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FUNCIONAMIENTO DEL ORDENADOR

Placa base (mother board), donde aparecen los pasos que sigue la inicializacin del ordenador para su puesta en funcionamiento a partir del momento que oprimimos el botn de encendido. Cuando encendemos el ordenador, la corriente elctrica (1) llega al transformador de fuerza o potencia (2). A travs del conector (3) el transformador distribuye las diferentes tensiones o voltajes de trabajo a la placa base, incluyendo el microprocesador o CPU (4). Inmediatamente que el microprocesador recibe corriente, enva una orden al chip de la memoria ROM del BIOS (5) (Basic Input/Output System Sistema bsico de entrada/salida), donde se encuentran grabadas las rutinas del POST ( Power-On Self-Test Autocomprobacin diagnstica de encendido) o programa de arranque. Si no existiera el BIOS conteniendo ese conjunto de instrucciones grabadas en su memoria, el sistema informtico del ordenador no podra cargar en la memoria RAM la parte de los ficheros del Sistema Operativo que se requieren para iniciar el arranque y permitir que se puedan utilizar el resto de los programas instalados. Una vez que el BIOS recibe la orden del microprocesador, el POST comienza a ejecutar una secuencia de pruebas diagnsticas para comprobar s la tarjeta de vdeo (6), la memoria RAM (7), las unidades de discos [disquetera si la tiene, disco duro (8), reproductor y/o grabador de CD o DVD], el teclado, el ratn y otros dispositivos de hardware conectados al ordenador, se encuentran en condiciones de funcionar correctamente. Cuando el BIOS no puede detectar un determinado dispositivo instalado o detecta fallos en alguno de ellos, se oirn una serie sonidos en forma de beeps o pitidos y aparecern en la pantalla del monitor mensajes de error, indicando que hay problemas. En caso que el BIOS no detecte nada anormal durante la revisin, se dirigir al boot sector (sector de arranque del disco duro) para proseguir con el arranque del ordenador. Durante el chequeo previo, el BIOS va mostrando en la pantalla del monitor diferentes informaciones con textos en letras blancas y fondo negro. A partir del momento que comienza el chequeo de la memoria RAM, un contador numrico muestra la cantidad de bytes que va comprobando y, si no hay ningn fallo, la cifra que aparece al final de la operacin coincidir con la cantidad total de megabytes instalada y disponible en memoria RAM que tiene el ordenador para ser utilizada. Durante el resto del proceso de revisin, el POST muestra tambin en el monitor un listado con la relacin de los dispositivos de almacenamiento masivo de datos que tiene el ordenador instalados y que han sido comprobados como, por ejemplo, el disco o discos duros y el lector/grabador de CD o DVD si lo hubiera. Cualquier error que encuentre el BIOS durante el proceso de chequeo se clasifica como no grave o como grave. Si el error no es grave el BIOS slo muestra algn mensaje de texto o sonidos de beep sin que el proceso de arranque y carga del Sistema Operativo se vea afectado. Pero si el error fuera grave, el proceso se detiene y el ordenador se quedar bloqueado o colgado. En ese caso lo ms probable es que exista algn dispositivo de hardware que no funcione bien, por lo que ser necesario revisarlo, repararlo o sustituirlo. Cuando aparecieron los primeros ordenadores personales no existan todava los discos duros, por lo que tanto el sistema operativo como los programas de usuarios haba que cargarlos en la memoria RAM a partir de un disquete que se colocaba en la disquetera. Cuando surgi el disco duro y no existan todava los CDs, los programas se continuaron introduciendo en el ordenador a travs de la disquetera para grabarlos de forma permanente en el disco duro, para lo que era necesario utilizar, en la mayora de los casos, ms de un disquete para instalar un solo programa completo. Por ese motivo, hasta la aparicin de los lectores de CDs, el programa POST de la BIOS continuaba dirigindose primero a buscar el sistema operativo en la disquetera y si como no lo encontraba all, pasaba entonces a buscarlo en el disco duro. Si por olvido al apagar esos antiguos ordenadores se nos haba quedado por olvido algn disquete de datos introducido en la disquetera, al encender de nuevo el equipo el proceso de inicializacin se detena a los pocos segundos, porque el BIOS al leer el contenido de ese disquete encontraba otro tipo de datos y no el sistema operativo. Cuando eso ocurra solamente haba que extraer el disquete de la disquetera y oprimir cualquier tecla en el teclado. De inmediato el BIOS continuaba la bsqueda, dirigindose al disco duro, lugar donde se encontraba y encontramos grabado todava el sistema operativo, incluso en los ordenadores ms actuales.

