en la Tabla IV.13.
Cara frontal de los dos tipos de clulas CEP.
Con BSF y metalizacin posterior local.
Con BSF y metalizacin posterior total.
Fig. IV.24. Cara frontal (la misma para todas) y posterior de los dos tipos de clulas CEP caracterizadas.
Clula Isof. I1
N2 0 4 0
Voc (mV) 589 588 (-0.1%) 583 582 (-0.2%) 658 654 (-0.6%) 657 654 (-0.6%) 630 627 (-0.5%) 649 646 (-0.4%)
Jsc (mA/cm2) 31.4 31.2 (-0.6%) 30.0 29.7 (-1.0%) 33.8 33.2 (-1.6%) 34.1 34.1 (-0.03%) 30.2 30.2 (0.0%) 31.0 31.0 (0.0%)
FF 0.725 0.725 (-0.1%) 0.733 0.729 (-0.5%) 0.824 0.771 (-6.4%) 0.804 0.742 (-7.7%) 0.80 0.76 (-4.5%) 0.82 0.78 (-3.9%)
(%) 13.4 13.3 (-0.8%) 12.8 12.6 (-1.6%) 18.3 16.8 (-8.5%) 18.0 16.5 (-8.3%) 15.2 14.4 (-4.9%) 16.4 15.7 (-4.3%)
Isof. I3
16 0
P/Al AI
25 0
P/Al AD
25 0 25 0 25
CEP K3i (BSF local) CEP K8d (BSF total)
Tabla IV.13. Caractersticas de algunas clulas antes y despus del mecanizado de agujeritos.
Lo primero que se observa en la Tabla IV.13 y en la Fig. IV.25. es que no hay una cada catastrfica de las caractersticas elctricas de las clulas, sobre todo en el caso de las clulas comerciales. Aun as, s que hay una prdida bastante apreciable de eficiencia, especialmente en el caso de la clula de alta eficiencia de contacto convencional.
Parte de esta prdida se puede explicar por el aumento de resistencia serie de la clula, ya que varios de los agujeritos cortan dedos de metalizacin, por lo que estara aumentando la resistencia de la metalizacin. Este fenmeno no apareci en las clulas comerciales, puesto que debido a su mayor separacin entre dedos fue posible taladrarlas sin daar ninguno de ellos. Tampoco es tan grande la cada en las clulas CEP, puesto que en este caso los agujeritos se hacen en los lugares reservados para ellos y no rompen los dedos de metalizacin. Sin embargo, este aumento de la resistencia serie no es capaz de explicar por s solo la diferencia en el punto de mxima potencia en las clulas de contacto convencional de P/ Al, as como la diferencia en las clulas CEP. En el caso de la clulas de P/Al de contacto convencional, he realizado un ajuste de ambas curvas, antes y despus de taladrar, con PC1D. En el ajuste he tenido en cuenta tanto la curva de iluminacin a 1 sol como la de oscuridad. En la Tabla IV.14. muestro los parmetros que varan entre una y otra simulacin. Como se puede ver, efectivamente aumenta mucho la resistencia serie, pero tambin lo hacen la resistencia paralelo y J02. La aparicin de fugas con un comportamiento no lineal, es decir, de un diodo con m = 2, est relacionada con el aumento de la recombinacin, muy probablemente en las superficies taladradas.
Parmetro rst rp J01 J02 sf sp
AI 0 agujeritos 0.476 Inf 5.0010-14 0 75 2500 10

