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Vorlesungsskript Physikalische Elektronik und Messtechnik

Othmar Marti Institut fr Experimentelle Physik Universitt Ulm

und

Alfred Plettl Institut fr Festkrperphysik Universitt Ulm

14. August 2007

Inhaltsverzeichnis
1 Einleitung 2 Mathematische Grundlagen
PFI PFP hrstellung von elektronishen wesssystemenX flokshemts F F F PFIFI ymole fr flokshemts F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFIFP ehnen mit flokshemts F F F F F F F F F F F F F F F F F hrstellung von elektronishen wesssystemenX ignl)ussdigrmme PFPFI qrundlgen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFPFP fegri'e us der heorie der ignl)ussdigrmme F F F F F F PFPFQ ellgemeine pormel fr ignl)ussdigrmme F F F F F F F F F ertrgungsfunktionen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F uontinuierlihe und diskrete ignle F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFRFI ignle F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFRFP pourierErnsformtionen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFRFQ vpleErnsformtionen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFRFR zErnsformtionen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFRFS enwendung der rnsformtionen uf iinshltvorgnge F F PFRFT higitle ignle F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F ierpole und ierpoltheorie F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFSFI usmmenshltung von ierpolen F F F F F F F F F F F F F F PFSFP ertrgungsfunktion eines ierpols F F F F F F F F F F F F F PFSFQ irstzstrukturen fr ierpole F F F F F F F F F F F F F F F F F pilter F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFTFI enlog(lter F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFTFP higitl(lter F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F wodultionstheorie F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F ushen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFVFI iderstndsrushen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFVFP eitere ushquellen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFVFQ iin)uss von piltern uf ds ushen F F F F F F F F F F F F F higitle ignlprozessoren @hA F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFWFI ulssishe ehner F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PFWFP higitle ignlprozessoren F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

9
II II IR IT IU IW PH PP PS PS PU QP QQ QW RR ST SU TH TP TR TR UI WQ WS WS IHP IHP IHR IHR IHT

11

PFQ PFR

PFS

PFT PFU PFV

PFW

3 Bauelemente und Schaltungstechnik


QFI

rlleiter!qrundlgen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F III QFIFI qrundlgen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F III QFIFP sntrinsisher rlleiter F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IIS

111

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R QFIFQ QFIFR QFIFS

snhltsverzeihnis hotierung von rlleitern F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IPH vdungstrgerdihten im dotierten rlleiter F F F F F F F F IPP veitfhigkeit in ehngigkeit von hotierkonzentrtion und empertur F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IPS QFIFT ekomintionsprozesse und vdungstrgertrnsportX qrundgleihungen zur punktion von rlleiter!fuelementenIPU hnomene elektrisher uontkte F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IQH QFPFI qrundlgen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IQH QFPFP p!n!ergnge F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IQI QFPFQ orgespnnte p!n!ergnge " gleihrihtende hioden F F IQS QFPFR retero!ergnge F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IRH QFPFS wetll!rlleiter!uontkte @yhmshe uontkteD hottky! hiodenA F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IRR QFPFT wetll!ssoltor!rlleiterkontkte @ws! und wy!hiodenA IRW ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA F ISS QFQFI vdungsgekoppelte fuelemente @ggh hrge oupled deE viesA F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F ISS QFQFP pelde'ekt!rnsistoren @nipolre rnsistorenA F F F F F F F ITI QFQFQ gwy!ehnologie und rlleiter!peiher F F F F F F F F F ITW QFQFR fipolre rnsistoren @ft fiplor tuntion rnsistorD snE jektionstrnsistorenA F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IUU QFQFS iinige yptoelektronishe fuelemente F F F F F F F F F F F F IVR QFQFT euslik F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IVW qrundshltungen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IWH QFRFI vinere pssive fuelemente F F F F F F F F F F F F F F F F F F IWH QFRFP hioden F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IWQ QFRFQ fipolrtrnsistoren F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F IWU QFRFR pelde'ekttrnsistoren F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PIH QFRFS iinige qrundshltungen mit rnsistoren F F F F F F F F F F PIR ypertionsverstrker F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F PIV QFSFI qrundlgenD qrundtypenD kkopplung F F F F F F F F F F F PIV QFSFP tndrd!ypertionsverstrker @!yA F F F F F F F F F F PPI QFSFQ rnskonduktnz!erstrker @g!yA F F F F F F F F F F F PPT fsismessverfhren F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFI trom F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFP pnnung F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFQ ehselstrom und ehselspnnung F F F F F F F RFIFR vdung F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFS iderstnd F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFT wessung von v und g F F F F F F F F F F F F F F F RFIFU frkenshltungen F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFV ndlershltungen F F F F F F F F F F F F F F F F RFIFW vokEsn erstrker m feispiel des ehTQH ghips F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

QFP

QFQ

QFR

QFS

4 Sensoren und Messverfahren


RFI

227

PPU PPU PQP PQT PRU PSI PSV PTI PUH PWI

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snhltsverzeihnis RFP wessung weiterer physiklisher qrssen F F F F F F F F RFPFI prequenzmessung F F F F F F F F F F F F F F F F F RFPFP wgnetfelder F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFPFQ hielektrishe punktion F F F F F F F F F F F F F F RFPFR emperturmessungen F F F F F F F F F F F F F F RFPFS viht F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFQ veitungen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFQFI veitungsgleihungen F F F F F F F F F F F F F F F RFQFP ilektrishe veitungen ei hohen prequenzen F F RFQFQ yptishe veitungen F F F F F F F F F F F F F F F F RFR wessungen kleiner egel F F F F F F F F F F F F F F F F F RFRFI estfelder F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFRFP pnnungen F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFRFQ trme F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFRFR ehniken zur erhinderung von pehlmessungen RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren F F F F F F F F F RFSFI qrundlgen der vsertehnik F F F F F F F F F F F RFSFP uurzzeitlser F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFT yptishe wessverfhren F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFTFI esorptionsmessung F F F F F F F F F F F F F F F RFTFP e)exionsmessung F F F F F F F F F F F F F F F F RFTFQ olristionsmessung F F F F F F F F F F F F F F F RFTFR pektrometer und olyhromtoren F F F F F F F RFTFS wessverfhren fr kurze eiten F F F F F F F F F RFU ilektrooptishe wessverfhren fr kurze eiten F F F F RFV ilektrishe wessverfhren fr kurze eiten F F F F F F F RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse F F F RFIH wessung mit ilektronen F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIHFI unnele'ektD fnderstruktur F F F F F F F F F F RFIHFP unneltheorie von immons F F F F F F F F F F F RFIHFQ he rnsfer rmiltonin wethod F F F F F F F RFIHFR stertunnelmikroskopie @wA F F F F F F F F F RFIHFS esolution of nning unneling wirosope RFIHFT unnelspektroskopie F F F F F F F F F F F F F F F RFIHFU Graphite F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F RFIHFV vow emperture ixperiments F F F F F F F F F RFIHFW elted ehniques F F F F F F F F F F F F F F F F RFIHFIH erieshltung von unneldioden F F F F F F F F RFIHFII ingle ilektron rnsistor F F F F F F F F F F F F RFIHFIP peldemissionsmikroskopieD peldionenmikroskopie RFIHFIQ rojektionselektronenmikroskopie F F F F F F F F RFIHFIR sterelektronenmikroskopie F F F F F F F F F F F RFIHFIS rnsmissionselektronenmikroskopie@iwA F F F RFIHFIT ilektroneneugung F F F F F F F F F F F F F F F F RFIHFIU nning pore wirosopy F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

S PWS PWS QHU QIT QIU QPU QQR QQR QRU QSP QUQ QUQ QUV QVI QVP QWI QWI RHT RPI RPI RPR RPR RPS RQP RQT RQU RQW RSH RSH RSQ RST RSV RUS RVH RVH RVP RVQ RVV RWP RWR RWW SHP SQS SQW SSQ

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snhltsverzeihnis RFII ehnergesttzte wesstehnik F F F F F F F F F F F F F F RFIIFI erwendung externer qerte F F F F F F F F F F F RFIIFP sn ehner eingeute wessdtenerfssung F F F RFIIFQ ersiht er rogrmme zur htenerfssung F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F SUU SUU SVQ SVR

A Physikalische Grundlagen
eFI eFP eFQ eFR

wxwellshe qesetze F F F F F F F F uirhho'she qesetze F F F F F F F F uomplexe pnnungen und trme iene ellen F F F F F F F F F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

F F F F

587

SVU SVU SVV SVW

B Berechnung von Schaltungen C Tabellen


gFI gFP gFQ gFR

fFI frkenshltung mit iderstnden F F F F F F F F F F F F F F F F F SWI elle der vpletrnsformtionen F F F F F elle der grsonErevisideErnsformtion F elle der zErnsformtionen F F F F F F F F iinstellzeiten und eitkonstnten F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

591

593

SWQ SWR SWS SWT

D Vergleich der Kenngrssen von Bauarten analoger Filter E Diagramme der Filterbertragungsfunktionen
iFI iFP iFQ iFR iFS iFT iefpss(lter F F F rohpss(lter F F fndpss(lter F F fndsperren(lter ellpss(lter F F F hwingkreis F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

597 599
SWW THS TIH TIS TPH TPI

F Filterkoezienten G Maple V Texte


qFI yrtskurve in der komplexen iene F F F F F qFP he(nitionen der pilterfunktionen F F F F F F qFPFI uritishe pilter F F F F F F F F F F F F qFPFP futterworth F F F F F F F F F F F F F F qFPFQ fessel F F F F F F F F F F F F F F F F F qFPFR sheyshe' Idf F F F F F F F F F F qFPFS sheyshe' Qdf F F F F F F F F F F qFPFT ellpss F F F F F F F F F F F F F F F F F qFPFU hwingkreis F F F F F F F F F F F F F F qFQ hrstellung der pilter F F F F F F F F F F F F F qFQFI iefpssErohpsstrnsformtion F F qFQFP iefpssEfndpsstrnsformtion F F qFQFQ iefpssEfndsperrentrnsformtion qFQFR feispielXfutterworth iefpsse F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

623 631
TQI TQI TQI TQI TQP TQP TQP TQP TQP TQQ TQQ TQQ TQQ TQQ

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snhltsverzeihnis qFR qFS qFT qFU mithEghrt F F F F F F F F F F F F F F mithEghrts mit qnuplot RFP F F F F hten uf mithEghrts zeihnen mit olrElots mit qnuplot RFP F F F F F F F F F F F F F F F qnuplot F F F F F F F F F RFP F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

U TQR TRI TRP TRS

H Leistungen eines DSPs I


sFI sFP sFQ sFR

649
F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

Materialeigenschaften

iigenshften von ssoltionsmterilien F F F F F F F F F F F F F F hermolelektrishe uoe0zienten F F F F F F F F F F F F F F F F F F eeekEuoe0zienten F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F heyeEempertur und emperturkoe0zient des iderstndes F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F el pe F F F F F F F F F F F the ptil prequeny homin F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F

651

TSI TSI TSI TSI

J Image Processing: an Introduction


tFI tFP tFQ tFR tFS tFT hy smge roessingc F F F gorreting historted smges F piltering nd ht enlysis in piltering nd ht enlysis in iewing the ht F F F F F F F fkground lne emovl F

653

TSQ TSR TSS TSU TTH TTQ

K Correction of Linear Distortions in Two and Three Dimensions L Beschreibung periodischer Oberchen

665 667

vFI wthemtishe feshreiung F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F TTU vFIFI frvisExetze F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F F TTV vFIFP erstrukturenD ekonstruktionen F F F F F F F F F F F F F F TTW

M Symbole N Hilfsprogramme Abbildungsverzeichnis Tabellenverzeichnis

673 675 676 697

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snhltsverzeihnis

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1 Einleitung

hie orlesung Physikalische Elektronik und Messtechnik ehndelt die theoE retishen und prktishen qrundlgen des wessens mit elektronishen rilfsmitteln ller ertF wr wird ds hwergewiht uf ilektronik gelegtF hie modernen intE wiklungen gerde in der optishen wesstehnik sollen ei der fehndlung niht usgesprt leienF

hie orlesung eginnt mit einer hrstellung der mthemtishen qrundlgenF sn upitel PF uerst wird in die prhe der flokshltilder eingefhrtF

sm nhsten upitel Q werden rlleitershltungen ehndeltF eusgehend von der hysik der rlleitermterilien werden die einfhsten fuelementeD nmE lih rnsistoren und hiodenD esprohenF is folgt eine hrstellung der qrundE shltungen dieser fuelementeF uomintionen der qrundshltungen sind die hi'erenzverstrker und letztlih uh die ypertionsverstrkershltungenF

hs letzte upitel R ist der hiskussion von elektronishen wessverfhren sowie der wessung von iigenshften mit ilektronen gewidmetF xh einer feshreiung der grundlegenden wessverfhren werden unter nderem uh die stertunnelmiE kroskopieD die ilektronenmikroskopie und vershiedeneD uf ilektronen sierende erfhren der yer)henphysik esprohenF

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IH

iinleitung

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2 Mathematische Grundlagen
2.1 Darstellung von elektronischen Messsystemen: Blockschematas
Materialien
polien zur orlesung m PHF IHF PHHQ @hpA

ilektronishe hltungen wie uh gnze elektronishe Messgerte knnen ls ysteme etrhtet werdenF hie einzelnen fulke sind entweder grundlegende ystemeD oder sie knnen ls usmmenfssung von vershiedenen einfheren yE stemen etrhtet werdenF te nh iefe der fetrhtung ist zum feispiel ein vokEsn erstrker ein grundlegendes ystem mit einerD durhus niht trivilen feziehung zwishen eusgngsE und iingngssignlenF elterntiv knn er er uh ls usmmensetzung der folgenden fugruppen ufgefsst werdenX IF iingngsverstrker PF eferenzoszilltor QF hsershieer RF wisher SF iefpss(lter hiese viste knnteD wenn mn wollteD noh weiter unterteilt werdenF

2.1.1 Symbole fr Blockschematas


is ist lih gewordenD die folgenden ymole fr die hrstellung von ystemen zu verwendenIF

eildung PFIX iin grundlegender ystemlok

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IP

wthemtishe qrundlgen

hie eildung PFI zeigt ein einen solhen grundlegenden ystemlokF hs ort flok in dieser hrstellung wirdD je nh yp oder ertrgungsfunktion usgeE wehseltF hie enshlsse werden mit feilen versehenD um den ignl)uss drE zustellenF o wrde mn zum feispiel eine hi'erentition wie in eildung PFP drstellenF

eildung PFPX iin hi'erentilopertor in der flokshltildshreiweise iine sntegrtion knnte wie in eildung PFQ ussehenF

eildung PFQX iin sntegrlopertor in der flokshltildshreiweise sn llen hrstellungen ist es optionlD die fezeihnungen Eingang und Ausgang zu verwendenF ie sollten enutzt werdenD wenn der ignl)uss us der hrstellung niht eindeutig gelesen werden knnF hie einzelnen flke werden mit vinien verE undenF ollten ein eusgng eines floks uf mehrere iingnge ufgeteilt werdenD so werden enhmepunkte wie in eildung PFR verwendetF

eildung PFRX iin enhmepunktF hs iingngssignl wird nh rehts uf drei weige ufgeteiltF enhmepunke dienen niht nur dzuD ignle nh vorne zu leitenF ie eilE dung PFS zeigtD knnen uh kkoppelungen mit dieser pormensprhe gehndE ht werdenF m llgemeine ignl)sse drstellen zu knnenD sind noh ummtionspunkte notwendigF ie werden wie in eildung PFT drgestelltF is knnen zwei oder mehr ummtionseingnge verwendet werdenF ir knnen nun diese pormensprhe verwendenD um die hi'erentilgleihung

y (t) + ky (t) = x (t) t

@PFIA

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PFI hrstellung von elektronishen wesssystemenX flokshemts

IQ

eildung PFSX iin enhmepunktF rier wird ein eil des ignls rkgekoppelt

eildung PFTX iin ummtionspunktF hie ypertoren + und - geen nD o ddiert oder sutrhiert werden soll drzustellenF ir shreien die qleihung @PFIA umD so dss wir sie in die flokE shltildform ringen knnenF uerst isolieren wir die eleitungF

x (t) ky (t) =

y (t) t

@PFPA

hliesslih integrieren wir die qleihung @PFPA und erhlten


t

x (t ) ky (t )dt = y (t)
t0

@PFQA

hie qleihung @PFIA in der porm @PFQA knn nun wie in eildung PFU drgestellt werdenF

eildung PFUX hs flokshltild der hi'erentilgleihung @PFIA in der porm @PFQAF hie mstellung in der qleihung musste durhgefhrt werdenD um y(t) zu isoE lierenF iine lterntive ert der mformung ist

x (t )

y (t) = y (t) t

@PFRA

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IR

wthemtishe qrundlgen

eildung PFVX hs flokshltild der hi'erentilgleihung @PFIA in der porm @PFRAF hs entsprehende flokshltild ist in der eildung PFV zu sehenF enn mn die eildungen PFU und PFV vergleihtD sieht mnD dss die gleihe hi'erentilgleihung uf zwei vershiedene erten drgestellt werden knnF is git o'ensihtlih egelnD die einem ermglihenD die mstellung uf rein formlem ege zustnde zu ringenF her ergleih der eiden eildungen sgt zum feiE 1 spielD dss wenn k in einem nh links gerihteten weig vorkommtD wir k in einen nh rehts gerihteten weig einsetzen mssenF ienso sind die sntegrtion und die hi'erentition ein rD wenn wir in einem ignlzweig die ignl)ussrihtung wehselnF sm nhsten eshnitt PFIFP werden die ehenregeln fr flokshemE ts drgestelltF um hluss dieses eshnittes sei druf hingewiesenD dss fr ypertionsverE strker die genu gleihen egeln geltenX iin fuelementD ds di'erenziert eingeE ut in die kkoppelshleifeD ewirktD dss die qesmtshltung integriertF wit diesem uonzeptD ds im upitel Q esprohen wirdD knnen unter nderem grosse smpednzen oder irkultoren relisiert werdenF

2.1.2 Rechnen mit Blockschematas


hs ehnen mit flokshemts erlutD uf eine stndrdisierte eise die mE orgnistion und die ferehnung von hltungenF hiese ehnungen werden eE ntigtD um hltungen zu vereinfhen oder um sieD ei gleiher punktionD nders zu strukturierenF hies knn ntig seinD weil olernzen und pehler der futeile niht ei jeder uon(gurtion sih gleih uswirkenF

2.1.2.1 Kaskadierung (Reihenschaltung) von Blcken


enn zwei flke mit den rnsferfunktionen G1 und G2 hintereinnder geshltet sindD dnn knnen diese durh einen flok mit der rnsferfunktion G1 G2 ersetzt werden @eildung PFWAF

2.1.2.2 Kommutativgesetz fr die Kaskadierung


pr linere ysteme ist die eihenfolgeD in der zwei flke mit kommuttiven ypeE rtoren @wultipliktionD er uh die eleitung einer komplexen punktionA ngeE ordnet werdenD unerhelihF hies wird mit dem uommuttivgesetz G1 G2 = G2 G1

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PFI hrstellung von elektronishen wesssystemenX flokshemts

IS

eildung PFWX uskde von zwei flken

eildung PFIHX hs uommuttivgesetz fr einen flokF eshrieen @eildung PFIHAF hrend diese eussge mthemtish gesehen korE rekt istD kommt es ei der elisierung durhus uf die eihenfolge nF h rele fulke immer nihtliner sind @fegrenzungD ushenD ehselwirkungA knn die ltzierung drer entsheidenD o ein hesign gut oder shleht istF

2.1.2.3 Transformationen
iin rkgekoppeltes ystemD eine der m hu(gsten vorkommenden trukturen in der hysiklishen ilektronik und wesstehnikD sieht wie in eildung PFII usF enn mn die uonventionen us der eildung PFII verwendet und insesondere ehtetD dss ds oere orzeihen des weiges B eine qegenkopplung edeutetD so erhlt mn die folgenden universellen feziehungenX

G A = E 1 GH F 1 = E 1 GH B GH = E 1 GH

@PFSA @PFTA @PFUA

rier ist E ds iingngssignlD A ds eusgngssignl und B ds kkoppelsiE gnl vor dem ummtionspunkt und F ds pehlersignlF iine enlyse der oigen

eildung PFIIX flokshltild eines rkgekoppeltes ystems

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IT

wthemtishe qrundlgen

rnsforE mtion I eihenE shltung rllelE shltung

qleihung

eusgngsE digrmm

quivlentes higrmm

y = (G2 G1 )x

y = G1 x G2 x

sn orwrtsE rihtung prllelgeE shlteten flok entfernen flok in der kkoppE lungsleitung entfernen flok us kkopE pelleitung vershieen

y = G1 x G2 x

y= G1 (x G2 y)

y= G1 (x G2 y)

elle PFIX elger mit flokdigrmmenX uomintion von flken qleihungen zeigtD dss wenn der fetrg von r gross ist ei einer negtiven kE F koppelungD lso ei einem positiven orzeihenD dss E elieig klein wirdF B wird dnn gleih dem negtiven iingngssignl E F

2.2 Darstellung von elektronischen Messsystemen: Signalussdiagramme


iine weitere wglihkeitD die truktur einer hltung drzustellen ieten die iE gnl)ussdigrmmeF her ruptvorteil der ignl)ussdigrmme liegt drinD dss sie sih einfher zeihnen lssenF

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PFP hrstellung von elektronishen wesssystemenX ignl)ussdigrmme

IU

rnsE formtion T ummE tionspunkte vershieen ummE tionspunkte vershieen ummE tionspunkt vor flok shieen ummE tionspunkt nh flok shieen

qleihung

eusgngsE digrmm

quivlentes higrmm

z =wxy

z =wxy

z = Gx y

z = G (x y)

elle PFPX elger mit flokdigrmmenX ummtionspunkte vershieen

eildung PFIPX ignl)ussdigrmmF yen ist ein llgemeiner weig drgestelltD ei dem giltX Yi = Aij Xj F els feispiel ist unten ds yhm9she qesetz U = RI gezeigtF

2.2.1 Grundlagen
eildung PFIP zeigt einen einfhen ignl)ussgrphenF is wird die qleihung

Yi = Aij Xj

@PFVA

drgestelltF hie rilen Xi und Yj sind jeweils mit einem unkt drgestelltF hiese unkte heissen KnotenF jede rile ht in einem ignl)ussdigrmm einen unotenF hie erknpfung von zwei rilen erfolgt durh weigeF hei ist immer in plussrihtung @gegeen durh den weigA die ertrgungsfunktion uf die eusgngsvrile nzuwendenF rier steht ewusst ertrgungsfunktionX ein sntegrl oder eine eleitung sind uh denkrF

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IV

wthemtishe qrundlgen

rnsE formtion W enhmeE punkt vor flok shieen enhmeE punkt nh flok shieen enhmeE punkt vor einen ummtiE onspunkt shieen enhmeE punkt nh einen ummtiE onspunkt shieen

qleihung

eusgngsE digrmm

quivlentes higrmm

y = Gx

IH

y = Gx

II

z =xy

IP

y =xy

elle PFQX elger mit flokdigrmmenXenhmepunkte vershieen

eildung PFIQX ummtion in einem ignl)ussdigrmmX Yj =

n i=1

Aji Xi F

iine ummtion von erten wird wie in eildung PFIQ drgestelltF oll ein konstnter ert dzugezhlt werdenD so wird der ert ls rile mit der erE trgungsfunktion I gefhrtF
n

Yj =
i=1

Aji Xi

@PFWA

her ert einer rilen wird uf lle von dem entsprehenden unoten usgeE

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PFP hrstellung von elektronishen wesssystemenX ignl)ussdigrmme

IW

eildung PFIRX ertrgungsregeln in einem ignl)ussdigrmmX Xj = Ajk Xk fr (k = 1,2, . . . ,n)F

eildung PFISX wultipliktionsregeln


n i=2

fr

ignl)ussdigrmmeX

Xn

Ai(i1) X1 F

henden rilen ertrgenD wie in eildung PFIR drgestelltF

Xj = Ajk Xk
qilt fr eine uetteD dss

fr (k = 1,2, . . . ,n) u

@PFIHA

Xj = Aj(j1) Xj1

fr (j = 2, . . . ,n) u

@PFIIA

dnn knnen diese qleihungen zusmmengefsst werden zu


n

Xn = A21 A32 . . . An(n1) X1 =


i=2

Ai(i1)

X1

@PFIPA

hies wird im ignl)ussdigrmm wie in eildung PFIS drgestelltF

2.2.2 Begrie aus der Theorie der Signalussdiagramme


hie folgenden he(nitionen sind in eildung PFIT geildetX

Pfad iin fd ist ein zusmmenhngenderD in eine ihtung zeigende efolge von

erindungen zwishen unotenF sn eildung PFIT ist (X1 X2 X3 X4 )D (X2 X3 X2 )D (X3 X3 ) und (X1 X2 X4 ) fdeF henF feispielX X1 F

Eingangsknoten iin iingngsknoten ist ein unotenD von dem nur fde usgeE Quelle iehe iingngsknoten @der fegri' muss vom higrmm her verstnden
werdenD niht von der eussenweltA

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PH

wthemtishe qrundlgen

eildung PFITX ignl)ussdigrmm zur irklrung der he(nitionen

Ausgangsknoten iin eusgngsknoten ist ein unotenD ei dem nur einlufende

fde uftretenF feispielX X4 F qit es keine solhen unotenD fgt mn einen ustzknoten mit einer ertrgungsfunktion A = 1 hinzuF

Senke iehe eusgngsknotenF Vorwrtspfad iin orwrtspfd ist ein fdD der vom iingngsknoten zum eusE
gngsknoten fhrtF feispielX (X1 X2 X 3 X4 )D oder (X1 X2 X4 ) F indknoten gleih sindF feispielX (X2 X3 X2 ) und (X3 X3 )F

Rckwrtspfad iin kwrtspfd ist ein fdD ist ein fd dessen enfngsE und Rckkopplungsschleife iehe kwrtspfdF Selbstbezogene Schleife (X3 X3 ) ist eine selstezogene hleifeF Verstrkung eines Zweiges hie erstrkung eines weiges ist der pktorD mit
dem ei diesem weig multipliziert werden mussF feispielX A33 ist die erE strkung der selstezogenen hleifeF

Verstrkung eines Pfades hie erstrkung eines fdes ist der ypertorD der

entsteht wenn mn lle eilopertoren hintereinnder nwendetF sm plle rein multipliktiver erstrkungen ist dies hs rodukt der einzelnen fdE verstrkungenF feispielF her fd (X1 X2 X4 ) ht die erstrkung A21 A32 A42 F koppelungsshleifeF feispielX (X2 X3 X2 )ht die erstrkung A32 A23 F

Schleifenverstrkung hie hleifenverstrkung ist die erstrkung einer kE

2.2.3 Allgemeine Formel fr Signalussdiagramme


ezeihnet mn mit T ds erhltnis zwishen hem Signal m eusgngsknoten und dem m iingngsknotenD so gilt

Pi i T =
hei ist
i

@PFIQA

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PFP hrstellung von elektronishen wesssystemenX ignl)ussdigrmme

PI

Pi die fdverstrkung des iEten orwrtspfdesF Pjk ds j Ete mglihe rodukt von k sih niht erhrenden kkoppelE shleifenF = 1 (1)k+1
k j

Pjk = 1
j

Pj1 +
j

Pj2
j

Pj3 + . . . a I E @umme

ller hleifenverstrkungenAC @umme ller erstrkungsprodukte von je zwei sih niht erhrenden kkoppelshleifenA E @umme ller erstrE kungsprodukte von je drei sih niht erhrenden kkoppelshleifenA C ...

i = erehnet unter eglssung ller kkoppelshleifenD die den fd Pi erhrenF


wei fde heissen nichtberhrendD wenn sie keine gemeinsmen unoten hE enF heisst die heterminnte des ignl)ussgrphen oder seine hrkteristishe punktionF ignl)ussgrphen treten uh ls peynmnshe fddrstellungen ufF euh in der untenelektrodynmik gelten nloge ehenregeln fr fdeF

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PP

wthemtishe qrundlgen

eildung PFIUX eigerdigrmm fr die pnnung U

6 4 2 0 2 4 6 8 10 2 4

Q=1,2,4

8 10 12 14 16

eildung PFIVX yrtskurve fr einen relen ParallelschwingkreisF hie smpednz ist mit R skliertF ehts e(ndet sih eine kizze dieses hwingE kreisesF

2.3 bertragungsfunktionen
fei der fesprehung von ertrgungsfunktionen gehen wir von der komplexen hrstellung usPF iine iinfhrung in die wterie knn in e gefunden werdenF eusgehend von komplexen emplitudenD knn mn eine eigerdrstellung fr den elE und smginrteil ngeenF enn nun ei einer komplexen smpednz Z diese von einem rmeter p E hngtD so knn mn eine yrtskurve zeihnenF liherweise ist p = D es knn er uh eine ndere qrsseD zFfF die upzitt ei einer erienshltung von iderstnd und uondenstorD seinF fei rllelshltungen emp(ehlt es sihD mit veitwerten zu rehnenF yrtskurven sind fr xiederfrequenznwendungen vielfh zu ufwendig zum eE rehnenF is ht sih er im vufe der thre eingergertD dss rohfrequenznE wendungen fst nur mit rilfe von yrtskurven hrkterisiert werdenF hies gilt zFfF uh fr die enge des prequenzverhltens von rnsistorenF eildung PFIV zeigt die yrtskurve fr einen relen ParallelschwingkreisD eE

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PFQ ertrgungsfunktionen

PQ

stehend us einem iderstnd RD einer pule L und einem uondenstor C F hie smpednz der hltung us PFIV erehnet sih m einfhsten er den kompleE xen veitwert Y F

1 2 LC + jRC 1 + jC = @PFIRA R + jL R + jL wn knnte mit dem veitwert Y genu so gut eine yrtskurve drstellen @zum eil ist dies ei rohfrequenznwendungen lihAD er wir wollen hier die smpeE dnz Z verwendenF Y = R + jL @PFISA 1 2 LC + jRC 1 L wit den lihen ekrzungen 0 = 1/ LC und = /0 sowie Q = R C sowie nh der xormierung von Z mit R wird Z= 1 + j (1 2 ) Q Z =z= 2 R (1 2 )2 + Q
elE und smginrteile sind dnn
1 Q

@PFITA

Re (z ()) =

1 (1 2 )2 +
Q 2

(1 2 ) Q Im (z ()) = (1 2 )2 +
Q

1 Q 2

@PFIUA

pr grosse Q knn die eildung veressert werdenD wenn mn sowohl elE wie uh smginrteil durh Q2 teiltF

Re

z () Q2 z () Q2

1 (1 2 )2 Q2 + 2
1 Q

(1 2 ) Q =

Im

(1 2 )2 Q2 + 2

@PFIVA

hie normierte eildung PFIW zeigt shnD dss fr grssere Q die yrtskurve zu einem ureis wirdF is ist dem veser erlssenD yrtskurven komplizierterer hltungen zu erehnenF enn wir eine hltung mit flken entsprehend dem upitel PFI henD mit h(t) der entwort des ystems uf einen hirshen Esmpuls istD dnn ist die entwort uf eine llgemeine enregung x(t) durh eine pltung gegeenF

y (t) =

h(t )x (t t ) dt = h (t) x (t)

@PFIWA

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PR
0.6 0.4 0.2 0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.4 0.6 0.8 1 1.2 Q=1,3,10

wthemtishe qrundlgen

1.4

1.6

eildung PFIWX yrtskurve fr einen relen ParallelschwingkreisF rier wurde sowohl durh wie uh durh Q2 geteiltF

Beispiel (Maple-Datei)X yrtskurven

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

PS

2.4 Kontinuierliche und diskrete Signale


ignle und ignlformen sind wesentlih zum erstndnis physiklisher wesssyE stemeF qenerell werden ignle in zwei utegorien ufgeteiltX IF uontinuierlihe ignle PF eitegrenzte ignle hie erste utegorie von ignlen knn sowohl in der eitdomne wie uh in der prequenzdomne ehndelt werdenF hie zweite utegorie wird evorzugt in der eitdomne diskutiertF qenu genommen git es keine periodishen ignleD d nie eine unendlihe wesszeit mglih istF sn der prequenzdomne wird vorwieE gend mit der pourierErnsformtion gereitetF hie pourierErnsformtion setzt unendlih duernde ignle vorusF hiese ignle verletzen er die uuslittF m dieses rolem zu lsen verwendet mn in der egel in der ilektronik die vpleErnsformtionF

2.4.1 Signale
2.4.1.1 Periodische Signale
iine erste qruppe von ignlen sind die periodishen ignleF hiese knnen uf ummen von inusE oder gosinusEpunktionen zurkgefhrt werdenF ypisheD in der ilektronik vorkommende periodishe ignle sindX

rrmonishe punktionenX sin(t) und cos(t) ehtekfunktionX 1 fr nT t < n + 1 T u 2 f (t) = 0 fr u n + 1 T t < (n + 1) T 2 smpulsfunktionX 1 fr nT t < (n + ) T u f (t) = 0 fr (n + ) T t < (n + 1) T u hreieksfunktionX 1 t 2A T n 4 f (t) = t 1 2A n + 1 T 4 gezhnfunktionX t f (t) = A T n

nZ

n Z;

0<1

1 fr nT t < n + 2 T u fr u n + 1 T t < (n + 1) T 2

nZ

fr nT t < (n + 1) T ; n Z u

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PT

wthemtishe qrundlgen

2.4.1.2 Einmalige Signale, Einschalt- und Ausschaltvorgnge


iinmlige punktionsverlufe treten ufD wenn ein qert eingeshltet oder usgeE shltet wirdF els feispiel knn mn die vdekurve eines uondenstors C etrhE tenD wenn er er einen iderstnd R n eine Spannungsquelle U ngeshlossen wirdF ur eit t = 0 soll die erindung eingeshltet werdenF ir hen dnn die folgenden itution fr UC D die pnnung m uondenstorF

UC (t) =

0
t RC

fr t < 0 u fr t 0 u
@PFPHA

UC (t) = U 1 e

hie resultierende punktion ist klr niht periodishF qenu genommen git es nur nihtperiodishe ignleD d lle periodishen eine unendlih lnge huer hen msstenF

2.4.1.3 Diskrete Signale


iin typishes feispiel fr diskrete ignle ist die reppenfunktionF ie ist wie folgt de(niertX

f (t) = f (nT ) = fn

f ur

bT t < (n + 1)T (n = 0,1,2, . . . ; T > 0,T = const

@PFPIA

hie reppenfunktion generiert us der polge {fn } knn in relen hltungen gut implementiert werdenF wthemtish einfher zu hndhen ist jedoh der hirEummX

f (t) = n (nT );

f ur

bT t < (n + 1)T (n = 0,1,2, . . . ; T > 0,T = const

@PFPPA

her hirEumm erlut ein einfhes rehnenD d eine sntegrtion mit rilfe der Epunktion sofort gelst werden knnF

2.4.1.4 Digitale Signale


iine onderklsse der diskreten ignle sind die digitlen ignleD wie sie in der gomputertehnik vorkommenF hie digitlen ignle hen zwei erteD H oder IF hiese erte sind in vogikpegel kodiertF o ist ei der vEvogik der xullwert 0V < x < 0.8V und der IEegel 2V < x < 5V F Digitale Signale werden mit logishen hltungen verknpftF shre hltpegel sind de(niertD eine hltung fr digitle ignle drf nur mit den entsprehenden egelwerten etrieen werdenD so dss keine unde(nierten ustnde uftretenF reute werden in usgewhlten enwendungsereihen vogiken mit weihen erE gngen zwishen den einzelnen ustnden verwendetF hiese Fuzzy-Logiken erE mglihen eussgen wieX is ist ein isshen kltD oderD es ist ein wenig zu wrmF qleitend de(nierte ergnge zwishen hltzustnden sind vor llem ei shleht in hlen fssren rolemen von orteilF

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

PU

2.4.2 Fourier-Transformationen
Materialien
polien zur orlesung m PUF IHF PHHQ @hpA

eriodishe ignle f (t) a f (t + T ) knnen ls eihenentwiklung

a0 f (t) = + (an cos n0 t + bn sin n0 t) 2 n=1

@PFPQA

geshrieen werdenF hie uoe0zienten der eihenentwiklung knnen wie folgt erehnet werdenX
t0 +T

2 an = T
t0

f (t) cos(n0 t)dt


t0 +T

2 bn = T
t0

f (t) sin(n0 t)dt

@PFPRA

elterntiv knn eine komplexe hrstellung gewhlt werdenF hie punktion heisst dnnX

1 cn ejn0 t f (t) = 2 n=
euh hier knnen die cn mit einer sntegrlformel erehnet werdenX
t0 +T

@PFPSA

2 cn = T
t0

f (t) ejn0 t dt =

1 2

1 2

(an jbn ) fr n > 0 u (an + jbn ) fr n < 0 u

@PFPTA

hie pourierkoe0zienten einer punktion heissen ds emplitudenspektrumF h die inusE und gosinusfunktionen der prequenz 0 zusmmen ein orthogonles punkE tionensystem ildenD knn jede periodishe punktion dieser prequenz eindeutig drgestellt werdenF hie emplitudenspektren hen die folgenden iigenshftenX te shnellere nderungen des ignls uftretenD desto grsser sind die hheE ren pourierkoe0zientenF

iine punktion f (t) wird durh eine trigonometrishe eihe sm (t) =


m m

0 2

n cos n0 t+
n=1 n=1 T 1 T 0

n cos n0 t pproximiertF hnn ist der qudrtishe pehE

ler 2 =

[f (t) sm (t)]2 dt minimlD wenn die uoe0zienten n und n

die pourierkoe0zienten sindF

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PV

wthemtishe qrundlgen

pr jede eshrnkte und im sntervll 0 < t < T stkweise stetige punktion konvergiert die pourierreihe im wittel gegen die gegeene punktionF sst eine punktion einshliesslih ihrer kEten eleitung stetigD dnn streen fr n uh an nk+1 und bn nk+1 gegen nullF sst f (t) eine gerde punktionD ds heisst f (t) = f (t)D so giltX bn = 0 (n = 0,1,2, . . .)F hies ist die Symmetrie erster ArtF enn f (t) ungerde istD ds heisstD f (t) = f (t)D dnn giltX an = 0 (n = 0,1,2, . . .)F hies ist die Symmetrie zweiter ArtF qilt f t + T = f (t)D dnn sind a2n = b2n = 0 2 die Symmetrie dritter ArtF (n = 0,1,2, . . .)F hies ist

fesitzt eine ungerde punktion die ymmetrie dritter ert @Symmetrie vierter ArtAD dnn gilt an = b2n = 0 (n = 0,1,2, . . .)F fesitzt eine gerde punktion die ymmetrie dritter ert @Symmetrie vierter ArtAD dnn gilt a2n = bn = 0 (n = 0,1,2, . . .)F
wit rilfe der oen gezeigten ymmetrien knn sehr shnell der yerwellengehlt einer punktion geshtzt werdenF pr nihtperiodishe ignle oder fr eusshnitte us periodishen ignlen verE wendet mn die Fouriertransformation nstelle der pourierreiheF hie Fouriertransformation und ihre ktrnsformtion sind wie folgt de(niertX
+

f (t) =

F () ejt d
+

@PFPUA

1 F () = 2

f (t) ejt dt

@PFPVA

F () ist die spektrle erteilungsfunktionureisfrequenz eines ignlsF hmit sie existiertD muss ds sntegrl
+

|f (t)| dt

@PFPWA

endlih seinF els feispiel erehnen wir her smpuls ist gegeen durh 0 f ur f (t) = A f ur 0 f ur hs pektrum wird dnn

ds pektrum eines ehtekimpulsesF


p t < t2 p t2 t tp t> 2

tp 2

@PFQHA

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

PW

tp 2

F () =

tp 2

Aejt dt

@PFQIA

tp A j tp j 2 2 e e p sin t2 = tp A p t2

= j

@PFQPA @PFQQA

hs pektrum F ist reellF hies ist eine uonsequenz der tsheD dss f (t) eine gerde punktion istF re f (t) eine ungerde punktionD dnn wre ds pektrum rein imginrF hie grssten emplituden in F sind uf den fereih 0 f = 2 t1 p eshrnktF B = t1 heisst die fndreite des smpulsesF ellgemein gilt fr ulse p

Btp = 1

@PFQRA

te krzer lso ein uls istDdesto grsser ist seine fndreiteF pr einen unendE lih shrfen ulsD einen hirE Euls edeutet diesD dss seine pektrlfunktion konstnt istF hieses qesetz ht eine hnlihkeit mit den nshrfereltionen der untenmehnikF

eines ignlsF ir de(nieren die uorreltionsfunktion K(s) der punktion y(t) ls ds insemlemittel

2.4.2.0.1 Wiener-Khintchine-Relationen hie Wiener-KhintchineRelationen verknpfen die eutokorreltionsfunktion mit dem veistungsspektrum

K (s) = y (t) y (t + s)
hie qrsse

@PFQSA @PFQTA

K (0) = y 2 (t)

ist o'ensihtlih die rinz von y(t)D wenn s = 0 istF ie jede punktion knn uh K(s) ls pourierintegrl geshrieen werden

K (s) =

J () ejs d

@PFQUA

J() ist ds veistungsspektrum oder die pektrle hihte der punktion y(t)F hie Fouriertransformation in qleihung @PFQUA knn umgekehrt werdenF

1 J () = 2

K (s) ejs ds

@PFQVA

hie qleihungen @PFQUA und @PFQUA ind die Wiener-Khintchine-RelationenF hie eltion knn ewiesen werdenD indem mn in qleihung @PFQUA von rehts mit ej s multipliziert und er s integriertF

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QH

wthemtishe qrundlgen

ds K (s) e

j s

ds

dJ () ej( )s

= 2

dJ () ( )
@PFQWA

= J ( )

hie uorreltionsfunktion K(s) ist reell und gerdeD lso eine ymmetrie erster ertF heshl wrden ei einer pourierreihe nur cosEerme uftretenF rier edeutet diesD dss J() uh reell und gerde istD lso

K (s) K (s) J () J ()

= = = =

K (s) K (s) J () J ()

@PFRHA

hie eiden eltionen knnen ewiesen werdenD indem mn qleihung @PFQV nwendet und dnn die sntegrtionsvrile von s nh s ndertF qleihung @PFQUA knn umgeshrieen werden

y 2 = K (0) =

J () d =
0

J+ ()d
@PFRIA

J+ () 2J ()

hie pourierintegrle knnen wegen den ymmetrieeigenshften uh ls cosE rnsformtionen geshrieen werdenF wn setzt ejs = cos s j sin s und erhlt @d sin ungerde istA

K (s)

J () cos s d =

2
0

J () cos s d

J () =

1 2

1 K (s) cos s ds =

K (s) cos s ds
0

@PFRPA

K(s) und J() knnen direkt us den pourierkoe0zienten von y(t) erehnet werdenF enn y(t) sttionr und ergodish istD ist K(s) zeitunhngig und ds insemlemittel y knn durh ds eitmittel {y} ersetzt werden @hie he(nitionen (nden ie in eif Q upitel ISFIR oder im enhng wAF hies gilt fr periodishe

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

QI

punktionenD muss er fr sttistish shwnkende punktionen wie ds ushen gefordert werdenF qleihung @PFQUA knn nun geshrieen werden ls

1 K (s) = 2

y (t) y (s + t) dt

@PFRQA

ir setzen

y (t)
und erhlten fr K(s)

y (t) 0

fr < t < u sonst

@PFRRA

1 K (s) = 2

y (t) y (s + t) dt

@PFRSA

hurh die irsetzung von y(t) mit y (t) fhrt mn einen pehler der qrssenE s ordnung einD der fr vershwindetF wit

y (t) =

C () ejt d

@PFRTA

@C () ist die Fouriertransformation von y(t)A erhlt mn


1 K (s) = 2

dt

dC () ejt

d C ( ) ej (s+t)

1 = 2

d C () C ( ) ej s

dtej(+ )t

1 2

d C () C ( ) ej s [2 ( + )]

d C () C () ejs

=
etzt mn

d |C ()|2 ejs

@PFRUA

|C ()|2 @PFRVA so erhlt mn qleihung @PFQUAF hurh diese ehnung wird klrD dss J() ds veistungsspektrum istF hie ienerEuhinthineEeltionen lssen sih wie folgt zusmmenfssenX J () =

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QP

wthemtishe qrundlgen

Die Autokorrelation und das Leistungssprektrum sind Fouriertransformierte


um hluss sei ngemerktD dss

y 2 = K (0) =
istF

|C ()|2 d

@PFRWA

2.4.3 Laplace-Transformationen
hie Fouriertransformation im vorngegngenen upitel knn nur gelst werdenD wenn ds sntegrl er den fetrg der eitfunktion endlih istF eiter mssen die punktionswerte zu llen frherenD er uh zu llen spteren eiten eknnt seinF hmit ist die Fouriertransformation kuslF hie uuslitt verlngt nunD dss ein Signal nur von seiner orgeshihteD niht er von seiner ukunft hngen knnF iine uonsequenz der uuslitt istD dss es keine elieig shrfen pilter geen knnF wit der Laplace-Transformation knn insesondere sehr elegnt ds rolem der ferehnung von pltungsintegrlen gelst werdenF hieses rolem tuht imE mer dnn ufD wenn iin eusgngssignl ei eknnter smpulsntwort us dem iingngssignl erehnet werden mussF hie Laplace-Transformation ist nun de(niert durh

F (p) =
0

f (t) ept dt

@PFSHA

rier ist p = x + j eine komplexe punktionF enn f (t) = 0 ist fr t < 0 dnn ist in vielen pllen die Fouriertransformation und die Laplace-Transformation quivlentF ielfh shreit mn fr die vpleErnsformtion uh

F (p) = L(f (t))

@PFSIA

hie mkehrfunktion der Laplace-Transformation ist niht so einfh wie die der FouriertransformationF hrend ei dieser ein orzeihen gewehselt werE den mussD entigt die Laplace-Transformation eine sntegrtion in der kompleE xen ieneF
s+jr

1 lim f (t) = 2j r
sjr

ept

F (p) dp p

@PFSPA

dei muss der sntegrtionsweg s so gewhlt werdenD dss lle singulren unkte des sntegrnden links von der qerden p = s liegenF hie wihtigsten iigenshfE ten der vpleEtrnsformierten punktion sindX

df (t) dt

= pF (p) f (0)

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

QQ

L L L

d2 f (t) dt2 dn f (t) dtn t

= p2 F (p) pf (0) f (0) = pn F (p) p(n1) f (0) p(n2) f (0) . . . f (n1) (0)
1 = p F (p) p a

f (t) dt
0

1 L (f (at)) = a F

enn L (f1 (t)) = F1 (p) und L (f2 (t)) = F2 (p) istD dnn ist uh L (a1 f1 (t) + a2 f2 (t)) = a1 F1 (p) + a2 F2 (p) hmpfungsstzX enn L (f (t)) = F (p)D dnn ist L (eat f (t)) = F (p + a) ershieungsstz nh rehts @etrdtionAX enn L (f (t)) = F (p) und > 0D dnn ist L (f (t)) = ep F (p) ershieungsstz nh linksX enn L (f (t)) = F (p) und > 0D dnn ist L (f (t)) = ep F (p) 0 ept f (t)dt tz von forelX enn L (f1 (t)) = F1 (p) und L (f2 (t)) = F2 (p) istD dnn ist
uh L
t

f1 (t ) f2 ( ) d
0

1 = p F1 (p) F2 (p)

hie eusgngsfunktion zu F (p) = p ist die hirE Epunktion


hie vpleErnsformtion wird eingesetztD um hi'erentilgleihungssysteme zu lsenF sn der ilektronik wird ie zur ferehnung von prequenzgngen verwenE detF iinige punktionen und ihre vpletrnsformierten sind in der elle gFI im enhng ngegeenF Beispiel (Maple-Datei)X vpleErnsformtion @wpleA

2.4.4 z-Transformationen
hie oigen rnsformtionenD die Fouriertransformation @eshnitt PFRFPA und die Laplace-Transformation @eshnitt PFRFQAD knnen nur uf kontiE nuierlihe ignle ngewndt werdenF higitle ignlverreitung funktioniert er nur mit zeitE und mplitudendiskreten wesswertenF hie hier esprohene z-Transformation ist die fr dieses rolem ngepsste rnsformtionF hie zErnsformtion und die im eshnitt PFTFP esprohenen higitl(lter und E tehniken knnen uh uf die htennlyse im gomputer ngewndt werdenF hrend die vpleErnsformtion und die pourierErnsformtion zur vsung von hi'erentilgleihungen und Egleihungssystemen verwendet werden knnenD wird die zErnsformtion zur ferehnung von Systemen von Dierenzengleichungen verwendetF

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QR

wthemtishe qrundlgen

eildung PFPHX higitle ertrgungskette im eitereih

eildung PFPIX higitle ertrgungskette im prequenzereih ir etrhten nun eine ertrgungskette fr diskrete ignle @eildung PFPH und PFPIAF rier ist die punktion f (t) fr die eiten 0 < t < nur fr diskrete ergumente tn = nTa (n = 0,1,2, . . . ; Ta > 0,Ta const) de(niertF hie emplitudenwerte n den diskreten eitwerten sind eenflls diskretF hie polge {fn } und die n diskreten eitwerten de(nierte punktion f (nTa ) sind quivlentF hie zErnsformtion F (z) der polge {fn } ist de(niert durh

F (z) =
n=0

fn z n

@PFSQA

hie polge {fn } heisst zEtrnsformierrD wenn die umme in qleihung @PFSQA konvergiertF els urzel knn mn uh shreien

F (z) = Z {fn } {fn } ist die yriginlfolgeD F (z) die fildfolgeF

@PFSRA

2.4.4.0.2 Ein Beispiel ei fn = 1, (n = 0,1,2,3, . . .)F hie zErnsformtion ist

F (z) =
n=0

z n

@PFSSA

1 hie umme in qleihung @PFSS ist ezglih z eine geometrishe eiheF ie z 1 konvergiert gegen z1 D wenn z < 1 istF hs heisst erD dss die polge {fn } zE trnsformierr ist fr lle z Eerte usserhl des iinheitskreises |z| > 1F

2.4.4.0.3 Eigenschaften
pr jede zEtrnsformierre polge {fn } ist F (z) eine otenzreihe ezglih z 1 F is existiert eine reelle hl R ls uonvergenzrdius der durh F (z) gegeenen otenzreiheF {fn } ist dnn fr |z| > R zEtrnsformierrF enn {fn } zEtrnsformierr istD dnn ist F (z) eine nlytishe punktionF und gleihzeitig die einzige fildfunktion von {fn }F

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

QS

1 enn F (z) fr |z| > R nlytish ist und fr z regulr ist @dFhF F (z) ist eine otenzreihe nlog zur qleihung @PFSSA und F () = f0 AD dnn git es genu eine polge {fn }F

enn F (z) = Z {fn } existiertD dnn ist f0 = lim F (z)


z

@PFSTA

hei knn z uf der reellen ehse oder lngs eines elieigen eges nh lufenF h

1 1 z {F (z) f0 } = f1 + f2 + f3 2 + z z
und

@PFSUA

z 2 F (z) f0 f1

1 z

1 1 = f2 + f3 + f4 2 + z z

@PFSVA

uh zErnsformierte sindDekommt mn

f1 = lim z {F (z) f0 }
z

f2 = lim z 2 F (z) f0 f1
z

1 z

...

@PFSWA

Auf die oben gezeigte Art und Weise kann aus der Bildfunktion F (z) die Originalfolge {fn } rekonstruiert werden.
enn lim fn existiertD dnn ist
n n

lim fn = lim (z 1) F (z)


z1+0

@PFTHA

m diesen qrenzwertstz nwenden zu knnenD muss mn wissenD dss der qrenzwert existiertF her tz ist niht umkehrrF

2.4.4.1 Rechenregeln fr die z-Transformation


ir gehen von der polge {fn } und ihrer zErnsformierten Z {fn } = F (z) us

1. Verschiebungssatz
Z {fnk } = z k F (z) f ur k = 0,1,2, . . .
@PFTIA

2. Verschiebungssatz
k1

Z {fn+k } = z

F (z)
=0

f z

f ur k = 1,2,3, . . .

@PFTPA

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QT
1 Summation pr |z| > max 1, R giltX n1

wthemtishe qrundlgen

Z
=0

1 F (z) z1

@PFTQA

Dierenzenbildung pr die hi'erenzen


fn = fn+1 fn ,
giltX

m fn = m1 f

m = 1,2, . . . ; 0 fn = fn

Z {fn } Z {2 fn } F F F Z k fn

= (z 1) F (z) f0 = (z 1)2 F (z) z (z 1) f0 zf0 F F = F = (z 1)k F (z) z


k1 =0

@PFTRA

(z 1)k1 f0
|| R

Dmpfung fr = 0 elieig komplex und |z| >


Z {n fn } = F

gilt @PFTSA

Faltung els pltung der polgen {fn } und {gn } ezeihnet mn


n

fn gn =
=0

f gn
1 R2

@PFTTA dnn @PFTUA

1 ixistieren Z {fn } = F (z) fr || > R1 und Z {gn } = G(z) fr || > ist Z {fn gn } = F (z)G(z)

hie in qleihung @PFTU de(nierte Faltung konvergiert fr |z|


1 1 , R2 R1

> max F hieser Faltungssatz ist nlog zu den pltungsstzen fr die Fouriertransformation und die vpleErnsformtionF

Dierentiation der Bildfunktion


Z {nfn } = z dF (z) dz
@PFTVA

rhere eleitungen lssen sih nlog ildenF

Integration der Bildfunktion plls f0 = 0 gilt

fn n

=
z

F () d

@PFTWA

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

QU

2.4.4.2 z-Transformation und Laplace-Transformation


hie diskrete punktion f (t) knn uh ls reppenfunktion geshrieen werdenX fr

f (t) = f (nTA ) = fn

nTA t < (n + 1)TA (n = 0,1,2, . . . ; TA > 0, TA = const @PFUHA

rier ist TA die etstzeitF hie vpleErnsformierte dieser punktion ist @iehe uh qleihungen @PFSHA und @PFSIAAF

L {f (t)} = F (p)
(n+1)TA

=
n=0 nTA

fn ept dt enTA p e(n+1)TA p p

=
n=0

fn

1 epTA p

fn enTA p
n=0

@PFUIA

hie unendlihe polge wird uh ls diskrete Laplace-Transformation eE zeihnetF

D {f (t)} = D {fn } =
n=0 TA p

fn enTA p

@PFUPA

irsetzt mn in der qleihung @PFUPA e durh z @dies ist der rsprung der fezeihnung zErnsformtionA erhlt mn fr reppenfunktionen die feziehung

pF (p) = pL {f (t)} =

1 z 1 1 z 1

F (z) Z {f (t)}

@PFUQA @PFURA

wit rilfe der feziehungen in qleihungen @PFUQA und @PFURA knn mn us den vpleErnsformtionen in elle gFI die entsprehenden zErnsformtionen usrehnenF

2.4.4.3 Rcktransformation
hie ktrnsformtion

Z1 {F (z)} = {fn }

@PFUSA

der zErnsformtion knn mit vier vershiedenen wethoden erehnet werdenF IF fenutzung von ellen

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QV PF ferehnung der vurentEeihe von F (z) QF ferehnung der ylorEeihe von F


1 z

wthemtishe qrundlgen

F is ist

fn =

1 dn F n dz n

1 z

(n = 0,1,2, . . .)
z=0

@PFUTA

RF enwendung eines qrenzwertstzes

2.4.4.3.1 Beispiel is soll die zu F (z) =


werdenF IF eus der rtilruhzerlegung von
F (z) z

2z (z2)(z1)2

gehrige polge erehnet

erhlt mn @PFUUA

F (z) =
und somit

2z 2z 2z z 2 (z 1)2 z 1 fr n 0 u

{fn } = 2 (2n n 1)

@PFUVA

PF intwiklung in otenzen von

1 z

F (z) = 2z 2 + 8z 3 + 22z 4 + 52z 5 + . . .

@PFUWA

hrus knn mn direkt die polge {fn } lesenF iinen geshlossenen eusE druk erhlt mn jedoh nihtF QF wn erehne die eleitungen von F
1 z

1 z = = =

2 12z

2z (1z)2 4z (1z)3

2 1z

also also also also

1 z

=0
0

1 dF z dz

4 (12z)2

4 (1z)2

1 dF z dz

=0
0 1 z 0 1 z 0

dF dz 2 dF dz 3
3

1 z

16 (12z)3

12z (1z)4

12 (1z)3

dF dz 2 dF dz 3
3

=4 = 48
@PFVHA

1 z

96 (12z)4

48z (1z)5

48 (1z)4

ferksihtigt mnD dss die uoe0zienten der ylorEintwiklung noh mit n! normiert sindD erhlt mn ein konsistentes esultt fr {fn }F

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle RF eus den qrenzwertstzen erhlt mn

QW

f0 = = f1 = = f2 = = f3 = =

lim F (z) 2z =0 + 5z 2 lim z (F (z) f0 ) lim z3 4z 2 lim

z z

2z 2 =0 z z 3 4z 2 + 5z 2 f1 lim z 2 F (z) f0 z z 3 2z =2 lim 3 z z 4z 2 + 5z 2 f1 f2 2 lim z 3 F (z) f0 z z z 2z 2 lim z 3 2 z z 3 4z 2 + 5z 2 z

=8
@PFVIA

2.4.5 Anwendung der Transformationen auf Einschaltvorgnge


Materialien
polien zur orlesung m HQF IIF PHHQ @hpA

m iinshltvorgnge zu untersuhen werden entweder die tossE oder prunE gntwort untersuhtF hie prungntwort ist die entwort des ystems uf die prungfunktion

0 fr t < t0 u @PFVPA U0 fr t t0 u m iingngF els erstes feispiel erehnen wir die eusgngsspnnung n einem gEqliedD wenn m iingng eine prungfunktion ngelegt wird @eildung PFPPAF nter der orussetzungD dss zur eit t = 0 der uondenstor entlden istD erhlt mn mit Uein = IR + Ua und der feziehung I = dQ = C dUa die hi'erentiE dt dt lgleihung Usp (t; t0 ; U0 ) = dUa 1 + (Ua Uein ) = 0 @PFVQA dt RC hie vsung dieser elementren hi'erentilgleihung unter ferksihtigung der enfngsedingungen ist Ua (t) = U0 1 et/RC
@PFVRA

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RH

wthemtishe qrundlgen

eildung PFPPX iinshlten einer pnnung n einem gEqlied

eildung PFPQX uominierte tossE und prungfunktion Ust (t, t,Ust,0 ,U )D eE stehend us Usp (t,0,Ust,0 ) @luA und Usp (t,t,U Ust,0 ) @rotA

hie vsungD und dmit die zeitlihe ertrgungsfunktion oder iinheitsshritE tntwort Ua ist die eknnte ixponentilfunktionF U0 sm ellgemeinen esteht ds iinshltsignl us einer uomintion einer tossE funktion und einer prungfunktionD wie sie eildung PFPQ zeigtF enn wir nE nehmenD dss fr t < 0 Ue = 0 giltD dnn fr 0 t < t der ert Ue = Ust und fr t t Ue = U istD knn die iingngsfunktion mit qleihung @PFVP ls

Ust (t, t,Ust,0 ,U ) = Usp (t,0,Ust,0 ) + Usp (t,t,U Ust,0 )


geshrieen werdenF nter der orussetzungD dss

@PFVSA

die hltung stil ist

ds erlgerungsgesetz gilt und

die prungntwort unhngig vom eitpunkt des prunges ist

lsst sih die tossntwort mit U = 0 erehnenF

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

RI

Ua (t) = Ua (Usp (t,0,Ust,0 ) ,t) + Ua (Usp (t,t, Ust,0 ) ,t) 0 fr u t<0 t/RC Usp 1 e fr 0 t <t u = t/RC (tt)/RC Usp 1 e 1e fr u t t 0 fr u t<0 t/RC fr 0 t <t u Ust,0 1 e = t/RC t/RC e 1 fr u t t Ust,0 e 0 fr u t<0 t/RC Ust,0 1 e fr u 0 t <t = @PFVTA t t/RC Ust,0 RC e fr t t, t 0 u
hie oige qleihung zeigtD dss ei einer stossfrmigen enregung immer eine sofortige entwort sowie eine lngzeitlihe entwort vorhnden istF enn die iingngsfunktion mthemtish niht trivil istD knn mn sie in eine polge von tossfunktionen geshrieen werdenF

Ue (t) =
n=0

Ust (t nt,t,U (nt) ,0)

@PFVUA

ir modi(zieren die oige qleihung

Ue (t) =
n=0

Ust (t nt,t,U (nt) ,0) t t

hurh den qrenzergng t 0 wird die oige qleihung zu einem sntegrlD woei Ust die hirshe heltfunktion (t) pproximiert t

Ue (t) =
0

Ust ( ) (t ) d = Ust (t)

@PFVVA

einem pltungsintegrlD ds gelst werden knnF eus der tossntwort Ua (t,n) einer einzelnen tossfunktion erhlt mn die entwort des gesmten ystems
m

Ua (mt) =
n=0

Ua (t,n)

@PFVWA

enn A (t) = lim

tes istD muss mnD um zur tossntwort @der ektion des ystems uf einen hiE r9shen heltpuls (t) zu kommenD die folgende mrehnung mhenF enn (t) die Heaviside-Funktion istD lso ein iinheitssprungD giltD dss

Ua (t) t0 Ust,0

die zeitlihe ertrgungsfunktion eines iinheitsshritE

(t) =

d(t) dt

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RP

wthemtishe qrundlgen

wenn lso A(t) die ystemntwort uf eine prungfunktion istD dnn ist dA(t) ei dt einem linearen System die ystemntwort uf einen heltpulsF elso wird die ytemntwort uf einen elieigen iingng ds pltungsintegrl
t

Ua (t) = Ue (0) A0 (0) +


0

Ue ( )

dA (t ) d dt

@PFWHA

vegt mn eispielsweise n die hltung us eildung PFPP eine exponentiell nsteigende pnnung Ue (t) = U0 1 et/0 n und erksihtigtD dss us qleihung @PFVRA

A0 (0) = 0 A (t) = 1 et/RC A (t ) = 1 e RC dA (t ) 1 t = e RC dt RC


hie entwortfunktion ist
t
t

@PFWIA

U0 Ua (t) = RC
0

1e

e RC d

@PFWPA

enn die iingngsspnnung die gleihe eitkonstnte wie die gEhltung htD lso RC = 0 D dnn ergit sih
t

U0 t Ua (t) = e 0 0
0

e 0 1 d = U0 1 1 +

t 0

@PFWQA

is git die einfhe feziehung zwishen der Fouriertransformation und einem pltungsintegrlX

Ua (t) =
0

Ue ( ) h (t ) d
@PFWRA

Fouriertransformation Ua () = h () Ue ()

iin weiteres illustrtives feispiel ist ds enlegen einer ehselspnnung U0 sin t n eine pule @iehe eildung PFIUAF pr t > 0 gilt die hi'erentilE gleihung

dI + RI Ue,0 = 0 dt

@PFWSA

hie vsung dieser qleihungD sowie die zeitlihe ertrgungsfunktion sind

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

RQ

eildung PFPRX enlegen einer ehselspnnung n eine pule

R Ue,0 1 e L t R R 1 1 e L t A (t) = R

I (t) =

@PFWTA

wit

A0 (0) = 0 R 1 1 e L t A (t) = R R 1 1 e L (t ) A (t ) = R 1 R (t ) dA (t ) = e L dt L
ekommt mn fr den trom
t

@PFWUA

I (t) =
0

1 R U0 sin t e L (t ) d L
t

U0 R t e L = L
0

sin te L d
@PFWVA

R U0 = R sin t L cos t + Le L t 2 + 2 L2 R

hltet mn ei der wximlspnnung einD ergit sih

I (t) =

R U0 L sin t + R cos t Re L t R2 + 2 L2

@PFWWA

ie us eildung PFPS @ixelEelleA ersihtlihD wird der huerzustnd sehr viel shneller erreihtD wenn mn ei der wximlspnnung eine pule n eine ehselspnnung ls wenn mn im xulldurhgng shltetF her qrund ist der polgendeX hie enfngsedingung der llgemeinen vsung hngt von der qrsse der speziellen vsung zum enfngszeitpunkt F h ei einer pule der trom im

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RR

wthemtishe qrundlgen

eildung PFPSX esultierende trme eim enlegen einer ehselspnnung n eine puleF Links: iinshlten im xulldurhgngD Rechts: iinE shlten ei wximlspnnungF huerzustnd WH0 usser hse istD muss ei einem iinshlten im xulldurhgng die enfngsedingung der llgemeinen vsung den mximlen trom kompensieE renF enn ei der mximlen pnnung eingeshltet wirdD ist der trom nullD die enfngsedingung der llgemeinen vsung ist lso uh nullF te weniger die pule durh den uellwiderstnd gedmpft wirdD desto usgeprgter ist der i'ektD dss die eit zum irreihen des qleihgewihtszustndes im ersten pll grsser istF Beispiel (HTML-Datei)X enwendung der zErnsformtion Beispiel (PDF-Datei)X enwendung der zErnsformtion Beispiel (Maple-Datei)X ferehnung der zErnsformtion

2.4.6 Digitale Signale


higitle ignleD lso H oder ID werden mit logishen hltungen verknpftF hiE gitle ignle werden mit rilfe von Zahlensystemen uf unsere erteskle der ntrlihen hlen geildetF qeruhlih sindX

hs inre hlensystemD estehend us hulzhlenF IHIIHfD 4fnhgeE stelltF hs yktlsystemF PQRy oder PQR D y @der fuhsteD erwehslungsgefhrA oder nhgestellt ds rexdezimlsystemF Qpr oder 6QpD r nhgestellt oder 6 vorngestellt ds hezimlsystemF IPQhD h nhgestellt
sn elle PFR hen wirD wie lih fr die i'ern 4IH4 is 4IS4 die fuhsten A . . . F verwendetF iine shne ersiht er die qrundlgen der higitltehnik (ndet mn im fuh von rler und truRF

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle hul @inrA HHH HHH a HHHH HHH HHI a HHHI HHH HIH a HHIH HHH HII a HHII HHH IHH a HIHH HHH IHI a HIHI HHH IIH a HIIH HHH III a HIII HHI HHH a IHHH HHI HHI a IHHI HHI HIH a IHIH HHI HII a IHII HHI IHH a IIHH HHI IHI a IIHI HHI IIH a IIIH HHI III a IIII heziml H I P Q R S T U V W IH II IP IQ IR IS yktl H I P Q R S T U IH II IP IQ IR IS IT IU rexdeziml H I P Q R S T U V W e f g h i p

RS

elle PFRX ergleih der Zahlensysteme @IA f H H @PA f I I @QA f H I @RA f I H

e H I

e H I

e H I

e H I

elle PFSX vogishe erknpfungen mit einer iingngsvrilen

2.4.6.1 Logische Verknpfungen 2.4.6.1.1 Nicht-Gatter hie qrundverknpfungen mit einer rile sind in E
elle PFS ngegeenF hie erknpfungen (1) und (2) hen keinen prktishen xutzenF (3) ist die punktion eines Buers whrend (4) eine xegtion drstelltF hie vogiktfel der xegtion sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFPT drgestelltF wn shreit die xegtion liherweise

Z = A = A

@PFIHHA

2.4.6.1.2 Und-Gatter hie erste der zweiwertigen punktionen ist ds UndGatterF ein eusgng ist einsD genu wenn eide iingnge uf eins sindF hie
vogiktfel des ndEqtters sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFPU drgestelltF sn pormeln stellt mn die uonjunktion @ndA wie folgt drX

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RT

wthemtishe qrundlgen

eildung PFPTX NegationD Nicht-GatterD Inverter und NOT

Z = AB Z = AB Z = A&B

genormt veraltet selten(Schreibmaschine!)

@PFIHIA

eildung PFPUX UndD ndEqtterD Konjunktion und AND

2.4.6.1.3 Oder-Gatter hie zweite der zweiwertigen qrundfunktionen ist ds Oder-GatterF ein eusgng ist einsD wenn mindestens einer der eiden iingnge

uf eins istF hie vogiktfel des yderEqtters sowie die hltilder und die ignlE formen sind in eildung PFPV drgestelltF sn pormeln stellt mn die hisjunktion @yderA wie folgt drX

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

RU

Z = AB Z = A+B

genormt veraltet

@PFIHPA

eildung PFPVX yderD yderEqtterD hisjunktionD y wit den erknpfungen UNDD ODER und NICHT knnen lle logishen erknpfungen erzeugt werdenF is ht sih er herusgestelltD dss einige ndere geleitete erknpfungen einfher in ilizium zu uen sindF wit einer euswhl geleiteter punktionen lssen sih eenso lle erknpfungen herstellenF

2.4.6.1.4 NAND-Gatter iine hu(g verwendete geleitete erknpfung ist


ds xexhEqtterF ein xme ist egeleitet us xy und exhF ein eusgng ist einsD wenn einer der eiden iingnge niht uf eins istF hie vogiktfel des xexhEqtters sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFPW drgestelltF sn pormeln stellt mn die xexhEpunktion wie folgt drX

Z = AB Z = AB

genormt veraltet

@PFIHQA

2.4.6.1.5 NOR-Gatter iine weitere hu(g verwendete geleitete erknpfung


ist ds xyEqtterF ein xme ist geleitet us xy und yF ein eusgng ist einsD wenn eide iingnge niht uf eins sindF hie vogiktfel des xyEqtters sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFQH drgestelltF sn pormeln stellt mn die xexhEpunktion wie folgt drX

Z = AB Z = A+B

genormt veraltet

@PFIHRA

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RV

wthemtishe qrundlgen

eildung PFPWX xexhD xexhEqtter

eildung PFQHX xyD xyEqtter

quivlenzEqtterF ein eusgng ist einsD wenn eide iingnge uf gleihem eE gel sindF hie interne punktion knn wie in elle PFT gezeigtD geleitet werdenF hie vogiktfel des quivlenzEqtters sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFQI drgestelltF sn pormeln stellt mn die quivlenzEpunktion wie folgt drX

2.4.6.1.6 quivalenzgatter iine weitere geleitete erknpfung ist ds

Z = (A B) A B Z = (A B) + A B

genormt veraltet
@PFIHSA

2.4.6.1.7 Antivalenzgatter oder XOR iine weitere geleitete erknpfung

ist ds entivlenzEqtterD uh yEqtter gennntF her xme y ist eine meE

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

RW

A H H I I

B H I H I

A I I H H

B I H I H

Q=AB H H H I

S =AB I H H H

Z =QS I H H I

elle PFTX hrheitstelle des quivlenzgtters

eildung PFQIX quivlenzD ixklusivExyD xy riknish prgnnte ekrzung fr eXlusive ORF ein eusgng ist einsD wenn eiE de iingnge uf vershiedenem egel sindF hie vogiktfel des entivlenzEqtters sowie die hltilder und die ignlformen sind in eildung PFQP drgestelltF sn pormeln stellt mn die entivlenzEpunktion wie folgt drX

Z = (A B) A B Z = Z = AB AB AB + AB

genormt umgeformt, genormt veraltet


@PFIHTA

2.4.6.2 Boolesche Algebra, Schaltalgebra


hie eihenshltung von zwei hltern fhrt uf die erknpfung UNDF hie rE llelshltung ergit demnh ODERF hei wird ngenommenD dss der hltE zustnd 1 dem geshlossenen hlter entsprihtF sn elle PFU sind die qrundrehenregeln fr uonstnten zusmmengefsstF elle PFV zeigt die heoreme der hltlgerF hei wird nun eine rileD AD eingefhrtD deren ert elieig istF ie ei den ntrlihen oder gnzen hlen mht ds uommuttivgesetz eiE ne eussge er die ertushrkeit von rilen ei der xhE oder yhiE erknpfungF

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SH

wthemtishe qrundlgen

eildung PFQPX entivlenzD yEqtterD xh yhi xsgr

00=0 01=0 10=0 11=1 00=0 01=1 10=1 11=1 0=1 1=0

elle PFUX ostulte der hltlger

Z = ABC = C BA Z = ABC = C BA

@PFIHUA

enlog git es uh ein essozitivgesetzD ds ussgtD dss die eihenfolge der erknpfung elieig istF

Z = A (B C) = (A B) C Z = A (B C) = (A B) C

@PFIHVA

euh fr die hltlger git es histriutivgesetzeF wn untersheidet ds konjunktive histriutivgesetz

Z = A (B C) = (A B) (A C)
xh yhi xsgr

@PFIHWA

A0=0 A1=A A0=A A1=1 0=0 1=1

AA=A AA=0 AA=A AA=1

elle PFVX heoreme der hltlger

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

SI

A H H I I

B H I H I

AB H H H I

AB I I I H

A I I H H

B I H I H

AB I I I H

elle PFWX hrheitstelle des ersten heworgnshen qesetzes

A H H I I

B H I H I

AB H I I I

AB I H H H

A I I H H

B I H I H

AB I H H H

elle PFIHX hrheitstelle des zweiten heworgnshen qesetzes und ds disjunktive histriutivgesetz

Z = A (B C) = (A B) (A C)

@PFIIHA

ustzlih zu den oen usgefhrten qesetzenD die uh von den lihen hE lensystemen her eknnt sindD git es die deworgnshen qesetzeF hs erste heE worgnshe qesetz lutet

Z =AB =AB
hie qltigkeit dieses qesetzes knn mit der elle PFW gezeigt werdenF hs zweite heworgnshe qesetz lutetX

@PFIIIA

Z =AB =AB

@PFIIPA

hie qltigkeit dieses qesetzes knn mit der elle PFIH gezeigt werdenF enlog zum ehnen mit gnzen hlen @ls feispielA wird de(niertD dss xh strker indet ls yhi @unkt vor trihAF dmit erreiht mnD dss niht imE mer ulmmern gesetzt werden mssenD um die eihenfolge der eusfhrung von ypertionen festzulegenF eus den heworgnshen qesetzen folgtD dss jede xhE erknpfung mit yhiE und xsgrEerknpfungen relisiert werden knnF h mn immer eine xsgrEerknpfung us einer xyEerknpfung erzeugen knn @entweder mn legt einen iingng uf nullD oder mn verindet eide iingngeA entigt mnD im rinzipD nur xyEqtterD um eine gesmte vogik ufzuuenF hiese eussge mgD wenn mn n integrierte hltungen wie die UHvxxEeihe denktD ertrieen klingenF enn mn eine grssere logishe hltung jedoh mit progrmmierren vogikEerry @evA ufutD dnn hilft einem die oige eusE sgeD um mit einem yp hltungen lles ufzuuenF enlog knn mn uh zeigenD dss lle logishen hltungen us xexhEerknpfungen ufgeut werE den knnenF elhe erknpfung mn evorzugtD hngt unter nderem uh vom inneren eufu der vogikfmilien F

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SP

wthemtishe qrundlgen

A H H H H I I I I

B H H I I H H I I

C H I H I H I H I

Z I H I H H I H I

= A B C = A B C

= A B C = A B C

Z = A B C A B C A B C (A B C)
elle PFIIX irzeugung einer hxp us der hrheitstelle

2.4.6.2.1 Normalformen iine digitle hltung ist eindeutig durh ihre hrE

heitstelle gegeenF eus der hrheitstelle knnen zwei xormlformen geE lesen werdenF

ODER-(disjunktive) Normalform (DNF) iine hxp ist eine yderverknpfung

von ollkonjunktionen @nur xhD jede rile kommt nur einml vorAF iel sind die ustnde IF hie einzelnen erme heissen MintermF von olldisjunktionen @nur yhiD jede rile kommt nur einml vorAF iel sind die ustnde HF hie einzelnen erme heissen MaxtermF

UND-(konjunktive) Normalform (KNF) iine uxp ist eine ndverknpfung

iine hxp sieht dnn so us

Z = A B C A B C (. . .) . . .
intsprehend sieht eine uxp usF

@PFIIQA

Z = A B C A B C (. . .) . . .

@PFIIRA

elle PFII zeigtD wie mn us der hrheitstelle die hxp erzeugtF wn muss nur diejenigen erme ufshreienD ei denen ls esultt in der hrheitstelE le eine I stehtF te weniger iinsen eine hrheitstelle htD desto e0zienter ist die hxpF hie uxp ndererseits ist dnn nzuwendenD wenn im eusgngsfeld nur wenige xullen sindF elle PFIP zeigt ds entsprehende orgehenF sn der elle wird gezeigtD dss mn die hxp uf die negierte eusgngsvrile z nwendetF hie resultierende porm wird negiertF hliesslih werden die heworgnshen qesetze ngewendetF hie uxp wird lso erhltenD indem mn die eilen herus suhtD die z = 0 henF pr jede dieser eilen wird eine hisjunktion @wxterm hingeshrieE A Hls A geshrieen wirdF enD woei jede rile mit Ils AD jede mit iine weitergehende ersiht er ds ereiten mit logishen hltungen knn in der eferenz R gefunden werdenF

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

SQ

A H H I I

B H I H I

Z H I H I

Z I H I H

= =

AB AB

Z = AB AB

aus Tabelle

Z = AB AB

Negation

Z = (A B) A B

DeMorgan

elle PFIPX irzeugung einer uxp us der hrheitstelle

x1 H H I I

x2 H I H I

y H H H I

x2 \ H I

x1

H H H

I H I

eildung PFQQX ergleih einer hrheitstelle mit einem urnughEhigrmm

2.4.6.3 Karnaugh-Diagramme
urnughEhigrmme ieten eine weitere ereinfhungsmglihkeit fr logishe hltnetzwerkeF ie eildung PFQQ zeigtD knn us einer hrheitstelle ds urnughEhigrmm geleitet werdenF hei sind die folgenden egeln zu eE htenX

hie hrheitstelle wird zweidimensionl ngeordnetF fei einer gerden enzhl von iingngsvrilen enthlten eilen und plten je die rlfte der rilenD sonst muss zFfF die plten mehr rilen enthltenF hie rilen werden so ngeordnetD dss sih von einer plte @eileA zur nhsten nur eine rile ndertF femekungF hies ist der qryEgodeF sn die pelder werden die erte der esulttvrilen y eingetrgenF
ir etrhten in eildung PFQR die eiden eusgngszellen oen linksF rier stehtD dss fr die iingngsvektoren 0000 und 0100 ds eusgngssignl jeweils eins istF fei der ferehnung der disjunktiven xormlform ergit sih fr die eiden eilen die uonjunktionen

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SR

wthemtishe qrundlgen

x1 H H H H H H H H I I I I I I I I

x2 H H H H I I I I H H H H I I I I

x3 H H I I H H I I H H I I H H I I

x4 H I H I H I H I H I H I H I H I

y I I I I I H H H I H I I H H I I

x3 x4 \

x1 x2

HH HI II IH

HH I I I I

HI I H H H

II H H I I

IH I H I I

eildung PFQRX irweitertes feispiel zum ergleih einer hrheitstelle mit eiE nem urnughEhigrmm

K 1 = x1 x2 x3 x4 K 2 = x 1 x2 x3 x4
hie dnn zu ildende hisjunktion liefert unter nderem den erm

@PFIISA @PFIITA

K1 K1 = (1 x2 x3 x4 ) (1 x2 x3 x4 ) x x = (1 x3 x4 ) (2 x2 ) x x = x1 x3 x4

@PFIIUA

hs feispiel zeigtD dss jedesmlD wenn 2,4,8,16, . . . ellen in einer kompkten qruppe mit eins elegt sindD dss dnn in der disjunktiven xormlform nur diejeE nigen rilen uftuhenD die sih in der den eilen oder pltenD er welhe die qruppe gehtD niht verndernF

Aus einem Karnaugh-Diagramm konstruiert man die Verknpfungen, indem man alle Felder mit einsen in mglichst grossen Gruppen zu 2,4,8,16, . . . Feldern zusammenfasst und fr jede Gruppe die Konjunktion der unvernderlichen Variablen bildet. Dabei muss das Diagramm in jeder Richtung als periodisch Fortgesetzt betrachtet werden. Zum Schluss wird die entsprechende Disjunktion gebildet. sn eildung PFQR
ergeen sih lso die erme

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PFR uontinuierlihe und diskrete ignle

SS

KA KB KC KD
hs hlussresultt ist dnn

= = = =

x2 x4 x1 x3 x4 x1 x3 x1 x2

@PFIIVA @PFIIWA @PFIPHA @PFIPIA

K = KA KB KC KD = (2 x4 ) (1 x3 x4 ) (x1 x3 ) (1 x2 ) x x x

@PFIPPA @PFIPQA

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ST

wthemtishe qrundlgen

2.5 Vierpole und Vierpoltheorie


iin ierpol ist ein elektrishes hltteil @einfh oder zusmmengesetztAD ds von ussen mit vier ulemmen ngesteuert wirdPF wei der ulemmen dienen ls iingngD zwei ls eusgngF enn nun m iingng eine pnnung ngelegt wirdD so )iest ein tromD der er uh von der felstung m eusgng hngtF qenuso knn der eusgng uf den iingng rkwirkenF ienso git es uopplungen vom iingng uf den eusgngF hie ierpoltheorie eshreit in einer lineren xherung um den ereitspunkt die irkung einer hltungF sm qegenstz zu der enwendung von flokshltE ildern wird hier die gegenseitige feein)ussung von hltungen erksihtigtF

eildung PFQSX enshlsseD trme und pnnungen ei einem ierpol hie trme n den ulemmen I und I9 sowie P und P9 sind jeweils gleihF pr linereD zeitinvrinte pssive ierpole git es sehs wglihkeitenD die gegenseiE tigen feein)ussungen in einem qleihungssystem zu eshreienF o knnte mn zum feispiel shreienX

U 1 = z 11 I 1 + z 12 I 2 U 2 = z 21 I 1 + z 22 I 2
hie z ij sind komplexwertige uoe0zientenD die wie folgt de(niert sindX

@PFIPRA @PFIPSA

z 11 = z 12 = z 21 = z 22 =

U 1 I 1 U 1 I 2 U 2 I 1 U 2 I 2

Leerlaufeingangsimpedanz
I 2 =0

@PFIPTA @PFIPUA @PFIPVA @PFIPWA

I 1 =0

negativer Rckwirkungswiderstand u Kernwiderstand vorwrts a negative Leerlaufausgangsimpedanz

I 2 =0

I 1 =0

hie oigen qleihungen geen uh die wessvorshrift fr diese smpednzen wiederF m z 11 zu estimmenD speist mn ei o'enem eusgng den trom I 1 ein und misst die resultierende pnnung U 1 F hie qleihungen knnen kompkt ls wtrix geshrieen werdenD eine tshe die die ehenreit sehr erleihtertF

U1 z 11 z 12 I1 I1 = =Z @PFIQHA U2 z 21 z 22 I2 I2 hie wtrix Z heisst die iderstndsmtrixF hurh ermuttion knnen die nderen mglihen hrstellungen erhlten werdenF lih sindX

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PFS ierpole und ierpoltheorie

SU

Widerstandsmatrix
U1 U2 = z 11 z 12 z 21 z 22 I1 I2 =Z I1 I2
@PFIQIA

Leitwertform

I1 I2

y 11 y 12 y 21 y 22

U1 U2

=Y

U1 U2

@PFIQPA

Kettenform

U1 I1

a11 a12 a21 a22

U2 I2

=A

U2 I2

@PFIQQA

Hybridform (Reihen-Parallel-Form)
U1 I2 = h11 h12 h21 h22 I1 U2 =H I1 U2
@PFIQRA

hie wtrix H ist esonders eliet zur enge der ierpolprmeter von rnE sistorenF fei rnsistorenD inherent nihtlineren futeilenD werden die ierpolpE rmeter m ereitspunkt ngegeenD es sind lso di'erentielle rmeterF euh geruhlih fr rnsistoren ist die YEwtrixF hie ierpolprmeter knnen wie in elle PFIQ ngegeen ineinnder umgerehnet werdenF

2.5.1 Zusammenschaltung von Vierpolen


hie ierpoltheorie erlutD ds usmmenshlten einzelner fuelemente unter ferksihtigung von iingngsE und eusgngswiderstnden einfh zu erehnenF uel und veitungen knnen mit uetten von ierpolen modelliert werdenF

eildung PFQTX erienshltung zweier ierpole hie erienshltung in eildung PFQT knn mit folgenden fedingungsgleihunE gen erehnet werdenX

U 11 + U 21 U 12 + U 22 I 11 = I 21 I 12 = I 22

= = = =

U1 U2 I1 I2

@PFIQSA

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SV

wthemtishe qrundlgen

A
a11 a12 a21 a22
z 11 z 21 1 z 21

Z
z z 21 z z22
21

Y
y22 y
y
21 21

H
1 y 21 y 11 y 21 h h h11 h21 1 h21

21 h22 21

a11 a21 1 a21

a a 21 a a22
21

z 11 z 12 z 21 z 22

y 22 y y 21 y

12 y

y 11 y

h h22 h h21 22

h12 h22 1 h22

a22 a12 1 a12

a a 12 a a11
12

z 22 z z 21 z

12 z

z 11 z

y 11 y 12 y 21 y 22

1 h11 h21 h11

h12
h h11
11

a12 a22 1 a22

a a22 a a21 22

z z 22 z z21 22

z 12 z 22 1 z 22

1 y 11 y 21 y 11

y12
y y 11
11

h11 h12 h21 h22

a z y h

a11 a22 a12 a21


a a12 21

z12
21

y12
21

h12 h21

z 11 z 22 z 12 z 21
1 z z 11 z 22

1 y

h11
22

a21
12

y 11 y 22 y 12 y 21
y 22 y 11

h22 h11

a11
22

h11 h22 h12 h21

elle PFIQX mrehnung der ierpolprmeter eus qleihungen @PFIQIA und @PFIQSA knn die wtrixEporm der erieshltung erehnet werdenX

U1 U2

z 111 + z 211 z 112 + z 212 z 121 + z 221 z 122 + z 222 I1 I2

I1 I2
@PFIQTA

= (Z 1 + Z 2 )

hie xottion z abc edeutetD dss ds ilement z bc us der wtrix Z a gemeint istF hie wtrizen der einzelnen ierpole ddieren sih lso ei einer erienshltungF

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PFS ierpole und ierpoltheorie

SW

eildung PFQUX rllelshltung zweier ierpole fei der rllelshltung (ndet mn nlogX

I1 I2

y 111 + y 211 y 112 + y 212 y 121 + y 221 y 122 + y 222 U1 U2

U1 U2
@PFIQUA

= (Y 1 + Y 2 )

wn knn sih die egeln fr die rllelshltung von ierpolen einfh merE kenX ie ei iderstnden ddieren sih ei einer rllelshltung die veitwerteF

eildung PFQVX uettenshltung zweier ierpole fei der uettenshltung giltX

U1 U 12 U 22 I1 I 12 I 22

= = = = = =

U 11 U 21 U2 I 11 I 12 I2

@PFIQVA

nter erwendung der qleihungen @PFIQQAfr die uettenform erhlt mn

U1 I1 U1 I1

a111 a211 + a112 a221 a111 a212 + a112 a222 a121 a211 + a122 a221 a121 a212 + a122 a222 U2 I2

U2 I2
@PFIQWA

= A1 A2

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TH

wthemtishe qrundlgen

ie ei jeder wtrixmultipliktion ist die uettenshltung von der eihenfolge hngigF hysiklish knn mn sih ds wie folgt klr mhenX her iingng des zweiten ierpols elstet den eusgng des erstenD whrend sein eusgng unelE stet istF ienso wir der iingng des ersten von einer idelen uelle ngesteuertF ehselt mn nun die eihenfolgeD so sind die jeweiligen iinE und eusgnge niht mehr gleih elstetF intsprehend muss us physiklisher iht ds esultt von der eihenfolge der ierpole hngenF

2.5.2 bertragungsfunktion eines Vierpols


Materialien
polien zur orlesung m IUF IIF PHHQ @hpA

ielfh mhte mn die pnnungsE oder tromverstrkung eines mit der vE stimpednz Z L elsteten ierpols wissen @eildung PFQW F hie vstimpednz knn komplex seinD wir ehndeln so uh die prge nh kpzitiv elsteten eusgngenF

eildung PFQWX ertrgungsfunktion eines ierpols eusgngsstrom I 2 und eusgngsspnnung U 2 hngen dnn wie folgt zusmmenX

U 2 = Z LI 2
wit der uettengleihung @PFIQQAwird

@PFIRHA

U1 = I1

a12 U2 ZL = (a21 Z L + a22 ) I 2 a11 +

@PFIRIA

hmit ergit sih fr die ertrgungsfunktion der pnnung

U2 1 = gU = U1 a11 +
und des tromes

a12 ZL

@PFIRPA

I2 1 = gI = I1 a21 Z L + a12

@PFIRQA

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PFS ierpole und ierpoltheorie her veistungsertrgungsfktor ist

TI

gP = gU gI
hie iingngsimpednz ist

@PFIRRA

ZI =

g U1 a Z + a12 = Z L I = 11 L I1 gU a21 Z L + a22

@PFIRSA

eiter sind die ertrgungsimpednz

ZL U2 = I1 a21 Z L + a22
und die ertrgungsdmittnz

@PFIRTA

I2 1 = U1 a11 Z L + a12

@PFIRUA

hie iingngsimpednz Z I hngt nh qleihung @PFIRSA von der eusgngsimE pednz Z L F ie knn erte zwishen

Z I |Z L = = Z I |Z L =0 =

a11 a21 a12 a22

Leerlaufeingangsimpedanz Kurzschlusseingangsimpedanz

@PFIRVA @PFIRWA

enlog erhlt mn fr die eusgngsimpednz Z A hngig von der uellimpeE dnz Z Q

Z A |Z Q = = Z A |Z Q =0 =

a22 a21 a12 a11

Leerlaufausgangsimpedanz Kurzschlussausgangsimpedanz

@PFISHA @PFISIA

her ellenwiderstnd des iingngs Z 01 oder eusgngs Z 02 ist ds geometrishe wittel us den entsprehenden uurzshlussE und veerlu(mpednzenF

Z 01

Z I |Z L = Z I |Z L =0 = Z A |Z Q = Z A |Z Q =0 =

a12 a11 a21 a22

Eingangswellenwiderstand
@PFISPA

Z 02 =

a12 a22 a21 a11

Ausgangswellenwiderstand
@PFISQA

her ellenwiderstnd ist gerde der eshlusswiderstndD fr den der ierpol ngepsst istF iin mit Z 02 m eusgng geshlossener ierpol ht gerde die iingngsimpednz Z 01 F sm enpssungsfllD dFhF wenn die smpednz der uelle Z Q = Z 01 ist und wenn der vstwiderstnd Z L = Z 02 istD ht mn Leistungsan-

passung

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TP

wthemtishe qrundlgen

hie ellenwiderstnde lssen sih durh die wessung von uurzshlussE und veerE lu(mpednzen estimmenF hiese iigenshft wird verwendetD um mit xetzwerkE nlystoren komplexe rohfrequenzleiter oder fuelemente uszumessenF fesonders einfh ist die festimmung der ellenwiderstnde ei symmetrishen ierpolen mit a11 = a22 F hnn ist

Z 01 = Z 02 =

a12 a21

@PFISRA

2.5.3 Ersatzstrukturen fr Vierpole


pr pssive ierpole @a = a11 a22 a12 a21 = 1A knnen die uettenprmeter aij durh die iinE und eusgngsimpednzen estimmt werden @MessrezeptAF

a11 =

Z I |Z L = Z A |Z Q = Z A |Z Q =0 Z A |Z Q = Z I |Z L = Z I |Z L =0 1 Z I |Z L = Z A |Z Q = Z A |Z Q =0 Z A |Z Q = Z I |Z L = Z I |Z L =0 = 1 Z A |Z Q = Z I |Z L = Z I |Z L =0 Z I |Z L = Z A |Z Q = Z A |Z Q =0
@PFISSA

a22 = a21 =

a12 = Z I |Z L =0

= Z A |Z Q =0

hs ertrgungsverhlten eines ierpols lsst sih nun mit irstzshltungen modellierenF

eildung PFRHX irstzshltung eines ierpolsX E qlied @ternshltungA wn erhlt zum feispiel fr die ternshltung in eildung PFRH folgende feE

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PFS ierpole und ierpoltheorie ziehungen

TQ

Z I |Z L = = Z 1 + Z 3 Z 2Z 3 Z I |Z L =0 = Z 1 + Z2 + Z3 Z A| = Z2 + Z3
Z Q =

@PFISTA @PFISUA @PFISVA @PFISWA

Z 1Z 3 Z A |Z Q =0 = Z 2 + Z1 + Z3

eitere mglihe irstzshltilder sind in den eildungen PFRI und PFRP drE gestelltF

eildung PFRIX irstzshltung eines ierpolsX E qlied @hreieksshltungA

eildung PFRPX irstzshltung eines ierpolsX ureuzglied

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TR

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2.6 Filter
piltershltungen sind fugruppenD die ds prequenzspektrum eines ignls verE ndernSF ie werden verwendetD um zum feispiel ushen zu entfernenD ei drhtloser ertrgung die rgerfrequenz zu unterdrken oder um gewisse uomE ponenten eines ignls zu evorzugenF hie piltereigenshften lssen sih m einE fhsten mit nlogen piltern erklrenF hruf ufuend werden digitle smpleE mentierungen von piltern esprohenF hie dort erreiteten uonzepte knnen uh ei der fereitung von htenstzen im gomputer verwendet werdenF

2.6.1 Analoglter
els einfhstes feispiel eines pilters etrhten wir einen g iefpssF hie pilterE hrkteristik geshrieen mit prequenzen ist

A (j) =

Ua 1 = Ue 1 + jRC

@PFITHA

is ist lihD die qleihung @PFITHA so umzurehnenD dss die prequenz D ei U 1 der U a = 21/2 istD gleih I gesetzt wirdF wit = 0 @0 = RC ist die ntrlih e qrenzfrequenz unseres iefpssesF qleihung @PFITHA wird dnn

1 @PFITIA 1 + j xun hen wir im eshnitt PFRFQ er die vpleErnsformtion gesehenD dss diese uuslitt erzwingtF sndem mit p identi(ziert wird @mn knn uh sgenD dss die llgemein komplexe rile p nur entlng der imginren ehse etrhtet wirdAD erhlt mn die ertrgungsfunktion A (j) = A (p) =
und drus mit P =
p 0

L (U a ) 1 = L (U e ) 1 + pRC

@PFITPA

die normierte hrstellung der ertrgungsfunktion

1 @PFITQA 1+P hie hrstellung in qleihung @PFITQA ist die einfhste denkre hrstellung eines iefpss(ltersF hie qrenzfrequenz ist normiertD lle hetils der elisierung werden mit der xormierung kshiertF hs orgehen ist in gewissem inne nlog zu dem der theoretishen hysikerD wenn sie = 1 und c = 1 setzenF pr inuswellen ist ds erhltnis zwishen eusgngsE und iingngssignl ist A (P ) = 1 @PFITRA 1 + 2 pr grosse prequenzen 1 verhlt sih die eusgngsmplitude |A| = 1/F hies entspriht einem erstrkungsfll von T df pro yktve @pktor PA oder PH df pro hekde @pktor IHAF her erstrkungsfll pro hekde ist hrkteristish fr die pilterordnungF ro yrdnung erhlt mn PH df pro hekdeF |A(j)|2 =

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PFT pilter

TS

pr einen steileren efll der erstrkung knn mn n pilter hintereinnder shltenF enn mn nnimmtD dss jeder eil(lter vom vorhergehenden entkoppelt ist @keine kwirkungA und wenn mn weiter nnimmtD dss jeder eil(lter eine ndere qrenzfrequenz hen knnD hrkterisiert durh den pktor i dnn ist die ertrgungsfunktion

1 @PFITSA (1 + 1 P ) (1 + 2 P ) . . . (1 + n P ) hie uoe0zienten i sind reell und positivF pr grosse prequenzen gilt |A(j)| n F her efll ist lso n ml PH df pro hekdeF fei n gleihenD entkoppelten iefpssen ist die QEdf qrenzfrequenz = 1D wenn giltX A(P ) = i = = n 21 (i = 1,2, . . . ,n)
@PFITTA

hie qrenzfrequenz eines einzelnen iefpsses ist um 1/ hher ls die qrenzE frequenz der qesmtshltungF hiese iigenheit ist ei llen zusmmengesetzten eifpssen zu emerkenF hie oen eingefhrten iefpsse hen nur reelle oleF ie heissen kritishe iefpsseF elle pFI im enhng git eine ersiht er die pilterkoe0zientenF hie uoe0zienten sind in qruppen zu zwei geordnetD d mn jedes olynom mit reellen uoe0zienten in ein rodukt von olynomen PF qrdes ufsplten knnF ellgemein ist eine pilterfunktion gegeen durh

A0 @PFITUA 1 + c1 P + c2 P 2 + . . . + cn P n rier ist A0 die erstrkung ei = 0F pr elieige reelle uoe0zienten ci knn ds xennerpolynom in qleihung @PFITUA in n/2 @(n 1)/2 ei ungerdem nA oE lynome PF qrdes @und ein olynom ersten qrdes ei ungerdem nA ufgesplten werdenF hiese olynome zweiten qrdes hen entweder zwei reelle xullstellenD oder er zwei konjugiert komplexeF ir knnen lso shreienX A(P ) =
@PFITVA (1 + a1 P + b1 + a2 P + b 2 P 2 ) . . . ir vereinrenD dss ei ungerdem n b1 = 0 sein sollF pr unser kritish gedmpftes pilter gilt nunX

A(P ) =

P 2 ) (1

ai = 2

bi = 2

@PFITWA

hiese uoe0zienten sind in elle pFI ufgelistetF uonjugiert komplexe oleD wie sie in einem pilter hherer yrdnung uftreten knnenD sind niht mit einfhen gEpiltern relisierrF intweder mn verwendet uh pulenD lso vgEkreiseD oder mn entigt ktive hltungenD wie sie im upitel Q esprohen werdenF is git nun vershiedene yptimierungsstrtegien fr die pilterkoe0zientenF ie werden in den folgenden eshnitten nun esprohenF

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TT

wthemtishe qrundlgen

2.6.1.1 Butterworth-Tiefpsse Materialien

hs fetrgsqudrt der erstrkung eines llgemeinen iefpsses ht die porm

A2 0 @PFIUHA 2 + . . . + d 2n 1 + d2 2n ir fordern nunD dss die erstrkung mglihst lnge gleih A0 sein sollF hs edeutetD dss der xenner mglihst lnge in der xhe von I sein mussF hies heisstD dss die vershiedenen otenzen von so lnge wie mglih klein gegen I sein mssenF sm sntervll [0 . . . 1] ist dies m esten fr die hhste otenz erflltF wir setzen lso |A|2 = A2 0 1 + d2n 2n knn mn us der xormierungsedingung |A|2 = A2 A2 0 0 = 2 1 + d2n
@PFIUIA

hen uoe0zienten d2n

@PFIUPA

estimmenF ir erhlten so dss d2i = 0; (i 1,2, . . . ,n 1) und d2n = 1 istF = her xenner der festimmungsgleihung ist nun 1 + P 2n F hie drus resultierenE den futterworthEolynome sind in der elle PFIR zusmmengefsstF yrdnung n I P Q R olynom 1+P 1 + 2P + P 2 1 + 2P + 2P 2 + P 3 = (1 + P ) (1 + P + P 2 ) 1 + 2.613P + 3.414P 2 + 2.613P 3 + P 4 = (1 + 1.848P + P 2 ) (1 + 0.765P + P 2 ) elle PFIRX futterworthEolynome

2.6.1.2 Tschebysche-Tiefpsse
her ergng zwishen dem hurhlssereih und dem perrereih eines iefE psses knn mn erhhenD wenn mn im hurhlssereih eine gewisse elligE keit zulsstF lihe olynome hen im sntervll [0 . . . 1] eine vrile elligkeitF shyshe'Eolynome hen eine konstnte elligkeitD ws mn sehr leiht nE hnd der he(nitionsgleihung ersehen knnF

Tn (x) =

cos (n arccos x) , fr 0 x 1Y cosh (n Arcosh x) , fr x > 1F

@PFIUQA

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PFT pilter yrdnung n I P Q R olynom T1 (x) = x T2 (x) = 2x2 1 T3 (x) = 4x3 3x T4 (x) = 8x4 8x2 + 1

TU

elle PFISX sheyshe'Eolynome hie ersten der resultierenden olynome sind in elle PFIS ngegeenF hie iefpssgleihung ist nun

|A|2 =

dA2 0 2 1 + 2 Tn (P )

@PFIURA

hie xormierungskonstnten d und werden so gewhltD dss fr P = 0 die erstrkung |A|2 = A2 istF iin ergleih mit elle PFIS zeigtD dss fr ungerdes 0 n d = 1 ist und fr gerdes n d = 1 + 2 istF hei ist ein wss fr die elligkeit im hurhlssereihF is gelten nun fr die elligkeitD die minimle und mximle emplitudeX

Amax Amin

Amax = 1 + 2 Amin = A0 1 + 2 ei gerder yrdnung = A0 Amax = Amin = A0 A0 1+2


ei ungerder yrdnung @PFIUSA

hie die uoe0zienten d und werden in der elle PFIT fr vershiedene elE ligkeiten verglihenF elligkeit Amax /Amin d HFSdf IFHSW IFIIP HFQRW Idf IFIPP IFPSW HFSHW Pdf IFPSW IFSVS HFUTS Qdf IFRIQ IFWWS HFWWV

elle PFITX uoe0zienten der sheyshe'Eolynome fr vershiedene elligkeiE ten hie uoe0zienten der sheyshe'Epilter knnen nh einergT mit den folE genden qleihungen erehnet werdenX

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TV

wthemtishe qrundlgen

cbi =

1 cosh2 cos2

(2i1) 2n

fr u

i = 1...

ai = 2bi sinh cos b1 = 0 1 a1 = sinh cbi =


1 cosh cos2
2

(2i1) 2n

n 2

n gerade

@PFIUTA

(i1) n

fr u

i = 2...

ai = 2bi sinh cos

(i1) n

n+1 2

n ungerade @PFIUUA

1 hei ist = n Arsinh 1 F hs so erhltene pilter ht lle gewnshten iigenshfE tenD is uf die xormierungF ir vershieen die prequenzhse um den pktor soD dss |A(j1)| = 1/ 2 istF hie whren uoe0zienten sind dnn ai = ai und bi = 2 bi F hie ellen pFR is pFU zeigen die pilterkoe0zientenF eildungen iFU is iFIH zeigen die prequenzgngeD die en sowie ds hsenildF

2.6.1.3 Besseltiefpsse
snsesondere fr die erreitung von steilen smpulssignlen ist es wnshenswertD wenn die hurhlufzeit durh den pilter fr lle prequenzen konstnt istF hiese hurhlufzeit wird im ellgemeinen die qruppenlufzeit gennntF hie Gruppenlaufzeit ist eine punktion der hsenvershieung @nlog zur qruppengeshwinE digkeit ei ellenAF

d @PFIUVA d hie hse knn us der ertrgungsfunktion A(j) wie folgt erehnet werdenX tgr = = arctan (A (j)) (A (j))
@PFIUWA

euf die Gruppenlaufzeit eines llgemeinen pilters nEter yrdnung wollen wir ds futterworthEuonzept nwendenD um eine mglihst konstnte hse zu eE kommenF hzu verwenden wir die normierte qruppenlufzeit

Tgr =

tgr 1 = tgr f0 = tgr 0 T0 2

@PFIVHA

hei ist f0 die qrenzfrequenz des pilters und T0 = 1/f0 die dzugehrige eitkonstnteF eus qleihung @PFIVHA erhlt mn

0 d 1 d = @PFIVIA 2 d 2 d wn rehnet nun fr ein zu optimierendes pilter die Gruppenlaufzeit usF pr kleine prequenzen 1 sind nur die niedrigsten otenzen von fedeutungF Tgr =

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PFT pilter

TW

n I P Q R

1+P 1 + P + 1P 2 3 1 + P + 2P 2 + 5 1 + P + 3P 2 + 7

1 P3 15 2 P3 21

1 P4 105

elle PFIUX elle der fesselpolynome h in jedem eilprodukt im xenner und hler jeweils otenzen von 2 und 4 uftretenD werden die orfktoren von 4 niht erksihtigt und diejenigen von 2 gleihgesetztF illimsT git eine ekursionsformel fr die uoe0zienten ci der fesselpolynome nF

c1 = 1 2 (n i + 1) c ci = i (2n i + 1) i1

@PFIVPA

hie drus resultierenden fesselpolynome sind in der elle PFIU ngegeenF sn der elle pFP sind die uoe0zienten wie lih uf die QEdf qrenzfrequenz umgerehnetF hie eildungen im enhng i zeigen drstish die untershiedliE hen Gruppenlaufzeiten @und dmit die smpulsverzerrungenA der esprohenen piltertypenF

2.6.1.4 Tiefpass-Hochpass-Transformation
rohpsse knnen us den iefpss(lterfunktionen geleitet werdenD indem mn die sogennnte iefpssErohpssErnsformtion nwendetF

P
eus der ertrgungsfunktion

1 P

@PFIVQA

A (P ) =
i

A0 (1 + ai P + bi P 2 )

@PFIVRA

wird

A (P ) =
i

A (1 + ai P 1 + bi P 2 )

@PFIVSA

hmit knnen lle oen esprohenen piltertypen ls rohpsse relisiert werE denF her eshnitt iFP im enhng git eine ersiht er die ertrgungsE funktionenD die hsenilder und die GruppenlaufzeitenF

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UH

wthemtishe qrundlgen

2.6.1.5 Tiefpass-Bandpass-Transformation
fndpsse knnen us den iefpss(lterfunktionen geleitet werdenD indem mn die sogennnte iefpssEfndpssErnsformtion nwendetF

1 1 1 P2 + 1 P+ = @PFIVTA P P ist die freite des hurhlssereihes uf dem EQdfExiveuF hngt mit der fndreite B und der qte Q wie folgt zusmmen P = max min =
eus der ertrgungsfunktion

B 1 fmax fmin = = f0 f0 Q

@PFIVUA

A (P ) =
i

A0 (1 + ai P + bi P 2 ) A

@PFIVVA

wird

A (P ) =
i

1 + ai P + bi

P 2 +1

P 2 +1 2 P

@PFIVWA

hmit knnen lle oen esprohenen piltertypen ls fndpsse relisiert werE denF u ehten istD dss es fr fndpsse nur gerde yrdnungen gitF eus einem iefpss QF yrdnung wird so ein fndpss TF yrdnungF eusser ei einem fndpss PF yrdnung knn durh die hl der pilterfunktion und der qte Q die freiteD die plhheit im hurhlssereih und die teilheit getrennt gewhlt werdenF her eshnitt iFQ im enhng git eine ersiht er die ertrgungsfunktionenD die hsenilder und die GruppenlaufzeitenF

2.6.1.6 Tiefpass-Bandsperren-Transformation
fndsperren knnen us den iefpss(lterfunktionen geleitet werdenD indem mn die sogennnte iefpssEfndsperrenErnsformtion nwendetF

1 P+

1 P

P2

P +1

@PFIWHA

ist die freite des perrereihes uf dem EQdfExiveuF hngt mit der fndreite B und der qte Q nlog zum fndpss zusmmen @qleihung @PFIVUAAF eus der ertrgungsfunktion A (P ) =
i

A0 (1 + ai P + bi P 2 ) A

@PFIWIA

wird

A (P ) =
i

P P 1 + ai P 2 +1 + bi P 2 +1

@PFIWPA

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PFT pilter

UI

hmit knnen lle oen esprohenen piltertypen ls fndsperren relisiert werdenF u ehten istD dss es fr fndsperren nur gerde yrdnungen gitF eus einem iefpss QF yrdnung wird so eine fndsperre TF yrdnungF eusser ei einer fndsperre PF yrdnung knn durh die hl der pilterfunktion und der qte Q die freiteD die plhheit im hurhlssereih @usserhl des perrereihesA und die teilheit getrennt gewhlt werdenF her eshnitt iFR im enhng git eine ersiht er die ertrgungsfunktionenD die hsenilder und die GruppenlaufzeitenF

2.6.1.7 Allpsse
enn gewnsht istD dss ein Signal zwr verzgertD niht er in seiner emplitude oder porm gendert wirdD dnn knnen ellpss(lter eingesetzt werdenF ellpss(lter dienen uh ls hsenshieerF hie den ellpss(ltern zugrundeliegende sdee ist die folgendeX

her fetrg eines uoe0zienten us einer punktion und ihrer konjugiert komE plexen punktion ist konstnt und gleih einsF
ir setzen lso fr die ertrgungsfunktion n

A (P ) =

f (j) f (j) (1 ai P + bi P 2 )
i

(1 + ai P + bi P 2 )
i

(1 bi 2 )2 + a2 2 ej i =
i

(1 bi 2 )2 + a2 2 ej i = e
mit
i 2j

= ej ai 1 bi

@PFIWQA @PFIWRA

= 2 = 2
i

arctan

sm enhng (nden ie im eshnitt iFS die ertrgungsfunktionD ds hsenild und die Gruppenlaufzeit dieser pilterF hie pilterkoe0zienten sind in elle pFV ngegeenF

Gruppenlaufzeit er einen mglihst grossen prequenzereih konstnt leitF

hie uoe0zienten werden mit dem futterworthEenstz so erehnetD ds die

2.6.2 Digitallter
wit der erfgrkeit moderner rohleistungsrehner werden immer fter pilter uf digitler rrdwre implementiertF higitle pilter knnen einerseits nloge

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UP

wthemtishe qrundlgen

pilter nhildenD sind ndererseits uh in der vge wesentlih kompliziertere pilterfunktionen nhzuildenF snsesondere sind futeiltolernzen ei digitlen piltern niht prolemtishF undungsfehler knnen mit mthemtishen wethoE den geshtzt werdenF ie sind dnn fr lle smplementtionen gleihF

eildung PFRQX ystemumgeung eines digitlen pilters iin digitles pilter wird liherweise in einer mgeung wie in eildung PFRQ eingesetztF hei wird ds nloge Signal zuerst in ein digitles Signal umgeE wndeltF xh der erreitung des so entstndenen hlenstromes im digitlen pilter wird mit higitlEenlogwndlern wieder ein nloges Signal erzeugtF pilter m iingng und m eusgng sorgen dfrD dss keine unerwnshten prequenzE komponenten vorhnden sindF

2.6.2.1 Abtastung

eildung PFRRX enloge iingngsfunktion und die entsprehende reppenfunktiE on @linksA und hirEulsfolge @rehtsAF hs nloge Signal muss zuerst in ein digitles Signal umgewndelt werdenF ypishe eu)sungen und prequenzen ei dieser mwndlung sind RRDI krz und IT fit ei eudiosignlenD V krz und IP fit ei der elephonie und IQDQ wrz und V fit ei pernsehsignlenF eildung PFRR zeigt wie us einem nlogen Signal mit einem Abtast-Halteglied eine reppenfunktion entstehtF is ist jedoh leihterD nstelle einer reppe quivlente hirEsmpulse zu verwendenF euh dieses Signal ist in eildung PFRR gezeigtF wthemtish wird die polge von hirEsmpulsen @wir sind immer noh uf der enlogseiteA wie folgt eshrieenX

Ue (t) =
n=0

Ue (tn ) Ta (t tn )

@PFIWSA

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PFT pilter

UQ

enn qleihung @PFIWSA fouriertrnsformiert wirdD erhlt mn ds pektrum der hirEulsfolgeF

X (jf ) = Ta
n=0

Ue (nTa ) e2 e2jn fa

@PFIWTA

rier ist fa = 1/Ta die etstfrequenzF hs pektrum ist periodish mit der etstfrequenzF eus eildung PFRS ist ersihtlihD dss ein iingngsspektrum nur dnn getreu wiedergegeen werden knnD wenn seine fndreite geringer ls

fa 2fmax

@PFIWUA

eildung PFRSX pektrum der iingngsspnnung vor und nh dem etsten istF hiese fedingung wird etsttheorem gennntF fa /2 heisst uh die xyquistE prequenzF hs iingngs(lter in eildung PFRQ dient zur erringerung der fndE reite des iingngssignlsD so dss qleihung @PFITIA erfllt istF hs iingngs(lter knn entweder explizit verwendet werdenD oder er mn muss siherstellenD dss ds vorhergehende ystem keine prequenzkomponenten er der xyquistfrequenz gitF Um die Konstruktion des Eingangslters einfach zu halten, wird meistens anstelle von Gleichung (2.197) die Bedingung fa 5fmax verwendet. enn mn ewusst ein shmlndiges Signal um eine der ielfhen der etstfrequenz digitlisiert und dfr sorgtD dss im eigentlihen prequenzinE tervll um H keine ignlnteile vorhnden sindD dnn ist es mglih ein shnelleres Signal ls von der etstfrequenz gegeenD zu digitlisieren @eildung PFRTAF hs erfhrenD yversmpling gennntD wird hu(g in rhstfrequenzEyszilloskopen eingesetztF hie kgewinnung des nlogen ignls erfordert eenflls eine feshneidung der fndreiteF teder digital-analog-Wandler erzeugt neen dem ursprngliE hen Signal uh die um die ielfhen der etstfrequenz gespiegelten uompoE nentenF hiese mssen mit einem iefpss(lter wie in eildung PFRQ herusge(lE tert werdenD es sei dennD mn stellt siherD dss ds nhfolgende ystem wie zum feispiel ei einem w diese punktion ernimmtF

eildung PFRTX yversmpling oder hweung eim etsten

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UR

wthemtishe qrundlgen

sn der rxis ist es niht mglihD hirEsmpulse zu erzeugenF enn die hirE ulse durh ulse der freite Ta ersetzt werdenD knn ds iingngssignl ls

