Eletrnica orgnica:

contexto e proposta
de ao para o Brasil
Organizao Social supervisionada pelo Ministrio da Cincia, Tecnologia e Inovao - MCTI
Centro de Gesto e Estudos Estratgicos (CGEE)
O Centro de Gesto e Estudos Estratgicos (CGEE) uma associao civil sem fins lucrativos e de interesse pblico, qualificada como
Organizao Social pelo executivo brasileiro, sob a superviso do Ministrio da Cincia, Tecnologia e Inovao. Constitui-se em instituio
de referncia para o suporte contnuo de processos de tomada de deciso sobre polticas e programas de cincia, tecnologia e inovao
(CT&I). A atuao do Centro est concentrada nas reas de prospeco, avaliao estratgica, informao e difuso do conhecimento.
PRESIDENTE
Mariano Francisco Laplane
DIRETOR EXECUTIVO
Marcio de Miranda Santos
DIRETORES
Antonio Carlos Filgueira Galvo
Fernando Cosme Rizzo Assuno
Gerson Gomes
EDIO E REVISO | Tatiana de Carvalho Pires
DESIGN GRFICO | Eduardo Oliveira
GRFICOS E DIAGRAMAO | Mariana Brito
APOIO TCNICO AO PROJETO | Rafael Amaral Shayani
Catalogao na Fonte
C389e
Eletrnica Orgnica: contexto e proposta de ao para o Brasil -
Braslia, DF: Centro de Gesto e Estudos Estratgicos, 2011
60 p.; il, 24 cm

1. Semicondutores orgnicos. 2. Incentivos. 3. Cincia, Tecnologia
e Inovao. 3. Brasil. I. CGEE. II. Ttulo
CDU 621.382 (81)
Centro de Gesto e Estudos Estratgicos
SCN Qd 2, Bl. A, Ed. Corporate Financial Center sala 1102
70712-900, Braslia, DF
Telefone: (61) 3424.9600
http://www.cgee.org.br
Esta publicao parte integrante das atividades desenvolvidas no mbito do 2 Contrato de Gesto CGEE 1 Termo Aditivo/Ao:
Avaliao de Programas em CT&I /Subao: Semicondutores Orgnicos na Indstria da Informao e Comunicao 51.31.10 /MCTI/2010.
Todos os direitos reservados pelo Centro de Gesto e Estudos Estratgicos (CGEE). As informaes contidas neste documento de trabalho
no podero ser reproduzidas, armazenadas ou transmitidas sem prvio consentimento do CGEE.
Tiragem impressa: 500 unidades. Impresso em 2011. Grfica Qualidade
SUPERVISO
Fernando Cosme Rizzo Assuno
CONSULTOR
Luis Marcelo Coelho Acosta
Demtrio Antnio da Silva Filho
REVISOR TCNICO
Marco Cremona
EQUIPE TCNICA CGEE
Elyas Ferreira de Medeiros
Eletrnica orgnica:
contexto e proposta
de ao para o Brasil
COLABORADORES
O texto deste documento foi construdo a partir de contribuies diretas dos colaboradores
aqui citado, aos quais o CGEE agradece e cumprimenta cordialmente:
Adelaide Maria de Souza Antunes | INPI
Adriano Reinaldo Vioto Benvenho | UFABC
Alexandre Marletta | UFU
Ana Maria Rocco | UFRJ
Andressa Gusmo | UFRJ
Carlos Venicius Frees | ABDI
Celio Costa Vaz | Orbital Engenharia
Daniel Bicalho Hoee
Danielle Moraes | CSEM Brasil
Demtrio A. da Silva Filho | UnB
Eduardo Grizendi | INATEL
Emy Niyama | NODDtech
Fernando Ely | CTI
Fernando Josepetti Fonseca | USP
Henrique De Oliveira Miguel | MCT
Jos Geraldo de Melo Furtado | CEPEL
Jos Gil Oliveira | USP
Jos Mauro Fernandes Braga | UFF
Isac Roizenblatt | Consultor
Ivo Alexandre Hmmelgen | UFPR
Jeferson Borghetti Soares
Josealdo Tonholo | UFAL
Leni Akcelrud | UFPR
Lilian Ribeiro Mendes | BNDES
Lucimara Stolz Roman | UFPR
Luis Marcelo Coelho Acosta | Rio Grande Ltda.
Luiz Otavio Siqueira Cesar | CSEM Brasil
Manuel Steidle | Fundao CERTI
Marco Antonio Galdino | CEPEL
Marco Cremona | INMETRO
Nair Stem | USP
Neyde Murakami Iha | USP
Nelson Veissid | INPE
Patrcia Boson
Paulo Roberto Krahe | Finep
Rafael Amaral Shayani | UnB
Reinaldo Lopes Ferreira | Elo Design
Roberto Mendona Faria | INEO
Rosana C. Di Giorgio | CNPEM
Victor Pellegrini Mammana | CTI
Vladimir Kudrjawzew | ECO2Corp

SUMRIO
CAPTULO 1
RESUMO EXECUTIVO 7
CAPTULO 2
APRESENTAO 9
CAPTULO 3
PRECEDENTES 11
CAPTULO 4
ELETRNICA ORGNICA 13
CAPTULO 5
PESQUISA CIENTFICA E TECNOLGICA 25
CAPTULO 6
PROPOSTA DE AO 31
ANEXO 1 49
ANEXO 2 55

7
CAPTULO 1
RESUMO EXECUTIVO
A indstria eletrnica um dos principais pilares da moderna economia industrial em diversos
pases, sendo responsvel por grande fatia do comrcio internacional. A base da indstria eletr-
nica so os dispositivos semicondutores confeccionados com materiais inorgnicos, sendo o
Silcio o mais comum deles.
Contudo, uma nova classe de materiais semicondutores, agora base de Carbono, tem despon-
tado com grandes perspectivas no cenrio tecnolgico: so os semicondutores orgnicos. Deles
deriva uma nova forma de eletrnica: a eletrnica orgnica. Dispositivos semicondutores org-
nicos combinam, em um nico elemento, a caracterstica semicondutora e a flexibilidade dos
plsticos, o que abre portas a inmeras inovaes de produto e processos de fabricao.
A atividade tecnolgica, da qual um dos principais indicadores a quantidade de registros de
patentes, tem buscado novas rotas de pesquisa. O objetivo proporcionar, aos equipamentos
base de eletrnica orgnica, um desempenho tcnico que lhes permita competir com a j estabe-
lecida indstria baseada em eletrnica de semicondutores inorgnicos.
Paralelamente, e no menos importante, est o desafio de migrar a pesquisa cientfica e tecnolgica
para um ambiente empresarial a fim de que se favorea o surgimento e o crescimento de novas
empresas e novos negcios cuja base tecnolgica seja a eletrnica orgnica.
Nesse cenrio se enquadram os resultados deste estudo, o qual prope a integrao de instru-
mentos de fomento e apoio j existentes em dois programas de ao: um de incentivo ao
desenvolvimento tecnolgico; outro, de apoio ao nascimento de empresas e de negcios (em
novas empresas ou em empresas j estabelecidas).
O primeiro programa de ao chama-se Empreendedorismo em Eletrnica Orgnica com
Planos de Negcios. O nome aqui exposto apenas visa expressar o conceito e o propsito, e no
pretende ser definitivo. Sua caracterstica principal promover a interao entre a comunidade
acadmica e empresarial a fim de que novos negcios e empresas possam surgir e se desenvolver.
8
O evento motivador para a formao de parcerias uma premiao (por meio de subveno
econmica para o desenvolvimento do produto) ao melhor plano de negcios que objetive comer-
cializar uma tecnologia desenvolvida em laboratrio nacional (estatal ou privado).
A forma que se pretende fomentar essa interao a partir do encadeamento de instrumentos
de fomento, ao e apoio j existentes da Finep e do Sebrae, por exemplo. A experincia conso-
lidada da Finep na construo de editais e de aproximao de empresas inovadoras junto s
fontes de capital, alm da prpria subveno econmica, aliada experincia do Sebrae na orien-
tao quanto confeco de planos de negcios assegura robustez metodolgica iniciativa.
Os instrumentos disponveis no so novos, porm inovadora a forma de organiz-los para
proporcionar que ideias migrem dos laboratrios aos produtos, e depois s prateleiras.
O segundo programa de ao nomeado Demonstradores de tecnologia. Sua finalidade
incentivar que os grupos de pesquisa venam desafios tcnicos que atualmente retardam a
adoo da tecnologia orgnica.
Neste caso, o evento motivador o desafio de melhorar algum parmetro de desempenho
tcnico dos dispositivos base de eletrnica orgnica. A premiao (em forma de bolsas e outros
incentivos de apoio pesquisa) se d ao grupo de pesquisa que apresentar a melhor soluo.
Intensa mobilizao de especialistas e larga produo bibliogrfica precederam as concluses
a que se acaba de chegar. Este estudo, e suas recomendaes, so proposio de aes que
devero contribuir para o efetivo desenvolvimento da tecnologia e de negcios de eletrnica
orgnica no Brasil.
9
CAPTULO 2
APRESENTAO
A presente publicao fruto de um esforo coordenado, multi-institucional, promovido pelo
CGEE e que faz parte de sua misso de subsidiar processos de tomada de deciso em temas rela-
cionados cincia, tecnologia e inovao, por meio de estudos prospectivos baseados em ampla
articulao de pessoas e instituies, com viso de longo prazo.
Nesta publicao, os resultados consolidados dos estudos e propostas do CGEE para o tema
eletrnica orgnica so apresentados sociedade em geral e, em particular, aos formuladores
de polticas pblicas, executivos empresariais e empreendedores, e comunidade acadmica.
O presente volume contm a sntese de uma srie de estudos conduzidos pelo CGEE, cuja
abrangncia percorre desde os detalhes tcnicos dos dispositivos baseados nessa tecnologia at
recomendaes para o desenvolvimento de estratgias e polticas para o setor.
Organlzao do documento
O Capltulo , introduz o contexto que precede a confeco deste documento. Apresenta uma
listagem das principais obras (algumas publicadas, outras no) que marcaram a investigao do
CGEE neste campo to recente da pesquisa tecnolgica.
O Capltulo dedicado tecnologia propriamente dita. Inicia-se com conceitos bsicos, os
quais no so desenvolvidos, pois pertencem a uma extensa literatura tcnica produzida pelo
CGEE. Os conceitos bsicos, nesta posio, cumprem a funo de favorecer a leitura e entendi-
mento do potencial de aplicaes e desafios que as tecnologias baseadas em semicondutores
orgnicos apresentam. Para tanto, esto dispostas sequencialmente as Sees . Aplicaes e
. Tecnologia. Esta ltima aborda, de forma simplificada, os temas cadeia de valor, processos de
fabricao e tecnologias concorrentes, no intuito de proporcionar ao leitor um cenrio de enten-
dimento que lhe favorea a compreenso das aes propostas.
!0
Com a mesma inteno disposto o Capltulo ,, que ilustra a dinmica da pesquisa cientfica e
tecnolgica no Brasil e no exterior.
Percorrida a contextualizao, necessria em um tema complexo e multifacetado, abordamos a
estratgia (aes propostas) no Capltulo o.
Este tem incio com a apresentao do mais recente diagnstico (Seo .) realizado pelo
CGEE, o qual subsidia a estrutura da estratgia (Seo .) com diversas informaes. Final-
mente, a estratgia detalhada em propostas que podem ser apreciadas, submetidas
discusso e implantadas.
!!
CAPTULO 3
PRECEDENTES
A sistematizao das informaes e conhecimento com vistas ao traado de polticas pblicas
teve incio em com uma srie de notas tcnicas temticas. Estas, e as que se seguiram, abor-
daram aspectos variados com o objetivo de construir diagnsticos e recomendaes.
Cronologicamente, a produo do CGEE no tema teve o seguinte desenvolvimento:
:ooo, outubro. Aplicaes comerciais existentes utilizando semicondutores orgnicos.
:ooo, novembro. Lderes mundiais em eletrnica orgnica.
2006, novembro. Avaliao do potencial de aplicaes possveis dos semicondutores
orgnicos.
:ooo, dezembro. Grupos de pesquisa brasileiros diretamente relacionados a semicondutores
orgnicos, e as atividades de pesquisa correlatas.
:oo), reverelro. Prospeco tecnolgica e de competncia de P&D para aplicaes em semi-
condutores orgnicos.
:oo), malo. Semicondutores orgnicos, tecnologia do futuro.
:oo), julbo. Estudo sobre aplicaes tecnolgicas de semicondutores orgnicos.
:oo), dezembro. Semicondutores orgnicos, Proposta para Uma Estratgia Brasileira.
:oos, dezembro. Semicondutores orgnicos, Um Enfoque na Cadeia de Valor.
:oo,, reverelro. Semicondutores orgnicos para iluminao.
:oo,, junbo. Expanded report: Organic electronics, A Brazilian Perspective to Value Chain.
