Master Microlectronique, Microtechnologies et Tlcommunications

UE S22 Complments de Micro-ondes: Les fonctions actives

Gilles DAMBRINE (Cours, TP) Luc DUBOIS (TD, TP)

Cours (mardi 8-10h) Bt. DESS salle 115 15h

TD (jeudi 10h15-12h15) Bt. DESS salle 115 15h

TP Bt P3 2me tage 20h

Emploi du temps

Plan du cours
Rappels et outils de base Principales caractristiques dune ligne de propagation Les structures de propagation usuelles Les paramtres S, les conversions de matrices usuelles Labaque de Smith, son utilisation

Notions et principes caractrisant un quadriple actif (concepts courant/tension et ondes). Impdance ou facteur de rflexion ramen lentre ou en sortie dun quadriple. Dfinition des puissances et gains usuels. Transformations dimpdances et transfert optimal de puissance. Cercles de gain en puissance ou de gain disponible. Stabilit des quadriples actifs (critres, cercles de stabilit) Facteur de bruit et cercles de bruit.
3

Plan du cours (suite)

Amplification micro-ondes faible bande un tage. Dmarche gnrale. Les bases de stabilisation dun quadriple actif. Les bases des circuits de polarisation des transistors hyperfrquences. Base de la conception dun oscillateur hyperfrquence. Base de conception des oscillateurs par lapproche des paramtres S. Bases des rsonateurs micro-ondes Oscillateurs rsistance ngative Oscillateur en contre-raction

Stages et travaux pratiques : Initiation la CAO hyperfrquence : lamplificateur faible bande un tage. Initiation la CAO hyperfrquence : loscillateur rsonateur dilectrique(approche linaire)
4

Les circuits HF: Procdure Gnrale Cahier des Charges

Concepts, outils de base

Conception

Ralisation
5

LES OUTILS DE BASE

Rseau dadaptation / transformation dimpdance: Les lignes de propagation, Zc, ,

Les composants localiss: Matrices S, Y, Z etc

I. Rappels et Outils de base

Lignes de Transmission: Les bases

Zo est fonction des dimensions physiques and Zo est gnrallement un nombre rel (e.g. 50 or 75 ohms)
Guide donde a b bifilaire Coaxiale h w

r
w1 w2 Coplanair

w Microstrip

Impedance Caractristique de lignes microruban

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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation
V (0 ) V (L )
x 0 L

Modle des tlgraphistes

I ( x ) Rdx V (x )

Ldx

I ( x + dx )

Gdx

Cdx V ( x + dx )

V = V0+ . e x + V0 . ex = V

+V

+ I = I 0 . e x + I 0 . ex = I + + I
8

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation

Ligne standard
Zc = R + jL G + jC

= + j =
en N/m

(R + jL )(G + jC ) .
( dB / m) = ( N / m)

8.686 (rd/m).l (m) : Longueur lectrique en rad

Ligne sans pertes

L >> R C >> G

L Zc = C

=0

= LC
C 1 = air LC reff
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Vitesse de propagation : =

v=

I. Rappels et Outils de base

Lignes Microruban: Zc
Pour les substrats usuels 2.5<r<10 Zo max ~100 150 Zo min ~ 25 40

Pourquoi ? Quelques explications

Impedance Caractristique de lignes microruban

10

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation Matrice Chane dune ligne (Zc, ) de longueur L

[Ch ]
ligne

Ch(L) Z c Sh(L) = Yc Sh(L) Ch(L)

Matrice [Z] & [Y] dune ligne (Zc, ) de longueur L

[Z ]
ligne

1 cth(L) Sh(L) = Zc 1 cth(L) Sh(L)

[Y ]
ligne

cth(L) = Yc 1 Sh(L)

1 Sh(L) cth(L)

11

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance ramene

Calculons limpdance vue lentre dune ligne (Zc, ) de longueur L connecte une impdance de charge ZL
Zc

Zin

ZL

Calculons ladmittance vue lentre dune ligne (Yc, ) de longueur L connecte une admittance de charge YL
Yc

Yin

YL
12

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance ramene

Calculons limpdance vue lentre dune ligne (Zc, ) de longueur L connecte une impdance de charge ZL

Z c th(l ) + Z L jZ c tg ( l ) + Z L Z in = Z c Zc Z Lth(l ) + Z c jZ L tg ( l ) + Z c
Calculons ladmittance vue lentre dune ligne (Yc, ) de longueur L connecte une admittance de charge YL

jYc tg ( l ) + YL Yc th(l ) + YL Yin = Yc Yc jYLtg ( l ) + Yc YL th(l ) + Yc

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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene

Cas particulier o ZL=0 -

tronon de ligne en Court Circuit

Z in jZ c tg ( l ) jL
En modifiant Zc et / ou la longueur l: on voit lentre du tronon de ligne une inductance srie

L L3 L=H R=

Zc

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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene

Cas particulier o ZL=0 -

tronon de ligne en Court Circuit

Gnralement l < g/4

Z in jZ c tg ( l ) jL
100 Inductance_equivalente (nH) 75 ~ Inductance 50 25 0 -25 -50 -75 -100 0 0.25 0.5

