Familias lgicas: Orden de aparicin de las familias lgicas:

Las primeras puertas lgicas integradas eran mera copia directa de las puertas "o-negada" (Nor) con componentes discretos, mediante la conexin en paralelo de varios transistores bipolares NPN en emisor comn; tales puertas dieron lugar a la primera familia lgica: RTL (lgica de transistores y resistencias).

Pronto se mejoraron las caractersticas de estas puertas integradas, en cuanto a velocidad y a consumo, combinando una puerta "y" de diodos con un transistor inversor en emisor comn; as se configur la puerta "y-negada" (Nand) base de la familia DTL (lgica de transistores y diodos) que fue la primera que lleg a alcanzar una difusin apreciable.

A partir de este esquema (puerta "y" + inversor), aprovechando en mayor profundidad las posibilidades que ofrece la integracin sobre un substrato nico, se plante una segunda mejora en velocidad y en consumo, aadiendo una etapa de salida amplificadora de intensidad

(dos transistores en push-pull) y substituyendo los diodos por un transistor multi emisor.

La etapa de salida de dos transistores NPN (totem pole: palo de ttem) aumenta la intensidad suministrable y disminuye la resistencia de salida; el transistor multi emisor mejora considerablemente la conmutacin de la puerta (en una primera aproximacin, su comportamiento puede ser analizado en trminos de diodos:

La clave del funcionamiento de la puerta TTL es el sentido en que circula la intensidad que la base del transistor multi emisor recibe desde la resistencia de 4K: - si dicha corriente va hacia fuera, es decir, si alguna de las entradas est conectada a 0, el transistor T se encontrar en corte y el transistor T1, en colector comn, transmite un 1 a la salida; - cuando todas las entradas se encuentran a 1 dicha intensidad circula hacia dentro, hacia la base del transistor T, que se satura y lleva tambin a saturacin al transistor T2, que pone la salida a 0. [Un 0 en una entrada supone una intensidad hacia fuera, de forma que una entrada TTL al aire equivale a un 1, salvo efectos de ruido.] La puertas TTL se alimentan a 5 V; su tensin de conmutacin se sita en el entorno de 1,2 V, de manera que un 0 en la entrada ha de ser menor de 1 V (ViLmx = 1 V) y, en cambio, una tensin superior a 1,5 V es entendida como un 1 (ViHmn = 1,5 V); la tensin de salida para el 0 es 0 V, pero la correspondiente al 1 es de solamente 4 V. Los

tiempos de propagacin de la serie TTL estndar son del orden de 10 ns. y el consumo promedio es de unos 2 mA (10 mW). La familia TTL proporcion la base del gran desarrollo que tuvieron los sistemas digitales durante la dcada de los 70; su amplia difusin y utilizacin favoreci la aparicin de diversas series derivadas de la mejora de caractersticas concretas, una de las cuales, la serie LS ha sustituido por completo a la serie estndar inicial y es la que se ha seguido utilizando a lo largo de la dcada de los 80. La serie 74LS (low power Schottky) mejora en gran medida a la serie estndar en cuanto a consumo (0,4 mA), manteniendo la velocidad de trabajo envalores anlogos e incluso, algo superiores. La disminucin del consumo se deriva del empleo de resistencias de mayor valor, lo cual acarrea un aumento de las constantes de tiempo asociadas; este efecto queda compensado por la inclusin de un diodo Schottky entre base y colector de los transistores que impide su saturacin (desva la corriente de base hacia el colector antes de entrar en una saturacin profunda) y, con ello, aumenta su velocidad de conmutacin.

Posteriores series avanzadas con el mismo esquema circuital han aprovechado la reduccin de dimensiones de los transistores y la correspondiente disminucin de sus capacidades parsitas para conseguir tiempos de propagacin inferiores: la serie 74ALS (advanced LS) presenta tiempos por debajo de 4 ns, mientras que las series 74F (fast-TTL) y 74AS (advanced Schottky) ofrecen tiempos de propagacin del orden de 2,5 ns y 1,5 ns, respectivamente, a costa de un mayor consumo (por utilizar resistencias de menor valor).

Esta lnea de evolucin de las puertas con transistores bipolares constituye la edad antigua de los circuitos integrados digitales; actualmente, apenas se utilizan las familias bipolares, salvo en determinadas aplicaciones especficas, en particular, para sistemas de muy alta velocidad. La serie 74LS sigue siendo til para recambio y mantenimiento de los numerosos sistemas digitales que han sido construidos con ella (o con la serie estndar 74), la serie 74ALS se emplea en circuitos interbs (aplicacin que consideraremos un poco ms adelante) y la serie 74F resulta adecuada para diseos de muy alta velocidad de trabajo (frecuencias superiores a los 100 MHz). Desarrollo de las tecnologas MOS: familia CMOS La integracin de transistores MOS present inicialmente grandes dificultades, derivadas de ser un efecto superficial que es afectado por cualquier impureza o dislocacin en la superficie del cristal de silicio; fue preciso desarrollar tcnicas de muy alta limpieza ambiental que no estuvieron disponibles hasta mediados de los aos 70. Sin embargo, una vez que se dispuso de tales tcnicas, las extraordinarias ventajas de los transistores MOS (referidas a autoaislamiento, auto alineamiento, tamao y consumo) determinaron un rpido desarrollo y difusin de los circuitos integrados digitales MOS. En una primera fase result ms sencillo integrar transistores MOS de canal P, pero pronto fueron desplazados por los transistores NMOS cuyavelocidad de conmutacin es apreciablemente mayor (debido a la mayor movilidad de los electrones respecto de los huecos). La utilizacin de transistores MOS como resistencias de polarizacin permite configurar puertas lgicas utilizando nicamente transistores y reduce considerablemente el rea de integracin, al prescindir de resistencias integradas de valores relativamente altos. De esta forma, las puertas MOS suponen un nuevo avance cualitativo en la miniaturizacin de la electrnica digital, reduccin que afecta no solamente al tamao y a la densidad de integracin, sino tambin, y en forma an ms significativa, al consumo. La figura siguiente muestra la evolucin de las puertas NMOS en relacin con el transistor que acta como resistencia de polarizacin:

En los tres inversores de la figura el transistor superior se encuentra siempre en conduccin y equivale a una resistencia de polarizacin. Para que dicho transistor superior conduzca se requiere una tensin entre puerta y fuente igual o superior a su tensin umbral: por ello, inicialmente (primer inversor) fueron necesarias dos tensiones de alimentacin (V' > VCC + VTO); luego (segundo inversor) se utiliz una sola tensin de alimentacin pero la tensin de salida para el 1 quedaba reducida a VCC - VTO. Actualmente las tecnologas NMOS emplean como polarizacin un transistor MOS de empobrecimiento, en cuyo proceso de integracin se crea un canal mediante implantacin inica, de forma que conduce incluso en ausencia de tensin entre puerta y fuente; su tensin umbral es negativa VTO < 0, de modo que para cortar la conduccin se requiere una tensin de puerta an ms negativa que destruya el canal. El anlisis circuital de los tres inversores es anlogo: - para Vi < VTO el transistor inferior se encuentra en corte y el superior comunica a la salida la tensin VCC: Vo = VCC = 1 (si bien en el segundo caso se produce un desplazamiento de dicha tensin: Vo = VCC - VTO ); - para Vi >> VTO el transistor inferior conduce, pero tambin lo hace el transistor superior: es preciso establecer una relacin geomtrica entre ambos para que el transistor inferior presente una resistencia mucho menor que el superior y la tensin de salida sea muy pequea: Vo << 1 V (con lo cual Vo 0).

Habida cuenta de que la intensidad que conduce un transistor MOS es directamente proporcional a su anchura W e inversamente proporcional a su longitud L, para asegurar que, cuando conducen ambos transistores, el inferior presente una resistencia mucho menor que la del transistor superior se requiere que: [W/L]inferior >> [W/L]superior. Esta desigualdad expresa una relacin entre las geometras de los dos transistores que ha de mantenerse en el diseo y posterior integracin de este tipo de puertas NMOS. La tecnologa NMOS actual utiliza puertas

formadas por un plano de transistores activos NMOS y un transistor MOS de empobrecimiento como resistencia de polarizacin; aprovecha plenamente la tensin de alimentacin, pues VoH = VCC y VoL 0 V, y su consumo es muy reducido, ya que Ri ~ y la resistencia del transistor de polarizacin se hace adecuadamente alta. Esta tecnologa resulta muy apropiada para la integracin de muy alta densidad (VLSI) y sigue utilizndose en grandes bloques digitales (microprocesadores, memorias, etc.) y en los circuitos integrados programables de tipo matricial (PROM, PAL, PLA, PLS). Ahora bien, la utilizacin conjunta de transistores de canal N y de canal P (NMOS y PMOS) permite que el consumo esttico de las puertas sea nulo; ello dio lugar a la lgica CMOS (lgica con transistores MOS complementarios). La primera serie CMOS adopt el indicativo 40 y presentaba fuertes limitaciones en cuanto a velocidad e inmunidad frente al ruido. Esta serie admite un amplio intervalo de tensiones, desde 3 a 18 voltios, y rizados del 10 % (debido a su reducido consumo), lo cual elimina la necesidad de un buen filtrado y estabilidad en la fuente de alimentacin; su velocidad depende fuertemente de la tensin de alimentacin, con tiempos de propagacin de 200 ns para VCC = 3 V que pasan a ser de 100 ns para VCC = 5 V y se reducen a 20 ns cuando VCC = 15 V. La gran difusin que haba tenido la familia TTL, con anterioridad a la disponibilidad de integrados CMOS, haba habituado a quienes trabajaban en el mbito de la electrnica digital a la utilizacin de los circuitos integrados de dicha familia y a conocer los nmeros y los terminales de tales circuitos; por ello, atendiendo a la demanda de los usuarios, se desarroll la serie 74C, compatible en cuanto a funciones y terminales de los circuitos integrados del mismo nmero con la familia TTL (por ello adopta el mismo indicativo numrico 74). Las caractersticas de la primera serie 74C son algo mejores que las de la serie inicial 40; pero, muy pronto, el desarrollo continuado de las tecnologas de integracin MOS hizo posible la utilizacin de transistores de dimensiones cada vez ms pequeas y, consiguientemente, ms rpidos. La serie 74HC de alta velocidad ofrece la misma velocidad de trabajo que la serie LS-TTL (tiempos de propagacin inferiores a 10 ns) y anloga inmunidad frente al ruido, con un consumo esttico nulo; por ello, ha desplazado por completo a la familia TTL y es actualmente la ms utilizada.

Para facilitar la utilizacin conjunta de circuitos integrados TTL y CMOS se introdujo la serie 74HCT, compatible con los niveles de tensin y de intensidad de la familia TTL, que permite la conexin directa entre ambas familias. Recientemente, se ha presentado una serie avanzada 74AHC, con tiempos de propagacin inferiores a 5 ns y una significativa reduccin del ruido que las puertas producen en su conmutacin. Existe tambin una serie de alta velocidad 74AC, con tiempos de propagacin del orden de 3 ns, pero conproblemas de ruido en la conmutacin debido a la gran verticalidad de sus flancos.

