GUA TEMA: El transistor Bipolar Lugar de ejecucin: Fundamentos de Electrnica Tiempo de ejecucin: 3 hrs.

Departamento: Electrnica Ao: Tercero Ciclo: I Asignatura: Electrnica Bsica

I. Objetivos Al finalizar la sesin el alumno estar en la capacidad de mencionar y decribir y Caractersticas del Transistor Bipolar y El amplificador a transistor y Respuesta en frecuencia del Transistor II. Introduccin Terica Transistor de doble juntura o por sus siglas en ingles bi-junction transistor (BJT), es uno de los elementos bsicos en los circuitos electrnicos. El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador o conmutador.

Los transistores pueden ser fabricados en 2 tipos: NPN y PNP, ya que poseen 2 capas tipo N y 1 tipo P; o tambin 2 capas tipo P y 1 tipo N. EL TRANSISTOR puede ser analizado como 2 diodos conectados, esto ayuda mucho en el anlisis de los circuitos que se ensamblan

Entre los tipos de polarizacin que presenta el transistor son:

POLARIZACION FIJA

POLARIZACION CON REALIMENTACION EN EL EMISOR

POLARIZACIN CON REALIMENTACIN EN EL COLECTOR

POLARIZACIN POR DIVISOR DE TENSIN

COMO PROBAR UN TRANSISTOR? Utilizando el multmetro en la escala para probar diodos se procede a medir entre los terminales: Base- emisor, base-colector, tal y como fuesen 2 diodos. Entre colector y emisor debe medir infinito aunque se cambien de puntas el tester. Si es del tipo NPN use la siguiente tabla. Punta roja en... Base Base Colector Emisor Colector Emisor Punta negra en... Colector Emisor Base Base Emisor Colector El multmetro... Marca Marca No Marca No Marca No Marca No Marca

Si es del tipo PNP use la siguiente tabla. Punta negra en... Punta roja en... 2 El multmetro...

Base Base Colector Emisor Colector Emisor

Colector Emisor Base Base Emisor Colector

Marca Marca No Marca No Marca No Marca No Marca

CURVA CARACTERSTICA DEL TRANSISTOR CURVA CARACTERSTICA DE ENTRADA Si graficamos corriente de base (IB eje y) en funcin de voltaje base-emisor (VBE eje x), obtenemos la curva de un diodo; ya que para el analisis y el laboratorio se trabajo como el diodo base-emisor. CURVA CARACTERSTICA DE SALIDA Cuando variamos el voltaje que se aplica a la fuente de base (VBB) y la fuente de colector (VCC) se obtienen diferentes tensiones y corrientes del transistor. Utilizaremos IC y VCE para trazar la curva de colector en fusin de Voltaje colector emisor.

Imaginemos para el circuito anterior una IB de 10uA, al variar VCC se obtienen los datos para la grfica mostrada a la derecha del circuito arriba. En esta grfica existen diferentes zonas, en que el transistor funciona diferente. Primero tenemos la zona central, en la que el valor de VCE puede estar entre 1 y 40 V, aproximadamente. Es la zona ms importante, ya que representa el funcionamiento normal del transistor. En ella el diodo de emisor est polarizado en directa y el diodo de colector tiene polarizacin inversa; como resultado los cambios en la tensin de colector no tienen efecto sobre la corriente de colector. A esta zona se le da el nombre de zona activa.

La zona activa es la parte horizontal de la curva, en ella la corriente de colector es constante. La zona de ruptura es la zona de la destruccin o degradacin del transistor, ya que un transistor no est diseado para funcionar en dicha zona. Finalmente, tenemos la parte ascendente de la curva, donde VCE est comprendida entre cero y unas pocas decenas de voltio. Esta parte inclinada de la curva se llama zona de saturacin. En esta zona, la corriente de base es mayor de lo normal, y la ganancia de corriente dc es menor de lo normal. Utilizando el mismo eje, pero ahora con una IB de 20uA y variando el VCC se obtiene una 2 curva similar a la anterior. Si hacemos esto repetidas veces para 30uA, 40uA, etc.; se obtiene la siguiente grfica:

Hay dos tipos bsicos de circuitos de transistores: amplificadores y conmutadores. Los amplificadores, el punto Q debe permanecer en la zona activa bajo todas las condiciones de funcionamiento; si no lo hace, la seal de salida se vera distorsionada en l0s picos, donde ocurren la saturacin y el corte. El circuito conmutador o interruptor, el punto Q normalmente conmuta entre saturacin y corte. El transistor que usaremos en el laboratorio es el 2N2222A (o equivalente), con las siguientes caractersticas:

