Lecciones ms avanzadas Fuentes reguladas y estabilizadas (Captulo XVI)

16.1 INTRODUCCION.
La tensin continua disponible a la salida del filtro del rectificador puede que no sea lo suficientemente buena, debida al rizado, o que vare su valor ante determinado tipo de perturbaciones, como variaciones de la tensin de entrada, de la carga o de la temperatura. En estos casos se necesitan circuitos de regulacin o estabilizacin para conseguir que la tensin continua a utilizar sea lo ms constante posible. Lo ideal sera que la tensin de salida fuera constante para cualquier condicin del circuito. pero esto es imposible debido a: a) La tensin de red puede tener variaciones de hasta el 20% de su valor nominal. b) El circuito de carga conectado al rectificador puede absorver ms o menos corriente. Al aumentar la corriente por la carga, la tensin de salida disminuir debido a la caida en la resistencia del transformador y la de los diodos. c) En la salida aparece un rizado. d) Cuando se utilizan dispositivos semiconductores, la tensin de salida vara con la temperatura

16.2 FUENTE ESTABILIZADA O REGULADA.

Una fuente de tensin estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Vs / Vs < Ve / Ve
Una fuente de corriente estabilizada o regulada es aquella que cumple:

Is / Is < Ie / Ie

16.3 TIPOS DE FUENTES.

Adems de la clasificacin en fuentes de corriente y fuentes de tensin, cabe distinguir dos tipos: a) Fuentes estabilizadas: Consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida (tensin corriente) utilizando directamente la caracterstica no lineal de un dispositivo electrnico. b) Fuentes reguladas: consiguen la estabilizacin de la magnitud de salida mediante un sistema de control o de realimentacin negativa que corrige automticamente dicha magnitud de salida.

16.4 FUENTE ESTABILIZADA DE TENSION.

El rizado y la resistencia de salida de una fuente no estabilizada (transformador, rectificador filtro ) resultan ser demasiado grandes para algunas aplicaciones. Se trata de reducirlos mediante una fuente estabilizada que utiliza un diodo zener.

F A. no estabilizada Los datos de salida suelen ser:

estabilizador

carga

Vs deseada Is mxima e Is mnima Rr

Se desea calcular el zener y Rs El margen de variacin de la resistencia de carga ser: RLmx = Vs / Ismn Eleccin del zener: La tensin nominal del zener ha de ser igual a la tensin deseada: Vz = Vs Eleccin de Rs: Para calcularla deberemos ver primero el circuito equivalente del zener RLmn = Vs / Ismx

Diodo ideal rz

Vz rz , Iz y Vz son caractersticas de cada zener en particular, y son suministradas por el fabricante

El circuito resultante es:

en el que R's = Rr + Rs Resulta:

Vs = Iz rz + Vz
Vs = Is RL

Ve = Ie R's + Vs = (Iz + Is) R's + Vs

De donde operando :

Los valores lmites de

que garantizan que el zener trabaja en la zona deseada son :

El valor de R's que se escoja debe cumplir : R's mn < R's < R's mx Se deber procurar que el valor comercial de R's escogido est ms cerca de R's mx evitar que el zener se caliente excesivamente. que de R's mn, a fin de

Recurdese que R's = Rr + Rs

16.5 FUENTES REGULADAS.

Una fuente regulada de tensin utiliza una realimentacin negativa que detecta de un modo instantneo las variaciones de tensin de salida, actuando como control que las corrige automticamente. La regulacin puede ser en serie o en paralelo.

16.6 REGULACION SERIE

Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR < m Vs => El control debe conducir menos para disminuir la tensin a la salida. Si VR > m Vs => El control debe conducir ms para aumentar la tensin a la salida.

REGULACION SERIE

16.7 REGULACION EN PARALELO

En este montaje, el control trabaja en corriente (en la regulacin serie lo hace en tensin), siendo RS la encargada de producir la caida de tensin necesaria. El comparador compara una fraccin de la tensin de salida, m Vs, con una tensin de referencia, VR. La diferencia entre estas dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

Si VR = m Vs => El control no acta. Si VR > m Vs => El control debe conducir menos, para, al drenar menos corriente por RS, disminuir la cada de tensin en sta y aumentar la de salida. Si VR < m Vs => El control debe conducir ms para, al drenar ms corriente por Rs, aumentar la cada en sta y disminuir la salida.

16.8 COMPARACION ENTRE LOS DOSTIPOS

La diferencia entre los dos tipos estriba en el elemento de control. Regulacin en serie El control soporta toda la corriente de carga. Est sometido a una diferencia de potencial en extremos igual a Vs - Ve. Regulacin en paralelo El control deriva menos corriente cuanto mayor es la corriente de carga. Con cargas muy fuertes, el control estar trabajando con pequeas corrientes. La diferencia de potencial aplicada al control es Vs, ya que est en paralelo con la salida. De las anteriores consideraciones se deduce que, a fin de no cargar excesivamente el control, la regulacin en serie es apropiada para pequeas corrientes de carga y/o grandes tensiones de salida, en tanto que la regulacin en paralelo es apta para grandes corrientes de carga y/o pequeas tensiones de salida. En algunos casos, en que el margen de tensiones y corrientes en que va a trabajar la fuente es muy grande, se recurre al montaje de dos fuentes, una en serie y otra en paralelo, con un conmutador que selecciona una u otra, segn las condiciones de trabajo. Una fraccin de la tensin de salida, m Vs, es comparada con una tensin de referencia VR. La diferencia de las dos es amplificada por el amplificador de error y aplicada al control.

16.9 ELEMENTO DE REFERENCIA

al comparador

Deber ser tal que proporcione una tensin VR lo ms constante posible. Se utilizar un diodo zener. Es preciso que IZ sea lo ms constante posible. Para ello ha de procurarse que I1 >> I2 Las variaciones de la tensin de salidaafectarn a la de referencia (al aumentar IZ, aumenta VR, y al contrario) Si rZ es pequea (idealmente, cero), VR = VZ independiente de IZ

16.10 ELEMENTO DE MUESTRA

Ha de tomarse una fraccin de la tensin de salida para medir sus variaciones y compararlas con la de referencia.

Se utiliza un divisor resistivo La corriente que absorbe el comparador debe ser despreciable frente a I1, a fin de no cargar apreciablemente al divisor. En estas condiciones: R ( 1 - a) + R2 m Vs = --------------------- x Vs R1 + R + R2

16.11 ELEMENTO COMPARADOR

La seal de salida del comparador debe ser proporcional a la diferencia entre la tensin suministrada por el muestreador (m Vs) y la de referencia (VR).

Si m Vs aumenta, aumentar la corriente de base o, lo que es lo mismo, VBE, produciendo un aumento en la corriente de colector m Vs - VR - VBE m Vs - VR IC = -------------------- -----------rz rz Obsrvese que IC depende pues de la diferencia entre la tensin de muestra y la tensin de referenciam ( VS - VR) Debido pues a que como tanto el zener como el transistor son elementos semiconductores, el funcionamiento de nuestro circuito variar con la temperatura.. Se conseguir una buena compensacin trmica cuando: D VBE ---------DT D VR --------- sean del mismo valor DT

y de signos opuestos. A este fin, son muy apropiados los diodos zener de tensiones nominales alrededor de los seis voltios, por lo que, siempre que se pueda, se utilizarn estos valores.

16.12 AMPLIFICADOR DE LA SEAL DE ERROR

Suele ser un amplificador de acoplo directo, generalmente constituido por un solo transistor. Su objetivo es elevar la seal de error procedente del comparador a un nivel suficiente para atacar el control. En muchos casos, el mismo comparador hace las veces de amplificador de error.

16.13 ELEMENTO DE CONTROL

Interpreta la seal de error y corrige las variaciones de la tensin de salida, VS. Se suele utilizar un transistor conectado como indica la figura:

Si Vs, por ejemplo, tiende a aumentar, la seal de error ha de ejercer sobre el transistor una accin tal que haga que Vs tienda a disminuir (realimentacin negativa), contrarrestando la variacin inicial. Por tanto, deber aumentar VCE en el caso de regulacin en serie, y aumentar Ic en el caso de regulacin en paralelo. Supongamos que Ve tiende a aumentar (debido a fluctuaciones en la red); => Vs tender a aumentar. Este aumento de Vs, a travs del comparador, har que vare Ic. Como la corriente la corriente que entra en el nudo, suministrada por un generador de corriente, es constante, al aumentar Ic disminuir IB, con lo que el transistor conducir menos, aumentando VCE. As pues, vemos que un aumento de de Ve es absorbido entre colector y emisor, mantenindose de ese modo Vs constante. Un aumento de la corriente de carga producir una disminucin de Vs (debida a la resistencia de salida de la fuente). El circuito reaccionar de manera que Ic disminuir, por lo tanto aumentar IB con lo que el transistor conducir ms, disminuyendo la VCE. De esta manera, variaciones de la carga son compensadas por el circuito. En muchos casos, el generador de corriente est constituido por una simple resistencia. Cuando se quiera mayor precisin, se montar un transistor como generador de corriente, es decir, fijando la tensin de base y haciendo la salida por colector. Para obtener la tensin de base constante se utiliza un zener. El conjunto recibe el nombre de prerregulador.

Prerregulador VZ - VBE VZ ----------- ------ = cte. R3 R3

Icte =

Nota: Icte : significa " corriente constante " R2 es la resistencia de polarizacin del zener. Se debe cumplir que Icte sea mayor o igual que 2 IBmx. En el caso de utilizar una resistencia:

Ve - Vs - VBEcontrol Ve - Vs R = ----------------------------------- ------------Icte Icte

16.14 CONSIDERACIONES SOBRE LA TENSION DE SALIDA

A.- Tensin mnima de salida. Vsmn = VR No se puede bajar de este valor, por lo que, si se quieren obtener pequeas tensiones de salida, es preciso utilizar zeners de baja tensin. B.-Tensin mxima de salida. Vsmx = Ve En este punto se pierde la regulacin, por lo que no es aconsejable acercarse a l. Conviene que la tensin de entrada sea bastante mayor que la de salida deseada. Ahora bien, si la de salida es variable (por medio del potencimetro del elemento de muestra), cuando a la salida est presenta la tensin mnima (VR), VCE alcanzar valores elevados, lo que habr que prever a fin de evitar la destruccin del transistor. Habr que contar con el caso peor, en que Vs = VR y Is = mxima. En este caso; VCE = Ve - VR y la potencia disipada por el control P = VCE . Ismx.

16.15 CIRCUITO COMPLETO

Un circuito elemental basado en los elementos explicados en los puntos anteriores sera:

Observar que hemos colocado en el elemento de control un transistor ms ( el T3) montado con el T2 en Darlington, de esa manera aumentamos la eficiencia del elemento de control al aumentar la b correspondiente.

16.16 PROTECCION CONTRA CORTOCIRCUITOS

En la fuente regulada en serie, un cortocircuito es fatal para el transistor de control, ya que tiene que soportar toda la corriente de cortocircuito. No es as en la fuente regulada en paralelo, en la que al producirse un corto y quedar la tensin de salida a cero, todos los elementos quedan sin polarizacin. En este caso, es la resistencia serie, Rs, la que soporta toda la corriente.

En las fuentes reguladas en serie es conveniente aadir, pues, un elemento de proteccin contra cortocircuitos, que desconecte el control cuando se produzca alguno. Los dos tipos ms usados son:

En ambos casos, cuando la corriente de slida excede de cierto valor, los diodos conducen en un caso o el transistor conmuta en el otro, saturndose y drenando la corriente de base del transistor de control, que queda sin polarizacin y, por tanto, desconectado.

16.17 OSCILACIONES EN UNA FUENTE

Puede ocurrir, y de hecho ocurre en multitud de ocasiones, que la realimentacin, que en contnua es negativa, se convierta en positiva para alguna frecuencia, generalmente muy alta, dando lugar a que la fuente oscile. Para evitar esta eventualidad, se conecta en paralelo con la salida un condensador de gran capacidad, (condensador C2 de la figura ) que cortocircuitar las componentes de alta frecuencia debidas a la oscilacin. Otra solucin consiste en conectar un condensador (C1) entre el colector y la base del transistor comparador (T1); de este modo queda cortocircuitado para las altas frecuencias, con lo que no hay amplificacin. Algunas veces, en que la fuente tiene fuerte tendencia a la oscilacin, se utilizan las dos soluciones simultneamente.

16.18 FUENTES VARIABLES HASTA CERO VOLTIOS

Se ha dicho que la mnima tensin en una fuente regulada en serie es VR. Cuando se necesita que la fuente suministre tensin variable, desde un cierto valor mximo hasta cero voltios, es preciso recurrir a la alimentacin simtrica: una tensin positiva y otra negativa respecto de masa. De este modo si VR es positiva respecto de su barra de alimentacin, y esta, a su vez, es negativa respecto de masa, puede conseguirse que el emisor del comparador quede a cero voltios respecto de masa, con lo que, realmente, est comparando mVs con cero voltios.

Huelga decir que todo lo que se ha dicho de las fuentes aqu estudiadas, con negativo a masa, es vlido para fuentes con positivo a masa, sin ms que cambiar la polaridad de todos los elementos que la tengan ((transistores, diodos y condensadores electrolticos).

16.19 REGULADORES MONOLITICOS

Existen pastillas de circuito integrado que funcionan como reguladores de tensin, lo que representa ventajas respecto a los circuitos con elementos discretos. Los mdulos bsicos pueden usarse directamente o agregando componentes exteriores. Con este tipo de dispositivos se alcanzan tensiones de salida reguladas que varan entre cero voltios y algunos centenares.

El fabricante suministra toda la informacin necesaria para un uso de terminales hacia afuera: tensin de salida (fija o ajustable), corriente mxima de salida, regulacin, rizado, margen de la tensin de entrada, margen de temperatura de funcionamiento, tc. Tambin se indica la misin hacia afuera de los distintos terminales. Como ejemplo, se ver un circuito en que, adems del C.I., se utilizan componentes discretos exteriore, y cul es la funcin de cada terminal. REGULADOR DE TENSION DE PRECISION CA723, CA723C The CA723 and CA723C are silicon monolithic integrated circuits designed for service as voltage regulators at output voltages ranging from 2V to 37V at currents up to 150mA. El CA723 y lo CA723C son silicio que circuitos integrados monolticos disearon para el servicio como reguladores de voltaje en voltajes de producto que se extienden 2V a 37V en las corrientes hasta 150mA.