:oo,, julbo. Cadeia de valor de semicondutores orgnicos, relatrio consolidado.
:o++, junbo. Indstria da eletrnica orgnica no Brasil - Resultado da avaliao das estra-
tgias propostas em e roadmap para o estabelecimento da indstria da eletrnica
orgnica no Brasil.
!!
CAPTULO 4
ELETRNICA ORGNICA
Conceltos
Semicondutores constituem uma classe de materiais que possuem um valor de condutividade
intermedirio, entre os materiais isolantes (borracha, por exemplo) e os condutores (metais, por
exemplo). Essa caracterstica d margem a que tratamentos qumicos lhe sejam feitos com o
objetivo de controlar, por exemplo, a direo de passagem da corrente eltrica. Nesse caso, por
meio da adio de outros elementos qumicos, permite-se a passagem da corrente eltrica em
apenas uma direo, bloqueando a passagem na direo contrria.
A partir desses materiais so construdos diversos dispositivos semicondutores (diodos e tran-
sistores, por exemplo), que formam a base da moderna eletrnica e tambm da indstria
contempornea.
Semicondutores tpicos so o Silcio, o Germnio o GaAs entre outros. Todos eles so denomi-
nados de semicondutores intrnsecos (porque a caracterstica de semicondutor prpria do
material) e inorgnicos.
Os semicondutores orgnicos tipicamente so compostos orgnicos, ou seja, base de carbono,
que apresentam caractersticas prprias dos semicondutores.
Estudos pioneiros nos quais se observa a propriedade de semi-condutividade em materiais org-
nicos foram relatados no comeo do Sc. (BERNANOSE, DESTRIAU, KASHA). No entanto, a
partir do final dos anos (TANG, CGEE , p.) que a eletrnica orgnica passou a receber
significativa ateno tanto por parte da comunidade cientfica quanto por parte das empresas,
interessadas nas amplas possibilidades de novos produtos que poderiam ser desenvolvidos com
base na nova tecnologia.
!4
Baixa condutividade
eltrica
baixa condutividade eltrica
paramagnetismo mais
dependente da temperatura
Alta condutividade eltrica
Paramagnetismo de Pauli
Alta reectividade
Isolantes
Condutividade e Estrutura de Bandas
Semicondutores Metais
BC
E
0
E
0
BV
10
-20
10
-18
10
-16
10
-16
10
-14
10
-12
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
1 10
2
10
4
10
6
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Fonte: Cremona, 2006, p.8
|ssc |ntc|cssc c mot|v+oo c|+ oss|b|||o+oc oc comb|n+| cm um un|co m+tc||+| +s c+|+ctc||s-
t|c+s c|ct||c+s oos scm|conouto|cs com +s |o||co+ocs oos |+st|cos comuns t+|s como + b+|x+
ocns|o+oc + |occss+b|||o+oc c + ||cx|b|||o+oc oc s|ntcsc (|^ ||V^ ||||O .oos ,)
c|+s (o|s|+ys) const|u|o+s + +|t|| oc m+tc||+|s o|gn|cos oocm sc| ||cx|vc|s um+ c+|+ctc||st|c+
uc +s tc|+s b+sc+o+s nos scm|conouto|cs t|+o|c|on+|s c nos c||st+|s ||u|oos nio ossucm ^|cm
o|sso +s tc|+s o|gn|c+s oocm sc| bcm m+|s oc|g+o+s c sio c++zcs oc |o|nccc| co|cs c|c|+s
c b||||+ntcs com tcmo oc |csost+ +g|| c +m|o c+mo oc v|su+||z+io +b||noo |ntc|css+ntcs
c|scct|v+s +|+ + conccio oc novos |ooutos (|O|^| .ooe |)
^ ||cx|b|||o+oc |oo|c|on+o+ c|+ tccno|og|+ oc scm|conouto|cs o|gn|cos t+mbcm mot|v+
+||c+ocs |nov+oo|+s +|+ o|sos|t|vos uc convc|tcm + cnc|g|+ so|+| cm cnc|g|+ c|ct||c+ (cc|u|+s
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|ou+s |ccobc|t+s com scnso|cs |otovo|t+|cos gu+|o+-so|s uc |o|ncccm cnc|g|+ c|ct||c+ c uc
oocm sc| oob|+oos como os gu+|o+-so|s comuns ocnt|c out|+s +||c+ocs (|^ ||V^ ||||O
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+mbcm no c+mo oo |occsso |oout|vo os m+tc||+|s o|gn|cos +|cscnt+m +t|+cntcs nov|-
o+ocs o|s c|m|tcm (+|+ +|gum+s +||c+ocs) + ut|||z+io oc tccn|c+s |oout|v+s oc b+|xo
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|um|nnc|+ (C|||O|^ .ooe +,.+) |c u+|uc| |o|m+ g|+nocs cm|cs+s como + |||||s
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b+sc+oos cm O|||s
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|o|m+m +|tc oo ccn+||o oc u+|uc| tccno|og|+ cm cst+g|o oc ocscnvo|v|mcnto cscc|+|-
mcntc no c+so o+s tccno|og|+s oc |utu|+ (|||C|||^| ct +|.oo|cm +|t|cu|+| +s e-; como
|csumo c gu|+ +|+ + com|ccnsio oc concc|tos c +||c+ocs oc cst|+tcg|+ tccno|og|c+)
|o| cssc mot|vo o cst+bc|cc|mcnto oc um cns+mcnto cst|+tcg|co (uc c const|tu|oo oc +ocs)
com too+s +s |m||c+ocs uc o mcsmo t|+ouz ||oc|+n+ com|omct|mcnto |oncst|o+oc
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|+ |ox|m+ scio cstio ||st+o+s +|gum+s o+s m+|s +t|+cntcs +||c+ocs occo||cntcs oo uso o+
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Apllcaes
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s |||| (+t|vos c scm|-+t|vos)
, |og|c+s mcmo||+s c c|ct|on|c+ cm gc|+|
+o |+tc||+s
Fonte: (CREMONA, 2006)
^|gum+s ocst+s +||c+ocs ,+ ossucm |ooutos comc|c|+|s (o|s|+ys ||um|n+io c||cu|+s
+nt|-cst+t|c+s |||| +ss|vos) ^s out|+s +|no+ cstio cm |+sc oc csu|s+ |+bo|+to||+|
^ ||gu|+ . ||ust|+ oc |o|m+ g|+||c+ +s +||c+ocs otcnc|+|s +|+ css+ tccno|og|+
Aplicaes
Blindagem para
interferncia
eletromagntica
Revestimento
antiestticos
(Semi) condutores
orgnicos
OLEDs, OLETs,
memrias,
sensores, diodos
Metalizao
Revestimentos
protetores
anticorroso para
metais
Tecnologias de
interconexo
Dissipadores de
carga, resistores
|lgura 2 - |oss|b|||o+ocs oc +,||c+cs o+ tccno|og|+ oc scm|conouto:cs o:gn|cos (|ontc C:cmon+. .00)
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no munoo O mc|c+oo g|ob+| o+ ||um|n+io c|ct||c+ cst+ |o,c cm to|no oc u, ;, b|||ocs c os
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mc|c+oo cst+ cont|o+ t+mbcm + |+t|+ |c|+c|on+o+ com + tccno|og|+ oos O|||s
rlnclpals usos para a apllcao de llumlnao utlllzando a tecnologla de OLLUs
||um|n+io gc|+| oc +mb|cntcs |n+||z+io |o+g+no+
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|lgura ! - ^,||c+io oc ||um|n+io ,+:+ + tccno|og|+ oc scm|conouto:cs o:gn|cos (C:cmon+. .00)
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O mc|c+oo oc o|s|+ys b+sc+oos cm O|||s c ||+gmcnt+oo scnoo uc + +||c+io m+|s |om|s-
so|+ +|ccc sc| + |c|+c|on+o+ com os ++|c||os c|ct|on|cos movc|s (|ob||c |+nosct ||s|+y)
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mcnos oc . mm c o t+m+n|o +|+ oc||n|io oo c|cmcnto oc |m+gcm (|xc|) c |n|c||o| + u+|-
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u+||o+oc o+ |m+gcm ^|t+ oc||n|io c +|to cont|+stc ^|cm o|sso + vc|oc|o+oc oc |occss+-
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b+|xo +ucc|mcnto
|oss|b|||o+oc oc ut|||z+| suo|tcs ||cx|vc|s os O||| sio +tu+|mcntc + un|c+ tccno|og|+ uc ooc
sc| |+b||c+o+ sob|c suo|tcs |+st|cos mct+||cos c out|os ||cx|vc|s
^|gum+s +||c+ocs o+ tccno|og|+ oc O|||s
^ss|stcntcs o|g|t+|s csso+|s (||^s)
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c|c|oncs cc|u|+|cs
|ogos o|t+tc|s
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Cmc|+s o|g|t+|s
|nt|ct+nto o numc|o oc +||c+ocs oss|vc|s c|cscc o|+||+mcntc c nio cst+ |cst||t+ + um scto|
cscc|||co o+ |noust||+ ou t|o oc |oouto (|O|^| .ooe)
cnso|cs
Os scnso|cs c +|t|cu|+|mcntc os scnso|cs |m|cssos cm subst|+tos ||cx|vc|s c;ou ocsc+|t+vc|s
|c|cscnt+m otcnc|+|mcntc um+ v+st+ +|c+ oc +||c+io +|+ + c|ct|on|c+ o|gn|c+ O |ntc|cssc
ncstc t|o oc tccno|og|+ vcm ||nc|+|mcntc oos scgu|ntcs |+to|cs
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b|||o+oc) o|sos|t|vos vcst|vc|s o|sos|t|vos u|t|+nos
|+c|||o+oc oc |ntcg|+io oos o|sos|t|vos cm |o||+ (|m|cssos) cm |ooutos c s|stcm+s
||oouio cc|cntc oc o|sos|t|vos cm |o||+ cm g|+nocs +|c+s (tccno|og|+ |o||-to-|o|| +
mcsm+ us+o+ +|+ + |m|cssio oc ,o|n+|s c |cv|st+s)
|+|xo custo oc |+b||c+io (um+ vcz |m|+nt+o+ + tccno|og|+)
Fonte: (CREMONA, 2006)
||sos|t|vos ||||
|m+ +||c+io +|t|cu|+| no c+mo oos scnso|cs c um+ o+s m+|s |ntc|css+ntcs +||c+ocs o+
c|ct|on|c+ o|gn|c+ c +uc|+ |c|+c|on+o+ com os scnso|cs oo t|o |||| = |+o|o ||cucncy |ocn-
t|||c+t|on |stcs cucnos o|sos|t|vos oocm sc| c|ct|on|c+mcntc |ocnt|||c+oos (com t|oc+ oc
o+oos cm +|gum c+so) + um+ octc|m|n+o+ o|stnc|+ ^cs+| o+ t|+nsm|ssio |+o|o sc| t||c+-
mcntc oc||n|o+ cnt|c ,oo |z c ,oo ||z os |||| ut|||z+m t+mbcm ||cucnc|+s o+ o|ocm oc
+oo |z c oc C|z (m|c|oono+s) |stcs o|sos|t|vos sio gc|+|mcntc c|+m+oos oc t+gs (ct|uct+s)
c oocm sc| ut|||z+oos soz|n|os (os sm+|t c+|os sio um cxcm|o) ou |ntcg|+oos + out|os o|so-
s|t|vos +|+ mon|to|+| su+ |ocnt|o+oc oc |o|m+ |cmot+
^|gum+s vczcs os scnso|cs |||| ut|||z+m ct|uct+s uc ocscmcn|+m |unocs cxt|+s como
o| cxcm|o scnt|| o uc cst+ +contcccnoo num o+oo +mb|cntc ou g|+v+| o+oos +tu+||z+oos
+|+ um+ |utu|+ |ntc||og+io (|cmot+) O ||nc||o b+s|co ooc sc| ||ust|+oo n+ ||gu|+ |
20
Campo do leitor
Etiqueta (RFID)
Comunicao rf
Leitor
Sistema
|lgura 4 - ||ust:+io oo ,:|nc|,|o oc |unc|on+mcnto o+ tccno|og|+ oc |ocnt|c+io ,o: :+o|o |:cucnc|+
Fonte: (C:cmon+. .00)
|m scnso| |||| cons|stc oc um c||cu|to |ntcg|+oo (|C) com um+ +ntcn+ (t||c+mcntc um+
cucn+ bob|n+) c um cnc+su|+mcnto (+c|+g|ng) oc |otcio (t|o um c+|tio oc |+st|co)
uc c |unio o+ +||c+io ^s ct|uct+s |ntc||gcntcs sio t+mbcm c|+m+o+s oc t|+nsonoc|s
c cx|stcm oc mu|tos |o|m+tos c t+m+n|os ^|guns ocstcs scnso|cs oocm sc| cucnos como
um g|io oc +||oz (C|||O|^ .ooe)
|lgura - |xcm,|o oc ct|uct+ c|ct:on|c+ (|ontc
C:cmon+. .00)
|lgura 6 |xcm,|o oc c+::cg+oo: oob:+vc| ,+:+
cc|u|+: (|ontc |om+n. .00)
2!