Lgica interbs Una aplicacin particular de los circuitos digitales que requiere prestaciones especficas se refiere a aquellos circuitos que han de situarse en medio de un bus (adaptadores de bus, controladores o decodificadores, etc.); tales circuitos, a los que nos referiremos con el calificativo de interbs, precisan de tiempos de propagacin muy bajos para no retrasar las seales que circulan por el bus y de altas intensidades de salida, ya que el bus que transmiten suele ir conectado a un amplio nmero de circuitos. La serie 74ALS, adems de sus reducidos tiempos de propagacin, inferiores a 4 ns, permite intensidades de salida de 24 mA para el 1 y 32 mA para el0, resultando adecuada para su utilizacin interbs.Por otra parte, el proceso de desarrollo de las tecnologas MOS ha proseguido a travs de la integracin conjunta de transistores MOS y transistores bipolares NPN, mediante una ampliacin directa del proceso de integracin CMOS. Esta nueva tecnologa, mezcla de bipolar y CMOS, recibe el nombre de BiCMOS y resulta muy apropiada para los circuitos interbs y para la integracin de circuitos mixtos, con parte analgica y parte digital. Una puerta (o un bloque integrado) CMOS necesita que los transistores que proporcionan la salida sean de gran anchura para que la intensidad suministrable sea del orden de 10 mA. La tecnologa BiCMOS aade a las puertas CMOS una etapa de salida totem pole de transistores bipolares, anloga a la que llevan las puertas TTL, la cual permite altas intensidades de salida y evita el fuerte efecto capacitivo de los transistores MOS de gran anchura.

La tecnologa BiCMOS ha evolucionado a travs de diversas series, de las cuales se ha consolidado y se utiliza actualmente la serie avanzada 74ABT(advanced BiCMOS technology), que permite intensidades de salida de 32 mA para el 1 y 64 mA para el 0 y cuyos tiempos de propagacin son menores de 3 ns. Adems, la tecnologa BiCMOS presenta consumo esttico tambin nulo para su salida en alta impedancia, siendo as que en tecnologa TTL dicho consumo es an ms elevado que para salida booleana 0/1. Lgica de baja tensin En la ltima dcada ha adquirido una gran importancia el desarrollo de circuitos de muy bajo consumo, en particular para sistemas porttiles, aplicaciones mdicas, sistemas de alimentacin ininterrumpida o por energa solar,... y, en general, para reducir la fuente de alimentacin y el consumo energtico que requieren los sistemas digitales amplios. Ciertamente el consumo CMOS esttico es nulo pero no as el dinmico, el cual es apreciable en el caso de altas frecuencias. Ahora bien, el consumo dinmico depende cuadrticamente de la tensin de alimentacin (VCC)2 y, por ello, una disminucin de la misma tiene una incidencia muy favorable sobre el consumo global de los circuitos CMOS: la reduccin de la tensin tpica de 5 V a otra de 3 V se traduce en una disminucin del consumo a la tercera parte (ahorro del 65 %). Se han desarrollado series de bajo voltaje cuya tensin nominal es de 3,3 V que admiten tambin tensiones de alimentacin inferiores, abarcando el intervalo que va desde 1,2 hasta 3,6 V; este intervalo cubre adecuadamente desde las pequeas bateras de nquelcadmio 1,2 V hasta las pilas de litio de alta capacidad 3 V, pasando por las diminutas pilas de mercurio 1,3 V y las habituales pilas alcalinas 1,5 V. La serie 74LV es equivalente a la 74HC para bajas tensiones de alimentacin, con anlogos tiempos de propagacin (~10 ns) cuando la tensin de alimentacin no es inferior a 3 V; sus tiempos de propagacin aumentan fuertemente al disminuir la tensin, situndose en los 50 ns para 1,2 V. Existe asimismo una serie BiCMOS de baja tensin 74LVT para trabajar en el intervalo 2,7-3,6 V con tiempos de propagacin inferiores a 4 ns. Lgica de Altas Velocidades Para la construccin de sistemas digitales que han de funcionar a muy altas velocidades (por encima de los 50 MHz) es preciso utilizar series especiales, con muy bajos tiempos de propagacin. La serie CMOS 74AC (tiempo de propagacin de 3 ns) alcanza los 80 MHz de frecuencia de reloj en los sistemas sncronos, mientras que las

series TTL74F y 74AS (2,5 y 1,5 ns, respectivamente) permiten trabajar con frecuencias de reloj de 100 y 150 MHz, respectivamente. Para velocidades aun mayores se cuenta con una familia ultrarrpida ECL (lgica de acoplo por emisor) que utiliza como etapa bsica un amplificador diferencial, aprovechando la intensidad constante que tal etapa conduce para conmutarla entre las dos ramas que configuran la etapa diferencial. La familia ECL no emplea la conmutacin en tensin entre los estados de corte y saturacin (con los retrasos inherentes a la transicin entre ambos) sino que funciona en modo de corriente, haciendo corresponder cada valor booleano con la conduccin de intensidad por una de las ramas del amplificador diferencial.

La intensidad que circula por la puerta ECL es constante y los estados booleanos vienen definidos por el paso de dicha intensidad por una u otra de las dos ramas diferenciales. Los transistores no alcanzan la situacin de saturacin, por ello su conmutacin es muy rpida; sus tiempos de propagacin, inferiores a 0,8 ns (serie 100K), permiten alcanzar 300 MHz de velocidad de reloj en los sistemas sncronos. El consumo de la familia ECL es relativamente alto, cercano a los 40 mW por puerta. En cambio, al no existir variaciones de intensidad entre ambos estados booleanos, se evita el ruido electromagntico que las conmutaciones producen sobre las lneas de alimentacin; esta anulacin del ruido auto inducido es muy importante cuando se trabaja a muy altas frecuencias y, por tanto, los intervalos de tiempo disponibles para la estabilizacin delos valores booleanos son muy pequeos. Conviene expresar aqu la siguiente aclaracin: Acostumbrados como estamos en los ltimos aos a las extraordinarias velocidades de los procesadores(que alcanzan varios GHz) debe tenerse en cuenta que se refieren al interior del circuito integrado y que la velocidad de trabajo

hacia fuera, en sus terminales, es considerablemente inferior. En el interior de un circuito integrado pueden conseguirse velocidades muy altas, debido a que los componentes y conexiones internos son diminutos y los efectos capacitivos son muy reducidos; en cambio, la velocidad de trabajo del circuito integrado en relacin con el exterior ha de referirse a capacidades del orden de 10 pF y a etapas de salida amplias, capaces de suministrar varios miliamperios.

Descripcin breve de las familias RTL, DTL, ECL: RTL

Acrnimo ingls para Resistor to Transitor Logic: "Lgica resistor a transistor". La primera familia lgica en aparecer antes de la tecnologa de integracin. La familia lgica de resistencia transistor fue la primera en hacer su aparicin en los catlogos comerciales. Al reducirse el efecto del desequilibrio de corriente se obtiene un mayor abanico de salida. Contra esta ventaja se tiene que las resistencias en serie producen el efecto adverso de disminuir la velocidad de conmutacin del circuito, debido a que la capacidad de entrada de los transistores debe cargarse y descargarse a travs de resistencias adicionales, lo cual produce un incremento en la constante de tiempo del circuito. Por lo tanto, con los circuitos RTL se debe buscar un arreglo entre el abanico de salida y la velocidad de conmutacin. Valores normales son, un abanico de salida de 4 5, con un retardo de conmutacin de 50nanosegundos. Tiene una inmunidad al ruido relativamente pobre. El margen de ruido de la tensin lgica 0 a la tensin del umbral es de unos 0.5 voltio, pero de la tensin lgica 1 a la tensin de umbral es de solamente unos 0.2 voltio.

DTL
El DTL, o Diodo Transistor Logic es un diodo que trabaja con tensiones

de Vbase = 2V y VCC = 4V. Al tener una tensin de base de 2V se necesitaba una fuente adicional y por ello aparece en 1964 la DTL modificada. Caractersticas tpicas VOH = 4.8V, VOL = 0.2V, VIH = 1.5V, VIL = 1.2V, PDPuerta = 10mW, tP = 30ns, Fan Out = 8.00, Alimentacin = 5V.

ECL
Emitter Coupled Logic (Lgica de emisores acoplados). Pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnologa bipolar; es la ms rpida disponible dentro de los circuitos de tipo MSI. SSI, SSI es acrnimo del ingls Small Scale Integration (integracin a baja escala) y hace referencia a los primeros circuitos integrados que se desarrollaron. Cumplan funciones muy bsicas, como puertas lgicas y abarcan desde unos pocos transistores hasta una centena de ellos. Los circuitos SSI fueron cruciales en los primeros proyectos aerospaciales, y viceversa, ya que los programas espaciales como Apollo o el misil Minuteman necesitaban dispositivos digitales ligeros. El primero motiv y gui el desarrollo de la tecnologa de circuitos integrados, mientras que el segundo hizo que se realizara una produccin masiva. Estos programas compraron prcticamente la totalidad de los circuitos integrados desde 1960 a 1963, y fueron los causantes de la fuerte demanda que origin un descenso de los precios en la produccin de 1000 dlares la unidad (en dlares de 1960) hasta apenas 25 dlares la unidad (en dlares de 1963). El siguiente pas en el desarrollo de los circuitos integrados, que tuvo lugar a finales de los 60, introdujo dispositivos que contenan cientos de transistores en cada chip y fue llamado MSI: Escala de Media Integracin (Medium Scale Integration). MSI, A finales de los 60 se introdujeron dispositivos que contenan

cientos de transistores cada chip, llamados MSI, Integracin a media escala (MediumScale Integration). Econmicamente eran circuitos atractivos porque mientras producirlos costaba ligeramente ms que los dispositivos SSI, permitieron fabricar sistemas electrnicos ms complejos utilizando placas impresas ms pequeas, menos trabajo al ensamblarlos (ya que contenan menos componentes) y otras ventajas.