Alimentacin positiva o negativa Serie, shunt, conmutacin u operacin flotante Salida de tensin ajustable de 2 a 37 voltios. Corriente de salida hasta 150 mA. sin transistor externo de paso.

Valores mximos absolutos (TA = 25 C)

Tensin desde V+ a VTensin diferencial entre entrada y salida Mxima corriente de salida Rango de temperaturas

40 V. 40 V. 150 mA. de 0C a 70C.

Diagrama de conexiones:
1.- No conectar 2.-Limitacin de corriente 3.- Sensor de corriente 4.- Entrada inversora 5.- Entrada no inversora 6.- VREF 7.- V8.- No conectar 9.- Vz 10.- Vs 11.- Vc 12.- V+ 13.- Compensacin de frecuencia 14.- No conectar

CIRCUITO EQUIVALENTE

Caractersticas elctricas

Parmetro Rechazo del rizado Rechazo del rizado Corriente de cortocircuito Tensin de referencia Tensin de entrada Tensin diferencial Tensin de salida

Condiciones de medida F = 50 Hz a 10 Kz. CREF = 0uF F = 50 Hz a 10 Kz. CREF = 5uF Rsc = 10 Vs = 0

Mn

Tp 74 86 65

Mx

Unidades dB dB mA

6'80 9'5 3 2

7'15

7'50 40 38 37

V. V. V. V.

Aplicacin del CA723 como reguladorde tensiones bajas ( 2 a 7 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada) Usando un transistor externo (p-n-p)

R2 Vs = VREF ---------------R1 + R2 Frmula vlida para las dos figuras anteriores

Aplicacin del CA723 como regulador de tensiones de ( 7 a 37 V.)

R3 debe ser igual al paralelo de R1 y R2 (tambin puede ser eliminada) Usando un transistor externo (n-p-n)

R1 + R2 Vs = VREF ---------------R2 Frmula vlida para las dos figuras anteriores

REGULADOR DE TENSION NEGATIVA

VREF 2

R1 + R2 ( R3 = R4 ) R1

Vs = ---------- ---------------

REGULADOR DE POSITIVO FLOTANTE

VREF 2

R2 - R1 ( R3 = R4 ) R1

Vs = ---------- ---------------

Limitacin de corriente (para todos los casos): VSENSE ILIMIT = ---------------Rsc

LECCIONES DE ELECTRNICA TEORA DEL SEMICONDUCTOR

INTRODUCCIN
Un semiconductor es un elemento material cuya conductividad elctrica puede considerarse situada entre las de un aislante y la de un conductor, considerados en orden creciente Los semiconductores ms conocidos son el siliceo (Si) y el germanio (Ge). Debido a que, como veremos ms adelante, el comportamiento del siliceo es ms estable que el germanio frente a todas las perturbaciones exteriores que puden variar su respuesta normal, ser el primero (Si) el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de estado solido. A l nos referiremos normalmente, teniendo en cuenta que el proceso del germanio es absolutamente similar. Como todos los dems, el tomo de silicio tiene tantas cargas positivas en el ncleo, como electrones en las rbitas que le rodean. (En el caso del silicio este nmero es de 14). El inters del semiconductor se centra en su capacidad de dar lugar a la aparicin de una corriente, es decir, que haya un movimiento de electrones. Como es de todos conocido, un electrn se siente ms ligado al ncleo cuanto mayor sea su cercana entre ambos. Por tanto los electrones que tienen menor fuerza de atraccin por parte del ncleo y pueden ser liberados de la misma, son los electrones que se encuentran en las rbitas exteriores. Estos electrnes pueden, segn lo dicho anteriormente, quedar libres al inyectarles una pequea energa. En estos recaer nuestra atencin y es as que en vez de utilizar el modelo completo del tomo de silicio (figura 1), utilizaremos la representacin simplificada (figura 2) donde se resalta la zona de nuestro inters.

La zona sombreada de la figura 2 representa de una manera simplificada a la zona sombreada de la figura 1 Como se puede apreciar en la figura, los electrones factibles de ser liberados de la fuerza de atraccin del ncleo son cuatro

DIODO SEMICONDUCTOR
UNIN P-N
Casi todos los diodos que se fabrican hoy en da estn formados por dos tipo de silicio diferentes, unidos entre si.

Este conjunto sera del tipo N, ya que deja un electrn libre pues le sobra del enlace, con lo que el tomo (azul) se convierte en un in positivo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un electrn libre, a este tomo lo representaremos:

En el caso del tipo P, dejara un hueco libre, con lo que el tomo se convierte en un in negativo al mismo tiempo que contribuye con la generacin de un hueco libre, a este tomo lo representaremos:

Silicio tipo P y silicio tipo N separados Cuando se efecta esta unin, los electrones y los huecos inmediatos a la unin se atraen, cruzan la unin y se neutralizan.

Silicio tipo P y silicio tipo N unidos.- UNIN P-N Segn este proceso inicial, la zono N prxima a la unin ha perdido electrones y por tanto queda cargada positivamente. Igualmente la zona P prxima a la unin ha perdido huecos, con lo que queda cargada negativamente. Al quedar la zona N prxima a la unin cargada positivamente, rechazar a los huecos de la zona P que quieren atravesar la unin. Exactamente igual la zona P prxima a la unin impedir el paso de los electrones provenientes de la zona N Por tanto en la zona prxima a la unin aparece una diferencia de potencial llamada "Barrera de potencial interna", que impide el paso de portadores mayoritarios a travs de la unin, no pudiendo existir corriente.

DIODO ZENER
INTRODUCCIN
Hemos visto que un diodo semiconductor normal puede estar polarizado tanto en directa como inversamente.

En directa se comporta como una pequea resistencia. En inversa se comporta como una gran resistencia.

Veremos ahora un diodo de especiales caractersticas que recibe el nombre de diodo zener El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de caracterstica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su caracterstica inversa Esta tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actua como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado

EFECTO ZENER
El efecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan, debido a la caracterstica constitucin de los mismos, fuertes campos elctricos que causan la rotura de los enlaces entre los tomos dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin. Su caracterstica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensin inversa nominal y superando la corriente a su travs un determinado valor mnimo, la tensin en bornas del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por l.

FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER

El simbolo del diodo zener es:

y su polarizacin es siempre en inversa, es decir

Tres son las caractersticas que diferencian a los diversos diodos Zener entre si: a.- Tensiones de polarizacin inversa, conocida como tensin zener.- Es la tensin que el zener va a mantener constante. b.- Coriente mnima de funcionamiento.- Si la corriente a travs del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensin en sus bornas c.- Potencia mxima de disipacin. Puesto que la tensin es constante, nos indica el mximo valor de la corriente que puede soportar el Zener. Por tanto el Zener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensin en sus bornas a un valor llamado tensin de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor minimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener mxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

AMPLIFICADORES OPERACIONALES

INTRODUCCION.El concepto original del AO (amplificador operacional) procede del campo de los computadores analgicos, en los que comenzaron a usarse tcnicas operacionales en una poca tan temprana como en los aos 40. El nombre de amplificador operacional deriva del concepto de un amplificador dc (amplificador acoplado en continua) con una entrada diferencial y ganancia extremadamente alta, cuyas caractersticas de operacin estaban determinadas por los elementos de realimentacin utilizados. Cambiando los tipos y disposicin de los elementos de realimentacin, podan implementarse diferentes operaciones analgicas; en gran medida, las caractersticas globales del circuito estaban determinadas slo por estos elementos de realimentacin. De esta forma, el mismo amplificador era capaz de realizar diversas operaciones, y el desarrollo gradual de los amplificadores operacionales dio lugar al nacimiento de una nueva era en los conceptos de diseo de circuitos. Los primeros amplificadores operacionales usaban el componente bsico de su tiempo: la vlvula de vaco. El uso generalizado de los AOs no comenz realmente hasta los aos 60, cuando empezaron a aplicarse las tcnicas de estado slido al diseo de circuitos amplificadores operacionales, fabricndose mdulos que realizaban la circuitera interna del amplificador operacional mediante diseo discreto de estado slido. Entonces, a mediados de los 60, se introdujeron los primeros amplificadores operacionales de circuito integrado. En unos pocos aos los amplificadores operacionales integrados se convirtieron en una herramienta estndar de diseo, abarcando aplicaciones mucho ms all del mbito original de los computadores analgicos. Con la posibilidad de produccin en masa que las tcnicas de fabricacin de circuitos integrados proporcionan, los amplificadores operacionales integrados estuvieron disponibles en grandes cantidades, lo que, a su vez contribuy a rebajar su coste. Hoy en da el precio de un amplificador operacional integrado de propsito general, con una ganancia de 100 dB, una tensin offset de entrada de 1 mV, una corriente de entrada de 100 nA. Y un ancho de banda de 1 MHz. es inferior a 1 euro. El amplificador, que era un sistema formado antiguamente por muchos componentes discretos, ha evolucionado para convertirse en un componente discreto l mismo, una realidad que ha cambiado por completo el panorama del diseo de circuitos lineales. Con componentes de ganancia altamente sofisticados disponibles al precio de los componentes pasivos, el diseo mediante componentes activos discretos se ha convertido en una prdida de tiempo y de dinero para la mayora de las aplicaciones dc y de baja frecuencia. Claramente, el amplificador operacional integrado ha redefinido las "reglas bsicas" de los circuitos electrnicos acercando el diseo de circuitos al de sistemas. Lo que ahora debemos de hacer es a conocer bien los AOs, cmo funciona, cules son sus principios bsicos y estudiar sus aplicaciones

PRINCIPIOS BASICOS DE LOS AMPLIFICADORES OPERACIONALES

El amplificador operacional ideal.Los fundamentos bsicos del amplificador operacional ideal son relativamente fciles. Quizs, lo mejor para entender el amplificador operacional ideal es olvidar todos los pensamientos convencionales sobre los componentes de los amplificadores, transistores, tubos u otros cualesquiera. En lugar de pensar en ellos, piensa en trminos generales y considere el amplificador como una caja con sus terminales de entrada y salida. Trataremos, entonces, el amplificador en ese sentido ideal, e ignoraremos qu hay dentro de la caja.

Fig. 1 V0 = a Vd a = infinito Ri = infinito Ro = 0 BW (ancho de banda) = infinito V0 = 0 s Vd = 0 En la figura 1 se muestra un amplificador idealizado. Es un dispositivo de acoplo directo con entrada diferencial, y un nico terminal de salida. El amplificador slo responde a la diferencia de tensin entre los dos terminales de entrada, no a su potencial comn. Una seal positiva en la entrada inversora (-), produce una seal negativa a la salida, mientras que la misma seal en la entrada no inversora (+) produce una seal positiva en la salida. Con una tensin de entrada diferencial, Vd, la tensin de salida, Vo, ser a Vd, donde a es la ganancia del amplificador. Ambos terminales de entrada del amplificador se utilizarn siempre independientemente de la aplicacin. La seal de salida es de un slo terminal y est referida a masa, por consiguiente, se utilizan tensiones de alimentacin bipolares ( ) Teniendo en mente estas funciones de la entrada y salida, podemos definir ahora las propiedades del amplificador ideal. Son las siguientes: 1. La ganancia de tensin es infinita:

2. La resistencia de entrada es infinita:

3. La resistencia de salida es cero:

Ro = 0 4. El ancho de banda es infinito:

5. La tensin offset de entrada es cero: V0 = 0 s Vd = 0 A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea.

Luego, en resumen:
A partir de estas caractersticas del AO, podemos deducir otras dos importantes propiedades adicionales. Puesto que, la ganancia en tensin es infinita, cualquier seal de salida que se desarrolle ser el resultado de una seal de entrada infinitesimalmente pequea. Luego, en resumen: La tensin de entrada diferencial es nula. Tambin, si la resistencia de entrada es infinita. No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada Estas dos propiedades pueden considerarse como axiomas, y se emplearn repetidamente en el anlisis y diseo del circuito del AO. Una vez entendidas estas propiedades, se pude, lgicamente, deducir el funcionamiento de casi todos los circuitos amplificadores operacionales.

Configuraciones bsicas del amplificador operacional

Los amplificadores operacionales se pueden conectar segn dos circuitos amplificadores bsicos: las configuraciones (1) inversora y (2) no inversora. Casi todos los dems circuitos con amplificadores operacionales estn basados, de alguna forma, en estas dos configuraciones bsicas. Adems, existen variaciones estrechamente relacionadas de estos dos circuitos, ms otro circuito bsico que es una combinacin de los dos primeros: el amplificador diferencial.

El amplificador inversor
La figura 2 ilustra la primera configuracin bsica del AO. El amplificador inversor. En este circuito, la entrada (+) est a masa, y la seal se aplica a la entrada (-) a travs de R1, con realimentacin desde la salida a travs de R2.

Fig. 2
Aplicando las propiedades anteriormente establecidas del AO ideal, las caractersticas distintivas de este circuito se pueden analizar como sigue. Puesto que el amplificador tiene ganancia infinita, desarrollar su tensin de salida, V0, con tensin de entrada nula. Ya que, la entrada diferencial de A es:

Vd = Vp - Vn, ==> Vd = 0.- Y si Vd = 0,

entonces toda la tensin de entrada Vi, deber aparecer en R1, obteniendo una corriente en R1

Vn est a un potencial cero, es un punto de tierra virtual Toda la corriente I que circula por R1 pasar por R2, puesto que no se derivar ninguna corriente hacia la entrada del operacional (Impedancia infinita), as pues el producto de I por R2 ser igual a - V0

por lo que:

luego la ganancia del amplificador inversor:

Deben observarse otras propiedades adicionales del amplificador inversor ideal. La ganancia se puede variar ajustando bien R1, o bien R2. Si R2 vara desde cero hasta infinito, la ganancia variar tambin desde cero hasta infinito, puesto que es directamente proporcional a R2. La impedancia de entrada es igual a R1, y Vi y R1 nicamente determinan la corriente I, por lo que la corriente que circula por R2 es siempre I, para cualquier valor de dicha R2. La entra del amplificador, o el punto de conexin de la entrada y las seales de realimentacin, es un nudo de tensin nula, independientemente de la corriente I. Luego, esta conexin es un punto de tierra virtual, un punto en el que siempre habr el mismo potencial que en la entrada (+). Por tanto, este punto en el que se suman las seales de salida y entrada, se conoce tambin como nudo suma. Esta ltima caracterstica conduce al tercer axioma bsico de los amplificadores operacionales, el cual se aplica a la operacin en bucle cerrado:

En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de entrada (+) o de referencia.
Esta propiedad puede an ser o no ser obvia, a partir de la teora de tensin de entrada de diferencial nula. Es, sin embargo, muy til para entender el circuito del AO, ver la entrada (+) como un terminal de referencia, el cual controlar el nivel que ambas entradas asumen. Luego esta tensin puede ser masa (como en la figura 2), o cualquier potencial que se desee.