Ue (t) =
n=0

Ue (nTa ) r (t nTa )

@PFIWVA

geshrieen werdenF r ist der ehtekpulsF els Fouriertransformation erhlt mn sin Ta f X (jf ) @PFIWWA X (jf ) = Ta f

eildung PFRUX pensterfunktion eim etsten mit ehtekpulsen eildung PFRU zeigtD dss ei einer geshikten hl von die erste xullstelle der punktion sinx/x gerde uf die etstfrequenz flltF hieser i'ekt tritt genu dnn ufD wenn = 1 istD wenn mn lso eine reppenfunktion htF hie pensterE funktion ewirkt ndererseitsD dss ei der hlen etstfrequenz ds Signal um den Faktor 0,64 geshwht istF wn knn lso niht einfh ein higitlsignl zurkwndelnD ohne den iin)uss der pensterfunktion zu erksihtigenF xh eildung PFRV muss ds iefpss(lter m eusgng zur prequenzgngkorrektur verwendet werdenF elterntivD wenn fa 5fmax verwendet wirdD ist ds pilterproE lem vielfh zu vernhlssigenF hs ei ghEpielern ls irrungenshft verkufE te yversmpling dient in erster vinie dzuD qeld ei nlogen eusgngs(ltern zu spren3

2.6.2.2 Bausteine fr digitale Filter


her qrundustein fr ein digitles pilter ist die erzgerungsstreke um ds etstintervll Ta F hiese erzgerungsstreke tritt uh ls wishenspeiherung ufD wenn mn im ehner in einer hleife ignle erehnetF hie polge {x(tn )} wird in die polge {y(tn )} ergefhrt mit

{y(tn )} = {x(tn1 )}

@PFPHHA

pr eine hrmonishe polge x(tn ) = xejtn gilt y(tn ) = xejtn ejTa F hie erE trgungsfunktion eines erzgerungsgliedes @uh otzeitglied gennntA ist lso

A (p) =

y(tn ) = epTa x(tn )

@PFPHIA

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PFT pilter

US

eildung PFRVX hrstellung der nderungen des prequenzgnges ei einer nlogE digitlEnlogEignlkette her prequenzgng eines erzgerungsgliedes ist lso eine periodishe punktionF hs heisstD dss ei erzgerungsstreken immer elieig grosse hsenvershieE ungen uftuhenF hie hsenvershieung ist lsoD im qegenstz zu der eines iefpssesD niht kompensierrF wit der im eshnitt PFRFRFP eingefhrten zErnsformtion knn unter erwenE dung der egel

z 1 = epTa
erhlt mn fr die digitle ertrgungsfunktion

@PFPHPA

A(z) = z 1
hurh keinsetzen erhlt mn

@PFPHQA

A(j) = z 1 = ejTa = cos Ta j sin Ta


hrus ekommt mn fr die emplitudeD hse und qruppenlufzeit

@PFPHRA

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UT

wthemtishe qrundlgen

|A(j)| =

cos2 Ta + sin2 Ta = 1 sin Ta = arctan ( tan Ta ) = Ta = arctan cos Ta d = Ta tgr = d

@PFPHSA

lso ds erwrtete esulttF her zweite fustein fr ein digitles pilter ist ein ummtionsknotenD der dritte die wultipliktion mit einem konstnten pktorF

eildung PFRWX iin feispieltiefpss

2.6.2.2.1 Beispiel wit den oen gennnten futeilen knn ein iefpss @eilE
dung PFRWA ufgeut werdenF ir setzen fr die polgenX

y (tn+1 ) = x (tn ) 1 y (tn )


hie entsprehende punktion im zEum ist

@PFPHTA

Y (z) =

z 1 X (z) 1 + 1 z 1

@PFPHUA

hrus erhlt mn die ertrgungsfunktion

Y (z) z 1 A (z) = = X (z) 1 + 1 z 1


her prequenzgng knn erehnet werdenD indem mn

@PFPHVA

z 1 = ejTa = cos Ta j sin Ta


setztF hie ertrgungsfunktion in der eit wird demnh

@PFPHWA

1 1 = jTa 1 + e 1 + cos Ta + j sin Ta emplitude und hse sind A (j) = |A (j)| = sin Ta 1 + cos Ta 1 (1 + cos Ta )2 + (sin Ta )2 arg A (j) =

@PFPIHA

@PFPIIA

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PFT pilter

UU

eildung PFSH zeigt den prequenzgng eines iefpsses mit 1 = 0,85F eilE dung PFSI zeigt die dzugehrige prungntwortF her prequenzgng ist mit 1/Ta periodishF hs etsttheorem sgtD dss der iefpss nur is zur prequenz 1/2Ta verwendet werden knnF

eildung PFSHX prequenzgng eines digitlen iefpsses mit 1 = 0,85

eildung PFSIX prungntwort eines digitlen iefpsses mit 1 = 0,85 sst 1 positivD erhlt mn eine rohpsshrkteristikF eildung PFSP zeigt den prequenzgng fr 1 = 0,85D eildung PFSQ ist die dzugehrige prungntwortF

eildung PFSPX prequenzgng eines digitlen rohpsses mit 1 = 0,85

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UV

wthemtishe qrundlgen

eildung PFSQX prungntwort eines digitlen rohpsses mit 1 = 0,85 etzt mn 1 = 1 so wird us dem iefpss ein sntegrtorD wie mn unshwer m prequenzgng in eildung PFSH ersehen knnF hnn gilt

(cos 1)2 + sin2 = cos2 + sin2 2 cos + 1 = 2 (1 cos ) = 2 1 cos2 sin2 2 2 2 = 4 sin 2 iingesetzt in den prequenzgng erhlt mn |A (j)| = 1 1 Ta 2 sin 2

@PFPIPA

@PFPIQA

ws in der t der prequenzgng eines sntegrtors istF

eildung PFSRX her digitle iefpss us eildung PFRW ls sntegrtorF qezeigt ist die prungntwort

2.6.2.3 Grundstrukturen digitaler Filter


entrl fr ein digitles pilter ist die erzgerungsketteF pr ihre iinettung in die pilterstruktur git es drei mglihe uon(gurtionenX

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PFT pilter

UW

eildung PFSSX higitles pilter mit verteilten ummierern

eildung PFSTX higitles pilter mit glolen ummierern n iingng und eusE gng IF eildung PFSS zeigt ein pilter mit verteilten ummierernF h jeweils zu jeder ummenildung uh eine wultipliktion gehrtD ist diese opologie idel geeignet zur smplementtion in einem digitlen ignlprozessorF fei der seriellen ereitung der fefehle in diesen rozessoren ist es sogr von orteilD wenn die ummtion niht uf einen ummierer konzentriert istF tede ummtionGwultipliktion ist jeweils um einen ktshritt verzgertF PF fei eildung PFST ist der iingng der erzgerungskette ds gewihtete wittel us llen wishenwerten sowie us dem iingngssignlF her eusgng ndererseits ist ds @nders gewihteteA wittel ller wishenwerteF QF hie hltung in eildung PFSU ht nur einen einzelnen ummierer m eusgngF sm qegenstz zu den oigen piltern wird hier eine zweite erzgeE rungskette entigF hie yrdnung n des pilters estimmt uhD dss n erzgerungsstufen entigt werdenF rier soll nur die geruhlihste opologie nlysiert werdenD nmlih die

eildung PFSUX higitles pilter mit einem glolen ummierer m eusgng

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VH

wthemtishe qrundlgen

us eildung PFSSF hie hi'erenzengleihung dfr lutetX


n n

y (tn ) =
k=0

k xnk
k=1

k ynk

@PFPIRA

intsprehend erehnet sih us


n n

Y (z) =
k=0

k z

X (z)
k=1

k z k Y (z)

@PFPISA

ist die ertrgungsfunktion


n

Y (z) = A (z) = X (z) A (z) =

k z k X (z)
n

k=0

1+
k=1

k z k Y (z)
@PFPITA

0 + 1 z 1 + 2 z 2 + . . . + n z n 1 + 1 z 1 + 2 z 2 + . . . + n z n

hie komplexe ertrgungsfunktion knn mit der sdentitt @PFPHPA erehnet werdenF eiter normiert mn die prequenz uf die etstfrequenz

F = Ta

f fa = 2F

@PFPIUA

hs etsttheorem verlngtD dss ds iingngssignl nur prequenzen

1 fa 2 1 0 F 2 0 f

@PFPIVA

sndem mn forml fr den in der pilterkette niht vorkommenden uoe0zienten 0 = 1 setztD erhlt mn fr die ertrgungsfunktionX
n 2 n 2

k cos 2kF |A (j)| =


k=0 n 2

+
k=0 n

k sin 2kF
2

@PFPIWA

k cos 2kF
k=0

+
k=0

k sin 2kF

pilter knnen entweder ls einen flok erehnet werdenD oder er wie in eE ildung PFSV kskdiert werdenF sm plle der uskdierung gilt

Ages = A1 A2 A3 A4 Ages = |A1 | |A2 | |A3 | |A4 | Nges = N1 + N2 + N3 + N4

@PFPPHA

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PFT pilter

VI

eildung PFSVX uskdierung von digitlen piltern her prequenzgng ist lso ds rodukt der einzelnen prequenzgngeD die yrdE nung die umme der einzelnen yrdnungenF hie uskdierung vereinfht die feE rehnung der pilterkoe0zienten und die eri(zierung von piltern snsesondere ei piltern mit kkopplung ist dies ein wihtiger unktF wn untersheidet zwei ypen von piltern

FIR-Filter Finite Impulse Response pilter hen keine kkopplungF ie sind

deshl unter llen fetrieszustnden stil und vorhersgrF hie genuere ntersuhung wird er zeigenD dss mn sehr hohe pilterordnungen enE tigtF endererseits ist hie entwort uf einen smpuls von endliher vngeF wn entigt deshl weniger pilterstufen fr eine hnlih steile pilterwirE kung wie ei psEpilternF hie erzgerungszeiten sind deshl uh geringerF hie smpulsntwort dieser pilter duert unendlih lngeF

IIR-Filter In(nite Impulse Response pilter esitzen einen kkopplungszweigF

2.6.2.4 FIR-Filter
fei psEpiltern sind lle uoe0zienten i = 0F hie hi'erenzengleihung lutet lsoX

y (tm ) = 0 x (tm ) + 1 x (tm1 ) + . . . + n1 x (tmn+1 ) + n x (tmn )


n

=
k=0

k x (tmk )

@PFPPIA

hrus folgt fr den zEum

Y (z) = 0 + 1 z 1 + 2 z 2 + . . . + n z n X (z)
und fr die ertrgungsfunktion

@PFPPPA

Y (z) = A (z) = X (z)

k z k
k=0

@PFPPQA

wit qleihung @PFPHPA ekommt mn den komplexen prequenzgng


n

A (j) =
k=0

k ej2kF

@PFPPRA

enn die pilterkoe0zienten ymmetrieedingungen gengen lssen sih esonE ders einfh zu erehnende pilterstrukturen relisierenF fei gerder ymmetrie nk = n ist der komplexe prequenzgng
n

A (j) = ej2nF
k=0

k cos [ (n 2k) F ]

@PFPPSA

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VP

wthemtishe qrundlgen fei ungerder ymmetrie nk = n erhlt mn entsprehend


n

A (j) = jej2nF
k=0

k sin [ (n 2k) F ]

@PFPPTA

fei ungerder ymmetrie in gerder yrdnung muss 1 n = 0 seinF elso knnen 2 emplitude und hse explizit ngegeen werdenX

A (j) =

B () B ()

gerade Symmetrie ungerade Symmetrie

@PFPPUA

her fetrg der ertrgungsfunktion lsst sih einfh us den ummen in den qleihungen @PFPPSA und @PFPPSA erehnenF hie hse ist

nF nF +

gerade Symmetrie ungerade Symmetrie

@PFPPVA

sn eiden pllen hngt die hse liner von der prequenz F intsprehend ist die qruppenlufzeit

tgr =

d d dF Ta d 1 = = = nTa d dF d 2 dF 2

@PFPPWA

Die Gruppenlaufzeit ist fr alle FIR-Filter mit symmetrischen Koezienten frequenzunabhngigF ymmetrishe ps pilter eingesetzt in eudiogeE
rten erzeugen keine vufzeitverzerrungen3 eusser in eusnhmefllen verwendet mn nur psEpilter mit linerer hseF

eildung PFSWX iin ps iefpss IF yrdnungF vinksX hltshemF witteX preE quenzgngF ehtsX hsengng

iefpss @ferehnet mit ixelEelle1 AF pr eine iinheitsfolge {x } = {1,1,1, . . .} erhlt mn die eusgngsfolge {y } = {1,1,1, . . .}F hie erstrkung ist hier lso IF wn erehnet dss die zEertrgungsfunktionD die komplexe ertrgungsfunkE tionD ihr fetrgD die normierte qrenzfrequenzD die hse und die qruppenlufzeit
1 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/digilter.xls

2.6.2.4.1 FIR-Filter 1. Ordnung hs in eildung PFSW gezeigte pilter ist ein

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PFT pilter

VQ

A (z) A (j) |A (j)| Fg tgr

= = = = = =

0.5 1 + z 1 0.5 (1 + cos 2F j sin 2F ) |cos F | 0.25 F 0.5Ta

@PFPQHA

sindF iine enlyse der llgemeinen psEertrgungsfunktion zeigtD dss

die Gleichspannungsverstrkung eines FIR-Filters gleich der Summe aller Filterkoezienten


n

|A (0)| =
k=0

@PFPQIA

istF fei der hlen etstfrequenzD der hhsten nh dem xyquistEheorem zulssigen prequenzD ist die iingngsfolge {x } = {1, 1,1, 1, . . .}F hs eusE gngssignl istD wie mn leiht nhprftD die xullfolge {y } = {0,0,0,0, . . .}F euh diese iigenshft ist llgemeingltigF

Die Verstrkung eines FIR-Filters bei der halben Abtastfrequenz ist gleich der Summe der im Wechsel mit +1 und -1 gewichteten Koezienten
F A j 2
eiter stellt mnn festD dss
n

=
k=0

(1)k k

@PFPQPA

wenn man in einem FIR-Filter alle Koezienten mit dem gleichen Faktor multipliziert, die Verstrkung um diesen Faktor gendert wird, ohne dass sich die Filtercharakteristik ndert.
peist mn in ein psEpilter die polge {x } = {1,0,0,0, . . .}F einD so erhlt mn ls smpulsntwort die polge {y } = {0 ,1 ,2 , . . . ,n ,0, . . .}D lso gerde die polge der pilterkoe0zientenF

Die Antwort eines FIR-Filters auf einen Einheitsimpuls ist immer die Folge seiner Filterkoezienten. Diese Folge ist bei einem Filter n-ter Ordnung n+1 Werte lang von null verschieden.
hie qrenzfrequenz des pilters erhlt mnD indem mn |A (j2Fg )| = setztF
1 2

= cos Fg

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VR

wthemtishe qrundlgen

eildung PFTHX iin ps rohpss IF yrdnungF vinksX hltshemF witteX preE quenzgngF ehtsX hsengng eildung PFTH zeigt einen psErohpss IF yrdnung @ferehnet mit ixelE elle2 AF sm ntershied zum iefpss ist 1 mit 1 multipliziertF nsere egeln sgenD dss die erstrkung ei der prequenz null uh null istD und dss sie ei der hlen etstfrequenz mximl istF sm einzelnen sind die uenngrssenX

A (z) A (j) |A (j)| Fg tgr

= = = = = =

0,5 1 z 1 0,5 (1 cos 2F j sin 2F ) |sin F | 0,25 (0,5 F ) 0,5Ta

@PFPQQA

fei tiefen prequenzen ist die erstrkung proportionl zu F D die hltung rE eitet lso @ws mn us der qleihung htte errten knnen3A ls hi'erenziererF fndpsse und fndsperren knn mn mit einem pilter erster yrdnungD wie ei nlogen pilternD niht relisierenF

eildung PFTIX iin ps iefpss PF yrdnungF vinksX hltshemF witteX preE quenzgngF ehtsX hsengng

2.6.2.4.2 FIR-Filter 2. Ordnung hie umme der uoe0zienten in der eilE


dung PFTI @ferehnet mit ixelEelle3 A ist einsD lso ist die erstrkung ei ei
2 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/Digilter.xls 3 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/Digilter.xls

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PFT pilter

VS

der prequenz null einsF hie ertrgungsfunktion sowie die weiteren uenndten sindX

A (z) = 0,25 + 0,5z 1 + 0,25z 2 |A (j)| = 0,5 + 0,5 cos 2F 1 Fg = arccos 2 1 = 0,182 2 = 2 tgr = Ta

@PFPQRA

eildung PFTPX iin ps rohpss PF yrdnungF vinksX hltshemF witteX preE quenzgngF ehtsX hsengng eildung PFTP zeigt einen psErohpss PF yrdnung @ferehnet mit ixelE elle4 AF sm ergleih zum iefpss zweiter yrdnung ist ds orzeihen von 1 gewehselt wordenF hie ertrgungsfunktion sowie die weiteren uenndten sindX

A (z) = 0,25 0,5z 1 + 0,25z 2 |A (j)| = 0,5 0,5 cos 2F 1 Fg = arccos 1 2 = 0,318 2 = 2 tgr = Ta

@PFPQSA

etzt mn 1 = 0 so erhlt mn us dem iefpss oder rohpss die in eE ildung PFTQ gezeigte psEfndsperre PF yrdnung @ferehnet mit ixelEelle5 F hie ertrgungsfunktion sowie die weiteren uenndten sindX

A (z) |A (j)| Fr tgr

0,25 + 0,25z 2 |cos 2F | 0,25 2 Ta Fr Q = =1 B = = = = =

@PFPQTA

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VT

wthemtishe qrundlgen

eildung PFTQX iine ps fndsperre PF yrdnungF vinksX hltshemF witteX prequenzgngF ehtsX hsengng

eildung PFTRX iin ps fndpss PF yrdnungF vinksX hltshemF witteX preE quenzgngF ehtsX hsengng xegiert mn in der fndsperre in eildung PFTQ 2 so erhlt mn us der fndsperre einen fndpss @eildung PFTRA @ferehnet mit ixelEelle6 F hie ertrgungsfunktion sowie die weiteren uenndten sindX

A (z) |A (j)| Fr tgr

0,25 0,25z 2 |sin 2F | 0,25 2 Ta Fr Q = =1 B = = = = =

@PFPQUA

2.6.2.4.3 Berechnung der Filterkoezienten fr FIR-Filter iine iinfhrung

in die ferehnung der psEpilterkoe0zienten knn in ietzeEhenkS gefunden werdenF is git zwei evorzugte erfhren zu dieser ferehnungX die pensterE wethode und den emez ixhnge elgorithmusF hie zweite wethode ist ein uf Tschebysche-Polynomen eruhender yptimierungslgorythmusD der eine miE nimle enzhl von pilterkoe0zienten liefertF ie in der qleihung @PFPPIA gezeigt wurdeD ist die entwort eines psEpilters
4 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/Digilter.xls 5 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/Digilter.xls 6 http://wwwex.physik.uni-ulm.de/lehre/PhysikalischeElektronik/Materialien/Digilter.xls

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PFT pilter uf eine smpulsnregung

VU

{x (kTa )} =

1 fr k = 0 0 sonst

@PFPQVA

eus @PFPQVA folgt ls eusgngsfolge die polge der uoe0zientenF

{y (kTa )} = 0 ,1 ,2 , . . . ,N = {k }

@PFPQWA

xun sind ei einem lineren ystem die smpulsntwort und der prequenzgng durh eine @inverseA pouriertrnsformtion ineinnder erfhrrF pr zeitdiskreE te ysteme mit fa = 1/Ta sind die erte der smpulsntwort fr t = kTa durh
fa 2

y (kTa ) =

a f2

Aw (jf ) ej2f kTa df

@PFPRHA

us dem prequenzgng Aw (jf ) gegeenF mn erhlt die gewnshten uoe0ziE entenD indem mn @PFPQWA und @PFPRHA gleihsetztF hs resultierende pilter muss nh ietze und henkU normlisieret und uf die gewnshte qrenzfrequenz umgerehnet werdenF

2.6.2.5 IIR-Filter
hie zweite ulsse digitler pilter stellen die rekursiven pilter oder In(nite Impulse ResponseEpilter drF h shre smpulsntwort wie die der nlogen pilter unendlih lnge duertD knn mn die nlogen pilter uf die digitlen ildenF ur eildung eines nlogen pilters uf ein digitles pilter verwendet mn die ilinere rnsformtionSVF m den preqenzereih [0 . . . ] des nlogen a pilters uf den prequenzereih [0 . . . f2 ] des digitlen pilters geildetF

f=

fa f tan fa

@PFPRIA

a ie gewnsht stret fr f die digitle prequenz f f2 F hei ist die erzerrung der prequenzhse umso geringerD je geringer die prequenz im ergleih zur ktfrequenz istF ir rehnen wieder mit normierten prequenzen

F = Fg

f fa fg = fa

@PFPRPA

hie rnsformtionsgleihung fr die normierten prequenzen ist dnn

F =

1 tan F

@PFPRQA

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VV

wthemtishe qrundlgen

eildung PFTSX rnsformtion eines sheyshe'Eiefpsses uf einen periodiE shen prequenzgng fei der rnsformtion eines sheyshe'tiefpsses @eildung PFTSA leit ds hrkteristishe ershwingen erhltenF hmit die qrenzfrequenz des ursprngE lihen iefpsses und des neuen iefpsses gleih leitD ersetzen wir in qleihuing 1 @PFPRQA den orfktor F

F =

Fg tan F = Fg tan F tan Fg

@PFPRRA

wn erkennt in eildung PFTSD dss nun der prequenzgng des digitlen pilE ters erst er der qrenzfrequenz Fg weihtF hie rile P in der normierten ertrgungsfunktion wird

P = j tan F
nter erwendung der mformung

@PFPRSA

j tan x = tanh (jx) =


sowie mit der he(nition von z ist

1 e2jx 1 + e2jx

@PFPRTA

P =

1 e2jx 1 z 1 = 1 + e2jx 1 + z 1

@PFPRUA

hie porm der oigen qleihung erklrt den xmen filinere rnsformtionF ie ildet den ereitsereih eines nlogen pilters uf den eines digitlen F eweihungen sind desto geringerD je grsser die etstfrequenz fa im ergleih zu den interessierenden prequenzen istF eus
n

A (P ) =

d0 + d1 P + d2 P + . . . = c0 + c1 P + c2 P 2 + . . .

dk P k
@PFPRVA

k=0 n

ck P k
k=0

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PFT pilter enn mn die ilinere rnsformtion oen einsetztD erhlt mn


n

VW

dk A (P ) =
k=0 n

1z 1 1+z 1

ck
k=0

1z 1 k 1+z 1

@PFPRWA

hurh uoe0zientenvergleih erhlt mn shliesslih die uoe0zienten der higiE tl(lter


n

0 + 1 z 1 + 2 z 2 + . . . A (z) = = 0 + 1 z 1 + 2 z 2 + . . .

k z k
@PFPSHA

k=0 n

k
k=0

z k

eildung PFTTX truktur eines ssEpilters erster yrdnung

2.6.2.5.1 IIR-Filter erster Ordnung pr ds in der eildung PFTT drgestellte ssEpilter erster yrdnung soll der nloge prequenzgng @shliesst alle pilterrten
einA

A (P ) =
uf ds ssEpilter

d0 + d1 P c0 + c1 P

@PFPSIA

1 (z) = Y = 0 + 1 z A X 1 + 1 z 1

@PFPSPA

her uoe0zientenvergleih ergit

0 = 1 1

d0 + d1 c0 + c1 d0 d1 = c0 + c1 c0 c1 = c0 + c1

@PFPSQA
A0 1+a1 P

hie oigen qleihungen ngewndt uf einen llgemeinen iefpss A(P ) = ergeen

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WH

wthemtishe qrundlgen

0 = 1 1
her rohpss A(P ) =
A P 1+a1 P

A0 l 1 + a1 A0 l = 1 + a1 1 a1 = 1 + a1

@PFPSRA

wird in der digitlen smplementtion

0 = 1 1

A a1 + A = a1 + a1 = 11 +

@PFPSSA

fei einem digitlen pilter wird die qrenzfrequenz durh die etstfrequenz festE gelegtF hies ietet eine einfhe wglihkeit der estimmung des piltersF

eildung PFTUX ellgemeines ssEpilter zweiter yrdnung

ters zweiter yrdnung

2.6.2.5.2 IIR-Filter zweiter Ordnung hie llgemeine porm eines nlogen pilE
d0 + d1 P + d2 P 2 c0 + c1 P + c2 P r

A (P ) =

@PFPSTA

wird durh die ilinere rnsformtion zu

0 + 1 z 1 + 2 z 2 A (z) = 1 + 1 z 1 + 2 z 2

@PFPSUA

der ertrgungsfunktion des digitlen ssEpilters us eildung PFTUF hie uoE e0zienten sindX

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PFT pilter

WI

0 = 1 = 2 = 1 = 2 =
eus dem iefpss A(P ) = den uoe0zienten

d0 + d1 + d2 2 c0 + c1 + c2 2 2 (d0 d2 2 ) c0 + c1 + c2 2 d0 d1 + d2 2 c0 + c1 + c2 2 2 (c0 c2 2 ) c0 + c1 + c2 2 c0 c1 + c2 2 c0 + c1 + c2 2

@PFPSVA

A0 1+a1 P +b1 P 2

erhlt mn ds quivlente ss pilter mit

0 = 1 = 2 = 1 = 2 =
her rohpss A(P ) =

A0 1 + a1 + b1 2 2A0 = 20 1 + a1 + b1 2 A0 = 0 1 + a1 + b1 2 2 (1 b1 2 ) 1 + a1 + b1 2 1 a1 + b 1 2 1 + a1 + b 1 2
wird zu

@PFPSWA

A P 2 1+a1 P +b1 P 2

0 = 1 = 2 = 1 = 2 =

A b1 2 1 + a1 + b 1 2 2A b1 2 = 20 1 + a1 + b1 2 A b1 2 = 0 1 + a1 + b 1 2 2 (1 b1 2 ) 1 + a1 + b 1 2 1 a1 + b 1 2 1 + a1 + b 1 2
P Ar Q P 1+ Q +P 2

@PFPTHA

eiter wird der fndpss A(P ) =

trnsformiert in

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WP

wthemtishe qrundlgen

0 = 1

Ar Q Q

1+ = 0

+
Ar Q

2 = 1

1+

= 0

2 (1 2 ) = 1+ Q + 2 1 1+
Q Q

2 =

+ +

2 2

@PFPTIA

hie fndsperre A(P ) =

A0 (1+P 2 )
P 1+ Q +P 2

trnsformiert sih in

0 = 1 = 2 = 1 = 2 =

A0 (1 + 2 ) 1+ Q + 2 2A0 (1 2 ) 1+ Q + 2 2 (1 + 2 ) = 0 1+ Q + 2 A0 (1 2 ) 1+ Q + 2 1 1+
Q Q

+ +

2 2

@PFPTPA ds folgende digitle ssEpilter

indlih wird us dem ellpss A(P ) =

1+a1 P +b1 P 2 1+a1 P +b1 P 2

0 = 1 = 2 = 1 = 2 =

1 + a1 + b 1 2 1 a1 + b 1 2 2 (1 b1 2 ) 1 a1 + b 1 2 1 a1 + b 1 2 =1 1 a1 + b 1 2 2 (1 b1 2 ) = 1 1 a1 + b 1 2 1 + a1 + b 1 2 = 0 1 a1 + b 1 2

@PFPTQA

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PFU wodultionstheorie

WQ

2.7 Modulationstheorie
m ignle er grssere histnzen trnsportieren zu knnenD wird ds xutzsiE gnl oft uf einen rger ufmoduliertF qro gesgtD knn mn so ein Signal in einem fereih mit shlehten eusreitungseigenshften in einen fereih mit lnE gerreihweitiger ertrgungsmglihkeit trnsferierenF yder es knnen in einem uel mehrere is sehr viele elefongesprhe gleihzeitig gefhrt werdenF wodulE tion tritt ufD wenn zwei oder mehrere ignle mit untershiedlihen oder gleihen prequenzen durh ein nihtlineres futeil lufenF viegen n einer treke mit der tromEpnnungshrkteristik

I (t) = aU (t) + bU 2 (t) @PFPTRA die zwei ignle U1 = U1 cos 1 t und U2 = U2 cos 2 t nD dnn treten erme ei den ummenE und hi'erenzfrequenzen ufF Man beachte, dass mit reel-

len Grssen gerechnet werden muss. Werden die bequemen komplexen Darstellungen verwendet, muss immer auch das konjugiert-komplexe mitgenommen werden, also eektiv auch eine reelle Zahl. ir erhlten
lso

I (t) = a U1 cos 2 t + U2 cos 2 t + b U1 cos 2 t + U2 cos 2 t = aU1 cos 2 t + aU2 cos 2 t + 2 2 2 bU1 cos 1 t + bU2 cos2 2 t + 2bU1 U2 cos 1 t cos 2 t b 2 2 U1 + U2 + = 2 aU1 cos 2 t + aU2 cos 2 t + b 2 2 U1 cos 21 t + U2 cos 22 t + 2 bU1 U2 [cos (1 2 ) t + cos (1 + 2 )]

@PFPTSA

neen den eiden ursprnglihen ignlen treten uh ein qleihstromnteil soE wie die doppeltenD die ummenE und die hi'erenzfrequenzen ufF iine xihtlineE ritt von hherer yrdnung wrde entsprehend den roduktE und ummenregeln fr inkelfunktionen noh mehr prequenzen ergeenF hie oen gezeigte ehnung illustriert die emplitudenmodultionF ellgemein knn mn shreienX

IAM = I(s) cos t t

@PFPTTA

t ist die rgerfrequenzF I(s) hngt nun vom ufmodulierten Signal X I(s) = It + Is cos s t @PFPTUA t ist die sntensitt des rgersD Is diejenige des ufmodulierten ignls mit der I prequenz t F ypisherweise ist s t F wit der ekrzung m = Is ergit sih I
t

IAM = It 1 +

Is cos s t cos t t = It (1 + m cos st) cos t t It

@PFPTVA

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WR

wthemtishe qrundlgen

m heisst uh der wodultionsgrdF enwendung der edditionsstze fr inkelE funktionen ergitX It m [cos (t s ) t + cos (t + s ) t] @PFPTWA IAM = It cos t t + 2 hs resultierende Signal enthlt lso sowohl die ummenE wie uh die hi'eE renzfrequenzenF mn ersieht us der rerleitungD dss mn zwr fr eine empliE tudenmodultion eine qudrtishEnihtlinere uennlinie nehmen knnteD dss es er geshikter istD einen wultiplizierer zu verwendenF eiter ersieht mnD dss um ein Signal der prequenz s zu ertrgenD mn eine fndreite B=2 s 2
@PFPUHA

entigt wirdF qleihung @PFPTWA zeigt weiterD dss ei einem wodultionsgrd von I die rlfte der endeenergie im rger stekt und dss je ein iertel in den eiden eitenndern vorhnden istF pr eine dioertrgung ist er nur der inergiegehlt in den eitenndern wihtigF heshl git es endeverfhrenD ei denen der rger unterdrkt oder sogr mit dem rger ds eine eitennd niht gesendet wirdF hie tereoinformtion ei einer tereoEuEendung wird mit diesem erfhren ndreitensprend ertrgenF ur iederherstellung des ignls entigt mn den trgerF ind eide eitennder vorhndenD knn mn einen yszilltor im wittel mit dem Signal mitlufen lssen @ds Signal htD geE mitteltD gerde die rgerfrequenzAF fei iinseitenndmodultion @f fr ingle idend wodultionA verwendet mn entweder einen ilotton @uEtereoA oder mn ist druf ngewiesenD ds der ender und der impfnger sehr stil lufenF els uuriosum sei erwhntD dss eine wglihkeit prhe zu vershlsselnD drin estehtD ds prhsignl in fnder ufzuteilen und mit f in der prequenz zu vershieenF hie prequenzvershieung knn uh dynmish seinF hie emplitudenmodultion ist eher strnflligF heshl werden qulittiv hohwertigere hienste mit prequenzmodultion usgestrhltF hie rgerfrequenz t wird mit der ignlfrequenz s moduliertF hs heisstD die hse des ignls eE wegt sih niht mehr mit konstnter qeshwindigkeitF elso shreit mn nstelle von t = D der phseD ds sntegrl
t

(t + t sin s t) dt = t t +
0

t cos s t s

@PFPUIA

t ist der prequenzhu der wodultionF hs frequenzmodulierte Signal ist lsoX t IF M = It sin t t + sin s t s

= It
n=

In (mF ) sin (t + ns ) t

@PFPUPA

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PFV ushen

WS

hie emplituden In (mF ) der einzelnen eilfrequenzen t + ns sind fesselE punktionen nEter yrdnungF ds ergument mF = t F wn entigt fr die FMs bertragung eine fndreite von B 1 s (t + s ) = (1 + mF )
@PFPUQA

her prequenzhu ei der pw hngt niht von der ignlfrequenzD sondern nur von der emplitude F enstelle der prequenz knn mn uh die hse modulierenF hs Signal sieht dnn folgendermssen usX

IP M = It sin (t t + sin s t)

@PFPURA

rier hngt der hsenhu von der emplitude D der resultierende prequenzhu ist er durh die ignlfrequenz estimmtF

2.8 Rauschen
wit ushen ezeihnet mn die durh stohstishe rozesse edingte hwnE kung einer qrsseF ushen tritt niht nur in der ilektronik ufD sondern in llen ielteilhensystemenF o istD zum feispielD die frownshe fewegung ein ushE prozessF sn der ilektronik etrhtet mn den rnsport von tromD lso einen pluss einzelner ilektronenF h dieseD wie lle nderen ielteilhensysteme den qesetzen der sttistishen hysik gehorhen mssenD tritt ushen ufF wn unE tersheidet viele vershiedene erten von ushen wie ds iderstndsrushen oder ds hrotrushenF sn diesem eshnitt soll zuerst ds iderstndsrushen nh dem fuh von eifQ geleitet werdenD es folgen dnn ndere relevnte ushprozesseF

2.8.1 Widerstandsrauschen
ir etrhten einen elektrishen iderstnd RD der n den iingng eines idelen erstrkers ngeshlossen seiD der zwishen 1 und 2 eine konstnte erstrkung heF eusserhl dieses hurhlssndes sei die erstrkung HF hie ilektronen im iderstnd ndern ihre osition und qeshwindigkeit durh zufllige thermishe pluktutionenF elso existiert ein )uktuierender trom I(t) und ls uonsequenz uh eine )uktuierende EMF U (t)F enn wir die Fouriertransformation von V (t) kennenD knnen wir nh qleihung @PFQTA die rinz der EMF shreien @hr wittelwert der EMF ist nullD d wir keine treiende otentildi'erenz nnehmenA

U (t) =
0

J+ () d

@PFPUSA

ie im eshnitt PFRFPFHFI gezeigtD ist J+ () ds veistungsspektrum der iwp U (t)F eif Q zeigt im eshnitt ISFV mit der vngevinEpunktionD dss n einem

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WT iderstnd @nlog zur frownshen fewegungA gilt

wthemtishe qrundlgen

1 R= 2kT

V (0) V (s) 0 ds

@PFPUTA

hiese qleihung knn mit den qleihungen @PFQVA und @PFQTA umgeshrieen werden @die uorreltionsfunktion ist unhngig von tD und ejs = 1 wenn = 0A

1 [2J (0)] @PFPUUA 2kT hie Korrelationszeit der Fluktuationen ist von der qrssenordnung der eit zwishen zwei tssen eines ilektrons mit dem qitterF elso ist K(s) = V (0)V (s) 0 = 0 fr lle |s| F hie Korrelationsfunktion ist in der xhe von H konzentriertF elso ist im fereih der nihtvershwindenden Korrelationsfunktion ejs = 1 fr lle 1F pr lle diese Eerte ht ds sntegrl den gleihen ert R= J () = J (0)
@PFPUVA

hs Leistungsspektrum der )uktuierenden EMF U (t) ist lso konstntF wn knn ziemlih llgemeingltig festhltenX

Kurze Korrelationszeiten bedingen breite Spektren, und umgekehrt.


hiese eussge ist rigens nlog zum Heisenbergschen UnschrfeprinzipF ir erhlten dmit ds Leistungsspektrum der ushEiwp n einem Wi-

derstand

1 @PFPUWA hie oige qleihung ist ds Nyquist-TheoremF is ist ein pezilfll der viel llgemeineren erindung zwishen pluktution und hissiptionF um feispiel git es ei der Brownschen Bewegung eine hnlihe feziehung zwishen dem pektrum der )uktuierenden urft F und dem eiungskoe0zienten F snteresE sierte veser mgen vitertur er ds Fluktuations-Dissipations-Theorem lesenF ushen mit einer von der prequenz unhngigen spektrlen hihte heisst weisses RauschenF ir wollen nun untersuhenD o ds xyquistEheorem konsistent mit der herE modynmik von qleihgewihtszustnden istF ir verwenden dzu die hltung us eildung PFTVF hs ystem sei im thermishen qleihgewiht ei der empeE rtur T F trom)uktutionen I(t) hen ihre rshe in der stohstishen iwp im iderstnd RF ir etrhten die pourierkomponente U0 () ejt der EMF und verwenden die hi'erentilgleihung J+ () = 2 kT R f ur L dI 1 + RI + dt C Idt = U (t)
@PFPVHA

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PFV ushen

WU

eildung PFTVX her vgEureis fr ushuntersuhungen pr die prequenz erhlt mn

I0 () =

U0 () Z ()

wobei Z () = R + j L +

1 C

@PFPVIA

ur ferehnung der in der Induktivitt gespeiherten inergie etrhtet mn den trom I ls einen rmeter eines thermodynmishen ystems mit der freien inergie F @iehe uh ds fuh von eifQAF hie hrsheinlihkeit P (I) dI dss der trom in einer hltung im qleihgewiht mit der empertur T einen ert zwishen I und I + dI nnimmtD ist proportionl zu eF/kT F F ist die freie inergie im ustnd I = 0F hie fewegung von ilektronenD ohne dss vdung ufE oder geut wirdD ndert die Entropie S nihtF elso ist S = 0 und dmit F = ET S = E F h inergie durh einen trom nur in einer Induktivitt gespeihert werden knnD giltX

P (I) dI eE/kT dI = eLI

2 /2kT

dI

@PFPVPA

hrus leitet mn unter erwendung elementrer qesetze der ttistik

1 2 LI 2

P (I) I 2 dI =

P (I) dI

1 = kT 2

@PFPVQA

enlog gilt uh fr einen KondensatorD dss im wittel im thermishen qleihE gewiht gilt

1 CU 2 2

1 = kT 2

@PFPVRA

her eusdruk fr die mittlere in der snduktivitt L gespeiherte inergie knn in eine pourierreihe entwikelt werdenX

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WV

wthemtishe qrundlgen

1 2 LI 2

1 = L 2

|I0 ()|2 d |U0 ()|2 d |Z ()|2

1 L 2

1 L 2

J () d |Z ()|2 J+ () d |Z ()|2
@PFPVSA

1 L 2
0

hei hen wir die he(nition des Leistungsspektrums nh qleihung @PFRVA verwendetF

2 |V ()|2 @PFPVTA hie qleihgewihtsedingung @PFPVQA verlngtD dss unter erwendung von @PFPVIA giltX J+ () 2J ()

I2 =
0

J+ () d R2 + L +
1 2 C

kT L

@PFPVUA

2 mgeformt mit 0 = 1/LC ekommt mn

1 R2
0

J+ () d 1+
L R 2

( 2 +

2 2 0 )

kT L

@PFPVVA

ir nehmen nD dss L sehr gross istD dss lso der hwingkreis eine sehr grosse qte htF hnn knn mn J+ () = J+ (0 ) us dem sntegrl herusziehenF L 2 ienso ist dnn 2 0 = ( + 0 ) ( 0 ) 20 ( 0 ) und R LR F wit 0 der ekrzung = 0 erhlten wir

kT L

J+ (0 ) = R2
0

d 1+
2L 2 R

( 0 )2

J+ (0 ) = R2

d 1+
2L 2 R

2
@PFPVWA

J+ (0 ) R R2 2L

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PFV ushen ir erhlten drus ds esultt

WW

2 kT R @PFPWHA h C in der qleihung niht explizit vorkommtD knn mn dmit jede prequenz erreihenD wir hen lsoD uf eine ndere ert und eise ds Nyquist-Theorem geleitetF J+ (0 ) =

eildung PFTWX iderstnd und llgemeine smpednz im qleihgewiht sn einem weiteren feispiel wirdD wie in eildung PFTW im thermishen qleihgeE wiht ein iderstnd R mit einer llgemeinen smpednz Z () = R () + jX () zusmmengeshltetF owohl der iderstnd R wie uh der rektive eil X solE len frequenzhngig seinF ir ezeihnen mit U (t) die pnnung n R und mit U (t) die pnnung n der smpednz Z F sm qleihgewiht muss die mittlere veiE stung P D die durh die smpednz Z wegen der ushspnnung U (t) m iderE stnd R soriert wirdD gleih sein der veistung P D die durh den iderstnd R wegen der ushspnnung U (t) der smpednz Z soriert wirdF ir etrhten weiter ein enges prequenznd zwishen und + d F hs veistungsgleihgewiht muss fr lle prequenznder geltenF xun erzeugt die prequenzkomponente U0 () U0 in der hltung den trom I0 = R+Z hie veistung P soriert durh Z ist dnn

U0 P |I0 | R = R+Z
2

@PFPWIA

R ist der @frequenzhngigeA elteil der smpednz Z F enlog zur oigen qleihung gilt uh P |I0 | R =
elso ist
2

U0 R+Z

@PFPWPA

|U0 |2 R = |U0 | R
oder

@PFPWQA

J+ () R () = J+ () R ()

@PFPWRA

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IHH

wthemtishe qrundlgen

J+ ist ds veistungsspektrum von U (t) und J+ dsjenige von U (t)F elso ist J+ () = R () R 2 kT R = 2 kT R
@PFPWSA

hs Rauschspektrum einer jeglihen smpednz ist lso immer mit dem iderE stndsteil dieser smpednz verundenF sdele pulen und uondenstoren rushen nihtF heshl knn mn mit rilfe prmetrish vernderter upzitten sehr rushrme erstrker uenF

eildung PFUHX xyquists enordnung zur ferehnung der ushspnnung n eiE nem iderstnd geleitetF eildung PFUH zeigt die von ihm verwendete enordnungF wei iderstnE de der qrsse R sind er eine verlustfreie veitung der vnge L mit der smpednz R verundenF hie gnze enordnung ist im qleihgewiht mit einem rmed der empertur T F hurh die smpednznpssung wird jede vom linken iderE stnd usgehende elle vom rehten vollstndig soriert und umgekehrtF hie eiden eshlusswiderstnde sind lso ein enlogon zum hwrzen urperF iine pnnungswelle U = U0 ej(krt) reitet sih mit der qeshwindigkeit c = usF k um ezhlen der mglihen woden setzt mn ls ndedingung U (0) = U (L)F hnn ist kL = 2n fr jede gnze hl nF hie enzhl woden pro iinheitslnge im prequenzintervll is + d ist dnn

Nyquist htte sein heorem us enlogien der Schwarzkrperstrahlung E

n =
tede wode ht eine inergie

1 dk 2

@PFPWTA

() =

e
kT

kT

fr u

kT

@PFPWUA

ir verwenden nunD dss im qleihgewiht in jedem prequenzintervll is + d die emittierte und die sorierte veistung eines iderstndes gleih sein 1 mussF h es 2 d propgierende woden pro iinheitslnge gitD ist die uf einen c iderstnd eintre'ende veistung

Pi = c

1 d 2 c

() =

1 () d 2

@PFPWVA

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PFV ushen

IHI

hie emittierte veistung ist gleihF hiese veistung wird in porm einer ushE U spnnung U erzeugtF heshl muss uh ein trom I = 2R )iessenF ir mssen 2R verwendenD d der qenertor der ushspnnung die erieshltung zweier iderstnde R siehtF elso ist

R I2 = R

V2 4R2

1 1 = V2 = 4R 4R
0

J+ () d

@PFPWWA

hie veistung im prequenzintervll is + d ist dnn

J+ () d 4R enn mn nun Pi = Pi setztD dnn ekommt mn Pi = 1 1 J+ () d = () d 4R 2 2 J+ () = R e kT 1

@PFQHHA

@PFQHIA

hies ist die qleihung fr ds ushen unter iinezug der quntenmehniE shen uorrekturenF pr die lihen prequenzenD uh im wikrowellenereihD gilt kT F elso wird us xyquists quntenmehnish korrekter pormel

2 kT R @PFQHPA fetrhtet mn nun ds ushen in einem estimmten prequenznd ei geE ngend tiefen prequenzenD dnn ist J+ () =
max

max min

J+ () d
min max

=
min

J+ (0) d
max

= J+ (0)
min

= J+ (0) (max min ) 2 (max min ) kT R = = 4BkT R

@PFQHQA

woei B = max2 min die fndreite der hetektion istF hs Widerstandsrauschen ist esonders ei reitndigen hltungen der limitierende eilF

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IHP

wthemtishe qrundlgen

2.8.2 Weitere Rauschquellen


2.8.2.1 Schroteekt
sn ilektronenrhren ist die sttistishe pluktution des imissionszeitpunktes von ilektronen us der uthode @hies wrde rigens uh fr peldemissionskthoden geltenA rshe eines ushensF hottky ht fr dieses ushen die folgende pormel ngegeenX
2 Ischr = 2eIa

@PFQHRA

Ia ist hier der AnodenstromF ie eim thermishen ushen ist die rshe die untisierung der vdungF her Schroteekt erlutD er eine wessung des Rauschstromes die Elementarladung zu estimmenF

2.8.2.2 Generations-Rekombinationsrauschen
hieser yp ushen tritt in rlleitern ufF her ushstromD der sih us der diskreten xtur von ilektronen und vhern ergit istX

i2 = A (,T ) E 2 R

@PFQHSA

E ist die elektrishe peldstrke im uristllF A ist ein frequenzE und tempertuE rhngiger pktorF

2.8.2.3 Flickerrauschen und 1/f-Rauschen


wn eohtet erll d wo vdung trnsportiert wird ein RauschspektrumD dessen hihte sih wie 1 2 @PFQHTA IR f verhltF hieses ushen ist esonders ei lngsmen wessungen sehr strendF vokEsnE erstrker sind eine wglihkeitD eine wessung us dem mrzEfereihD wo 1/f Eushen dominnt sein knn in den krzEfereih zu vershieenF

2.8.3 Einuss von Filtern auf das Rauschen


pilter verndern die ushspnnung nders ls die ignlspnnung @iehe hostl WAF m den i'ekt zu verstehen legen wir eine ushspnnung mit dem pektrum J+ () n den iingng eines pilters mit der ertrgungsfunktion A ()F hs ignlspektrum Js () wird durh ds pilter wie folgt modi(ziertX

Js,a () = A () Js ()
etreit mn ds oige pilter mit einer ushspnnungD dnn ist
2 Ua (t) = 0

@PFQHUA

|A ()|2 J+ () d

@PFQHVA

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PFV ushen

IHQ

eildung PFUIX SignalE und ushndreite n einem iefpss(lter erster yrdE nungF ot eingezeihnet ist der prequenzgng des piltersF hie Qdf fndreite liegt hier ei IF hie ushndreite ist mit shwrz eingezeihnet fei einer konstnten erstrkung A0 erhht sih die ushspnnung um den gleihen ert A0 F fei einem pilterD ds mit weissem ushen gespiesen istD knn mn eine ushndreite de(nierenF wn nimmt @siehe eildung PFUIA nD mn htte ein ehtek(lter mit der erstrkung Am und der fndreite m is m + m F xh dem hurhluf dieses pilters soll die gemessene ushspnnung gleih wie nh dem ssieren des zu untersuhenden iefpss(lters seinF ir erhltenX
m +m 2 Ua,m (t) = m

A2 J+ () d = A2 U 2 (t) m m m

@PFQHWA

pr weisses ushen (ndet mn nun

1 m = 2 Am

|A ()|2 d
0

@PFQIHA

feim iefpss in eildung PFUI ist die ertrgungsfunktion

|A ()| = 1+

1 2 (RC)
2

@PFQIIA

h die erstrkung dieses iefpss(lters ei der prequenz null den ert eins htD setzen wir Am = 1 und erhlten

m =
0

d 1+ 2 (RC)
2

1 2 RC

@PFQIPA

hie ignlndreite des pilters ist de(niert durh den QdfEefll und gleih 1 s = RC F hie ushndreite ist lso um den pktor grsserF 2

m =

2 s

@PFQIQA

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IHR pilterordnung m I P Q R S T U V
m s

wthemtishe qrundlgen
m s

uritisher iefpss IDSUI IDPPH IDISS IDIPW IDIIR IDIHS IDHWV IDHWR

futterworthEiefpss IDSUI IDIII IDHRU IDHPT IDHIU IDHIP IDHHV IDHHR

elle PFIVX erhltnis der ushE zur ignlndreite fr kritishe pilter und futterworthEpilter fei einem kritishen iefpss hherer yrdnung nhert sih die ignlndreite immer mehr der ushndreiteF iin iefpss mEter yrdnung ht eine erE 1 trgungsfunktion wie |A ()| = 1(+x2 )m F hs sntegrl zur festimmung der ushE ndreite ht die ekursionslsung

m = s 21/m 1Jm J1 = 2 2m 1 Jm = Jm1 2 (m 1)

@PFQIRA

hs erhltnis von ushE zur ignlndreite ist in elle PFIV ufgelistetF ustzlih sind uh die erte fr ein futterworth(lter ufgelistetF her veser knn sih nhnd des oen eshrieenen erfhrens die ushndreiten fr ndere pilter leiht seler erehnenF

2.9 Digitale Signalprozessoren (DSP)


higitle ignlprozessoren sind eine ulsse von wikroprozessorenD die fr die feE rehnung digitler pilter optimiert worden sindF

2.9.1 Klassische Rechner


hie truktur eines klssishen ehners nh tohn von xeumnnIH ist in der eE ildung PFUP gezeigtF fei dieser gomputerrhitektur werden rogrmm und hten im gleihen peiher gelegtF hten werden er einen htenus vom peiher zu dem teuerwerk und dem ehenwerk @oder umgekehrtA vershoenF sm teuE erwerk werden die fefehle us dem htenstrom dekodiert und in teuersignle fr ds ehenwerk oder den peiher umgewndeltF hs ehenwerk generiertD uh uf qrund von ehenopertionenD die nhste edresseF her detilierte eluf einer ferehnung wird in eildung PFUQ gezeigtF

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PFW higitle ignlprozessoren @hA

IHS

eildung PFUPX von xeumnnshe truktur eines gomputersF ekrzungenX ypFE egFX ypertionsregisterY irgenisEegFX irgenisregisterY stFE egFX ustndsregisterY rgFEhlerX rogrmmzhlerY sndexE egFX sndexregister

eildung PFUQX eluf einer ypertion in einem ehner mit der von xeumnnE shen truktur IF edresse des fefehls n den peiher usgeenF PF fefehl ins teuerwerk lden QF enn der fefehl im teuerwerk die edresse der zu verreitenden hl entE hltD diese lden RF evtlF her ypernd wird us dem peiher geldenF SF evtlF hs esultt wird in den peiher zurkgeshrieenF eildung PFUR zeigt die hsen der eusfhrung eines wikroEwshinenefehls in einem wikroprozessorIPF hie wikroEwshinenefehle werden in vier hsen verreitetF IF wikroefehlddressierungsphseF rier wird die edresse des nhsten fefehls generiert

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IHT

wthemtishe qrundlgen

eildung PFURX ereitung eines wshinenefehls in einem wikroomputer PF wikroefehlsholphseX rier wird der fefehl geholtF QF wikroefehlsdekodierphseX rier knnen unter mstnden us einem fefehl viele generiert werden @zFfF hie ferehnuing des sinEertes erfordert ein wikroprogrmmA RF hie wikroefehlsusfhrphse woderne rozessoren holen und dekodieren edressen uf orrtF hrend zeiE tintensive fefehle gereitet werdenD wir spekuliertD wie die ferehnung weiterE gehen knnteF hie modernen wikroprozessoren hen einen ehtlihen eil ihrer veistung dieser trtegie zu verdnkenF higitle ignlprozessoren untersheiden ih von klssishen wikroprozessoren ddurhD dss sie mehrere ehenwerke esitzen und dss diese so usgelegt sindD dss die ypertionen in einem ktzyklus eendet werdenF sst dies niht mglihD so sollte die eusfhrungszeit eines fefehls vorherestimmt seinF

2.9.2 Digitale Signalprozessoren


higitle ignlprozessoren werden fr die folgenden erfhren eingesetztX

Digitale Filter

psEpilter @pinite smpulse esponseA

ssEpilter @sn(nite smpulse esponseA uorreltoren rilerttrnsformtionen

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PFW higitle ignlprozessoren @hA

IHU

eildung PFUSX flokshltild des wotorol ignlprozessors hSTHHIIQ

edptive pilter

Signalverarbeitung
wittelung

prhkompression

inergieerehnung

Datenverarbeitung

ershlsselung

ershleierung uodierung und hekodierung

Numerik

klrED ektorE und wtrixrithmetik

rnszendentle punktionen @punktionsgenertorA seudoEufllszhlenD deterministishes ushen

Modulation

emplitude

prequenz hse
Modems

Spektralanalyse

pp pst pourier rnsform

hp hiskrete pourierErnsformtion inusGuosinusErnsformtionen


enwendung (nden die ignlprozessoren unter nderem in den folgenden qerE tenX

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IHV

wthemtishe qrundlgen

eildung PFUTX flokshltild des elufs einer ehenopertion im wotorol ignlprozessor hSTHHIIQ

Telekommunikation

ongenertoren

elefonie @wehrfrequenzEhlA vutsprehEelefonie shx ushEnterdrkung @entiEushenA edptive hi'erentil ulse gode wodultion @ehgwA inE und heE koder

Datenkommunikation
pxgerte

rohgeshwindigkeitsmodems @STkEwodemA

Funkkommunikation
diosender

woiltelefonie

ehrsihere punkverindungen

Computer

erryErozessoren

qrphikEfeshleuniger

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PFW higitle ignlprozessoren @hA

IHW

Bildverarbeitung

wustererkennung

yg @hrifterkennungA fildwiederherstellung fildkompression fildveresserung filderkennung und Everreitung fr ooter

Instrumente

pektrlnlyse

punktionsgenertoren htenerfssung

Audio-Signalverarbeitung
wusiksynthesizer iqulizer

higitle ewGpwEdiosenderGimpfnger

higitle riEpi orverstrker

irtuelle holyEurroundErozessoren @mit zwei nstelle von S vutE sprehernA

Hochgeschwindigkeitsregelungen
pestpltten ooter wotoren

vserdruker

Vibrationsanalyse
urinen

rohleistungselektromotoren

hsentriewerke

Medizin

gtEnner

ilektrokrdiogrmme xw ntgengerte mit winimldosen


sm qegenstz zu einem klssishen wikroprozessor ht ein h mehrere htenE und edressusse @eildung PFUS hiese fusse erluenD in einem ktzyklus mehE rere ehenopertionen gleihzeitig durhzufhrenF her elufD der zum feispiel in den htenhern von wotorolIQ sehr shn eshrieen istD ist in eilE dung PFUT gezeigtF te zwei egisterD H und ID eziehungsweise H und ID reiten uf einen wultipliziererF ie sind mit den jeweiligen dtenussen @ und A verundenF euf den wultiplizierer folgt der eddiererD so dss in den eusgngsE registern zum feispiel in einem yklus A = X0 Y 0 + A stehtF hieeregister und undungseinheiten komplettieren die ev @erithmeti vogi nitA

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IIH

wthemtishe qrundlgen

eildung PFUUX flokshltild der wegEiinheit des wotorol ignlprozessors hSTHHIIQ hie wultipliktionGeddition wird im uern von einer wegEiinheit durhgefhrt @eildung PFUUAF hie dtenpfde hen eine untershiedlihe freiteF ein ergleih mit den qleihungen fr ssEpilter oder psEpiltern @eshnitt PFTFP zeigtD dss die wegEiinheit in einem yklus einen unoten dieser piltertypen erehnen knnF elle rFI zeigt eine usmmenfssung von fenhmrkEirgenissen fr den h STHHI @ktfrequenz PU wrzA von wotorolF iin ergleih mit wikroprozessoren wie der sntelEpmilie zeigtD dss diese etw die fnfE is zehnfhe ktfrequenz ruhen is sie eine pp eenso shnell wie ein h erehnen knnenF

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3 Bauelemente und Schaltungstechnik


3.1 HalbleiterGrundlagen
3.1.1 Grundlagen
hie heutige ilektronik ist im esentlihen eine FestkrperelektronikF on zenE trler fedeutung sind dei einkristalline HalbleiterF o sind er WS 7 ller kommerzieller ghips us einkristllinem SiF olykristlline und amorphe Halbleiter werden selten eingesetztF yxideD olymere und wetlle sind von sekunE drer fedeutungY llerdings wirft eispielsweise die rerstellung eines isolierenden GateoxidsD von hotolken oder verlustrmer ohmscher Kontakte und elekE trisher uleitungen hohinteressnte physiklisheD hemishe und tehnologishe prgen ufF her fegri' Halbleiter ezieht sih uf die elektrishe veitfhigkeit zwF den spezi(shen iderstnd reiner wterilienF fei 300 K zeigen Isolatoren spezi(E she iderstnde von > 108 cmD ein guter ssoltor > 1015 cmY wetlle dgegen < 104 cmD rlmetlle von 102 104 cmF eine Halbleiter knnen durh gezielte erunreinigungen @hotierungA die vke zwishen ssoltor und wetll usE fllenD vglF fild QFIF hs emperturverhlten der veitfhigkeit von wetllen und rlleitern untersheidet sih er wesentlihF

eildung QFIX veitfhigkeit und spezi(sher iderstnd von wetllenD rlleiE tern und Isolatoren ei immertemperturF

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IIP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFPX inergieshem fr wetllD Halbleiter und ssoltorY shr0ertX eE setzte ustndeF EF X permi!xiveuD EG X fndlkeD EL X veitungsE ndunterknte @nterknte des niedrigsten leeren fndesAD EV X lenzndoerknte @yerknte des hhsten gefllten fndesAD kizze nh IRF iin flik uf ds inergie!ermshem zwF genuer ds inergie!fndshem in eildung QFP soll nohmls n die physiklishen qrundlgen erinnernF wetlle hen ei T = 0 K ein teilweise esetztes fndY ei rlleitern und Isolatoren ist ds vollstndig esetzte lenznd vom vollstndig entleerten veitungsnd durh eine fndlke getrenntF fei idel reinen wterilien liegt die Fermi-Energie in der fndlkenmitteF h nur prtiell gefllte elektronishe fnder elektrishen trom trgen knnenD sind ei T = 0 K uh Halbleiter isoE lierendF fei erhhten emperturenD zF fF umtemperturD und niht zu grossen inergielkenD zF fF 1,5 eVD werden gengend ilektronen us dem lenznd ins veitungsnd ngehoenD um eine merklihe elektrishe veitfhigkeit zu erhltenF @ir werden noh sehenD dss usser den ilektronen im veitungsnd uh die 9vher9 im lenznd zur veitfhigkeit des rlleiters eitrgenFA hgegen ist die fndlke ei Isolatoren so grossD dss uh ei einigen 100 C keine tehnish relevnte veitfhigkeit eohtet wirdF rlleitende wterilien knnen us ilementenD erindungen und vegierungen estehenF hie ilementhlleiter stehen in der sF ruptgruppe des eriodensyE stemsX g @himntD 5,47 eVAD Si @englF silionD 1,10 eVAD qe @0,67 eVA und !n @0,08 eVAY mit zunehmender yrdnungszhl nimmt " typisherweise " die inerE gie der Energielcke @ei 300 KA F finre erindungshlleiter relisiert die xtur uf vershiedene eisenX eus s!s!ilementen wie ig @3,26 eVAD us sssEEilementen wie GaAs und qxD us ss!s!ilementen wie gd undD niht unmittelr einzusehenD us s!s!ilementen wie F on zunehmend tehnologisher fedeutung sind shliesslih Gex Si1x !hihten uf SiSubstratenF ernre erindungshlleiter wie Alx Ga1x As oder Gax In1x As sind die wesentlihen fusto'e der modernen uommuniktionstehE nologieY der erste lugrne w!rv!vser estnd us einem hihtsystem us ngde G ne G nwge @hiht QX quaternrer HalbleiterAF hie eeindrukende ielflt shlgt sih uh in der ielzhl der relisierten Kristallstrukturen fortF o (nden wir eispielsweise ds himntgitter ei gD

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QFI rlleiter!qrundlgen

IIQ

eildung QFQX ilementED inre und ternre erindungshlleiterF qeD SiD ds inklendegitter ei nD GaAsD qD etFD ds urzitgitter ei gdD n @eides mglihAD etFD ds uohslzgitter ei D eD etF und shliesslih weisen hihlogenide wie WSe2 D WS2 D MoS2 D MoTe2 @niht er WTe2 A eine dem qrphit hnlihe hihtstruktur ufF iine orhersge us (rst priniples9D o ein to' ei umtempertur hlleiE tend sein wird oder niht fllt shwerY m esten gelingt dies noh ei qe und SiF ensonsten hilft nur die enge uomintion von ixperiment und fndstrukturrehE nungF fei den ilementhlleitern gD Si und qe liegt die kovalente Bindung in ihrer reinsten porm vorF ur irinnerungX fei der quntenmehnishen fehndlung des H+ !wolells lernten ie ds erlppen der iinzeltomzustnde erstmls kennenF 2 xherungsweise wird dort die neue ellenfunktion durh eine vinerkomintion der iinzelwellenfunktionen eshrieenF + = a + b ildet den indendenD energetish @im ergleih zum eusgngszustndA tiefer liegenden qrundzustnd usY dF hF die ilektronendihte zwishen den etomkernen wird erhht und so ihE re goulom!estossung reduziertF her indende qrundzustnd ist @pinentrE tungD uli!rinzipA mit zwei ilektronen esetzrF her ntiindende ustnd = a b liegt energetish hher ls die eusgngszustndeF feim nlog zu ehndelnden H2 !wolekl ezeihnen wir diese ert von findung ls ilektroE nenprindungF te strker der rumlihe erlpp der ellenfunktionenD desto strker die kovlente findungF @eiteres feispielX wei sih nnherndeD unendlih hohe ehtek!otentiltpfe mit je einem ilektronD eindimensionlFA hie kovlente findung ruht zu ihrer elisierung unvollstndig esetzte iinE zeltomoritleF himnt zum feispiel esitzt die uon(gurtion 1 s2 , 2 s2 , 2 p2 Y es stehen lso nur die eiden p!yritle der kovlenten findung zur erfgungF wn (ndet er vier kovlente findungenF hie irklrung liefert die sogF ryridisierung @zur irinnerungX CH4 !woleklAF nter dem iin)uss der xhrn wird der kleiE ne energetishe ntershied zwishen 2 s2 ! und 2 p2 !yritlen wieder ufgehoenF eus den ellenfunktionen 2 sD 2 px D 2 py und 2 pz werden vier neue vinerkomiE

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IIR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFRX hemtisher erluf der fndufspltung ls punktion des inteE rtomren estndes fr die tetredrish geundenen Halbleiter himnt @gAD Si und qeD gezeihnet nh IRF ntionen geildetX hie sp3 !ryrid!yritle ilden im um einen perfekten eE treder us @109,5 ! inkelAF yrdnen sih im periodishen qitter der pestkrper die nhsten xhrn jeweils gerde uf den etrederpositionen nD so kommt es zur eusildung von R kovlenten findungen pro etomF hF hF die xhrtome teilen sih die verfgren ilektronen gerde soD dss nur die indenden ustnde esetzt sindF eildung QFR git ds wiederX die s! und p!yritle splten ei ennherung der etome ufD dnn er ilden sih die " eenflls ufgespltenen " ryridoritle usF wit kleiner werdendem etomstnd entsteht eine verotene oneD dF hF zwiE shen indenden und ntiindenden sp3 !eilndern tut sih ein qp9 ufF elle vier pro etom zur erfgung stehenden ilektronen hen im tiefer liegendenD inE denden fndD dem sogF lenzndD ltzX es liegt ei T = 0 K ein ssoltor vorF eildung QFR gilt fr kristlline und morphe ilementhlleiter gleihermssenD solnge die tetredrishe findungsnordnung vollstndig gegeen istY llerdings fhren die im emorphen etws vriierenden estnde und ds orhndensein von ungesttigten findungen zu eweihungenX es git ustndeD die die Energielcke verkleinernF irgnzend sei emerktD dss mit dem temperturhngiE gen etomstnd uh die inergiereiten der fndlke temperturhngig sein mussX ei T = 0 K ist sie m grsstenF hie oen esprohene rumlihe truktur der kovlenten findung wird gerne in eine zweidimensionleD strkte hrstellung @findungsmodell9A erfhrtD um zF fF die elektrishe veitung zu vernshulihenF hie sp3 !ryridisierung (ndet mn ei den sss!!rlleitern wiederF is liegt eine wishindung us ionisher findung @vdungstrnsfer vom er! zum sss er!

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QFI rlleiter!qrundlgen

IIS

eildung QFSX findungsstruktur @kovlente findungA des iigenhlleiters in zweidimensionler hrstellung mit zunehmender zeihnerisher estrktionF wterilA und kovlenter findung vorY letztere erwiegtF euh die IIVI Halbleiter zeigen diese wishindungD mit grsserem ionishen enteil ls die sss!E erF fisher etonten wir die physiklishen qemeinsmkeitenF hie untershiedlihen tomren iigenshften spiegeln sih in untershiedlihen fndstrukturen wiederF sm eildung QFT sind die E k !hrstellungen der elektronishen fnder us @n ixperimente ngepssteA ehnungen fr SiD qe und GaAs ngegeenF @eiterE fhrende ereiten zeigen noh kompliziertere fnd!peinstrukturenD zF fF fhrt die ferksihtigung der pin!fhn!eufspltung ei Si und qe zur eufspltung der yerknte des lenzndesD es git dnn leihteD shwere und split!o'9!vherFA Si und qe sind sogF indirekte HalbleiterF hs wximum der lenznd! yerknte liegt eidesml eim !unkt @k = (0, 0, 0)AD er ds winimum der veitungsnd!nterknte liegt ei Si m !unkt @aIHH!ihtungA und ei qe m v!unkt @vaIII!ihtungAF euh q und el hen eine indirekte fndlkeF eer die wihtigsten IIIVHalbleiter @GaAsD qD snD snesD snA hen eine direkte fndlkeD dF hF lenzndmximum und veitungsndE minimum liegen eide ei Y gleihes gilt fr die IIVIHalbleiter nyD nD gdD gde und gdeF wn spriht von direkten HalbleiternF euf rlleitern mit direkter fndlke sieren die optoelektrishen fuelementeF her ollstndigkeit hler ist fr qe die theoretish ermittelte elektronishe ustndsdihte D(E) wiedergegeenD dei sind die esetzten ustnde der E lenznder shr0ert wordenF iinige kritishe unkte lssen sih uf winim oder wxim in der fndstruktur zurkfhrenF on den komplizierten erlufen drf mn sih niht shreken lssenD fr die elektrishe veitfhigkeit gengt es iF llgF den erluf des lenz! und des veitungsnds rund um zu kennenF

3.1.2 Intrinsischer Halbleiter


fei T = 0 K zeigen Halbleiter keine veitfhigkeitF fei endlihen emperturen er kommt es zu einer thermishen enregung9 von ilektronen er die fndlke hinwegF ie hinterlssen im lenznd jeweils eine positiv geldene vkeD ein sogF vohF sn einem usseren elektrishen peld E knnen niht nur die ilektronen im veitungsnd @wie ei den wetllenA inergie ufnehmenD sondern uh die im

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IIT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFTX ershiedene fndstrukturen gezeihnet nhIRF lenzndF ereinfhend wird dies eshrieen durh die inergieufnhme der vherF pr die tromdihte gilt @im sttionren pllA ei wetllenX

j = E = e n Metall E
und fr die elektrishe veitfhigkeit

@QFIA

= e n Metall

@QFPA

mit ls feweglihkeit und n ls enzhldihte der ilektronenF pr die veitfhigkeit zwF fr die feweglihkeit ei rlleitern gilt nlogX und

j = e n n E + e p p E = |e| (nn + p|p |) .

@QFQA @QFRA

sm llgF gilt fr die feweglihkeit der ilektronen n und der vher p die eltiE on n > p > Metall Y n und p sind die olumennzhldihten der ilektronen zwF

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QFI rlleiter!qrundlgen

IIU

vherF vetztere zeigenD im qegenstz zu Metall D eine strke emperturhngigE keitF iin intrinsischer Halbleiter ist gekennzeihnet durh ds losse orhnE densein des oen eshrieenen thermishen enregungsmehnismusF wn spriht uh vom idealen HalbleiterD weil trstellen!freien rlleiterF ir hen lso zwei vdungstrgertypen im Halbleiter3 sm thermodynmishen qleihgewiht werden sie stndig generiert und rekominieren " nh einer veensduer " wieder ins lenzndF hie feweglihkeiten n und p sind " ws in der oigen qleihung niht entE hlten ist " streng genommen smpuls! zwF inergie!hngige qrssenF ru(g gengt es jedoh vlligD die vdungstrger in den lenzndmxim und veiE tungsndminim zu erksihtigenD dF hF niht zu grosse T und E zuzulssenF hnn gilt fr die etrhteten fnder die sogF parabolische Nherung @uh xherung der tndrdnderAX

E k = E0

2 2 ky k2 kx + + z 2 m 2 m 2 mz x y

@QFSA

mit m ls konstnteD dF hF smpuls! zwF inergie!unhngige eektive Masse @e'ektive wssennherung9AF pr die tensorielle e'ektive wsse m giltX ij

1 m

ij

2 1 E k = 2 = urmmung von E k , ki kj

@QFTA

ein kleines m eshreit lso eine strke fndkrmmungD ein grosses m eine shwheF pr die hihten der vdungstrger in veitungs! und lenznd gilt gnz llgeE meinX

n =
EL

DL (E) f (E,T ) dE
EV

@QFUA

und

p =

DV (E) [1 f (E,T )] dE ,

@QFVA

mit EL zwF EV ls inergien der veitungsndunterknte zwF veitungsndE oerknteD DL und DV ls ustndsdihten der ilektronen und vher und mit f ls erteilungsfunktion gemss der permisttistik mit EF D der permieenergie ls hemishem otentilD lso 1 f (E,T ) = EEF . @QFWA e kB T + 1 pr die ustndsdihten gilt in prolisher xherungX 3/2 DL (E) = (22mn ) 3 E EL , (E > EL ) @QFIHA 2 3/2 (2 m ) p EV E , (E < EV ) @QFIIA DV (E) = 2 2 3 D(E) = 0 , (EV < E < EL ) . @QFIPA

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IIV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFUX permi!punktion f (E) und ustndsdihte D(E) sowie ilektronen! @nA zwF vherkonzentrtion @pA in veitungs! und lenzndF vinksX qleihe ustndsdihten in veitungs! und lenzndY rehtsX vershiedene ustndsdihten in veitungs! und lenznd @gezeihnet nh IRAF

eildung QFVX ehngigkeit der permi!inergie EF von der emperturF hie sogF Neutralisationsbedingung des Idealhalbleiters ergit sih us der thermishen enregungD die qenertion eines ilektrons ins veitungsnd erzeugt ein voh im lenzndX n = p = np = ni ; @QFIQA

ni steht fr snversionsdihteD uh iigenleitungskonzentrtion gennntY nlog dE zu ezeihnet mn i ls iigenleitungF enn die e'ektiven wssen m und m gleih sindD lso uh die ustndsdihE n p ten gleih sindD muss ds permi!xiveu EF in der witte der fndlke liegenF fei ungleihen wssen wndert ds permi!xiveu us der witteD seine vge ist dnn shwh temperturhngigF @uonsequenzen fr elektronishe fuelemente3A wn sieht im linken eilild von QFUD dss nur die euslufer9 der permifunkE tion ei der ferehnung der vdungstrgerkonzentrtionen @zum rodukt fr DA

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QFI rlleiter!qrundlgen

IIW

eitrgenF hie eufweihungszone9 der permifunktion @ 2 kB T A ist ei umE 1 tempertur kleinX kB T 25 meV = 40 eVF hie Energielcke ist " is uf ein pr wenige eusnhmen @!nD snA IH!IHH ml grsserF wn drf deshl die permifunktion durh die foltzmnn!fesetzungswhrsheinlihkeit nnhernX

1 e
EEF kB T

e +1

EEF kB T

1 fr E EF

2 kB T .

@QFIRA

hiese xherung nennt mn die xherung der xihtentrtungD sie ist gut fr kleine vdungstrgerkonzentrtionenF pr diese liefert dnn die ehnungX

n=
und

L Ne

e e

EL EF kB T

, ,

L Ne

=2 =2

2m kB T n h2 2m kB T p h2

3/2

@QFISA
3/2

p=

V Ne

EV EF kB T

V Ne

@QFITA

L,V hie sogF e'ektiven ustndsdihten @uh intrtungskonzentrtionenA Ne gelE ten lso forml fr ein einziges inergieniveuD nmlih die fndknte vD F hmit lsst sih die xeutrlistionsedingung in der porm eines wssenwirkungsE gesetzes shreienX L V Ne Ne e 2k
Eg BT

ni = p i =

=2

kB T 2 2

3/2

m m n p

3/4 2k

Eg BT

@QFIUA

eus diesem qrund nennt mn die Halbleiter reissleiter9 @und wetlle im erE gleih hierzu ultleiterAF eiter giltX
V Ne L Ne

e kB T
EV +EL kB T

2EF

@QFIVA

und

EF

e V Ne EV + EL kB T + ln = L 2 2 Ne m EL + EV 3 p = + kB T ln 2 4 m n

@QFIWA

sn elle QFI sind zum eshluss einige hlenwerte fr die snversionsdihte ni ei 300 K ngegeenF hiese erte sind in eltion zu sehen mit typishen etomE dihten von > 2 < 5 1022 Atome F cm3 hie experimentelle feohtrkeit der intrinsishen veitung setzt extrem sueres HalbleiterMaterial vorusF hie niedrigsten erreihren erunreiniE gungskonzentrtionen ei rlleitereinkristllen wie qe und Si liegen ei etw 1012 cm3 F @ergleihe tiegelfreies onenziehen und onenreinigen von iliziumstE enY Si ist der m reinsten drstellre to' erhuptFA einstes GaAs dgegen ht heute vdungstrgerdihten von 1016 cm3 F ixtrem reines wteril ist ei umtempertur sehr hohohmig @siehe feispiel SiAY der rnsport von elektrishem trom ist lso sehr verlustreihF heshl werE den gezielt elektrish ktive trstellen in den Halbleiter eingeutF irst die

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IPH

fuelemente und hltungstehnik

g i qe Ga As

ni [cm3 ] 6,7 1028 1,5 1010 2,4 1013 5 107

elle QFIX snversionsdihten ni einiger wterilien ei umtemperturF

eildung QFWX hemtishe hrstellung der irkung eines hontors @linksA zwF eines ekzeptors @rehtsA in einem ilizium!qitter @gezeihnet nh IRAF wglihkeitD de(niert rumlihe uonzentrtionspro(le von freien ilektronen und freien vhern uf su!m!kl vorgeen zu knnenD ermgliht die moderne pestkrperelektronikF

3.1.3 Dotierung von Halbleitern


erunreinigt mn Si @oder qeA gezielt mit fnfwertigen etomen wie D es oder D so eohtet mn ei endlihen emperturen eine erhhte Ladungstrgerdichte im veitungsndF hiese trstellen heissen dnn DonatorenD der so dotierte rlleiter heisst nHalbleiterF fut mn in vierwertige rlleiter!wterilien dreiwertige premdtome wie fD elD qe oder sn einD so (ndet mn ei T > 0 K eine erhhte Ladungstrgerdichte im ValenzbandF olhe trstellen werden ls Akzeptoren ezeihnetY in enlogie spriht mn von pHalbleiternF eildung QFW zeigt shemtish den iinu eines hontor! zwF ekzeptortoms uf einem qitterpltz im SiEinkristallF sm plle des hontors nehmen vier E lenzelektronen n den kovlenten findungen zu den enhrten SiAtomen teilD ds fnfte ilektron ist nur shwh n ds hosphortom geunden und knn shon ei kleinen emperturen ngeregt zwF ionisiert @T 10 KAD lso ins veiE tungsnd ngehoen werdenF enlog gilt fr ein ekzeptortomD dss shon ei kleinen emperturen ein ilektron us dem lenznd die kovlente findung

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QFI rlleiter!qrundlgen

IPI

eildung QFIHX ulittive vge der qrundzustndniveus von Donatoren und Akzeptoren in fezug uf die nterknte des veitungsndes EL zwF die yerknte des lenzndes EV @gezeihnet nh IRAF komplettieren knn und so ein shwh geundenes voh zwF durh sonistion ein zustzlihes freies voh im lenznd erzeugt wirdF her dius der trstellenhn etrgt F IH qitterstnde zwF ds shwh geundene ilektron zwF voh ist er F 103 SiGitteratome vershmiert9F eus ps!esorptionsspektroskopie!ixperimenten ei tiefen emperturen kennt mn die energetishen estnde ED der hontorniveus zwF EA der ekzeptorniE veus vom veitungsnd zwF lenzndF hies geen qulittiv die eiden in eE ildung QFIH gezeigten fndermodelle @lenzndmximum und veitungsndE minimum er yrtskoordinteD ergnzt um die trstellen!qrundniveusA wiederF hie us den gennnten esorptionsspektren eknnten ngeregten xiveus sind niht eingezeihnetF ur eshtzung der enregungs! und sonistionsenergienD soE wie der eusdehnung von trstellen knn ein ssersto'tom!wodell herngezoE gen werdenF @me wird ersetzt durh m D 0 durh 0 Si D Si = 11,7 @eshirmung der goulom!enziehung zwishen P+ und e zwF B und positiv geldenem vohAAF sm ergleih zu den fndlken sind die trstellenstnde iF llgF klein @)he trstellen9AD tiefer sitzende trstellen sind shwerer zwF prktish gr niht thermish zu ionisieren und erhhen die vdungstrgerdihten nihtF els feispiel sind in den ellen QFP und QFQ einige wihtige wesswerte ngegeenF i qe me RS IQ es me SR IR me RQ IH

elle QFPX inergetisher estnd ED einiger hontorenniveus vom veitungsE nd fr ilizium und qermniumIRF

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IPP f me RS II el me TU II

fuelemente und hltungstehnik q me UR II sn me ISQ IP

i qe

elle QFQX inergetisher estnd EA einiger ekzeptorniveus vom lenznd fr ilizium und qermniumIRF her iigenhlleiter ht im thermodynmishen qleihgewiht immer die gleihe uonzentrtion n ilektronen und n vhernF sm gezielt dotierten wteril ist dies ndersF sm plle der n!hotierung e(nden sih mehr ilektronen im veitungsnd ls vher im lenzndF hie ilektronen sind lso die sogF Majorittsladungstrger und die vher die sogF MinorittsladungstrgerF is giltX
+ n(T ) = ni (T ) + ND .

@QFPHA

+ ND @NA A ist die enzhldihte der ionisierten Donatoren @AkzeptorenAF pr den pll der p!hotierung gilt fr die wjorittsldungstrger nlogX p(T ) = pi (T ) + NA .

@QFPIA

euh im dotierten Halbleiter gilt @im thermodynmishen qleihgewihtA die grundlegende feziehungX

n(T ) p(T ) = n2 (T ) , i

@QFPPA

dF hF eine irhhung von n(T ) ewirkt eine irniedrigung von p(T ) um denselen pktor3 sF llgF sind die winorittsldungstrger!enzhldihten sehr klein im erE gleih zu denen der wjorittsldungstrgerY im homogenen Halbleiter sind sie prktish vernhlssigrD in fuelementen mit ihren inhomogenen hotierungenD qrenz! und ndshihten er keinesfllsF

3.1.4 Ladungstrgerdichten im dotierten Halbleiter


olnge die fesetzung im veitungsnd zwF im lenznd in guter xherung mit rilfe der foltzmnn!erteilung eshrieen werden knn @pll des niht entrteten rlleitersAD gilt uh fr dotierte Halbleiter ds wssenwirkungsgesetzX
V L n p = Ne Ne e k
Eg BT

@QFPQA

iine etws kompliziertere xeutrlittsedingung regelt wieder die vge des permi!xiveus EF im homogen dotierten HalbleiterY die negtive Ladungstrgerdichte muss gleih der positiven Ladungstrgerdichte seinX
+ n + NA = p + ND ,

@QFPRA

woei fr die trstellendihte giltX und


+ 0 ND = ND + ND 0 NA = NA + NA

zwF ei X

+ ND = ND NA = NA .

@QFPSA

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QFI rlleiter!qrundlgen

IPQ

eildung QFIIX hemtishes fndermodellD ustndsdihte und permi! erteilung sowie vdungstrgerdihten fr A intrinsisheD A n! und A p!rlleiterF
0 ND,A ezeihnt dei die enzhldihte der niht ionisierten Donatoren zwF AkzeptorenF pr trstellenkonzentrtionen von 1017 cm3 D wie sie fr p! zwF n!hotierung lih sindD niht er fr hohe hotierungen9 p+ oder n+ @1018 cm3 AD gilt in guter xherungX

0 ND = ND 1 + e

ED EF kB T

@QFPTA

und nlog

0 NA = NA 1 + e

EF EA kB T

@QFPUA

her llgemeine pllD wo gleihzeitig p! und n!hotierung vorliegtD ist nur numeE rish lsrD reine n! oder p!hotierung knn @mit den oen ngegeenen pormelnA diskutiert werdenF pr die n!hotierung lutet die vsungX
1

n 2 ND

1+

1+

ND 4 NL e

EL ED kB T

@QFPVA

sie eshreit fr kleine emperturen ds egime der trstellenreserveD dnn den irshpfungszustnd @der DonatorenA und fr hohe emperturen den feE reih der intrinsishen rgerkonzentrtionF hie vge der Fermi-Energie verhlt

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IPR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIPX oenX ulittive ehngigkeit der ilektronenkonzentrtion n im veitungsnd eines n!rlleiters von der empertur fr zwei vershiedene hontorkonzentrtionen ND > ND F untenX ulitE tive vge der permi!inergie EF (T ) ei demselen Halbleiter in ehngigkeit von der empertur @gezeihnet nh IRAF

sih entsprehendX fr T = 0 K liegt sie in der witte zwishen ED und der veiE tungsndunterknte EL D reiht im mittleren emperturereih von EL weg und endet im intrinsishen fereih in der witte zwishen ED und EV D lso uf Ei F hie experimentelle festimmung der vdungstrgerdihten in ehngigkeit von der empertur geshieht unter fenutzung des rll!i'ektsF fei hotierungskonzentrtionen zF fF von 1017 cm3 ei Si @n+ zwF p+ A erE reiht zwF ershreitet mn die sogF kritishe uonzentrtionX die Donatoren zwF Akzeptoren sehen9 einnderF engeregte trstellen!ustnde liegen unter EL oder er EV und die Energielcke des rlleiters wird um einige 10 meV kleinerD gleihzeitig werden weniger trtome ionisiertD ls es ei der entsprehenE den empertur zu erwrten wreF

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QFI rlleiter!qrundlgen

IPS

GaAs (El) Ge (El) Ge (Loch) Si (El) Si (Loch) GaAs (Loch)

Beweglichkeit [m /(V s)]

0.1

0.01

1e+20

1e+21

1e+22 N [m-3]

1e+23

1e+24

1e+25

eildung QFIQX feweglihkeit ls punktion der ilektronen!uonzentrtion in qeD SiD GaAs ei umtemperturISF

eildung QFIRX hemtishe ehngigkeit der feweglihkeit in einem Halbleiter von der empertur ei treuung n hononen und n geldenen trstellen @gezeihnet nh IRAF

3.1.5 Leitfhigkeit in Abhngigkeit von Dotierkonzentration und Temperatur


sm qegenstz zu den wetllen trgen ei den rlleitern niht nur ilektronen n der permi!unte zur elektrishen veitfhigkeit eiD sondern es mssen die von ilektronen zwF vher esetzten ustnde im unteren veitungsnd zwF oeren lenznd erksihtigt werdenF heshl sind qrssen wie die feweglihkeiten n und p immer ls wittelwerte ufzufssenD die uh vom elektrishen peld E hngen knnenY die folgenden eussgen gelten fr reltiv kleine peldstrkenF yhne hiskussion von hetils leit festzuhltenD dss die vdungstrger zum einen huptshlih n kustishen hononen und ndererseits n geundenen trstellen @ionisierte Donatoren und AkzeptorenA gestreut werdenF fei niedE

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IPT
100

fuelemente und hltungstehnik

T=300 K

pTyp (Bor) nTyp (Phosphor)

10

1 Spez. Widerstand [ m]

0.1

0.01

0.001

0.0001

1e05

1e06 1e+18

1e+19

1e+20

1e+21

1e+22

1e+23

1e+24

1e+25

1e+26

1e+27

Strstellenkonzentration [m3]

1 T=300 K pTyp (GaP) nTyp (GaP) pTyp (GaAs) pTyp (Ge) nTyp (Ge) nTyp (GaAs)

0.1

Spez. Widerstand [ m]

0.01

0.001

0.0001

1e05

1e06 1e+20

1e+21

1e+22

1e+23

1e+24

1e+25

1e+26

1e+27

Strstellenkonzentration [m3]

eildung QFISX pezi(sher iderstnd in ehngigkeit von der uonzentrtion fr vershiedene HalbleiterF rigen hotierkonzentrtionen eohtet mn den temperturhngigen iin)uss der hononenD ei hohen hotierkonzentrtionen ist die emperturhngigkeit sehr klein und die feweglihkeit ist um I!P qrssenordnungen verringertF hie hiskussion der emperturhngigkeit der veitfhigkeits!wesskurven ist noh etws shwierigerD denn zur T !ehngigkeit der feweglihkeiten ist die der rgerkonzentrtionen zustzlih zu edenkenF ehr viel einfher dgegen sind die iderstnds!uonzentrtionskurvenD sie spiegeln einen eindeutigen usmmenhng wiederF er eine ordentlihe R!pitzen! wessung des iderstnds durhfhrtD knn ei eknntem hotierungstyp uf die hotierungskonzentrtion rkshliessenF hs ohmshe erhlten der veitfhigkeit von rlleitern gilt is zu peldE strken von typisherweise 103 ! 104 V/cm @mterilhngigAF sn den ktuE ellen HalbleiterBauelementen mit umikrometer!grossen snhomogenitten

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QFI rlleiter!qrundlgen

IPU

eildung QFITX ekomintionsprozesse @gezeihnet nh zeITAF im eufu knnen peldstrke!erte von 105 ! 106 V/cm uftretenF hie hriftgeE shwindigkeit erreiht ei ilizium @vher und ilektronenA einen ttigungswert von 107 cm/sD woei vor llem die ehselwirkung der vdungstrger mit den optishen hononen hierfr verntwortlih istF @hiese ttigungswerte sind hher ls die des GaAsY llerdings zeigen qxD GaAs und sn ei kleineren peldstrken ein deutlih hher liegendes wximum in vd (E)F

3.1.6 Rekombinationsprozesse und Ladungstrgertransport: Grundgleichungen zur Funktion von HalbleiterBauelementen


enn in einem physiklishen ystem die fedingung des thermishen qleihgeE wihts verletzt istD git es stets rozesseD die ds ystem wieder ins qleihgewiht zurk ringenF ird eispielsweise @in einem elieig dotierten HalbleiterA durh optishe enregung lokl die Ladungstrgerdichte erhhtD so dss p n = n2 giltD i so relxiert sie m inde wieder zu p n = n2 F sm Halbleiter geshieht diesD nders i ls im wetllD wesentlih durh die sogF RekombinationsprozesseF eildung QFIT git die grundlegenden Rekombinationsprozesse der Halbleiter wiederF sn eildung QFIT @A ist die sogF ilektron!voh!ekomintion gezeigtX ds ilektron mht eine fnd!fnd!ekomintionD die ergngsenergie wird n ein hoton @strhlender ekomintionsprozess9AD wihtigster rozess ei direkten rlleiternD oder n ein freies ilektron im veitungsnd zwF n ein freies voh im lenznd @9nihtstrhlender ekomintionsprozess9A gegeenF sm weiteren werden die fr indirekte Halbleiter wie Si so wihtigen trstellen!ekomintionsprozesse ufgezeigtF iine tiefe trstelle in @AD vereinE fht mit einem einzigen inergieniveu ngenommenD knn ilektronen zwF vE her trppen9 und wieder freisetzenY vershiedene trstellen mit mehreren inerE gieniveus esitzen noh mehr ekomintionsmglihkeiten @AF fesonders e'ektiv wirken trstellen in der witte der fndlkeF @heshl sind eu! oder gu!erunreinigungen im Si iF llgF gefrhtetFA qezielt eindi'undierte tiefe trstellentomeD hohenergetishe elektromgnetishe trhlung und enerE giereihe rtikelstrhlung ermglihen esD die ekomintionsrten lokl kontrolE

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IPV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIUX ilektronendi'usion mit ekomintionsprozessen @gezeihnet nh ISAF liert zu erhhenF weist muss mn er tiefe rps unedingt vermeidenF hie mkehr der ekomintionsprozesse von eilild @AD nmlih der direkte optishe ergng @ei direkten Halbleiter wie GaAsA zwF die tossionistion @von ilektronen im lenzndA ei hohen elektrishen peldern geen zwei ege zur irzeugung zustzliher vdungstrger im thermishen xihtgleihgewiht nF hie lokl erhhte ilektronen! zwF vherkonzentrtion zerfllt rumlih durh hi'usion @ufgrund der zuflligen thermishen fewegung der vdungstrgerA und zeitlih durh die oen eingefhrten ekomintionsprozesseF her trom von ilektronenD der in der eildung QFIU von links den yrt x erE reihtD wird ufgrund der vorhndenen ekomintionsprozesse im egintervll dx um den fetrg djn geshwhtF smmer wenn in rlleiter!fuelementen hiE stnzen vergleihr oder grsser ls die sogF Diusionslngen der ilektronen Dp p A sindD verndert die oder der der vher @Ln = Dn n zwF Lp = ekomintion entlng des egs die tromdihe der ilektronen oder vherF hie entsprehenden hi'usionslngen in Si und qe etrgen F 10 mmF @hie in GaAs F 0,1 mmFA ur feshreiung von SiBauelementen drf die fr den intrinsischen Halbleiter in upitel QFIFP ngegeene hriftstromdihte @drift urrentA um eine hi'usionskomponente erweitert werdenF roleme mit vdungstrger! uonzentrtionsgrdienten werden so ehndelrF hie Volumenstromdichtengleichungen lutenX

jn = |en | n E + |e| Dn grad n , ondution urrent9 C di'usion urrent9 jp = |ep | p E + |e| Dp grad p ,
und

@QFPWA @QFQHA @QFQIA

j = jn + jp ,

mit Dn und Dp ls Diusionskonstanten @9di'usion oe0ientD di'usion onstnt9AF hmit im rlleitermteril im qleihgewihtszustnd Ladungsneutralitt herrshtD muss j = 0 seinF hies ist ei schwach dotierten Halbleitern

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QFI rlleiter!qrundlgen

IPW

die einzige fedingungF fei stark dotierten Halbleitern jedoh muss fr die einzelnen vdungstrgerrten jn = 0 und jp = 0 geltenF
Nebenbemerkung X

sm plle der nihtentrteten Halbleiter gilt die iinsteinreltion Dn = kB T n e und Dp = kB T p D die die tshe wiedergeenD dss die hi'usion der vdungsE e trger von ihrer feweglihkeit hngtF hie ngegeen qleihungen enthlten noh keine wgnetfeld!i'ekteF fei kleineren E !peldstrken @in GmA gilt fr den @fr fuelemente esonders interessntenA eindimensionlen pllX

jn = |en | nEx + |e| Dn

kB T dn dn = |e| n nEx + dx e dx

@QFQPA

pr jp gilt die nloge qleihungF nter usserem iin)uss @optishe enregungD hohe elektrishe pelderA knnen im HalbleiterVolumen lso lokl ilektronen und vher generiert werdenX exess onentrtion of rriers9F hie zugehrigen Generationsraten ezeihnen wir mit Gn und Gp @in cm3 /sAF enlog fhren wir Rekombinationsraten Rn und Rp einF hie sogF Kontinuittsgleichung luten dmitX

und

n = Gn Rn + t p = Gp Rp + t

1 div jn , |e| 1 div jp . |e|

@QFQQA @QFQRA

sm eindimensionlen pll und unter der fedingungD dss die injizierte ladungstrgerdichte sehr viel kleiner ls die wjorittsldungstrgerdihte ist @low inE jetion ondition9A giltX dn n Rn = , @QFQSA dt n woei n die eweihung der winorittsldungstrgerdihte vom thermodynmiE shen qleihgewiht ngitY n steht fr die veensduer der @winoritts!A ilekE tronendihteF sn elektrish neutrlen umteilen gilt n = pF sm eindimensionlen pll gilt weiterX

n n E n 2n = Gn + nn + n Ex + Dn 2 , t n x x x
und nlog

@QFQTA

p p E p 2p = Gp + pp + p E x + Dp 2 . t p x x x

@QFQUA

iinfhe feispiele fr die enwendrkeit dieser qleihungen sindX IF nHalbleiter unter feleuhtung @festimmung der winorittsldungsduer nh tevenson und ueyesAF

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IQH

fuelemente und hltungstehnik wit n et/ zerfllt nh dem eshlten die xihtgleihgewihtskonzenE trtionF fei intrinsishen rlleitern sind die veensduern typisherweise > sF fei dotierten rlleitern sind n zwF p strk von der hotierkonzenE trtion hngigD die erte reihen von 1 ns @ei 1021 cm3 A is 10 s @ei 1015 cm3 A ei SiF

PF ershussldungstrger!snjektion von einer eite @festimmung der hi'uE sionslngenAF QF unktfrmige optishe enregung mit und ohne elektrishes peld @hi'usionsE experiment nh ryes und hokelyAF RF yer)hen!ekomintionF hie tsheD dss ein rlleitereinkristll ein inde htD edeutetD dss er imE mer n dieser yer)he loklisierte trstellen esitztF heren hihte knn sehr gross sein @F 1015 cm2 AF inergetish liegen sie gerde zwishen EV und EL und dmit ilden sie tiefe Oberchenstrstellen @surfe trpping enters9AF @pr vollkommen suere yer)hen nennt mn diese yerfhenzustnde nh ihrem intdeker mm!ustndeF ie sind edingt durh die freienD ungestE tigten lenzen der in ihrer vge leiht vershoenen yer)hentomeF qeunE dene premdtome ewirken eenflls trstellen mit llerdings deutlih nderen iigenshftenF wn trhtet immer dnhD diese zu vermeidenFA hie oigen uonE tinuittsgleihungen sind entsprehend zu ergnzenD fr ilektronen lutet sieX

jn = |e| Sn n eA ,

@QFQVA

dei wird eA ls iinheitsnormlenvektor n der yer)he des rlleiters und Sn ls OberchenrekombinationsGeschwindigkeit @surfe reomintion veloity9A eingefhrtF hie OberchenrekombinationsGeschwindigkeit hE rkterisiert jedes snterfeD nur ei einer hotierungsgrenz)he @p!n oder n!n+ A ist sie vernhlssigrF eshliessend einige hlenX fr MetallHalbleiterKontakteX fr i!SiO2 !qrenz)henX

Sn 106 cm/s , Sn 1 cm/s .

hen wihtigen enwendungsfll der snjektion durh vorwrtsgespnnte p!n! ergnge ehndeln wir spterF @sn den qleihungen qleihung @QFQTA und qleiE hung @QFQUA sind im plle der p!n!hiode die qrssen n durh np und p durh pn zu ersetzenD sprih ilektronen @winorittsldungstrgerA im p!qeietD vher @eenflls winorittsldungstrgerA im n!qeietFA

3.2 Phnomene elektrischer Kontakte


3.2.1 Grundlagen
iin elektrisher uontkt zwishen zwei wedien estehtD wenn durh ihre qrenz)E he ein vdungstrgertrnsport mglih istF sm polgenden etrhten wir einigeD fr die HalbleiterBauelemente relevnte feispieleX

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QFP hnomene elektrisher uontkte

IQI

IF hie rupte qrenz)he vershiedener hotierungen in einem Halbleiter EinkristallX p!n!ergnge @homo!juntions9AF PF hie zwishen vershiedenenD epitktish gewhsenen HalbleiterSchichtenX retero!ergnge9 @hetero!juntions9A @fspF GaAs AlGaAsAF qrenz)he

QF qrenz)hen zwishen zwei wterilienX @wetll!kuumDA Metall HalbleiterX hottky!hioden und ohmshe uontkteF RF qrenz)hen zwishen drei wterilienX wetll!ssoltor!rlleiterX wy! ergnge @metll!oxide!semiondutorAF hie irkungsweise der elektrishen fuelemente eruht meist uf dem vdungsE trnsport durh uontkteF hieser ist prktish usshliesslih durh den ortsE hngigen erluf der potentiellen inergie der vdungstrger in der unmittelren mgeung der qrenz)he festgelegtF hen sogF otentilverluf V (x) erhlt mn durh hivison der potentiellen inergie fr ilektronen @zwF fr vherA mit e zwF @+eAF rshe fr diese yrtshngigkeiten sind RaumladungenD im qegenstz zum wetll!wetll!uontktF hen formlen usmmenhng zwishen dem elektrishen otentilD uh wkropotentil gennntD und der gesmten elektrishen Ladungstrgerdichte (x) liefert @fr sttishe oder niederfrequente fetrhtungenA die PoissonGleichung der ilektrosttikX

1 2 V (x) = (x) . x2 0

@QFQWA

sn dieser eindimensionlen porm ist sie pixpunkt der folgenden qusiklssishen feshreiung der llmhlihen fndveriegungD deren uslsende rshe ideleD uh rupte hotierwehsel sein knnenF iinen eusgngspunkt zur irklrung eines uontktphnomens ietet ds Bnderschema rund um die eene qrenz)he im thermodynamischen GleichgewichtF er den uontkt hinweg ist die Fermi-Energie im gnzen fuelement konstntY im fndshem liegt sie lso stets wgrehtF her resultierende trom von vdungstrgern einer estimmten inergie ist in jeder umrihtung gleih xullF @irinnerungX hs hemishe otentilD dF hF die nderung der freien inerE gie mit der eilhenzhl ei konstntem olumen und konstnter emperturD ist gleih der permi!qrenzenergieFA

3.2.2 pnbergnge
henken wir uns einen SiKristallD der inhomogen dotiert wurdeD in dem in der linken rlfte Akzeptoren @fD elD qA und in der rehten Donatoren @D esD A eingerht wurden @siehe hotierverfhrenD spterAY zur ereinfhung nehmen wir einen rupten ehsel der trtomsorten nF hie eildung QFIV git den qng der ergumenttion wiederF

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IQP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIVX ulittives hem eines p!n!ergngs im thermishen qleihE gewiht ei umtempertur @gezeihnet nh shEvthIRAF fehten ie itte die logrithmishe euftrgung3 unhst denkt mn sih die eiden uristllhlften getrenntY die Fermi Niveaus liegen in eiden qeieten vershieden hoh ezogen uf diesele inergiesE

klF pr T 300 K sind die trstellen nhezu vollstndig ershpftD EF liegt entE sprehend oerhl von EA zwF unterhl von ED @AF sm nhsten hritt setzt mn die eiden eile zusmmenX im thermishen qleihgewiht muss ds permi! xiveu ls elektrohemishes otentil @EF = EF + eU A gleih hoh und wgreht seinF sm ergngsereih kommt es zu einer sogF fndveriegungD whrend usE serhl die eusgngslgen ungendert erhlten leien @AF hie ereits eingefhrte oissongleihung qleihung @QFQWA verknpft die urmmung des wkropotentils mit einer Raumladung (x)D die er den sogF umldungsereih oder die sogF Raumladungszone usgedehnt ist @dAF sm plle der trstellenershpfung sind links @fstA lle Akzeptoren gelden @NA A und rehts eenso @fstA lle Donato+ ren @ND AF eusserhl der Raumladungszone herrsht vdungstrgerneutrlittY links sorgen die positiven vher ls wjorittsldungstrger @pp A hierfrD rehts

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QFP hnomene elektrisher uontkte


V (x)

IQQ

eN D

ex ( x )

+ 0
-d p

V ( )

-d p
dn

dn

a -eN A

x b

x c

0
V ( -)

eildung QFIWX hs hottky!wodell der Raumladungszone eines p!n! ergngs @ei x = 0A @eihnung nh shEvthIRAF die negtiven ilektronen ls wjorittsldungstrger @nn D sprih ilektronen @nA im n!qeietA @eAF hie frei eweglihen vher und ilektronen di'undieren ufE grund des uonzentrtionsgrdienten ins ngrenzende n! zwF p!qeietF hort sind sie winorittsldungstrger und ihre uonzentrtionen werden ls np @ilektronen im p!qeietA zwF pn @vher im n!qeietA geshrieenY sie rekominieren krftig mit den vorhndenen wjorittsldungstrgernF polglih leien die vdungen der ionisierten uneweglihen trstellen im fereih der Raumladungszone unkomE pensiertY im p!qeiet leit lso eine negtiveD im n!qeiet eine positiveD ortsfeste Raumladung rigF hieses elektrishe peld der inneren hiode9 ist rshe fr peldstrmeD die den hi'usionsstrmen der vher und ilektronen im thermishen qleihgewiht entgegen)iessen und ihnen die ge hltenF @eufgrund der endliE hen empertur werden stndig und erll ilektron!voh!re generiert und diese rekominieren ntrlih wiederFA sm thermishen qleihgewiht gilt uh im umldungsereih n p = n2 F i hie sih einstellende hi'usionsspnnung VD @mximle hi'erenz des elektrishen otentils V (x)A hngt ntrlih von den hotierkonzentrtionen X

eVD (T ) = kB T ln

pp (T )nn (T ) < Eg . n2 i

@QFRHA

p hie veitungsndknte ist dnn EL eV (x) und die ortshngige ilektronennE zhldihte lsst sih @im plle des nihtentrteten rlleitersA ngeen mitX L Ne p EL eV (x) EF exp kB T

n(x) =

@QFRIA

hie ferehnung des erlufs der umldungsdihte (x) ist shwierigF pr den rupten p!n!ergng greift mn dher zum hottky!wodell9 der RaumladungszoneF sn eildung QFIW ist dies wiedergegeenF her uneknnte (x)!erluf wird durh ustenfunktionen ngenhertF hie zuE gehrige oissongleihung ist leiht lsrD mn erhltX

Ex (x) =

e ND (dn x) , 0 e V (x) = Vn () ND (dn x)2 , 20

@QFRPA @QFRQA

und dmit die fndverlufeF hie eusdehnungen der Raumladungszone @dn +dp A

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IQR knn mn estimmen zu

fuelemente und hltungstehnik

dn =
und

20 VD NA /ND e NA + ND 20 VD ND /NA e NA + ND

1/2

,
1/2

@QFRRA @QFRSA

dp =

fei Si und ei typishen trstellenkonzentrtionen von 1014 1018 cm3 eE trgt VD 0,5 0,8 V < Eg und es sind eusdehnungen von dn zwF dp von IHHH ! IH nm zu erwrtenF hie peldstrken in den umldungszonen liegen zwishen 104 und 106 V/cmD die peldstrme zwF die kompensierten hi'usionsstrme ei einigen kA/mm2 F hs sind etrhtlihe erte3

iin zentrler hritt ei der Herstellung von pnDioden ist die DotierungF is git hierzu mehrere priktionswegeF hie einfhste ert ist in eilild A von eildung QFPH gezeigtX durh irwrmen wird der festeD im direkten uontkt steE hende hotiersto' ufgeshmolzen und einlegiertF he(nierter sind die nhsten eiE den yfen!hi'usionsprozesseF sm eilild A wird nh der gross)higen hi'usion @ei 800 1200 CA der uontkt lterl durh einen tzprozess festgelegtY es entsteht eine wesstruktur9F sm eil A dgegen wirdD wie heute llgemein E lihD durh eine 'nung in einer yxidmske eindi'undiertF hie seitlihe hi'usion unter die yxidmske ist llerdings unvermeidlih und egrenzt die erzielre lE terle eu)sungF sm modernen wy!rozess shliesslih kommt ds letztgezeigte erfhren zum iinstzF wit rilfe eines sonenimplnters9 werden ei feshleuniE gungsspnnungen zwishen SH und QHH ke ionisierte trtome implntiertF ie sitzen uf veerstellen und in der ruptshe uf wishengitterpltzen und mssen in einem weiteren yfenprozess ei F 900 C erst noh uf qitterpltze gerht werden @elektrishe ektivierung9AF fei der hi'usion helfen einem mehrere glklihe mstndeF irstens ist die vsE lihkeit von esD f und in Si grsser ls die von zF fF guD eu oder yF um zweiten ist der hi'usionskoe0zient der gngigen hotiersto'e gerde kleinD dF hF ionenimE plntierte hotierpro(le unter der yer)he erstehen den ektivierungsprozess und nhfolgendeD mit hohen emperturen verundene rozessshritte reltiv unE eshdetF hie yfen!gesttzen hotierprozesse und die sonenstrhl!gesttzten hotierE methoden erzeugen untershiedlihe hotierpro(le unter der iliziumoer)heD siehe fild QFPI wehrere sonenimplntier!rozessshritte mit untershiedlihen feshleunigungsenergien ermglihen die enlge von in der iefe gest'eltenD usgedehnten oder modulierten hotierpro(len @verglF gwy!rerstellungAF

Dotiertechniken

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QFP hnomene elektrisher uontkte

IQS

eildung QFPHX iinige rerstellungsmethoden fr p!n!hioden @gezeihnet nh zeITAF

3.2.3 Vorgespannte pnbergnge  gleichrichtende Dioden


vegt mn eine zeitlih konstnteD ussere pnnung U n einen p!n!ergngD so erhlt mn einen sttionren ustnd nhe m thermishen qleihgewihtF hie permi!inergie ls elektrohemishes otentil neigt sih jedoh niht gleihmsE sig zur positiv vorgespnnten eiteD sondern es fllt fst der gesmte fetrg von U er der Raumladungszone F hiese ht einen wesentlih hheren elektriE shen iderstnd ls die neenliegenden rlleiter!qeieteF her qrund liegt in der oen eshrieenen ekomintion von freien vhern und freien ilektronenY die Raumladungszone ist gekennzeihnet durh eine errmung n freien vE dungstrgern @sogF errmungszoneAF er der Raumladungszone flle lso jetzt sttt der hi'usionsspnnung der ert

VD U = Vn () Vp ()

@QFRTA

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IQT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFPIX ergleih der hotierpro(leD die mit rilfe eines yfenprozesE ses @oenA und der sonenimplnttion hergestellt wurdenD shemtishITF

F intsprehend dem orzeihen untersheidet mn zwei plleX IF


+ p VD U n -

@p!eil positiv gegen n!eilAX plussrihtung oder hurhlssrihtung9 otentilhheX eVD eU D die hi'usionsspnnung wird erniedrigtF @p!eil negtiv gegen n!eilAX perrrihtung otentilhheX eVD + eU D die hi'usionsspnnung wird erhhtF

PF
p

VD U n +

hie eusdehnung der Raumladungszone ndert sihX in plussrihtungs!olung wird sie shmlerD in perrrihtungs!olung wird sie reiterF eufgrund der errE mung n freien vdungstrgern ht dies direkte polgen fr die veitfhigkeit der gesmten enordnungD wir hen eine hiodeF eildung QFPP git die erhltnisse fr den pll des ereits eingefhrten symE metrishenD rupten p!n!ergngs wiederF sn hurhlssrihtung erniedrigt sih die otentilhheF m nherungsweise eine feshreiung der fesetzung der fnE der mit rilfe der foltzmnn!ttistik zu ermglihenD werden stt des permi! xiveus forml zwei sogF usi!permi!xiveus fr die ilektronen und fr die vher eingefhrtD owohl strenggenommen kein thermishes qleihgewiht mehr herrshtY ds wssenwirkungsgesetz gilt in der Raumladungszone niht mehrF @hs permi!xiveu liegt in der witte zwishen den usi!permi!xiveusFA hie vdungstrgerdihten sind erhhtD ihre euslufer reihen di'usionsedingt in die neutrlen qeieteF hie ilektronen lufen von rehts gegen die otentilE

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QFP hnomene elektrisher uontkte


Durchlassrichtung p
+

IQU
Sperrrichtung p
-

n
-

n
+

p EL

n
-e ( D - U ) V n EL n E F -eU
n EL

E
p EL p EF p EV

n
-e ( D + U V
n EL n EF n EL

p EF p EV

a log n,p
pp ni np

a 0
nn
ni

log n,p
pp ni np

0
nn
ni

pn

pn

b
-d p

b 0 -dn x 0 -dn x

eildung QFPPX hem eines p!n!ergngsD der in hurhlss! zwF perrrihE tung gepolt ist @xihtgleihgewihtszustndeA @gezeihnet nh IRAF shwelle und ein fruhteil erwindet diese gemss dem foltzmnnfktor

exp

e (VD U ) kB T

her trom in hurhlssrihtung hngt lso strk von der ngelegten pnE nungF eil in plussrihtung die rgerdihten grsser sind ls die qleihgewihsE dihtenD erwiegt die ekomintionX der vdungstrnsport erfolgt durh einE di'undieren von ilektronen und vhern in die neutrle one und ihre dortige ekomintionX ekomintionsstrme9F sn perrpolung ist es ndersX die rgerdihten in der Raumladungszone und in den nheliegenden neutrlen onen sind unter den qleihgewihtswertenY ds ystem ntwortet mit einer thermishen xetto!qenertion von vdungstrgern in diesem fereihF sm elektrishen peld der Raumladung werden ilektronen us dem p!qeiet ins n!qeiet und vher us dem n!qeiet ins p!qeiet @peldstrE me der winorittsldungstger9A gezogenF hiese qenertionsstrme9 sind prktish unhngig von der otentilhhe und lso unhngig von der ngelegten pnE nungY sie sind proportionl zu den entsprehenden rgerdihtenF ie liefern den perrstrom der hiodeF fildet mn die umme der ekomintions! und qenertionsstrme von vE hern und ilektronenD so erhlt mn fr die uennlinie eines p!n!ergngs @nur

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IQV
p
neutrale p-Zone

fuelemente und hltungstehnik


n
RL-Zone neutrale n-Zone

+-

Diff Gen

+Diff

+-

Ln

I (U )

Lp

eildung QFPQX hemtishe hrstellung des ustndekommens des perrstroE mes einer p!n!hiode mit enge des jeweils egrenzenden weE hnismuses@gezeihnet nh IUAF fr die innere hiode9D ohne fhnwiderstndeAX

I(U ) =

I gen (np ) + I gen (pn )


ISttigung

exp

eU mkB T

1 .