Parmetros o caractersticas para seleccionar familias lgicas (Definir cada uno de ellos)
Caractersticas a tener en cuenta en una familia lgica
Las caractersticas funcionales de una familia que es preciso tener en cuenta para su utilizacin en el diseo, montaje y comprobacin de sistemas digitales son las siguientes: Esquema y comportamiento circuital de su puerta bsica Tensin de alimentacin Tensiones e intensidades Vo, Io, Vi, Ii, para ambos valores booleanos Velocidad de trabajo

Consumo Intervalo de temperaturas Conectividad (fan-out, fan-in y flexibilidad de entradas y salidas) Coste Otra caracterstica de particular importancia, el comportamiento frente al ruido electromagntico

Esquema y comportamiento circuital de la puerta bsica

En primer lugar, es preciso conocer el esquema del circuito que configura la puerta bsica de la familia lgica, a un nivel genrico y conceptual (que no tiene necesariamente que incluir todos los detalles), y comprender su comportamiento elctrico en los dos estados booleanos y en las transiciones entre ambos. Parte fundamental de este comportamiento es identificar con claridad la variable fsica que diferencia la situacin que corresponde al 0booleano de la que corresponde al 1; es decir, la causa fsica que determina el que la puerta lgica se encuentre en un estado booleano o en el otro. Las puertas CMOS contienen dos planos de transistores (PMOS y NMOS) y para cada vector de entrada conduce solamente uno de ellos. Cada transistor se encuentra en conduccin o en corte segn que la tensin entre puerta y fuente supere o no a la tensin umbral del transistor: los transistores NMOS conducen cuando Vi > VTO y los PMOS lo hacen cuando Vi < VCC - VTO. La combinacin dual serie-paralelo entre ambos planos determina que conduzca uno y solamente uno de ellos; el plano P transmite a la salida un 1, mientras que el plano N lleva la salida a 0. La puerta bsica TTL se encuentra conformada por tres etapas sucesivas: una puerta "y" de entrada, un inversor central y un amplificador de intensidad que configura la etapa de salida. La diferencia entre los dos estados booleanos corresponde al hecho de que la intensidad que circula por la etapa inicial (la intensidad en la resistencia de la puerta "y") sea asumida hacia afuera a travs de alguna de sus entradas (0 booleano en la misma) o circule hacia adentro saturando el transistor intermedio T (situacin que corresponde a todas las entradas a 1). Del comportamiento circuital de la puerta bsica puede deducirse una serie de consecuencias prcticas que deben tenerse en cuenta en la utilizacin de los circuitos integrados de la familia.

Tensin de alimentacin
La tensin tpica de alimentacin de los circuitos digitales es de 5 voltios. Dicha tensin es la propia de las diversas series TTL (entre 4,75

y 5,25 V) que, adems, requieren que su rizado sea muy reducido; en suma, necesitan una fuente de alimentacin bien filtrada y estabilizada. Las puertas CMOS admiten tensiones de alimentacin diversas dentro de un intervalo relativamente amplio y no requieren estabilidad ni ausencia de rizado en las mismas. La serie HC admite una alimentacin entre 2 y 6 V. Actualmente hay una fuerte tendencia a utilizar tensiones de alimentacin ms reducida para disminuir el consumo dinmico y para permitir, con ello, mayores velocidades de trabajo y mayores densidades de integracin. En tal sentido, la tensin de alimentacin de 3 V est sustituyendo paulatinamente a la habitual de 5 V; cada vez es ms frecuente que circuitos integrados complejos y de muy alta velocidad se suministren solamente para alimentacin de 3 V e incluso para tensiones inferiores (2,5 V; 1,8 V). ? Tensiones e intensidades Vo, Io, Vi, Ii, para ambos valores booleanos Interesa conocer los intervalos de tensin propios del 0 y del 1 booleano tanto en la entrada como en la salida, as como las intensidades asociadas a dichos intervalos. Los valores de las tensiones pueden expresarse en forma conjunta y directa mediante una grfica tensin de salida / tensin de entrada (funcin de transferencia Vo / Vi ), representando para cada valor de tensin de entrada entre 0 y VCC el valor de tensin que adopta la salida. Generalmente, los catlogos no incluyen estas curvas de transferencia sino que expresan tales datos en forma tabular mediante los siguientes parmetros: + Referentes a la entrada: ViLmx: tensin mxima que la entrada entiende como 0 ViHmn: tensin mnima que la entrada entiende como 1 IiL: intensidad en la entrada cuando su valor es 0 IiH: intensidad en la entrada cuando su valor es 1 + Referentes a la salida: VoL: tensin de salida para valor booleano 0 VoH: tensin de salida para valor booleano 1 Ambas tensiones de salida dependen de la intensidad que se requiere de ella, de forma que se expresan siempre para una intensidad determinada: IoL eIoH, respectivamente. Por convenio se asigna a las intensidades, tanto en las salidas como en las entradas, el signo + cuando circulan hacia dentro de la puerta lgica o circuito integrado y el signo - si lo hacen hacia fuera. Los datos citados

de tensiones e intensidades de entrada y de salida, para los valores booleanos 0 y 1, pueden expresarse agrupados segn el diagrama de la siguiente figura (se representa la salida a la izquierda y la entrada a la derecha para referirse a un nudo booleano, es decir, a la conexin de la salida de una puerta con la entrada de la siguiente, supuestas del mismo tipo):

El anterior diagrama salida/entrada expresa, en forma conjunta y resumida, toda la informacin de inters sobre las tensiones e intensidades de los dos valores booleanos: - tensin de salida correspondiente para una determinada intensidad de salida - intervalo de tensin que la entrada acepta como tal valor booleano - intensidad que requiere la entrada. En dicho diagrama queda reflejado, asimismo, el margen de tensin para cada uno de los valores booleanos: .V(0) = ViLmx - VoL y .V(1) = VoH - ViHmn y la relacin entre las intensidades de salida y de entrada Io / Ii en cada uno de ellos. El margen de tensin constituye un intervalo deseguridad, de forma que modificaciones de la tensin de entrada que se mantengan dentro del mismo no afectan a la tensin de salida, o sea, al valor booleano que proporciona la puerta. El cociente entre intensidades representa el nmero de entradas que una salida puede soportar en situacinesttica (en trminos de intensidad suministrable a las mismas).

Velocidad de Trabajo
Es obvio que la velocidad es un dato fundamental en sistemas que han de realizar miles de operaciones en tiempos mnimos; la velocidad de trabajo determina la capacidad operativa del sistema. Ms an, habida cuenta de que las operaciones digitales son en gran medida repetitivas, en muchas ocasiones resultan preferibles arquitecturas con unos pocos mdulos que realizan grandes series de operaciones sucesivas, en lugar de utilizar un mayor nmero de mdulos en paralelo. De esta forma, si la velocidad de trabajo lo permite, cabe reducir el circuito operativo al mnimo, con la consiguiente reduccin de tamao y de coste econmico.

Al llegar una seal a la entrada de una puerta lgica, la respuesta a dicha seal no aparece instantneamente en la salida, sino que existe un cierto tiempo de retardo; este tiempo es diferente segn la transicin de estado de la puerta sea de 0 a 1 o de 1 a 0: - tPLH o tP(1): tiempo de propagacin del 1, retardo de la salida respecto de la entrada cuando la salida cambia de 0 a 1; - tPHL o tP(0): tiempo de propagacin del 0, retardo de la salida respecto de la entrada cuando la salida cambia de 1 a 0. Ambos tiempos de propagacin suelen tener valores prximos entre s, lo cual permite utilizar su promedio como tiempo de propagacin genrico: tP = (tPLH + tPHL) / 2. Los tiempos de propagacin, es decir, los retrasos de la salida respecto a las variaciones de las entradas dependen de la impedancia de carga conectada sobre la salida, es decir, de la capacidad equivalente que presenta el conjunto de entradas conectadas a ella. Por ello, los tiempos de propagacin se miden en condiciones similares al funcionamiento normal de la puerta, supuesto un nmero mximo razonable de entradas conectadas a su salida; en el caso CMOS, sus entradas son de tipo capacitivo, del orden de unos pocos picofaradios, de forma que los tiempos de propagacin CMOS suelen medirse y expresarse en relacin a una carga de 50 pF. Los valores tpicos de los tiempos de propagacin se expresan para 25C, ya que tales tiempos dependen de la temperatura, aumentando con ella; esta dependencia se debe a que las resistencias de paso de los transistores MOS aumentan con la temperatura, por disminuir con ella la movilidad de sus portadores. Interesa, por ello, evitar el funcionamiento de los circuitos digitales a temperaturas altas y, si es necesario, se les dota de adecuados mecanismos de refrigeracin. Al conectar dos puertas, una a la salida de la otra, el tiempo de propagacin del conjunto es mayor que los tiempos individuales pero es inferior a la suma de ambos. Es decir, los tiempos de propagacin no son linealmente acumulativos ya que la segunda puerta inicia su conmutacin antes de que la primera complete la suya. Para facilitar la suma de tiempos en puertas sucesivas, cada tiempo de propagacin suele medirse por el retraso entre el punto medio de conmutacin (tensin Vcc/2) de la onda de entrada y el punto medio de la conmutacin de la seal de salida.

Una estimacin aproximada de la velocidad de trabajo de un circuito digital puede hacerse en la forma siguiente: - parece razonable que en una secuencia de operaciones de una puerta lgica o, lo que es lo mismo, en una secuencia de bits, el tiempo dedicado a cada uno de ellos ha de ser mayor que el tiempo de propagacin de la puerta; - si denotamos con tBIT el tiempo mnimo para la propagacin y formacin estable de un bit, ha de asegurarse que, al menos, tBIT > 2 tP para permitir que cada bit se estabilice antes de pasar al siguiente; - de manera que f < 1/2 tP es una estimacin adecuada de la velocidad de trabajo en trminos de bits por segundo. Otra medida de la velocidad de trabajo de una familia lgica la constituye la mxima frecuencia de reloj que admiten sus biestables sncronos fCK, que determina la mxima velocidad de trabajo de los sistemas secuenciales y, en particular, de los contadores y de los registros. Cada una de las semiondas del reloj corresponde a la actuacin de uno de los dos biestables bsicos que configuran un biestable sncrono (estructuramaster/slave), de forma que cada semionda debe abarcar un intervalo de, al menos, 2 tBIT; el periodo del reloj debe ser mayor que 4 tP y su frecuencia mxima ser: fCKmx ~ 1/(4 tP).