|lgura 7 ^c|m+ um+ |m,+o+ ||| t:+o|c|on+|
- scm|conouto: |no:gn|co ^b+|xo.
um+ |m,+o+ vO||| - scm|conouto:
o:gn|co (|ontc |+ :||v+ ||||o. .009)
|lgura 8 - |ntcg:+io oc cc|u|+s so|+:cs cm
:ou,+s |:oouto o+ .4| (|ontc |+
:||v+ ||||o ct +|. .009)
|lgura 9 - |xcm,|o oc ,:oouio :o||-to-:o|| oc
,+|nc|s oc ||um|n+io O||| (|ontc |
+,uo |+ :||v+ ||||o ct +|. .009)
|lgura !0 - 1c|+ oc ^|-O||| (O||| oc m+t:|z
+t|v+) no :+msung +|+xy : ||
22
1ecnologla
C+oc|+ oc v+|o|
O tc|mo c+oc|+ oc v+|o| |o| |nt|oouz|oo o| ||c|+c| | |o|tc| +|+ c+|+ctc||z+| + co|cio oc
+t|v|o+ocs oc um+ cm|cs+ ocsoc o ocs|gn oc um |oouto +tc + |oouio mc|c+oo cnt|cg+ c
suo|tc oo mcsmo (|O||| +,s,)
^ ||gu|+ ++ ||ust|+ + c+oc|+ oc v+|o| no c+so o+ c|ct|on|c+ o|gn|c+
Aplicaes
Materiais
Processos Arquitetura Produtos Setores
Polmeros
Pequenas
Molculas
Polmeros
Condutores
Dieltricos
Metais
Inkjet
Spin-coating
Vcuo
Gravura
Flexograa
LEDs
Transistors
Fotovotaicos
Sensores
Memrias
Lasers
Display
Identidades
Backplates
RFID
Ensaios
Bioqumicos
Memria
Iluminao
Clulas
Fotovoltaicas
Sinalizao
Dispositivos
Telefonia
Entretenimento
Automobilstico
Mdio
Industrial
Anti-pirataria
Deposio Arquitetura Produtos Setores
Filmes nos,
barreiras, metais
Encapsula-
mento
Vidro, plstico,
metal
Substratos
Patterning
|lgura !! - C+oc|+ oc v+|o: ,+:+ + c|ct:on|c+ o:gn|c+ (|ontc |+ :||v+ ||||o. .00s)
23
Out|+ |o|m+ oc |c|cscnt+| + c+oc|+ oc v+|o| c ||ust|+o+ n+ ||gu|+ +.
Materiais Deposio
Transistores Sensores
Diodos
emissores de
luz
Fotovolticos
Circuitos
Integrados
Processadores Diagnsticos
qumicos e
biolgicos
Iluminao Clulas Fotovolticas
Memria Displays Fotodetectores
Substratos Patterning Encapsulamento
Componentes
Dispositivos
Aplicaes
1
2
3
Figura 12 - |c,:cscnt+io o+ c+oc|+ oc v+|o: ,+:+ c|ct:on|c+ o:gn|c+ (|ontc C|U|C|:|^||. .00)
25
CAPTULO 5
PESQUISA CIENTFICA E TECNOLGICA
Origens
|+ occ+o+ oc +,eo cstuoos sob|c +s |o||co+ocs oc |otoconouio oc scm|conouto|cs o|g-
n|cos |o|m+|+m + b+sc oc mu|to oo uc sc s+bc +tu+|mcntc + |csc|to ocstcs m+tc||+|s |m +,e,
|oc |+||m+n c |+gn+ntc most|+|+m uc c||st+|s o|gn|cos oc +nt|+ccno cm|t|+m |uz u+noo
sc +||c+v+ um+ tcnsio oc oc|+io oc |oo V (|O|| +,e, C||||| +,e,) |m +,e| |c||||c| c
c|nc|oc| t+mbcm ut|||z+noo c||st+|s oc +nt|+ccno conscgu||+m cm|ssio oc |uz com tcnsocs
m+|s b+|x+s uc |oc mcsmo +ss|m oc|+noo |ox|mo + +oo V (||||||C| +,e,) |c|x+noo
oc |+oo + cxt|+io oc |uz csscs cxc||mcntos most|+|+m uc cm octc|m|n+o+s s|tu+ocs c|+
oss|vc| conouz|| co||cntc c|ct||c+ cm m+tc||+|s o|gn|cos
|m +,;e ||oc|| |||+|+w+ ^|+n |ccgc| c ^|+n |+c||+|m|no most|+|+m uc + conout|v|o+oc
c|ct||c+ oc cc|tos o||mc|os o|gn|cos ooc sc| o|+m+t|c+mcntc +|tc|+o+ ^ oo+gcm oo o||+-
cct||cno com |ooo ocu o||gcm + um |||mc mct+||co com |o||co+oc c|ct||c+s scmc||+ntc + oos
mct+|s |o| cst+ ocscobc|t+ cstcs c|cnt|st+s g+n|+|+m o |cm|o |obc| oc .ooo cm u|m|c+ c
+umcnt+|+m o |ntc|cssc o| cstcs novos m+tc||+|s
O ||mc||o |c|+to oc c|ct|o|um|ncsccnc|+ cm |||mcs o|gn|cos |o| cm +,;, o| |ogc| |+|t||ogc
no |+bo|+to||o |+c|on+| oc ||s|c+ n+ |ng|+tc||+ O |ntc|cssc nos m+tc||+|s o|gn|cos com |c|+io
c|ct|on|c+ so vc|o g+n|+| |o|+s cm +,s; u+noo C +ng c V+n|y|c +|cscnt+|+m c|+
|+stm+n |oo+| o ||mc||o o|sos|t|vo cm|sso| oc |uz c||c|cntc b+sc+oo cm m+tc||+|s o|gn|cos
|unc|on+noo + tcnsocs o+ o|ocm oc +o V ou mcnos (^|C +,s;) |+|+ |sso c|cs us+|+m mo|c-
cu|+s con,ug+o+s cm um o|sos|t|vo b|c+m+o+ um+ c+m+o+ oc um+ mo|ccu|+ +|om+t|c+ t|+ns-
o|t+oo|+ oc bu|+cos c b|ouc+oo|+ oc c|ct|ons c out|+ c+m+o+ oc um+ mo|ccu|+ ||uo|csccntc
c|tcnccntc c|+ssc oos com|cxos mct+||cos oos uc|+tos t||s-(s- ||o|ox|oou|no||n+)-
-^|um|n|o (^|,) t|+nso|t+oo|+ oc c|ct|ons c |csons+vc| c|+ cm|ssio oo o|sos|t|vo |ssc t|o
oc o|sos|t|vo ||cou con|cc|oo como O||| oo |ng|cs O|g+n|c ||g|t |m|tt|ng ||ooc |csoc +
su+ ocscobc|t+ os O|||s vcm sc +||mo|+noo const+ntcmcntc Os ||mc||os O|||s +ccno|+m
26
o| um+ ||+io oc tcmo u+sc |mc|cct|vc| ^tu+|mcntc + v|o+ mco|+ oos O|||s c|cg+ +
+,o m|| |o|+s Com cst+ v|o+ mco|+ csscs m+tc||+|s sio |o|tcs c+no|o+tos + csscnc|+|mcntc u+|-
uc| t|o oc +||c+io tccno|og|c+ uc cm|t+ |uz
Pesquisa cientca
|xtc||o|
|csmo cst+noo num +v+n+oo cst+g|o oc comc|c|+||z+io oc v+||os |ooutos c|o mcnos no
uc o|z |csc|to + cucnos o|s|+ys (cc|u|+|cs) + csu|s+ b+s|c+ cm scm|conouto|cs o|gn|cos
c b+st+ntc +t|v+ Como cxcm|o um |cv+nt+mcnto n+ \cb o| sc|cncc com o tc|mo o|g+n|c
scm|conoucto|s gc|ou um numc|o oc ,,+,e ub||c+ocs ocsoc o +no oc +,,; +tc novcmb|o oc
.o++ most|+noo um c|csc|mcnto cxoncnc|+| no numc|o oc ub||c+ocs +no + +no V+||os oos
+|t|gos oc ocst+uc ncst+ +|c+ sio ub||c+oos n+s ||nc|+|s |cv|st+s oc c||cu|+io |ntc|n+c|on+| c
com +|to +|mct|o oc |m+cto como c|cncc |+tu|c |+tu|c |+tc||+|s ||ys|cs |cv|cw |cttc|s
C|cm|c+| ||ys|cs |cttc|s cnt|c out|+s
|ntcns+ +t|v|o+oc oc csu|s+ tcm s|oo |c+||z+o+ sob|c o|sos|t|vos scm|conouto|cs o|gn|cos
su+ tccno|og|+ c +||c+ocs |||+no+ (.ooe) cstuoou + |oouio c|cnt|||c+ oc um+ +most|+ oc
,; csu|s+oo|cs cst|+ngc||os oc |cnomc c|+ntc + comun|o+oc c|cnt|||c+ Os |csu|t+oos ocssc
cstuoo cstio t+bu|+oos n+ +bc|+ + |st+ +|cscnt+ vo|umcs cx|css|vos oc |oouio (mco|+
oc ,e; +|t|gos o| csu|s+oo|) const|tu|noo-sc |c|c|cnc|+ +|+ scus +|cs +o |coo| oo munoo
(mco|+ oc .,oo c|t+ocs o| +|t|go)
Tabela 1 - ^|guns |no|c+oo:cs o+ ,:oouio c|cnt|c+ |ntc:n+c|on+| cm um+ +most:+ oc ,csu|s+oo:cs
Total de pesquisadores da amostra 37
|umc|o oc vczcs cm uc os ||nc|+|s +|t|gos oos csu|s+oo|cs ocss+ +most|+ |o|+m c|t+oos (|mcs
C|tco - tot+|)
10!1
|co|+ o+s vczcs cm uc os ||nc|+|s +|t|gos oos csu|s+oo|cs ocss+ +most|+ |o|+m c|t+oos (|mcs
C|tco - tot+|)
00
|umc|o tot+| oc ub||c+ocs (oos csu|s+oo|cs o+ +most|+) 1!c4
|co|+ oc ub||c+ocs o| csu|s+oo| (o+ +most|+) !o
Fonte: c|+bo:+io ,:o,:|+. scgunoo o+oos oc ||:+no+. .00
27
||+s||
|c um+ |o|m+ gc|+| o |nvcst|mcnto cm C| no +|s c|csccu cons|oc|+vc|mcntc nos u|t|mos
+nos |csu|t+oo oc +io +|t|cu|+o+ c oc |ongo |+zo oo ||n|stc||o o+ C|cnc|+ c ccno|og|+
(|C) V+||+s |o|m+s |nov+oo|+s oc ||n+nc|+mcnto |oo|c|on+|+m um bom ocscnvo|v|mcnto
cm +|c+s cst|+tcg|c+s Os scm|conouto|cs o|gn|cos tcm s|oo ob,cto oc csu|s+ b+s|c+ no
||+s|| |+ m+|s oc ou+s occ+o+s c t|vc|+m um |mu|so m+|o| com + |nt|oouio oc |og|+m+s
como ||oncx |nst|tutos oo |||cn|o c |cocs Cooc|+t|v+s oc |+noc|cnc|+s c |+notccno|o-
g|+s no ||n+| o+ occ+o+ oc +,,o c |n|c|o oc .ooo C+o+ um ocsscs |og|+m+s |oo|c|onou
um+ +tu+io m+|s coo|ocn+o+ c +|t|c|+t|v+ o+s comctcnc|+s n+c|on+|s ncstc tcm+ +cc|c-
|+noo oc |o|m+ b+st+ntc c||c+z o ocscnvo|v|mcnto ocst+ +|c+ ^tu+|mcntc o ||+s|| cont+ com
o |nst|tuto |+c|on+| oc ||ct|on|c+ O|gn|c+ (|||O-||C) uc |cunc m+|s oc .; |nst|tu|ocs
c ,, g|uos oc csu|s+ o||ct+mcntc cnvo|v|oos com + csu|s+ cm c|ct|on|c+ o|gn|c+ ^s
+t|v|o+ocs oo |||O-||C sio o|v|o|o+s cm t|cs c|xos +) c|ct|on|c+ o|gn|c+ b) ||o-s|stcm+s c
comostos n+tu|+|s c) o|vu|g+io c|cnt|||c+ |nt|c .oo, c .o+o o |||O ub||cou m+|s oc +eo
+|t|gos cm |cv|st+s c|cnt|||c+s |ntc|n+c|on+|s |o|mou m+|s oc ccm cstuo+ntcs (cnt|c oouto|cs
mcst|cs ctc) c ub||cou cm to|no oc ocz +tcntcs |m+ o+s mct+s oo |||O c o |o|t+|cc|-
mcnto o+ |ntc|+io cnt|c o scto| cm|cs+||+| c o scto| o+ +c+ocm|+ +|+ o ocscnvo|v|mcnto
oc |ooutos oc c|ct|on|c+ o|gn|c+
|o ||+s|| + +t|v|o+oc oc csu|s+ tcm sc |ntcns|||c+oo com os ||nc|+|s |csu|t+oos oc |oouio
s|ntct|z+o+ n+ +bc|+ .