@QFRUA

hiese qleihung eshreit ds erhlten der winorittsldungstrgerF hiese werE den lufend m nde der errmungszone geildetF her orfktor ist mterilE hngigF
I Sperrrichtung p n + + Durchlassrichtung p n -

gen gen -(I n + I p )

eildung QFPRX hem der trom!pnnungs @I !U A!uennlinie eines p!n! ergngs@gezeihnet nh IRAF hies ist die eknnteD extrem symmetrishe qleihrihter!uennlinie der hiodeD wie sie im fild unten gezeigt wirdF m ist ein uorrekturfktor @sdelittsfktor9AF wssgeend fr diesen uurvenverluf ist lso der otentilverluf m p!n! ergng und der ekomintions!GqenertionsmehnismusF Nebenbemerkung X hie ferehnung von IS und m ist fr pezilflle von hokley und witreitern

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QFP hnomene elektrisher uontkte

IQW

Widerstandsbereich

Injektion bei hohen Energien

Injektion bei niederen Energien

Vbr
0.5 1

RaumladungsRekombinationszone

RaumladungsRegenerationszone

I V
LawinenVervielfachungszone

eildung QFPSX I !U !uennlinie einer p!n!hiode mit den qeltungsereihen verE shiedener heorien zwF i'ekte @gezeihnet nh ISAF durhgefhrt wordenF pr den pll der sogF hi'usionsstrom!xherung ei geringer vdungstrgerinjektion lutet die vsungX

j(U ) =

eDp eDn pn + np Lp Ln

exp

eU mkB T

@QFRVA

und eshreit einen uennlinienshnitt im hurhlssereihD vergleihe fild QFPSF hiese qleihung verknpft lle in upitel QFIFT eingefhrten qrssen in einE fher eiseF xiht mehr gltig ist die uennlinienformel oerhl der hurhruhspnnungY die rshe hierzu knn eine im peld der Raumladungszone usgelste tossioniE stion sein @e us lenznd ins veitungsndAD die sih lwinenrtig vermehrt @vwinene'ekt9D vwinendurhruh9D vdungstrgermultipliktion9A oder er der sogF enere'ektD ein unnele'ekt vom lenznd im p!eil zum veitungsE nd im n!eilF Nebenbemerkung X iski!hioden @sehr hoh und steil dotierte hiodenA zeigen unnele'ekte fr eide olungenF Nebenbemerkung X ymmetrishe rupte p!n!ergnge sind seltenD meist (ndet mn symmeE trishe ergnge mit fertigungsedingten usgeshmiertem hotierpro(lF ele uennlinien weihen deshl von der oen gezeigten pormel hu(g F eshliessend soll noh uf die kpzitive irkung der in der Raumladungszone gespeiherten vdung hingewiesen werdenF wit dem enlegen einer usseren pnnung ndert sih die oneD dF hF mn trnsportiert wjoritts! und winoriE

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IRH
1010

fuelemente und hltungstehnik

pF

Ge

Si

m2
10 9
GaAs

108
Ge

C/A

Si

GaAs

10

106

105

-1.0

-0.5 U

0.5

eildung QFPTX perrshihtkpzitt @strihpunktiertAD hi'usionskpziE tt @gestriheltA und qesmtkpzitt @voll usgezogenA je plheneinheit einer p+ n!hiode ls punktion der hiE odenspnnung U fr immertemperturD erehnet fr qeX ND = 1021 m3 D NA = 1024 m3 D p = 103 s Y iX ND = 1021 m3 D NA = 1024 m3 D p = 103 s Y GaAsX ND = 1021 m3 D NA = 1024 m3 D p = 103 s F @gezeihnet nh IUA ttsldungstrgerY im ersten pll entspriht dies der sogF perrshihtkpzittD im zweiten pll der sogF hi'usionskpzittF

3.2.4 Heterobergnge
wit der erfgrkeit moderner ipitxieverfhren wie der wolekulrstrhlepitE xie und der qsphsenepitxie @wfiD moleulr em epitxyD oder wyghD metl orgni hemil vpour depositionAist es mglih gewordenD zwei vershieE dene Halbleiter kristllin ufeinnder ufzuwhsenF um feispiel GaAs und eles oderD mit tolerlen orspnnungenD iqe uf SiF wit der rition der uE smmensetzung der vegierung @zF fF us qelesA knn mn die Energielcke @zF fF zwishen 1,4 2,2 eVA gezielt einstellenF hie ergnge knnen extrem shrfD dF hF uf tomrer kl von vge zu vge wehselndD hergestellt werdenF @hihtverfhrenD siehe spteres upitelAF s geshieht nunD wenn mn die eiden Halbleiter in uontkt ringtc is git zwei untershiedlihe qesihtspunkteX erstens muss es ufgrund der untershiedliE hen fndlkenreiten sogF Banddiskontinuitten EV und EL geen und zweitens wird es " genu wie eim p!n!ergng in Si " eine Raumladungszone und lso uh Bandverbiegungen geenD nur dss es hierfr mehr wgE lihkeiten git @n!nD p!pD p!nD etFAF

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QFP hnomene elektrisher uontkte


Halbleiter I Halbleiter II

IRI

Evac Evac
X II XI
I EL II EV II EV II EL EF

DE L

EF

EF
DEV

EF

EL

EV
c

eildung QFPUX BnderschemataD die sih ei der fildung einer reterostruktur us den rlleitern s und ss ergeen@gezeihnet nh IRAF hie enpssung der eiden fndstrukturen neinnder erfolgt von Atomlage zu AtomlageD die elektrishen pelder sind lso in der qrssenordnung tomrer pelder @ 108 V/cmAD sie sollten lso die fnddiskontinuitten festlegenF hs von enderson stmmendeD in vielen fhern zitierte wodell sieht dies uh so vorX die Bnderschemata der eiden Halbleiter sind so zusmmenzusetzenD dss die kuum!inergieniveus Evac @oder E A gleih sindF pr die hiskontinuitt des veitungsndes EL knn mn us eildung QFPU direkt lesenX

EL = I II = ,

@QFRWA

mit den ilektronen0nitten i D den hi'erenzen zwishen Evac und den unteren veitungsndkntenF @irinnerungX hs sogF kuumpotentil ist die potentielle inergie des ilektrons im kuum in unendliher intfernung vom uristllvolumenF is giltX = EL E F wn knnte uh die eustrittsreiten = EF E zur hiskussion hernziehenFA hs enderson!wodell liefert er niht die rihtigen erteD weil die ereits frher ngesprohenen elektronishen qrenz)henzustnde lokl ls Donatoren oder Akzeptoren zustzlih wirksm sindF ir folgen sh und vthsIR phE nomenologisher orgehensweise und entzen fr EL zwF EV experimentell gefundene erteF hie fndveriegungen erhlten wir uf diesele eise wie ei der SiDiodeF sm thermishen qleihgewiht sind die durh eventuelle hotierungen festgelegE ten permi!xiveus gleihY ds edingt einen vdungstrnsferD ekomintion und

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IRP

fuelemente und hltungstehnik

dmit wieder die eusildung einer RaumladungszoneF ir erwrten wieder usE gedehnte fndveriegungen @typish einige IH nmA und umldungsstrken in der qrssenordnung 105 V/cmF hie einfhste theoretishe feshreiung erfolgt wieder mit dem hottky!wodellD die vershiedenen hielektrizittskonstnten eE wirken er zwei vershiedene hi'usionsspnnungen zwF ussere pnnungenF sn fild QFPV sind die erhltnisse n einem sogF p!x!reteroergng wiedergegeenF hie negative Raumladung im p!eil senkt die fnder wieder zur qrenzshiht hin D die positive Raumladung im n!eil rehts erhht wieder die otenE tileF hie hiskontinuitt EV ersheint ls senkrehtes erindungsstk in der qrenz)heF
p-Halbleiter (I) n-Halbleiter (II)
I

d
I eI , NA

d II
II e II , N A

EF
I eVD II eVD

DEV

eildung QFPVX Bnderschema eines HalbleiterHeterobergangs @gezeihE net nh IRAF rohinteressnte physiklishe iigenshften erhlt mn ei sogF isotypen HeterobergngenY diese sind us vershiedenen rlleitern mit gleiher hotierung zusmmengesetztD lso zF fF ein n!x!ergngF sm n!qeiet der Raumladungszone entsteht eine otentiltopf!rtige AnreicherungsRaumladungszone mit lokl sehr strk ngehoener ilektronenkonzentrtionY dei knn die hoE tierung im n!qeiet fst intrinsish seinD eine krftige hotierung im x!qeiet liefert j die vdungstrgerF hie zurkleienden ionisierten hontortome sind ufgrund der rumlihen rennung niht mehr in der vgeD den ilektronentrnsE port in der qrenz)he durh treuung zu shwhenF @rohe hotierung edeutet normlerweise hohe treuungD hier niht3A hiese einseitige hotierung wird Modulationsdotierung9 gennntF fringt mn noh eine F IH nm dike undotierE te hiht zwishen n! und x!qeietD so vermeidet mn die treuprozesse von loklen qrenz)henstrstellen zustzlihF euf diese eise werden extrem hohe 2 feweglihkeiten @> 106 cm A ei tiefen emperturen erreihtF Vs hst mn eine gnze erie von solhen hihtpketen so ufD dss ein sogF Kompositionsgitter entstehtD so ht mn eine gnze eihe von otentiltpfen @sogF untentpfenA zum prllelen tromtrnsport zur erfgung @siehe eilE dung QFQHAF ur uontrolle des hstums verwendet mn sususeXriihF

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QFP hnomene elektrisher uontkte A


E I
+ + - -

IRQ

A
II

N S = 1.14 1016 m -2

EL EF EV

n = 1.5 10 m
dotiert

24

-3

(300 K )

2-dimensional

Fermi-Niveau

0.2 eV
undotiert 5 nm verarmt

GaAs

Al 0.35Ga 0.65As

eildung QFPWX Modulationsdotierter Heterobergang @gezeihnet nh IRD IVAF

E I
++ - +++ - -

II I
+++

II
+ - -

EL EF

EV
z
eildung QFQHX Bnderschema eines modultionsdotierten ergitters @gezeihnet nh IRAF uompositions!

enn die hihtdiken gengend klein sind und dmit die untentpfe geE ngend eng @< 10 nmAD so treten in der ihtung senkreht zur hiht neue untisierungse'ekte ufF enshulihX die vdungstrger sind in einer ihtung eingesperrtD senkreht dzu in der uontkteene sind sie frei eweglihF hie theoretishe ntersuhung lst iF llgF die zeitunhngige hrdingergleiE hungY im einfhsten pll nimmt mn in der relevnten ihtung ein unendlih hohes ehtekpotentil nD den pll des isotropen reteroergngs lst mn nE herungsweise mit einem hreiekspotentilF eildung QFQI zeigt die neuen inerE gieeigenwerteD die zugehrigen under und die konstnte @3A ustndsdihten

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IRR

fuelemente und hltungstehnik

0.40

e4
0.30

Energie (eV)

e3

dz
0.20

e2

0.4 eV

dz
0.10

e1
0 0 2 4 6 8 Potentialtopf- oder Barrierenweite dz (nm) 10

eildung QFQIX inergiezustnde von ilektronenD die in rehtekigen otentilE tpfen des veitungsndes eines uompositionsgitters eingesperrt9 sind @gezeihnet nh IRAF der underF pr einen einzelnen untentopf erhlt mn shrfe inergiezuE stndeF sn ergittern knnen er die estnde der otentiltpfe so klein sein @< 10 nmAD dss sih die ellenfunktionen teilweise erlppen und mn erE hlt wieder fndufspltungenY je kleiner die estndeD um so mehr und! eufspltung9D siehe hotolumineszensspektroskopieF

3.2.5 MetallHalbleiterKontakte (Ohmsche Kontakte, SchottkyDioden)


ilektronishe fuelemente entigen elektrishe uleitungen mit geringen erluE stenF elso nimmt mn ein wetll @meist el zwF genuer eine eligu!vegierungD neuerdings guA und dmpft oder sputtert es uf den HalbleiterF nter estimmE ten fedingungen erhlt mn so einen ohmshen uontktD oder er ds qegenteilD nmlih eine hiodeF hie hysik dzu ht vieles mit der ereits ei der p!n!hiode eingefhrten gemeinsmF u feginn sei n die einfhen erhltnisse des wetll!wetll!uontkts erinnert @siehe eildung QFQPAF hs fezugsniveu vor dem uontkt sei wieder Evac @oder E AY die permi! inergie EFi @oder i AD die eustrittsreiten i @oder Wi A und die ilektronenE 0nitten i der eiden wetlle seien ungleihF sm uontkt mssen die eiden permi!xiveus gleih seinX es di'undieren vom wetll mit der kleineren Austrittsarbeit mehr ilektronen zu dem mit der grsseren Austrittsarbeit ls umgekehrt @hermoemissionAD d die trme exp (/kB T ) sindF sn der qrenzshiht ilE det sih eine elektrishe hoppelshiht usD qrenz)henzustnde spielen keine olleF hs otentil ndert sih in der qrenzshihtD @ufgrund der vergleihsweiE se sehr hohen vdungsdihte der wetlleA niht er innerhl der wetlleF is ildet sih lso keine Raumladungszone usD ekomintion knn niht uftreE tenF wn eohtet ds sogF Kontaktpotential VK = 1 |1 2 |D eine direkt e

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QFP hnomene elektrisher uontkte


E(x) vor Metall 1 nach Metall 2 nach Herstellung des Kontaktes vor

IRS

eVK

E
W1

E
- W2 -

+ W1 + +

W2 z2

z1

z1

z2

E L1

E L1

eVG

EL 2

EL 2
x

eildung QFQPX Bnderschema eines wetll!wetll!uontktsF


E(x) Oberflchenladung Raumladung

E Wn
WM zM

e k = M- n V WW

zn
DEi

Metall vor nach nach Herstellung des Kontaktes

Halbleiter vor

eildung QFQQX Bnderschema eines uontkts zwishen wetll und n! rlleiterF messre otentildi'erenz @wessung mittels uelvin!wethodeAY der prung der veitungsndunterknten eVG ist niht messr @sogF olt!pnnungAF hie vE dungstrgerdihten leien trotz des vdungstrnsfers prktish konstntF is giltX

eVK = EF1 + EF2 .

@QFSHA

uomplizierter sind die erhltnisse m MetallHalbleiterKontaktF fetrhE ten wir zuerst den uontkt zwishen Metall und nHalbleiterF feshrnkt mn sih uf den pll WM > Wn mit WM Wn Egap (Ei )D ruht mn nur ds veitungsnd im nHalbleiter mitzunehmen @sogF iinnd! wodellAF ieder sorgt die hermoemission fr die negtive yer)hen!vdung im wetllF hie positive qegenldung im Halbleiter ist er ufgrund der endE

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IRT

fuelemente und hltungstehnik

lihen enzhldihte ionisierrer Donatoren hnlih usgedehnt wie ei der n! one des p!n!ergngsX positive Raumladung durh ortsfeste @ionisierteA DonatorenF hie umldungsdihte knn gnz nlog zur theoretishen feshreiung des p!n!ergngs mit rilfe der oissongleihung entzt werdenD um die sih einstelE lende fndkrmmung uszurehnenF hie potentielle ustndsenergie ist gegener EF erhhtD ds fnd krmmt sih in der vdungszone nh oenD die ndshiht verrmt n wjorittsldungstrgernF feim uontkt zwishen Metall und pHalbleiter mit WM < Wp und Wp WM Egap di'undieren ilektronen in den HalbleiterD rekominieren mit vhern und rig leit die negtive vdung der ortsfestenD ionisierten AkzeptorenF ir zeigt eine errmungsshiht fr vherD den wjorittsldungstrgern im p!rlleiterF sm qegenstz zum p!n!uontkt spielen hier die winorittslE dungstrger eim vdungstrnsport keine olleF
E(x) + + + +

DE A

144 42444 WP -WM 3


p

eildung QFQRX errmungsrndshiht fr vherF hie errmungszonen!freite ist wieder hngig von einer ussen nlegren pnnungF ir hen keinen ohmshen uontktD sondern eine @dem p!n!ergng sehr hnliheA hiodeF hie thermishe feshreiung erfolgt wieder mit einem kE stenfrmigen umldungspro(lD im SchottkyModellF hies liefert einen prE 1/2 elformigen otentilverlufD eine umldungstiefe d ND @qrssenordnung IH nm und mehrA und eine spnnungshngige upzitt C ND D die in der HalbleiterMesstechnik zur festimmung der hontorkonzentrtion hernE gezogen wirdF iinen weiteren interessnten pll erhlten wirD wenn |WM WH | Ei = Egap istD wir lso eide fnder des rlleiters und eide vdungstrgerrten etrhten mssen @wei!fnd!wodellAF hie ilektronenD die ins wetll ergehenD knnen jetzt us eiden fndern stmmenF sn diesem pll erhlten wir im veitungsnd des rlleiters eine errmung n ilektronenD er im lenznd eine enreiherung n hefektelektronen @vE hernAF heshl heisst dieser ndshihtereih InversionsschichtF euf eiE nem nHalbleiter eignet sie sih zur Injektion von LchernY uf einem p

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QFP hnomene elektrisher uontkte


E(x)

IRU
n (d ) = p (d ) = ni

WM -WH
z

DE I
d Inversionsschicht x

eildung QFQSX vherinjektion im wei!fnd!wodellF A


E Metall n-Halbleiter
eFSB
+ + + + + +

A
E

eFSB EF
Grenzflchenzustnde

-eVD E L ED EF

EF

EL EF

eU

EV
EV

eildung QFQTX ilektronishes Bnderschema eines wetll ! n!rlleiter! ergngs mit hottky!frriere A im thermishen qleihgeE wihtD A mit ngelegter usserer pnnung @gezeihnet nh IRAF

Halbleiter @enreiherung von ilektronenA zur Injektion von Elektronen @pll hier niht ildlih gezeigtAF Injizierende Kontakte spielen fr viele fuelemente eine edeutende olleF iin weiteres feispiel fr ein wei!fnder!wodell ist der uontkt von wetll und undotiertem HalbleiterF eufgrund der geringen Ladungstrgerdichte wird die Raumladungszone extrem reitD zF fF ei qe > mF oweit stimmen die gemhten eusfhrungen mit einem qrossteil der fuhliteE rtur ereinF ellerdings zeigen sih die qleihrihterwirkung oder die upzitt der wetll!rlleiter!uontkte im ixperiment weitgehend unhngig von einem gewhlten wetll und seiner speziellen AustrittsarbeitF hnlih wie die in uE pitel QFIFT erwhnten yer)henzustnde sind eim wetll!rlleiter!uontkt Grenzchenzustnde entsheidend fr ds uontktverhltenF sst die von dieE sen wishenzustnden9 verurshte fndveriegung grsser ls die hi'erenz der eustrittsreitenD so ist der iin)uss des wetlls prktish vernhlssigrF hiese yer)henzustnde wirken entweder ls Donatoren oder Akzeptoren

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IRV

fuelemente und hltungstehnik


Al SiO2

n p PtSi Ohmscher Kontakt

eildung QFQUX eufu einer ti!n!i!hiode@gezeihnet nh ITAF und sind entsprehend der empertur esetzt oder nihtD dF hF ihre vdung wird durh die vge des permi!xiveus estimmtY ihre enzhldihte ist sehr gross @F 1014 cm2 AF hie vdung der qrenz)henzustnde wird zur rerstellung der vE dungsneutrlitt durh die vdung der ortsfesten ionisierten Donatoren kompenE siertF ir hen eine errmungszoneD die zwr indirekt durh ds die qrenz)E henzustnde mitestimmende wetll verursht wirdD die er prktish wenig mit der Austrittsarbeit des wetlls zu tun htF euh die rition der hotierung im Halbleiter ndert fst nihts n der RaumladungD eensowenig ds enlegen einer usseren pnnungF hie sogF SchottkyBarriere eSB ist deshl eine fr den speziellen wetll!rlleiterergng hrkteristishe qrsseD sie hngt llerE dings etws von prprtiven hetils F her reale Kontakt mit errmungsrndshiht zeigt eine uennlinie der porm

j(U ) = jS e kB T 1 ,

eU

@QFSIA

woei > 1 istF sn hurhlssrihtung ist die errmungsrndshiht verengt und die otentilrriere verringertY der hermoemissionsstrom etrgt

jHM = C(T ) e

EL +|eVD |EF kB T

keUT
B

@QFSPA

her ttigungsstrom ist fst unhngig von der usseren pnnung und lutet

jHM = js = C(T ) e

k SB T
B

@QFSQA

ur hohohmigen ndshiht kommen noh der niederohmige fhneitrg des rlleiter!ulks9 hinzuF sn eildung QFQU ist eine ti!n!i!hiode im eufu gezeigtF Ohmsche Kontakte knnen uf mehrere erten relisiert werdenF qennnt wurde shon der pll der enreiherungsshiht @snversionsshihtA eim injizieE renden uontktY die hiht ist niederohmiger ls ds HalbleiterVolumenD die fhnwiderstnde dominierenY wir hen einen sogF sperrfreien uontktF wei weiE tere wglihkeiten sind ddurh gegeenD dss mn die frriere durh hl eines esonders kleinen eSB sehr niedrig mht oder ddurhD dss mn durh eine hohdotierte hiht die errmungsshiht sehr dnn mhtD so dss ilektronenE tunneln mssiv mglih wirdF

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QFP hnomene elektrisher uontkte

IRW

fB

Elektronen tunneln durch Barriere E L n dotiert

EF ED

Ohmsches Metall

n+ dotiert

EV
W (entartet) n-Halbleiter

Sehr schmale Verarmungsschicht

eildung QFQVX yhmsher wetll ! n!rlleiter!uontkt @gezeihnet nh IVAF


Sperrichtung I Flussrichtung

n n-Halbleiter

n n-Halbleiter

Metall p-Halbleiter

+ a I0

+ -

Metall p-Halbleiter Metall

Metall

+ Ua

eildung QFQWX uennlinie eines gleihrihtenden wetll!rlleiter!uontktesF

Reale ohmsche Kontakte stellt mn uf pSi herD so dss mn el direkt ufringt und durh iin!vegieren eine gute rftung und eine p+ !dotierte wiE shenshihtD lso sehr gute veitfhigkeit erhltF hies funktioniert er deshl so gutD weil el ein gutes ekzeptormteril istF euf nSi wrde mn so nur eine mdotierung erreihenF wn sheidet deshl ein gnzes hihtpket X el! ix!i!TiSi2 !n!iD woei i ls hi'usionsrriere fr ds el eingesetzt wirdY der eigentlihe uontkt ildet wieder die ilizid!n!i!enordnungF hie ilizide @iD D woD tD xiA werden heute fst immer eingesetztD d sie niederohmigere uontkte ls die elementren wetlle erluenF um eshluss des upitels werden die iigenshften von p!n! und hottky! hioden ildlih zusmmengestelltF

3.2.6 MetallIsolatorHalbleiterkontakte (MIS und MOSDioden)


ws @metlEisoltorEsemiondutorA !uontkte sind ein extrem leistungsfhiger qrundustein in der pestkrperelektronikF um einen lssen sih dmit rlleiE teroer)hen physiklish untersuhenD zum nderen ist diese enordnung in einer ielzhl von fuelementen enthltenD nmlih ls hiodeD ls spnnungsvrile

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ISH
5 4 3 2

fuelemente und hltungstehnik


Ge-pn 3IN Si-pn GaAs-pn

Si-Schottky

I[mA]

1 0 -0.005 -0.01

IN Si-pn Ge-pn SiGaAs-pn Schottky


0

US

-0.015 -50 -40 -30 -20 -10

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8

U [V]

eildung QFRHX um ergleihX feispiele gemessener hiodenkennlinien @gezeihE net nh IUAF

SiO2
Originaloberflche Silizium

eildung QFRIX eufwhsen von SiO2 @gezeihnet nh IWAF upzittD ls hrge!oupled devie9 @ghhAD ls Transistor und shliesslih ls ds meistverreiteste ilement der rhstintegrtionF hiese grosse tehnishe feE deutung erlngte der ws!uontkt in einer einzigen speziellen usmmensetzungX wy uf SiD ds yxid des iliziums ht nmlih ufgrund seiner rerstellung durh thermische Oxidation gnz hervorrgende iigenshftenF wn ringt eine sehr gut gereinigte SiOberche in einen ohrofen und leitet O2 !qs einF her uersto' regiert n der feroer)he mit dem ilizium und es ildet sih amorphes SiO2 F eiter ngeotener uersto' di'undiert durh die yxidshiht und regiert n der qrenzshihtF hurh die wssenzunhme wird die feroer)he ngehoenD knpp 45 % der yxiddike liegen unter der ursprngE lihen yer)heF fei der sogF trockenen Oxidation leitet mn nur reinen uersto' ei 1000 C E 1200 C einY mn erzeugt ds qte!yxid9 fr wy!rnsistoren @< 100 nmAD die noh dnneren unneloxide stellt mn ei F 800 C herF hie qteoxid! rprtion ist der kritishste hritt ei der rerstellung zF fF eines dynmishen ew!peihersF fei der nassen Oxidation erhlt mn hhere eufwhsrtenD er geringere hurhruhfestigkeitenY so gewhsene yxide werden ls peldoxiE de ezeihnet und hu(g ei der pertigung ls wskenmteril eingesetztF iin spezielles xssverfhren ist die sogF H2 O2 !errennungY sie liefert sehr reineD llerE

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QFP hnomene elektrisher uontkte

ISI

eildung QFRPX hemtisher eufu einer ws!hiode@gezeihnet nh ITAF


(a)

qci

Vakuumniveau

(b)

qci

Vakuumniveau

V =0

V =0

qc

qfm
EF

qfB

Eg

qc

2
qyB EL Ei EF EV EF

qfm

qfB

Eg

2
EL EF Ei EV

Metall

Isolator

Halbleiter

Metall

d Isolator

qyB
Halbleiter

eildung QFRQX Bnderschema einer idelen ws!hiodeX @A mit pHalbleiterY @A mit nHalbleiter @gezeihnet nh ITAF dings weniger dihte yxideD die evorzugt ls uondenstordielektrikum in hew! peihern eingesetzt werdenF hie thermishe yxidtion ist ein sehr lngsmer roE zess mit eufheiz! und ekhlrten von F 1 C pro winuteD dei knnen steile zwF shmle hotierpro(le niht stil leienF heshl setzt mn neuerdings @rpid therml proessingA ! fen fr iinzelwfer mit ten von 10 100 C pro winute einF o lssen sih sehr dnneD dihte und gltte yxide whsenF hen shemtishen eufu einer ws!hiode zeigt eildung QFRPF iine ussere pnnung V sei positivD wenn ds wetll positiver ls der ohmshe uontkt des rlleiters istF hs fndermodell einer idealen MISDiode ei V = 0 zeigt im thermoE dynmishen qleihgewiht eine durhgngig wgrehte Fermi-Energie @)tE nd ondition9AY die hi'erenz der eustrittsreiten von wetll und Halbleiter ist xullF hurh die ssoltorrriere git es keinen vdungstrnsport eim enleE gen einer qleihspnnung V F hie einzigen vdungenD die unter V uftretenD sind dnn im wetll n der yer)he und gleih gross mit entgegengesetztem orzeiE hen im HalbleiterF sm Halbleiter treten hnomene ufD wie wir sie shon ei der idelen hottky!hiode kennengelernt henF pr negtive pnnungenD lso V < 0D erhlten wir im plle des p!rlleiters eine enreiherungsshiht fr die

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ISP
p-Typ

fuelemente und hltungstehnik


n-Typ

V 0

EF

V <0

- EL

Ei EF + + + ++ + + + + + EV

-- --

- - -

V >0 EF

EL E F (a) Ei + EV

- EL

EF

V >0 EF

Ei EF + + + + + EV

V <0

- -- - - - - E L +

E F (b) Ei EV

--- -

- EL

EF V <0

- - - - EL

V >0 EF

Ei EF + + + + + EV

+ ++ + + +

E Ei F (c) EV

eildung QFRRX Bnderschema einer idelen ws!hioden mit usserer pnE nung V @gezeihnet nh ITAF wjorittsldungstrgerD fr positive pnnungenD lso V > 0D erhlt mn eine errmungsshiht und fr noh grssere positive V shliesslih einer snversionsE shihtX die winorittsldungstrgerdihte in der Raumladungszone ist grsser ls die wjorittsldungstrgerdihteF hie rehte plte in eildung QFRR zeigt fr den nHalbleiter dieselen i'ekte ei umgekehrter pnnungspolungF hie rumlihe eusdehnung der fndveriegung ist von derselen qrssenordnung wie ei den feispielen im vorigen upitel @typish 100 nmAF nter der ennhmeD dss die vdungstrgerdihten im olumen und n der yer)he jeweils exponentiell vom otentil @ exp (q/kB T )A hngenD lsst sih mit rilfe der oissongleihung die umldungsdihte fr eine estimmte hoE tierkonzentrtion ls punktion des yer)henpotentils @ezogen uf Eintrinsisch A erehnenF hie ngelegte pnnung fllt liner er der ssoltorshiht und exponentiell in der Raumladungszone X V = VIsolator + S D S ayer)henpotentilF enE log ist die qesmtkpzitt der ws!hiode eine eihenshltung der ssoltor! CIsolator CD upzitt und der errmungsshihtEupzitt im HalbleiterX C = CIsolator +CD F CIsolator ist konstnt und entspriht dem wximlwert des ystemsD CD ist

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QFP hnomene elektrisher uontkte

ISQ

eildung QFRSX vdungsverhltnisse in einer relen wy!hiode @gezeihnet nh ITAF spnnungs! und frequenzhngigF hie relen erhltnisse in der i!SiO2 !wy!hiode sind deutlih komplizierter ls die idele ws!hiode es eshreitF eildung QFRS zeigt zum einen eweglihe vdungen @Na+ D K+ A und getrppte vdungen im SiO2 und eine wenige nm tiefeD unvollstndig oxidierte wishenshihtF hzu ist die tshe zu edenkenD dss im morphen wteril immer ungesttigte findungen vorhnden sind und dss es n den uontkt)hen wetll!ssoltor und ssoltor!rlleiter immer ionisierE re qrenz)henzustnde geen muss @interfe trpped hrge9AD woei letztere die Raumladung deutlih mitestimmen @irinnerungX hottky!hiodeAF Nebenbemerkung X hurh einen empergng in H2 !etmosphre ei F 450 C knn dieser iin)uss strk reduziert werdenF hurh eufwhsen des yxids unter uge von Cl !sonen @rgl!hmpf oder rihlorethngsA knnen die eweglihen sonen ortsfest geunE den werdenF hie verleienden ortsfesten und getrppten yxidldungen verndern ds fild von der Raumladung der idealen MISDiodeD es shiften eispielsweise die )t!nd!fedingungD die C !V !uurven und ntrlih ds yer)henpotentil S F hie hi'erenz der eustrittsreiten MS im thermodynmishen qleihgewiht ist niht mehr xull @feispiel el!SiO2 !i!hiodeAF sn der rxis git es er fr jede hotierkonzentrtion im Si wterilienD die es im plle V = 0 erluenD eine enreiherungs! oder errmungs!Gsnversionsshiht gezielt zu relisierenF pr den pll des p!yp!ustrts seien im oigen pll die wihtigsten plle vereinfht im fndermodell und in den umldungen zusmmengefsst @siehe eildung QFRTAF pr negtive pnnungen erhlt mn den pll der enreiherung mit der Raumladungszone Qh der vherF eufgrund der positiven yer)henE ldungen QOx entigt die )t!nd!fedingung eenflls eine negtive orspnE nungY ohne orspnnung erhlt mn us demselen qrund im thermodynmishen

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ISR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFRTX Bnderschema und umldungen eines relen wy! uontktes fr vershiedene ussere pnnungen @p!yp! ustrtAD @vereinfht gezeihnet nh ISAF qleihgewiht ereits eine errmungD dF hF die usgedehnten umldungen der ionisierten Akzeptoren und shliesslih untenD wenn ds veitungsnd so strk nh unten gekrmmt istD dss es unter EF sinktD kommt noh eine dnne vge us ilektronen @winorittsldungstrgerD QE A im plle der snvesion hinzuF ussere iin)sse wie emperturD vihtD ionisierende trhlung oder die snjekE tion heisser vdungstrger eein)ussen ds wy"hioden!erhlten erhelihF hem interessnten pllD nmlih dem der feleuhtung werden wir ein eigenes uE pitel widmenD nmlih der ggh im upitel QFQFIF um eshluss dieses upitels sei noh uf ds rolem der egregtion ei der thermishen yxidtion von dotiertem Si hingewiesenF feim empern di'undieE ren die trtome und wenn ihre vslihkeit im SiO2 grsser ist ls im Si selerD

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

ISS

kommt es zu einer esenkung der hotierkonzentrtion im Si nhe dem snterfe @pike!down9AF hies ist fr den geruhlihsten ekzeptor for gerde der pllF her umgekehrte pll @pike!up9A spielt in der rxis keine grosse olleF

3.3 Wichtige HalbleiterBauelemente (Aufbau, Funktion, Technologie)


wit den esprohenen uontktphnomenen hen wir die qrundusteine kenE nengelerntD us denen lle rlleiter!fuelemente estehenF uerst wren dies die ipolren p!n!hiodenD dnh die unipolren wetll!rlleiter! und wetll! yxid!rlleiter!hiodenF vetztere (nden wir in den ldungsgekoppelten9 gghsD in den wy!rnsistoren und in den hoh! und hhstintegrierten fusteinen @sg integrted iruit9A fr die htenverreitung @vogikD wikroprozessorD etFA und die peiherung @hewD etFA wiederY llesmt uf iliziumsustrtenF fei den ipolren fuelementen sind heruszustellen die rnsistoren und die grosE se ielflt der optoelektrishen fuelemente uf fsis der direkten HalbleiterD insesonders uf der qrundlge von GaAsF sm folgenden lso eine euswhl us dem oen gennnten hemenereihF

3.3.1 Ladungsgekoppelte Bauelemente (CCD charge coupled devices)


hs ggh in seiner einfhsten porm ist eine linere enordnung @liner rry9A von dihtenhrten wy!hiodenD deren orspnnung so festgesetzt istD dss n der yer)he eine usgeprgte errmung n wjorittsldungstrgern esteht @ised in deep surfe depletion9AF en dem ereits vom vorigen upitel gewohnten feispiel des positiv vorgespnnE ten wetll!p!yp!rlleiters sieht mn im fereih der errmungszoneD dss sih im veitungsnd ein leerer yer)hen!veitungsknl @surfe hnnel9A zwngsE lu(g usgeildet htF fringt mn in diesen zweidimensionlen otentiltopf ilekE tronenD so sind diese zunhst in der yer)henshiht frei eweglihF sm relen wy!hiodenuelement ist die wetllelektrode ntrlih nur endlih usgedehntY dF hF wir hen uh lterl in der yer)henshiht einen endlih usgedehnten otentilseeF vegt mn n die wy!uondenstoren!uette mit rilfe eines ktgenerE tors @lok9A eine estimmte smpulsfolge nD so knn elektrishe vdung in porm von keten kontrolliert n der yer)he eines SiSubstrats trnsporE tiert werdenF ir hen lso die qrundstruktur eines dynamischen Analog Schieberegisters vorliegenD woei die snformtion in der vdung QSignal stekt @und nihtD wie lihD im trom oder der pnnungAF xeen seiner enwendung ls hieeregister knn ds ggh ls htenspeiher @mit egenertionsstufenAD ls erzgerungsgliedD ls pilter oder fr logishe ypertionen eingesetzt werdenF hie verreiteste enwendung der ggh ist heute ls Bildsensor @CCD KameraAF sn einem typishen estnd von zF fF UD IQ oder 27 m sitzen wy!

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IST

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFRUX Bnderschema einer wy!hiode mit leerem yer)hen! veitungsknl @gezeihnet nh ITAF hioden ls optishe hetektoren mit qrssen von zF fF 1,7 mF sn zweidimensionler enordnung erhlt mn so einen fildsensorF

eildung QFRVX Bnderschema einer i!SiO2 !wy!hiode unter feleuhtung @gezeihnet nh ITAF feim optishen hetektor ist ds wetll zwF ds olysilizium meist trnsprentF hotonenD deren inergie grsser ls die Energielcke des Si sindD generieren im Si ein ilektron!voh!rF hs voh di'undiert im lenznd in die iefe des SiSubstratsD die ilektronen smmeln sih im n!unl n der yer)heF hs lihtemp(ndlihe fuelement knn im rinzip er uh eine hottky!hiodeD eine p!i!n!potodiode oder ein pototrnsistor seinF hs gghEghip enthlt er in

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

ISU

jedem pll ein oder zwei wy!hieeregister zum euslesen des zwF der optishen hetektorenF

eildung QFRWX hnitt durh eine hreiphsen!ggh!ershieeeinheit @gezeihE net nh ITAF hen eufu der qrundeinheit eines vdungsvershieelements git eildung QFRW wiederF hrei enhrte wy!hioden ildenD hngig von der qrsse der positivenD ngelegten pnnung otentiltpfe usY die vdung leit nnhernd im tiefsten opf erhlten oder )iesst zum tiefsten opf hinF hs gezeigte fild git eine hrei!hsen!ershieeeinheit wiederF etzt mn mehrere solhe fugruppen hintereinnder @siehe fild QFSHA und verE sieht enfng und inde der uette mit einer iingngs! und eusgngsshltung @n!p!hiode und wy!qteA ist ds hieeregister komplettF vegt mn in geeigneter eise pnnungen n den iingng und die wy!qtes und shliesslih n den eusgngD funktioniert der vdungstrnsport @eildung QFSIAF is git vershiedene ilektronennordnungen und zugehrige kttehniken @9push!lok!ysteme9AX I!R hsensysteme mit ktfrequenzen von einigen krz

eildung QFSHX eufu eines n!unl!ggh @gezeihnet nh ITAF

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ISV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFSIX otentilverluf und vdungsverteilung im oen geildeten ggh!ghip@gezeihnet nh ITAF

eildung QFSPX rpping @gezeihnet nh ITAF E IHH wrzF P!hsensysteme entigen unsymmetrishe9 qte!ilektrodenD I! hsensysteme zustzlihe hotierungF hie isher prsentierte ggh!fuform ezeihnet mn ls SCCD @surface channel CCDAF shr ruptnhteil liegt im orhndensein von rpping!entren m unlrndF hies fhrt zu zustzlihem ushenF iine veresserte vdungstrnsfer!i'ektivitt erhlt mn mit einem weiteren qrundtypX BCCD @burried channel CCDAF hie vergrene9 n!unlshiht im p!ustrt erhlt mn durh eine ionenimplantierte nSchicht uf dem p!ustrtF treng genommen liegt ein vllig neues fuelement vorD nmlih ein wy!uontkt er einem n!p!uontktY es hndelt sih er wieder nur um ein unipolres fuelementF sm zugehrigen fndermodell zeigt sihD dss der entstehende n!unl niht

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

ISW

eildung QFSQX eufu eines n!unl!fggh @gezeihnet nh ITAF

eildung QFSRX eufu eines fggh AF fndermodell ohne A zwF mit A ignl @gezeihnet nh ITA mehr direkt n der kritishen yxid!rlleiter!qrenz)he liegtF hs ushverE hlten dieser fuelemente ist deutlih esser @enwendungX hohemp(ndlihe fildE sensorenAF iin! oder zweidimensionle Bildaufnahmeeinheiten estehen us eilen oder errys von hetektorenD die entweder integrierende peiher esitzen oder ihre vdungen stndig n eine peiherzeile weitergeen mssenF ru(g sind diese peiher durh eine lihtundurhlssige hiht geshtzt @enti!flooming9AF feim eindimensionlen InterlineKonzept wird neen jede ensorzeile eine gghErnsportregister!eile gesetzt zwF genuer zwishen zwei ensorzeilen wird eine egisterzeile gesetzt und die rlilder werden wehselnd usgelesen in ein sogF ggh!eusleseregisterF feim dem in der eildung QFSS drgestellten FrameTransferKonzept wird der gesmte snhlt eines gnzen fildereihs in einem lihtdihten peiherE ereih zeilenweise prllel vershoenF hs euslesen erfolgt zeilenweiseF ur irE zeugung nloger ideosignle entigt mn einen ideoverstrkerD fr digitle

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ITH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFSSX prme!rnsfer!uonzeptF umers geeignete e!h!ndler und peiherF

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

ITI

3.3.2 FeldeektTransistoren (Unipolare Transistoren)


pr informtionstehnishe hltkreise @logishe hltungenD peiherA und veiE stungsverstrker sind die sogF Transistoren die wihtigsten ktiven fuelementeF hrend die islng esprohenen hioden sogF weitor!fuelemente mit zwei usseren uontkten sindD kennzeihnet die rnsistoren ds orhndensein von drei uontktenX sogF DreitorBauelementeF trme oder pnnungen zwishen zwei uontkten werden durh einen dritten uontkt gesteuert oder ein! und usE geshltetF is git zustzlihe wglihkeiten zur ulssi(zierung von rlleiter! fuelementenF sst fr die punktion des fuelements nur eine vdungstrgersorte wesentlihD so spriht mn von 'unipolaren' BauelementenY sind dgegen eide vdungstrgertypen wesentlih eteiligtD redet mn von ipolren9 fuelemenE tenF o uh ei den rnsistorenF eweihend von der wehrzhl der eutoren stellen wir die fehndlung der fipolrtrnsistoren noh zurk @shwieriger zu verstehen3AF tttdessen nutzen wir die in upitel QFPFS und QFPFT zuletzt gelegten qrundlgen fr ds erstndnis der FeldeektTransitoren @pi (eld e'et trnsistor9A usF sm rinzip sind pis iderstnde mit zwei uontktenD die durh eine ussere pnnung n einem dritten uontkt gesteuert werdenF hie ert des dritten uonE tkts knn vershieden seinX MESFET und MISFET @wetll!emiondutor pi und wetll!ssoltor!emiondutor piAF her teuerkontkt ist im ersten pll lso ein hottky!uontktD im zweiten pll ein ws! oder @in den meisten pllen in der rxisA ein wy!uontktF her gesteuerte Widerstand esteht us einem n eiden inden kontktierten tromknl fr die eineD fr die punktion wesentlihe vdungstrgersorteF is git fuelemente mit einem n!unl und hierzu komplementre mit einem p!unlY die letztgennnten fuelemente sind ufgrund der geringeren feweglihkeit der vher immer lngsmer @er isweilen einfher zu fertigenAF her uontk m iingng des leitenden unls ist die sogF Source @uelleAD der m unlusgng der sogF Drain @wrtlih e)ussAF her teuerkontkt trgt die fezeihnung Gate @orAF sn den pi!qrundformen git es ein oder zwei zuE smmengeshltete qtesF @Nebenbemerkung X feim sogF houle qte pi werden die eiden qtes niht miteinnder verundenD sondern voneinnder unhngig zur teuerung des wjorittsldungstrgerstroms insesondere fr wish! und egelshltungen herngezogenF xiht zu verwehseln mit dem hyristorD einem ipolren fuelement mit zwei teuerelektrodenFA uennzeihnend fr lle pi! ypen ist die hohohmige rennung von teuer!uontkt und unl er eine errmungsshiht oder einen ssoltorGein yxidF hie iingngswiderstnde sind vergleihsweise sehr hohY die teuerung erfolgt er die pnnungD die qtestrE me sind extrem kleinF hie teuerelektrode @ontrol eletrodeA ist kpzitiv n die ktive unlregion gekoppeltD ein elektrishes peld kontrolliert die vdungen in der ktiven one und verndert dieseD dher der xme `Feldeekt'TransistorF hs rinzip des pis esteht lso in der teuerung des Leitwerts eines leitenE

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ITP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFSTX hltsymole fr den piF den unlsX

A A = . @QFSRA l l wn erkennt leihtD dss @ei fester unllnge lA entweder der unlquershnitt A oder die Ladungstrgerdichte n zur teuerung vriiert werden mussF hie uershnitt!teuerung nutzen zwei eknnte rnsistorklssenF irstens die sogF SperrschichtFET @tpiD tuntion piA undD spter hinzugenommenD zweitens die wipisF irstere werden meist in SiD letztere meist in GaAs reliE siertF hie teuerung der rgerdihte ist kennzeihnend fr die wspis und wyE pisD sowie fr die moderne eiterentwiklung des wipiD den riw @high eletron moilityAF ristorish gesehen wr der wspi der erste TransistorD der erdht worden ist @IWQWAF sm qegenstz zum fipolrtrnsistor kommt es ei unipolren rnsiE storen nur uf die wjorittsldungstrger nD dF hF die enforderungen n ds HalbleiterMaterial @einheitD uristllinittA sind geringerF tshlih sind unipolre rnsistoren in einer grossen ielzhl von hlleitenden wterilien relisiert wordenF her grosse xhteil des orshlgs wr er die tehnish usE serst shwierig zu eherrshende qrenz)he zwishen ssoltor und HalbleiterF her perrshiht!pi umgeht dieses rolemX die teuerung wird weg von der rlleiter!yer)he ins snnere des rlleiters gelegtF eine tehnishe elisieE rung gelng ls ersteF G=en

SperrschichtFET (JFET)

hie konventionelle fuform eines tpi knn mn sih ls ein then us zF fF mssig n!dotiertem wteril vorstellenF hie eiden tirnseiten werden mit ohmshen uontkten versehen und ilden oure und hrinF on der yerseite und von der nterseite wird strk p!dotiertF hrer werden die qtekontkte ufgerhtY diese werden miteinnder fest verundenF erden lle uontkte miteinnder verundenD dnn ilden sih jeweils symE metrishe perrzonen usD die wegen der shwheren hotierkonzentrtion huptE shlih im n!qeiet liegenF vegt mn n die qtes eine negtive pnnung nD werden die perrzonen reiter und tiefer ins n!qeiet reihen und sihD ei geE eigneter ustrtdihteD erhrenF mgekehrt wird eine positive qte!pnnung den n!unl @n!hnnelA verreiternF hie GateSteuerspannung legt lso wie gewnsht die Kanalbreite festF qehen wir nohmls zurk zur eusgngslge mit verundenen uontktenF ird

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

ITQ

eildung QFSUX rinzip des perrshiht!piF

eildung QFSVX tpi mit negtiver qte!oure!pnnungF jetzt einseitig n hrin eine positive pnnung ngelegtD eginnt ein ilektronenE strom vom oure!uontkt zum hrin!uontkt zu )iessenF qleihzeitig werden zum positiven otentil hin die perrzonen reiterY ei einer estimmten hrin! oure!pnnung UDS werden sih die perrzonen n ihrem hrin!inde erstmls erhrenX die eshnrspnnung Up @pinh!o'A ist erreihtF pr UDS < Up werden wir eine linere ehngigkeit des hrinstroms ID UDS erwrtenD drer einen fst konstnten ttigungstromF wit einer negtiven qtespnnung UGS < 0 lssen sih die perrzonen verE reitern und die eshnrspnnung wird ereits ei kleineren hrinstrmen erE reihtF intsprehende ertrgungs! und eusgngskennlinien sind in eildung QFSW wiedergegeenF egen des symmetrishen eufus erhlt mn die gezeigE ten eusgngs!uennlinien fr positive ID ei positiven UDS D und gespiegelt m rsprung solhe fr negtive ID ei negtiven UD Y im lineren uennlinienereih knn mn den tpi ls regelren iderstnd fr ehselspnnungen @symmeE trish zu xullA enutzenF fei grossen UDS rehen die hrin!qte!treken durhF hie wihtigsten tpi!iigenshften sindX

sehr hoher iingngswiderstnd @108 1010 A dynmisher eusgngswiderstnd rDS =


dUDS dID

104 106

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ITR

fuelemente und hltungstehnik


Ausgangskennlinien ID Abschnrgrenzen

bertragungskennlinien -UGS

Durchbruchsgebiet

-UGS

UP

UP bei UGS = 0

UDS

eildung QFSWX uennlinien des tpiF

teilheit g @trnsondutneA =

dIDS dUGS

. . . 10 mA/V
uDS

mximle pnnungsverstrkung 50 300 @kleiner ls eim fipolr! rnsitorAF


hen tpi zeihnet eine vergleihsweise sehr linereD er kleine pnnungsE verstrkung usD deshl wird erD wenn uh seltenD ls linerer erstrker mit hohem iingngswiderstndD kleiner erstrkung und kleinen ushzhlen eingeE setztF ie ei llen pi!ypen sorgt ein negtiver emperturgrdient @ID sinktD wenn die empertur T steigtA fr einen homogenen tromtrnsport und dmit fr eine stile punktionF hie sttishen trom!pnnungs!uennlinien lssen sih nh hokely @grduE l hnnel pproximtion modelA erehnenD siehe zF fF oulstonISF hs femerE kenswerte drn istD dss diese heorie niht nur uf tpi nwendr istD sondern uh uf wipisF feide wle liegt eine errmungszone vorD er im einen pll ist es die eines p!n!ergngsD im nderen die eines hottky!uontktsF

S N+

p N p -

D N+

eildung QFTHX hemtisher eufu eines plnren tpi @gezeihnet nh oulstonISAF is git uh eine planare Aufbauvrinte des tpis @siehe eildung QFTHAF euf einem shwh pdotierten SiSubstrat wird eine n!dotierte ipitxieE shiht ufgewhsenF pr die uontkte werden strk dotierte n+ !nnen hergeE stelltD der teuerkontkt esteht wieder us einem strk erdotierten p!fereih

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA


S N+ a G1 P+ N+ D

ITS

P+

G2

eildung QFTIX eufu eines houle!qte tpi @gezeihnet nh oulstonISAF


S N+ N Pufferschicht L Substrat G D N+

eildung QFTPX eufu eines GaAs MESFET @qezeihnet nh oulstonISAF und der wetllisierung drerF wn erhlt von oen eine symmetrishe Raumladungszone in den p!unl hineinF on unten wird dieser durh eine symmeE trishe errmungszone egrenztD die weit ins p!ustrt reihtF te negtiver die ngelegte qtespnnung istD desto shmler der unlF vegt mn wieder eine posiE tive UDS nD so erhlt mn wieder nlog eine symmetrishe errmungszone und shliesslih erhren sih die errmungszonen wiederD mit den eknnten polgenF iine hiskussion eines p!unl!tpi liefe nlogF hie tehnishe erwirklihung des ereits ngesprohenen DoubleGate JFET zeigt gegener dem esprohenen lnrufu folgende wodi(ktionenX ds ustrt ist kontktiert und ildet ds qte PY ei negtiver orspnnung wndert die perrzone weiter in die ipishihtY ei ngelegter UDS wird sie symE metrishF

GaAsMESFET

euf den ersten flik gleihen sih die erhltnisse eim GaAs MESFET sehrF euf einem intrinsishen oder semi!isolierenden @gr!dotiertenA wteril wird zuE nhst eine undotierte fu'erlyer9 gewhsenD dnn folgt die n!dotierte ipiE shihtY die weiteren hritte folgen nlogF hie rerstellung ist ziemlih einfhF her orteil esteht einerseits in der hohen feweglihkeit der ilektronen in GaAs und ndererseits sind die upzitten CGS und CGD deutlih kleiner ls eim tpi @eitenwndeitrge entfllenAF pr wikrowellennwendungen liegen die kritishen vngen heute unter PHH nmF hie mximle prequenz steigt wegen fmax = g/CGate nF hie fuelemente zeigen exzellente hg! und rp!iigenshftenF ie werden ls unnosekundenshlter oder ls sehr rushrmer wikrowellenverstrker eingeE

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ITT
MESFET S G MetallGate D UG=0 EF n
+

fuelemente und hltungstehnik


n-Kanal EL EF EV eB EF UG zu EF EF EV

Verarm n-GaAs i-GaAs

auf

n-AlGaAs i-GaAs

eildung QFTQX wipi @gezeihnet nh shGvthIRAF


HEMT S
n GaAs
+

G
+

D
n GaAs + n GaAlAs

MetallGate UG=0 EF

2 Dim. n-Kanal EL EF auf EV

eB EF UG zu

EL EF EV

n GaAs

2 Dim.

n -AlGaAs

n -GaAs

eildung QFTRX riw @gezeihnet nh shGvthIRAF setztF is git sogr integrierte hltkreise @wwsgsD wonolithi wirowve sgs in drsystemenAF h fr die IIIVHalbleiter kein ruhres yxid zur erfE gung stehtD git es zum wipi keine elterntiveF sn der rxis werden die einfh ersheinenden erhltnisse des idelen hottky!uontkts durh die hohe hl der qrenz)henzustnde m wetll! rlleiter!snterfe des qtes doh reht kompliziertF eer wie in upitel QFPFS shon gezeigt wurdeD ndert dies nur etws m erstndnisD niht er n der punktion der fuelementeF hs neenstehende fild zeigt neen dem qrundufu die zugehrigen elektroE nishen BnderschemataF sm intrinsischen GaAsSubstrat liegt EF @nheA der inergielkenmitteF sm dotierten n!unl liegt EF nhe unter der veitungsE ndunterknteF um wetll!rlleiter!snterfe hin hen wir die errmungsE zone des hottky!uontktsD die positiven vdungen der ortsfesten Donatoren verurshen fnderkrmmungen nh oenF hs permi!xiveu n der qrenz)E he ist durh die hohe enzhldihte der qrenz)henzustnde nhe der witte des verotenen fndes gepinnt9F her metllene teuerkontkt ist lso hohohmig vom n!unl getrenntF yhne orspnnung knnen uf der niederohmigen oure!hrin!treke ilekE tronen injiziert werdenD die im otentiltopf des n!unlsD gesehen von einer leihten ekomintionD siher trnsportiert werden knnenF hurh enlegen einer negtiven qtespnnung UG wird der unl geshnrtD indem ds permi!xiveu des wetlls gegener dem des iGaAs ngehoen wirdF h EF n der qrenz)he gepinnt leitD werden die ngrenzenden fnder ngeE hoenD die errmungszone whst nh rehtsD der unl verrmt n vdungsE trgern und wird shliesslih sperrendF

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA


MOSFET S G D SiO2 n
+

ITU

n-Kanal MetallGate UG = 0
SiO 2

zu EL Ei EF U G EV EF

QSC Ei

EL EF EV

ch L

p-Si

EF

auf

eildung QFTSX wypi @gezeihnet nh IRAF hie eiden iintrge euf9 und u9 zeigen die hlterfunktion des rnsiE storsF xeen dem eshrieenen xorml!euf9!wipi @normlly onAD dessen n!ipishiht diker ls die errmungsshiht @F SH nmA des hottky!uontkts istD git es uh einen xorml!u9!wipi @normlly o'AF hieser ht eine dnE nere n!ipishiht @vergleihr mit der hottky!uontkt!errmungA und sperrt deshl ei UG = 0Y fr UG > 0 shltet er ufF

High Electron Mobility Transistor (HEMT) iine eiterentwiklung des GaAsMESFET ist der riwF wglih wurde ds durh die portshritte in der wfi @wolekulrstrhlepitxieA der IIIVHalbleiter ei der rerstellung

von reterostruktur!wipis und durh den gemishten iinstz von optishen vithogrphieverfhren und der Elektronenstrahllithographie zur fereitung kleinster emessungenF esultt ist ein extrem rushrmer Transistor fr rhstfrequenznwendunE genF fei qtelngen von SH nm wurden tromverstrkungs!eshneidefrequenzen ft von weit er QHH qrz gemessenF hie enwendung liegt ei dr! und telE litenkommuniktionF her riw ist ein reterostruktur!piD dessen n!unl durh ein 2 dimensionales Elektronengas @P hiqA n der qrenz)he zwishen einer elqesGqes!reterostruktur geildet wird @vergleihe upitel QFPFRAF sm euf9! ustnd @negtive qte!pnnungA knnen die otentiltopf!ustnde gefllt werdenD im u9!hltzustnd liegt ds Fermi-Energie!xiveu zu tiefD der P hiq!n!unl ht keine vdungstrgerF

MOSFET (Metal Oxid Semiconductor FET)


iederholt wurde shon druf hingewiesenD dss wspis @oder uh sqpisD ssolted qte pis gennntA prktish nur uf Si ls wypi relisiert werE denF ie shon in upitel QFPFTD knn mn m ws!uontktD hngig von der ustrt!hotierung und der ngelegten pnnung n der qrenz)he enreiheE rung oder errmung der wjorittsldungstrger erreihen @oder gr snversion der winorittsldungstrgerY letztere spielte eim ggh!ilement die entsheidenE de olleAF feim tpi wr nur der errmungsetrie mglihD eim wspi kommt die wglihkeit des enreiherungsetries hinzuF rinzipiell sind n! und p!unle denkrF eer d qrenzshihtldungen meist positiv sindD entspriht dies einer orspnnung m qte und es git deshl eine endenz zum n!unl

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ITV
3
5V 4V 3V 2V 1V

fuelemente und hltungstehnik


0.4 0.35 0.3 0.25 0.2 0.15 0.1 0.05 0
5V 4V 3V 2V

SourceDrainStrom IDS (mA)

2.5

1.5

0.5

SourceGateSpannung UGS (V)

10

SourceDrainStrom IDS (mA)

GateLnge Lg = 0.6 m

GateLnge Lg = 10 m

SourceGateSpannung UGS (V)

10

eildung QFTTX uennlinien von uurz! und vngknl!wypis im ergleih @nh shGvthIRAF @errmung im p!wterilD enreiherung im n!wterilAF feim wypi kontrolliert ds elektrishe peld @qtespnnung gegen unlE potentilA er ds yxid die Ladungstrgerdichte und dmit den unlwiderE stndF her iingngswiderstnd ist extrem hoh @1012 1016 AF her geildeE te wypi!eufu git einen nKanalMOSFET wiederX eusgngsmteriE l ist ein mssig pdotierter SiWaferF hie eiden oure! und hringeiete sind durh sonenimplnttion hoh n!dotiert wordenY druf e(ndet sih hoh n!dotiertes oly!ilizium fr die uontktierungF fei qtespnnung UG = 0 e(ndet sih @die qrenz)henldungen seien hier vernhlssigtA pSi unterm qteF viegt eine pnnung USD nD ist ein p!n! ergng gesperrtD der trom ID ist nhezu xullY der Transistor ist im u9! ustndF when wir jetzt ds qte positiver ls die oure @UGS > 0AD so erht mn durh snversion @Ei < EF A eine strke n!enreiherungsshiht nhe der qrenzE shihtF hieser n!unl verindet die oure! und qte!nnengeiete leitendF iine positive qtespnnung mht den n!unl!wypi uf9F fei invertierter hotierung erhlt mn einen pKanalMOSFET in einem n SiSubstratF fei qtespnnung xull ist dieser yp im u9!ustndD er ei negtiver qtespnnung @invertierter pnnungA ist uh hier der euf9!ustnd erreihtF sn eildung QFTT sind die Ausgangskennlinien zweier n!unl!wypi! ypen zum ergleih wiedergegeenF euh hier zeigt die kleinere unllnge die esseren iigenshftenD nmlih hier den hheren eusgngsstromF eer ufgrund der kleineren qtekpzitt ist uh die qrenzfrequenz hherD ds hltverhlten shnellerF hie enwendung der wypis nutzt die sehr guten dynmishen iigenshften dieser fuelemente in rp!erstrkern und zu hltzwekenF @er die erwenE dung in der erstrkerintegrtion wird noh zu reden seinFA qrsster xhteil der wypis ist die mximl vertrglihe qtespnnung von SH E IHH Y elektrostE tishe vdungen liegen im elltg hu(g IHH ml hherF

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ITW

3.3.3 CMOSTechnologie und HalbleiterSpeicher


wypis eignen sih zur rerstellung hohintegrierter higitlshltungen esE ser ls fipolrtrnsistorenY sie entigen weniger plhe uf dem SiWafer und sind deshl preisgnstigerF fis witte der hziger thre wurden die hltungen in xwy!ehnologie usgefhrtF wit dem I w!hew!peihern @I wegit hynmi ndom eess wemoryA wehselten die rersteller zur deutlih kompleE xeren gwy!ehnologieY die kleinsten trukturgrssen etrugen MFS = 1,2 m @winiml fesle sizeAF hurh die rerstellung von n!unl und p!unl enreiherungs!wypi neE eneinnder uf einem ustrt ist deren ershltung zu einem snverter mit eE sonderen iigenshften mglihX er shltet shnellY seine ertrgungskennlinie zeigt einen steilen ehselD m eusgng liegt entweder die volle ersorgungsE spnnung VDD oder die xull nF sn den sttionren ustnden )iesst kein tromY der uhestrom ist xullD nur eim hlten wird veistung verruhtF fei hoE hen ktrten und hu(gem hlten reltiviert sih zwr dieser orteilD er die gwy!ehnik ht noh weitereX vereinfhtes logishes hesignD kleine enzhl von rnsistoren in den peripheren rilfs!hltkreisen @support iruitsA @der sogF peiherwirkungsgrd wird > 50 %AD kleinere ushemp(ndlihkeitF reute etrgt der wrktnteil der gwy!ehnologie er US 7Y F IH 7 dieE ser fuelemente sind nloge hltungenF hs fild unten git ls tehnologishes feispiel ds hltild und den shemtishen eufu eines gwy!snverters uf n!ustrt wiederF hei sind n!wypi und p!wypi zueinnder kompleE mentr9X gwy @gomplementry wyAF eus zwei snvertierern lsst sih ein einfhes FlipFlop ufuenD eine hlE tung mit zwei stilenD eindeutig untersheidren hltzustndenF pgt mn noh zwei weitere wy!rnsistoren hinzuD dnn erhlt mn die elle eines ew!peihers @tti ewAD eines sehr wihtigen rlleiterspeihers lsoD sieE he spterF em feispiel der tehnologishen intwiklung des snverters lsst sih die histoE rishe intwiklung der HalbleiterTechnologie demonstrierenX hen einfhsten snvertierer knn mn us einem vdewiderstnd und einem PMOSTransistor herstellenF sntegrierte lnrwiderstnde entigen er eine grosse plheF iel pltzsprender ist esD oure und qte zu verinden und so einen iderstnd zu relisierenF hie entsprehede ehnologie heisst PMOS AluminiumGate Prozess9F is hndelt sih um eine sogF iinknl wy!ehnik uf einem n! ilizium!ustrtD ei der es nur selstsperrende p!unl!wypis @enhneE ment type iA gitF hiese ehnik entigt nur vier vershiedene wsken und eine wetllisierungs!hihtF iine orussetzung fr diese ehnik ist ds orhndensein usgeklgelter viE thogrphietehnikenF fis heute verwendet mn in der ghipfertigung optische LithographietechnikenD um in ufgeshleudertenD photoemp(ndlihen olymerE lken lterle trukturen lokl zu 'nenD durh die dditiv oder sutrktiv die feroer)he oder oer)hennhe SiSchichten gezielt verndert werden knnen @yxidierenD tzenD hotierenAF hritt fr hritt knnen so hohkompleE xe lnr!hltungen ufgeut werdenF hie kleinste trukturgrsse etrug nE

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IUH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFTUX gwy!ehnikX snverter im A hltild und A im tehnologiE shen eufuF

eildung QFTVX gwy!snverterX ertrgungskennlinieISF fngs 4 10 mF hneller wurden die snverter durh die iinfhrung des xwy eluminium!qte!rozesses9 uf p!ustrtF iine merklihe eresserung erzielte mn er erst mit der iinfhrung der n! unl eluminium!qte wy!ehnik9F hie vdewiderstnde werden hier durh selstleitende xwypis geildet @depletion type hAD die hlttrnsistoren sind wieder vom i!ypX sogF iGh!snverterF her reis fr die eresserung sind zwei zustzlihe wsken! und ein zustzliher es!smplnttions!hotiershritt zur iinE

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IUI

eildung QFTWX gwyX p! und n!unl!i!ype wypisD shemtishIWF

stellung der hwellenspnnung des h!yp!pisF hie ursprnglihe ehnik erfuhr im vufe weniger thre zhlreihe eresserunE genF hie wihtigste wr wohl der ergng zur xwy ilizium!qte ehnologie9F hei wird eluminium ls wteril zur qte!uontktierung ersetzt durh polyE kristllines iliziumD ds durh nhtrglihe hotierung leitfhiger gemht werden knn @olysilizium9D durh vgh!esheidungAF hies geshieht gleihzeitig mit der oureGhrin!smplnttionD dF hF mn entigt hierfr keine spezielle wske mehrD dieser smplnttionsshritt ist selstjustierend9F ustzlih verkleinern sih die strenden erlppungskpzitten @willer pities9A zwishen qte und p!dotierten oureGhrin!unlenF eitere hritte sind vergrene n+ !dotierte SiLeiterbahnen und eine weiE tere selstjustierende yxidtionstehnikD die vygy!ehnik @vol yxidtion of ilionAD die zustzlih esheide! und tztehniken fr ds hierei entigte Si3 N4 erfordertF erhupt werden die eingesetzten wterilien immer zhlreiher und r0nierterY etw ilizide zur uontktierungD xitride ls hi'usionsrrierenD wishoxideD qlser und eligu!vegierung zwF seit neuestem gu @ls veiterhE nenmteril in is zu vier wetllisierungseenenAF unhst er erzwng die in den hohintegrierten fuelementen mit der erE kleinerung der trukturgrssen und der teigerung der zu einer hltung gehrenE den rnsistornzhl er die thre ngestiegene erlustleistung den ehsel zur gwy!ehnologieF her zugehrige snverter wurde ereits eingngs esprohenF hs indprodukt des nWannen SiliziumGate CMOSProzesses9 git die eildung QFTW wiederF euf einem mssig p!dotierten @IHHA!ustrt wurde rehts der xwy!pi direkt hergestelltD links dgegen wurde eine mehrere m tiefe nne9 @englF wellA mit hosphor n!dotiertD um druf durh p+ !smplnttion den wypi zu uenF hie hltungsdesigner emhen sihD mglihst niht nur einzelneD sondern immer mehrere p!unl!rnsferelemente in eine grosse n! nne zu plzierenD ws die punktionssiherheit im spteren fetrie erhhtF ele gwy!sgs herzustellen erfordert heute etw PS wskenF inthlten die hltungen @wie ei den hewsA noh ufwendige wy!uondenstorenD so steigt die wskennzhl uf QH is QS nF @um ergleihX fr eine moderne vE serdiode entigt mn nur S vershiedene wskenFA

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IUP

fuelemente und hltungstehnik

hie produzierten hltungen enthlten immer mehr rnsistorenX

105 107 107 109 > 109

vs vs vs

ery vrge le sntegrtion ehniqueD ltr vrge le sntegrtion ehniqueD uper vrge le sntegrtion ehniqueF

her im thr PHHH gerde in erienproduktion gegngene PST w!hew eispielsE weise enthlt rund PUH willirden rnsistorenD ds I q!hew wird ds erste vs!fuelement seinF rierzu werden die hltungslyouts niht nur von peihergenertion zu qeneE rtion geshrinkt9D sondern dreidimensionlerF hie wypi!elle wird dei mit dem klierungsfktor verkleinertD zF fF = 0,7F hnn erhht sih die hltgeE shwindigkeit mit 1/D die hltungsdihte 1/2 D der veistungsverruh pro snverter sinkt 2 D die erlustleistungsdihte leit nnhernd konstntF hie ktuelle veiterhnreite liegt ei 110 130 nm in der pitzentehnologieF hie nhsten ttzpunkte @nodesA in der tehnishen intwiklung werdenD siehe den klierungsfktor D seinX IHH nm @im thre PHHSGTAD UH nmD SH nm @im thre PHIIGIPA und QS nm @PHIR oder frherAF iin inde jegliher gwy!ehnologie wird ei PHEQH nm erwrtetF hie qenertionswehsel erfolgen gemss dem wooreE shen qesetz9 etw lle 3 threD siehe x @xtionl odmp for emionE dutorsA der se @emiondutor sndustry essoitionA der e zwF seit IWWW die s @snterntionl ehnology sndustry essoitionA ller sndustriesttenF hiese rod mps9 wgen jeweils eine IS thre!rognose fr die knftige tehnoE logishe intwiklung in der rlleiterindustrieD n der sih die roduzenten und ulieferer orientieren knnenF iine der spnnendsten prgen des thres PHHI wird seinD mit welhem vithogrE phieverfhren die sndustrie die IHH nm!ehnologie ngehen wirdF iximer!vser gesttzte optishe9 vithogrphieverfhren hen errshenderweise uh hier sehr grosse ghnenF ellerdings wird ds rolem der immer kleiner werdenden iefenshrfe immer grvierenderY die opogrphie einer gwy!hltung muss deshl uh nh vielen rozessshritten noh sehr pln leienD will heissen < 1/2 mF eus diesem qrund werden ereits heute plnrisierende oliershritte @gw ghemomehnil olishingA in die rozessfolge eingefgtD ws exzessive einigungsshritte mit sih ziehtF pr die nhfolgenden ehnologiegenertionen stehen rojektionsverfhren mit ilektronen und sonen optionl zur erfgungD eenso hotonen des i @ixtreme ltrviolet ei IQDS nm ellenlngeAF hei ist die ehselwirkung zwishen sonen und esist die fr die eu)sung gnstigE steF hgegen wird die ntgenstrhl!vithogrphie ls httenwurfverfhren nur ein wihtiges pezilverfhren in der wikromehnik zur felihtung sehr diker esists @mehrere mmA mit m eu)sung leienF hs wihtigste wrktsegment neen den wikroprozessoren ist ds der digitlen rlleiter!peiherF hie eildung QFUH git einen erlik er die gngigen fuelement!ypenF sm polgenden sollen die hltungszellen der wihtigsten ellenspeiher jeE weils kurz diskutiert werdenF sn ellenspeihern legt mn wortweise9 den snhlt von elieigen ellen

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IUQ

RAM ROM M P EP EEP

= = = = = =

Random Access Memory Read Only Memory Masken-programmiert Programmierbar Lschbar und programmierbar Elektrisch lschbar und programmierbar

PLD PLA PAL PLE GA FPGA

= = = = = =

Programmable Logic Device Programmable Logic Array Programmable Array Logic Programmable Logic Element Gate Array Field Programmable GA

eildung QFUHX ersiht er die verreitesten rlleiter!peihertypenUF @zF fF gomputerprogrmmD wesswerteA F tedes ort ht seine eigene edresE seY ei ews @ndom eess wemoryA und yws @ed ynly wemoryA knnD im qegenstz zu hieeregisternD jederzeit uf jede edresse zugegri'en werden @whlfreier ugri'9AF ews werden im xormletrie eshrieen und gelesenY eim eshlten der fetriesspnnung verlieren sie ihren peiherinhlt @)htiE ger peiherD voltile memoryAF yws sind im xormletrie nur uslesre pestE wertspeiherF te nh yp sind sie ein! oder wenige wle eshreirY sie ehlE ten er uh ohne ersorgungsspnnung sehr lnge ihren snhlt @niht )htiger peiherD nonEvoltile memoryAF Statische RAMs @SRAMsA sind wie hews it! und wortweise orgnisiertD entigen lso rilfsshltkreise wie edressdeoder @plten! und eilen!heoderAD iin! und eusleseverstrkerD wishenspeiher @dress!lthAD etF hie peiher! wtrix esteht us plip!plop!peihernF sn eildung QFUI sieht mn eine plip! plop!peiherzelle in gwy!ehnikD die sogF sttishe ehs!rnsistor!elleF is hndelt sih um ein kreuzgekoppeltes plip!plop in uomplementrknl!ehnik @T1 D T3 und T2 D T4 AF um ndern der stilen ustnde werden die n!unl!i! yp!wypis T5 und T6 entigtF um hreien werden kurzzeitig die hlter Sw und Ss oder Ss geshlossenD zum vesen nur Sw F xh dem iinshlten e(nE den sih die plip!plops sttish in den ustnden H oder I und knnen sofort eshrieen werdenF Dynamische RAMs @hewsA hen ungefhr die vierfhe peiherkpzitt vergleihrer ewsF shre peiherzelle esteht nur us einem euswhltrnsistor

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IUR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFUIX gwy!peiherzelle eines ewsPHF

eildung QFUPX hew!elleD von linksX hltildD shemtisher eufu der I w! und einer R w!elle mit qrenkondenstorPHF @hlterA und einem wy!uondenstor @peiherkpzitt CS AF hie oure des selstsperrenden xwy!rnsistors ist mit der fitleitung @htenleitung mit der veitungskpzitt Cb A verundenD ds qte mit der ortleitungF hliesst mn " er eine positive pnnung m qte " den hlterD )iessen vdungen von oder zur fitleitungY der uondenstor wird ent! oder ufgeldenF hen peiherE kondenstor ilden die )hig erweiterte hrin undD isoliert er ein hohwertiges yxid @d < 150 nmAD die qegenelektrode us wetll oder heute liherweise us olysiliziumF @sm fildX I a fitleitung er der oureD P a ortleitungsende ls qte er dem n!unlD Q a hrin mit plnrer irweiterung @storge nodeAD R a )hige opelektrode @ell plteAD drer im isolierenden yxid eine ortleitung einer neenliegenden peiherzelleFA feim vesen wird die uondenstorspnnung registriert und gleihzeitig die vE dung verndert @destruktives vesenAF hs orhndensein von vdung entspriht der logishen I9 und diese wird eim vesen verkleinertD d die htenleitung uf niedrigerem otentil liegtD umgekehrt liegt die htenleitung er uf hherem

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IUS

otentil ls der leere uondenstorD der die logishe H9 reprsentiertF hs eim vdungstrnsfer erzeugte Signal Vb ist sehr kleinD typish IHH E PHH mD denn die upzitt der htenleitung und unvermeidre treukpzitten sind mehr ls zehn wl grsser ls die peiherkpzittD die mn j der plhe wegen klein hlten willF xherungsweise giltX

Vb =

VDD 1 . 2 1 + Cb C
S

@QFSSA

eil ei jedem ehnologiegenertionswehsel sowohl die interne ersorgungsE spnnung VDD ls uh Cb um den selen pktor d verkleinert werdenD muss CS 25 50 fF pro elle konstnt leienF hie emp(ndlihen hrei!vese! erstrker sind prktish niht mehr veresserrF tedes @wortweiseA vesen erforE dert ls ein @wortweisesA xeushreien der peiherinhlte @efreshAF nvermeidr sind die oure!hrin!vekstrme des hlttrnsistorsD dF hF die uondenstorldung ndert sih immerF heshl mssen lle peiherzellen periE odish ufgefrisht9 werden @efresh yklenAF hie rltezeit einer elle etrgt typisherweise I ! einige IHH msY ei hews mit TH ns ugri'szeiten erfolgt ds eu'rishen in IT s lle V msF hie efresh!hltungen enspruhen einen erE helihen plhennteilF hie upzitt des plnren peiherkondenstors ist mit CS = Q = 0 r A U d gegeenF fei einer internen pnnung von PDS und ei erwendung des gewohnE ten SiO2 mht es die hurhshlgfestigkeit des yxids @U wGmD eigentlih S wGmA ntigD dss ein QH fp!uondenstor eine plhe von rund 3 m2 entigtF pr ein R w!hew wr dieser plhenedrf ereits zu grossF hie euswege sindX IF hie erwendung von yxiden mit grsserem r undGoder grsserer hurhE shlgsfestigkeit @feispielX yxy a oxidized nitride!oxide sndwih isoltorAF PF hie ergrsserung der plhe durh ergng zu dreidimensionlen ell! uondenstoren @feispieleX qrenkondenstor @trenhAD tpelkondenstor @stkAF qerde der ergng zum vergrenen uondenstor ht die sntegrtionsdihE te in den letzten thren strker erhhtD ls es nh den odmps9 zu erwrten wrF hiese ehnik stellt grsste enforderungen sowohl n die isotrope xsstzE tehniken ls uh n die nisotropen lsmtztehnikenF hs tzen eines meE rere m tiefenD verrundeten ylinderlohsD die esheidung eines geshlossenenD hohwertigen yxids und ds iinfllen der hekelelektrode sind usserst komplexe erfhrensshritteF hie selen ehniken werden in s @hllow renh ssoltiE onA !rozess zur elektrishen rennung von vergrenen veitungen verwendetF hie uomintion von yxid! und renh!ssoltion kennzeihnet heute die edvned gwy!ehniques9F ywohl die tpelkondenstoren weit grssere wglihkeiten in der hl des ssoltors zulssenD fhrt die mit ihrer rerstellung verundene eufE ruhung der ghipoer)he in der gegenwrtigen vithogrphietehnik zu grossen rolemenF eshliessend einige femerkungen zu den niht)htigen pestwertspeihernF ie sieren eenflls uf wy!trukturenF hie frher lihen PROM!fusteine

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IUT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFUQX pewy!truktur des iyws und ewy!truktur des iiywsISF @rogrmmle ywA mit ihren hmelzsiherungen fr jedes fit sind heute niht mehr lihF en ihre telle sind die iyws @irsle ywA getretenF hie urE sprnglihe wy!truktur verwendet ein ploting qte9D ds von einem etw IHH nm diken yxid vom ilizium isoliert ist und so prktish keine vekstrme zulsstF vegt mn eim hreien zwishen oure und hrin eine F PH hoE he pnnung nD so gelngen vi vlnhe injetion9 heisse ilektronen uf die qteelektrodeD wo sie wenigstens IH thre ls vdung erhlten leienF orhndeE ne vdungen shlten die oure!hrin!treke leiend durhD niht vorhndene qteldung sperrtF wit einer F zwnzigmintigen !vihtestrhlung ist der iyw!peiher lshrF iine veresserte truktur ist die ewy @stked gteAD die eine zweiteD )oE tende qte!ilektrode ls euswhl!ilektrode vorsiehtF um hreien wird hier zustzlih uf ds euswhlgte eine positive pnnung gelegtF iine ewy!truktur verwendet uh ds iiyw @iletrilly irsle ywAF um vshen wird eine positive pnnung ns uontrollgte gelegtD lE le nderen uontkte uf xullY die ilektronen tunneln dnn von der ploting! qte!peiherelektrode zum uontrollgteF wodi(zierte ewy!trukturen hE en zF fF verringerte estnde zu einem erweiterten hringeiet und vshen durh ilektronentunneln vom ploting!qte zum hrinkontktF hie enzhl der hreiGvshzyklen ist uf F 104 egrenztF Nebenbemerkung: iine modi(zierte pewy!truktur verwenden die sogF plsh!

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IUU

a)

b)

eildung QFURX hltsymole eines A pnp! und A npn!rnsistors @gezeihnet nh ITAF peiherD die ddurh eenflls elektrish lshr sindF shr yxid ist lokl dnner und erfordert ein extremes wss n erfektion fr F 106 hreiGvshzyklenF

3.3.4 Bipolare Transistoren (BJT Biplor Junction Transistor, Injektionstransistoren)


wei gegeneinnder geshltete p!n!ergnge ilden einen fipolrtrnsistorF is git zwei eihungsmglihkeitenX npn und pnpF sm geruhlihen pll des npn! rnsistors trgen ilektronen den fr ds fuelement estimmenden tromD im plle des pnp!rnsistors sind es vherF hie drei hotierereihe sind jeweils ohmsh kontktiertY die enshlsse werden immer `Emitter'D `Basis' und `Kollektor' gennntF hie fezeihnung ipolr rhrt von dem pkt herD dss in jedem hotiergeiet wjoritts! und winorittsldungstrger fr die fuelementefunktion wesentlih sein knnenY der fegri' snjektion9 im weitnmen weist druf hinD dss vom imittergeiet wjorittsldungstrger in ds fsisgeiet injiziert werdenD wo sie winorittsldungstrger weit vom thermodynmishen qleihgewiht sindF her imitter!fsis!ergng wird im hurhlss!D der fsis!uollektor!ergng stets in perrrihtung etrieenF hie relevnten eusdehnungen ller hotiergeiete sind @IHH E IHHH mlA kleiner ls die hi'usionslngen der vdungstrgerD dF hF die uonE tktzonen eein)ussen einnder strkF erglihen mit den unipolren rnsistorenD die iF llgF shnellD rushrm und temperturstil geut werden knnenD sind ipolre rnsistoren in geeigneten feshltungen vor llem hervorrgende veistungsverstrkerF wn egegnet ihnen hu(g ls iinzelelementY in der rhstintegrtion spielen sie zhlenmssig eine untergeordnete olleF

npnBipolartransistoren

eildung QFUS zeigt den prinzipiellen eindimensionlen eufu dieses fueleE ments in sogF BasisschaltungD dF hF der fsiskontkt liegt uf wsseF her if! uontkt ist mit UBE 0,7 V leitend gesteuertD UBC whlt mn so hoh @zF fF = 5 VAD dss uh ei grsserem vstwiderstnd der fg!uontkt krftig gesperrt wirdF hie hotierkonzentrtionen sind sehr ungleih und die ergnge ruptF hs imittergeiet ist strk n+ dotiertD die fsis ist eim klssishen Transistor hoE mogen und deutlih niedriger p dotiertD der uollektor nohmls deutlih niedriger n dotiertF hie fsisshiht ist sehr dnnD ds uollektorgeiet vergleihsweise weitF hie umldungszonen sind symmetrishY die der snjektionsdiode sehr shml

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IUV
Emitter (-) n+ IE ~ UEB + IB P Basis

fuelemente und hltungstehnik


Kollektor (+) n IC UEC +

eildung QFUSX fsisshltung eines npn!rnsistors @gezeihnet nh IRAF und niederohmigD die der gesperrten hiode sehr reit und tief im uollektorgeietD ihre zugehrige upzitt sehr kleinD ihr iderstnd hohF hs elektronische Bnderschema @eildung QFUTA git " gestrihelt " die erhltnisse ohne orspnnungen im thermodynmishen qleihgewiht wieder und " durhgezogen " die des xormletriesF on links di'undieren ilektroE nen InE durh die shmle perrzoneY je grsser NE D desto mehrF qegener dem thermishen qleihgewiht nB0 ist m emitterseitigen fsisrnd die winorittslE dungsrgerdihte nB erhht gemss

nB (0) = nB0 exp [UBE /kB T ] .

@QFSTA

her imitterstrom teilt sih in der fsis ufF her qrossteil der ilektronen @ 99%A wird vom elektrishen peld des gesperrten f!g!uontkts in den uollektor geE sugtX InC F her kleine est @ 1 %A rekominiert mit den n der fsis injizierten vhernF @hiese tromverteilung ist eine rshe des vergleihsweise vergrsserten ushensFA xherungsweise gilt lso InE InC D solnge die fsislnge deutlih kleiner ls die hi'usionslnge Ln istF Nebenbemerkung X hs iindi'undieren der ilektronen in die fsis limitiert ds zeitlihe erhlten des klssishen fipolrtrnsistors durh vufzeite'ekteF woderne rinten sind durh ein inhomogenes fsisdotierpro(l gekennzeihnetY ds dmit verundene elektrishe peld eshleunigt die vdungstrger zum uollektor hinX hrifttrnsistoE ren9 sttt hi'usionstrnsistoren9F @hiese erreihen rnsitfrequenzen von einigen qrzFA hie erteilung der winorittsldungstrger in der fsis ist gegener der einer lossen hiode @exp [x/Ln ]A strk verndertY die enzhldihte fllt ufgrund der ogwirkung des gesperrten fg!uontkts @ exp [x/xB ]A prktish m kollektorE seitigen nd der fsis @ei xB X hngig von UBC A uf xullF yerhl des therE mishen qleihgewihtsD zum imitter hinD erwiegt die ereits oen eingefhrte ekomintionD zum rehten nd der fsis hin ist nB < nB0 D dF hF hier liegt eine shwhe qenertion von winorittsldugstrgern vorF pr den ilektronenstrom giltX

mit

InE eADnB grad nB , nB nB (0) = . grad nB = x XB

@QFSUA @QFSVA

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA


Emitter VE=+0.6V EFn EFp Gleichgewicht mit Vorspannung VC=5V EFn
C B E

IUW

Basis

Kollektor

(a)

vorwrts n
Verarmungsschicht

rckwrts
Verarmungsschicht

p np(0) InE QB

n (b)

pn(0) IpE xE Ir Emitter

Pn0 IR Kollektor
LB

InC xB IG

0 Basis

Elektronen-

NdE fluss n InE IE IpE Ir xdE -

NAB p InK InB

Lcherfluss

NdC

n xdC CB IR IG IC (c)

VE
+

IB

+
- +

VC 5V

0.6V

eildung QFUTX npnTransistor im qleihgewiht und xihtgleihgewiht @geE zeihnet nh PIAF hrus folgtX

InE

eADnB nB0 exp [eUBE /kB T ] InC . xB

@QFSWA

hie winorittsldungstrgerdihte im uollektor ist zum fsisrnd hin ufgrund des vhergenertionsstroms IG eenflls uf nhezu xull reduziertF iin zweiter vekstrom esitzt noh mehr elevnzF hie in die fsis injizierten vher knnen in der fsisD im if!perrgeiet oder er erst im imittergeiet rekominierenX IR F hieser vherstrom whst mit der wjorittsldunsgtrgernzhldihteD lso mit der p!hotierkonzentrtion der fsisF hie fsis knn deshl niht elieig nieE

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IVH

fuelemente und hltungstehnik

derohmig gemht werdenD die eindi'undierenden vher und die dmit verundeE ne upzitt limitieren ds hlt!Geitverhlten ller fipolrtrnsistorvrintenF @iine kleine vherdi'usionslnge LpE wre hilfreihFA iin wss fr die veistungsfhigkeit des rnsistors ist ds erhltnis zwishen dem wjorittsldungstrgerstromD der die imittergrenze erreiht und dem enteilD der im imitter durh ekomintion verloren geht @imitterwirkungsgrdAF ru(g ngegeen wird die sogF Emitterezienz X

InE InE = <1, IE InE + IpE + IR

@QFTHA

d IpE und IR entgegengesetztes orzeihen esitzenF hie klssishe fipolrtrnsistoren!heorie liefert die eussgeD dss fr eine hohe i0zienz ds rodukt DnB nB0 mglihst gross sein soll und deshl wird ds imittergeE iet sehr hoh dotiertF pr die tehnishen trme gilt der usmmenhngX

IE = IB + IC .
sm hetil giltX

@QFTIA

IE = InE + IpE IC = InC + IpC .


peziell fr den fsisstrom giltX

und

@QFTPA @QFTQA

IB = InB + IpE IpC ,

@QFTRA

er setzt sih lso us dem 1 %!enteil von InE und den eiden vekstrmen zusmmenF sm qegenstz zu den pelde'ekt!rnsistoren geshieht die Steuerung der ipolren rnsistoren niht leistungslosD der fsisstrom elstet stets den teuergenertorF hie erwhnte klssishe9 heorie liefert shliesslih fr die ertrgungskennliE nie IC (UBE ) nherungsweise den usmmenhngX

IE

eADnB nB0 exp [eUBE /kB T 1] IC , Ln

@QFTSA

dF hF wir hen eine typishe hiodenkennlinie vorliegenD deren orwrtsstrom9 IC wieder ei UBE 0,6 V merklih einsetztF IC hie sogF teilheit @smll!signl trnsondutneA gm = UBE ist eine weitere qrsse zur ghrkterisierungD siehe eildung QFUU @iin)uss einer teuerspnE nungsnderung uf den eusgngsstromAF hie eusgngskennlinien zeigen die perrE strme der fg!hiodeD die rhe des perrstromes wird durh UBE zwF IB gesteuE ertF is git drei vershiedene qrundshltungenY der uontktD der uf irdpotentil gelegt wirdD git der hltung ihren xmenX fsis!D imitter! und uollektorshlE tungF

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IVI

30 700 25

Kollektorstrom IC / mA

UEB/mV 20 IC = gm UBE 680

15

10 660 5 640 620 0 0 200 400 600 800 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

E/BSpannung UBE/mV

C/ESpannung UCE/V

eildung QFUUX ertrgungs! und eusgngskennlinie nh IRF

eildung QFUVX imittershltungX iingngs! und eusgngskennlinienPHF hie Basisschaltung ist gekennzeihnet durh einen niederohmigen iingngD einen hohohmigen eusgngY ihre tromverstrkung ist 1D eine pnnungsverE strkung und dmit veistungsverstrkung ist mglihF hie geruhlihste qrundshltung ist die EmitterschaltungF her imitterE nshlusss liegt uf wsseD die pnnungsversorgung des rnsistors erfolgt er einen ereitswiderstnd RA D der in der rxis den eusgngswiderstnd der hlE tung estimmtF her usgngsseitige uollektorstrom IC wird vom vergleihsweise kleineren fsisstrom IB gesteuertF hie iingngskennlinie git ds erhlten der snjektionsdiode wiederY die eusE gngskennlinien zeigen ds perrstromverhlten der fg!hiode ei IB = 0 zwF stufenweise ngehoenen uennlinien mit whsendem IB zwF UBE F ird ds uennlinienfeld nh rehts fortgesetztD folgt der vwinendurhruh in der fg! RaumladungszoneF eitere iigenshften sindX eusgngsimpendnz von 10 100 kD nihtlinere pnnungsverstrkung von PH E IHHD sehr linere tromverE strkung B von SH E SHHD typish IHHD grosse teilheitD hurhruh PF ert @posiviter emperturkoe0zient edeutet inhomogene tromverteilungenD die zu lokler irE hitzung und shliesslih zur loklen erstrung insesonders von veistungs! und rohspnnungstrnsistoren fhrenAF iin Schalter entigt zwei klr untersheidreD verlustrme ustndeF her

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IVP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFUWX imittershltungX fipolrtrnsistor ls hlterPHF

eildung QFVHX uershnitt und hotierpro(l fipolrtrnsistorsD shemtishISF

des

vertiklen

npn!

xormlzustnd @in eilding QFUW mit I ezeihnetA zeigt erhelihe erluste und wird ei der erwendung des rnsistors ls hlter nur ls wishenzustnd durhlufenF her ustnd u9 oder eus9 wird erreihtD indem IB 0 gemht wirdF hnn sinkt UBE unter die hurhlssspnnung @UBE < US 0,6 V A und IC sinkt uf einen minimlen estetrg F her iderstnd des vllig gesperrten rnsistors ist mximl und gross gegen den vorgeshlteten uollektorwiderstnd RC D dF hF die ersorgungsspnnung UB fllt prktish m Transistor X Ua UB F her ustnd euf9 oder iin9 wird durh sprungrtiges enlegen einer pnnung n den vorgeshlteten fsiswiderstnd RB erreihtD so dss IB so gross wirdD dss der ttigungszustnd @unkt P in der eildungA erreiht wirdF hei ist UCE,Sttigung 0,2 0,5 V D lso kleiner ls UBE X hF hF UCB wird umgepolt und die @islng immer gesperrteA f!g!hiode wird @erstmlsA leitendF hs zeitlihe hltverhlten wird ntrlih durh ds mlden der perrE shihtkpzitten edingtF is treten eim iin! und eusshlten erzgerungszeiE ten ufF @etzt mn eine hottkydiode so zwishen fsis und uollektorD dss ihre enode mit der fsis verunden istD lssen sih diese erzgerungszeiten deutlih verringernX hottky!v!ehnologieAF hie rerstellung der fipolrtrnsistoren erfolgt wieder in lnrtehnikF her vertikale npnBipolartransistor ist in eildung QFVH gezeigtF sm uerE shnitt ist mittig der imitterkontkt zu sehenD drn shliessen eidseitig zwei fE siskontkte nF hie freiten der umldungszonen stehen iF llgF im erhltnis von etw IXPY die BCRaumladungszone etrgt heute ei righ!speed!rnsistoren etw IHH nmD ei rohspnnungstrnsistoren F IH mF her n!dotierte uollektor wurde uf ein n+ !dotiertes ustrt ufgewhsenF pr die pertigung integrierter

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IVQ

eildung QFVIX elqes!qes!retero!fipolrtrnsistorX fndshemITF

ilektronishes

vertikler npn!rnsistoren muss der uollektor eenflls n die yer)he gefhrt werdenF @her imitter sitzt in einer p!dotierten fsiswnneD die im n!dotierten uollektorgeiet eingelssen istD ds ustrt ist p !dotiertD die ohmshen uonE tkte sind us olysiliziumAF hie rerstellung eines pnp!rnsistors erfolgt nlogD die enordnung ist etws einfherX lateraler pnpTransistorF hie plhengrsE sen eines rnsistors hngen vom erwendungszwek F pr kleine pnnunE gen entigt mn heute < 1 mD fr einen THH !hlttrnsistor eispielsweise > 10 mmF her estnd der umldungszonen ist kritishD eine weitere erE kleinerung der I2 LD der integrted injetion logiD sheint tehnish kum mglihF feim konventionellen fipolrtrnsistor konnte die veitfhigkeit der fsis zur irE zielung einer hheren hi'usionsgeshwindigkeit durh weitere hotierung niht geE steigert werdenD weil der kstrom von vhern von der fsis und dem imitter ddurh zunhm und der imitter!snjektionswirkungsgrd @durh ekomintionA snkF pr rp! und rohgeshwindigkeits!hlt!enwendungen knn mn diese qrenE ze durh zwei hritte hinusshieenF irstens knn mn ds n!dotierte imittermteril durh ein eenflls n dotiertes HalbleiterMaterial grsserer fndlke ersetzenF hie lenznd! hiskontinuitt m reterokontkt vermindet ds iindringen der vher in ds imittergeiet sehr e'ektivF hie fsis knn ddurh hher dotiert werden ls der imitterF sn einem weiterenD uf SiWafern ufgewhsenen ystem knn eine hnlihe hysik relisiert werdenX Si/SiGeBipolartransistorF rier ht die fsis eine kleinere Energielcke ls ds imitter! und uollektormterilF sn diesem ystem ist uh der zweite eresserungsshritt relisiert wordenD nmlih die Graded base band gap technique GBT9F rier esitzt die fsis zum einen wie in den hrifttrnsistoren eine inhomogene hotierung und zustzlih @neuA eine ortshngige fndlkeD die ein hohes hriftfeld @IS kGmA hervorE ruftF hies wird mglihD d mit der rition des zulegierten qe!enteils in einem gewissen hmen die kontinuierlihe rition der Energielcke mglih istF hie ilektronen ruhen zum hurhqueren der zF fF SH nm reiten fsis noh weniE ger eitF eshneidefrequenzen von rund IHH qrz sind so erreiht worden und die knftige erindung mit der vs @ltr vrge le sntegrtionA!ehnik

HBT HeteroBipolartransistor (Heterjunction Bipolar Transistor)

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IVR er'net neue rorizonteF

fuelemente und hltungstehnik

3.3.5 Einige Optoelektronische Bauelemente


festrhlt mn HalbleiterMaterial mit viht geeigneter ellenlngeD so wird seine veitfhigkeit @hunkelleitfhigkeitA erhht um die sogF FotoleitfhigkeitF hei werden iF llgF die vdungstrgerdihten erhhtD whrend die vdungstrE gereweglihkeiten prktish unverndert leienF viht knn lso in potostrom umgewndelt werdenX innerer Fotoeekt oder innerer lihtelektrisher i'ektF euh die mkehr ist mglih und dient der irzeuE gung von inkohrentem oder kohrentem vihtF hie enwendungsfelder sind riesigY sie umfssen die ensorikD die inergietehnikD die kommerzielle ilektronik und die elekommuniktion etF qlsfsernetze mit ultrniedrigen erlusten verinden die uontinenteY lngst git es die integrierte yptoelektronikF ir wollen uns hier er uf die qrundlgen eshrnkenF eus den esorptionsmessungen m intrinsishen HalbleiterMaterial weiss mnD dss die hotonen eine windestenergie entigenD um ein ilektron!voh! r er die fndlke nzuregenF @sm Halbleiter ist die optishe ektivierungsE energie gleih der thermishenFA pr die qrenzwellenlnge giltX

Gr [m] =

1,24 . EGap [eV]

@QFTTA

hei ist die hrsheinlihkeit fr einen sogF indirekten ergng @mit einer nderung des usiimpulses des ilektrons durh ein hononA uh ei umE tempertur um qrssenordnungen kleiner ls fr einen direktenF is liegt die `GrundgitterFotoleitung' vorF fei dotierten rlleiter!wterilien werden die vorhndenen Donatoren oder Akzeptoren ionisiertY die sogF euslufersorption setzt lso shon ei grsseren ellenlngen ein und fhrt zur sogF StrstellenFotoleitung9F hieser potoleiE tungstyp ist unipolrD whrend die qrundgitter!potoleitung im rinzip ipolr istF @ngleihe feweglihkeiten und veensduern knnen jedoh zu einer nipolritt fhrenFA hie us dem thermishen qleihgewiht durh festrhlung zustzlih erzeugE ten vdungstrger hen eine mittlere veensduerD nh der sie wieder rekomE inierenF hie ekomintion legt letzlih festD o zwishen potoleitfhigkeit und feleuhtungsstrke ein linerer usmmenhng esteht @oder etw I AF

3.3.5.1 HalbleiterFotodetektoren
her einfhste potodetektor ist ein eidseitig kontktierter rlleiter! hik(lmstreifenY unter feleuhtung erniedrigt sih sein iderstndF sm sihtren fereih lngjhrig ewhrte potowiderstnde sind gd und gdeF ie sind hohE ohmigD sehr emp(ndlih und sehr lngsmF eufwendiger sind FotodiodenF sn ds esorptionsgeiet diht unter der yerE )he wird eine mglihst usgedehnte Raumladungszone gelegtF fei der klssiE shen pnFotodiode ist dies ein strk symmetrish dotierter pn!ergngD ei

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IVS

eildung QFVPX hem der P+ NN+ !potodiodePHF der pinFotodiode ein usgedehnter intrinsisher wishenereihF hie erE gnge werden ntrlih in perrrihtung etrieenD um die umldungszonen mglihst zu verreiternD die trke des hriftfeldes ist von sekundrer fedeutungF pr ds eitverhlten sind er neen den internen vufzeiten @dotierkonzentrE tionshngigA die mldezeiten der perrshihtkpzitt mssgeendF egen C 1/ U ist es sinnvollD ei der mximlen perrspnnung @F F F F IH A zu reitenY die hltzeiten liegen dnn ei F IH nsF sx!hioden sind hier wegen ihrer kleineren upzitt grundstzlih im orteilD hltzeiten is hin zu IHH ps sind mglihF hie hu(gst verwendeten wterilien sind SiD qe und GaAsF rinzipiell sind lle rlleiter!uontkte mit ihren jeweiligen umldungszonen zur hetektion von viht @oder hrterer trhlungA geeignetX die hottkydiodeD die wetll!s!x!hiodeD die wy!hiodeF hie reteroepitxiemethoden ermglihen neurtige fuelementeD in denen esorptionsgeiet und peihergeiete rumlih getrennt sindF wit einer von ussen ngelegten perrspnnung detektiert mn einen potostromF yhne orspnnung )iesst ei uurzshluss ein uurzshluss!trom9 eziehungsweiE se erzeugt die potodiode ei o'enen uontkten eine pnnungF ehngig von der fuform spriht mn von Fotoelement oder von der SolarzelleF hie isher gennnten fuelemente funktionieren ohne erstrkungF snnere erE strkung is pktoren von 104 knn mn in Avalanche Fotodioden @vwinen! potodiodenA erreihenF hurh geeignete hotierung und hohe perrspnnungen werE den in diesem ilement vdungstrger ewusst durh lokle tossionistion und weniger durh feleuhtung erzeugtD im hriftfeld eshleunigt und so ein vwinenE durhruh gezndetF weist weist die hiode eine P+ P PN+ !truktur ufD es knn er uh ein wetllErlleiter!uontkt oder eine sx!trukturD etF seinF hie enstiegszeiten knnen unter IHH ps liegenF iine sehr e'ektiveD linere wglihkeit zur erstrkung ieten die FototransistorenF feim bipolaren Transistor ist die gesperrte fsis!uollektor!hiode ds esorptionsgeietF hie vher erhhen die fsis!imitter!pnnungD so dss der imitter mehr ilektronen in die fsis und dmit in den uollektor injiE ziertF hie fipolr!pototrnsistoren sind llerdings lngsm @F IHH krzAF feim perrshiht!pelde'ekt!pototrnsistor und eim wypi!pototrnsistor werden evorzugt die reiten perrzonenereihe eleuhtetF rervorzuheen ist eim erE sten yp die ushrmutD eim zweiten die kurzen ensprehzeitenF Solarzellen sind esondere fuelementeY kein kommerzielles hetektorelement wurde so sehr uf i0zienzD qross)higkeit und reiswertheit optimiertF ie git

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IVT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFVQX rinzip des pototrnsistorsPHF es in einer ielzhl von fuformenD meist us SiF iinkristlline olrzellen hen irkungsgrde von er 26 % erreihtF

3.3.5.2 HalbleiterStrahlungsquellen
pn!hioden us rlleitern mit direkter fndlke emittieren trhlungD wenn sie in hurhlssrihtung etrieen werdenX vih @vight emitting diodeAF hie rshe ist die sogF strhlende direkte ekomintion er die fndlke hinwegF GaAs selst emittiert im snfrtorenD im ihtren werden GaAs1x Px !wterilien und qXx!wterilien eingesetztF xeuerdings spielt qx eine edeutende olleF hs imissionsspektrum ist iF llgF sehr reit und temperturhngigF hie ihthrkE teristik ist usgesprohen reit und wird in der rxis zF fF durh uunststo1insen in orwrtsrihtung veressertF hie hltzeiten knnen I s deutlih untershreiE tenF hie strhlende ekomintion knn uh er einen wishenzustnd @vumineszenz!entrumA erfolgenF feknntes feispiel sind die luen ig! vihs @iemensAF hie neuen luen vihs estehen us elqxGsnqx! hoppelheterostrukturenF erden sie mit eq @ttrium eluminium qrnetA und hosphoren direkt eshihtetD entsteht eine weisse LEDF iin weiterer rend geht zu gross)higen vihsD einzelne imitter)hen reihen n 1 mm2 F hs vih!rinzip lsst sih zum HalbleiterLaser weiterentwikelnF hzu sind zwei hinge notwendigF irstens muss die induzierte imission die ei der vih usE shliesslih vorhndene spontne imission deulih ertre'enF rierzu ist in der sogF ktiven one eine usreihende fesetzungsinversion notwendigF sn einer eidE seitig sehr hoh dotierten @> 1019 cm3 A entrteten pn!hiodeD die in hurhlssrihE tung etrieen wirdD ist die vdungstrgerinjektion ttshlih usreihend grossD um gepulsten vseretrie zu erhltenF orusgesetztD die zweite fedingung ist erflltX die gesmten erluste der trhlungsmode mssen kleiner sein ls ihr qeE winnF irreiht wird dies durh einen lnglihen @F I mmA esontorF wn erhlt ihn durh frehen entlng einer niederinduzierten uristlleene @@IIHA in GaAsAD die eiten)hen werden ufgerutF hieser sogF untenstrhler emittiert n eiden indenF hie ktive one ist mehrere m hoh und seitlih noh unegrenztY uh die trompfde sind noh unde(niertF heshl ist die sogF hwellstromdihte noh

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IVU

eildung QFVRX P+ N+ !vserdiode A ohne pnnung und A mit ngelegter pnE nung und ddurh hervorgerufener fesetzungsinversionFIS

eildung QFVSX rinzip des vserresontorsPHF iine usfhrlihe hrstellung (nE det sih im eshnitt RFSFI sehr hohD die erlustwrme zerstrt die vserdiode rshF iel esser wre esD wenn der optishe esontor durh einen ellenleiter seitlih uf seine qrundmode eingeshrnkt wrdeY ds HalbleiterMaterial der ktiven one msste lso einen deutlih hheren frehungsindex hen ls ds sie umgeE ende wterilX optishes gon(nement9F euh der hiodenstrom msste nur durh die ktive one und uf den uleitungswegen mglihst niederohmiges wteril durh)iessen mssenX ilektrishes gon(nement9F hie mssige spektrle fndreiE teD edingt durh die energetishe freite der esetzten ustnde @h > EGap 3A und die gerohenen plnen ind)hen sollten durh einen wellenlngenselektiven hohre)ektierenden piegel @zF fF hpf histriuted feedkA ersetzt werdenF ehnologish hen die Halbleiter diesen weiten eg er viele thre mit shrittweisen eresserungen zurkgelegtF rier knnen nur wenige gennnt werE denX der reterojuntion vserD der hoppel!reterojuntion vser mit dem optiE shen gon(nement in der enkrehten und einer senkrehten eusdehnung der ktiven one von F PHH nm durh ein elektrishes gon(nement mit rilfe der

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IVV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFVTX untum ell vsersF

eildung QFVUX GaAsVCSEL fr USH nmD ereitsgruppe ielingD niversitt lmF fnddiskontinuittenF eildung QFVT zeigt eine weitere veresserte rinte dieses ypsF her ellenE leiter ist zustzlih seitlih egrenztY der uleitungskontkt ist durh eine yxidE mske streifenfrmig de(niertF wit solhen vsern sind F IH m im hueretrie ei umtempertur mglihF xoh niedrigere hwellstrme erreiht mnD wenn die ktive one durh einen Single Quantum Well oder gr ein Multiquantum Well geildet wirdF hie hohde(nierte ert und die rhe der eteiligten ilektronen! und vherzustndsE dihten ermgliht uneknnte erstrkungen @pro ktive onenlngeAF wit diesem uonzept konnte zF fF im ne!wterilsystem der erste lue huerstrihlser ei umtemperur relisiert werden @xkymD IWWQAF hurh erwendung mehrerer untum ells und piegeln us frggre)ektoren

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QFQ ihtige rlleiter!fuelemente @eufuD punktionD ehnologieA

IVW

eildung QFVVX goulom!flokde und ingle eletron eletronisF gelng es shliesslihD givs @ertil!vity surfe!emitting lsersA zu relisieE renF um eshluss sei ein feispiel der niversitt lm @ereitsgruppe ielingA hierzu gezeigtF ier T nm dike qes untentpfe sind zwishen Al0,3 Ga0,7 ! frrieren eingeettetF her vser emittiert einen zylindersymmetrishen trhl nh oen @top emittingAF

3.3.6 Ausblick
fedingt durh die hominnz der ilizium!gwy!ehnologie ei den integrierE ten hltungen muss ein esmee mit einem flik uf den MOSTransistor eginnenF wit jedem ehnologieshritt werden seine emessungen kleiner und sein qteoxid immer dnnerF srgendwnn zwishen PHIH und PHPHD so sgt dies die tehnology rodmp9 der se @emiondutor sndustries essoitionGeA vorusD wird die gwy!ehnologie us physiklishen qrnden niht mehr nE wendr seinF @iin hltvorgng wird us himensionsgrnden nur noh von F IH ilektronen getrgen werdenF hie ellenfunktionen des rlleiters und esonders des wetlls leken in ds yxid hinusD so dss mindestens R ! S yxidmonolgen ntig sindD dmit sih ssoltorndzustnde erhupt usilden knnenFA iine F I nm dike qte!yxidshiht knn von einzelnen ilektronen durhtunE nelt werdenX unneloxidF hruf eruht die ingle eletron eletronis9D die uf einer qrssenskl < 10 nm reitetF sn der qrundnordnung e(ndet sih zwishen P ilektrodenD jeweils durh unE nelstreken getrenntD eine xnoinsel us leitendem wterilD zF fF ein metllener nnodot9F hie snselkpzitt soll mglihst klein sein @F 1019 1018 FAD dF hF der rtikel drf nur einen hurhmesser von wenigen xnometer henF fringt mn durh einen pnnungsimpuls ein ilektron er die oure!seitige unnelstreke uf die xnoinselD so verndert die vdung des ilektrons die unE nelverhltnisse fr weitere ilektronenY diese sehen eine zustzlihe frriere9 und ein weiteres ilektron muss zustzlih die inergie e2 /2C mitringenD um eenE flls uf die xnoinsel tunneln zu knnenX CoulombBarriereF pr pnnungen |VC | > e2 /2C knnen ilektronen in eide ihtungen trnsportiert werdenD ws mn durh wessen der I(U )!uennlinie jeweils erprfen knnF ximmt mn eine dritte ilektrode @qteA hinzuD so kommt mn zum SET @Sin-

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IWH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFVWX hveninshe irstzshltung @gezeihnet nh PPAF

gle electron transistorAF is git erste feispieleD die ei umtempertur funkE

tionieren @e2 /2C kB T A @iehe uh eshnitt RFIHFIHA F um eshluss sei noh uf eine werkwrdigkeit hingewiesenF fei llen elekE tronishen fuelementen spielte der ilektronenspin erhupt keine olleF hies soll sih mit der pin!ilektronik9 ndernF ellerdings stehen die uonzepte noh uf dem pier @zF fF eine neue hltungslogikAD die erfolgreihe experimentelle elisierung steht noh usF ken wir9s n3

3.4 Grundschaltungen
3.4.1 Lineare passive Bauelemente
ssive fuelemente esitzen keine eingeute veistungsquelleY ihre eusgngsleiE stung knn lso niemls grsser ls ihre iingngsleistung seinF @ohl er knn die eusgngsspnnung grsser ls die iingngsspnnung seinD siehe rnsformtorFA ssive fuelemente sind stets zweipoligF vinere weipole verknpfen ein iinE gngssignl liner mit dem zugehrigen eusgngssignlF hem wihtigsten nihtliE neren weipol " der hiode " widmen wir einen eigenen eshnitt im enshlussF sn einem qleihstromkreis git es neen pnnungsE und tromquellen nur iE derstnde @> 0 is < AY uondenstoren und pulen sind erst in ehselE stromkreisen wirksmF sm erweiterten inn sind uh hlterD elisD erinderD etF sowie Messgerte weipoleF ur irinnerungX um epertoire zur feshreiung von weipolshltungen geE hren ds ohmshe qesetzD die fegri'e pnnungD tromD veistungD die unoten! und wshenregel @uirhho'shen qesetzeAD die pormeln fr erien! und rllelE shltungen von iderstnden und fr den pnnungsteilerF hie ntersuhung eines xetzwerkes us iderstnden und pnnungsquellen knn sehr mhselig seinF eer sie ist eispielsweise notwendigD wenn es um die felstung9 einer hltung gehtF iin einfhes feispiel hierfr ist der elstete pnnungsteilerD siehe eildung QFWHF

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QFR qrundshltungen

IWI

3.4.1.1 Theoreme von Thvenin und Norton


wei heoreme helfen deiX hs heorem nh hvenin sgt usD dss jedes xetzwerk us weipolenD zF fF us pnnungsquellen und iderstndenD quivlent durh eine irstzshltung us einer @idelenA Spannungsquelle mit UTh und einem @innerenA iderstnd RTh in eihe eshreir istF ur ferehnung der hveninshen irstzshltung geht mn folgendermssen vorX IF iine eventuelle vst zwishen A und B wird entferntF PF wn misst die pnnung UT h zwishen A und B mit einem idelen pnE nungsmesser @Ri = AF QF wn ersetzt lle pnnungsquellen durh uurzshlsseD ehlt er deren snnenwiderstnde @die j in erie zur pnnungsquelle sindAF RF wn ersetzt lle tromquellen durh nterrheD ehlt er die snnenwiE derstnde @die j prllel zur tromquelle sindAF SF wn misst oder erehnet den iderstnd RT h zwishen A und B F hs heorem von xorton esgt ds gleihe fr eine irstzshltung us einer @idelenA tromquelle und einem prllelen iderstndF rier geht mn wie folgt vorX IF iine eventuelle vst zwishen A und B wird entferntF PF wn misst den uurzshlussstrom IN zwishen A und B mit einem idelen trommesser @Ri = 0AF QF wn ersetzt lle pnnungsquellen durh uurzshlsseD ehlt er deren snnenwiderstnde @die j in erie zur pnnungsquelle sindAF RF wn ersetzt lle tromquellen durh nterrheD ehlt er die snnenwiE derstnde @die j prllel zur tromquelle sindAF SF wn misst oder erehnet den iderstnd RN zwishen A und B F

UTh ist die veerlufspnnung sowohl der irstzshltung ls uh des quivlenE ten hltnetzwerks und knn erehnet oder gemessen werdenF her uurzshlusE strom im geshlossenen irstzkreis ist gleih dem uurzshlussstrom im quivlenE

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IWP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFWHX nelsteter und elsteter pnnungsteiler nest seiner hvenE inshen irstzshltungPPF ten xetzwerkD lso

I =

UTh RTh

uurzshlussstrom9, veerlufspnnung9 m eusgng,

UTh = U (o'ener ureis) RTh =

U (o'ener ureis) snnenwiderstnd9, I(geshlossener ureis) RL RT h + RL


pnnung m vstwiderstnd9.

UL = UT h

ungsufgeX festimmung von UTh und RTh fr den oen gezeigten pnnungsE teilerF hie elstete irstzshltung ist wieder ein pnnungsteiler3 hs fild von einem quivlenten snnenwiderstnd ist niht nur uf die Spannungsquelle pnnungsteiler9 eshrnktD sondern wird eenso uf ftteriE enD yszilltorenD erstrker und ensoren ngewndF hie eusdrke uellenwiE derstndD snnenwiderstndD eusgngswiderstnd und hveninsher irstzwiderE stnd meinen lle dsseleF wssen uondenstoren und pulen erksihtigt werdenD so gilt ds hvenin! heorem in verllgemeinerter pormX tedes weipol!xetzwerk us iderstndenD uondenstorenD pulen und ignlquellen ist quivlent einer einzigen komplexen smpednz in erie mit einer einzigen ignlquelleF hie irstzspnnungsquelle und die eusgngsimpednz werden wie oen ermitteltF ungsufgeX ferehnen ie UTh und RTh fr den pllD dss die iderstnde 100 kD 1 MD 100 M etrgenF iine wihtige enwendung des hveninshen wodells ist die orhersge der eusgngsspnnung einer Spannungsquelle @zF fF der gennnte pnnungsteiE lerA oder einer gnzen hltungsgruppe unter vstF xoh llgemeinerX enn ein hltkreis e einen hltkreis f nsteuertD " lso mit ihm elstet wird " in welhem erhltnis muss der eusgngswiderstnd von e zum iingngswiderstnd von f stehenD dmit der pnnungseinruh von e einen gewnshten rozentE stz niht ersteigtc hie fetrhtung folgt immer dem selen egX erst ermittelt

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QFR qrundshltungen

IWQ

eildung QFWIX feispiel fr die irstzshltung eines pnnungsteilersPPF

eildung QFWPX hiodeX hltzeihen und eufuUF mn die eiden ilemente UTh und RTh der irstzshltung fr hltkreis eD dnn etrhtet mn den pnnungsteiler unter ferksihtigung des iingngsE widerstnds des hltkreises f ls vstF ukzessive knnen so weitere vsten ngehngt werdenF pr die rxis gilt folgende werkregelX m den pnnungseinruh einer uelle klein zu hltenD sollte der vstwiderstnd mglihst gross gehlten werdenF is sollte geltenX RLast 10 RInnen . @QFTUA fei enwendungen in der rohfrequenztehnik @re)exionsfreie enpssung9A oder zur optimlen veistungsnpssung gilt er stetsX

RLast = RInnen .

