4741

MEDIO DO COEFICIENTE SEEBECK DE AMOSTRAS SEMICONDUTORAS A

BASE DE Si-Ge

Evandro Fagundes do Couto, Lucas Mximo Alves
Centro Interdisciplinar de Pesquisa em Materiais, Universidade Estadual de Ponta Grossa-
CIPEM-UEPG, Al. Nabuco de Arajo 469, Cx. Postal: 1009, CEP- 84100-510, Ponta Grossa -
PR, Brasil, lumaximo@if.sc.usp.br

RESUMO

Um aparelho para medida do coeficiente Seebeck em funo da temperatura foi
construdo com o objetivo de caracterizar materiais que apresentam propriedades termoeltricas,
alm ser possvel identificar instantaneamente se algum material possui propriedades
termoeltricas sensveis. A medida consiste na aplicao de uma diferena de temperatura (AT)
entre as extremidades de uma amostra cilndrica, obtendo como conseqncia uma ddp (AV)
termoeletricamente produzida. A razo entre estas duas diferenas (S = AV/AT) consiste no
coeficiente de transformao de calor em energia eltrica (Coeficiente Seebeck ou Potncia
Termoeltrica). O aparelho construdo em lato foi inicialmente calibrado, a partir de medidas
sem amostra, para se obter a curva-base da influncia do material de construo na
caracterizao. Observou-se que o coeficiente Seebeck produzido nesta configurao era muito
inferior ( 1,8 V/K) ao das amostras semicondutoras caracterizadas posteriormente (
0,5mV/K), mesmo assim a medida real ainda pode ser obtida, pela subtrao das curvas. Por
outro lado, as medidas realizadas em amostras semicondutoras a base de Si-Ge, apresentaram boa
concordncia com os resultados experimentais j conhecidos e estes por sua vez concordam com
os modelos tericos vigentes na literatura. A perdas trmicas parecem no influenciar nas
medidas, sendo necessrio alguns cuidados especiais para se obter medidas com boa preciso,
conforme descrito no contedo deste trabalho.

ABSTRACT

An apparatus to measure the Seebeck coefficient as a function of the temperature,
was built to characterize materials that have thermoelectrical properties. Futher this, it is possible
to identify instantaneously if some material have any sensible thermoelectrical properties. The
measure consists in application of a difference of temperature (AT) between the ends of a
cilindrical sample, which produces as consequence a ddp (AV) thermoelectrically produced. The
ratio between this two differences (S = AV/AT) is the heat-electrical energy transformation
coefficient (Seebeck coefficient or thermoelectrical power). Apparatus was built in brass and
initially calibrated making measurements without sample, to obtain the base-curve of the
influence of construction material in the characterization. Was observed that the Seebeck
produced in this configuration was very lower ( 1,8V/K) than semiconductors samples
characterized latter ( 0,5mV/K). Even though the real measure can be obtained yet, by the
subtraction between the curves. By the other side, the measurements realized on the
semiconductors samples based in Si-Ge (silicon-germanium alloys), showed a good agreement
with the experimental results already known, whose agree to the theoretical models in the
literature. The thermal losts apparently do not influenciate in the measurements, but it is
necessary some special cares to obtain good precision in the measures, according to was describe
in the contents of this work.