~ Inductance

0.75

Zc=50 Freq=5 GHz

Longueur / g

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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene

Cas particulier o YL=0 -

tronon de ligne en Circuit Ouvert

Yin jYc tg ( l ) j C
En modifiant Yc et / ou la longueur l: on voit lentre du tronon de ligne une Capacit quivalent en parallle (shunt)

C C3 C=pF

Yc

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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene

Cas particulier o YL=0 -

tronon de ligne en Circuit Ouvert

Gnralement l < g/4

Yin jYc tg ( l ) j C
50 Capacit_equivalente (pF) ~ Capacit 25 ~ Capacit

0 0 -25 0.25 0.5 0.75 1

Yc=20 mS Freq=5 GHz

-50 Longueur / g
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I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene ; Tronons de Ligne en Court Circuit

100 Inductance_equivalente (nH) 75 ~ Inductance 50 25 0 -25 -50 -75 -100 Longueur / g 0 0.25 0.5 0.75 1 ~ Inductance

Longueur = g/4; Zin = infinie Longueur = g/2; Zin = 0

Zin

C C3 C=pF

L L3 L=nH R=

L L4 L=nH R=

Longueur = 3g/4; Zin = infinie

Zin

C C4 C=pF

Zin

C C3 C=pF

L L3 L=nH R=

18

I. Rappels et Outils de base

Lignes de propagation: Impdance et Admittance Ramene ; Tronons de Ligne en Circuit Ouvert

50 Capacit_equivalente (pF) ~ Capacit 25 ~ Capacit

0 0 -25 0.25 0.5 0.75 1

-50

Longueur = g/4; Yin = infinie Longueur = g/2; Yin = 0

L L4 L=nH R=

Longueur / g

Longueur = 3g/4; Yin = infinie

L L4 L=nH R=

Yin

C C4 C=pF

Yin

C C3 C=pF

L L3 L=nH R=

Yin

C C4 C=pF

19

I. Rappels et Outils de base

Yc

Yin
Une ligne quart donde idale est un inverseur d admittance idal

YL

un tronon de ligne g/4

cos = jYc sin jZ c sin cos

[ch]UE Zc

avec = 2 [ch]UE Zc

g = 0 l = 4 j Zc 0 j / J 0 = j J d ' o 0 0 j Yc

J2 Yin = YL
J = Yc
20

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S Justification des paramtres S

Problmes lis la mesure des paramtres H, Z ou Y
I1 V1 I2 V2

I1 Y11 Y12 V1 I = Y Y V 2 21 22 2

Les notions de courant et tension ne sont pas mesurables en HF

21

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
a1 b2 a2

Ondes incidentes / rflchies

b1

Matrice S

b1 S11 b = S 2 21

S12 a1 S 22 a2

b1 = S11a1 + S12 a2 b2 = S 21a1 + S 22 a2

22

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S Signification physique des paramtres S

b1 Facteur de rflexion lentre, la sortie tant adapte S11 = a1 a2 =0

Coefficient de rflexion lentre d un dispositif

b2 Facteur de transmission entre sortie, la sortie tant adapte S 21 = a1 a2 =0 Gain dun amplificateur
b2 Facteur de rflexion en sortie, lentre tant adapte S 22 = a2 a1 =0

b1 Facteur de transmission sortie entre, lentre tant adapte S12 = a2 a1 =0

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I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S Autres intrts de la matrice S

a1 = Puissance incidente l' entre d' un dispositif

a2 = Puissance incidente la sortie d' un dispositif
2

b1 = Puissance rflchie l' entre d' un dispositif

b2 = Puissance rflchie par la sortie d' un dispositif
2

24

I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
S11 =
S 22 =
2

Puissance rflchie l' entre d' un dispositif Puissance incidente l' entre d' un dispositif
Puissance rflchie la sortie d' un dispositif Puissance incidente la sortie d' un dispositif

S 21

Puissance reue par une charge d' impdance Z 0 = Puissance dlivre par une source d' impdance Z 0 = Gain en puissance pour une source et une charge d' impdance Z 0

S12 = Gain en puissance inverse avec source et charge 50

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I. Rappels et Outils de base

Paramtres S / Matrice S
a1 b1 b2

DUT

a2

Les paramtres S mesurs ou calculs dans une gamme de frquences

Format Usuel de stockage: Touchstone file (*.S2P); compatible avec tous les logiciels de CAO HF ! Commentaire ! Transistor MGF 1302; Vgs=0V; Vds=3V ! Header # Hz S RI R 50 ! Freq
0.50000E+09 0.75000E+09

r11
0.99738E+00 0.99677E+00

i11
-0.35828E-01 -0.60699E-01

r21
-0.19139E+01 -0.19084E+01

i21
0.90332E-01 0.13055E+00

r12
0.64850E-04 0.36621E-03

i12
0.43337E-02 0.65374E-02

r22
0.87308E+00 0.87247E+00

i22
-0.27405E-01 -0.45074E-01

26

I. Rappels et Outils de base

Mesures des paramtres S: Analogie avec lOptique

Incident

Transmise

Rflechie

Onde Lumineuse

RF
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I. Rappels et Outils de base

Mesures des paramtres S: principe

Incident

DUT

Transmise

R
Rflechie

B A
REFLEXION
Rflechie Incident = A R

TRANSMISSION
Transmise Incident = B R

SWR S-Parameters S11,S22 Reflection Coefficient ,

Return Loss Impedance, Admittance R+jX, G+jB

Gain / Loss S-Parameters S21,S12 Insertion Phase

Group Delay

Transmission Coefficient ,

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I. Rappels et Outils de base

Abaque de Smith: Principe

.

