Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011

Estudio de Topologas y Tcnica de Modulacin SPWM para Inversores Multinivel Trifsicos

Roberto A. Morales M., Omar. A. Sandoval H., Rodrigo I. Arrau A., D.I.E., Ingeniera Civil Electrnica, Universidad de Concepcin
Los inversores multinivel han atrado recientemente el inters en el campo de la electrnica de potencia por su innovacin, ya que poseen propiedades que son adecuadas para la compensacin de var. La estructura nica de fuente de tensin de los inversores multinivel les permite operar con altas potencias y en el rango de MT (media tensin) con baja distorsin armnica y con un nmero relativamente menor de interruptores, dependiendo de la aplicacin. Trminos de ndice Inversor, Multinivel, IPD, Topologa.

Un convertidor multinivel tiene una gran cantidad de ventajas por sobre un convertidor de dos niveles que utiliza altas frecuencias de conmutacin por modulacin de ancho de pulso (PWM). Las caractersticas atractivas de un convertidor multinivel pueden ser descritas brevemente como sigue: Calidad de forma de onda de salida: El Convertidor multinivel no solo puede generar voltajes de salida con baja distorsin, si no tambin reduce las variaciones de la seal ( ), y por lo tanto los problemas de compatibilidad electromagntica (EMC) pueden ser reducidos tambin. Voltaje de modo comn (CM): Los convertidores multinivel producen un bajo voltaje de modo comn, por lo tanto, el estrs en los rodamientos de un motor conectado a un drive multinivel puede ser reducido. Es ms, los voltajes de modo comn, pueden ser eliminados completamente al usar estrategias de modulacin avanzada. Corriente de entrada: Los convertidores multinivel pueden crear corrientes de entrada con muy baja distorsin. Frecuencia de Conmutacin: Los convertidores multinivel pueden operar a la frecuencia fundamental de conmutacin y a altas frecuencias de conmutacin PWM. Se debe destacar que operar a bajas frecuencias de conmutacin usualmente significa menores prdidas en los switches y mayor eficiencia. Desafortunadamente, los convertidores multinivel tambin poseen desventajas. Una desventaja particular es la necesidad de un gran nmero de semiconductores de potencia. Aunque switches de baja tensin tambin pueden ser utilizados en el convertidor multinivel, cada dispositivo requiere de un respectivo circuito drive. Esto puede provocar que la totalidad del sistema se torne ms cara y compleja. Una gran variedad de topologas para los convertidores multinivel han sido propuestas a lo largo de las ltimas dos dcadas. Investigaciones contemporneas se han comprometido con ciertas topologas del convertidor y esquemas de modulacin nicos. Es ms, existen tres diferentes estructuras que han sido reportadas en la literatura: El convertidor en cascada con puentes H y fuentes dc separadas (Cascaded H-bridges), el convertidor con diodo fijador (Diode-Campled Multilevel Inverter), y el convertidor

I. INTRODUCCIN

aplicaciones industriales han comenzado a requerir aparatos que manejen un volumen mayor de potencia en los recientes aos. Algunos drives de motores de MT (media tensin) y aplicaciones utilitarias requieren de voltajes medios y potencias del orden de los megawatts. Para una red de MT, es problemtico conectar un switch de potencia directamente a esta. Por esto, los convertidores multinivel han sido introducidos como una alternativa para aplicaciones en los rangos de MT y AT. Un convertidor multinivel no solo puede manipular una fuente de potencia elevada, sino que tambin permite manipular fuentes de energa renovable, tales como la solar, elica y celdas de combustible. Estas pueden ser fcilmente interconectadas hacia un sistema convertidor multinivel para aplicaciones de alta potencia. El concepto de inversores multinivel fue introducido en el ao 1975. El trmino multinivel comienza con el convertidor de tres niveles. Subsecuentemente, variedades de topologas para convertidores multinivel han sido desarrolladas. Sin embargo, el concepto elemental de un convertidor multinivel para alcanzar grandes niveles de potencia es utilizar una serie de switch de potencia en conjunto con una gran cantidad de fuentes de baja tensin dc para as llevar a cabo la conversin de potencia a travs de la sintetizacin de una seal de voltaje con forma escalonada. Condensadores, bateras y fuentes de voltaje de energa renovable pueden ser empleados como las mltiples fuentes de energa mencionadas. A esto se agrega que las tensiones nominales de los semiconductores de potencia dependen solamente de los niveles de voltaje de las fuentes a la cuales estos se encuentran conectados.
UMEROSAS