Tabela 2 - ^|guns |no|c+oo:cs o+ ,:oouio c|cnt|c+ n+c|on+| cm um+ +most:+ oc ,csu|s+oo:cs
Total de pesquisadores da amostra 20
|umc|o oc vczcs cm uc os ||nc|+|s +|t|gos oos csu|s+oo|cs ocss+ +most|+ |o|+m c|t+oos (|mcs
C|tco - tot+|)
!0o
|co|+ o+s vczcs cm uc os ||nc|+|s +|t|gos oos csu|s+oo|cs ocss+ +most|+ |o|+m c|t+oos (|mcs
C|tco - tot+|)
11
|umc|o tot+| oc ub||c+ocs (oos csu|s+oo|cs o+ +most|+) 1c
|co|+ oc ub||c+ocs o| csu|s+oo| (o+ +most|+)
Fonte: c|+bo:+io ,:o,:|+. scgunoo o+oos oc |om+n. .00-b)
28
|csu|s+ tccno|og|c+
|m+ |o|m+ oc +v+||+| + +t|v|o+oc tccno|og|c+ c o| mc|o o+ +n+||sc oc +tcntcs uc c|m|tc
cstuo+| os +o|ocs o+ csu|s+ tccno|og|c+ c+m|n|os c cst|+tcg|+s cm|cg+o+s c|os ||nc|+|s
+gcntcs (cm|cs+s ocos|t+||+s |nvcnto|cs |nst|tu|ocs oc csu|s+ cnt|c out|os)
|stuoo o+ consu|to|+ ||o C|+noc (.o++) |ocnt|||cou ,;+s +tcntcs ut|||z+noo +s +|+v|+s-c|+vc
O||| |-O||| |-O||| |O||| |||| ^|O||| ou |||| |st+s +|+v|+s ooc||+m cst+|
t+nto no t|tu|o o+ +tcntc u+nto no scu |csumo (+bst|+ct) ^ busc+ |c+||z+o+ |nc|u|+ |csu|t+oos
cu|ocus (|u|oc+n |+tcnt O|||cc) +mc||c+nos (||O) +s|+t|cos c su|-+mc||c+nos
Tabela 3 - ^s v|ntc .0 cm,:cs+s m+|s +t|v+s cm ,csu|s+ tccno|og|c+ no c+m,o oc O|||s
Principais companhias patenteadoras
OLED, SM-OLED, P-OLED, SMOLED, PLED, AMOLED ou PLED
^|||C |^|\OO
|^|^| |O|^| CO||||C ||C
|C |C|| |||OV^|O|
^| O||O||C ||||||^
|||O ||O| CO ||^C||
|O||||| |||||| O|
O|^| |O|O| ||C||||C
C^|||||C| ||||^ C|| |||C||C
|^|||^ |^|
O|||^ C|^C|| ||||^
Fonte: ||o :+noc. .011
^ +bc|+ , ||st+ +s cm|cs+s com m+|o| +t|v|o+oc oc +tcntcs no c||ooo .ooo + .oo, ^ ||gu|+
+, |no|c+ numc||c+mcntc + +t|v|o+oc ocss+s cm|cs+s
29

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t
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0
200
400
600
800
1000
37 42 42 42 45 46 48 48 53 60 64 79
90
95 101
147
167
327
588
694
G
R
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N

K
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K
S
A
M
S
U
N
G
Figura 13 - ^s .0 cm,:cs+s m+|s +t|v+s cm ,csu|s+ tccno|og|c+ no c+m,o oc O|||s. ,o: numc:o oc +,||c+cs
Fonte: ||o :+noc. .011
^ ||gu|+ +| |no|c+ o +umcnto cons|stcntc o+ +t|v|o+oc tccno|og|c+ +tc .oo; |cg|st|+noo um+
uco+ cm .oos uc sc to|n+ +ccntu+o+ cm .oo, |css+ ||gu|+ cstio cont+b|||z+o+s +s +tcntcs
t+nto oc csu|s+ cm tccno|og|+ |o||+mcntc o|t+ u+nto +s +tcntcs uc sc |c|c|cm + +||c+-
ocs o+s tccno|og|+s
F
a
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s

d
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e
n
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e
s
0
200
2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008 2009
400
600
800
1000
SAMSUNG
LG
SEIKO EPSON CO
MATSUSHITA
Total
OSRAM
EASTMAN KODAK
AU OPTRONICS
KONINKL PHILIPS
TOSHIBA
CAMBRIDGE DISPLAY
Ano da publicao
Figura 14 ^t|v|o+oc tccno|og|c+ :c|+c|on+o+ + O|||. .000-.009
Fonte: ||o :+noc. .011
30
c |o|cm cons|oc|+o+s +cn+s +s +tcntcs uc sc |c|c|cm csu|s+ o+ tccno|og|+ |o||+-
mcntc o|t+ o c|||| c o |no|c+oo n+ ||gu|+ +, |ss+ ||gu|+ |no|c+ um+ |ctom+o+ o+ +t|v|o+oc oc
csu|s+ m+s uc +|no+ nio ossu| vo|umc su||c|cntc +|+ |n||ucnc|+| o c|||| oc uco+ +|c-
scnt+oo n+ ||gu|+ +|
F
a
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a
s

d
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n
t
e
s
0
100
2000 2001 2002 2003 2004 2005 2006 2007 2008
H01L51/00
Eastman Kodak: 421 patentes
Samsung: 167 patentes
Seiko Epson: 118 patentes
OSRAM: 75 patentes
AU Optronics: 65 patentes
Matsushita: 63 patentes
LG: 54 patentes
Toshiba: 53 patentes
H01L51/30
H01L51/40
H01L51/50
H01L51/52
H01L51/54
H01L51/56
2009
200
300
400
500
600
700
800
Ano da publicao
Figura 15 - |c:| oo oc,os|to oc ,+tcntcs (munoo. .000-.009) +,cn+s ,+:+ + ,csu|s+ oc tccno|og|+ oc O|||
,:o,:|+mcntc o|t+. scm cons|oc:+: +s +,||c+cs
Fonte: ||o :+noc. .011
O uc sc ooc conc|u|| c uc + csu|s+ tccno|og|c+ ccocu (oc .oo| + .oos) |mu|so +|+ +
csu|s+ o| +||c+ocs |o|cm + +|t|| oc .oo, |+ novo c|csc|mcnto |ov+vc|mcntc mot|v+oo
c|+ ncccss|o+oc oc mc||o| ocscmcn|o c m+tu||o+oc o+s tccno|og|+s (+|+ |+zc| conco||cnc|+
|cv|t+||z+io o+s tccno|og|+s t|+o|c|on+|s)
31
CAPTULO 6
PROPOSTA DE AO
O contcxto ocscn|+oo nos c+|tu|os |cccocntcs c c+|+ctc||st|co oc tccno|og|+s oc |utu|+ uc
cn||cnt+m succss|v+s |+scs oc +m+ou|cc|mcnto Os +v+nos +com+n|+oos oc cu|o||c+s csc-
|+n+s +|tc|n+m-sc com |ct|occssos ou c|o+ oc comct|t|v|o+oc c|+ntc tccno|og|+s conco|-
|cntcs O |cnomcno nio c |+|o c mu|t+s vczcs +|cscnt+ sc||os o||cm+s oc occ|sio +|+ o gcsto|
sc,+ c|c um cxccut|vo oc um+ cm|cs+ ||v+o+ um cm|ccnocoo| |n|c|+noo scu ncgoc|o ou o
|o|mu|+oo| oc o||t|c+s ub||c+s
|+ um ocscom+sso cnt|c +s otcnc|+||o+ocs o+ tccno|og|+ c + ocm+no+ oo mc|c+oo cnt|c
os |cu|s|tos oos consum|oo|cs c o ocscmcn|o +tu+| o+ tccno|og|+ |+ o|||cu|o+ocs +|+ sc
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m+ocs sob|c o mc|c+oo mooc|os oc ncgoc|os c conco||cnc|+ uc +|c+m sc| cst+vc|s c c||vc|s
no mco|o |+zo ^ cst+s c out|+s ucstocs uc const|tucm o o||cm+ oo |nov+oo| (C|||-
|||| +,,; |c cscc|+| |ntc|cssc +|+ o nosso tcm+ sio + |nt|oouio c os c+|tu|os . c ++)
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O ocscnvo|v|mcnto oc ncgoc|os b+sc+oos cm tccno|og|+s oc |utu|+ ossu| um c|||| b+st+ntc
o|st|nto oo |nvcst|mcnto cm tccno|og|+s ,+ cst+bc|cc|o+s C|+noc +|tc ocss+ o||c|cn+ co||c o|
cont+ o+s |ncc|tcz+s +ssoc|+o+s s nov+s tccno|og|+s
O cxtcnso o|+gnost|co |c+||z+oo c|o CC|| (|| ||||||O | |^^|| .o++) con|||m+ css+
o||c|cnc|+io c +|cscnt+ c|cmcntos |mo|t+ntcs +|+ subs|o|+| + |oost+ oc +io
32
Diagnstico
|c |coc||os ct |+y+n| (.o++) |ctom+m +s |ccomcno+ocs oo |stuoo oc .oo; (CC|| .oo;) c o
submctcm +|+ +|cc|+io c +tu+||z+io o| um g|uo oc +|ox|m+o+mcntc ,oo cscc|+||st+s c
|o||ss|on+|s +tu+ntcs no scto| os u+|s |ocnt|||c+|+m + s|tu+io +tu+| os g+|g+|os cx|stcntcs c +s
+|t|cu|+ocs mu|t|-|nst|tuc|on+|s ncccss+||+s (|| ||||||O | |^^|| .o++ ,)
|css+ consu|t+ |csu|t+|+m +s |cst||ocs ||st+o+s n+ +bc|+ | no u+o|o csuc|o+
|cco||c uc css+s |cst||ocs gc|+m |ob|cm+s no cu|to c |ongo |+zos o|s ||m|t+m + c++c|-
o+oc n+c|on+| oc gc|m|n+| c ocscnvo|vc| nov+s cm|cs+s c ncgoc|os m|n+noo os cs|o|os +|+
+ |m|+nt+io oc um+ cst|utu|+ |noust||+| c oc um+ c+oc|+ |oout|v+ cst+vc| c |osc|+ no
c+mo o+ c|ct|on|c+ o|gn|c+
^|cm o|sso t+mbcm +|ct+m o ocscnvo|v|mcnto tccno|og|co |o||+mcntc o|to o|s nio |+vo-
|cccm csu|s+ con,unt+ c |ntcg|+o+ com v|st+s +o ocscnvo|v|mcnto oc tccno|og|+s c |oto-
t|os m+|s m+ou|os c oc mc||o| ocscmcn|o
Os |ob|cm+s occo||cntcs ocss+s |cst||ocs sio ||st+oos n+ +bc|+ | no u+o|o o||c|t+
|+ +bc|+ | o o|st+nc|+mcnto cnt|c cm|cs+s c ccnt|os oc csu|s+ um+ |cst||io +ont+o+
csuc|o+ o+ t+bc|+ c um oos |+to|cs uc ooc cx||c+| o b+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s
cm|cs+s ou novos ncgoc|os c + o|stnc|+ c g|+noc c o|||c|| + t+|c|+ oc |+zc| +|go cm con,unto
|stc |ob|cm+ (o b+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc novos ncgoc|os) c occo||cntc o+ |cst||io +on-
t+o+ (g|+noc o|stnc|+)
|o cnt+nto css+ |cst||io (o o|st+nc|+mcnto) |so|+ c+o+ +|t|c|+ntc cm scu munoo ^s
cm|cs+s nio tom+m con|cc|mcnto o+s oss|b|||o+ocs +bc|t+s c|+ csu|s+ o+ +c+ocm|+ uc
o| su+ vcz ||c+ scm con|ccc| u+|s sio +s vc|o+oc||+s cx|gcnc|+s oc m+tu||o+oc c ocscmcn|o
uc + tccno|og|+ ncccss|t+ +|c+n+| +|+ ooc| sc| bcm succo|o+ no mc|c+oo
|o| |sso o o|st+nc|+mcnto |ovoc+ out|o |ob|cm+ +s tccno|og|+s ocscnvo|v|o+s tcm b+|x+
m+tu||o+oc c ocscmcn|o |nsu||c|cntc +|+ |nsc|io cm |ooutos comc|c|+||z+vc|s
33
Tabela 4 - |cst:|cs +o ocscnvo|v|mcnto o+ |noust:|+ c ,:ob|cm+s oc|+s occo::cntcs
Restries ao desenvolvimento da indstria de semicondutores
orgnicos segundo consulta a especialistas e profissionais do setor
(DE MEDEIROS ET. SHAYANI, 2011)
Problema que decorre da restrio apontada
no quadro esquerda.