Consumo
En general, un sistema digital est constituido por un gran nmero de puertas booleanas, de forma que el consumo energtico, en trminos de intensidad o de potencia, de una puerta individual queda multiplicado por un nmero relativamente alto. Ello tiene importancia desde dos puntos de vista, consumo de energa (y consiguiente alimentacin del sistema) y disipacin de calor (y mecanismos para facilitarla): - la fuente de alimentacin (que proporciona la tensin de alimentacin VCC) ha de suministrar suficiente intensidad, de acuerdo con el consumo global del sistema digital; - la energa consumida por el sistema se disipa en el mismo en forma de calor que ha de ser desalojado para evitar un aumento excesivo de la

temperatura, lo cual requiere, en ocasiones, el correspondiente sistema de refrigeracin. Intensidad de alimentacin y disipacin de calor constituyen dos aspectos a tener en cuenta en el diseo de sistemas digitales; la complejidad, tamao y coste de la fuente de alimentacin y del mecanismo de refrigeracin dependen fuertemente del consumo, aumentando drsticamente con l. Conviene tener en cuenta que el calentamiento de un circuito digital, por efecto de la disipacin de potencia en el mismo, puede llevar a su destruccin pero, mucho antes que eso, afecta a los tiempos de propagacin de sus puertas lgicas que aumentan con la temperatura. En muchas ocasiones se precisa de un adecuado sistema de refrigeracin simplemente para asegurar la velocidad de trabajo del circuito. Por ejemplo, los procesadores Pentiumde los PCs, para alcanzar las altas velocidades de tabajo que consiguen (varios GHz), requieren un fuerte disipador con un ventilador situados directamente sobre el propio circuito integrado, En cada uno de los dos estados booleanos tendremos un consumo esttico: ICCL = intensidad consumida cuando la salida es 0 ICCH = intensidad consumida cuando la salida es 1 Los datos de consumo esttico que figuran en los catlogos vienen expresados en trminos de intensidad global consumida por el circuito integrado; es decir, en el caso de puertas lgicas el consumo no se expresa en trminos de intensidad por puerta (ya que no puede medirse el consumo individual de una de ellas), siendo necesario dividir el dato de catlogo por el nmero de puertas que configuran el integrado. El consumo esttico no incluye el debido a las transiciones entre los dos estados booleanos. Por ello, adems del consumo esttico, ha de tenerse en cuenta el consumo dinmico, es decir, el que se produce durante las transiciones. En la familia TTL prevalece el consumo esttico, siendo el dinmico despreciable respecto al esttico; en cambio, en la familia CMOS el consumo esttico es nulo mientras que el dinmico es apreciable para frecuencias por encima del MHz. El consumo dinmico depende de la frecuencia de conmutacin de las puertas booleanas: en cada transicin se gasta una cantidad determinada de energa utilizada en la carga y descarga de las capacidades presentes en el circuito (la energa que se disipa al cargar o al descargar un condensador C a una tensin V es C.V2/2). Para efectuar elclculo del consumo dinmico se utiliza la capacidad equivalente de la puerta a efectos de disipacin de potencia Cpd (power dissipation capacitance)

P = Cpd . (VCC)2 . f siendo VCC la tensin de alimentacin y f la frecuencia de conmutacin (considerada en forma de onda cuadrada: paso de 0 a 1y posterior paso de 1 a 0). Por otra parte, en la evaluacin global del consumo dinmico de un sistema digital ha de tenerse en cuenta que no todas sus puertas o biestables conmutan a la vez; aun ms, en determinados subsistemas lo hace solamente un pequeo nmero de ellas. Por ejemplo, en una memoria RAM, al leer o escribir sobre ella solamente se activa uno de los mltiples registros que la forman (obviamente, tambin conmutan el decodificador que selecciona los registros y el circuito de control de entradas/salidas).

Intervalo de temperaturas
Existe un intervalo de temperaturas para el que est garantizado el funcionamiento de los circuitos integrados digitales: el intervalo normal de funcionamiento va de -40C a 85C para CMOS y de 0C a 70C en TTL (en ambos casos con indicativo 74). Existen, adems, series denominadas militares para aplicaciones que requieren mayor rango de temperaturas, de -55C a 125C; se distinguen porque su numeracin empieza por 54 y su encapsulado es cermico. Ha de tenerse en cuenta que las caractersticas de una puerta lgica varan fuertemente con la temperatura; en general empeoran al aumentar la temperatura, lo cual se refleja en reduccin de los mrgenes de ruido y de la velocidad de trabajo. El mismo circuito desprende calor, como consecuencia de la disipacin de la energa que utiliza en su funcionamiento, y causa una elevacin de su propia temperatura que, en ocasiones, puede ser importante. Por ello, el diseo de un sistema digital ha de tener en cuenta el rango de temperaturas en el que va a trabajar y, si es preciso, debe incluir un mecanismo de refrigeracin adecuado. Otra indicacin de temperatura que proporcionan los catlogos es el rango que soportan los circuitos integrados para su almacenamiento, que suele ser de -65C a 150C.

Conectividad.
Se emplea un parmetro denominado fan-out (abanico de salida) o capacidad de carga para expresar el nmero de entradas que pueden conectarse sobre la salida de una puerta lgica. Este parmetro viene determinado por dos factores: - el cociente entre las intensidades de salida y de entrada Io/Ii para cada valor booleano, que representa el nmero mximo de entradas a las que

la salida es capaz de suministrar adecuada intensidad sin deteriorar el valor booleano que les transmite; - el cociente entre la capacidad de carga que la salida puede soportar (con referencia a unos tiempos de propagacin determinados) y la capacidad equivalente de las entradas (de las puertas a conectar) CL/Ci, ya que una capacidad de carga mayor se traducir en una disminucin de la velocidad de trabajo de la puerta (un aumento de sus tiempos de propagacin). En la familia TTL la limitacin relativa al fan-out viene dada por el cociente entre intensidades Io/Ii, pero no as en las series CMOS cuya intensidad de entrada es nula y lo que limita es la carga capacitiva que pueden soportar CL/Ci. CL no es un parmetro caracterstico del propio circuito digital, sino la capacidad de carga con la que ha sido medido el tiempo de propagacin; es decir, para asegurar dicho tiempo de propagacin es preciso que la capacidad que se conecta a la salida sea menor que CL. A efectos del fan-out o capacidad de carga de una puerta debe tenerse en cuenta que en el caso de bloques combinacionales, biestables, registros, etc.,? cada uno de los terminales de entrada se encuentra conectado a las entradas de varias puertas lgicas, de forma que su conexin sobre la salida de otra puerta o bloque supone una carga equivalente a varias entradas; es decir, cada una de las entradas de un bloque digital ha de contabilizarse en trminos de su carga equivalente o sea del nmero de entradas individuales o bsicas a las que se encuentra conectada. Asimismo se utiliza el trmino fan-in (abanico de entrada) o disponibilidad de entradas para indicar el nmero de entradas que posee una puerta lgica. La limitacin en cuanto al nmero mximo de entradas con que puede construirse una puerta depende de la estructura electrnica de la misma: en el caso CMOS el nmero de entradas no debe ser superior a 6 u 8 debido al hecho de que la conexin de mltiples transistores MOS en serie empeora en gran medida las caractersticas de velocidad e inmunidad frente al ruido de las puertas. Conviene recordar, en relacin con las entradas de los circuitos integrados MOS, que requieren una Manipulacin cuidadosa, debido a la posibilidad de perforacin de la delgadsima capa de xido que conforma la puerta de los transistores MOS; tal perforacin puede producirse por la propia carga esttica acumulada en el cuerpo de quien los maneja. En los catlogos, los fabricantes indican una serie de normas para una manipulacin que evite las cargas estticas (tanto el personal como los soportes e instrumentos deben estar adecuadamente conectados a tierra); asimismo, los circuitos integrados MOS deben conservarse en

fundas antiestticas y en ningn caso deben agarrarse por los terminales metlicos (pines) sino por la carcasa de plstico. Interesa conocer la disponibilidad de diversas opciones de entradas y de salidas: - Entradas con histresis (entradas tipo Schmitt), que presentan dos tensiones de conmutacin o comparacin Va y Vb y son tiles para evitar rebotes (y para la construccin de osciladores astables). En la familia CMOS (alimentada a 5 V) las tensiones Va y Vb de las entradas de tipo Schmitt suelen ser simtricas, 2 y 3 V aproximadamente, mientras que en la familia TTL suelen ser mas bajas, 0,8 y 1,6 V. - Salidas con posibilidad de desconexin (salidas triestado) que permiten conectar mltiples salidas en paralelo, actuando en cada momento una de ellas y mantenindose en alta impedancia las dems. - En ocasiones, conectada a 0 asegurar que en adopte valor 0 o se incluye en la salida una resistencia de valor alto V (resistencia de pulldown) o a VCC (pullup), para la inicializacin o en estado de alta impedancia la salida valor 1, respectivamente.

- Salidas de colector o drenador abierto que prescinden de los transistores superiores (los que transmiten el 1). Son puertas incompletas que requieren una resistencia de polarizacin RP conectada a la alimentacin VCC y precisamente por eso resultan tiles para efectuar acoplos con otras familias lgicas o con otros componentes electrnicos que empleen niveles de tensin diferentes y para la conexin de varias salidas (operacin "y" cableada). Existen adaptadores de este tipo (buffer) que admiten tensiones o intensidades relativamente altas (hasta 15 30 V de tensin y unos 50 mA de intensidad).

Coste
El coste es un parmetro esencial en cualquier diseo de ingeniera y suele entrar en competencia con otras especificaciones del mismo, como pueden ser la velocidad de trabajo, el conjunto de prestaciones, etc.,... En productos de consumo, de fabricacin en serie, el coste suele ser uno de los parmetros ms importantes del diseo; en cambio, en la realizacin de equipos de produccin o de prototipos o pequeas series especializadas el coste suele quedar en un segundo orden de exigencias, precedido por las prestaciones que se requieren. Comentario en relacin con la forma actual de construir los sistemas digitales Desde los aos 70 las diversas familias lgicas integradas han permitido la disponibilidad de amplios catlogos de circuitos integrados, relativos a puertas lgicas, biestables, bloques combinacionales y bloques

secuenciales. Con estos elementos constructivos (con estas piezas o ladrillos digitales) el diseo de un sistema digital consiste en la adecuada seleccin y conexin de circuitos integrados estndar; el resultado es una tarjeta formada por un conjunto de circuitos integrados sobre una placa de circuito impreso, cuyas pistas efectan las conexiones entre ellos. Los circuitos integrados estndar siguen siendo tiles para probar pequeos diseos, para simular el comportamiento de subcircuitos reducidos o, tambin, para prcticas de laboratorio en el proceso de aprendizaje (para entrar en contacto con las puertas y los bloques digitales y con las caractersticas de la tecnologa). Pero la forma de proceder basada en seleccionar y conectar circuitos integrados estndar ha pasado a la historia. Hoy da, cualquier diseo digital se construye dentro de un nico circuito integrado: - para la realizacin de prototipos o de pequeas series se dispone de circuitos integrados programables para encajar sobre ellos, por programacin, el diseo especfico que interesa (la variedad de los dispositivos programables, en cuanto a tamao y capacidad de acoger diseos complejos, es enorme); - cuando el nmero de ejemplares a utilizar es alto, es preferible fabricar el propio diseo, dando lugar a un ASIC (circuito integrado para una aplicacin especfica). Por ello, cada vez se utilizan menos los circuitos integrados estndar y, con ello, se desdibuja la idea de Familia lgica integrada; lo que importa, en cuanto al diseo y al producto final, es: - elegir un circuito integrado programable con capacidad y velocidad suficientes para nuestro diseo y conocer en profundidad las caractersticas de tal circuito integrado; - o bien, seleccionar un fabricante y, dentro de su oferta, un tipo de ASIC adecuado para nuestro diseo y conocer, igualmente, las caractersticas de tales ASICs. En todo caso, los aspectos funcionales a tener en cuenta son los descritos en este apartado y, por lo general, tanto los dispositivos programables como los ASICs pertenecen a la gran familia lgica CMOS. La tecnologa CMOS, con sus diversas variantes y continuas mejoras (en especial, en lo que se refiere a tamao de los transistores y, con ello, a la densidad de integracin y a la velocidad de trabajo) ha sido durante la ltima dcada, y lo seguir siendo en la presente y en la prxima, la ms adecuada para la integracin de circuitos digitales (incluyendo los programables). El ruido en los sistemas digitales