7
AI 25 agujeritos
Unidades
0.85 cm2 5000 cm2 5.0010-14 A/cm2 1.4010-08 A/cm2 75 s 2500 cm/s 107 cm/s
Tabla IV.14. Parmetros empleados en la simulacin PC1D de la clula de P/Al de contactos convencionales antes y despus de taladrarla.
Con estos datos y realizando una simulacin de esta clula con la resistencia serie que tena antes de taladrar, comprobamos que la disminucin de eficiencia debido al taladrado sera menor, como se ve en la ltima serie de la Fig. IV.25.
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A. Clulas comerciales de Isofotn cortadas
B. Clula de alta eficiencia de P/Al de contacto convencional, AI
C. Comparacin de clulas CEP con BSF local y total.
Fig. IV.25. Curvas IV a 1 sol de diferentes clulas antes y despus de taladrar.
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Fig. IV.26. A. Eficiencia frente a concentracin para la clula simulada en la optimizacin y la real introduciendo las nuevas J02 y Rp de clulas taladradas. B. Diferencias en la potencia mxima y la eficiencia entre ambas simulaciones.
Otro detalle que podemos observar en la Tabla IV.13 y en la Fig. IV.25. es la gran diferencia que hay entre las clulas CEP de los dos tipos, resumida en la Tabla IV.15.
N2 0 25
Voc (mV) (Voc,total - Voc,local) 19 3% 19 3%
Jsc (mA/cm2) (Jsc,total Jsc,local) 0.8 3% 0.8 3%
FF (FFtotal - FFlocal) 0.02 2% 0.02 3%
(%) (total - local) 1.2 7% 1.3 8%
Tabla IV.15. Diferencia entre los dos tipos de clulas CEP, K3i y K8d, con BSF local y total, respectivamente, antes y despus de taladrar.
Como se puede ver, el efecto de la BSF en toda la superficie es muy importante, dando mejores caractersticas a estas clulas que a las que tienen BSF local. En el apartado siguiente presento medidas de eficiencia cuntica de ambas clulas, as como sus ajustes en PC1D. Medidas de eficiencia cuntica. En las siguientes tablas y figuras muestro las medidas de eficiencia cuntica externa (EQE, External Quantum Eficiency), interna (IQE, Internal Quantum Eficiency) y reflectividad realizadas a clulas con los dos tipos de BSF, as como sus ajustes con PC1D.
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Fig. IV.27. Ajuste de las medidas de eficiencia cuntica de clulas con BSF local, k3i, y total, k8i. A. y B. Medidas y ajustes de eficiencia cuntica (EQ) de cada una de las clulas. C. Medidas de EQ de las dos clulas. D. Medidas y ajustes de la curva IV a un sol de ambas clulas. K3i (BSF local) Emisor Ns xj BSF Ns xj fs Reflectividad rst rp J (m = 2) sf sp 188 610
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K8d (BSF total) 188 / 61017 cm-3 1.953 m 55.18 / 21018 cm-3 8 m 10 % 0.5 cm2 3.3103 cm2 310-8 A/cm2 20 s 1000 cm/s 210-4 cm/s
1.953 55.18 21018 8 10 0.65 3.3103 410-8 10 2500 110-4
Oblea texturada Oblea texturada
Tabla IV.16. Parmetros de ajuste de PC1D de clulas con BSF local y total.
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Vemos que la principal diferencia est en el tiempo de vida, que aunque en ambos casos es muy bajo, es mucho menor en el caso de la BSF local. Teniendo en cuenta que la capa lquida de aluminio durante la distribucin hace un importante efecto de extraccin de impurezas, ste parece ser el efecto dominante en nuestro proceso. Por ello el tiempo de vida es mayor en dichas clulas. Las zonas sin BSF local estn pasivadas con xido de silicio, por lo que la recombinacin en ellas es menor. Pero al no disponer de ninguna otra estructura que haga de reflector posterior, los portadores generados en ella se acaban recombinando en el volumen antes de ser recolectados. Adems, los fotones que llegan a ella no se reflejan de nuevo hacia la base, produciendo una mayor disminucin de la corriente generada. Adems, tambin se nota ligeramente en el factor de forma, debido a que hay un pequeo aumento de la resistencia serie, ya que los portadores tienen que desplazarse por la base de forma lateral en algunas reas, hasta alcanzar el contacto posterior. Sin embargo, esto no es necesario en el caso de tener una BSF y un contacto posterior en todo el rea de la clula. Sin embargo, estas no son las condiciones reales de trabajo de la clula. De igual forma que suceda con el aumento de J02 en las clulas de P/Al al taladrar, cuando ponemos dichas clulas en concentracin esta diferencia disminuye mucho, llegando a reducirse a slo el 0.8% absoluto en eficiencia. Medidas de termografa y LBIC La termografa de lock-in, o LIT (Lock-In Thermography, por sus siglas en ingls) es una tcnica muy potente que permite el estudio con resolucin espacial tanto de la calidad del material como de parmetros dependientes de proceso, como la resistencia de contacto o las fugas de corriente. La termografa de infrarrojos en oscuridad, DLIT (Dark Lock-In Thermography), fue desarrollada en principio para la deteccin de fugas en clulas solares en polarizacin inversa y en oscuridad. Sin embargo, no tena la suficiente precisin como para analizar los resultados en polarizaciones cercanas a las condiciones de trabajo de la clula solar. Para ello, dos grupos alemanes (en el ISE Fraunhofer y en la Universidad de Constanza) han desarrollado independientemente la termografa de lock-in en iluminacin, ILIT (Illumination Lock-In Thermography, [Breitenstein04], [Kaes04], [Breitenstein05], [Isenberg05]). La tcnica de termografa consiste en tomar una imagen de la clula solar con una cmara de infrarrojos, de forma que se pueden detectar zonas con pequeas fugas de corriente en defectos, impurezas o daos introducidos durante el proceso, debido a su disipacin local de calor [Kaes04]. Para mejorar la relacin seal-ruido se utilizan tcnicas de lock-in, activando las fuentes locales de calor de forma peridica; las imgenes del objeto se toman con una cmara de infrarrojos a una cierta frecuencia de cuadro. La activacin de las fuentes de calor se hace mediante la aplicacin de un voltaje externo modulado mediante los contactos de la clula [Breitenstein05]. Esta tcnica se denomina entonces termografa de lock-in en oscuridad, DLIT, requiere de contactos externos y
permite solamente la caracterizacin de clulas en su etapa final. La principal ventaja de esta tcnica sobre la termografa directa es su carcter promediado, de forma que tras unos pocos minutos el ruido se reduce considerablemente, adems de incrementar la resolucin espacial. Aplicando la modulacin mediante una luz externa modulada en lugar de mediante un voltaje externo, el flujo de portadores de carga es generado por el mismo dispositivo. Una lmpara halgena se utiliza adems para polarizar la clula de forma constante, Fig. IV.28.
Fig. IV.28. Sistema de medida ILIT de la Universidad de Constanza, tomada de [Kaes04].
Esta tcnica permite no slo el estudio tanto cualitativo como cuantitativo con resolucin espacial de las clulas solares en condiciones cercanas a las de operacin, sino que adems es una medida sin contactos, por lo que permite el estudio de clulas solares durante el proceso de fabricacin, presentndose as como una de las tcnicas ms prometedoras para la caracterizacin en lneas de produccin. Efectuando la medida bajo diferentes condiciones, variando entre Voc e Isc, es posible realizar un anlisis con resolucin espacial de todo tipo de fugas (tanto lineales como no lineales) y la distincin de los efectos que las producen, as como la realizacin de mapas con las zonas de mayor o menor Rs [Breitenstein05]. Estas tcnicas han sido desarrolladas muy recientemente, y durante mi estancia en Constanza en 2004 utilizamos la tcnica ILIT en circuito abierto nicamente (que de aqu en adelante denominar simplemente termografa) para analizar cualitativamente la calidad de las clulas solares tras el taladrado de agujeritos. Junto a las imgenes de ILIT tomamos medidas de corriente fotoinducida. El mtodo de medida LBIC genera un mapa de la respuesta de un dispositivo al mover un punto de luz (generalmente lser) por toda la superficie frontal de la clula y midiendo la corriente de cortocircuito resultante. Con esta tcnica se pueden encontrar zonas de bajo rendimiento, como grietas, zonas de mayor recombinacin en las fronteras de grano en materiales multicristalinos, zonas con menor longitud de difusin de portadores
minoritarios... Aqu presento algunas imgenes de LBIC de los mismos dispositivos que se midieron por termografa. Las muestras analizadas son las mismas clulas CEP a las cuales les medimos las curvas IV antes y despus de taladrar y descritas en el apartado anterior. Desafortunadamente, no me fue posible tomar imgenes de la misma clula antes y despus de taladrar, por lo que las medidas que muestro antes y despus de taladrar son de diferentes clulas. Las conclusiones de estas medidas son cualitativas y muy superficiales, ya que se requeriran medidas en varias condiciones para distinguir entre los diferentes tipos de defectos que no estaban a punto en el momento de realizar estas medidas, y son las siguientes, Fig. IV.29. y Fig. IV.30.: Uno de los principales efectos observados es el claro efecto de la BSF local en algunas de las clulas, tanto en las medidas de termografa como en LBIC. En el primer caso, se aprecia una mayor temperatura en las zonas con BSF, Fig. IV.29.A. En el caso de la fotocorriente inducida, se aprecia claramente el efecto de la BSF, dando lugar a una mayor corriente en dichas zonas, Fig. IV.29.B. El hecho de que haya una mayor temperatura en las zonas con BSF es probablemente la suma de dos efectos combinados: el aumento local de temperatura debido al efecto Joule, ya que hay ms circulacin de corriente, el debido a una mayor recombinacin en la superficie posterior debido a la presencia de la capa de aluminio.
Esto confirma los resultados obtenidos al medir las curvas IV a un sol y eficiencia cuntica, donde ya vimos la importancia de tener una BSF en toda la superficie posterior.
Otro efecto causado al taladrar los agujeros es la aparicin de grietas en una de las clulas, que se ven tanto en termografa como en LBIC, especialmente en esta ltima. Sin embargo, en una inspeccin ptica de la clula no se pueden apreciar dichas grietas en ninguna de las superficies. En cualquier caso, esto se detect con una cada dramtica de la eficiencia tras taladrar (de 15.3% de eficiencia antes de taladrar a 5.2% despus).
No parece que, por defecto, haya una gran influencia de los agujeritos en ninguna de las dos tcnicas, Fig. IV.29.F,G, ya que en la mayora de ellos se ven reas muy buenas alrededor de ellos. Esto confirma que se pueden hacer los agujeritos en clulas terminadas sin inducir reas con gran recombinacin, con gran densidad de dislocaciones o microcortocircuitos. En el caso de la termografa, no tenemos una gran resolucin con respecto al tamao de los mismos, pero s en la tcnica de LBIC. En Fig. IV.29.G. podemos ver ms de cerca el rea alrededor de uno de ellos, donde se aprecia un rea muy pequea donde hay algo menos de corriente.
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A. Termografa D5i.
B. LBIC D5i.
C. Fotografa de D5i por ambas caras.
D. Termografa K8i.
E. LBIC K8i.
F. Detalle de la zona central de A.
G. Detalle de la esquina superior derecha de E.
Fig. IV.29. Imgenes de termografa, LBIC y pticas de varias clulas CEP.
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A. Termografa K3i.
B. LBIC K3i.
C. Fotografa de K3i por ambas caras.
D. Termografa K2i, sin taladrar. Fig. IV.30. Imgenes de termografa, LBIC y pticas de varias clulas CEP (2).
En algunos casos, sin embargo, aparecen zonas mucho ms calientes en las imgenes de termografa. Estas zonas se producen generalmente alrededor de uno o varios agujeritos, pero no parecen tener ninguna relacin con su apariencia visual, Fig. IV.30.A-C., ya que en algunos casos se han detectado reas de mucho peor aspecto visual que sin embargo no presentan ninguna diferencia con los mejores agujeritos en las imgenes de termografa.
Adems, incluso en clulas terminadas sin taladrar se pueden encontrar estos defectos, por lo que parece que deben ser ms bien atribuidos a algn defecto en la difusin del emisor o incluso a zonas de peor contacto, y por lo tanto mayor
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temperatura en dichas reas, Fig. IV.30.D. Por tanto, este sistema sigue pareciendo una alternativa viable, e incluso nos permite la posibilidad de hacer los taladros al final del proceso, por lo que el proceso de fabricacin es esencialmente el de una clula solar de alta eficiencia a la que al final se le taladran unos cuantos agujeritos. Desafortunadamente, no dispona de clulas con los agujeritos hechos al principio del proceso, bien por ataque qumico, bien por mecanizado, para caracterizarlas por estos mismos mtodos, lo que nos habra podido permitir una mayor profundizacin en los mecanismos que aqu se muestran.
IV.6.- Conclusiones.
En este captulo presento el concepto de clula de contacto posterior para su uso en concentracin, CEP, as como la estructura y el diseo de la malla de metalizacin. Se demuestra tericamente que, mediante la adicin de unos pocos agujeros repartidos uniformemente por el rea activa de la clula, podemos conseguir clulas de concentracin de silicio de gran rea con eficiencias muy superiores a las de una clula con metalizacin frontal convencional, debido principalmente a la reduccin del factor de sombra y de la resistencia serie. Tecnolgicamente, la mayor diferencia entre una clula CEP y una convencional es la presencia de algunos agujeritos, por lo que he dedicado el resto del captulo a presentar dos formas de hacerlos: qumica y mecnicamente, as como a la caracterizacin de obleas y clulas finalizadas con agujeros taladrados. Presento aqu solamente los resultados a un sol, ya que para obtener resultados a mayores concentraciones debemos encapsular las clulas. Este punto tiene muchas diferencias con el encapsulado de clulas de contacto convencional y dedicar a ello el prximo captulo. Dichas medidas a un sol, as como de tiempo de vida, eficiencia cuntica, e imgenes de termografa en iluminacin y fotocorriente inducida, nos demuestran que, aunque hay una ligera degradacin de las caractersticas de la clula al taladrar los agujeritos, sta no es catastrfica, y segn las simulaciones realizadas a mayores concentraciones sus efectos son menores que la ganancia obtenida por el hecho de colectar los portadores de una manera ms uniforme a lo largo de la superficie de la clula, y por tanto disminuir tanto la resistencia serie como el factor de sombra. As mismo, presento medidas de tiempo de vida de obleas con agujeritos taladrados y posteriormente sometidas a los mismos procesos trmicos que una tanda normal, demostrando de nuevo que, aunque el material se degrada algo, an podemos obtener tiempos de vida suficientemente buenos como para utilizar el taladrado tambin al principio del proceso.
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Captulo
V. Clula CEP: fabricacin, encapsulado y resultados
Como hemos visto en el captulo anterior, es posible mejorar sustancialmente las caractersticas de las clulas de concentracin mediante la conexin entre las caras frontal y posterior, de forma que recogemos uniformemente la corriente en toda su rea, as como incrementar el rea de la clula y/o conectarlas en serie-paralelo para la fabricacin de mdulos compactos sin reas inactivas. En este captulo describo las posibilidades de fabricacin de la clula CEP , as como las diferentes estructuras a que dara lugar. A continuacin trato del encapsulado de dichas clulas, paso fundamental para la medida de sus caractersticas en condiciones reales de concentracin, as como para su integracin en un sistema.
V.1.- La clula CEP: Fabricacin.