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 con diodos flotantes (Flying-Capacitor Multilevel Inverter). Por otra parte, abundantes tcnicas de modulacin y paradigmas de control se han desarrollado para los convertidores multinivel, tales como modulacin por ancho de pulso sinusoidal (SPWM), eliminacin selectiva de armnicos (SHE-PWM), modulacin en espacio de estados (SVM), y otras. A esto se les suma las muchas aplicaciones de los convertidores multinivel enfocados a los drives de motores de MT en la industria, interfaces utilitarias para sistemas de energa renovable, sistemas de transmisin flexible (FACTS), y sistemas de traccin. En el siguiente documento se revisar el estado del arte de la tecnologa inmersa en los convertidores de potencia multinivel. Estructuras fundamentales y la tcnica de modulacin SPWM son discutidas.

II. TOPOLOGIAS DE CONVERTIDORES MULTINIVEL DE POTENCIA Como se mencion anteriormente, las tres estructuras ms populares en la industria son: El convertidor en cascada con puentes H y fuentes dc independientes, el convertidor con diodo fijador, y el convertidor con condensadores flotantes. Antes de continuar en el tpico, se debe notar que el trmino convertidor multinivel es utilizado para referirse a un circuito electrnico de potencia que puede operar en modo rectificador o inversor. La estructura inversora multinivel es la motivacin de este documento, sin embargo, las topologas que se ilustrarn pueden ser implementadas para operaciones de rectificacin tambin. A. Convertidor con Puentes H en Cascada La estructura monofsica de un inversor en cascada de mniveles es ilustrada en la Fig.1. Cada fuente dc separada (SDCS) es conectada a un inversor puente H (o puente completo) monofsico. Cada nivel del inversor puede generar tres salidas de voltaje distinto, , ,y conectando la fuente dc a la salida ac a travs de diferentes combinaciones de los cuatro switches; , , y . Para obtener , los switches y deben estar cerrados, mientras que es obtenido cerrado los switches y . Cerrando los pares y y , la tensin de salida de nula. Las salidas en cada nivel del inversor de puente H estn conectadas en serie de manera que la forma de onda del voltaje sintetizado es la suma de los inversores individuales. El nmero de niveles de la fase de salida es definido por , donde es el nmero de fuentes separadas. Un ejemplo de la forma de onda de voltaje de una fase para 11-niveles de un inversor de puente H con cinco SDCSs y cinco puentes completos se muestra en la Fig. 2. El voltaje de fase viene dado por . Para una forma de onda escalonada como la mostrada en la Fig. 2 con escalones, la Transformada de Fourier es la siguiente:

FIGURA 1 Estructura monofsica de un inversor multinivel puentes H en cascada.

) ( )

)] ( )

De la ecuacin (1), la magnitud de los coeficientes de Fourier normalizados con respecto a son: ( ) [ ( ) ( ) ( )] ( ) Los ngulos de conduccin; , , , , pueden ser escogidos de tal manera que la distorsin armnica total de la tensin sea mnima. Generalmente, estos ngulos son escogidos de forma que los armnicos predominantes de baja frecuencia 5to, 7mo, 11vo, y 13vo sean eliminados [19].

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 Los inversores multinivel en cascada fueron propuestos para aplicaciones tales como generacin esttica de var, una interface para fuentes de energa renovable, y para aplicaciones basadas en bateras. Inversores en cascada

frenado regenerativo. Investigadores han propuesto una topologa en cascada que utiliza mltiples niveles dc, que en vez de ser idnticas en magnitud son mltiplos unos de otros. Se utiliz una combinacin de conmutacin a frecuencia fundamental para algunos de los niveles y conmutacin PWM para otra parte de los niveles para as alcanzar la forma de onda del voltaje de salida. Est versin permite obtener una gran cantidad de magnitudes en el voltaje de salida, sin embargo, esto resulta en tensiones y corrientes nominales diferentes para cada nivel y se pierde la ventaja de utilizar unidades modulares idnticas para cada nivel. Las principales ventajas y desventajas de un convertidor multinivel en cascada con puentes H son las siguientes: Ventajas: El nmero de posibles niveles en el voltaje de salida es mayor al doble de fuentes dc ( ). La serie de puentes H puede fabricarse en forma modular. Esto permite que el proceso de manufactura se vuelva ms rpido y econmico. Desventajas: Fuentes separadas son requeridas para cada puente H. Esto limita su uso a aplicaciones que consten de mltiples SDCSs.

FIGURA 2 Forma de onda de voltaje de fase en la salida para un inversor en cascada de 11-niveles y cinco fuentes dc separadas.