4742
Introduco

A medida da potncia termoeltrica
[1]
consiste numa caracterizao essencial quando
se deseja produzir um material capaz de transformar calor ou diferenas de temperaturas em
energia eltrica
[2,3]
. Estes materiais podem ser produzidos sob a forma metlica ou
semicondutora
[4,5]
. Esta ltima classe a que apresenta melhor eficincia de transformao,
devido ao fato de que os semicondutores possuem um aumento da condutividade eltrica com a
temperatura
[6]
.
Os materiais semicondutores fortemente dopados, produzidos por processamento
cermico de materiais tais como o silcio, o germnio
[7,8]
, o telureto de bismuto
[9,10]
, etc., possuem
propriedades termoeltricas e podem ser chamados de cermicas termoeltricas. Embora as
cermicas termoeltricas tenham sido pouco divulgadas no Brasil, elas tem tido larga aplicao
em outros pases interessados em aproveitar o calor desperdiado ou produzidos por diversas
fontes trmicas
[11,12]
.
No Brasil, a tentativa de se produzir tais materiais iniciou-se em 1984 no Instituto de
Fsica e Qumica de So Carlos-USP. Alves e Aegerter
[13,14]
, An e Franzan
[15,16]
tem sido os
pioneiros na obteno deste material no Brasil. De l para c alguns projetos tem surgido no
sentido de aplicar estes materiais a converso de energia para a alimentao de satlites
brasileiros
[13,17]
. Apesar de inmeras dificuldades econmicas por que tem passado o nosso pas,
algum material tem sido produzido, mas pouco tem sido utilizado na prtica. Pretende-se com
este trabalho, mostrar o potencial desta rea de pesquisa, apresentando de incio, uma montagem
capaz de caracterizar tais materiais quanto as suas propriedades termoeltricas. Pois a pesquisa
em outros pases como o Japo, nestes ltimos anos, tem caminhado no sentido de se encontrar
um material xido que seja relativamente um bom condutor e que possua propriedades
termoeltricas capazes de gerar energia eltrica. Por que, do contrrio, existem inmeras
dificuldades tecnolgicas para se obter um material semicondutor homogneo que possa ser
empregado tecnologicamente a um custo razovel conforme mostra Alves
[13]
.
A construo deste equipamento se deu pela necessidade de se medir a potncia
termoeltrica de cermicas avanadas a base de Si-Ge que possui a capacidade de transformar
energia trmica em eltrica. A tcnica da medida do coeficiente Seebeck ou potncia
termoeltrica em funo da temperatura, consiste em aplicar pequenas diferenas de temperaturas
e elevar lentamente a temperatura do sistema todo, fazendo desta forma de tempos em tempos a
leitura da ddp produzida e suas respectivas diferenas de temperatura, em uma montagem
simples, conforme ser descrito no item materiais e mtodos. As vantagens desta tcnica so: a
boa preciso das medidas, a boa reprodutibilidade, a verificao instantnea da existncia do
efeito Seebeck em qualquer material, a observao da propriedade em uma larga escala de
temperatura e consequentemente um aperfeioamento das tcnicas de processamento do material
de acordo com as caractersticas das propriedades desejadas. Atravs dos valores coletados,
usando a teoria descrita a seguir, pode-se calcular outros coeficientes termoeltricos a partir do
conhecimento do coeficiente Seebeck em funo da temperatura.

Fundamentos Tericos

Trs efeitos termoeltricos tem sido estabelecidos experimentalmente:
a) Efeito Seebeck, o responsvel pelo aparecimento de uma ddp dV (Volts) em um
circuito aberto constitudo de dois condutores diferentes quando existe uma diferena de
temperatura dT entre suas extremidades.
Seu significado fsico pode ser apresentado considerando um gradiente esttico de
temperatura ao longo de um condutor finito. Inicialmente o condutor possui uma distribuio