El punto de partida para el proceso de fabricacin de la clula CEP es la tecnologa estndar del IES, descrita en el apartado III.2., aadiendo los cambios necesarios para hacer los agujeritos y tener una estructura en la que no se cortocircuiten los polos positivo y negativo en la cara posterior. Hay dos alternativas claras a este proceso, que son hacer los agujeritos al principio del mismo o al final. En el primer caso, es posible hacerlos tanto qumica como mecnicamente. Sin embargo, al final slo es posible hacerlos mecnicamente. Adems, en el caso de hacerlos al final, se han comparado dos procesos: uno con toda la cara posterior metalizada (denominado sin patrn posterior) y otro con un patrn interdigitado en la cara posterior (denominado con patrn posterior). Veremos los motivos de hacer esto un poco ms adelante, cuando tratemos del encapsulado de estas clulas. En todos los casos, tanto el proceso de fabricacin como la estructura final son ligeramente diferentes, y son los que describo en los siguientes apartados. Los procesos posibles descritos a continuacin, y las denominaciones que les vamos a dar son los siguientes: 3. Agujeritos al principio: CEP-P a. Qumico: CEP-PQ b. Mecnico: CEP-PM 4. Agujeritos al final (nicamente mecnico): CEP-F a. Con BSF local: CEP-FL b. Sin BSF total: CEP-FT
V.1.1.- Agujeritos al principio del proceso, CEP-P. En funcin del mtodo utilizado para realizar los agujeros en la oblea vamos a tener algunas diferencias en los primeros pasos del procesado, por lo cual hablaremos de dos procesos de fabricacin diferentes:
Captulo V. Clula CEP: fabricacin, encapsulado y resultados
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1. CEP-PQ. Agujeritos por ataque qumico anisotrpico. Requieren de un paso adicional de fotolitografa y un ataque qumico. 2. CEP-PM. Agujeritos por mecanizado del silicio (fresas de diamante o lser). En estos dos casos, primero hay que realizar el taladrado de la oblea y luego hay que atacar el dao producido en los alrededores del agujerito. En la Fig. V.1. se muestra un diagrama de flujo del proceso CEP-P en sus dos variantes, que difieren nicamente en los 3 primeros pasos, junto con el proceso estndar de clulas de P/Al del IES. En este caso, es necesario crecer la capa antirreflectante de SiO2 durante la redistribucin de P/Al, ya que si la evaporamos al final, no podramos soldar los pines a la cara posterior.
Fig. V.1. Diagrama de flujo del proceso CEP-P, junto al estndar del IES.
En las Fig. V.2. y Fig. V.3. se muestra cmo queda la seccin de la clula en los pasos iniciales distintos en cada una de las dos lneas. En la Fig. V.4. se muestra la seccin de la clula en el resto del proceso, comn a ambas lneas de fabricacin.
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Oxidacin inicial
Apertura patrn agujeritos. Fotolitografa SiO2 grueso Silicio
Ataque anisotrpico
Fig. V.2. Pasos iniciales de fabricacin de la clula CEP realizando los agujeritos al principio mediante un ataque qumico anisotrpico.
Mecanizado Silicio
Ataque dao SiO2 grueso
Oxidacin inicial
Fig. V.3. Pasos iniciales de fabricacin de la clula CEP mecanizando los agujeros al principio del proceso con fresas de diamante o con lser.
En el caso del procesado con ataque qumico, vemos que primero tenemos que hacer una oxidacin y luego definir el patrn de agujeritos deseado mediante fotolitografa. Posteriormente, se realiza un ataque qumico anisotrpico con TMAH como he descrito en el apartado IV.4.1. Con un xido grueso (~1.3 m) como el que se crece en el proceso convencional para definir el dispositivo es suficiente para resistir el ataque anisotrpico, as como el posterior procesado de la clula. En este caso, aadimos un paso ms de fotolitografa, con los inconvenientes que conlleva de alineacin de mscaras posteriores. En caso de hacer los agujeritos por ataque qumico, al ser anisotrpico, no vamos a tener agujeritos cilndricos, sino que tendrn forma de tronco de pirmide cuadrada, como se ve en el corte de la Fig. V.2. En caso de hacerlos con fresas de diamante o con lser, los agujeros sern cilndricos, ya que el dao se va a atacar con un bao isotrpico, que mantiene la forma cilndrica generada al hacer los agujeritos. Por simplicidad, en la siguiente figura en la que aparecen el resto de los pasos de fabricacin comunes a ambas lneas, vamos a dibujar los agujeritos cilndricos, pero sin olvidar que esto no ser as en el caso del proceso de fabricacin CEP-PQ. Una cuestin a tener en cuenta comparando este proceso con el estndar es que, en el caso de una clula convencional, no necesitamos aislar los dos contactos metlicos en la cara posterior, con lo cual eliminamos el xido de esa cara en la primera fotolitografa. Sin embargo, en una clula CEP necesitamos aislar la zona n+ de la zona p+ en la cara posterior, con lo cual, en cada paso de fotolitografa, debemos proteger con resina la cara opuesta a la que vamos a fotolitografiar, puesto que debemos conservar ese xido para el aislamiento de los contactos en la cara posterior.
Captulo V. Clula CEP: fabricacin, encapsulado y resultados 131
Apertura ventanas. Fotolitografa
Texturado
Predepsito P
Aislamiento contactos. Fotolitografa
Evaporacin Al + Lift-off
Redistribucin de P/Al + CAR SiO2
Metalizacin frontal. Fotolitografa + Lift-off
Metalizacin posterior. Fotolitografa+ Lift-off + Recocido
Silicio SiO2 grueso Zona p+ (Al) Zona n+ (P) CAR SiO2 Metal
Fig. V.4. Pasos comunes a las dos lneas de fabricacin CEP-P.
Como se puede ver en la Fig. V.4, el proceso de fabricacin de la clula CEP es ms complejo que el de las clulas convencionales, debido principalmente a la necesidad de aadir dos pasos ms de fotolitografa: para aislar la zona n+ y la zona p+ en la parte posterior, y para definir la metalizacin posterior en forma de peine interdigitado. Estos dos pasos ms de fotolitografa se convierten en tres en el caso de hacer los agujeritos en el silicio por ataque qumico anisotrpico. Todos los procesos extra se basan en las tecnologas descritas en el captulo anterior para el ataque anisotrpico con TMAH o el taladrado con fresas de diamante. El resto, son adiciones o variaciones muy sencillas de los procesos de la tecnologa habitual del IES descritos en la primera columna de la tabla III.6., por lo que no los describo aqu detalladamente. En la prctica, este proceso de fabricacin tiene varias complejidades que van ms all del hecho de aadir algunos pasos extra. En concreto, las obleas con agujeritos son ms frgiles que las normales, pudiendo resultar en un mayor nmero de roturas. Adems, el hecho de tener agujeritos tambin complica los pasos de fotolitografa, por la dificultad de aplicar la resina uniformemente en la superficie de la clula, adems de evitar manchar de resina los equipos (especialmente el spinner y el alineador). Otro problema es conseguir que el metal rellene todo el agujero. De hecho, no es posible conseguir la estructura final de la Fig. V.4. solamente con evaporacin del metal ms un paso de crecimiento con electrolisis.
132
Otros autores trabajando con clulas MWT utilizan procesos de metalizado autocatalticos tras la apertura de los agujeros con lser en clulas de contactos enterrados [Jooss00a] o con serigrafa [Kerschaver98]. Nos encontraremos, pues, con una estructura ms parecida a las mostradas en la Fig. V.5., dependiendo de si hacemos un ataque qumico o un taladrado.
CEP-PQ
CEP-PM
Fig. V.5. Estructura final de las clulas CEP-PQ y CEP-PM.
Otra opcin para el ataque qumico sera hacerlo desde la cara posterior, de forma que tendramos menos factor de sombra en la cara frontal. Sin embargo, elegimos hacerlo al revs para que haya metal en las paredes durante el crecimiento electroltico de plata y as tener menor resistencia. En caso de ataque qumico, tendramos la posibilidad de tener las caras frontal y posterior conectadas por una fina capa de metal, mientras que en el caso mecnico tendramos que conectarlas posteriormente, bien rellenando el agujerito de metal electrolticamente o por serigrafa, bien soldando pines o hilos de cobre en las caras frontal y posterior durante la fase de encapsulado. Adems, en el caso CEP-PM tendramos la cara interior de los agujeritos sin pasivar (ya que al no depositarse resina en la paredes, se elimina el xido pasivador al hacer la metalizacin frontal) y sin metal para contactar, por lo que aumentaramos la recombinacin en dichas superficies sin tener a cambio un aumento de superficie de contacto con el metal. Sin embargo, este aumento supone un 0.05% de la superficie de la clula, frente al 6% que supone el permetro de la clula. Por tanto, es de esperar que dicho aumento no sea muy catastrfico por el pequeo aumento de rea que supone, como as lo confirma el hecho de que al taladrar al final del proceso la tensin de circuito abierto no disminuye mucho. En cualquier caso, para tener resultados ptimos tendramos que tener en cuenta alguna forma de pasivacin superficial en los agujeritos. No parece, por tanto, que el proceso CEP-PM (el taladrado al principio del proceso) sea sencillo, puesto que requerira aadir una posterior pasivacin de las paredes de los agujeritos.
V.1.2.- Agujeritos al final del proceso, CEP-F. Otra opcin sera realizar los agujeritos al final del procesado de las clulas, en cuyo caso slo es posible hacerlos mecnicamente, puesto que no es posible crecer trmicamente el xido necesario para enmascarar el ataque qumico despus de
depositado el metal. Sera posible enmascarar el metal con nitruro de silicio depositado por LPCVD o PECVD, pero estos mtodos no estaban disponibles en el IES durante la realizacin de esta tesis, por lo que no planteo aqu esta opcin. En este caso el proceso sera el mismo que la tecnologa estndar, aadiendo los dos pasos extra de fotolitografa para aislar los contactos positivo y negativo y definir la metalizacin de la cara posterior. Esta estructura la vamos a denominar CEP-FL, puesto que al definir una zona de aislamiento alrededor de los agujeritos, damos lugar a una BSF local. El esquema es el que muestro en el diagrama de la Fig. V.6. y el corte transversal en la Fig. V.7.
Fig. V.6. Diagrama de flujo del proceso CEP-FL, junto al estndar del IES.
En la Fig. V.7. se ve que las caras frontal y posterior no se conectan durante este proceso, sino que deben ser conectadas posteriormente, utilizando pines o hilos metlicos durante el encapsulado. La forma de hacer esto la tratar en el siguiente apartado.
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Oxidacin inicial
Apertura ventanas. Fotolitografa
Texturado
Predepsito de P
Aislamiento contactos. Fotolitografa
Evaporacin Al + Lift-off
Redistribucin de P/Al + CAR SiO2
Metalizacin frontal. Fotolitografa+ Lift-off
Metalizacin posterior. Fotolitografa+ Lift-off Silicio SiO2 grueso Zona p+ (Al) Zona n+ (P) CAR SiO2 Metal
Taladrado agujeritos Fig. V.7. Proceso de fabricacin de CEP-FL.
Hay una ltima opcin que simplificara an ms el proceso, eliminando el patrn de metalizacin en la cara posterior, y por tanto con BSF y contacto posterior en toda ella. Esto reducira el proceso al estndar ms un paso de taladrado de agujeritos, Fig. V.8. Esta clula la denominar CEP-FT (con BSF Total), para distinguirla de la anterior, CEP-FL (con BSF Local).
Fig. V.8. Estructura final de la clula CEP-FT.
135
Tenemos, por tanto, bastantes opciones para fabricar clulas de contacto posterior, partiendo del proceso estndar de clulas de alta eficiencia de P/Al y con agujeritos hechos mecnica o qumicamente, que resumo en la Tabla V.1.
Paso Oxidacin Inicial Apertura patrn de agujeritos Ataque anisotrpico Taladrado agujeritos Ataque dao Apertura de ventanas Texturado Predepsito de P Aislamiento contactos Evaporacin Al Lift-off Redistribucin + xido pasivador Metalizacin frontal Metalizacin posterior sin fotol. Metalizacin posterior con fotol. Taladrado de agujeritos Recocido + Capa antirreflectante N total de pasos Estructura final
P/Al IES
CEP-PQ
CEP-PM
CEP-FL
CEP-FT
13
13
12
10
Tabla V.1. Resumen de los distintos procesos de fabricacin de clulas CEP.
En casi todos los casos, con la sola fabricacin de la clula no se consigue el contacto entre las caras frontal y posterior a travs de los agujeritos. As pues, es necesario encapsular las clulas siempre para poder tener esta conexin y medirlas en las condiciones apropiadas. Debido a su simplicidad de proceso, vamos a realizar todas las pruebas y medidas de clulas taladradas tras el proceso, CEP-FL y CEP-FT, aunque los procesos y materiales seran vlidos tambin para el resto de estructuras.
136
V.2.- La clula CEP: Encapsulado.