El amplificador no inversor
La segunda configuracin bsica del AO ideal es el amplificador no inversor, mostrado en la figura 3. Este circuito ilustra claramente la validez del axioma 3.

Fig. 3

En este circuito, la tensin Vi se aplica a la entrada (+), y una fraccin de la seal de salida, Vo, se aplica a la entrada (-) a travs del divisor de tensin R1 - R2. Puesto que, no fluye corriente de entrada en ningn terminal de entrada, y ya que Vd = 0, la tensin en R1 ser igual a Vi. As pues

y como

tendremos pues que:

que si lo expresamos en trminos de ganancia:

que es la ecuacin caracterstica de ganancia para el amplificador no inversor ideal. Tambin se pueden deducir propiedades adicionales para esta configuracin. El lmite inferior de ganancia se produce cuando R2 = 0, lo que da lugar a una ganancia unidad. En el amplificador inversor, la corriente a travs de R1 siempre determina la corriente a travs de R2, independientemente del valor de R2, esto tambin es cierto en el amplificador no inversor. Luego R2 puede utilizarse como un control de ganancia lineal, capaz de incrementar la ganancia desde el mnimo unidad hasta un mximo de infinito. La impedancia de entrada es infinita, puesto que se trata de un amplificador ideal.

Configuraciones basadas en los circuitos inversor y no inversor El amplificador diferencial.Una tercera configuracin del AO conocida como el amplificador diferencial, es una combinacin de las dos configuraciones anteriores. Aunque est basado en los otros dos circuitos, el amplificador diferencial tiene caractersticas nicas. Este circuito, mostrado en la figura 4, tiene aplicadas seales en ambos terminales de entrada, y utiliza la amplificacin diferencial natural del amplificador operacional.

Fig. 4

Para comprender el circuito, primero se estudiarn las dos seales de entrada por separado, y despus combinadas. Como siempre Vd = 0 y la corriente de entrada en los terminales es cero. Recordar que Vd = V(+) - V(-) ==> V(-) = V(+) La tensin a la salida debida a V1 la llamaremos V01

y como V(-) = V(+) La tensin de salida debida a V1 (suponiendo V2 = 0) valdr:

Y la salida debida a V2 (suponiendo V1 = 0) ser, usando la ecuacin de la ganancia para el circuito inversor, V02

Y dado que, aplicando el teorema de la superposicin la tensin de salida V0 = V01 + V02 y haciendo que R3 sea igual a R1 y R4 igual a R2 tendremos que:

por lo que concluiremos

que expresando en trminos de ganancia:

que es la ganancia de la etapa para seales en modo diferencial Esta configuracin es nica porque puede rechazar una seal comn a ambas entradas. Esto se debe a la propiedad de tensin de entrada diferencial nula, que se explica a continuacin. En el caso de que las seales V1 y V2 sean idnticas, el anlisis es sencillo. V1 se dividir entre R1 y R2, apareciendo una menor tensin V(+) en R2. Debido a la ganancia infinita del amplificador, y a la tensin de entrada diferencial cero, una tensin igual V(-) debe aparecer en el nudo suma (-). Puesto que la red de resistencias R3 y R4 es igual a la red R1 y R2, y se aplica la misma tensin a ambos terminales de entrada, se concluye que Vo debe estar a potencial nulo para que V(-) se mantenga igual a V(+); Vo estar al mismo potencial que R2, el cual, de hecho est a masa. Esta muy til propiedad del amplificador diferencial, puede utilizarse para discriminar componentes de ruido en modo comn no deseables, mientras que se amplifican las seales que aparecen de forma diferencial. Si se cumple la relacin

La ganancia para seales en modo comn es cero, puesto que, por definicin, el amplificador no tiene ganancia cuando se aplican seales iguales a ambas entradas. Las dos impedancias de entrada de la etapa son distintas. Para la entrada (+), la impedancia de entrada es R1 + R2. La impedancia para la entrada (-) es R3. La impedancia de entrada diferencial (para una fuente flotante) es la impedancia entre las entradas, es decir, R1+R3.

El sumador inversor
Utilizando la caracterstica de tierra virtual en el nudo suma (-) del amplificador inversor, se obtiene una til modificacin, el sumador inversor, figura 5.

Fig. 5

En este circuito, como en el amplificador inversor, la tensin V(+) est conectada a masa, por lo que la tensin V(-) estar a una masa virtual, y como la impedancia de entrada es infinita toda la corriente I1 circular a travs de RF y la llamaremos I2. Lo

que ocurre en este caso es que la corriente I1 es la suma algebraica de las corrientes proporcionadas por V1, V2 y V3, es decir:

y tambin

Como I1 = I2 concluiremos que:

que establece que la tensin de salida es la suma algebraica invertida de las tensiones de entrada multiplicadas por un factor corrector, que el alumno puede observar que en el caso en que RF = RG1 = R G2 = R G3 ==> VOUT = - (V1 + V2 + V3) La ganancia global del circuito la establece RF, la cual, en este sentido, se comporta como en el amplificador inversor bsico. A las ganancias de los canales individuales se les aplica independientemente los factores de escala RG1, R G2, R G3,... tc. Del mismo modo, R G1, R G2 y R G3 son las impedancias de entrada de los respectivos canales. Otra caracterstica interesante de esta configuracin es el hecho de que la mezcla de seales lineales, en el nodo suma, no produce interaccin entre las entradas, puesto que todas las fuentes de seal alimentan el punto de tierra virtual. El circuito puede acomodar cualquier nmero de entradas aadiendo resistencias de entrada adicionales en el nodo suma. Aunque los circuitos precedentes se han descrito en trminos de entrada y de resistencias de realimentacin, las resistencias se pueden reemplazar por elementos complejos, y los axiomas de los amplificadores operacionales se mantendrn como verdaderos. Dos circuitos que demuestran esto, son dos nuevas modificaciones del amplificador inversor.

El integrador
Se ha visto que ambas configuraciones bsicas del AO actan para mantener constantemente la corriente de realimentacin, IF igual a IIN.

Fig. 6

Una modificacin del amplificador inversor, el integrador, mostrado en la figura 6, se aprovecha de esta caracterstica. Se aplica

una tensin de entrada VIN, a RG, lo que da lugar a una corriente IIN. Como ocurra en el amplificador inversor, V(-) = 0, puesto que V(+) = 0, y por tener impedancia infinita toda la corriente de entrada Iin pasa hacia el condensador CF, llamaremos a esta corriente IF. El elemento realimentador en el integrador es el condensador CF. Por consiguiente, la corriente constante IF, en CF da lugar a una rampa lineal de tensin. La tensin de salida es, por tanto, la integral de la corriente de entrada, que es forzada a cargar CF por el lazo de realimentacin. La variacin de tensin en CF es

lo que hace que la salida vare por unidad de tiempo segn:

Como en otras configuraciones del amplificador inversor, la impedancia de entrada es simplemente RG Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito

Por supuesto la rampa depender de los valores de la seal de entrada, de la resistencia y del condensador.

El diferenciador
Una segunda modificacin del amplificador inversor, que tambin aprovecha la corriente en un condensador es el diferenciador mostrado en la figura 7.

Fig. 7

En este circuito, la posicin de R y C estn al revs que en el integrador, estando el elemento capacitativo en la red de entrada. Luego la corriente de entrada obtenida es proporcional a la tasa de variacin de la tensin de entrada:

De nuevo diremos que la corriente de entrada IIN, circular por RF, por lo que IF = IIN Y puesto que VOUT= - IF RF Sustituyendo obtenemos

Obsrvese el siguiente diagrama de seales para este circuito

El seguidor de tensin
Una modificacin especial del amplificador no inversor es la etapa de ganancia unidad mostrada en la figura 8

En este circuito, la resistencia de entrada se ha incrementado hasta infinito, y RF es cero, y la realimentacin es del 100%. V0 es entonces exactamente igual a Vi, dado que Es = 0. El circuito se conoce como "seguidor de emisor" puesto que la salida es una rplica en fase con ganancia unidad de la tensin de entrada. La impedancia de entrada de esta etapa es tambin infinita.

Resumen de las configuraciones bsicas del amplificador y sus caractersticas.

Todas las caractersticas de los circuitos que se han descrito son importantes, puesto que, son las bases para la completa fundamentacin de la tecnologa de los circuitos amplificadores operacionales. Los cinco criterios bsicos que describen al amplificador ideal son fundamentales, y a partir de estos se desarrollan los tres principales axiomas de la teora de los amplificadores operacionales, los cuales repetimos aqu: 1.- La tensin de entrada diferencial es nula 2.- No existe flujo de corriente en ninguno de los terminales de entrada 3.- En bucle cerrado, la entrada (-) ser regulada al potencial de entrada (+) o de referencia. Estos tres axiomas se han ilustrado en todos los circuitos bsicos y sus variaciones. En la configuracin inversora, los conceptos de corriente de entrada nula, y tensin de entrada diferencial cero, dan origen a los conceptos de nudo suma y tierra virtual, donde la entrada inversora se mantiene por realimentacin al mismo potencial que la entrada no inversora a masa. Usando el concepto de la entrada no inversora como terminal de referencia, el amplificador no inversor y el seguidor de emisor ilustran como una tensin de entrada es indirectamente multiplicada a travs de una realimentacin negativa en la entrada inversora, la cual es forzada a seguir con un potencial idntico. La configuracin diferencial combina estos conceptos, ilustrando el ideal de la simultaneidad de la amplificacin diferencial y del rechazo de la seal en modo comn. Las variaciones del inversor ponen de nuevo de manifiesto los principios bsicos. En todos estos circuitos, hemos visto tambin cmo el funcionamiento est solamente determinado por los componentes conectados externamente al amplificador. Hasta este momento, hemos definido el AO en sentido ideal y hemos examinado sus configuraciones bsicas. Con una definicin adicional, la simbologa del dispositivo, llegaremos al mundo real de los dispositivos prcticos, examinaremos sus desviaciones respecto al ideal, y veremos cmo superarlas.

SIMBOLO ESQUEMATICO DEL AMPLIFICADOR OPERACIONAL ESTANDAR Y SU USO.

Una herramienta adicional bsica del AO es su smbolo esquemtico. Este es fundamental, dado que un esquema correctamente dibujado nos dice mucho sobre las funciones de un circuito. El smbolo ms usado se muestra en la figura 9 con algunas aclaraciones anotadas.

El smbolo bsico es un tringulo, el cual generalmente presupone amplificacin. Las entradas estn en la base del tringulo, y la salida en el pice. De acuerdo con el convenio normal del flujo de seal, el smbolo se dibuja con el pice (salida) a la derecha, pero puede alterarse si es necesario para clarificar otros detalles del circuito. Usualmente, las dos entradas se dibujan como se indica en la figura; la entrada no inversora (+) es la inferior de las dos. Excepciones a esta regla se producen en circunstancias especiales, en las que podra ser difcil mantener el convenio estndar. Adems, las dos entradas estn claramente identificadas por los smbolos (+) y (-), los cuales se sitan adyacentes a sus respectivos terminales dentro del cuerpo del tringulo. Como se ve, los terminales de las tensiones de alimentacin se dibujan, preferiblemente, por encima y debajo del tringulo. Estos pueden no ser mostrados en todos los casos (en favor de la simplicidad) pero siempre estn implcitos. Generalmente, en croquis, basta con usar el smbolo de tres terminales para dar a entender el significado, sobreentendiendo las conexiones de alimentacin. Finalmente, el tipo o nmero del dispositivo utilizado se sita centrado en el interior del tringulo. Si el circuito es uno general, indicativo de un amplificador operacional cualquiera, se usa el smbolo A ( o A1, A2, tc.)

RESISTORES NTC

Son resistencias de coeficiente de temperatura negativo, constituidas por un cuerpo semiconductor cuyo coeficiente de temperatura sea elevado, es decir, su conductividad crece muy rpidamente con la temperatura. Se emplean en su fabricacin xidos semiconductores de nquel, zinc, cobalto, tc. La relacin entre la resistencia y la temperatura no es lineal sino exponencial (no cumple la ley de Ohm). Dicha relacin cumple con la frmula siguiente: R=A.e
B/T

donde A y B son constantes que dependen del resistor. La curva nos muestra esa variacin

Fig. 1 La caracterstica tensin-intensidad (V/I) de un resistor NTC presenta un carcter peculiar, ya que cuando las corrientes que lo atraviesan son pequeas, el consumo de potencia (R I2) ser demasiado pequeo para registrar aumentos apreciables de temperatura, o lo que es igual, descensos en su resistencia hmica; en esta parte de la caracterstica la relacin tensinintensidad ser prcticamente lineal y en consecuencia cumplir la ley de Ohm. Si seguimos aumentando la tensin aplicada al termistor, se llegar a un valor de intensidad en que la potencia consumida provocar aumentos de temperatura suficientemente grandes como para que la resistencia del termistor NTC disminuya apreciablemente, incrementndose la intensidad hasta que se establezca el equilibrio trmico. Ahora nos encontramos pues, en una zona de resistencia negativa en la que disminuciones de tensin corresponden aumentos de intensidad.

Fig. 2

Aplicaciones
Hay tres grupos: 1. Aplicaciones en las que la corriente que circula por ellos, no es capaz de producirles aumentos apreciables de temperatura y por tanto la resistencia del termistor depende nicamente de la temperatura del medio ambiente en que se encuentra. Aplicaciones en las que su resistencia depende de las corrientes que lo atraviesan. Aplicaciones en las que se aprovecha la inercia trmica, es decir, el tiempo que tarda el termistor en calentarse o enfriarse cuando se le somete a variaciones de tensin

2. 3.