+jX

90

Polar plane
1.0 .8

+R

.6 .4

+ 180 o -

.2

-jX

-90 o
Constant X

Rectilinear impedance plane

= = 1

Z L = Zo 0 Z L=

Constant R

Z L = 0 (short) 180O

(open) 0
O

=1

Z-type Smith Chart

I. Rappels et Outils de base

Power Transfer Basics

+

Low frequencies wavelengths >> wire length current (I) travels down wires easily for efficient power transmission measured voltage and current not dependent on position along wire

High frequencies wavelength or << length of transmission medium need transmission lines for efficient power transmission matching to characteristic impedance (Z0) is very important for low reflection and maximum power transfer measured envelope voltage dependent on position along line

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with Zo

Zo = characteristic impedance of transmission line

Zs = Zo

Zo

V inc
Vrefl = 0! (all the incident power is absorbed in the load) For reflection, a transmission line terminated in Zo behaves like an infinitely long transmission line

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with Short, Open

Zs = Zo

V inc
Vrefl
In phase (0 o ) for open Out of phase (180 o ) for short

For reflection, a transmission line terminated in a short or open reflects all power back to source

I. Rappels et Outils de base

Transmission Line Terminated with 25

Zs = Zo ZL = 25

V inc
Vrefl Standing wave pattern does not go to zero as with short or open

I. Rappels et Outils de base

Reflection Parameters
Reflection Coefficient

Vreflected = = Vincident

ZL ZO Z L + ZO

Return loss = -20 log(),

Emax Emin

Voltage Standing Wave Ratio

Emax VSWR = Emin

1-

1+

No reflection (ZL = Zo)

VSWR

Full reflection (ZL = open, short)

I. Rappels et Outils de base

Power Transfer Efficiency

For complex impedances, maximum power transfer occurs when ZL = ZS* (conjugate match)
Zs = R + jX
Rs +jX -jX RL

ZL = Zs* = R - jX
Zo Zo

At high frequencies, maximum power transfer occurs when RS = RL = Zo

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation Objectifs:

-1- Modifier la valeur dune impdance / admittance -2- Synthtiser limpdance / admittance conjugue pour un transfert optimal de puissance Gnralement il sagit de transformer une impdance ou admittance quelconque en 50 ou 20 mS et rciproquement.

Zin ou Yin
OU

Zout ou Yout

Zin ou Yin Zout ou Yout Zin* ou Yin*

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

LAbaque de Smith permet de faire lanalogie entre un paramtre de rflexion (Sii) et un schma lectrique quivalent (R, L, C)
Circuits Sries
Term Term7 Num=6 Z=50 Ohm L L1 L=1.0 nH R= R R1 R=25 Ohm
S(6,6)

m3 freq=5.000GHz m3=0.494 / 105.784 impedance = Z0 * (0.500 + j0.628)

m3

L L2

R R3

m3 freq=5.000GHz m3=0.497 / -105.149 impedance = Z0 * (0.500 - j0.637)

C C1

R R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Term Term7 Num=6 Z=50 Ohm

S(6,6)

C C3

R R6

L L2

R R3

m3
C C1 R R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

LAbaque de Smith permet de faire lanalogie entre un paramtre de rflexion (Sii) et un schma lectrique quivalent (R, L, C)
Circuit // (ou Shunt)
Term Term8 Num=7 Z=50 Ohm
S(7,7) S(6,6)
C C4 R R7

C C3

R R6

Lecture de ladmittance

L L3

R R5

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Term Term8 Num=7 Z=50 Ohm

L L4

R R8

C C4

R R7

S_y S(7,7)

L L3

R R5

Lecture de ladmittance

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique
Exemple: Rgler le gain dun transistoren changeant les impdances, admittances ou facteurs de rflexion du gnrateur et / ou de la charge

g ou Zg ou Yg

L ou ZL ou YL

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique
-1- Synthse dune impdance (Zg) ou admittance (Yg) ou g de gnrateur Impose par le systme 50
ou 20

Choisie pour une application donne

mS

Zg ou Yg ou g

-2- Synthse dune impdance (ZL) ou admittance (YL) ou L de charge Choisie pour une application donne Impose par le systme 50
ou 20

ZL ou YLou L

mS

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique:
atteindre des lieux particuliers de labaque de Smith

g=Go/0.02 =1

r=Ro/50 =1

S(1,1)

x=X/50 = 0 ou b=B/0.02 = 0
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

La problmatique:

Essayez de reprer toutes les solutions et imaginez qualitativement leurs ralisations

Exemple: nous souhaitons transformer ce =0.572<-30 en =0

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-1- lments localiss (annulation de la partie imaginaire) inductance srie ou capacit //; inductances spirales / capacit MIM; techno monolithique (freq < 20 GHz) OK
C C4 R R7
L L7