||st+nc|+mcnto cnt|c cm|cs+s c ccnt|os oc csu|s+ |+|xo |no|cc oc su|g|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
|+|xo cst|mu|o c|ct|v+ |+b||c+io c comc|c|+||z+io oc |ooutos
|nov+oo|cs b+sc+oos cm scm|conouto|cs o|gn|cos
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|sc+sscz oc cu|cs mu|t|o|sc|||n+|cs +|+ t|+t+| o +ssunto oc |o|m+
m+|s +m|+
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
|+|x+ cnct|+io oos scm|conouto|cs o|gn|cos nos |ooutos
comc|c|+|mcntc ut|||z+oos
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
||||c|| conco||cnc|+ no mc|c+oo n+c|on+| com os |ooutos |mo|t+oos
not+o+mcntc os oc o||gcm c||ncs+ ocv|oo c|cv+o+ c+|g+ t||but+||+
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|+|x+ |ntcg|+io cnt|c +s o||t|c+s ub||c+s c o scto| oc scm|conouto|cs
o|gn|cos
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
||||cu|o+oc cm cncont|+| |nvcst|oo|cs o|sostos + ||n+nc|+| |ooutos
scm mc|c+oo conso||o+oo
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|+|t+ oc con|cc|mcnto o+ ou|+io cm gc|+| sob|c + |mo|tnc|+ c +s
v+nt+gcns o+ ut|||z+io oc scm|conouto|cs o|gn|cos
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|sc+sscz oc |ccu|sos |um+nos com con|cc|mcntos tccn|cos sob|c
tccno|og|+s cmc|gcntcs
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|noc||n|ocs c |ncc|tcz+s u+nto + +scctos oc |cgu|+mcnt+io
no|m+s +o|ocs tccn|cos c g+|+nt|+ o+ u+||o+oc t+nto n+ |oouio
+|+ +tcnoc| +o mc|c+oo n+c|on+| u+nto +|+ |ntcg|+io +o mc|c+oo
muno|+|
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
|nccnt|vos |nsu||c|cntcs +|+ uc os |ooutos + sc|cm |oouz|oos
cm tc|||to||o n+c|on+| sc,+m comct|t|vos no mc|c+oo muno|+|
(cxo|t+io)
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c
ocscmcn|o |nsu||c|cntc
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s
c novos ncgoc|os
Fonte: ||+bo:+io ,:o,:|+ c |c |coc|:os ct :|+y+n|. .011
34
|css+ |o|m+ + |cst||io o|st+nc|+mcnto cnt|c cm|cs+s c ccnt|os oc csu|s+ +c+||ct+ oo|s
|ob|cm+s |uno+mcnt+|s
|+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s c novos ncgoc|os
ccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c ocscmcn|o |nsuc|cntc
^ o|||cu|o+oc cm cncont|+| |nvcst|oo|cs o|sostos + ||n+nc|+| |ooutos scm mc|c+oo conso-
||o+oo c out|+ |o|tc |cst||io uc ossu| um+ |cc|cussio |mco|+t+ c cxt|+o|o|n+||+ no b+|xo
|no|cc oc n+sc|mcnto oc novos ncgoc|os Os cm|cs+||os b|+s||c||os o|||c||mcntc sc +vcntu|+m
cm novos ncgoc|os uc nio ossu+m g+n|os u+sc uc |mco|+tos |ov+s tccno|og|+s sio
scm|c v|st+s com ocscon||+n+ c m+|s |mo|t+ntc + +|t|c|+io oc mcmb|os o+ +c+ocm|+ c
+|+ mu|tos cm|cs+||os s|non|mos oc +t|+so n+ obtcnio oos ob,ct|vos O uc |cv+ oc vo|t+
+o |ob|cm+ oo o|st+nc|+mcnto cnt|c cm|cs+s c ccnt|os oc csu|s+ c|t+oo +ntc||o|mcntc
|+c|oc|n|o s|m||+| cm|cg+oo +|+ +s ocm+|s |cst||ocs |cv+ s|ntcsc uc com|ct+ +s |n|o|m+-
ocs |cscntcs n+ +bc|+ |
|sscs |ob|cm+s som+oos |oouzcm c|o+ oc comct|t|v|o+oc c o|||cu|o+oc oc m+nutcnio
oo +t+m+| tccno|og|co +|c+n+oo c cm u|t|m+ |nstnc|+ oocm sc| t|+ouz|oos como +t|+so
+|+ o +|s
^ ||gu|+ +e cst|utu|+ css+ ucstio oc |o|m+ +n+||t|c+ scgunoo mooc|o +|+ |o|mu|+io oc
|og|+m+s ut|||z+oo no |nst|tuto oc |csu|s+ |conom|c+ ^||c+o+ (|c+) (C^|O|^O
C||||| .o+o)
|c +co|oo com |c |coc||os c |+y+n| (.o++) + consu|t+ +os cscc|+||st+s c|m|tc |n|c||| uc o
+|s ossu| o|vc|s+s |n|c|+t|v+s n+ +|c+ oc scm|conouto|cs o|gn|cos o|cm c ncccss+||o coo|-
ocn+| os cs|o|os cm busc+ oc um ob,ct|vo comum +|ox|m+noo +c+ocm|+s c cm|cs+s c cst|-
mu|+noo uc c|+s sc,+m o||cc|on+o+s +|+ |ooutos comct|t|vos uc oss+m sc| |nsc||oos no
mc|c+oo (g|||o nosso)
O o|st+nc|+mcnto cnt|c +s cm|cs+s (o|nm|c+ cm|ccnocoo|+) + +c+ocm|+ (con|cc|mcnto) c
o c+|t+| c um oos |+to|cs uc ocs|+vo|ccc o n+sc|mcnto oc nov+s cm|cs+s c oc novos ncgo-
c|os c |sso c um cmcc|||o +o ocscnvo|v|mcnto ||v|c o+ |noust||+
35
|+|+|c|+mcntc + m+nutcnio oc um b+|xo g|+u oc m+tu||o+oc tccno|og|c+ o| |ongos c||ooos
ocscst|mu|+ + csu|s+ c oc cm ||sco nio +cn+s + |noust||+ |n|+ntc m+s t+mbcm os |nvcst|-
mcntos ,+ |c+||z+oos cm csu|s+ b+s|c+
Perda ou no aproveita-
mento pleno dos
investimentos j
realizados em cincia
bsica.
Atraso
Consequncias
Problemas
Fundamentais
Tecnologia com
baixa maturidade
de desempenho
insuciente
Baixo nascimento
de novas empre-
sas e novos
negcios.
Desestmulo aos
recurso humanos
envolvidos
Perda de oportunidade de
gerar novos negcios, que
aumentem o PIB e gerem
divisas
ta
Diculdade de
manuteno do
patamar
tecnolgico
Perda de
competitividade
Indstria de semicondutores orgnicos no
se desenvolve
Macro-Problema
Figura 16 - |st:utu:+ +n+||t|c+ oo ,:ob|cm+ (|ontc ||+bo:+io ,:o,:|+)
Estrutura da ao
|o occo||c| oos cstuoos |c+||z+oos c|o CC|| + +|t|c|+io oc cm|cs+s ||v+o+s +o|tou
|mo|t+ntcs cont||bu|ocs |o cnt+nto u+nt|t+t|v+mcntc o ||+s|| c o |+| oc um ||m|t+oo
numc|o oc cm|cs+s com ncgoc|os cm scm|conouto|cs o|gn|cos |io obst+ntc c n+ |nsc|io
oc |ooutos no mc|c+oo um+ +t|v|o+oc csscnc|+|mcntc cm|cs+||+| uc sc csc|+ o c|csc|-
mcnto oo scto| oc c|ct|on|c+ o|gn|c+
36
O cst|mu|o +o su|g|mcnto oc nov+s cm|cs+s + ||m oc uc |osc|cm novos ncgoc|os c sc
cngcno|c um c||cu|o v||tuoso oc |og|csso cconom|co c oc cooc|+io u+nt|t+t|v+mcntc |c|c-
v+ntc cnt|c cm|cs+s c + +c+ocm|+ c um oos vcto|cs m+|s |c|cv+ntcs +|+ o ocscnvo|v|mcnto
oo +|s ncss+ +|c+
|cucn+s c mco|+s cm|cs+s c g|+nocs co|o|+ocs sc com|cmcnt+m cm um+ cst|utu|+
|noust||+| cconom|c+mcntc m+ou|+ c sustcnt+vc| no |ongo |+zo
|o||t|c+s oc succsso cm tooo o munoo tcm sc +o|+oo no o|n+m|smo c ||cx|b|||o+oc o+s
cucn+s c mco|+s cm|cs+s +|+ ocscnvo|vc| nov+s +|c+s oc ncgoc|os c novos +ocns+mcntos
n+s c+oc|+s |oout|v+s |cucn+s cm|cs+s sio m+|s +gc|s +|+ tcst+| novos concc|tos ossucm
|couz|o+ bu|oc|+c|+ c o cm|ccnocoo| tcm g|+noc +utonom|+ oc occ|sio
^ so|uio |oost+ ocvc comb+tc| os |ob|cm+s |uno+mcnt+|s (b+|xo |no|cc oc n+sc|mcnto oc
nov+s cm|cs+s c novos ncgoc|os c tccno|og|+ com b+|x+ m+tu||o+oc c ocscmcn|o |nsu||c|cntc)
^ const|uio +n+||t|c+ o+ so|uio c s|m||+| |o|mu|+io oo |ob|cm+ c cst+ ||ust|+o+ n+ ||gu|+ +;
Objetivo Geral
Ao
(Soluo)
Demonstradores
de Tecnologia
Empreendedorismo em
Eletrnica orgnica com
Planos de Negcios
Desenvolvimento da indstria de
semicondutores orgnicos
Fomentar novos negcios (colaborativos) e o desenvolvi-
mento tecnolgico (um passo adiante da cincia bsica)
Macro-Soluo
Figura 17 - |st:utu:+ +n+||t|c+ o+ so|uio
Fonte: ||+bo:+io ,:o,:|+
37
^ so|uio contcm ou+s +ocs |oost+s +|+ comb+tc| +s ou+s c+us+s |+|zcs oo |ob|cm+
|m|ccnocoo||smo cm c|ct|on|c+ o|gn|c+ com |+nos oc ncgoc|os v|s+ |oo|c|on+| +u-
mcnto oo numc|o oc cm|cs+s c ncgoc|os oc b+sc tccno|og|c+ cm scm|conouto|cs o|gn|cos
|cmonst|+oo|cs oc tccno|og|+ |ooc-sc +o +umcnto oo ocscmcn|o c m+tu||o+oc tcc-
no|og|c+ oc |otot|os c |ooutos
C+bc +u| |||s+| uc um |+to| |mo|t+ntc + sc| cv|t+oo ncst+s |oost+s c + tcnt+io oc |nvcst||
o|n|c||o cm +ocs uc oss+m tc| um |cto|no m+|s |mco|+to m+s uc nio v|s+m um+ t|+ns-
|c|cnc|+ oc tccno|og|+ +|+ o +|s |m out|+s +|+v|+s + sugcstio c oc ||o||z+| +ocs g|uos
ccnt|os ou |nst|tu|ocs uc |m||ucm o n+sc|mcnto oc um+ |noust||+ b|+s||c||+ oc c|ct|on|c+
o|gn|c+ |cstc c+so ooc +tc cx|st|| + +|t|c|+io oc um+ ou m+|s cm|cs+s cst|+ngc||+s uc
c|+ ut|||z+io oo mc|c+oo b|+s||c||o sc|io ob||g+o+s + ocscnvo|vc| +ocs oc t|+ns|c|cnc|+ oc
tccno|og|+ |o|m+io oc |ccu|sos |um+nos ctc ncst+ +|c+ O uc ocvc sc| cv|t+oo sio |n|c|+-
t|v+s uc |+vo|c+m somcntc + |nst+|+io oc mont+oo|+s oc tccno|og|+ m+|s ou mcnos csc-
c|+||z+o+s uc n+o+ cont||bucm +o c|csc|mcnto c ocscnvo|v|mcnto oo +|s m+s uc +b|cm +s
o|t+s oo mc|c+oo b|+s||c||o + cm|cs+s cst|+ngc||+s
^s scocs scgu|ntcs +|cscnt+m +s cscc|||c+ocs o+s ou+s +ocs |oost+s
|m|ccnocoo||smo cm c|ct|on|c+ o|gn|c+ com |+nos oc ncgoc|os
O |uno+mcnto ocst+ +io c |omovc| + |ntcg|+io cnt|c os o|vc|sos +to|cs oo ccn+||o oc ncgo-
c|os oc b+sc tccno|og|c+ |couz|noo o|stnc|+s cnt|c cm|cs+s ,+ cst+bc|cc|o+s cm|ccnocoo|cs
oc novos ncgoc|os c comun|o+oc +c+ocm|c+ (csu|s+oo|cs |o|csso|cs c +|unos)
Cons|stc cm |omovc| + +ssoc|+io cnt|c cm|ccnocoo|cs (,+ no mc|c+oo ou novos cnt|+ntcs)
c +c+ocm|cos (|o|csso|cs +|unos csu|s+oo|cs) o| mc|o o+ c|+bo|+io oc um |+no oc
ncgoc|os com o ob,ct|vo oc comc|c|+||z+| um |oouto b+sc oc tccno|og|+ ocscnvo|v|o+ n+
+c+ocm|+ c;ou cm|cs+ oc o||gcm oos +|t|c|+ntcs
38
^ ||gu|+ +s |ocnt|||c+ o ||uxo oc cvcntos c +s |nst|tu|ocs (|oost+) cnvo|v|o+s

Comit Avaliador
(Finep- Sebrae-MCT)
Empreendedorismo
em Elet. Org. com
Planos de Negcios
*Empreendedorismo
*Empresrios
*Professores
*Alunos de graduao e
ps-graduao
*Pesquisadores (ICTs)
Montam equipes para
participar do projeto. Cada
equipe elabora um plano de
negcios cujo objetivo
comercializar alguma
tecnologia desenvolvida no
laboratrio
Comit avalia e
seleciona os
cinco melhores
Nova avaliao
e identicao
do vencedor
Treinamento
avanado em planos
de negcios e
exposio nos SEED
Frum da Finep
Subveno
econmica da Finep
Aumento do nmero
de empresas e
negcios de base
tecnolgica em
semicondutores
orgnicos
Figura 18 - ||uxo oc cvcntos c |nst|tu|cs cnvo|v|o+s (,:o,ost+)
|cmonst|+oo|cs oc tccno|og|+
|st+ +io t+mbcm busc+ |omovc| + |ntcg|+io cnt|c os o|vc|sos +to|cs oo ccn+||o oc ncgoc|os
oc b+sc tccno|og|c+ o|cm ossu| |oco no ocscnvo|v|mcnto oc tccno|og|+s |oocm +|t|c|+|
csu|s+oo|cs |o|csso|cs +|unos oc g|+ou+io ou os-g|+ou+io o| cxcm|o
Cons|stc cm |omovc| um ocs+||o +|+ o |o|ncc|mcnto oc tccno|og|+ com +|mct|os oc
ocscmcn|o +uo+zcs + ||m oc |nccnt|v+| + busc+ o| nov+s so|uocs c +v+n+| + ||ontc||+ oo
con|cc|mcnto no ||+s||
O com|tc o|g+n|z+oo| cst+bc|ccc +|mct|os oc ocscmcn|o uc csc|+ cncont|+| n+s tccno-
|og|+s |oost+s c|os +|t|c|+ntcs Os g|uos uc +|cscnt+|cm so|uocs m+|s |ox|m+s o+s
39
especificadas pelo comit recebero ainda mais incentivos para pesquisa, na forma de bolsas e
auxlios do CNPq (proposta).