4743
uniforme de portadores de carga, mas na presena de um gradiente de temperatura, as cargas
livres na extremidade quente adquiriro grande energia cintica e tendero a difundir-se para a
extremidade fria. Essa transferncia de cargas acarreta em uma diferena de potencial geradora de
novos fluxos de cargas, com o circuito aberto desse sistema, sem a presena de corrente externa
imposta, a f.em. denominada ddp Seebeck V, e dada por:
dV = S
1-2
dT (1)
onde S
1-2
conhecido como coeficiente de fora eletromotriz (f.e.m) trmico, ou
potncia termoeltrica entre os condutores dados, onde S pode depender somente da temperatura.
Para baixas diferenas de temperatura S
1-2
constante (a voltagem linear com o
aumento de temperatura sem aumentar essa diferena) e define o coeficiente Seebeck. O
coeficiente Seebeck medido em V/K ou mais freqentemente em V/K. dV e S so
considerados positivos se a corrente (por conveno) flui de 1 para 2 na juno quente.
b) Efeito Peltier, a gerao ou absoro de calor dQ (em Watts) na juno de dois
condutores durante a passagem de uma corrente eltrica dI (Ampres) atravs deles:
dQ= H
1-2
dI (2)
Onde H
1-2
coeficiente Peltier.
Uma mudana de direo na corrente provoca uma mudana de produo de calor
para absoro e vice-versa.
c) Efeito Thomson, a gerao ou absoro de calor dQ (Watts) por uma corrente dI
numa poro de um condutor com um comprimento dx na presena de um gradiente de
temperatura
x
T
c
c
.
dQ= t (c T/ cx)I dx (3)
As relaes entre S
1-2
, [
1-2
e t seguem as leis da termodinmica e so consideradas
como fenmenos reversveis, pois mudanas de condies como inverso de corrente no Efeito
de Peltier inverte o fenmeno como j foi dito.
Considerando-se um circuito fechado feito de dois condutores com uma diferena de
temperatura dT entre as junes, de acordo com a lei da conservao da energia pode-se igualar a
zero a soma algbrica de todos os tipos de energia gerado no circuito em uma unidade de tempo,
sob condies de estado estacionrio.
Denotando por [
1-2
dI o calor de Peltier gerado em uma extremidade e [
2-1
dI o
calor absorvido na outra extremidade da juno, tem-se para este circuito que:
[
1-2
= [
2-1
+
dT
d
1 2
H
dT (4)
O calor Thomson gerado pelo condutor 1 :
dQ = t
1
dT dI (5)
enquanto o absorvido pelo condutor 2 :
dQ = t
2
dT dI (6)
A potncia eltrica consumida no circuito :
dP = SdTdI (7)
Consequentemente, a conservao da energia no circuito pode ser expressa na forma:


4744
([
1-2
-

[
2-1
) dI + (t
1
- t
2
) dT dI = S
1-2
dT dI

dT
d
1 2
H
dT dI + (t
1
- t
2
) dT dI = S
1-2
dT dI (8)
logo

dT
d
1 2
H
+ (t
1
- t
2
) = S
1-2
(9)
e
) (
1
2 1
12
t t =
T dT
dS
(10)
de forma genrica tem-se:

T
S
i
i
H
= (11)

}
=
T
i
i
dT
T
S
0
t
(12)
onde o ndice i refere-se aos materiais 1 ou 2.
Entre as muitas equaes desta teoria, a apresentada por Ioffe
[11]
a da eficincia de
suma importncia para este caso:

) 1 ( 2
1
1 `
1
2
+

|
|
.
|

\
| +
+
|
.
|

\
|
+
=
m
T T
T
m k
m
m
T
T T
c h
h
h
c h

q (13)
onde : T
h
=temperatura da fonte quente, T
c
=temperatura da fonte fria, m= R/ r, R =resistncia
da carga e r =resistncia interna dos semicondutores, k =condutividade trmica, =fora
termoeltrica.
Atravs de um redimensionamento da equao da eficincia com base na eficincia
mxima do ciclo de Carnot, obtm-se a equao da Figura de Mrito ou nmero de Ioffe Z dado
por (15), onde:

( )
( ) ) / ( 1 `
1 1
2 / 1
2 / 1
h c
h
c h
T T T Z
T Z
T
T T
+ +
+
= q (14)

k
Z
o o
2
= (15)
onde:
2
c h
T T
T
+
= , o = coeficiente Seebeck, o = condutividade eltrica, k = condutividade
trmica.
possvel ento, ver que o melhor material termoeltrico aquele que possui maior
Figura de Mrito, consequentemente maior coeficiente Seebeck, maior condutividade eltrica e
menor condutividade trmica.