@QFTVA

3.4.2 Dioden
hie physiklishen qrundlgen der hioden wurden ereits in upitel QFP usfhrE lih ehndeltF is folgen hier einige prxisezogene femerkungenF hiskrete hioden hen stets zwei enshlsseX enode @eA und uthode @uAY integrierte hioden esitzen noh einen dritten enshluss @ustrtnshluss AF hie qehuseformen von iinzeldioden hneln denen von iderstndenD der prE ring kennzeihnet die uthodeF eitere pormenD insesondere veistungsdiodenF hie in eildung QFWR gezeigten uennlinien geen nohmls die drei fetriesereihe wiederX hurhlss!D perr! und hurhruhsereihF sm hurhE lss etrgt die sogF plussspnnung UF @forwrd voltgeA ei typishen fetriesE strmen ei qe! und hottkydioden F 0,3 0,4 V D ei SiDioden F 0,6 0,7 V F hieser hurhlss!pnnungsfll9 ist nnhernd konstntY ein pktD der die hiskussion von hltungen mit hioden gnz wesentlih vereinfhtF pr

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IWR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFWQX uleinsignl!hiodeX trom!pnnungs!uennlinienUF eine erste fetrhtung knn er hu(g gnz vernhlssigt werdenF pr hohe hiE odenstrme ID sind die hurhlsswiderstnde sehr kleinX RD 0,01 10 F mgekehrt sind die perrwiderstnde RS sehr hohD ei Si iF llgF > 10 MF hie zugehrigen perrstrme IR @reverse urrentA sind extrem kleinD meist < 107 AF hliesslih wird die perr!hurhruhspnnung UBR @pek inverse voltgeA erE reihtD die meist ei einigen IH liegtD er uh I k ei tromgleihrihterdiE oden etrgen knnF eusser ei enerdioden sollte diese perrspnnung keinesflls erreiht werdenF sn einer ersten hltungsetrhtung hen die hioden in perrE rihtung einen !grossen iderstndF hs dynamische Verhalten von hioden wurde ereits in upitel QFP prinzipiE ell diskutiertF sn der rxis spielt ds hltverhlten ei ohmsher zwF ohmsh! induktiver vst und ei hheren prequenzen eine entsheidende olleF sn hurhE lssrihtung stellen sih konstnte fetriesedingungen meist in wenigen xnoseE kunden einD in perrrihtung werden hnlihe erte fr die efllzeiten nur ei hottkydioden mit kleineren upzitten erreihtD iliziumdioden wie die I x RIRV uleinsignldiode entigen F IHH sD ei tromgleihrihterdioden werden mehrere s entigtF eitere snformtionenF geh!rogrmme zur hltungssimultion wie zF fF sgi verwenden nihtE linere Diodenmodelle mit den qrssen fr den hi'usions!D ekomintions! und hurhruhstromD fr den fhnwiderstnd und fr die perrshiht! und hi'usionskpzittenF hlreihe rmeter hrkterisieren ds sttisheD dynE mishe und thermishe erhltenF wuss mn uf die rilfe von gomputern verzihE tenD helfen linerisierte uleinsignlmodelleD die im esentlihen den di'erentiellen hiodenwiderstnd und die eiden upzitten in einem ereitspunkt erksihE tigenF is git eine ielzhl von hioden!AnwendungenF iiner der wihtigsten ist die Gleichrichtung von ehselspnnungenD dF hF der periodishe ehsel von hurhlss! und perretrie @qleihrihterdiode9AF em einfhsten geshieht dies in pnnungsteilernY eildung QFWR zeigt neen dem eknnten iinweg! oder rlwellengleihrihter zwei verwndte hltungenD nmlih sogF ulemmenF em iingng wird jeweils eine @usreihend niederfrequenteA ehselspnnung von VPP = 20 V ngelegtF em eusgng des iinweggleihrihters eohtet mn

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QFR qrundshltungen

IWS

eildung QFWRX iinweggleihrihter oen und zwei ulemmen unten @gezeihnet nh PPAF

eildung QFWSX weiweg!frkengleihrihter qlttungs!uondenstorPPF

links

ohne

und

rehts

mit

die von der hiode durhgelsseneD positive rlwelleD reduziert um UF 0,6 V F fei der linken ulemme sperrt die hiode ei der positiven rlwelleD dF hF weil der hiodenwiderstnd RS R istD fllt fst die gesmte pnnung m eusgng nF sn der negtiven rlwelle ist die hiode duhlssigD jetzt ist R RD Y m eusgng liegt prktish UF 0,6 V nF hie ulemme klemmt9 die negtive eusgngsspnE nung uf 0,6 V F hie ulemme rehts ist erweitert worden um eine vorgespnnte zweite hiodeF olnge die positive rlwelle erte von U < 5 V nnimmtD sperrt die hiode PF pr U > 5,6 V ist die hiode P sehr niederohmigD die hiode I er exE trem hohohmigY die zustzlihe qleihspnnung klemmt den mximlen positiven pnnungswert m eusgng uf 5,6 V F

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IWT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFWTX hltsymol und hurhruhkennlinienUF ollwellen! oder weiweg!frkengleihrihter ntzen eide rlwellen usD sieE he fild QFWSF ellerdings fllt pro rlwelle n zwei hioden UF F iin erster hritt zum iinstz ls xetzgert ist die rinzunhme eines qlttungskondenstor mit RLast C 1/f D woei f die frummfrequenzD lso die doppelte xetzfrequenz meintF hie frke ist heutzutge ein kleinesD integriertes futeilF hmit die estE welligkeit kleiner und der uondenstor niht zu gross und teuer werden mussD lsst mn der oigen enordnung ein weiteres integriertes futeilD einen sogF pnnungsE regler folgenF hiese enutzen eine ktive kkopplungsshltungY ein rinzipD ds wir ei den ypertionsverstrkern erstmls kennenlernen werdenF ungsufgeX hie tromkennlinie Iaus (Iein ) zeigt einen linerenD symmetrishen erlufF ut dies die pnnungskennlinie Uaus (Uein ) uhc hie isher esprohenen enwendungen etrfen uleinsignldioden zwF zumeist xetzgleihrihterdiodenF is git noh eine gnze eihe spezieller hiodenD die fr spezielle enwendungen optimiert werdenF Zenerdioden werden im perrereih etrieenY genuerD mn ntzt ihr erE hlten im hurhruhF eildung QFWT mit typishen hurhruhkennlinien zeigtD dss hioden mit kleineren hurhruhspnnungen noh niht gnz idel shltenF hie enwendung im pnnungsteiler ist die Spannungsbegrenzung zwF ei eE lstetem pnnungsteiler die SpannungsstabilisierungF Kapazittsdioden @estimmdiodenD vripA werden eenflls in perrrihE tung etrieenF wn ntzt die pnnungshngigkeit der perrshihtkpzitt usF hurh sogF hyperrupte hotierung @inhomogeneD zur qrenzshiht hin nE steigende uonzentrtionA erreiht mn upzittskoe0zienten is I und upziE ttsvritionen is pktor IHF hie enwendung liegt insesondere in der prequenzE stimmung von vg!ureisen @zF fF im dioA in oelsendern oder zur preE quenzmodultionY hierzu sind meist P oder Q estimmdioden in einem qehuse untergerhtF euf den negtiven iderstnd von EsakiTunnelDioden wurde ereits hinE gewiesenF ie (nden in qrz!yszilltoren und shnellen hltern ihre erwendungF Schaltdioden sind durh kleine perrkpzitten und sehr steile hurhlssE kennlinien usgezeihnetF ie werden ls elektronishe hlter zum irstz von

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QFR qrundshltungen

IWU

eildung QFWUX hltzeihen und spnnungshngige upzitten n typishen upzittsdiodenUF mehnishen hltern eingesetztF SchottkyDioden @wikrowellendiodenD hot rrier diodesA hen kleine UF 0,4 V und knnen ls wikrowellendiode sehr kleine upzitten ufweisenF ie werden fr prequenzen > 15 GHz ls wisher und hetektoren eingesetztD sowie ls sehr shneller hlterF ergleihe htenltter und rktikum @ingmisherAF els PINDioden @urrent!ontrolled p!resistorA ezeihnet mn hioden mit geringer trstellendihte und deshl hoher veensduer der vdungstrger in der intrinsishen hihtF olhe hioden sperren zuverlssig nur ei reltiv kleinen prequenzenF fei F f > 10 MHz knn mn die hioden ls gleihstromgesteuerten ehselspnnungswiderstnd einsetzenD zF fF in rp!hmpfungsgliedernF

3.4.3 Bipolartransistoren
rnsistoren sind die wihtigsten ktiven fuelementeF shre eusgngsleistung knn grsser sein ls ihre iingngsleistungX rnsistoren verstrken und knnen deshl @durh kkopplungA der ktive eil eines yszilltors seinF hie zustzlihe veiE stung liefert eine externe9 uelleF rnsistoren sind prktish in jeder elektronishen hltung enthltenY in sg9s (ndet mn zF fF F PH rnsistoren in einer einfhen ypertionsverstrkershlE tung oder in hhstintegrierten hew9sD wikroprozessoren oder vogigshltungen heute weit er IHH willionenF intsprehend ihrer feshltung werdenD wie in den vorigen eshnitten gezeigtD eine ielzhl von fuformen entwikeltF sm polgenden etrhten wir iinzeltrnsistoren und ihre hltungenF ellen fipolrtrnsistoren sind einige fr die prktishe enwendung relevnte iigenshften gemeinsmF weist werden sie im xormletrie @forwrd regionA eingesetztF hs heisstD die fsis!imitter!hiode wird in hurhlssrihtung und die fsis!uollektor!hiode in perrrihtung etrieenF hies gilt fr npn! und pnp! rnsistoren gleihermssenD mit vertushten orzeihen fr trme und pnE

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IWV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFWVX pnnungen und xormletrieUF

trme

eines

npn!rnsistors

in

nungenF hs erhlten des jeweiligen rnsistortyps eshreien die sogF uennlinienfelE derD die in den zugehrigen htenlttern gezeigt werdenF hie uennlinien sind immer nihtliner oder nur shnittsweise linerF is gelten die qleihungen

IC = IS e UT IB = 1 IC B

UBE

1+

UCE UA

und

@QFTWA @QFUHA

mit B = B(UBE , UCE )

IS 1016 1012 A ist der ttigungssperrstromD UT 26 mV die empeE rturspnnung ei umtemperturD UA die im eusgngskennlinienfeld @IC (UCE )A extrpolierte irly!pnnung und B die tromverstrkungF te grsser UA zwF je )her die eusgngskennlinienD desto ersihtliher sind die uennlinienfelderF hie prktishe erwendung wird hu(g estimmt durh die xihtlineriE ttGtromhngigkeit der tromverstrkung B zwF der di'erentiellen tromE verstrkung = dIC D siehe fild QFWWF ienso ist der iingngswiderstnd stromE dIB hngigF sm sogF qrosssignletrie wird ds rnsistorverhlten sehr komplexY insesondere ds dynmishe erhltenF @fei hohen trmen verndern sih die hltgeshwindigkeitD die qrenzfrequenz sinktFA tets erfordern die mglihen hurhruhsersheinungen die strikte fehtung der usgewiesenen qrenzwerte @mximle perrspnnungD mximle imitterspnnungD mximle trmeD mxiE mle erlustleistungAF hie polgen mgliher emperturdrift mssen meist eim hltungsdesign erksihtigt werdenF iine wihtige enwendung des rnsistors ist die linere erstrkung von iE gnlen im sogF uleinsignletrieF rierzu wird der Transistor " durh ussere feshltung " in einem ereitspunkt festgehlten und mit kleinen ignlen um den ereitspunkt usgesteuertF her usgesteuerte uennlinienshnitt wird nheE rungsweise eshrieen durh die ngente im ereitspunktY je esser die erE einstimmung von uurve und ngente im eussteuerereihD desto esser ist ds linere erhlten9F

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QFR qrundshltungen

IWW

eildung QFWWX qross! und uleinsignlverstrkung B und eines uleinleistungsE trnsistors im xormletrieUF

eildung QFIHHX ur festimmung des ereitspunktes rnsistors@gezeihnet nh UAF

eines

npn!

her ereitspunkt e wird durh die pnnungen UCE,A und UBE,A und die trE me IC,A und IB,A estimmtF hie festimmung des ereitspunktes ei eknnter feshltung soll nhnd des feispiels in eildung QFIHH kurz ufgerissen werE denF her Transistor wird im wximum der uleinsignlstromverstrkung etrieenD

eildung QFIHIX ur festimmung des ereitspunktes im iingngs! und eusgngskennlinienfeldUF

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PHH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIHPX qleihstrom!uleinsignlerstzshltild fipolrtrnsistorsUF

des

keinesflls er ei grsseren trmenY den entsprehenden ert (ndet mn im htenlttX IC,A F ernnftigerweise gelte immer UCE,A > UCE,sat F wn erehnet 1 IB,A und zeihnet im iingngskennlinienfeld die vstgerde I1 = R1 (UB1 UBE ) einX h die uennlinie nur shwh von UCE hngtD ist IB,A eindeutig festlegr und die vstgerde von UB1 durh IB,A legrF her hnittpunkt mit der tromE hse liefert den ert fr R1 F sm eusgngskennlinienfeld ist die orgehensweise nlogX UB2 ist vorgegeenD UCE,A wird gewhltD so dss die mit UBE,A festgelegte uennlinien im hnittpunkt wieder IC,A liefert und die ixtrpoltion uf UB2 /R2 D lso uf R2 erlutF hieser grphishen festimmung des ereitspunktes ist die vE sung des qleihungssystems us den eiden uennliniengleihungen des rnsistors und den eiden vstgerdengleihungen quivlentF sm uleinsignletrie werden die eweihungen von den ereitspunktwerten ls uleinsignlspnnungen uBE und uCE zwF ls uleinsignlstrme iB und iC eE zeihnetF hie erknpfung zwishen den trmen und den pnnungen liefern die sogF uleinsignlgleihungenF wn knn sie uh in wtrizen!porm wiedergeenX

iB iC

= Ye

uBE uCE

Y11,e Y12,e Y21,e Y22,e

uBE uCE

@QFUIA

hiese hrstellung ist quivlent der veitwert!hrstellung eines ierpolsF her sndex e der Y !P x P!wtrix steht fr imittershltungF hie wtrixkomponenten werden durh die sogF uleinsignlprmeter festgelegtD die lle us den uennlinienE feldern ls teigung der ngente in den ereitspunkten ermittelt werden knnenX

Y11,e =

1 rBE

, mit dem uleinsignlwiderstnd rBE = IB UCE

UBE IB 0
A

@QFUPA
A

Y12,e = Sr , mit der kwrtssteilheit Sr = Y21,e = S , mit der teilheit S = Y22,e = 1 rCE IC UBE

@QFUQA @QFURA

, mit dem uleinsignlusgngswiderstnd rCE =

UCE @QFUSA . IC A

hen uleinsignlgleihungen entspriht @mit der xherung Sr = 0A ein irstzE shltildD ds sogF uleinsignlerstzshltild des fipolrtrnsistorsF xeen dem iingngs! und eusgngswiderstnd estimmt die tromquelle S uBE ds xiederE frequenzverhlten des rnsistorsF

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QFR qrundshltungen

PHI

xeen dieser veitwertdrstellung git es noh eine zweiteD lihe rinteX die ryriddrstellung mit der H !wtrixX

uBE iC

= He

iB uCE

@QFUTA

feide hrstellungen sind ineinnder erfhrrF wit rilfe dieser ierpoldrE stellungen knnen rnsistorshltungen unter fenutzung der wtrizenrithmetik erehnet werdenF hie ierpolprmeter sind llerdings vom gewhlten ereitsE punkt und der prequenz hngigF shre konkrete pormulierung hngt jeweils von den gewhlten qrundgleihungen und den drus geleiteten wodellen F ie sind qrundlge von hltungssimultionsprogrmmen wie " siehe rktikum " sgi @pirm wiroimAF feknnte ModelleD die ds sttishe erhlten eines fipolrtrnsistors eshreiE enD sind ds iers!woll!wodellD ds rnsportmodell und ds qummel!oon! wodellF vetzteres ist ds vollstndigeD nihtlinere wodell us dem durh vineriE sierung m ereitspunkt sttishe und dynmishe uleinsignlmodelle geleitet werdenF hem fuh von F rorrowitzGF rill folgendD knn mn mit rilfe zweiE er einfher wodelle ereits ein elementres erstndnis fr viele Transistor Grundschaltungen entwikelnD ohne zum H !rmeter!wodell oder diversen irstzshltungen greifen zu mssenF hs einfhste rnsistormodell ist ds des tromverstrkers9F is lutetX IF her uollektor muss stets positiver ls der imitter seinF PF hie fsis!imitter!hiode leitetD die fsis!uollektor!hiode sperrt @xormlE etrieAD lso UB UE + 0,6 V F QF qrenzwerte @IC D IB D UCE D UBE D IC UCE D T A sind zu ehtenF RF IC = B IB = IB D mit B 100F sm tromverstrker!wodell estimmt IB lso den ert von IC D mn git den fsisE strom vorF hie letzte eussge edeutet uhD dss ein kleiner @fsis!A trom einen einhundert ml grsseren zum uollektor hin steuertF veider ist die tromverstrE kung B keine feste und stile qrsseF iine hltung sollte nie ein estimmtesD konstntes B vorussetzenF hs veresserte wodell nennt sih rnskonduktnzverstrker9!wodellF sn dieE sem wird die vierte wodellnnhme des tromverstrker!wodells veressertX IC wird jetzt von UBE /UT und IS (T ) estimmtX

IC = IS e UT 1 Is e UT , iers!wodell!qleihung9 .

UBE

UBE

@QFUUA

wn git sttt des tromes IB jetzt die pnnung UBE in der hltung vorF sn der rxis fhrt ds er wegen des hohen negtiven emperturkoe0zienten der fsis!imitterEpnnung @IS (T )D EPDI mGuA niht direkt zu erfolgreihen hlE tungsentwrfenF emperturstile hltungen erhlt mn erst durh pnnungs!

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PHP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIHQX imittershltungX hltild und irstzshltild fr den xormletrieUF

eildung QFIHRX imittershltungX ertrgungskennlinieUF oder tromgegenkopplungD siehe spterF Nebenbemerkung X wn nennt ds rnskonduktnzverstrker9!wodell in der oigen porm uh eduziertes iers!woll!wodell fr den fipolrtrnsistor! xormletrie9F Grundschaltungen mit einem fipolrtrnsistor sind die imittershltung @ommon emitter on(gurtionAD die uollektorshltung @ommon olletor onE (gurtionA und die fsisshltung @ommon se on(gurtionAF hen xmen der hltung estimmt der rnsistornshlussD der ls gemeinsmer fezugsknoten fr den iingng und den eusgng der hltung dientF @hwheres uriteriumAF hie Emitterschaltung @ohne qegenkopplungA ist in eildung QFIHQ gezeigtF iine Spannungsquelle Ug mit dem snnenwiderstnd Rg liefert die iingngsE spnnung UE F her imitternshluss liegt " kennzeihnend fr diese hltung " direkt n wsseD der uollektor er den uollektorwiderstnd RC @typF 1 kA n der ersorgungs!Spannungsquelle UB @typF S AF hie gemessene ertrgungskennlinie Ua (Ug ) ist in eildung QFIHR oen geE zeigtF pr 0,5 V Ug 0,7 V nimmt Ua = Ub IC RC Y in diesem fereih des xormletries liegt der ereitspunkt @oAF hs oen eenflls gezeigte irstzshltild fr diesen uennlinienereih ist ds sogF vereinfhte rnsportmodellY dei ist der irly!i'ekt vernhlssigt und

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QFR qrundshltungen

PHQ

eildung QFIHSX imittershltungX ertrgungskennlinie und erstrkungUF

eildung QFIHTX imittershltungX uleinsignl!irstzshltildUF es gilt B = = konstF wn erhltX

IC = B IB = IS e UT
Ia =0

UBE

@QFUVA @QFUWA @QFVHA

Ua = UCE = Ub IC RC IC Rg Ue = UBE = Ug Ug B

ypishe hlenwerte m gewhlten ereitspunkt sind mit B = . . . 100 und IS = . . . fAX IC mAD IB . . . AD Ue < 1 V und Ug < 1 VF iinen rinweis uf ds uleinsignlverhlten erhlt mn us der uleinsignl! pnnungsverstrkung AY sie entspriht der teigung der ertrgungskennlinieF ie ist sehr strk vom ereitspunkt hngigD dF hF dieser muss genu und temE perturstil eingestellt werdenF hon ei kleinsten eussteuerungen erhlt mn eine nihtlinere erzerrung des ignlsF eus dem uleinsignl!irstzshltild erhlt mn @ohne vstwiderstnd RL AX

A = re ra

rCE RC ua = S(RC ||rCE ) SRC , ue ia =0 ue = = rBE , ie rCE RC ua = = RC ||rCE RC . ia

@QFVIA @QFVPA @QFVQA

qrsster hwhpunkt der imittershltung ist er die emperturinstiliE ttF ird die empertur um I qrd erhhtD muss mn die iingngsspnnung um

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PHR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIHUX imittershltung mit tromgegenkopplungX hltung und irE stzshltild @xormletrieAUF

eildung QFIHVX imittershltung mit tromgegenkopplungX ertrgungskennE linie und erstrkungUF

P m erniedrigenD um den uollektorstrom konstnt zu hltenF endernflls driftet die eusgngsspnnung um F A 2 mVF iine emperturdrift vershiet lso den ereitspunkt und dmit die erstrkung etF rxistuglihe hltungen erhlt mn durh qegenkopplungF hie Emitterschaltung mit StromgegenkopplungX hurh iinfgen eines imitE terwiderstnd RE @typF 500 A wird die ertrgungskennlinie deutlih vernE dertD siehe fild untenF her ereitsereih etrgt jetzt ein gutes olt und die uennlinie verluft nnhernd linerY der ereitspunkt wird mittig gewhltF hie uleinsignl!erstrkung spiegelt dies in einem nnhernd konstnten wittelteil wiederF ellerdings erkuft mn sih diesen tilittsgewinn durh einen erlust n erstrkungF hies zwingt einen zum fu mehrstu(ger erstrkerF eus dem irstzshltild erhlt mn nherungsweise fr rCE

RC , RE und

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QFR qrundshltungen

PHS

eildung QFIHWX imittershltung mit irstzshltildUF

tromgegenkopplungX

uleinsignl!

1D sowie RL = 0X A = re ra ua SRC SRE 1 RC ue ia =0 1 + SE RE ue = rBE + RE = rBE (1 + SRE ) ie ua = RC . ia


@QFVRA @QFVSA @QFVTA

hie erstrkung wird in erster xherung niht vom TransistorD sondern von den usseren feshltungswiderstnden festgelegtF RE sorgt fr tilitt und viE nerittD erhht den iingngswiderstnd @3AD elsst den eusgngswiderstnd unE verndertD er senkt die erstrkung strk und drf deshl uh niht zu gross gewhlt werdenF hs erstrkungs!fndreite!rodukt leit im rigen fst unverndertF hie Emitterschaltung mit SpannungsgegenkopplungX rier fgt mn zwiE shen fsis! und uollektornshluss einen iderstnd ein @typish R1 = RC = 1 kD R2 = 2 kAD wodurh ein eil der eusgngsspnnung uf den iingng zuE rkgekoppelt wirdF xohmls ist der ereitsereih vergrssertD die erstrkung ist von vergleihrer ulitt und nnhernd symmetrish um Ue = 0F eus dem irstzshltild erhlt mn nherungsweiseX

A = re ra

SRC 1+R2 /R1 R2 R2 ua R1 +R2 ue ia =0 R1 R1 + SRC ue = R1 ie ua 1 R2 R2 = RC || 1+ + . ia S R1

@QFVUA @QFVVA @QFVWA

hie erstrkung wird durh R2 /R1 estimmtD lso wieder durh die qegenE kopplungF her iingngswiderstnd ist reltiv kleinD der eusgngswiderstnd der niedrigste im ergleihY dies ist ei niederohmigen oder kpzitiven vsten von orteilF hlt mn R1 = 0 und git einen ensteuerstrom Ie vorD so erhlt mn einen StromSpannungsWandler @rnsimpednzverstrkerAF er einen typishen fereih von etw einem me reitet dieser erstrker mit guter vinerittF

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PHT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIIHX imittershltung mit pnnungsgegenkopplungX hltung und irstzshltild @xormletrieAUF

eildung QFIIIX imittershltung mit pnnungsgegenkopplungX ertrgungsE kennlinie und erstrkungUF ur ereitspunkteinstellung ist gnz llgemein festzustellenD dss der ereitsE punkt mglihst wenig von den " streuenden " rnsistorprmetern E hngen sollteF is git zwei prinzipiell untershiedlihe erfhrenD nmlih die qleihspnnungs!uopplung und die ehselspnnungs!uopplungF sm letzteren pll werden iin! und eusgng des erstrkers er uoppelkondenstoren mit dem Signal zwF der vst verundenF hie Kollektorschaltung " siehe fild QFIIQ " esteht us dem Transistor mit RE und UB @typish 1 k und +5 VAD der ignlspnnungsquelle Ug mit ihrem snnenwiderstnd Rg F eus dem irstzshltild und dem vereinfhten rnsportmodell folgtX

Ua = (IC + IB + Ia )RE IC RE Ue Ug .

fr Ia = 0 und

@QFWHA @QFWIA

eildung QFIIPX imittershltung mit pnnungsgegenkopplungX uleinsignl! irstzshltildUF

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QFR qrundshltungen

PHU

eildung QFIIQX uollektorshltungX hltild und irstzshltild fr den xormletrieUF

eildung QFIIRX uollektorshltungX uennlinienUF

hie uennlinien oen zeigenD dss die eusgngsspnnung Ua der iingnsspnnung Ue im estnd UBE folgtY mn nennt die uollektorshltung deshl uh EmitterfolgerF hs uleinsignlverhlten entnimmt mn wieder dem zugehrigen irstzshltE ildF ill mn zustzlih den iin)uss eines vstwiderstndes RL erksihtigenD muss mn sttt RE die rllelshltung von RE und RL erksihtigenF wn

eildung QFIISX uollektorshltungX uleinsignl!irstzshltildUF

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PHV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIITX uollektorshltungX iderstndstrnsformtion ra (Rg )UF

eildung QFIIUX fsisshltungX hltild xormletrieUF erhltX

und

irstzshltild

fr

den

A = re ra

SRE SRE 1 ua = 1 ue ia =0 1 + SE SRE 1 ue = rBE + RE rBE ie Rg 1 ua + RE || . = ia S

@QFWPA @QFWQA @QFWRA

on prktisher fedeutung ist die erwendung der uollektorshltung zur smE pednztrnsformtionF fei rein ohmshen iderstnden git die oenstehende eildung die erhltnisse wiederF her iingngswiderstnd ist in erster xheE rung vom vstwiderstnd hngigD der eusgngswiderstnd hngt vom snnenE wiederstnd Rg der ignlquelle F hie iderstndstrnsformtion lsst sih zur smpednztrnsformtion verllgemeinernF hie Basisschaltung shliesslih ist im nhsten fild gezeigtF hie fsis liegt uf konstntem otentilD der iderstnd RBV @zF fF 1 kA egrenzt den fsisstrom ei ersteuerung und spielt im xormletrie keine olleF hs iingngssignl wird direkt n den imitter gekoppeltF upzitives ersprehen ist hierdurh minimiertD hhste prequenzen werden noh verstrktF hie fsishltung wird deshl gern in rohfrequenzshltungen eingesetztF eitere erte RC 1 kD UB = +5 V typF

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QFR qrundshltungen

PHW

eildung QFIIVX fsisshltungX uennlinienUF

eildung QFIIWX fsisshltungX uleinsignl!irstzshltildUF eus dem irstzshltild und dem vereinfhten rnsportmodell erhlt mnX

Ua = Ub IC RC Ue UBE .

fr Ia = 0

@QFWSA @QFWTA

her ereitspunkt wird mittig in den fllenden fereih der ertrgungskennE linie gelegtF wn erhlt nherungsweise und mit RL = 0X

A = re ra

rBE RBV ua RC SRC = ue ia =0 rBE + RBV ue 1 RBV rBE RBV 1 = + ie S S ua = RC . ia

@QFWUA @QFWVA @QFWWA

hie iingngsimpednz ist lso vergleihsweise niedrig und psst dmit sehr gut n plnre ellenleiter @siehe integrierte yptoelektronikAF teuert mn die fsisshltung mit einer tromquelle nD so tritt nstelE le der erstrkung A der ertrgungswiderstnd RT D die sogF rnsimpednz a RT = ua RC F her ulirrfktor des trom!pnnungs!ndlers in der fE i sisshltung ist esonders kleinF
ia =0

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PIH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIPHX npnDarlingtonTransistorX hltung und hltzeihen @gezeihnet nh UAF

eildung QFIPIX DarlingtonTransistorX zum hltverhltenUF eiht die tromverstrkung eines einzelnen rnsistors niht usD so greift mn zur DarlingtonSchaltungX her imitterstrom des iingngstrnsistors )iesst in die fsis des zweiten rnE sistorsF sn erster xherung gilt fr die tromverstrkungX

B B1 B2 .

@QFIHHA

hrlington!rnsistoren knn mn wie iinzeltrnsistoren @in einem qehuseA kuE fenF ie werden hu(g ls hlter eingesetztX eufgrund der grossen erstrkung knnen grosse trme geshltet werdenF ellerdings shltet der PF Transistor und dmit der gesmte DarlingtonTransistor lngsmF hie in der fsis gespeiE herte vdung leitet mn deshl er den iderstnd R Y der Darlington Transistor knn so shneller gesperrt werdenD llerdings uf uosten der tromE verstrkungF

3.4.4 Feldeekttransistoren
hltungenD die pelde'ekttrnsistoren enthltenD verwirren vieleF u unrehtD denn die ntershiede zu den fipolrtrnsistoren sind im qrundstz sekundrF hen fipolrtrnsistor!enshlssen imitter @iAD fsis @fAD uollektor @uA und ustrt @A entsprehen die pelde'ekttrnsistor!enshlsse oure @AD qte @qAD hrin @hA und fulk @fAF irsetzt mn im vorigen upitel in den qleihungen ei den

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QFR qrundshltungen

PII

trmen und pnnungen die korrespondierenden enshlussezeihungenD erhlt mn erstunlih hu(g die gltigen fezeihnungen fr die qrundshltungen mit pelde'ekttrnsistoren und in nullter xherung zeigen die entsprehenden uennliE nien den selen erlufF euh die qrenzwerte hneln einnder strkF is git eine gnze eihe von pelde'ekttrnsistorenX R ypen von wypisD P ypen von tpis und P von wipisF ur ersiht trgt er eiD dss die eusgngskennlinien ller fuelemente mit n!unl sih hneln @positive JD fr positive UDS A und die fr lle p!unl!fuelemente eenflls @negtive ID fr negtive UDS AF euh die ertrgungskennlinien der n!unl @zwF gespieE gelt m rsprung die der p!unl!fuelementeA zeigen einen hioden!hnlihen erlufY die der einzelnen ypen sind lediglih uf der UGS !ehse gegeneinnder vershoenF @hie zugehrigen hwellspnnungen UGS,th knnen positive und neE gtive erte nnehmenFA hs sttishe erhlten eines pis eshreien wieder seine uennlinienF hie iingngskennlinien zeigen im normlen ereitsereih nur xulllinienX der qteE strom ist vernhlssigr kleinD die teuerung mit UGS erfolgt leistungslosF hies ist ein wesentliher ntershied zu den fipolrtrnsistorenD dF hF ds entsprehende rBE 9 ist F iine empirishe feshreiung der uennlinien geen die sogF qrosssignlgleiE hungen @nherungsweiseA wiederF f 0 UDS UGS 1 + UA yf KUDS UGS Uth 2 @QFIHIA ID = K 2 UD S (UGS Uth ) 1 + ef
2 UA

IG =

0 IG,S e

wypi
UGS 1 UT

perrshiht!pi

@QFIHPA

f : perrereih UGS < Uth UGS Uth , 0 UDS < UGS Uth yf : ohmsher fereih ef : eshnrereih UGS Uth , UDS UGS Uth
hie qleihungen enthlten die ereits eingefhrte qte!oure!hwellspnnung Uth D der der hrinstrom ID merklih einsetzt und die @in enlogie zu den erhltnissen eim fipolrtrnsistorA sogF irly!pnnung Ua D die die endlihe teigung der eusgngskennlinien ei grossen pnnungen @im eshnrereih9A erksihtigtF hes weiteren den sogF teilheitskoe0zient K X

K=K

W W = COx . L L

@QFIHQA

her enstieg im nnhernd lineren ohmshen uennlinienereih ist mit der feE weglihkeit der vdungstrger im unlD dem upzittselg des qte!yxids und der qeometrie des qtes verundenF hiese qleihungen gelten fr die vergleihsE weise gross dimensionierten iinzel!pisD woei hrin und oure iF llgF niht

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PIP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIPPX um teilheitskoe0zientUF vertusht werden drfen @unsymmerishe fuelementeAF fei den immer kleiner dimensionierten integrierten pis wird die feshreiung zunehmend shwieriger und die zugehrigen wodelleD insesondere zur feshreiung der dynmishen iiE genshftenD wie sie in hltungssimultionen entigt werdenD werden immer 1 1 umfngreiherF sm qrundstz gilt erD dss K dOx L istD dF hF die winituriE sierung die teilheit vergrssertF sm ohmshen fereih knn der pi ls steuerbarer Widerstand etrieen werdenF sn der mgeung von UDS = 0 wirkt der pi ei eussteuerung mit kleinen emplituden ls steuerrer linerer iderstndD ei grsseren emplituden zunehmend nihtlinerD eenso fr UDS > 0F wglihe linerisierte hltungen vermeiden letzteres uf uosten der qrsse des estimmereihsF ywohl ds qrosssignlverhlten des pis deutlih esser ist ls ds der fiE polrtrnsistorenD ist eine wihtige pi!enwendung die linere erstrkung von ignlen im uleinsignletrieF her ereitspunkt liegt im eshnrereihF hs frher zu uleinsignlgrssen und !qleihungen gesgte gilt nlogF fesonders einE fh werden die erhltnisse wieder eim iinzel!piD ei dem oure und fulk miteinnder verunden sind und die oure!fulk!hiode wegen USB = 0 im uleinE signlerstzshltild niht erksihtigt werden muss @hie tromquelle mit der ustrt!teilheit SB und die fulk!oure!upzitt entfllenFAF hie ntershiede vom pi!erhlten gegener dem der fipolrtrnsistoren knn mn zusmmenfssenX pis sind extrem ldungsemp(ndlih und erfordern esondere hutzmssnhE menF ie esitzen einen negtiven emperturkoe0zient @tpisA zwF werden meist im fereih mit negtiven emperturkoe0zient etrieen @wypiAY dUth dT liegt ei rund 2 mV und sie entigen keinen zustzlihen tilisierungsufE K wndF hs qrosssignlverhlten ist gnstigerF fei gleihen eussteuermplituden sind pi!uleinsignlverstrker klirrrmerD ei hohohmigen uellen sind pis deutlih rushrmer @enwendungX hotodioden!orverstrkerAY tpis zeigen dE ei ds geringere 1/f !ushen @kleine prequenzen3AF fei niederohmigen uellen dgegen ht der fipolrtrnsistor ds deutlih essere ushverhltenF Grundschaltungen mit einem pi sind die oure!hltung @ommon sourE e on(gurtionAD die hrin!hltung @ommon drin on(gurtionA und die qte!hltung @ommon gte on(gurtionAF her gemeinsme fezugspunkt fr hltungsein! und !eusgng git wieder den xmenF @hwheres uriteriumA

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QFR qrundshltungen

PIQ

eildung QFIPQX oureshltungX hltung und irstzshltildUF

eildung QFIPRX oureshltungX ertrgungskennlinieUF hie Sourceschaltung entspriht der imittershltungD siehe eildungenF eE gen des grsseren teilheitskoe0zienten @hhere vdungstrgereweglihkeitA werE den meist n!unl!wypis evorzugtD selstsperrende wypis hu(ger ls selstleitendeF her wypi ht einen extrem hohen iingngswiderstndD IG = 0 und die fi! hiode der korrespondierenden imittershltung entfllt hierF her snnenwiderstnd Rg der uelle ht keinen iin)uss uf die uennlinieD wohl er uf ds dynmishe erhltenF hs uleinsignlverhlten der pis ist gekennzeihnet durh die geringere erE strkung ei vergleihren trmen zwF ereitspunkten ufgrund ihrer geringeE ren teilheit im ergleih zu fipolrtrnsistorenF hie korrespondierenden uleinE signlerstzshltilder untersheiden sih nur in re = @gegener re = rBE AD eenso die eusdrke fr die pnnungsverstrkung AD sowie die iin! und eusE gngswiderstnde re und ra F eufgrund der gnstigeren ulirrfktoren wird die oureshltung gerne in shmlndigen rp!erstrkern eingesetztF hie vorhndene xihtlineritt und emperturhngigkeit knn wieder durh

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PIR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIPSX rnsimpednzverstrker @gezeihnet nh UAF iinfgen eines iderstnds RS veressert werdenX Sourceschaltung mit StromgegenkopplungF euh hier giltD is uf re = die enlogie zur imittershltung mit tromgegenkopplungF hnlihes gilt fr die Sourceschaltung mit SpannungsgegenkopplungF hltungD uennlinie und uleinsignlerstzshltild entsprehen gnzD die uleinsignl!pormeln sind modi(ziertF hiese hltung wird sehr selten eingesetztD d der hohe pi!iingngswiderstnd niht genutzt wirdF intfernt mn er den eingngsseitigen iderstndD so erhlt mn eine trom!pnnungs!ndler! hltung @rnsimpednzverstrkerAF hiese rushrme hltung wird gerne ei hotodioden!impfngern eingesetztY die hiode wird im perrereih etrieen und wirkt ls tromquelle mit hohem snnenwiderstndF hie Drainschaltung entspriht der uollektorshltungF enlog wird sie uh ourefolger gennntF ie ist hervorrgend geeignetD hohohmige uellen zu pufE fernF hie iingngskpzitt ist extrem kleinF h der eusgngswiderstnd > 50 istD entzt mn gerne eine hrlingtonshltung us pi und fipolrverstrker mit kleinerem ra und hheren eusgngsstrmenF fei der Gateschaltung shliesslih gilt wieder viel enloges zur fsisshltung einshliesslih des uleinsignlverhltensF rervorzuheen ist hier die sehr ersihtE lihe erwendung ls trom!pnnungs!ndler mit einem ra RD F

3.4.5 Einige Grundschaltungen mit Transistoren


iine Stromquelle @urrent soureA liefert n einem erruher RL einen konE stnten tromX uonstntstromquelleY idelerweise unhngig vom momentnen pnnungsfll n RL F tromquellen sind spnnungsgesteuertD dF hF eine kleine teuerspnnung estimmt ds erhlten einer hltung mit grossem eusgngsE widerstndF iingesetzt werden sie zF fF zur iinstellung von ereitspunktenD ls wesentlihe festndteile diverser qenertoren oder zur ersorgung von elektroE hemishen ellen und optoelektronishen fuelementen @vihsD vserdiodenA etF hs rinzip einer einfhen tromquelle eruht uf der imittershltung zwF @ei diskreten hltungen seltenA uf der oure!hltungD siehe eildung QFIPTY zur tilisierung meist mit tromgegenkopplungF hei wird die fsis

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QFR qrundshltungen

PIS

eildung QFIPTX rinzip einer einfhen tromquelleUF

eildung QFIPUX feispiele einfher tromquellenUF @zwF ds qteA uf mglihst konstntem otentil gehltenF erwendet mn rnsistoren @im xormletrieA mit grosser irly!pnnungD dnn ist im erE eitsereih9 der eusgngsstrom durh RL prktish konstntF iinige einfhe tromquellen fr diskrete hltungen zeigt eildung QFIPUF on links geshieht die pestlegung der konstnten fsisspnnung durh A einen pnnungsteilerD A einen pnnungsteiler mit hiode zur uompenstion der emE perturhngigkeit von UBE des rnsistors und A mit enerdiode @mit der geE ringen emperturhngigkeit des enerdurhruhsAF iin Stromspiegel @urrent mirrorA ist eine stromgesteuerte tromquelleD dF hF m eusgng erhlt mn eine verstrkte oder identishe oder geshwhte uopie des iingngsstromsF fei konstntem iingngsstrom funktioniert jeder tromspieE gel ls uonstnt!tromquelleF her einfhe tromspiegel esteht us zwei rnsistoren @genuer us npn Diode und npnTransistor zwF us n!unl!hiode und n!unl!wypiA und " optionl " us zwei iderstnden zur tromgegenkopplungF wit einem zuE stzlihenD hinreihend grossen orwiderstnd RV knn mn den iingngsstrom ls konstnten efererenzstrom festlegenY mn erhlt so eine uonstnt!tromquelleF hs sogF ersetzungsverhltnis KI = Ia hngt eim npn!tromspiegel ohne Ie qegenkopplung @mglih ei integrierten hltungenA vom erhltnis IS2 D lE S1 so vom qrssenverhltnis der rnsistorenF sn diskreten hltungen ist nur der R1 npn!tromspiegel mit qegenkopplung relisierrY hier gilt KI R2 F yhne qeE genkopplung ist ei konstntem ersetzungsverhltnis @zF fF KI = 1A die erE
I

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PIT

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIPVX rinzip eines einfhen tromspiegelsUF

eildung QFIPWX rinzip der uskodenshltungUF trgungskennlinie Ia (Ie ) er mehrere hekden linerD mit qegenkopplung etws kleinerF Nebenbemerkung X her ereitsereih von npn!tromspiegeln ist immer grsser ls der vergleihrer n!unl!tromspiegelF hs limitierte erstrkungs!fndreite!rodukt der imittershltung egrenzt uh den einfhen tromspiegelF wn greift deshl gerne zur KaskodenschaltungD meistens um eine grssere erstrkung zu erreihenF ie ist uF F in vielen y! und rp!erstrkern enthltenF fei der uskodenshltung werden eine imitter! und eine fsisshltung @zwF eine oure! und eine qteshltungA in eihe gesetztD wodurh der willer!i'ekt der imitter!hltung vermieden wirdF on den vstshwnkungen n RC sieht der Transistor T1 prktish nihtsD sein UCE leit unverndert und dmit leit uh der trom durh die uskode und durh RV konstntF irsetzt mn in der rinzipshltung den imitterwiderstnd RE durh einen einfhen tromspiegelD erhlt mn den tromspiegel mit uskode9D einen tromE spiegel mit Q rnsistorenF ein ruptvorteil ist der erhhte eusgngswiderstndF iine weitere ergrsserung des eussteuerereihs erfordert komplexere uskoden!

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QFR qrundshltungen

PIU

eildung QFIQHX qrundshltung des hi'erenzverstrkersUF tromspiegel mit RD SD T rnsistoren plus rnsistoren zur ereitspunkteinstelE lungF iine usserst wihtige qrundshltung in der integrierten hltungstehnik ist der Dierenzverstrker @di'erentil mpli(erD long tiled pirAY er ildet die fsis fr den ypertions!erstrkerF eine qrundshltung ist symmetrish ufgeut mit zwei iingngen und zwei eusgngenF wei imittershltungen @zwF oure!hltungenA sind so ngeordE netD dss die imitter @zwF ouresA gemeinsm mit einer tromquelle verunden sindD siehe eildung QFIQHF hie ersorgungsspnnung ist meist symmetrish poE sitiv und negtivX UB F fei symmetrishem eufu )iesst durh jeden Transistor genu der hle tromF irhht die pnnung n einem iingng den trom durh den TransistorD so muss " wegen der uonstntstromquelle " der trom m nderen Transistor entsprehend sinkenF hie pnnungsnderungen n den vstwiderstnden9 RC1 und RC2 sind lso gegensinnigF vegt mn gleihsinnige ignle n die eiden iingnge gleihzeitig nD so nE dern sih zwr die rnsistorwiderstndeD er die uonstntstromquelle hlt die trme konstnt und dmit leien die pnnungsflle n RC1 D RC2 D lso n den eusgngen konstntF hie sogF qleihtktverstrkung @ommon mode ginA ist im sdelfll gleih xullY solnge der qleihspnnungsnteil hinreihend klein istD knn jede ignlquelle direkt n den hi'erenzverstrker ngeshlossen werdenF vegt mn dgegen eine shiefsymmetrishe hi'erenzspnnung UD /2 n die iingngeD so tritt diese verstrkt n den eusgngen uf @hi'erenzverstrkungD di'erentil ginAF olnge mn im eussteuerereih leitD unterdrkt ein hi'eE renzverstrker lso die qleihtktsignle und verstrkt die qegentktsignleF hie wypi!rinte tut dies mit sehr hohem iingngswiderstndF hie ertrgungskennlinien zeigen eine reltiv shlehte vineritt fr die npn! qrundshltungF rier hilft in der rxis wieder die tromgegenkopplungD zF fF zwei gleihe imitterwiderstnde RE D uf uosten der hi'erenzverstrkungF viegt n den iingngen eine pnnungsdi'erenz UD = 0 nD so ist eim ideE

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PIV

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIQIX ypertionsverstrkerX hltsymol und enshlsseUD PPF len hi'erenzverstrker Ua1 = Ua2 F feim relen fuelement eohtet mn er Ua1 = Ua2 D ls o eine endlihe hi'erenzspnnung m idelen erstrker nliegen wrdeX y'setspnnungF hie rshe sind unvermeidre nsymmetrien @olernE zenA in der hltungF ur uorrektur sind vershiedene wssnhmen lih @uorE rekturspnnung uf einen iingngD einen uollektorwiderstnd ls otentiometerD gemeinsmer imitterwiderstnd ls oteniometerD etAF qute hi'erenzverstrker hen y'setspnnungen kleiner 1 mV und emperturdrifts kleiner 1 V/KF her grosse orteil monolithisher hi'erenzverstrkershltungen ist ihre tiE litt ei erstunliher iinfhheitY die qte der tromquelle @zF fF emperturE konstnzA ist mssgeendF Nebenbemerkung X erwendet mn sttt der vstwiderstnde tromquellen " einE fhe tromspiegel oder uskode!tromspiegel sind lih "D knn die hi'erenzE verstrkung zwF ds erstrkungs!fndreite!rodukt um etw eine qrssenE ordnung gesteigert werdenF

3.5 Operationsverstrker
3.5.1 Grundlagen, Grundtypen, Rckkopplung
iin ypertionsverstrker ist eine integrierte enlogshltung in s! @mll le sntegrtionA ehnikF is hndelt sih um einen meist mehrstu(gen qleihspnE nungsverstrker sehr hoher erstrkung @is 106 AY seine iigenshften knnen durh ussere qegenkopplungs!feshltung festgelegt werdenF euf qrund der verE fgren ielflt und zhlreihen wglihkeiten sind heute in diskreten hltunE gen yD er iF llgF sehr wenige iinzeltrnsistoren zu (ndenF hie qrosssignl! fndreiten der tndrdtypen umfssen den xp!fereihD die der nderen reihen is zu einigen IHH wrzD vereinzelt is ins qrz!qeietF y!erstrker esitzen zwei iingngeD den nihtinvertierenden @uh C ! oder !iingngA und den invertierenden @! ! oder x!iingngA und einen eusgngF hie ersorgung erfolgt meist symmetrish @V + D V D meist 15 VAY die uhepotentile m iingng und m eusgng etrgen dnn H oltF is git keinen speziellen wssenshlussF her C !iingng ist immer hohohmigF feim wohlvertruten StandardOPV @oltge peedk ypertionl empliE

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QFS ypertionsverstrker

PIW

(erA ist uh der ! !iingng hohohmigD der eusgng dgegen niederohmigF hie iingnge sind spnnungsgesteuertD der eusgng verhlt sih wie eine SpannungsquelleX VVOP @oltge!oltge!yAF sm lineren ereitsereih @eusgngsE ussteuerrkeitA giltX

Ua = AD UD = AD (Up Un )

mit AD =

dUa dUD

.
AP

@QFIHRA

feim idelen y wird nur die n die iingnge ngelegte pnnungsdi'erenz verstrkt und die hi'erenzverstrkung AD = ngenommenY rele erte liegen ei 104 ! 106 F feispiele von ertrgungskennlinienF irsetzt mn eim !y den !eusgng durh eine hohohmige tromquelE leD so erhlt mn einen VCOP @gaurrentAD den sogF Transkonduktanz Verstrker @rnskonduktnzaertrgungssteilheitAF enlog giltX

Ia = SD UD = SD (Up Un )

mit SD =

dIa dUD

,
AP

@QFIHSA

der hi'erenzsteilheitF @ypishe erte von 102 FA is git heute uh y mit niederohmigenm stromgesteuertem x !iingngD siehe fild untenF wit einer tromquelle m eusgng heisst er Transimpedanz Verstrker @urrent feedk mpli(erA oder uh g!y mit einem hohohmiE genD stromgesteuerten eusgng heisst er StromVerstrker oder gg!y @hiE mond rnsistorD ursprnglih eine pirmenezeihnung von furr frownD weil er sih wie ein ideler rnsistor verhltAF her tromertrgungsfktor etrgt mxF IHF iin normler !y wird prktish nie ohne qegenkopplungD ls nie im open!loop9 etrieenF tttdessen koppelt mn den eusgng @grundstzlihA uf den invertierenden iingng zurkD sodss ds ursprnglihe iingngsignl verE kleinert wirdD die erstrkung lso verringert wirdF yder dynmish gesehenX die eusgngsspnnungsnderung wirkt eim iinshwingvorgng der iingngsspnE nungsnderung entgegenF hs kkopplungsnetzwerk knn liner oder nihtliE nerD knn frequenzunhngig oder !hngig gewhlt werdenY es estimmt im esentlihen die iigenshften des so eshlteten ysF iin kkopplungsE netzwerk knn @ei hoher eusgngsimpednzA ls tromquelle und @ei kleiner eusgngsimpednzA ls Spannungsquelle reitenF ellgemein giltD dss die rkE gekoppelte qrsse uh die durh die kkopplung veresserte qrsse istD zF fF hinsihtlih tilittD vinerittD prequenzgngF Nebenbemerkung X wn knn den gegengekoppelten y ls egelkreis u'ssenD der y selst reitet dei ls egelstrekeY phrungsgrssenformer und egE lerfunktion werden durh die ussere y!feshltung geildetF hie utrktion von oll! und sstwert geshieht entweder durh den hi'erenzeingng des ys oder eenflls durh die ussere feshltungF sm einfhsten pll esteht die ussere feshltung us einem ohmshen pnE nungsteilerF wn erhltD siehe fild oenD die eknnten nihtinvertierenden und invertierenden tndrd!y!erstrkershltungenF hie veerlufverstrkung AD @hi'erenzverstrkung des niht rkgekoppelten erstrkersD open loop ginA wird

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PPH

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIQPX y!ypenX hltsymole und ertrgungsgleihungenUF

A1+

Rn R1

A Rn R1
eildung QFIQQX Ey mit einfher ohmsher qegenkopplungX nihtinvertieE render und invertierender yUD PPF durh die qegenkopplung reduziertX A @losed loop ginAF hie sogF hleifenverstrE kung g = AD /A @loop ginA verknpft eideD eenso wie der kkoplungsfktor kr mit g = kr AD zwF der uehrwert 1/kr @noise ginAF Nebenbemerkung X ertusht mn eim nihtinvertierenden erstrker die iinE gngeD so erhlt mn sttt der qegenkopplung eine witkopplungF hie hltung funktioniert gnz ndersD nmlih ls invertierender hmitt!rigger3 eitere feiE spiele gewollter witkopplungX yszilltoren und uippshltungenF hie wihtigsten egeln @qoldene egel9A zur ferehnung von y!

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QFS ypertionsverstrker erstrkershltungen lutenX

PPI

IF hie eusgngsspnnung eines ypertionsverstrkers stellt sih so einD dss die iingngsspnnungsdi'erenz xull wirdF hF hF ei usreihend grosser hleifenverstrkung @idelerweise AD = A liegt ei invertierenden y! erstrkershltungen der ! !iingng uf der sogF virtuellen wsseF PF hie iingnge ziehen keinen tromF
Nebenbemerkung X ur ferehnung der erstrkungen der gennnten hltungen sowie von eddieren und utrhierernD siehe rktikumsnleitung y!ersuhF enn sttt der qegenkopplung g!xetzwerke verwendet werdenD so erhlt mn den sntegrtorD hi'erentitor oder ktive pilterY nihtlinere fuelemente @hiodenD rnsistorenA ermglihen ixponierglieder @e!punktionsgenertorA und vogrithE miererD siehe rktikumsversuhD sowie komplexere hltungen wie wultipliziererF

3.5.2 StandardOperationsverstrker (VVOPV)


ellen y sind einige porderungen gemeinsmX qleihspnnungskopplungD hi'eE renzeingngD iingngs! und eusgngsruhepotentil xull und hohe pnnungsverE strkungF her rktiker wnsht sih dei gute xullpunktstilittD einen hohen iingngswiderstndD einen niedrigen eusgngswiderstnd und einen de(nierten prequenzgngF hiese porderungen estimmen den inneren eufu des ysD woei sowohl fipolr! oderGund pelde'ekt!rnsistoren eingesetzt werdenF ir eshrnken uns hier uf erstereF hie erstgennnten porderungen fhren direkt zum im vorigen upitel eingefhrE ten hi'erenzverstrkerD genuer zu einem fipolrtrnsistor!hi'erenzverstrker mit unsymmetrishem eusgngD dessen eusgng mit einem weiteren fipolrtrnsiE stor ls imitterfolger verstrkt wirdF hie porderung der qleihspnnungskopplung edingtD dss ei erwendung eines npn! @pnp!A rnsistors zur erstrkung ds eusgngspotentil positiv @negtivA gegener dem iingngspotentil vershoen istF @irinnerungX ds fsisruhepotentil einer einfhen imittershltung etrg rund HDT FA wn entigt lso ein weiteres hltungselement zur kvershieE ung des otentilsY es git hierzu mehrere wglihkeitenF IF pnnungsteiler @shwht ds SignalAD PF !hioden @lih ei npn!imitterfolgern in rp!hltungenAD QF uonstntstromkopplung @lnge evorzugte furtAD RF uomplementre rnsistoren @einfhste wglihkeitD etws teurerAF hie notwendige hohe pnnungsverstrkung @AD = 104 . . . 106 A erzielt mn meist durh mehrstu(ge erstrkungY entsprehend mehrfh ht uh die otentilrkE vershieung zu seinF @ienso ht eine hrlingtonstufe eine kvershieung um IDP ntigFA hiese geildeteD einfhe hltung us npn!rnsistoren ht weder

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PPP

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIQRX eufu eines einfhen !yUF

eildung QFIQSX iinfher niverslverstrkerX !y mit zwei tufen zur pnnungsverstrkungUF die geforderte hohe hi'erenzverstrkungD noh eine efriedigende eussteuerrkeit @qleihtkt! und eusgngs!eussteuerrkeitAF hie sogF Universalverstrker erreihen die hohe erstrkung durh rinzuE fgen einer weiteren erstrkerstufeD siehe eildung QFIQSF hnn entigt mn er in der egel eine prequenzgngkorrekturF hie hltung esteht us einem hi'erenzverstrker mit tromspiegelF her hrlingtontrnsistor T5 entkoppelt die PF tufe von T2 F sm eildung QFIQT sieht mnD dss der eknnte tndrd! y URI ein komplementres vyout verwendetF hie indstufe T6 D T7 wirdD wie ei integrierten y immerD ls komplementrer imitterfolger usgefhrtD um posiE

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QFS ypertionsverstrker

PPQ

eildung QFIQTX ypertionsverstrker der URI!ulsseUF

eildung QFIQUX fode!higrmm eines unkorrigierten ys der URI!ulsseUF tive und negtive eusgngsstrme zu ermglihenD die gross gegen den uhestrom sindF hie eiden hioden erzeugen eine fsisvorspnnungD die leiht kleiner ist ls die pnnungD ei der die eiden eusgngstrnsistoren leitend werden @sogF ef! fetrie @urrent on demndAAF her uondenstor CK wirkt ls willer!uondenstor und dient der prequenzgngkorrekturF hie fetriesspnnungen sind die des xorE mletriesF Nebenbemerkung X freitnd!y erreihen die hohe pnnungsverstrkung mit nur einer erstrkerstufe durh erwendung der uskodeshltung im tromspieE gelD der zur otentilvershieung eingesetzt wirdF ypertionsverstrker der URI!ulsse sind lso mehrstu(ge erstrkerF tede tuE fe verhlt sih wie ein iefpssF hies spiegelt sih im folgenden fode!higrmm 1 wiederX ur irinnerungX fei der qrenzfrequenz fg = 2RC eines iefpsses eE ginnt die erstrkung9 um PH dfGhekde oder T dfGyktve zufllenF fereits frher setzt eine hsennheilung einY ei der qrenzfrequenz etrgt sie 450 und whst symptotish uf 900 nF eildung QFIQV git die drei wihtigsten

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PPR

fuelemente und hltungstehnik

eildung QFIQVX qrenzfrequenzen der y der URI!ulsse @nh UAF qrenzfrequenzen unserer feispiel!y!ulsse wiederY sie werden von der hi'eE renzverstrkerstufeD von der hrlingtonverstrkerstufe und ! ei preisgnstigen y ! von minderwertigen pnp!rnsistoren verurshtF yerhl von IH krz sieht mn im fode!higrmm drei tufen in der erstrkungskurve und die hE senverzgerung whst F I krz sukzessive uf 2700 F uoppelt mn hypothetish den eusgng zurk uf den invertierenden iingngD dnn hen wir fr kleine prequenzen is F I krz perfekte qegenkopplungF eus dem fodedigrmm entnimmt mnD dss eine hsenverzgerung von 1800 ei f180 300 kHz erreiht wirdF hF hF ei f180 liegt vollstndige witkopplung vorF hurh kkopplung sinkt uh die erstrkung @von AD uf AAY die hleifenverE strkung g = kr AD = AD /A ist im fodedigrmm gerde der estnd zwishen veerluf! und gegengekoppelter erstrkungF hieser verkleinert sih fr prequenE zen > fg1 und die uurven shneiden sih @log g = 0 oder g = 1A ei fg F iine y!hltung wird instilD wenn

|kr | |AD | und (kr AD )

= 1 = 180

@emplitudenedingungA @hsenedingungA F

@QFIHTA

fei fg sind eide fedingungen erflltD mn erhlt eine hwingung mit konstnter emplitudeF sst ei erfllter hsenedingung |g| > 1D so shwingt der erstrker in die ersteuerungF xur wenn |g| < 1 leitD eohtet mn eine gedmpfte hwingungF sn der rxis ht mn fr den hltungsentwurf die entsprehende ferehnung uszufhrenF ur tilittshrkterisierung fhrt mn die sogF Phasenreserve @uh hsenspielrumD phse mrginA einF hei git mn " ei erfllter emplitudenE edingung " den estnd zur hsenvershieung 1800 nX

= 180 (fk ) .

@QFIHUA

hie hsenvershieung drf noh um den inkel zunehmenD is eine ungeE dmpfte hwingung einsetztF fei der kritishen prequenz9 fk ist jeweils die emE plitudenedingung erflltF sm fild unten sind iinshwingvorgnge fr vershiedeE ne hsenreserven nest den zugehrigen prequenzgngen wiedergegeenF uleine sind jeweils durh strke ershwinger gekennzeihnetD ei = 60 65 ht mn fr die rxis die gnstigsten erteD fr = 90 liegt der periodishe qrenzE fll @mit seiner verlngerten enstiegszeitA vorF sm oengezeigten fodedigrmm

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QFS ypertionsverstrker

PPS

eildung QFIQWX ur hsenreserve @nh UAF

eildung QFIRHX ur universellen prequenzgngkorrektur der URI!ulsse @nh UAF ist 45 ei A 104 Y ein grsseres erfordert ein noh grsseres AF mgeE kehrt gilt fr diese unkorrigierten yX ein strk rkgekoppelter y @kleines AA shwingtF ehilfe sh't die sogF FrequenzgangKorrektur @prequenzgng! uompenstionAF rierzu hen einige y ixtrnshlsseD zF fF yp A 748D fr individuelle uorrekturmssnhmenF weist ist die uorrektur shon mit integriertF fei unserem feispieltyp A 741 und vielen nderen ypen wird die sogF universelle FrequenzgangKontrolle relisiertF ird ei mximler kkopplungD lso erstrkung A = 1 eine hsenreserve von 90 gefordertD so muss er den kompletten prequenzgng ein g!iefpssverhlten vorliegenF rierzu muss die unterste qrenzfrequenz zu kleinen prequenzen vershoen werdenD so dss die zweite qrenzfrequenz gleih der rnsitfrequenz und dort a = 45 wirdF her erstrker ist ei voller qegenkopplung noh stilD llerdings wird uh die erstrkung merklih verndertF irdD zustzlih zur esenkung von fg1 D die zweite qrenzfrequenz fg erhhtD um den stilen ereitsereih zu vergrssernD so spriht mn von ole plitting9F hie willer!upzitt der URI!ulsse @F QH ppA ist hierfr ein feispielF rinweisX hs fodedigrmm des kommerziell erhltlihen A 741D lso eines prequenzgng!korrigierten niversl!ys wird im rktikum gemessenF

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PPT

fuelemente und hltungstehnik

xeen der eduzierung der fndreite und der erstrkung wirkt sih die prequenzgng!uorrektur uh uf die mximle enstiegsgeshwindigkeit der eusE gngsspnnungD die sogF SlewRateD negtiv usF h der eusgngsstrom des hifE ferenzverstrkers egrenzt istD knn der uorrekturkondenstor nur in endliher eit umgelden werden und die eusgngsspnnung knn sih typisherweise um 0,6 V /s ndernF fei erstrkern der URI!ulsse wird ei prequenzen oerhl F IH krz die volle eusgngsspnnung niht mehr erreiht und ignlformen ersheiE nen verzerrtF iin uompromiss ist die eilkorrektur9D die eine kleinere uorrekturE kpzitt verwendetF Kapazitive Lasten ilden zusmmen mit dem y!eusgngswiderstnd einen weiteren g!iefpssF hieser knn sih in relevnter eise im fodediE grmm emerkr mhenF is git spezielleD intern vst!korrigierte y im rnE delF

3.5.3 TranskonduktanzVerstrker (VCOPV)


feim Transkonduktanzverstrker @ypertionl rnsondutne empli(er OTAA sind die eiden iingnge " wie eim esprohenen tndrd!y " spnnungsgesteuertD der eusgng er ist hohohmig und verhlt sih wie eine tromquelle @spnnungsgesteuerte tromquelleAF g!y eignen sih esonders zum reien von uoxilleitungenD deren elE lenwiderstnde klein gegen ihren eusgngswiderstnd sindF sF llgF zeigen sie ei kpzitiven vsten keine tilittsprolemeF shre qrosssignl!fndreiten sind ehtlihD zF fF PHH wrzF wn knn jeden !y in einen g!y umwndelnD indem mn den imitE terfolger m eusgng weglsstF iin einfher innerer eufu esteht lso us der hi'erenzverstrkershltung und vier tromspiegeln @zF fF vw IQ UHH von xtionl emiondutorD ge QHVH von rrrisAF hie ertrgungssteilheit @rnsondutnE eA knn ei neueren ypen er den ersorgungsstrom @IBias A m imitterstromE spiegel des hi'erenzverstrkers er mehrere qrssenordnungen von ussen einE gestellt werdenD dF hF der mximle eusgngsstrom knn so festgelegt werdenF her hohe eusgngswiderstnd wird duh rnsistoren in imittershltung relisiertF sn den tndrdhern (ndet mn prktish keine enwendungsshltungenY ei den rerstellern git es er usfhrlihe htenltterD die uf den eseiten leiht zu (nden sindF

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4 Sensoren und Messverfahren


sn diesem upitel werden die grundlegenden Messverfahren fr pnnungenD trmeD und viele weitere elektrishe oder mgnetishe ignle esprohenF snseE sondere wird ert uf die hiskussion ktueller elektronisher hltkreise gelegtF hie gezeigten imultionen wurden mit dem Elektronik-Design-LaborPQ eE rehnetF

4.1 Basismessverfahren
u den fsismessverfhren zhlen die wessung von trom und pnnungD soE wohl im plle von qleihstrom und EspnnungD wie uh fr ehselstrom und EspnnungF

4.1.1 Strom
trme knnen sowohl mit pnnungsmessern ls uh mit trommessern oder elektronishen witteln estimmt werdenF pr qleihstrme zeigt eildung RFI die hltungD unter ferksihtigung des endlihen eusgngswiderstndes R1 der tromquelle und des endlihen snnenwiderstndes R2 des trommessersF enn durh Rj der trom Ij )iesstD so gilt fr den uellstrom IS = I1 + I2 F eiter

eildung RFIX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms einer tromquelle mit einem trommesserF hie eiden hrstellungen unE tersheiden sih durh den snnenwiderstndF hie untere eile zeigt ds rinzipild eines nlogen trommessersF

PPV

ensoren und wessverfhren

eildung RFPX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms einer tromquelle mit einem pnnungsmesserF hie eiden hrstellunE gen untersheiden sih durh den Messwiderstand R2 F mssen die pnnungsflle n R1 und R2 gleih seinD d j der trommesser idel sein sollF

I2 = IS I1 =

R1 R2 1 R1 IS U = IS = IS = R2 R1 + R2 R2 R1 + R2 1 + R2 R1

@RFIA

qleihung @RFIA zeigtD dss der wessfehler umso kleiner istD je grsser der eusE gngswiderstnd der uelle und je kleiner der iderstnd des wesswerkes istF hie eiden enordnungen in eildung RFI untersheiden sih im snnenwiderstnd R2 des wesswerkesF ehts ist der snnenwiderstnd kleinerD der pehler lso uh kleinerF hie untere eile der eildung RFI zeigt den eufu eines nlogen hrehspuE lenstrommessersF hie pule ewegt sih in einem engen plt zwishen dem zylinE derfrmigen dpol und den ussen liegenden xordpolenF sm plt wirdD hnlih wie ei einem lttenkondenstor ein in guter xherung homogenes wgnetfeld erzeugtF her tromD der durh die pule @rotA )iesst ewirkt ein hrehmoment ufE grund der vorentzkrftF hie pirlfeder erzeugt ein rkstellendes ihtmomentD so dss ds hrehmoment ufgrund des tromes mit dem hrehmoment der pirlE feder verglihen wirdF sn guter xherung ist ds rkstellende hrehmoment der pirlfeder proportionl zum euslenkungswinkelF sn der eildung RFP wird der trom IS mit einem pnnungsmesser estimmtF iin ideler pnnungsmesser ht den snnenwiderstnd F her iderstnd R1 ist wieder der eusgngswiderstnd der tromquelleF R2 ist der MesswiderstandX er enthltD implizitD den Eingangswiderstand des pnnungsmessersF her eusE gngsstrom der tromquelle verteilt sih wieder uf die eiden iderstnde R1 und R2 nh dem qesetz IS = I1 + I2 F qemessen wird

U2 = I2 R2 U2 = IS R2 R 1 + R2 1

= (IS I1 ) R2 = IS R2 U2 =IS R1 R2 R1 + R2

R2 R1

@RFPA

ieder ist ersihtlihD dss der pehler miniml wirdD wenn der eusgngswiderE stnd R1 der tromquelle gross gegen den Messwiderstand R2 istF hie eiden hrstellungen in eF RFP untersheiden sih durh den ert des wesswiderstnE U desF eus U2 wird mit I2 = R2 uf den trom geshlossenF 2

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RFI fsismessverfhren

PPW

eildung RFQX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms einer tromquelle mit einem umshltren trommesserF hie eiden hrstellungen zeigen eispielhft zwei wessereiheF

eildung RFRX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms eiE ner tromquelle mit einem trommesser mit umshltrem snE nenwiderstndF hie eiden hrstellungen untersheiden sih durh wessereihF sn eF RFQ ist drgestelltD wie mit einer mshltung wessereihe eingestellt werden knnenF rier ist R2 der snnenwiderstnd des wesswerkesF sn der eilE dung RFQ ist R3 in erie dzu geshltet und R1 ist der MesswiderstandF sn der eildung rehts ist der Messwiderstand R1 + R3 D der snnenwiderstnd des wesswerkes wird llein durh R2 geildetF ellgemein gilt fr den wessstrom I2

Ri I2 = IS
Widerstnde in Serie zu

R1

Rj
Alle Widerstnde

@RFQA

wit Alle Widerstnde sind lle gemeintD einshliesslih des snnenwiderstnds des wesswerkesF sn e RFQ sind die erte so erehnet wordenD dss links der wessstrom ein hundertstel und rehts ein ehntel des uellstromes istF sn eF RFR wird die pnnung m Messwiderstand R1 mit einem pnnungsE messer mit umshltren fereihen gemessenF hie iderstnde R3 und R4 werE den in erie zu R2 geshltetF her uellstrom IS = I1 + I2 setzt sih us dem trom I1 durh den Messwiderstand R1 und dem trom I2 durh ds wesswerk

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PQH

ensoren und wessverfhren

eildung RFSX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms eiE ner tromquelle mit einem umshltren Messwiderstand und einem pnnungsmesserF hie eiden hrstellungen untersheiden sih durh den snnenwiderstndF

eildung RFTX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms einer tromquelle mit der uompenstionsmethodeF zusmmenF is gilt fr I2

I2 = IS I1 = IS

U 1 = IS R1 R1

IS
1 R1

1 R3,4 +R2

= IS

1 1+
R2 +R3,4 R1

@RFRA

omit ist klrD dss mit R3,4 die imp(ndlihkeit umgeshltet werden knnF xhteilig istD dss der Messwiderstand konstnt leitD dss lso die erlustE 2 leistung P = I1 R1 extrem hoh werden knnF hie hltung in eF RFS ist die in der wesstehnik geruhliheF R3 ist der snnenwiderstnd des pnnungsmessersF pr die gemessene pnnung U giltX

U = IS Ref f = IS

1 R1,2

1 +

1 R3

= IS

R1,2 R3 R1,2 + R3

@RFSA

h der pnnungsereih fest istD nimmt die erlustleistung n den wesswiderE stnden R1,2 nur liner zuD nders ls in den hltungen der eF RFRF sn eF RFT wird die wessung eines tromes mit der uompenstionsmethode drgestellt @quivlent zur Poggendorschen SpannungskompensationAF hie linke eite der eildung zeigt einen nihtEgeglihenen ustndD die rehte eite ist geglihenF uleine trme werden heute meistens mit tromEpnnungswndlerEhltunE gen gemessenF eF RFU zeigt solhe hltungenF yen links ist die hltung mit einem idelen ypertionsverstrker ufgeutF is giltX

Uaus = RIein

@RFTA

sn der eildung ist R = 100k und Iein = 10AF intsprehend ist die eusE gngsspnnung Uaus = 1V F yen rehts ist die gleihe hltung mit einem ypeE rtionsverstrker LM741F hieses futeil ht reltiv grosse fisEtrmeD die zu

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RFI fsismessverfhren

PQI

eildung RFUX rinzipielle hltung fr die wessung des eusgngsstroms einer tromquelle mit ypertionsverstrkernF den iingngsstrmen dzu zu zhlen sindF her resultierende pehler ist immerhin HFV7F sn der zweiten eihe links ist die hltung mit dem erstrker INA105 ufgeutF hieser yp ht sehr viel kleiner iingngsstrmeF sst der eusgngsE widerstnd der tromquelle jedoh reltiv kleinD wie in der zweiten eihe rehts gezeigtD dnn ist der eusgng des INA105 eenflls fehlerehftetF rier hilftD wie unten in eF RFU gezeigtD ein rzisionsverstrker mit iingngsstrmen im feEfereihD der OPA111F xtrlih knnte mnD wie im vorngegngen upitel esprohenD die fseEuompenstionstehniken nwendenF eF RFV zeigt einen erdfreien tromEpnnungswndlerF hie eiden iingngsE verstrker sind ls tromwndler geshltetD woei die kkopplung zum jeweils nderen ypertionsverstrker gehtF hie iderstnde V und W ilden hie kE kopplung der eiden erstrker AR4 und AR5F heren invertierende iingnge sind zusmmengeshlossenF heshl sind ihre eiden eusgnge dem fetrge nh uf der gleihen hi'erenzspnnungD er mit umgekehrtem orzeihenF her kE kopplungsstrom des einen erstrkers wird vom eusgng des nderen erstrkers ufgerhtF heshl ist es rihtigD dss die tromEpnnungswndlershltung den nihtinvertierenden iingng verwendetF hiese hltung ht eine erstrkung von 1 fr qleihtktsignleF her shliessende hi'erenzverstrker unterdrkt ds qleihtktsignlF rier sollte ein yp eingesetzt werdenD der eine gute qleihtktE unterdrkung htF hie eusgngsspnnung ist

Ua = 2RI
wenn die vier iderstnde der eiden iingngsverstrker lle gleih sindF

@RFUA

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PQP

ensoren und wessverfhren

eildung RFVX irdfreie rzisionsmessung des tromes mit einem snstrumentenverstrkerErtigen tromEpnnungsEndlerF vinks ist die hltung drgestelltD rehts zeigt ein yszilloskopildD dss trme von wenigen e er qleihtktspnnungen von einigen olt messr sindF

eildung RFWX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit einem pnnungsmesserF

4.1.2 Spannung
eildung RFW zeigt die wessung einer pnnungF her snnenwiderstnd der Spannungsquelle etrgt IH yhmF hie pnnung wird mit einem snnenwiderstnd von einem uiloohm gemessenF hurh die felstung der Spannungsquelle mit dem Messgert wird ein pehler von etw einem rozent erzeugtF hie gemessene pnnung ist lsoX

Umess = UQuelle

Rmess Rmess + RQuelle

@RFVA

eildung RFIH zeigt wieder eine pnnungsmessungD diesml er mit einem trommesserF her orwiderstnd des Messgertes ist der gleihe wie in eilE dung RFWFh die Spannungsquelle den gleihen snnenwiderstnd wie vorher htD ist wessfehler uh gleihF wn knnte ihn verringernD indem mn den vor iderE stnd vergrssertF hdurh )iesst geringerer trom durh ds wesswerkF

Im =

UQuelle RQuelle + RM esswerk

@RFWA

qerde ei den analogen MessgertenD ei denen ds wgnetfeld eine urft

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RFI fsismessverfhren

PQQ

eildung RFIHX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit einem trommesserF

eildung RFIIX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit einem pnnungsmesser und ein eiE lerketteF gegen eine peder ufringen mussD wird ein minimler trom entigtF sn der rxis ist lso eine pnnungsmessung eine yptimierungsufgeF eildung RFII zeigt die wessung mit einem umshltren pnnungsmesserF her snnenwiderstnd der uelle etrgt wieder IH yhmF iine iderstndsketE te estehend us dem W uiloohm iderstnd und dem I uiloohm iderstnd fungiert ls pnnungsteilerF sn unserem pll ht ds Messgert einen snnenwiE derstnd von IHH uiloohmF her snnenwiderstnd des Messgertes muss gross sein gegener dem qesmtwiderstnd der pnnungsteilerEuetteF hnn ist der wessfehler vernhlssigrF sn unserem plle etrgt er etw ein romilleF hie Spannungsquelle wird mit

Ref f =
W iderstnde uber dem Abgrif f a

R+

1
1 Ri

1 R
W iderst nde unter dem Abgrif f a

@RFIHA

elstetF Ri ist der snnenwiderstnd des pnnungsmessersF eildung RFIP zeigt die pnnungsmessung mit einem trommesser und shltE ren orwiderstndenF pr den wessstrom giltX

Im =

U Ri +
Eingeschaltete W iderstnde a

@RFIIA

rier ist Ri der snnenwiderstnd des trommessers und U die ngelegte pnE

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PQR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIPX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit einem trommesser und shltren orwiderstndenF

eildung RFIQX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit der oggendor'9she uompenstionsE methodeF nungF hie Spannungsquelle wird mit

1 1 = + Ref f Rmess Ri +

1 R
Eingeschaltete W iderstnde a

@RFIPA

elstetF Rm ess ist in eF RFIP der IH kEiderstndF hie hltung ist prinE zipiell gleih wie in der eildung RFIIF ieder giltD dss der trom durh ds wesswerk gengend gross sein mussD dmit die wehnik vernnftig nsprehen knnF eildung RFIQ zeigt die oggendor'9she uompenstionsmethodeF hiese weE thodeD die uh im rktikum ngewndt wirdD vergleiht die pnnung der uelle mit einer eferenzquelleFhie eferenzquelle ist stimmrF shre pnnung wird so lnge verndertD is sie gleih der der zu messenden uelle istF

UQuelle = R Uref

@RFIQA

rier ist den eilerD den mn n R einstelltF sm geglihenen plle wird die uelle niht mit einem trom elstetF wn ist lso die unelstete eusgngsE spnnungF eildung RFIR zeigtD wie mn pnnungen mit ypertionsverstrkern messen knnF pr die eusgngsspnnung im idelen plle giltX

Uaus = Uein 1 +

R2 R1

= Uein 1 +

9k 1k

= 10Uein

@RFIRA

yen links ist eine idele hltung ngegeenF her erstrker verstrkt ds Signal um den pktor IHF hie Spannungsquelle ht einen snnenwiderstnd von IHH uiloohmF shr pnnungswert von IH m wird durh den erstrker uf IHH

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RFI fsismessverfhren

PQS

eildung RFIRX rinzipielle hltung fr die wessung der eusgngsspnnung eiE ner Spannungsquelle mit ypertionsverstrkernF m erhhtF oen rehts ist die gleihe hltung mit einem erstrkern LM741 ufgeutF hieser erstrker ht reltiv grosse iingngsstrmeF heshl ist die gemessene pnnung m eusgng um VH rozent flshF enn der trom IBias in den positiven iingng )iesstD dnn giltX

Uaus = (Uein IBias Ri ) 1 +

R2 R1 9k = (Uein IBias Ri ) 1 + 1k

= 10 (Uein IBias Ri )

@RFISA

woei RI der snnenwiderstnd der uelle istF rier knn mn rigens usrehE nenD dss IBias = 0.8A istF eus der ihtung shliesst mn weiterD dss die iinE gngstrnsistoren xxErnsistoren sindF sn der zweiten eile ist die hltung mit dem hltkreis MC1436 ufgeutF fei diesem hltkreis )iessen die iinE gngsstrme in umgekehrter ihtungF heshl ist hier die gemessene pnnungen um QH rozent zu hohF rier erehnet mnD dss IBias = 0.3A istF eus der ihtung shliesst mn weiterD dss die iingngstrnsistoren xErnsistoren sindF nten rehts ist die hltung mit dem erstrker INA105 gezeigtF hieser rzisionsverstrker ht einen pehler von HDS rozentF is zeigt sihD dss genue pnnungsmessungen ei grossem snnenwiderstnd der uelle nur mit rzisionsE verstrkern mglih istF qeld spren lohnt sih hier nihtF eildung RFIS zeigt einen snstrumentenverstrkerF hie eiden ypertionsverE strker m iingng @linksA sind ls nihtinvertierende erstrker geshltetF h die eferenz niht ds irdpotentil istD sondern der jeweils ndere erstrkerD ist die qleihtktverstrkung IF her folgende hi'erenzverstrker unterdrkt weiter ds qleihtktsignlF hieser dritte ypertionsverstrker muss eine gute qleihtE ktunterdrkung esitzenF

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PQT

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eildung RFISX pnnungsmessung mit einem snstrumentenverstrkerF sm rehE ten fild ist drgestelltD dss sogr erstrker wie der vwURI ei I krz ein Signal mit einer emplitude von IH m von einem T D SH rz qleihtktsignl trennen knnenF

eildung RFITX prequenzgng der qegentktverstrkung n einem snstrumentenE verstrkerF vinks ist die hltung drgestelltD rehts der fodeE plotF

4.1.3 Wechselstrom und Wechselspannung


hie wessung von ehselspnnungen us uellen mit hohen smpednzen ist eine shwierige eufgeF olhe uellen knnen unter nderem hotodioden oder die unnelergnge in einem w @nning unneling wirosopeA seinF snsesonE dere wenn die uelle mit dem wessverstrker er ein uoxilkel verunden wirdD knn die fndreite der wessvorrihtung sehr eingeshrnkt werdenF eE ildung RFIWD linksD zeigt ein wodell dieses wesssystemsF hie Spannungsquelle wird er ihren snnenwiderstnd von IHH k n einen pnnungsverstrker mit der erstrkung I ngeshlossenF hs Signal der uelle ist mit einem uoxilE kelD upzitt IHH ppD n den erstrker ngeshlossenF hie rehte eite von eF RFIW zeigt ds entsprehende fodeEhigrmmF her iefpss us snnenwiE

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PQU

eildung RFIUX prequenzgng der qleihtktverstrkung n einem snstrumentenE verstrkerF vinks ist die hltung drgestelltD rehts der fodeE plotF

eildung RFIVX prequenzgng der qleihtktverstrkung n einem snstrumenE tenverstrker mit hohwertigen ypertionsverstrkern vom yp yPU F vinks ist die hltung drgestelltD rehts der fodeplotF derstnd und uelkpzitt ildet einen iefpssD mit einer eitkonstnte von 100pF 100k = 10sF hies entspriht einer qrenzfrequenz von IT krzD wie sie insesondere us dem hsenild ersihtlih istF sn eF RFPH wurde der hirm des uoxilkelD wie von ietzeEhenkS vorgeE shlgenD n den eusgng des ypertionsverstrkers gelegtF hie fndreite wirdD wie im in der eferenz ngegeenen fuh eshrieenD reiterF tedoh entsteht ei hohen prequenzen eine esonnzF hiese rhrt von der ehselwirkung der hE senvershieungen des ypertionsverstrkers mit denen des uoxilkels herF hiese esonnz knnD wie in eF RFPI gezeigtD gedmpft werdenD indem der hirm des uoxilkels niht direktD sondern er einen iderstnd von hier I

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PQV

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eildung RFIWX pnnungsmessung er ein uoxilkel mit einem ypertionsE verstrkerF vinks ist die hltungD rehts ds fodeEhigrmmF

eildung RFPHX pnnungsmessung er ein uoxilkel mit einem ypertionsE verstrkerF hie hirmung des uoxilkels wird mit dem ypeE rtionsverstrker getrieenF vinks ist die hltungD rehts ds fodeEhigrmmF k ngeshlossen wirdF hie qrsse des iderstndes hngt vom ypertionsverE strker sowie von der uelkpzitt F ur hetektion von ehselspnnungen ist es ntigD die ehselspnnung in eiE ne qleihspnnung umzuwndelnF eF RFPP zeigt eine entsprehende hltungF hs ehselspnnungssignl wird er die hiode gleihgerihtet und der pitE zenwert uf dem uondenstor kkumuliertF hie hltung oen ist mit einer hiE ode IxRHHIq ufgeutF fei hohem prequenzen koppelt die etrhtlihe perrE

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RFI fsismessverfhren

PQW

eildung RFPIX pnnungsmessung er ein uoxilkel mit einem ypertionsE verstrkerF hie hirmung des uoxilkels wird mit dem yperE tionsverstrker getrieen und durh den IEkEiderstnd isoliertF vinks ist die hltungD rehts ds fodeEhigrmmF

eildung RFPPX wessung der heitelspnnung einer ehselspnnung mit einer hiode und einem uondenstorF hs erste fild zeigt die hltungF hie enregungsspnnung etrgt Q ei einem krzF hs weite fild zeigt ein yszilloskopildD woei die enregung horizontl und die pnnung m hetektor vertikl ufgetrgen istF shihtkpzitt der hiode ds rohfrequenzsignl erF fesser ist esD eine uleinE signldiode wie die IxRIRV zu verwenden @siehe eF RFPQAF rpEhiodenD deren perrshihtkpzitt minimiert istD sind eine idele hlF sn prge kommtD uFeF der yp IxWIRF wn ehteD dss die detektierte pnnung um eine hiodendurhE lssspnnung geringer istF elle RFI git fr die eiden hioden IxRHHI und Ix RIRV die gemessenen pnnungen ls punktion der ngelegten pnnung und der prequenz nF eus dieser elle wird shn ersihtlihD dss ei der hiode IxRHHI die perrshihtkpzitt die die fruhrkeit limitierende qrsse istF qenerell

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PRH

ensoren und wessverfhren

eildung RFPQX wessung der heitelspnnung einer ehselspnnung mit einer uleinsignldiode und einem uondenstorF sm ergleih zu eF RFPP ist die heitelspnnungsdetektion gut zu erkennenF

eildung RFPRX rlwellengleihrihter mit ypertionsverstrkerF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz ist ds wessresultt ei kleinen pnnungen niht ussgekrftigF eildung RFPR zeigt einen rlwellengleihrihter ufgeut mit einem yperE tionsverstrker und zwei hiodenF hie hltung funktioniert folgendermssenF pr die negtive rlwelle @eusgngsspnnung von eI positivA wird vom eusgng ein trom geliefertD der durh hPD I und P )iesstF h hie erindung zwishen I und P vom ypertionsverstrker virtuell uf irde gehlten wirdD gilt fr die eusgngsspnnung

UA = Ue

R1 wenn Ue 0 R2

@RFITA

hie hiode hQ ist in perrihtung gepoltF pr die positive rlwelle ist hQ in hurhlssrihtung gepoltF her eusgng wird er I und P vom iingng mit trom versorgtF hie hiode hP zieht nun den eusgng uf eine hiodendurhE lssspnnung er der eusgngsspnnung des ypertionsverstrkersF hieser liegt erD wegen der hurhlssspnnung von hQ uf E einer hiodendurhlssspnnungF elso ist der eusgng uf H F hie hltung RFPR ist lso ein rlwellengleihrihE terF

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RFI fsismessverfhren prequenz I krz IH krz IHH krz I wrz IH wrz IHH wrz I krz IH krz IHH krz I wrz IH wrz IHH wrz I qrz I krz IH krz IHH krz I wrz IH wrz IHH wrz I qrz I krz IH krz IHH krz I wrz IH wrz IHH wrz I qrz IH wrz enregung eg R R R R R R P P P P P P P I I I I I I I HFS HFS HFS HFS HFS HFS HFS HFI IxRIRV hg IFHTS IFTVS QFIUT QFPVT QFQPI IFPWR RIQFP m UQIFH m IFQUU IFRIH IFRIR IFQWU IFQWV IPIFV m PQPFH m RQTFV m RRTFT m RRTFH m RRSFI m RPSFT m IHFHU m PHFWV m PTFTT m PTFSS m PQFVU m IIFWV m PFSHU m IV n IxRIRV eg IFQQ IFHQQ PRQFQ m RPFST m QPFWV m TTHFW m SSRFH m RRWFH m IHTFI IIFHQ m IFIII m IHWFS TQFVH IWPFR m IRWFH m QQFSI m QFRQV m QRIFR SWFUQ TUFQT IWFR m IRFIV m IFWRV m IWRFI IIHFP THFVW IIFQ H n IxRHHI hg IFHWV IFTPT PFHWS IFPUQ EQQHFS m EQVWFH m RVIFH m URIFW m WRQFR m VHUFP m EPVSFU m EQUVFV m ERIVFP m IVSFQ m QIQFR m RIUFR m QUWFW m IIUFV m EIURFT m EQTIFQ m SIFVT m IIRFV m ITUFP m ITIFS m UUFRU m EVTFRP m EISUFV m VFUTP m IxRHHI eg IFSSI IFPIS UWWFR m IFQQW PFVHQ PFVIU UWWFS m TPQFU m RPPFV m RWWFP m IFQVW IFRHV IFRIH RPVFW m QQHFU m PIVFV m PQSFW m QWWFH m TRHFQ m UHPFU m IWFRH m IVRFS m IIUFS m IIVFU m ISWFI m PTPFQ m QHWFI m PWFHR m

PRI

elle RFIX qemessene ehselspnnungen mit den hltungen RFPP und RFPQF pr IHH wrz wre die idele qleihspnnung nh dem hetektor 3.381V 4V 0.7V und die ehselspnnung wre QSS F hrend die hltung in eildung RFPR mit einem idelen ypertionsverstrE ker ufgeut istD ist die in eF RFPS mit einem vwURI ufgeutF hie hltung ht ei prequenzen er einigen IHH rz kein qleihrihterverhlten mehrF qrund dfr ist die esheidene lewEte @enstiegszeitA dieses erstrkersF smmer wenn ds orzeihen des iingngssignles wehseltD muss eine pnnung von zwei hiE odendurhlssspnnungen ersprungen werdenF hies edeutet eim vwURI eine eitverzgerung von etw P sF hieseD uf den ersten flik unedeutende erzE gerung ist jedoh fr ds shlehte erhlten verntwortlihF hurh die eitverzE gerung entsteht im egelkreis des ypertionsverstrkers eine erkompenstionF

Fr die Schaltung des Halbwellengleichrichters aus Abb. 4.25 werden

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PRP

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eildung RFPSX rlwellengleihrihter mit vwURIF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz

eildung RFPTX rlwellengleihrihter mit vHURF vinks ist die hltung zu seE henD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz

Verstrker mit einer schnellen Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals bentigt. eF RFPT zeigt die gleihe hltung ufgeut mit einem vHURF

xun ist ds eusgngssignl is zu IH krz von efriedigender qteF rhere preE quenzen knnen mit dieser hltung jedoh nur shwer vernnftig gleihgerihtet werdenF eF RFPU zeigtD wie die hltung us eF RFPT zu einem ollwellengleihrihE ter usgeut werden knnF hie sdee ist die folgende hem rlwellengleihrihter wird ein invertierender erstrker prllelgeshltetD der neen dem iingngssiE gnl uh den eusgng des rlwellengleihrihters mit doppeltem qewiht verE strktF ir erhlten dnn fr die positive rlwelle Ue 0

UA =

R4 Ue = Ue R3

@RFIUA

und fr die negtive rlwelle Ue 0

UA =

R4 R4 UA,Halbwelle Ue = 2UA,Halbwelle Ue = 2 (Ue )Ue = Ue @RFIVA R5 R3

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PRQ

eildung RFPUX ollwellengleihrihter mit ypertionsverstrkerF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz

eildung RFPVX ollwellengleihrihter mit vwURIF vinks ist die hltung zu seE henD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz sn der umme ergit sih lso @fr Ue < 0 ist Ue = |Ue |!A

UA = |Ue |

@RFIWA

ieder ist die hltung us eF RFPU ls idele hltung niht reprsenttiv fr die qte reler hltungenF eF RFPV zeigt wiederD dss erstrker vom yp vwURI niht ruhr fr diese enwendung sindD sie knnten hhstens is einige IH rz verwendet werdenF hliesslih ist us eF RFPW ersihtlih dss ein ollwellenE rzisionsgleihrihter mit dem vHUR is IH krz reiten knnF esentlih esser ls die ypertionsverstrkershltungen sind rnsistorshlE tungen ls qleihrihter fr hhste prequenzen geeignetF eF RFQH zeigt eine mglihe smplementtion eines rnsistorenEollwellengleihrihtersF hie rnsiE storen Q und R ilden einen hi'erenzverstrkerF hie rnsistoren I und PD deren imitter und uollektoren zusmmengeshltet sindD verstrken jeweils ds positivere otentilF o kommt eine ollwellengleihrihtung zustndeF hie hlE tung nh eF RFQH knn ei geeigneter hl der rnsistoren mit is zu IHH wrz etrieen werdenF

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PRR

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eildung RFPWX ollwellengleihrihter mit vHURF vinks ist die hltung zu seE henD rehts ds eusgngssignl @IH rz is IH krz

eildung RFQHX ollwellengleihrihter mit rnsistorenF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl @Q krz is Q wrzA eildung RFQI zeigt einen rueEwEqleihrihter1 F hie vorherigen hltunE gen hen den fetrg der ehselspnnung estimmtF xun ist der fetrg jedoh
1 RMS

= Root Mean Square

eildung RFQIX rueEw ndlerF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds yszilloskopild fr ein sin3 ESignal

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PRS

eildung RFQPX elEimeEektormesserF vinks ist die hltung zu sehenD rehts iingngsE und eusgngssignl @emplitudenmodultionA lngstens niht so interessnt wie die dissipierte veistung n einem iderstndF is ist eknntD dss

P =

U2 = I 2R R

@RFPHA

heshl istD wenn mn ignlformen suhtD die die gleihe dissipierte veistung n einem iderstnd R erzeugenF hie qrsse
1 2

UA (t) = 1 T

Ue ( )2 d
tT

@RFPIA

sehr viel interessnterF hies ist die he(nition des wEertesF hie hltung in eildung RFQI ist eine smplementtion dieser qleihungF on links gesehen folgt zuerst ein udriererD dnn ein sntegrtor in porm eines iefpss(lters und zu letzt ein diziererF hieser hltungsteil entzt die tsheD dss eine smpednz im kkopplungszweig eines ypertionsverstrkers sih zur dulen punktion trnsE formiertD ds heisst vom udrt zur urzelD von der ixponentilfunktion zum vogrithmusF eF RFQP zeigt einen ektormesserF hie sdee dhinter istD wenn ih A cos t und A sin t heD dnn knn ih mit

A=

(A cos t)2 + (A sin t)2

@RFPPA

rehnenF engewndt uf die hltung von eF RFQP fhrt dies zu

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PRT

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eildung RFQQX frkenshltung @qretzEhltungAF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl fr SH rzD IH

UA2,Y = R2 C2 1 R 1 C1

dUe dt

= Ue R2 C2

d sin t dt

= Ue R2 C2 cos t
@RFPQA

1 Ue Ue sin tdt = cos t @RFPRA R1 C1 R1 C1 2 UA2,X UA2,Y Ue UA3,B = = cos2 t @RFPSA 1V 1V 2 2 2 Ue Ue Ue 2 2 UA3,out = sin t + cos t = @RFPTA 1V 1V 1V eF RFQQ zeigt eine frkenshltung nh qretzF hie hioden oen rehts und unten links oder die hioden oen links und unten rehts sind jeweils in hurhE lssrihtung geshltetF sm higonlzweig der frke steht die gleihgerihtete pnnung zur erfgungF hie hltung ht zwishen dem iingngsteil und dem eusgngsteil kein gemeinsmes fezugspotentil F hie qretzEhltung wird vorE wiegend zur qleihrihtung nh einem renntrnsformtor verwendetF UA2,X = Ue dt =
2

U= max (|Ue | 2UDiode ; 0) = max (|Ue | 1.4V ; 0V )

@RFPUA

eF RFQR zeigt eine zu RFQQ nloge hltungF hdurhD dss der frkengleihE rihter im kkoppelzweig istD reitet die hltung mit eingeprgtem tromF hie pnnungsflle er den hioden werden so kompensiertF

UM 1 = max (|Ue | 2UDiode ; 0) = max (|Ue | 1.4V ; 0V )

@RFPVA

hliesslih zeigt eF RFQS eine frkenshltung mit getrenntem rnsformE torF hie hltung ist esonders geeignetD wenn rnsformtoren illig im ergleih zu hioden sindF eiter ist der pnnungsfll

UM 1 = n max (|Ue | UDiode ; 0) = n max (|Ue | 0.7V ; 0V )


2 Das

@RFPWA

unvorsichtige Anschliessen eines Oszilloskopes kann Kurzschlsse hervorrufen: warum?

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PRU

eildung RFQRX frkenshltung @qretzEhltungA mit ypertionsverstrkerF vinks ist die hltung zu sehenD rehts ds eusgngssignl fr SH krzD IH F nten ist ds eusgngssignl der hltung geE zeigtD wenn fr den ypertionsverstrker ein vwURI eingesetzt wird @prequenz S krzD emplitude IH A

eildung RFQSX frkenshltung mit rnsformtor ls ndler nur eine hiodenspnnungF sn qleihung @RFPWA ist n ds ertrgungsverhltnis von T 1F

4.1.4 Ladung
hie wessung von vdung stellt eines der shwierigeren wessproleme drF m vdung messen zu knnenD muss inergie uf ds wesswerk ertrgen werdenF

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PRV

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eildung RFQTX vdungsmessung er vdungstrnsferF vinks die hltung und rehts ds SignalD wenn 2 1012 C 107 e trnsferiert werdenF ypishe inergien sind jedoh

E1 Elektron = 1.6 1019 C 0.1V = 1.6 1020 J

@RFQHA

lso sehr kleinF eildung RFQT zeigt eine hltungD mit der vdungen gemessen werden knE nenF iel istD die vdung uf dem uondenstor C1 zu messenF hmit hie vdung mglihst vollstndig trnsferiert werden knnD muss die upzitt C2 sehr viel grsser ls die von C1 seinF or dem hliessen von S2 gilt

Q1 = 0 Q2 = 0 ird S2 geshlossen gilt fr die vdungen Q1 und Q2 sowie ds pnnungsE gleihgewiht dss Q1 = Q1 + Q2 UC1 = UC2 Q2 Q1 = C1 C2

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RFI fsismessverfhren

PRW

eildung RFQUX vdungsmessung er vdungstrnsfer mit einem sehr gutenD reE len ypertionsverstrkerF vinks die hltung und rehts ds SignalD wenn 1.6 1012 C = 107 e trnsferiert werdenF hrus folgtX

Q2 = Q1

C2 C1 + C2

@RFQIA

giltF enn C2 C1 giltD dnn wird prktish lle vdung von C1 uf C2 erE 2 = Q1 F S3 dient zum intlden des wesskondenstors C2 F eus der trgen und Q unteren rlfte von RFQT ersieht mnD dss die eusgngsspnnung einen prung 2 von der qrsse UC2 = Q2 = C1Q1 2 mhtF ienso ist ersihtlihD dss hie pnE C +C nung sehr shnell wieder nimmtD d vekstrme sogr im wodell eines idelen erstrkers niht zu vermeiden sindF um ergleih mit einem idelen ypertionsverstrker in RFQT zeigt eF RFQU die gleihe hltung mit einem relen erstrkerF hie iderstnde R3 D R5 D R6 und R7 dienen zur uompenstion des fisEtromes im invertierenden iingng von AR1 F hie iderstnde R2 D R8 D R9 und R10 dienen zur uompenstion der y'setspnnungF xur mit diesen eiden wssnhmen ist es mglihD ein Signal wie in eF RFQU zu ekommenF ieder ist der pnnungssprung ds wss fr die vdungD der restlihe uurvenverluf hngt von trein)ssen F eildung RFQV zeigt die vdungsmessung mit einem sntegrtorF hie erstrkung des ypertionsverstrkers AR1 ewirktD dss der uondenstor C1 vollstndig entlden wirdF her resultierende trom ldt wiederD ohne erlusteD C 2 ufF mn

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PSH

ensoren und wessverfhren

eildung RFQVX vdungsmessung mit sntegrtorF vinks die hltung und rehts ds SignalD wenn 2 1012 C 107 e trnsferiert werdenF

eildung RFQWX vdungsmessung mit sntegrtor mit einem sehr gutenD relen ypertionsverstrkerF vinks die hltung und rehts ds SignalD wenn 2 1012 C 107 e trnsferiert werdenF sm qegenstz zu eF RFQU wurde keine fisEuompenstion implementiertF erhlt lso

Q1 = Q2 U2 =

Q2 C2

@RFQPA

ie die rehte eite von eF RFQV zeigtD entsteht nh dem enlegen von C1 m eusgng von AR1 ein pnnungssprungF enders ls in der hltung von eF RFQT ist ds eusgngssignl konstntF rier zeigt sih der orteilD wenn mn die iingnge der ypertionsverstrker in der xhe des pnnungsnullpunktes hltF her rele ypertionsverstrker in eF RFQW erzeugt genuso eine mpeF rier wurde keine uompenstionsshltung verwendetX deshl die doh steilen pnE nungsverlufeF ieder ist der pnnungssprung ds wss fr die vdungD und niht der sonstige pnnungsverlufF

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RFI fsismessverfhren

PSI

eildung RFRHX tromrihtige iderstndsmessungF

eildung RFRIX pnnungsrihtige iderstndsmessungF

4.1.5 Widerstand
sn eF RFRH wird die stromrihtige wessung eines iderstndswertes gezeigtF hie pnnung U wird er ds trommessgert M2 mit seinem snnenwiderstnd R1 n den zu messenden iderstnd R2 gelegtF hie wessung heisst stromrichtigD d der trom durh R2 rihtig gemessen wirdD jedoh der pnnungsfll n R1 meistens niht erksihtigt wirdF sst R1 eknntD knn mn mit

U R1 I den genuen ert von R2 estimmenF iingesetzt ergit sihX R2 = R2 = 1.5V 10 = 1000.1 0.001485A

@RFQQA

eildung RFRI zeigt eine spnnungsrihtige iderstndsmessungF rier ist ds pnnungsmessgert M1 prllel zum zu messenden iderstnd ngeshlossenF hie pnnung m iderstnd wird lso richtig gemessenF her tromD den ds empremeter M2 misstD setzt sih us dem trom durh den zu prfenden iderE stnd R2 sowie us dem trom durh den snnenwiderstnd R3 des pnnungsmesE sers zusmmenF ss R3 eknntD so ergit sih

1 I 1 = @RFQRA R2 U R3 endernflls muss sihergestellt werdenD dss R2 R3 istF etzt mn die erte us eildung RFRI in qleihung @RFQRA einD erhlt mn 1 0.001501A 1 1 = = 0.00100077441 R2 1.485V 100k R2 = 999.2

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PSP

ensoren und wessverfhren

eildung RFRPX iderstndsmessung mit eknnter tromquelleF

eildung RFRQX iderstndsmessung mit eknnter Spannungsquelle und pnnungsmesserF hie iderstndsmessung knn vereinfht werdenD wenn mn nstelle einer

Spannungsquelle eine eknnte tromquelle einsetzt @siehe eF RFRPAF ieder


wird dmitD spnnungsrihtigD der rllelwiderstnd us R2 sowie dem snnenwiE derstnd des pnnungsmessersD R1 D gemessenF

I 1 1 = R2 U R1 hie erte us eildung RFRP ergeen 0.001A 1 1 1 = = 0.00099999899 R2 0.9891V 100k R2 = 1000.001

@RFQSA

sst der snnenwiderstnd R1 des pnnungsmessers niht genu eknntD muss mn die ennhme R1 R2 mhenF eF RFRQ zeigt eine iderstndsmessung mit einer Spannungsquelle sowie einem oltmeterF hie gemessene pnnung entsteht m pnnungsteiler estehend us R3 D dem snnenwiderstnd der Spannungsquelle und der rllelshltung R1 R2 des snnenwiderstndes R1 des pnnungsmessers M1 sowie des zu prfenden iderstndes R2

Umess = UQuelle

R1 R2 R3 + R1 R2

@RFQTA

eus qleihung @RFQS folgt fr die rllelshltung R1 R2 der iderstnd

R1 R2 = R3

Umess UQuelle Umess

@RFQUA

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RFI fsismessverfhren

PSQ

eildung RFRRX iderstndsmessung mit eknnter Spannungsquelle und trommesserF rier ist ds esultt eine pnnungsdi'erenz einer niht messren uellspnE nung UQuelle und einem gelesenen ert Umess X die hltung ist sehr fehlerbehaftetF ie sollte nur eingesetzt werdenD wenn es niht nders gehtF hs esultt fr eF RFRQ istX

R1 R2 = 990.5 R2 = 1000.4
ergleiht mn den numerishen ert dieses esulttes mit den vorherigen irE genissen fllt die doh deutlih shlehtere qenuigkeit ufF fesser ist die hltung nh eF RFRRF rier wirdD ei eknnter Spannungsquelle der durh den iderstnd )iessende trom gemessenF is gilt

(R6 + R7 + R8 ) I = UQuelle
hmit wird der ert des zu messenden iderstndes R8

@RFQVA

UQuelle (R6 + R7 ) @RFQWA I hie snnenwiderstnde des trommessersD R7 @gut eknntAD und der SpannungsquelleD R6 @sehr shleht eknntAD mssen vom us pnnung und trom erehneten ert gezogen werdenF hs esultt ist R8 = R8 = 1000.00
hiese hltung ist wesentlih genuer ls die mit pnnungsmesserF endererE seits muss gefordert werdenD dss der snnenwiderstnd der Spannungsquelle R6 sehr viel kleiner ls der zu messende iderstnd R8 istF eildung RFRS zeigt eine rtiometrishe hltung zur iderstndsmessungD wie sie ei digitalen Voltmetern lih istF nter der ennhmeD dss der snE nenwiderstnd der pnnungsmesser M1 und M2 Ri R1,2 ist liefert diese hlE tung hervorrgendeD von der fetriesspnnung unhngige esultteF ri't die ennhme niht zuD so muss mit R1,2 Ri gerehnet werdenF her iderstndswert von R2 wird so erehnetX

R2 = R1

U2 U1

@RFRHA

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PSR

ensoren und wessverfhren

eildung RFRSX iderstndsmessung durh ergleih mit eferenzF

eildung RFRTX iderstndsmessung durh ergleih mit eferenzF hie ngegeeE ne hltung stmmt us einer epplition xote fr den hltE kreis eledyne sgv UIHUF hei ist der gemessene ert von R2 in sehr guter xherung unhngig von R3 oder UQuelle F els esultt erhlt mn mit den oigen ertenX

R2 = 1000.1
ie eildung RFRT zeigt wird diese hltung in vielen higitlvoltmetern verE wendetF eildung RFRU zeigt die rtiometrishe iderstndsmessung mit trmenF nter der ennhmeD dss der snnenwiderstnd der trommesser M3 und M4

eildung RFRUX iderstndsmessung durh ergleih mit eferenzF rier werden trme verglihenF

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RFI fsismessverfhren

PSS

eildung RFRVX ierdrhtEiderstndsmessung fr kleine iderstndeF hiese hltung knn nur im REhrhtverfhren etrieen werdenF

Ri R7,8 sei werden direkt die rihtigen iderstndswerteD sonst wird R7,8 + Ri gemessenF is gilt I3 R7 = I4 R8
unhngig von R3 oder UQuelle F ir erhlten shliesslih @RFRIA

R8 = R7
und eingesetzt den ert

I3 I4

@RFRPA

R8 = 1000
hie isher vorgestellten wessmethoden sind fr gnz kleine iderstnde niht geeignetF eildung RFRV zeigt die ierdrhtEwethode zur iderstndsmessungF iine Spannungsquelle wird er einen eferenzwiderstnd R1 und er uE el mit den iderstnden R6 und R9 n den zu messenden iderstnd R2 ngeE legtF m den pnnungsfll in R 6 und R9 zu kompensierenD wird die pnE nung m iderstnd direkt gegri'en und er die iderstnde R7 und R8 zum pnnungsmesser gerhtF enn der snnenwiderstnd von M1 und M2 sehr viel grsser ls die nderen eteiligten iderstnde sindD dnn ht mn eine nloge wessmethode wie in eF RFRSF sn diesem plle sind die uelwiderstnde und die ergngswiderstnde niht relevntF ir erhlten fr R2

R2 = R1

U2 U1

@RFRQA

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PST

ensoren und wessverfhren

eildung RFRWX ierdrhtEiderstndsmessung fr kleine iderstndeF rier ist eine hltung ngegeenD die utomtish von PEhrhtEwessung uf REhrhtEwessung umshltetF hie iderstnde R4 und R5 in eildung RFRW ermglihen eine utomtishe mshltung von der PEhrhtE zur REhrhtEwethodeF ie sind er uh die rsE he fr zustzlihe pehlerF wit der xeenedingungX

R4,5
oder

R6,9 + R7,8

@RFRRA

R4,5

R6,9 R7,8 R6,9 R7,8 R2

@RFRSA

knnen deren iderstndswerte vernhlssigt werdenF ir erhlten dnn wie ohen R4 und R5

R2 = R1

U2 U1

@RFRTA

sst mn siherD dss der pnnungsfll in den iderstnden R6 und R9 niht wesentlih er 0.1V nsteigtD knne mn die iderstnde durh jeweils eine oder zwei in hurhlssrihtung geshltete hioden ersetzenF hie durh R4 und R5 herE vorgerufenen pnnungsfehler sindX

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RFI fsismessverfhren

PSU

Im =

U1 R1 Im
1 R6

@RFRUA

UR6 = Im (R6 (R4 + R7 )) = UR7 = UR6 UR7 =

1 (R4 +R7 )

Im R6 1 + (R4R6 7 ) +R

@RFRVA @RFRWA @RFSHA

Im R6 R7 R7 R7 Im R6 = = R6 R4 + R7 R4 + R7 1 + (R4 +R7 ) R4 + R6 + R7

U1 R6 R7 R1 (R4 + R6 + R7 )

hie eiden oen gezeigten hltungen sind idel zu wessung kleiner iderE stnde geeignetF ie hen jedoh einen grvierenden xhteilX je kleiner die Widerstnde sind, desto hher werden sie thermisch belastetF hies liegt drnD dss zur wessung eines pnnungsflls ein minimler ert entigt wirdF pr R gilt

U2 = @RFSIA R R eildung RFSH zeigtD wie mit einer gepulsten wessung ds rolem der zu grosE sen thermishen felstung umgngen werden knnF ir nehmen hier nD dss die Spannungsquelle V2 @T mA die durh thermishe felstung hervorgeruE fenen pnnungen zusmmenfsstF euf der linken eite wird die hltung mit eingeshlteter wessspnnungsquelle gezeigtD rehts ist die wessspnnungsquelle usgeshltetF sndem die wessspnnungsquelle nur den fruhteil der gesmten wesszeit eingeshltet wird wird die erlustleistung n R2 lim PR 2
2 Umess = R2

@RFSPA

ustzlih knn mnD wenn die wesspnnungsquelle mit der prequenz geshlE tet wirdD vokEsnEerstrker verwenden und so die imp(ndlihkeit steigern und die thermishe felstung senkenF sm oeren eilD ei eingeshlteter wessspnE nungsquelle gilt

U2,ein =

U1 + UT herm. R1

@RFSQA

sm unteren eilD ohne wessspnnungsquelle ht mn

U2,aus = UT herm.
hen gesuhten iderstnd R2 (ndet mn mit

@RFSRA

R2 = R1

U2,ein U2,aus U1

@RFSSA

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PSV

ensoren und wessverfhren

eildung RFSHX ierdrhtEiderstndsmessung fr sehr kleine iderstnde im gepulsten fetrieF yen ist der ustnd mit eingeshlteter wessspnnungsquelle gezeigtD unten mit usgeshlteter uelleF ollte dem iderstnd R2 jedoh grosse kpzitive oderD whrsheinliE herD induktive uomponenten prllel geshltet seinD ist die wessung niht mehr zuverlssigF

ehtung3

4.1.6 Messung von L und C


hie wessungen von upzitten und snduktivitten knn uf vershiedene erten erfolgenX IF wessung der eitkonstnten ei iinshltE oder eusshltvorgngenF PF wessung von esonnzfrequenzen in hwingkreisen QF wessung der komplexen smpednzenF

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RFI fsismessverfhren

PSW

eildung RFSIX wessung der upzitt er die enstiegsE und efllzeit

eildung RFSPX wessung der snduktivitt er die enstiegsE und efllzeit sn eildung RFSI wird eine upzitt C1 mit einer periodishen ehselspnE nung er einen iderstnd R1 gelden und entldenF sm intldefll ht mnD dss

U (t) = U0 e

t 1 C1

@RFSTA

xun ist ei t = = R1 C1 die pnnung gerde U ( ) = U0 e1 = 0.3679U0 F eus der eitkonstnte fr intldung in eF RFSID rehtsD @hi'erenz zwishen luer und roter wrkierungA liest mn D dss = 1.0127ms istF hrus folgt mit R1 = 1k dss C1 = R1 = 1.0127ms = 1.0127F istF wn ersieht us der kurzen 1000 ehnungD dss eine genu wessung hwierigkeiten ieten drfteF pr die enstiegszeit gilt

U (t) = U0 1 e

t 1 C1

= U0 1 e

@RFSUA

dFhF mn rehnet nlog zum intldefllF rier ist ngenommen wordenD dss die pnnung U0 zwishen H und ihrem @positivenA wximlwert hinE und hergeshlE tet wirdF ist die untere pnnung niht nullD muss ihr ert ls y'set gezogen werdenF sn eildung RFSI wird er eine snduktivitt L1 n den iderstnd R1 eine periodishen ehtekspnnung ngelegtF enn die iingngsspnnung von U0 H

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PTH

ensoren und wessverfhren

eildung RFSQX wessung der snduktivitt oder upzitt mit einem hwingkreis wehselt ht mn

U (t) = U0 e

tR1 L1

@RFSVA

L xun ist ei t = = R1 die pnnung gerde U ( ) = U0 e1 = 0.3679U0 F eus 1 der eitkonstnte fr intldung in eF RFSID rehtsD @hi'erenz zwishen luer und roter wrkierungA liest mn D dss = 1.0368ms istF hrus folgt mit R1 = 1 dss L1 = R1 = 1.0368ms 1 = 1.0368mH istF wn ersieht uh us der kurzen ehnungD dss eine genu wessung hwierigkeiten ieten drfteF pr die enstiegszeit gilt nlog

U (t) = U0 1 e

tR1 L1

= U0 1 e

@RFSWA

eF RFSQ zeigtD wie mn mit einem hwingkreis upzitten oder snduktiviE tten estimmen knnF pr einen hwingkreis gilt llgemeinX
2 0 2 ( 2 0 ) + 2
2 2 0 Q2

A() = A0

@RFTHA @RFTIA

() = arctan

1 0 2 Q 0 2

dei ist 0 die esonnzfrequenz und Q die qte des hwingkreisesF sn der hse () gilt in unserem plle @RFTPA @RFTQA

0 = 0 d() 2Q = d =0 0

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RFI fsismessverfhren

PTI

eildung RFSRX hetstoneEfrke hmit ist die esonnzfrequenz und die qte einfh us dem hsenild E lesrF her emplitudengng ht zwr prinzipiell die gleihe eussgekrft wie der hsengngD ist er wesentlih ungenuer uszumessenF iine fst immer gltige egel esgtX Resonanzfrequenz 0 und Gte Q

ehtung3

bestimmt man aus der Phase.

hie letzte wglihkeitD die erte von upzitten und snduktivitten zu eE stimmenD ist mit ihren komplexen smpednzen zu rehnenF

ZL = iL 1 ZC = iC
sn den im eshnitt RFIFS esprohenen hltungen wird die qleihspnnung durh eine ehselspnnung mit eknnter emplitude U und prequenz ersetztF her so estimmte smpednzwert Z knn dnn umgerehnet werden nh

C=

1 |Z| Z L=

@RFTRA @RFTSA

4.1.7 Brckenschaltungen
wit frkenshltungen knn mn komplexe smpednzen sehr shnell und genu vermessenF eildung RFSR zeigt eine iderstndsrkenshltungF sm sdelfll erhlt mn fr ds iderstndsverhltnis im geglihenen plle

R1 : R4 = R2 : R3 R1 R3 = R2 R4

@RFTTA

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PTP

ensoren und wessverfhren

5.0

2.5

I 0.0

2.5

5.0

.1

.5

1. Rj

5.