Aplicaciones industriales
Medidas de temperatura

Fig. 3

Fig. 4
En ambos casos el indicador de temperatura (un miliampermetro por ejemplo) depende de la temperatura ambiente en la que se encuentra la NTC. Si estas seales elctricas (tensin o corriente) se aplican a algn circuito de control podemos obtener un eficaz control de temperatura de salas, baos, tc. ya que podemos gobernar el elemento calefactor, con su marcha y parada de acuerdo a cual sea la temperatura a que se encuentra el resistor.

Medida de la velocidad de fluidos

Fig. 5 El fluido (flow) se halla ligeramente calentado por una pequea resistencia que proporciona un determinado nmero constante de caloras. De esta forma tendremos que las indicaciones del micro ampermetro, colocado en una de las ramas del puente, dependern de la diferencia de temperaturas (T1-T0) a que se encuentran los termistores, y naturalmente esta diferencia es funcin de la velocidad del fluido.

Vamos a ver, si la velocidad del fluido es nula, los dos termistores estarn a la misma temperatura, para este caso ajustaremos el puente para que el indicador (micro ampermetro) no se desve. Si aumenta la velocidad del fluido, la temperatura T0 disminuir y la T1 aumentar, provocando esta diferencia de temperatura que las variaciones en los termistores desequilibren el puente de resistencias y el micro ampermetro convenientemente graduado nos indique dicha velocidad.

Accionamiento retardo de reles

Fig. 6
Si queremos que el rel acte con cierto retraso, utilizaremos el circuito de la figura 6.

Al aplicar una tensin V, como la NTC tiene una resistencia grande, toda la tensin estar aplicada prcticamente sobre la propia NTC, y el rel no estar accionado. Debido al paso de la corriente por la NTC, esta se calentar, y por tanto disminuir su resistencia, aumentando por tanto la cada de tensin en el rel. En el momento que el rel acte cerrar sus contactos, y con uno de ellos cortocircuitaremos la NTC, para que se enfre y pueda ms tarde poder volver a provocar un retardo en el rel

El tiempo de este retardo puede variar entre algunos segundos hasta varios minutos eligiendo apropiadamente el resistor NTC.

Estabilizacin de tensiones

Fig.7 Se conecta en serie con la NTC, una resistencia normal R1 de valor tal que su pendiente (tag a) sea del mismo valor absoluto a la de la NTC. De esta manera, en bornas de estas dos resistencias en serie, tendremos una tensin constante dentro del margen de valores (Imx-Imn).

RESISTORES PTC
Los termistores PTC son resistencias (aumenta la temperatura, aumenta la resistividad) con un Coeficiente Temperatura Positivo y con un valor alto para dicho coeficiente. Las diferencias con las NTC son:

1. El coeficiente de temperatura de un termistor PTC es nico entre unos determinados mrgenes de temperaturas. Fuera de estos mrgenes, el coeficiente de temperatura es cero o negativo. 2. El valor absoluto del coeficiente de temperatura de los termistores PTC es mucho ms alto que el de los termistores NTC. Los termistores PTC se utilizan en una gran variedad de aplicaciones, incluyendo limitacin de corrientes, como sensor de temperatura, para desmagnetizacin y para la proteccin contra el recalentamiento de equipos tales como motores elctricos. Tambin se utilizan en indicadores de nivel, para provocar retardo en circuitos, termostatos, y como resistores de compensacin. COMPOSICION ELECTRICA (Para leer) Los termistores PTC estn fabricados con BaTiO3, usando un mtodo similar al que se utiliz en la preparacin de los termistores NTC, utilizando soluciones slidas de BaTiO3. Electrones extras son aportados al dopar el material con iones con una valencia diferente. El uso de estos compuestos permite dos las alternativas para la preparacin: 1. La sustitucin de iones trivalentes tales como La 3+ o Bi 3+ 2. La sustitucin de iones pentavalentes tales como Sb 5+ o Nb 5+. Ambos mtodos dan resultados idnticos. Si la preparacin se hacia con la ausencia de oxgeno, estos semiconductores se obtenan con un bajo coeficiente de temperatura de resistencia. Un valor alto de este coeficiente se obtiene elevando rpidamente las muestras de carmica a una temperatura alta en una atmsfera rica de oxgeno. Este se logra al penetrar el oxgeno en los poros del cristal durante el periodo de enfriamiento al proceso de descarga.. Los tomos de oxgeno que se han absorbido sobre los superficies de cristal atraen a los electrones a una zona delgada del cristal semiconductor. Esto hace que se formen unas barreras de potencial elctrico que consisten en una superficie de carga negativa con, (sobre ambos lados), capas delgadas que tienen una carga positiva (huecos), como resultado ahora, de la descompensacin por el dopaje con iones. Estas barreras provocan una resistencia extra al termistor, expuesto por la frmula: Rb @= 1/a .e
e.Vb/KT

(@ = directamente proporcional a) donde a representa el tamao de los cristales, y as 1/a es el nmero de barreras por unidad de longitud del thermistor, y Vb representa el potencial de las barreras. Como Vb es inversamente proporcional al valor de la constante dielctrica de los cristales, Rb es sumamente sensible a las variaciones de dicha constante dielctrica. Tal variacin en la constante dielctrica es una propiedad especial de materiales que tienen una naturaleza ferroelctrica como es el caso en el compuesto BaTiO3 y sus soluciones slidas. Si por su ferroelectricidad la temperatura de Curie q es sobrepasada, la constante dielctrica relativa disminuye con el aumento de la temperatura segn la siguiente relacin mostrada en la frmula:

= C / (T - )

donde C tiene un valor aproximado de 105 K. Como resultado, la resistividad aumenta fuertemente al subir la temperatura de Curie

Ms all de la temperatura de Curie, las barreras son dbiles o no existen, debido por un lado a los altos valores de la constante dielctrica del BaTiO3 en esas zonas, y por otro lado al resultado de la polarizacin espontnea de los cristales para poder compensar los intercambios de la zona de unin. Los electrones son capturados en la zona de unin y gradualmente liberados en proporcin al aumento de la temperatura del termistor PTC con el

respecto a su temperatura de conmutacin, ocasionando una disminucin de las barreras de potencial. Esto significa que el termistor PTC pierde sus propiedades y puede comportarse eventualmente de una forma similar al termistor NTC si la temperatura llega a ser demasiado alta. Las aplicaciones de un termistor PTC thermistor estn, por lo tanto, restringidas a un determinado margen de temperaturas. Debido al efecto producido en el cristal por la zona de unin el termistor PTC aparece una resistencia extra Rb que se puede evitar colocando un condensador en paralelo con una capacidad alta Cb. Esto nos lleva a una dependencia de nuestra impedancia Zb con la frecuencia hasta 5 MHz. TERMISTORES PTC.-PROPIEDADES ELECTRICAS Caractersticas Resistencia/Temperatura La figura 1 muestra una comparacin de tpica entre las curvas caractersticas resistancia/temperatura de un termistor PTC y una NTC

Fig. 1
Caractersticas Corriente/Voltaje La caracterstica esttica corriente/voltaje nos muestra los limites de corriente en los que puede trabajar un termistor PTC. Se observa que hasta un determinado valor de voltaje, la caracterstica I/V sigue la ley de Ohm, pero la la resistencia aumenta cuando la corriente que pasa por el termistor PTC provoca un calentamiento y se alcance la temperatura de conmutacin (ver Fig.2).

Fig. 2
La caracterstica I/V depende de la temperatura ambiente y del coeficiente de transferencia de calor con el respecto a dicha temperatura ambiente. Como puede verse en la Fig.2 las caractersticas se dibujan sobre una escala lineal, sin embargo es ms comn dibujarlas sobre una escala logaritmica (ver Fig.3), donde se tiene una visin ms clara de su comportamiento.

Fig. 3 Es posible calcular el pico de la caracterstica I/V si se conocen las caractersticas R/T y el factor de disipacin (D) El factor de disipacin (mW/K) es la razn (a una temperatura ambiente especificada) entre la variacin de la disipacin de potencia en un termistor, y la variacin de la temperatura en el propio cuerpo del resistor. Por convencin, el factor de disipacin solo puede calcularse conocindose el valor de pico de la curva I/V de curva, y haciendo uso del punto correspondiente sobre la caracterstica R/T

Por definicin: La potencia elctrica inyectada al termistor PTC es: P = R . I2 donde R es la resistencia (antes de la conmutacin) a Tamb. La potencia disipada por la cermica viene dada por: D = ( Ts - Tamb) donde Ts es la temperatura de conmutacin y Tamb es el la temperatura ambiente, entonces: R . I2 = ( Ts - Tamb) Recordar: Esta ecuacin solamente es vlida para temperaturas inferiores a Ts. La corriente de disparo (It) se define como la mnima corriente que puede garantizar que se provoque la conmutacin del termistor, y se puede calcular utilizando la frmula: R . It2 = D [Ts - (Tamb + t)] donde R es la resistencia del termistor a la temperatura Ts.

Normalmente, se suma + t C a la Tamb para mantener un margen de seguridad en orden de asegurar la conmutacin del termistor debido a posibles inexactitudes en los valores de Ts y Tamb.
La corriente de no disparo (Int) se define como la corriente mxima que garantiza la no conmutacin del termistor, y viene dado por: R . Int2 = D [Ts - (Tamb - t)] Por lo tanto: Un margen de seguridad de - t C debe mantenerse para asegurar que el thermistor no conmutar. La inclinacin de la caracterstica R/T est propiciada por una serie de parmetros de produccin. La relacin entre las caractersticas R/T e I/V se demuestra claramente en las figuras 4 y 5.

Fig. 4

Fig 5

Termistores PTC en serie con una carga Puede verse claramente a partir de la caracterstiva I/V que, debido a la no linealidad de la curva del termistor PTC, existen tres posibles puntos de trabajo cuando se conecta una carga RL en serie con un termistor PTC (ver Fig.6).

Fig. 6
La caracterstica de la carga es una lnea recta que cruza partiendo del voltaje Va a la curva en tres puntos donde P1 y P2 son puntos de trabajo estables; P3 es inestable. Cuando aplicamos un voltaje Va alcanzaremos el equilibrio en el punto P1, punto con una corriente relativamente alta. El punto P2 slamente puede alcanzarse cuando el pico de la curva I/V est por debajo de la lnea de carga. Esto puede suceder en un determinado nmero de casos: 1. Incrementando Va (ver Fig.7)

Fig. 7
2. Al aumentar la temperatura ambiente (ver Fig.8)

Fig. 8 3. Al disminuir la resistencia de carga (ver Fig.9).

Fig. 9
Puede por lo tanto verse que el termistor PTC tiene unas excelentes propiedades de proteccin, limitando la corriente de carga si el voltaje de suministro, la temperatura o la corriente excede de un valor crtico. Restablecer la resistencia de la PTC

Cuando el termistor PTC thermistor conmuta, es decir, su temperatura se eleva por encima de la temperatura de conmutacin Ts, slamente puede volver desde P2 a P1 si la lnea de carga se encuentra por debajo de la curva caracterstica I/V.
Esto significa que: 1. O la tensin de alimentacin Va disminuye (siendo constante la resistencia de carga); ver Fig.10

Fig. 10 o 2. La resistencia de carga aumenta (siendo constante el voltaje);ver Fig.11.

Fig. 11
Nota: Cuando la temperatura del termistor PTC

es mayor que Ts (es decir el termistor est en su estado de disparo), el termistor se calentar ocasionando un aumento de la temperatura ambiente (ver Fig.8). Esto debe tenerse en cuenta
cuando se calcule valor de la resistencia de carga.

VARISTORES
GENERAL
Los varistores proporcionan una proteccin fiable y econmica contra transitorios de alto voltaje que pueden ser producidos, por ejemplo, por relmpagos, conmutaciones o ruido elctrico en lneas de potencia de CC o CORRIENTE ALTERNA. Los varistores tienen la ventaja sobre los diodos (supresores de transitorios) que, al igual que ellos pueden absorber energas transitorias (incluso ms altas) pero adems pueden suprimir los transitorios positivos y negativos.

Cuando aparece un transitorio, el varistor cambia su resistencia de un valor alto a otro valor muy bajo. El transitorio es absorbido por el varistor, protegiendo de esa manera los componentes sensibles del circuito. Los varistors se fabrican con un material no-homogneo.(Carburo de silicio)

CARACTERISTICAS
1. 2. 3. 4. 5. 6. Amplia gama de voltajes - desde 14 V a 550 V (RMS). Esto permite una seleccin fcil del componente correcto para una aplicacin especfica. Alta capacidad de absorcin de energa respecto a las dimensiones del componente. Tiempo de respuesta de menos de 20 ns, absorbiendo el transitorio en el instante que ocurre. Bajo consumo (en stabd-by) - virtualmente nada. Valores bajos de capacidad, lo que hace al varistor apropiado para la proteccin de circuitera en conmutacin digital. Alto grado de aislamiento.

Mximo impulso de corriente no repetitiva

El pico mximo de corriente permitido a travs del varistor depende de la forma del impulso, del duty cycle y del nmero de pulsos. Con el fin de caracterizar la capacidad del varistor para resistir impulsos de corriente, se permite generalmente que garantice un mximo impulso de corriente no repetitiva. Este viene dado por un impulso caracterizado por la forma del impulso de corriente desde 8 microsegundos a 20 microsegundos siguiendo la norma IEC 60-2, con tal que la amplitud del voltaje del varistor medido a 1 mA no lo hace cambiar ms del 10% como mximo. Un impulso mayor que el especificado puede ocasionar cortocircuitos o ruptura del propio componente; se recomienda por lo tanto instalar un fusible en el circuito que utiliza el varistor, o utilizar una caja protectora. Si se aplica ms de un de impulso o el impulso es de una duracin mas larga, habra que estudiar las curvas que al efecto nos proporcionan los fabricantes, estas curvas garantizan la mxima variacin de voltaje (10%) en el varistor con 1 mA.

Energa mxima
Durante la aplicacin de un impulso de corriente, una determinada energa ser disipada por el varistor. La cantidad de la energa de disipacin es una funcin de: 1. 2. 3. 4. 5. La amplitud de la corriente. El voltaje correspondiente al pico de corriente. La duracin del impulso. El tiempo de bajada del impulso; la energa que se disipa durante el tiempo entre 100% y 50% del pico de corriente. La no linealidad del varistor.