Z=50*(2 j *1.7) Calculer la valeur de L srie

+
S_y S(1,1)

L L5 R=

+ OK

C C1

R R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-2- lments semi-localiss (annulation de la partie imaginaire) inductance srie ou capacit //; Lignes haute ou basse impdance Linductance en // nest pas ralisable
C C4 R R7
L L7

+
S_y S(1,1)
C C3

L L5 R=

L L6 R=

L L5 R=

+ OK

C C1

R R2

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-2- lments semi-localiss (annulation de la partie imaginaire) inductance srie ou capacit //; Lignes haute ou basse impdance On choisit donc une inductance en srie
C C4 R R7
L L7

Zinitiale=50*(2 j *1.7) Montrer que limpdance de la ligne quivalente cette inductance est:
S_y S(1,1)

Zc =

Im( Z )

( rd )

L L5 R=

+ OK

C C1

R R2

A 5 GHz, Zc~270 pour l=g/20

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Impossible en technologie hybride

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-3- Tronons de ligne (annulation de la partie imaginaire, et changement de la partie relle) transformateur g/4 a. Rejoindre laxe rel par lajout dune ligne 50 2me solution 1re solution
S(2,2) S(1,1)

l=75, Zc=50

initial

Longueur croissante
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

l = = 75 2

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-3- Tronons de ligne (annulation de la partie imaginaire, et changement de la partie relle) transformateur g/4 b. Ajouter en srie un transformateur g/4

Z c = Z 2 = Z in Z out
l=75, Z1=50
S(3,3) S(2,2) S(1,1)

Z2 croissant

l=g/4=90, Z2=26

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Zin

Zout

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire) technique simple stub 2me solution l, Zc=50
C C4 R R7

in

initial

S(2,2) S(1,1)

L L3

R R5

1re solution l=47.5: ligne un peu trop courte et il faudra placer un stub en CC. solution l=102.5: (>g/4), Longueur possible et on peut placer un stub en CO 2me 1re solution Longueur croissante
freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire) technique simple stub

l=102.5, Zc=50

S_y S(2,2) S(1,1)

in

initial

lstub _ CO

m(Yin ) ) = ATAN ( Yc _ stub _ CO

L L3

R R5

Im(Yin) = -27.93 mS si Yc_stub_CO= 20 mS Donc lstub_CO = 54.39

Juste pour lire la valeur de Im(Yin) (en Siemens)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-4- Tronons de ligne (atteindre g=1, et annulation de la partie imaginaire) technique simple stub

l=54.39, Zc=50

l=102.5, Zc=50

final

in

initial

S(3,3) S(2,2) S(1,1)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

-5- Variantes de la technique simple stub , en changeant limpdance de la ligne

l, Zc>50

in

initial

en modifiant Zc de la ligne, on peut obtenir un l plus petit (< lg/4) et une longueur de stub plus faible galement avec une ligne, on peut synthtiser directement 50 pour un couple de valeur (l,Zc) (ici 52,5 et 110 )

S(4,4) S(3,3) S(2,2) S(1,1)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

Z in = Z c

Z c th(l ) + Z L jZ tg ( l ) + Z L Zc c Z Lth(l ) + Z c jZ Ltg ( l ) + Z c

II. Synthse des Rseaux dadaptation

Synthse des rseaux dadaptation

Impose par le systme Choisie pour une application donne

Zg ou Yg ou g on choisit un g on transforme conj(g) en 50

l=90, Z2=26
50
S(4,4) S(1,1)

l=75, Z1=50

Conj(initial)

freq (5.000GHz to 5.000GHz)

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Pourquoi? La conception dun amplificateur ncessite le rglage des impdances de gnrateur et de charge. Ce rglage modifie les impdances dentre et de sortie du quadriple actif. Cet ensemble reste-t-il toujours stable?

g ou Zg ou Yg

L ou ZL ou YL

S11 ou Zin ou Yin

S22 ou Zout ou Yout

53

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Pourquoi?

i1 i2

Zg

v1

[Z]

v2

ZL

Z12 Z 21 v1 Z in = = Z11 i1 Z 22 + Z L

Z out

v2 Z12 Z 21 = = Z 22 i2 Z11 + Z g
Real(Zin)>0 Real(Zout)>0
54

Pour tout ZL partie relle positive et Pour tout Zg partie relle positive -

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: facteurs de rflexion ramens Sii

a1 a2

Zg

b1

[S]

b2

ZL

a1 g = b1

a2 L = b2 S12 S 21 g b2 = S 22 + S 22 ' = a2 1 S11 g

55

b S S S11 ' = 1 = S11 + 12 21 L a1 1 S 22 L

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
Stabilit inconditionnelle: |S11| < 1 & |S22| < 1 pour toute terminaison partie relle positive (|L| et |g| < 1). Stabilit Conditionnelle: |S11| < 1 & |S22| < 1 pour quelques valeurs de terminaison partie relle positive (|L| et |g| < 1). Dans un cas rel de conception dun amplificateur, la stabilit est gnralement conditionnelle, donc comment connatre les terminaisons (L et g) qui entraneraient une oscillation? --Critre de stabilit (critre k ou de Rollet) Mthode graphique: cercles de stabilit
56

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
Stabilit : quelles sont les questions que lon doit se poser ? -1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ? -2- Dans le plan |S11| , comment est transform le plan |L| = 1 ?