En el entorno fsico de los sistemas digitales se encuentran siempre presentes seales de tipo electromagntico que inciden sobre ellos, bien procedentes del medio ambiental en el que se encuentran (motores, rels, transformadores, radiofrecuencias, emisiones de los cables, perturbaciones de la red, etc.,?), bien producidas por los propios sistemas digitales (variaciones de consumo que generan parsitos sobre la alimentacin, oscilaciones propias de los circuitos, acoplo entre seales, radiacin de las pistas y cables de interconexin, etc.,?). Todas estas seales reciben el nombre de ruido y son siempre indeseables para un sistema electrnico por cuanto pueden afectar a su correcto funcionamiento; en el caso de un sistema digital pueden modificar puntualmente los valores booleanos presentes en el mismo por desplazamiento de las tensiones en los nudos del circuito. El problema del ruido electromagntico es mayor en las plantas industriales, en las que existe un gran nmero de mquinas, motores y sistemas elctricos de tipo diverso, cuyo funcionamiento genera ondas electromagnticas en una amplia gama de frecuencias que se transmiten, no solamente por el aire, sino tambin por todo tipo de cables o conductores y, en particular, a travs de la red de tensin elctrica. Asimismo, la propia red puede encontrarse distorsionada por las fuertes variaciones de consumo que suelen producirse, principalmente, por la conmutacin sobre ella de elementos de potencia. En un circuito electrnico las seales parsitas debidas al ruido se hacen presentes en trminos de tensin transmitida a travs de las interconexiones del sistema; pero, tambin, en trminos de potencia que incide como onda electromagntica desde el exterior. En general, el ruido que genera el propio sistema digital se transmite por el mismo en forma de seal de tensin, principalmente por las lneas de alimentacin (VCC y 0), y el ruido electromagntico ambiental se recibe como seal de potencia radioelctrica, captada por las diversas lneas, componentes y bucles del sistema que actan como pequeas antenas receptoras, en particular las lneas de interconexin, incluidas las de alimentacin. Mecanismos fsicos de generacin y captacin de ruido Las leyes fsicas ignoran las fronteras conceptuales que el diseador impone a su circuito y parte de la energa del mismo puede alcanzar a otros circuitos de su entorno y a otras partes del propio circuito; adems, por causa de esas mismas leyes fsicas, los componentes circuitales no se comportan de forma ideal (no se limitan a ser los elementos de circuito en los que el diseador piensa) sino que presentan multitud de efectos parsitos. Por otra parte, los circuitos electrnicos, como circuitos elctricos que son, sern afectados por los campos elctricos, magnticos y

electromagnticos que llegan a ellos, procedentes de otros equipos o fenmenos de naturaleza elctrica. Los principales mecanismos fsicos de generacin o captacin de ruido electromagntico son los siguientes: - tensiones producidas por variaciones de intensidad sobre elementos auto inductivos - actuacin de los bucles de intensidad (espiras) como receptores y como emisores - oscilaciones debidas a la presencia de autoinducciones y capacidades parsitas - acoplo capacitivo entre conductores prximos - impedancia comn en las lneas de retorno de varias seales. A continuacin, analizaremos con un poco de detalle estos fenmenos. a) Todo conductor presenta una cierta componente inductiva y responde a las variaciones de la intensidad que conduce con un transitorio de tensin: .V = L.dI/dt. De esta forma las variaciones de intensidad sobres las lneas de alimentacin producen perturbaciones que afectan a la tensin que transmiten. Lo mismo sucede con las variaciones de consumo sobre la red de tensin elctrica, que provocan perturbaciones que son propagadas a travs de la red. Tambin en las lneas de seal se produce este efecto auto inductivo, pero tiene poca importancia, debido a que, por lo general, tales lneas son muy cortas; una excepcin a tener en cuenta puede ser la lnea que transmite el reloj en los sistemas sncronos. Los picos (glitches) de tensin originados dependen de la amplitud de la variacin de intensidad y, tambin, de la velocidad de dicha variacin, de la pendiente dI/dt, de forma que .I reducidas pero muy rpidas pueden producir .V apreciables; una lnea conductora de 10 cm, cuya autoinduccin ser cercana a 0,1 H, responde a un aumento de intensidad de 10 mA en 1 ns con una variacin de tensin de 1 V. En la conmutacin de una puerta booleana se producen importantes dI/dt, debidas a la carga y descarga de sus capacidades parsitas y de las capacidades de entrada de las puertas conectadas a su salida. Asimismo, en la conmutacin suele presentarse un fuerte pico de intensidad, debido a que durante un muy pequeo intervalo de tiempo pueden conducir a la vez los dos transistores de la etapa de salida de la puerta: los dos planos P y N en el caso CMOS o los dos transistores de la

configuracintotem pole en TTL. Este pico de intensidad a travs de la malla de salida es debido a que antes de pasar a corte los transistores inferiores comienzan a conducir los superiores o viceversa; no tiene importancia respecto al consumo, ya que su duracin es mnima, pero s respecto a la generacin de ruido porque su amplitud es apreciable y su pendiente muy alta. De esta forma, la conmutacin de las puertas booleanas genera perturbaciones sobre la tensin de alimentacin que afectan al conjunto del circuito digital. Este ruido, producido sobre las lneas de alimentacin por las variaciones de intensidad en las conmutaciones de las puertas, puede reducirse en gran medida utilizando condensadores de desacoplo: pequeos condensadores de unos 10 nF conectados a los terminales de alimentacin y situados justo al lado de cada circuito integrado. La misin de los condensadores de desacoplo es filtrar las altas frecuencias, suministrando directamente las variaciones bruscas de intensidad. No deben ser condensadores electrolticos, ya que stos presentan a altas frecuencias una componente inductiva en serie no despreciable por lo que no resultan efectivos para el filtrado de variaciones muy rpidas. b) En los circuitos electrnicos una seal elctrica es transmitida de un punto a otro del circuito mediante una intensidad que, luego, requiere una lnea de retorno; es decir, toda seal elctrica, incluida la propia tensin de alimentacin, forma un bucle de intensidad (circula a travs de una espira cerrada). Todo bucle o espira es un receptor de campos magnticos y electromagnticos y la efectividad de tal recepcin es tanto mayor cuanto lo es el rea del bucle. De forma, que los cables y pistas de conduccin de un circuito actan como antenas y como espiras receptoras de interferencias: recogen el efecto de los campos magnticos y de las ondas electromagnticas que llegan hasta ellos. De ah la conveniencia de minimizar la longitud de las conexiones y el rea de los bucles: debe prestarse gran atencin al diseo del circuito impreso, tanto en la colocacin de los componentes como en las pistas de conexin. Los circuitos impresos no son un mero soporte mecnico y un simple conexionado elctrico, sino que determinan la topologa del circuito y, con ella, los acoplamientos de las perturbaciones: un buen diseo geomtrico es fundamental para prevenirlas. Pero, adems, en sentido inverso, cuando la intensidad es variable, los bucles generan campos magnticos y ondas electromagnticas, es decir, cada bucle de intensidad puede producir interferencias, que causarn perturbaciones sobre el propio circuito y sobre otros circuitos. Tambin en lo que se refiere a la emisin de interferencias interesa en

gran medida minimizar la longitud de las lneas de conexin y el rea de los bucles. c) Cables o pistas largas presentan una autoinduccin parsita apreciable que puede combinarse con las capacidades parsitas del circuito y producir oscilaciones. Normalmente, este tipo de oscilaciones se evita con condensadores de desacoplo que filtren las alimentaciones, lo ms cerca posible de las etapas funcionales. d) Dos conductores prximos (por ejemplo, dos conductores de un mismo cable plano o dos pistas que circulan paralelas por una placa) presentan un efecto capacitivo entre ellos, de forma que una variacin de tensin en uno de ellos es transmitida parcialmente como transitorio al otro conductor. sta es otra razn para reducir la longitud de las pistas o cables de conexin y procurar que no circulen paralelas entre s; cuando lo anterior no es posible (buses o cables planos) puede reducirse mucho el acoplo capacitivo intercalando una pista intermedia conectada a tensin 0 (masa). e) Toda lnea conductora presenta una impedancia (R, L) y, cuando por dicha lnea viajan dos seales, tal impedancia es compartida por ambas (impedancia comn) y las variaciones de tensin producidas por una de ellas afectan tambin a la otra. La lnea de retorno suele ser utilizada, a la vez, por varias alimentaciones y/o seales, lo cual supone la existencia de una impedancia comn, de modo que las cadas o variaciones de tensin generadas sobre dicha impedancia afectan a las diversas etapas conectadas a la lnea de retorno. Medida de la inmunidad frente al ruido Interesa conocer el margen disponible frente al ruido, es decir, el intervalo dentro del cual el ruido no produce errores sobre los valores booleanos, porque los desplazamientos de tensin que provoca quedan dentro de los intervalos asignados a tales valores. La inmunidad frente al ruido debe considerarse tanto en trminos de tensin, como en trminos de potencia y, especialmente, en estos ltimos: el ruido es una potencia parsita (energa actuante por unidad de tiempo) que perturba el sistema electrnico. El efecto de tal perturbacin depende de la resistencia sobre la que acta; sobre resistencias bajas generar dbiles desplazamientos de tensin, mientras que sobre altas impedancias dar lugar a fuertes modificaciones de tensin. Se considera el efecto del ruido sobre los nudos booleanos: los valores booleanos estn presentes en la salida de cada puerta lgica y sobre dicha salida se encuentra conectada la entrada o las entradas de las puertas siguientes. Para cada uno de los valores booleanos la diferencia

entre la tensin de salida que corresponde a dicho valor y la tensin lmite que la posterior entrada admite para ese mismo valor booleano expresa el margen de tensin, .V(0) y.V(1): . V(1) = VoH ? ViHmn .V(0) = ViLmx ? VoL. Siempre que el efecto del ruido en tensin sea inferior a dicho margen la segunda puerta lgica actuar correctamente pues el desplazamiento en tensin permanece dentro del intervalo correspondiente al valor booleano. El margen de tensin no es completamente representativo de la inmunidad frente al ruido; interesa conocer tambin el margen de potencia (es decir, en trminos de energa por unidad de tiempo): P = V2/R .P = (.V)2/R Para calcular el margen de ruido en potencia es preciso conocer la resistencia equivalente presente en el nudo booleano:

Ro En la conexin de una salida a una o varias entradas, la resistencia equivalente corresponde al paralelo de la resistencia Ro de salida de la primera puerta con las de entrada Ri de las siguientes y, en dicho paralelo, predomina la resistencia de salida Ro por ser de valor mucho menor que las de entrada (lo cual viene exigido para que exista un buen acoplo en tensin). La resistencia de salida puede medirse (o calcularse a partir de los datos de catlogo) considerando el desplazamiento en tensin que se produce en la salida cuando se fuerza un consumo de intensidad a travs de ella: Ro = |Vo - V'o| / I, siendo Vo la tensin de salida sin consumo de intensidad y V'ola tensin que corresponde a una intensidad I en la salida. Conocida la resistencia de salida de la puerta, el margen de ruido en potencia ser:

Diseo para evitar la produccin y la recepcin de ruido En el diseo de un sistema digital es importante reducir al mnimo tanto la generacin de ruido por parte del propio sistema como la incidencia del ruido electromagntico presente en su entorno.

