TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES Materiales Aislantes Se denomina al material con escasa conductividad elctrica, no existen cuerpos absolutamente aislantes

o conductores, sino mejores o peores conductores, son materiales muy utilizados para evitar cortocircuitos, forrando con ellos los conductores elctricos, para mantener alejadas del usuario determinadas partes de los sistemas elctricos que, de tocarse accidentalmente cuando se encuentran en tensin, pueden producir una descarga, para confeccionar aisladores los materiales utilizados ms frecuentemente son los plsticos y las cermicas.

Materiales Conductores Son aquellos materiales que ofrece poca resistencia al flujo de electrones o electricidad dejando pasar fcilmente la corriente elctrica, de manera semejante como las tuberas conducen agua a travs de un circuito hidrulico. Para que un cuerpo sea conductor necesita tener tomos con muchos electrones libres, que se puedan mover con facilidad de un tomo a otro. La diferencia entre un conductor y un aislante, que es un mal conductor de electricidad o de calor, es de grado ms que de tipo, ya que todas las sustancias conducen electricidad en mayor o en menor medida. Un buen conductor de electricidad, como la plata o el cobre, puede tener una conductividad mil millones de veces superior a la de un buen aislante, como el vidrio o la mica. El fenmeno conocido como superconductividad se produce cuando al enfriar ciertas sustancias a una temperatura cercana al cero absoluto su conductividad se vuelve prcticamente infinita. En los conductores slidos la corriente elctrica es transportada por el movimiento de los electrones; y en disoluciones y gases, lo hace por los iones. TEORA DE LOS SEMICONDUCTORES Materiales Semiconductores Es un material que se comporta como conductor o como aislante dependiendo de la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Material slido o lquido capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles

cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. Tiene 4 electrones en su orbita de valencia. El semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V de la tabla peridica.

EXTRNSECOS
Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". SEMICONDUCTORES INTRNSECOS Los materiales intrnsecos, son aquellos semiconductores que se han refinado cuidadosamente con el objetivo de reducir las impurezas hasta un nivel muy bajo, tan puros como sea posible mediante la utilizacin de la tecnologa moderna

En un material, los electrones libres generados exclusivamente por causas naturales se denominan portadores intrnsecos. A esta misma temperatura, el material intrnseco de germanio contiene aproximadamente 2.5 X 1013 portadores libres por centmetro cbico. La proporcin de portadores libres en el germanio comparada con la del silicio es mayor que 103, lo que podra indicar que el germanio es mejor conductor a temperatura ambiente. Esto puede ser cierto, sin embargo ambos materiales se consideran conductores deficientes en estado intrnseco. Conceptos bsicos  Orbital de valencia: es la ltima orbita del tomo, all se encuentran definidas las caractersticas elctricas del elemento  Electrn libre: es el electrn ubicado en la orbita de valencia y que tiene muy poca fuerza de atraccin con el ncleo por lo que es muy fcil de arrancarse por una fuerza externa  Hueco: es el espacio que deja un electrn en un tomo cuando es arrancado por una fuerza externa  In positivo: es un tomo que ha perdido uno o mas electrones  In negativo: es un tomo que ha ganado uno o mas electrones  Recombinacin: es el proceso en el cual un electrn libre llena un hueco

 Tiempo de vida de un electrn libre: es el tiempo que transcurre entre la creacin de un electrn libre y su desaparicin al ocupar un hueco  Flujo de electrones: al colocar un cristal de Si entre 2 placas metlicas cargadas elctricamente un electrn de la orbita de valencia es repelido por el potencial negativo y llena un hueco que encuentra ms prximo a la placa positiva, este desplazamiento genera un hueco en el tomo que a su vez es ocupado por otro electrn que fue repelido tambin por la placa con potencial negativo, generando un flujo de electrones de la placa con potencial negativo y hacia la placa con potencial positivo. La circulacin de corriente en sta direccin se le conoce como corriente electrnica.  La direccin convencional de corriente viaja de negativo a positivo, en sentido contrario a la corriente electrnica; para efectos del curso siempre tomaremos sta direccin de corriente DOPAMIENTO DE SEMICONDUCTORES Dopamiento de un material tipo p: Se parte de un semiconductor intrnseco, que es un semiconductor qumicamente puro y puede ser de Silicio (Si) o de Germanio (Ge) que tienen 4 electrones libres en su rbita de valencia, ste material se dopa, es decir se le agregan impurezas deliberadamente con el fin de modificar su conductividad elctrica, convirtindolo en un material extrnseco; para generar un semiconductor tipo P, es decir con exceso de huecos, se dopa con impurezas trivalentes (aceptores), como pueden ser el Aluminio (Al), Galio (Ga) o Boro (B); en este dopamiento los portadores mayoritarios son los huecos, ya que superan a los electrones los cuales son los portadores minoritarios. Dopamiento de un material tipo N: Se parte de un semiconductor intrnseco, que es un semiconductor qumicamente puro y puede ser de Silicio o de Germanio que tienen 4 electrones libres en su rbita de valencia, ste material se dopa, es decir se le agregan impurezas deliberadamente con el fin de modificar su conductividad elctrica, convirtindolo en un material extrnseco; para generar un semiconductor tipo N, es decir con exceso de electrones, se dopa con impurezas pentavalentes (donadores), como pueden ser el Arsnico (AS), Antimonio (Sb), Fsforo (P); en este dopamiento los portadores mayoritarios son los electrones, ya que superan a los huecos los cuales son los portadores minoritarios. UNIN PN Se forma por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico.