El paso de encapsulado de las clulas de contacto posterior es absolutamente necesario para lograr una buena conexin entre las metalizaciones frontal y posterior, y as poder medir las clulas en las condiciones de trabajo, y por tanto verificar su mejora respecto a las clulas convencionales. Dicho encapsulado puede ser soldado o pegado, y debe cumplir varias condiciones que mantengan dicha mejora, asegurando: Una resistencia serie mnima. Buena conduccin trmica al disipador del sistema, para mantener la temperatura de operacin lo ms baja posible. Buen aislamiento elctrico con el disipador del sistema, preparado para soportar elevadas temperaturas de trabajo y el voltaje de trabajo del sistema completo, generalmente de cientos de voltios. Facilidad de automatizacin e interconexin serie-paralelo entre clulas en el mismo sustrato, para dar lugar a un panel muy compacto de clulas. En cuanto a la conexin elctrica, se podra hacer en un circuito de una sola cara o de doble cara, Fig. V.9. Todas las estructuras presentadas en el apartado anterior permitiran la conexin en un circuito de una sola cara excepto en el caso de tener capa BSF y metalizacin posterior en toda la cara, CEP-FL. La estructura CEP-FL podra ser encapsulada en un sustrato con el patrn de metalizacin de la cara posterior grabado en una cara con las pistas de metalizacin correspondientes al contacto positivo y negativo de forma interdigitada, y sera necesario rellenar los agujeritos de metal, (estao/plomo/plata o estao/cobre/plata para aleaciones con y sin plomo respectivamente) a la vez que se suelda la clula al sustrato, Fig. V.9.A. Sin embargo, estaramos cortocircuitando la clula, haciendo contacto entre el metal contactando la zona n+ y la base de silicio. En realidad, esto no da lugar a un cortocircuito, pero s que introduce una resistencia paralelo muy importante. Por tanto, es necesario aislar las paredes de los agujeritos antes de depositar el metal con el que se rellenan. Esto no sera necesario en los procesos con los agujeros hechos al principio, puesto que ya tienen difundido el emisor de fsforo. Adems, en la prctica este proceso no es fcil, debido al pequeo dimetro de los agujeros. Por la gran tensin superficial del estao fundido, tiende a hacer una bolita encima de la clula y no he conseguido conectar las caras frontal y posterior, Fig. V.10.A. En los pocos casos en los que se ha conseguido hacer el contacto, adems, ha resultado cortocircuitar completamente la clula. Por tanto, descart este proceso en favor de uno de doble cara, que sera vlido para cualquiera de las estructuras presentadas. En caso de utilizar un sustrato de doble cara para el encapsulado, el aspecto final de la estructura sera el mostrado en Fig. V.9.B. En este caso, toda la cara posterior de la clula va soldada a la cara superior del sustrato, y el contacto de la cara frontal de la clula se pasa mediante hilos de cobre a la cara posterior del circuito, Fig. V.10.B y C. Para evitar
problemas de fugas, he utilizado hilo de wrapping, que ya est aislado.
A. CEP-FL
B. CEP-FT
Fig. V.9. Corte y vista superior del encapsulado en un circuito de A. cara simple (CEP-FL) y B. cara doble (CEP-FT).
Fig. V.10. Clula CEP encapsulada en sustrato de A. una cara; B. dos caras; C. cara posterior de B.
138
V.2.1.- Materiales para el encapsulado a doble cara. Con el objeto de determinar una secuencia de encapsulado adecuada, fabriqu varias tandas de clulas CEP con el esquema de fabricacin ms sencillo posible, CEP-F, con BSF local y total. Posteriormente, hice numerosas pruebas para encontrar la secuencia y los materiales ptimos para el encapsulado en un circuito de doble cara, como el mostrado en la Fig. V.10.B y C. Prob los siguientes materiales y sus combinaciones:
Sustrato
Circuito impreso convencional de epoxy FR4 y 35 m de espesor de cobre en las pistas. Este material es muy mal conductor del calor, pero el grabado de las pistas y su mecanizado es muy sencillo. Se puede utilizar para probar el proceso y medir en flash, pero no para su uso en concentracin. Sustrato metlico aislado (IMS, Insulated Metal Substrate), adecuado para aplicaciones de potencia. Consiste en un laminado de una resina dielctrica entre dos capas metlicas, generalmente una de cobre de unas 280 a 400 m de espesor, donde se graba el circuito y se colocan los componentes, y una base de aluminio de unos 3 mm de espesor. Estos materiales disipan el calor mucho mejor que el circuito impreso convencional, dndose el mayor salto trmico en el dielctrico, que suele ser muy fino. Sustrato cermico, DBC (Direct Bonding Copper). Es un sndwich de almina o nitruro de aluminio de 0.63 mm entre dos capas de cobre de 300 m. La almina permite un buen aislamiento elctrico a la vez que una excelente conduccin trmica, ver Tabla V.2. Sin embargo, este material es bastante caro de mecanizar, ya que habra que hacer los agujeritos con lser, por lo que no lo hemos utilizado en los experimentos de esta tesis.
Material FR4 Dielctrico IMS Thermagon Dielctrico IMS Bergquist Dielctrico IMS Aismalibar Almina Nitruro de aluminio Cobre Aluminio Conductividad trmica (W/cmK) 0.002 0.04 0.011 - 0.022 0.02 0.3 1.5 3.9 1.9 Espesor (m) 200 200 150 - 75 110 630 630 30 30 Resistencia trmica Salto trmico (Kcm2/W) (C) 10.16 0.51 1.36 - 0.34 0.55 0.21 0.04 0.01 0.02 83.31 4.17 11.18 - 2.80 4.51 1.72 0.34 0.06 0.13
Tabla V.2. Caractersticas trmicas de los sustratos estudiados. Captulo V. Clula CEP: fabricacin, encapsulado y resultados 139
En la Tabla V.2. resumo las propiedades trmicas de estos materiales, teniendo en cuenta una densidad de luz de 100 soles (10 W/cm2), y una eficiencia del 18% a dichas temperaturas, por lo que el calor a disipar es de 8.2 W/cm2. Como se ve, la contribucin de los metales es muy pequea. En el caso de los IMS hay varios proveedores. Finalmente, utilizamos el de Aismalibar. El mejor material desde el punto de vista trmico son las cermicas, que adems tambin soportan mayores tensiones de ruptura dielctrica.
Unin clula - sustrato
Las principales formas de conectar elctricamente la clula al sustrato son el pegado y el soldado, para los cuales hay infinidad de opciones disponibles en el mercado. Los materiales que he utilizado han sido los siguientes:
Pasta de soldar Sn62Pb36Ag2. La conexin soldada es la que da menor resistencia elctrica. Sin embargo, al tener que soldar luego manualmente los pines o hilos para hacer la conexin de la cara frontal de la clula, generalmente tenemos el problema de que la cara posterior de la clula se desuelda. Pegamentos conductores. Son materiales formados por una matriz aislante (silicona o epoxy) rellena de bolitas metlicas, concretamente de plata y cobre. Estas pastas conductoras permiten pegar la clula al sustrato sin someterla a ciclos trmicos, por lo que no se ven afectadas al soldar posteriormente los pines. En la Tabla V.3. muestro las caractersticas elctricas de algunas de estas pastas, comparadas con la pasta de soldar. Hay un rango bastante grande de valores. Especialmente el epoxy llegara a suponer un 22% de la resistencia total de la clula CEP100X.
Producto Cho-Bond 1030 Cho-Bond 360-20 AIT SR8850-2 SnPbAg
Tipo Epoxy Silicona Silicona Pasta de soldar
Consistencia Pasta arenosa Pasta media Pasta --
Resistividad Espesor Resistencia total (cm) recomendado (m) (mcm2) 0.05 0.005 0.01 1.510
-5
250 250 30 100
2.78 (22.2%) 2.8 (2.2%) 0.07 (0.5%) 810-5 (310-3 %)
Tabla V.3. Caractersticas de los adhesivos conductores utilizados. Las cifras entre parntesis indican el porcentaje de la resistencia serie total de la clula CEP100X que supondra.
Conexin entre las caras frontal y posterior. Pines de 0.4-0.5 mm de dimetro. Para evitar que el pin toque la cara interna del agujerito, en este caso se han aislado las mismas con una pintura resistente a altas temperaturas. Hilos de 0.3 mm de dimetro. En este caso, hemos utilizado hilo de wrapping que tiene una funda protectora, de forma que no haya fugas a la base.