Condensadores de desacoplo La generacin de ruido por parte de los circuitos integrados digitales puede deberse, como hemos visto, a dos factores principales: variaciones de consumo u oscilaciones. Las variaciones de consumo, particularmente en la conmutacin de las puertas, causan pequeas oscilaciones amortiguadas sobre las lneas de alimentacin (que necesariamente son largas para alcanzar a todo el circuito); conviene reducir tales oscilaciones mediante condensadores de desacoplo conectados sobre la alimentacin: un condensador de unos 10 nF (no electroltico) al lado de cada circuito integrado. El condensador de desacoplo de la alimentacin proporciona los picos de variacin rpida de intensidad que se producen en las conmutaciones, evitando que tales dI/dt acten sobre las autoinducciones parsitas de las pistas de alimentacin; adems, divide en dos partes el bucle de alimentacin, reduciendo su rea efectiva. Estos mismos condensadores sobre la alimentacin eliminan las oscilaciones de alta frecuencia que aparecen en los circuitos electrnicos por acoplo entre capacidades y autoinducciones parsitas (asimismo, conviene utilizar pistas de conexin cortas). Los condensadores de desacoplo configuran un filtro LC pasa-bajo hacia el circuito integrado que reduce las perturbaciones transmitidas a travs de las lneas de alimentacin; el filtrado se produce en ambas direcciones, tambin respecto a las perturbaciones del circuito integrado hacia las lneas de alimentacin. Conviene asimismo filtrar la alimentacin en la entrada de la misma a cada placa circuital, mediante un par de condensadores de unos 100 F y 100 nF, respectivamente (el segundo de ellos, no electroltico); este filtrado pasa-baja acta; tambin; en ambas direcciones: impide el paso de las perturbaciones que llegan por las lneas de alimentacin y evita que las producidas en la placa se transmitan al resto del sistema. Apantallamiento y separacin galvnica Las interferencias exteriores llegan a un circuito electrnico mediante ondas electromagnticas o a travs de lneas de entrada o salida; se trata de poner pantallas frente a la propagacin de tales perturbaciones. Cuando un sistema digital va a trabajar en situacin de alto ruido electromagntico ambiental (plantas industriales con mquinas y motores potentes, etc.?), es preciso apantallarlo mediante una carcasa de tipo ferro magntico que constituya una buena jaula de Faraday y aislar galvnicamente, si es posible, sus entradas y salidas, por ejemplo mediante acopladores opto electrnicos. La mejor efectividad de las carcasas se consigue mediante la utilizacin de dos materiales: el exterior conductor (cobre) que refleja los campos

electromagnticos y el interior de tipo ferro magntico que atena fuertemente las ondas que lo atraviesan. Es preciso, adems, minimizar las dimensiones lineales de las aberturas de la carcasa, asegurar la continuidad elctrica de la tapa de la misma y apantallar adecuadamente los cables de conexin que salen de la carcasa (cables coaxiales, trenzados,...). Es importante conectar la carcasa a la masa (tensin 0 V) del circuito que contiene para evitar acoplos capacitivos dobles entre conductores del circuito y la carcasa, que pueden causar peligrosas realimentaciones positivas; esta conexin debe hacerse en un solo punto, a travs de un condensador. Los acopladores opto electrnicos integrados estn constituidos por un diodo emisor de radiacin y un transistor foto detector; de esta forma separan fsicamente su entrada de su salida y transmiten el correspondiente valor booleano a travs de una radiacin ptica. Los opto acopladores permiten establecer una separacin galvnica en las entradas y salidas que conectan el circuito con el exterior; esta separacin interrumpe la continuidad elctrica y, con ella, la comunicacin de ruido a travs de ella, filtra fuertemente el ruido (ya que el escaln energtico para atravesar un opto acoplador es alto), divide los bucles en dos partes (reduciendo su rea efectiva) y rompe los posibles bucles que se forman al conectar la masa de las lneas largas de entrada o salida a tierra en sus dos extremos. Filtro de red En relacin con la conexin a la red de tensin elctrica de los circuitos alimentados desde ella, es necesario filtrar las perturbaciones de alta frecuencia que se transmiten a travs de la red y, a la vez, impedir que el circuito transmita interferencias hacia la red. Ambos propsitos se consiguen mediante un filtro de red adecuado; suelen ser filtros de tipo LC en configuracin que realizan el filtrado de las seales de alta frecuencia en ambos sentidos: un par de condensadores conectados a tierra a ambos lados de una bobina, duplicando dicho filtro para cada una de las dos lneas de entrada de la red y con ambas bobinas enrolladas sobre un toroide de ferrita de forma que los campos magnticos debidos al consumo de intensidad se compensen y no se sature la ferrita. Plano de masa Una ltima consideracin, que resulta ser de suma importancia, se refiere a disponer de una buena distribucin de la masa (nudo de tensin de referencia, 0 V); se trata de los caminos de retorno (tanto para la alimentacin como para las seales), con el objetivo de reducir en lo posible la longitud de las lneas de retorno, el rea de los bucles que conforman y la impedancia compartida que presentan.

Lo ideal, a ser posible, es configurar un plano de masa, dedicando a ella toda una capa de circuito impreso multicapa. Sobre un plano de masa los caminos de retorno de la alimentacin y de las seales se ajustan a la condicin de recorrido mnimo en el caso de seales de baja frecuencia o de rea mnima de bucle para seales de alta frecuencia; ambas situaciones son las ms favorables desde el punto de vista de captacin o generacin de ruido. Adems, este tipo de caminos reduce tambin al mnimo la impedancia comn compartida por varias seales: en el caso de bajas frecuencias prevalece el efecto resistivo de tal impedancia, mientras que para frecuencias altas importa ms el aspecto inductivo. Cuando no es posible disponer de un plano de masa, conviene distribuir dicha tensin 0V en la forma que ms se aproxime al mismo: aprovechar toda la superficie libre del circuito impreso para generar reas de masa; utilizar pistas directas, cortas y gruesas; conectar, en la medida de lo posible, las diversas pistas de masa en retcula;... Cuando coexistan en una misma placa circuital partes digitales, analgicas y/o de potencia conviene trazar por separado las lneas de masa de las mismas, de forma que los retornos de intensidad de la parte digital no se vean afectados por los analgicos o de potencia y viceversa.

Caractersticas elctricas de TTL y CMOS Voltajes de entrada y salida para nivel bajo y nivel alto
CARACTERSTICAS DE ENTRADA Las caractersticas de entrada en las familias lgicas CMOS no suelen tener importancia debido a la casi nula intensidad de entrada a nivel alto y bajo que requieren. Slo destacaremos los niveles de tensin de entrada crticos para el estado alto y bajo. En cuanto a las familias TTL, las caractersticas de entrada son importantes, ms a nivel bajo que a nivel alto. A nivel alto la intensidad

que requieren las familias TTL es casi despreciable. Por otra parte, a nivel bajo, se ve la diferencia entre la intensidad que puede dar, por ejemplo, la familia TTL-S para una I de 0 V y la que ofrece la familia TTLALS para esa misma tensin de entrada. La intensidad de entrada de la familia lgica TTL-ALS es tan reducida debido a la incorporacin en la entrada de la puerta de un transistor pnp, el cual limita la intensidad de entrada a nivel bajo a la corriente de base de dicho transistor. Esto es un factor positivo a tener en cuenta a la hora de conectar cargas TTL-ALS a la salida de otra puerta cualquiera. CARACTERSTICAS DE SALIDA Las caractersticas de salida tienen una gran importancia al efectuar un diseo digital. En las familias lgicas CMOS, existe una pronunciada diferencia entre unas y otras respecto a las caractersticas de salida. Podemos ver que la corriente de salida a nivel alto y bajo de la familia 74ACT para una determinada tensin de salida (VOH 0 VOL) es muy superior a la de la familia 4000B. Esta mayor corriente de salida permite a la puerta 74ACT tener una mayor capacidad para gobernar puertas u otro tipo de cargas. Por lo que concierne a las familias TTL, para una tensin de salida a nivel alto de 3.5 V, podemos ver que la familia TTL-AS es la que ms corriente de salida a nivel alto suministra; o en otras palabras, para que su tensin de salida VOH descienda a 3.5 V, es necesaria una mayor corriente de salida (mayor nmero de cargas conectadas). Por otro lado, la familia TTL que menos corriente de salida a nivel alto suministra es la TTL-Estndar; o dicho de otra forma, es la que con ms facilidad desciende su mayor nivel alto de salida a 3.5 V. A nivel bajo, la familia TTL que ms corriente de salida necesita para elevar su plo, a 0.5 V es la TTL-AS, mientras que por el contrario, la que menos corriente de salida necesita para conseguir ese nivel es la TTL-LS, o lo que es lo mismo, la familia TTL-LS es, la que con menos carga conectada a su salida, aumenta ms fcilmente su tensin VOL, en este caso a 0.5 V. De entrada pueden producir diferentes voltajes de salida. Las caractersticas de transferencia entrada-salida completa pueden describirse con la grafica.

El voltaje de entrada vara de 0 a 5v como se observa. Se puede definir un nivel de entrada Bajo de CMOS como cualquier voltaje inferior a 2.4v y un nivel de entrada Alto como cualquier voltaje superior a 2.6v. Solamente cuando la entrada se encuentra entre 2.4 y 2.6v el inversor produce un voltaje de salida no lgico, bajo esta definicin. Por desgracia, la caracterstica tpica de transferencia que se indica es solo eso tpica, no se puede garantizar. Esta vara grandemente bajo diferentes condiciones de voltaje de alimentacin, temperatura y carga de salida. Las caractersticas de transferencia pueden inclusive variar dependiendo de la fecha de fabricacin del dispositivo.