4745
Materiais e Mtodos

As amostras caracterizadas neste trabalho foram preparadas de acordo com os
mtodos descritos em Kemelmmeier (1998) neste congresso. Sabendo-se que a potncia
termoeltrica uma funo da temperatura, o equipamento foi montado (Figura -1) com o
objetivo de se medir esta dependncia da potncia termoeltrica (ou coeficiente Seebeck) para
diferentes tipos de materiais. A potncia termoeltrica s aparece nos materiais quando se aplica
uma diferena de temperatura (T
2
- T
1
) na nas extremidades da amostra sob anlise, de forma que
seja possvel obter como consequncia uma diferena de potencial (V
2
- V
1
) entre estas
extermidades. Para isso o equipamento foi montado com dois micro-fornos aquecededores
(Figura - 1a e 1b), com a finalidade de produzir uma pequena diferena de temperatura (AT = T
2
-
T
1
) entre as extremidades da amostra e fornecer uma variao da temperatura em larga escala, a
fim de que a pequena diferena de temperatura mantida entre as extremidades da amostra, possa
ser variada ao longo desta escala.
Uma vez alcanada uma diferena de temperatura AT entre as extremidades da
amostra, esta deve-se manter constante no tempo para uma mesma medida naquele ponto, pois
flutuaes so indesejveis, quando se pretende coletar instantaneamente a diferena de potencial
termoeletricamente gerada AV. Normalmente encontra-se na prtica materiais que possuem um
comportamento linear da potncia termoeltrica com a temperatura e tambm outros que seguem
o modelo de Lark-Horowitz conforme mostra o trabalho de Kemmelmeier (1998) neste
congresso.
a) b)
Termopar1
(T1)
Amostra
Termopar2
(T2)

Figura - 1. a) Esquema da montagemdo medidor da potncia termoeltrica coma configurao
econmica de chaves comutadora de trs posies e ummultimetro apenas. b) Detalhe do medidor do coeficente
Seecbeck coma amostra posicionada entre os dois dissipadores de calor, e os termopares proximo as extremidades da
amostra.
Lista de material conforme a Figura - 1:
1- Variac (controlador de voltagem);
2- Pea de lato em forma de copo;
3- Resistncia interna maior, isolada dos copos por miangas cermicas;
4- Chave seletora de leitura;
5- Multmetro de alta preciso HP 34401A.
6- a) Cabos internos: coletores da voltagem produzida pelas pastilhas de Si-Ge,
b) Cabos externos: termopares coletores das diferenas de temperaturas aplicada nas
pastilhas;
7- Resistncia interna menor e tambm isolada por miangas cermicas;
8- Pastilha cermica de Si-Ge.



4746
Descrio da montagem. Para obedecer as condies descritas acima o equipamento foi
construdo da seguinte forma:
As partes que entram em contato com a amostra cermica foram construdas de metal
(bom condutor eltrico e trmico) e no caso o lato possua as caractersticas desejadas (Figura -
1b).
Dois micro-fornos foram construdos com duas resistncias de Kanthal-A1 (selo
verde) ligadas em srie, sendo que uma era ligeiramente menor do que a outra, para que a
potncia dissipada nestes micro-fornos sejam diferentes, afim de manter uma diferena de
temperatura AT entre as extremidades da amostra. As duas resistncias dos fornos foram
enroladas sobre pequenos tarugos de alumina e montadas dentro dos copos de lato, porm
eletricamente isoladas das partes do metal (lato) por miangas cermicas, para evitar a
interferncia da energia eltrica fornecida a elas na medida da ddp produzida termoeletricamente.
A boa condutividade trmica do lato facilitava a transmisso de calor das resistncias dos micro-
fornos, para a amostra a ser analisada. A variao da temperatura dos micro-fornos era obtida por
meio de um VARIAC controlador de voltagem. As temperaturas T
1
e T
2
foram coletadas por dois
termopares tipo - K, com as junes de medida inseridas nos dissipadores trmicos dos copos de
lato prximo as extremidades da amostra e a referncia sendo a temperatura ambiente.
A ddp produzida termoeletricamente pela amostra foi coletada por eletrodos de cobre
ligados a extremidades da mesma. Os valores foram observados em um multmetro digital HP
34401A sensvel de 6 dgitos, aps a vrgula, onde as leituras leituras eram escolhidas por uma
chave seletora de trs posies, compondo uma configurao econmica: um mesmo multmetro
para a leitura de T
1
e T
2
e para a ddp termoeletricamente produzida pela amostra.