Los electrones libres que se encuentran en el material N, se recombinan con los huecos que estn prximos del material P, solo hasta alcanzar un equilibrio cerca de la unin de los 2 cristales. Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una barrera de potencial. Una barrera de potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo, conectndolo a una batera. Polarizacin directa Cuando se juntan los semiconductores tipo P y tipo N, forman lo que se conoce como diodo semiconductor, justo en la frontera de los dos materiales se forma la unin PN y en esa unin se forma una rea conocida como zona de Deplecin, que es una barrera de potencial equivalente a 0.3V cuando es material es Ge y de 0.7V cuando se usa Si; Para polarizar en sentido directo esta unin se conecta el potencial positivo de la fuente en el material P y el potencial negativo en el material N, en sta condicin, si la tensin de la batera es menor a la barrera de potencial, los electrones no tienen la suficiente energa para atravesar la zona de Deplecin y no se genera ningn flujo de corriente a travs del diodo, cuando la fuente de alimentacin es mayor a la barrera de potencial, los huecos y los electrones son empujados hacia la unin PN recombinndose con los electrones libres y los huecos libres generando un flujo de corriente a travs del diodo. Polarizacin inversa Para polarizar en sentido inverso sta unin se conecta el potencial negativo de la fuente en el material P y el potencial positivo en el material N, en sta condicin los electrones, portadores mayoritarios, del material N son atrados por el potencial positivo de la fuente y los huecos, portadores mayoritarios, del material P son atrados por el potencial negativo de la fuente generando un ensanchamiento de la zona de Deplecin, la cual depende de la magnitud del voltaje inverso aplicado, la zona de Deplecin deja de aumentar en el momento en que su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada. Cuando la tensin inversa aplicada al diodo es ms grande al especificado, el diodo sufre un dao irreversible, se abre y deja de ser til. FILTRO DE CHOQUE El objetivo del filtro de choque es el evitar las variaciones que presenta una corriente continua. Reluctancia de la bobina Reluctancia del capacitor

Principio de diseo XL RL y XL XC Si la frecuencia tiende a 0 Hz, entonces XL tiende a ser un cortocircuito y XC tiende a ser circuito abierto; por lo que la corriente de carga pasa con pocas perdidas Desventaja: para frecuencias bajas, 60 Hz, la reactancia inductiva tiende a ser muy grande por lo que las bobinas son muy grandes y caras, no son costeables para su aplicacin..

Voltaje de Rizo: son las variaciones que presenta una seal rectificada respeto del valor medio de la onda; su valor esta dado en voltaje pico a pico DIODO ZENER Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones. Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco manteniendo prcticamente constante el voltaje Zener. Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. DIODO EMISOR DE LUZ (LED) Un led1 (de la sigla inglesa LED: Light-Emitting Diode: diodo emisor de luz) es un diodo semiconductor que emite luz. Se usan como indicadores en muchos dispositivos, y cada vez con mucha ms frecuencia, en iluminacin. Funcionamiento El funcionamiento fsico consiste en que, en los materiales semiconductores, un electrn al pasar de la banda de conduccin a la de valencia, pierde energa; esta energa perdida se puede manifiesta en forma de un fotn desprendido, con una amplitud, una direccin y una fase aleatoria. La emisin espontnea, por tanto, no se produce de forma notable en todos los diodos y slo es visible en diodos como los LEDs de luz visible. DIODO SCHOTTKY El diodo Schottky o diodo de barrera Schottky, llamado as en honor del fsico alemn Walter H. Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeos de 5 mm de dimetro) y muy bajas tensiones umbral (tambin conocidas como tensiones de codo, aunque en ingls se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla). La tensin de codo es la diferencia de potencial mnima necesaria para que el diodo acte como conductor en lugar de circuito abierto; esto, claro, dejando de lado la regin Zener, que es cuando ms bien existe una diferencia de potencial lo suficientemente negativa

para que -a pesar de estar polarizado en contra del flujo de corriente- ste opere de igual forma como lo hara regularmente. DIODO VARICAP El diodo de capacidad variable o Varactor (Varicap) es un tipo de diodo que basa su funcionamiento en el fenmeno que hace que el ancho de la barrera de potencial en una unin PN vare en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos. Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500 pF. La tensin inversa mnima tiene que ser de 1 V. DIODO TUNEL El Diodo tnel es un diodo semiconductor que tiene una unin pn, en la cual se produce el efecto tnel que da origen a una conductancia diferencial negativa en un cierto intervalo de la caracterstica corriente-tensin. La presencia del tramo de resistencia negativa permite su utilizacin como componente activo (amplificador/oscilador). Tambin se conocen como diodos Esaki, en honor del hombre que descubri que una fuerte contaminacin con impurezas poda causar un efecto de tunelizacin de los portadores de carga a lo largo de la zona de agotamiento en la unin. Una caracterstica importante del diodo tnel es su resistencia negativa en un determinado intervalo de voltajes de polarizacin directa. Cuando la resistencia es negativa, la corriente disminuye al aumentar el voltaje. VARISTOR Un varistor (variable resistor) es un componente electrnico cuya resistencia hmica disminuye cuando la tensin elctrica que se le aplica aumenta; tienen un tiempo de respuesta rpido y son utilizados como limitadores de picos voltaje. Fabricados bsicamente con xido de zinc y dependiendo del fabricante se le aaden otros materiales para agregarle las caractersticas no lineales deseables. El material se comprime para formar discos de diferente tamao y se le agrega un contacto metlico a cada lado para su conexin elctrica. Se utiliza para proteger los componentes ms sensibles de los circuitos contra variaciones bruscas de voltaje o picos de corriente que pueden ser originados, entre otros, por relmpagos conmutaciones y ruido elctrico.