V.2.2.- Resultados del encapsulado a doble cara. Con los materiales citados en el apartado anterior, hice numerosas pruebas de encapsulados, con resultados muy dispares y generalmente muy pobres. En muchos casos, los problemas se derivan de la particularidad de este tipo de clulas, y se vislumbra aqu la manera de solucionarlo en futuros trabajos. Sin embargo, algunos otros se deben a la falta de medios ms propios de la industria de encapsulado de componentes electrnicos que para un laboratorio de clulas solares como el del IES. Los principales problemas encontrados fueron los siguientes: Uso de pastas de soldar Es posible soldar adecuadamente la cara posterior de la clula al sustrato correspondiente. Sin embargo, al soldar los pines manualmente dicha soldadura se funde y no se vuelve a soldar adecuadamente. Parte del problema se puede deber a un espesor no adecuado de plata en la metalizacin posterior de la clula, lo que deja al descubierto la superficie de aluminio, no soldable. Las alternativas a este proceso seran utilizar espesores mayores de plata, as como procesos de soldadura por ola para los pines, que se utilizan habitualmente en la industria de componentes electrnicos tras la soldadura de los componentes superficiales (denominados de montaje SMD) sin problemas. Otra alternativa sera utilizar aleaciones de soldadura de bajo punto de fusin, como las que llevan Bismuto y/o Indio, que pueden llegar a fundir a temperaturas tan bajas como 96 C del Bi46Sb34Pb20, [Indium07]. Sin embargo, en este caso habra que tener en cuenta la temperatura real de trabajo de las clulas, para evitar los efectos de la fluencia en las caractersticas mecnicas de las soldaduras, por lo que habra que ir a aleaciones de puntos de fusin ms bajos que el SnPbAg (183 C), pero lo ms altas posibles que permita el proceso, como por ejemplo el Sn43Pb43Bi14, cuyo punto de fusin es de 163 C.
Uso de adhesivos conductores
El mayor problema es la aplicacin manual del espesor adecuado en nuestras instalaciones, que no debera serlo si utilizsemos mtodos de serigrafa. Adems, todas las pastas probadas son bastante viscosas y requieren de un curado con presin de unos 0.1 Kg/cm2. Debido a la fragilidad de las clulas CEP ya taladradas, se producen muchas roturas durante el curado de las mismas. Las alternativas a este proceso seran utilizar adhesivos ms lquidos, que actualmente ya ofrecen algunos de los fabricantes de adhesivos conductores como el mismo Chomerics (fabricante de los materiales Cho-Bond) y varios ms. Conexin de las caras frontal y posterior Al tratar de soldar los pines o hilos a la cara frontal de la clula, he comprobado que el rea de metalizacin alrededor de los agujeritos es demasiado pequea para poder soldarlos adecuadamente, por lo que el taladro lo hago en un lateral de dicho
cuadrado, de forma que queda prcticamente entero para soldar la conexin. En futuras versiones deberamos aumentar dicha rea, para no taladrar fuera de ella, adems de tenerla en cuenta en la optimizacin, puesto que dara lugar a un mayor factor de sombra. De esta forma, el hilo/pin estara rodeado de una pista a la que soldarlo, por lo que la conexin sera mejor y ms fcil. A pesar de estos problemas con los materiales y procesos, pudimos encapsular varias clulas. Los mejores resultados los obtuve utilizando la silicona conductora Cho-Bond 1030 en sustratos de FR4 y Aismalibar, soldando hilos de wrapping. En Fig. V.11. muestro las diversas etapas del proceso, hasta el encapsulado final.
A. Caras frontal y posterior de una oblea con dos clulas CEP-FL antes de taladrar.
B. Caras frontal y posterior de una oblea con dos clulas CEP-FL despus de taladrar.
C. Clula cortada y taladrada. Caras frontal y posterior.
D. Clula encapsulada en un PCB de doble cara con hilo de wrapping. Caras frontal y posterior.
Fig. V.11. Clula CEP-FL sin capa AR en distintas etapas del proceso de encapsulado.
Los mejores resultados los he obtenido con clulas CEP-FL, es decir, con BSF local y sin capa antirreflectante. A continuacin muestro las caractersticas de las clulas finalmente fabricadas (que difieren ligeramente del diseo ptimo), as como los resultados, muy lejos an de los predichos. Las diferencias se deben a un emisor muy resistivo y a un espesor ligeramente mayor de la base, as como a un factor de sombra bastante mayor debido a las pistas para soldar los hilos en la cara frontal, que no tuve en cuenta en la optimizacin.
142
Los resultados de la medida en concentracin a 25C en un flash los muestro en la Fig. V.4 y la Tabla V.5., junto con algunas simulaciones de PC1D que describo ms abajo.
Parmetro Espesor Resistencia de capa del emisor Factor de sombra Resistencia serie tecnolgica Resistencia serie total Capa antirreflectante
Valor de diseo 280 50 8.1 7.6 12.5 SiO2
Valor de las clulas encapsuladas
Unidades
330 m 200 / 9.5 % 16.2 mcm2 21.5 mcm2 Ninguna
Tabla V.4. Caractersticas de las clulas CEP encapsuladas que difieren de las de diseo.
Fig. V.12. Eficiencia vs. concentracin de la mejor clula CEP-FL encapsulada.
Lo ms destacable es que el comportamiento de la clula en concentracin es muy pobre, debido fundamentalmente a una gran resistencia serie en el encapsulado. Incluso teniendo en cuenta los factores que difieren del ptimo en esta clula en concreto (emisor ms dopado, mayor factor de sombra y mayor espesor), no es posible explicar dicho aumento de resistencia serie (que teniendo en cuenta estos factores pasara de 12.5 a 21.5 mcm2). El valor ajustado a partir de las medidas es de 232 mcm2. Teniendo en cuenta que esta clula fue encapsulada con silicona Cho-Bond 1030, cuya conductividad es bastante baja, y que el espesor que apliqu fue algo mayor que el mnimo recomendado (unas 500 m en lugar de 250 m) sera de esperar un incremento de la resistencia de otros 5.6 mcm2, lo que nos pondra en un total de 27.1 mcm2, an muy lejos del valor medido.
Es muy probable que la mayor parte de dicho incremento se deba a un mal contacto entre la silicona conductora y la metalizacin, bien de la clula solar, bien del sustrato, seguramente por no haber presionado suficientemente durante el curado para evitar la rotura de la misma. He hecho algunas simulaciones de PC1D utilizando los parmetros de la clula y la resistencia serie realmente medida, y posteriormente introduciendo las siguientes mejoras: Aadir una capa antirreflectante de xido de silicio. Eliminar la resistencia del contacto posterior, dejando slo la de la clula de diseo con un emisor muy resistivo. Cambiar al emisor ptimo de 50 /.
Parmetro
Medida K5d
Sim. PC1D de K5d
Sim. PC1D con CAR 671 695 79 18.5 200 232 330 9.5 SiO2
Sim. PC1D sin resistencia del contacto posterior 671 695 84 19.6 200 16.2 330 9.5 SiO2
Sim. PC1D con emisor de 50 / 658 704 85 19.6 50 7.6 330 9.5 SiO2
Sim. PC1D optimizacin CEP100X 666 703 85 19.8 50 7.6 280 8.1 SiO2
Parmetros a 5X (punto de mxima eficiencia de la clula medida): Isc (mA) Voc (mV) FF (%) (%) Remisor (/) Rst (mcm2) Espesor (m) fs (%) CAR 645 687 78 17.3 200 232 330 9.5 Ninguna 631 693 80 17.4 200 232 330 9.5 Ninguna
Parmetros de la clula o simulacin que se diferencian de la optimizacin:
Tabla V.5. Caractersticas a 5X de la mejor clula encapsulada junto con algunas simulaciones de PC1D.
De esta manera, vemos que eliminando estos problemas podramos alcanzar las eficiencias predichas en la optimizacin. Para ello, es imprescindible encontrar una forma de, bien soldar la cara posterior y los pines a la vez; bien soldar la cara posterior y los pines a ms baja temperatura; o bien pegarlos con adhesivos que necesiten menos presin y tengan menos resistencia elctrica y posteriormente soldar los pines. Adems, todo esto debera hacerse en un sustrato que disipe bien el calor y de forma ms automtica que la planteada en este trabajo, lo que evitara muchas roturas de clulas e irregularidades en las soldaduras.
144
V.3.- Conclusiones.
En este captulo he descrito la posibilidades de fabricacin y encapsulado de la clulas CEP, dando lugar a bastantes variantes de la misma, segn el mtodo con el que se hacen los agujeritos, el momento del proceso y si tienen o no BSF local. Adems, presento los materiales y procesos a utilizar en el encapsulado de las clulas, as como los mejores resultados obtenidos. Este punto es una de las claves de las clulas de concentracin en general, no slo de contacto posterior. En concreto, en el marco de esta tesis, es el punto ms dbil, puesto que no me ha permitido comprobar en condiciones reales de concentracin la mejora que se alcanzara con el concepto de la clula CEP. Los resultados del encapsulado han sido bastante pobres, y slo con una silicona conductora he conseguido medir las clulas en concentracin, aunque dicha silicona introduce mucha resistencia serie y la eficiencia slo crece mnimamente hasta 5X y luego empieza a disminuir. Queda, por tanto, un buen camino que recorrer en este tema para poder obtener el mximo potencial de la clula CEP, as como hacer paneles sin reas inactivas. En el ltimo apartado apunto algunas de las alternativas para superar los problemas encontrados en este trabajo.
145
Captulo
VI. Conclusiones y futuros trabajos
VI.1.- Resumen de contribuciones.