.1e2

eildung RFSSX ngeglihene hetstoneEfrkeF riiert werden R1,2 @grnA und R3,4 @rotAF hie sttishen iderstnde sind jeweils 1kD der snnenwiderstnd des trommessers ist Ri = 0.1kF hie frkenE spnnung ist U = 10V pr die ungeglihene frke erhlt mnX

Ii = U

R2 R4 R1 R3 R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) + Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 )

@RFTUA

hie rerleitung von qleihung @RFTUA (nden ie im enhng fF eildung RFSS zeigt die nderung des uerstromes in der frke ls punktion der nderung der einzelnen eilwiderstndeF ehr shn ist us dieser hrstellung ersihtlihD dss die eusgngsspnnung der frke nihtliner istF hie qrsse des uerstromes hngt niht nur vom ngleihgewiht der frke D sondern uh vom snnenwiderstnd des trommessers zum xullgleihF eilE dung RFST zeigt den iin)uss des snnenwiderstndes uf die eusgngskurveD wenn R1 vriiert wirdF enlog dzu zeigt eildung RFSU den iin)uss des snnenwiderE stndes uf die eusgngskurveD wenn R4 vriiert wirdF snteressnt ist der pllD wo R1 und R4 gegengleih sih ndernD wo lso R4 = 1/R1 giltF hieser pll ist ei ensoren wie hehnungsmessstreifen oder piezoresistive epwEgntilever gegeenF h vriieren eide iderstnde in einem frkenzweigF eildung RFSV zeigt die eusgngskurvenF is ist emerkenswertD um wieviel lineE rer ds Signal istF pr den pll dss der snnenwiderstnd des trommessers Ri = 0 istD erhlt mn die vereinfhte qleihungX

Ii = U

R2 R4 R1 R3 R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 )

@RFTVA

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RFI fsismessverfhren

PTQ

5.0

2.5 I

0.0

2.5 .1 .5 1. R1 5. .1e2

eildung RFSTX ngeglihene hetstoneEfrkeF riiert wird R1 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnde sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V

2.5

0.0

I 2.5

5.0

.1

.5

1. R4

5.

.1e2

eildung RFSUX ngeglihene hetstoneEfrkeF riiert wird R4 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnde sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V

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PTR

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7.5 5.0 2.5 I 0.0 2.5 5.0 7.5 .1 .5 1. R1 und 1/R4 5. .1e2

eildung RFSVX ngeglihene hetstoneEfrkeF riiert werden R1 und R4 = 1/R1 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnE de sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V wisst mn die frkenspnnungD so ergit sih us qleihung RFTU

Ui = U Ri

R2 R4 R1 R3 R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) + Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 )

@RFTWA

eiter sieht mnD dss fr Ri

Ui = U

R2 R4 R1 R3 (R1 + R4 ) (R2 + R3 )

@RFUHA

istF eildung RFSW fsst den iin)uss des snnenwiderstndes nohmls zusmE menF hie imp(ndlihkeit uf ernderungen von R1 oder R4 ergit sih us
Ii U R3 = dR1 Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U (R2 R4 R3 R1 ) ((Ri + R4 ) (R2 + R3 ) + R2 R3 ) (Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ))2 Ii U R2 = dR4 Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U (R2 R4 R3 R1 ) ((Ri + R1 ) (R2 + R3 ) + R2 R3 ) (Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ))2

(4.71)

(4.72)

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RFI fsismessverfhren

PTS

1.0 0.5 0.0 lg(R) 0.5 0.5 1.0 1.0 0.0 lg(Ri) 0.5 1.0 2 0 2 I 4 6

eildung RFSWX iin)uss der smpednz des trommessers im xullpunktszweig der hetstoneEfrkeF entspriht R4 in eF RFTSD Ri ist der snE nenwiderstnd des trommessersF

20 15 10 dI/dRj 5 0 5

.1

.5

1. Rj

5.

.1e2

eildung RFTHX imp(ndlihkeit der ungeglihenen hetstoneEfrkeF riE iert werden R1 @grnA und R4 @rotA mit Ri = 0k snnenwiderE stndF hie sttishen iderstnde sind jeweils 1kF hie frkenE spnnung ist U = 10V eildung RFTH vergleiht dei die rition von R1 und R4 F hie teigungen ndern sih extremD ds heisstD dss der linere fereih doh strk eingeshrnkt istF

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PTT

ensoren und wessverfhren

2.5

0.0

dI/dR1

2.5

5.0

7.5 .1 .5 1. R1 5. .1e2

eildung RFTIX imp(ndlihkeit der ungeglihenen hetstoneEfrkeF riE iert wird R1 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnE de sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V eildung RFTI zeigt den iin)uss des snnenwiderstndes Ri D wenn R1 sih nE dertF hie imp(ndlihkeit der frke nimmt mit steigendem snnenwiderstnd F eildung RFTP zeigt den iin)uss des snnenwiderstndes Ri D wenn R4 sih nE dertF hie imp(ndlihkeit der frke nimmt mit steigendem snnenwiderstnd F enn sih R1 und R4 = 1/R1 gegengleih ndernD dnn vriiert die imp(ndE lihkeit wie in eildung RFTQ ngegeenF iine hetildrstellung der normierten imp(ndlihkeit in eildung RFTR zeigtD dss fr grosse snnenwiderstnde Ri die imp(ndlihkeit m wenigsten vriiertF hie wesskurve knn mit guter xherung ls liner mit einem kleinen proloiden uorrekturterm ngesehen werdenF pr den pll dss der snnenwiderstnd des trommessers Ri = 0 istD erhlt mn die vereinfhte qleihungX

U R3 Ii = dR1 R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U (R2 R4 R3 R1 ) (R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 ) (R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ))2 Ii U R2 = dR4 R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U (R2 R4 R3 R1 ) (R1 (R2 + R3 ) + R2 R3 ) R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 )2
hie imp(ndlihkeit fr pnnungsmessungen ist

@RFUQA

@RFURA

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PTU

20

15 dI/dR4 10

0 .1 .5 1. R4 5. .1e2

eildung RFTPX imp(ndlihkeit der ungeglihenen hetstoneEfrkeF riE iert wird R4 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnE de sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V

15 10 5 dI/dR1 dI/dR4 0 5 10

.1

.5

1.

5.

.1e2

R1 und 1/R4

eildung RFTQX imp(ndlihkeit der ungeglihenen hetstoneEfrkeF riE iert werden R1 und R4 = 1/R1 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenfolge grnD luD shwrzD rotAF hie stE tishen iderstnde sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V

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PTV

ensoren und wessverfhren

1.1 1.05 1.0

dI/dR1 dI/dR4

0.95 0.9 0.85 0.9 0.95 1.0 R1 und 1/R4 1.05 1.1

eildung RFTRX imp(ndlihkeit der ungeglihenen hetstoneEfrke norE miert uf den geglihenen pllF riiert werden R1 und R4 = 1/R1 mit Ri = [0kD 0.1kD 1kD 10k] snnenwiderstnd @eihenE folge grnD luD shwrzD rotAF hie sttishen iderstnde sind jeweils 1kF hie frkenspnnung ist U = 10V

U Ri R3 Ui = dR1 Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U Ri (R2 R4 R3 R1 ) ((Ri + R4 ) (R2 + R3 ) + R2 R3 ) (Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ))2 Ui U Ri R2 = dR4 Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ) U Ri (R2 R4 R3 R1 ) ((Ri + R1 ) (R2 + R3 ) + R2 R3 ) (Ri (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) + R1 R4 (R2 + R3 ) + R2 R3 (R1 + R4 ))2

(4.75)

(4.76)

hliesslih erhlt mn fr Ri

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RFI fsismessverfhren

PTW

eildung RFTSX hetstoneEfrke fr llgemeine smpednzen

U R3 Ui = dR1 (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) U (R2 R4 R3 R1 ) (R2 + R3 ) ((R1 + R4 ) (R2 + R3 ))2 Ui U R2 = dR4 (R1 + R4 ) (R2 + R3 ) U (R2 R4 R3 R1 ) (R2 + R3 ) ((R1 + R4 ) (R2 + R3 ))2

@RFUUA

@RFUVA

hie eussgen er die imp(ndlihkeit fr die trommessung gelten uh fr die pnnungsmessungF Ein mglichst lineares Ausgangssignal bentigt hohe Querwiderstnde Ri : Spannungsmessungen sind fr nicht abgeglichene

Brcken vorzuziehen.

hie qleihungen fr die hetstoneEfrke fr llgemeine smpednzen @eF RFTS knnen us qleihung @RFTTA geleitet werdenF polgende irsetzungen sind vorzunehmenX

R1 R2 R3 R4
qleihung wird dnn zu

|Z1 |ei1 |Z2 |ei1 |Z3 |ei1 |Z4 |ei1


@RFUWA

Z1 Z2 = Z4 Z3 |Z1 |ei1 |Z2 |ei2 = |Z4 |ei4 |Z3 |ei3 |Z1 |ei1 |Z3 |ei3 =|Z2 |ei2 |Z4 |ei4 |Z1 | |Z3 |ei1 +i3 =|Z2 | |Z4 |ei2 +4
@RFVHA hrus ist ersihtlihD dss eine frke nur gleihr istD wenn sowohl die fetrge wie uh die hsen geglihen sindF hiese fedingungen sindX

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PUH

ensoren und wessverfhren

|Z1 | : |Z4 | =|Z2 | : |Z3 | |Z1 | |Z3 | =|Z2 | |Z4 | 1 + 3 =2 + 4

@RFVIA @RFVPA

4.1.8 Wandlerschaltungen
ndlershltungen werden entigtD um digitle mit nlogen hltkreisen zu verindenF hrend digitle hrstellungen von ignlen prinzipiell mit elieiger qenuigkeit mhr sindD limitiert ds ushen von nlogen hltkreisen @sieE he uh eshnitt PFVFIAF h enlogEhigitlwndler uf higitlEenlogEndlern ufuen werden zuerst diese eshrieenF

4.1.8.1 Digital/Analog-Wandler
hie eusgngsspnnung eines higitlGenlogEndlers ist prinzipiell wertdiskretF fei sehr kleinen hiskretisierungsshritten knn ds ushen von nlogen futeiE len diese pnnungsshritte mskierenF eildung RFTT zeigt die prinzipielle hlE tung sowie die eusgngskurvenF iin RHRH gwyEhler Q gespiesen vom punktiE onsgenertor zhlt von HHH nh pppF hie untersten ht fit werden in den generiE shenD idelen Digital-Analog-Wandler I gespiesenF eine eusgngsspnnung wird in der witte und unten in eF RFTT gezeigtF hie mittlere eildung zeigt die eusgngsrmpeF m die tufenhhe u)sen zu knnenD ist ein eil der wesskurE ve in der unteren hrstellung vergrsstertF ehr shn sind die einzelnen tufen im eusgngssignl zu sehenF d dies ein ideler ndler istD sind die tufen im gleihen estndF higitlEenlogwndler hen die folgenden pehlerX

hie tufenhhe ist niht konstntF feide uurven in in eF RFTU zeigen diesen pehlerF hie eusgngsspnnung ist keine monotone punktion der iingngsspnnungF hie rehte uurve in e RFTU ist niht monotonF
hie qrsse der fitfehler knn uf zwei erten estimmt werdenF iinerseits knnD wie in eF RFTVD linke eiteD eine qerde durh die indpunkte ls eferenz verwenE det werdenF hie drus resultierenden pehler werden in elle RFP in der zweiten und dritten plte ufgelistetF endererseits knn eine durh egression estimmte qerde ls eferenz dienen @eF RFTVD rehtsD und elle RFPD plten R und SAF hie so erehneten pehler sind kleiner3 F

4.1.8.1.1 Direkte D/A-Wandler hirekte Digital-Analog-Wandler setzen


jede hlenkomintion m iingng in einen mit einem diskreten iderstnd
3 Sie

mssen in Datenblttern immer erst die Denition der Fehler nachschauen, um vergleichen zu knnen.

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RFI fsismessverfhren

PUI

eildung RFTTX higitlEenlogEndlershltungF witte eusgngskurveD untenX vergrsserte eusgngskurve @hier IPD IREPHA kodierten ert umF hie eildung RFTW zeigt eine mglihe smplementierungF wit einem fitmustergenertor werden die hlen von Hr is pr generiertF hs niederwertigste fit dient dei ls ktgenertorFher hemultiplexer P set eine QEfitEhl @HEUA in ht eusgnge umD die je einzeln uf dem HEegel liegenF hies

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PUP

ensoren und wessverfhren

10

10

8 monotoner Kurvenverlauf

8 nicht monoton 6

Uout

0 0 2 4

U
4 2 0 0

10

10

eildung RFTUX vinks eine monotone ndlerkennlinieD rehts eine niht monotoE neF um ergleih ist die idele eusgngsgerde eingezeihnetF hl hl H I P Q R S T U V W IH eusgng heg H IDQ PDS QDV RDT RDW SDU TDR UDT VDV IH pehler durh indpunkte H EHDQ EHDS EHDV EHDT HDI HDQ HDT HDR HDP H ngepsste qerde HDRR IDQT PDPV QDP RDIP SDHR SDWT TDVV UDV VDUP WDTR pehler ngepF qerde HDRR HDHT EHDPP EHDT EHDRV HDIR HDPT HDRV HDP EHDHV EHDQT

elle RFPX elle der eusgngswerte von higitlEenlogEndlernF hie erste plte zeigt die hlenwerteF hie zweite plte die eusgngswerte des ndlersF sn der dritten plte werden die pehler ngegeenD ezoE gen uf eine qerde durh die indpunkteF hie vierte plte zeigt die eusgngsgerde U = 0.44 + 0.92nF hie letzte plte zeigt die pehler dzuF ist us dem vogikEenlystor @eF RFTWD unten linksA ersihtlihF hie einzelnen eusgnge des hemultiplexers steuern einzelne elis nD die die individuell proE grmmierren iderstnde R12 D R14 R20 einzeln mit der eferenzspnnung U3 versorgenF her ypertionsverstrker AR1 summiert die tromwerte ufF em iinE gng P des yszilloskopesD @eF RFTWD unten rehtsA sieht mnD dss pnnungsE sprnge uftretenF hies knn verhindert werdenD indem eine sogennnte heglitherE hltung nhgeshltet wirdF ie esteht hier us einem enlogEhlter S1 D dem mit R21 und C1 ein iefpssglied nhgeshltet istF hieses iefpssglied dient ls enlogspeiher und speihert whrend der qlithEhse ds Signal zwishenF hie hltungD estehend us S1 D R21 und C1 wird uh mple8roldEhltung oder

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RFI fsismessverfhren

PUQ

10

10

8 Endpunkte 6

8 Angepasste Gerade 6

U
4
2

0 0 2 4 6 8 10

0 0 2 4

10

eildung RFTVX ferehnung der pehlerX vinks mit einer uurve durh die indpunkE teD rehts eine mit ngepsster qerde

eildung RFTWX hirekter higitlGenlogEndlerF yen die hltungD unten links der vogiknlystor und unten rehts ds yszilloskopildF

Abtast-Halte-Glied gennntF

hie direkte ndlung von digitlen zu nlogen ignlen knn sehr shnell seinD edingt er einen enormen eufwnd n iderstnden und vor llemD hlternF

4.1.8.1.2 Stromwgeverfahren hs tromwgeverfhrenD wie es in eildung

RFUH gezeigt wirdD ist eine sehr viel e0zientere wglihkeitD digitle hlenwerte in pnnungen umzuwndelnF enders ls eim direkten erfhren @estz RFIFVFIFIA knnen jedoh die eusgngswerte pro fit niht unhngig gewhlt werdenF sn eildung RFUH ist ein REfit Digital-Analog-Wandler gezeigtF hie enlogE

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PUR

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eildung RFUHX higitlEenlogEndlershltung mit enlogshlternF ehts fitmustergenertorD untenX eusgngskurve shlter S1 is S4 verinden die iderstnde R2 D R4 is R6 mit dem ls tromE pnnungsshlter geshlteten ypertionsverstrkerF her eferenzwiderstnd ist hier R1 = 1kF enn wir den eferenzwiderstnd mit Rref und den iderstnd fr ds mEte fit @0 m < n ei einem nEfitEndlerA dnn gilt

Rm = Rref 21+nm m = 0 . . . n 1

@RFVQA

rier ist n die fitzhl des ndlersD n 1 ist ds hhstwertige fit und 0 ds niederwertigste fitF hmit die pnnungsnderung von fit 0 niht in der

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RFI fsismessverfhren

PUS

eildung RFUIX higitlEenlogEndlershltung ntenX eusgngskurve

mit

tromwehselshlternF

mngelnden qenuigkeit von fit m untergehtD muss fr die iderstndstolernz geltenX

Rm 1 m+1 @RFVRA Rm 2 fei einem VEfit ndler edeutet dies eine qenuigkeit des kleinsten iderE 1 stndes @grssten veitwertesA von 256 = 0.4%F fei einem IPEfit ndler muss 1 1 die qenuigkeit 4096 = 0.024% seinD ei einem ITEfit ndler 65536 = 0.0015% seinF hies sind illusorishe qenuigkeitenD die nur mit verheerend grossen uosten erreihr wrenF sn der eildung RFUH wird in der witte die iinrihtung des fitmustergenertors und unten ds eusgngssignl gezeigtF hie tu(gkeit dieses ignls kommt dei sehr shn zum eusdrukF higitlGenlogwndler nh eildung RFUH elstet die tromquelle sehr unE gleihmssigF heshl wird in der trom durh die iderstnde niht unterroE henD sondern wie in eildung RFUI nur zwishen dem invertierenden iingng
4

4 Das

entspricht der CD-Qualitt

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PUT

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eildung RFUPX higitlEenlogEndlershltung mit tromwehselshltern und EPExetzwerkF witteX eusgng ei ensteuerung mit einer qleihspnnungF ntenX eusgng ei ensteuerung mit einer ehselspnnungF des tromEpnnungswndlers und der irde geshltetF qleihzeitig erreiht mnD dss er dem geshlossenen hlter keine pnnung flltD dss lso vekstrE me sehr e'ektiv unterdrkt werdenF pr die himensionierung der iderstnde gilt qleihung @RFVQAF her higitlEenlogwndler nh eildung RFUP verwendet ein EPExetzwerkD

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PUU

ei dem nur zwei iderstndswerte vorkommenD nmlih und PF hieses xetzE werk knn wie folgt verstnden werdenF ir etrhte ds rehte inde der uetteD eginnend mit dem unoten 1 zwishen R20 D R21 und R24 F der unoten 2 liegt zwiE shen R21 D R22 und R23 F hie iderstnde R23 und R24 speisen den trom in den higitlGenlogEndlerF hei soll der trom durh R24 D I24 gleih dem doppelE ten des tromes I23 durh R23 seinF hmit giltX U1 = 2U2 F omit knnen wir ds folgende qleihungssystem ufstellenX

I21 = I22 + I23 U1 U2 I21 = R21 U2 I22 = R22 U2 I23 = R23 U1 = 2U2
iingesetzt ergit sih

U1 U1 U1 U1 2 = + R21 2R22 2R23 hiese qleihung ist unhngig von U1 F wn ekommt R21 = R22 R23 R22 + R23

@RFVSA

@RFVTA

22 ird in qleihung @RFVTA R23 = R22 gesetztD so ist R21 = R2 F em unoten 1 ht die uomintion us R21 . . . R23 die smpednz R21 + (R22 R23 ) = R21 + (2R21 2R21 ) = R21 + R21 = 2R21 = R22 F hmit knn der unoten 1 wie der unoten 2 ehndelt werdenX der trom verdoppelt sih ei diesem xetzwerkD wenn mn nh links gehtD und er hliert sihD wenn mn nh rehts gehtF hs EPExetzwerk ht den orteilD dss nur iderstndeD die in der qrsse um den pktor P vriierenD uf der ghip)he hergestellt werden mssenF hmit ist diese truktur komptiel zu der rlleiterfertigungF hie grssten pehlern sind

iderstnd der hlter im eingeshlteten ustnd y'setspnnungen fei grossen fitzhlen werden die trme so kleinD dss thermishe trme oder ushstrme grsser werden knnenF
hie Spannungsquelle wird mit dem iderstnd R21 elstetF R18 knn uh weggelssen werdenF hnn ist die felstung der eferenzquelle R22 F hliesslih ist es mglihD wie in eF RFUP gezeigtD ds xetzwerk uh mit vernderlihen pnnungen zu etreienF hie higitlzhl wirkt dei wie ein wulE tipliktorF

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PUV

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eildung RFUQX higitlEenlogEndlershltung mit tromwehselshlternD E PExetzwerk und ipolrem eusgngF witteX eusgng ei enE steuerung mit einer qleihspnnungF ntenX eusgng ei enE steuerung mit einer ehselspnnungF hie hltung nh eildung RFUQ erweitert ds EPExetzwerk mit einem ipolren eusgngF

4.1.8.1.3 Pulslngenmodulation fei den oen esprohenen higitlEenlogE


ndlern git es zwei fundmentle rolemeX

feim mshlten des wf knnen grosse trsignle entstehenF je mehr fit Ausung ein ndler htD desto shwieriger wird esD dieses rolem in den qri' zu ekommenF hie vineritt knn ei sehr hohu)senden ndlern niht mehr grntiert werdenF nd niht zuletztD die uosten fr einen ndler steigen erproportionl mit seiner fitzhlF
hieses rolem knn umgngen werdenD indem mn die eusgngsspnnung wie in eF RFUR zwishen zwei pnnungswerten hinE und hershltet und dei die ulslnge moduliertF

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RFI fsismessverfhren

PUW

eildung RFURX higitlEenlogEndlershltung mit ulslngenmodultionF ntenX eusgng mit ulsweitensignl und tiefpssge(ltertem SignalF hs iingngssignl stmmt von dem fitmustergenertorF m ds rinzip klrzumhenD verwenden wir nur zwei fitsF wit dem ktgenertor V1 wird der finrzhler U2 ngesteuertF hs yEqtter U4 vergleiht jeweils ein fit des hE lers mit dem entsprehenden fit des fitmustergenertorsF hs exhEqtter U13 detektiertD wenn eide fitEerte vom hler und vom fitmustergenertor gleih sindF hnn wird ds EplipEplop U8 zurkgesetztF wit der fllenden plnke von fit f us dem hler U1 wird der wono)op U6 getriggertF ein eusgngspuls setzt ds EplipEplop U8 F hmit ist ds eusgngssignl von U8 einsD solnge der hE ler eine kleinere hl ls der fitmusterEqenertor htF hs iingngssignl knnte uh von einem gomputer kommenF hs eusgngssignl wird xull fr den est der eriodeF hmit ist diese hltung ein digitler ulsweitenEwodultorF hliesE slih wird ds eusgngssignl in der hltung A1 iefpssge(ltert @hie rmeter ergeen ein sheyshe'Eiefpss(lter dritter yrdnung mit HFS df elligkeit und

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PVH

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eildung RFUSX IEfit ndlerF yversmpling I P R V IT QP TR IPV PST irhhung der fitEhl H I P Q R S T U V

elle RFQX irhhung der fitzhl durh oversmpling einer qrenzfrequenz von IHkrzAF hie eF RFURD unten zeigt in der oeren rlfte des yszilloskpildes ds ulsE weitensignl und unten ds ge(lterte eusgngssignlF hie fitstufen im V krzEkt sind klr getrenntF hie ktfrequenz ist dei PHH krzF

4.1.8.1.4 1-Bit

kominieren ds ulslngenE wodultionsprinzip mit zustzliher digitler vogikF eildung RFUS zeigt eine mglihe hltung us einem ghEpielerRF hs getstete Signal wird zuerst REfh interpoliert @oversmpledA und dnn QPEfh interpoliertF eus der ghEetstfrequenz von RRFI krz wurde nun eine etstfrequenz von SFT wrzF hs Signal wird mit einem QSP krzESignal so digitl moduliertD dss die eusgngsspnnung um ds wenigstwertige fit @vfA shwnktF dmit muss der ndler konstnt ds eusgngssignl ndernX es knnen keine niederfrequenten trsignle entstehenF sn einer digitlen mpleGroldEtufe werden die htenE worte verdoppeltF hie etstfrequenz ist nun IIFP wrzF eus diesem Signal wird ds wfEfit im xoiseEhper getrennt und dem ulsweitenEwodultor @IEfit3A zugefhrtF hie nihtEverwendeten ignlits werden zum nhsten htenit im mpleGrold dzu gezhlt und gehen so niht verlorenF hie ndlung wird nun von einer IEfit ulsEhihteEwodultorstufe durhgefhrtD deren niedrigste preE quenz durh die QSPkrzEwodultionsspnnung gegeen istF hs eusgngssignl wird nun durh einen sntegrtor tiefpssge(ltertF hie fitzhl mD die mn gewinnen knnD hngt von der yversmplingrte r wie

Wandler IEfitEndler

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PVI

eildung RFUTX yversmplingF vinks ist der yutputD wie ihn ein Q fitE ndler erzeugen wrdeF sn der witte ist ds eusgngssignl eines PEfitE ndlersF hei shwnkt ds letztwertige fitD wenn links eine ungerde hl herusgegeen wurdeF ehts ist der gemittelte @iefpssEge(lterteA eusgngF hie weinroten flken hen den gleihen ert links und rehtsF

eildung RFUUX REfh yversmplingF vinks ist der yutputD wie ihn ein R fitE ndler erzeugen wrdeF sn der witte ist in einer ersten tufe die eusgngsfrequenz verdoppelt und die erte gemitteltF ehts ist der doppelt gemittelte @iefpssEge(lterteA eusgngF folgt X

m = log2 (r)

@RFVUA

elle RFQ zeigt einige hrkteristishe erteF rum funktioniert die IEfitE ndlungD owohl mn im oigen feispiel usrehnen knnD dss die fitzhl 1 + 8 = 9 fit istF ds menshlihe yhr ht seine mximle imp(ndlihkeit ei I krzD so dss fr diese prequenz nohmls eine etw QPEfhe ertstung resultiertF hmit ist die e'ektive fitzhl 9 + 5 = 14F her xoiseEhper ermgliht eine zustzliheD digitle irhhung der untisierungF

4.1.8.1.5 Oversampling hie punktionsweise des yversmpling wird in eF

RFUT gezeigtF vinks wird ds eusgngssignlD wie es ein QEfitEndler erzeugen wrdeD gezeigtF hs mittlere fild stellt den eusgng eines PEfitEndlers drF enn dei ds ursprnglihe Signal zwishen zwei mglihen eusgngswerten liegtD wird ds eusgngssignl zwishen den eidenD dem ursprnglihen Signal enhrten wertenD hinEund hergeshltetF her mittlere eil von eF RFUT zeigt ds entsprehende SignalF her rehte eil von eF RFUT zeigt ds mit einem gleiE tenden wittelwert ge(lterte eusgngssignlF fetrhtet mn nur die weinroten flken im linken und im rehten higrmmD stellt mn festD dss sie identish sindF

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PVP

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eildung RFUVX wer @wultiEtge xoise hpingAEndlung eF RFUU zeigt ein vierfhEyversmplingF vinks ist ds ursprnglihe Signal mit REfit AusungF hs mittlere fild zeigt ds snterpoltionsresultt wen jeE weils er P und P eusgngslken gemittelt wirdF ehts ist ds voll interpoE lierte REfh yversmpledESignalF ei ghElttenspielern wird ei ITEfit higitlE enlogwndlern mximl ITEfh ergetstetF mehr mht niht innD d ITE fit ndler dmit n ihre qeshwindigkeitsgrenze kommenRF hs verfhren ist eknnt unter dem xmen righEfitEerfhrenF ie ds feispiel mit der ulsweitenEwodultion gezeigt htD knn es sinnvoll seinD die ktfrequenz sehr hoh zu setzen und die Ausung durh pilteropeE rtionen im digitlen fereih zu erhltenF erden weniger fits und preiswerte nloge pilter verwendetD nennt mn ds erfhren fitstremEerfhrenF

4.1.8.1.6 MASH-Verfahren iine eiterentwiklung des fitstremEerfhrens ist die werEehnikF wer heisst MultiEStge noise SHpingF hei wirdD wie

in eF RFUV gezeigtD der ulsEeitenEwodultor mit mehr ls einem fit ngesteuE ertF hie ulsweite knn dei in 2k hritten eingestellt werdenF hmit ht mn eine hhere Ausung im ndlerF h die fitzhl klein leitD ist die notwendige rzision gewhrleistetF hie xettoEeu)sung ist dnn

nAuf lsung = kW andler + mOversampling o

@RFVVA

fei einem ulsweitenEwodultor mit REfit AusungD der mit RSDI wr eE trieen wird @IHPR yversmplingA stehen ei RRFI krz IR fit zur erfgungF fei dem fr den rrer wihtigen prequenzereih von unter S krz stehen nun IU fit zur erfgungF

4.1.8.2 Analog/Digital-Wandler Analog-Digital-Wandler ereiten nloge iingngssignle in digitle ignle


ufF h es ei der enlogEhigitlEndlung keine so einfhen uonzepte wie ds uessive epproximtion erfhren gitD ist die msetzung von nlogen in diE gitlen ignle meistens mit einem grsseren eufwnd verundenF

die enlogEhigitlEndlung ist ds hirektverfhren5 D wie es in eF RFUW gezeigt wirdF els feispiel wird eine PEfit ndlung gezeigtF hie eferenzspnnung wird durh eine eilerkette R1 . . . R5 in gleihstndige pnnungswerte gewndeltF dei sind die pnnungswerte jeweils um ein hles vf vershoenD um eine korrekte ndlung zu erreihenF hie uomprtoren V R1 . . . V R4 vergleihen die
5 Flash-Converter

4.1.8.2.1 Direkte Verfahren hs m einfhsten zu egreifende erfhren fr

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PVQ

eildung RFUWX hirekter Analog-Digital-WandlerF nten linksX vogikdiE grmmF nten rehtsX uomprtor iingngsspnnung mit den eferenzwertenF hie hEplip)ops U5 . . . U8 trnsferieren zu einem genu festgelegten eitpunkt die uomprtorsignle n den eusgngF hiese sind im vogiknlystor @eF RFUWD unten linksA zu sehenF der riorityE inoder U2 git nun ein PEfitEeusgngssignlD ds von der edresse des hhstE wertigen uomprtors estimmt istF hie vihEnzeige stellt den ert drF hs yszilloskopild in eF RFUWD unten rehtsD zeigt ds erhltnis des oersten uomE prtors zum iingngssignlF Analog-Digital-Wandler nh diesem rinzip reiten is in den qrzEpreE quenzereihF hmit dienen sie zur ndlung von ideosignlen und werden in digitlen rhstfrequenzEyszilloskopen eingesetztF ie werden typisherweise mit VEfit Ausung hergestelltF

4.1.8.2.2 Nachlaufverfahren hs xhlufverfhren nh eF RFVH verwendet einen Digital-Analog-Wandler und eine xhlufregelung um ein enlogsignl zu wndelnF hs iingngssignl wird im utrhierer A1 vom eusgngssignl des higitlEenlogEndlers U7 gezogenF her uomprtor V R1 vergleiht die hi'erenz mit H und steuert so die hlrihtung des pGhownEhlers U11 F her eusgng dieses hlers steuert den Digital-Analog-Wandler U7 F hs Signal

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PVR

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eildung RFVHX Analog-Digital-Wandler nh dem xhlufverfhrenF nten linksX vogikdigrmmF nten rehtsX uomprtor wird uh in der UEegmentEenzeige und im vogiknlystor ngezeigtF hie eF RFVH unten links zeigt ds fild des vogiknlystorsF nten rehts wird shliesslih ds eusgngssignl des higitlEenlogEndlers mit dem iingngssiE gnl verglihenF xhlufende Analog-Digital-Wandler entigen Digital-AnalogWandler mit monotoner eusgngskennlinieF ie sind sehr shnell ei kleinen nderungenD entigen er is zu 2n Ttakt zum wndeln eines pnnungssprunges um n fitsF

4.1.8.2.3 Wgeverfahren feim geverfhren @uf englishX uessive epE

proximtionA wird der gesuhte hlenwert shrittweise ermitteltF eF RFVI zeigt ds Blockschema eines ndlers nh dem geverfhrenF hie iingngsspnE nung wird in einem mpleGroldEqlied zwishengespeihert6 F hie ndlung luft
6 Anders

als bei den vorherigen Verfahren muss bei diesem Wandlerprinzip das Eingangssignal einen konstanten Wert haben

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PVS

eildung RFVIX Analog-Digital-Wandler nh dem geverfhren nun folgendermssen X

hie teuerlogik setzt ds hhstwertige fitF her uomprtor vergleiht ds eusgngssignls des higitlEenlogEndE lers @jetzt die hle eferenzspnnung Uref A mit dem iingngssignlF sst ds iingngssignl grsserD leit ds fit gesetztD sonst wird es zurkgesetztF xun wird ds nhste fit gesetztF hie pnnung m Digital-AnalogWandler ist nun Uref /4 oder 3Uref /4D je nh eusgng des ersten hrittesF hs zweite fit wird nun gelshtD wenn die iingngsspnnung kleiner ls die eusgngsspnnung des higitlEenlogEndlers istF hie oige rozedur wird fr jedes fit wiederholtF fei einem nEfitEndler steht ds esultt nh n hritten zur erfgungF
ndler nh dem geprinzip entigen Digital-Analog-Wandler die er den gnzen pnnungsereih monoton sindF hie ndler hen einen mittleren qeshwindigkeitsereihD is einige IH wrz ktrteF hies heisst ndelzeiten um die I sF

4.1.8.2.4 Integrierende Verfahren sntegrierende Analog-Digital-Wandler

knnen sehr einfh ufgeut werdenF eildung RFVP zeigt einen ndler nh dem gezhnverfhrenF wei uomprtoren vergleihen die gezhnspnnung mit xull und mit der iingngsspnnungF hrend die gezhnspnnung zwiE shen xull und der iingngsspnnung istD wird der urzoszilltor uf den hler geshltetF hie gezhnspnnung ht den folgenden punktionsverlufX

Uref V0 hie eitD whrend der der hler ngesteuert wirdD istX VS = t = Ue Uref

@RFVWA

@RFWHA

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PVT

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eildung RFVPX Analog-Digital-Wandler nh dem gezhnverfhren sn der eit werden die hwingungsperioden T des urzoszilltors gezhltF der hlerstnd ist m inde der ndlungX

Z=

f t = Ue T Uref

@RFWIA

hs gezhnverfhren funktioniert theoretish hervorrgendF sn der rxis git es dmit er fst unerwindlihe rolemeF

hie prequenzunsiherheit @titterA des gezhnoszilltors egrenzt die qeE nuigkeitF hrift und der iin)uss der empertur verndern die hltshwellen und eein)ussen dmit die qenuigkeitF uondenstoren sind shwer mit gengender qenuigkeit zu ekommenF hurh den urzoszilltor und die weiteren uomponenten ist die hltung reltiv teuerF
hie eildung RFVQ zeigt einen ndler nh dem hulElopeErinzipF uerst wird der uondenstor Ci mit dem hlter S3 entldenF hnn wirdD gesteuert durh die teuerlogikD ds iingngssignl whrend einer festen eit t1 integriertF hnn wird ds iingngssignl vom sntegrtor getrennt und und die eferenzspnE nung Uref integriertD is die eusgngsspnnung des sntegrtors wieder xull istF her pnnungsverluf ist in eF RFVR fr zwei vershiedene iingngsspnnungen gezeigtF hie eiden eiten werden vom wessduerzhler und vom ireigniszhler eE stimmtF her eluf nohmls in urzeX IF sntegrtion der iingngsspnnung er eine vorgegeene eit t1

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RFI fsismessverfhren

PVU

eildung RFVQX Analog-Digital-Wandler nh dem hulElopeEerfhren

eildung RFVRX pnnungsverluf eim Analog-Digital-Wandler nh dem hulElopeEerfhrenF is ist die wessung einer grossen pnnung @untere uurveA und einer kleineren pnnung @oere uurveA nE gegeen PF sntegrtion der (xen eferenzspnnung @mit umgekehrter olritt wie die iingngsspnnungA is der uondenstor intlden istF hiese eit t2 wird gemessenF hie eusgngsspnnung m sntegrtor nh der eit t1 ist
t1

1 U1 (t) =
0

U edt =

Ue n1 T

@RFWPA

hei ist n1 die enzhl hlimpulse fr die eit t1 F T ist die eriodenduer des ktoszilltorsD ist die sntegrtionskonstnte des sntegrtorsF hie eit t2 fr ds urkintegrieren ist

t2 = n2 T =

|U1 (t1 )| Uref

@RFWQA

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PVV

ensoren und wessverfhren

hrus erhlt mn fr den hlerstnd im irgeniszhlerX

Z = n2 =

Ue n1 Uref

@RFWRA

hie iigenshften des hulElopeEerfhrens sindX

hs irgenis hngt niht von der ktfrequenz D d lle eiten von ihr geleitet werdenF her esolutwert des EgEqliedes eein)usst ds irgenis nihtF hurh die zweimlige sntegrtion sind die sntegrtionszeiten und Uref wihtigF hs erfhren ist wenig enfllig gegen trspnnungenF elle prequenzenD die ein ielfhes von 1/t1 sind werden unterdrktF hie eferenzspnnungsquelle muss die geforderte rzision henF her sntegrtionskondenstor sollte eine mglihst geringe pnnungshysteE rese henD lso zum feispiel olystyrol ls hielektrikum henF hieser ndler ist sehr illig herzustellenF

4.1.8.2.5 Sigma-Delta-Verfahren eildung RFVS zeigt einen igmEheltE ndlerD der neuerdings die evorzugte furt fr hhstu)sende AnalogDigital-Wandler ist F her ndler esteht us einem utrhierer m iingngD
7

A1 D gefolgt von einem sntegriererD A2 D und einem rystereseshlter estehend us A3 und S1 F hie iingngsspnnung muss zwishen den eiden eusgngswerten des hlters S1 liegenF rier sind ds I und EIF pr pnnungswerte in diesem feE reih funktioniert die hltungF iine gute feshreiung dieses punktionsprinzips git tim hompsons esite PRF pr eine iingngsspnnung von H ergit sih folgendesX
8

her eusgng des sntegrtors A2 sei uf CImF hnn ist S1 eingeshltet und m iingng f von A1 liegt EIF hie eusgngsspnnung von A1 ist dnn EID der sntegrierer integriert mit einer erstrkung von IHGs gegen EImD der unteren mshltshwelle von S1 F hie sntegrtionsrte ist | 1V |10V /V s = 10V /sF hrus ergit sih die sntegrtionszeit zu tint = 2mV /(10V /s) = 0.2msF hnn shltet S1 uf CIF her sntegrtor A2 integriert nun von EImv uf ImD wieder in HFP msF hs eusgngssignl ist lso ein PFSkrz ehtek mit SH7 stverhltnisF
ir nehmen nun nD dss hie iingngsspnnung HFS sein sollF ir erhlten ds folgende esulttF
7 Siehe

ADS1252 24-Bit, 40 kHz Analog-Digital-Wandler von Burr-Brown 8 http://www.ee.washington.edu/conselec/CE/kuhn/onebit/primer.htm

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RFI fsismessverfhren

PVW

eildung RFVSX igmEheltEndlerF yen die hltungD unten die ignlforE men fr zwei iingngsspnnungenF

her eusgng des sntegrtors A2 sei uf CImF hnn ist S1 eingeshltet und m iingng f von A1 liegt EIF hie eusgngsspnnung von A1 ist dnn 0.5V (1V ) = 0.5V D der sntegrierer integriert mit einer erstrkung von IHGs gegen EImD der unteren mshltshwelle von S1 F hie sntegrtionsrte ist | 0.5V |10V /V s = 5V /sF hrus ergit sih die sntegrtionszeit zu tint = 2mV /(5V /s) = 0.4msF hnn shltet S1 uf CIF her eusgng von A1 ist nun uf 0.5V (1V ) = 1.5V F her sntegrtor A2 integriert nun von EImv uf ImD nun mit einer te von 15V /sF hie sntegrtionszeit ist HFIQQ msF hs eusgngssignl ist lso ein IFVUSkrz ehtek mit US7 stverhltnisF hs heisstD ds eusgngssignl entspriht 1V 0.75 + (1V ) 0.25 = 0.5V
hliesslih soll die iingngsspnnung EHFS seinF

her eusgng des sntegrtors A2 sei uf CImF hnn ist S1 eingeshltet und m iingng f von A1 liegt EIF hie eusgngsspnnung von A1 ist dnn 0.5V (1V ) = 1.5V D der sntegrierer integriert mit einer erstrkung von IHGs gegen EImD der unteren mshltshwelle von S1 F

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PWH

ensoren und wessverfhren

hie sntegrtionsrte ist | 1.5V |10V /V s = 15V /sF hrus ergit sih die sntegrtionszeit zu tint = 2mV /(15V /s) = 0.133msF hnn shltet S1 uf CIF her eusgng von A1 ist nun uf 0.5V (1V ) = 0.5V F her sntegrtor A2 integriert nun von EImv uf ImD nun mit einer te von 5V /sF hie sntegrtionszeit ist HFR msF hs eusgngssignl ist lso ein IFVUSkrz ehtek mit PS7 stverhltnisF hs heisstD ds eusgngssignl entspriht 1V 0.25 + (1V ) 0.75 = 0.5V
hie hltung nh eF RFVS zeigt diese iigenshftenF her untere eil der eildung zeigt uf der oeren yszilloskopspur ds eusgngssignl von S1 und unten ds iingngssignlF hie hltung erzeugt lso ein ehteksignlD ei dem ds stverhltnis

Uein Uunten ton = ton + tof f Uoben Uunten

@RFWSA

hie ndlung geshieht nunD indem mn mit einer hheren ktfrequenz zhltD wie oft iinsen und xullen im ehteksignl uftretenF rier knnte mn zum feispiel mit einem wrz zhlenF wn wrde folgendes erhlten pnnung enzhl I enzhl H H SHH SHH EHFS PSH USH HFS USH PSH hie hltung ht lsoD ohne grossen eufwnd IH fit rzisionF ie ht folgende iigenshftenX

es git kein elising ei der mwndlung in den fitstromF h ei der higiE tlisierung niht getstet wirdD git es kein elisingF rinzipedingt git es keine fehlenden godesF hs ndlerverhlten ist solut monoton und linerF her ndler ist unemp(ndlih gegen steile plnkenD gegen ushen und gegen hohfrequente trungenF elising knn uftretenD wenn die digitle etstfrequenz ungeshikt @zu tiefA gewhlt istF
hie punktion des sntegrtors istD eine iefpss(lterung zur erfgung zu stellenF ir hen die hltung mit einem fustein ufgeutD sie wird ls igmEheltE ndler @EndlerA erster yrdnung ezeihnetF wit einer hheren yrdnung knn ds stverhltnis9 shneller n ds iingngssignl ngepsst werdenPSF

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RFI fsismessverfhren

PWI

eildung RFVTX rinzipild eines vokEsnEerstrkersF yen die hltungD unten die ignlformen fr eine ignlspnnung von P ei I krz und eine trspnnung von P ei S krzF hie sntegrtionszeit ist = 3k 1F = 3ms

4.1.9 Lock-In Verstrker am Beispiel des AD630 Chips


ur wessung von periodishen ignlen verwendet mn hu(g vokEsn erstrkerF her uern jedes vokEsnEerstrkers ist ein synhroner qleihrihterF der synhrone qleihrihter in eF RFVT ist ein wultipliziererF is knnen er uh einfhe mshlter fr die olritt verwendet werdenF hie eusgngsspnnung wird durh ds folgende sntegrl erehnetX
t

ULockIn

1 = T
tT

U ( ) sin(0 )d

@RFWTA

rier ist sin(0 ) die eferenzspnnung und Ue (t) die iingngsspnnungF hie sntegrtion wird normlerweiseD wie uh in der eildung RFVTD mit iefpss(ltern durhgefhrtF hie untere rlfte von eildung RFVT zeigt ds eusgngssignl des vokEsnEerstrkersF hei wird eine ignlspnnung von P ei I krz und eine trspnnung von P ei S krz ls iingngssignl verwendetF hie sntegrtionszeit ist = 3k 1F = 3msF hie xutzEiingngsspnnung wird lle IS ms von ihrer pnnung von P uf H geshltetF IS ms spter wird sie wieder eingeshltetF weistens wird in vokEsnEerstrkern ds iingngssignl niht mit dem efeE renzsignl multipliziertD sondern nur die erstrkung zwishen den erten CI und EI umgeshltetF hie punktion des vokEsnEerstrkers mit periodisher mshltung knn mn mthemtish wie folgt formulierenX
9 http://kabuki.eecs.berkeley.edu/

kelvink/thesis/thesis.pdf

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PWP

ensoren und wessverfhren

Ua =U (t)S(t) S(t) = 1 1
fr Ust > 0 fr Ust < 0

hie hltspnnung S(t) wird in eine pourierreihe entwikeltX

4 S(t) =

n=0

1 sin(2n + 1)st t 2n + 1

@RFWUA

ir nehmen im weiteren nD dss die iingngsspnnung Ua (t) sinusfrmig und ein gnzzhliges ielfhes der eferenzfrequenz e = mst istF

4 Ua (t) = Ue sin(mst t + m )

n=0

1 sin(2n + 1)st t 2n + 1

@RFWVA

pr sinusfrmige hwingungen gelten die folgenden feziehungenX


T

1 T
0 T

sin(mst + m )d =0 0
1 2

@RFWWA fr m = fr m =

1 T
0

sin(mst + m ) sin( st )d =

cos m

@RFIHHA

hmit wird die gemittelte eusgngsspnnung des vokEsnEerstrkers

< Ua >=

2 U m e

cos m

f ur m = 2n + 1 f ur m = 2n + 1

@RFIHIA

fei einem enlogmultiplizierer erhlt mn

< Ua >=

1 U 2 e

cos

f ur m = 1 f ur m = 1

@RFIHPA

enders ls ei dem hetektor mit mshlter ist die eusgngsspnnung nur dnn ungleih xullD wenn die prequenzen von iingngsspnnung und eferenzspnnung gleih sindF fei mshltern ist der vokEsnEerstrker uh uf die rrmonishen des iingngssignls emp(ndlihF hie eF RFVU zeigt den iin)uss von trspnnungen und der pilterzeitkonstnE tenF hie linke eite zeigt ds eusgngssignlD wenn ds iingngssignl uf HFP gesetzt wird und wenn ds trsignl qusi usgeshltet istF hs IH ml strkere trsignl ist in der witte wieder eingeshltetF hurh erlngerung der sntegrE tionszeit in der rehten eite knn ds ignlEzu trsignlEerhltnis veressert werdenF

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RFI fsismessverfhren

PWQ

eildung RFVUX ignlformen des vokEsnEerstrkers nh eF RFVTF vinksX iE gnlspnnung von HFP ei I krz und eine trspnnung von P m ei S krzF hie sntegrtionszeit ist = 3k 1F = 3msF witE teX ignlspnnung von HFP ei I krz und eine trspnnung von P ei S krzF hie sntegrtionszeit ist = 3k 1F = 3msF ehtsX ignlspnnung von HFP ei I krz und eine trspnE nung von P ei S krzF hie sntegrtionszeit ist = 10k 1F = 10msF

eildung RFVVX ehTQH vinksX hltshemF ehtsX iinstz der hltung ls vokEsnEerstrkerF ntenX ignlformen hie fndreite des hetektors hngt von der sntegrtionszeit F is gilt

1 @RFIHQA wn knn durh sntegrtion er mehrere ekunden in einem vokEsnEerstrE ker leiht prequenzen von einigen krz mit fndreiten im mrzEfereih messenF wultipliziert mn ds iingngssignl mit sin st t und uh cos st tD so knn mn sowohl die emplitude wie uh die hse er die feziehungen im rehtwinkligen hreiek estimmenF eildung RFVV zeigt den eufu und die erwendung des erstrkers AD630F hie linke eite zeigt den inneren eufuF wei erstrkerD emp e und emp f knnen er den vom uomprtor gomp gesteuerten hlter n den eusE f =

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PWR

ensoren und wessverfhren

gngsverstrker gelegt werdenF her ghip einhltet iderstndeD so dss der eine iingngsverstrker ls invertierender und der ndere ls nihtEinvertierender erE strker ufgeut istF hnn reitet der ehTQH ls vokEsnEerstrkerD mit der eferenzfrequenz m iingng des uomprtorsF her mittlere eil von eildung RFVV zeigt die hltung des ehTQH ls vokEsnE erstrkerF her linke ehSRP reitet ls iingngsEu'erverstrkerD der rehte ls eusgngsintegrtorF hie qnze hltung ist ein die erstrkung umshltender ynhrongleihrihterF hie rehte eite von eildung RFVV zeigtD dss der vokEsnEerstrker ein SignalD ds etw IHHHHH shwher ls ds trsignl @weisses ushenA istD detekE tieren und nzeigen knnF iele vokEsnEerstrker werden heute mit hs ufgeut @siehe uh den eshnitt PFWAF

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RFP wessung weiterer physiklisher qrssen


Uein

PWS

~
& Zhler

Anzeige

TaktGenerator

eildung RFVWX wessung von eit oder eriodenduerF

IHs IHHs Ims IHms IHHms Is

fm IHHkrz IHkrz Ikrz IHHrz IHrz Irz

IHrz E E E E I HFI

IHHrz E E E I HFI HFHI

Ikrz E E I HFI HFHI 103

IHkrz E I HFI HFHI 103 104

IHHkrz I HFI HFHI 103 104 105

Iwrz HFI HFHI 103 104 105 106

IHwrz HFHI 103 104 105 106 107

elle RFRX Ausung der eriodenduermessungF rorizontl ist die ktfreE quenz ngegeenD vertikl die zu messende eriode oder die dzugeE 1 hrige prequenz fm = F

4.2 Messung weiterer physikalischer Grssen


4.2.1 Frequenzmessung
prequenz und eitmessungen werden uf die festimmung einer eriodenduerD eE ziehungsweise uf die hlung von ulsen eines stilen qenertors zurkgefhrtF eit und dmit uh prequenz ist die m genuesten estimmre physiklishe qrssenF eildung RFVW zeigt die wessung einer eit oder einer eriodenduerF hie iinE gngsspnnung wird in eine ehtekspnnung ergefhrt @durh eine riggerstuE feAF hiese ehtekspnnung steuert ds or @exhEqtterAD ds die ktimpulse eines stilen yszilltors uf einen hler und dmit uf eine enzeige shltetF hie eriodenduermessung ist umso genuerD je lnger die eriodenduer istF enn die ktfrequenz f0 ist und die eriodenduer D dnn gilt fr die Auflsung

ehtung3

1 f0

@RFIHRA

ypisherweise ist f0 I wrz oder IH wrzF qleihung @RFIHRA knn fr prequenzen fm so umgeshrieen werdenX

fm f0

@RFIHSA

hie Ausung der eriodenduermessung ist in der elle RFR zusmmengeE fsstF

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PWT

ensoren und wessverfhren

Taktgenerator G f0 Start S Q Stop R t &

Zhler

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eildung RFWHX rinzip der hltung fr eine eitmessung

G f0
&

Zhler

Anzeige

D Q Q

eildung RFWIX rinzip der hltung fr eine eriodenduermessung uehrt mn ds wessprinzip us eF RFVW umD so erhlt mn den prequenzmesser nh eF RFWQF rier wirkt der ktgenrtor ls hlter fr den smpulsstromD der us der iingngsspnnung durh einen ehtekformer geleitet wurdeF hie restlihe hltung mit der enzeige leit gleihF ei einer orzeit T ist die Ausung der wessung der prequenz fm durh

1 fm T

@RFIHTA

gegeenF pr die Ausung der prequenzmessung gilt elle RFRD er mit vertushten fenennungenF rorizontl ist nun die zu messende prequenzD ertikl die orzeit des MessgertesF iine smplementtion dieser hltung (ndet mn in eF RFWR und eF RFWSF eus der elle RFR knn mn leitenD dss ei vorgegeener wessduer hohe und tiefe prequenzen sehr genu gemessen werden knnenD mittlere prequenzen jedoh nihtF enn T die wessduer und f0 die ktfrequenz des wessoszilltors istD gilt fr die qenuigkeit

= min

1 fm , f0 fm T

@RFIHUA

eus qleihung @RFIHUA wird elle RFS erehnetF hs erhltniszhlverfhren nh eF RFWT umgeht dieses rolemF hs Signal des ktgenertors f0 wird nh einem eiler durh m uf den htenE @hEA

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RFP wessung weiterer physiklisher qrssen

PWU

eildung RFWPX hltung fr eine eriodenduermessung


Uein

~
&

Zhler

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TorzeitGenerator

eildung RFWQX wessung der prequenz

T &

Zhler

Anzeige

f
eildung RFWRX hltung fr eine prequenzmessung

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PWV

ensoren und wessverfhren

eildung RFWSX hltung fr eine prequenzmessungF her ntershied zur eE riodenduermessung liegt lleine in der ktfrequenz des efeE renzoszilltors I3

Uein

&
Q

Zhler k

TaktGenerator

&

Zhler n

eildung RFWTX wessung der prequenz mit dem erhltniszhlverfhrenF iingng eines plipEplops gegeenF hie zu messende prequenz f wird er einen ehtekformer n den glokeingng des hEplipEplops gegeenF enn der eusgng des eilers von H uf I wehseltD wird dieser ustnd ei der nhsten steigenden plnke des iingngssignls uf den eusgng ertrgenF hmit werden er die zwei exhEqtter die hler freigegeenF her untere hler zhlt nun die ulse des ktoszilltors nF her oere hler zhlt die ulse des iingngssignls k F enn ds iingngssignl sehr shnell istD zhlt der oere hler im wesentlihen den eiE IH s Is HFI s HFHI s I ms I rz 106 106 E E E IH rz 105 105 105 E E IHH rz 104 104 104 104 E I krz 104 103 103 103 103 IH krz 105 104 103 102 102 IHH krz 106 105 104 103 102 I wrz 107 106 105 104 103

elle RFSX qenuigkeit der prequenzmessung fr eine wessduer T ei einer ktfrequenz von I wrzF

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RFP wessung weiterer physiklisher qrssen

PWW

f SFTUVWIPQ rz QRSTFIPQR rz VUTWVSFIQR rz

k n T IHSTSRH QRSU IHHHPSQ VUTWVT IHHHHHH

fgemessen 5.6789141 0.000006Hz 3456,1256 0.004Hz 876986 0.9Hz

elle RFTX feispiele fr die erhltnismessung mit einer orzeit von I s und einer ktfrequenz von f0 = 1M Hz
C L R

C0

eildung RFWUX irstzshltild eines hwingqurzes lerfktor n des eilersF fei lngsmen iingngssignlen knnen noh zustzlihe erte dzukommenF hie gesuhte iingngsfrequenz f ist

f = f0

k n

@RFIHVA

elle RFWT zeigt fr drei exemplrishe preqenzen die punktionsweise des hE lersF her hlerD k D ist immer die iingngsfrequenz f ufgerundet uf die nhste k gnze hl k = sup f F her xenner ist dnn n = inf f0 f F elso ist letztlih

fgemessen = f0

k sup f = f0 n inf f0 sup f f

@RFIHWA

4.2.1.1 Quarzbasierte Messung


els frequenzestimmendes qlied in hlern verwendet mn hu(g urzeF hs irstzshltild eines urzes @eF RFWUA esteht us der kpzitt C und der snduktivitt LF hie eiden smpednzen ilden einen erienshwingkreisD der die mehnishe esonnz nhildetF R ist der hmpfungswiderstnd und C0 die upzitt der uleitungenF hie oigen erte knnen us den erten der mehE nishen esonnz geleitet werdenPTF ietzeEhenkS geen ls typishe erte fr einen RwrzEurz nD dss L = 100mH D R = 100D C = 0.015pF D Q = 25000 und C0 = 5pF F fei hwingkreisen ist die hmpfung immer dnn esonders kleinD wenn v gross und g klein istF teder urz ht zwei esonnzenD die erienresonnz sowie die rllelresonnzD in der uh die enshlusskpzitten eingehenF hie smpednz des hwingqurzes ist

ZQ =

j 2 LC 1 C0 + C 2 LCC0

@RFIIHA

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QHH

ensoren und wessverfhren

CS

eildung RFWVX peineinstellung der urzfrequenz is git lso zwei ixtremlwerteX einml wird Z Q = 0 und einml Z Q = F hie erste esonnz heisst erienresonnzF pr sie giltD sofern mn R vernhlssigtD

1 s = LC
sm qegenstz dzu ist die rllelresonnz @xullstelle im xennerA

@RFIIIA

1 p = LC

1+

C C0

@RFIIPA

eus qleihung @RFIIPA ist ersihtlihD dss die rllelresonnz hher liegtF feim oen erwhnten R wrzEurz ist dies HDIS 7F hie erienresonnz hngtD nders ls die rllelresonnzD niht von den enshlusskpzitten F ie ist lso in jedem plle stilerF eF RFWV zeigtD dss mn mit einem uondenstor in erie hie esonnzfrequenz einstellen knnF hie modi(zierte smpednz des urzes ist

1 C + C0 + CS 2 LC (C0 + CS ) jCS C0 + C 2 LCC0

@RFIIQA

wit der iinstellrkeit der erienresonnzfrequenz hngt sie nun uh von C0 D der treukpzittD F ellerdings ist shnell ersihtlihD dss fr CS qleiE hung @RFIIQA in qleihung @RFIIPA ergehtF hie rllelresonnzfrequenz wird rigens ei der estimmung niht verndertF pr die einstellre erienresoE nnzfrequenz ekommt mn

s =
h ei llen urzen C

1 LC

1+

C C0 + CS

@RFIIRA

C0 + CS ist ekommt mn s C = s 2 (C0 + CS )


@RFIISA

enn die upzitt CS 0 gehtD ist die serienresonnzfrequenz gleih der rllelresonnzfrequenzD mit ll den tilittsprolemenF is ist lso sinnvollD dss mn CS mglihst gross lsstF

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RFP wessung weiterer physiklisher qrssen

QHI

+
C1 L CS Q C2

eildung RFWWX urzoszilltor nh golpitts


+

L CS Q

eildung RFIHHX urzoszilltor nh rrtley

4.2.1.1.1 Quarzoszillatoren els ktgenertoren fr die prequenzE zwF eriE

odenduermessgerte kommen urzEyszilltoren in prgeF eF RFWW zeigt einen solhen yszilltor nh golpittsF ihtig ei diesem yszilltorD wie uh eim rrtleyEyszilltor in der eF RFIHH istD dss die smpednzen klein gegen den hmpfungswiderstnd R des urzes sindF her golpittsE und der rrtleyEyszilltor untersheiden sih durh die ert der pnnungsrkkopplungD fei golpitts wird die upzitt geteiltD whrend ei rrtley hie pule ngezpft wirdF hieses ist sehr viel teurer ls zwei uondenstoE renD usser ei sehr hohen prequenzen ei denen mn die veitungsinduktivitten uf der rintpltte usnutztF eF RFIHI zeigt die heute lihe furt von urzoszilltoren mit snvertern

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QHP

ensoren und wessverfhren

eildung RFIHIX urzoszilltor mit snverterEqtter

Spannungsgesteuerter kf Oszillator Steuerspannung Regler Ust

Phasendetektor kj

Referenzfrequenz

eildung RFIHPX rinzipshltild eines hsenregelkreises ls erstrkernF hs eusgngssignl des snverters wird er ein gEqlied und den urz n den iingng zurkgekoppeltF her einstellre uondenstor dientD wie shon ei den vorherigen eufuten dzuD die prequenz im romilleEfereih zustimmenF enn hltungen ufgeut werden mssenD knn mn spezielle reiershlE tungen fr urze verwendenF eilweise sind die reiershltungen uh in den fusteinen fr hler uswF eingeutF

4.2.1.2 PLL
enn prequenzen shnell gemessen werden sollenD oder wenn ein yszilltor mit einem estimmten eilerverhltnis n einen eferenzoszilltor gekoppelt werden sollD verwendet mn hsenregelkreiseD english hse voked voop oder vvF eF RFIHP zeigt ds rinzipildD wenn die eusgngsfrequenz des spnnungsgeE steuerten yszilltors gleih der eferenzfrequenz sein sollF hie prequenz fs des spnnungsgesteuerten yszilltors ist

f s = f 0 + kf U s t

@RFIITA

em hsendetektor entsteht eine eusgngsspnnungD dieD zumindestens in der xhe des xullpunktes @ei dem eide prequenzen gleih wrenA liner istF

U = K

@RFIIUA

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RFP wessung weiterer physiklisher qrssen


Spannungsgesteuerter Oszillator kf Phasendetektor

QHQ
fref

Teiler m

Teiler n

U=afref

Steuerspannung Regler Ust

kj

eildung RFIHQX rinzipshltild eines hsenregelkreises fr elieige preE quenzverhltnisse enn die eferenzfrequenz fref und die prequenz fs untershiedlih sindD nimmt die hsenvershieung mit der eit zuX die treke ht ein integrierendes erE hltenF sm eingeshwungenen ustnd sind die prequenzen exkt gleihD die verE leiende hsenvershieung istX

fref fs AR kr k

@RFIIVA

woei AR die hleifenverstrkung istF ist eine gewollt eingefhrteD konstnte hsenvershieungF her prequenzgng dieser egelshleife knn wie folgt erehE net werdenX
t t t

=
0

s d
0

ref d =
0

@RFIIWA

xun wird die prequenz fs sinusfrmig mit m moduliertF wit (t) = cos m t ekommt mn fr die hse

(t) =

sin m t m

@RFIPHA

sn komplexer hreiweise wird qleihung @RFIPHA

1 = jm

@RFIPIA

hies ist der prequenzgng eines sntegrtorsF hliesslih ist die komplexe hleiE fenverstrkung

As =

kf k jfm

@RFIPPA

qleihung @RFIPPA suggeriertD dss ds sntegrtorverhlten der treke die eE gelung sehr einfh mhtF xun sind er lle relen hsendetektoren mit mehr oder weniger lngen erzgerungszeiten ehftetF ie im eshnitt PFRFQ gezeigtD folgt drusD dss im egelkreis die hsenvershieung @niht die zwishen den prequenzen fref und fs 3A proportionl zur prequenz istF hmit wird es sehr shwieE rigD den egelkreis zu stilisierenF hie himensionierung von hsenregelkreisen gehrt somit niht zu den einfhsten eufgenF

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QHR
fref

ensoren und wessverfhren

fOsc

Uj

eildung RFIHRX mpleGrold ls hsendetektor

Uj

j p 2p

eildung RFIHSX punktionsweise @linksA und uennlinie @rehtsA des mpleGrold ls hsendetektor sn eF RFIHQ wird gezeigtD wie mit zwei zustzlihen eilern elieige prequenzE f verhltnisse gelokt werden knnenF her hsenregelkreis erzwingtD dss fs = ref m n istF hmit erhlt mn fr die prequenz des spnnungsgesteuerten yszilltors

m fref @RFIPQA n fei vvEuEimpfngern knnte zum feispiel fref = 4M Hz sein hs preE quenzrster ist SH krzD lso muss n = 4000/50 = 80 seinF enn m einstellr ist mit m = 1940 . . . 2160 knn der gesmte uEfereih eingestellt werdenF fs =

4.2.1.2.1 Phasendetektoren eF RFIHR zeigtD dss mn ein AbtastHalteglied oder mpleGroldEqlied eine phsenemp(ndlihe hetektion durhE
fhren knnF her spnnungsgesteuerte yszilltor fosc triggert den wono)opD der seinerseits einen hlter ettigtD der die momentne pnnung der eferenz @preE quenz fref A uf einem uondenstor speihertF eF RFIHS zeigt uf der linken eite die entsprehenden pnnungsverlufeF enn die eiden prequenzen gleih sindD und nur die hse niht ereinstimmtD dnn misst so ds mpleGroldEqlied die zu dieser hsenlge gehrige pnnungF orussetzung istD dss ds iingngssignl sinusfrmig oder dreieksfrmig istF hie resultierende uennlinie ist in eF RFIHS uf der rehten eitze gezeigtF hdurhD dss positive und negtive eusgngswerte fr eide olritten der hse uftreE tenD ht dieser hetektor einen sehr eingeshrnkten pngereihF fesser in dieser feziehung ist der hsendetektor nh eF RFIHTF hie eiden iingngsfrequenzen f1 und f2 werden uf den etzE @EAiingng jeweils eines E plipEplops gegeenF Voraussetzung, dass diese Schaltung funktioniert ist,

rinweis

dass die Wellenform der beiden Eingangsfrequenzen jeweils kurze Pulse sind. enn zum feispiel f1 in der hse frher ist ls f2 dnn wird ds oere

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f1

QHS

S R

Q &
+ + Uj

f2

S R

eildung RFIHTX orzeihenrihtiger hsendetektor


Uj -4p -2p 2p 4p j

eildung RFIHUX uennlinie des vorzeihenrihtigen hsendetektor EplipEplop gesetztF ein eusgngssignl geht nh IF h ds untere EplipE plop noh niht gesetzt istD ist ds eusgngssignl des exhEqtters HF enn nun der uls der unteren prequenz f2 uh ds untere plipEplop m eusgng uf I setztD dnn setzt ds exhEqtter die eiden plipEplops zurkF enn die untere prequenz in der hse vorgehtD dnn git entsprehend ds untere plip)op ulse F her ummierer gewihtet ds oere plipEplop mit + und ds untere mit -F hliesslih werden die ulse mit einem iefpss(lter geglttetF eF RFIHU zeigt die uennlinie dieses hetektorsF olnge die hse von f1 voreiltD ist ds eusgngssignl positivD solnge sie nheiltD negtivF hmit verhlt sih diese hltung wesentlih gutmtiger ls ds mpleGroldEqliedF eF RFIHV zeigt shliesslihD wie so ein hsendetektor ufgeut wurdeF iine spnnungsgesteuerte ehtekquelle V1 ist der xhlufoszilltorD der eferenzosE zilltor wird durh den punktionsgenertor relisiertF hie eiden ignle werden durh jeweils einen wono)opD dessen internes hltild mn im iinshu oen rehts sehen knnD zu kurzen ulsen geformtF hie EplipEplops U7 und U8 detekE tieren die hseD zusmmen mit dem exhEqtter U9 F enders ls in der vitertur ngegenS muss mn im imultionsprogrmmPQeine erzgerungsstrekt eE stehend us den eiden snverternGhmittEriggern U1 0 und U1 2 nwendenF hie eusgngssignle von U7 und U8 werden in A1 sutrhiert und in A2 tiefpssge(lE tertF hieses Signal steuert den spnnungsgesteuerten ehtekoszilltorF nten in eF RFIHV sind die eiden uurvenformen der yszilltoren zu sehenF es wird deutlihD dss die hsenregelshlufe ds oere Signal n ds untere eferenzsignl hernfhrtF

4.2.1.3 Weitere Mglichkeiten der Zeitmessung


enn eiten im fereih von s is IHH ps elektrish gemessen werden sollenD dnn wird hu(g ds erfhren nh eF RFIHW verwendetF hei wirdD nh einem

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QHT

ensoren und wessverfhren

eildung RFIHVX smplementierung eines vorzeihenrihtigen hsendetektorF nE ten ist gezeigtD wie der gesteuerte yszilltor sih der prequenz nhertF

U
Ua

t Startpuls Stoppuls
eildung RFIHWX wessung kurzer eiten mit de(nierten mpen

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QHU

Hext
B mT

i(t)

uind(t)

H -1 Am

eildung RFIIHX wessung von wgnetfeldern mit rnsformtorF ehts idele rysteresekurve trtpuls eine mpe hohgefhrenF her toppuls triggert einen mpleGroldD der zu diesem zeit die emplitude misstF eus der enstigsrte = dU und der dt gemessenen pnnung Ut errehnet mn die eit

t=

Ut Ut = dU dt

@RFIPRA

hie eitmessung nh eF RFIHW funktioniert deshl so gutD d es mglih istD mpleGroldEerstrker zu uenD deren iinshltzeitpunkt uf wenige ps genu istD uh wenn der gnze hltvorgng mehrere hundert ps duern solltF hiese lnge eitduer git einen systemtishenD lso korrigierren pehlerF

4.2.2 Magnetfelder
4.2.2.1 Kernsondenmagnetometer
hie wessung von mgnetishen peldern knn er induzierte pnnungen

Uind = N A

dB dt

@RFIPSA

erfolgenF rier ist N die indungszhlD A die uershnitts)he und B die mE gnetishe snduktionF iine einfhe und fr viele weke usreihende wglihkeit sind rotierende pulenF hie mgnetishe snduktion in qleihung @RFIPSA wird dei durh die nderung der e'ektiven plhe A erreihtF fei nihtlineren mgnetishen wterilienD wie in eF RFIIHD rehtsD gezeigt knn mit einem rnsformtor ds externe peld gemessen werdenF eF RFIIHD linksD zeigt einen nihtlineren rnsformtorF hie xihtlineritt sei durh die qleihung B(H) = 0 [H + K H 3 ] modelliertF woduliert mn r mit der oeren pule in eF RFIIH mit der prequenz und existiert ein externes peld Hext dnn

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QHV

ensoren und wessverfhren

UH

RH dI B

eildung RFIIIX wessung von wgnetfeldern mit dem rlle'ektF ehts die uennlinie des rlle'ekts ist ds e'ektive peld H(t) = Hext + H0 sin(t)F hie mgnetishe snduktion wird dnn

B(t) 0 H(t) + KH 3 (t) = 0 Hext + H0 sin(t) + K (Hext + H0 sin(t))3


@RFIPTA

eusmultipliziert und nh enwendung der ehenregeln fr trigonometrishe punktionen ergit sih

Uind (t) 0 N AH0 1 + 3K Hext 2 + +3H0 K Hext sin (2t) +

H0 2 2

cos (t)
@RFIPUA

H0 cos (3t) 4

qleihung @RFIPUA zeigtD dss die prequenzkomponente ei 2 nur uftrittD wenn Hext = 0 istF hie qrsse des externen mgnetishen peldes Hext knn dnn mit

Hext

1 Uind |2 2 30 N AH0 K

@RFIPVA

ngegeen werdenF h die emplitude des modulierten peldes qudrtish im xenner ersheintD knn @in qrenzenA die imp(ndlihkeit durh irhhung der woE dultionsmplitude gesteigert werdenF

4.2.2.2 Hall-Eekt
enn in einem wgnetfeld senkreht zur wgnetfeldrihtung ein trom )iesstD dnn ewirkt die vorentzkrftD dss die zur wgnetfeldrihtung und zur tromE rihtung senkrehten eiten des veiters gelden werdenF hieser i'ekt heisst rllE

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QHW

i'ektF wishen den ilektroden in yEihtung in eF RFIII tritt dnn die rllE spnnung

RH IB @RFIPWA d ufF hei ist ngenommen wordenD dss die vnge sehr viel grsser ls freite seiF hmit knn mn eine fetrhtung des sttionren ustndes durhfhrenF hie vorentzkrft uf ein ewegtes vdungsteilhen ist FL = q(v B F sm qleihE gewiht wird sie durh die elektrosttishe urft des rllEpeldes UH = FH = q EH
kompensiertF eus der fetrhtung des urftegleihgewihts folgt @RFIQHA

EH = (v B)

@RFIQIA

qleihung @RFIQI ist llgemeingltigF pr die folgende fetrhtung nehmen wir nD dss wgnetfeld und trom)ussrihtung orthogonl seienF hnn ist die inE duzierte rllspnnung UH = bvx B F eus der mittleren qeshwindigkeit vx der vdungstrger knnD ei eknnter Ladungstrgerdichte nD die tromdihte I jx,n = nqvx = bd erehnet werdenF hiese tromdihte ist die polge des troE I mes I D der er die tirn)he b d eingekoppelt wirdF wn ht lso jx = bd und dmit fr negtive vdungstrger @fetrg der vdungX q A

UH =

1 1 IB nq d

@RFIQPA

hie ehngigkeit von der Ladungstrgerdichte @n fr negtive vdungen und p fr positive vdungenA und von der vdung wir in einer rllEuonstnte RH zusmmengefsstF pr die eiden vdungstrgerpopultionen ergeen sih

RH,n = RH,p =

1 nq

@RFIQQA @RFIQRA

1 pq

hie funktionle ehngigkeit ist in eF RFIII gezeigtF sn einem iderstnd mit konstntem uershnitt und homogener wterilzuE smmensetzung sind die quipotentil)hen der pnnung senkreht zur tromE rihtungF viegt eine rllspnnung vorD ddiert sih deren elektrishes peld zum ursprnglihen elektrishen peldF hie quipotentil)hen werdenD wie in eF RFIIP gezeigtD um den rllEinkel h gekipptF

tan(H ) =

|EH | |Ex |

@RFIQSA

nter erwendung der rlleweglihkeit H der vdungstrgerD die sih niht sehr von der hrifteweglihkeit drif t untersheidetD ist der rllEinkel

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QIH

ensoren und wessverfhren

y x
+ + + + + + + + + + +

B=0

I
B>0 - - - - - - - - - - Ex QH F

UH

EH

eildung RFIIPX quipotentilverluf eim rlle'ekt

j(B>0)

y x

InSb
I
QH

B I NbSb
j(B=0)

eildung RFIIQX peldpltteF ehts der quipotentilverluf

tan(H,n ) = H,n B tan(H,p ) = H,p B

@RFIQTA @RFIQUA

4.2.2.3 Feldplatten, Gauss-Eekt


peldplttenD wie sie in eF RFIIQ gezeigt werdenD verwenden den gleihen physikE lishen wehnismus wie die rllEondenD er in longitudinler eiseF sn einem veiterD wie er in der eildung rehts gezeigt istD ist der iderstnd ohne wE gnetfeld l0 R0 = b0 d wenn l0 wie lih die vnge des veiterstkes istD b0 die freite und d die hikeF

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QII

R0 B
eildung RFIIRX ehngigkeit des iderstndes in longitudinler ihtung vom peldF enn ndere i'ekte des wgnetfeldes vernhlssigt werdenD tritt immer noh die erkippung der quipotentil)hen des elektrishen peldes ufF enn die roe reiter ls lng istD knn mn dvon usgehenD dss ds wgnetfeld die ege um

l0 cos(H ) b(H ) = b0 cos(H ) l(H ) =

@RFIQVA @RFIQWA

verlngertF ie eim rlle'ekt usgefhrtD ist die erlngerung eine punktion des rllEinkels H F hurh den lngeren eg erhht sih der iderstnd um

R(H ) = R0

1 cos2 (H )

= R0 1 + tan2 (H )

@RFIRHA

enn mn die eim rlle'ekt de(nierte rllEfeweglihkeit verwendetD wird der iderstnd

R(B) = R0 1 + K (H B)2

@RFIRIA

m die porderungen nh einem kurzen veiterstk und nh lngen irkungsE wegen zu erfllenD werdenD wie in eF RFIIQ gezeigtD mnderierende trukturen verwendetF fei ihnen knn mn fr jedes eilstk dvon usgehenD dss die in der gleihen eildung rehts gezeigte itution vorliegtF eF RFIIR shliesslih zeigt die resultierende uennlinie einer peldpltteF m eine hohe imp(ndlihkeit zu erreihenD mssen erksto'e mit hoher vdungstrgereweglihkeit verwenE det werdenF heshl werdenD wie ei rllEqenertoren snD snesD Si und qes verwendetF

4.2.2.4 Magnetoresistiver Eekt


nter dem iin)uss eines externen mgnetishen peldes verndern gewisse ferroE mgnetishe erksto'e ihre veitfhigkeitF iine undingre orussetzung fr diesen i'ekt ist die ixistenz einer enisotropie der elektrishen veitfhigkeitF

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QIP
z y x

ensoren und wessverfhren

I d l

Mx
M
jp j js

MS

MS HC Hx -M S -Hk Hk Hy -MS

eildung RFIISX wgnetoresistiver i'ektX peldrihtungenF ehtsX rysterese

eildung RFIITX eufteilung von E eim mgnetoresistiven i'ekt enn mn nnimmtD dss ein wteril die veitfhigkeiten p prllel zur wE gnetisierungsrihtung und s senkreht dzu htD knn eine einfhe eleitung nhPU ngegeen werdenF ir nehmen nD dss die wgnetisierung zur tromrihtung den inkel einE shliesstF hnn ergeen sih fr die pelder @siehe uh RFIITA

E Ep Es a b E E
und die trme

= = = = = = =

Ep + Es E cos E sin Ep cos Es cos a+b Ep cos + Es sin

@RFIRPA

j jp js a b j j

= = = = = = =

jp + js j cos j sin jp cos js cos a+b jp cos + js sin

@RFIRQA

eus den wterileigenshften ergeen sih die feziehungen

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QIQ

Ep = p jp Es = s js

@RFIRRA

hie qleihung fr ds elektrishe peld qleihung @RFIRPA wird mit qleihung @RFIRRA kominiert

E = p jp cos + s js sin
ir erehnen js us qleihung @RFIRQA

js =
hurh iinsetzen erhlten wir

j jp cos sin

E = p jp cos + s

j jp cos sin sin = p jp cos + s (j jp cos ) = s j + (p s ) jp cos = s j + (p s ) j cos2

euf ndere eise geshrieen ist ds esultt

E() = js 1 +

p s cos2 s

@RFIRSA

hiese qleihung knn uf den iderstnd umgerehnet werdenF

l l s + (p s ) cos2 @RFIRTA bd bd hie orzugsrihtung des hetektors wird er die ehse der wgnetisierung einE gestelltF eF RFIIS rehts zeigt rysteresekurven entlng der mgnetish hrten @rehtsA und mgnetish leihten ehse @linksAF intlng der mgnetish hrten ehse gilt fr kleine peldstrken Hy < Hk R() = Ms @RFIRUA Hk enn die ussere mgnetishe peldstrke nur eine uomponente in die yEihtung ufweistD und die mgnetish hrte ehse dieses wterils uh in diese ihtung zeigtD so ekommt mn us eF RFIIU unter ernhlssigung von nde'ekE ten @intmgnetisierungA fr den inkel und die wgnetisierungenD zwF die peldstrken My (Hy ) = Hy My Hy = sin = fr Hy < Hk Ms Hk
@RFIRVA

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QIR

ensoren und wessverfhren


z y x

I
j

Ms Mx My

d l

eildung RFIIUX eufu eines mgnetoresistiven ensors


5
without Barber-Poles with Barber-Poles

3
R/R inf

0 -2,0

-1,5

-1,0

-0,5

0,0
H y /H x

0,5

1,0

1,5

2,0

eildung RFIIVX eufu eines mgnetoresistiven ensors mit 9frer oles9F ehts die uennlinie mit @durhgezogenA und ohne 9frer oE les9 @gestriheltA mgeformt erhlt mn fr kleine peldstrken Hy

Hy = cos2 fr Hy < Hk @RFIRWA Hk eusserhl dieses fereihes ergit sih der gewhnlihe iderstndF usmmenE fssend erhlt mn 1 R(Hy ) = R=
l bd

s + (p s ) 1
l bd s

Hy Hk

fr Hy < Hk fr Hy > Hk @RFISHA

eF RFIIV zeigt rehts die uennlinie des ensorsF hie qudrtishe ehngigE keit ist sehr shn zu sehenF fei der enwendung in wessgerten strt diese quE drtishe ehngigkeit jedohF heshl versuht mnD die tromrihtung und die wgnetisierung w im RS0 Einkel festzulegenF wit wetllstreifen in der gewnshE ten ihtungD wie in der eF RFIIVD linksD gezeigtD knn dies erreiht werdenF wit diesen sogennnten 9frer oles9 ist die vinerisierung mglihF hie dzugehrige uennlinie wird uf der rehten eite gezeigtF

4.2.2.5 Josephson-Eekt
wit dem tosephsonEi'ekt ist es mglihD sehr kleine wgnetfelder zu messenF feim qleihstromEtosephsonEi'ekt )iessen ilektronen prweise @gooperEreA durh

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QIS

eildung RFIIWX tosephsone'ektF ehngigkeit des kritishen tromes von der plussdihte

eildung RFIPHX eufu eines sh die yxidshiht in eF RFIIWD die ls unnelergng wirktF enn eine kritishe tromstrke IK ershritten istD tritt eine otentildi'erenz ufF ie rhrt vom unneln einzelner ilektronen herF hie kritishe tromstrke Ik ist hngig von der mgnetishen plussdihte B in der iene des unnelergngesF

Ik = Ik,0

sin 0 0

@RFISIA

hei ist mgnetisher pluss im unnelergngF hs elementre plussqunt h ist 0 = 2e = 2.07 1015 sF Ik,0 ist der suprleitende trom ohne B F fei einem sh @uperonduting untum snterferene hevieA nh eF RFIPH eein)usst der pluss durh die 'nung des inges die iinteilhenE ellenzustnde der suprleitenden ilektronenF her pluss ewirkt ei einem geeigneten qleihstrom I eine periodishe ehngigkeit der otentildi'erenz UDC n den unnelkontktenF hie eriode hngt vom mgnetishen plussqunt 0 und istD usgedrkt im externen mgnetishen pluss B

0 40 = @RFISPA A d2 woei d der hurhmesser des inges istF pr einen hurhmesser von I mm erhlt mn fr die eriode in B den wert PDT nD ws etw IWHHH ml weniger ls B=

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QIT
e1, e2 10

ensoren und wessverfhren

1 10
18

f Hz

eildung RFIPIX hielektrishe punktionF vinksX rinzipielle wessnordnungF ehts typishes dielektrishes pektrum ds irdmgnetfeld istF ergrssert mn den hurhmesser des ingesD steigt die imp(ndlihkeitF hie imp(ndlihkeit des sh eruht drufD dss die grssere plhe mehr pluss umfngtF wit geeigneten tehniken lssen sih mit einem sh uh fruhteile eines plussquntes detektierenF enn ds sh niht direkt n der wessstelle sitzen knnD zFfF wegen der notwendigen uhlungD knn ds wgnetfeld mit einer pule detektiert und er hrhte und eine zweite pule zum sh gerht werdenF

4.2.3 Dielektrische Funktion


sn wedien hngt die olristion P vom elektrishen peld E F sm ellgemeinen git es eine nihtlinere ehngigkeitD die tensoriellen ghrkter htF pr isotrope wterilien ht mn P = 0 E F wit r = 1 + erhlt mn fr die elektrishe plussdihte

D = (1 + )0 E = r 0 E

@RFISQA

r ist im isotropen plle die dielektrishe punktionF ie hngt vom eufu der wterie und reduziert ds elektrishe peld im snnern sowie die urfte uf vE dungen um 1r und erhht die upzitt von uondenstoren um r F sn nihtpolren wedien ist die ershieungspolristion der einzige mglihe wehnismusF hei werden die hwerpunkte der positiven und negtiven vE dungswolken in etomen oder woleklen gegeneinnder vershoenF fei polren woleklen knn ds ussere peld die estehenden hipole und wultipole usrihE ten und so die yrientierungspolristion hervorrufenF h thermishe pluktutioE nen die yrientierung in einen zuflligen ustnd zu treien versuhenD ist die yrientierungspolristion strk temperturhngigF fei zeithngigen usseren peldern wirkt sih weiter die rgheit der zu ewegenden vdungen usF esonnE zen und ein frequenzhngiger esponse sind die polgeF fei einem usseren peld E() = E0 cos t muss qleihung @RFISQA umgeshrieen werdenF D() = D0 cos (t ) = 0 1 E0 cos t + 0 2 E0 cos t
@RFISRA

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QIU

2 emplitude und hse sind D0 = 2 + 2 0 E0 und tan = 1 F hies knn uh 2 1 usgedrkt werdenD indem in qleihung @RFISQA r = 1 j2 gesetzt wird und plussdihte und peld frequenzhngig ngesehen werdenF xh wxwell @qleihung @eFPA erzeugt eine zeitlih sih ndernde plussdihte D eine tromdihte j = ddt = j0 r E F 2 estimmt lso den tromD der in hse mit dem elektrishen peld istF hieser trom verursht durh tsse mit den etomE rmpfenD hefekten etF hissiptionF 1 ist ein wss fr die gespeiherte vdungF sst ds zu untersuhende wteril leitfhig j = E D dnn ist der qesmtstrom

jges = E +

j D = E + j0 r E = j0 r t 0

@RFISSA

wn ezeihnet r j = 1 j 2 + j ls verllgemeinerte dielektrishe 0 0 punktionF hie rehte eite von eF RFIPI zeigt ein typishes dielektrishes pekE trumF

4.2.4 Temperaturmessungen
4.2.4.1 Thermowiderstand
hie veitfhigkeit fr elektrishen trom hngt von der wterilzusmmensetzungD der uristllinitt und der empertur F hie treuung von vdungstrgern n trstellenD uorngrenzen und die enzhl der eweglihen vdungstrger estimE men die veitfhigkeitF sn isotropen wetllen wirkt nh enlegen einer pnnung n jedem unkt eiE ne peldstrkeD die die ilektronen eshleunigtF treuung und tsse remsen die ilektronen wieder D so dss der trom niht er lle qrenzen whstF hs elektrishe peld und der trom hngen er die veitfhigkeit @ei nisotropen wterilien ein ensorA zusmmenF

1 @RFISTA j = E = E her messre iderstnd R ei einem veiter der vnge l und mit dem uerE shnitt A ist U El l = = @RFISUA I jA A xh dem hrudeEwodell ist die veitfhigkeit ei einem idelen qitter gegeen durh R= F q @RFISVA m wit whsender empertur shwingen die etomrmpfe strker um ihre uheE lgenF hdurh ehindern sie den tromF hie mittlere freie plugzeit F nimmt F vetztlih nimmt der iderstnd zuF xh der egel von wtthiessen = G + P (T ) erhlt mn den spezi(shen iderstnd eines wetlls us dessen estwiderstnd G D der die ehselwirkung = qn = qn

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QIV

ensoren und wessverfhren

der ilektronen mit statischen hefekten eshreit und us einem temperturE hngigen eilF pr viele nihtferromgnetishe wetlle knn die emperturhngigkeit des spezi(shen iderstndes us der heyeEempertur D erehnet werdenF

p (T ) = (T = D ) 1.17

T 0.17 D

fr T > 0.15D

@RFISWA

fei sehr tiefen emperturen hngt der temperturhngige eil des spezi(E shen iderstndes wie T 5 von der empertur X der spezi(she iderstnd wird konstnt eim spezi(shen estwiderstnd des wterilsF pr sehr hohe emperturen knn qleihung @RFISVA linerisiert werdenF

(T2 ) = (T1 ) [1 + T1 (T2 T1 )] 1 (T2 ) (T1 ) T1 = (T1 ) T2 T1 1 d = (T1 ) dT 1 P (T2 ) p (T1 ) T1 = G + P (T1 ) T2 T1

@RFITHA

@RFITIA @RFITPA

hei sind die iderstndswerte ei den einzelnen emperturen mit qleihung @RFISW erehnet wordenF enn mn T2 = D setztD ergit sih
T p (D ) 0.83 1.17 D

T1 =

g + p (D )

T 1.17 D

0.17

1 fr T > 0.15D D T1

@RFITQA

fei ernhlssigung des spezi(shen estwiderstndes g erhlt mn fr hohe emperturen fr den emperturkoe0zienten des iderstndes

T1 =

1 fr T T1 0.145D

@RFITRA

eus den heyeEemperturen zwishen SH u und RHH u ergeen sih ei PWQ u emperturkoe0zienten zwishen 3.5 103 . . . 4.26 103 /K F elle sFR git eine usmmenfssungF ie zeigtD dss uh ei ziemlih untershiedlihen heyeE emperturen der emperturkoe0zient sih niht sehr viel untersheidetF fei wetllenD ei denen die oige egel niht so genu giltD wird dies

den iinu von premdtomenD die die prequenzen der qittershwingungen ndern hie qittershwingungen der premdtome die durh die rmeusdehnung reduzierte Fermi-Energie

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QIW

40

r 10 Wcm
6

1000

T C

eildung RFIPPX emperturhngigkeit des elektrishen iderstndes

eildung RFIPQX usmmenfssung fndermodell

die niht isotrope treuung n qitterdefekten


zurkgefhrtF pr wetllEiderstndsthermometer werden wetlle mit hohem emperturkoe0zienten und guter tilitt verwendetD so vor llem tD xiD sr und woF xormiert sind die EIHH iderstndeD die eider eferenztempertur uf IHH normiert sindF eF RFIPP zeigt die typishe uennlinie eines wetllwiderstndesF

4.2.4.2 Temperaturabhngigkeit von Halbleiterbergngen


fei rlleitern ist neen der emperturhngigkeit der treuung vor llem die uonzentrtion sowohl der positiven wie uh der negtiven vdungstrger ls punktion der empertur wihtigF eus der qleihung @RFISVAfr die veitfhigkeit von wetllen knn fr rlleiter die folgende feziehung postuliert werdenD inE dem mn nnimmtD dss die veitung der positiven und negtiven vdungstrger unhngig ist

(T ) = q [n(T )n (T ) + p(T )p (T )]

@RFITSA

hs fndermodell in eF RFIPQ stellt eispielhft m veitungsnd und m hoE ntorennd drD wie die inergielndshft in der fndlke istF hie veitfhigkeit

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QPH

ensoren und wessverfhren

ln(n)

ln(ND) hoch mittel tief

1 T

eildung RFIPRX emperturhngigkeit der vdungstrgerkonzentrtion von rlleitern setzt sih us zwei eilenD der trstellenleitung

n(T,ND ) = p(T,NA ) =
und der iigenleitung

NL (T ) ND e 2 NV (T ) NA e 2

ED 2kT

@RFITTA @RFITUA

EA 2kT

n(T ) = p(T ) = ni (T ) =
mit NL (T ) = 2
2m kT L h2
2 3

NL (T )NV (T ) e
2m kT V h2
2 3

G 2kT

@RFITVA

und NV (T ) = 2

zusmmenF sn erster

xherung dominieren die exponentiellen foltzmnnEerme gegen die T 3/2 ehnE gigkeit der orfktorenF is git im iderstndsverhlten von rlleitern drei fereihe IF fei niedrigen emperturen ist nur ein eil der trstellen ionisiertF hie hl ED,A der ionisierten trstellen steigt exponentiell mit 2kT nF PF fei mittleren emperturen sind lle trstellen ionisiertD die vdungstrE gerkonzentrtion ist konstntF QF fei hheren emperturen setzt die iigenleitung einF hie vdungstrgerzhl EG steigt mit 2kT nF eF RFIPR zeigt eine kizze dieses erhltensF sm mittleren fereihD ei einer konstnten vdungstrgerkonzentrtionD sollte sih die veitfhigkeit wie T 3/2 verhltenF tshlih eohtet mn er ixpoE nenten zwishen EIFS und EPFSF hermowiderstnde us ilizium werden typisherE weise zwishen PPH u und RPH u eingesetztF her predingEiderstndD dessen uennlinie in eF RFIPS gezeigt istD wird liherweise zur wessung des temperturhngigen spezi(shen iderstndes

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QPI

R 3,5 kW

1,5 -50

T 150 C

eildung RFIPSX emperturhngigkeit der predingEesistne eingesetztF hei hndelt es sih um einen kreisfrmigenD eenen uontkt mit dem hurhmesser dF enn d klein ist gegen die hike des rlleitermterils erhlt mn fr den predingEesistne

R(T ) =

(T ) fr d 2d

@RFITWA

4.2.4.2.1 Heissleiter hie veitungsmehnismen in rlleitern sind nders ls

in wetllenF fei gewissen hlleitenden uermikwerksto'en ergit sih die veiE tung durh ds rpfen von vdungstrgern von einem uorn zum nhstenF hiese kermishen erksto'e werden durh Sintern hergestelltF hei werden pulverE frmige wterilien unter hruk soweit erhitztD dss die einzelnen ulverkrner zusmmenkenF her iderstnd zwishen den urnern ist dei sehr viel grsser ls in den urnernF hurh ds orhndensein dieser frriere ist die ilektronenE leitung ein thermish ktivierter rozessF heshl ist die veitfhigkeit ei hohen emperturen esser ist ls ei tiefenF 3+ 2 iele reissleiter sind nh der trukturformel A2+ B2 O4 ufgeutF hei sind e zweiwertige und f dreiwertige wetlleF hie wetllktionen uf der position e werden tetredrish von R uersto'nionen umgeenD whrend f oktedrish von V uerto'nionen umgeen istF hiese pinellEtruktur wird durh die iinlgerung von yxiden so verndertD dss uf f zweiE und dreiEwertige wetlle sitzenX dmit knn ein roppingErozess durhgefhrt werdenF hie fewegung wird durh die te des elseE und iinfngErozesses estimmtF ie wird nlog zur hi'usion von etomen in pestkrpern eshrieen

D(T ) = D0 (T ) e

A kT

@RFIUHA

wit der iinsteineziehung wird die feweglihkeit

n (T ) = q

D0 (T ) e kT

A kT

@RFIUIA

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QPP

ensoren und wessverfhren

eildung RFIPTX uennlinie eines reissleiters @xgA nter ernhlssigung des orfktors ergit sih

(T ) = T e

EA kT

@RFIUPA

oder fr eine vorgegeene iderstndsgeometrie

R(T ) = A e( T )

@RFIUQA

rier wurden zwei wterilkonstnten e und f eingefhrtF mn knn sie estimE menD indem mn den iderstndswert R fr zwei feste emperturen estimmtF hie eine dieser festen emperturen ist meistens T20 = 293,15K D der dzugehrige iderstndswert sei R20 = A exp(B/T20 )F dmit wird uh A = R20 exp(B/T20 F hie zweite feste empertur sei Tx mit dem iderstndswert Rx F hrus erhlt mn

Rx = R20 e

1 T1 Tx 20

@RFIURA

vst mn diese qleihung nh B ufD so ergit sih

ln B20,x =
1 Tx

Rx R20

1 T20

@RFIUSA

hmit ist es nun mglihD den emperturgng des iderstndes nzugeenF

R(T ) = R20 e

B20,x

1 T

T1

20

@RFIUTA

eus qleihung @RFITIA folgt fr den temperturhngigen emperturkoe0ziE enten des iderstndes

B T2

@RFIUUA

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QPQ

eildung RFIPUX uennlinie eines ultleiters @gA reissleiter sind strk nihtlinere iderstndeF iin typisher iderstndsverE luf ist in eF RFIPT gezeigtF hmit knn mn sieD zum feispielD ls ertempeE rtursiherungen verwendenD die direkt m erruher die ersorgungsspnnung teilweise kurzshliessenF reissleiter sind er die wterilzusmmensetzung sehr leiht uf einen estimmten qrundwiderstnd und einen gewnshten emperE turverluf einstellrF ypishe reissleitermterilien sind F e3 O4 D Zn2 T iO4 und viele ndere mehrF

stehen us wishkristllen und wetlloxidenD wie zum feispiel fyD gyD ryD ZrO2 F hie ultleiter sind ferroelektrishF iele dieser uermiken hen eine erowskitstruktur @wie die rohtempertursuprleiterA mit der trukturformel 6 A2+ B 4+ O3 F hei wird die eEosition durh zweiwertige wetlle mit yxiden des yps ey esetztF hie fE osition muss mit vierwertigen wetllen und dmit den yxiden des yps BO2 esetzt werdenF her trom)uss in diesen wteriliE en wird durh die otentilrrieren n den uorngrenzen estimmtF hie dort ls Akzeptoren hemisorierten uersto'tomePV fhren zu errmungszonen der eite wF hiese ergit sih us us der enzhl esetzter uersto'pltze N und S der hotierung nD zu

4.2.4.2.2 Kaltleiter eF RFIPU zeigt die uennlinie eines ultleitersF hiese eE

w=

N S nD nD 2 d 20 r

@RFIUVA

eus der oissongleihung erehnet mn die otentilhhe 0 der frriereF

0 = q 2

@RFIUWA

her elektrishe iderstnd zeigt deshl eine exponentielle ehngigkeit von der empertur

R(T ) R0 e( kT )

@RFIVHA

her elektrishe iderstnd eines ultleiters steigt ei der gurieEempertur des perroelektrikums rupt nF nterhl der gurieEempertur git es in den

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QPR

ensoren und wessverfhren

einzelnen urnern spontne olristionF hie negtive uorngrenzenldung wird ddurh geshirmtF hmit verringert sih ei tiefen emperturen @unter der gurieEemperturA die otentilrrieren zwishen den urnernF yerhl der gurieEempertur ist die hielektrizittszhl sehr viel geringer ls unterhlF yerE hl existiert keine ferroelektrishe yrdnung und keine spontne olristionF hie eshirmung der umldungszonen wird sehr viel ine'ektiverD die otentilrE rieren steigenF dmit steigt uh der iderstnd eim ergng von tiefen zu hohen emperturen um Q is T qrssenordnungenF her weiteren unme wirken die n uorngrenzen ei hohen emperturen freigesetzten vdungstrger entgegenF

4.2.4.2.3 Integrierte Temperatursensoren hie emperturhngigkeit des

tromes durh pnEergnge oder die emperturhngigkeit der pnnung n solhen ergngen lsst sih zur emperturwmessung usnutzenF xh hokley ist die tromEpnnungskennlinie einer p+ nEhiode

I = IS e(q KT ) 1 IS = qA Dp pn0 = qA Lp
G kT E

@RFIVIA

D p n2 i p ND
@RFIVPA

T 3+/2 e

dei ist IS der ttigungsstrom und Dp die hi'usionskonstnte der vdungsE trgerF xherungsweise ist die veitfhigkeit eine exponentielle punktion von EG F kT wit qleihung @RFITVA erhlt mn fr den trom durh eine in plussrihtung etrieene hiode
Uf EG

If (T ) e kT kT EG kT Uf (T ) + ln(If ) q q

@RFIVQA @RFIVRA

mit der xeenedingung Uf kT /q F h der trom If eenflls temperturE hngig istD erhlt mn die folgende nihtlinere uennlinie

Uf (T ) =

Uf T Uf

=
If =const

1 T

EG 1 qUf

@RFIVSA

sn der rxis verwendet mn ls ensor nstelle einer hiode die fsisEimitterE treke eines rnsistorsD ei dem uollektor und fsis kurzgeshlossen sindF hiese enordnung ht eine ghrkteristikD die sehr viel esser mit der hokleyEqleihung eshrieen werden knn ls die einer hiodeF eF RFIPV zeigt die emperturhngigkeit der fsisE imitterspnnungsdi'erenz zweier gekoppelter rnsistorenF hs erhltnis

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QPS

eildung RFIPVX uennlinie eines integrierten empertursensorsF hs plhenverE hltnis ist so eingestelltD dss die resultierende pnnung in mV ein ehntel der empertur in K istF hie emperturlesung mit einem digitlen oltmeter wird dnn sehr einfhF der tromhngigkeit von zweier uf dem gleihen ghip hergestellter rnsistoE ren ist einfh ds erhltnis ihrer fsis)hen A1 und A2 F wn erhlt in sehr guter xherungD sofern die plhen niht gleih sindD die linere uennlinie

UBE = UBE2 UBE1 =

kT ln q

If2 If1

kT ln q

A2 A1

@RFIVTA

hlt mn A2 /A1 = 3.2113 ist UBE = 0.1(mV /0 C) T F

4.2.4.3 Thermoelektrischer Eekt


enn er einem veiterstk der vnge l die empertur T flltD dnn entE steht die hermospnnung
l

UT H (T ) =
0

E(x,T )dx

@RFIVUA

fei homogenen wterilien de(niert mn den eeekEuoe0zienten S F hie hermospnnung ist dnn
T2

UT H = S
T1

dT

@RFIVVA

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QPT

ensoren und wessverfhren

eildung RFIPWX hermospnnung

eildung RFIQHX intstehung des pyroelektrishen i'ektes fei der hohohmigen wessung der hermospnnung nh eF RFIPW muss mn zwei wterilien e und f mit untershiedlihen eeekEuoe0zienten einsetzenF wn erhlt

UT H (T1 ,T2 ,T0 ) = U1 (T1 ,T0 ) + U2 (T2 ,T1 ) + U3 (T0 ,T2 ) @RFIVWA UT H (T1 ,T2 ,T0 ) = S,B (T1 T0 ) + S,A (T2 T1 ) + S,B (T0 T2 ) @RFIWHA UT H (T1 ,T2 ) = (S,A S,B ) (T2 T1 ) @RFIWIA
hie hl der wterilien von hermopren hngt vom emperturereihD der verlngten qenuigkeit und niht zuletz uh vom reis F elle sFQ im enhng zeigt die thermoelektrishe pnnungsreihe und die eeekEuoe0zientenF

4.2.4.4 Pyroelektrischer Eekt


eildung RFIQH zeigt die wessnordnung der empertur mit einem yroelektriE kumF sn gewissen unsymmetrish ufgeuten uristllen @riglyzinsulft @qAD

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QPU

vithiumtntltD fleiEirkontEitnt @A und hpEpolienA mit polrer ehE se knnen spontne elektrishe olristionen uftretenF hie nderung der elekE trishen olristion ufgrund der nderung der empertur nennt mn den pyroelektrischen EektF ustzlih werden yer)henldungen erzeugtF wit den pyroelektrishen uoe0zienten p(T ) und unter der ennhme kleiner emperturnderungen @p(T ) pT A ekommt mn fr die olristion

P = pT T

@RFIWPA

ist ds hielektrikum geeignet orientiertD ds heisstD nur die xEehse ist involviertD erhlt mn @RFIWQA @RFIWRA

|QDip | = pT,x AT pT,x A |U | = T C

m den iin)uss der uriehstrme uf die vdungsmessung zu minimierenD muss die rmestrhlung zerhkt werdenF h lle yroelektrik uh iezoelektrik sindD muss eim experimentieren gehtet werdenD dss mn niht den iezoe'ekt flshliherweise fr den pyroelektrishen i'ekt hltF

4.2.5 Licht
viht knn durh seine thermishenD energetishe oder mehnishen irkungen gemessen werdenF hermishe irkungen nutzt mn usD wenn die us viht E sorierte rmemenge @zum feispiel ei einem folometerA oder die sorierte veistung @zum feispiel ein hwrzer urper mit einem de(nierten rmelek n die mgeungA zu einer emperturerhhung fhrtD die dnn wie im upitel RFPFR gemessen werden knnF viht ht eine inergiedihteD ds heisstD ein federnd gelgerter piegel wird durh den der inergiedihte quivlenten hruk usgelenktF hieser i'ekt ht nur ei sehr przisen wessungen oder sehr kleinen piegeln einen iin)ussF weistens wird viht er den usseren oder den inneren hotoe'ekt detektiertF wit dem usseren hotoe'ekt ezeihnet mn die enregung von vdungstrgern us dem veitungsE oder lenznd er die kuumenergie hinusD wie es in eF RFIQI shemtish drgestellt istF hss wetlle stil sind hngt dmit zuE smmenD dss die Fermi-Energie um eine Austrittsarbeit A gennnte inergie unter dem kuumenerginiveu liegtF fei den rlleitern kommt noh die ilekE tronenindungsenergie hinzuD die den estnd der lenzndoerknte von der Fermi-Energie EF eshreitF polgende ngleihung

E = A +

@RFIWSA

muss erfllt seinF ir knnen die kinetishe inergie der ilektronen Ekin oder ds dzu quivlente otentil Ue usrehnenF

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QPV

ensoren und wessverfhren

E -

Ekin Vakuum F A+F hn

EL EF EV

eildung RFIQIX usserer hotoe'ektX fndermodelle fr wetlle und rlleiterF

eildung RFIQPX hotozelle @linksA und hotovervielfher @rehtsAF

A A Ekin Ue = = e e hliesslih ergit sih fr die lngwellige qrenze Ekin = G =

@RFIWTA @RFIWUA

hc 1.24 m = @RFIWVA A + (A + ) [eV ] hie potokthoden sind demnh nur is zu einer estimmten ellenlnge empE (ndlihF te lnger die noh zu detektierende ellenlnge sein sollD desto niedriger muss die Austrittsarbeit des uthodenmteriles seinF ru(g werden fr den sihtren fereih gs und xGuGE erindungen verwendetF

4.2.5.1 Fotozelle und Fotovervielfacher


eF RFIQP zeigt links den eufu einer potozelleF hie durh ds viht us der potokthode u herusgelsten ilektronen werden durh die pnnung zur enode

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QPW

eildung RFIQQX snnerer hotoe'ekt fr rlleiterF hin eshleunigtF der entstehende trom wird ls pnnungsfll er dem iE derstnd gemessenF m tsse der ilektronen zu vermeiden muss der um zwishen potokthode und enode evkuiert seinF hie spektrle imp(ndlihkeit hngt vom verwendeten uthodenmteril F sm hurhshnitt werden fr jedes sorierte hoton etw HFI ilektronen emittiertF m einen trom von I pe zu ekommenD mssen lso 1012 /(1.6 1019 ) = 6.25 107 hotonen soriert werdenD ws ei einer hotonenenergie von P e einer vihtleistung von PH p entsprihtF h es shwierig ist kleinere trme zu messenD ist dies die prktishe qrenze der imp(ndlihkeitF m uh einzelne hotonen detektieren zu knnen verwendet mn hotovervielE fher @hoto wultiplierAD wie in eF RFIQP gezeigtF hei werden die emittierten hotoelektronen er eine pnnung von etw IHH eshleunigt und uf eiE ne wishenelektrode geshiktF shre kinetishe inergie ewirktD dss mehr l I ilektronD im llgemeinen ilektronenD fr jedes eintre'ende ilektron freigesetzt werdenF hie von der enode ufgefngene ilektronenzhl ist fr n solher erstrE kungsstufen n F fei IH tufen und einem = 4.78 wrde fr jedes hoton TPSHHHH ilektronen erzeugtF d ei einer hotozelle oder einem hotovervielfher nur sehr kleine upzitE ten vorkommenD knnen prequenzen is zu IH qr detektiert werdenF dei ist zu ehtenD dss die vufzeiten im hetektor einige xnosekunden etrgen knnenF eF RFIQQ zeigt ds fndermodell fr den innern hotoe'ektF xeen der enE regung vom lenznd ins veitungsnd mit der inergie grsser ls Eg knnen uh enregungen vom lenznd in premdtomzustnde @inergie EA A oder von von premdtomzustnden ins veitungsnd @hier uh mit EA A uftretenF

4.2.5.2 Photowiderstand
fei einem hotowiderstnd ndert sih sein veitwert mit der enzhl vorhndener vdungstrgerF enn ds viht vollstndig soriert wirdD der untenwirkungsE grd D die trhlungsleistung P D der uershnitt des iderstndes A und seine vnge l sindD ist die teD mit der vdungstrger ins veitungsnd ngeregt werden

1 P @RFIWWA Al hie ekomintionsrte r hngt von der mittleren veensduer und der vE g=

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QQH dungstrgerkonzentrtion n

ensoren und wessverfhren

r=

@RFPHHA

sm qleihgewiht ist die ekomintionsrte r gleih der qenertionsrte g F hie enzhl vdungstrger im veitungsnd ist lso

n =

1 P Al

@RFPHIA

endererseits knn mn fr den trom im rlleiter ei eknnter feweglihkeit n shreien

I=

E A = en nEA

@RFPHPA

hie uomintion von qleihungen @RFPHIA und @RFPHPA git

I(P ) = e

n E l

= IP h

n E l

@RFPHQA
l F n E

hie rnsitzeit @eit zum hurhqueren des iderstndesA sei ttr = ist der erstrkungsfktor

hnn

M0 =

I IP h

n E = l ttr

@RFPHRA

und hngt nur vom erhltnis der mittleren vdungstrgerleensdduer und zur rnsitzeit zwishen den ilektronen F hie spektrle imp(ndlihkeit eines hotoleiters sierend uf dem inneren hoE toe'ekt ist
I S =

I M0 IP h (P ) e e = = M0 = M0 P P hc

@RFPHSA

hie imp(ndlihkeit steigt lso liner mit der ellenlnge nD solnge die qrenzE wellenlngeD die durh die minimlen inergiesprnge gegeen istD niht erreiht werdenF hotoleiter hen demnh ein ideles untenverhltenF ie werden fr ds sihtre viht us gde und gd und fr den infrroten fereih us D eD e und sn hergestelltF

4.2.5.3 Photodiode
sn der Raumladungszone eines pn-berganges entstehen ei der feleuhE tung ilektronEvohEreF ie die linke eite von eF RFIQR zeigtD werden die ilektronen zur nEone und die vher zur pEone eshleunigtF hdurh nimmt die elektrishe peldstrke in der Raumladungszone und dmit uh die frrieE renhhe F hie permienergien vershieen sihD es entsteht eine elektromotorishe urftF hiese wird ls fotovoltishe pnnung UL ussen gegri'enF

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QQI

p EL
- - -

hn EL

- - - + + + +

EV
Eg
+

eUL
+ + +

Eg

EV

eildung RFIQRX fndermodelle fr den inneren potoe'ektX links uneleuhtet und rehts eleuhtetF
Spektrale Empfindlichkeit
1 Si-Dioden Ge-Dioden InGaAs-Dioden 20% QWG 40% QWG 60% QWG 80% QWG 100% QWG

0.8 Spektrale Empfindlichkeit S/[A W-1]

0.6

0.4

0.2

0 400 600 800 1000 1200 Wellenlaenge/[nm] 1400 1600 1800

eildung RFIQSX pektrle imp(ndlihkeit von vershiedenen wterilien im erE gleih zu untene0zienzenF her generierte potostrom ist

IP h (P ) = e g(P ) A l = e

@RFPHTA

enlog ist die spektrle imp(ndlihkeit @siehe uh eF RFIQSA


I S =

I IP h (P ) e e = = = P P hc

@RFPHUA

enders ls ei hotowiderstnden git es hier keinen durh die ussen ngelegte pnnung edingten erstrkungsfktor M0 F hotodioden sind deshl shneller und weniger emp(ndlihF h die Raumladungszone eine sehr geringe iefe l htD muss der untenwirkungsgrd ls wellenlngenhngig ngenommen werdenF

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QQP

ensoren und wessverfhren

eildung RFIQTX uennlinie einer hotodiode @shwrzD uneleuhtet und luD eE leuhtetAF

R UB +

eildung RFIQUX hotodiode @linksA und hotoelement @rehtsA ird die hotodiode in perrihtung vorgespnntD dnn ist der otentilverluf in der Raumladungszone steilerD entsprehend werden die von viht generierE ten vdungstrger shneller zu den enshlssen efrdertX die hotodiode wird shnellerF ird die orspnnung so grossD dss die inergie der vom viht generierE ten vdungstrger usreihtD weiter vdungstrger zu generieren @evlnheEi'ekt oder vwinene'ektA dnn ht die dnn evlnheEhotodiode gennnte hiode eiE ne innere erstrkungD die in esonderen pllen zum hlen einzelner hotonen usreihtF hie tromEpnnungskennlinie @siehe eF RFIQTA einer hotodiode lsst sih nlog zu der einer gewhnlihen hiode ls

I = IS ee kT 1 IP h (P )

@RFPHVA

te nh usserer feshltung etreit mn die hotodiode ls hotodiode @eF RFIQUD linksA oder ls hotoelement @eF RFIQUD linksAF hie hotodiode reitet im QF udrnten des uennlinienfeldes in eF RFIQTD ds hotoelement im viertenF hie feshltung mit einem iderstnd R ist in eF RFIQU eingezeihnetF her hnittpunkt der jeweiligen ereitsgerden mit der iderstndskennlinie ergit den ereitspunktF els wteril fr hotodioden wird evorzugt Si verwendetD fr den snfrrotereih uh qe und snF

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hn B
p n

QQQ

E
n

IPh B

C ICEO bIPh E

eildung RFIQVX hototrnsistorX links eufu und rehts irstzshemF

4.2.5.4 Phototransistor
eF RFIQV zeigtD wie mn die imp(ndlihkeit einer hotodiode steigern knnD indem mn sie ls tromquelle n der fsis eines rnsistors verwendetF hie linke eite zeigt einen uershnitt durh einen PhototransistorD der sih von einem gewhnlihen Transistor durh seinen grsseren fsisEimitterereih untersheiE detF enn der Transistor die tromverstrkung ht so ist der uollektorstrom

ICEO = IP h (P ) + IP h (P ) = (1 + ) IP h (P )
intsprehend ist die spektrle imp(ndlihkeit
I S =

@RFPHWA

(1 + ) IP h (P ) e (1 + ) e (1 + ) I = = = P P hc

@RFPIHA

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QQR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIQWX hemtishe hrstellung einer plttengefhrten elektromgneE tishen elleF


Rdx

Ldx

Cdx

Gdx

eildung RFIRHX vinks die hrstellung eines ellenleitersF pnnung und trom ndern sih ei einer ershieung um dx um die entsprehenden in(nitesimlen qrsseF ehts ds irstzshltildF

4.3 Leitungen
iene ellen @iehe im enhng eshnitt eFRA knnen zwishen zwei wetllpltE ten prolemlos gefhrt werdenF eF RFIQW zeigtD dssD wenn ds elektrishe peld senkreht zu den ltten stehtD dies mit den ndedingungen vereinr istF her estnd der ltten knn so klein mn will gewhlt werdenD veitung ht mn immer nohF hie in der eildung gezeigte elle heisst iwElttenwelleF elle RFU zeigt eine usmmenstellung vershiedener ellenleiterD ei denen die himensionen klein gegen die ellenlnge sindF

4.3.1 Leitungsgleichungen
xh eF RFIRH knn mn weidrhtleitungenD uoxilleitungen und treifenleiE tungen mit folgendem phnomenologishen enstzPW ehndelnX hie nderung der pnnung u(xD t) und des tromes i(xD t) lngs der veiterstreke dx geshieht wegen

des vngswiderstndes R = R dxD woei R der iderstndselg ist der vngsinduktivitt L = L dxD woei L der snduktivittselg ist des uerleitwertes G = G dxD woei G der veitwertelg ist des uerkpzitt C = C dxD woei C der upzittselg ist

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RFQ veitungen iw ellenE typ veiterE qrundE form elektriE she und mgneE tishe peldlinien veitungsE ellenE widerE stnd ritioE nen in den eusE fhrungsE formen @symmetrisheA rlleldrhtleiE tung @veherleitungA

QQS

uoxilleitung

treifenleitung

Z
Z = 120 ln 2a [] Z = d fr a > 2.5 d 60

120
+1 1 + 21+12h/w 2

ln

D [] d

[] fr w h

w +1.393+0.667ln w +1.444 h h

enwendung ls entennenleitung ei hohen preE quenzen @Z = 240DZ = 300A

her eussenleiter wird meist ls hrhtge)eht usgefhrtF @Z = 50DZ = 60DZ = 75DZ = 200A

elle RFUX romogene veitungenD deren emessungen klein gegen die ellenlnge sind hies ist ds in eF RFIRHD rehtsD ngegeene irstzshltildF pr die tromE und pnnungsnderung erhlten wir

u(xD t) u(x + dxD t) =

u dx x i i(xD t) i(x + dxD t) = dx x

i t u = G dx u(xD t) + C dx t = R dx i(xD t) + L dx

hie veitungsgleihungen in di'erentieller porm luten lso

u i = R i(xD t) + L x t i u = G u(xD t) + C x t

@RFPIIA @RFPIPA

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QQT

ensoren und wessverfhren

enn qleihung @RFPIIA nh x und qleihung @RFPIPA nh t geleitet werdenD knnen die qleihungen kominiert werden zur veitungsEellengleihung10 oder elegrphengleihungF

u(xD t) 2u 2 u(xD t) +L C = R G u(xD t) + (R C + G L ) @RFPIQA x2 t t2


oder fr den trom

2 i(xD t) 2u i(xD t) +L C = R G i(xD t) + (R C + G L ) x2 t t2

4.3.1.1 Fortschreitende, gedmpfte Wellen


vsungen der veitungsEellengleihung ekommt mn mit dem enstz u(xD t) = u() ex eit + c.c. sowie i(xD t) = i() ex ejt + c.c. hmit wird die portp)nzungskonstnte

= + j =

(R + jL ) (G + jC )

@RFPIRA

etzt mn den enstz in qleihungen @RFPIIA und @RFPIPA einD so sind die komE plexen emplituden

u() = (R + jL ) i() i() = (G + jC ) u()


her uotient us komplexer pnnungsmplitude und trommplitude ist der veitungsEellenwiderstnd

z() =

u() = i()

R + jL G + jC

@RFPISA

fei einer verlustlosen veitung @R = 0D G = 0A ist = + j = L C D lso j rein imginrF hie hmpfung ist null @ = 0A und /cph = L C F hmit ist der ellenwiderstnd der verlustlosen veitung z() Z = L C
@RFPITA

und die hsengeshwindigkeit der veitungswelle

cph =
10 O.