A Figura identifica o fluxo de eventos e as instituies (proposta) envolvidas.
Comit Avaliador
Demonstradores de
Tecnologia
*Professores
*Alunos de graduao e
ps-graduao
*Pesquisadores (ICTs)
*Inventores Montam equipes para
participar do projeto. Cada
equipe apresenta sua
soluo tecnolgica
Comit avalia e
seleciona os
cinco melhores
Divulga os
parmetros de
desempenho que
espera encontrar nas
solues propostas
Nova avaliao de
identicao do
vencedor
Premiao com bolsas
CNPq e divulgao dos
trabalhos para a
comunidade
acadmica e empre-
sarial
Aumento do
desempenho e
maturidade
tecnolgica de
prottipos e
produtos
Figura 19 - ||uxo oc cvcntos c |nst|tu|cs cnvo|v|o+s (,:o,ost+)
40

Descritores do
problema
* Distanciamento entre
empresas e centros de
pesquisa
* Baixo estmulo efetiva
fabricao e comerciali-
zao de produtos
inovadores baseados em
semicondutores orgnicos
* Escassez de equipes
multidisciplinares para
tratar o assunto de forma
mais ampla
* Baixa penetrao dos
semicondutores orgnicos
nos produtos comercial-
mente utilizados
* Baixa integrao entre as
polticas e o setor de
semicondutores orgnicos
* Diculdade em encontrar
investidores dispostos a
nanciar produtos
* Falta de conhecimento da
populao em geral sobre
as vantagens da utilizao
de semicondutores
orgnicos
Ao
Pblico Alvo
Empreendedorismo em
Eletrnica Orgnica com
Planos de Negcios
Problema
Baixo nascimento de novas
empresas e novos negcios
Objetivo Geral
Aumento do nmero de
empresas e negcios de
base tecnolgica em
semicondutores orgnicos
* Empreendedores
* Empresrios
* Professores
* Alunos de graduao e
ps-graduao
* Pesquisadores (ICTs)
Benecirios
* Empresas
* IES (Instituies de Ensino
Superior)
* ICT ( Instituies de
Cincia e Tecnologia,
privadas e estatais
* Sociedade em geral
Objetivos Especcos
* Aumento da integrao
intra-academia ( pesquisa-
dores, professores, alunos de
graduao e ps-graduao de
uma mesma IES ou de vrias
* Aumento da integrao entre
academia e empreendedores
(efetivos ou potenciais)
* Aproximao empresa-
academia
* Maior penetrao de
produtos base de eletrnica
orgnica no mercado
* Melhores condies para
recebimento de seede venture
capital
* Oportunidade de
crescimento prossional para
os envolvidos
Figura 20 - |st:utu:+ +n+||t|c+ ,+:+ o ,:o,cto |m,:ccnocoo:|smo cm ||ct:on|c+ O:gn|c+ com ||+nos oc
|cgoc|o
As instituies mencionadas nas ilustraes anteriores so sugestivas e de forma alguma excluem
a participao de outras instituies que possuam a competncia necessria. (DE MEDEIROS E
SHAYANI, ).
As aes apresentadas visam responder s mais urgentes necessidades para o desenvolvimento
da indstria de eletrnica orgnica no pas, e esto alinhadas com os resultados dos seminrios e
workshops promovidos pelo CGEE (Anexo ). (DE MEDEIROS E SHAYANI, ).
41
Descritores do
problema
* Distanciamento entre
empresas e centros de
pesquisa
* Escassez de equipes
multidisciplinares para
tratar o assunto de forma
mais ampla
* Incentivos insucientes
* Baixa integrao entre
polticas pblicas e o setor
de semicondutores
orgnicos
* Escassez de recursos
humanos com conhecimen-
tos tcnicos sobre
tecnologias emergentes
* Indenies e incertezas
quanto a aspectos de
regulamentao, normas,
padres tcnicos e garantia
da qualidade, tanto na
produo para atender ao
mercado nacional quarto
para integrao ao mercado
mundial
Ao
Pblico Alvo
Demonstradores de
Tecnologia
Problema
Tecnologia com baixa
maturidade e desempenho
insuciente
Objetivo Geral
Aumento do desempenho e
maturidade tecnolgica de
prottipo e produtos.
* Pesquisadores (ICTs)
* Professores
* Alunos da graduao e
ps-graduao
* Empreendedores
* Empresrios
Benecirios
* IES (Instituies de Ensino
Superior)
*ICT ( Instituies de
Cincia e Tecnologia,
privadas e estatais
* Empresas
* Metrologia
* Sociedade em geral
Objetivos Especcos
* Aumento da integrao
intra-academia ( pesquisadores,
professores, alunos de
graduao e ps-graduao de
uma mesma IES/ICT ou de
vrias
*Aumento da integrao entre
centros de pesquisa e empresa
* Favorecer o surgimento de
grupos interdisciplinares com
objetivos comuns
* Evidenciar a capacidade de
produo tecnolgica e
motivar abertura de novas
linhas de nanciamento
* Formar abundantemente
novos recursos humanos para o
setor.
* Favorecer o avano da
regulao e metrologia a partir
da ampliao da capacidade
tecnolgica instalada e difuso
do conhecimento.
Figura 21 - |st:utu:+ +n+||t|c+ ,+:+ o ,:o,cto |cmonst:+oo:cs oc 1ccno|og|+
Finalmente, o quadro de aes que se acaba de desenhar no deixa de pertencer a um macro-
-processo de desenvolvimento, o qual ilustrado pelo roadmap proposto em De Medeiros e
Shayani (), no Anexo .
42
REFERNCIAS
8|||^|O:|. ^. CO|1|. |. VOU^UX. | ^ ncw mct|oo o| ||g|t cm|ss|on by cc:t+|n o:g+n|c
com,ounos J. Chim. Phys n ,o. , o|. +,,,
8U||||^|. |^. C|||:1||:||. C|. v||||v|||1. :C Strategic management of
technology and innovation, | co. |c:+w-||||. |cw :o:|. U:^. ioo|
C^::|O|^1O. |. U|||:|. : Como elaborar modelo lgico: roteiro para formular programas e organizar
avaliao. |ot+ 1ccn|c+. |||^ |nst|tuto oc |csu|s+ |conom|c+ ^,||c+o+. 8:+s|||+ ||. io+o
C||1|O oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos - C|| Semicondutores orgnicos: proposta para uma
estratgia brasileira. C||. 8:+s|||+. ||. ioo;
C|||:1||:||. C | The Innovators dilemma |+:v+:o 8us|ncss :c|oo| |:css. C+mb:|ogc. U:^. +,,;
COX. | Expanded report: organic electronics, a Brazilian perspective to value chain. |ot+ 1ccn|c+.
C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. ioo,
C|||O|^. | Avaliao do potencial de aplicaes possveis dos semicondutores orgnicos, |ot+
1ccn|c+. C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. iooo
C|U|C|:|^||. C Commercial analysis of the organic semiconductor industry |n O|^||C
|||C1|O||C: CO||||||C|. iooo |:+n||u:t. c:m+ny. iooo
|+ :||V^ ||||O. | Semicondutores orgnicos, um enfoque na cadeia de valor |ot+ 1ccn|c+. C||
Ccnt:o oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. ioos
____ Semicondutores orgnicos para iluminao, Relatrio de Atividades. C|| Ccnt:o oc
cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. ioo,
|+ :||V^ ||||O. |. COX. |. Vc:cs. | Cadeia de valor de semicondutores orgnicos, relatrio
consolidado |ot+ 1ccn|c+. C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. ioo,
||:1||^U . :^||: | |:c,+:+t|on oc subst+nccs |um|ncsccntcs ,+:t|cu||c:cmcnt scns|b|cs +
|+ct|on ocs c|+m,s c|cct:|ucs Journal de Phisique et le Radium . v o. n +. , +i. +,|,
|c ||||||O:. ||. :|^:^||. |^ Indstria da eletrnica orgnica no Brasil - resultado da
avaliao das estratgias propostas em 2007 e roadmap para o estabelecimento da indstria
da eletrnica orgnica no Brasil. |ocumcnto oc 1:+b+||o. C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos
|st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. io++
U||||. |. ||||^|||z. | US Patent 3172862, +,o,
43
||||||C|. v. :C|||||||. v |ccomb|n+t|on :+o|+t|on |n +nt|:+ccnc c:yst+|s Physical Review
Letters. v +|. n ;. ,. ii,-i,+. +,o,
|^:|^. | Chem. Rev. v |+. n i. +,|;. , |o+
|||^||^. | Lderes mundiais em eletrnica orgnica. |ot+ 1ccn|c+. C|| Ccnt:o oc cstio c
|stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. iooo
|O||. |. |^|||^||. ||. |^|^|1|. | ||cct:o|um|ncsccncc |n o:g+n|c c:yst+|s Journal of
Chemical Physics. v ,s. , io|i. +,o, |o| +o+oo,;+
|O|1||. | | Competitive advantage: creating and sustaining superior performance. |cw :o:|
Co|||c: |+cm|||+n +,s,
____ v|+t |s st:+tcgy Harvard Business Review. C+mb:|ogc. U:^. |ovcmbc:-|cccmbc:. +,,o. ,
o+-;s
||O |^||| Organic electronics: market, research and technology. :io |osc oos C+m,os. :|. io++
|O|^|. |: Aplicaes comerciais existentes utilizando semicondutores orgnicos. |ot+ 1ccn|c+.
