Curso: Dispositivos Electrnicos Tema:

Juntura N-P
Docente: - Alejandro Napolen Zegarra Rodrguez Alumnos: - Keyla Abigail Risueo Daz - Ernesto Alonso Dvila Umeres

2011

A.Introduccin:
Un diodo semiconductor consiste en un trozo de material tipo N en contacto con un trozo de material tipo P. En una zona cerca del rea de contacto (conocida como la juntura) los electrones libres y los huecos se neutralizan. Si se aplica un campo elctrico que produzca la migracin de otros electrones y huecos hacia la juntura, tambin se recombinan y as fluye la corriente. Por otra parte, si el campo elctrico tiene direccin contraria, de manera que los electrones y los huecos se mueven alejndose de la juntura, la corriente se anula. De esta manera, la juntura N-P acta como una vlvula que permite el paso de la corriente en una direccin solamente. Pero un detalle extra, la juntura no es un terreno plano para que un electrn pueda cruzar esa zona, debe gastar un poco de su energa cintica. As, la juntura resulta ser una brecha de potencial y tiene un valor caracterstico que depender del tipo de semiconductor que se use, por ejemplo para el silicio esa brecha es de casi 1Volt. Si la diferencia de potencial aplicada es menor al de la brecha, no habr corriente elctrica.

B.Desarrollo:
Las Junturas son cruciales para muchas aplicaciones de semiconductores.

1. Mtodos para hacer junturas p-n

Difusin (el ms antiguo): El dopante, usualmente aceptor, es difundido bajo calentamiento, de modo que la concentracin de impurezas en la superficie del semiconductor excede la del interior, rica en donantes.

Implantacin inica: Esta tcnica parte de materiales tipo n, que son bombardeados con la especie requerida de iones. Esto produce uniones ms abruptas, pero causa dao a la estructura cristalina, incrementando el nmero de dislocaciones y tomos intersticiales.

Deposicin Epitaxial: Tcnica actual muy bien establecida. Esta emplea como material de partida un monocristal (un solo cristal), de modo que permite el crecimiento capas cristalinas que se ordenan con la orientacin del substrato.

Epitaxia por Haz Molecular (MBE): El mtodo ms preciso y ms caro para dejar iones de SC junto con tomos de dopante disparados sobre la superficie del semiconductor. El cristal crece epitaxialmente con los tomos de dopante requeridos e incluidos, bajo condiciones apropiadas (vaco ultra-alto, flujo inico y temperatura de substrato correctos). Esta tcnica puede producir junturas muy abruptas sin restricciones al tipo de impureza empleado. Una juntura p-n en ausencia de potencial aplicado est en equilibrio termodinmico.

Esto significa que el potencial qumico (o energa de Fermi, EF) debe ser constante travs de la juntura.

EF est ms ceca de la banda de valencia en el SC tipo p y cerca de la banda de conduccin en el SC tipo n,

Las bandas deben doblarse.

2. La juntura NP abrupta en equilibrio:

3. Diagramas de Energa:

4. La juntura NP fuera del equilibrio:

5. Corriente en la juntura p-n con Polarizacin directa:

6. Corriente de saturacin inversa:

7. Distribucin de las corrientes:

C.Conclusin:
Cuando la sustancia difusa cede fcilmente electrones, se crea una zona dentro del semiconductor que tiene un exceso de cargas negativas (electrones). Esto es lo que se conoce como semiconductor del tipo N (negativo). Cuando la sustancia difusa atrapa electrones libres, los tomos que los pierden quedan cargados positivamente. En esta zona predominan las cargas positivas (holes, en ingls) obtenindose un semiconductor del tipo P (positivo). El proceso de difusin es continuo, permitiendo la formacin, en el mismo material, de dos zonas semiconductoras adyacentes, una del tipo N; la otra del tipo P. El espacio que separa ambas zonas es la juntura de transicin (junction, en ingls).

D.

Fuentes:

http://materias.fi.uba.ar/6205/Material/Apuntes/Juntura%20P-N.pdf http://www.enalmex.com/docpdf/libro/ch03.pdf.pdf http://www.frbb.utn.edu.ar/electronica/3-tercero/dispositivos/material/1-Juntura %20PN/Juntura%20PN%2001a.pdf http://www.luventicus.org/articulos/02A014/redaccion.html