1 Z 1 = = C Z L L C

@RFPIUA

Heaviside 1892

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RFQ veitungen

QQU

i(x,w) u(x,w) ((aik))

i(x2,w) u(x2,w)

eildung RFIRIX uoordinten m veitungsende @linksA und ierpoldrstellung eiE nes veiterstkesF

4.3.1.2 Wellenfeld auf einem endlichen Leitungsstck mit reektierter Welle


els llgemeine vsung setzen wir eine hinE und eine herlufende elle nF

u(xD t) = ur () ex + ul () ex eit + c.c. 1 i(xD t) = u () ex ul () ex ejt + c.c. z() r

=u(xD ) ejt =i(xD ) ejt

wn erhlt diese qleihungenD indem qleihung @RFPISA enutzt wirdF iine nh links lufende elle kehrt dei die tromrihtung umF nter erwendung der uoordinten in eF RFIRI ekommt mn fr x2

u(x2 D ) = ur ex2 + ul ex2 z() i(x2 D ) = ur ex2 ul ex2


ir knnen diese qleihungen nh ur und ul u)sen und erhlten

ur () = [u(x2 D ) + z() i(x2 D )] e ul () = [u(x2 D ) z() i(x2 D )] e


iingesetzt in unseren enstz ergit sih

x2 2

@RFPIVA @RFPIWA

x2 2

u(xD ) = u(x2 D ) cosh (x2 x) + z() i(x2 D ) sinh (x2 x) 1 i(xD ) = i(x2 D ) cosh (x2 x) + u(x2 D ) sinh (x2 x) z()
hiese qleihung knn uh in wtrixshreiweise ngegeen werden

@RFPPHA @RFPPIA

u(xD ) i(xD )

cosh (x2 x) z() sinh (x2 x) sinh (x2 x) cosh (x2 x) z()

u(x2 D ) i(x2 D )

@RFPPPA

hmit stehen die veitungsgleihungen in ierpolEuettenform d @siehe uh eF RFIRID rehtsAF

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QQV

ensoren und wessverfhren

eildung RFIRPX iin)uss des eshlusswiderstndesF

4.3.1.3 Anwendung der Leitungsgleichungen


wit den veitungsgleihungen knnen

durh ein veitungsstk gegeener vnge nung in trom trnsformiert werdenF

trom in pnnung oder pnE

eine eshlussimpednz z L () in eine iingngsimpednz z 1 () trnsformiert werdenF


sm zweiten pll wendet mn die qleihung @RFPPPA n und erhlt fr die enordE nung nh eF RFIRP

z 1 () =

u(x) i(x)

=
x=x2

z L () cosh + z() sinh z() z L () sinh + z() cosh

@RFPPQA

pr ein verlustloses veitungsstk gilt die qleihung @RFPITAD z() Z und die dzu fhrenden erlegungen so dss die qleihungen @RFPPHA und @RFPPIA

u(xD ) = u(x2 D ) cos (x2 x) + Z i(x2 D ) sin (x2 x) 1 i(xD ) = i(x2 D ) cos (x2 x) + u(x2 D ) sin (x2 x) Z

@RFPPRA @RFPPSA

wirdF enlog ergit sih fr die iderstndstrnsformtion nh qleihung @RFPPQA

z 1 () ==

z L () cos + j Z sin Z j z L () sin + Z cos

@RFPPTA

4.3.1.4 Kurzgeschlossene Leitung


fei einer kurzgeshlossenenD verlustlosen veitung @dnn ist z L () = 0A ist die iingngsimpednz mit qleihung @RFPPTA durh

z K = j Z tan = j Z tan 1

@RFPPUA

gegeenF hie hltung und der Eingangswiderstand sind in eF RFIRQ nE gegeenF hie iingngsimpednz wird zwekmssigerweise ls punktion von / ngegeenF wn (ndet folgendes erhltenX

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RFQ veitungen

QQW

eildung RFIRQX uurzgeshlossene veitungF nten ist der smginrteil der smpeE dnz gezeihnetF

eildung RFIRRX tihleitung ls smpednz undD rehtsD ttze fr veherleitunE genF veitungen mit < /4X induktives erhlten veitungen mit = /4X erhlten wie eim Parallelschwingkreis veitungen mit /4 < < /2X kpzitives erhlten veitungen mit = /2X erhlten wie eim erienshwingkreis hnn wiederholt sih dieses erhltenF sn eF RFIRR links ist gezeigtD dss mn mit einer einzelnen tihleitung eine konzentrierte smpednz z K erzeugen knnF euf der rehten eite in dieser eilE 1 dung sieht mnD dss eine = /4Eveitung ls verlustfreie ttze fr eine veherE leitung dienen knnF enn eine veitung der smpednz Z n einen erruher der smpednz z L ngeE shlossen werden mussD dnn knn mn diese enpssung erreihenD indem mn wie in eF RFIRS eine veitung vriler vnge und eine tihleitung mit vershieE rem uurzshluss verwendetF iine vollstndige enpssung n den komplexen erruher z L ist mit drei tihleitungen im estnd /4 mglihF hei mussD

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QRH

ensoren und wessverfhren

eildung RFIRSX smpednznpssung mit einer tihleitung mit vershierem uurzshlussF

eildung RFIRTX y'ene veitungF nten ist der smginrteil der smpednz gezeihE netF nders ls in eF RFIRS der estnd zum erruher niht gendert werdenF hie ferehnung erfolgtD indem mn die oigen pormeln shnittsweise nwendetF elterntiv knn mn mit einem mithEhigrm die eufge grphish lsenF

4.3.1.5 Oene Leitung


fei einer o'enenD verlustlosen veitung @dnn ist z L () = A ist die iingngsimE pednz mit qleihung @RFPPTA durh

z L = j Z cot = j Z cot 1

@RFPPVA

gegeenF hie hltung und der Eingangswiderstand sind in eF RFIRT nE gegeenF hie iingngsimpednz wird zwekmssigerweise ls punktion von / ngegeenF mn (ndet folgendes erhltenX veitungen mit < /4X kpzitives erhlten veitungen mit = /4X erhlten wie eim erienshwingkreis veitungen mit /4 < < /2X induktives erhlten veitungen mit = /2X erhlten wie eim Parallelschwingkreis

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RFQ veitungen

QRI

Messobjekt

50WMesskabel

Messgert

eildung RFIRUX vinks ist ein smpednzErnsformtor gezeigtF sn der witte folgt eine kizze einer vergteten vinseF ehts ist die erwendung eines SH wesskels eingezeihnetF hnn wiederholt sih dieses erhltenF ie eF RFIRU zeigtD knn mn eine vollstndige enpssung einer veitung mit der smpednz Za n eine veitung der smpednz Zb erreihenD wenn mnD nh qleihung @RFPPTA ein wishenstk der vnge /4 mit dem ellenwiderstnd

Z=

Za Zb

@RFPPWA

einfgtF iin nloges feispiel ist die ergtung von vinsenF ur intspiegelung ringt mnD wie in eF RFIRUD witteD gezeigt eine hiht der hike /4 mit dem Brechungsindex n = 1 nb = nb F hies ist quivlent zur qleihung @RFPPVAD d fr eene elektromgnetishe ellen giltX

Zn =

Z0

= =1

Z0 n

@RFPQHA ehtung

eiter knn mn us den oigen qleihungen leitenD dss ei hohen prequenE zen SH Ewesskel stets mit der xennimpednz geshlossen werden mssenF enn zum feispiel ein IEweterEuel mit der hielektrizittszhl = 1 mit eiE nem hohomigen enshluss @zFfF ein yszilloskopA verunden wirdD dnn liegt m iingng der veitung ei etw SQ wrz ein uurzshluss vorF eus den wxwellgleihungen @siehe enhng eFIA sowie den wterilgleihungen fr isotrope wterilien

= j= D= B=
erhlt mn die sklren qleihungen

0 0 0 E 0 H

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QRP

ensoren und wessverfhren

eildung RFIRVX uoordintensystem zur ferehnung der veitereigenshften in weidrhtleitungenF

Ez Ey y z Ex Ez z x Ey Ex x y Hz Hy y z Hx Hz z x Hy Hx x y Ex Ey Ez + + x y z Hx Hy Hz + + x y z

Hx t Hy = 0 t Hz = 0 t Ex = 0 t Ey = 0 t Ez = 0 t = 0 =0 =0

@RFPQIA @RFPQPA @RFPQQA @RFPQRA @RFPQSA @RFPQTA @RFPQUA @RFPQVA

nter der ennhmeD dss sih die ellen in die xEihtung usreiten @iehe eF RFIRVAD dss eine iwEelle und dss eine homogene veitung vorliegt @dFhF E (x,y,z,t) = E (y,z) ex+jt + c.c. sowie H (x,y,z,t) = H (y,z) ex+jt + c.c. mit = + j der portp)nzungskonstntenD woei die hmpfungskonstnte und der ellenvektor istA reduzieren sih die qleihungen uf

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RFQ veitungen

QRQ

Ez Ey =0 y z E z = 0 jH y E y = 0 jH z Hz Hy =0 y z H z = 0 jE y Ey y Hy y H y = 0 jE z Ez + =0 z Hz + =0 z

@RFPQWA @RFPRHA @RFPRIA @RFPRPA @RFPRQA @RFPRRA @RFPRSA @RFPRTA

hie portp)nzungskonstnte erhlten wir durh die uomintion der qleiE hungen @RFPRHAD @RFPRIAD @RFPRQA und @RFPRRAF

2 = 0 0 2 = j c0 woei c0 die kuumlihtgeshwindigkeit istF eiter wird 0 H (y,z) 0 z 0 H (y,z) 0 y


oder

@RFPRUA @RFPRVA

E y (y,z) = E z (y,z) =

@RFPRWA @RFPSHA

elso ist ds emplitudenverhltnis n einem elieigen yrtF

E (y,z) = H (y,z)
mit Z0 =
0 0

Ey

2 2

+ |E z |2
2

|Hy | + |Hz |

0 = 0

Z0

@RFPSIA

= 120 [] 377 der ellenwiderstnd des kuumsF elE so ist in einer iwEelle ds emplitudenverhltnis zwishen elektrishem und mgnetishem peld erll gleih dem einer eenen elle3 hs E Epeld ist rottionsfrei in der yz EieneD d die xEuomponente (rot E)x = Bx = 0
und d uh Hx = 0 istF

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QRR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIRWX eltive vge von E Epeld und H EpeldF

eildung RFISHX sntegrtionswege um trom und pnnung zu erhltenF hmit knn mn ds E Epeld mit einem elektrosttishen otentil drstellenD lso

E = grd =
usmmen mit div E =

@RFPSPA

E = 0 ekommt mn die otentilgleihung = 0 =


@RFPSQA

elso ist ds E Epeld ei iwEellen einem sttishen E EpeldD eshrieen durh die ilektrosttik und die PotentialtheorieD quivlent @iehe uh eF RFIRWA F hs H Epeld steht erll senkreht zum E EpeldD d

E z (y,z) H (y,z) = z E y (y,z) H y (y,z)

@RFPSRA

teder der eiden uoe0zienten knn mit tan drgestellt werdenF h die H E peldlinien stets senkreht zu den E Epeldlinien stehenD verlufen sie entlng der Potentiallinien des elektrosttishen otentilsF ir gehen nun zu integrlen qrssen er @hie sntegrtionswege sind in RFISH gezeigtAF is liegtD d us Ex = 0 uh Dx = 0 folgtD ein reiner veitungsstrom vorF

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RFQ veitungen

QRS

eildung RFISIX ferehnung des upzittselgs @linksA und des snduktivittsE elgs @rehtsAF en der telle x ist er

i (x,) =
Leitungs querschnitt

ix (y,z,)nda =

H (y,z) ds

@RFPSSA

pr die pnnung folgt


2

u (x,) =
1

E (y,z)dr

@RFPSTA

hs ierpolEirstzshltild eines verlustfreien veiterstkes wird durh einen upzittselg C und einen snduktivittselg L hrkterisiertF her ellenE widerstnd ist dnn

Z=
und die hsengeshwindigkeit

L C

@RFPSUA

1 @RFPSVA L C ur ferehnung des upzittselges @siehe eF RFISID linksA ermitteln wir uf einem veiterstk der vnge dx die vdung Q = Q dxF eus den wxwellshen qleihungen in sntegrlform cph = dV =
V (A) V (A)

div DdV =
A

D da

hs erste sntegrl ergit @siehe eF RFISID linksA

Q dx =
V (A)

dV

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QRT

ensoren und wessverfhren

hs yer)henintegrl er A knn in drei eile ufgeteilt werdenF hie zwei ylinderend)hen trgen nihts zum sntegrl eiD d dort D tngentil zur yerE )he istF ellein die ylindermntel)he trgt zum sntegrl eiF hs in eF RFISID linksD eingezeihnete plhenelement ht die eiten ex dx und dsD woei ds ds vinienelement entlng des ylinderumfngs istF hie ihtung von ds folgt mit der rehtenErndEegel us der ihtung von ex F her xormlenvektor uf ds plhenelement steht senkreht uf ds und ex F elso ist der xormlenvektor

ds ex ds hie plhe ist da = dsdxF elso erhlten wir n= ds ex dsdx ds

Q dx =
A

D nda

=
A

=
A

D (ds ex ) dx

=
A

ex D ds dx
@RFPSWA

=
A

D ds ex dx

=
s

D ds ex dx

wit C dx = Q dx/u wird die upzitt

E ds ex C = 0
2

E dr
1

c0

H ds
2

@RFPTHA

E dr
1

d E =

0 0

H ex

istF eiter hen wir die ektoridentitt

a b c = b (a c) a b c
verwendetF ir setzen a H D b ex und c ds und erhlten

H ex ds = ex H ds
d ex ds istF m den snduktivittselg zu ermitteln @siehe eF RFISID rehtsAD erehnet mn den pluss zwishen der telle x und x + dx

=
A

B nda

@RFPTIA

woei er eine (ktive plhe A zwishen den eiden veitern integriert wurdeF hs plhenelement ht die qrsse da = dxdrF her xormlenvektor wird durh

n=

dr ex dr

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RFQ veitungen gegeenF elso ist

QRU

=
A

B nda

=
A

B
2

dr ex dr dx dr

=
A

B (dr ex ) dx
2

=
1

B (dr ex ) dx
2

ex B dr dx

=
1

B dr ex dx
@RFPTPA

=
1

h die snduktivitt v lngs der treke dx gegeen ist durh L = L dx = (x,w) dx/i(xD ) folgt fr den snduktivittselg
2 2

H dr ex L = 0
weil H =
0 0 1

H ds
istF

= c0

E dr
1

H ds

@RFPTQA

ex E

pr den veitungswellenwiderstnd erhlten wir


2

Z=

L = C

0 0 LC = C 0 0

E dr
1

E ds ex
2

= Z0
eiter ist die hsengeshwindigkeit

E dr
1

E ds ex

@RFPTRA

cph =

1 C0 = LC

@RFPTSA

4.3.2 Elektrische Leitungen bei hohen Frequenzen


hie veitung von elektromgnetishen ellen ei hohen prequenzen ist mit geE whnlihen ueln niht mehr mglihF lih fr die niedrigeren prequenzen sind rohlleiter und fr die gnz hohen prequenzen treifenleiterF iinige fuformen sind in der eF RFISP drgestelltF rinzipiell sind lle fuE formen mglihF sn der rxis werden jedoh nur

ehtekErohlleiter mit einem eitenverhltnis von PXI und

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QRV

ensoren und wessverfhren

eildung RFISPX fuformen von ellenleiternF

eildung RFISQX peldlinienild in rehtekfrmigen ellenleiternF

undhohlleiter verwendetF
hie letzteren werden er nur fr sehr spezielle veitungsproleme verwendetD unter nderem d durh ihre hohe ymmetrie keine olristionserhltung grnE tiert istF eus den wxwellEqleihungen und den lihen ndedingungen lssen sih leiht die mglihen ellenleitermoden estimmenF h die E Epelder n den nE den eine unotenlinie hen mssenD muss trnsversl mindestens eine hle elE lenlnge in den rohlleiter pssenF heshl git es eine untere GrenzfrequenzD unter der eine ellenfhrung niht mglih ist11 F hie unterste wode @die mit der lngsten ellenlngeA in einem rehtekfrmigen ellenleiter wird die TE10 Mode oder uh die H10 -Mode gennntF hie erste fezeihnung stmmt dherD dss ds E Epeld senkreht zur eusreitungsrihtung stehtD lso trnsversl istF hie zweite fezeihnung esgtD dss ds H Epeld eine longitudinale uomponente htD eine uomponente die nur in einer gefhrten elle existieren knnF fei eiden git der erste sndex die hl der hlen inusgen er der lngeren eite nD der zweite die hl der hlen inusgen er der krzeren eiteF eF RFISQ zeigt die dzugehrigen peldlinienilderF hurh die ehselwirkung mit den nden ist die ellenusreitung in einem ellenleiter dispersivF eF RFISR zeigt die hsengeshwindigkeit ls punktion der ellenlngeF nterhl der unteren qrenzfrequenz gr D ei der 0 /2 = a istD git es keine ellenusreitungF hie emplitude wird exponentiell gedmpftF yerhl der der qrenzfrequenz wird die ellenusreitung durh die ndstrme und deren resistive erluste gedmpftF hie erluste sind fr die qrundmode T E10 minimlF hie este rnsmission erreiht mn mit suprleitenden ellenleiternF e 2gr wird die T E20 Ewode uh gefhrtF ypisherweise verwendet mn ei ellenleitern niht den gnzen mglihen fereihD in dem nur die qrundmode
11 Beim

dass

Koaxialkabel lst der zentrale Wellenleiter das bei den Hohlleitern vorhandene Problem, E = 0 sein muss

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RFQ veitungen

QRW

eildung RFISRX hsengeshwindigkeit und hmpfung im rehtekfrmigen elE lenleiternF gefhrt wirdD sondern nur 1.25 gr . . . 1.9 gr F hie untere qrenzfrequenz rhrt + von den divergierenden erlusten fr gr herD die oere von der tsheD dss uh unterhl von 2gr die T E20 Ewode eine merkre emplitude ekommtF eiter ist in diesem fereih die nderung der hsengeshwindigkeit minimlD die hispersion lso gering12 F pr die ellenlnge L im rohlleiter gilt die pormel

L = 1

gr 2

@RFPTTA

woei gr die zur qrenzfrequenz gr gehrige ellenlnge istF ilektromgnetishe ellen werden einerseits durh die in den rohlleitern vorE hndene vuftD ndererseits er uh durh die esorption in den wetllwnden der rohlleiter oder in den wetllstreifen der treifenleiter gegeenF eF RFISS zeigt ds esorptionsspektrum in vuftF fei tiefen prequenzen ist es vor llem die esorption durh sser und durh uersto' @mit mgnetishem hipolmoE ment3AD die dominiertF sm snfrrotereih kommt die esorption durh CO2 hinzuF wishen IR und V m ist ein esorptionsfensterD wie uh zwishen IIHH und QHH nmF hie esorption steigt in wetllErohlleitern strk mit der prequenz nF wei qrnde git esX

hie e'ektive veiterdike nimmt wegen des kine'ektes mit 1/ F hE durh wird die ellenleitereigenshft des wetlls shlehter @iehe eF RFISTAF
12 Dies

ist eine Voraussetzung fr die bertragung hoher Frequenzen ber lange Distanzen

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QSH

ensoren und wessverfhren


Absorptionsspektrum
1000
H2O 183 GHz 326 GHz

100

O2 60 GHz

CO2

Absorption/[db/km]

10

O2 119 GHz 370 GHz 240 GHz CO2

H2O CO2 H2O

H2O 22 GHz 140 GHz

H2O

Dmpfung in Luft
O3 Erdnhe 20 0C 7.5 g/m3 H2O 14...8 m

0.1
35 GHz

94 GHz O3 Absorptionslinien

optisches Fenster 1.1 m... 300 nm

0.01 10*10+09

100*10+09

1*10+12

10*10+12

100*10+12

1*10+15

Frequenz/[Hz]

eildung RFISSX hmpfung elektromgnetisher ellen in vuftF


Skintiefe
10 mm Ag,Cu Al,Au Messing Konstantan (Cu90Zn10)

1 mm Metalloberflche 0 0 10 nm 100 Hz

100 um

Skintiefe

10 um

1 um

100 nm
(Skintiefe) x

1 kHz

10 kHz 100 kHz

1 MHz

10 MHz 100 MHz 1 GHz

10 GHz 100 GHz

1 THz

Frequenz

eildung RFISTX kintiefe elektromgnetisher ellenF

m uh ei hheren prequenzen ls einzige gefhrte wode nur die qrundE mode zu henD muss die linere himension des ellenleiters proportionl zur ellenlnge seinF h ddurh die zur phrung eitrgende yer)he

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RFQ veitungen

QSI

eildung RFISUX hmpfungseigenshften von ellenleiternF

eildung RFISVX treifenleiterF des ellenleiters proportionl zu 1/ istD nimmt die hmpfung entsprehend zuF snsgesmt ergit sih eine zu 3/2 proportionle hmpfung13 F eF RFISU zeigt die hmpfungseigenshften fr ellenleiterF hs fr viele phyE siklishe ixperimente wihtigste prequenznd ist ds Efnd zwishen 8.2 und 12.4GHz F pr hhere prequenzen verwendet mn oft treifenleiterF ie knnen mit photoE lithogrphishen erfhren hergestellt werdenD sind lso in kleinen emessungen
13 Die

Feldlinien die kleinste bekannte Dmpfung, da bei ihr die Wandstrme minimal sind.

0 T E01 -Mode, eine hhere Mode des Rundwellenleiters hat mit ihren konzentrischen E -

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QSP

ensoren und wessverfhren

eildung RFISWX frehungsgesetz von nelliusF wesentlih prziser herzustellen ls die rohlwellenleiterF hie hmpfung ist im ellE gemeinen hher ei treifenleitern ls ei rohlleiternF endererseits ht diesD zum feispiel ei der woilkommuniktionD wegen den geringen qrssen der qerteD kum einen iin)ussF usmmen mit whEfuteilen @urfe wounted hevieA lssen sih sehr e0zient wikrowellenshltungen industriell herstellenF her treiE fenleiter in der eF RFISV ht die folgenden iigenshftenX

is git zwei enhrte veiteroer)henD die untershiedlihe vdungen trgenD lso den enfng und ds inde von DEpeldlinien drstellenF is git qrenz)hen zwishen vershiedenen hielektrikD die von peldlinien durhsetzt sindF
sm qegenstz zu rohlleitern git es ei treifenleitern sowohl eim H Epeld ls uh eim E Epeld longitudinle uomponentenF hies rhrt dherD dss n qrenz)E hen neen der xormlkomponente von D uh die ngentilkomponente von E stetig sein mussF wn spriht deshl von Quasi-TEMEwoden oder von ryridE wodenF

4.3.3 Optische Leitungen


fei dielektrishen ellenleiternD zu denen uh optishe psern gehrenD werden ellen im wedium mit dem grssten Brechungsindex gefhrtF hie eusreitungsE geshwindigkeit hngt von der frehzhl D lso cn = c0 /nF feim ergng vom optish dihteren wedium mit n1 nh dem optish dnneren wedium mit n2 < n1 knn ei )hem iinfll otlre)exion uftretenF hs nellius9she frehungsgeE setz @siehe uh eF RFISWA lutet

n1 sin 1 = n2 sin 2 1 = 3 n2 0 = arcsin( ) n1

fr den gerohenen trhl ei 1 < 0 fr jeden gespiegelten trhl qrenzwinkel der otlre)exion

@RFPTUA @RFPTVA @RFPTWA

fr den gerohenen sowie den re)ektierten trhlF xh diesem rinzip wird viht in wultimodenEellenleitern gefhrtF hie untershiedlihen frehungsindiE zes werden mit hotiersto'en erreihtF o vergrssertD zum feispielD eine hotierung mit qe den BrechungsindexF iine hotierung mit p verringert ihnF

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RFQ veitungen

QSQ

Absorption in Lichtwellenleitern 10 Absorption Rayleigh-Streuung

Daempfung/[db/km]

0.1 800 1000 1200 Wellenlaenge/[nm] 1400 1600

eildung RFITHX erluf der hmpfung in einem vihtwellenleiter ls punktion der ellenlnge F

4.3.3.1 Verlustmechanismen in Wellenleitern


yptishe ellenleiter werden in der uommuniktionstehnik vor llem wegen ihren geringen erlusten14 @fr eine ersiht er den hmpfungsverluf siehe eF RFITHA und ihrer geringen enflligkeit uf externe trungenF en der niversitt lm ht ein ellenleiterD der mitten durh einen frnd fhrteD whrend dem frnd nstndslos hten ertrgen3 hie hmpfung ewirkt einen exponetiellen efll der ertrgenen veistungF liherweise wird die hmpfung in df @dezifelA ngegeenF her veistungsfll ist lso

P (z) = P0 10z [dB]/10

@RFPUHA

woei P0 die veistung m iingng der pser ist und der hmpfungsfktor in dfF hie hmpfung setzt sih us drei uomponenten zusmmenX

der treuung der esorption der fiegedmpfung


zusmmenF hie fiegedmpfung rhrt von der urmmung der qlsfser her und istD zumindestens fr viht ds er otlre)exion geleitet wirdD einfh zu verE stehenF ird ds uel in einer zu engen hleife gelegtD so ist die fedingung
14 Bei

Kupferkabeln braucht man alle 2 km einen Verstrker, bei Lichtwellenleitern kann der Abstand zwischen den Verstrkern ber 100 km betragen

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QSR

ensoren und wessverfhren

Absorption in Lichtwellenleitern 3 Gradientenfaser Einmodenfaser 2.5

2 Daempfung/[db/km]

1.5

0.5

0 800

1000

1200 1400 Wellenlaenge/[nm]

1600

1800

eildung RFITIX pektrle hmpfungswerte von vershiedenen qlsfsertypenF der otlre)exion niht mehr erfllt und die erluste steigenF ustzlih zu dieser wkrodmpfung kommt die wikrodmpfungD deren rshe pnnungen in der pser und hwnkungen in der wterilzusmmensetzungD zum feispiel durh eine niht konstnte hihte der hotiersto'eD sindF hie esorption hngt von der einheit des wterils F snsesondere strend ist die OH Efnde ei IQVH nm und ei IPRH nm sowie die snfrrotsorption er ITHH nmF her huptshlihe hmpfungsmehnismus ist jedoh die yleighEtreuungD die is zu WS7 der gesmten hmpfung usmhtF ie rhrt dherD dss im qls mikroskopishe hihteshwnkungen existierenD die sih us qrnden der herE modynmik uh niht komplett eliminieren lssenD sowie wegen der notwendigen hotiersto'eF eF RFITI zeigt hmpfungsspektren von qrdientenfsern und von iinmodenE fsernF hie iinmodenfser @uh wonomodeEpser gennntA ht eine geringere hmpfungD d ihr uern weniger dotiert werden mussF her strke nstieg der hmpE fung unter IPSH nm ellenlnge rhrt dherD dss die pser fr kurze ellenlnE gen niht mehr einmodig istD dss lso die phrungseigenshften niht mehr so perfekt sindF snfrrotsorptionD yleighEtreuung und ssersorption @OH E esorptionA sind ei eiden ypen zu erkennenF

4.3.3.2 Typen von optischen Wellenleitern


is sind drei ypen von optishen ellenleitern lih @siehe uh eF RFITPA

tufenindexfsern qrdientenindexfsern

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RFQ veitungen

QSS

eildung RFITPX yptishe ellenleiter @qlsfsernA werden in drei utegorien eingeteiltX tufenindexfsernD qrdientenindexfsern und iinE modenfsernF

eildung RFITQX qeometrie zur ferehnung von tufenindexfsernF

iinmodenfsern
fei llen dreien knn ds sndexpro(l mit

n2 (r) = n2 1 2 f 1

r a

@RFPUIA

ngegeen werdenF hei ist a der uernrdiusD r der estnd vom psermittelE punkt und n1 der Brechungsindex im uernF ist die reltive frehzhldi'erenz zwishen uern und wntelF eusserhl des uernsD lso fr r > a ht mn

n2 (r) = n2 (1 2) 1

@RFPUPA

hiese llgemeine punktionD die uh er den gnzen pserquershnitt giltD ist fr eine tufenindexfser

r = a

0 1

fr r < a fr r a

@RFPUQA

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QST

ensoren und wessverfhren

eildung RFITRX qeometrie zur ferehnung von qrdientenindexfsernF

4.3.3.2.1 Stufenindexfaser sn der tufenindexfser werden lle vihtstrhlenD


fr die sin 1 N2 /n1 gilt totl re)ektiertD ds heisst gefhrtQHF hiese us eF RFITQ lesre fedingung knn uh ls

cos 1

n2 n2 2 1 n1

@RFPURA

geshrieen werdenF trhlt mn us der mgeung mit dem Brechungsindex n0 viht unter dem inkel 0 einD so gilt n der iintrittsfette n0 sin 0 = n1 cos 1 F hrus folgt n0 sin 0 n2 n2 und somit 1 2

sin 0

n2 n2 1 2 n0

@RFPUSA

hmit werden lle vihtstrhlenD fr die die oige fedingung giltD gefhrtF hiese fedingung ist er uh quivlent zur he(nition der xumerishen epertur eines yjektivsF elso sgt mnD dss

N.A.

n2 n2 1 2

@RFPUTA

sei die numerishe epertur der pserF her mximle ert von 0 heisst der ekzeptnzwinkel und ist

0 = arcsin

n2 n2 1 2 n0

@RFPUUA

pr einen Brechungsindex des uerns n1 = 1.57 und einen Brechungsindex des wntels n2 = 1.51 in vuft @n0 = 1A ergit sih N.A. = 0.43 und dmit der ekzeptnzwinkel 0 = 25.50 F enn es drum gehtD viht us einem rumlih eng egrenzten qeiet mit eiE ner reltiv hohen numerishen epertur zu smmelnD ohne dss eine eildung gewnsht wirdD knn mn vielfh nstelle von vinsen psern mit hnlihen oder sogr grsseren numerishen eperturen verwendenF wit einigen psern lsst sih so sehr viel e0zienter emittiertes viht smmeln ls mit einer einzelnen vinseF

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RFQ veitungen

QSU

funktion nh qleihung @RFPUIA nlog zu qleihung @RFPUQA

4.3.3.2.2 Gradientenindexfaser sn qrdientenindexfsern gilt fr die sndexE


r = a
r a

fr r < a fr r a

@RFPUVA

hei ist r der estnd vom uernzentrumF her ntershied im Brechungsindex in qleihung @RFPUIA ist meistens kleinD dFhF 1F her ixponent ist ndererseits hu(g = 2F elso knn fr den Brechungsindex ls punktion der osition nherungsweise ngenommen werden

n(r) n1 1

woei a/ 2 istF ur ferehnung der fhnkurve nehmen wir nD dss n1 entlng der pser niht vriiertF m den vihtwegD wie er in eF RFITR ngegeen istD zu erehnenD gehen wir nh rezQH von der vektoriellen qleihung d (nu) = n @RFPVHA ds wit der qussshen xherung ds dz erhlt mn fr eine rdile ehse x d dz
wit

r2 a2

= n1 1

r2 22

@RFPUWA

dx dz

n x

@RFPVIA

n dn r = = x dr x

n1 4 2

x N1 x = 2 r

und d n1 niht entlng der pser @z 3A niht ndertD ekommt mn

x d2 x + n1 2 = 0 @RFPVPA 2 dz h ei den meisten qlsfsern 1 ist ist uh n n1 F heshl erhlt mn shliesslih fr die hi'erntilgleihung des vihtweges n d2 x x + 2 =0 @RFPVQA 2 dz her vihtweg durh eine qrdientenindexfser mit proloidem sndexpro(l wird durh eine der hwingungsgleihung hnlihe qleihung eshrieenF hie llgemeine vsung ist lso x = A cos z + B sin z
@RFPVRA

ur ferehnung der hwingungsform nehmen wir nD dss ein vihtstrhl im estnd xe von der pserhse mit der teigung xe = dxe /dz in die pser eintrittF hnn hen wir im snnern der pser

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QSV
Brechzahlmessung 100

ensoren und wessverfhren

80

Brechzahl/[au]

60

40

20

0 -100

-50

0 Radiale Position/[au]

50

100

eildung RFITSX qemessenes frehzhlpro(l einer qrdientenindexfserF

xe = x(0) = A n1 (n1 xe ) = A sin

@RFPVSA

+ B cos

=
z=0

n1 B

@RFPVTA

xh rezQH knn dmit die optishe rnsfermtrix estimmt werdenF hie vsung fr den speziellen pll xe = 0 und n1 xe = 0 ist

x(z) = xe sin

pxe z sin 2 2 p

@RFPVUA

woei p = 2 gesetzt wurdeF wn ersieht us qleihung @RFPVUAD dss lle vihtstrhlen in ehsennhe sih periodish im estnd p shneiden15 F hie numerishe epertur einer qrdientenfser ist eine punktion von aD n1 und = a/ 2D lso von der mximlen hi'erenz des frehungsindexes F en der iintritts)he hen wir

n0 |sin 0 | = |n1 xe |xe =0


hie fedingungD dss ein vihtstrhl niht us dem uernereih herusluftD lso dss |x(z)| < a z ist wegen |x| = |xe sin(z/)| |xe | immer dnn erflltD wenn |xe | a istF hnn gilt

n1 a = n1 2 = N.A. @RFPVVA hmit ist die xumerishe epertur erehnetF pr eine feispielfser mit n1 = 1.57D einem uerndurhmesser von a = 40m und einem sndexsprung von = 0.06 erhlt mn = 115m und dmit die numerishe epertur N.A. = 0.54F ur sllustrtion zeigt eF RFITR ein gemessenes frehzhlpro(lF her unik unten links und rehts zeigt den hurhmesser des uerns nF her hip in der witte ist produktionsedingtF n0 |sin 0 |
15 Dieses

Verhalten ist die Grundlage fr die Konstruktion von GRIN-Linsen

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RFQ veitungen

QSW

tufenindexfsern meistens so weit sindD dss mehrere woden ertrgen werE denD knnen sie kurze smpulse im nsEfereih oder krzer niht er lnge treken ertrgenF vihtstrhlenD die unter vershiedenen inkeln eintretenD legen unE tershiedlih lnge ege zurkF dmit verreitern sih smpulse proportionl zu der vnge der pserF enn nun der uerndurhmesser uf wenige wikrometer verE kleinert werdenD knn die pser nur noh eine wode ertrgenF hie vsung des vufzeitprolems erkuft mn sih mit grossen hwierigkeiten ei der tustge von pserspleissenF

4.3.3.2.3 Einmodenfasern h die uerne ei den qrdientenfsern und den

4.3.3.2.4 Einkopplung in optische Wellenleiter ur ghrkterisierung der

iinkopplung verwendet mn einerseits den uopplungswirkungsgrd K = P2 /P1 D der ds erhltnis von eingekoppelter veistung zu ngeotener veistung nzeigtD oderD ndererseitsD die uopplungsdmpfung K = 10 lg(P2 /P1 )D die in df gemessen wirdF enn eine vserdiode oder eine vih in eine pser gekoppelt wirdD setzt mn fr P1 die veistung des enders einF P2 ist dnn die in der pser trnsportierte veiE stungF her uopplungswirkungsgrd zwishen optishem ender und dem optishen vihtwellenleiter hngt von folgenden qrssen X

trhlungshrkteristik des enders lokler ekzeptnzwinkel des optishen ellenleiters estnd zwishen dem ender und dem optishen ellenleiter erstz der optishen ehsen von ender und optishem ellenleiter xeigung der optishen ehsen von sender und ellenleiterF
els feispiel etrhten wir die uopplung einer )higen vih n einen ellenE leiterQIF hie vih wird ls vmertEtrhler modelliertF
2 Ps = 2 rLED LLED 0

@RFPVWA

woei rLED der dius der emittierenden plhe der vih istD LLED die trhlE dihte der vih und 0 der umwinkelD in den sie strhltF hie in eine qrdiE entenfser mit dem ro(lprmeter eingestrhlte veistung ist

PLW L = ( rmax N.A.)2 LLED 0 1


dei ist

rmax 2 +2 a

@RFPWHA

rmax =

rLED a

fr rLED a fr rLED a

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QTH

ensoren und wessverfhren

eildung RFITTX hsenrumdigrmm zur eshtzung des uopplungswirE kungsgrdes von optishen ellenleiternF ie weiter oen eingefhrt ist a der dius des ellenleiterkernsD N.A. die numerishe epertur und der ro(lprmeterF eus den oigen qleihungen erE rehnet mnD dss der uoppelwirkungsgrd

K =

rmax rLED

N.A.2 1

2 rmax 2+ a

@RFPWIA

enn der hurhmesser des vihEghips n den hurhmesser des ellenleiters ngepsst istD erhlt mn

K = N.A.2
hmit ekommt mn ellenleitertyp tufenindexfser @ A qrdientenindexfser @ = 2A

2 2+

@RFPWPA

uopplungswirkungsgrd K = N.A.2 2 K = N.A. 2

wn ersieht drusD dss der uopplungswirkungsgrd ei ngepssten hurhE messern fr tufenpro(lfsern mit N.A. = 0.5 K = 0.25 und fr N.A. = 0.24 K = 0.0576 istF pr qrdientenindexfsern mit dem gleihen uerndurhmesser ist die iinkoppele0zient jeweils hl so grossF her uopplungswirkungsgrd knn er ein sogennntes hsenrumdigrmm wie in eF RFITT gezeigtD geshtzt werdenF fei diesem wird der inus des 2 infllswinkels reltiv zur numerishen epertur qudriert @ sin gegen die plhe N.A. der vih reltiv zur plhe des ellenleiterkerns ufgetrgenF wn ersieht us dem higrmmD dss fr den pll dss der uerndurhmesser sehr gross wirdD die qrdientenindexfser fst den gleihen uopplungswirkungsgrd ht wie die tufenindexfserF polgende egeln knnen geleitet werdenX

hie numerishe epertur der pser sollte so gross wie mglih sein

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RFQ veitungen ert der uoppeloptik zwishen ender und pser tirn)henkopplung uugellinse oder ylinderlinse pserende dhfrmig ngeshli'en pserende sphrish ngeshmolzen pserende ls tper usgezogen uoppeldmpfung S df F F F V df IFS df F F F S df IFS F F F P df HFP F F F I df HFP F F F I df

QTI

elle RFVX uoppeldmpfung ei pserEpserEuopplung


Koppeldaempfung und Justiergenauigkeit Winkelfehler/[Grad] 3

0 1

5 Kernversatz Axialer Versatz Winkelfehler

0.8

Koppeldaempfung/[db]

0.6

0.4

0.2

0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 relativer geometrischer Fehler 1 1.2

eildung RFITUX uoppeldmpfung K ei der erindung von qlsfsernF

her uerndurhmesser des optishen ellenleiters sollte so gross wie mglih seinD mit der xeenedingungD dss die wodendispersion ein vorher festgeE legtes wss niht ershreiten drfF her ro(lprmeter sollte so gross wie mglih seinD lso eine tufeninE dexfser F
16

xeen der direkten indEzu indEuopplung werden uh uoppeloptiken verwenE detF hie uoppeldmpfungen der geruhlihsten furten sind in der elle RFV zusmmengefsstF hie eildung RFITU zeigt den iin)uss von pehlern uf die uoppeldmpfung drgstellt ist

Kernversatz nter dieser qrsse ist der estnd der ymmetriehsen der eiE
den optishen ellenleiter zu verstehenF hie hrstellung zeigtD dss um die
sind wegen ihrer grossen Modendispersion fr Langstreckenbertragungen
16 Stufenindexfasern

nicht einsetzbar!

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QTP

ensoren und wessverfhren

Feldradius einer Einmodenfaser 1 rel. Lichtleistung

0.8

Rel. Lichtleistung

0.6

0.4

0.2

0 -10

-5

0 Verschiebung/[mu m]

10

eildung RFITVX peldrdiusestimmung ei einer iinmodenEqlsfserF hmpfung klein zu hlten dieser pehler kleiner ls ein zehntel des uernE durhmessers sein mussF hies heisst fr wultimodefsern eine rdile oE sitioniergenuigkeit von etw P m und fr iinmodenfsern von etw PHH nm3

Axialer Versatz nter dieser qrsse versteht mn den estnd der eiden pseE
rend)henF hieser prmeter ist weniger kritishF pr den gleihen pehler wie eim uernverstz drf der estnd ei wultimodefsern etw IS m und ei iinmodenfsern IFS m etrgenF gemeintF m den gleihen pehler wie eim uernverstz oder eim xilen estnd zu henD muss der inkelfehler kleiner I0 seinF

Winkelfehler wit dieser qrsse ist die erkippung der pserhsen gegeneinnder

4.3.3.2.5 Modenverteilung bei Glasfasern eF RFITV zeigt ds wodenpro(l eines iinmodenEellenleitersF hie freite ei 1/e ist hier etw IH mF eF RFITW zeigt den pelddurhmesser ls punktion desr ellenlngeF ehr shn sieht mn den iinmodenereih rehts mit einem winimum kurz evor die pser zweimodig wirdF 4.3.3.3 Bragg-Gitter und Bragg-Sensoren
enn durh germniumdotierte optishe ellenleiter hohe veistungen gesndt werden knn ds viht wodultionen des frehungsindexes im pserkern erzeugenF hiese periodishen trungen des frehungsindexes wirken wie ein frggEqitterD nlog zur treuung von ntgenstrhlen in uristllenF reutzutge werden pserE frggEqitter ls ensoren und piegel verwendetQPF

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RFQ veitungen

QTQ

Feldradius als Funktion der Wellenlaenge 13 Felddurchmesser 12.5

12 2 x Felddurchmesser/[mu m]

11.5

11

10.5

10

9.5

9 1100

1150

1200

1250

1300 1350 Wellenlaenge/[nm]

1400

1450

1500

eildung RFITWX pelddurhmesser ei einer iinmodenEqlsfser ls punktion der ellenlngeF

4.3.3.3.1 Herstellung hie rerstellung von frggEqittern in urzEpsern eE

ruht uf der vihtemp(ndlihkeit von qermniumEdotiertem urzF iin einzelnes hoton @ = 146nmA knn eine sndexndrung uslsenF wn glutD dss oxidierE te qermniumEhimere @O3 Ge GeO3 A durh ds viht ufgesplten werden und dss sih so ein przentrum ildetF ihtig ist deiD dss ein uersto'de(zit um dieses przentrum herrshtF hie hotoemp(ndlihkeit knn gesteigert werdenD indem die pser mit sE sersto' elden wirdD indem sie mit einer ssersto')mme erhitzt werden und indem for zustzlih zum qermnium dotiert wirdF sn einem von vershiedenen diskutierten wodellen wird die sndexvrition im nhen snfrrot uf esorptionsnderungen im ultrvioletten zurkgefhrtF hie dielektrishe punktion eines wterils esteht us einem elteil und einem smE ginrteil

= r + ji = (n + j)2

@RFPWQA

hei ist n der Brechungsindex und die esorptionskonstnteF eus der uuslitt der hysik htten urmers und uronig ihre feziehung

r () = 1 +

i ( ) d

@RFPWRA

zwishen dem elE und dem smginrteil geleitetF enn nun in einem preE quenzereih der smginrteil @oder uh der elteilA sih ndertD ht dies einen iin)uss uf den elteil @oder smginrteilA ei allen nderen prequenzereihenF drus knn mn shliessenD dss ein przentrum im Efereih @ndert A den

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QTR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIUHX rerstellung eines frggEqitters mit snterferometrieF

Brechungsindex im snfrroten eein)usstF h der i'ekt im smginrteil er

einen weiten prequenzereih im elteil usgeshmiert wird ist die nderung des frehungsindexes geringF sn einem nderen wodell wird ngenommenD dss die durh die hotoionistion der qeEqeEfindung freiwerdenenden ilektronen in der xhe getrppt werden und so hipolfelder erzeugenF hurh ds sttishe elektrishe peld wrden die uszeptiiE litt dritter yrdnung moduliert werden und so die rition des frehungsindexes hervorrufenF iin drittes wodell nimmt nD dss durh die ehselwirkung mit dem lserliht die hihte des wterils des pserkerns verndert wirdF hdurh wrden plstishe erformungen entstehenD die niht mehr relxieren knntenF iin viertes wodell shliesslih fhrt die sndexmodultion uf pnnungen zuE rkD die durh die Efeleuhtung entstnden seienF hei wrde ugspnnung den Brechungsindex erniedrigen und hrukspnnung ihn erhhenF

4.3.3.3.2 Bauformen frggEqitter knnen entweder extern oder intern geE shrieen werdenF iine hu(ge wethode ei der externen qenerierung ist die snE terferometrieF eildung RFIUH zeigtD wie mn mit einem ufgespltenen trhl ds qitter herstellen knnF hie frggEqiterkonstnte hngt vom hlen 'nungsE winkel der eiden trhlen sowie von der ellenlnge w des hreistrhls und ist
= w 2 sin
@RFPWSA

hie frggEellenlnge in der pser ist B = 2nF eiter der estnd der sndexmxim in der pser gleih wie usserhlD d die plhen gleiher sntensitt senkreht zur pser stehenF usmmenfssend ergit sih fr die frggEellenlnge lso

B =

nW sin

@RFPWTA

fei einer hreiwellenlnge von W = 157nmD einem inkel = 450 und einem Brechungsindex n = 1.5 wre die frggEellenlnge B = 333 nmF hie

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RFQ veitungen

QTS

eildung RFIUIX rerstellung eines frggEqitters mit einem rismenE snterferometrie @linksA und einem vloydEsnterferometer @rehtsAF

eildung RFIUPX rerstellung eines frggEqitters mit einer hsenmskeF

interferometrishe wethode nh eF RFIUH ht zum orteilD dss die ellenE lnge sehr leiht gendert werden knnF xhteilig istD dss der gesmte eufu interferometrishe tilitt entigtF hie in der eF RFIUI gezeigten snterferometer hen die notwendige tilittF feide snterferometer sind sehr stilD einfh herzustellen und hen einen einstellE ren iinfllswinkelF enders ls eim rismenspektrometer geht ds viht eim vloydEpektrometer niht durh ein hielektrikumF hieses pektrometer ist lso weitgehend frei von hispersionse'ektenF feide pektrometer knnen nur qitter von sehr eshrnkter vnge in die psern einshreienF hies ist ihr huptshliE her xhteilF enn mn qitter mit vriler iefe oder eriode der sndexmodultion shreiE en willD edient mn sih ru(g der hsenmsken @iehe uh F RFIUPAF hiese di'rktiven wsken knnen entweder hologrphish oder lithogrphish hergestellt werdenF hie hsenmsken werden so konstruiertD dss der snterferenzstrhl nullE ter yrdnung unterdrkt wird @eine sntensitt ist weniger ls S7A F wn versuht etw QS 7 der sntensitt in die eiden ersten yrdnungen zu trnsferierenF hs xhfeldEsnterferenzmuster ht so eine eriode von der rlfte der eriode der hE senmske @lotEi'ektAF iine iinfhrung in den lote'ekt (ndet mn in der hoktorreit von iero xoponen17 QQF hurh die presnelEfeugung werden periodiE
17 http://focus.hut./

en/dr/node19.html

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QTT

ensoren und wessverfhren

eildung RFIUQX e)ektionsspektrum eines frggEqitters dritter yrdnung @eE ildung nh wlo et lFQRF she trukturen in gnzzhligen ielfhen der lotdistnz

zT =

2d2

@RFPWUA

exkt geildetF xeen dem gnzzhligen lote'ekt existiert uh der geroE henzhligeF wehrfhe filder des ursprnglihen qitters werden ei den histnzen

z= q+

p zT n

@RFPWVA

geildetF hei sind nD p und q gnzzhligF um feispiel erhlt mn in der histnz z = zT /(2 2) = zT /4 zwei um eine hle qitterperiode gegeneinnE der vershoene hsengitterD wenn ds ursprnglihe qitter ein emplitudengitE ter wrF enlog erhlt mn in diesem estnd zwei um eine hle wellenlnge gegeneinnder vershoene emplitudengitterD wenn ds ursprnglihe qitter ein hsengitter wrF um feispiel wrde ein qitter der eriode d = 1mD eleuhtet mit = 500nm eine lotdistnz von zT = 4m henF hs heisstD sm estnd z = zT /4 = 1m e(ndet sih nun ein qitter mit der eriode 500nmF hurh eine erkippung der wske knn mnD in qrenzenD die eriodenduer einstellenF hie umfssendste uontrolle er die porm des qitters ht mnD wenn mn dieses mit einem konfoklen vserEnningEwikroskop shreitF hort knn mn die vge und die wodultionstiefe von jedem einzelnen trhl einstellenF eF RFIUQ zeigt ein e)exionsspektrum eines so hergestellten qittersF

4.3.3.3.3 Berechnung hie treuung n pserEfrggEqittern wird nlog zur

frggstreuung in uristllen ehndeltQPF hie inergieerhltung sgtD dss die prequenz des einfllenden vihtes i und jene des re)ektierten vihtes r gleih

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RFQ veitungen

QTU

1,0

0,8

0,6

Reflektivitt

0,4

0,2

0,0 1549,6 1549,7 1549,8 1549,9 1550,0 1550,1 1550,2 1550,3 1550,4 1550,5 1550,6

Wellenlnge/[nm]

eildung RFIURX ferehnetes e)exionsspektrum eines frggEqitters @eildung nh ythonosFQPF sein mssenF hie smpulserhltung ndererseits liefert die fedingungD dss

ki + K = kf

@RFPWWA

sein mussF hei ist K der qittervektor mit |K| = 2/D woei die eriodenE lnge des qitters istF h in einer optishen pser die eusreitungsrihtungen vorgegeen sind @entlng einer ehseA erhlt mn us qleihung @RFPWWA

2
oderD vereinfht

2n B

@RFQHHA

B = 2n

@RFQHIA

woei B die ellenlnge des vihtes im kuum und n der Brechungsindex der pser im uern istF ir nehmen nun nD dss ds frggEqitter er die vnge l die frehzhlmodultion

n(x) = n0 + n cos

2x

@RFQHPA

seiD woei die wodultion n typisherweise 105 . . . 107 istF hie e)ektivitt des frggEqitters ist nun

R( ,) =

2 sinh2 (s ) k 2 sinh2 (s ) + s2 cosh2 (s )

@RFQHQA

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QTV

ensoren und wessverfhren

eildung RFIUSX rnsmission durh ein strkes frggEqitterF hei ist klr erE sihtlih dss trhlung in die wntelmoden gekoppelt wirdF @eildung nh ythonosQPAF hie e)ektivitt R( ,) ist eine punktion der qitterlnge und der ellenlnge F ist die uopplungskonstnteD k = k / ist der ellenvektor der erE stimmungD k = 2n0 / ist der ellenvektor des vihtes und s = 2 k 2 F hie uopplungskonstnte ist

n(V )

@RFQHRA

rier ist (V ) 1 1/V 2 D V 2.4D ist eine punktion des pserfllfktors V D der ngitD wieviel der pserintensitt der qrundmode im uern @mit dem frggE qitterA loklisiert istF eF RFIUR zeigt ein erehnetes e)exionsspektrumF euf der wittenfrequenz des frggEqitters ist k = 0F elso ist die e)ektivitt

R( ,) = tanh2 ( )
hie rlwertsreite des e)exionsmximums ist gegeen durhQP

@RFQHSA

= B

n 2n0

1 N

@RFQHTA

eF RFIUS zeigtD dss frggEqitter die in sehr emp(ndlihe psern geshrieen werdenD die lso eine strke wodultion des frehungsindexes henD uf der hE herfrequenten seite des frggEeks ein usgeprgtes pektrum henD ds von wntelmoden herrhrtF hie spektrlen iigenshften werden von vihtD ds die pser seitwrts verlsstD estimmtF

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RFQ veitungen

QTW

eildung RFIUTX frggEellenlnge eines frggEqitters ls punktion der ngelegE ten mehnishen pnnung @eildung nh ythonosQPAF hs frggEqitter wr in eine iriumEhotierte pser eingeshrieen und reitete ls euskoppelgitterF

4.3.3.3.4 Anwendungen als Sensor hie wittenfreqquenz des pserEfrggE qitters hngt vom Brechungsindex und der eriodenlnge F feide qrssen

werden jedoh durh externe rmeter verndertF owohl die empertur wie uh ug uf die pser knnen die wittenfrequenz vershieenF eus qleihung @RFQHIA ermgliht eine ferehnung der ershieQung der wittenwellenlnge des qittersF

B = 2

n +n

+2

partialn +n T T

@RFQHUA

her erste ummnd in qleihung @RFQHUA stellt den iin)uss von ugspnnungen dr @iine wessung ist in eF RFIUT zu sehenAF wn knn diesen i'ekt uh ls

B = B (1 pe )z

@RFQHVA

drstellenF sn dieser qleihung ist pe die e'ektive spnnungsoptishe uonstnteF ie ist wie folgt de(niertX

pe =

n2 [p12 (p11 + p12 )] 2

@RFQHWA

hei sind p11 und p12 uomponenten des spnnungsoptishen ensorsF n ist der Brechungsindex im uern der pser und ist die oissonEhlF fei einer typishen optishen pser ist nh ythonosQP p11 = 0.113D p12 = 0.252D = 0.16 und n = 1.482F wn erwrtet dnn eine imp(ndlihkeit von 0,001pm fr eine pnnung von 106 F

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QUH

ensoren und wessverfhren

1550

Wellenlnge/[nm]

1549

1548 0 20 40 60 80 100 120 140 160

Temperatur/[C]

eildung RFIUUX frggEellenlnge eines frggEqitters ls punktion der emE pertur @eildung nh ythonosQPAF hs frggEqitter wr in eine iriumEhotierte pser eingeshrieen und reitete ls euskoppelgitterF her zweite eil von qleihung @RFQHUA eshreit den iin)uss der emperturF iinerseits ndert die empertur den estnd der sndexshwnkungenD lso die eriodenlngeD und ndererseits ndert sih der BrechungsindexF ir knnen fr die nderung der frggEellenlnge shreienX

B = B ( + ) T

@RFQIHA

hei ist = (1/)(/T ) der thermishe eusdehnungskoe0zient18 und = (1/n)(n7T ) der thermoEoptishe uoe0zient19 F her emperture'ekt ist lso durh die nderung des frehungsindexes dominiertF her hlenwert fr urzgls ist IR pmG0 gF eF RFIUU zeigt den iin)uss der empertur uf die frggEellenlnge eines frggEqittersF hie nderung der empertur ewirkt niht nur eine ershieung der frggE ellenlngeD sondern uh eine irniedrigung der e)ektivittD wie es shn us eildung RFIUV ersihtlih istF h jedes frggEqitter in einer pser mit mehreren ensorstellen eine eigeneD klr von den nderen trennre esonnzfrequenz hen knnD knnen einzelne emperturE oder pnnungssensoren er eine euswhl der ellenlnge dresE siert werdenF eF RFIUW zeigt einen pryEerotEesontor in einer pserF her rehte eil der eildung zeigtD dss dieses pryEerot in einer pser eine exzellente vinienreite htF
19 Fr 18 Fr

Quarz etwa = 5.5 107 Germanium-dotierten Quarz etwa = 8.6 106 .

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RFQ veitungen

QUI

eildung RFIUVX emperturhngigkeit der e)ektivitt @eildung nh weltzQSAF

1.55 MHz

Reflektivitt

Frequenz

eildung RFIUWX wei frggEqitter ls pryEerotEesontorenF ehts ist ds rnsmissionsspektrum gezeigt @eildung nh ythonosQPAF eF RFIVH zeigtD dss mn ei pserEfrggEqittern mehrere qitter ereinE nder einringen knnF hies ist einsihtigD wenn mn edenktD dss ein pserE frggEqitter eigentlih mit rologrmmen verwndt istF euh ei rologrmmen knnen mehrere von ihnen in der gleihen potoshiht gespeihert werdenF wit pserEfrggEqittern lssen sih so gnz neurtige snterferometer ufuenF

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QUP

ensoren und wessverfhren

70

60

50

Reflektivitt/[%]

40

30

20

10

0 1480

1500

1520

1540

1560

1580

Wellenlnge/[nm]

eildung RFIVHX e)exionsspektrum fr sieen m gleihen yrt eingernnte frggEqitter @eildung nh ythonosQTAF

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RFR wessungen kleiner egel

QUQ

eildung RFIVIX estfeld fr eine SpannungsquelleQUF

4.4 Messungen kleiner Pegel


sn diesem eshnitt werden pehlerquellen ei der wessung kleiner ignle diskuE tiertF iele der hier ehndelten i'ekte sind sehr shn in einer froshre von ueithleyQU drgestelltF

4.4.1 Testfelder
enn eine elektrishe wessung mit kleinen egelnD hohen smpednzen oder kleiE nen trmen durhgefhrt wird und gleihzeitig eine estimmte qD so mssen sogennnte estfelder estimmt werdenF sm llgemeinen hngen der uurzshlussstrom IK einer Spannungsquelle und ihre veerlufusgngsspnnung UL er einen quivlenten uellenwiderstnd RS

UL @RFQIIA IK sn eF RFIVI ist nun ein estfeld gezeigtF euf der horizontlen ehse ist dei die veerlufusgngsspnnung UL ngegeenF hie vertikle ehse ist der uurzE shlussstrom IK F hie shrgen vinien zeigen den dzugehrigen eusgngswiderE stndF m heruszu(ndenD wie eine wessung durhgefhrt werden mussD werden die folgenden hritte gereitetX RS = wn estimmt den uurzshlussstrom IK und die veerlufspnnung UL F hies ergit unkt A in eF RFIVPF is wird die gewnshte qenuigkeit festgelegtF

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QUR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIVPX feispiel fr eine esthlleQUF

om unkt A us zeihnet mn eine vinieD deren vnge der gewnshten qenuigkeit entsprihtD nh unten und kommt so zum unkt BF hei entspriht eine qenuigkeit von I 7 zwei hekdenF iin kleinerer pehler entE spriht mehr hekdenF ienso wird eine horizontle vinie mit der gleihen vnge vom unkt A zum unkt C gezeihnetF her iertelkreis zwishen den unkten B und C umshliesst zusmmen mit den eiden qerden ds estfeldF
hieses estfeld edeutet nunD dss rllelwiderstnde zur uelleD die grsser ls der iderstnd m unkt B sindD die gewnshte qenuigkeit niht eeintrhE tigenF hieser minimle rllelwiderstnd zeigtD wie gross der snnenwiderstnd eines pnnungsmessers sein mussD dmit die pnnungsmessung die geforderte qenuigkeit ermglihtF ienso zeigt der unkt CD wie klein ein erienwiderstnd sein muss @links von diesem unktAD dmit eine trommessung niht durh ds Messgert verflsht wirdF elle RFW zeigt eine eufstellung vershiedener wessrtenD hu(ge pehlerquellen und wglihkeiten ihrer feseitigungF eildung RFIVQ stellt die durh vershiedene trmehnismen unzugnglihen wessereihe ei einer pnnungsmessung drF flu ist der fereihD in dem herE mospnnungen ds wessresultt verflshenF hie in der eildung gezeigten feE reihe hngen von der empertur und den wterilkomintionen F ie sind im iinzelfll neu zu erehnenF hie rotrune pre zeigt den fereih von eusgngsE widerstnden @oderD quivlentD von uomintionen von pnnungen und trE menA nD ei denen ein Messgert mit hier 10M Eingangswiderstand IH7 pehler erzeugtF qrn ist der fereihD der wegen iingngsstrmen im Messgert

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RFR wessungen kleiner egel

QUS

Art der Messung

Messbereich

Anzeichen fr Fehler

Wahrscheinliche chen Ursa-

Massnahmen dung

zur

Vermei-

Kleine Spannungen Kleine Strme

< 1V

Osetspannung

Thermospannungen

< 1A

Niedrige Widerstnde

< 100m

Hohe Widerstnde

> 1G

Spannung > 1M aus einer Quelle mit hoher Impedanz

Magnetische Strspannungen Interferenzen OsetLeckstrme in strom Isolatoren Messstrom im Messwerk (Bias) Dunkelstrom im Detektor ElektroStrstatische strme Kopplung Vibration / Deformation WiderKabelwiderstandsstand osets ThermospanDrift nungen Schwankende Magnetische MessInterferenz werte BelastungsAblesung widerstand zu klein (Shunt) Niedriger Rein des Voltmeters Osetstrme ElektroSchwanstatische kende Kopplung Werte BelastungsAblesung widerstand zu klein (Shunt) Schwankende Werte Osetstrme Elektrostatische Kopplung

Alle Anschlsse auf der gleichen Temperatur halten Gekrimpte Cu-Cu-Verbindungen Verdrillte Leitungen Leitungen von Magnetfeldern entfernen oder abschirmen Gute Isolatoren verwenden, gut reinigen Picoampremeter oder Elektrometer verwenden Dunkelstrom unterdrcken oder kompensieren Hohe Spannungen und Relativbewegungen der Kabel dazu vermeiden Abschirmung Vibrationen fernhalten Rauscharme Kabel verwenden 4-Draht Methode (KelvinMethode) verwenden Pulsfrmige Testsignale mit Osetkompensation Von Magnetfeldern fernhalten oder abschirmen Verdrillte Leitungen verwenden Anschlsse und Kabel mit hherem Isolationswiderstand verwenden Guard-Techniken verwenden Spannungsquelle und Strommessung verwenden Osetstrme bei abgeschalteter Testspannung kompensieren Hohe Spannungen in der Nhe sowie Bewegung des Kabels vermeiden Anschlsse und Kabel mit hherem Isolationswiderstand verwenden Guard-Techniken verwenden Osetstrme bei abgeschalteter Testspannung kompensieren Hohe Spannungen in der Nhe sowie Bewegung des Kabels vermeiden

elle RFWX lihe pehlerquellen und wssnhmenD um ihren iin)uss zu verminE dern @nh ueithleyQU

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QUT

ensoren und wessverfhren

eildung RFIVQX pehlerquellen ei der pnnungsmessungQUF fluX hermoE spnnungenD rotrunX pehler durh den zu grossen eusgngswiE derstndes der uelleD grnX iingngsstrme des des oltmeters und shwrzX thermishes ushenF

eildung RFIVRX pehlerquellen ei der trommessungQUF fluX pnnungsfll m MessgertD rotrunX pehler durh rllelwiderstnde zur uelleD grnX snduzierte oder generierte trme und shwrzX thermishes ushenF niht zugnglih istF hwrz shliesslih ist der fereih des weissen ushens oder des thermishen ushensF eildung RFIVR stellt die durh vershiedene trmehnismen unzugnglihen wessereihe ei einer trommessung drF flu ist der fereihD der durh den

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RFR wessungen kleiner egel

QUU

eildung RFIVSX pehlerquellen ei der iderstndsmessungQUF qelX veitungsE widerstnd in erie zum estojektD luX hermospnnungenD rotrunX ssoltionswiderstnde prllel zum estojektD grnX generierte oder induzierte trme und shwrzX thermishes uE shenF pnnungsfll m Messwiderstand einen pehler erzeugtF hie rotrune pre zeigt den iin)uss von rllelwiderstnden zur zu messenden uelle drF qrn ist der fereihD der wegen induzierten oder generierten trmen niht zugnglih istF hwrz shliesslih ist der fereih des weissen ushens oder des thermishen ushensF eildung RFIVS stellt shliesslih die durh vershiedene trmehnismen unE zugnglihen wessereihe ei einer iderstndsmessung drF qel ist der feE reihD der wegen den iderstnden des wesskels niht zugnglih istF flu ist der fereih der hermospnnungenF hie rotrune pre zeigt den iin)uss von ssoltionswiderstnden prllel zur zu messenden uelle drF qrn ist der feE reihD der wegen induzierten oder generierten trmen niht zugnglih istF hwrz shliesslih ist der fereih des weissen ushens oder des thermishen ushensF ellgemeine pehlerquellen ei elektrishen wessungen sind

Rauschen hs thermishe ushenD wie es im eshnitt PFV drgestellt wurdeD


ht eine veistung von P = 4kT f in der fndreite f F

Drift Messgerte sind im llgemeinen niht stilF shre enzeigen ndern sih
lngsm mit der eitF hiesen pehler nennt mn hriftF

Geschwindigkeit tede wessung ruht eine estimmte eitF ird von einem

wesssystem wie zum feispiel einem vokEsnEerstrker @sie uh den nE tershnitt RFIFW eine im ergleih zu seiner fndreite zu hohe htenrte verlngtD so sind die wessungen wegen der fndreitenegrenzung fehlereE hftetF

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QUV

ensoren und wessverfhren

Umgebungsbedingungen empertur und vuftfeuhte knnen wessfehler verE

urshenF iinerseits verurshen emperturnderungen nderungen der veitfhigkeit der iderstnde der eingesetzten MessgerteF endererseits edeutet eine hohe vuftfeuhtigkeit dss die ssoltionswiderstnde in den wessgerten niedriger werden und so wessfehler verurshenF nen us einem veiter oder ssoltor heruslsenF hdurh )iessen zustzlihe trmeF hrend ionisierende trhlung ls polge der menshlihen ektiviE tten eilhen mit reltiv niedrigen inergien emittiertD estehen die kosmiE shen trhlen im llgemeinen us eilhen mit sehr hohen inergienF heshl knnen letztere niht und erstere nur unter grsserem eufwnd geshirmt werdenF

Ionisierende Strahlung sonisierende trhlen knnen durh ihre inergie ilektroE

Netzstrungen xetzstrungenD ds heisst ds ersprehen der pnnungsverE sorgung des MessgertesD des r)ings oder von nderen qerten sind im
llgemeinen die hu(gsten trungen und mit von den m shlehtesten zu eliminierendenF hie einzige wssnhme ist meistensD die irdverindungen neu zu kon(gurierenF

Mechanische Strungen nter den mehnishen trungen versteht mn die

iin)sse von irtionen und uh die irkungen von eriegungen von uelnF wendigen iinrihtungen erzeugen vor llem in erindung mit yszilloskoE pen frummshleifenF hiese knnen nur ufgerohen werdenD indem mn die yszilloskope fr di'erentielle wessungen einrihtetD lso nur die rlfte der unle verwendetF elterntiv knn mn eigene hi'erenzverstrker den yszilloskopen vorshltenF hie letzte wglihkeit istD zugelassene Trenntransformatoren zu verwendenF

Schutzerde und Schutzleiter hiese fr einen siheren fetrie von qerten notE

ehtung3 xie hutzleiter uftrenE nen3 smmer renntrnsE formtoren oder hi'eE renzverstrker verwenden3

4.4.2 Spannungen
fei pnnungsmessungen treten insesondere die folgenden pehlerquellen uf

Anschlsse mit hohen Impedanzen vekE treustrme verflshen eine pnE

nungsmessungF enn giltD dss Vs < 1A Rs istD so muss ei der pnE nungsmessung esonders vorsihtig vorgegngen werdenF hei ist Vs die geforderte pnnungsemp(ndlihkeitD I e der tromD der durh den snE nenwiderstnd des oltmeters )iesstF enn die geforderte imp(ndlihkeit I m istD dnn ht mssen uellen mit Rs > 1k mit esonderen orsihtsE mssnhmen gemessen werdenF messungen verflshtF hie hl des ssoltionsmterils entsheidet er die ulitt von pnnungsmessungenF sm eshnitt sFI ist eine elle von ssoltionsmterilien ngegeenF

Isolationswiderstand hurh shlehte ssoltionsmterilien werden pnnungsE

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RFR wessungen kleiner egel

QUW

Eingangswiderstand tedes rele oltmeter knn ls ein ideles oltmeter mit dem Eingangswiderstand Rein des relen oltmeters in prllel ersetzt
R werdenF hie gemessene pnnung ist Vmess = Vs Reinein s +R

Osetspannung tede pnnung in erie mit der zu messenden pnnung und


der pnnung m oltmeter verflsht die elesungF u den y'setspnnunE gen gehren die hermospnnungen und die durh wehselnde wgnetfelder induzierten pnnungenF

Osetstrom her y'setstrom ei einem idelen oltmeter und einer Spannungsquelle mit dem snnenwiderstnd Rs verflsht die uellenspnnung Vs zu

Vm = Vs Iof f set Rs F y'setstrme entstehen durh die iingngstrnsistoE ren der MessgerteF teder bipolare Transistor entigt einen minimlen iingngsstrom um zu funktionierenF fei digitlen oltmetern und ei xnoE voltmetern etrgt der y'setstrom etw 10pA is 10nAF her y'setstrom von ilektrometerverstrkern knn von 10f A is hinunter zu 50aA etrgenF
20

Belastungswiderstand iderstnde prllel zum oltmeter verflshen die wesE

sungF o wird ei einem uellwiderstnd Rs und ei einem uerwiderstnd RQ RQ die gemessene pnnung Um = Us RQ +Rs F ielfh ist der ssoltionsE widerstnd des uels der unerwnshte uerwiderstndF her iin)uss des uelisoltionswiderstndes knn durh qurdEehniken vermindert werE denF enn die erstrkung des qurdEerstrkers Aguard istD dnn ist die gemessene pnnung Um = Us
Aguard RQ Aguard RQ +Rs

Kapazitt zur Schirmleitung hie upzitt zur eshirmung des wesskels


Ck ewirkt zusmmen mit dem eusgngswiderstnd Rs eine eitkonE stnte = Rs Ck F hmit ist der eitverluf der wessspnnung Um = t Us 1 exp = Us 1 exp RstCk F hei wird die vdung Q = Us Ck uf die uelkpzitt Ck ertrgenF enn die eshirmung mit einem erstrker @erstrkung Aguard uf dem otentil der iingngsspnE nung gehlten wirdD ist die eitkonstnte guard = Aguard F hie uf der uelE
Ck kpzitt gespeiherte vdung ist dnn Q = Us Aguard F

Thermospannungen hermospnnungen werden zur zu messenden pnnung


hinzuE oder gezhltF hie qrsse der hermospnnungen hngt von der wterilkomintion und von den emperturen entlng des wesskreises F elle sFP git die wihtigsten thermoelektrishen uoe0zienten nF

Thermospannungen in Steckern hie hermospnnungen in tekern werden

meistens vergessenF enders ls im est des wesskreises sind die wterilien und die emperturen sehr viel shlehter kontrollierrF hurh ergngsE widerstnde zwishen teker und uupplung knn sih die uontktstelle unE emerkt und unkontrolliert erwrmenF u den tekern gehren uh gerE
entsprechen 300 Elektronen pro Sekunde.

20 50aA

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QVH

ensoren und wessverfhren teinterne tekerF fei externen erindungen knn der iin)uss der hermoE spnnungen untersuht werdenD indem mn die tekerverindungen @sofern mglih3A umkehrtF

Gleichtaktstrom und daraus resultierende Fehler qleihtktstrme

knnen insesondere wessungen von sehr kleinen pnnungen eein)ussenF u den qleihtktstromquellen gehrt unter nderem die trme die zwishen der xetzerde und dem irdEiingngspol @fuhse 4H4A des Messgertes )iesstF ielfh rhrt dieser trom von der kpzitiven uopplung zwishen der rimrE und ekundrspule des xetztrnsformtors herQUF xoh shlimmer sind die pehlerD wenn die fuhse 4H4 mit dem emp(ndlihen eil des wessojektes verunden istF hies ist unter llen mstnden zu vermeidenF gen eingeshlossenen plhenF hie wxwell9shen qleihungen ergeenD dss die induzierte pnnung UB = d = dB A = B dA + A dB F erdrillte uel und dt dt dt dt eine gut erlegte phrung der uel minimieren die induzierten pnnunE gen von vriierenden wgnetfeldernF fewegte uel @zum feispiel zu einer eweglihen wessstelleA knnen uh ei sttishen wgnetfeldern induzierte pnnungen ewirkenF

Magnetfelder wgnetfelder induzieren pnnungen in lle von den wessleitunE

Erdschleifen iiner der hu(gsten pehler sind irdshleifenF ie rhren dherD dss netzetrieene Messgerte einerseits er ihre HEfuhsen und ndererE

ehtung3 xie hutzleiter uftrenE nen3 smmer renntrnsE formtoren oder hi'eE renzverstrker verwenden3

seits er den hutzleiter verunden sindF hieser fehler knn vermindert werdenD indem di'erentielle iingnge verwendet werdenF fei yszilloskopen mssen gesonderte hi'erenzverstrker vorgeshltet werdenF fei htenerE fssungskrten fr gomputer sollte immer der rinte mit di'erentiellen iingngen der orzug vor der rinte mit den einfhen iingngen gegeE en werdenF

Abschirmung enn mn ei einem ilektrometerverstrker n den emp(ndlihen


iingng P m hrht nshliesstD den PEfereih einstelltD ein tk uunstE sto' n olle reit und dieses tk etw einen weter vom iingng entfernt hin und her ewegtD dnn shlgt ds ilektrometer merklih usF hnliE he ixperimente knn mn uh mit ehselfeldern durhfhrenF sn eiden pllen hilft nur eine eshirmungF hiese eshirmung sollte

die zu testende hltungD ds ilektrometer und die die wessung durhE fhrende erson einshliessenD oder die zu testende hltung und ds ilektrometerD oder nur die zu messende hltung sowie geshirmte uel
umfssenF is ist vorteilhft fr solhe wessungen trixile uel zu verwenE denD woei die innere hirmung mit einer qurdshltung uf dem wesspoE tentil gehlten werden sollteF

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RFR wessungen kleiner egel

QVI

4.4.3 Strme
rzise trommessungen werden eenso wie pnnungsmessungen durh pehlerE quellen verflshtF hiese pehler sind

Spannungsbelastung iin reler trommesser knn ls ein ideler trommesser in erie mit einem Messwiderstand Rm ngesehen werdenF her uurzE shlussstrom einer Spannungsquelle Us mit dem snnenwiderstnd Rs wre

U Is = Rs F hurh den endlihen snnenwiderstnd des trommessers ist der s gemessene trom er Im = Rs Us m = Is RsRs m F fei digitlen wessgerten +R +R entspriht der wessstrom einer pnnung Ub F hnn ist der gemessene trom U U Im = UsRs b = Is Rb F s

Leitungswiderstnde rotzdem die veitungswiderstnde RL meistens kleiner ls der eusgngswiderstnd Rs oder der Messwiderstand Rm istD knnen ie
die trommessung verflshenF her gemessene trom ist Im =
Us Rs F Rs Rs +RL

Rauschen und Interferenzen Quellenwiderstand hurh die eshirmung knn der iin)uss einer externen
trspnnung uf die trommessung minimiert werdenF tedoh ewirkt die hirmung zusmmen mit der ei einer tromquelle notwendigerweise hohen eusgngsimpednz eine eitkonstnteF fei emp(ndlihen trommessungen mssen deshl neen der eshirmung uh qurdEehniken verwendet werdenF

Eingangskapazitt fei tromGpnnungswndlern ist die erstrkung fr uE


shen grsser ls fr ds xutzsignlF enn wir eine uelle mit der pnnung Us und dem eusgngswiderstnd Rs etrhtenD die n einen tromGpnnungswndler mit dem kkopplungswiderstnd Rf ngeE R shlossen istD dnn ist die eusgngsspnnung Ua = Us Rf F hei gilt s ei tromquellen meistensD dss Rs > Rf istD ist Ua kleiner ls Us F porE ml koppelt eine ushspnnung n den nihtinvertierenden iingng des ypertionsverstrkers des tromGpnnungswndlersF hmit ist die erstrE kung der ushspnnung Ur durh Ua,r = Ur 1 +
Rf Rs

F heshl wird ei

tromGpnnungswndlern ei kleinen uellwiderstnden Rf ds ushen erproportionl verstrktF heshl emp(ehlt ueithley QU ls minimle uellwiderstnde tromereih winimle uellwiderstnde pe 1G . . . 100G ne 1M . . . 100M e 1k . . . 100k me 1 . . . 100 fesonders ei der stertunnelmikroskopie ei kleinen trmen und kleinen

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QVP

ensoren und wessverfhren pnnungen21 knn diese impfehlung niht eingehlten werdenF eiter sind zu den vorhndenen iderstnde immer rllelkpzitten vorhndenF sn diesem plle muss mit den fetrgen der smpednzen gerehnet werdenF

Osetstrme y'setstrme entstehen wie ei den pnnungsmessungen durh die

notwendigen iingngsstrme der iingngsverstrkerF hs fr pnnungsE messungen gesgte gilt nlog uh fr die trommessungenF enn die y'E setstrme zeitlih konstnt sindD knnen sie uh kompensiert werdenF feE sonders einfh ist dies mit einer externen tromquelleF

Triboelektrische Eekte rioelektrishe trme entstehenD wenn untershiedliE

he wterilien sih gegeneinnder ewegen und eiungskrfte vorhnden sindF rioelektrizitt entsteht vor llem in uelnD deren fiegung wehE selt oder die untershiedlihen mehnishen pnnungen usgesetzt sindF hie euswhl der wterilienD us denen die uel zusmmengesetzt sindD eein)usst die rhe der generierten trioelektrishen trmeF

Piezoelektrische Eekte, gespeicherte Ladung enn n gewisse wterilien

mit niht zentrosymmetrishem uristllu mehnishe pnnungen ngeE legt werdenD entstehen durh den iezoe'ekt vdungenF fei periodisher meE hnisher fenspruhung der ssoltionsmterilien ewirkt dies uh einen ehselstrom im kt der mehnishen enregungF m piezoelektrishe ifE fekte zu vermeiden sollten ssoltoren niht mehnish elstet werdenF sind knn trom er elektrohemishe rozesse geleitet werdenF plussmittelE rkstnde oder kstnde von vsungsmitteln wie uh hmutz und pett von pingern sind vielfh uf ssoltoren zu (ndenF fei ungeeigneter uomiE ntion dieser kstnde mit dem fsismteril knnen so uh vokleleE menteD lso ftterien entstehenF hiese i'ekte knnen mit qurdEehniken minimiert werdenF

Elektrochemische Eekte enn die yer)hen von ssoltoren vershmutzt

4.4.4 Techniken zur Verhinderung von Fehlmessungen


hie im folgenden eshrieenen ehniken zur uompenstion oder erhinderung von pehlern stmmen einerseits us dem rnduh von ueithleyQU und ndererE seits us der eigenen irfhrungF

4.4.4.1 Einuss von Schirmungen


eildung RFIVT zeigt die wessung von pnnungen mit einem uellwiderstndD ei dem der ssoltionswiderstnd des uels niht mehr vernhlssigt werden
21 Wenn

mit einem STM Supraleiter untersucht werden sollen, dann ist die angelegte Spannung meistens bei 1 mV und der Tunnelstrom bei 1 . . . 5 nA. Dann ist die Bedingung, die Keithley[37] angibt, nicht erfllt

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RFR wessungen kleiner egel


Hi
RC

QVQ

RS + US

Spannungsquelle

Lo

Voltmeter

eildung RFIVTX iin)uss des uellekstromes durh RC uf eine pnnungsmesE sung


Hi +
RC

RS + US
RG

AG

Hi Um

Lo

Lo

eildung RFIVUX wessung kleiner pnnungen mit einer qurdEuon(gurtion knnF hie gemessene pnnung ist

UM = US

RC RS + RC

@RFQIPA

enn mn ds die hirmung des uels mit einem ypertionsverstrker uf dem otentil der zu messenden pnnung hltD dnn wird

UM = US

AG RC RS + AG RC

@RFQIQA

woei AG die erstrkung des ypertionsverstrkers ei der etrhteten preE quenz istF

4.4.4.2 Thermospannungen
enn eine ungewollte hermospnnung UEM F oder eine ndere ds orzeihen ehltenden trspnnung ei der wessung der hi'erenzspnnung von zwei herE moelementen UA und UB strtD knn mn mit zwei wessungen mit jeweils verE tushten ueln diesen iin)uss kompensierenF
+ +
UEMF UA
Hi

Nanovoltmeter
Lo

+
UEMF

Hi

Nanovoltmeter
Lo

+
UB

U1=UEMF+UA-UB

UB

+
UA

U2=UEMF+UB-UA

eildung RFIVVX uompenstion von ungewollten hermospnnungen durh erE tushen der enshlsse

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QVR

ensoren und wessverfhren

eildung RFIVWX qleihtktstrom hervorgerufen durh die enkopplung n die xetzspnnung

U1 = UEM F + UA UB U2 = UEM F + UB UA U1 U2 UEM F + UA UB (UEM F + UB UA ) = = UA UB @RFQIRA 2 2


hie letzte eile von qleihung @RFQIRA git ds hlussresulttF

4.4.4.3 Strungen in Netzteilen


eildung RFIVW zeigt wie durh die enkopplung n die xetzspnnung ein qleihtE ktstrom hervorgerufen wirdF hie upzitt CKopplung koppelt die xetzspnnung von der rimrseite uf die ekundrseiteF her durh diese upzitt in der eE kundrseite induzierte trom ist

ICM = 2f CKopplung (U2 U1 )

@RFQISA

hie mgnetihe uopplung zwishen der rimrE und der ekundrseite wird optimlD wenn die eiden iklungen wehselnd ereinndergelegt werdenF hies fhrt er zu einer grossen uoppelkpzittD die ds trspnnungsniveu uf der ekundrseite erhhtF ustzlih sind die notwendigen uriehwege fr trme ei einer solhenD mgnetish e0ziente hltung ungengend lngF

4.4.4.4 Fehler durch falschen Anschluss der Messkabel


ennD wie in eF RFIWH rehts ds wesskel n die irde des wessojektes und ds xullkel n die emp(ndlihe telle ngeshlossen wirdD )iesst vom unkt 9vo9 ein trom zur irdeF her korrekte enshluss in der eildung links vermeidet diesen pehlerstromF

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RFR wessungen kleiner egel

QVS

eildung RFIWHX qleihtktstrom hervorgerufen durh den flshen enshluss der wesskel

Flche A Voltmeter B
eildung RFIWIX hurh wgnetfelder induzierte pnnungen

4.4.4.5 Verringerung des Einusses von zeitabhngigen Magnetfeldern


her durh eine @vernderliheA plhe A )iessende @vernderliheA pluss induziert die pnnung

dB A dA dB d = =B + A dt dt dt dt her iin)uss von wgnetfeldern B knn minimiert werdenD wenn UB = wn minimiert die plhe A

@RFQITA

fei der uelfhrung sollen fereihe mit hohen wgnetfeldern B gemieden werdenF her fetrg und die yrientierung der plhe A mssen konstnt gehlten werdenF snsesondere mssen mehnishe irtionen und die fewegung der uel vermieden werdenF her fetrg und die ihtung des wgnetfeldes B muss konstnt gehlten werdenF

4.4.4.6 Erdschleifen und ihre Verhinderung


enn wie in eF RFIWP in der irdleitung eine pnnung von UG induziert wird @zum feispiel durh hohe trme oder durh mgnetishe snduktionA dnn liegt ddurh m veitungswiderstnd R des unteren wesskels die pnnung UG F hie gemessene pnnung ist dnn

Uein = US + UG = US + IR

@RFQIUA

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QVT

ensoren und wessverfhren

eildung RFIWPX irdshleifen hervorgerufen durh mehrfhe irdung


Hi

Experiment

US

UEin R

Nanovoltmeter
Lo

ZCU Erdleitung UG

Einziger Erdpunkt im System

eildung RFIWQX erhinderung des iin)usses von irdstrmen durh irdung n einem einzelnen unkt hei hen die qrssen typisherweise die erte R 100mD I 1AF hei knn UG = IR sehr viel grsser ls US seinF eF RFIWQ zeigt eine irdung n einem einzelnen unktF ieder gilt

Uein = US + IR

@RFQIVA

woei er jetzt der trom I durh den ssoltionsimpednz ZCM )iesstF heshl ist er niht in der qrssenordnung von empresD sondern um xnompresF omit werden irdfehler vermiedenF

4.4.4.7 Kapazitive Fehler in geschirmten Kabeln


hie durh eine elektrosttishe trquelle U @eF RFIWR induzierte pnnung ist

I=C

dU dC +U dt dt
Schirmung

@RFQIWA

Leiter bezglich Erde Rauschen Strung

Elektrostat. Spannungsquelle

Kapazitt zur Schirmung Elektrostat. Spannungsquelle

eildung RFIWRX ilektrosttishe uopplung @linksA und elektrosttishe eshirE mung

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RFR wessungen kleiner egel

QVU

ZS

ZF CF

RF CS

+ RS Noise U0

Stromquelle (Photodiode, STM)

Strom/Spannungs-Wandler

eildung RFIWSX iin)uss des eusgngswiderstndes und der kpzitiven felE stung einer tromquelle hurh die elektrosttishe hirmung wie in eF RFIWRD rehtsD wird die uoppE lung verhindertF

4.4.4.8 Kapazitiv belastete Stromquelle


fei tromquellen wie zum feispiel ei stertunnelmikroskopen oder ei hotoE dioden eein)usst der eusgngswiderstnd RS und die eusgngskpzitt CS der uelle sowie der kkopplungswiderstnd RF und die trkpzitten CF des tromGpnnungswndlers die wessresultte @ie eF RFIWSAF hie ushspnE nung des ypertionsverstrkers vergrssert sih so um

UN oise,Output = UN oise,Input (1 + RF /RS )

@RFQPHA

hs heisstD ds eusgngsrushen vergrssert sih ei einer erkleinerung des uellwiderstndes RS F um feispiel heisst dsD dss in einem stertunnelmikroE skop ei kleineren histnzen ds ushen zunimmtF euh durh die upzitten nimmt die ushspnnung zuF

UN oise,Output = UN oise,Input (1 + ZF /ZS )


rier ist ZF die smpednz der rllelshltung us RF und CF F

@RFQPIA

ZF =

RF (2f CF RF ) + 1
2

@RFQPPA

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QVV

ensoren und wessverfhren

eildung RFIWTX rioelektrishe i'ekte durh die eriegung von ueln enlog gilt fr ZS

ZS =
oder zusmmenX

RS (2f CS RS ) + 1
2

@RFQPQA

UN oise,Output = UN oise,Input 1 +

RF RS

(2f CF RF )2 + 1 (2f CS RS )2 + 1

@RFQPRA

4.4.4.9 Triboelektrische Eekte in abgeschirmten Kabeln


rndelslihe wesskel sind us mehreren hihten ufgeutF enn uel verogen werden @eF RFIWTA gleiten diese hihten neinnder voreiF ie wenn mn uunststo'e mit pellen reitD entstehen uh ei ueln vdungenF h die vE dungen durh die yer)henwiderstnde geut werden und durh fewegung wieder erzeugt werdenF eriodishe fewegungen erzeugen lso uh periodishe pnnungen oder trmeD die wiederum emp(ndlihe wessungen stren oder gr verunmglihen knnenF m trioelektrishe i'ekte zu vermeiden sollten fr ixperimente

nur rushrme uel verwendet werden mehnishe irtionen n der uelle edmpft werden die wesskel (xiert sein
wit diesen orsihtsmssnhmen ht mn optimle wessedingungenF

4.4.4.10 Leckstrme an Oberchen, Verwendung von 'Guard'-Ringen


sn eF RFIWV zeigt die wessung des vekstromes einer hiodeF enn ds empreE meter in der oigen eildung @witteA einen ssoltionswiderstnd von 1G htD dnn )iesst ein vekstrom von 15nAF her qurdEing in der eidung rehts

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RFR wessungen kleiner egel

QVW

Dreck +

I
eildung RFIWUX ilektrohemishe i'ekte und vekstrme n yer)hen

eildung RFIWVX wessung des perrstromes einer hiodeF vinks der yriginlufE uD in der witte der wessufu mit vekstrmen und rehts der eufu mit qurdEingen verringert die m ssoltionswiderstnd von 1G liegende pnnung uf 200V F hdurh wird der vekstrom etw 0.2pAF her ursprnglihe vekstrom von 15nA wird durh die 15V ESpannungsquelle geliefertF

4.4.4.11 Spektrum der Strsignale


eildung RFIWW zeigt ein typishes pektrum von trstrhlungenF hs trstrhE lungsspektrum enthlt die folgenden festndteile

1/f-Rauschen fei sehr tiefen prequenzen dominiert ds 1/f-RauschenF hieE


se ert ushenD im eshnitt PFVFPFQ esprohenD rhrt von sttistiE shen hwnkungen eim tromtrnsport herF ypisherweise ht ds IGfE ushen er I krz keine fedeutung mehrF hieses rhrt von den sttistishen hwnkungen der vdungstrgerkonzenE trtion her @siehe eshnitt PFVFIAF

Weisses Rauschen yerhl von I krz ist weisses Rauschen dominierendF

Netzinterferenzen wishen SH rz @e und ndereX TH rzA und etw einem krz mht sih die Netzfrequenz und ihre Oberfrequenzen strend eE

merkrF fei xetzteilen ist weniger die uomponente ei SH rz ls vielmehr wegen der qleihrihtung die uomponente ei IHH rz wihtigF

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QWH

ensoren und wessverfhren

10 10

Temperatur- Radar Pulsfolgefrequenz drift mech. Vibrationen

Spektrum einer pulsfrmigen Strung

Amplitude

100 10 1 10
-3

Brummen 50 Hz 100 Hz gleichgerichtetes Brummen Schaltfunken nichtlineare Thyristorschalter Trafos Schaltnetzteile Radio TV weisses Rauschen 1/f - Rauschen

10 Frequenz [Hz]

10

10

eildung RFIWWX trspektrum in hltungen

Mechanische Vibrationen hie mikroskopish kleinen fewegungen der irdeD von


qeuden und von qerten knnen die punktion von emp(ndlihen wessE gerten strenF smmer d wo eine kpzitive oder induktive uopplung zwiE shen mehreren hltkreisen vorliegtD induzieren mechanische Vibrationen trungenF fei optischer Datenbertragung ewirkt eine mehniE she fewegungD dss die uf den hetektor fllende vihtintensitt shwnktF

Temperaturdrift hie Temperaturdrift eein)usst wessungen unter IH rzF

hurh den gesgng der emperturD durh die nderung des estnE des der ixperimenttorsn knnen Temperaturschwankungen von einigen fruhteilen von uelvin induziert werdenF hies reihtD um ei sehr emp(ndE lihen wessungen trungen hervorzurufenF ulsfolgefrequenz von drgerten uftretenF hiese drften in der xhe von plugpltzen und von plugkontrolleinrihtungen hu(ger uftretenF drgeE rte sind ls trquellen niht zu vernhlssigenD d es qerte gitD die mit einigen IH k mittlerer veistung sendenF hie pitzenleistungen sind dnn im wegwttEfereihF ulle von trungenF h die hltfrequenzen zwishen I krz und einigen IH krz liegenD sind sie oftmls shwer von xutzsignlen zu trennenF shlten mit undsteuernlgen grosse erruher in xeenzeiten ein und zu den ruptlstzeiten wieder usF hie teuerung erfolgt mit einem Signal von etw IHHH rz und einer emplitude von PH is QH F hiese trspnnungen

Radarpulsfolgen wishen IH rz und etw IHH kr knnen trungen durh die

Schaltnetzteile hltnetzteile sind ei modernen qerten eine oft ersehene

Rundsteuerungen der Elektrizittswerke ilektrizittswerke

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

QWI

koppeln hervorrgend durh die upzitt zwishen der rimrwindung und der ekundrwindung uf die restlihe hltungF ie sind nur shwer heruszu(lternF hie kommende htenertrgung er pnnungsnetze knnte einen hnlihen iin)uss uf emp(ndlihe qerte henF

Thyristorschalter hyristorshlter hen eine sehr grosse plnkensteilheit eim hltenF intsprehend wird durh Thyristoren vor llem ds pektrum
er I wrz gestrtF

Radiowellen diosender strhlen zwishen IHH krz is zu IHH wrz elektroE

mgnetishe wellen F hie endeleistung reiht von wenigen tt is zu wegwttF hie leistungsfhigen ender knnen in einem weiteren mfeld mssive qertestrungen ewirkenF o ist es zum feispiel im stnd von einigen IHH m von einem wittelwellensender @SHH krzD SHH kA mglihD pluoreszenzlmpen mit dem gestrhlten elektrishen peld zum leuhten zu ringen22 F

TV pernsehsender strhlen trsignle im fereih er IHH wrz F Mobiltelefone woiltelefone reiten mit prequenzen von einigen qrzF h die
hten in keten gesendet werdenD knnen die trungen durh nihtliE nere i'ekte uh ei tieferen prequenzen uftretenF

feim fu und fetrie von wessgerten muss sihergestellt werdenD dss dieE se weder elektromgnetishe trhlung er den zugelssenen erten strhlen noh durh elektromgnetishe trhlung gestrt werdenF

4.5 Lichtquellen fr optische Messverfahren


Optische Messverfahren werden in der modernen vorprxis immer wihtigerF ie ermglihe eine extrem hohe zeitlihe und spektrle @energetisheA AusungF
viht wird uf seinem eg durh ndere elektromgnetishe trhlung niht eE ein)usstD sofern die sntensitten klein genug sindD dss keine nihtlinerEoptishen i'ekte uftretenF sm folgenden eshnitt wird uf die qrundlgen der vsertehnik eingegngenF is folgt eine hrstellung von ystemen zur irzeugung ultrkurzer ulseF hiese werden einerseits mit umpEroeEehniken und ndererseits mit elektrooptiE shen erfhren detektiertF hliesslih werden qerte zur wessung von pektren esprohenF

4.5.1 Grundlagen der Lasertechnik


enn sih wterie in optish ngeregten ustnden e(ndetD wird diese enregung durh imission geutF enn es gelngeD lle etome oder wolekle in einem
22 Da

diese Sender mit einer sehr hohen Gte gefahren werden, strt die Anwesenheit einer leuchtenden Fluoreszenzrhre den Sender so stark, dass eine Verstimmung der Schwingkreise resultiert.

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QWP

ensoren und wessverfhren

eildung RFPHHX eufu eines vsers @linksA sowie shemtishe hrstellung der snversion im ergleih zur thermishen erteilungF

eildung RFPHIX hemtishe hrstellung der erstrkung und der erluste in einem Resonator estimmten olumen kohrent strhlen zu lssenD dnn wrde mn eine vihtquelle mit einzigrtigen iigenshften gewinnenF her vserD m enfng der THEer thre erfunden wurdeD erfllt genu diese fedinE gungenF hie eildung RFPHH zeigt den shemtishen eufuF iin ktives wedium e(ndet sih in einem Fabry-Perot-ResonatorQHQVF hs viht im Resonator wird durh ds ktive wedium ei jedem hurhgng verstrktF hie erstrkung erfolgt durh stimulierte imissionF iin kleiner eil des vihtes wird durh die piegel des pryEerotEesontors usgekoppelt und steht fr ixperimente zur erfgungF hie rehte eite der eF RFPHH zeigt die fesetzungsverteilungF sm ergleih zu einer thermishen erteilungD gegeen durh die foltzmnnverteilung N (E) = exp(E/kT )D sind die ustnde ei hohen inergien deutlih strker esetzt ls im thermishen pllF hiese sogennnte fesetzungsinversion ist fr die punktionsweise des vsers notwendigF hie hiskussion der irkungsweise von vsern eruht uf dem exzellenten vehrE uh von hemtrderQVF

4.5.1.1 Schwellwertbedingung
m die sntensitt der in z Eihtung lufenden elle in eF RFPHI zu erehnen setzen wir fr die sntensitt n

I(,z) = I(,z = 0)e()z

@RFQPSA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

QWQ

I(,z = 0) ist dei die efernzintensitt ei z = 0F rier ist der frequenzhngige esorptionskoe0zient durh () = [Ni (gi /gk )Nk ] ()
23

@RFQPTA

gegeenF hngt von den fesetzungsdihten Ni des unteren vserniveus und Nk des oeren vserniveusD von den sttistishen qewihten gi und gj und vom optishen irkungsquershnitt F enn (gi /gk )Nk > Nk istD wird der esorptionskoe0zient in qleihung @RFQPTA negtivF eus der hmpfung ist lsoD nlog wie ei der hsendrehung von ypeE rtionsverstrkernD eine erstrkung gewordenF her erstrkungsfktor ist

I(,z) = e()z @RFQPUA I(,z = 0) hie gesmte eshwhung oderD ei negtiven erten von knn in eine qleiE hung mit einem ixponentilfktor zusmmengefsst werdenF G0 (,z) = I/I0 = e
@RFQPVA

sn der egel wird ds zur erstrkung verwendete optishe wedium in einen Resonator gerht @nlog zur eF RFPHID linksAF en den eiden indspiegeln treten

erluste ufF iinerseits ist es niht mglihD einen piegel mit einer e)ektivitt von IHH7 zu uenD der zudem noh eine unendlihe eusdehnung ht um feuE gungsverluste zu minimierenF endererseits muss n einem piegel die e)ektivitt kleiner ls I seinD dmit vserliht usgekoppelt werden knnF hie erstrkungD feugungsED euskopplingsE e)exionsverluste eim eim hurhgng durh einen Resonator knnen ls sntensittsnderung pro mluf geshrieen werden

G = I/I0 = exp[2()L ]

@RFQPWA

fei der ferehnung der erstrkung nh einem mluf ist ngenommen worE denD dss ds wedium die vnge L htF enn G grsser ls 1 istD eginnt die stimulierte imission im vsermedium die spontne imission zu dominierenF hE mit dies mglih istD muss 2()L > seinF usmmen mit qleihung @RFQPTA ekommt mn die hwellwertedingung

N = Nk (gi /gk ) Ni > NS =

2()L

@RFQQHA

fr die minimle fesetzungsinversion NS F hie vseremission eginnt immer mit einer spontnen imission us dem oeren vserniveu in eine esontormodeF hei werden die hotonenD deren prequenz nhe der esontorEwittenfrequenz liegtD evorzugt verstrktF hurh die eginE nende stimulierte imission wird wird die fesetzungsinversion geut is ein qleihgewiht erreiht wirdF nhngig von der umpleistung ist die snversion in einem vser eim sttionren fetrie immer gleih der hwellwertinversion NS F
23 Fr

einen elektronischen Zustand Ei eines freien Atoms mit der Drehimpulsquantenzahl J ist

gi = 2J + 1

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QWR

ensoren und wessverfhren

N1B12nhn

|2>

N2B21nhn

|1>

N2A21

N2R2

N1R1
eildung RFPHPX punktion eines vsersX umpprozess D elxtionsrtenD induE zierte und spontne imissionF

4.5.1.2 Die Bilanzgleichungen


her sttionre vseretrie knn durh filnzengleihungen eshrieen werdenF enhnd des ermshems in e RFPHP ist ersihtlihD dss us einem umpprozess P ds oere vserniveu |2 > gespiesen wirdF ustzlih wird die fesetzungszhl dieses xiveus durh die esorption us dem unteren vserniveu |1 > mit der te N1 B12 n h erhhtF is git drei erlustknleD die spontne imission mit der te N2 A21 D die induzierte imission mit der te N2 B21 n h und die verlustrte N2 R2 D zum feispiel in riplettzustndeF hs untere vserniveu |1 > wird durh den elxtionsprozess mit der te N1 R1 entvlkertF enn mn nnimmtD dss die sttistishen qewihte gleih sind @g1 = g2 AD eE kommt mn die tengleihungen

dN1 = (N2 N1 )B21 nh + N2 A21 N1 R1 dt dN2 = P (N2 N1 )B21 nh + N2 A21 N2 R2 dt dn = n + (N2 N1 )B21 nh dt

@RFQQIA @RFQQPA @RFQQQA

her vserresontor ht seine eigene erlustrteF enn mn N1 = N2 setzt erhlt mn us @RFQQQA den erlustfktor

n = n0 et
hurh ergleih erhlt mn fr den erlustfktor

@RFQQRA

= T = (2d/c)

@RFQQSA

woei d die esontorlnge istF sm sttionren fetrie mssen die in den oigen qleihungen vorkommenden eleitungen vershwindenF eus den qleihungen @RFQQIA und @RFQQPA ekommt mn in diesem plle

P = N1 R1 + N2 R2

@RFQQTA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

QWS

hie umprte muss lso im sttionren fetrie die eiden erlustrten N1 R1 2 und N2 R2 us dem unterenD eziehungsweise us dem oeren vserniveu usE gleihenF endererseits ekommt mn durh eddition us @RFQQPA und @RFQQQA die qleihung

P = n + N2 (A21 + R2 )

@RFQQUA

hie umprte P ersetzt lso die esontorverluste @RFQQSA sowie die durh sponE tne imission und elxtion us dem oeren vserniveu vershwindenden hoE tonenF hie elxtionsrte des unteren xiveus ist im sttionren fetrie

N1 R1 = N2 A21 + n

@RFQQVA

ie kompensiert gerde die spontne imission und die erlustrte der induzierE ten hotonenF heshl ist sie immer grsser ls die eu'llrte us dem xiveu |2 > durh spontne imissionF ir multiplizieren qleihung @RFQQIA mit R2 und qleihung @RFQQPA mit R1 und knnen fr den sttionren ustnd @d/dt = 0A mit der he(nition Nstat = N2 N1 die folgende mformung

0 = R1 P + (R2 + R1 )(N2 N1 )B21 nh + (R2 + R1 )N2 A21 + (N2 N1 )R1 R2 = R1 P + (R2 + R1 )Nstat B21 nh + (R2 + R1 )N2 A21 + Nstat R1 R2

@RFQQWA

durhfhrenF wit der qleihung @RFQQTA erhlt mn die sttionre fesetzungsinversion

Nstat =

(R1 A21 )P B21 nh(R1 + R2 ) + A21 R1 + R1 R2

@RFQRHA

eus @RFQRHA folgtD dss eine sttionre fesetzungsinversion Nstat > 0 nur fr wedien mit R1 > A21 mglih istF hies edeutetD dss ds untere vserniveu sih shneller entleeren muss ls ds oere sih durh spontne imission entvlkertF sm relen vseretrie wird ds untere vserniveu zustzlih durh die inE duzierte imission evlkertF hie elxtionsrte des unteren vserniveus muss deshl der fedingung

R1 > A21 + B21


gengenF

@RFQRIA

4.5.1.3 Optische Resonatoren


enn der inergieverlust der kEten wode mit der eit wie

dEk = k Ek dt

@RFQRPA

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QWT

ensoren und wessverfhren

eildung RFPHQX feugung einer eenen elle n einer flende

eildung RFPHRX irklrung der presnelzhl ist dnn ist

Ek (t) = Ek (0)ek t
hie esontorgte ist ls

@RFQRQA

Qk 2

Ek = 2/k dEk /dt

@RFQRRA

de(niertF pr einen Resonator der vnge d ist der erlustfktor durh

= (2d/c)

@RFQRSA

gegeenF her erlustfktor setzt sih us feugungsverlustenD esorptionsverluE stenD e)exionsverluste und die erluste durh vihtstreuung zusmmenF sntensitt und e)exionsverluste

I = I0 R1 R2 = I0 eR mit R = ln(R1 R2 )

@RFQRTA

wit der mlufzeit T = 2d/c wird die eklingkonstnte R = R /T = R c/2dF hie mittlere erweilzeit der hotonen im Resonator ist

2d c ln(R1 R2 )

@RFQRUA

hie feugung wird durh die presnelEhl hrkterisiertF

F = a2 /(d)

@RFQRVA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

QWU

eildung RFPHSX enshulihe irklrungD dss ein eener piegelresontor mit einer polge von flenden quivlent istF

P(x,y) a

J S d> >a P(x,y)

p-1

eildung RFPHTX hie peldmplitude P (x,y) knn us den emplituden in der ieE ne P (x ,y ) estimmt werdenF ie git nD wieviele presnelzonen uf dem gegenerliegenden piegel entstehenD wenn mn im estnd q = q/d @q gnzzhligAF enn d < z0 istD ist F > 1 und die feugungsverluste minimlF hmit ei plnprllelen piegeln ein hoton mE mlufe mhen knnD muss der feugungswinkel < a/(md) seinF elso muss

F >m

@RFQRWA

seinF esontoren mit der gleihen Fresnelzahl hen die gleihen erlusteF m die Beugungsverluste eines esontors zu erehnenD knn mn den Resonator durh eine polge von vinsen und flenden ersetzen @siehe eF RFPHSAF hei entsprehen eene piegel einer eperturF qekrmmte piegel mssen entE sprehend durh mmelE oder erstreuungslinsen ersetzt werdenF eus der eilE dung RFPHS ist sofort ersihtlihD dss ebene Wellen keine vsung des resontorE prolems sein knnenF

4.5.1.4 Fourieroptik
m die feugungsersheinungen n einer polge von eperturen hndhen zu knE nenD wird die Kirchho-Fresnel9she feugungstheorie uf die qeometrie in eF RFPHSF hie peldverteilung ei der Ap Eten epertur wird us der peldverteilung in der Ap1 Eten epertur mit rilfe der qleihungen der Fourieroptik erehnetF

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QWV

ensoren und wessverfhren

hie emplitude m unkt P (x,y) in der epertur Ap ist durh

Ap (x,y) =

j 2

1 Ap1 (x ,y ) ejk (1 + cos )dx dy

@RFQSHA

gegeen @iehe eF RFPHTAF hie sttionre peldverteilung muss die eiden folE genden iigenshften henX

h der Resonator ls lineres ystem etrhtet wirdD wirken die feuE sih gungsverluste ls wultipliktion mit einem reellen pktor 0 < 1 B < 1 usF her vihtweg zwishen zwei eperturen @piegelnA wird durh einen hsenE fktor ej eshrieenF
pr die emplitude gilt lso

Ap (x,y) = CAp1 (x,y)mit C = ej


2

1 B

@RFQSIA

woei wie oen diskutiertD der pktor |C| = 1B den ortsunhngigen sntenE sittsverlust durh feugung eshreitF hie wodenverteilung ist die vsung der qleihungD die entstehtD wenn mn @RFQSIA in @RFQSHA einsetztF hiese qleihungen sind im llgemeinen niht nlytish lsrF xur fr den symmetrishen konfoklen esontor knn eine xherungslsungQV ngegeen werdenF hzu muss der rsprung des uoordintensystems in ds enE trum des esontors gelegt werdenF hnn ist fr eine elieige iene die sntensiE ttsverteilung

Am,n (x,y,z) = C Hm (x ) Hn (y ) e(x

2 +y 2

)/4 ej(x,y,z)

@RFQSPA

Hm und Hn sind die rermitshen olynome mEter und nEter yrdnungF C ist ein y x xormierungsfktor und x = 2 w und y = 2 w sind normierte uoordintenF hie xormierungsgrsse w ist ein wss der rdilen emplitudenverteilung und durh w2 (z) = d 1+ 2 2z d
2

@RFQSQA

gegeenF d ist hier die vnge des esontorsF nter erwendung der ekrzung = 2z/d ekommt mn fr die hse

1 arctan 2 1+ @RFQSRA eildung RFPHU zeigt einige wodenverteilungenF ie werden TEM-Moden geE nnntD d sie in guter xherung trnsverslEelektromgnetishe ellen drstellenF hie hlen m und n geen die enzhl Knoten der peldverteilung nF sst n = m = 0 so ht mn die qrundmodeF shre sntensittsverteilung ist (x,y,z) = I00 (x,y) = I0 e(x
2 +y 2 )/w 2

2 b (x2 + y 2 ) 1 + 2 + (1 + m + n) 2 d (1 + 2 )

@RFQSSA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

QWW

eildung RFPHUX yen die eindimensionle wodenverteilung unten links die Modenverteilung in krtesishen uoordinten und unten rehts in ylinderkoordintenF

eildung RFPHVX dile emplitudenverteilung in konfoklen esontoren ie hen deshl eine qussshe sntensittsverteilungF hie qrsse w git nD ei welhem dius die sntensitt uf den pktor 1/e2 ezogen uf ds trhlzentrum gefllen istF her minimle trhldurhmesser

w0 =

d/2

@RFQSTA

heisst uh trhltilleF iine exemplrishe emplitudenverteilung ist in der eE ildung RFPHV gezeigtF sontorenD deren piegel sih in die ellenfronten eines symmetrishen konfoklen esontors einpssen lssenD knnen eenflls mid der hier gezeigten heorie eshrieen werdenF hie eildung RFPHW zeigt feispiele von LaserresonatorenF hie feugungsverluste von o'enen esontoren hngen von der etrhteten vsermode F eildung RFPIH zeigt einen qrphen der feugungsverlusteF els yrdinte ist die Fresnel-Zahl ngegeenF hurh eine erringerung der FresnelZahl knnen die erluste der hheren wodenordnungen so vergrssert werdenD

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RHH

ensoren und wessverfhren

eildung RFPHWX feispiele fr vserresontoren

eildung RFPIHX feugungsverluste von T EMn,m Ewoden dss sie niht mehr nshwingen knnenF hie tilitt eines esontors folgt us der porderungD dss die trhlprmeter eines zu den piegeln pssenden qussstrhls nh einem mluf uf sih seler geildet werden sollF eus der wthemtik der qussstrhlen erhlt mn mit

gi = 1

d bi

@RFQSUA

den hurhmesser des trhls uf den piegeln M1 und M2 F her trhldurhmesE ser ist jeweils
1/2

2 w1 = d

g2 g1 (1 g1 g2 ) g1 g2 (1 g1 g2 )

@RFQSVA
1/2

2 w2 = d

@RFQSWA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RHI

eildung RFPIIX tilittsdigrmm fr optishe esontoren

eildung RFPIPX feispiele von instilen esontoren elso divergieren die trhldurhmesser fr g1 g2 = 1 sowie fr g1 = 0 und g2 = 0F hie tilittsedingung folgt us @RFQSVA und @RFQSWA und ist

0 < g1 g2 < 1

@RFQTHA

hs resultierende tilittsdigrmm ist in der eildung RFPII gezeigtF iine viste der fezeihnungen zeigt elle RFIHF snstile esontorenD wie sie in der eildung RFPIP gezeigt sindD werden evorE yp konfokl konzentrish symmetrish symmetrish konfokl symmetrish konzentrish semikonfokl een piegelrdien b1 + b2 = 2d b1 + b2 = d b1 = b 2 b1 = b 2 = d 1 b1 = b 2 = 2 d b1 = D b2 = 2d b1 = b 2 = tilittsprmeter g1 + g2 = 2g1 g2 g1 g2 = 1 g1 = g2 = g g1 = g2 = 0 g1 = g2 = 1 g1 = 1D g2 = 1 2 g1 = g2 = +1

elle RFIHX ulssi(zierung von esontoren nh hemtrderQVF hie bi sind die urmmungsrdien der piegelD deren estnd b istF

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RHP

ensoren und wessverfhren

eildung RFPIQX prequenzspektrum eines konfoklen esontors @linksA und eines nihtEkonfoklen esontors @rehtsAF pr den rehten pll ist der esontor nur wenig @b = (1 + ) d mit || 1A vom konfoklen esontor @b = dA untershiedenF zugt ei erstrkermedien mit sehr hoher erstrkung verwendetF ienso werden sie oft ei uurzpulsEvsern eingesetztF hdurh dss der trhl divergiertD ist die sntensittsverteilung des vserlihts gleihmssiger er lle woden verteiltF hie prequenzen der in einem esontor mglihen woden hngenD wie in eE ildung RFPIQ gezeigtD vom esontortyp nF feim konfoklen esontor sind die iigenfrequenzen durh

c 1 c = q + (m + n + 1) 2d 2

@RFQTIA

gegeenF q ist der sndex der longitudinlen wodenverteilungD m und n die sndies der trnsverslen wodenverteilungF her piegelstnd

1 woei p = q + (m + n + 1) @RFQTPA 2 2 hs heisstD dss hhere trnsversle woden mit q1 = q und q2 = m + n die gleih prequenz hen wie eine trnsversle qrundmode @m + n = 0A mit dem longitudinlen wodenindex q = q1 + q2 F hs prequenzspektrum eines konfoklen esontors ist lso entrtetF her wodenstnd fr die longitudinlen woden ist d=p c 2d whrend trnsversle woden mit q1 = m + n und q2 = q1 + 1 um = konf okal = c 4d
@RFQTQA

@RFQTRA

voneinnder entfernt sindF fei nihtkonfoklen esontorenD ei denen der urmmungsrdius der piegel b niht gleih dem piegelstnd d istD ist ds prequenzspektrum niht mehr entrtet

c 1 4 db q + (1 + m + n) 1 + arctan 2d 2 d+b

@RFQTSA

hie trnsverslen woden liegen in einem fereih um die trnsversle qrundmoE de mit dem gleihen longitudinlen wodenindexF hies ist in der rehten eite von eildung RFPIQ gezeigtF

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren


Fabry-Perot-Resonanzen 1 transmiss(0.45,d) transmiss(0.9,d) transmiss(0.95,d) transmiss(0.975,d) 0.8

RHQ

relat. Transmission

0.6

0.4

0.2

0 0 0.5 1 relat. Frequenz Fabry-Perot-Resonanzen 1 transmiss(1-0.1*2,d) transmiss(1-0.1/1,d) transmiss(1-0.1/2,d) transmiss(1-0.1/4,d) transmiss(1-0.1/8,d) transmiss(1-0.1/16,d) transmiss(1-0.1/32,d) transmiss(1-0.1/64,d) transmiss(1-0.1/128,d) 1.5 2

0.8

relat. Transmission

0.6

0.4

0.2

0 0.96 0.98 1 relat. Frequenz 1.02 1.04

eildung RFPIRX pryEerotEesonnzenX oen ist ein erlik gezeigtD unten die ergrsserung um IF hie uurven sind uf einen prequenzE stnd von I normiertF fei einer endlihen qte des vserresontors verringert sih die sntensitt des Q vihtes mit jedem mluf um einen kleinen ertF xh der eit = 2 ist sie uf den ert 1/e gesunkenF hie drus resultierende prequenzunshrfe ist

=
oderD umgeshrieenD

1 = 2 Q

@RFQTTA

1 = Q

@RFQTUA

enn die erluste im vserresontor vorwiegend durh die euskopplung von viht n den piegeln stmmenD knnen die qleihungen fr pryEerotE

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RHR
Breite der Fabry-Perot-Resonanzen 1 modwidth(1-T)

ensoren und wessverfhren

0.1

relative Breite

0.01

0.001

0.0001

1e-005 0.0001

0.001

0.01 Transmission der Spiegel

0.1

eildung RFPISX xormierte vinienreite ls punktion von T = 1 RF her wodenE stnd im pryEerotEesontor ist IF snterferometer verwendet werdenF hort ist die trnsmittierte sntensitt durh

IT = I0

T2 (1 R)2 (1 + F sin2 2 )

@RFQTVA

4R gegeen @siehe uh eF RFPIRAD woei die Finesse F = (1R)2 istF hie eE )ektivitt R der piegelD die esorption A in den piegeln und ihre rnsmission IT hngen er T = 1 A R zusmmenF hie sntensitt im esontor ist Iint = 1R F esonnzen treten ei = 2m ufF hie rlwertsreite ist dnn

c 1R = 2d R F

@RFQTWA

rier ist F = R die e)exions(nesseF ren die eiden piegel untershiedliE 1R he e)ektivitten R1 und R2 D so wird fr R = R1 R2 gesetztF hie in diesem eE shnitt erehneten vinienreiten sind die vinienreiten eines pssiven esontorsF hurh ds ktive wedium werden die esontoren entdmpftX die vinienreiten werden geringerF wit einem ktiven wedium im esontor werden diejenigen woden verstrktD fr die die xettoverstrkung pro pro mluf G() = I/I0 = exp[2()L ] nh qleihung @RFQPWA mximl istF xh hemtrderQV ist die trnsmittierte sntensitt

IT = I0

(1 R)2 G() [1 G()]2 + 4G() sin2

@RFQUHA

sn eildung RFPIT ist ds dmit erehnete erstrkungspro(l eingezeihnetF enn die erstrkung gegen I geht @hier mit einer qussEpunktion24 D die ihr

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RHS

Fabry-Perot-Resonanzen mit aktivem Medium 10000 G(ddx,RR,d,ww) VF*transmissG(ddx,RR,ww,d) transmiss(RR,d) 100

1 relat. Transmission

0.01

0.0001

1e-006

1e-008 10 20 30 40 50 relat. Frequenz 60 70 80 90

eildung RFPITX erstrkungspro(l @rotA eines vserergnges und die esonE tormoden @luAF hs kominierte erstrkungspro(l nh qleiE hung @RFQUHA ist grn eingezeihnetF wximum ei 53 und eine freite von 14.34 htA geht die qesmtverstrkung IT /I0 F hieses wximum wird ei = q 2 erreihtF hei muss nstelE le der esontorlnge d die e'ektive esontorlnge

d = (d L) + n()L = d + (n 1) L

@RFQUIA

verwendet werdenF L ist die vnge des vsermediums und n() der @frequenzE hngigeA BrechungsindexF hie prequenzreite des ktiven esontors wird

1 G() 2 G()

@RFQUPA

hie pinesse F des ktiven esontors wird unendlihD wenn die erstrkung G() 1 wirdF hie eildung RFPIU zeigtD wie ds wodenpro(l sih in punktion der erstrkung ndertF hrend ei niedrigen erstrkungen die rnsmission fr viele woden etw gleih istD eginnt eine einzelne wode zu dominierenD wenn die erstrkung G() gegen I gehtF sm qegenstz zu den der eildung RFPIT zugrunde liegenden ennhmen ist ds erstrkungspro(l des vsermediums meistens sehr viel reiter ls der longitudinE le wodenstndF heshl ist die enzhl shwingungsfhiger woden meistens wie
24 Nach

Demtrder[38] ist das Linienprol gaussfrmig, wenn die Dopplerverbreiterung, wie bei Gaslasern im sichtbaren Wellenlngenbereich, dominierend ist.