C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos |st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. iooo
____ Grupos de pesquisa brasileiros diretamente relacionados a semicondutores orgnicos,
e as atividades de pesquisa correlatas. |ot+ 1ccn|c+. C|| Ccnt:o oc cstio c |stuoos
|st:+tcg|cos. 8:+s|||+. ||. iooo
44
COLABORADORES
Contribuies diretas ou indiretas de especialistas colaboradores enriqueceram os estudos reali-
zados pelo CGEE desde at a presente data. O CGEE agradece e cumprimenta a cada um
cordialmente:
Adelaide Maria de Souza Antunes, aantunes@inpi.gov.br, especialista snior do Instituto
Nacional da Propriedade Industrial (Inpi), professora permanente do Programa de Ps Gradu-
ao do Mestrado Profissional em PI e Inovao do Inpi, professora permanente do Programa
de Ps Graduao de Tecnologia de Processos Qumicos e Bioqumicos da Escola de Qumica da
Universidade Federal do Rio de Janeiro.
Adriano Reinaldo Vioto Benvenho, adriano.benvenho@ufabc.edu.br, doutor em Fsica;
Professor da Universidade Federal do ABC na rea de sntese e caracterizao de semicondu-
tores. Atua principalmente no desenvolvimento de dispositivos optoeletrnicos orgnicos.
Alexandre Marletta, marletta@ufu.br, doutor em Fsica e professor do Instituto de Fsica da
Universidade Federal de Uberlndia. Atua principalmente no estudo das propriedades fotofsicas
de semicondutores orgnicos. Membro do INCT de Eletrnica Orgnica.
Ana Maria Rocco, amrocco@eq.ufrj.br, professora da Escola de Qumica (EQ) da Universidade
Federal do Rio de Janeiro (UFRJ) e coordena o Grupo de Materiais Condutores e Energia (GMCE).
Atua nas reas de Qumica e Engenharia Qumica, em diferentes especialidades, dentre as quais
pode-se destacar a Qumica do Estado Condensado, a Nanotecnologia e o setor de Energia.
Andressa Gusmo, mestre em Engenharia Qumica, da Escola de Qumica da Universidade
Federal do Rio de Janeiro.
Carlos Venicius Frees, carlos.frees@abdi.com.br, especialista em projetos TIC da Agncia Brasi-
leira de Desenvolvimento Industrial (ABDI).
Celio Costa Vaz, celiovaz@orbital-eng.com, doutor em Cincia pelo Instituto de Aeronutica e
Espao - IAE. Diretor de Engenharia da Orbital Engenharia.
45
Daniel Bicalho Hoefle, danielhoefle@gmail.com, engenheiro qumico.
Danielle Moraes, danielle.moraes@csembrasil.com.br, doutora em Fsica pela UniversidadeFe-
deral do Rio de Janeiro (UFRJ). Trabalhou durante oito anos na Agncia Europia de Pesquisa
Nuclear (Cern), na Sua, na pesquisa e coordenao de projetos no mbito de colaborao
industrial. Atualmente gerente de P&D e projetos no CSEM Brasil e responsvel pelo termo
de cooperao tcnica assinado com o governo de Minas Gerais e Fapemig para desenvolver
produtos com eletrnica orgnica.
Demtrio A. da Silva Filho, dasf@unb.br, professor doutor do Instituto de Fsica da Universi-
dade de Braslia (UnB) e consultor do CGEE.
Eduardo Grizendi, egrizendi@inatel.br, mestre em Engenharia de Telecomunicaes, com
graduao em engenharia eletrnica, e professor no Instituto Nacional de Telecomunicaes
(Inatel), Inatel na rea de Desenvolvimento de Negcios. Consultor de empresas e instituies
de pesquisa em incentivos inovao, blog: www.eduardogrizendi.blogspot.com, colabora com a
RNP, o CGEE e o Softex.
Emy Niyama, emy.niyama@noddtech.com, doutora em Cincia dos Materiais, com graduao
e mestrado em Qumica. Atualmente diretora e scia fundadora da NODDtech, que desen-
volve novos produtos fluorescentes destinados ao mercado de marcadores de segurana que
permitem certificao de origem e rastreamento de produtos, alm da linha j disponvel no
mercado de marcadores de protenas. A empresa tambm atua no desenvolvimento de displays
OLED com recursos provenientes do INOVA (FINEP-SEBRAE/RS).
Fernando Ely, fernando.ely@cti.gov.br, Tecnologista Pleno no Centro de Tecnologia da Infor-
mao Renato Archer (CTI). Possui mestrado e doutorado em Qumica pela Universidade
Federal de Santa Catarina e ps-doutorado em displays e eletrnica orgnica pelo Centro de
Pesquisas Renato Archer (Cenpra/MCT). Tem experincia na rea de Qumica, com nfase em
Sntese Orgnica, e tambm em Displays, Eletrnica Orgnica e Clulas Solares.
Fernando Josepetti Fonseca, fernando.fonseca@poli.usp.br, professor da Escola Politcnica da
Universidade de So Paulo, onde atua no desenvolvimento de dispositivos eletrnicos envol-
vendo materiais orgnicos tais como sensores, OTFT, PLED e clulas solares orgnicas.
46
Henrique de Oliveira Miguel, henrique@mct.gov.br, Coordenador-Geral de Microeletrnica
do Ministrio de Cincia e Tecnologia (Sepin/MCT).
Jos Geraldo de Melo Furtado, furtado@cepel.br, doutor em Engenharia de Materiais; pesqui-
sador nas reas de Materiais Eletro-Eletrnicos, Microscopia e Eletroqumica, atuando no Centro
de Pesquisas de Energia Eltrica da Eletrobrs (Cepel).
Jos Gil Oliveira, gil@iee.usp.br, mestre de cincias da energia pela USP, doutorando em Enge-
nharia Eltrica pela Escola Politcnica da USP e atualmente Chefe da Seo Tcnica de Foto-
metria do Instituto de Eletrotcnica de Energia. Atua junto ao Laboratrio Piloto de Programas
de Proficincia por Comparaes Interlaboratoriais do Programa Brasileiro de Etiquetagem, PBE
Inmetro/Procel-Eletrobrs.
Jos Mauro Fernandes Braga, jmfbraga@oi.com.br, doutor em Tecnologia de Processos
Qumicos e Bioqumicos. Professor Associado da Escola de Engenharia da Universidade Federal
Fluminense (UFF) e da Faculdade de Administrao e Cincias Contbeis. Membro-fundador da
Sociedade Brasileira de Finanas (SBF).
Isac Roizenblatt, isac.roizenblatt@uol.com.br, engenheiro eletricista, mestre em Energia, doutor
em Arquitetura e Urbanismo e Consultor da Pr Light and Energy Consultants.
Ivo Alexandre Hmmelgen, iah@fisica.ufpr.br, professor do Departamento de Fsica da Univer-
sidade Federal do Paran.
Jeferson Borghetti Soares, jborghettisoares@yahoo.com.br, engenheiro qumico, MSc. e DSc.
em cincias de planejamento energtico pela Coppe/UFRJ. Foi pesquisador da COPPE/UFRJ
entre e . Trabalha na Empresa de Pesquisa Energtica (EPE).
Josealdo Tonholo, tonholo@qui.ufal.br, professor da Universidade Federal de Alagoas.
Leni Akcelrud, leni@ufpr.br, coordenadora do Laboratrio de Polmeros Paulo Scarpa da
Universidade Federal do Paran (LaPPS UFPR), com atividades envolvendo a sntese de pol-
meros eletrnicos.
47
Lilian Ribeiro Mendes, lilian@bndes.gov.br, gerente setorial do Departamento do BNDES (AI/
Detic) responsvel pelo financiamento ao setor de Tecnologias de Informao e Comunicao (TIC).
Lucimara Stolz Roman, lsroman@fisica.ufpr.br, atua no desenvolvimento de clulas solares org-
nicas na Universidade Federal do Paran (UFPR).
Luiz Otavio Siqueira Cesar, l.cesar@csembrasil.com.br, atua junto ao Centro de Inovaes CSEM
Brasil e FIR Capital.
Manuel Steidle, mas@certi.org.br, atua junto Fundao Certi.
Marco Antonio Galdino, marcoag@cepel.br, pesquisador do Centro de Pesquisas de Energia
Eltrica da Eletrobras (Cepel). Atua na rea de energia solar e tem interesse em clulas fotovol-
taicas orgnicas, principalmente do tipo Dye Sensitized Solar Cells (DSC).
Marco Cremona, cremona@fis.puc-rio.br, professor doutor do Departamento de Fsica da
PUC-Rio e, tambm, coordenador do laboratrio de dispositivos orgnicos, Lador, da Diviso de
Metrologia de Materiais (Dimat) do Inmetro.
Nair Stem, nairstem@hotmail.com, bacharel em Fsica (IFUSP), mestre e doutora em Enge-
nharia (EPUSP). Atualmente, ps-doutoranda da EPUSP, se dedicando ao desenvolvimento e
caracterizao de filmes finos (dixido de titnio dopado com carbono entre outros), e otimi-
zao de etapas de processos para dispositivos.
Neyde Murakami Iha, neydeiha@iq.usp.br, atua no Instituto de Qumica da Universidade de So
Paulo.
Nelson Veissid, veissid@las.inpe.br, atua no Laboratrio Associado de Sensores e Materiais do
Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais.
Patrcia Boson, tita@uaigiga.com.br, engenheira civil, especializao em recursos hdricos;
atuao na rea de formulao de polticas pblicas, planejamento e gesto de recursos hdricos
e meio ambiente.
48
Paulo Roberto Krahe, pkrahe@finep.gov.br, atua na Financiadora de Estudos e Projetos (Finep)
Rafael Amaral Shayani, shayani@unb.br, professor do Departamento de Engenharia Eltrica da
Universidade de Braslia, e realiza pesquisas com sistemas solares fotovoltaicos.
Reinaldo Lopes Ferreira, reinaldo@rlf.com.br, mestre em Engenharia da Produo, diretor da
Elo Design e professor associado da Fundao Dom Cabral.
Roberto Mendona Faria, faria@ifsc.usp.br, do Instituto de Fsica de So Carlos/USP; Coorde-
nador do INCT de Eletrnica Orgnica.
Rosana C. Di Giorgio, rosana.giorgio@bioetanol.org.br, Gestora de Negcios do Laboratrio
Nacional de Cincia e Tecnologia do Bioetanol (CNPEM CTBE).
Victor Pellegrini Mammana, victor.mammana@cti.gov.br, Chefe da Diviso de Superfcies de
Interao e Displays (DSID) do Centro de Tecnologia da Informao Renato Archer (CTI).
Vladimir Kudrjawzew, vladimir@ecocorp.com.br, presidente da ECOCorp.
49
ANEXO I
Propostas para soluo de gargalos e articulao multi-institucional necessria segundo De
Medeiros e Shayani (2011)
Inovao
Gargalo identificado:
1 Distanciamento entre empresas e centros de pesquisa. Muitas pesquisas so realizadas sobre assuntos tericos, com
pouca possibilidade de convergncia para produtos de mercado, no oferecendo, em curto prazo, uma soluo para as
demandas apresentadas pelo mercado consumidor.
Item Proposta de soluo Responsvel
1.1 Estabelecer as linhas e polticas de atuao para as atividades de
P&D, promovendo a interao entre Universidades, Institutos e
Centros de Pesquisas com o setor produtivo e com os potenciais
grandes consumidores de componentes semicondutores.
MCT / CNPq, Finep
1.2 Incentivar P&D diretamente relacionados ao setor produtivo
nacional, atravs de editais especficos.
MCT, Finep
1.3 Estimular a criao de Centros de Pesquisa e Desenvolvimento
dentro das prprias indstrias.
Centros de Desenvolvimento
Tecnolgicos, Finep
1.4 Estimular que Centros de Pesquisa e Universidades se aproximem
das empresas, atravs de editais especficos focados no
desenvolvimento de produtos.
MCT, Finep
1.5 Estimular o estabelecimento de parcerias entre universidades e
indstrias.
Finep
1.6 Estimular a pesquisa em tecnologia e no desenvolvimento de
produtos
FAPs, Finep
1.7 Estimular que as empresas invistam em pesquisa, para usufruir da
transferncia de tecnologia.
Empresas, Finep
Gargalo identificado:
2 Baixo estmulo efetiva fabricao e comercializao de produtores inovadores baseados em semicondutores orgnicos.
Item Proposta de soluo Responsvel
2.1 Estimular projetos inovadores em empresas, atravs da
subveno econmica, de componentes ou produtos utilizando
semicondutores orgnicos.
Finep, CNPq
2.2 Realizar chamadas temticas de inovao tecnolgica para
Universidades/Centros de Pesquisa que, em parceria com empresas
tecnolgicas, possam elaborar produtos/aplicaes/inovaes
tecnolgicas utilizando a eletrnica orgnica.
Finep
2.3 Integrar os diferentes grupos de pesquisa existentes. Finep
50
Gargalo identificado:
3 Escassez de equipes multidisciplinares para tratar o assunto de forma mais ampla.
Item Proposta de soluo Responsvel
3.1 Formao de equipes de pesquisa multidisciplinares (com
engenheiros, fsicos, qumicos, bilogos, administradores,
economistas, etc.), para que a pesquisa em cincia bsica focalize o
desenvolvimento de produtos visando o mercado.