A fin de calcular la energa disipada durante un impulso, se hace con la referencia generalmente a una onda normalizada de la corriente. Esta onda esta prescrita por la norma IEC 60-2 secciona 6 tiene una forma que aumenta desde cero al valor de pico en un el tiempo corto, disminuyendo hata cero o de una manera exponencial, o bien sinusoidal. Esta curva es definida por el el tiempo principal virtual (t1) y el tiempo virtual al valor medio (t2) como el mostrado en la Fig.1.

Fig. 1 El clculo de energa durante la aplicacin de tal impulso viene dado por la frmula: E = Vpeak x Ipeak x t2 x K donde: Ipeak = corriente de pico Vpeak = voltaje a la corriente de pico K es un constante que depende de t2, cuando t1 va de 8 a 10 microsegundos; ver Tabla 1. t2 (microsegundos) 20 50 100 1000 Tabla 1 La energa mxima no representa entonces la calidad del varistor, pero puede ser un indicio valioso cuando comparamos diversas series de componentes que tienen el mismo voltaje. La energa mxima indicada por los fabricantes es vlida para un impulso estndar de duracin entre10 y 1000 microsegundos, que dan como maxima variacin de voltaje un 10 % para 1 mA. Cuando se aplican ms de un impulso, recurriremos a las tabla que a tal efecto nos proporcionan los fabricantes. K 1 1.2 1.3 1.4

CARACTERISTICAS ELECTRICAS
Caractersticas tpica V/I de un varistor de ZnO La relacin entre la tensin y corriente en un varistor viene dada por:

V = C x Ib Donde:

o o o o

V es el voltaje C es el voltaje del varistor para una corriente de 1 A. I es la corriente actual que atraviesa el varistor. b es la tangente del ngulo que forma la curva con la horizontal. Este parmetro depende del material con que est fabricado el varistor; en el caso del ZnO su valor es ? = 0.035

Ejemplo: Supongamos una varistor con un valor de C = 230 V. a 1 A. y b = 0.035 (ZnO) Entonces:V = C x Ib Para una I =10-3 A V = 230 x(10-3 ) 0.035 = 180 V 2 Y para una I =10 A V = 230 x(102 ) 0.035 = 270 V

LIMITACION DE TRANSITORIOS DE TENSION CON VARISTORES DE ZnO En la Fig.2 el voltaje de alimentacin Vi es derivado por la resistencia R (p. ej. la resistencia de lnea) y el varistor (-U) seleccionado para la aplicacin.

Fig. 2

VI =VR +VO VI =R x I + C x Ib Si la tensin de alimentacin vara una cantidad DVI la variacin de corriente ser de DI y la tensin de alimentacin podr expresarse como: (VI + DVI )=R x (I + DI) + C x (I+DI)b Dado el valor pequeo de b (0.03 a 0.05), es evidente que la modificacin de C x Ib ser muy pequea comparada a la variacin de R x I cuando VI aumente a VI + DVI . Un aumento grande de VI conduce a un aumento grande de VR y un aumento pequeo de VO EJEMPLO Supongamos un varistor (C = 520; b = 0.04) y una R = 250 W Para VI = 315 V (valor de pico de una alimentacin de 220 V): Continuar......................

ELECTRONICA DIGITAL
Sistemas combinacionales
Introduccin
Vamos a ver una serie de circuitos que se van a caracterizar porque procesan seales que slo tienen dos niveles, y cuyos valores precisos no son importantes con tal que estn en un nivel o en otro de los definidos. Son seales binarias y los circuitos correspondientes se denominan indistintamente, circuitos de conmutacin, circuitos lgicos o circuitos digitales La primera parte de nuestro estudio comprende, primeramente, las bases del lgebra de conmutacin, cuya herramienta matemtica, el lgebra de Boole, nos va a permitir el anlisis y diseo de los circuitos electrnicos digitales. Seguidamente estudiaremos las familias lgicas o circuitos digitales integrados de que disponemos para nuestras realizaciones. Por ltimo presentaremos dos grandes bloques: los circuitos y subsistemas combinacionales y los secuenciales.

Los primeros se podrn definir como aquellos en que el estado lgico de sus salidas depende nicamente de los niveles de sus entradas en ese mismo instante, es decir no hay efectos de tiempos o memoria. En los segundos, el nivel de salida en un instante dado depende no solamente de las entradas en ese instante, sino del estado interno del sistema, el cual es fruto de las entradas en instantes anteriores, es decir, hay memoria.

Algebra de Boole.

Definicin: Un conjunto B dotado con dos operaciones algebraicas ms (+) y por (.) es un lgebra de Boole, s y slo s se verifican los postulados: 1 Las operaciones + y . son conmutativas. 2 Existen en B dos elementos distintos representados por los smbolos 0 y 1, respectivamente, tal que : a + 0 = 0 + a = a Para todo elemento a que pertenece a B a . 1 = 1 . a = a Para todo elemento a que pertenece a B El smbolo 0 es el elemento identidad para la operacin " + " y el smbolo 1 es el elemento identidad para la operacin " . " 3 Cada operacin es distributiva para la otra, esto es: a + (b . c) = (a + b) . (a + c) a . (b + c) = (a . b) + (a . c) 4 Para cada elemento de B, por ejemplo el elemento a, existe un elemento a' tambin perteneciente a B tal que: a + a' = 1 a . a' = 0 Ejemplos: Sea el conjunto B = { 0,1 }, y las dos operaciones + y . definidas 0 0 1 1 + + + + 0=0 1=1 0=1 1=1 0 0 1 1 . . . . 0=0 1=0 0=0 1=1

Interruptor abierto equivale a nuestro 0 lgico Cerrado equivale a nuestro 1 lgico La combinacin es equivalente a es decir : dos interruptores abiertos puestos en serie equivale a un solo interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 . 0 = 0 La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor abierto en serie con un interruptor cerrado equivale a un interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 . 1 = 0 por la misma razn podemos decir que 1 . 0 = 0 La combinacin

es equivalente a es decir : un interruptor cerrado en serie con otro cerrado equivale a un solo interruptor cerrado es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1. 1 = 1

La combinacin es equivalente a es decir : dos interruptores abiertos puestos en paralelo equivale a un solo interruptor abierto es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 0 + 0 = 0

La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor abierto en paralelo con un interruptor cerrado equivale a un interruptor cerrado es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1 + 0 = 0 por la misma razn podemos decir que 0 + 1 = 1

La combinacin es equivalente a es decir : un interruptor cerrado en paralelo con un interruptor cerrado equivale a un interruptor cerrado es equivalente a decir en nuestra lgebra de Boole que 1 + 1 = 1

Trminos cannicos
Se llama trmino cannico de una funcin lgica a todo producto o suma en el cual aparecen todas las variables de que depende esa funcin. A los trminos productos se les llama productos cannicos y a los trminos sumas, sumas cannicas.

Formas cannicas
Cuando una funcin se expresa como suma de productos cannicos o como producto de sumas cannicas, se dice que dicha funcin se en cuentra expresada en su forma cannica.

Formas equivalentes
Dos expresiones booleanas, F1 y F2, son equivalentes, es decir F1=F2, s y slo s describen la misma funcin de conmutacin. Comprobaremos que formas booleanas diferentes pero equivalentes, conducirn a circuitos de conmutacin distintos aunque realicen la misma funcin.

Tabla de verdad
La tabla de verdad de una funcin lgica es una forma de representacin de la misma, en la que se indica el valor 0 1 que toma la funcin para cada una de las combinaciones de valores de las variables de dicha funcin Ejemplo:

abc F 0 000 0 1 001 1 2 010 1 3 011 0 4 100 1 5 101 1 6 110 1 7 111 1 En la columna de la izquierda se han ido numerando las combinaciones posibles de valores que siempre es igual a 2 elevado al nmero de variables (n), es decir 2n, en nuestro caso 23=8. De la tabla de verdad de una funcin lgica, es fcil deducir las formas cannicas de la funcin. As pues, si queremos que la funcin F de nuestro ejemplo est expresada como suma de productos cannicos deberemos asegurarnos que para cada una de las combinaciones de la tabla de verdad en que la funcin valga 1 obligaremos a que el trmino cannico valga tambin 1. Por ejemplo para la combinacin a=0 b=0 y c=1 de la tabla de verdad vemos que la funcin vale 1 as pues nuestro trmino cannico ser a'. b'. c , debemos entender que a' significa que la variable a est negada. Observemos que el trmino a'. b'. c vale 1 para la combinacin 0 0 1 y slo para esa combinacin, cualquier otra hara que nuestro producto cannico a'. b'. c sea 0. Construyendo la funcin con todos sus trminos llegaremos a la conclusin que para: La La La La La combinacin combinacin combinacin combinacin combinacin 010 100 101 110 111 el el el el el trmino trmino trmino trmino trmino ser ser ser ser ser a'. a. a. a. a. b. c' b'. c' b'. c b. c' b. c

Con lo que la funcin F correspondiente a la tabla de verdad anterior ser: F = a'. b'. c + a'. b. c' + a . b'. c'+ a . b'. c + a . b . c' + a . b . c Observemos que tenemos 6 trminos que se corresponden con los seis 1 de la funcin. Otra forma de expresarla es F = S ( 1, 2, 4, 5, 6, 7 ) S significa suma F = Sumatorio de trminos cannicos en que la funcin vale 1 Tambin podemos recurrir a realizar la funcin como producto de sumas cannicas, en este caso nos fijaremos en los 0 de la funcin y as para la combinacin 000 y 011 nuestra funcin vale 0. Por tanto el trmino correspondiente a la combinacin 000 ser ( a + b + c ), y observamos que este trmino slo vale 0 para la combinacin 000 y para cualquier otra vale 1.Del mismo modo para la combinacin 011 el trmino ser ( a + b' + c' ) y observamos tambin que este trmino slo vale 0 para la combinacin 011, cualquier otra har que dicho trmino valga 1. Nuestra funcin expresada como producto de sumas cannicas nos quedar: F = ( a + b + c ) ? ( a + b' + c' ) Observemos que tenemos 2 trminos que corresponden con los dos 0 de la funcin.

Otra forma de expresarla es F = P ( 0, 3 )

P significa producto

F = Producto de trminos cannicos en que la funcin vale 0 Las tabla de verdad nos permiten comprobar si dos expresiones lgicas distintas son equivalentes, es decir reproducen la misma funcin de conmutacin. F1 = a'. b'. c + a'. b. c' + a . b'. c'+ a . b'. c + a . b . c' + a . b . c F2 = ( a + b + c ) ? ( a + b' + c' ) Estas dos funciones aparentemente distintas son equivalentes pues ambas tienen la misma tabla de verdad.

Algunos teoremas en el lgebra de Boole

1 Para cualquier elemento b del lgebra de Boole se verifica: b=b+b b=b.b Demostracin: Sabemos que (1) b = b + 0 y que (2) b . b' = 0 Sustituyendo el 0 de la ecuacin (1) por su valor en (2) nos queda que b = b + b . b' aplicando la propiedad distributiva no queda entonces b = ( b + b ) . ( b + b' ) como b + b' = 1 entonces b=(b+b).1 luego queda demostrado que b = b + b 2 Para cualquier elemento b perteneciente al lgebra de Boole se verifica: b+1=1 b.0=0 b + 1 = 1 Esto es lgico ya que si hemos asociado que el valor 1 es equivalente a un interruptor cerrado y el signo + a que los dos elementos b y 1 estn en paralelo deduciremos que sea cul sea el valor de la variable b, si est en paralelo con un interruptor cerrado el resultado elctrico es que estamos cortocircuitando a la variable b y el resultado ser 1. b . 0 = 0 Tambin es lgico ya que si asociamos 0 como un interruptor siempre abierto y la operacin ( . = por ) como que est en serie con el elemento b, el resultado ser equivalente a tener siempre un circuito abierto es decir 0. 3 Para cada par de elementos en un lgebra de Boole se verifica Ley de absorcin a+a.b=a a.(a+b)=a Demostracin : Como a . 1 = a y ( 1 + b ) = 1 a +a.b=a.1+a.b=a.(1+b)=a.1=a 4 En un lgebra de Boole las operaciones suma, producto son asociativas. a+(b+c)=(a+b)+c=a+b+c a.(b.c)=(a.b).c=a.b.c 5 Para cada elemento b en un lgebra de Boole su complemento ( negado) b' es nico.

Otros FLIP-FLOP JK
1.8 Otros FLIP-FLOP JK

El biestable JK MAESTRO-ESCLAVO presenta el inconveniente que durante la parte alta del impulso de reloj sus entradas son activas, es decir el flip-flop ser sensible a los cambios que se produzcan en ellas durante este intervalo. Como hay muchos casos en que es conveniente disponer de flip-flops en los que el tiempo en que las entradas sean activas sea muy corto, independientemente de la duracin del estado alto del ciclo de reloj, adoptaremos alguna de las siguientes soluciones:

1. 2.

El FLIP-FLOP JK disparado por FLANCO (JK EDGE TRIGGERED) El FLIP-FLOP JK MAESTRO-ESCLAVO con CIERRE DE DATOS (JK M/S WITH DATA LOCKOUT)

Sin entrar en el detalle de la construccin interna de este tipo de biestables resaltaremos sus caractersticas diferenciales. 1.8.1 El FLIP-FLOP JK disparado por FLANCO (JK EDGE TRIGGERED) De los dos flancos del impulso de reloj, solamente uno de ellos es activo tanto para la lectura de las entradas como para la transicin de las salidas. Las entradas deben mantenerse estables un cierto tiempo previo al flanco activo del reloj, producindose la transicin con cierto tiempo de retardo respecto a este mismo flanco. Se encuentran en los catlogos flip-flops disparados por flanco positivo o de subida y flip-flops disparados por flanco negativo o de bajada, siendo ms frecuente los de este ltimo tipo. La duracin del impulso de reloj y, por tanto, la posicin relativa del flanco no activo del mismo carecen de importancia. En la siguiente figura se esquematiza el funcionamiento de un flip-flop de este tipo cuyo flanco activo es el negativo.