Consideraciones para el diseo de la polarizacin bsica Existen varios mtodos para el diseo de la red que nos permite polarizar correctamente el transistor. Uno de ellos es partir de sus curvas caractersticas y fijar el punto de trabajo. Para un funcionamiento lineal del transistor, ste debe estar polarizado en su zona activa. Esto limita la regin de funcionamiento al primer cuadrante de las curvas caractersticas Vce, Ic. La polarizacin en las regiones de corte y saturacin presenta inters en los circuitos de conmutacin en los que el transistor se comporta como un elemento no lineal. Dentro de la regin activa es necesario restringir la regin de funcionamiento basndonos en las caractersticas limitativas del transistor como son: Tensin mxima Vce(max): Definida en funcin de la tensin de avalancha. Los valores tpicos son del orden de 30 a 50 voltios para transistores de uso general. Corriente mxima Ic(max): Valores tpicos son de 800 mA. Por encima de estas corrientes las caractersticas del transistor se degradan. Potencia mxima disipada: La potencia disipada por un transistor en el punto de trabajo es: Esta potencia produce un calentamiento del transistor que da lugar a una limitacin efectiva en funcin de la temperatura mxima soportable, que suele ser del orden de los 150 en la unin. 5

Uno de los circuitos de polarizacin ms ampliamente utilizado es aquel que emplea una resistencia en serie con el emisor, con el fin de lograr estabilidad del punto de trabajo. La realimentacin introducida por esta resistencia es la clave de la estabilidad conseguida. CIRCUITO DE POLARIZACIN EMISOR COMUN

Este circuito tiene la ventaja de que una intensificacin de la corriente en el transistor altera la cada de tensin en Re, de manera que debilita la corriente de polarizacin de base. El circuito de polarizacin se analiza mejor convirtiendo el divisor de tensin de R1 y R2 en su circuito equivalente de Thvenin. Con el circuito equivalente para cc, puede calcularse el punto de trabajo de la siguiente manera. En primer lugar, sobre las caractersticas del transistor se traza la recta de carga adecuada, la cual contiene RC y Re. A continuacin se escriben las ecuaciones de la segunda ley de Kirchhoff para las tensiones a lo largo del circuito de base. Teniendo presente la aproximacin IE. Ic. De estas ecuaciones se despeja Vce en funcin de la corriente de base Ib. Resultando la curva de polarizacin.

La interseccin de esta curva de polarizacin con la recta de carga da el punto de trabajo, tal como se indica en la figura:

III. Materiales y Equipo

CANTIDAD DESCRIPCION

IV. Procedimiento PARTE I. RECONOCIMIENTO DE UN TRANSISTOR PNP O NPN Mida en la escala de diodos al transistor NPN (2N2222) y complete la tabla RBC Base + Medicin Repita la medicin para el transistor PNP (MM5007). RBC Base + Medicin Clasifique 5 transistores de huesera como: NPN, PNP o daado; colocando las puntas del tester como lo indica la tabla en cada pin. Base Base + RBE Base REC Emisor + Emisor Base Base + RBE Base REC Emisor + Emisor -

Pin 1: Punta roja Pin 2 Pin 3 1 2 3 4 5

Pin 2: Punta roja Pin 1 Pin 3

Pin 3: Punta roja Pin 1 Pin 2

TIPO

PARTE II. EL TRANSISTOR COMO INTERRUPTOR Implemente el circuito de la figura y compruebe los valores que se sugieren en la tabla 1, as mismo complemente los valores que se le indican.

SW Abierto Cerrado

VC

IB

IC

IE

Estado del led (0 / 1)

Arme el circuito de la figura y pida revisin. Complete la tabla midiendo los datos que se le piden

SW Abierto Cerrado

VC

IB

IC

IE

Estado del led (0 / 1)

DISEO Disee un circuito de transistor como interruptor, que active un rel de 12 voltios utilizando un transistor PNP. Solucin.

a) Necesitamos saber la corriente del rel para saber que tipo de transistor utilizaremos. Conecte el rel a los 12 voltios, mida y anote la corriente de consumo. ________________mA b) Utilizamos un transistor PNP que tenga la capacidad de soportar dicha corriente cuando esta en saturacin. (IC max) c) Buscamos en el manual el factor de ganancia (beta) y la corriente de colector mxima (que es para saturacin)

d) Utilizando la formula F = IC / IB, despeje IB y calcule: ________________

e) Elija el voltaje que aplicar a la base del transistor (5, 12 voltios, etc) f) Una vez elegido el voltaje, realice el clculo segn formula de ley de Ohm: R = (voltaje elegido-0.7) / IB para calcular RB g) Proceda a armar el circuito de la figura con los valores que calcul y pide revisin. h) Para probar el circuito, cierre y abra el interruptor para escuchar la activacin del rel Para la investigacin complementaria deber realizar un diseo con el 2N2222 PARTE III. PARAMETROS EN DC Y ANALISIS DE SEALES A) EMISOR COMUN 1. Con la fuente apagada, arme el circuito mostrado y solicite revisin. 2. Mida Ib, Ic, Ie, Vbe, Vce y antelos en la siguiente tabla (no olvide colocar las unidades respectivas).
Ib Medicin Teora Ic Ie Vbe Vce Ic / Ib (F) Ic / Ie ( ) Polarizacin Emisor Comn

B) GANANCIA DE VOLTAJE (Av) 1. Utilizando el mismo circuito, ajuste el generador de seal a 100mVp con una frecuencia de 1KHz. 2. Con el equipo apagado, conecte 2 capacitores, el generador y osciloscopio como se muestra en la figura y solicite revisin.