S11 ' < 1

L < 1

[S]

ZL

On peut avoir le mme raisonnement en considrant S22 et g

57

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT

|S11| < 1 ---------

S11 DL < 1 S 22 L

(D est le dterminant de [S])

De cette ingalit, on trouve lquation dun cercle dans le plan de L

L = U L + jVL (U L U L0 )2 + (VL VL 0 )2 = r0 avec C0 = U L 0 + jVL 0 et r0 = S12 S 21 S 22 D

2 2 2

(S =

* 22

D* S11
2 2

S 22 D

On peut avoir le mme raisonnement en considrant |S22| < 1, cela donnera un cercle (autres quations) dans le plan de g. 58

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ?

L < 1

L < 1

Inconditionnellement Stable Toute la zone donnera |S11|<1

Conditionnellement Stable Une partie de la zone donnera |S11|<1

59

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-1- Dans le plan L, quelles sont les valeurs de L donnant |S11| < 1 ?

L < 1
C0 r0 Le quadriple est inconditionnellement stable si:

|C0| - r0 > 1

1 S11 S 22 + D 2 S12 S 21 1 S11 S 22 + D k= 1 2 S12 S 21

k est le critre de stabilit (facteur de Rollet)
60

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT
-2- Dans le plan |S11| , comment est transform le plan |L| = 1 On dcrit galement un cercle Pour une stabilit inconditionnelle, il faut que r < 1 cest--dire: ?

S12 S 21 < 1 S 22

C = S11 + et r=

S12 S 21S 22 1 S 22 S12 S 21

2 2

S11 ' < 1

S11 ' < 1

1 S 22

Inconditionnellement Stable

Conditionnellement Stable
61

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Rsum

Pour avoir une stabilit inconditionnelle absolue, il est ncessaire et suffisant que

et

1 S11 S 22 + D k= 1 2 S12 S 21
S12 S 21 < 1 S11
S12 S 21 < 1 S 22
2
2

et si S11 = g* et S22 = L* ; alors les impdances de terminaison Zg, ZL sont parties relles positives

62

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de STABILIT: Remarques Pratiques

Remarques: k > 1 est suffisant pour obtenir une stabilit inconditionnelle. Pour concevoir un amplificateur la premire chose consiste tracer le paramtre k en fonction de la frquence (large bande)
1.3

L < 1
m1 freq= 5.100GHz m1=0.906
8 10 12 14 16 18 20

1.2

StabFact1

1.1

1.0

m1
0.9 0 2 4 6

freq, GHz
indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

Mthodologie: On cherche augmenter k > 1 Sinon on vrifie aux frquences o k < 1 si les terminaisons (L ou g) sont dans des zones instables (cercles de stabilit).

L_StabCircle1

63

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE
I(t) dpend du rseau de charge Puissance instantane : p(t) = v(t) i(t)
si p(t)>0 si p(t)<0 Transfert d nergie du gn vers la charge Transfert de la charge vers le gn.

1 nT Puissance Moyenne : P= nT p dt 0

Rseau Passif

C est gnralement la puissance mesure par un Bolomtre par exemple

Puissance Complexe : P = V I*
soit V=Va exp(j ) et I=Ia exp(j( + )) Puissance moyenne = Real(P) = Va Ia cos() Exemple : Calculer la puissance moyenne dissipe dans un rseaux passif G C. Puissance moyenne = Real (vi*) P= Va Ia (cos() - j sin ())

64

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE
Les principales units de puissance...

Puissance Absolue : le Watt

P Pref

Puissance relative :

10 * log10(

P(W ) ) 1e 3

Exemple : Pref = 1mW

le dBm : 0 dBm ----> ?W; 1W-------> ?dBm

65

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE Puissances dlivres une charge:

Pdel _ ch arg e = a1 b1 = a1 1 L
bg a1 Cest une grandeur mesurable Zg b1 ZL

a1 = bg + bg L g + bg L g + ... =
donc

bg 1 L g

Pdel _ ch arg e =

bg 1 L 1 L g
2

)
66

Remarque: si le gnrateur tait connect sur une charge non- rflective, londe mise serait gale bg

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de PUISSANCE Puissances disponibles (dun gnrateur): Transfert de puissance optimal

Cest une grandeur calculable (mesurable dans des conditions particulires)

bg

a1

Zg

b1

ZL=Zg*
Pdel _ ch arg e = si L = g
* 2 *2 2 bg 1 g bg = = 2 2 * 1 g 1 g g

bg 1 L 1 L g
2

L = g

alors

Pa _ gene

67

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance Gain en puissance Transducique ):

Cest une grandeur calculable traduisant le transfert de puissance au travers dun quadriple. (pas trs utilise mais utile la comprhension)