RELOJ ENTRADAS TOMA DE DATOS SALIDA TRANSICION

Los fabricantes de circuitos integrados utilizan dos tcnicas diferentes para realizar flip-flops que respondan al modo de comportamiento que acabamos de describir. La primera de ellas hace uso del acoplo capacitativo de las entradas, de modo que, solamente son transmitidas las variaciones de las seales aplicadas a las mismas.

En la figura observamos que cada condensador Ca en combinacin con la resistencia Ra forman un diferenciador cuya constante de tiempo se calcula teniendo en cuenta el tiempo de subida de la seal aplicada
as como la capacidad de entrada de cada una de las puertas. Su funcionamiento seria:

S' R'

S'' R ''

Cuando las seales de entrada S' y R' permanecen fijas, se cual sea el nivel lgico de las mismas en los puntos S'' y R'' se mantiene el nivel "0", por lo que el biestable permanece en ese estado indefinidamente. Si en alguna de las entradas se produce una transicin de bajada, se transmite a travs del diferenciador un pulso negativo que no produce ningn efecto sobre el flip-flop. Sin embargo, las transiciones de subida transmiten un pulso positivo que momentneamente llega a los puntos S'' R'' produciendo la transicin correspondiente. En el ejemplo de la figura se ha supuesto que el biestable estaba inicialmente en RESET ("0"), pasando a SET ("1") al detectar el primer flanco de subida de S' y volviendo a RESET con el primer flanco de subida de R'. En realidad hay que tener en cuenta que la capacidad asociada a las entradas de las puertas no es nula, con lo que el diferenciador no ser perfecto.

Ca

V1 Ra V1

V2 Capacidad parsita

SEAL APLICADA V2

RESPUESTA DEL DIFERENCIADOR V'

ts
Por otro lado, las seales aplicadas a las entradas tendrn un cierto tiempo de subida (ts). Todo ello hace que la amplitud de la seal transmitida a travs de los diferenciadores sea menor de la previsible en el caso ideal. As pues la amplitud DV' ser menor cuanto mayor sea el tiempo de subida de la seal aplicada, pudiendo incluso, si ste es demasiado grande, no superar la tensin umbral necesaria para ser interpretado como un "1" lgico. Por esta razn, en este tipo de biestables es necesario especificar el tiempo de subida mximo de las seales de entrada. El otro mtodo de lograr el funcionamiento por flancos es el de almacenamiento capacitativo, utilizado en algunos flip-flops de la familia TTL

En principio las puertas AND de la entrada estarn bloqueadas mientras la seal de reloj sea "0".

Supongamos que S=1 y R=0. Cuando llegue el flanco de subida del impulso de reloj Ck, la seal S' subir exponencialmente hacia "1", debido al efecto integrador de C1 en combinacin con la resistencia de salida de la puerta 1. Pero al mismo tiempo que Ck se hace "1", Ck' se hace "0" bloqueamos las puertas 3 y 4. En consecuencia, esta transicin no producir ningn efecto en el estado del flip-flop. Por el contrario, al llegar el impulso de bajada de reloj, las puertas 3 y 4 se abren de nuevo, mientras que los condensadores C1 y C2 tienden a mantener su nivel de tensin anterior durante un cierto tiempo. En este caso, como S' es "1" resulta S(neg)=0 y R(neg)=1 , lo que fuerza el SET del biestable bsico constituido por las puertas 5 y 6.

S R Ck S' R' Ck' S (neg) R (neg) Q

t1

t2

t3

t4

En la figura se representa grficamente el funcionamiento descrito, as como el proceso de RESET cuando S=0 y R=1 En este caso, el tiempo de bajada del flanco de reloj no debe ser superior a un cierto valor con el fin de que los condensadores no tengan tiempo a descargarse y se obtengan las seales S(neg) y R(neg) dibujados en la figura a continuacin de los instantes t2 y t4 respectivamente. Tpicamente se especifica que el tiempo de bajada del impulso de reloj sea inferior a 150 ns. (Familia TTL). Por otro lado, obsrvese que durante los instantes en que el reloj est a "1" los condensadores C1 y/ C2 se cargan, proceso que necesita un cierto tiempo. Es preciso especificar tambin la anchura mnima de los impulsos de reloj. (Tpicamente mayor que 20 ns en TTL). 1.8.2 El FLIP-FLOP JK MAESTRO-ESCLAVO con CIERRE DE DATOS (JK M/S WITH DATA LOCKOUT) En este tipo de biestable las entradas son exploradas durante el flanco de subida del reloj, mientras que la actualizacin de la salida se produce a continuacin del flanco de bajada del

mismo. Cualquier cambio que se produzca en las entradas durante el tiempo en que el reloj se mantiene a nivel alto no produce efecto sobre la salida. En este caso el flanco de subida es el activo para la toma de datos mientras que el de bajada lo es para la transicin.

RELOJ ENTRADAS TOMA DE DATOS SALIDA TRANSICION

Con el fin de ilustrar las diferencias entre estos dos tipos de biestable y el MAESTRO/ESCLAVO normal, se presenta un ejemplo en el que se supone que la entrada K se mantiene permanentemente a "1" mientras que en la entrada J se aplica una cierta seal.

RELOJ ENT. J

a) b) c)

a) M/S NORMAL b) DISPARADO POR FLANCO NEG c) M/S CON CIERRE DE DATOS
Como puede observarse, el comportamiento es completamente diferente en cada uno de los tres casos estudiados. Obsrvese que todas las transiciones de las salidas coinciden con los flancos de bajada del reloj. El tipo de transicin viene determinada en: a) por el valor de JK durante la duracin del estado alto del reloj

b) por el valor de JK en el mismo flanco de bajada

c) por el valor de JK en el flanco de subida anterior 1.9 Parmetros de los FLIP-FLOPS Adems de los parmetros caractersticos de la familia lgica a que pertenecen, como son niveles lgicos, fan-out., tc. Cabe destacar una serie de parmetros, ms o menos normalizados, relativos a la temporizacin de las diferentes seales que intervienen en la conmutacin de los flip-flops. De ellos cabe destacar los siguientes:

1. 2. 3. 4. 5. 6. 7.

Tiempo de establecimiento (SET UP TIME). Es el tiempo anterior al flanco activo de toma de datos durante el cual las entradas no deben cambiar. Tiempo de mantenimiento (HOLD TIME). Es el tiempo posterior al flanco activo de toma de datos durante el cual las entradas no deben cambiar. Frecuencia mxima de reloj. Es la frecuencia mxima admisible de la seal de reloj que garantiza el fabricante. Duracin del tiempo alto de reloj. Es el tiempo mnimo que debe durar la parte alta del impulso de reloj. Duracin del tiempo bajo de reloj. Es el tiempo mnimo que debe durar la parte baja del impulso de reloj. Tiempo bajo de PRESET Y CLEAR. Es el tiempo mnimo que debe activarse las entradas asncronas para garantizar su funcionamiento. Tiempo de retardo o propagacin. Es el tiempo que transcurre desde el flanco activo del reloj que produce la conmutacin y el momento en que sta tiene lugar.

Oscilador enganchado en fase PLL's

PLL's.-INTRODUCCION
El oscilador enganchado en fase es un sistema de realimentacin consistente en un compador de fase, un filtro paso bajo, un amplificador de la seal error y un oscilador controlado por tensin (VCO) en el camino de la realimentacin.

Fig. 1 El esquema de bloques de un sistema bsico PLL se muestra en la Figura 1. Quizs el punto ms importante a tener en cuenta cuando diseamos el PLL es que es un sistema de realimentacin como cualquier otro y, de lo que se deduce, que est caracterizado matemticamente con las mismas ecuaciones que aplican a los otros sistemas de realimentacin ms convencionales. Sin embargo, los parmetros de las ecuaciones son algo diferentes ya que en los PLL's la seal de error de realimentacin es un error de fase mientras que en los convencionales es una seal error de voltaje o corriente.

FUNCIONAMIENTO DE UN PLL El principio bsico del funcionamiento de un PLL puede explicarse como sigue: Cuando no hay seal aplicada a la entrada del sistema, la tensin Vd(t) que controla el VCO tiene un valor cero. El VCO oscila a una frecuencia, f0 (o lo que es equivalente en radianes Wo) que es conocida como frecuencia librede oscilacin.

Cuando se aplica una seal a la entrada del sistema, el detector de fase compara la fase y la frecuencia de dicha seal con la frecuencia del VCO y genera un voltaje de error Ve(t) que es proporcional a la diferencia de fase y frecuencia entre las dos de seales. Este voltaje de error es entonces filtrado, ampliado, y aplicado a la entrada de control del VCO. De esta manera, la tensin de control Vd(t) fuerza a que la frecuencia de oscilacin del VCO vare de manera que reduzca la diferencia de frecuencia entre f0 y la seal de entrada fi. Si la frecuencia de entrada fi est suficientemente prxima a la de f0, la naturaleza de la realimentacin del PLL provoca que el oscilador VCO sincronize y enganche con la seal entrante. Una vez enganchado, la frecuencia del VCO es idntica a la de la seal de entrada a excepcin de una diferencia de fase finita. Esta diferencia de fase neta es Fe, donde: Fe = Fo - Fi es la diferencia de fase necesaria para generar el voltaje de error corrector Vd para conseguir el desplazamiento de la frecuencia libre del VCO para igualarse a la frecuencia fi de la seal de entrada y as mantener el PLL enganchado. Esta capacidad de autocorreccin del sistema tambin permite al PLL "encarrilar" los cambios de frecuencia con la seal de entrada una vez se ha enganchado. La gama de las frecuencias sobre las que el PLL puede mantener el enganche con una seal de entrada se define como gama de enganche o cierre del sistema. La banda de las frecuencias sobre las que el PLL pueden engancharse con una seal de entrada conocida como gama de captura del sistema y nunca es mayor que la gama de enganche. Otros medios de describir la operacin del PLL est en observar que el comparador de fase es en realidad un circuito multiplicador que mezcla la seal de entrada con la seal del VCO. Esta mezcla produce una gama de frecuencias que son sumas y diferencias de frecuencias (fi + fo) y (fi - fo). Cuando el bucle est enganchado (fi = fo ; entonces fi + fo= 2fi y fi - fo=0); de ah que, a la salida del comparador de fase slamente tengamos una componente DC. El filtro paso bajo anula la componente de frecuencia suma por estar (fi + fo) fuera de su ancho de banda pero deja pasar la DC que se amplifica entonces y ataca al VCO. Observar que cuando el bucle est enganchado, la componente diferencia de frecuencia es siempre DC, de tal manera que la gama de enganche es independiente del flanco del ancho de banda del filtro paso bajo.. ENGANCHE Y CAPTURA Consideremos ahora el caso en que el bucle no est an enganchado. El comparador de fase mezcla nuevamente las seales de la entrada y del VCO produciendo componentes suma y diferencia de frecuencia. Sin embargo, la componente diferencia puede caer fuera del ancho de banda del filtro paso bajo y anularse al mismo tiempo con la componente de frecuencia suma. Si este es el caso, no se transmite ninguna informacin al VCO y este permanece es su frecuencia libre incial. Cunado la frecuencia de entrada se aproxima a la del VCO, la componente diferencia de frecuencias disminuye y se acerca el borde de la banda del filtro paso bajo. Ahora alguna componente de la diferencia de frecuencias pasar, haciendo que la frecuencia del VCO se acerque a la frecuencia de la seal de entrada. Esto, producir a la vez, que disminuya la frecuencia de la componente diferencia lo que permite a su vez que pase ms informacin a travs del filtro paso bajo. hacia el VCO. Esto es esencialmente un mecanismo de realimentacin positiva que provoca que el VCO enganche con la seal de entrada. Teniendo en cuenta lo dicho, podramos definir de nuevo el trmino gama de captura como la gama de

frecuencia alrededor de la cual, la frecuencia libre inicial del VCO puede enganchar con la seal de entrada. La gama de captura es una medida de qu frecuencias de seal de entrada debemos tener para enganchar al VCO. Esta gama de captura puede llegar a tener cualquier valor dentro de la gama de enganche y depende en primer lugar del flanco del ancho de banda del filtro paso bajo y en segundo lugar de la ganancia del lazo-cerrado del sistema. Es este fenmeno de captura de seal, el que le da al bucle, las propiedades selectivas de frecuencia.. Es importante distinguir la gama de captura de la gama de enganche que puede, nuevamente, definirse como la gama de frecuencias normalmente centradas alrededor de la frecuencia inicial libre del VCO por el que el lazo puede encaminar a la seal de entrada una vez logrado el enganche. Cuando el lazo est enganchado, la componente diferencia de frecuencia a la salida del comparador de fase (voltaje error) es DC y pasar siempre a travs del filtro paso bajo. As, la gama de enganche estar limitada por la gama de voltaje de error que puede generarse y la correspondiente desviacin de frecuencia producida por el VCO. La gama de enganche es esencialmente un parmetro DC y no est afectada por el ancho de banda del filtro paso bajo. CAPTURA TRANSITORIA El proceso de captura es altamente complejo y no se presta a un anlisis matemtico simple. Sin embargo, una descripcin cualitativa del mecanismo de captura puede entenderse como se indica a continuacin. Sabiendo que la frecuencia es el derivada de la fase con respecto al tiempo, los incrementos (variaciones) de la frecuencia y de la fase en el bucle pueden relacionarse como df =dFe/dt donde df es la variacin de la frecuencia instantnea entre las frecuencias de la seal y del VCO y Fe es la diferencia de fase entre la seal de entrada y la seal del VCO. Si el lazo de realimentacin del PLL se abriera entre el filtro paso bajo y la entrada del VCO, entonces para una condicin determinada de fo y fi la salida del comparador de fase sera un batido sinusoidal a una frecuencia fija df. Si fo y fi se acercaran suficientemente en su frecuencia, este batido aparecera a la salida de filtro con insignificante atenuacin. Supongamos ahora el lazo de realimentacin se cierra conectando la salida del filtro paso bajo a la entrada de control del VCO. La frecuencia del oscilador VCO estar modulada por ese batido de frecuencia.Cuando esto sucede, df ser una funcin de tiempo. Si, durante este proceso de modulacin, la frecuencia del VCO se desplaza acercndose a fi, (es decir, disminuyendo df), entonces dFe/dt disminuye y la salida del comparador de fase variar lentamente en funcin de tiempo. Del mismo modo, si el VCO se modula lejos de fi, dFe/dt aumenta y el voltaje de error, es decir la salida del comparador de fase variar rpidamente en funcin del tiempo. Bajo esta condicin la forma de onda de la nota de batido no ser sinusoidal; sino que estar formado por una serie de picos aperidicos. A causa de su asimetra, esta nota de batido contiene una componente DC finita cuyo valor medio hace tender la frecuencia del VCO hacia fi y se establezca el enganche. Entonces df vale cero.y el voltaje de error DC permanece constante. El tiempo total que tarda el PLL en establecer el enganche se llama el pull-in-time. Dicho tiempo depende de las diferencias de fase y frecuencia inicial entre las dos seales as como tambin de la ganancia total del lazo y del ancho de banda del

filtro paso bajo.Bajo determinadas condiciones , el pull-in-time puede ser ms corto que el perodo de la nota de batido y el el bucle puede cerrar sin ningna oscilacin transitoria. EFECTOS DEL FILTRO PASO BAJO En la manera de comportarse el lazo. El filtro paso bajo efecta una doble funcin. La primera, atenuar y rechazar las componentes de alta frecuencia a la salida del detector de fase, mejorando las caractersticas de rechazo de interferencias, la segunda, proporcionar durante un corto tiempo (memoria del filtro) al PLL asegurando un rescate rpido de la seal si el sistema se sale del enganche debido a algn ruido transitorio. Disminuir el ancho de banda del filtro paso bajo tiene los efectos siguientes sobre el rendimiento de sistema (Constante de Tiempo grande):

a. El proceso de captura llega a ser ms lento, y el pull-in-time aumenta. b. La gama de fecuencias de captura disminuye. c. Las propiedades de rechado de interferencias del PLL mejoran ya que el d.
voltaje de error ocasionado por una frecuencia perturbadora adicional se atenua por el filtro paso bajo. La respuesta transitoria del bucle (la respuesta del PLL a los cambios sbitos de la frecuencia de entrada dentro de la gama de captura) llega a ser muy amortiguado.