Procedimento das medidas. A amostra foi colocada no equipamento, em seguida forneceu-se a
energia pelo VARIAC as resistncias dos micro-fornos. Esperou-se que cada micro-forno
alcanasse um estado estacionrio de forma que a diferena de temperatura entre as extremidades
da amostra se mantivesse constante para se iniciar as leituras. A leitura foi como j foi dito, em
um mesmo multmetro apenas selecionando a chave de posio da seguinte forma:
A posio 1, leitura de T
1
; a posio 2, leitura de T
2
; a posio 3, leitura da ddp
termoeletricamente produzida pela amostra. As trs leituras devem ser feitas uma seguida da
outra e com relativa rapidez. O tempo entre o conjunto de leituras T
1
, T
2
e ddp, deve estar de
acordo com o nmero de pontos que se deseja para o grfico da potncia termoeltrica versus a
temperatura.
O fornecimento de energia s resistncias deve ter um aumento lento a uma taxa
constante, o que facilmente realizado pelo controlador de voltagem. Isto se deve a necessidade
de se manter a diferena de temperatura entre as extremidades da amostra, a qual tende a se
anular no decorrer do tempo, ou seja o sistema tende a atingir o equilbrio trmico que
indesejado dentro de nosso interesses. Melhores resultados podem ser alcanados quando a
medida feita na direo de altas temperaturas, porque do contrrio no se pode evitar o
equilbrio trmico.
Todos os valores so coletados em milivolts, sendo que geralmente o valor da ddp da
amostra muito maior do que a tenso produzida pelos termopares, porm os valores ainda esto
dentro da mesma escala do multmetro. Portanto, no se faz necessrio a mudana de
configurao do multmetro para se realizar as trs diferentes leituras. Este deve estar selecionado
numa configurao tal que a impedncia de entrada seja de 10 GO, ou de acordo com as
resistncias eltricas fornecidas pela montagem em particular. Utilizou-se na medida uma
preciso de 5 dgitos aps a virgula em escala de milivolts.




4747

Resultados e Discusses

As medidas da potncia termoeltrica foram realizadas em amostras semicondutoras
a base de Si-Ge, alm da curva de base do aparelho fornecida pela propriedades termoeltricas do
material de construo do medidor (lato, Figura - 2).

Quanto a calibrao do aparelho e preciso das medidas. Inicialmente encontrou-se alguns
problemas com este equipamento. O multmetro utilizado (Hewlett-Packard) apresentava
resultados com grandes flutuaes. Para estas flutuaes atribuiu-se as seguintes causas:
- falta de aterramento do multmetro
- perda de calor para o meio (flutuaes trmicas)
- efeito de capacitncia eltrica no medidor (carga e descarga)
- flutuaes de tenso induzida pela rede de corrente alternada (110/220 V).
Estes problemas foram solucionados com a utilizao de um filtro de linha com o
multmetro e ainda com uma correta configurao deste (aumentando-se a sua resistncia interna
ou impedncia de entrada).
20 40 60 80 100 120 140
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,006
0,007
S1 (mV/oC)
Lato
C
o
e
f
i
c
i
e
n
t
e

S
e
e
b
e
c
k

(
m
V
/
O
C
)
Temperatura mdia (
o
C)

Figura - 2. Grfico do coeficiente Seebeck do medidor - Lato, emfuno da temperatura, mostrando
as flutuaes produzidas pela descalibrao do aparelho emazul.
Visto que os metais apresentam propriedades termoeltricas de uma forma geral,
testes preliminares do medidor foram executados para se verificar a existncia de alguma
potncia termoeltrica sensvel produzida pela montagem de lato. Os resultados mostrados no
grfico em vermelho da Figura - 2, mostram um valor constante em funo da temperatura de
aproximadamente 0,0018mV/
o
K (como era esperado para os metais). Este valor era muito menor
do que a potncia termoeltrica fornecida pelas amostras em questo (Figura - 3), mostrando
desta forma o limite de preciso do medidor, devendo os resultados serem subtrados deste para
se obter o valor real do coeficiente Seebeck da amostras.
Flutuaes das temperaturas T
1
e T
2
no tempo, produziam por sua vez variaes na
diferena de temperatura AT imposta amostra, sendo estas flutuaes produzidas por variaes
bruscas no fornecimento da energia s resistncias dos micro-fornos, e diferentes tempos de
elevao de temperatura entre os dois micro-fornos. Para corrigir isso resolveu-se variar
constantemente o fornecimento de energia s resistncias e obteve-se resultados melhores nestas
novas condies de medida. Quando no se controla as diferenas de temperaturas, no tempo,
entres as extremidades da amostra ou dos dissipadores de calor (no caso sem amostra), durante a