A lo largo de esta memoria he detallado los trabajos realizados en el diseo, caracterizacin, fabricacin y encapsulado de clulas solares de silicio para su uso en concentracin. Dichos trabajos se enmarcan en una situacin de falta de clulas de concentracin en el mercado a precios razonables. He abordado el tema desde dos puntos de vista diferenciados, aunque complementarios, y siempre basndonos en obtener eficiencias razonables manteniendo la simplicidad del proceso en la medida de lo posible. En primer lugar he presentado los resultados de la fabricacin de una considerable cantidad de clulas de silicio de P/Al basadas en una estructura convencional desarrollada anteriormente en el IES. Posteriormente me he centrado en el desarrollo de un concepto de contactos diferentes, la clula CEP, que permite conectar las clulas a travs de su cara posterior, eliminando zonas inactivas en los mdulos de concentracin, as como incrementar la eficiencia debido a una coleccin de los portadores distribuida uniformemente en el rea de la clula. A continuacin resumo las conclusiones y aportaciones ms significativas en cada uno de estos dos aspectos.
VI.1.1.- Industrializacin de clulas de concentracin de contacto convencional. La principal contribucin realizada en este trabajo es la demostracin de la posibilidad de producir clulas de concentracin de silicio de P/Al de forma repetitiva, econmica y con eficiencias elevadas en unas instalaciones convencionales, razonablemente limpias pero sin las restricciones y los costes asociados a una sala limpia clasificada. Para ello, hemos realizado la instalacin de una lnea piloto de produccin de clulas solares de silicio de concentracin de 4 pulgadas a partir de las instalaciones previamente existentes en el IES junto con algunos equipos nuevos. A partir de las primeras tandas, con problemas de alta resistencia serie en el contacto posterior, fue necesario aadir algunos pasos a la secuencia de fabricacin. Dicha resistencia elevada en el contacto posterior se debe a una capa de xidos de silicio y aluminio que aparece al integrar el crecimiento de la CAR de xido de silicio en el paso de redistribucin de fsforo y aluminio, que tambin se hace aqu por primera vez para clulas de concentracin. Presento los diferentes procesos investigados para eliminar dicha capa, obteniendo los mejores resultado con el pulido con polvo de almina o con ataques qumicos de cido clorhdrico ms una disolucin tampn de cido fluorhdrico Posteriormente integramos el paso de pulido del contacto posterior, que era el ms sencillo de implementar en nuestras instalaciones. Con dicho proceso final fabricamos y caracterizamos ms de 1000 clulas, con una eficiencia promedio del 18.5% a 100X y ms del 70% de las clulas finalizadas con eficiencias superiores al 18% en dichas condiciones. Medimos clulas de hasta el 21.7% a 10W/cm2, la ms alta alcanzada en una clula de
Captulo VI. Conclusiones y futuros trabajos 149
silicio en el IES para esta iluminacin hasta ese momento. La obtencin de la eficiencia promedio y del rendimiento en fabricacin de este proceso, as como los mejores valores que se podran alcanzar razonablemente mediante el control y la automatizacin, me ha permitido hacer una evaluacin del coste de implementarlo industrialmente. He obtenido costes de entre 0.31 y 0.41 /W, incluyendo la oblea de silicio, que disminuyen el coste de la clula de forma significativa. Esto permitira el desarrollo de sistemas de hasta 140X geomtricos sin que la fabricacin o el coste de la clula sean los factores limitantes. Adems, el trabajo se ha complementado con el diseo de la malla de metalizacin de la clula para la geometra concreta del sistema Proteas, de foco puntual rectangular. Como ya he descrito en la introduccin a esta tesis, la situacin mundial en el mercado fotovoltaico, especialmente de concentracin, ha cambiado radicalmente. Cabra plantearnos entonces la vigencia de este trabajo en la coyuntura actual. Es cierto que han aparecido numerosas compaas que fabrican y/o instalan clulas y sistemas de concentracin. Sin embargo, casi todas ellas se han centrado en la reduccin de costes por el camino de la alta concentracin (de 500X en adelante) y clulas multiunin de muy alta eficiencia. Como hemos demostrado en este trabajo, creemos que la existencia en el mercado de este tipo de clulas dara lugar al desarrollo de sistemas de menor concentracin que podran competir en el mercado con las tecnologas de muy alta concentracin actuales. Prueba del inters que puede presentar, es la publicacin en 2008 de este trabajo en la revista Solar Energy Materials & Solar Cells.
VI.1.2.- Clulas de concentracin de contacto posterior, CEP. En los dos captulos finales he presentado el trabajo realizado en un tipo diferente de clula: La clula de contacto exclusivamente posterior, CEP. La estructura parte del mismo concepto de las clulas de contacto posterior con metalizacin frontal, FMWT, que utilizo aqu por primera vez para aplicaciones de concentracin. En primer lugar presento el diseo de dichas clulas, del que se deduce no slo cul es el nmero ptimo de agujeritos para cada nivel de concentracin, sino la demostracin terica de la mejora significativa tanto en la resistencia serie y factor de sombra como en la eficiencia final de la clula por el hecho de colectar la corriente de forma uniforme en todo el rea de la clula, que es lo mismo que reducir el rea de la clula unidad. Esta mejora es visible incluso para clulas trabajando a un sol con la adicin de unos pocos agujeros por unidad de rea. Adems, con este tipo de clulas en bases de baja resistividad es posible obtener eficiencias por encima del 20% a concentraciones tan elevadas como 400X, lo cual es imposible tanto en bases menos dopadas como en clulas sin agujeritos. Estas mejoras se han comprobado con medidas en oscuridad tomando contactos en los agujeritos, que me permitieron calcular la resistencia serie y la eficiencia en concentracin sin necesidad de encapsular las clulas.
Una de las mayores contribuciones de esta tesis es el trabajo sobre los mtodos para hacer los agujeritos necesarios para conectar la cara frontal con la posterior de la clula. Adems de definir los parmetros para el ataque qumico anisotrpico con disoluciones acuosas de TMAH, que se utilizaba por primera vez en el IES durante este trabajo, presento un mtodo de taladrado mecnico del silicio, que no se haba utilizado hasta el momento para la fabricacin de clulas solares. He caracterizado con diversas tcnicas tanto obleas de silicio como clulas terminadas y posteriormente taladradas, comprobando que no hay una reduccin dramtica del comportamiento elctrico de la clula solar, por lo que es posible utilizar este mtodo tanto al principio como al final del procesado de las clulas. La comprobacin final de que el concepto funciona como predicen las medidas de oscuridad slo puede ser efectuada con el encapsulado y medida de las clulas en las condiciones reales de concentracin. Para ello he trabajado con diversos tipos de clulas CEP, dependiendo del momento del proceso en el que se hacen los agujeritos y en la disposicin de los contactos en la cara posterior. El encapsulado de las clulas presenta varias alternativas, dependiendo de los procesos y materiales utilizados. Durante este trabajo no he conseguido resultados completamente satisfactorios con ninguna de las combinaciones probadas, en parte debido a la falta de equipos y procesos de montaje de componentes electrnicos, aunque tambin en parte debido a las peculiaridades de este tipo de clulas. Los mejores resultados, obtenidos con clulas pegadas al sustrato con epoxy conductora en sustratos FR4 e IMS de doble cara, soldando hilos de wrapping para conectar ambas caras, estn an lejos de los predichos por las simulaciones iniciales.
VI.2.- Futuros trabajos.