Convertidores Analgico Digitales

Convertidores analgicos-digitales. Los convertidores A/D son dispositivos electrnicos que establecen una relacin biunvoca entre el valor de la seal en su entrada y la palabra digital obtenida en su salida. La relacin se establece en la mayora de los casos, con la ayuda de una tensin de referencia. La conversin analgica a digital tiene su fundamento terico en el teorema de muestreo y en los conceptos de cuantificacin y codificacin. Una primera clasificacin de los convertidores A/D, es la siguiente: Conversores de transformacin directa. Conversores con transformacin (D/A) intermedia, auxiliar. Circuitos de captura y mantenimiento (S/H:Sample and Hold). Los circuitos de captura y mantenimiento se emplean para el muestreo de la seal analgica (durante un intervalo de tiempo) y el posterior mantenimiento de dicho valor, generalmente en un condensador, durante el tiempo que dura la transformacin A/D, propiamente dicha. El esquema bsico de un circuito de captura y mantenimiento, as como su representacin simplificada, se ofrece en la figura:

El funcionamiento del circuito de la figura es el siguiente: El convertidor A/D manda un impulso de anchura tw por la lnea C/M, que activa el interruptor electrnico, cargndose el condensador C, dutrante el tiempo tw. En el caso ideal, la tensin en el condensador sigue la tensin de entrada. Posteriormente el condensador mantiene la tensin adquirida cuando se abre el interruptor. En la siguiente figura se muestran las formas de las seales de entrada, salida y gobierno del interruptor.

El grfico tiene un carcter ideal, puesto que tanto la carga como la descarga del condensador estn relacionadas estrechamente con su valor y con el de las resistencias y capacidades parsitas asociadas al circuito. Se recalca el hecho de que el control de la seal C/M procede del convertidor A/D, que es el nico que conoce el momento en que finaliza la conversin de la seal. Conversor A/D con comparadores. Es el nico caso en que los procesos de cuantificacin y codificacin estn claramente separados. El primer paso se lleva a cabo mediante comparadores que discriminan entre un nmero finito de niveles de tensin . Estos comparadores reciben en sus entradas la seal analgica de entrada junto con una tensin de referencia, distinta para cada uno de ellos. Al estar las tensiones de referencia escalonadas, es posible conocer si la seal de entrada est por encima o por debajo de cada una de ellas, lo cual permitir conocer el estado que le corresponde como resultado de la cuantificacin. A continuacin ser necesario un codificador que nos entregue la salida digital.

Este convertidor es de alta velocidad, ya que el proceso de conversin es directo en lugar de secuencial, reducindose el tiempo de conversin necesario a la suma de los de propagacin en el comparador y el codificador. Sin embargo, su utilidad queda reducida a los casos de baja resolucin, dado que para obtener una salida de N bits son necesarios 2N-1 comparadores, lo que lleva a una complejidad y encarecimiento excesivos en cuanto se desee obtener una resolucin alta. Conversor A/D con contadores. Llamado tambin convertidor con rampa en escalera. Usa el circuito ms sencillo de los conversores A/D y consta bsicamente de los elementos reflejados en la figura siguiente:

Un comparador, reloj, circuito de captura y mantenimiento (S&H), contador, conversor D/A y buffers de salida. Una vez que el circuito de captura y mantenimiento (S/H), ha muestreado la seal analgica, el contador comienza a funcionar contando los impulsos procedentes del reloj. El resultado de este contaje se transforma en una seal analgica mediante un convertidor D/A, proporcional al nmero de impulsos de reloj recibidos hasta ese instante. La seal analgica obtenida se introduce al comparador en el que se efecta una comparacin entre la seal de entrada y la seal digital convertida en analgica. En el momento en que esta ltima alcanza el mismo valor ( en realidad algo mayor) que la seal de entrada, el comparador bascula su salida y se produce el paro del contador. El valor del contador pasa a los buffers y se convierte en la salida digital correspondiente a la seal de entrada. Este convertidor tiene dos inconvenientes: Escasa velocidad. Tiempo de conversin variable. El segundo inconveniente puede comprenderse fcilmente con la ayuda de la siguiente figura, en la que se aprecia que el nmero de impulsos de reloj (tiempo), precisos para alcanzar el valor Vien el conversor D/A depende del valor de Vi.

Dicho tiempo de conversin viene dado por la expresin:

Conversor A/D con integrador. Este tipo de convertidores son ms sencillos que los anteriores ya que no utilizan convertidores D/A. Se emplean en aquellos casos en los que no se requiere una gran velocidad, pero en los que es importante conseguir una buena linealidad. Son muy usados en los voltmetros digitales. Existen dos tipos: Convertidor A/D de rampa nica Consta, como se refleja en la figura, de un integrador, un comparador, un generador de impulsos y un contador con sus buffers de salida.

fig.13-15 En la puesta en marcha tanto el integrador como el contador son puestos a cero por el circuito de control. ....Continuar...

Teorema del Muestreo

Enunciado: Si una seal contnua, S(t), tiene una banda de frecuencia tal que fm sea la mayor frecuencia comprendida dentro de dicha banda, dicha seal podr recontruirse sin distorsin a partir de muestras de la seal tomadas a una frecuencia fs siendo fs > 2 fm.

En la figura se muestra un esquema simplificado del proceso de muestreo.

El interruptor no es del tipo mecnico, puesto que por lo general fs es de bastante valor. Suelen emplearse transistores de efecto campo como interruptores, para cumplir los requerimientos que se le exigen entre los que se encuentran: Una elevada resistencia de aislamiento cuando los interruptores (transistores)estn desconectados. Una baja resistencia si los interruptores estn conectados o cerrados. Una elevada velocidad de conmutacin entre los dos estados de los interruptores. En la siguiente figura se ofrece las formas de las tres seales principales: S(t) seal a muestrear

Sd(t)

seal muestreadora seal muestreada

Desde el punto de vista de la cuantificacin de la seal muestreada, lo ideal sera que el tiempo en que el interruptor est cerrado, fuese prcticamente cero, ya que

de otro modo, la seal muestreada puede variar en dicho tiempo y hacer imprecisa su cuantificacin. Debe tenerse en cuenta que para la reconstruccin de la seal original, a partir de la muestreada, se emplea un filtro de paso bajo, el cual deber tener una funcin de transferencia como se indica en la figura siguiente:

Obsrvese que la respuesta del filtro, debe ser plana hasta una frecuencia, como mnimo, igual a fm, para caer posteriormente de forma brusca a cero, antes de que la frecuencia alcance el valor de fs-fm. Mediante la aplicacin del Teorema del Muestreo, se pueden transmitir varias seales, por un mismo canal de comunicacin. Para ello se muestrea sucesivamente varias seales S1, S2, S3,.... y las seales muestreadas se mandan por el canal de comunicacin. A este sistema se le denomina "multiplexado en el tiempo" Al otro extremo del canal habr que separar las distintas seales muestreadas para hacerlas pasar despus por el filtro paso bajo que las reconstruya

En la figura anterior el multiplexor y el demultiplexor se han representado mediante conmutadores rotativos sincronizados , los cuales, evidentemente no son adecuados, dada la gran frecuencia de giro fs, necesaria en este sistema. Para ello se emplean multiplexores y demultiplexores electrnicos. En este sistema de transmisin de seales es imprescindible, el perfecto sincronismo entre los dos extremos del canal.

MEMORIAS
INTRODUCCION Una parte importantsima en la mayora de los sistemas digitales es la dedicada a contener la informacin que est tratando dicho sistema. Los datos e instrucciones del programa de un sistema microcomputador son almacenados en la memoria. Cada "celda" de la memoria puede almacenar un bit, estando las memorias constituidas por varios miles de estas celdas. El conjunto de celdas en las que se almacena una palabra se llama "Posicin de memoria"

Se han desarrollado numerosos sistemas capaces de almacenar o memorizar una informacin digital. Todos ellos, persiguen como objetivo conseguir: Alta velocidad Bajo precio Gran capacidad de almacenamiento Bajo consumo Cada uno de estos objetivos se conseguir en mayor o menor medida dependiendo del medio fsico empleado, su organizacin, tecnologa, tc. Por ejemplo, desde la dcada de los aos 1950, las memorias de ncleos de ferrita han predominado como memorias principales en los ordenadores. Sin embargo gracias al desarrollo tecnolgico de los semiconductores en forma integrada y ms concretamente LSI, ha permitido a partir de 1975 se sustituyeran las memorias de ferritas por memorias de tipo semiconductor, por sus ventajas tanto en rapidez como en precio y espacio. Hoy en da las memorias de tipo semiconductor, constituyen el sector ms expansivo dentro de la tecnologa de los semiconductores. Antes de proceder al estudio de las memorias de tipo semiconductor, expondremos ls caractersticas ms importantes de las memorias y una clasificacin general, que dar a su vez paso a una segunda clasificacin de las de tipo semiconductor en forma integrada. CARACTERISTICAS MAS IMPORTANTES DE LAS MEMORIAS Al estudiar los flip-flops o biestables ya se definieron los trminos de lectura y escritura por tratarse de elementos de memoria. Las caractersticas ms importantes de las memorias son: Tiempo de escritura Es el tiempo que transcurre entre el momento en que se presenta la informacin a almacenar en la memoria y el momento en que la informacin queda realmente registrada. Tiempo de lectura Es el que transcurre entre la aplicacin de la orden de lectura, y el momento en que la informacin est disponible en la salida. Tiempo de acceso Es a menudo, la media de los dos tiempos de lectura y escritura definidos anteriormente. Es la medida del tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la unidad de memoria hasta que esta lo entrega. Tiempo de ciclo Despus de una operacin de lectura o escritura, es posible que la memoria necesite un tiempo de reinscripcin (memorias de ncleos de ferrita, por ejemplo), o de recuperacin. El tiempo de ciclo es entonces la suma de este tiempo y del tiempo de acceso. Tambin denominado ciclo de memoria, es el tiempo transcurrido desde que se solicita un dato a la memoria hasta que sta se halla en disposicin de efectuar una nueva operacin de lectura o escritura. Acceso aleatorio Una memoria es de acceso aleatorio cuando el tiempo de acceso a cualquier posicin de memoria es siempre el mismo. Cadencia de transferencia Es la velocidad a la cual la memoria acepta informaciones de lectura o escritura (Bits por segundo) Capacidad Es el nmero de palabras o de bits que la memoria puede almacenar. Se denomina tambin volumen. Densidad de informacin Es el nmero de informaciones por unidad de volumen fsico. Volatilidad Es el defecto de una memoria que pierde la informacin almacenada, si se produce un corte de alimentacin MEMORIAS. CLASIFICACION GENERAL Las memorias pueden clasificarse atendiendo a diversos parmetros: Por el modo de acceso: Acceso Aleatorio (RAM) Acceso Secuencial Asociativas Por el modo de almacenamiento: Voltiles No voltiles Por el tipo de soporte Semiconductoras

Magnticas De papel Por su funcin o jerarqua Tampn o borrador: (LIFO,FIFO) Central o Principal De masas POR LA FORMA DE ACCESO Memorias de Acceso Aleatorio. Denominadas usualmente RAM (Ramdon Access Memory), son memorias en las que cualquier informacin puede leerse o escribirse con el mismo tiempo de acceso, cualquiera que sea la clula de memoria elegida. Memoria de acceso secuencial o serie.- Para la lectura o escritura de una determinada clula, espreciso leer todas las clulas que le preceden fsicamente Memoria asociativa.- Es una memoria direccionable por su contenido, no por una direccin. POR EL MODO DE ALMACENAMIENTO Memoria voltil.- Es aquel tipo de memoria que pierde la informacin en ella almacenada, al cortar la alimentacin. Memoria no voltil.- Retienen la informacin en modo permanente an despus de eliminar o cortar la alimentacin POR EL TIPO DE SOPORTE Memorias semiconductoras.- Son aquellas que utilizan dispositivos semiconductores para registrar la informacin Memorias magnticas.- El registro de la informacin se realiza por magnetizacin de un soporte de este tipo. Memorias de papel.- No son propiamente memorias. Sin embargo, el papel (cinta perforada o tarjeta) permite almacenar una informacin en forma de marca o perforaciones. POR SU FUNCION O JERARQUIA Memorias tampn.- Son generalmente de tipo semiconductor y se caracterizan porque la informacin en ellas se almacena durante un corto periodo de tiempo. Puede decirse que son memorias borrador, de paso o adaptadoras. Son memorias de baja capacidad y acceso rpido, puesto que normalmente se refieren a los registros generales incluidos dentro del propio sistema microcomputador. Su funcin ser, pues, actuar como memorias de trabajo auxiliares en las transferencias de informacin entre el sistema y las unidades exteriores. Las memorias LIFO y FIFO son memorias especiales del tipo tampn cuyo nombre proviene de la forma de almacenar y extraer la informacin de su interior. FIFO (First in-firts out), primero en entrar - primero en salir, es decir, es lo que se llama una fila de espera LIFO (Last in-first out), la ltima informacin introducida en la memoria es la primera en extraerse, es lo que se llama una pila o apilamiento. Memoria Central.- Es la que est incorporada en la Unidad Central de Proceso de un ordenador. Su misin consiste en almacenar los programas y los datos implicados en la ejecucin de las sucesivas instrucciones. Hasta hace algunos aos, las memorias centrales estaban formadas a partir de ncleos de ferrita o por hilos plateados. Actualmente, este tipo de memorias ha sido desplazado definitivamente por las memorias integradas a semiconductores. Y la memoria central del sistema est formada por la asociacin de un nmero de chips de memoria RAM y ROM a semiconductores, mayor o menor, segn la capacidad de almacenamiento requerida por el sistema. Clasificacin:

Segn el modo de lectura

1. Lectura destructiva: al leer el contenido de una posicin de memoria, la informacin almacenada desaparece. Este tipo de memoria precisa de una regeneracin del contenido, despus de efectuada una operacin de lectura. 2. Lectura no destructiva: donde la operacin de lectura no provoca la prdida de la informacin almacenada. Hay que hacer constar que la casi totalidad de las memorias centrales modernas pertenecen a este grupo.