3.2 Incentivar alunos de cursos de mestrado e doutorado a investirem
em pesquisas com temas multidisciplinares (produo, logstica,
processos, nanas, marketing, pessoas, P&D, entre outros), em
conjunto com as empresas que esto desenvolvendo projetos
referentes energia orgnica, de tal maneira que haja uma
convergncia comum de ambos objetivos.
Universidades
Mercado
Gargalo identificado:
4 Baixa penetrao dos semicondutores orgnicos nos produtos comercialmente utilizados.
Item Proposta de soluo Responsvel
4.1 Prospectar potenciais nichos de mercado: LEDs, sensores de
gases, clulas fotovoltaicas e aplicaes em eletrodomsticos,
rdios, celulares, peas eletrnicas para carros e determinados
equipamentos industriais.
4.2 Identicar associaes de empresas que sero possveis clientes do
produto, pois suas necessidades e expectativas podem direcionar
os esforos (FINEP poderia nanciar um estudo a ser realizado por
Empresa de Consultoria especializada em estudos de tendncias).
4.3 Financiar os projetos de empresas que pretendam comercializar
produtos que j desenvolveram neste campo.
Finep
4.4
Utilizar o poder de compra do Estado.
51
Incentivos
Gargalo identificado:
5 Incentivos insucientes para que os produtos a serem produzidos em territrio nacional sejam competitivos no mercado
mundial (exportao).
Item Proposta de soluo Responsvel
5.1 Promover iseno scal para OLEDs voltados iluminao.
5.2 Incentivar atravs das agncias nanciadoras, ou atravs de subsdios. Governo
Gargalo identificado:
6 Difcil concorrncia no mercado nacional com os produtos importados, notadamente os de origem chinesa, devido
elevada carga tributria.
Item Proposta de soluo Responsvel
6.1 Criao de padres de qualidade para os produtos, tanto nacionais
quanto importados, para evitar importao de produtos baratos e
de baixa qualidade.
Inmetro
6.2
Proteger a indstria nacional nascente, diminuindo a proteo
medida que ganha escala de produo.
MCT, MF
Gargalo identificado:
7 Baixa integrao entre as polticas pblicas e o setor de semicondutores orgnicos.
Item Proposta de soluo Responsvel
7.1 O desenvolvimento tecnolgico nesta rea deve ser tratado como
questo de Estado, pois uma maior ecincia energtica dos
dispositivos eltricos nos domiclios, indstrias e servios pblicos
reduz a presso da demanda por eletricidade.
MME
7.2 Aproveitar a oportunidade global de estmulo ao desenvolvimento
de uma economia verde e ou uma economia de baixo carbono.
Considerando as vantagens dos semicondutores orgnicos, tais como
a possibilidade de reduo de tamanho dos dispositivos eletrnicos,
reduo no consumo de eletricidade, exibilidade mecnica, alm
do baixo custo (utilizados para a criao de painis solares mais
baratos, alm de telas em tecidos ou papel) ca evidente que
tanto a legislao ambiental vigente, como todas as negociaes
multilaterais na rea ambiental, traduzidas recentemente pelas
COP da biodiversidade e de mudanas do clima, constituem-se em
cenrios que estimulam o estabelecimento de uma indstria de
semicondutores orgnicos no Brasil.
MMA
52
Item Proposta de soluo Responsvel
7.3 Desenvolver polticas ambientais de maior estmulo produo de
semicondutores orgnicos., incluindo a identicao de acordos e
convnios multilaterais.
MMA
7.4 Avaliar a oportunidade de abordagem da temtica no mbito do
Plano Nacional de Mudana do Clima.
MMA / MCT
7.5 Implantar, no mbito da Poltica de Desenvolvimento
Produtivo, programas estruturais especcos para a produo de
semicondutores.
MDIC / ABDI
7.6 Incluir o tema no Plano Nacional de Ecincia Energtica. MME
7.7 Elaborar, em parceria com o poder pblico, polticas industriais
voltadas para economia verde/baixo carbono que inclua, dentre
outras, a produo de semicondutores.
Sistema Indstria CNI/IEL e Federaes
7.8 Desenvolver um arranjo institucional, inovador e gil, com o esprito
de uma sociedade de propsitos especcos, para a economia de
baixo carbono que possa incluir, dentre outras, a produo de
semicondutores orgnicos.
7.9 Necessrio o envolvimento dos Ministrios da Indstria e Comercio,
Cincia e Tecnologia, Educao, Cultura e Fazenda.
7.10 Empresas de inovao, de desenvolvimento de produtos devem
poder optar pelo sistema tributrio SIMPLES.
MF
Gargalo identificado:
8 Dificuldade em encontrar investidores disposto a financiar produtos sem mercado consolidado.
Item Proposta de soluo Responsvel
8.1 Estimular o desenvolvimento das empresas incubadasem
universidades, as quais podem contribuir substancialmente
na etapa entre a pesquisa e o desenvolvimento de produtos
comerciais.
Federaes de Indstrias, Finep,
Amprotec, BNDES, Sebrae
8.2 Direcionar quota dos investimentos de P&D para pesquisas em
semicondutores orgnicos.
8.3 Criar uma linha de financiamento (Prohard, contrapondo-se ao
Prosoft), atravs de recursos reembolsveis, para apoio a projetos
inovadores em empresas, de componentes ou produtos, utilizando
semicondutores orgnicos. Incluso, no Funtec, para contemplar
projetos inovadores, de componentes ou produtos utilizando
semicondutores orgnicos.
BNDES
53
Item Proposta de soluo Responsvel
8.4 Apoiar e financiar projetos para produo de materiais,
componentes e dispositivos baseados em semicondutores
orgnicos. Estmulo ao estabelecimento de processos de fabricao
de produtos inovadores base de semicondutores orgnicos para o
mercado nacional e para exportao.
BNDES
8.5 Congregar as empresas que tenham interesse e capacidade
de participar de projetos destinados fabricao de produtos
inovadores baseados em semicondutores orgnicos. Estimular a
interao entre estas empresas e os setores de pesquisa.
Associaes empresariais
8.6 Incentivar, atravs das agncias financiadoras, ou atravs de
subsdios.
8.7 Incrementar os incentivos fiscais para os fabricantes nacionais.
8.8 Utilizar o poder de compra do estado.
Recursos humanos
Gargalo identificado:
9 Escassez de recursos humanos com conhecimentos tcnicos sobre tecnologias emergentes.
Item Proposta de soluo Responsvel
9.1 Desenvolver estudos, pesquisas e formar prossionais na rea
de semicondutores orgnicos. Atuar tanto na pesquisa bsica
quanto na aplicada na rea de semicondutores orgnicos, inclusive
proporcionando melhor interao entre seus segmentos, unidades
e cursos (p. ex. Qumica, Fsica, Engenharias Qumica, de Materiais,
Eletrnica, cursos de tecnlogos). Realizar cursos de especializao e
incentivar linhas de pesquisa na rea.
Universidades
9.2
Formar prossionais com perl adequado para atuao neste setor.
Universidades ou centros de
desenvolvimento tecnolgicos
9.3 Criar ou reestruturar cursos de graduao com disciplinas voltadas a
tecnologias emergentes.
Universidades
9.4 Estimular Senai, escolas tcnicas e universidades a trabalharem
com esse assunto. Criar um canal de conhecimento entre essas
instituies e os centros de pesquisa e empresas.
9.5
Formar pessoal e estabelecer cursos.
Institutos federais e estaduais que
trabalham com energia alternativa
9.6 Realizar transferncia de tecnologia entre os grupos de pesquisa. CTI, Inmetro, Redenano, Abinfo
54
Regulamentao
Gargalo identificado:
10 Indenies e incertezas quanto a aspectos de regulamentao, normas, padres tcnicos e garantia da qualidade, tanto
na produo para atender ao mercado nacional quanto para integrao ao mercado mundial.
Item Proposta de soluo Responsvel
10.1 Atuar no setor de normalizao e qualidade envolvendo a
produo e os produtos baseados em semicondutores orgnicos.
Normalizao da tecnologia na rea.
Inmetro, ABNT
Opinio pblica
Gargalo identificado:
11 Falta de conhecimento da populao em geral sobre a importncia e as vantagens da utilizao de semicondutores
orgnicos.
Item Proposta de soluo Responsvel
11.1 Divulgar informaes e oferecer/patrocinar cursos de extenso
que permitam disseminar o conhecimento tcnico sobre
semicondutores orgnicos, suas propriedades e caractersticas,
aplicaes e perspectivas, contribuindo assim para o incremento da
cultura nessa rea.
Associaes Prossionais, Cientcas,
Tcnicas, rgos de Classe (CREA, CRQ,
ABPol, ABM, SBPMat, etc.
55
ANEXO 2
Ao:
Estabelecimento de
observatrio mercadolgico
Resultado Esperado:
Elenco de potenciais produtos competitivos
Roadmap para o Estabelecimento da Indstria da Eletrnica Orgnica no Brasil
Viso de futuro para 2020:
Sistema produtivo brasileiro competitivamente integrado cadeia de valor mundial de produtos que utilizam semicondutores
orgnicos
FASE I: Observao do mercado e identicao de oportunidades
FASE II: Planejamento Estratgico
FASE III: Estruturao
FASE IV: Desenvolvimento industrial
Ao:
Articulao entre
governo,empresas e academia
Resultado Esperado:
Formao de parcerias entre empresas e
academias para a criao e fortalecimento de
centros de competncia e Institutos industriais
Ao:
Aprimoramento dos
incentivos scais j
existentes e captao de
investimentos
Oportunidade de mercado
Eventuais parcerias com
empresas estrangeiras
Compras
governamentais
Condies naceiras favorveis
Patentes de inovaes
Recursos humanos qualicados
Resultado Esperado:
Condies favorveis para o
estabelecimento de novas
indstrias
Resultado Esperado:
Superao de gargalos e
registros de patentes de
Inovao
Resultado Esperado:
Recursos humanos
qualicados para atender
demanda industrial
Ao:
Fomento pesquisa e
inovao de forma
coordenada
Empresas prontas
para inserir
produtos no
mercado e atuar
na cadeia de valor
Ao:
Formao de recursos
humanos
Parque
industrial
nacional
operante

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LISTA DE FIGURAS
Figura 1 - Posicionamento dos materiais semicondutores no conjuto das demais categorias de
materiais 14
Figura 2 - Possibilidades de aplicaes da tecnologia de semicondutores orgnicos (fonte:
Cremona, 2006) 16
Figura 3 - Aplicao de iluminao para a tecnologia de semicondutores orgnicos (Cremona, 2006) 17
Figura 4 - Ilustrao do principio de funcionamento da tecnologia de identicao por rdio
freqncia (Cremona, 2006) 20
Figura 5 - Exemplo de etiqueta eletrnica (Fonte: Cremona, 2006). 20
Figura 6 Exemplo de carregador dobrvel para celular (Fonte: Roman, 2006) 20
Figura 7 esquerda uma lmpada LED tradicional - semicondutor inorgnico. direita,
uma lmpada WOLED - semicondutor orgnico (Fonte: Da Silva Filho, 2009) 21
Figura 8 - Integrao de clulas solares em roupas. Produto da G24i (Fonte: Da Silva Filho et al., 2009) 21
Figura 9 - Exemplo de produo roll-to-roll de painis de iluminao OLED (Fonte GE apud Da Silva
Filho et al., 2009) 21
Figura 10 - Tela de AM-OLED (OLED de matriz ativa) no Samsung Galaxy S II 21
Figura 11 - Cadeia de valores para a eletrnica orgnica. (Fonte: Da Silva Filho, 2008) 22
Figura 12 - Representao da cadeia de valor para eletrnica orgnica (Fonte: CRUICKSHANK, 2006) 23
Figura 13 - As 20 empresas mais ativas em pesquisa tecnolgica no campo de OLEDs, por
nmero de aplicaes 29
Figura 14 Atividade tecnolgica relacionada a OLED, 2000-2009 29
Figura 15 - Perl do depsito de patentes (mundo, 2000-2009) apenas para a pesquisa de
tecnologia de OLED propriamente dita, sem considerar as aplicaes 30
Figura 16 - Estrutura analtica do problema. (Fonte: Elaborao prpria). 35
Figura 17 - Estrutura analtica da soluo 36
58
Figura 18 - Fluxo de eventos e instituies envolvidas (proposta). 38
Figura 19 - Fluxo de eventos e instituies envolvidas (proposta). 39
Figura 20 - Estrutura analtica para o projeto Empreendedorismo em Eletrnica Orgnica com
Planos de Negcio. 40
Figura 21 - Estrutura analtica para o projeto Demonstradores de Tecnologia. 41
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 - Alguns indicadores da produo cientca internacional em uma amostra de
pesquisadores 26
Tabela 2 - Alguns indicadores da produo cientca internacional em uma amostra de
pesquisadores 27
Tabela 3 - As vinte 20 empresas mais ativas em pesquisa tecnolgica no campo de OLEDs 28
Tabela 4 - Restries ao desenvolvimento da indstria e problemas delas decorrentes 32