4748
coleta de um ponto da curva ocorrem flutuaes que podem modificar os valores da medida
sempre incrementando-os conforme mostra a Figura - 2 na curva em azul. Um problema
semelhante acontece quando o multmetro no se estabiliza devido a baixa impedncia de entrada
durante a medida.
As variaes no grfico so efeitos de vrias causas, uma delas so rudos de
flutuao que alguns multmetros de preciso podem apresentar se no tiverem uma boa
referncia neutra como a de um pra-raios. Quanto as outras causas de oscilaes nos grficos
esto as de tempo de leitura do equipamento j que os valores das medidas sobem rpido quando
a temperatura elevada rapidamente havendo assim uma perda de preciso nas medidas como no
caso do grfico em azul mostrado na Figura - 2. A outra causa de variaes neste grfico a de
erros humanos na leitura, estes provocam variaes maiores deixando pontos isolados como
mostrados no grfico da Figura - 3.

Quanto a reprodutibilidade. Para se ter uma idia da qualidade do equipamento, realizou-se
para algumas amostras efetuou-se mais de uma anlise, para se verificar a reprodutibilidade do
equipamento, o que observado a nas Figuras - 3 e 4.
0 50 100 150 200
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
S1(mV/oC)
S2(mV/oC)
C
o
e
f
i
e
n
t
e

S
e
e
b
e
c
k

(
m
V
/
o
C
)
Temperatura mdia (
o
C)

Figura - 3. Duas medidas consecutivas do coeficiente Seebeck da amostra obtida pelo mtodo
cermico convencional de acordo comKemelmmeier (1998 neste congresso).


4749
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0,00
0,05
0,10
0,15
0,20
0,25
0,30
0,35
0,40
C
.
S
e
e
b
e
c
k

(
m
V
/
o
C
)
T mdio (
o
C)

Figura - 4. Duas medidas consecutivas do coeficiente Seebeck para uma amostra obtida por Hot-
Pressing de acordo comKemelmmeier (1998 neste congresso).
Foram feitas vrias medidas com uma mesma amostra e tambm foram feitas
medidas com diferentes tipos de amostra, todas elas mostraram uma boa reporodutibilidade
conforme mostram os grficos das Figuras - 3 e 4 . Certos cuidados devem ser tomados como
quanto ao isolamento eltrico do equipamento de caracterizao, que deve estar em boas
condies, para isso importante antes de cada caracterizao fazer testes quanto a este
isolamento; outro cuidado que as amostras devem ter suas superfcies planas e paralelas, pois
possvel haver mal contato entre as superfcies do equipamento e das amostras provocando
tambm erros na leitura.

Quanto a verificao da existncia de propriedades termoeltricas em um dado material.
Ao se montar uma amostra no medidor, era possvel saber logo de incio se esta possua
propriedades termoeltricas. Pois, um sinal eltrico estvel (ddp termoeletricamente produzida) e
maior do que o rudo (Johnsom) fornecido pelo multmetro era produzido, mesmo que no
houvesse uma diferena de temperatura sensvel, por causa da corrente de fuga dos portadores de
carga, e da alta condutividade destas amostras. O que no acontecia com amostras altamente
isolantes, como foi testado no caso de formulaes de cermicas xidas com propriedades
varistoras.

Quanto a variao da potncia termoeltrica com a temperatura. Os resultados da
caracterizao termoeltrica das ligas de Si-Ge concordam com a literatura. Eles foram obtidos na
faixa de temperaturas de 20C a 300C, porm, sabe-se que as ligas de Si-Ge apresenta um valor
mximo em sua caracterstica termoeltrica em temperaturas de aproximadamente 1000C, que
no pde ser medido devido a limitaes de aquecimento do lato.