TRANSISTOR

Dispositivo compuesto de un material semiconductor que amplifica una seal o abre o cierra un circuito. Inventado en 1947 en Bell Labs, los transistores se han vuelto el principal componente de todos los circuitos digitales, incluidas las computadoras. En la actualidad los microprocesadores contienen millones de transistores microscpicos. Previo a la invencin de los transistores, los circuitos digitales estaban compuestos de tubos vacos, lo cual tena muchas desventajas. Eran ms grandes, requeran ms memoria y energa, generaban ms calor y eran ms propensos a fallas. Los transistores cumplen las fuciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador.

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EEUU en diciembre de 1947 por John Bardeen, Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley (recibieron el Premio Nobel de Fsica en 1956). El transistor bipolar est constituido por un sustrato (usualmente silicio) y tres partes dopadas artificialmente que forman dos uniones bipolares, el emisor que emite portadores, el colector que los recibe o recolecta y la tercera, que est intercalada entre las dos primeras, modula el paso de dichos portadores (base). A diferencia de las vlvulas, el transistor es un dispositivo controlado por corriente y del que se obtiene corriente amplificada. En el diseo de circuitos a los transistores se les considera un elemento activo, a diferencia de los resistores, capacitores e inductores que son elementos pasivos. Su funcionamiento slo puede explicarse mediante mecnica cuntica. TERMINALES El emisor ha de ser una regin muy dopada (de ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente. La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinacin en la misma, y prcticamente toda la corriente que proviene de emisor pase a colector, como veremos ms adelante. Adems, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposicin se tratase. El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver con la recombinacin de los portadores que provienen del emisor. En posteriores apartados se tratar el tema.

Unin N-P Se denomina unin P-N a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Silicio "extrnseco" tipo "P" Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyndole algunos de los tomos de un semiconductor intrnseco por tomos con menos electrones de valencia que el semiconductor anfitrin, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como impurezas aceptoras. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los "huecos". Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.

Silicio "extrnseco" tipo "N" Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como impurezas donantes ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender cmo se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que "dar", son llamados tomos donantes. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

La RAM es el rea de memoria principal disponible para satisfacer las necesidades de programacin del usuario, es all donde se guardan los datos y los programas a ejecutarse en un momento determinado. Esta memoria es voltil, significa que su contenido se pierde al apagarse el computador. Generalmente el tamao de memoria de los computadores est determinado por la cantidad de memoria RAM que posea. SDR SDRAM Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium II y en los Pentium III , as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron. Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR) son memorias sncronas dinmicas. Los tipos disponibles son:   PC100: SDR SDRAM, funciona a un mx de 100 MHz. PC133: SDR SDRAM, funciona a un mx de 133 MHz.

DDR SDRAM Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulosDIMM de 184 contactos en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son:    PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 133 MHz. PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 166 MHz. PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 200 MHz.

DDR2 SDRAM

Las memorias DDR 2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos. Los tipos disponibles son:      PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533 MHz. PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 667 MHz. PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz. PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066 MHz. PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz

DDR3 SDRAM Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminucin del gasto global de consumo. Los mdulos DIMM DDR 3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la muesca. Los tipos disponibles son:    PC3-8600 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066 MHz. PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333 MHz. PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz

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