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RHT

ensoren und wessverfhren

Fabry-Perot-Resonanzen mit aktivem Medium transmissG(y,ddx,RR,ww,x)

relat. Transmission

1e+008 1e+006 10000 100 1 0.01 0.0001 1

40 45 50 relat. Frequenz 55 60 0.01

0.1 Gain

eildung RFPIUX wodenpro(l des ktiven esontors in ehngigkeit der erE strkungF
Verstrkungsprofil
10

0.1

min

max

eildung RFPIVX erstrkungspro(l des ktiven wediums in der eildung RFPIV gezeigtD grsser ls IF eusnhmen sind vserdioden wegen ihrem sehr kurzen esontor und gewisse sehr hohgezhtete vsernordnungenF

4.5.2 Kurzzeitlaser
uurze vihtpulse knnten erzeugt werdenD indem die fetriesspnnung der vihtE quelle kurzzeitig eingeshltet wirdF hie krzesten erreihren eiten hngen von

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RHU

eildung RFPIWX eitlihe feziehung zwishen umppulsD vserpuls und fesetE zungsinversionF vinks die uurvenformenD wenn die veensduE er des unteren vserniveus gengend klein sindD ndernflls @rehtsA wird die ulsduer und Eenergie limitiertF

eildung RFPPHX euh ei uurzpulslsern treten elxtionsshwingungen @pikesA ufF den hltkpzitten und den mglihen hltstrmen F is ist shwierigD pnE nungen oder trme krzer ls in etw IHH ps einzushltenF heshl werden kurze vihtpulse usshliesslih uf optishem ege erzeugtF wn nutzt usD dss ds iinshlten eines vsers mit grossen elxtionsshwinE gungen verunden istF hiese hwingungen entstehenD weil die fr eine vserttigE keit notwendige snversion im hueretrie wesentlih geringer ist ls im iinshltE momentF hie die elxtionsshwingungen eshreienden hi'erentilgleihungen sind nihtlinerX der vser ist in vielen fetrieszustnden ein hotishes ystemF hie eildung RFPIW zeigt den usmmenhng der vserleistungD der snversion und der umpleistungF enn die umpe eingeshltet wirdD ut sih die snverE sion prllel zum enstieg der umpleistung ufF enn die hwelle ershritten wirdD wird die fesetzungszhl uf einem ertD der nur unwesentlih er der hwellinversion liegtD egrenztF hie vserleistung steigt rpide n und die fesetE zungsinversion wirdD wenn die umpleistung wieder nimmtD wieder geutF her resultierende vserpuls ist krzer ls der umppulsF euf der rehten eite der eildung RFPIW wird gezeigtD ws pssiertD wenn ds untere vserniveu niht shnell genug entleert wirdF hnn nimmt die wglihkeit zu spontner und induE zierter imission sehr viel shneller eshrnktF hie fesetzungszhlinversion ut sih D uh wenn die umpleistung hoh leitF sm erhltnis zum umppuls ist

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RHV

ensoren und wessverfhren

eildung RFPPIX Gteschaltung ei einem KurzpulslaserF hie huer des vE serpulses und des umppulses sind so entkoppeltF

eildung RFPPPX vinks die prinzipielle hltung einer okelszelleD rehts eine smplementtion in einem gepulsten xdEgEvserF der vserpuls krzerF iin nhster umppuls knn jedoh erst dnn folgenD wenn die fesetzung des unteren vserniveus wieder in die xhe des rsprungswertes geut istF enn die induzierte imission sehr strk verstrkt wirdD wie zum feispiel in flitzlmpen gepumpten uinlsern er uh in vserdiodenD dnn treten eE lxtionsshwingungen ufF hrend der huer des umppulses treten einige is viele sogennnte pikesD lso elxtionsshwingungen ufF hie iinhllende der emplitude dieser pikes folgt der emplitude des umppulsesF iin xhteil dieser Relaxationsschwingungen istD dss der eitpunkt der einE zelnen ulse niht gut estimmt istF sndem mn die erluste im esontor gross mhtD verhindert mn ds enshwingen der vsershwingungF sn der eildung RFPPI ist gezeigtD dssD wenn mn die erluste in kurzer eit < 1ns erniedrigtD zu einem genu de(nierten eitpunkt ein einzelner vserpuls entstehtF hs hlten der erluste knn entweder er kustoEoptishe hlterD elektroE optishe hlter oder durh sttigre esorer geshehenF iine smplementtion eines elektrooptishen hlters ist die okelszelleF hie rnsmission der okelsE zelle in eF RFPPP ist durh die punktion

T = T0 1 cos2

@RFQUQA

gegeenF hei ist der inkel der hrehung der olristionseeneF hieser ist proportionl zur n der okelszelle ngelegten pnnungF eF RFPPQ zeigt den

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RHW

100

100

80

80

60

Spannung Transmission Verluste

Spannung Transmission Verluste

60

40

40

20

20

0 0 20 40 60 80 100

0 0 20 40 60 80 100

Zeit

Zeit

eildung RFPPQX vinks sind fr einen gussfrmigen pnnungspuls der pnE nungsverlufD die rnsmission und die erluste ngegeenF ehts ds gleihe fr einen exponentiell nsteigenden und E fllenden ulsF

eildung RFPPRX hemtishe hrstellung der frggEe)exion von viht n hllwellenF uurvenverluf der esontorverlusteD der rnsmission durh die okelszelle in eltion zur ngelegten pnnungF

4.5.2.0.1 Akusto-optischer Modulator und Pulslaser mit Cavity Dumping


sm kustoEoptishen wodultor wird eine hllwelle unter shiefem inkel zur eusreitungsrihtung des vihtstrhles in einen uristll eingestrhlt @sieh eF RFPPSAF hurh die lufende hllwelle wird ein sih mit hllgeshwindigkeit eE wegendes moduliertes hihtepro(l erzeugtF hieses ewirkt eine wodultion des frehungsindexes und somit eine frggEtreuung m optishen qitterF ir nehmen nun nD dss in diesem uristll mit dem Brechungsindex n eine hllwelle mit der prequenz D der hllgeshwindigkeit cS und der ellenlnge S = cS / vorhnden istF enn die frggEfedingung

@RFQURA n erfllt istD dnn wird der fruhteil der eingestrhlten sntensitt in die erste feugungsordnung gelenktF rier ist die ellenlnge des vihtesF hie feugungsE 2S sin =

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RIH

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eildung RFPPSX hemtisher eufu der euskopplung us einem gtegeshlE teten vser @vity dumpingAF e0zienz hngt von der iefe der frehzhlmodultion n und somit von der emplitude der hllwelle F hdurh dss ds viht durh eine laufende hllE welle gelenkt wirdD wird seine ellenlnge und prequenz moduliertF her ungeE eugte vihtstrhl ht die prequenz = /cD whrend der geeugte vihtstrhl um

= 2

ncS sin = 2nS sin = c

@RFQUSA

in der prequenz hopplerEvershoen wirdF enn die emplitude des eingestrhlE ten vihtes E0 istD sind die emplituden des trnsmittierten und geeugten enteils trnsmittiert geeugt

1 E0 cos t E0 cos ( + ) t

eF RFPPS zeigt den eufu eines gepulsten vsersD ei dem der kustoEoptishe wodultor die euskopplung us der vserEgvity steuertF hs vom piegel M2 herkommende viht pssiert den kustoEoptishen wodultor und wird mit der i0zienz gelenktF euf dem kweg muss ds usgekoppelte viht ungelenkt durh den wodultor gehen @i0zienz 1 AF her trhlD der ungelenkt vom piegel M2 her kommend durh den kustoEoptishen wodultor gegngen wirdD wird uf dem kweg mit der i0zienz gelenktF sm ersten pll wird die hllfrequenz von der vihtfrequenz gezhltD im zweiten pll dzugezhltF sn der euskoppelrihtung erlgern sih die emplituden

Etot =

1 E0 cos( )t +

1 E0 cos( + )t
@RFQUTA

1 E0 [cos( )t + cos( + )t]

her usgekoppelte uls ht dnn die veistung

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RII

0,40 1 0,35 0,30

0,25 0,20 0,15 0,10 0,05 0,00 0 2 4 6 8 10 12

Ultraschall h=0.03 h=0.1 h=0.3 h=0.9

-1

-2

Zeit/ns

eildung RFPPTX hrgestellt ist der erluf des ltrshllpulses und des vserE pulses fr vier wodultionstiefen im kustoEoptishen woduE ltorF

Pa (t) = = =

St Etot Htot 1 2 2 E = 2ct (1 (t)) Etot cos2 t 2Z0 tot


@RFQUUA

rier ist St der oyntingEektor und Z0 = 0 /0 der ellenwiderstnd des E kuumsF hrend der zeit des ltrshllimpulsdes wird (t) (1 (t)) der in der vserkvitt eingeshlossenen optishen veistung usgekoppeltF eF RFPPT zeigt die ltrshllmplitude und fr vier vershiedene feugungse0zienzen den zeitE lihen erluf des usgekoppelten ulsesF snteressnt istD dss fr = 0.5 ein wximum erreiht wirdF fei der in eF RFPPT gezeigten uurve fr = 0.9 resulE tieren deshl zwei sntensittsmximF wit dem erfhren des gvityEhumping erreiht mn ei sonenlsern oder ei prsto1sern ulslngen von 10 100ns mit ulsfolgefrequenzen zwishen null und R wrzF

4.5.2.0.2 Modenkopplung ennD wie in eildung RFPPU gezeigtD ein kustoE

optisher wodultor in den vserresontor eingefgt wirdD dnn entstehen im preE quenzspektrum xeenfrequenzenF sst die wodultionsfrequenz f D dnn existieren neen der qrundfrequenz des vsers uh die prequenzen f F enn die woE dultionsfrequenz gleih dem wodenstnd im Resonator istD ds heisst wenn

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Ultraschallamplitude

Puls-Intensitt

RIP

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eildung RFPPUX wit einem kustoEoptishen wodultor im ltrshllereih knn eine ktive wodenkopplung erreiht werdenF hie vsermoE den in einem

Modenkopplung
2500 Zufall gekoppelt

2000

Intensitaet/[au]

1500

1000

500

0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3

Zeit/[au]

eildung RFPPVX hrgestellt einerseits die erlgerung von SI woden mit zuflE liger hse und gleiher emplitude sowie die erlgerung von SI modengelokter wodenF hie resultierende ulserhhung ist ugenflligF

f = c/2d istD dnn knnen die eitennder uh n der vseroszilltion teilnehE menF hiese eitennder werden uh moduliertD so dss lle vom erstrkungsE pro(l des vsermediums her mglihen woden nshwingenF hurh die wodultion shwingen die vsermoden niht unhngigD d ihre hsen durh den wodultor gekoppelt sindF eF RFPPV zeigtD die resultierende eusgngsmplitude fr viele vsermoden mit zuflligen hsen sowie fr gekopE pelte hsenF hie sntensitt ei gekoppelten hsen wird periodish sehr grossF endererseits zeigt ds eusgngssignl ei zuflligen hsen ds uh von vserE dioden her eknnten vergrsserte ushenF her kustoEoptishe wodultor moduliert die rnsmission des vserresontors mit T = T0 [1 (1 cos t)] = T0 1 2 sin2 t 2
@RFQUVA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RIQ

nter der ennhmeD dss lle vsermoden die gleihe emplitude Ak,0 = A0 hen wird ei einem kleinen wodultionsgrd 1/2 die instntne emplitude der kEten wode zu

Ak (t) = T A0 cos k t = T0 A0 [1 (1 cos t)] cos k t

@RFQUWA

enn nun die wodultionsfrequenz gleih der mlufzeit des vihtes im resoE ntor istD lso wenn = 2c/(2d) so wird die k + 1Ete wode

A0 T0 cos (k+1 t) @RFQVHA 2 hiese wodultion wirdD sofern sie innerhl der erstrkungsndreite des vE sermediums liegtD verstrktF hie k +1Ete wode wird nun wieder moduliertD genuso wie lle nhfolgenden wodenF hs gleihe gilt uh fr woden mit nehmenden sndizesF hurh die wodultion sind lle hsen der vershiedenen woden periE odish gleihF hies tritt in der qleihung @RFQUWA immer zu den eiten Ak+1 = 2d fr j = 0,1,2, . . . @RFQVIA c sst die fndreite der verstrkren woden @oerhl der vsershwelleA und der estnd der einzelnen wodenD dnn ist die enzhl der verstrkten woden tj = j 2d = @RFQVPA c hie erlgerung von 2m + 1 = N vsermoden mit gleiher emplitude fhrt zur qesmtmplitude N=
j=m

A(t) = A0
j=m

cos (0 + j) t

@RFQVQA

hie vserintensitt I(t) = A2 (t) wird dnn

sin2 (N t/2) cos2 0 t @RFQVRA sin2 (t/2) ie uh us eildung RFPPV ersihtlih istD ekommt mn eine ulsfolgezeit T und eine ulsreite tF I(t) A2 0
estnd der ulse ulsreite

2d 1 = c 1 1 1 T = = = (2m + 1) N T =

@RFQVSA @RFQVTA

hmit wird klrD dss die krzest mglihe ulsduer von der freite des erstrE kungspro(ls hngtF vsermedien mit shmlen vinien wie zum feispiel qslser sind fr wodenkopplung ungeeignetF hie pitzenleistung eines modengekoppelten vsers geht wie N 2 D ds heisst uh wieder mit der spektrlen fndreite des vE sersF hie iignung von vsermedien zur irzeugung kurzer ulse wird in elle RFII zusmmengefsstF

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RIR vsermedium rexe ergonEsonenlser xdEqlsEvser prsto'E oder przentrenlser ellenlnge TQQ nm RVV nmD SIR nm IHTR nm THH nm

ensoren und wessverfhren prequenzreite IFS qrz SEU qrz PHH qrz QH rz ulsreite T SHH ps ISH ps S ps QH fs

elle RFIIX hemtrder QV git die oen zusmmengefssten wglihkeiten zur irzeugung kurzer ulse nF

eildung RFPPWX hie wodenkopplung wird ei diesem eufu durh einen sttigE ren esorer erreihtF

4.5.2.0.3 Passive Modenkopplung hneller ls ein optisher wodultor shlE

ten sttigre esorerF ihtig istD dss die esorptionsniveus des esorers eine mglihst kurze eklingzeit henF eF RFPPW zeigt den eufu eines vsers mit einem sttigren esorerF hieser wird vor einem der esontorspiegel monE tiertD so dss nur n einem wohlde(nierten yrt die esorption sih ndern knnF hurh die esorption im wedium werden die erluste vergrssertF hie erstrkung im vsermedium muss so gross seinD dss ds gesmte ystem die hwellenverstrE kung erreihtF hs vsermedium emittiert vor dem irreihen der hwelle sponE tn und dnn induziert verstrkt und in sttistishen estndenF hie emplitude shwnkt strkF enn einer dieser ulse die hwellenenergie erreihtD dnn wird durh die erstrkung die esorption im sttigren esorer leiht verringertF hieser erste uls lst lso eine hotonenlwine usD die einerseits die erstrkung des ulses erhht und ndererseits verhindertD dss die nderen hwnkungen weiter verstrkt werdenF h ds esorptionsmedium eine sehr kurze veensduE er htD ist es shon kurz nh dem uls wieder in seinem hoh sorierenden ustndF hieser umlufende uls ist der einzigeD der verstrkt wirdF hie ulsform und dmitD er die Fouriertransformation uh ds pektrumD hngen von den erstrkungseigenshften des wediums und von den spektrlen esorptionseigenshften des esorersF eildung RFPQH zeigt links ein feispiel fr die ulsform und rehts ds pektrum dieses ulsesF hie in eF RFPQH gezeigte ulsreite von 0.5ps ist die krzesteD mit pssiver wodenkopplung erreihre ulslngeF

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren


Autokorrelation
100 n 3 80 n

RIS
Autokorrelation

Intensitaet/[au]

Intensitaet/[au]
0 20 40 60 80 100

2.5

60

40

1.5

20

0 0 20 40 60 80 100

Zeit/[au]

Frequenz /[au]

eildung RFPQHX vinks wird die eutokorreltionD rehts ds pektrum eines moE dengekoppelten ulses gezeigt @nh hemtrder QVAF hie ulsE lnge ist HFS psD die spektrle freite InmF

eildung RFPQIX fei diesem vser wird ds enregungsliht synhron zur mlufE zeit im Resonator gepulstF

4.5.2.0.4 Synchron gepumpte Laser fei synhron gepumpten vsern wird die

umpleistung in einem kt mit gnzhligem erhltnis zur mlufszeit der ulse im esontor gepumptF hie eildung RFPQI zeigt uf der linken eite einen mgE lihen eufu eines synhron gepumpten vsersystemsQVF her ergonEsonenlser wird im vserresontor mit einem kustoEoptishen wodultor moduliertF hie umpleistung tri't mit der mlu'requenz der ulse im prsto1ser uf ds vsermediumD einen prsto'strhlF on llen mglihenD durh spontne imissiE on entstndenen hotonen werden nur diejenigen verstrktD die synhron mit der umpleistung im esontor umlufenF hie rehte eite von eildung RFPQI den erluf der erstrkung @oenA und die sntensitten von umppuls und vserpulsF hie erstrkung wrde ei sehr grossen erlusten der gestrihelten uurve folgenF hurh die imission des vserE pulsesD und d ds synhrone umpen hnlih wie ein esorer im esontor des

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RIT

ensoren und wessverfhren

Pumpstrahl

Verstrker

Absorber
eildung RFPQPX hemtisher eufu eines gwEvsersystemsF prsto1sers wirktD wird die fesetzungszhlinversion strk geutF nur ein einzelnerD er sehr kurzer vserpuls entstehtF hie mlufszeit der ulse im vserresontor ist T = 2d/c ei einem esonE tor mit der vnge dF ypisherweise knn mn mit einem synhron gepumpten vsersystem ulslngen von 0.5ps erreihenF enn der esontor eine vnge von 1m htD ist die ulsfolgefrequenz 150M Hz F iin pehler von 1m der vnge des esontors fhrt zu einer erreiterung der ulse uf 1psF hurh einen kustoEoptishen wodultor im esontor des ulslsers knnen die erluste fr lle usser jeden kEten uls so erhht werdenD dss sie niht nE shwingenF hurh dieses erfhrenD ds uh Cavity Dumping gennnt wirdD knn die ulsfolgefrequenz erniedrigt werdenF dmit ist es mglihD uh lngere elxtionen uszumessenF

4.5.2.1 fs-Laser
ehr kurze vserpulse erhlt mn mit sogennnten CPM-LasersystemenF iine mglihe enordnung eines solhen vsersystems ist in der eildung RFPQP gezeigtF hie sdee hinter dieser enordnung ist die folgendeX

wei gegenlu(ge ulse sollen den erstrker im grsstmglihen estnd der hlen mlufszeit T /2 pssierenF hmit wird sihergestelltD dss die erstrkung fr eide ulse gleih @us ymmetriegrndenA und mximl istF hie ulse sollen sih im sttigren esorer erlgernF teder uls shltet fr den nderen die erluste uf einen niedrigeren ertF
sndem mn die hike des esorerstrhls sehr dnn (< 100m) whltD ist die vufzeit durh ds wedium kleiner ls etw 400f sF h nur die erlgerung eider

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren


Pulsbreite und Dispersion 140 3.3 2.6 2.0 1.3 0.65 0.0

RIU

120

100 Pulsbreite/[fs]

80

60

40

20 0 2 4 6 8 Laserbandbreite/[0.1/fs] 10 12 14

eildung RFPQQX ehngigkeit der ulsreite von der fndreite eines vsermeE diums unter ferksihtigung der hispersionF ulse den esorer uf niedrige esorption shlten knnD ist dies nur ei einer perfekten erlgerung der eiden ulseD lso wenn die eitunsiherheit sehr viel kleiner ls 400f s istD mglihF m die krzesten mglihen ulse zu erhltenD ist es notwendigD die Dispersion der piegel und der sonstigen optishen ilemente zu kompensierenQVF hurh die gwEehnik konnten ulse mit einer vnge von unter 100f s erzeugt werdenF hurh sttigre frggspiegel und eine Dispersionskompensation mindestens is zur QF yrdnung sind ulse die krzer ls 10f s sindD mglihF

spektrlen inergieverteilung E() und der spektrlen freite den zeitlihen sntensittsverluf

4.5.2.1.1 Pulskompression ir nehmen nD dss ein optisher uls mit der

I(t) = 0 c

|E(,t)|2 ej(tkz) d

@RFQVUA

htF hieser uls luft durh ein wedium mit dem Brechungsindex n()F eiE ne porm ndert sihD d die Gruppenlaufzeit fr die vershiedenen spektrlen enteile vershieden lng istF enn vph die hsengeshwindigkeit istD ekommt mn

vg =

d dvP h c d = (vP h k) = vP h + k = dk dk dk n

1+

dn n d

@RFQVVA

hiese qruppengeshwindigkeit vg ht die hispersion

dvg = d

dvg dk d dk

1 d2 vg dk 2

@RFQVWA

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RIV

ensoren und wessverfhren

fei ulsen mit sehr hoher sntensitt hngt der Brechungsindex von der ulsE leistung D ist lso n(,I) = n0 () + n1 I(t)F hmit hngt die hse uh von der sntensitt F

n0 z n1 z nz = t I(t) @RFQWHA c c c hmit hngt er uh die prequenz eines ulses von seiner instntnen sntenE sitt F wit A = n1 z/c ekommt mn = t kz = t AdI(t) d = 0 @RFQWIA dt dt eus qleihung @RFQSSA ersieht mnD dss whrend des sntensittsnstiegs eines ulses seine prequenz nimmtF um ulsende hin nimmt die prequenz wieder zuF hurh diese elstEhsenmodultion wird die spektrle freite eines ulses nh dem hurhgng durh ein dispersives wedium grsserF h der Brechungsindex n ei normler hispersion dn0 /d < 0 die roten enE teile shneller propgieren lsst ls die luen enteileD luft der uls useinnderF hs heisst wegen n0 wird der uls zeitlih reiterD wegen n1 wird der uls uh spektrl reiterF nter der ennhme dss sih die emplitude entlng der eusreitungsrihtung nur lngsm ndert @ 2 E/z 2 E/z A wird die ellengleihung = 1 E j 2E j E + = 2 2 n1 |E|2 E z vg t 2vg t n
@RFQWPA

iin uls der vnge der mit der qeshwindigkeit vg durh ein wedium der vnge L luftD wird uf

c 4 verreitertF dei ist c die kritishe ulsreite = 1+ c = 2(5/4) L


vg

@RFQWQA

@RFQWRA

te krzer der uls istD desto shneller luft er useinnderF wei feugungsgitE ter im estnd D knnen die untershiedlihen vufzeiten der roten und luen enteile wieder kompensieren und so den uls wieder komprimierenF her optishe eg @siehe eF RFPQRA ist dnn

S() = S1 + S2 =

D (1 + sin ) cos

@RFQWSA

dei ist = ( + )F xun verwenden wir ds edditionstheorem fr den uosinus cos( + ) = cos cos sin sin wird qleihung @RFQWSA

S() = D cos +

1 sin tan cos

@RFQWTA

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RFS vihtquellen fr optishe wessverfhren

RIW

S2

S1 D b a

eildung RFPQRX Dispersionskompensation mit zwei qitternF her egunterE shied S = S1 + S2 mit S1 = D/ cos und S2 = S1 sin

eildung RFPQSX eufu eines piegelRH

grXviepEvsers

mit

sttigrem

frggE

hie hispersion eines qitters ist d/d = 1/(d cos ) woei d die die qitterkonE stnte istF hmit wird die eglngendispersion

dS dS d = = d d d

D d2 1 sin
3/2 2 ) d

@RFQWUA

xh qleihung @RFQWUA nimmt der optishe eg mit zunehmender ellenlnge zuF hmit lsst sih die normle hispersion in wedien kompensierenF yhne dieE se DispersionskompensationD die unter iineziehung von psern und rismen uh i'ekte zweiter und dritter yrdnung kompensieren knnD wren fsEvser niht denkrF

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RPH

ensoren und wessverfhren

1,01

1,00

0,99

Reflektivitt

0,98

0,97

0,96

0,95

0,94 1e-4 1e-3 1e-2 1e-1 1e+0 1e+1 1e+2 1e+3 1e+4

Energiefluss/[a.u.]

eildung RFPQTX hemtisher erluf der e)ektivitt in einem sttigbaren

Bragg-Spiegel

4.5.2.2 Sttigbare Bragg-Spiegel als Anwendung von MQW-Schichten


iin esonders elegnter eufu eines uurzpulsEvsersystems verwendet sttigbare Bragg-SpiegelRI ls sttigres wediumF uonventionelle sttigre eE sorer hen eine fndreite und eine wittenfrequenzD die vom wteril hngtF endererseits ist eknntD dss die freite der fndlke ei rlleitermterilien durh die iinstellung des wishungsverhltnisses ei ternren und quternren wterilien in weiten qrenzen einstellr istF hurh die erwendung von hihtE strukturen knnen so hohwertige optishe hihten mit einstellrer fndreite und einstellrer prequenz erzeugt werdenF enn die optishe sntensitt ei der feleuhtung eines rlleitermterils eine mterilhngige hwelle ershreitetD e(ndet sih ein qrossteil der ilektroE nen des lenzndes in einem ngeregten ustnd im veitungsndF hs wteril wird lso trnsprent und ndert dmit uh seinen BrechungsindexF enn nun ein wultishihtsystem so erzeugt wirdD dss es ei hohen sntensitten eine eE )ektivitt in der xhe von I htD dnn knn dies wie ein sttigrer sorer wirkenF hs in der eildung RFPQS gezeigte vsersystemRH verwendet einen sttigbaren Bragg-SpiegelD mrkiert mit AFPSA @ntiresonnt priEerot sturE le sorerAF her uurzpulslser wird durh zwei vserdionen er jeweils eine trhlformungsoptik gepumptF els ktives wedium wird ein grXviepEuristll verwendetF hie euskopplungseite des vserresontors einhltet zwei rismen zur DispersionskompensationF hs ndere inde des esontors wird durh einen sttigbaren Bragg-Spiegel geildetF hie hihtfolge in diesem piegel ist im iinstz links ngegeenF hie shemtishe uennlinie eines sttigbaren Bragg-Spiegel in der eilE dung RFPQT zeigtD dss die e)ektivitt mit steigender sntensitt zunimmtF hmit htD wie ei den sttigren esorern der intensivste ller eim iinshlten nE

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RFT yptishe wessverfhren

RPI

shwingenden ulse die grsste erstrkungF xur dieser uls wird im weiteren erluf durh den vser verstrktF iin sttigbarer Bragg-Spiegel us Alx Ga1x As/AlAs limitiert die ulsweite uf QR fsRIF her in der eildung RFPQS gezeigte AFPSA sttigbare BraggSpiegel ermgliht durh eine geshiktere eusnutzung der wterilien eine irhE hung der fndreite und dmit eine ulslnge von IW fsF hurh eine uomintion der wterilien Al0.8 Ga0.2 As und CaF2 sind fndreiten von 500nm um eine wittenfrequenz von 800nm mglihRIF hmit knnen mit einem vser nlog zur eildung RFPQS ulse mit einer vnge von weniger ls 10f s erzeugt werdenF

4.6 Optische Messverfahren


sn diesem eshnitt sollen einige grundlegende optishe wessverfhren diskutiert werdenF her eshnitt erhet keinen enspruh uf ollstndigkeitF her interesE sierte veser wird uf erke wie ds von erezQH oder hemtrderQV verwiesenF

4.6.1 Absorptionsmessung
esorption und hispersion hngen in einem klssishen wodellQV eng zusmE menF wn eshreit ds optishe wedium ls eine mmlung von getrieenen hrmonisher yszilltoren der porm

m + 2 x + kx = qE0 ejt x

@RFQWVA

ie lih ist m die wsse eines oszillierenden eilhensD k die pederkonstnteD q die vdung uf der wsseD der hmpfungstermF etzt mn nun = 2/m und 2 0 = k/m und setzt ls vsung x = x0 exp jt nD so ekommt mn

x0 =

2 m (0

qE0 2 + j)

@RFQWWA

hurh die erzwungene hwingung der vdung q entsteht ein induziertes elekE trishes hipolmoment

P = qx =

q 2 E0 ejt 2 m (0 2 + j)

@RFRHHA

fei N yszilltoren pro olumen ist die induzierte elektrishe olristion P pro olumeneinheit durh

P = N qx

@RFRHIA

gegeenF hie olristion ist jedoh in der ilektrodynmik uh mit der induE zierenden elektrishen peldstrke E durh

P = ( 1) 0 E

@RFRHPA

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RPP
Lichtquelle Medium

ensoren und wessverfhren


Detektor 1 L Detektor Referenz 2

eildung RFPQUX eufu zur wessung einer esorption verknpftF hie reltive hielektrizittszhl hngt mit der frehzhl n er

n=

@RFRHQA

zusmmenF hurh uomintion von @RFRHHA is @RFRHQA erhlt mn

N q2 2 0 m (0 2 + j) hie frehzhl n() ist komplex und knn deshl ls n2 = 1 + n() = n j

@RFRHRA

@RFRHSA

geshrieen werdenF fehtet mnD dss die vihtgeshwindigkeit c im wedium von der frehzhl n hngt @c = c0 /nA und setzt dies in die qleihung einer eenen elle E = E0 exp [j (t Kz)] ein und erksihtigtD dss Km = nK0 istD so ekommt mn

E = E0 eK0 z ej(tn K0 z) = E0 e2z/ ejK0 (c0 tn z)

@RFRHTA

iine elektromgnetishe elle wird in einem wedium entsprehend dem qesetz

E(z) = E0 e(2/)z

@RFRHUA

geshwhtF her smginrteil des frehungsindexes ist fr die esorption zuE stndigF fei qsen ist n nur unwesentlih grsser ls IF is gilt dnn in guter xherungD dss n2 1 2(n 1) istF etrhten wir den elE und den smE ginrteil in der xhe einer esonnzfrequenzD ist lso | 0 | 0 so erhlt mnQV

= n

N q2 80 m0 ( 0 )2 + 2 4 0 N q2 = 1+ 40 m0 ( 0 )2 +

@RFRHVA @RFRHWA

2 4

sn der vitertur wird ds esorptionsgesetz liherweise mit sntensitten forE muliertF hie vihtintensitt wird eim hurhgng durh ein wedium wie

dI = Idz

@RFRIHA

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RFT yptishe wessverfhren


Licht- Chopper quelle Medium Detektor 1 L Detektor Referenz Referenz fr Lock-In 2 Lock-In Lock-In

RPQ

eildung RFPQVX eresserter eufu zur wessung einer esorption mit ghopE pern geshwhtF eus dieser qleihung folgt ds feerEvmert9she esorptionsE gesetz

I(z) = I0 ez

@RFRIIA

hie us einem klssishen wodell fr eine etom geleitete esorption knn in den feerEvmert9shen esorptionskoe0zienten durh qudrieren umgerehnet werden @die sntensitt ist proportionl zum udrt der emplitudeAF

2 4 =2 =2K

@RFRIPA

hie eildung RFPQU zeigt einen eufu zur wessung der esorptionF hs viht us einer uelleD entweder polyhrom oder monohrom und eventuell durhstimmE rD wird durh ds zu untersuhende wedium der vnge L geshiktF hie vnge des wediums muss so emessen werdenD dss der hetektor 1 in einem fereih etrieen wirdD in dem sein ignlEzuEushEerhltnis noh gengend istF fei roen mit einem grossen muss die vnge klein seinD ei roen mit einer kleinen esorption wie ei qsen ist eine grosse irkungslnge notwendigF h die vihtquellen niht immer stil reitenD oder d sieD wenn sie in der prequenz durhgestimmt werdenD ihre sntensitt ndernD ist es oftmls notwendigD den in eildung RFPQU ngegeenen eferenzzweig zu verwendenF hs ignl des hetektors 1 wird durh ds ignl des hetektors 2 geteiltF h die uennlinie der verwendeten hetektoren nihtliner sein knnD sollten eide mit etw der gleihen vihtintensitt etrieen werdenF fei einem emp(ndlihen wessufu knnen lngsme hwnkungen des mE geungslihtes wie uh niht zu kontrollierende treulihtquellen strenF ie im eshnitt PFV er ushen gezeigtD sind wessungen er lnge eiten esonders vom 1/f Eushen etro'enF heshl wird ei den meisten optishen wessungen ds viht mit einer prequenz von etw 1kHz moduliertF yft wird dies wie in der eildung RFPQV gezeigtD ein ghopperrd verwendetF wit einer vihtshrnke wird die ktfreqenz gemessen und ls eferenz in die den hetektoren nhgeshlE teten vokEsnEerstrker eingespiesenF hmit lssen sih die meisten trquellen gengend strk unterdrkenF

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RPR
Licht- Chopper quelle Medium

ensoren und wessverfhren


Detektor 1 Lock-In

Detektor Referenz Referenz fr Lock-In 2

Lock-In

eildung RFPQWX eufu zur wessung der e)ektivitt


Licht- Chopper quelle Polarisator Medium Analysator Detektor 1 Lock-In

L Detektor Referenz Referenz fr Lock-In 2 Lock-In

eildung RFPRHX eufu zur wessung der olristion

4.6.2 Reexionsmessung
iine e)ektivittsmessung @eildung RFPQWA ist hnlih ufgeut wie eine eE sorptionsmessungF hs viht us einer wird in einen eferenzstrhl und einen eststrhl ufgeteiltF feide werden mit einem Chopper-Rad getktetF hs reE )ektierte viht wird gesmmelt und uf einen hetektor gerhtF hie e)exion knn spekulr oder di'us seinF iine mglihe enwendung von e)exionsmessungen ist die festimmung von hdsto'en in der vuftF iine ndere mglihe enwendung ist die wessung der induzierten rnsprenz oder der induzierten frehzhlnderung in rlleiterE proenF hei mssen jedoh sehr kleine ntershiede der e)ektivitt in der qegenwrt eines grossen ntergrundes estimmt werdenF

4.6.3 Polarisationsmessung
euh der eufu fr olristionsmessungen @eildung RFPRH ist sehr hnlih dem eufu zur wessung der esorptionF hs viht us einer wird in einen efeE renzstrhl und einen eststrhl ufgeteiltF feide werden mit einem Chopper-Rad getktetF her olristionszustnd des eststrhls wird in einem olristor vor der roe festgelegtF nh der rnsmission der roe wird der olristionszuE stnd mit einem enlystor usgemessenF her restlihe eufu ist nlog zu weiter oen diskutierten ersuhsufutenF hie wessnordnung nh eildung RFPRH knn zum eispiel enutzt werdenD um den uerrEi'ekt oder die ghirlitt von woleklen uszumessenF

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RFT yptishe wessverfhren


l Q 2 a b a f

RPS

eildung RFPRIX rismenspektrometer

4.6.4 Spektrometer und Polychromatoren


pektrometer dienen zur wessung der ellenlngenhngigkeit der sntensitt von vihtF hieses viht knn entweder direkt von einer uelle geleitet seinD oder er ds esultt eines optishen ixperimentes seinF

4.6.4.1 Prismenspektrometer
iin geruhlihes pektrometer wenn die spektrale Ausung niht llzu hoh sein sollD ist ds rismenspektrometer nlog zur eildung RFPRIF xh erezQH knn die hispersion von qls durh

n = A1 + A0 + A1

+ A2

+ A3

+ A4

=
i=1

Ai 2i

@RFRIQA

eshrieen werdenF pr eine estimmte qlssorte sind die rmeter

A1 A0 A1 A2 A3 A4

= = = = = =

1.0108077 102 2.2718929 1.0592509 102 2.0816965 104 7.6472538 106 4.9240991 107

@RFRIRA

hie hispersion eines wterils dn/d knn us der qleihung @RFRIQAerehnet werdenF ir setzen f = n2 und erhlten 2i1 d( f ) 1 df dn i=1 (i 1)Ai = = = @RFRISA d d 2 f d A 2i
i=1 i

fezeihnet mn mit den inkel zwishen dem einfllenden trhl vor dem rism und dem ds rism verlssenden trhlD so knn mn die inkeldispersion

Dw

d d dn = d dn d

@RFRITA

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RPT

ensoren und wessverfhren

her zweite erm hngt nur vom wteril D der erste erm eshreit die qeometrieF xh erezQH gilt fr rismen

sin sin

= = = =

n sin n sin + +

@RFRIUA

h und konstnt sindD gilt uh

d dn 0 d + d cos d
hrus folgt

d dn = dn sin + n cos d = 0 = dn sin + n cos d =

@RFRIVA

sin n cos d sin n cos sin sin d = = = dn cos cos dn cos cos cos cos cos

@RFRIWA

sm winimum der elenkung ht eine nderung des iinfllswinkels nur einen kleinen iin)uss uf die elenkungF her eusgngswinkel hngt wie

cos 2OS sin b 2 2 = = cos OS cos von den iingngsgrssen F hie inkeldispersion ist lso 2 sin d = dn cos Dw =

2 2

@RFRPHA

b dn @RFRPIA d enn mn ds pektrum in der frenneene einer vinse mit einem hirm oder einer gghEumer eohtetD entigt mn die vinerdispersion b dn D = f Dw = f d hs eu)sungsvermgen eines rismenspektrogrphen ist er A
@RFRPPA

@RFRPQA de(niertF enn die optishen ilemente von gengender ulitt sindD dnn hngt ds eu)sungsvermgen des pektrometers von der feugung des vihtes m iintrittssplt F fei einem @uh (ktivenA plt der freite B ist die rlE wertsreite des feugungsmusters nh yleigh X 1 =
2

f B

@RFRPRA

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RFT yptishe wessverfhren

RPU

M2 Sp2 Detektor G

Sp1

M1

eildung RFPRPX qitterspektrometer hmit wird

X1 =
2

f = l f (b/l) (dn/d) b(dn/d)

@RFRPSA

omit ist ds eu)sungsvermgen eines rismenspektrometers durh

A0 =

dn = D =b f d

@RFRPTA

enn mn ds fild des pltes vor der vihteene in der hetektionseene verE grssertD dnn wird

s D

@RFRPUA

er die qrsse des fildes s festgelegtF hmit ist ds eu)sungsvermgen

= D s hs rismenspektrometer ist optiml eingestelltQHD wenn A= f D s =b dn d

@RFRPVA

s = A =

@RFRPWA

giltF ypisherweise knn mn ein eu)sungsvermgen @ei voll usgeleuhtetem rism3A von A = 2000 erreihenF

4.6.4.2 Gitterspektrometer
sn einem Gitterspektrometer wird ein feugungsgitter ls dispersives ilement verwendetF eildung RFPRP zeigt einen typishen eufu eines solhen pektroE metersF viht tritt durh einen iintrittssplt ein und wird durh den rohlspiegel

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RPV

ensoren und wessverfhren

M 1 in prlleles viht umgewndeltF ie ei einer vinse wird der 'nungswinkel durh eine Numerische Apertur hrkterisiertF hs prllele viht wird durh ds qitter G in seine spektrlen enteile zerlegtF iine estimmte ihtung wird durh den rohlspiegel M 2 uf den eustrittssplt fokussiertF rinter diesem e(nE det sih der hetektorF elterntiv knn nstelle der uomintion us plt und hetektor ein einE oder zweidimensionler hetektor verwendet werdenF hies knn eine hiodenzeileD eine gghEeile oder ein )henhfter gghEhetektor seinF m eine optimle imp(ndlihkeit zu erreihen mssen die folgenden orussetE zungen erfllt seinX hs zu untersuhende viht muss einen zur xumerishen epertur des qitE terspektrometers pssenden 'nungswinkel henF sst der 'nungswinkel zu geringD wird ds qitter niht voll usgeleuhtetX die mglihe Ausung wird niht erreihtF hie plt'nung muss so emessen seinD dss gengend viht pssieren knn und dss die feugung noh keinen estimmenden iin)uss uf die wessung htF hie enzhl vinien pro vnge des qitters muss zum gewnshten ellenlnE genumfng und zur gewnshten Ausung pssenF her eustrittssplt @oder die qrsse der ixel der gghA muss n den iinE trittssplt ngepsst seinF
hie feugungsersheinungen n einem qitter knnen mit einer ektorgleihung eshrieen werdenF sst a der qittervektor des qitters und ist k0 der ellenvektor des einfllenden vihtes und k der ellenvektor des gestreuten vihtesD so gilt mit der ereinrung K = k k0

a K = m 2

mZ

@RFRQHA

hiese qleihung knn uh mit inkeln formuliert werdenF ei 0 der inkel des einfllenden vihtes zur enkrehten uf ds qitter und sei der entsprehende inkel des geeugten vihtes und sei 0 D dnn ist

a (sin + sin ) = m

mZ

@RFRQIA

hs qitter soll nun N plte henF ir setzen u = 0 D woei = sin und 0 = sin 0 die ihtungskosinusse der geeugten und der einfllenden elE le sindRPF hie pltreite eines einzelnen pltes sei F hnn ist die gestreute sntensitt hinter dem qitter

I(u) = N 2 2

sin(u) u

sin(N ua) N sin(ua)

@RFRQPA

enn ds qitter niht voll usgeleuhtet wirdD muss fr N die enzhl eleuhE teter qitterstrihe eingesetzt werdenF

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RFT yptishe wessverfhren


Gitter Gitter

RPW

1.5

1.5

I 1 0.5 0.5 0 -8 -6 -4 -2 0 u 2 4 6 8 0 -1.5 -1 -0.5 0 u 0.5 1 1.5

eildung RFPRQX sntensitt des geeugten vihtes ls punktion der enzhl eE leuhteter plteF vinks ist eine ersihtD rehts die hetilnE sihtF on unten nh oen sind N = 3DT und IP eleuhtete plte drgestelltF hie sonstigen qitterprmeter sind a = 1 und = 0.1 eildung RFPRQ zeigt den sntensittsverluf in ehngigkeit der enzhl eE leuhteter qitterstrihe N F eus @RFRQPA ist ersihtlihD dss die sntensitt wie N 2 sih verhltF enn lso ein qitter in einem qitterspektrometer niht rihtig usE geleuhtet istD verliert mn sehr shnell sehr viel n sntensitt uf dem hetektorF hie rhe der feugungsmxim ist durh

Im (u) = N

2 2

sin(u) u

@RFRQQA

gegeenF eiter knn mn erehnenD dss die freite eines wximums proporE tionl zur eleuhteten freite L = N a istF hie inkeldispersion eines qitters wird us @RFRQIA erehnetX

a cos d = md

mZ

@RFRQRA

sm qegenstz zu einem rism werden lngere ellenlngen strker geeugtF hie inkeldispersion ist

Dw =

d m 1 sin m sin 0 = = d a cos m cos m

mZ

@RFRQSA

pr hhere yrdnungen ist die inkeldispersion lso grsserF enlog zum rism knn uh ei einem qitter eine linere hispersion de(niert werdenF

D = f Dw =

f sin m sin 0 cos m

mZ

@RFRQTA

euh eim qitter git es einen iinfllswinkelD ei dem die elenkung miniml istF her elenkwinkel ist 0 F hrus folgtD dss

d d cos 0 = 1= d0 d0 cos

@RFRQUA

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RQH
Lichtquelle

ensoren und wessverfhren


Detektor

eildung RFPRRX eufu eines priEerotEpektrometer sein mussF wn siehtD dss entweder = 0 oder = 0 sein mussD um einen ixtremwert von zu erhltenF her erste pll entspriht dem niht geeugten trhl und ist niht von snteresseF iine enlyse der zweiten eleitung zeigtD dss dort die elenkung des trhls ein winimum htF hs eu)sungsvermgen eines qittersQH ist

A=

L = m N = (sin m sin 0 )

mZ

@RFRQVA

um feispiel ht ein qitter mit einer freite von 2cm und 500vinien/mm eE kommt mn A = 20000F hs eu)sungsvermgen ht ein wximumF sn @RFRQVA knnen die eiden inus dem fetrge nh mximl I werdenF elso gilt

A=

L L 2L (sin m sin 0 ) (1 + 1) =

@RFRQWA

pr ds vorhin diskutierte qitter ist lso A 80000 ei einer ellenlnge von = 0.5mF h ei hheren yrdnungen m die mximle sntensitt shnell nimmtD wird mn ein qitter im llgemeinen mit einer yrdnung in der xhe von eins etreienF iin qitterspektrometer ht ei gleiher qrsse von qitter oder rism etw eine zehn ml essere AusungF

4.6.4.3 Fabri-Perot-Spektrometer
enn eine sehr hohe spektrale Ausung gefordert istD verwendet mn hu(g Fabri-Perot-SpektrometerF fei diesen pektrometern wirdD wie in der eilE dung RFPRR gezeigtD viht in einen optishen esontor eingekoppeltF h ds liht teilweise mit sih seler interferiertD knnen nur iigenmoden des esontors oder prequenzen in deren xhe durh den esontor propgierenF enn R die fr eide piegel gleihe e)ektivitt istD und M = 4R/(1 R2 )istD dnn wird die trnsmitE tierte sntensitt

It () =

Imax 1 + M sin2 ()

@RFRRHA

ist dei die hsenveshieung eim mluf um den esontorF eildung RFPRS zeigt den sntensittsverluf ls punktion der hse fr M = [15,80,360,1520]F

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RFT yptishe wessverfhren


Fabr-Perot Interferometer 1

RQI

0.8

0.6 I 0.4 0.2 0 -3 -2 -1 0 phi 1 2 3

eildung RFPRSX uennlinie eines priEerotEsnerferometers fr e)ektivitten von HFTD HFVD HFW und HFWS eziehungsweise erte von M von ISD VHD QTH und ISPH @von oenA ir etrhten nun einen vihtstrhlD der unter dem inkel zur ehse des Fabri-Perot-Interferometers uf ds snterferometer tri'tF enn weiter der eE stnd der eiden plnprllelen piegel L seiD ist die hsendi'erenz im frennE punkt der vinse durh

2 2L cos @RFRRIA gegeenF hie hsendispersion @ds quivlente zur inkeldispersionA wird dnn = 2L cos @RFRRPA 2 enn mn nnimmtD dss 1 die miniml messre hsendi'erenz ei der 2 rlwertsreite der rnsmissionsfunktion istD dnn ist die miniml u)sre ellenlngendi'erenz = 1 /|D |F hmit ist ds eu)sungsvermgen durh D = 2
2

M 2 L cos = gegeenF wit den he(nitionen A= 2L cos 1 1 M 2 R 2 F = = 2 1R p =


wird ds eu)sungsvermgen

@RFRRQA

@RFRRRA

A = pF

@RFRRSA

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RQP w F e (pm) HFTH IS T 0.24 106 P HFVH VH IR 0.56 106 HFVW HFWH QTH QH 1.2 106 HFRP

ensoren und wessverfhren HFWS ISPH TI 2.45 106 HFPI HFWW QWTHH QIQ 125 106 HFHHR

elle RFIPX eu)sungsvermgenD kleinste u)sre ellenlngennderung und pinesse eines priEerotEsnterferometersQHF hie konstnten erte sind = 0.5mD L = 1cm und 0F drus folgt p = 40000F

I1(t)

KDP Filter

Detektor

I2(t+t) Dx Retroreflektor

eildung RFPRTX yptisher uorreltor hie qrsse F heisst FinesseF p ist die snterferenzordnungF hie elle RFIP zeigt eine usmmenstellung der erreihren AusungF hiese ist fr niht llzu gute piegel etw IHH is IHHH ml esser ls qitterspektrometer und etw IHHH is IHHHH ml esser ls rismenspektrometerF

4.6.5 Messverfahren fr kurze Zeiten


hie wessung ultrkurzer ulse sowie die wessung von orgngenD die krzer ls etw eine ps sindD sind mit rein elektrishen erfhren niht mglihF hie este eitu)sung erreihen optishe erfhren und elektrooptishe erfhrenF iin optisher uorreltorD wie er in eF RFPRT gezeigt esteht us einem trhlE teilerD in dem der nkommende uls geteilt wirdD einer erzgerungsleitungD die einen uls zeitlih verzgert wirdD sowie einem nihtlineren wediumD in dem die eiden ulse erlgert werdenF her einkommende uls soll die sntensitt I(t) = c0 E 2 (t) und die rlwertsreite T F hieser uls wird in zwei eilpulE se I1 (t) und I2 (t) ufgeteiltF hei durhlufen die eiden ulse untershiedlihe ege S1 und S2 F her eguntershied S = S2 S1 ist quivlent zu einem eitE untershied = S/cF xh der erlgerung der eiden ulse ist die sntensitt

I(t, ) = c0 [E1 (t) + E2 (t + )]2 = c0 [E0 (t) cos t + E0 (t + ) cos (t + )]2

@RFRRTA

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RFT yptishe wessverfhren iin linerer hetektor mit einer sntegrtionszeit T wrde ds Signal

RQQ

S (1) =

I(T, ) =
2 E0

= c0

1 2T 1 + T

+T

I(t, )dt
T +T

E0 (t)E0 (t + ) cos t cos (t + )dt @RFRRUA


T

pr eiten T D die gross gegen die ulsduer T sindD knn ds sntegrl er lle eiten erweitert werdenF els esultt wird die uorreltionsfunktion erster yrdnung G(1) erhltenF
+

G ( ) =

(1)

E(t) E(t + ) E(t)E(t + ) dt = 2 (t) E E 2 (t)

@RFRRVA

messenF en den qrenzen ht die uorreltionsfunktion G(1) die erte G(1) (0) = 1 und G(1) () = 0F fei monohromtishem viht wrde die punktion G(1) ( ) mit der eriode T = /(2c) oszillierenF h jedoh kurze ulse niht monohromtish sindD vershmiert sih die uorreltionF iin lngsmer hetektorD dessen eitkonE stnte viel grsser ls die ulsduer istD misst ein konstntes ignlF hies muss so seinD d ds eusgngssignl des hetektors proportionl zur eingestrhlten inergie und niht proportionl zur eingestrhlten veistung istF m eine zeitliche Ausung zu ekommenD ist es notwendigD einen nihtliE neren hetektor zu verwendenF iine uomponente der ertrgungsfunktionQV knnte

I (2,t, ) = A [I1 (t) + I2 (t + )]2

@RFRRWA

seinF hie uonstnte A git die trke der xihtlineritt nF hs ignl ei der prequenz 2 ist

S(2,t) =

A T

I(2,t, )dt = A

2 2 I1 + I2 + 4 I1 (t) I2 (t + )

@RFRSHA

hie ersten eiden erme sind von unhngigF ie ergeen ein konstntes ntergrundssignlF her letzte erm enthlt die snformtion er die ulsformF xh hemtrder rhrt der pktor R von der eddition der Wahrscheinlichkeiten der hotonen I und P und umgekehrt herF hie uorreltionsfunktion PF yrdnung ist

G(2) ( ) =

I(t)I(t + )dt I(t) I(t + ) = 2 (t)dt I 2 (t) I

@RFRSIA

1 enn I1 = I2 = 2 I istD wird ds detektierte ignl

S(2, ) = A G(2) (0) + 2G(2) ( ) = A 1 + 2G(2) ( )

@RFRSPA

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RQR

ensoren und wessverfhren


Blende

KDP I2(t+t) b I1(t)

Detektor

I(2w) Filter

eildung RFPRUX ntergrundfreier uorreltorF hie xihtlineritt in einem wteE ril wie uh @uliumdihydrogenphosphtA dient zur uorreltiE onF

Farbstofflsung

CCD
eildung RFPRVX weiphotonen)uoreszenz zur wessung von kurzen ulsen pr eine eitverzgerung von = 0 wird ds ignl S(2, ) = 3A mximlF enn die eitverzgerung sehr gross wirdD geht der term G(2) 0D und ds eusE gngssignl wird konstnt S(2, ) = AD er niht nullF hie wessnordnung in der eildung RFPRU ermgliht eine untergrundsfreie wessungF m in einem erdopplerkristll ein ignl ei der prequenz 2 zu erE zeugenD muss sowohl der yrt der eiden smpulse ereinstimmen wie uh der resultierende k EektorF sn der eildung RFPRU ist die yrientierung des uristlls so gewhltD dss zwei hotonen us dem gleihen eilstrhl kein frequenzverdoppeltes hoton erzeugen knnenD d ihre k Eektoren niht mit der qitterorientierung komE ptiel sindQVF xur wenn zwei hotonen us je us einem der eiden eilstrhlen sih erlgernD stimmt die smpulsedingung und ein frequenzverdoppeltes hoton knn entstehenF hie prequenzverdoppelung ist niht der einzige nihtlinerEoptishe i'ekt der

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RFT yptishe wessverfhren ulsform ehtek qussEro(l ryperolishes eknspro(l qleihung 1 I(t) = 0
2

RQS
T

T
HFVVT HFRRI HFQIS nh

fr 0 t T sonst

t exp 0.36T 2

I 2 IFSS und

seh2

t 0.57T

elle RFIQX freiten von eutokorreltionsfunktion hemtrderQV


S 3 2 1 0 0 S 3 2 1 Dt 0 0 t 0 t S 3 2 1 Dt 0 t S 3 2 1 0 0 t S 3 2 1 0 0 t S 3 2 1 0 0 t

vserpuls

eildung RFPRWX eutokorreltionspro(leF qezeigt werden A ein pourierE limitierter ulsD A ein ushpulsD A kontinuierlihes ushenF hie oere eihe zeigt ds wessresultt ei einer wessung mit ntergrundD die untere ei einer untergrundfreien wessung zur irzeugung einer uorreltion zweiter yrdnung entzt werden knnF hie eE ildung RFPRV zeigt shemtish einen eufu zur weiEhotonenEesorption in einer plssigkeitF ieder ist die hrsheinlihkeitD eine esorption ei der hlE en ellenlnge des eingestrhlten vihtes zu erhlten proportionl zum udrt der sntensittF h in dem gezeigten ersuhsufu zwei gegenlu(ge ulse sih erlgernD entsteht ein rumlihes snterferenzmusterF esorption ei der hlen ellenlnge und die drus folgende imission von pluireszenzliht ist uf den rumlihen feE reih der erlppung eider ulse eshrnktF h ddiese pulse senkreht zu ihrer eusreitungsrihtung usgedehnt sindD ist es niht mglihD eine ehselwirkungsE zoneD die kleiner ls HFQ mm istD zuildenF dher ist die zeitliche Ausung der wessmethode fr kurze ulse nh eildung RFPRU uf ulse mit einer vnge grsser ls I ps eshrnktF hie qleihung @RFRSIA zeigtD dss G(2) symmetrish in istF deshl lsst sih us der eutokorreltionsfunktion keine ussge er die ulsform mhenF euh zur eshtzung der ulsduer muss eine wodellnnhme er ds ulspro(l gemht werdenF hie elle RFIQ zeigtD wie die 9gemessene9 ulsduer von der pro(lform hngtF m die ulsform zu estimmen mssten uorreltionen hherer yrdnung @wie die prequenzverdreifhungA gemessen werdenF eildung RFPRW zeigt shliesslihD dss uh weisses ushen @iehe eshnitt

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RQT
Beschleunigungs- Anode spannung

ensoren und wessverfhren


Photokathode Bildverstrker

Spalt

Photo- Fokussier- Ablenk- Leuchtkathode elektrode platten schirm

Licht- Anode leiter

eildung RFPSHX eufu einer trekEumer

eildung RFPSIX hlten eines ellenleiters mit optishen ulsen PFVA ein eutokorreltionssignl erzeugtF m ulse eindeutig nhzuweisen muss die punktion 1 + G(2) ( ) mglihst genu gemessen werdenF

4.7 Elektrooptische Messverfahren fr kurze Zeiten


iine kominierte elektrooptishe wethode zur wessung kurzer ulse stellt die Streakkamera nh eildung RFPSH drF fei einer trekkmer wird ds zu messende viht @entweder monohromtish oder ls pektrumA linienfrmig uf eine hotokthode gerhtF hie hotoelektronen werden durh eine pokussierelekE trode fokussiert und dnn mit elenkpltten gelenktF enn n die elenkpltE ten eine shnell nsteigende mpe ngelegt wirdD dnn wird die zeitlihe efolge des ignls uf dem leuhtshirm rehts in der eildung durh die osition koE diertF hs fild uf dem leuhtshirm wird letztlih mit einem fildverstrker soweit intensiviertD dss es uf einem veuhtshirm mit gengender sntensitt etrhtet oder dss es mit einer gghEumer ufgezeihnet werden knnF trekkmers hen eine zeitliche Ausung von 400f s is etw 8ps hngig von der enE stiegsgeshwindigkeit der elenkspnnungF iine weitere wglihkeit shnelle ignle zu generieren oder zu messen stelE

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RFV ilektrishe wessverfhren fr kurze eiten


n

RQU

# Messung

Zeitverzgerung t

eildung RFPSPX eitkorreliertes iinzelphotonenzhlenF hie vertikle ehse zeigt die einzelnen wessungenF rorizontl ist jeweils ein roter flken eingezeihnetD wenn ei einer estimmten erzgerungszeit ein hoton gemessen wurdeF hie grne uurve ist die ummenhuE (gkeitF len hotoshlter drF eildung RFPSI zeigt einen shemtishen eufu eines ixperimentes zur wessung der eusreitungseigenshften von ulsen uf einem treifenleiterF iine pnnung U wird n den treifenleiter ngelegtF her treiE fenleiter soll uf einem hohohmigen rlleitersustrt ufgerht werdenF hie weinroten treifen im wteril stellen tellen drD in denen durh viht ilektronen ins veitungsnd ngeregt werden knnenF enn nun ein vihtpuls uf der linken eite des ustrtes die eiden veiter des treifenleiters @siehe uh eshnitt RFQFPA kurzgeshlossenF hdurh entsteht ein elektrisher ulsD der uf dem treiE fenlveiter sowohl nh links wie uh nh rehts propgiertF enn nun mit einem zweiten vserpulsD verzgert um t der zweite hlter kurzgeshlossen wirdD nE dert sih im wittel die eusgngsspnnung m rehten indeD je nhdem o der durhlufende ulsD erzeugt vom ersten vserpuls gerde whrend des uurzshlusE ses eim zweiten hlter voreipropgiert oder nihtF hie hltung ist nlog zu rein optishen umpEroe ixperimentenF

4.8 Elektrische Messverfahren fr kurze Zeiten


eildung RFPSP zeigt ds rinzip einer zeitkorrellierten iinzelphotonenmessungF hs MessgertD in diesem plle eine wesskrteRQ in einem g strtet ei jeE dem riggerpuls us einem uurzpulslser eine elektrishe mpenfunktionF her riggerpuls ist us einem uls geleitetD mit dem die roe eleuhtet wird um die vumineszenz nzuregenF ird innerhl des wessfenstersD ds heisstD innerE hl der vufzeit der elektrishen mpenfunktionD ein vumineszenzphoton detekE tiertD dnn wird die mpenspnnung zum eitpunkt des iintre'ens mit einem mpleGroldEqlied gespeihert und spter digitlisiertF sn einem peiher wird n der zur digitlisierten pnnungD lso zur eitD gehrigen telle der hlwert um eins erhhtF

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RQV

ensoren und wessverfhren

Laser Probe Detektor

Detektor Trigger

eildung RFPSQX rinzip der vumineszenzmessung mit einer zeitkorrellierten wessmethodeRQF xh einer gengend lngen sntegrtionszeit steht in den peihern die eitfunkE tion ereitF eildung RFPSQ zeigt einen entsprehenden wessufuF hie imp(ndE lihkeit dieses wessufus istRQ

S=

Rd N/T Q

@RFRSQA

woei Rd die hunkelzhlrte istF Q ist die untene0zienz des hetektorsD N die enzhl unle und T die wesszeitF pr eine wesszeit von T = 1s und N = 256 unle erhltm mn folgende imp(ndlihkeitenX qrsse Q Rd S hotomultiplier HFI I ITH evlnhediode I HFS IHH QPH evlnhediode P HFV PH WH

te nh yp des hetektors ist die hetektionsgrenze zwishen < 100 und etw QHH hotonen pro ekundeF hie erreihre eitu)sung hngt von der qeshwinE digkeit der hetektoren und ihrem titter F hotomultiplier hen typisherweise eine eitu)sung von 200ps . . . 1nsF wikroknlEhotomultipliers sind shneller ls 50psF evlnheEhioden hen eine eitu)sung zwishen 50ps . . . 200psF eildung RFPSR zeigt eine wessung der vumineszenzklingzeit von qx mit der zeitkorrellierten iinzelphotonenmethodeRRF els enregungsliht wurde eine ulsfolge us einem iphirEvser mit etw 200f s ulsreite und einer iederE holfrequenz von 80M hz verwendetF qezeigt ist die eklingzeit n zwei vershieE denen yrtenF fei periodishen ignlen knn uh eine berabtastungD english Oversampling erfolgenF iine ertstung ist eine ewusste erletzung des Abtasttheorems von NyquistD wie es im eshnitt PFTFPFI esprohen wurdeF enn ds zu untersuhende ignl eine reltiv shmle fndreite esitztD dnn knn mn durh eine tiefe hl der etstfrequenz ds iingngssignl zu tieferen preE quenzen hin vershieen und trotzdem mit formgetreu tstenF ihtig istD dss der mpleGroldE erstrker m iingng einen sehr kleinen Jitter hen mussF eildung RFPSS zeigt zwei feispiele einer wessung mit ertstungF hie senkrehten roten trihe zeigen den eitpunkt der jeweiligen etstungF hs grE

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse

RQW

eildung RFPSRX wessung einer vumineszenzklingkurve mit der zeitkorrellierE ten iinzelphotonenzhlungRR

eildung RFPSSX euswirkung des Oversamplings uf eine wessungF ne ignl ist ds iingngssignlF eus der etstung resultiert ds lue ignlD ds uh ei niht sinusfrmiger emplitudenform die ignlform rihtig wiedergitF prequenzE und eitdrstellung sind im xormlflle durh eine Fouriertransformation ineinnder erfhrrF eildung RFPST links eine hypothetishe ulsE form und rehts dvon die FouriertransformationF is giltD dss wenn ulse krzer werden dss dnn ihre fndreite zunimmtF hs rodukt us fndreite und ulsreite ist im xormlfll eine uonstnteF

4.9 Elektrische Spektralanalyse und Netzwerkanalyse


fei sehr hohen prequenzen verwendet mn hu(g nstelle von wessungen im eitE ereih wessungen im prequenzereih durhgefhrtF fis etw zu IH wrz werden FourieranalysatorenD eruhend uf der shnellen Fouriertransformation @ieE he uh PFRFPAF pr hhere prequenzen verwendet mn pektrlnlystorenD ei denen die yszilltoren durhgestimmt werdenF eildung RFPSU zeigt den eufE

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RRH
Zeitdarstellung

ensoren und wessverfhren


Frequenzdarstellung

14

1e+5

12

1e+4

10 1e+3

Amplitude

Amplitude
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60

1e+2

1e+1

1e+0

1e-1 0 5 10 15

Zeit

Frequenz

eildung RFPSTX ergleih einer prequenzE und einer eitereihsmessungF

eildung RFPSUX flokshltild eines pektrlnlystorsF u eines solhen SpektralanalysatorsF iin gezhnoszilltor steuert einen in der prequenz stimmren yszilltorF hiese estimmung knnte zum feispiel durh einen hwingkreis mit upzittsdioden relisiert seinF hieses Signal wird in einem wisher mit dem tiefpssge(lterten iingngssignl multipliziertF eus lE len prequenzen fS des iingngssignles wird nur derjenige fereihD der in ds hurhlssnd des wishenfrequenzverstrkers flltD weiter verstrktF hei ist die wishenfrequenz

fZF = fS + fLO

@RFRSRA

h die wishenfrequenz fest istD wird ei einer irhhung der yszilltorfrequenz die detektierte ignlfrequenz erniedrigtF ie ei den vokEsnEerstrkern @siehe uh RFIFWA legt die fndreite des wishenfrequenzverstrkers die fndreite des hetektionssystems festF eus der pilterndreite ergit sih die wesszeitF hie eit zur erstreihung des prequenzereihes ist dei umgekehrt proportionl zum udrt der pilterndreiteQIF hie udrtishe ehngigkeit kommt von wei pktorenX iinerseits mssen ei einer hlen pilterndreite doppelt so viele wesspunkte im zu erstreihenden prequenzereihF qleihzeitig ist die iinstellE zeit uf eine vorestimmte rzision doppelt so lngeF feide i'ekte zusmmen

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse

RRI

eildung RFPSVX flokshltild eines xetzwerknlystorsF ergeen eine qudrtishe ehngigkeitF her eussteuerungsereih des pektrumnlystors wird ei niedrigen egeln durh ds qerterushen und ei hohen egeln durh die nihtlineren erzerE rungen im wisher egrenztF enn sehr hohe prequenzen zu messen sindD dnn verwendet mn yerwellen des loklen yszilltorsF fei einer wessung mit der nEten yerwelle hngen die gemessene prequenzkomponente fS und die wishenE frequenz fZF wie

fS = n fLO + fZF

@RFRSSA

zusmmenF is ist dmit mglihD is zu IV qrz pektren zu messenF h die piegelfrequenzen shlehter unterdrkt werdenD ist die ulitt der wessung niht so gut wie ei pektrlnlystoren mit qrundfrequenzoszilltorenF xeen der hrstellung von modulierten ignlen werden pektrlnlystoE ren insesonders zur wessung von ushsignlen @eshnitt PFVA verwendetF fei ufllsrushen edeutet eine ervierfhung der fndreite eine erdoppelung des ushpegelsF wn ezieht die ushndreite eines pektrlnlystors uf die fndreite eines qussEpiltersF hiese ist etw ds IFPEfhe der QdfE ndreiteQIF

B = 10 lg 1.2

BZF Bref

@RFRSTA

rier ist BZF die fndreite des wishenfrequenzEerstrkersF h in pektrlE nlystoren meistens pitzenwerte gemessen werden und diese mit einem pktor pssend fr eine sinusfrmige hwingung umgerehnet werdenD mssen die geE messenen emplituden ei einer ushmessung um PFS df nh oen korrigiert werdenF fei der xetzwerknlyse nh eildung RFPSW wird ein von einer uelle stmE mendes eknntes Signal n den iingng eines xetzwerkes gelegtF hs ertrE gene Signal und ds re)ektierte Signal werden gemessenF feim re)ektierten ignl werden

ds tehwellenverhltnis die Ermeter S 21 und S 12 der e)exionskoe0zient

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RRP

ensoren und wessverfhren

eildung RFPSWX rinzipieller eufu eines pektrumnlystorsF

die smpednz Z und die k)ussdmpfung


gemessenF hs ertrgene Signal wird durh

die erstrkung oder hmpfungD die Ermeter S 11 und S 22 D den ertrgungsfktorD die hsenvershieung und die qruppenlufzeit
hrkterisiertF eildung RFPSW zeigt den prinzipiellen eufu eines NetzwerkanalysatorsF hie notwendigen Signale werden in einem ignlgenertor erzeugtF wit diesem ignl wird ds zu untersuhende xetzwerk gespiesenF iin kleiner fruhteil der ursprnglihen ignlleistung wird in die hltung zur ignltrennung eingespieE senF hieser ignlnteil dient ls eferenzF hs kre)ektierte ignl wird mit einem ihtkoppler vom iingngssignl getrennt und in die ignltrennungsshlE tung eingespiesenF hliesslih wird ein kleiner fruhteil des ertrgenen ignls weiterverreitetF hie impfngerGhetektorshltung ist nlog zu einem vokEsnEerstrker ufE geut und liefert hse und emplitude des ertrgenen und des re)ektierten ignlsF fei einer e)exionsmessung wird der xetzwerknlystor wie in der eildung RFPTH gezeigtD vershltetF hs von einem ignlgenertor kommende ignl wird in einem T dfEeiler in zwei ignle mit je der hlen veistung ufgetrenntF hs eine ignl @oenA dient ls eferenzF hs ndere wird er einen ihtkopplerSQI in den r)ing eingespiesenF her ihtkoppler trennt ds rkre)ektierte ignl und speist es eenflls in den xetzwerknlystorF

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse

RRQ

eildung RFPTHX hurhfhrung einer e)exionsmessung mit einem xetzwerknE lystorF

eildung RFPTIX hetektionsverfhrenF A ist ein hiodendetektorF A ist ein qrundE wellenmisher und A ein yerwellenmisher hie e)exionsmessung knn verwendet werdenD wenn mn feststellen mhteD o ein uel unterrohen ist oder o es einen uurzshluss htF sn eiden pllen ist die smpednz n der trstelle niht gleih dem ellenwiderstnd des uelX e)ektierte ignle treten ufF heren hse zeigt nD o es sih um einen uurzE shluss oder eine nterrehung hndeltF hie vufzeit hngt von der intfernung der trstelle F ypishe impfngershltungen werden in der eildung RFPTI gezeigtF vinks ist eine einfhe pitzenwertdetektionsshltung mit einer hiode ls qleihrihter und mit einem uondenstor ls pilter ngegeenF hmit lsst sih die iinhllenE de der detektierten ignle estimmenF hs mittlere und ds rehte fild zeigen wishEerstrkerD wie sie uh in dioempfngershltungen eingesetzt werdenF hs iingngssignl wird mit einem um die wishenfrequenz versetzten ignl multipliziert und in einem shmlndigen pilter mit einem festen hurhlsseE reih verstrkt und nshliessend demoduliertF sst die prequenz des iingngssignls zu hohD dnn knn der voklosziltor einen rilfsoszilltor uf einem ielfhen seiner prequenz steuernF hessen ignl wird mit dem iingngssignl gemishtF her verleiende eil der hltung ist nlog zur ursprnglihen hltungF hie hetektion des wishenfrequenzsignls knn entweder sklr oderD wie oen ngesprohenD er einen vokEsn erstrker geshehenF sm ersten plle nennt

eildung RFPTPX emplitudendetektionF

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RRR

ensoren und wessverfhren

eildung RFPTQX hsenmessungF

eildung RFPTRX emplitudenE und hsengng ei einer lineren ertrgungF mn ds qert einen skalaren NetzwerkanalysatorD im zweiten plle hndelt es sih um einen vektoriellen NetzwerkanalysatorF eildung RFPTP zeigt ds punktionsshem eines sklren xetzwerknlystorsF hs eusgngssignl eines Signalgenerators wird in einem TEdfEeiler uf den referenzzweig @untenA und den ignlzweig @oenA ufgeteiltF hs ignl wird in einer wishenfrequenzstufe @pEpilterA entweder direkt nh dem eiler @eferenzzweigA oder nh hurhE lufen des r)ings verreitetF sn eiden weigen wird ds ignl durh einen qleihrihter demoduliertF iin hividierer ildet den uotienten us dem ignl m eusgng des r)ings und dem eferenzsignlF hs esultt wird ngezeigtD oder in ehnern weiterverreitetF ur Phasenmessung wird der in der eildung RFPTQ gezeigte eufu verwenE detF enstelle eines hividierers wird ein phasenempndlicher Detektor verwenE detF hie hrstellung von emplitude und hse wird vielfh mit einem SmithChart durhgefhrtF iine usfhrlihe hiskussion dieser hrstellungsform (ndet sih uf der eseite von pred petrum ene25 F
25 http://sss-mag.com/smith.html

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse

RRS

eildung RFPTSX e)ektierte Signale n einer veitung hngig vom eE shlusswiderstndF fei einer lineren ertrgungskette ist ds erhltnis zwishen der eusgngsE spnnung U aus und der iingngsspnnung U ein der komplexe ertrgungskoefE (zient v F m eine gltige ertrgungsmessung durhfhren zu knnenD muss der xetzwerknlystor mit einer eknnten eststreke kliriert werdenF fei der ntersuhung einer eststreke ist von esonderem snteresseD ds erE zerrungsverhlten zu estimmenF ie mn durh enwendung der ertrgungsE theorie @siehe uh den eshnitt PFQ und folgendeA erehnen knnD ist eine verE zerrungsfreie ertrgung nur dnn mglihD wennD wie in eildung RFPTR die emplitude konstnt und die hse liner istQIF her erste eil dieses wessproE lems knn sowohl mit einem sklren xetzwerknlystor wie uh mit einem vektoriellen xetzwerknlystor gelst werdenF hie hsenmessung jedoh ist nur mit einem vektoriellen xetzwerknlystor durhfhrrF m die irkung einer liner zunehmenden hse zu verstehenD etrhten wir die Gruppenlaufzeit

1 d 1 d = @RFRSUA d 2 df 2 f iine liner nsteigende oder nehmende hse edeutet eine konstnte qrupE penlufzeitF hs heisstD dss jede ignlkomponente ei einer prequenz im fereih der lineren hse um die gleihe zeit verzgert wirdX hs ignl wird lso niht verzerrtF fei einer wessung des e)exionsverhltens wird die us einem wessojekt in die uelle zurkre)ektierte pnnung U R estimmtF ie hngt mit der iingngsE spnnung U ein er tg = UR = ZL Z0 U Z L + Z 0 ein
@RFRSVA

zusmmenF Z 0 ist die @konstntecA smpednz einer ertrgungsstreke und Z L

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RRT
Frequenzgang
0.6

ensoren und wessverfhren


NyquistPlot

0.4 1

0.2

Imaginrteil
0.01 0.1 1 10 100

0.2

0.4

0.6 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

Realteil

eildung RFPTTX vinksX prequenzgng des eshlusswiderstndes fr eildung RFPTUF ehts ist die entsprehende xyquistEhrstellung gezeigtF ist die smpednz des eshlusses der ertrgungsstrekeF is ist lihD einen komplexen Reexionsfaktor

r=

Z Z0 UR = L U ein ZL + Z0

@RFRSWA

zu de(nierenF pr r giltD dss 0 |r| = r 1 istF eildung RFPTS zeigt die qrsse der re)ektierten ignle fr drei plleX uurzshluss @Z L = 0AD veerluf @Z L = A und enpssung @Z L = Z 0 AF hie rkre)ektierte elle interferiert mit der eingespeisten elleF hs dei entstehende wuster von ellenergen und lern hngt vom e)exionsfktor r F sn der entennentehnik ist es lih ds tehwellenverhltnis

SW R =

Umax 1+r = 1r Umin

@RFRTHA

zu verwendenF is giltD dss 1 SW R istF hie rnsformtion des eshlusswiderstndes @RFRSWA ist quivlent zu einer eildung der komplexen iene uf sihF enn lle smpednzen uf den ert Z 0 ezogen werdenD ekommt mn fr r

r=

ZL Z0 ZL Z0

1 +1 =

z1 z+1

@RFRTIA

hei wurde z = Z L /Z gesetztF hie rnsformtion von z nh r ist eine konforE me eildung uf sih selerF wit dieser eildung nh qleihung @RFRTIA knn im olrdigrmm @siehe eildung RFPTUD linksA direkt der fetrg des e)exiE onsfktors und seine hse gelesen werdenF endererseits knn mn mit der gleihen eildung qleihung @RFRTIA uh die uoordintenhsen und ds qitternetz der Z Eiene ildenF wn trnformiert

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse


SmithChart
Polardarstellung
1
se Ph a
90 1
0.5

RRU

1
0.6

0.7

0.8

0.9

rr

rte
45

Reflexio nsfakto

135

Im ag

0.8

in

il
0.4 3 4 0.2 5 6 7 0.1 0.3

0.6

0.5

0.5

0.4

0.2

Realteil

180

0
0

0.1

0.2

0.3

0.4 0.5

0.6 0.7

0.8

1 0.9

inf

0.1 7 6 0.2 5 4 0.3 3 0.4

0.5

0.5

135

45
0.5 0.6 2

1 1 0.5

1
90

0.7

0.8 0.9 1

0.5

0.5

0.5

eildung RFPTUX hrstellung der re)ektierten Signale in der Polardarstellung und im Smith-DiagrammF hie olrdrstellung zeigtden eE )exionsfktor r und die hse D whrend die mithEhrstellung elE und smginrteil zeigtF
Polardarstellung und SmithChart
as r te e il
90
0.7 0.6 0.5 0.8 0.9 1

Ph

in

Im

ag

Imaginrteil konstant
2

nsfakto

135
0.4 0.3

rr

0.8

45
3 4 5 6 7

0.5
0.2

0.1

0.2

Realteil

0 180

0.1

0.2

0.3

0.4 0.5

0.6 0.7

0.8 1 0.9

Reflexio

0.6

0.4

4 5

0.1 7 6 5 4 0.3 3 0.4

0.2

0.5

135

0.5 0.6 0.7

45

0.8 0.9 1

Realteil konstant

90

0.5

0.5

eildung RFPTVX hrstellung der re)ektierten Signale kominiert in der Polardarstellung und im Smith-DiagrammF lso die qerden mit konstntem elE @iderstndsEA und smginrteilF uonforE me eildungen ilden qerden uf ureise F hie entstehenden uurven @siehe eildung RFPTUD rehtsA heissen dnn Smith-ChartF hie rnsformtion der vinien mit konstntem elE oder smginrteil ist im enhng qFR gezeigtF hie entstehenden yrtskurven sind ureiseD ihre enordnung heisst Smith-ChartF ir wollen nun einen eshlusswiderstndD der sih wie in der eildung RFPTT verhltD in einen Smith-Chart eintrgenF hzu werden der elE und der smE ginrteil uf den qitternetzlinien im fild RFPTU getrgenF hie entstehende rote yrtskurve zeigt ds re)ektierte ignl @zulesen n den usseren ehseneshrifE tungenA ls punktion der eshlussimpednzF

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RRV

ensoren und wessverfhren

eildung RFPTWX ErmeterF yen ist die he(nition gezeigtD unten ds dzugeE hrige plussdigrmm olrdigrmm und mithEghrt knnen kominiert werdenF hies ist in eilE dung RFPTV gezeigtF fei der ferehnung von hltungen mit mithEghrts hilft eine einfhe grphiE she egelF xehmen wir nD Z sei die smpednz und Y /Y 0 = Z 0 /Z die dzugehE rige edmittnz @hulismus iderstnd E veitwertAF Z 0 ist die eferenzimpednzD Y 0 = 1/Z 0 die eferenzdmittnzF hnn liegt der zu Y /Y 0 gehrige unkt im mithEhigrmm ei

rY =

Y Y0 Y Y0

1 +1 =

Z0 Z Z0 Z

1 +1

1 = 1+

Z Z0 Z Z0

Z Z0 Z Z0

1 +1

= rZ

hies edeutetD dss die zu Z/Z 0 gehrige edmittnz Y /Y 0 einfh m unkt r = 0 gespiegelt istF hmit knnenin einem mithEghrt sehr leiht eihenE und rllelE shltungen erehnet werdenF fei eihenshltungen von smpednzen werden die elE und smginrteile ddiertF fei rllelshltungen von smpednzen werden die zugehrigen edmittnzen ddiertF hmit knn sehr leiht us smpednzkurven im mithEghrt der resultierende prequenzverluf konstruiert werdenF ur ntersuhung von komplexeren yjekten wie Transistoren oder erstrE kern fhrt mn sie uf ierpole @siehe uh eshnitt PFSA zurkF sm rohE und rhstfrequenzereih werden evorzugt die S-Parameter verwendetF hie he(E nition der S-Parameter ist in der eildung RFPTW gezeigtF sn qleihungen gefsst ergit sih

b1 = S 11 a1 + S 12 a2 b2 = S 21 a1 + S 22 a2

@RFRTPA

hie qrssen ai und bi knnen mit einem vektoriellen xetzwerknlystor direkt gemessen werdenF hurh wessung in orwrtsrihtung lssen sih mit a2 = 0

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RFW ilektrishe pektrlnlyse und xetzwerknlyse

RRW

S 11 = S 21

b1 a1 b = 2 a1

@RFRTQA

estimmenF sn kwrtsrihtung erhlt mn mit a1 = 0

S 12 = S 22

b1 a2 b = 2 a2

@RFRTRA

hmit sind die uleinsignlprmeter eines r)ings estimmtF

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RSH

ensoren und wessverfhren

4.10 Messung mit Elektronen


ell nning roe wirosopes @wA re sed on similr priniplesF he im of this rtile is to work out the ommon spetsD to eluidte the di'erenesD nd to point to possile pplitions in the (eld of iologyF he nning unneling wirosope @STMAD invented y finnig nd ohrerRS serves s model systemF e summry of the theory of the STM points out the di'erent operting modes nd tehniquesD dels with the prolem of imging nd gives resolution riteriF e detiled introdution to the mehnil end eletroni design of the STM is presentedF hesign rules re worked out to help the uilders of n STM nd to llow the users to judge their instrumentsF en importnt prt of ny STM experiment is the dt quisition nd the imge proessingF gritil points in the dt quisition systems nd ommon imge proessing tehniques re worked outF ell the tehnil issues of the STM re eqully vlid for other w tehniquesF he setion on the STM onludes with the desription of few experimentsF he pplition of the STM to the imging of iologil nd orgni mtter is treted in depth y other ppers in this ookF he nning pore wirosope @pwA is the most suessful o'spring of the STMF he design priniples worked out for the STM re eqully vlid for the pwF he dditionl ritil points of n pw re tretedF peil emphsis is given to the desription of the vrious intertion fores nd the fore sensing tehniquesD inluding the nning pore nd prition wirosope @ppwAF he setion on the pw is losed y presenting few representtive experimentsF he interested reder might lso wnt to onsult review rtiles on snning proe mirosopyRUD RVD RWD SHD SID SPD SQF

4.10.1 Tunneleekt, Bnderstruktur


ome si knowledge of the physis of STM is neessry to judge the relevne of experimentsF he tunneling juntion of STM is quntum mehnil systemY hene si knowledge of quntum mehnis is required to understnd the physisF en overview of methods nd pproximtions used to model the tunneling proess in STM n e found in frto'SRF

4.10.1.1 The Tunneling Current - A Simple Theory


o get (rst intuitive view out eletron tunneling etween the tip nd the smple of n STM we will onsider the textook se of quntum mehnil eletron tunneling etween to in(niteD prllelD plne metl eletrodesF e onE ly tret the simplest se with no time dependent potentilsF ixellent rtiles on tunneling etween in(nite plne prllel metl pltes n e found in the liE tertureSSD STD SUD SVD SWD THD TIF he xis perpendiulr to the plne prllel eletrodes is the z ExisD with its zero on the left side of the tunnel gp @see (gure RFPUHAF

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RFIH wessung mit ilektronen

RSI

eildung RFPUHX goordinte system for lulting the trnsmissivity of one diE mensionl tunneling rrierF he eletron plne wve is inident on the rrier from the left @negtive z ExisAF he two eletrodes re seprted y the distne dF he eletron motion is governed y the hrdinger eqution

(z,t) = H (z,t) t

@RFRTSA

where H is the rmiltonin of the systemF he rmiltonin for simple tunnel 2 2 juntion onsists of kineti energy prt 2m z2 (z,t) nd potentil energy prt V (z) (z,t)F he potentil energy is equl to zero everywhere exept in the rrier etween the eletrodesD from H to d where d is the thikness of the rrierF he wve funtion (z,t) of the eletrons is solution of the eqution
2 2 (z,t) + V (z) (z,t) = i (z,t) = t 2m z 2

@RFRTTA

2 + V (z) (z,t) 2m z 2

he proility to (nd prtile desried y the wve funtion (z,t) t the position z t the time t is

P (z,t) = (z,t) (z,t) = | (z,t)|2

@RFRTUA

o simplify the lultion we will onsider the oneEdimensionl se of tunE neling rrier with potentil independent of timeF he wve funtion (z,t) is written s the produt z (z) t (t)F iqution @RFRTTA n then e seprted nd

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RSP written s

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2 0= z (z) + (E V ) z (z) @RFRTVA 2m z 2 e ssume tht the eletrons re inident on the rrier from the leftF here re three solutions to the hrdinger equtionD t the left of the rrierD in the rrier nd t the rightF yur nstz for this prolem is Aeipz/ + Beipz/ , z<0 kz kz z (z) = Ce @RFRTWA + De , 0zd ip(zd)/ AS(E)e , z>d where p = 2mE, k = 2m(V E) @ee for instne fymTP for detiled tretment of the prolemAF et the oundries of the three regionsD these funtions nd their (rst derivtive must e ontinuousF he funtion S(E) is lled the tunneling mtrix elementF st is mesure for the proility to tunnel from left to right for prtile eing present t the left side of the juntionF tisfying the oundry onditions in eqution @RFRTWA leds to four simultE neous equtions for the (ve prmeters AD B D C D DD S(E)F e n hose n riE trry vlue for the mplitude of the inoming eletron wveD hene we set A = 1F he tunneling mtrix element is for E < V X S(E) = 2i kp 2i kp cosh(kd) + (p2
2 k 2 ) sinh(kd)

@RFRUHA

he tunneling rrier hs oth trnsmissivity nd re)etivityF sn measurement of the tunneling urrentD we n only detet the trnsmissivity RD whih is given y

sinh2 (kd) T (E) = |S(E)| = 1 + 4(E/V )(1 E/V )


2

@RFRUIA

his eqution n e simpli(ed for eletrons with de froglieEwve length muh smller thn the rrier width dD or kd 1F iqution @RFRUIA eomesX

T (E) 16

E V E = 16 V

E V E 1 V 1

exp (2kd) exp( 2 2m(V E)d)


@RFRUPA

o get feeling for the mgnitude of the trnsmission oe0ient T (E) we use vlues for V nd E typil for metlF he zero point of the energy sle is t the ottom of the ondution nd for metlD whih is typilly IP e elow the permi energyF ell eletron sttes etween the ottom of the ondution nd nd the permi energy re (lledD t zero tempertureF he rrier height isD for len metl surfeD out R e ove the permi energyD hene V a IT e nd E a IP eF e further ssume tht the tunneling rrier width is d a I nmF sing these vlues

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RFIH wessung mit ilektronen

RSQ

eildung RFPUIX he trnsmission oe0ient s funtion of the eletron energyF he zero energy orresponds to n eletron t the ottom of the ondution ndF he permi energy for this lultion is set to E = 12 e nd the work funtion is IT eF we will get T (E) 109 for eletrons t the permi energyF pigure RFPUI shows the trnsmission of the tunnel rrier s funtion of the eletron energy E for the ove vlues of V nd dF

4.10.2 Tunneltheorie von Simmons


e n extend this simple piture y inluding the permi distriution to model the eletron energy densityF his llows us to lulte tunneling urrent density for in(niteD plne prllel pltesF e will ssume tht the temperture is H uF he lultion does not provide desription of ll phenomen ourring in tunnelingD ut will eluidte some si spetsF por the tunneling proess only the veloities perpendiulr to the smple surfe mtterF essuming tunneling rrier with position dependent rrier height V (z) we otin in the uf pproximtion

T (E) = exp

s2 s1

[2m (V (z) Ez )]1/2 dz

@RFRUQA

sing the formlism of immonsSS we n lulte the numer of eletrons tunneling from left to right

NLR =

1 me

EM

n(vz )T (Ez )dEz


0

@RFRURA

where the z Eoordinte is perpendiulr to the tunneling juntionD EM is some mximum energy of the eletronsD n(vz )dvz the numer of eletrons per unit volume with veloities etween vz nd vz +dvz D nd me the eletron mssF he trnsmission oe0ient T (E) is given y eqution @RFRUQAF xext we ssume tht the eletrons in the solids re distriuted ording to the

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RSR permiEsttistis f (E)F

ensoren und wessverfhren

m3 n(v)dvx dvy dvz = 3e 3 f (E)dvx dvy dvz @RFRUSA 4 e re only interested in the numer of eletrons in z Ediretion n(vz )dvz F e get this numer y integrting over vx nd vy F m3 n(vz ) = 3e 3 4

f (E)dvx dvy

@RFRUTA

o filitte the integrtion we hnge the integrtion from dvx dvy to polr 2 oordintes vr dvr d nd then to energy using the reltion Er = me vr /2F

n(vz ) =

m2 e 2 2 3

f (E)dEr
0

@RFRUUA

gomining equtions @RFRURA nd @RFRUUA we get for the numer of eletrons tunneling from left to rightX
EM me T (Ez )dEz f (E)dEr @RFRUVA 2 2 3 0 0 he numer of eletrons tunneling from right to leftD NRL is given y n nlogous formulD only the energy E in the permi distriution is repled y E + eVt D where Vt is the is voltge for the tunneling juntionF he urrent density for the tunneling urrent is then given y

NLR =

J = Ne = (NLR NRL )e EM me e T (Ez )dEz = 2 2 3 0

f (E) f (E + eVt )dEr


0

@RFRUWA

he verge potentil V (z) in the rrier is expressed s sum of the permiE energy EF nd potentil (z)F por single eletrode () is ommonly referred to s the work funtion of the metlF immonsSS otins nlytil expressions for the tunneling urrent t temperture of H u using n verged rrier height s = 1/(s2 s1 ) s12 (z)dz F

J =

4 2

e (s)2 2s exp ( 2me 2 )


1

2s + eV exp 2me + eV

1 2

@RFRVHA

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RFIH wessung mit ilektronen

RSS

where s = s2 s1 nd ftor of order I to orret the sustitution of the integrl over the rrier y the verge rrier height F iqution @RFRVHA n e used to evlute the urrent through retngulr rrier @t zero is voltgeA of width s nd height 0
1

(2me 0 ) 2 e J = 4 2 s for V J = e 4 2 s2 eV 0 2

V exp ( 0

2s

(2me 0 ) 2 )

@RFRVIA

exp

2s

2me 2s

eV 0 2 eV 0 + 2

1 2

1 2

eV 0 + 2 for e3 (F/)2 8 2 0 exp V <

exp 0 e

2me

@RFRVPA

J =

2 1 3 2 2 me 0 eF
1 2 2 exp me eF

2eV 1+ 0 for V >

2eV 1+ 0

3 2

@RFRVQA

0 e

where for V > 0 /e the (eld strength is F = V /s nd the orretion ftor = 23/24SSF he tunneling urrent through the retngulr rrier round zero is voltge follows yhm9s lwD wheres the dependene on the rrier width is exponentilF he urrent depends on the squre of the voltge in the very high voltge rngeF et intermedite voltgesD the tunneling resistne is highly nonliE nerF he theory outlined ove does not ount for the e'et of the imge potentilF en eletron in the rrier will rete imge hrges in the two metl eletrodesF hese imge hrges will hnge the properties of the tunneling rrierF hey will round o' the rrier shpe nd lower its verge vlueF he rounding of the tunneling rrier will inrese the nonElinerity of the tunneling resistneF immonsSS inludes the imge potentil e'ets into his theory y lulting n e'etive tunneling distne whih turns out to e smller thn the distne etween the two eletrodes de(ned the surfes of onstnt hrge densityF

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RST

ensoren und wessverfhren

he use of the uf pproximtion further osures the existene of resonnes in the tunnel rrierF qundlhSU lultes etter pproximtion thn uf nd otins n osilltory ehvior of the tunneling urrentF hese resonnes hve een oserved y the STMTQD TRF qundlhSU (ndsD tht the energy nd the periodiity of the resonnes depends ritilly on the shpe of the tunneling rrierF he simple model outlined in this setion does desrie quite urtely the tunneling urrent etween two metl surfesF st n ount for resonnes due to imge sttes nd due to (eld sttesF st does notD howeverD provide ny informtion on the sptil resolution of n STMF en estimte of the resolution sed on the ssumption of nerly plne prllel eletrodes of the tunnel juntion will e given in setion RFIHFSF he theory of immonsSSD ST lso does not ount for energy dependent density of sttesD whih is hrteristi for semiondutorsD superondutors nd semimetlsF he trnsfer rmiltonin method outlined in the next hpter will provide more urte pprohF

4.10.3 The Transfer Hamiltonian Method


he trnsfer rmiltonin method tkes into ount the detiled eletroni sttes of the eletrodesF st lso llows the lultion of e'ets resulting from the tip geometryF erso' nd rmnnTS nd frto'TT (rst pplied this formlism to STM relted prolemsF he trnsfer rmiltonin formlism originlly ws used y frdeenTU to explin the (rst tunneling spetr otined y qieverTVF sntrodutions to the formlism n e found in uirtleyUH nd olfUIF he short outline given here follows these two ooksF he trnsfer rmiltonin formlism is perturtion theoryF he eletron wves in the two metl eletrodes re onsidered to e independentF he oupling of the eletron wves in the gp is treted s perturtionD leding to totl rmiltonin

H = HL + HR + HT

@RFRVRA

where HL nd HR re the unpertured rmiltonins of the two eletrodesF he initil wve funtions in uf pproximtion re @outside nd inside the rrierA
out i kz 2 exp i(kx x + ky y) sin (kz z + ) in i |kz | 2 exp i(kx x + ky y) exp 0
1 1

|kz |dz

@RFRVSA

where kz = (1/ ) 2m(V (z) Ez ) 2 F d is the width of the rrier nd V (z) the potentil in the rrierF o get the elsti tunneling urrentD we write liner omintion of n initil stte nd of sum of (nl sttesX

(t) = a(t)i exp (i0 t) +


f

bf (t)f exp (if t)

@RFRVTA

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RFIH wessung mit ilektronen F

RSU

(t) is inserted into the time dependent hrdinger eqution H = i (/t) nd solved to (rst order in bf (t)F yne otins for the trnsition rte per unit timeX if = 2 Mif (0 f )
2

@RFRVUA

he trnsfer mtrix element Mif is given y


2

Mif =

2m

f f i dxdy |z=constant z z

@RFRVVA

he integrls in eqution @RFRVVA hve to e evluted on plne nywhere inside the rrierF he totl tunneling urrent is the sum over ll initil nd (nl sttes

J=

4e
ki kf

Mif

f (Ei )f (Ef eV ) Ni (Ei )Nf (Ef +eV )(Ei Ef ) @RFRVWA

where f (E) is the permi distriutionF iqution @RFRVWA ontins the densities of sttes N (E)D unlike the equtions derived in the previous hpterF ine we tke the unpertured eletron wve funtions for the left nd the right sideD we re lulting the tunneling urrent in set of sis funtions whih re not orthonormlF erso' nd rmnnTS use surfe eletron wve funtions with n exponentil dey into the vuum @zEdiretionAF hey expnd these wve funtions in the form

i = s

1 2

aG exp (k 2 + |k|| + G|2 ) 2 z exp i(k + G) z


G

@RFRWHA

where G is the reiprolElttie vetor t the surfeD k the surfe floh wve vetorF he ftor 1/2 ensures proper normliztion of the wve funtionF he 1 inverse dey length k is given y k = (2m) 2 1 where is the work funtionD s de(ned in the previous hpterF erso' nd rmnnTS (ndD tht only the (rst few aG re of order unityF hey further showD tht for mny situtions the tip n e pproximted s n eletron sEwveF he wve funtion modeling the tip is

f = 1 ct kr exp [kR] k|r r0 | t

exp [k|r r0 |]

@RFRWIA

where t is the tip volume r0 the enter of urvture of the tip nd R the rdius of urvture of the tipF he ftor ct depends on the ext tip geometryD its surE fe onditions nd the tip eletroni struture nd is of order IF his tip model is exellent for metl tipsF he lultion of the tunneling urrent to or from semiE ondutor tips with nonEvnishing higher order eletron oritls in the ondution nd might hve to inlude the dependene on ngulr nd spin momentumF

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RSV

ensoren und wessverfhren

he tip wve funtion is expnded in terms of the smple wve funtionsF he expnded wve funtions re used to evlute the trnsfer mtrix elementF ustiE tuting this mtrix element in the eqution for the tunneling urrent yieldsX

J = 32 3

1 2

e V 2 Dt (EF )R2 k 4 exp [2kR]

| (r0 )|2 (E EF ),

@RFRWPA

where Dt is the density of sttes per unit volume of the smple t the enter of urvture r0 of the tipF his result ws derived for smll is voltgesF egin it is found tht the tunneling juntion is ohmi t low voltges nd tht the tunneling urrent depends exponentilly on the distneF he pproximtions used y erso' nd rmnnTS mke the model perform etter for smll tips @smll RA thn for lrge onesF he lol density of sttes n e ommodted y this modelF sing this model erso'UP lulted the topogrphy of graphite s imged y STMF he model of erso' nd rmnnTS ws extended y vngUQD URD USD UT to model the tunneling from hemisored tom on uniformD fetureless metlD lled jelliumD to nother hemisored tom lso on jelliumF vng derives formlism nlogous to the trnsfer rmiltonin formlism whih not only yields the totl tunneling urrent ut lso sptil distriution of the tunneling urrentF he sptil distriution of the tunneling urrent is expeted to e importnt in imging mterils with nonEvnishing eletron wve funtions of pE or higher orderF vngUS lultes the tunneling urrent for sodiumD liumD nd sulfur adatom on the jellium surfaceF he eletron levels of sodium adatom re preE dominntly sElikeF he dimeter of the urrent distriution of the sodium dtom is nrrower thn the dimeter of the urrent distriution of the lium tom with its (lled Rs shellF he pEresonne of the lium lies ove the permi levelF he ontriution of pEwve funtions @or mye in other toms even higher order wve funtionsA tends to spred out the tunneling urrentD euse these wve funtions hve node on the adatomF ulfur on the other hnd hs its pEresonne elow the permi levelF sts urrent distriution resemles loser tht of sodium thn tht of liumF vngUS sttesD tht most vleneEp sttes wy from the permi level re not visile in STM experimentF

4.10.4 Rastertunnelmikroskopie (STM)


sn this setion we will fous on the ritil points in the design of n STM systemF e will tret oth the mehnis nd the eletronis of n STMF wost (ndings of this setion re lso pplile to other nning roe wirosopes @wAF

4.10.4.1 Mechanical Design


nning roe wirosopes @wA hve to ful(ll spei(tions whih re onE trditoryF pirstD the sn rnge of n w should exeed the size of the lrgest fetures on the smpleF his usully implies the use of lrge nd thin wlled piezo eletri trnsltorsF por mny pplitionsD it is desirle to hve the possiility

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RFIH wessung mit ilektronen

RSW

to orse position lterlly the smple versus the tipF his n e done y dding some hrdwreD thus inresing the size of the mirosopeF yn the other hndD ny w isD (rst of llD system of mehnil resontorsF his system hs mny resoE nnes with vrying qulity ftorsF hese resonnes n e exited either y the surroundings or y the rpid movement of the tip or the smpleF st is of prmount importne to optimize the design of the w for high resonne frequeniesF his usully mens to derese the size of the mirosopeUUF fy using ueElike or llElike strutures for the mirosopeD one n onsiderly inrese the lowest eigenEfrequenyF he eigenEfrequeny of ny spring is given y

f=

1 2

k mef f

@RFRWQA

where k is the spring onstnt nd mef f is the e'etive mssF he spring onstnt k of ntilevered em with uniform ross setion is given yUV

k=

3EI l3

@RFRWRA

where E is the oung9s modulus of the mterilD l the length of the em nd I the moment of inertiF por retngulr ross setion with width b @perpendiulr to the de)etionA nd height h one otins for I

I=

bh3 12

@RFRWSA

gomining equtions @RFRWQAD @RFRWRA nd @RFRWSA we get the (nl result for f X

f=

1 2

3EI 1 = 3m l ef f 2

Ebh3 4l3 mef f

@RFRWTA

he e'etive mss n e lulted using leigh9s methodF he generl forE mul for the kineti energy using leigh9s method is

1 T = mef f 2

y t

@RFRWUA

e divide our r of uniform ross setion in in(nitesimlly smll segments nd lulte the kineti energy T

T =
0

m 2

y(x) t

dx

@RFRWVA

por the se of uniform em with onstnt ross setion nd length one otins for the stti de)etion y(x) = ymax (1 (3x)/(2 ) + (x3 )/(2 3 ))F snserting ymax into eqution @RFRWUA nd solving the integrl yields

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RTH

ensoren und wessverfhren

T =
0

m ymax t ymax t

3x x3 1 + 3 2 2
2

dx
@RFRWWA @RFSHHA

= mef f

1 mef f 2 33 = m 140

for the e'etive mssF gomining equtions @RFRWTA nd @RFRWWA nd noting tht m = lbhD where is the density of mssD one otins for the eigenEfrequeny

f=

1 2

35 33

h l2

@RFSHIA

e etter estimte n e otined y using the shpe eqution for n osillting emF

y(x) = a1 cos(kx) + a2 cosh(kx) + a3 sin(kx) + a4 sinh(kx)

@RFSHPA

sing the oundry onditions tht y(0) = 0D y (0) = 0D y ( ) = 0 nd y ( ) = 0 one otins the reltions

a1 = a2 a3 = a4 sin(k ) + sinh(k ) a1 = a3 cos(k ) + cosh(k ) 1 or cos(k ) = cosh(k ) k0 = 0.596864


or

@RFSHQA

y(x) = ymax (t) 0.1896058494 cos

1.875103558x l 1.875103558x 0.1896058494 cosh l 1.875103558x +0.1391888034 sin l 1.875103558x 0.1391888034 sinh l

@RFSHRA

lugging this into the integrl @qleihung @RFRWWA A we otin

T = 0.08796733941m

ymax (t) t

@RFSHSA

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RFIH wessung mit ilektronen wteril eluminum frss fronze gopper grown qlss xikel teel ungsten i in 1010 N/m2 UFH WFH IHFS IIFH TFH PIFH PHFH QWFH

RTI

in 103 kg/m3 E/ in 107 m2 /s2 PFU PFT VFS IFI VFV IFP WFH IFP PFT PFQ VFVV PFR UFV PFT IWFQ PFH

elle RFIRX wteril onstnts used for lulting resonne frequenies @dpE ted from endersonUWA nd hene

mef f = 0.1759346788m

@RFSHTA

his estimte is smller thn the one using the stti de)etion shpeF purther reding on how to derive this eqution n e found in homsonUVF st is evident from this equtionD tht one wy to inrese the eigenEfrequeny is to hoose mteril with s high rtio E/F le RFIR gives n overview over some mterilsF his tle showsD tht luminum nd steel re the est onstrution mterils in terms of eigenEfrequeniesF enother wy to inrese the lowest eigen frequeny is lso evident in eqution @RFRWQAF fy optimizing the rtio h/l2 one n inrese the resonne frequenyF rowever it does not help to mke the length of the struture smller thn the width or heightF heir roles will just e exhngedF rene the optimum struture is ueF his leds to the design ruleD tht longD thin strutures like sheet metl should e voidedF sf given resonne frequeny n not e hnged ny moreD its qulity ftor should e s low s possileF his mens tht n inelsti medium suh s ruer should e present to onvert kineti energy into hetF e typil w onsists of mny strutures with oupled resonne frequeniesF rene there might e low frequeny ets in the mplitude of n osilltionF vet us investigte the onsequenes of suh ets for n w with liner response @suh s ertin fore mirosopesA nd for n w with nonliner response suh s n STMF pigure RFPUP shows the setEup for this lultionF he smple is supposed to e mounted on n osillting lok with n mplitude of

a(t) = a0 + a1 sin(1 t) + a2 sin(2 t)

@RFSHUA

opposite to (xed proeF his proe is sensitive to vritions in the distne etween the smple nd the tipF e ssume tht the frequenies 1 nd 2 re lrger thn the frequeny response of the proe wheres the di'erene frequeny 1 2 is well withinF he proe will only respond to the verge signal given y

s=

1 T

r(a(t ))dt
tT

@RFSHVA

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RTP

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eildung RFPUPX sn)uene of et frequenies in wF wo resonting odies t on the distne etween the smple nd the tip a(t)F por system with nonliner response to a(t) the response lso e present t et frequeniesF where r(x) is the response funtion of the proe nd T is the integrtion timeF por liner response funtion r(x) = x nd n integrtion time T lrge ompred with 1/1 nd 1/2 the integrl in eqution @RFSHVA gives HF xo e'et of the two virtion modes n e seen in the output signal for liner systemF sf we ssume nonliner response funtion r(x) = x + x2 then r(a(t)) eomes

r(a(t )) = a1 sin(1 t) + a2 sin(2 t) + (a1 sin(1 t) + a2 sin(2 t))2 = a1 sin(1 t) + a2 sin(2 t) + a2 + a2 1 2 1 1 2 a1 cos(21 t) a2 cos(22 t) + 2 2 2 a0 a1 cos ((1 2 )t) a0 a1 cos ((1 + 2 )t) @RFSHWA
snserting eqution @RFSHWA into eqution @RFSHVA nd solving the integrl gives nonEzero results only for the term with onstnt mplitude (a2 + a2 ) nd the term 1 2 a0 a1 cos ((1 2 )t) osillting t 1 2 F he (rst nonEzero term represents hg o'set to proe responseD wheres the seond term is low frequeny modultion whih my well e within the ontrol ndwidth of the feedk loopF uh n interferene signal will pper s n pprent surfe strutureF es onsequeneD one hs to e reful not to design two prts of n w with nerly the sme frequenyF yne se whih is espeilly d is if the tip hs resonne lose to n eigen frequeny in some other prt of the strutureF