Segn el modo de retener la informacin

1. Voltiles: para que el contenido permanezca memorizado, es necesario una fuente de alimentacin. Al desconectarla, se pierde la informacin almacenada. Las memorias RAM pertenecen a esta categora. 2. No voltiles: la informacin persiste an desconectando la fuente de alimentacin de la unidad de memoria, esto es, el

contenido es memorizado sin consumo energtico. Las memorias centrales ROM son ejemplo de lo dicho. Memoria de masas.- Es la memoria auxiliar de tipo externo de un ordenador. Son memorias de acceso aleatorio o directo y de elevada capacidad. No son estrictamente imprescindibles dentro del sistema microcomputador, como ocurre en las centrales. Se emplean como bloques de almacenamiento auxiliar, con una velocidad de transferencia de informacin elevada. Habitualmente este tipo de memorias contiene el archivo de informacin que manipula el sistema dentro del conjunto de aplicaciones al que se halla orientado. Para que el mricroprocesador pueda procesar la informacin almacenada en una memoria de tipo de masas, sta debe pasar primeramente al interior de la memoria central del sistema. En virtud del tipo de transferencia empleado, por bloques, la caracterstica bsica de las memorias de masa es el caudal de transferencia o nmero de palabras de informacin que puede transferirse por unidad de tiempo. El caudal se expresa en Kbytes o Mbytes por segundo. Las memorias de masa que alcanzan mayor difusin en el campo de los microordenadores son los discos magnticos, ms concretamente los discos magnticos flexibles o "Floppy disk". Memorias de fichero Al igual que las anteriores, este tipo de memorias son auxiliares de la meoria central de microcomputador. La diferencia radica en que las memorias de fichero estn caracterizadas por una velocidad de transferencia sustancialmente inferior a las de masa.

El acceso a la informacin almacenada se efecta de forma secuencial. Por lo tanto, el tiempo de acceso a determinada informacin depende de su emplazamiento sobre el soporte fsico. En definitiva, el acceso a las memorias de fichero no es aleatorio, de ahi que su velocidad de transferencia sea variable y en general reducida. Como contrapartida a su baja velocidad de trabajo, las memorias de fichero suelen ser relativamente econmicas (Cintas magnticas o cassettes) Por ltimo, cabe precisar que dada su caracterstica de acceso no aleatorio, la velocidad de una memoria de fichero se define a partir del "Tiempo medio de acceso" respecto a las posiciones extremas de almacenamiento. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS. CLASIFICACION Existen una gran variedad de memorias de tipo semiconductor, tanto en tecnologa bipolar como MOS Las clasificaremos atendiendo al modo de acceso como caracterstica principal, subdividindolas en la forma de almacenamiento y por ltimo en la tecnologa empleada. MEMORIAS SEMICONDUCTORAS DE ACCESO ALEATORIO (RAM) Usualmente se reserva el trmino RAM para aquellas memorias que permiten leer y escribir en ellas. Para aquellas que siendo del siendo del tipo RAM (Acceso aleatorio), solo permiten la lectura se reserva el trmino ROM o RPROM tc. En consecuencia, una "memoria RAM semiconductora", es una memoria de acceso aleatorio y que permite leer o escribir indistintamente, una informacin sobre ella.

32-Word x 8-Bit Static RAM

ESQUEMA DE UNA MEMORIA RAM Las entradas de control C y R/W permiten inhibir la memoria y leer o escribir (Read-Write) respectivamente.

Fig. 1 Su funcionamiento es el siguiente: Situar en los terminales de DIRECCION la combinacin adecuada a la clula de memoria a operar. En el caso de lectura, poner el terminal R/W a "0", y por ltimo permitir el funcionamiento de la memoria, es decir, validar el proceso con C="1". En la salida de datos obtendremos la informacin almacenada en la direccin de memoria correspondiente. En el caso de escritura, adems de la direccin adecuada es preciso situar en los terminales de "entrada de datos", el dato a almacenar o escribir. Ahora el terminal R/W deber ponerse a "1". Por ltimo, validar la operacin con C="1", la informacin a la entrada de datos quedar registrada en la direccin de memoria indicada.

Veamos un diagrama de los tiempos de las seales que intervienen en la operacin

Ciclo de lectura

Ciclo de escritura CS AUTORIZACION DE FUNCIONAMIENTO

Una vez expuesto el principio de una memoria RAM en general, vamos a ver cmo estn realizadas las de tipo semiconductor. Se pueden clasificar en dos grupos: Las RAM estticas estn basadas en estructuras biestable con un tipo de transistor u otro. Las RAM dinmicas estn formadas por clulas dinmicas, (registros de desplazamiento dinmicos), las cuales estn basadas en el aprovechamiento de las capacidades estructurales de los transistores MOS, para almacenar una carga determinada. Como sabemos, cada clula de memoria es capaz de almacenar 1 bit. Sin embargo, la forma de trabajo habitual de los sistemas digitales, obliga a almacenar grandes cantidades de informacin, bien en forma de bits aislados, o bien en forma de palabras. Ello da lugar a dos tipos diferentes de organizacin de las memorias RAM En la organizacin por palabras, al direccionar una posicin de memoria, se tiene a la salida una palabra que puede estar constituida por 6, 8, 12, 16, 32, 64 incluso ms bits. Sin embargo, al direccionar una posicin de memoria organizada en bits, slo se obtiene un bit de salida. Para poder introducir datos en la memoria, y para poder sacarlos de ella, cada posicin de memoria viene dada por su correspondiente "direccin". La direccin es, pues, una palabra binaria que define la posicin. Es importante distinguir entre lo que es una direccin de una posicin de memoria, y el dato que puede ser almacenado en esa direccin. En general a nivel de pastillas de memoria en C.I. los fabricantes, ponen a disposicin del usuario organizaciones de un bit (por ejemplo: 256 X 1 bits, 4096 x 1 bits, tc.) que asociadas en paralelo permiten obtener palabras de la longitud requerida. Memoria RAM esttica.Las memorias estticas tiene clulas de memoria en forma de flip-flops o biestables. Por tanto, como los flip-flops pueden ser unos ms rpidos que otros, as ocurrir con las memorias. Si se desea una memoria rpida puede elegirse una RAM a base de flip-flops en TTL Schottky o ECL. Si se desea una memoria barata aunque lenta, puede realizarse a partir de flip-flops con MOS. Si el consumo ha de ser extremadamente bajo, deber elegirse una RAM CMOS. RAM esttica bipolar Una clula de memoria en una memoria bipolar est constituida por un flip-flop sencillo a base de transistores bipolares. RAM ORGANIZADA EN PALABRAS (Ver Fig. 1)

A0

A1

ENTRADAS/SALIDAS RAM ORGANIZADA EN BITS

L i n e a s d e P a l a b r a

Estos biestables constan de dos transistores multiemisores en acoplamiento cruzado

LINEA DE SELECCION DE PALABRA En condiciones normales, un transistor se encontrar siempre saturado y el otro en estado de bloqueo. ? Para leer el estado del biestable, se eleva la tensin de la lnea de palabra y el transistor saturado dejar pasar corriente a travs de la lnea de bit, lo que a su vez es detectado para determinar el estado del biestable.. ? Para escribir datos, la tensin de la lnea de palabra se eleva nuevamente y la tensin de una de las lneas de bit se baja, provocando que el transistor asociado a esta lnea de bit se sature. En la matriz de memoria, todas las celdas de una columna comparten la misma lnea de bit, y todas las celdas en una fila tienen la misma lnea de palabra. En cuanto al biestable de una memoria MOS esttica, su celda corresponde a la estructura siguiente, formada utilizando transistores unipolares MOS de acumulacin.

LINEA DE SELECCION DE PALABRA Los transistores T1 y T2 trabajan en conmutacin y son los encargados de almacenar el bit de informacin. Por su parte T3 y T4 actan como puerta de intercambio con el exterior. Cada uno de ellos canaliza una informacin binaria (0 1) desde la lnea de bit correspondiente hasta el transistor de almacenamiento Cuando T3 y T4 se hallen en reposo, el biestable permanece aislado del exterior, preservando la informacin memorizada. La escritura de un bit "0" "1" se produce al excitar, a travs de T3 o T4 , al par T1-T2; uno de los dos transistores pasar a saturacin, mientras que el otro evolucionar hacia el estado de bloqueo (OFF) Dependiendo de la transicin de estados del par T1-T2 , el punto de memoria almacenar un estado lgico u otro. Para leer la informacin almacenada, se introduce un impulso de tensin a travs de la lnea de seleccin, lo que provocar una corriente a travs de la rama T1-T3 o T2-T4, segn sea "0" o "1" el bit almacenado. En definitiva, la lectura se efecta detectando la presencia de corriente en una u otra lnea de bit. Para terminar, diremos que el mayor inconveniente de las RAM estticas lo constituyen su elevado consumo energtico, comparativamente con las dinmicas. Ello se debe, como hemos visto, a que las resistencias R1 y R2 consumen permanentemente, al mantener el estado lgico en el que se halla posicionado el biestable. El hecho de que cada celda de memoria incorpore un notable nmero de componentes, tambin limita las posibilidades de integracin de este tipo de memorias. Algunos ejemplos comerciales de RAM estticas Nos referiremos a continuacin a modelos reales de memoria de lectura/escritura. Para cada uno de estos integrados se dan sus caractersticas bsicas ms importantes, asi como su esquema de bloques y relacin de patillas. La primera caracterstica de cada una de ellas es su organizacin de almacenamiento o nmero de palabras de "n" bits que memoriza, extremo importante puesto que especificando su capacidad podemos deducir el nmero de lneas de direcciones y datos que acceden a la memoria en cuestin. Por ejemplo, una memoria de 128 palabras de 8 bits cada una (128x8), estar dotada de 7 entradas de direccionamiento y poseer 8 lneas de datos. Esto es lgico ya que para seleccionar los 128 bytes son necesarias 128 configuraciones de direccionamiento, ( 128=27 ), lo que significa que existirn 7 lneas de direcciones. Al mismo tiempo, puesto que cada palabra es de 8 bits, se requerirn 8 lneas para canalizar la entrada y salida de datos. As pues, observaremos los siguientes tipos de lneas: A0-An: entradas de direcionamiento. D0-Dn: entrada/salida de datos R/W : contro lectura/escritura.

CS0-CSn: seleccin de chip Las entradas CS pueden ser una o varias y a su vez pueden activarse por niveles "0" "1" lgicos. En el caso de existir varias CS, stas suelen estar cableadas internamente en forma de puerta "Y". En consecuencia, la seleccin de chip se conseguir cuando todas las entradas reciban simultneamente sus posicionamientos activos. RAM esttica 6810 Est organizada en 128 palabras de 8 bits y se emplea mucho en los sistemas basados en el microprocesador 6800 de Motorola, debido a la facilidad de adaptacin. Dispone de 6 entradas CS: dos con activacin alta y cuatro con nivel bajo. Sus caractersticas ms sobresalientes son: Organizacin 128 X 8 bits Tecnologa NMOS Alimentacin 5 V Disipacin tpica 130 mW E/S datos Bidireccional y tri-estado Encapsulado DIL 24 patillas

GND Vcc D0 A0 D1 A1 D2 A2 D3 A3 D4 A4 D5 A5 D6 A6 D7 R/W CS0 CS5 CS1 CS4 CS2 CS3

? RAM esttica 2114 Tiene una estructura de 1024 palabras de 4 bits Cada uno de los cuatro bits dato es bidirecional, con lgica tri-estado para permitir su desconexin virtual del bus de datos. Las lneas de control son dos: CS y WE Esta segunda lnea es equivalente a R/W; si WE = 0 la operacin efectuada ser de escritura; y si WE = 1 ser de lectura. Sus caractersticas ms sobresalientes son:

Organizacin 1024 X 4 bits Tecnologa NMOS Alimentacin 5 V Disipacin tpica 300 mW E/S datos Bidireccional y tri-estado Encapsulado DIL 18 patillas Vemos que para direccionar 1024 posiciones necesitamos 10 patillas puesto que 210=1.024 Para los datos, como son palabras de 4 bits necesitaremos 4 patillas Para indicar Lectura o Escritura (R/W) necesitamos 1 patilla Para selecccionar el integrado CS (Chip Select) 1 patilla Para alimentacin 2 patillas El nmero de patillas del integrado es pues de 18.

A6 A5 A4 A3 A0 A1 A2 CS

Vcc A7 A8 A9 I/O1 I/O2 I/O3 I/O4 GND WE