VOHmin.- El mnimo voltaje de salida en el estado Alto VIHmin.- El mnimo de voltaje de entrada que se garantiza ser reconocido como Alto VILmax.- El mximo voltaje de entrada que se garantiza ser reconocido como Bajo VOLmax.- El mximo voltaje de salida en el estado Bajo

Todos los parmetros anteriores son garantizados por el fabricante. Cuando las salidas del dispositivo se conectan a otras entradas CMOS, la corriente de salida es baja, de modo que hay muy poca cada de voltaje a travs de los transistores de salida. El voltaje de alimentacin VDD y el voltaje de tierra se denominan lneas de alimentacin. Normalmente los niveles de CMOS son una funcin de las lneas de alimentacin. VOHmin---99% de VDD VIHmin----70%de VDD VILmax----30%de VDD VOLmax---1% de VDD

Margen de ruido
Se denomina ruido a "cualquier perturbacin involuntaria que puede originar un cambio no deseado en la salida del circuito." El ruido puede generarse externamente por la presencia de escobillas en motores o interruptores, por acoplo por conexiones o lneas de tensin cercanas o por picos de la corriente de alimentacin. Los circuitos lgicos deben tener cierta inmunidad al ruido la cual es definida como "la capacidad para tolerar fluctuaciones en la tensin no deseadas en sus entradas sin que cambie el estado de salida". Los fabricantes establecen un margen de seguridad para no sobrepasar los valores crticos de tensin conocido como MARGEN DE RUIDO. Margen de ruido en alto. Es el valor en tensin de ruido que podra sumarse a la seal que entra a la compuerta en estudio, sin que esta deje de interpretar dicho nivel total como un 1 lgico. Margen de ruido en bajo. Es el valor en tensin de ruido que podra sumarse a la seal que entra a la compuerta en estudio, sin que sta deje de interpretar este nivel total como un 0 lgico.

Cmos: Normalmente, los mrgenes de ruido N-MOS estn alrededor de 1.5V cuando operan desde VDD = 5 V, y sern proporcionalmente mayores para valores ms grandes de VDD. El margen de ruido ser: Nivel alto 4.9V-3.5V=1.4V Nivel bajo 1.5V-0.1V=1.4 Comnmente los mrgenes de ruido del N-MOS estn alrededor de 1.5v cuando operan desde Vdd=5v y sern proporcionalmente mayores para valores ms grandes de Vdd. Los mrgenes de ruido para cada serie tambin se enumeran en la siguiente tabla.

Vnh= Voh(min)-Vih(mn) Vnl= Vil(mx)-Vol(mx)

Se debe tener en cuenta que, en general, los dispositivos CMOS tienen mrgenes de ruido ms grandes que TTL. La diferencia sera aun mayor si se hicieran funcionar los dispositivos CMOS con un voltaje de suministro mayor de 5V. Los mrgenes de ruido se definen para cada uno de los niveles lgicos son margen de ruido en alto y margen de ruido en bajo TTl: Mrgenes de ruido: medida de la inmunidad al ruido de un circuito VNH= VOH(min) - VIH(min) VNL= VIL(max) - VOL(max)

Vil mac. El voltaje de entrada mximo garantizado para ser reconocido como un nivel BAJO 0.8v, para la mayora de las familias TTL Volmax. El voltaje de salida mximo en el estado BAJO y es de 0.5v para la mayora de las familias. En el estado ALTO, la especificacin Vohmin de la mayora de las familias TTL excede a Vlhmin por 0.7V, de modo que TTL tiene un margen de ruido Cd de 0.7v en el estado ALTO. Es decir, le toma por lo menos 0.7v de ruido corromper una salida ALTO en el peor de los casos en un voltaje que no est garantizado que sea reconocible como una entrada ALTO. Sin embargo, en el estado BAJO, Vilmax excede Volmax por solamente 0.3v. en general los circuitos TTL y compatibles con TTL tienen la tendencia a ser ms sensibles al ruido en el estado BAJO que en el estado ALTO.

Corrientes mximas de entrada y salida en nivel bajo y nivel alto

Todo dispositivo que se conecte a la salida de otro inyecta o extrae corriente al primero; entonces se dice que el primero se carga, o que el

segundo es la carga del primero. Los siguientes parmetros nos dicen cuanta carga (medida de corinte) puede manejar una puerta lgica. Una salida TTL acta como una carga de corriente en el estado BAJO, debido a que recibe corriente de la entrada de la compuerta que maneja. La figura muestra una salida TTL conectada a la entrada de otra compuerta (la carga) para las dos condiciones posibles del voltaje de salida. En el estado BAJO de la salida, representada en la figura (a), el transistor de Q4 de la compuerta de manejo est encendido, lo que pone el punto X en cortocircuito con tierra. El voltaje del estado BAJO en el punto X polariza en directo a la unin base-emisor de Q4 se comporta como disipador de corriente, la que obtiene de la corriente de entrada (Iil) de la compuerta de carga.

CMOS:

Capacidad de carga (fan-out)

En electrnica digital , el fan-out de una puerta lgica de salida es el nmero de entradas de la puerta a la que est conectado. DC fan-out Una puerta lgica perfecta habra infinita impedancia de entrada y cero impedancia de salida , lo que permite una salida de la puerta para manejar cualquier nmero de entradas de la puerta. Sin embargo, desde el mundo real las tecnologas de fabricacin presentan menos de caractersticas perfectas, un lmite ser alcanzado en una salida de la puerta no puede conducir ms corriente en las entradas de la puerta posterior - Si lo intenta, hace que la tensin caiga por debajo del nivel definido por el nivel de la lgica en que el cable y provocar errores. El abanico de salida es simplemente el nmero de entradas que se pueden conectar a una salida antes de que la corriente requerida por las entradas supera la corriente que puede ser entregado por la produccin, manteniendo los niveles correctos de la lgica. Las cifras actuales pueden ser diferentes para el cero lgico y la lgica y un estados y en ese caso hay que tener la pareja que le dan la menor fan-out. Esto se puede expresar matemticamente como

es la funcin del piso ).

Va en estas cifras por s solas TTL puertas lgicas se limitan a tal vez 2 a 10, dependiendo del tipo de la puerta, mientrasCMOS puertas han DC fan-outs que son generalmente mucho ms alta que es probable que ocurra en los circuitos de prcticas (por ejemplo, con NXP Semiconductor especificaciones para sus chips CMOS HEF4000 serie a 25 C y 15 V ofrece un abanico de salida de 34 mil). Ac-Fan-out Sin embargo, las entradas de las puertas reales tienen capacidad, as como la resistencia a los rales de suministro de energa . Esta capacidad se reducir la transicin de salida de la puerta anterior y por lo tanto, aumentar su tiempo de propagacin . Como resultado, en lugar de una fija fan-out el diseador se enfrenta a un trade off entre el abanico de salida y retardo de propagacin (que afecta a la velocidad mxima del sistema en general). Este efecto es menos marcada para los sistemas TTL, que es una de las razones por las que mantiene una ventaja de velocidad en CMOS por muchos aos. Dinmico o de CA fan-out no, DC fan-out, por lo tanto, es el principal factor limitante en muchos casos prcticos, debido a la limitacin de velocidad. Por ejemplo, supongamos que un microcontrolador cuenta con 3 dispositivos en su direccin y las lneas de datos, y el microcontrolador se puede a 35 pF de capacitancia de autobuses en su mxima velocidad de reloj. Si cada dispositivo tiene 8 pF de capacitancia de entrada, slo 11 pF de capacidad de seguimiento es permisible. (Restos de enrutamiento en circuitos impresos por lo general tienen 2.1 pF por pulgada por lo que la traza puede ser de 5,5 centmetros de longitud como mximo). Si esta condicin largo de rastro no se puede cumplir, entonces el microcontrolador debe funcionar a una velocidad de bus ms lento para confiable operacin, o un chip de buffer con mayor unidad actual debe ser aadido. Impulsar una mayor corriente aumenta la velocidad ya que I = C * dV / dt, ms simplemente, la corriente es la tasa de flujo de carga, por lo que aument los cargos actuales de la capacidad ms rpido, y la tensin en un condensador es igual a la carga de veces la capacidad. As, con ms actual, los cambios de voltaje ms rpido, lo que permite ms rpido de sealizacin a travs del bus. Desafortunadamente, debido a las altas velocidades de los dispositivos modernos, IBIS simulacin puede ser necesaria para la determinacin exacta de la dinmica del abanico de salida desde dinmico fan-out no est claramente definido en la mayora de las hojas de datos. (Vea el enlace externo para ms informacin.)

Manejo de entradas no usadas

Entradas TTL no utilizadas. Una entrada desconectada TTL acta como un nivel lgico alto, ya que la unin emisorbase en el transistor de entrada est polarizada en inversa. No obstante es mejor no dejar desconectadas las entradas no utilizadas, ya que son muy sensibles al ruido. Para ello existen varias alternativas. Entradas CMOS no utilizadas. Las entradas CMOS nunca deben dejarse desconectadas, ya que son muy sensibles a la electricidad esttica y al ruido, los cuales pueden fcilmente activar los canales MOSFET P y N en el estado conductor, produciendo una mayor disipacin de potencia y posible sobrecalentamiento. Tienen que estar conectadas a un nivel fijo de voltaje alto o bajo (0 V o VDD) o bien a otra entrada. Esta regla se aplica an a las entradas de otras compuertas lgicas que no se utilizan en el mismo encapsulado.

Compuertas en colector abierto o drenador abierto

Circuitos en colector abierto. Un circuito TTL en totem-pole tiene limitada la cantidad de corriente que puede absorber en el estado bajo (IOLmax) a 16 mA para la serie estndar y a 20 para la serie AS. En muchas aplicaciones es necesario excitar dispositivos como rels, lmparas, LEDs, etc., que necesitan de un consumo mayor. Para estos dispositivos se utilizan salidas en colector abierto, debido a su mayor capacidad de manejo de corriente y tensin. Una puerta buffer en colector abierto tpica puede absorber hasta 40 mA.

CMOS Recordemos los dispositivos TTL de colector abierto. La etapa de salida consiste en un transistor sumidero con un colector flotante. Existen dispositivos analgicos en la familia de CMOS. Estos dispositivos, conocidos como de drenador abierto tiene una etapa de salida que consiste solo en un MOSFET sumidero. Ejemplo es el 74C906, que es un buffer sxtuplo de drenador abierto.

Recordemos los dispositivos TTL de colector abierto. La etapa de salida consiste en un transistor sumidero con un colector flotante. Existen dispositivos analgicos en la familia de CMOS. Estos dispositivos, conocidos como de drenador abierto tiene una etapa de salida que consiste solo en un MOSFET sumidero. Ejemplo es el 74C906, que es un buffer sxtuplo de drenador abierto. En la figura se muestra como al igual que los de la familia TTL salidas de colector es abierto tambin se les aplica la resistencia pull-up.

Compuertas manejadoras (drivers)

Las compueras tipo driver o buffer - driver difieren de las compuertas ordinarias en su mayor capacidad de absorber corriente y por lo tanto, poseen un mayor fan-out. Estas compuertas son usadas para manejar muchas cargas o cargas que requieren corrientes altas, (otras familias lgicas o lmparas relevadoras, etc). Los drivers mas populares son el 7406 y hasta 40miliAmpers en bajo y tienen la ventaja

adicional de que Voh puede ser hasta 30 v, por lo tanto pueden usarse tambin como cambiadores de voltaje de nivel alto. En la siguiente figura se muestra el 7406 manejando una carga de 30 volts y 40 miliAmpers.