4750
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
C
o
e
f
ic
i
e
n
t
e

S
e
e
b
e
c
k

(
m
V
/
o
C
)
T mdio (
o
C)

Figura - 5. Comparao entre duas medidas consecutivas do coeficiente Seebeck das amostras obtidas
pelo mtodo PIES seca (emazul) e das medidas da amostra PIES mida (emvermelho) de acordo comKemelmmeier
(1998 neste congresso).
O mesmo tipo de caracterizao foi feita sem que a amostra esteja no equipamento de
caracterizao, com o objetivo de se obter o coeficiente Seebeck do lato (metal que constitui o
equipamento), sendo assim bvio que o coeficiente Seebeck mostrados nos grficos das Figuras
- 3, 4, 5, representa soma dos coeficientes Seebeck do lato e da amostra de Si-Ge e seus
resultados devem ser subtrados se necessrio isolar o Seebeck das amostras.
Observa-se, a partir dos grficos das Figuras - 4 e 5, que no incio das medidas,
ocorre uma subida quase vertical dos valores. Isto corresponde com a sada do equilbrio trmico
entre as extremidades da amostra que inicialmente esto ambas a uma mesma temperatura. Ou
seja, esta parte dos grficos mostram uma variao de AT desde zero at o valor onde a potncia
termoeltrica produzida se torna perceptvel, ocasionando portanto erros nos valores iniciais dos
grficos. Felizmente esta regio do grfico estreita e pode ser desprezada em relao aos
resultados obtidos posteriormente ao longo de toda faixa de temperatura.
Foi feito um estudo do efeito da umidade na medida da potncia termoeltrica das
amostras. Para isso tomou-se uma amostra das mais porosas (preparada pelo mtodo PIES,
Kemmelmeier 1998, neste congresso) e deixou-se mergulhada em gua por 30 minutos. Em
seguida, fez-se a caracterizao desta e comparou-se com os resultados feitos para esta mesma
amostra seca. Os resultados esto mostrados no grfico da Figura - 5. Com base neste resultado
observou-se que no houve diferenas nas medidas feitas para uma amostra seca e mida, pois
estas, esto dentro da preciso de medida do aparelho.

Concluses

O coeficiente Seebeck em funo da temperatura pode ser medido com relativa
preciso e reprodutibilidade. Sendo que as perdas trmicas de calor para o ambiente parecem no
influenciar em nada os resultados. Quanto a umidade do ambiente, foram testadas amostras
midas e secas do mesmo material, sendo que os resultados no mostraram alterao sensvel
alm da preciso das medidas ou do erro causado pelo coeficiente Seebeck do prprio medidor.
Dos trabalhos realizados at agora em nosso pas, estes apresentam resultados para a
medida do coeficiente Seebeck, apenas a temperatura ambiente ou numa determinada
temperatura, o que no representa um estudo completo desta propriedade no materiais j


4751
analisados, sendo de suma importncia para o desenvolvimento de novos materiais com
propriedades termoeltricas.
Uma caracterstica muito importante da tcnica que tambm foi observada, durante
as medidas, que as amostras que apresentam um coeficiente Seebeck mais sensvel, apresentam
tambm uma ddp termoeletricamente produzida inicialmente constante, a temperatura ambiente e
sem haver aparentemente nenhuma diferena de temperatura entre as extremidades da amostra.
Isto se deve a correntes de fuga dos portadores que procuram se recombinar nas extremidades do
material. A medida do coeficiente Seebeck indiretamente uma medida do nmero de portadores
de carga e o sinal da ddp termoeletricamente produzida corresponde ao sinal dos portadores de
carga majoritrios. Portanto, esta tcnica pode em muitos casos substituir medidas do efeito Hall
em funo da temperatura, alm de ser possvel a partir de dados como os apresentados neste
trabalho, calcular a dependncia dos outros coeficientes termoeltricos (Thompson e Peltier) em
funo da temperatura, conforme foi demonstrado na teoria.

Agradecimentos

Os autores agradecem ao CNPq, CAPES e a PROPESP-UEPG, pelo apoio dado a
realizao deste trabalho.

Referncias

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