En los distintos captulos he comentado ya algunas de las lneas de trabajo que podran permitir mejoras tanto en el procesado industrial como en las clulas CEP, siendo este ltimo campo donde an quedan ms trabajos por hacer. A continuacin resumo dichos puntos: Industrializacin. Bsqueda de procesos que eviten la aparicin de la capa altamente resistiva en la cara posterior. Esto se conseguira con una CAR diferente, por ejemplo, de SiN o TiO2, o con una capa de SiO2 depositada por otros mtodos (LTO, LPCVD o PEVCD). Habra que evaluar no slo las propiedades pticas de dichas capas, sino cmo afectan a las propiedades finales de pasivacin superficial y tiempo de vida en volumen. Bsqueda de procesos ms rpidos para solucionar los cuellos de botella, especialmente la evaporacin de metales en can de electrones. Tcnicas como el sputtering son ms rpidas, aunque habra que ver cmo afectan al estado final de las superficies. Anlisis de las causas principales de rotura para aumentar el rendimiento en fabricacin, especialmente la rotura durante el lift-off. Estudiar las mejoras de
Captulo VI. Conclusiones y futuros trabajos 151
rendimiento, as como el aumento de costes de la secuencia alternativa propuesta utilizando ataques de los metales en lugar de lift-off, que requiere de un paso extra de fotolitografa. Clulas CEP. Es necesaria una mayor profundizacin en el encapsulado de la misma de una forma repetitiva y que introduzca una baja resistencia serie, que permita la comprobacin completa de que es posible obtener las altas eficiencias predichas tericamente con este tipo de estructuras. Esto incluye tanto el uso de procesos estndar en la industria de montaje de componentes electrnicos, como el montaje SMD para soldar la clula al sustrato, posteriormente utilizando un proceso de soldadura por ola para soldar los pines; tambin es posible el uso de aleaciones de soldadura de bajo punto de fusin para el segundo proceso de soldadura. Otra opcin es el uso de pegamentos conductores elctricos ms fluidos y con menor resistividad que los empleados durante esta tesis. Es necesario llegar finalmente a un proceso automtico o fcilmente automatizable que permitiera el montaje de estas clulas en receptores sin reas inactivas, que era el objetivo inicial de esta tesis. Adems, dicho receptor debera ser sometido a las diversas pruebas establecidas por la normativa de cualificacin de mdulos de concentracin, IEC 62108, para asegurarnos de la viabilidad final de un sistema de concentracin fotovoltaica de 100X basado en las clulas de contacto posterior.
152
VI.3.- Publicaciones realizadas en el marco de esta tesis.