La caracterstica driver no es exclusiva de las compuertas con salida de colector abierto, ya que tambin tres compuertas driver con salida en ttem-pole, por ejemplo: 7428 NOR driver de 2 entradas 7437 NAND driver de 2 entradas 7440 NAND driver de 4 entradas Tienen una Ioumax de 40mA

Compuertas con salidas en tercer estado

Compuerta de Tres Estados TTL Las compuertas de tres estados por su construccin se clasifican en TTL y CMOS. La compuerta de tres estados se presenta en las compuertas de tipo totmico que permiten la conexin alambrada de las salidas para formar un buscomn. Las compuertas de tres estados tienen los siguientes estados de salida:
1. Un estado de bajo nivel (0). 2. Un estado de alto nivel (1). 3. un estado de alta impedancia o estado flotante (Z).

En la figura se muestran los smbolos de las compuertas.

Compuerta de Tres Estados CMOS En el circuito CMOS de la figura (f), el estado de la salida es igual a la entrada slo si la entrada B1 est en nivel alto (1). Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (0), la salida se encuentra en nivel de impedancia alta (Z) y es independiente del nivel de entrada A1. En el funcionamiento del circuito interno de la figura (f), en el estado de entrada B1=0 conduce el transistor QP1 (canal P) y la activacin de este elemento hace conducir a QN3 (canal N); por lo tanto el drenador QN3 queda a un potencial de 0 V y esto sita al transistor QN5 en estado de corte. El potencial de 0 V en la puerta del transistor QP3 hace conducir a ste, colocando al transistor QP5 en estado de corte. En este estado de la entrada decontrol, los transistores de salida QP5 y QN5 estn en corte y el terminal de salida queda en estado de alta impedancia o tercer estado. Cuando la entrada B1 est en nivel bajo (1), el estado de salida es igual de la entrada, tal como se deduce del funcionamiento del circuito. Si la compuerta tiene estado de entrada A1=1, conduce el transistor QP5 y QN5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 1. Cuando A1=0, conduce el transistorQN5 y QP5 entra en corte, lo cual hace la salida C1 igual a 0.

Figura (f) Circuito de tres estados CMOS

Compuertas con disparador Schmitt (Schmitt Trigger)

En electrnica un schmitt trigger o disparador de Schmitt es un tipo especial de circuitocomparador. Fue inventado por el estadounidense Otto Herbert Schmitt. El schmitt trigger usa la histresis para prevenir el ruido que podra tapar a la seal original y que causara falsos cambios de estado si los niveles de referencia y entrada son parecidos. Para su implementacin se suele utilizar un amplificador operacional realimentado positivamente. Los niveles de referencia pueden ser controlados ajustando las resistencias R1 y R2:

Por ejemplo, si el trigger inicialmente est activado, la salida estar en estado alto a una tensin Vout = +Vs, y las dos resistencias formarn un divisor de tensin entre la salida y la entrada. La tensin entre las dos resistencias (entrada +) ser V+, que es comparada con la tensin en la entrada , que supondremos 0V (en este caso, al no haber realimentacin negativa en el operacional, la tensin entre las dos entradas no tiene porque ser igual). Para producir una transicin a la salida, V+ debe descender y llegar, al menos, a 0V. En este caso la

tensin de entrada es . Llegado este punto la tensin a la salida cambia a Vout=Vs. Por un razonamiento equivalente podemos

llegar a la condicin para pasar de Vs a +Vs:

Con esto se hace que el circuito cree una banda centrada en cero, con niveles de disparo (R1/R2)VS. La seal de entrada debe salir de esa banda para conseguir cambiar la tensin de salida. Si R1 es cero o R2 es infinito (un circuito abierto), la banda tendr una anchura de cero y el circuito funcionar como un comparador normal. Para indicar que una puerta lgica es del tipo schmitt trigger se pone en el interior de la misma el smbolo de la histresis:

Un disparador Schmitt es un circuito especial que utiliza retroalimentacin interna para desplazar el umbral de conmutacin dependiendo de si la entrada est cambiando de BAJO a ALTO o de ALTO a BAJO. Por ejemplo, se supone una entrada de un inversor con disparador Schmitt, se encuentra inicialmente en 0 V, si el voltaje de entrada se incrementa, la salida no ira a BAJO hasta que el voltaje de entrada alcance aproximadamente 2.9 V. sin embargo una vez la salida cambia BAJO, no ira a ALTO hasta que la entrada disminuya en aproximadamente 2.1 V. De este modo, el umbral de conmutacin para cambios de entrada que tienen excursin positiva, indicado como VT+, es aproximadamente 2.9 V. Para cambios de entrada que tienen excursin negativa, indicado como VT-, es aproximadamente 2.1 V. La diferencia de ambos umbrales se denomina Histresis. El inversor con disparador Schmitt proporciona casi 0.8 V de Histresis. En la siguiente figura se puede observar el anterior ejemplo de forma grafica.

Para demostrar la utilidad de la histresis, la siguiente figura (a) muestra una seal de entrada con tiempos de ascenso y cada largos y aproximadamente 0.5 V de ruido. Entonces en la figura (b) se puede ver un inversor sencillo que responde al ruido que tiene la seal, en cambio en la figura (c) un inversor con disparador Schmitt no responde al ruido, porque su histresis es mayor que la amplitud del ruido.

Familia TTL con sus subfamilias

Descripcin de las caractersticas de las familias lgicas TTL y CMOS. TTL La serie 74 estndar de TTL ha evolucionado hacia otras series, todas ofrecen una amplia variedad de compuertas y flip-flops en la integracin en pequea escala (SSI) y contadores, registros, multiplexores, decodificadores-codificadores y otras funciones lgicas en su lnea de integracin a media escala (MSI). Las siguientes series TTL con frecuencia llamadas subfamilias, proporcionan un intervalo de capacidades de velocidad y potencia. TTL estndar, serie 74. La serie 74 estndar original de lgica TLL se describi en la seccin 8-2 estos dispositivos aun se encuentran fcilmente, pero en la mayora de los casos ya no representan una eleccin razonable para nuevos diseos, puesto que actualmente se dispone de otros dispositivos que se desempean mucho mejor y a un costo menor.

TTL Schottky, serie 74. La serie 7400 opera empleando computacin saturada en la cual muchos de los transistores, cuando operan como conductores, estarn en la condicin saturada. Esta operacin causa un retardo en el tiempo de almacenamiento, cuando los transistores conmutan de encendido a apagado, y limita la velocidad de conmutacin de circuito. TTL Schottky de baja potencia, serie 74LS (LS-TTL) La serie 74 LS es la versin de menor potencia y velocidad de la serie 74S. En esta se emplea el transistor fijador de nivel de Schottky, pero con valores mayores de las resistencias que en la serie 74S. Los valores mayores de las resistencias reducen el requisito de potencia del circuito pero acosta de los tiempos de conmutacin. Una compuerta NAND en la serie 75LS por lo comn tendr un retardo de propagacin promedio de 9.5NS y una disipacin de potencia promedio de 2mW. TTL Schottky avanzada, serie 74AS (AS-TTL) Las innovaciones en el diseo de CI condujeron al desarrollo de dos series TTLs mejoradas: Schottky avanzada (74AS) y Schottky avanzada de baja potencia (74ALS). La serie 74AS proporciona una mejora considerable en velocidad sobre la serie 74S con un requisito de potencia mucho menor. TTL Schottky avanzada de baja potencia, serie 74ALS Esta serie ofrece mejoras con respecto a la serie 74LS tanto en velocidad con disipacin de potencia. La serie 74ALS tiene el menor producto velocidad-potencia y la menor disipacin de potencia por compuerta de todas las series TTL. TTL 74F rpida. En esta serie se emplea una nueva tcnica de fabricacin de CI para reducir las capacitancias entre dispositivos y lograr reducir los retardos de propagacin. Una compuerta NAND tpica tiene un retardo de propagacin promedio de 3NS y un consumo de potencia de 6mW. Los CIs de esta serie se designan ante la letra F en su nmero de parte.wf

Caractersticas de la serie CMOS

La familia CMOS de CIs compite directamente con la TTL. En las reas de integracin de pequeas y mediana escala (SI, MSI). Como la tecnologa CMOS ha producido cada vez mejores caractersticas de desempeo, gradualmente han tomado el campo que dominaron los TTLs durante mucho tiempo. Los dispositivos TTLs estar en el mercado durante mucho tiempo, pero en equipos nuevos se usan cada ve ms los

circuitos lgicos CMOS. Los CIs CMOS no solo proporcionan las mismas funciones lgicas disponibles en los TTLs, si no que tambin ofrecen funciones de propsito especial que no poseen los TTLs Series 4000/14000 La serie CMOS con ms antigedad es la 4000, que introdujo por primera vez la compaa RCA, y su serie 14000 funcionalmente equivalente de Motorola. Los dispositivos en las series 4000/14000 tienen una disipacin de potencia muy baja y pueden operar sobre un amplio rango de voltajes de la fuente de alimentacin (de 3 a 15 V). Serie 74C Esta serie CMOS tiene compatibilidad de pines que es funcionalmente equivalente a dispositivos TTL, con el mismo nmero. Pero no todas las funciones de la serie TTL estn disponibles en esta serie CMOS equivalente. Las caractersticas de desempeo de la serie 74C son aproximadamente las mismas que en la serie 4000. 74HC/HCT (CMOS de alta velocidad) Esta es una versin mejorada de la serie 74C, cuya velocidad de conmutacin incrementa diez veces, en comparacin con la de los dispositivos 74LS, y tiene una capacidad de corriente de salida mucho mayor que la de la serie 74C. Los CIs 74HC/HCT de pines que es funcionalmente equivalente a dispositivos TTL, tambin son elctricamente compatibles. 74AC/ACT (CMOS avanzado) A esta serie se le menciona como el acrnimo ACI. Por la lgica CMOS avanzada. La serie es funcionalmente equivalente a las diversas TTL, pero no tiene compatibilidad de pines con TTL, ni son elctricamente compatibles. 74AHC/AHCT (CMOS avanzado de alta velocidad) Esta serie de dispositivos CMOS ofrece un camino de migracin natural de la serie HC para aplicaciones mas rpidas, menor potencia y consumo de potencia bajo. Los dispositivos en esta serie son tres veces ms rpidos y se pueden usar como reemplazos directos de los dispositivos de la serie HC. Lgica BICMOS de 5 volts. Varios fabricantes de CI han desarrollado series lgicas que combinan las mejores caractersticas de lgica bipolar y CMOS, llamada lgica BICMOS. Las caractersticas de baja potencia de CMOS y las

caractersticas de alta velocidad de los circuitos bipolares estn integradas para producir una familia lgica de potencia extremadamente baja y alta velocidad.

Bibliografas Pginas web.

http://www.uv.es/~marinjl/electro/digital2.html www.uv.es/~marinjl/electro/digital2.html usuarios.lycos.es/tervenet/ TUTORIALES/Electronica_digital.htm www.virtual.unal.edu.co/cursos/ ingenieria/2000477/lecciones/090101.htm

http://www.ti.com http://www.mot.com/SPS/General/chips.html http://www.wikipedia.org http://www.rincondelvago.com http://www.taringa.net

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Textos.

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