Fabricacin de diodes.

Una junction P-N es formada de un mono-cristal de cualquier material, generalmente el silicio, aadiendo una cantidad muy precisa de impurezas de otro material. La primer etapa es de obtener un material de germanium o de silicio muy puro. Muy puro significa menos de 1 entre un bilion de impurezas. Para eso, el material es purificado qumicamente en primer lugar, y despus, para asegurarse que tenemos un material mono cristalino, se usa la tcnica de flatting zone que es la mas conocida. La estructura monocristalina es formada usando una pequea muestra de un semiconductor como germanium o siliconio. La muestra es un mono cristal ya purificado. Ponemos eso en un cilindro de quartz, donde se ha hecho el vaco antes. Hay que cuidar mucho que el semiconductor no sea contaminado durante el proceso de floating zone. Se crea induccin en el cilindro de quartz. As, con el campo magntico, se generan corrientes inductos en el semiconductor. El calor producido funde la zona esposada a los corrientes as que se crea una regin fundida en el semiconductor. Despus, se hace rotacionar lentamente el trozo con la muestra para que los tomos del semiconductor se alinean de su mismo con los tomos del mono-cristal. Moviendo el campo magntico, la regin fundida se mueve sobre el semiconductor, y la estructura mono-cristalina crece desde la muestra. La purificacin del semiconductor ocurre en mismo tiempo que el mono-cristal se forma. Eso viene del hecho que las impurezas se vuelven liquidas mas rpidamente que el semiconductor y entonces migran mas rpidamente hacia abajo. Entonces la impurezas siguen la regin fundida del material. Una vez que el procedimiento esta terminado, para quitar las impurezas solo se necesita cortar un pequeo trozo del mono-cristal. El proceso puede ser repetido muchas veces para quitar del material lo mas grande numero de impurezas que podemos.

Grown junction diode: diodes del tipo P-N se forman poniendo impurezas de tipo P y de tipo N alternativamente en la regin fundida del mono-cristal. Cortamos de manera muy fina el monocristal y obtenemos un gran numero de junction P-N. Porque tienen grandes superficies de contacto entre el material P y N, esas diodes pueden aguantar grandes corrientes pero tambin una grande superficie introduce efectos de capacidad, los cuales son indeseables. Alloy Type or Fused Junction Diode : otro proceso es tambin de poner impurezas de tipo P (respectivamente N) sobre la superficie de un mono-cristal de tipo N (respectivamente P). Despus calentamos los dos hasta alcanzar la licuefaccin de los dos en la zona de contacto. Cuando enfriamos eso, obtenemos una aleacin que es una junction P-N (respectivamente N-P). Las aleaciones diodes aguantan tambin un gran intervalo de corriente y tienen un grande capacidad, porque la zona de contacto entre el material P y el material N es grande.

Diffused junction diode: la difusin es un proceso en el cual una alta concentracin de partculas difusa en una regin de un material con pequea concentracin. La principal diferencia entre el proceso de aleacin y la difusin es el hecho que para la difusin, no se alcanza la licuefaccin. Pero se pone mas calor tambin para excitar las partculas y acelerar el proceso. Se usan tantos solidos como gases para la difusin. Solo que para la difusin con el solido, antes de calentar, se pone una capa del material N o P y calentamos suficiente tiempo para que los tomos de la capa superior puedan difusar en el material abajo. En el caso de la difusin con el gas, ponemos el material que queremos dopar en una atmsfera llena del gas que contiene las impurezas. Calentamos tambin para acelerar el proceso. Aunque este proceso toma mucho tiempo, es relativamente barato comparado a los otros metodos y tambin se puede controlar de manera muy precisa. Con esta tcnica, podemos crear en el orden de 100 diodes en un pequeo disco de semiconductor.

Epitaxial Growth or Planar Diffused Diode: para construir este tipo de dioda, hacemos crecer un material semiconductor (silicio o germanium) con alta impureza sobre un sustrato muy dopado del mismo material. La estructura completa forma la region N sobre la cual la region P es difusa. Despues se hace crecer termicamente oxidio de silicio sobre la surfacie se hace un hueco en esta capa. Asi que podemos poner la region P en contacto con aluminio. Por fin, se pone una capa metalica de los dos lados que conectamos de un lado al anodo y del otro lado al catodo.

Point Contact Diode: consiste en una lamina de tipo N de silicio o germanium de 12.5 mm de surfacie y de 0.5 mm de espesor. Un lado es soldado a una base de metal y el otro lado tiene un trozo de tungstene contra el. Una capa de barrera esta formada al rededor del punto de contacto. Eso forma una region P al rededor del tungstene y entonces se forma una pequena junction P-N al rededor del punto de contacto. Porque la zona de contacto entre las dos regiones es pequena, este tipo de dioda solo puede soportar pequenos corrientes. Sin embargo, por la misma razom, hay pocos efectos de capacidad con estas diodas, efectos que son endeseables.