Pdel _ ch arg e 2 b2 2 GT = = f ( L ; g ;[ S ]) = (1 g )(1 L ) Pa _ gene bg

Pdel _ ch arg e = b2 1 L
2

Pa _ gene =

(1 )
2 g

bg

68

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance Gain en puissance Transducique ):

2 2 b2 2 (1 g )(1 L ) = f ( L ; g ;[ S ]) = bg

GT =

Pdel _ ch arg e Pa _ gene

GT

(1 ) S (1 ) =
2 2 2 g 21 L

1 S11g 1 S 22 L

'

S 22

'

S12 S 21g = S 22 + 1 S11g

69

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance Gain en puissance Disponible :

Cest une grandeur calculable (trs utilise pour loptimisation des amplificateurs de rception LNA car ce gain ne dpend que de g)

GA =
GA = GT pour L = S22*

Pa _ out Pa _ gene

= f ( g ;[ S ])
2

GA =
S 22
'

(1 g ) S 21
2

2 ' 2

1 g S11 (1 S 22 )

S12 S 21g = S 22 + 1 S11g

70

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gains en Puissance Gain en Puissance :

Cest une grandeur calculable (trs utilise pour loptimisation des amplificateurs dmission ou de puissance PA car ce gain ne dpend que de L)

Pdel _ ch arg e GP = = f ( g ;[ S ]) Pdel _ in

GP = GT pour g = S11*

GP =
' 11

S 21 (1 L ) (1 S
' 2 11

) 1 L S 22

S12 S 21L S = S11 + 1 S 22 L

71

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain disponible constant

g < 1
GA = GT pour L = S22*

Zg

[S]

ZL_opt

Lensemble des valeurs de g donnant un gain disponible donn dcrit un cercle

72

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain disponible constant

m7 indep(m7)=51 m7=0.882 / 140.914 gain=10.953352 impedance = Z0 * (0.071 + j0.353) m7 m6 indep(m6)=48 m6=0.162 / 77.815 gain=6.953352 impedance = Z0 * (1.017 + j0.331)

g < 1
m6

SmGamma1 GaCircle1

cir_pts (0.000 to 51.000) freq (14.50GHz to 14.50GHz)

73

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant

L < 1
GP = GT pour g = S11*

Zg_opt

[S]

ZL

Lensemble des valeurs de L donnant un gain en puissance donn dcrit un cercle

74

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant

m8 indep(m8)= 51 m8=0.782 / 78.039 gain=10.953352 impedance = Z0 * (0.302 + j1.188) m8 m5 indep(m5)= 36 m5=0.034 / 177.057 gain=8.453352 impedance = Z0 * (0.935 + j0.003)

L < 1
SmGamma2 GpCircle1

m5

14.5 GHz: K>1, le gain max peut tre obtenu la valeur de 10.95 dB.
cir_pts (0.000 to 51.000) freq (14.50GHz to 14.50GHz)

75

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de cercles Gain en Puissance constant et cercles de stabilit

L_StabCircle1 GpCircle1

L < 1

cir_pts (0.000 to 51.000) indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

Le mme transistor 8 GHz: K<1; le gain max ne peut tre atteint

76

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)

Notons que lorsque k>1; le gain maximum peut tre atteint en plaant des terminaisons particulires Gopt et Lopt De plus le gain maximal disponible est gal au gain maximal en puissance

Gav_max = Gp_max = MAG Dans ce cas, il y a simultanment transfert optimal de la puissance du gnrateur vers lentre du quadriple S11 = Gopt* et transfert optimal de la sortie du quadriple vers la charge , S22 = Lopt*

77

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Notions de Gain en Puissance Maximal (MAG)

Pour k>1:

S 21 2 MAG = ( k k 1) S12

78

III. Les amplificateurs microondes: Utilisation des paramtres S

Exercices
Calculer le centre et le rayon des cercles gain disponible constant pour S12 = 0

Calculons les expressions de Gopt et Lopt en fonction des Sij

79

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?

Lire dans le data sheet , la gamme de frquences dutilisation et les principales applications Exemple:

80

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

Comment choisir le bon transistor?

Calculer les frquences caractristiques en particulier ft. ft est la frquence de transition (gain=1 ou 0dB) du gain en courant de courtcircuit |H21|. Choisir un transistor dans le ft est au moins suprieur ou gal 2 3 x Fampli (cest--dire au moins 6 10 dB pour le |H21|). |H21| peut tre calculer partir des paramtres Sij (trouvs dans les data sheet ou dans les modles CAO (ADS)

81

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

82

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

83

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes A partir des paramtres S, on calcule 10log10(|H21|) que lon trace en fonction du log de la frquence, on en dduit ft partir dune extrapolation -20 dB /dec Exemple: ft=35 GHz, fampli < 17.5 GHz
25 20

dB(h(2,1))

15 10 5 0 1E9 1E10 4E10

ft=35 GHz

freq, Hz
84

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes Comment choisir le bon transistor? Il faut vrifier si les caractristiques statiques conviennent par rapport au cahier des charges

85

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes

86

III. Les amplificateurs microondes: Les transistors micro-ondes Comment choisir le bon transistor? Il faut vrifier le type de botier est compatible avec la technologie envisage