4.10.4.2 Vibration Isolation


e hve seen in setion RFIHFRFI tht w viewed s mehnil system hs vriety of resonne frequeniesD whih my e even oupledF hese resonnt frequenies re exited oth y the surroundings nd y the snning piezo within the wF he e'et of the snning piezo n e minimized through reful designD ut it nnot e elimintedF

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RFIH wessung mit ilektronen

RTQ

he mirosopeD howeverD n e isolted from the virtions present in the surroundingF pirstD the mirosope is 'eted y uilding virtions nd y the sounds people rete when moving roundF he frequeny spetrum of these noises peks etween IH nd IHH rzF he mplitudes of the ground movement re of the order of severl mF st is wise prtie to void ny resonting ody within the w with resonne frequeny 0 elow few IHH rz to I krzF ine the oupling to mehnil hrmoni osilltor sles like 1 2Q2 (( 0 )/0 )2 lrger di'erene etween the driving frequeny nd the resonne frequeny dereses the ouplingF his sling lw is orret for smll devitions of from 0 F he referene mplitude is the mplitude on resonneF he mplitude of the uilding virtions rehing the mirosope n e further deresed y isolting the mirosope from these frequeniesF he (rst tunneling mirosopes used spring system with eddy urrent dmping for virtion isoltionF e desription of this system n e found in finnig nd ohrerRSF his virtion isoltion systemD tough e'etiveD hs its disdvntgesF he fundmentl resonne frequeny of the spring mss system hs to e of orE der I rz to e e'etive in suppressing the uilding virtionsF sf this resonne frequeny were periodilly dmpedD then the inrese in dmping with frequenE y ove the resonnt frequeny would e too slowF purthermore it is di0ult to get periodi dmping with n eddy urrent rke t room tempertureF por n underEritil dmping of the springEmss system the virtion mplitudes t resoE nne re mpli(ed3 herefore using virtion isoltion system with resonnt frequeny etween IH nd IHH rzD where the uilding virtions pekD hs to e voidedF e seond disdvntge of the spring stge virtion isoltion system is the lk of well de(ned position of the mirosope with respet to the surroundingF his de(ieny eomes prolem when using mehnil pproh systemsD in situ smple trnsfer nd tip exhngeF ell these tsks demnd sptilly well de(ned lotions nd the ility to exert fores on the mirosopeF yne solution to this prolem is to temporrily ridge the virtion isoltion nd to grip the mirosoE pe with speil toolF enother prolem one might hve is the very high of the springs on whih the mirosope is suspendedF o reh the neessry low resoE nnt frequenyD their spring onstnt hs to e lowD whih lso mens tht their resonne frequeny n e firly lowF peil prolems might our if the springs ome into resonne with some other prt of the mirosope or the surroundingsF vstly the springEmss virtion isoltion systems tend to e very ulkyF o derese the size of the virtion isoltion systemD qerer et. al.VH proposed to use stks of metl pltesD seprted y viton spersF his setEup is still mssEspring dmping systemD ut it is most e'etive t high frequeniesD where its multiple stges t like higher order low pss (lterF gomined with n w of rigid designD suh vitonEmetl stk n provide superior performneF uh designs re widely used in UHV-STMEsystems nd re known s poket size wsF yutstnding results n e otined using optil tles or t lest the virE tion isoltion supports designed for these tlesF intire rEhmers n e

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RTR

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mounted on suh virtion isolted tlesF en dditionl derese of the virtion mplitudes n e hieved y pling the mirosope in room with low ground movementsD suh s sement room or on the seprte sement of mirosopy roomF e ost e'etiveD though not very e0ient wy to isolte the mirosope from the uilding virtions is to mount it on pltform suspended y ungee ords from the eilingVIF sf the mirosope is very rigidly designed then it n e used with no further virtion isoltion on these pltforms or on optil tlesF por n improved performneD the vitonEmetl stk n e omined with the externl virtion isoltion methodsF

4.10.4.3 Sound Isolation


invironmentl noise not only onsists of uilding virtionsD ut lso of soundsF oures of sound my e the voies or tions of the experimentersD ir onditioE ningD motors uilt into equipment like omputersD or street noiseD to nme fewF ws operting in vuum re perfetly isolted ginst this noiseF wirosopes working in ir need dded protetionF e good wy to isolte n mient pressure mirosope from sound is to uild it into n irtight ox with hevy wllsD similr to the wy high lss loudspeker oxes re uiltF he losed room inside the ox hs its own resonnesD whih must e dmped y using suitle mterilsF qood re the foms used on the wlls of sound reording studios or in soundless roomsF hen using metl otings on the sound isoltion ox or even metl s the onstrution mteril of the sound isoltion oxD it n e used in ddition s n eletril shieldD proteting the sensitive eletroni iruits from eletroni noiseF

4.10.4.4 Thermal Drift


nning roe wirosopes operte in environments where the temperture is not onstntF eny hnge in temperture uses ontrtion or expnsion of the vrious prts of the wF ine these prts re mnuftured from di'erent mterilsD their therml expnsion oe0ients will e di'erentF his uses the proe tip to e displed oth lterlly nd vertilly from the old position with respet to the smpleF o estimte the therml driftD we will ssume tht n w is uilt of steel odyD with piezo tue holding the proeF e further ssume tht the size of the mirosopeD iFeF the distne from the proe tip to the point where it is joined with the smple holderD is S mF e further ssume tht the di'erene in the therml expnsion oe0ients etween the steel nd the piezo ermi mteril is very good 106 1/K F he proe tip will move SH nm for every u hnge in tempertureF o perform experiments suh s lol tunneling spetrosopyD where the gp should e kept onstnt to etter thn HFHI nm therml environment with temperture vrition of less thn HFP mu over the measurement time is required3 por measurement times of few seonds suh temperture stility is esily hievedF rolems rise for temperture ontrolled smplesF ynly the est of these temperture ontrollersD together with sophistited shielding tehniques will provide the neessry stilityF

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RTS

he sensitivity to temperture vritions n e minimized y using symmetri nd lned designVPD VQF es n exmple we onsider n w with ylindril symmetryF e will use piezo tue s the tip trnsltorF he tip is mounted in the enter of the piezo tueD whihD in turnD is mounted in the enter of the mirosope odyF feuse of symmetryD the tip will remin t the enter of the mirosope ody even if the temperture vriesF st will move up or down with respet to the smpleF he di'erentil therml expnsion n e further minimized y employing the sme mterils forD in our exmpleD the piezo tue nd the mirosope odyF his will give the est mth for the therml expnsion oe0ients nd would for our exmple minimize the vertil movement of the tip with respet to the smpleF

4.10.4.5 Piezo Scanners


elmost ll ws use piezo trnsltors to sn the tipD or seldomD to sn the smE pleF iven the (rst STMVRD VS nd some of the predeessor instrumentsVTD VU used piezo trnsltors for snningF wirosopes using mgnetostritive mteriE lsVV or eletromgneti drivesVW hve een proposedF e will onentrte on piezo eletri mterilsF en eletri (eld pplied ross piezo eletri mteril uses hnge in the rystl strutureD with expnsion in some diretions nd ontrtion in othersF elsoD net hnge in volume oursF hetiled desriptions of the piezo eletri e'et n e found in solid stte physis textooksWHF he trnsverse piezo eletri e'et is y fr the most importnt for snning proe mirosopesF he expnsion perpendiulr to the pplied eletri (eld E for long sl of mteril with the (eld pplied ross the smll sides is

V d31 @RFSIHA t where d31 is the piezoeletri onstntD V the pplied voltge nd t the thikness of the piezo sl or the distne etween the eletrodes where the voltge is ppliedF his llows to hoose the sensitivity of piezo tutor within the limits of its mehnil stilityF he (rst ws ll used piezo tripods for snning @see for instne finnig nd ohrerRSAF he piezo tripod @(gure RFPUQAA is n intuitive wy to generte the three dimensionl movement of tip tthed to its enterF roweverD to get suitle stility nd snning rngeD the tripod needs to e firly lrge @out S mAF sts size nd its symmetri shpe mke it very suseptile to therml driftF he design of vn uempen nd vn de lleVP @(gure RFPUQAA tries to irumvent this prolem y using symmetril designF sts therml drift performne is muh etter thn the simple tripodF rowever omplited ssemly of mny piezo piees is requiredF he tue snner @(gure RFPUQAA is now widely used in snning tunneling nd snning proe mirosopy for its simpliity nd its smll sizeWIF he outer eletrode is segmented in four equl setors of WH degreesF ypposite setors re driven y signls of the sme mgnitudeD ut opposite signF his givesD through endingD two dimensionl movement onD pproximtelyD sphereF he inner eletrode is normlly driven y the z signalF st is possileD howeverD to use l = l|E|d31 = l

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RTT

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eildung RFPUQX ypes of piezo snnersX A the tripodY A the thermlly omE pensted snner nd A the piezo tueF only the outer eletrodes for snning nd for the z EmovementF he min drwk of pplying the z Esignal to the outer eletrodes isD tht the pplied voltge is the sum of oth the xE or y Emovement nd the zEmovementF rene lrger sn size e'etively redues the ville rnge for the z EontrolF iezo snnersD tues nd tripodsD re mde of piezo ermi mterilF iezo mterils with high onversion rtioD i.e., lrge d31 or smll distnes etE ween the eletrodesD llowing lrge sn rnges with low driving voltgesD do hve sustntil hysteresis resulting in devition from linerity y more thn IH 7F he sensitivity of the piezo ermi mteril @mehnil displement divided y driving voltgeA inreses with redued snning rngeD wheres the hysteresis is reduedF e reful seletion of the mteril for the piezo snnersD the design of the snnersD nd of the operting onditions is neessry to get optimum performneF

4.10.4.6 Control Electronics: Basics


en importnt role for n optimum performne of nning roe wirosope plys the ontrol eletronis nd softwreF gontrol eletronis nd softwre re supplied nowdys with ommeril wsF ome mnufturers sell their ontrol eletronis nd softwre without mirosopeF gontrol eletroni systems n use either nlog or digitl feedkF hile digitl feedk o'ers greter )exiility nd the ese of on(gurtionD nlog feedk iruits might e etter suited for ultr low noise opertionF e will desrie here the si eletroni setups for snning tunneling mirosoE py nd spetrosopyF he next setion is devoted to the disussion of spetrosopy instrumenttionF he onepts worked out in the following re lso pplile to the ontrol eletronis for other snning proe mirosopesF he min tsk for the ontrol eletronis for STM is to mintin distne

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RFIH wessung mit ilektronen

RTU

eildung RFPURX flok shemtis of the eletronis for STMF he tunneling urrent t the tip is onverted to voltge nd proessed y feedk eletronisF he drive voltges for the xED y ED nd z E eletrodes re provided y high voltge mpli(ersF he sn geE nertor nd the dt quisition system n e nlog or digitlF of order I nm etween the tip nd the smple with n ury of < 0.01 nmF pigure RFPUR shows lok shemti of the typil STM feedk loopF he smple is onneted to pipolrD djustle tunnel voltge soureF he other siE de of the tunnel juntionD the tipD is onneted to urrent to voltge onverter @sGEonverterAF elterntivelyD the tunnel voltge ould hve een onneted to the tip nd the sGEonverter onneted to the smpleF sn ny se the sGEonverter should e onneted to the side whih is less 'eted y mient noise nd hs less stry pitne to erthF he tunnel voltge side is onneted to low impedne voltge soureD nd hene not very muh 'eted y eletril interfereneF he sGEonverter on the other hnd my hve onsiderle input impedne nd is onneted to its voltge supply vi the tunneling resistne nd the feedk resistne @oth of the order of w to qA nd is therefore very muh 'eted y stry eletril (eldsF he unvoidle stry pitne to erth will severely degrde the frequeny response of the sGEonverter nd hene of the STMF heE refore the sGEonverter should e loted s lose to the smple or to the tip s possileF sn the se of dditionl mehnil or eletril equipment onneted to the smple @heterD smple exhnge mehnismD eletrohemil ellD F F F A the sGEonverter hs to e onneted to the tipF he output voltge of the sGEonverter is fed into n solute vlue iruitF he solute vlue iruit simpli(es the use of oth polrities of the is voltE geF he distne to urrent hrteristis of the tunnel juntion is exponentilF yften it is dvntgeous to linerize the feedk loop fter the reti(erF e set voltge s eferene is sutrted from the output of the linerizing unit or the reti(erF he resulting error voltge is then integrted ndD optionllyD mpli(ed @sh gontrollerAF he gin of the integrtor @high gin orresponds to short inteE grtion timesA nd of the proportionl mpli(er is set s high s possile without

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RTV

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generting more thn I7 overshootF righ gin minimizes the error mrgin of the urrent nd fores the tip to follow the ontours of onstnt density of sttes s good s possileF his operting mode is known s gonstnt gurrent wodeF he outputs of the integrtor nd the mpli(er re summed nd mpli(ed y high voltge mpli(erF ws using piezo tues usully require 150 t the outputF yther designs might require mpli(ers delivering more thn 1000 or s little s 15 F o sn the smpleD dditionl voltges t high tension driving the snning piezos re requiredF por exmpleD with tue snnerD four snning voltges re requiredD nmely Cx D Ex D Cy nd Ey F he xE nd y Esnning voltges re generted in sn genertor @nlog or omputer ontrolledAF foth voltges re input to the two respetive power mpli(ersF wo inverting mpli(ers generte the input voltges for the other two power mpli(ersF he topogrphy of the smple surfe is determined y reording the inputE voltge to the z Ehigh voltge mpli(er s funtion of x nd y @gonstnt gurrent wodeAF eording devies like hrt reordersD nlog storge osillosopesD video frme grersD or omputer dt quisition systems re usedF he height vriE tions on the smple surfe n e determined quite urtely from the known piezo lirtionF enother operting mode is the gonstnt reight wodeF st is fesile only on )t surfes like graphiteF he gin in the feedk loop is lowered nd the snning speed inresed suh tht the tip does not follow ny more the surfe ontoursF st is held t onstnt heightF rere the tunneling urrent is reorded s funtion of x nd y F his mode usully hs etter signal to noise rtio thn the gonstnt gurrent wodeD minly euse the surfe dt ppers in higher frequeny nds in the tunneling urrentF

4.10.4.7 Control Electronics: Spectroscopy


he si eletroni iruits outlined in setion RFIHFRFT n e expnded to llow spetrosopi imging of the smpleF pour modes of spetrosopi imging re in I ommon useX mesuring V D I sptilly resolvedD lternting the tunneling voltge s etween two vlues etween sns nd mesuring I(V ) urves t onstnt height for some or ll points on the smpleF I pigure RFPUS shows n eletronis set up for V measurementF he output voltge of n osilltor @eferene yutputA is dded to the is voltgeF he sum is onneted to the smpleF he resulting tunneling urrent is onverted to voltge y the sGEonverterD s usulF he low frequeny prt is fed into the feedk eletronis nd ontrols the position of the tipF he modultion on the is voltgeD whose frequeny should e well ove the ut o' frequeny of the feedk loopD is onneted to the signal input of lokEin mpli(erF he referene I for demodulting the V Esignal omes from the osilltorF he output of the lokE in mpli(er n e reorded s funtion of position lone or together with the z EsignalF pigure RFPUT shows the neessry onnetions to mesure I F his time the outE s put of the osilltor @eferene ysFA is summed with the output of the feedk

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RTW

I eildung RFPUSX he lok shemti for mesuring V with the STMF e smll @ 1mVA modultion voltge is dded to the tunnel voltgeF he resulting tunneling urrent is onverted to voltgeF he feedk iruit opertes on the hgEomponent of the tunneling urrentD wheres the egEomponent is demodulted y the lokE in mpli(erF

eildung RFPUTX he lok digrm for mesuring I with the STMF he spE s ing etween the tip nd the smple is modulted y dding smll egEvoltge onto the output of the feedk mpli(erF his results in modultion of the tunneling urrent whih is deteted y the lokEin mpli(erF ontrol eletronisF he mplitude of the modultion voltge is hosen suh s to move the tip rpidly with n mplitude of out I pm to IH pmF he resulting modultion on the tunneling urrent is fed into the lokEin mpli(er nd detetedF he lokEin mpli(er output n e reorded in the dt quisition systemD lone or together with the z EpositionF he frequeny of the modultion should e smlE ler y ftor of Q thn the lowest resonne frequeny of the piezo tueF sf the modultion frequeny is too lose to resonne frequenyD peking will our nd the mehnil movement s will no longer e given y the stti sensitivity of the piezo tueF he lower limit of the modultion frequeny is given y the uto' frequeny of the feedk loopF he gin of the feedk loop will derese the urrent modultion due to the mehnil modultion nd it will lso introdue n dditionl gin dependent phse shiftF ine the gin depends on the lol rrier

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RUH

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eildung RFPUUX he lok digrm for mesuring with lternting is voltges on lternting sn linesF he xEsn genertor toggles t the end of sn line the is voltge etween two preset vluesF he feedk eletronis keeps the tunneling urrent onstntF he resulting topogrphs re funtion of the is voltgeF his setup llows diret omprison of two energies in the lol density of sttesF heightD it is hrd to give quntittive interprettion for too low modultion frequenyF por mirosopes with lrge sn piezos it is sometimes impossile to fulE (ll oth requirementsF en interesting implementtion of this kind of spetrosopy using phototherml modultion of the tunnel gp hs een pulished y emerWPF pigure RFPUU shows the setEup for lternting two is voltges V1 nd V2 on lternting snsF he si feedk loop is the sme s in previous experimentsF his time we lso need to onsider the eletronis generting the xEsnning signalF he tringulr output of the sn genertor @funtion genertor or omputer outputA is onneted to the x ndD through n inverting mpli(erD to the Ex eletroE des of the snning piezoF rigger pulses mrking the egin or end of eh xEsn re used to toggle divider y PSF sts output in turn toggles the eletroni swith onnteting the smple to the voltge soures V1 nd V2 F ydd nd even numered sn lines re stored in P seprte imges showing the topogrphy t the two di'eE rent voltgesF hy does one lternte the voltges etween the sn lines nd not from frme to frmec he therml drift lwys present would mke it di0ult to determine registry etween the two imgesF fy interling the two voltgesD the time from sn line in one imge to the orresponding sn line in the other is smller y the numer of sn linesF rene the drift is smller y the sme ftorF he setEup for the lst mode of spetrosopyD gurrent smging unneling peE trosopy @gsA is depited in (gure RFPUVF o do gsD we need to modify the si feedk loopF he is voltge soure is funtion genertor whih is trigE gered from timing ontrolF e trigger pulse strts the eGh onversion for the voltge sweep nd lso disonnets the integrtor from the error signalF he inE tegrtor holds the output voltge ndD heneD the tip stys t (xed height ove the smpleF he feedk loop is disled until the end of the is voltge sweepF

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RUI

eildung RFPUVX gurrent smging unneling petrosopy @gsAF huring the rster sn of the surfe the tip is stopped t predetermined loE tions ontrolled y the timing ontrolF et eh suh points the is voltge is swithed from voltge soure I to voltge soure PF hile the feedk loop is disledD voltge soure P rmps the voltge over prede(ned rngeF he urrent vritions re reorded s funtion of the is voltgeF hen voltge soure I is turned on gin nd the feedk loop is enledF he error signl VE ws zero t the egin of the voltge sweepF sf there were no driftD it would e gin zero fter the voltge sweepF ine therml drift is lwys presentD it is neessry to optimize the mirosope for low therml drift nd to disle the feedk loop only for short timesF iven if there is nonEvnishing errorD the integrtor will rmp smoothly to the new positionF he proportionl mpli(er in the feedk loop should e omitted so tht the output voltge does not jump to the new positionF

4.10.4.8 Tip Preparation for Scanning Tunneling Microscopes


en importnt point in the suessful opertion of STM is the tip preprtionF he tips should hve miniml rdius of urvture t the endD they should hve nrrow dimeter to penetrte into holesD ut they should lso e thik enough to keep the resonne frequeny highF he tip mteril should e stle in high eletri (elds ndD when operted in ir or orrosive liquidsD hemilly stleF ips hve een mde out of wires of tungstenD pltinumEiridiumD pltinumD goldD nd nikelF e vriety of tip preprtion methods ws used y STM reserhersF sn the (rst dys of STM tips were prepred y grinding tungsten wireF rowever this resulted in tips of minor qulityF e simple preprtion method is to ut thin wire @HFI mm

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RUP

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to HFQ mmA of the desired mteril y utter or y sissorsF vow qulity tools work estD euse they ter the mteril prtD forming shrp tipsF gutting is fstD ut the suess rte for working tips is not too highF woreoverD the shpe of the tips is not well de(nedD mking it hrder to use them on strongly orrugted smplesF he shpe of the tip is less importnt when imging tomilly )t smplesF he mteril suited est for this method seems to e pltinumEiridium wiresF

4.10.4.9 Coarse Sample Positioning


por mny experiments it is importnt to position the tip over well de(ned re of the smple or to move the tip from one lotion to notherF fiologil smplesD integrted iruits nd smples with surfes showing lolized phenomen demnd orse positioningF yn other smplesD one hs to ompre imges from rnge of lotions to ensure tht the oserved strutures re indeed representtiveF sn this hpter we will disuss orse positioning under optil ontrolD wheres the next hpter gives short introdution to positioning the tip under nning iletron wirosope ontrolF he orse positioning devies in n STM hve to ful(ll ontrditing requiE rementsF pirstD they should e s smll nd rigid s possile to preserve the high resonne frequenies of the originl designF yn systems hving virtion isolE tionD the drive for the orse positioning devie needs to e on the mirosope orD lterntivelyD its drive onnetion should e dethleF he (rst wsVRD VS employed louse for orse positioning nd for the pprohF st is twoEdimensionl piezo motorD moving on steel plteF sn ddition to liner movementsD it lso llows to turn the smpleF e detiled disussion of this devie n e found in the litertureVHD WQF he min disdvntge of louse is tht it hs rther lrge sizeF xewer designs use ommerilly ville inhE wormsF he position of the tip with respet to the smple is oserved y optil telesopes with position resolution of few IH mF enother type of orse positioning is used in the mirosopes of the fesokeE typeWRF here the smple rests on three piezo tuesF he tip is mounted on fourth piezo tue in the enter of the other threeF fy moving the outer three piezo tues rpidly in one diretion nd ontrting them slightly during the movementD their ontt points n e moved y smll mountF he three tues return then slowly to their strting positionF fy using smple holder with tilted orderD movements in xD y nd z s well s smple rottion n e omplishedF e high power optil mirosope n e used to position the tipD if the smple is trnsprentWSF yther orse positioning devies employ mirometer srews nd mnul or miroEmotor drivesF he mnul drives require deoupling during measurement to void the trnsmission of virtions to the mirosopesF wotorized mirometers n e used on virtion isoltion pltformsD without shortEiruiting the isoltionF st is importnt to view the movement of the tip over the smple surfeF e medium to high mgni(tion optil mirosope is usully inorported into the design of the wF he snning proe mirosope n e remotely operted if the optil mirosope is onneted to video merF his llows to mount the

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RUQ

eildung RFPUWX e shemti drwing showing the integrtion of STM into snning eletron mirosopeF his (gure is tken from ghF qerE er et al.VH nd reprodued with permission of the emerin snstitute of hysisF mirosope in sound isolted oxD under inert gs nd on virtion isoltion tles nd still hving ontrolF

4.10.4.10 Integrating a Scanning Tunneling Microscope into a Scanning Electron Microscope


he otinle resolution of optil positioning is of order I mF en order of mE gnitude in resolution n e gined for onduting smples when using n nning iletron wirosope @iwAVHD WT @ee (gure RFPUWAF here re two ruil points to e oservedX (rstD the smple nd tip hve to e rrnged suh tht they re well visile from the eletron gun of the iwF he STM hs to e onneted riE gidly to the iw to ensure good resolution of the iwF he virtion isoltion hs to e loted outside the iw vuum systemF eondlyD the iw hs to hve n ultr high vuum hmerF he rest gs in ordinry high vuum ontins hydrorons whih re rked y the eletron em t the smple surfeF he resulting ron (lm is poorly onduting nd n render n STM inoperle @e hydroron rih rest gs together with n eletron em is used to write ptterns on integrted iruitsF he hydroron (lm is known s ontmintion resistAF he tunneling urrent in the STM is 'eted y the eletron emF sf the eletron em urrent eomes omprle to the tunneling urrent it might use the feedk loop of the STM to eome unstleF he iw should lwys e operted t urrents lower thn the tunneling urrentD unless the STM is not in the tunneling regimeF yne dvntge of the iw is its huge depth of viewF he tip nd the smple n e seen shrp simultneouslyF his llows very preise positioning of the tipD whih must hve smll opening ngle to not osure the smpleF sf the iw is

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RUR

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eildung RFPVHX ypil setup of mirosope for pprohF he tip nd the smple re vied through telesope or long distne mirosE ope s stereo mirosopeF he tip nd its mirror imge form n Eshped ptternD whih is seprted t the enterF he pE proh is (nished when the tip nd its mirror imge seem to e touhingF ypilly the tip is then few m from the smple prtF equipped with euger eletron nlysis it n determine the hemil omposition of the smple surfe on sumirometer sleF

4.10.4.11 Approaching the Tip to the Sample


yne of the most importnt steps in operting n STM is the pproh of the tip to the smpleF e refully prepred tip is of no gret use if it is dmged the moment it rehes the smpleF he tsk isD to ring the tip from distne of I to few millimeters down to distne of out I nm nd to estlish tunneling urrent of out I ne @e sled up tsk would e to strt r I km wy from the wll nd ring it to hlt t distne of I mm from the wllF he dditionl di0ulty would eD tht the driver does not see the wll until P to Q mm wyAF sf we ssume tht the tip pprohes the smple surfe with I mGs nd tht it is to stop within I nmD then the elertion is IHH times the erth9s elertion for I msF sf we were to use the speed of I mGs for the whole distne of severl mmD the whole pproh ould esily tke n hour or even moreF wost ws re equipped with two stge pprohX (rst orse pproh under optil ontrol nd then the (ne pproh under eletroni ontrolF he orse pproh is mostly done with (ne pithed srewsF e inoulr with long working distne is set up s depited in (gure RFPVHF yn )t surfesD one n see t the sme time the tip nd its mirror imgeF hepending on the mgni(tion of the inoulrD the tip n e pprohed to PER m of the surfeF yne wy to mke the (ne pproh is to use similr (ne pithed srewsD ut with mehnil disdvntge etween the srew displement nd the tip disE plementWUD WVF his (ne pproh srew n e driven y stepper motorD y synhronous egEmotor or y hgEmotorF tepper motors hve the dvntgeD tht they n e stopped very rpidlyD wheres synhronous motors n hgEmotors run more smoothlyF he e'et of the jumps from step to step n e minimized y seleting stepper motor with ger redution nd y running it with redued driving voltge @eFgF S insted of IP AF sn dditionD stepper motors re esily interfed with digitl logi or with omputersF

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RUS

4.10.4.12 The Operating Medium


he (rst ws were operted in vuumVRD VSF fut one soon lerned to operte the STM in other mediF rk nd uteWW demonstrted the opertion of the STM in irF onnenfeld nd rnsmIHH showed tht tomi resolution ws possile in wterF ilrodIHID IHP operted their STM t ryogeni temperturesF Cryogenic STMs my e operted either immersed in liquid helium or in smll ooled vuum hmersF ws operting in )uids re prtiulrly ppeling for the investigtion of ioE logil smplesF he possiility to imge moleules in their ntive environment is unprlleled t the resolutions the STM otinsF he hemil nd eletrohemiE l environment n e urtely ontrolledF ghemil retionsIHQD IHR n e triggered while imging nd their time evolution n e oservedD provided it is not too fstF he opertion of the STM in polr )uids like wter requires the use of isolted tips to minimize the ioni urrent etween tip nd smpleF uh tips re redily ville from ommeril souresF

4.10.5 Resolution of a Scanning Tunneling Microscope


he resolution of n STM depends on the geometry of the tip nd the smple nd on their respetive eletroni strutureF por lrge @mA ojetsD the geometry of the tip on m length sle plys n importnt role on how the imge is modi(ed y the tip shpeF yn those length slesD it is usully possile to determine the tip shpe nd to prtilly orret the resulting imgeF yn n tomi sleD there re no generl resolution riteri in STM like the wellE known di'rtion limit in optil mirosopyF fut even there the vertil resolution of phseEontrst mirosopy hs nothing to do with the di'rtion limit exept tht the lterl extension of the ojet must e omprle to or lrger thn the wvelength of the lightF sn STMD mesure of the vertil resolution is the stility of the tunnel rrier widthD sine height vritions of the smple surfe smller thn the tipEsmple virtion mplitudes re usully mskedF he lterl resolution of n STM is governed y the width of the tunneling urrent (lmentD y the physil properties the tip nd smple nd y the eletroni sttes on the surfe nd on the tipF rious resolution riteri hve een pulished in the litertureX IF e (rst riterion is sed on the e'etive dimeter Lef f of the tunnel urrent (lmentF st is pplile for theoretil pprohes whih provide tunnel urrent density pro(le from whih Lef f n e derivedUQD IHSF PF por periodi strutures equiurrent lines tred y the tip re lulted s funtion of the tip rdiusD surfe orrugtion periodiityD mplitude nd eletroni strutureD nd tipEsmple seprtionF he resolution limit is rehed when the equiurrent lines eome )tter thn the STM system noiseIHTD IHUF his pproh onnets lterl nd vertil resolution in nontrivil wyF

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RUT

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eildung RFPVIX emilssil lultion of the resolution of the STM s funtion of the tip rdius nd the tipEsmple seprtionF he eletrons re ssumed to tunnel from the smple to the tip on stright lines rossing the enter of urvture of the tipF x denotes the distne from the enter of the urrent (lment to the point where the eletrons leve the smpleF QF gonsider n inident plne wve perpendiulr to the verge smple surE feF sf the tip is le to smple the diretly trnsmitted wve G = 0 ut exludes the (rst order wvesD the periodi struture n not e resolvedF he inverse of the lrgest detetle surfe reiprol lttie vetor is tken s the resolution of the STMTSD IHVD SRF RF he pproh of vngUQ who investigtes two prllel metl plnes with n dsored tom on eh side lso yields hrteristi urrent vrition when two tomsD eh dsored on n in(nite size eletrodeD re snned pst eh otherF hough not diretly providing resolution riterionD the resulting urrent vritions give good ide of the peulir e'ets rising with dsortesF st lso gives inditions on how to resolve themF e will (rst derive semilssil rgumentWQ on how the tip rdius 'ets toE mi resolution imgesF hen we will disuss the results of erso' nd rmnnIHV nd of vngUQF sn lst prgrph we will onsider mEsize struture nd inE vestigte the e'et of the tip shpeF sn the followingD we give simpleD instrutive derivtion of the resolution of the STMD y lulting Lef f @riterion IA from the immons modelSS nd ompre it to the more rigorous tretmentsF por the lultion we ssume tht eletrons tunnel from the smple to the tip t n ngle from the surfe norml nd tht they ehve lssilly s fr s the diretion of their movement is onerned @see (gure RFPVIAF rene ll tunneling pths im t the enter of urvture of the tip nd the tunneling proility of the eletron depends on the energy of its motion perpendiulr to the surfe nd on the projetionD d(x)D of the tunneling pth onto the surfe normlF he kineti energy of the eletron motion perpendiulr to the surfe is deterE mined y the mgnitude of the wve vetor k

k = K + kz

@RFSIIA

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RFIH wessung mit ilektronen sing


2 k 2 = K 2 + kz

RUU

@RFSIPA

nd

Ekin =

k 2me

2 2

@RFSIQA

for the reltion etween the eletron energy nd the mgnitude of its k we n lulte the e'etive dey onstnt whih determines the tunneling proility

0,ef f = 2 + K 2 0

1/2

@RFSIRA

where 0 is the dey onstnt for eletrons with K = 0F xext we pproximte K y

x , @RFSISA d+R where d is the distne from the surfe to the pex of the tip of rdius R nd x is the lterl distne from the enter of the tipF 0,ef f n then e expnded for smll xD smll is voltges nd zero tempertureX K (x) = k x2 x2 1 k2 1 Ef = 0 1 + , @RFSITA 2 2 (d + R)2 2 0 (d + R)2 0 were Ef is the permi energy mesured from the ottom of the ondution nd nd 0 is the rrier heightF he tunneling distne s funtion of the lterl position x is 0,ef f = 0 1 +
@RFSIUA 1 [(d + R)2 + x2 ] 2 por smll xD it n lso e expndedF xegleting higher order terms we get

d(x) = (d + R) 1

R x2 . 2 (d + R)2 he totl urrent )owing in (lment of rdius r is then d(x) = d +


r

@RFSIVA

I(r) = A
0

exp 20 1 +

1 Ef x2 2 0 (d + R)2

d+

R x2 2 (d + R)2

2xdx @RFSIWA

ell preftors of the exponentil re ontined in A nd set onstnt to ese the integrtionF ueeping only terms up to order x2 in the exponentil slightly underestimtes the tunneling urrent nd the (lment dimeterF he totl tunneling urrent fter integrtion is then given y

I(r) = I0 1 exp 0

r2 (d + R)2

Ef +R 0

@RFSPHA

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RUV

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where I0 is the totl urrentF he e'etive dimeter Lef f of the tunneling urrent (lment rrying frtion of the totl urrent I0 is

Lef f = 2
E

(d + R)

1 2 ln() ,
@RFSPIA

0 d f + R 0

where = 1 < 1F he permi energy Ef nd the rrier height 0 hve pproximtely the sme mgnitude in metlsF rene eqution @RFSPIA redues to

Lef f

d+R ln() =2 0

1 2

@RFSPPA

he resolution of n STM on the tomi level is ritilly dependent on the rdius of urvture of the pex of the tipF his suggests to use very nrrow tips with single tom pexesF hese tipsD howeverD re not stle during snningF vndmn nd vuedtkeIHW lulted in moleulr dynmis lultion tht the fores etween the tip nd the smple will ter prt single tom tipsF rene high resolution tip hs to e ompromise etween stility nd high urvtureF st is found tht tip rdii of few nm to few IH nm give est resultsF erso'IIH lultes the resolution of the STM under the ssumption of smll orrugtionF nder this ssumptionD the inherently nonliner ehvior of n STM n e treted like the liner imging proess of n optil mirosopeD where the mesured imge is onvolution of the idel imge nd n instrument response funtionF he lultionIIH yields resolution funtion whih is qussin with n w width of

Lef f =

z0 20

0.5

@RFSPQA

where z0 = d + R is the distne etween the smple nd the enter of urvture of the tip nd 0 is de(ned s oveF erso'9s solution for metls showsD tht our rude semilssil lultion gives the orret funtionl ehvior nd will gree with erso's resultD if we set = 3.3 104 F erso'IIH notesD tht for semiondutors or semimetls like graphite the resolution of n STM is higher thn for metls imged with the sme tipF he resolution of n STM for lrger fetures with sizes of 1m or more is minly determined y the tip shpeIIID IIPF he vrition of the tunnel rrier width is of the order of I nm or less nd hene negligileF o demonstrte the in)uene of the tip shpe we re onsidering onil tip with tip ngle of F pigure RFPVP shows lulted tres for tip ngles of UH nd QH F he e'et of lrger tip ngle on fetures extending from the surfe is to roden the width of the fetureF yn dithesD howeverD lrger tip ngle n prevent the imging of the ottom of the dith @see (gure RFPVPAF

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RUW

eildung RFPVPX ip shpe dependeny of the STM resolution for lrge feturesF AX e tip ngle of UH Y A tip ngle of QH F he (gure shows the trjetory of the pex of the tipF sf we ssume tht the tip opening ngle is we n lulte the mximum depth dmax for given width w of retngulr dith whih n e imgedF

dmax =

w 2 tan(/2)

@RFSPRA

sing the sme simple geometril rguments we n lso lulte the pprent width W t hlf height for retngulr feture of width w extending from the smple surfe

W = w + h tan(/2)
frodenE ing HFI IU7 IR7 IP7 IH7 V7 U7 T7 S7 R7 Q7 P7 I7

@RFSPSA

hithes ip engle 120 110 100 90 80 70 60 50 40 30 20 10

dmax Gw HFPW HFQS HFRP HFSH HFTH HFUI HFVU IFHU IFQU IFVU PFVR SFUP

HFP QS7 PW7 PR7 PH7 IU7 IR7 IP7 W7 U7 S7 R7 P7

HFS VU7 UI7 TH7 SH7 RP7 QS7 PW7 PQ7 IV7 IQ7 W7 R7

I IUQ7 IRQ7 IIW7 IHH7 VR7 UH7 SV7 RU7 QT7 PU7 IV7 W7

P QRT7 PVT7 PQV7 PHH7 ITV7 IRH7 IIS7 WQ7 UQ7 SR7 QS7 IU7

S VTT7 UIR7 SWT7 SHH7 RPH7 QSH7 PVW7 PQQ7 IVP7 IQR7 VV7 RR7

IH IUQP7 IRPV7 IIWP7 IHHH7 VQW7 UHH7 SUU7 RTT7 QTR7 PTV7 IUT7 VU7

elle RFISX vrge sle resolution of STMF he tip ngle is the ngle etween the surfes in ross setionF he rodening is referened to the pull idth t rlf wximum nd given s funtion of h/wD where w is the rel widthF

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RVH

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le RFIS summrizes the results for numer of tip ngles F he (rst olumn gives the mximum rtio h/w with whih the tip just rehes the ottom of the dithF he remining olumns giveD s funtion of h/w the rodening t hlf height of the struture due to the tip shpeF lese note tht h nd w re the rel widths nd heightsF

4.10.6 Tunnelspektroskopie
unneling spetrosopy on lol length sle is one of the strengths of STMF smges of semiondutor surfes depend ritilly on the is voltgeD t whih the imge is quiredF epproximtions nd reipes to nlyze spetrosopi dt existD ut full theory of tunneling spetrosopy sed on the eletron wve funtions in metls is under wyRWD IIQAF elloniIIR proposed generliztion to the trnsfer rmiltonin method y noting tht for smll voltges
EF +V

J(V )
EF

(E)T (E,V )dE

@RFSPTA

is qulittive pproximtionF (E) is the lol density of sttes ner the smple surfeF erso'IIQ ritiizes tht this expression does not explin the reltionship of dJ/dV with the spetrum of the eletron density of sttes s determined for exmple y photo emission nd inverse photo emission spetrosopyF trosio et al.IISD IIT proposed the use of d ln J/d ln V = (dJ/dV )/(J/V ) s representtion of the spetrumF he uthors demonstrted good greement with known spetr of eletron densitiesF he suess of this representtion of tunneE ling spetr depends on the nelltion of the exponentil ehvior of T (E,V )F heoretil lultionsUT on(rm the vlidity of this dt representtion nd of eqution @RFSPTAF

4.10.7 Graphite
tomi resolutionF snvestigtions under r onditionsIIU s well s low tempeE rture experimentsWQD IIV reveled the tomi sle struture of this surfeF he reltive ese of the imging of the graphite surfe under very di'erent onditions hs promoted its use s lirtion nd test surfeF ixperiments going eyond the determintion of the lterl sles reveledD howeverD tht mny unexpeted e'ets ply role in the determintion of the (nl pperne of the imgesF pigure RFPVQ shows shemti view of the struture of the graphite rystlF he ron toms re orgnized in lyers of hexgonsD with only wek onding etween the lyersF his struture permits n esy levge of the surfeD for instne y tping n dhesive tpe to the surfe nd removing it refullyF he lyered struture ssuresD tooD tht there re lrgeD tomilly )t terresF es n exmple we show the topogrphy of the graphite surfe imged t TFV u @(gure RFPVRAF he imge is similr to those otined under other onditionsF

Graphite ws the (rst sustne to e imged in irWW nd under liquidsWV t

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RVI

eildung RFPVQX truture of the graphite rystlF he ron toms in the hexgonl rings t the surfe oupy two inequivlent sitesX et the eEsite the ron tom hs ond with the next lower lyerD wheres t the fEsiteD there is no outEofEplne ondF

eildung RFPVRX vow temperture imge of graphiteF he smple is held t TFV uF he size of the imge is QFQ nmF he height vries y HFSR nmD from lk to whiteF he hexgonl pttern of graphite sheet is not resolvedF snsted moundE like pttern with the repet distne of the unit ell of the graphite surfe HFSR nm is oservedF et other timesD hexgonl like strutures or other strutures re oservedD ut ll with the periodiity of the graphite surfeF woreoverD the height of the oserved orrugtion is often muh lrger thn the height determined y reEstteringIIW or the lulted heightsIIRF his ehvior n e understood y noting tht the STM imges of the graphite surfe re determined y the density of sttes of the surfeF he permi surfe of graphiteWH is on(ned entirely to the edges of the hexgonl frillouin zoneWQ nd the referenes thereinAF his mens thtD to good pproximtionD the lol density of sttes of the graphite surfe t the permi energy n e represented y three stnding wvesIPHF erso'UP showedD tht the prtiulr form of the permi surfe leds to point with vnishing tunneling urrent in the unit ellF ine the STM tres urves of onstnt density of sttesD this would led to lrge orrugtionsD limited y the tul tip shpe nd y the timing of

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RVP

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the snning nd the feedk loopF enother theory put forwrd to explin the gint orrugtions y olerIIU (rst noted tht the fores etween the tip nd the smple n not e ignoredF hey rguedD tht euse of the eletroni struture of the graphiteD the tip ws so lose to the surfe tht it would introdue deformtion of the surfeF he di'erent dependenies on the distne of the fore nd the tunneling urrent would explin the oserved orrugtionsF enother exE plntionIPID IPP involved ontmintion lyers etween the tip nd the smpleF hese ontmintion lyers in ir onsist prtly of wter nd of other sustnes present in the irF wizesIPH lso notedD tht the di'erent possile imges of the graphite surfe n e explined y multiple tip e'etsF sf two or more tips oherently smple the mplitudes of the three stnding wves desriing the graphite surfe wide vriety imges n resultF st is lso possile to imgine entire le)ets of graphite re drgged ross the graphite surfeF wny tips in registry with the graphite surfe smple the urrentF hese imges reD in prinipleD not distinguishle from single tip imges of lrge ordered reF his mode of imging is more likely to our t higher tunneling urrentsD where the tip is loser to the graphite surfeF tepsD howeverD n only e imged with single or few tom tip nd not with le)et of graphiteF xormllyD steps re only seen t low tunneling urrents nd high is voltgesD i.e., t lrger seprtions etween tip nd graphiteF sn summryD graphite is n exellent smple to hek the opertion of miE rosope nd to lirte the xE nd y Ede)etionsF roweverD the detils of the eletroni struture nd the intriies of the surfe ondition of graphite mke wEimges of this surfe ll ut esy to understndF

4.10.8 Low Temperature Experiments


por struturl investigtions of proteins nd iologil memrnes it my e desiE rle to imge the smples t low tempertures to (x their struture of the smpleF ws hve een used to imge metl surfes nd superondutor surfes t low tempertures from the strtF ilrodIHID IHP reported the (rst measurements of superonduting tunneling gp using STMF hey soon therefter were E le to imge the sptil vrition of the superonduting tunneling gpIPQF he measurement of superonduting tunneling gps y STMElike instruments hs eome n essentil tool in hrterizing righEgEsuperondutorsIPRD IPSF pigure RFPVR disussed in the previous setion shows n tomi resolution imge of graphite otined t TFV uWQF he design of low temperture STM is muh more demnding thn the design of room temperture STMIPTD IHID IHPD WQD IPUD IPVD IPW F he mirosope hs to e shielded to keep the onsumption of oolnts like liquid helium low enoughF he enpsultion nd the oolEdown nd wrmEup times gretly inrese the turnround timeF he mehnil systems hve to e designed suh s to work t RFP u without freezingF he smple hs to e kept wrmer thn the rest of the mirosope to prevent the ondenstion of the rest gs on itF he mirosope normlly is mounted in tiny vuum hmerD whih is evuted efore the

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RVQ

eildung RFPVSX ixperimentl setup for the nning unneling otentiometryF e voltge is pplied long the smple surfe y the voltge sourE e @mple fisAF he distne etween the tip nd the smple is mesured with smll eg voltgeF he hgEurrent is nulled y the feedk loop ontrolling the hgEportion of the tip is voltgeF he voltge t the tip is @hgAEvoltge soure is equl to the lol potentil on the smpleF introdution to the ryosttF his preEevution removes dsored wter lyersD whih ould msk the smple strutureF he ontrol eletronis must e modi(edD sine norml eletroni omponents do not work elow PHH uF in ddition the temperture grdients will use thermoE voltges t ll onnetions of wiresF his thermovoltge is dded to the tunneling voltgeD whih ould move the energy position of fetures like the superonduting nd gpF

4.10.9 Related Techniques


here re vriety of relted tehniques to the STMF e will disuss few seleted tehniques operting n STM in n unusul environment or n unusul wyF e will egin our disussion with the oldest memerD the nning unneling otentiometerF

4.10.9.1 Scanning Tunneling Potentiometry


yn smples with grdient of the eletril potentil long the surfe it is importE nt to know the potentil s funtion of positionF he surfe of n integrted hip with its diodes nd trnsistors is typil exmpleF st is of utmost importE ne for the designer of hip tht the potentil grdients re not too steepF yn exeeding ertin limitD vlnhe rekdown n our nd destroy the respeE tive juntionF vol vritions due to imperfet proessing of the hip might give high lol grdients in ertin juntionsD even though the design would e dequte otherwiseF pigure RFPVS shows n experimentl setEupIQHF he voltge drop etween the two lterl ontts is S F he smple surfe onsists silly of two ohmi leds onneted y pnEjuntionD where most of the voltge drop oursF row does one to

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RVR

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mesure this voltge dropc ine the surfe is not tomilly )t nd the juntion overs n re of severl IHHH nm2 onstnt height experimentD similr to those disussed in previous hpters for graphite is not possileF e hve to mesure two quntities simultneouslyD the lol potentil nd the surfe topogrphyF wurlt nd ohlIQH solved the prolem y mesuring n egEvoltge to ontrol the z E position of the tip nd the hgEoltge to mesure the lol potentilF ine the resistne of the lol potentil is high nd sine it should not e loded to give n urte measurementD they used two feedk loopsF he (rst feedk loop ontrols the z EpositionD s in ny other STMF en egEvoltge is pplied etween the smple nd the tipF he egEurrent on the tip is high pss (ltered nd demodulted y lokEinEmpli(erF he output of this mpli(er is further proessed y the norml STM feedk loopF he upper limit of this egEvoltge is given y the hgEesistne Rt of the tunnel juntion nd the stry pitnes Cs of the system tipEsmple inluding the onneting wiresF por suessful opertion the operting frequeny should e smller thn the uto' frequeny of the tunnel juntion nd the onneting wiresD given y

f3dB =

1 2Rt Cs

@RFSPUA

sing typil vlues of I w for the resistne of the tunnel juntion Rt nd of S pp for the stry pitne Cs we get uto' frequeny of QP krzF e hve to er in mind tht t this frequenyD the phse shift is RS nd very sensitive to the tul tunneling resistne @we n ssume tht the stry pitne is onstnt in this ontextAF rene prtil operting frequeny might e Q krzF he lower limit of the operting frequeny is given y the snning speed nd the ndwidth of the seond feedk loop whih we will disuss in momentF sf the typil distne etween surfe fetures is nd the snning speed vs Dthen the operting frequeny should e lrge ompred with vs /aF o mximize the snning speed @nd to minimize the witing time for the opertor3A the frequeny of the egEvoltge of the nning unneling otentiometer is set ner the upper limitF o mesure the lol surfe potentil with no lodingD potentiometer setEup is hosenF sn this setEupD seond potentil @ip fis @hgAA is vried suh s to null the hgEurrentF his potentil is ontrolled y feedk loop whih keeps the hgE omponent of the tunnel urrent zeroF he time onstnts of the two feedk loops hve to e su0iently di'erent @oneD etter two orders of mgnitudeAF ytherwise they would interfere with eh otherF pigure RFPVT shows n exmple of simultneous measurement of the lol potentil nd the surfe topogrphyF heoretil onsidertions suggest tht the ultimte resolution of the nning unneling otentiometer would e the sme s tht of STMF he resolution of the potentil mp in (gure RFPVT is fr worseF essuming miniml detetle potentil hnge of I m over HFS nm would give n eletril (eld of PHHHH GmF uh (elds only rrely exist in semiondutor deviesF feside the errors introdued y the dul feedk loop onept t lest one other error soure existsX thermoeletri potentilsF hese potentils re in

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RVS

eildung RFPVTX nning unneling otentiometryX the top prt shows the lol potentil on the smpleD wsw strutureF he ottom prt of the (gure is the orresponding topogrphyF he imge size is VHH nm x PS nmF his (gure is gopyright IWVT y snterntionl fusiness whines gorportionY reprinted with permissionF

eildung RFPVUX he spetrl noise density in tunneling juntion etween the tip nd the smple in n STMF he noise urve hs een mesuE red on GaAsEsmple y fF uoslowskiF lotted is the spetrl power density s funtion of the frequenyF he dotted line is 1/f 1 .2 power lwF sed with permissionF series with the sought potentil t the surfe nd re indistinguishle from itF righ urrent densities in pnEjuntion might use onsiderle heting of the surfeD whih in turn ould inrese the error of the mesured potentilF

4.10.9.2 Scanning Noise Microscopy and Potentiometry


e hve seen in the previous hptersD tht noise is present in ny STM measurementF he origin of this noise is the tunneling urrent onsisting of disrete hrgesD the eletronsD ndD dditionllyD the eletroni omponents of the feedk systemF he noise in the eletronis n e minimized y reful seletion of the individul omponents nd y the use of pproprite iruitsF he noise on the tunneling urrent on the other hnd is of fr more fundmentl origin nd not yet fully understoodF wller et al.IQID IQP hve uilt nd operted snning proe mirosope sed on noise mesurementsF pigure RFPVU shows measurement of the spetrl noise density in the tunE

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RVT

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neling urrent etween tungsten tip nd GaAsEsurfeD s funtion of the frequenyF he spetrl noise density nd the frequeny re plotted on logrithE mi sleF he eletroni noise of the sGEonverter hd een refully minimized nd the ndwidth optimized for this measurementF et high frequeniesD ove few krz nd outside the rnge of (gure RFPVUD the spetrl noise density is )tF he onstnt spetrl noise density ove few krz is hrteristi of white noiE seF sn ll ses exept for vnishing verge tunnel urrentD the spetrl noise density inreses with deresing frequeny elow few krzF he ext nture of this noise is not yet knownF st is present in ll eletroni deviesD diodes nd trnsistorsD nd it limits the performne of these deviesF here re suggestionsD tht the 1/f noise @nmed for its dependene on the frequeny f A might e used in the tunneling urrent y dsorte toms or moleules pssing through the tunE nel juntionF hese dsorte toms or moleules will di'use through ny tunnel juntionD whether there is is voltge or notF rowever t zero is voltgeD there is no eletri (eld to modify the trjetory of the prtiles under the tipF he high (eld grdients etween the STM tip nd the smple will indue dipoles in toms nd moleules di'using round ner itF he indued dipole will then e ttrted y the high (eld region nd e present for longer times under the tip thn in the se of no (eldF his mehnism is one possiility to generte 1/f dependene of the low frequeny spetrl noise densityF he 1/f noise omponent distinguishes the tunnel juntion from n ommon resistorF wller et al.IQQ hve found tht the zero is white noise in the STM tunE nel juntion vries with the sping of the tip nd smple surfeD s vries the tunneling resistneF sing low noise eletronisD they mesured the noise density in nrrow frequeny nd nd djusted the reltive sping etween tip nd smple suh tht the totl noise in this ndwidth ws onstntF he noise is lso mesured in seond nrrow frequeny nd entered round seond frequenyF sf the noise is white then the rtio of the mplitudes of these two nds is equl to IF rowever if the 1/f Enoise is present then the mplitude of the lower frequeny nd is lrger thn tht of the higher frequeny ndF sing feedk iruit smll is voltge is pplied to the smple to otin white noiseF he is voltge is then extly opposite to the potentil t the smple surfeF his methodD lE led noise potentiometryD is ple to mesure potentils down to the levelD s n e seen in (gure RFPVVF he upper prt of this (gure shows the topogrphy of silver (lm onsisting of few grins nd mesured with noise mirosopyF he lower prt is potentil imge of this sme surfeF nning noise mirosopy nd potentiometry might e useful to imge the tivity of iologil moleulesF he trnsmission oe0ient for eletrons in ll tunneling juntions depends ritilly on the ext rrngement of toms nd onds present in the juntionF e hnge of the onformtion of moleule hene hnges the trnsmissivity of the tunnel juntionF st is foreseen tht displements of few piometers n show up in the noise spetrumF

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RVU

eildung RFPVVX opogrphy @upper prtA nd lol potentil @lower prtA on silver (lmF he sn size is SHH nm SHH nmF he orrugtion on the topogrphy is ISH nmF he totl potentil vrition is ST F his imge ws provided y F wller nd is used with permissionF

eildung RFPVWX fllisti iletron imission wirosopyF he eletrons in the tip t the permi energy re injeted in the se of hottky rrierF ome eletrons move llistilly through the se nd re olleted y the olletorF fy vrying EF of the olletor with respet to EF of the tip trnsmission properties of the hottky rrier n e mesuredF

4.10.9.3 Ballistic Electron Emission Microscopy


yn most smplesD STM provides the experimenter with informtion on the surfe properties of the eletron sttes ner the permi inergyF he STM imges re little 'eted y the underlying struture of the smpleF pigure RFPVW shows sketh of the eletron energy in ross setion of tip nd smpleF rere the smple is hottky diodeF es we hve seen in the theoretil setion @(gure RFPUIAD minly eletrons ner the permi inergy of the negtively ised @higher energyA eletrode tunnel through the tunnel rrierF wost of the eletrons emerge from the rrier with the sme energy they hd efore enteE ring the tunnel regionF ynly minor frtion @I in IHHH or lessA loose energy in the proess of tunnelingF hese inelsti tunneling proesses re negleted in this hpterF he min frtion of the eletrons entering the positively ised eletrode hve n exess energy equl to eVt D the eletron hrge times the is voltgeF he eletrons do not loose their exess energy instntlyF hey move llistilly through the smple with little intertion with the rystl strutureF yn the veE rge eletrons trvel distne lled the men free pthn rystl etween two

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RVV

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eildung RFPWHX hemtishe hrstellung eines unnelergngs mit einer dE zwishen geshlteten nnoskopishen snselIQSF ollisionsF his men free pth is hrteristi numer of the smple depending on its rystl strutureD its hemil ompositionD the undne of rystl defetsD nd on the tempertureF yn the verge eletrons ollide fter one men free pth with n ion ore of the smple nd loose their exess kineti energyF e now ssume tht the smple is very thinD smller thn the men free pth of the eletronsD nd tht we hve n energy nlyzer t the kF e ould then determine the numer of eletrons s funtion of their energy loss in the smpleF sf we further hd point soure of these hot eletronsD we ould hrterize mteril9s properties to within few nnometers dimeter on the smple surfeF fell nd uiserIQR used the STM s their soure of hot eletronsF hey used hottky diode with distne of only few IH nnometers etween the hottky rrier nd the surfeF fy ising the olletor eletrode negtivelyD one is le to mesure spetrum of the hot eletrons rriving t this eletrodeF fy ompring this urrent with the injeted tunneling urrentD one gets mesure of the men free pth etween the tip nd the k eletrodeF fy snning the tip over the smple surfeD this men free pth n e mpped on the surfeF he presene of defets like dislotionsD grin oundries or di'erent speies of toms is likely to redue the men free pthF his hnge mnifests itself s redution of the urrent mesured t the k eletrodeF his tehnique promises to give dditionl informtion on tehnologilly imE portnt devies on semiondutor surfes in nonEdestrutive wyF

4.10.10 Serieschaltung von Tunneldioden


enn mnD wie in eildung RFPWH einen unnelergng mit einer dzwishenE geshlteten xnoinsel htD treten neue physiklishe i'ekte ufF h die unE nelergnge sehr kurz sindD knn mn nnehmenD dss in jedem unnelkontkt mximl ein ilektron istIQSF hmit iinzelelektronene'ekte uftretenD mssen die unnelwiderstnde die fedingung

RT

RK =

h = 25.8k e2

@RFSPVA

erfllenF her unnelwiderstnd ist eine prktish de(nierte qrsseF enn V die n einem unnelergng nliegende pnnung und IT = e der unnelstrom istD dnn ist

RT =

V V = IT e

@RFSPWA

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RVW

eildung RFPWIX irstzshltshem fr einen unnelergngIQTF xh vikhE rev ist nur der lue rozess erlutF rier ist die unnelrteF enn mn mit T die rnsmissionswhrsheinlihkeit durh die unnelrriere ezeihnetD dnn gilt uh

1 1 = 4N T @RFSQHA RT RK hie inergieunshrfe herrhrend von der durh unnelprozesse egrenzten veE ensduer eines ilektron uf der xnoinsel r = RT C D ist Er r h
@RFSQIA

woei C die upzitt der snsel istF sst ein zustzlihes ilektron uf der snsel gespeihertD dnn entspriht dies einer inergienderung von

e2 @RFSQPA 2C hie inergie EC wird uh goulomEinergie gennntF pordert mnD dss EC Er istD folgt drus @RFSPVAF hmit der rozess eohtr istD muss die goulomE energie sehr viel grsser ls die thermishen inergien seinF EC = EC Ethermisch = kB T
@RFSQQA

enn @RFSPVA und @RFSQQA erfllt sindD wird der unnelprozess und dmit der trom)uss durh die Coulombblockade gesteuertF hie eildung RFPWI zeigt ds fr unnelergnge verwendete irstzshltildF xeen dem unnelstrom IT und der veitfhigkeit des unnelergnges GT = 1/RT ist die ngelegte pnnung V und die upzitt C von fedeutungF hie eildung RFPWP zeigt eine grphishe hrstellung der inergieverhltnisE se ei der goulomEflokdeF hie inergie der snsel soll vor dem unneln eines ilektrons

Q2 @RFSQRA 2C seinF xhdem eine ilementrldung e dzugekommen istD ist die inergie Ei = (Q e)2 2C her rozess luft nur dnn von seler D wenn Ef = 0 < Ef Ei =
@RFSQSA

(Q e)2 Q2 Q2 2eQ + e2 Q2 e (Q e/2) = = @RFSQTA 2C 2C 2C C

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RWH

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eildung RFPWPX otentilverluf uf der zentrlen snsel im klssishen fildF istF enn Q = 0 istD dnn ist @RFSQTA niht erflltF ird ein niht vershwinE dender trom von ussen ufgeprgtD dnn muss die snsel zuerst er sn)uenz uf Q = e/2 ufgelden werdenF hnn wehselt ein ilektron von der snsel und ds piel eginnt von neuemF enn E = Ef Ei positiv istD wenn lso kein trom durh die snsel )iessen knnD dnn gilt uh

e e <V < 2C 2C hie pnnung V ist durh die orgeshihte gegeen


t

@RFSQUA

C V =

i(t )dt

modulo |e|

@RFSQVA

hies es erhlten ist uh in der eildung RFPWP ersihtlihF is wird ngenomE e e menD dss die eusgngsldung Q uf der snsel irgendwo im fereih 2 < Q < 2 istF nn immer ein ilektron uf die snsel oder von der snsel tunneltD erhht sih die qesmtenergieD d die vdung sih nur in hritten von e ndern knnF xur wenn sih ds ellenpket des ilektrons in der eigentlih verotenen one rehts von e/2 e(ndetD knn mit durh den unnelprozess die qesmtenergie gesenkt werdenF enn die unnelrriere reit istD ds heisst wenn die iderstndsedingung @RFSPVA erfllt istD sind die ilektronen wie in der eildung RFPWQD unten skizziertD loklisiertF hie uopplung zwishen den vershiedenen veiterstken ist shwhF ird die uopplung vergrssertD ds heisstD werden die unnelrrieren dnnerD nhert sih die rumlihe erteilung der ilektronen immer mehr der von freien ilektronen nF hie Coulomb-Blockade reitet qulittiv gesprohen wie folgtF

iin ilektron tunnelt uf die snselF

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RWI

eildung RFPWQX hrsheinlihkeitsverteilung der ilektronen in ehngigkeit von RT

eildung RFPWRX otentilild einer erieshltung von zwei snseln

hie inergie der snsel wird so strk erhhtD dss keine weiteren ilektronen tunneln knnenF hs ilektron tunnelt us der snselD woei die ihtung sttistish istF enn der unnelwiderstnd in eine ihtung kleiner istD tritt der unnelprozess in die ihtung evorzugter ufF
hieses erhlten wird sehr shn durh ds otentilild in eildung RFPWR gezeigtF h die snsel zwishen den zwei unnelkontkten sehr klein sein sollD git es fr die ilektronen nur diskrete inergieniveus im estnd der goulomenerE gie EC F te kleiner die snselD desto weiter sind die mglihen ilektronenzustnde sepriertF enn die ngelegte pnnung kleiner ls e/(2C) istD dnn ist nh erreiE hen des qleihgewihtszustndes ein unesetztes ilektronenniveu der snsel er der linken Fermi-Energie und ein esetztes xiveu unter der Fermi-Energie des rehten veitersF pr die ilektronenD die von links nh rehts gelngen wolE lenD esteht eine e'ektive unnelrriere estehend us zweiml der freite der ursprnglihen frriere und der freite der snselF ird die ngelegte pnnung er e/2C ngehoenD muss ein ilektronenzuE stnd zwishen den permiEinergien der eiden ilektroden liegenF ilektronen knE

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RWP

ensoren und wessverfhren

eildung RFPWSX tromEpnnungshrkteristik fr einen doppelten unnelkonE tkt

eildung RFPWTX otentilild eines ingleEilektronErnsistorsF nen sih lso von links nh rehts ewegenF sst jedoh der ilektronenzustnd unesetztD ndert sih die inergie der snselX weitere ilektronen knnen erst nh einer gewissen eit wieder tunnelnF hieses erhlten ewirktD dss ei der empertur aH die veitfhigkeit null istF hie uennlinie wird wie in eildung RFPWS ussehenF pliesst ein tromD knnte dieser ei gengender xhweisemp(ndlihkeit ls eine polge einzelner ilektronen ufgelst werdenF sm wittel ist die polgefrequenz

fSET = I/e

@RFSQWA

4.10.11 Single Elektron Transistor


ird nun ei einem doppelten unnelergng die snselD lso die mittlere ilekE trode er eine pnnung ngesteuertD dnn ergit sih ein otentilild wie in der eildung RFPWTF hie enshlsse dieses Single-Electron-Transistors

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RFIH wessung mit ilektronen

RWQ

eildung RFPWUX irstzshltshem fr den Single Electron TransistorF

eildung RFPWVX higrmm der flokde in einem Single Electron TransistorF @SETAwerden nlog zu denen eines FET ezeihnetX SourceD Drain und GateF hs linke fild zeigt die itution mit einer ngelegten pnnung |V | < e/(2C)X es knn kein trom )iessenF hurh ds enlegen einer pnnung werden die inergieE niveus der snsel so vershoenD dss ein trom )iessen knnF eildung RFPWU zeigt ds geruhlihe irstzshem eines iF iingezeihnet sind die relevnten upzitten C1 D C2 und Cg und die iderstnde R1 und R2 F iine enlyse der qleihungenIQS zeigtD dss der i in den in der eildung RFPWV eingeshlossenen plhen niht leitetF hs ghrgeEuonsortium26 stellt uf seiner esite mehrere epplets zur erfE gungD mit denen ds erhlten von i9s erforsht werden knnF

26 http://qt.tn.tudelft.nl/CHARGE/

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RWR

ensoren und wessverfhren

eildung RFPWWX qeometrie der eildung in einem peldionenmikroskop

4.10.12 Feldemissionsmikroskopie, Feldionenmikroskopie


fei einem peldemissionsmikroskop wie uh ei einem peldionenmikroskop werden eilhen von einer strk gekrmmten yer)he rdil emittiertF hie geometrishe itution ist in der eildung RFPWW gezeigtF enn die pitze den urmmungsrdiE us r und der feohtungsshirm den dius R henD dnn ist die ergrsserung nh dem trhlenstz durh

A=

R D = d r

@RFSRHA

enn wir fr den feohtungsshirm einen dius von R = 0.1m = 101 m nnehmen und fr die pitze einen urmmungsrdius von r = 100nm = 107 mD dnn ist die ergrsserung A = 106 F wei uohlensto'tome in einem qrphitgitter mit einem estnd von 0.14nm wrden in einem estnd von 0.14mm geildetF unn der urmmungsrdius der pitze uf 10nm gesenkt werdenD dnn wrden die zwei uohlensto'tome im estnd von 1.4mm geildetF fei der hiskussion der eildung in einem peldemissionsmikroskop oder in eiE nem peldionenmikroskop ist niht erksihtigt wordenD dss die lokle opogrE phie den eustrittsort der ilektronen oder den yrt der peldemission eein)ussen knnF hiese opogrphie der Potentiallinien in der xhe der pitze mitteln sih jedoh er wenige nm usD so dss die rjektorie und dmit die eildung niht eein)usst wirdF

4.10.12.1 Feldemissionsmikroskop
ie in der eildung RFPWW diskutiertD ewegen sih die ilektronen uf rdilen rjektorien von der pitze zum hirmF hs elektrishe peld in einem peldemisE sionsmikroskop entspriht dem eines uugelkondenstorsF hie im oigen eshnitt ngesprohene opogrphie der imitterspitze ewirkt eine tngentile qeshwinE digkeit der ilektronenF hiese ngentilgeshwindigkeit der ilektronen entspriht einer inergie 0.1 eF hiese muss mit der gesmten kinetishen inergie von S ke verglihen werdenD ist lso vernhlssigrF hie otentilverhltnisse eim imissionsprozess von ilektronen werden in der eildung RFQHH gezeigtF hie ferehnung knn mit den in den eshnitten zur heorie des unnelmikroskopes ngegeenen qleihung @RFRVQA fr den peldemisE sionsstrom erehnet werdenF

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RFIH wessung mit ilektronen

RWS

eildung RFQHHX peldemissionsprozess

eildung RFQHIX rinzipieller eufu eines pelemissionsmikroskopes hie eildung RFQHI zeigt den prinzipiellen eufu eines peldemissionsmikroE skopesF hie imitterspitze ist in einem qefss mit einem rohvkuumE oder lE trhohvkuumdruk eingeshlossenF her hosphorshirm rehts wndelt die ilekE tronen entweder direkt oder mit einer vorgeshlteten wikroknlpltte in fr ds euge sihtre filder umF hurh die geringe wsse der ilektronen ist deren frownshe fewegung so grossD dss eine eildung einzelner etome niht mglih istF heshl wurde durh wlE ler und songIQU ds peldionenmikroskop entwikeltF

4.10.12.2 Feld-Ionenmikroskopie (FIM)


feim peldionenmikroskop wird eine positive pnnung n die pitze ngelegtF iin eildungsgsD in der egel HeD H2 oder N e wird mit niedrigem hruk zur roenkmmer hinzugegeenF hiese ist hnlih ufgeut wie die ummer der peldemissionsmikroskope @siehe eildung RFQHIAF hie Ausung ei dieser ert wikroskopie ist 0.1nmF ie ist esser ls ei der plemissionsmikroskopieD d die wsse der ildenden eilhen sehr viel grsser istD die frownshe fewegung deshl entsprehend geringer istF hie eildung RFQHQ zeigt den otentilverluf n der pitze eines peldionenE mikroskopesF enn ein etom sih der yer)he nhertD verliert es durh tsse kinetishe inergieF hurh die olrisierrkeit wird ds etom n der pitzenoerE )he gehltenF wishen dem etom und der pitze ildet sih eine unnelrriereF hie unnelwhrsheinlihkeit ist desto grsserD je nher ds etom n der roenoE

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RWT

ensoren und wessverfhren

eildung RFQHPX peldionistion n der pitze eines peldionenmikroskopes

He f e
eildung RFQHQX otentilverluf ei der peldionenmikroskopie er)he istF enn die Austrittsarbeit der yer)he und die sonistionsenergie I des oersten inergieniveus istD dnn ist ei einer peldstrke E n der pitze die sonistion durh den unnele'ekt mglihD wenn

I @RFSRIA eE hnn liegt ds oerste inergieniveu des etoms er der Fermi-Energie EF F pr relium liegt ds oerste esetzte xiveu D ds HeI ExiveuD ei 24.5 eF wit der typishen Austrittsarbeit von olfrm von = 4.5 e und einem peld von 50V /nm ergit qleihung @RFSRIA fr die sonistionsdistnz den ert xc = 0.4nmF iin reliumtom us dem pllgs der roenkmmerD ds durh seine zufllige feE wegung in die xhe der pitze kommtD wird durh den peldgrdienten polrisiertF her entstehende hipol ist so gerihtetD dss die negtive vdung zur positiven pitE ze hin zeigtF hs polrisierte reliumtom wird deshl von der positiv geldenen peldionenmikroskopspitze ngezogen und gewinnt n qeshwindigkeitF ie fild RFQHP zeigtD stsst ds reEetom mit der pitzeF hurh den teilweise inelstishen toss verliert es n inergieF is wird jedohD mit verminderter qeshwindigkeit von der pitze zurkre)ektiertF hie fewegung folgt den peldlinien des elektriE xc =

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RFIH wessung mit ilektronen

RWU

eildung RFQHRX ergleih eines feldionenmikroskopishen fildes mit einem uugelmodellF vinks ist ds uugelmodell fr eine N i4 M oE erindung gezeigtF ehts ist ds entsprehende feldionenmiE kroskopishe fildF shen peldesF eus der ilektrodynmik ist eknntD dss sih die peldlinien des elektrishen peldes n yrten mit kleinen urmmungsrdien konzentrierenF hieser i'ektD der uh ei flitzleitern usgenutzt wirdD ewirktD dss n iken und unten die peldstrke esonders hoh istF heshl sind iken und knten die yrteD hie pelE dionistion geshieht evorzugt n yrten hoher peldstrke @ikenD untenAF hs heisstD dss der nhste und die folgenden tsse des polrisierten reEetoms evorE zugt n den unten und iken geshehenF xh wenigen ennherungsewegungen leit ds etom solnge n der yer)he der pitzeD dss ds lenzelektron @ds elektrishe peld riht die ymmetrieD so dss die inergieniveux ufspltenA vom estion getrennt wirdF old ds reEetom ionisiert istD )iegt ds son entlng der peldlinien von der pitze weg und wird uf dem hirm detektiertF eildung RFQHR zeigt uf der linken eite uugelklottenmodellD ei dem die ndtome eingefrt sind und ein ein gemessenes peldionenmikroskopild27 F hmit die eildung gelingtD ist es notwendigD dss sowohl die pitze wie uh die etome des pllgses gekhlt werdenF els uhlmittel werden typisherweise )ssiger tiksto' @LN2 A oder )ssiges relium @HeA verwendetF hmit werden die ngentilgeshwindigkeiten der reEsonen klein gehltenF hie peldionenmikroskopie wr die erste experimentelle wethodeD die individuelle etome ilden konnteF h die pitzen leitfhig sein mssenD ist die enwendung dieser hhstu)senden mikroskopishen wethode uf wetlle oder leitfhige wE terilien eshrnktF irhht mn die n der pitze ngelegte pnnung zu strkD dnn ist die olE ristion der etome n ihrer yer)he so grossD dss uh etome der pitze im eigenen peld ionisiert werdenF hieser i'ekt wird Felddesorption gennntF fei erE hhten peldern wird xc kleinerF enn xc in den fereih von 0.1nm kommtD werden
27 http://www.ornl.gov/ORNLReview/rev28-4/text/contents.htm

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RWV

ensoren und wessverfhren

eildung RFQHSX rinzipild der etomEroeE peldionenmikroskopie uh etome in der pitzenoer)he ionisiertF pitzen fr die peldionenmikroskopie werden nlog zu den pitzen fr die E stertunnelmikroskopie prpriert @iehe den eshnitt RFIHFRFVAF ustzlih knn der i'ekt der pelddesorption zur pormung der pitze und zur eduktion der pitE zengrsse verwendet werdenF hurh edsorption us der qsphse knn die pitze uh gezielt vergrssert werdenF hmit ein wteril fr eine feldionenmikroskopische Abbildung tuglih istD muss die pelddesorptionsshwelle fr die pitze hher liegen ls peldionisE tionsshwelle fr ds pllgsF ypishe in der peldionenmikroskopie verwendete wterilien sind W D ReD M oD F e und CuF hzu kommen wishkristlle und nE dereD hier niht gennnte wterilienF hie eildung der qeometrie der roe stehtD zumindest ei reinen yer)henD heute niht mehr im ordergrundF hie feohtung der fewegung einzelner etoE me uf errssen von PH is QH ustrttomen ermgliht eine festimmung der prungwhrsheinlihkeitF eus dieser lsst sih der Diusionskoezient fr einE zelneD mrkierte etome estimmenF enn der trom der ionisierten fildgstome niht uf einem pluoreszenzshirm mit oder ohne vorgeshltete wikroknlpltteD sondern mit einemD die plhe einer etomposition dekenden Faradaybecher detektiert wirdD knn mn er die tromshwnkungen uf den hi'usionskoe0E zienten rkshliessenF

4.10.12.3 Atom-Probe Feldionenmikroskopie


hie Atom-Probe Feldionenmikroskopie @eildung RFQHSA ist eine eiterentE wiklung der peldionenmikroskopieF hie peldionenmikroskopie erlut eine eE ildung der osition von n unten oder iken sitzenden etomenF dei ist jedoh die etomsorte niht feststellrF hie einfhste ert der etomEroeE peldionenmikroskopie eruht drufD dss ei der pelddesorption ein etom us der roenoer)he entfernt wirdF hie kinetishe inergie dieser sonen hngt von ihrer wsse F sn einem wssenspektrometer knnD d die sonen einfh gelden sindD die wsse estimmt werdenF enn die pelddesorption mit pnnungspulsen durhgefhrt wirdD knn er die plugzeit der sonen wie in der eildung RFQHT gezeigt die wsse estimmt

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RFIH wessung mit ilektronen

RWW

eildung RFQHTX wessung der etommsse er die vufzeit der felddesorierten etomeF werdenF ur eit t0 soll ein pnnungspuls n die pitze ngelegt werdenF hie sonen sollen mit der feshleunigungsspnnung U eshleunigt werdenF h die oE tentilgrdienten des elektrishen otentils nur in der xhe der pitze wesentlih von null vershieden sindD knn mn ds eshleunigende peld us der ngelegten hesorptionsspnnung erehnenF wishen der ls konstnt ngenommenen qeE shwindigkeit v D der wsse des sons mI und der feshleunigungsspnnung gilt die folgende feziehungF

1 mI v 2 = eU @RFSRPA 2 wit der plugstreke LD der histnz zwishen der pitze und dem hetektor knn die plugzeit t gefunden werdenF t =
hmit ist die sonenmsse

L =L v

mI 2eU

@RFSRQA

2eU 2eU t2 = @RFSRRA v2 L2 nter der orussetzungD dss jedes einzelne son detektiert werden knnD knn mit dieser ehnik die yer)he der pitze etom fr etom getrgen werdenF sndem die pnnung des hesorptionspulses so klein gewhlt wirdD dss im witE tel wesentlih weniger ls ein etom desoriert wird und indem mn nh jedem hesorptionspuls eine eildung der yer)he ufnimmtD knn mn die usmE mensetzung einer pitze dreidimensionl ufgelst messenF mI =

4.10.13 Projektionselektronenmikroskopie
enn mn ein peldemissionsmikroskop ls punktfrmige uelle von ilektronen eE trhtet kommt mn zum uonzept eines rojektionselektronenmikroskopesIQVF

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SHH

ensoren und wessverfhren

eildung RFQHUX rinzip des rojektionselektronenmikroskops

eildung RFQHVX rologrmm von uohlensto'fsern is ist mglihD eine peldemissionsspitze so zu prprierenD dss sie in einem einE zelnen etom endetF hurh dieses einzelne etom knnen trme von einigen A )iessenF hurh ds kleine olumen des etomsD knn sih immer nur ein ilektron in diesem qeiet ufhltenF is ist zu erwrten und uh eohtet wordenD dss ilektronenD die us einem einzelnen etom emittiert werdenD ussergewhnlihe uohrenzeigenshften henF eildung RFQHU zeigt ds rinzip eines rojektionsmikroskopesF iine feine pitE ze wird gegener einer enode mit einem wikrometer grossen voh positioniertF hie pnnungsdi'erenz zwishen der pitze und der enode estimmt die kinetiE she inergie der ilektronenF ypisherweise werden pnnungen von einigen IH olt ngelegtF hdurh ist die kinetishe inergie der ilektronen so geringD dss die ehselwirkung mit uohlensto' zu einem deutlih sihtren uontrst fhrtIQVF hie ergrsserung eines rojektionselektronenmikroskopes ist durh ds erhltE nis der histnz von der pitze zum feohtungsshirm zur histnz von der pitze zum yjekt gegeenF

D d+D =1+ @RFSRSA d d enn ds yjekt einen oder einige wikrometer von der pitze entfernt ist und die histnz zum hirm IH m etrgtD wre die ergrsserung zwishen 104 und 105 F hie eildung mit einem rojektionselektronenmikroskop ist prinzipedingt verzerrungsfrei und shdigt die roen kumF eildung RFQHV zeigt ein rologrmm von uohlensto'fsernF hie tsheD dss a=

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RFIH wessung mit ilektronen

SHI

snterferenzersheinungen sihtr sindD deutet uf die fr ilektronen ussergeE whnlih hohe uohrenzlnge hinF

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SHP

ensoren und wessverfhren

4.10.14 Rasterelektronenmikroskopie
iin ilektronenmikroskop ist prinzipiell wie ein klssishes wikroskop ufgeutF vinsen ilden eine uelle uf die roe und die roe uf den fildshirm F sn dieser orlesung sollen nun die rinzipien der sterelektronenmikroskopie eE sprohen werdenF iine sterelektronenmikroskop ist hnlih ufgeut wie ein konfokles wikroskopF her ilektronenstrhl wird er die roe gerstertF enders ls im konfoklen wikroskop wird jedoh die gestreuten ilektronen ohne kwirE kung gesmmeltF

4.10.14.1 Linsen fr Elektronen


U durhluft ndert seine kinetishe inergie umF

4.10.14.1.1 Elektrostatische Linsen iin ilektronD ds die otentildi'erenz


1 2 1 2 eU = mvB mvA 2 2
sst vA = 0 so gilt @RFSRTA

v=

2eU = m

2e U m

@RFSRUA

ir knnen dieses esultt mit dem fr viht vergleihenF hort ist c = co/n oder

@RFSRVA

n=

c0 c

@RFSRWA

hei ist c0 die kuumlihtgeshwindigkeit und c die vihtgeshwindigkeit im wediumF pr ilektronen giltX

nv
xh eF RFQHW giltD d

2e U m

@RFSSHA

1 2 2 m(vz vz ) = eU 2

@RFSSIA

dFhF im qeiet wo ds ilektron shneller ist wird es zur qrenz)hennormle geeugtF hs frehungsgesetz ist dnn

sin 1 n2 v2 = = = sin 2 n1 v1

U2 U1

@RFSSPA

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RFIH wessung mit ilektronen

SHQ

eildung RFQHWX hurhgng von ilektronen durh eine elektrosttishe otentiE ldi'erenz

eildung RFQIHX eufu einer elektrosttishen vinse iine elektrosttishe vinse wird nh dem in eF RFQIH gezeigten hem ufE geutF hie quipotentil)hen ilden eine linsenfrmige yer)heF hie rjekE torien der ilektronen sind in eF RFQII gezeigtF fei jeder konkven quipotenE til)he wird ds ilektron weg von der ehse gelenktD ei jeder konvexen zur ehse hinF ie ei optishen vinsen knnen rupteenen und frennweiten estimmt werE den @siehe eF RFQIPAF h die qeshwindigkeit von links nh rehts zunimmt ist die vinse niht umkehrrF is giltX
f0 S0

fi Si

= 1F hmit wird die ergrsserungX yi f0 Si = Y0 fi S0

@RFSSQA

eildung RFQIIX hemtisher eufu einer elektrosttishen ylinderlinse

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SHR

ensoren und wessverfhren

eildung RFQIPX rupteenen einer elektrosttishen vinse

eildung RFQIQX ilektrosttishe iinzellinse und

fi = f0

Ui = U0

vi v0

@RFSSRA

hie in eF RFQIP drgestellte vinse ist niht prktishD d sie ds otentil ndertF liher ist die iinzellinse nh eF RFQIQF hiese vinse ist symmetrishF ie ht fokussierende irkung und ist forml quivlent zu zwei optishen vinsen mit gleihen frennweitenD er untershiedlihen urmmungen @iehe eF RFQIRF ilektrosttishe vinsen werden liherweise niht in sterelektronenmikroE skopen verwendetD d sie die qeshwindigkeit ndern und eine gringe frehkrft henF sn modernen snstrumenten @spterA werden sie jedoh enutztD um die ilektronen vor der ehselwirkung mit der roe zuremsenF

durh die vorentzkrft gelenkt @eF RFQISAF

4.10.14.1.2 Magnetische Linsen ilektronen werden in einem wgnetfeld


F = e v B
@RFSSSA

eildung RFQIRX ur iinzellinse quivlenter eufu mit optishen vinsen

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RFIH wessung mit ilektronen

SHS

eildung RFQISX hem der irkungsweise der vorentzkrft ilektronen die prllel zum wgnetfeld )iegenD werden niht gelenktF ilekE tronenD deren fhnen geneigt sindD hen eine uomponente v senkreht zum wgnetfeldF heshl git es eine urft
2 v @RFSSTA r hiese urft ist senkreht zu v F sn der rojektion ergit sih die yklotronE ureisewegungF Fz ist uh eine entripetlkrftF elso ist

Fz = eBv = eBv sin = m

v =
hie mlufzeit ist

eBr m

@RFSSUA

2r 2m @RFSSVA = v eB ir erhlten ds emerkenswerte esulttD dss die mlufzeit eines ilektrons unhngig von seiner enfngsgeshwindigkeit und von seiner fhnneigung istF enn wir ein fndel ilektronenD ds us einem unkt emittiert wird etrhE tenD dnn sind lle nh L = nvTuml n N wieder fokussiert dFhF wir knnen sgenD dss diese vinse die frennweite Tuml. = 2nvm L = nvTuml = nN @RFSSWA 4 eB htF hiese vinse ht einen eildungsmssst von IXID @deshl ist uh f = L/4AF her urmmungsrdius der fhn ist dei f= r = mv mv sin = eB eB 1 2eU m2 = sin B me2 1 2U m = sin B e

@RFSTHA

woei die folgenden ekrzungen verwendet wurdenX

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SHT

ensoren und wessverfhren

eildung RFQITX hrhtshlufe ls vinseF hie mgnetishen peldlinien sind soD dss die vorentzkrft in der hrhtshlufe die ilektronen wie in einer vinse lenktF

1 2 mv = eU 2 2eU v = m

@RFSTIA @RFSTPA

lihe mgnetishe vinsen verwenden inhomogene wgnetfelder hs einfhste feispiel ist eine hrhtshlufe @siehe eF RFQITAF is gilt nh fiotEvrt

B(z) =

0 I 2R 1 +
z 2 R

3/ 2

@RFSTQA

pr eine pule mit x indungen ist

B (z) =

N 0 I 2R 1 +
z 2 R

3/ 2

@RFSTRA

lihe mgnetishe vinsen werden mit iisenkernen ufgeutF hmit knn die trke des wgnetfeldes um mehr ls eine qrssenordnung gesteigert werdenF iine kurze vinse @eF RFQIUA knn wie folgt erehnet werdenX is gilt F = ev B und div B = 0F sn ylinderEuoordinten @eF RFQIVA ist

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RFIH wessung mit ilektronen

SHU

eildung RFQIUX fild einer kurzen mgnetishen vinse

eildung RFQIVX ylinderkoordinten zur ferehnung einer mgnetishen vinse

divB =

1 1 B Bz (B) + + z 1 B Bz = B + + z B B Bz = + + z

@RFSTSA

hei ist B = const d ylindersymmetrie ngenommen wurdeF pr pelderD die sih rumlih niht zu strk ndernD gilt

B B =
hies ist die prxile xherungF elso gilt

@RFSTTA

B Bz + z wieder mit der prxilen xherung gilt vz v divB = 0 = 2 v = evB m v = ev Bz m v = eBz evB e2 B = Bz v m m m2

@RFSTUA

@RFSTVA

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SHV

ensoren und wessverfhren

eildung RFQIWX qeometrishe usmmenhnge in mgnetishen vinsen zwishen rdiler qeshwindigkeit v und der xilen qeshwindigkeit v sowie dem estnd von der optishen ehse und der frennE weite f F eus der qeometrie folgtX

v v v = v f
und drus

@RFSTWA

v e2 v = = = 2 B Bz = v v f f m
egeleitet ergit sih

@RFSUHA

B Bz v = e2 v Bz + B 2 e v B = Bz m2
mit

1 m2
@RFSUIA

Bz 0

@RFSUPA
dz D dt

erwenden wir die feziehung x = f (z) dx = f (z) dt = f (z) dz und v = v so wird

x=
sowie mit x =
v

1 v

f (z)dz

@RFSUQA

wird

v 1 e2 = 2 m2
wit divB = 0 folgt

Bz

Bz z

@RFSURA

B 1 Bz = 2 z
und

@RFSUSA @RFSUTA

Bz

Bz 1 2 = Bz z 2 z

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RFIH wessung mit ilektronen

SHW

eildung RFQPHX vinks die peldverteilung B(z) in xiler und B(r) in trnsverE sler ihtung in einer symmetrishen mgnetishen vinse mit der 'nung D und dem qp S AF ehts ist ds hem der fildformung in einer mgnetishen vinse gezeigtF elso ist

1 e2 2 v = B 4 m2 z
eiter gilt

@RFSUUA

v 1 e2 = 4 m2

1 e2 2 Bz dt = 4 mv
v

2 Bz dz

@RFSUVA

wit den feziehungen 1 mv 2 = eU und 2

v f

ekommt mn
2 Bz dz

1 1 e2 = 1 2 2 f 8 2m v
h die frennweite von
2 Bz

2 Bz dz

1 e = 8 mU

@RFSUWA

hngtD git es nur fokussierende vinsenX

4.10.14.1.3 Wie wird die Bewegung der Elektronen beschrieben? wit einer
hnlihen mformung wie im vorherigen estz erhlt mnX

F =

e2 4m

2 Bz (z)

@RFSVHA

hies ist die entripetlkrftF heshl gilt

F = m =
wit der ilektronengeshwindigkeit
dz dt

e2 2 B (z) 4m
2eU m
1 2

@RFSVIA wird @RFSVPA

=v=

d2 e2 2 2 e + B = O = 2 + B2 = 0 2 2 dt 4m z 8mU

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SIH

ensoren und wessverfhren

eildung RFQPIX feziehung zwishen und z dFhF wir erhlten eine fewegungsgleihung fr die ottion der ilektronenhnF 2 fei grsseren B wird die frennweite kleinerF U pr die fhndrehung giltX

d e + dz 8mU
eus der feziehung
z2

1 2

B=O

@RFSVQA

(z2 ) (z1 ) =
z1

e 8mU

1 2

B (z) dz

@RFSVRA

ersieht mnD dss die filddrehung von der ihtung von B hngtF hs heisst durh lternierende ihtungen von B knn sie kompensiert werdenF ir erehnen nun die rjektoren fr

B (z) =

B0 1+
z 2 a

@RFSVSA

hei ist a die prwD ds heisst die volle freite ei hler rheD eine punktionD die typish fr mgnetishe vinsen mit kleinem vuftsplt istF
2 d2 eB0 + dz 2 8mU

1+
2 z 2 a

=0

@RFSVTA

mit x =

z a

= cot und y =

wird @RFSVUA

dy d2 y + 2 cot + k2y = 0 2 d d
dei ist k 2 = der vinsenprmeterF 1 iine mglihe vsung ist y = w sin w/sin D woei
2 eB0 2 a 8mU

w2 = k2 + 1

@RFSVVA

istF wndelt eine linere histnzD z D in einen inkel im (0 ) umF rier ist y der sklierte ehsstndF ir knnen uh die teigung erehnenF

y =

dy dy d 1 = = (sin w wsin cos w) dz d dz wa

@RFSVWA

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RFIH wessung mit ilektronen

SII

eildung RFQPPX ilektronenhnen in einer wgnetlinse

eildung RFQPQX ypishe ilektronenhnen in einer wgnetlinse mit einer qussEfrmigen wgnetfeldverteilung xun ist y = 0 wenn z = + istF hies ist quivlent zu = 0Fhie prge istD wnn y = 0 ist wenn = oder z = istF ir erhlten

1 sin w = 0 wa hrus ergit sihD dss w = 1,2,3, . . . istF s edeutet nun wc y =

@RFSWHA

w=1 heisst k2 = 0 oder B = 0 w=2 heisst k2 = 3 eine xullstelleD dFhF der ilektronenstrhl erquert z einml w=3 heisst k2 = 8D lso P ergnge
eF RFQPP zeigt die mglihen fhnenF pr k 2 < 3 wirkt die vinse nlog einer qlsEmmellinseF rktish lle wE gnetlinsen sind deshl fr k 2 < 3 konstruiertF s ist die teigungc

y =

dy dy d 1 = = (sin w w sin cos w) dx d dz wa

@RFSWIA

ir erhlten y = 0 fr z = + ( = 0)F nn ist fr einen einfllender trhl y = 0 fr = (z = )c 1 entwort y = wa sin w = 0 w = 0,1,2,3,4 sn der eildung RFQPQ git es zwei pokuslngen rinzipleene Oproj @gegeen durh A de(niert fpX rojektionsfokus geruht fr ergrsserungslinsen

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SIP

ensoren und wessverfhren

4.10.14.1.4 Kondensorlinsen enn ds yjekt im wgnetfeld plziert wirdD


entigt mn ndere urdinlelementeF eusgehend vom frennpunkt Fobj de(niert mn die rupteene Oobj und Fobj ist die yjektrennweite f0 h a ls ehsstnd eines trhls ufgefsst werden knnD ist

fp =

a aw 1 = = = aw s(w) y () r () sin w

@RFSWPA

fp ist unde(niert fr w = 2,3, . . . 1 f0 ist durh 0 = y = wa sin w dFhF w = n, n N gegeenF sin hie vge ezglih der vinsenmitte ist durh z n = cot = cot a w
gegeenF yjektE und fildeene sind dnn ei @RFSWQA

zobj = a cot
und

@RFSWRA

zim = a cot

@RFSWSA

hiese eiden unkte heissen fokle wittenpunkteF fei zi m ersheint ds feuE gungsmuster der roeF hies ist die ereitseeneD wenn mn ilektronendi'rktion durhfhren willF eiter gilt

1 1 dy 1 = = sin f0 y dz a w
wenn (n = 1) istF mgeformt ergit sih

@RFSWTA

f0 = a csc

= fi w

@RFSWUA

enn li = si fi istD woei si der estnd rupteene E fild seiD und l0 = s0 f0 istD dnn gilt li l0 = fi f0 wie ei der optishen vinseF hie ergrsserung wird dnn

M =
hei ist die filddrehungX

f0 li = l0 fi

@RFSWVA

nk (k 2 + 1)
1 2

nk w

@RFSWWA

mit n = 1D k 2 = 1D w2 = 2 folgt =

127

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RFIH wessung mit ilektronen

SIQ

eildung RFQPRX phrishe eerrtion illustriert durh prxile trhlen

eildung RFQPSX sllustrtion der uissenE und rpezverzerrungen

4.10.14.1.5 Linsenfehler Sphrische Aberration ritt fr trhlen mit sin = uf @eF RFQPR Kissen- und Spiralverzerrungen sind werden durh eine sih mit dem ehsE
stnd ndernde ergrsserung oder durh eine fildrottion hervorgerufen @siehe uh eF RFQPSAF

Astigmatismus pehlende ylindersymetrie Chromatische Abberation ilektronenquellen knnen keine monohromtishen


trhlen ussenden

Boersch-Eekt ilektronen sind gelden und stossen sih F her i'ekt tritt nur
ei hohen ilektronenstrmen ufF

4.10.14.2 Elemente eines Rasterelektronenmikroskopes


iin sterelektronenmikroskop @eF RFQPTA esteht us einer ilektronenquelleD einer uondensorlinse sowie einer yjektivlinseF elenkspulen rstern den ilektroE nenstrhlF hie uthode esteht entweder us olfrmdrht @eildungen RFQPUERFQPWA mit qlhemissionD einer LaB6 Euelle @eF RFQQHA oder einer peldemissionsquelle @eF RFQQIAF her ntershied der uellen esteht in ihren gegen die peldemissiE onsquelle nehmenden inergieunshrfe den erzeugten ilektronenF hie peldemisE sionskthode entigtD nders ls die nderen uthodenD ltrhohvkuum zum fetrieF

4.10.14.2.1 Glhemission hie qlhemission wird durh die ihrdssonE


qleihung

j = CT 2 ew/kT

@RFTHHA

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SIR

ensoren und wessverfhren

eildung RFQPTX hemtisher eufu eines ilektronenmikroskopes

eildung RFQPUX eufu einer olfrmdrhtkthode und rehts ein hetilild der uthode woei W die Austrittsarbeit istF hei hen die ilektronen eine inergieunE shrfe von einigen eF vnthnhexorid ht eine Austrittsarbeit von HDS e im qegenstz zu mit S eF intsprehend ist die fetriestempertur geringer

eildung RFQPVX vinks eine norml durhgernnte olfrmkthode und rehts eine ersttigte olfrmkthode @mit zu grossem trom etrieE enA

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RFIH wessung mit ilektronen

SIS

eildung RFQPWX vinks die erwhung der pdensttigung in einem iw mit rilfe eines projizierten plekes uf einem hosphorshirm und rehts ein fild des pdenstromes eines iw uf einem yszilloE skopshirmF

eildung RFQQHX fild einer LaB6 EuelleF rier wird eine LaB6 Euristll von olfrmE oder heniumEhrhten gehltenF

eildung RFQQIX fild einer peldemissionskthodeF hei wirdD nlog zu einem wD eine zugespitzte olfrmndel ls imitter verwendetF

eildung RFQQPX inergieverhltnisse n der yer)he einer ilektrode

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SIT

ensoren und wessverfhren

eildung RFQQQX peldemission

eildung RFQQRX ehneltEylinder zur irzeugung einer kleineren imissions)he und die inergieunshrfe liegt ei IeF

4.10.14.2.2 Feldemission hie peldemissionskthode reitet mit dem unnelE


e'ektF en einer sehr shrfen pitze fllt ds elektrishe peld sehr shnell F hie inergieunshrfe ist hier etw 100meV D gegeen durh kT 47meV F

trom us einer grossen plhe emittiertF fei jeder eildung ist ds rodukt us plhe und trhldivergenz konstntF fei qlhkthoden knn mit einem ehneltzylinder eine kleinere virtuelle imisE sions)he erzeugt werdenF

4.10.14.2.3 Emissionsche eusser ei der peldemissionskthode wird der

4.10.14.2.4 Detektoren els hetektor dient ein prdyeher mit zintilltor


und hotovervielfherF hs fild wird digitl erzeugt @siehe uh e RFQQTAF liherweise werden IHPR x IHPR unkte gemessenF fei verrushten fildern knn durh witteilung eine essere Ausung erreiht werden @eF RFQQUAF

4.10.14.3 Strahl-Probe Wechselwirkung


enn ilektronen us dem ilektronenstrhl uf die roe tre'enD werden sie geE streut und geremst @eF RFQQVAF

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RFIH wessung mit ilektronen

SIU

eildung RFQQSX iverhrtEhornleyEhetektorF hie ringfrmige truktur ussen ist der prdyEu(gD hinten e(ndet sih der zintilltorE uristll

eildung RFQQTX filderrsterung im iw

eildung RFQQUX eresserung der fildqulitt durh wittelungF vinks ist eines der yriginlilderF hie witte zeigt ds esultt der wittelung er IS filderF ehts ist eine wessung mit optimler iinstelE lung gezeigtF

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SIV

ensoren und wessverfhren

eildung RFQQVX treuung von ilektronen us dem trhl eines iws im snnern einer roe

eildung RFQQWX ehselwirkungszone fr ilektronen im iw hei legt jedes ilektron eine ndere fhn zurkF snsgesmt ergit sih eine erteilung wie in eildung RFQQWF hwh geundene ilektronen im veitungsnd werden durh inelstishe roE zesse us der roe emittiert und vom hetektor gesugt @eF RFQRHAF

eildung RFQRHX ehngigkeit des ehselwirkungsvolumens von der feshleuE nigungsspnnungF

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RFIH wessung mit ilektronen

SIW

eildung RFQRIX ehngigkeit der ehselwirkungszone von der yrdnungszhl

eildung RFQRPX eustrittstiefe von ekundrelektronen hie porm der ehselwirkungsirne hngt von den ilektronenenergie F feim iw @rnsmissionselektronenmikroskopA wird die roe so dnn geE shnittenD dss nur der rls der ehselwirkungszone in der roe istF te grsser die yrdnungszhl der roentome istD desto kleiner ist ds getE stete roenvolumenF fei hohen feshleunigungsspnnungen knnen ilektronen esser fokussiert werE denF heshl ist tendenziell die Ausung esserF fei diken roen und hohen ilektronenenergien nimmt jedoh ds treuvolumen zuD so dss sterelektronenE mikroskopie etw ei PH k ihre mximle Ausung henF h die erzeugten ekundrelektronen eine usserst kleine inergie henD knE nen sie mximl einige xnometer vom yrt der hermlisierung di'undieren @siehe eF RFQRPF @fei ssoltoren us iefen is zu SH nmAF heshl trgt der grsseE re eil des treuvolumens niht zur eildung eiF h ekundrelektronen nur ei einer kurzer hi'usionsdistnz zur roenoer)he ustreten knnenD werden die unten und geneigten plhen hervorgehoenF heshl sehen iwEfilder so plstish usF ur fildgeung @eF RFQRQA trgen vier rozesse eiX IF hirekte ekundrelektronen @yp sA PF hurh rkgestreute ilektronen usgelste ekundrelektronen @yp ss @rkgestreute ilektronen hen etw THEVH 7 der ursprnglihen ilektroE nenenergieA

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SPH

ensoren und wessverfhren

eildung RFQRQX hie vier n der fildgeung eteiligten rozesse

eildung RFQRRX rerkunft der ekundrelektronen im iw QF kgestreute ilektronen lsen ekundrelektronen in den olshuhen us @yp sssA hiese ilektronen hen eine shlehte AusungF RF ekundrelektronenD die durh rimrelektronen in der letzten flende usE gelst werdenD @hlehte eu)ungA @yp sAF hiese ilektronen erzeugen ein rintergrundsrushenF kstreuelektronen werden wegen ihrer hohen inergie niht in den hetektor gelenktF h die ekundrelektronen @eF RFQRRA vorwiegend us oer)hennhen oE nen kommen und yp ssEilektronen durh us der iefe kommende kstreuelekE tronen @eF RFQRSA usgelst wurdenD erzeugen sie filder us untershiedliher iefeF hei hngt die kstreuung von der yrdnungszhl @S7 ei xaUD RH 7 ei x a RU @ilerAA fild RFQRU zeigtD dss die eiden erten ekundrelektronen ei polierten roen @griehishe wengeA die vegierungsestndteile trennen knnenF yp sEilektronen

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RFIH wessung mit ilektronen

SPI

eildung RFQRSX eustrittstiefe rkgestreuter ilektronen

eildung RFQRTX ekundrelektronenild @linksA und kstreuild @rehtsA zeigen zustzlih yer)henkrtzerF qerohene roen werden durh untenE e'ekte dominiertF fei der ehselwirkung von viht mit der roe treten weitere inelstishe rozesse ufX

Lumineszenz rimrelektronen regen ilektronen ins veitungsnd nF hiese reE

kominieren intern eussendung von vihtF hieser eildungsmodus ist vor llem ei rlleiterproen eliet @eF RFQRVAF

eildung RFQRUX ergleih der iwEfilder ls punktion der yer)heneshfE fenheitF vinks ist ein ekundrelektronenild der polierten yerE )he eine ntiken griehishen wnzeF sn der witte e(ndet sih ds kstreuildD whrend rehts ein ekundrelektronenild einer fruh)he gezeigt istF

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SPP

ensoren und wessverfhren

eildung RFQRVX vinks ist ein uthodolumineszenzild einer geologishen roe gezeigtF ehts ist zum ergleih dzu ein kstreuild gezeigtF

eildung RFQRWX hemtishe ersiht er die hl der photoemittierten ilekE tronenF yen wird ds pektrum der ekundrelektronenprozesE se gezeigtF nten sindD von linksD die ekundrelektronennreE gung und die dei uftretenden inergieverlusteD imission us umpfniveusD eugerprozesse und die imission us dem lenzE ndereih drgestelltF

Auger-Elektronen eugerelektronen treten durh einen polgeprozess neen photoE

emittierten ilektronen ufF els uonkurrenzprozess zur imission von eugeE relektronen knn die durh den ilektronenergng erzeugte inergie uh

eildung RFQSHX euseute von eugerelektronen ls punktion der yrdnungszhl

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RFIH wessung mit ilektronen

SPQ

eildung RFQSIX ilektroneneenrgien eim eugerErozess ls punktion der yrdE nungszhl ls hrkteristishe ntgenstrhlung gegeen werdenF enlysiert mn die inergie dieser trhlungD so spriht mn von ih @inergy hispersive Ey enlysisAF eF RFQSH zeigtD dss die eugerelektronenspektroskopie ei reltiv niedrigen yrdnungszhlenD ih ei reltiv hohen yrdnungszhE len einen emp(ndlihen xhweis von ilementen ermglihtF egen der weE sentlih grsseren pluhttiefe von hotonen wird ei ih jedoh er einen tiefen fereih @F I mA unter der yer)he gemitteltD so dss shon weitE gehend olumeneigenshften erfsst werdenF her eugerelektronenprozess ist estimmt durh drei yritlenergien @siehe eF RFQSIAF o lsst sih eispielsweise die kinetishe inergie von KLI LII/III Eilektronen er

E(KLI LII/III ) = E(K) E(LI ) E(LII/III )

@RFTHIA

gro shtzenF hrin ist i@uA die findungsenergie des unteren vohE zustndesD E(LI ) die findungsenergie des ilektronsD ds diesen vohzuE stnd u'lltD und E(LII/III ) die e'ektive findungsenergie des emittierten

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SPR

ensoren und wessverfhren eugerelektronsF vetztere weiht signi(knt von der inergie des neutrlen etoms D d strke ehselwirkungen zwishen den eiden indzustndslE hern im etom uftretenF o wird in dem oFgF feispiel nh eu'llung der K Ehle durh ds LI Eilektron die findungsenergie des LII/III Eilektrons erhht durh ds irzeugen eines vohs im LI EyritlF hie vohGvohE ehselwirkung in der indzustndskon(gurtion hngt dei dvon D o eide vher in den umpfniveusD ein voh im umpfniveu und ein ndeE res in shwher geundenen fndern oder eide in fndern uftretenF sn guter xherung lssen sih die eugerelektronenenergien shtzen erX

E KLI LII/III

= E [K(Z)] 1 {E [LI (Z)] E [LI (Z + 1)] 2 +E LII/III (Z) + E LII/III (Z + 1)

@RFTHPA

euh geruhlih ist esD die goulomEestossung der vohzustnde er einen seprten inergieterm zu erfssenF hei wird ngesetztX

E[KLI LII/III ] = E[K(Z)] E[LI (Z)] E[LII/III (Z)] U [KLI LII/III]

@RFTHQA

hrin erfsst der erm U [KLI LII/III ] lle uorreltionse'ekteF fei hoher uorE reltion der fewegung der vher und grosser rumliher xhe erfolgt strke goulomEestossungF hiese qulittiven feispiele mhen deutlihD dss die eugerelektronenspektroskopie neen dem erwiegenden iinstz zur ileE menthrkterisierung uh zur ghrkterisierung lokler findungsverhltE nisse m entrltom herngezogen werden knnF ienso wie ei sind eugerelektronenergnge unter usshliessliher feteiligung von umpfniE veus durh reltiv shrfe vinien gekennzeihnetD deren porm in erster xheE rung unhngig von der hemishen mgeung istD die jedoh eine hrkE teristishe hemishe ershieung ufweisen knnenF eugerelektronen unter feteiligung des lenzhndes zeigen dgegen eine extreme ehngigkeit der vinienform vom ustnd der yer)heF iine quntittive euswertung ist llgemein shwierigD d wegen der feteiligung mehrerer yritle eine intE fltung vorgenommen werden mussD um die lenzndstruktur us eugerE elektronenspektren zu ermittelnF hie grosse yer(henemp(ndlihkeit der eugerelektronenspektroskopie ist durh die pluhttiefe der ilektronen ei kinetishen inergien der ilektronen unter IHHH e gegeenF

Erzeugung von Rntgenquanten hie inergie der ilektronen wird uf hotonen

ertrgenF @heshl muss die trhlenshutzverordnung n ilektronenmiE kroskopen ehtet werden3AF stnzen durh die roe wndern @siehe eF RFQSP und RFQSQAF heshl

Channeling sn estimmte uristllrihtungen knnen ilektronen er lnge hiE

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RFIH wessung mit ilektronen

SPS

eildung RFQSPX ilektronenhnnelingF vinks ist ds rinzip gezeigtD rehts eine drus resultierende eildungF

eildung RFQSQX ilektronenhnnelingild einer eluminiumGiisenEvegierungF

kuishErumzentrierten

verlssen n diesen unkten weniger ekundrelektronen die roeF hunkle vinien zeigen die uristllstrukturenF

Probenstrombild is werden vor llen innere trukturen geildetF hieses erE


fhren wird in den wterilwissenshften ngewndt @e RFQSRAF

Potentialabbildung enn n einem kleinen roenereih eine pnnung ngeE


legt wirdD verndert dies die enzhl ekundrelektronen @siehe eF RFQSSAF

EBIC Electron-Beam induced current hie uf einem ExEergng fokussierE

ten ilektronen erzeugen ilektronenEvohEre @eF RFQSTAF hiese sind ls induzierten trom messrF enwendung (ndet dieses erfhren vorwiegend im fereih der rlleiterhrkterisierungF

eildung RFQSRX eufnhme von roenstromildern im iwF vinks ist die dE zugehrige hltung gezeihnetF sn der witte e(ndet sih ein roenstromild von pelsitD rehts ds dzugehrige kstreuE ildF

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SPT

ensoren und wessverfhren

eildung RFQSSX otentilkontrstildF vinks ist ein ekundrelektronenild geE zeigtD rehts der gleihe ghip mit ngelegter pnnungF

eildung RFQSTX ilektronenstrhlinduzierte trme @ifsgA

Magnetfelder E vetztlih eein)ussen lokle wgnetfelder die imissionsrihtung


der ilektronenF

4.10.14.4 Einuss der Gertevariablen


enn die frennweite der uondensorlinse verringert wirdD verringert sih uh der hurhmesser des frenn)ekes uf der roeF hie hivergenz der ilektronenstrhE len zwishen uondensorlinse und yjektivlinse nimmt jedoh zuD so dss weniger ilektronen die roen tre'enF heshl wird ds fild verrushter @die hotonenE sttistik knn niht umgngen werdenFFA @iehe eildungen RFQSU is RFQSWAF enn der 'nungswinkel des ilektronenstrhles vergrssert wird @grssere eperturlendeA verringert sih die iefenshrfeF hiesen i'ekt git es uh ei opE tishen wikroskopenF ienso eein)usst der ereitsstnd die hrfentiefeF te weiter dieser ereitsstnd istD desto grsser die hrfentiefeD d der 'nungsE

eildung RFQSUX frenn)ekgrsse und trhlstrom

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RFIH wessung mit ilektronen

SPU

eildung RFQSVX frenn)ekgrsse und Ausung

eildung RFQSWX iin)uss der frenn)ekgrsse uf Ausung und fildqulittF vinks ist eine eildung mit dem kleinstmglihen frenn)ekD in der witte mit einem etws grsseren frenn)ek und links mit einem gnz grossen frenn)ekF

eildung RFQTHX eperturgrsse und hrfentiefe

eildung RFQTIX ereitsstnd und hrfentiefe

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SPV

ensoren und wessverfhren

eildung RFQTPX irkung der eperturlende und des ereitsstndesF hie iinE stellungen sindX oen linksX eperturlende THH mD ereitsE stnd IS mmD oen rehtsX eperturlende PHH mD ereitsE stnd IS mmD unten linksX eperturlende IHH mD ereitsE stnd IS mmD unten rehtsX eperturlende IHH mD ereitsE stnd QW mmF

eildung RFQTQX feein)ussung der Ausung durh eperturlende und ereitsE stndF hie iinstellungen sindX oen linksX eperturlende IHH mD ereitsstnd IS mmD oen rehtsX eperturlende PHH mD ereitsstnd IS mmD unten linksX eperturlende THH mD erE eitsstnd IS mmD unten rehtsX eperturlende PHH mD erE eitsstnd QW mmF winkel kleiner wirdF her i'ekt ist in den eildungen RFQTH is RFQTP gezeigtF hie letzte wglihkeitD die Ausung zu ndernD ietet die feshleunigungsE spnnung @iehe uh die eildungen RFQTQ und RFQTRAF liherweise reiten iws mit SEQH keF wetllishe roen werden dei ei hheren feshleuniE gungsspnnungen esser geildetF yrgnishe wterilien sind jedoh ei tiefeE ren pnnungen durh die verringerte iindringtiefe esser ufzulsenF pezilisierE te iw9s reiten mit ilektronenenergien von IHH eD so dss uh iologishe sowie olymerproen efriedigend geildet werden knnenF ustzlih esteht heute uh die wglihkeitD sterelektronenmikroskopie ei

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RFIH wessung mit ilektronen

SPW

eildung RFQTRX irkung der feshleunigungsspnnung uf die fildqulittF yen linksX hrhte us reinem qold mit QS k pnnung foE togr(ertF nten links ds gleiheD er mit IH k pnnungF yen rehtsX iihenpollen ei QS kD unten rehtsX iihenpollen ei IH k

eildung RFQTSX roenhlter fr iw fst physiologishen fedingungen durhzufhrenF hei wird eine dnne one mit einigen mr hruk und hoher vuftfeuhtigkeit gesh'enF her est des ilektroE nenmikroskopes wird er di'erentielle umpstufen von der roe entkoppeltF

4.10.14.5 Propenprparation fr REM


roen mssen fr die meisten qerte frei von sser und vsungsmitteln seinD d diese die ule @mit den vinsenA verunreinigenF roen werden uf gertespeE zi(shen rltern montiertD wie sie in der eF RFQTS gezeigt sindF hei soll der uleer folgende iigenshften henX

iemlih hohe iskosittD d sonst die roe enetzt wrdeF wittlere roknungszeitF fei zu kurzer roknungszeit ht mn niht genE gend eit die roe zu positionierenF fei zu lnger roknungszeit treten whrend lnger zeit qse us dem uleer in ds wikroskop usF veitfhigkeit ist wnshenswertD d so eine getrennte uontktierung vermieE den werden knnF

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SQH

ensoren und wessverfhren

eildung RFQTTX eu)den von roen im iwF vinksX plugsheD ei der eu)E dung zu nomlem uontrst fhrtF witteX menshlihe rote flutE krper mit vinien erzeugender eu)dungF ehtsX histosomD die eu)dung fhrt zu einer elenkung des trhlsF

eildung RFQTUX uthodenzerstuerF vinks ist ds fild eines typishen erstuE ers und rehts eine kizze der ereitsweiseF eiter muss die roe in den meisten pllen elektrish leitend seinF fei nihtleiE tenden roen uen sih dei vdungen ufD die den ilektronenstrhl lenken knnenD wie us eF RFQTT ersihtlihF m dies zu verhindern muss die nihtleiE tende roe esputtert oder edmpft werdenF iine wglihkeit esteht drinD mit ergonEsonen qold oder nderen etome zu zerstuen und die yer)he der roe mit einer wenigen nm dihten leitfhigen hiht zu edeken @eF RFQTUAF oll eine ntgenEilementnlyse durhgefhrt werdenD drfen keine shweren etome zur fedmpfung verwendet werdenF hiese wrden sehr strk mit den ilekE tronen wehselwirkenF heshl verwendet mn in solhen pllen uohlensto'F nter estimmten fedingungen knn uf eine fedmpfung verzihtet werdenF hie imissionswhrsheinlihkeit fr ilektronen hngt von der feshleunigungsE pnnung F

4.10.14.6 Emission
is geht ein inergiefenster zwishen Ea und Eb D ei dem die imissionswhrsheinE lihkeit grsser ls I ist @eF RFQTVAF fild RFQTW zeigtD dss lz ei I k und IS k eu)dungse'ekte zeigtD niht er ei S kF m die innere truktur von roen sihtr zu mhenD mssen diese zum eil ngeshli'en oder ngetzt werdenF

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RFIH wessung mit ilektronen

SQI

eildung RFQTVX ilektronenemissionskoe0zient