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3. Mida la seal de salida del colector y dibjela en el oscilograma. 4. Complete:

Voltaje de entrada (Vi) 100mVp Voltaje de salida (Vo) Ganancia (Vo / Vi)

5. Apague y conecte un capacitor de 100uF en paralelo con la RE, y pida revisin. 6. Energice y vuelva a medir y dibujar la seal. Observe si hubo un aumento de ganancia.

Vi 100mVp

Vo

Ganancia (Av = Vo / Vi)

7. Apague y conecte a la salida una resistencia de 4.7K (carga=RL). Pida revisin, deber ir a tierra. 8. Vuelva a medir el Vo y calcule Av.
Vi 100mVp Vo Ganancia (Av = Vo / Vi)

C) SATURACION DE LA SEAL 9. Observe en el osciloscopio, Qu sucede cuando la seal de entrada es demasiado grande? Para ello deber aumentar la amplitud del generador de funciones poco a poco hasta 6Vp. Dibuje y mida la seal de salida.

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Vsat: __________ Vp

D) ANCHO DE BANDA 10. Ajuste el generador de seal a 100mVp con una frecuencia igual a la que muestra cada valor de la siguiente tabla, midiendo el valor de salida de la seal. Frecuencia [in] 1Hz 2Hz 3Hz 4Hz 10Hz 100Hz 10KHz 100KHz 200KHz 250KHz 300KHz 350KHz 400KHz 500KHz 600KHz 700KHz 800KHz 900KHz 1MHz 1.2MHz 1.4MHz 1.6MHz 1.8MHz 2MHz Vout [Vp] Ganancia [Av = Vout/Vin]

11. Encierre en una circunferencia las frecuencias en que se mostr una ganancia aproximadamente a 0.707 (al final realizar una grfica de ganancia vrs. Frecuencia) E) COLECTOR COMUN 12

Configuracin Colector Comn

12. Con la fuente apagada, arme el circuito mostrado y solicite revisin. 13. Mida Ib, Ic, Ie, Vbe, Vce y antelos en la siguiente tabla (no olvide colocar las unidades respectivas).

Ib Medicin Teora

Ic

Ie

Vbe

Vce

Ic / Ib (F)

Ic / Ie ( )

F) GANANCIA DE VOLTAJE (Av) 14. Utilizando el mismo circuito, ajuste el generador de seal a 100mVp con una frecuencia de 1KHz. 15. Con el equipo apagado, conecte el generador y Osciloscopio como se muestra en la figura y solicite revisin.

16. Mida la seal de salida y dibjela en el oscilograma. 17. Complete:

Voltaje de entrada (Vi) 100mVp Voltaje de salida (Vo) Ganancia (Vo / Vi)

18. Apague y conecte a la salida una resistencia de 4.7K (carga=RL). Pida revisin, deber ir a tierra. 19. Vuelva a medir el Vo y calcule Av.
Vi 100mVp Vo Ganancia (Av = Vo / Vi)

G) ANCHO DE BANDA 13

20. Ajuste el generador de seal a 100mVp con una frecuencia igual a la que muestra cada valor de la siguiente tabla, midiendo el valor de salida de la seal. Frecuencia [in] 1Hz 2Hz 3Hz 4Hz 10Hz 100Hz 10KHz 100KHz 200KHz 300KHz 1MHz 1.3MHz 1.6MHz 2MHz Vout [Vp] Ganancia [Vout/Vin]

21. Encierre en una circunferencia las frecuencias en que se mostr una ganancia aproximadamente a 0.707 H) Base Comn 22. Utilizando la unidad FACET, conecte generador a la entrada a 100mVp con una frecuencia de 1KHz y un osciloscopio a la salida. Solicite revisin (Deber conectar osciloscopio y alimentacin).

23. Mida la seal de salida y dibjela en el oscilograma. 24. Complete:

Voltaje de entrada (Vi) 100mVp Voltaje de salida (Vo) Ganancia (Vo / Vi)

25. Apague y conecte a la salida la "RL". Pida revisin. 26. Vuelva a medir el Vo y calcule Av.
Vi Vo Ganancia (Av = Vo / Vi)

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100mVp

I) ANCHO DE BANDA 27. Ajuste el generador de seal a 100mVp con una frecuencia igual a la que muestra cada valor de la siguiente tabla, midiendo el valor de salida de la seal. Frecuencia [in] 1Hz 2Hz 3Hz 4Hz 10Hz 100Hz 10KHz 100KHz 200KHz 300KHz 1MHz 1.3MHz 1.6MHz 2MHz Vout [Vp] Ganancia [Vout/Vin]

28. Encierre en una circunferencia las frecuencias en que se mostr una ganancia aproximadamente a 0.707

V. Anlisis de Resultados VI. Investigacin Complementaria y Boylestad, R. Electrnica: Teora de Circuitos y dispositivos electrnicos. 8 edicin. Prentice Hall. 2003. Mxico.

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