87

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Quel est leur rle ? Connecter le transistor une source dalimentation continue (gnralement une source de tension) Ne pas perturber le fonctionnement haute frquence de lamplificateur ils doivent tre transparents en HF .
88

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation Polarisation des transistors bipolaires: point de vue DC

I_DC SRC2 Idc=Ic

V_DC SRC1 Vdc=Vcc V

R R1 R=R1 Ohm

R R4 R=RC Ohm

I_DC SRC3 Idc=Ib

BIP BIP2

R R2 R=R2 Ohm

BIP BIP1

89

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation Polarisation des transistors effet de champ: point de vue DC Montage classique 2 alimentations DC
V_DC SRC1 Vdc=Vgs V V_DC SRC2 Vdc=Vds V

FET FET1

Montage 1 alimentation DC (auto polarisation) Ids Igs = 0

L L1 V_DC SRC1 Vdc=Vds V

Vgs Vgs = Rs Ids

Ids

sp_fuj_FHX30X_19920501 SNP4 R R1 R=Rs Ohm

90

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

Source DC de tension est quivalent un CC en HF

Peut on connecter directement ces sources pour une application haute frquence?

Source DC de courant est quivalent un CO en HF

Peut tre raliser avec un dispositif actif ou une alimentation en tension en srie avec une rsistance leve.
91

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation VDD

Vgs IN (HF)

IDS

OUT (HF)

On vient placer une impdance infinie en // en BF mais en HF ? On vient placer une impdance nulle en // en HF. Impossible, il faut intercaler un circuit transformateur dimpdance Rarement utilise
92

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation Montage Basse Frquence jusque quelques MHz I_AC I_DC
V_DC SRC1 Vdc=Vcc V

I_AC
C L C3 L1 C=Cbias uF L=Lchoc uH R=

I_AC
R R1 R=R1 Ohm

I_DC I_DC

R R4 R=RC Ohm

I_AC

I_AC
C C2 C=Cout pF

I_AC
R R5 R=RL Ohm

I_AC
C C1 C=Cin pF

I_AC
P_AC PORT3

I_AC+I_DC

BIP R R BIP1 R3 R2 _DC _DC R=R2 Ohm R=RE Ohm

I_AC

I_AC I_DC Courants indispensables au bon fonctionnement

I_AC

I_AC

Courants Minimiser au maximum

93

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation Montage Basse Frquence jusque quelques MHz Pont de base: son rle est dinjecter suffisamment de courant DC de base, mais R1//R2 doit rester suffisamment lev pour limiter le signal AC remontant vers lalimentation
R R5 R=RL Ohm

V_DC SRC1 Vdc=Vcc V

C L C3 L1 C=Cbias uF L=Lchoc uH R=

R R1 R=R1 Ohm

R R4 R=RC Ohm

C C2 C=Cout pF P_AC PORT3 C C1 C=Cin pF

R R2 R=R2 Ohm

BIP R BIP1 R3 R=RE Ohm

Capacits de liaison: son action est double bloque le DC vers le gnrateur ou la charge limite la bande passante pour les basses frquences (Passe Haut)

94

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation Montage Basse Frquence jusque quelques MHz Self-Inductance de choc: son rle est de limiter le signal AC vers lalimentation; sa valeur doit tre choisie en fonction de la frquence AC la plus basse.
V_DC SRC1 Vdc=Vcc V C L C3 L1 C=Cbias uF L=Lchoc uH R= R R1 R=R1 Ohm R R4 R=RC Ohm R R5 R=RL Ohm

C C2 C=Cout pF P_AC PORT3 C C1 C=Cin pF

R R2 R=R2 Ohm

BIP R BIP1 R3 R=RE Ohm

Capacit de dcouplage: son rle est de drainer le courant AC vers la masse afin quil ne remonte pas vers lalimentation. sa valeur doit tre choisie en 95 fonction de la frquence AC la plus basse.

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

C C1

La polarisation en HF ? il faut garder les mmes concepts quen BF mais la technologie diffre. les lments utiliss (inductances, capacits, rsistances, lignes ) ne sont pas ultra large bande, leur influence est souvent perturbante dans certaines zones du spectre.
96

L L1

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

C C1 C C1

L L1

C C1

La polarisation en HF ? Cest une association d lments inductifs sries et capacitifs // dont laction est limite une gamme de frquences restreinte. les technologies employes sont multiples: elles correspondent aux frquences de fonctionnement. lignes haute impdance pour raliser une inductance srie stub basse impdance pour raliser une capacit // lignes couples pour raliser une capacit srie
97

III. Les amplificateurs microondes: Les circuits de polarisation

V_DC SRC1 Vdc=Vgs V

Stub basse impdance (YB , LB)

MRSTUB Stub1 MLIN TL1

ligne haute impdance (YH , LH)

Gnrateur 50
P_AC PORT2 C C1

Capacit de liaison YG vue par le transistor

sp_fuj_FHX30X_19920501 SNP1

Calculons YG quand LB = LH =g/4?