VI.3.1.- Publicaciones en revistas internacionales.
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[Coello04]
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Bibliografa
165

Tesis Celulas Alta Concentracion MARISA - CASTRO - DELGADO - A

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Instituto de Energa Solar

ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN

Realizado el acto de defensa y lectura de la Tesis en Madrid, el da 2009. Calificacin:

El trabajo es amor en estado slido. Mark Titchner

I.1.- Energa solar fotovoltaica.

Fig. I.3. Produccin de clulas solares por tecnologa, [Photon07].

I.2.- Concentracin fotovoltaica.

SUNLIGHT Luz solar

SUNLIGHT Luz solar

Alta CONCENTRATION HIGH - Concentracin

Concentracin con lentes de foco puntual

Concentracin con espejos de foco lineal (tomada de [Sala02])

I.3.- Marco y estructura de esta tesis.

II. Clulas Solares de Silicio

II.1.- Clulas solares de silicio de concentracin: industrializacin.

A. Panel Ramn Areces (Madrid)

Pasiva Lentes (Fresnel de diversos materiales y fabricadas por laminacin o moldeo)

A. Soleras Village (Arabia Saud)

C. Solar Systems (Australia)

A. Clula de silicio de foco puntual, tomada de [Terrn97]

B. Clula de foco lineal (Euclides), tomada de [Antn04]

C. Mdulo compacto de Solar Systems, tomada de [Lasich02]

D. Receptor de foco puntual de Amonix, tomada de [Garboushian94]

Captulo II. Clulas Solares de Silicio

II.2.- Clulas posterior.

Captulo II. Clulas Solares de Silicio

Fig. II.4. Sistema de concentracin de disco parablico.

II.2.1.- Breve posterior.

Captulo II. Clulas Solares de Silicio

Fig. II.6. Clula de contacto posterior interdigitado y su seccin, tomadas de [Lammert77].

A. Clula Front Metallization Wrap Through

B. Clula Metallization Wrap Around

C. Corte de la clula Pin Up Module

D. Malla de metalizacin de la clula Pin Up Module

Interdigitated Back Contact Back Point Contact Emitter WrapThrough

-32.8 33.8 39.4 41.7 34.9 37.7 40.9 40.9 35.7

1 100-200 1 1 1 1 1 1 1 1 0.12 0.64 0.07

Metallization Wrap Through Pin Up Module Metallization Wrap Around

29.5 35.6 33.3 37.2 35.9 35.1

Captulo II. Clulas Solares de Silicio

III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin

Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin

III.2.- La clula UPM-PPV: estructura y diseo.

Fig. III.2. Vista frontal y corte de la clula UPM-PPV.

Tabla III.1. Caractersticas geomtricas de la clula UPM-PPV.

Factor de sombra Base Contacto frontal

[Ec. III.3] [Ec. III.4] [Ec. III.5]

Tabla III.2. Factor de sombra y componentes de la resistencia serie de la clula UPM-PPV.

1.610-6 cm 410-3 / 510-5 cm2 10-3 cm2

Tabla III.3. Resistividades de los distintos componentes de la resistencia serie.

III.3.- Proceso de fabricacin de la clula.

Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin

Paso 1.- Oxidacin

2.- Apertura de ventanas. Fotolitografa 1.

8.- Metalizacin posterior 9.- Recocido en forming-gas 10.- CAR

2. Apertura ventanas. Fotolitografa 1

7. Metalizacin frontal. Fotolitografa 2

8. Metalizacin posterior + Recocido

Fig. III.5. Proceso de fabricacin de las clulas UPM-PPV.

Fig. III.6. Reflectividad de obleas con diferentes texturados.

Predepsito de fsforo y redistribucin de fsforo y aluminio. Tiempo de vida en volumen

Captulo III. Clulas de Concentracin de Contacto Convencional: Industrializacin

Fig. III.8. til de medida en concentracin.