98

III. Les amplificateurs microondes: La dmarche gnrale Cahier des Charges (type damplificateur, frquence de fonctionnement, gain, TOS etc) Choix du transistor
1.3 1.2
L_StabCircle1 GpCircle1

StabFact1

1.1

1.0

m1
0.9 0 2 4 6 8 10

m1 freq= 5.100GHz m1=0.906

12 14 16 18 20

freq, GHz
cir_pts (0.000 to 51.000) indep(L_StabCircle1) (0.000 to 51.000)

C C1

Synthse des circuits de polarisation, dadaptation voire de stabilisation

C C1 C C1
L L1

Optimisation
99

III. Les amplificateurs microondes: La dmarche gnrale cas dum ampli faible bande autour de fo entre f1 et f2

100

III. Les oscillateurs micro-ondes: leur rle

Info

Osc

Osc

Les sources micro-ondes permettent de transposer le signal en haute frquence. Elles jouent le rle de chef dorchestre pour le systme dmission / rception La qualit de rcupration des informations (taux derreur) dpend fortement des caractristiques des sources HF. Ces caractristiques sont: la puret spectrale (bruit, taux dharmoniques) la puissance mise sa stabilit en amplitude et en frquence
101

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

102

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principaux types de sources microondes

Les oscillateurs frquence fixe (la stabilit dpend du type de rsonateur) Gnralement il sagit doscillateur micro-onde de rfrence

Les VCO (Voltage Controled Oscillator) Ils font gnralement partis dun systme boucl (PLL) Gnrateur micro-onde ( Sweeper )

Les synthtiseurs de frquence

103

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R Ractif

Diode d
C Cactif

L C Lresonateur Cresonateur

R Rcharge

L Lcharge

Il faut: un dispositif actif (diode, transistor, amplificateur) pour gnrer de la puissance (effet de rsistance ngative) un dispositif passif rsonant (quartz, bobine/capacit, cavit) pour fixer la frquence il faut tenir compte de la charge
104

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R R a c tif

D io d e d
C C a c tif

L L r e s o n a te u r

C C r e s o n a te u r

R R c harg e

L Lcha rg e

Pulsation doscillation (A dmontrer):

o =

1 Cactif Creso ( ) ( Lreso + Lch arg e ) Cactif + Creso

Les principaux coefficients de qualit:

Qactif =
Qext =

Ractif

1 Cactif o

( Lreso + Lch arg e ) o Rch arg e

Qext

Creso o = Gch arg e

105

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

R R a c tif

D io d e d
C C a c tif

L L r e s o n a te u r

C C r e s o n a te u r

R R c harg e

L Lcha rg e

-Ractif

R1

Xactif

X1

1 Z1

actif Zactif

106

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation Condition dOscillation dans le formalisme courant - tension

i() -Ractif R1

Ce systme boucl dlivre une oscillation o si:

[Z

actif

( A, o ) + Z1 ( o ) i ( o ) = 0

Xactif

X1

R1 ( o ) = Ractif ( A, o ) X 1 ( o ) = X actif ( A, o ) avec i ( o ) = TF ( A sin( ot ))

Zactif + Z1 = 0
107

1 Z1

actif Zactif

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation Condition dOscillation dans le formalisme dondes

bg

a1 b1

Avec le formalisme des paramtres [S]: i()

a1 = bg + bg 1actif + bg 1 actif + ... =

R1

bg 1 1actif

-Ractif

bg = a1 (1 1actif ) = b1 1 = bg (1 1actif )

b1 (1 1actif ) 1

Xactif

X1

1 Z1

actif Zactif

Ce systme se comportera comme un oscillateur sil gnre de la puissance mme en absence de la puissance dun gnrateur bg = 0

donc bg = 0 1 actif = 1

Montrer que cette condition est quivalente Z1 + Zactif = 0

108

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation Condition dOscillation dans le formalisme dondes

bg

a1 b1

i() -Ractif R1

1 actif = 1
1 < 1 car cest un diple passif

Xactif

X1

donc

actif > 1 (le diple actif dlivre de la puissance)

1 Z1 actif Zactif

109

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation La condition doscillation est une notion valable en rgime tabli Rgime transitoire

[Z

actif

( A, o ) + Z1 ( o ) i ( o ) = 0

R1 ( o ) = Ractif ( A, o ) X 1 ( o ) = X actif ( A, o ) avec i ( o ) = TF ( A sin( ot ))

Limpdance du diple actif Zactif dpend de lamplitude (non linaire) |Zactif|

110

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation La condition doscillation est une notion valable en rgime tabli Rgime transitoire |Zactif|

t
Il est conseill de choisir actif de manire obtenir:

actif 1.2 donc 1 0.8

111

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation Condition doscillation stable bg b1 i() -Ractif R1

( X 1 + X actif )

>0
Lieu dimpdance lorsque la pulsation croit

Xactif

X1

1 Z1

actif Zactif

112

III. Les oscillateurs micro-ondes: les principes, condition doscillation

Comment raliser un diple rsistance ngative ?

Il faut dstabiliser un composant actif (transistor par exemple)

Utilisation de contre raction ngative A partir du schma quivalent de base dun FET calculer limpdance dentre de ce montage
FET FET1

C C1 C=Cs

R R1 R=RL Ohm

113

III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples

114

III. Les oscillateurs micro-ondes: quelques exemples

115