B. Inversor Multinivel con Diodo Fijador En los aos 90s, varios investigadores publicaron artculos

trifsicos pueden ser conectados en configuracin estrella; tal como se muestra en la Fig. 3, o en tringulo. Se ha demostrado que un prototipo de inversor multinivel en cascada con generacin esttica de var conectado en paralelo con el sistema elctrico puede suplir corrientes reactivas desde un sistema elctrico. El inversor puede controlar el factor de potencia de la corriente desde la fuente o el bus de voltaje del sistema elctrico cuando este es conectado. Tambin se demostr que un inversor en cascada puede ser directamente conectado en serie con el sistema elctrico para compensacin esttica de var. Los inversores en cascada son ideales para conectar FIGURA 3 Estructura trifsica en conexin estrella para un drive de un motor y carga fuentes de energa renovable con una red ac, por de bateras pertenecientes a un vehculo elctrico. la necesidad de fuentes dc separadas, que es el caso de celdas fotovoltaicas y de combustible. Inversores en cascada tambin han sido propuestos para el reportando resultados experimentales para convertidores con uso en los drives de traccin principal en vehculos elctricos, diodo fijador de cuatro, cinco y seis niveles, para usos tales donde varias bateras o ultracapacitores son opciones de como compensacin esttica de var, drives de velocidad SDCSs. El inversor en cascada tambin sirve como un variable para motores, y sistemas de interconexin de alta rectificador/cargador para las bateras de un vehculo elctrico tensin. Un inversor con diodo fijador de seis niveles es mientras este se encuentre conectado a una fuente ac, tal como ilustrado en la Fig. 4. Cada una de las tres fases del inversor se ilustra en la Fig. 3. Adicionalmente, el inversor en cascada comparte un bus dc, el cual est subdividido por cinco puede actuar como rectificador en un vehculo que utilice capacitores en seis niveles. La cada de tensin en cada

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 capacitor es , y la cada de tensin en cada dispositivo de conmutacin es limitada a a travs de los diodos fijadores. La Tabla 1 tabula los niveles de voltaje de salida posibles para una fase del inversor, donde la referencia est dada por el terminal dc . Estado 1 significa que el switch se encuentra conduccin y 0 que este se encuentra en corte. Cada fase posee cinco pares de switch complementarios, de tal manera que al estar encendido un switch del par, el otro deber estar apagado. Los pares de switch complementarios para la pierna ), ( ), ( ), ( ) y son ( ( ). La Tabla 1 tambin muestra que en un inversor con diodo fijador, los switches que se encuentran encendidos en una pierna particular de la fase estn siempre adyacentes y en serie. Para un inversor de seis niveles, un conjunto de cinco

Esto significa que un inversor con diodo fijador de -niveles posee una tensin de fase de -niveles y tensin de lnea de ( )-niveles. Aunque cada dispositivo de conmutacin requiere bloquear un voltaje , los diodos fijadores requieren de diferentes valores para el bloqueo de voltaje inverso. Utilizando la fase de la Fig. 4 como ejemplo, cuando todos los switches de la parte baja comprendidos desde hasta estn encendidos, debe bloquear cuatro niveles de voltaje ( ). Similarmente, debe bloquear , debe bloquear , y debe bloquear . Si el inversor es diseado de tal manera que cada diodo de bloqueo posea los mismos niveles que los switches activos, requerir de diodo diodos en serie; consecuentemente, el nmero de diodos

FIGURA 4

Estructura de inversor trifsico de seis niveles con diodo fijador.

Voltaje 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0

Estado de Switch 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 0 0 1

) ( ). As, el necesarios para cada fase debe ser ( nmero de diodos de bloqueo est relacionado cuadrticamente con el nmero de niveles del convertidor con diodo fijador. Una aplicacin para el inversor multinivel con diodo fijador

TABLA 1 Niveles de voltaje en inversor de seis niveles con diodo fijador y los correspondientes estados de switch.

switches se encuentran encendidos en todo momento. La Fig. 5 muestra una de las tres formas de onda de tensiones de lnea para un inversor de seis niveles. El voltaje de lnea esta constituido por el voltaje de fase de la pierna y el voltaje de fase de la pierna . El voltaje de lnea resultante posee una forma de onda escalonada con 11-niveles.

FIGURA 5 Forma de onda de tensin de lnea para un inversor de seis niveles con diodo fijador.

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 es servir de interface entre lneas de transmisin dc de alta tensin y lneas de transmisin ac. Otra aplicacin puede ser como un drive de velocidad variable para motores de alta potencia y media tensin. La compensacin esttica de var es una funcin adicional que una variada cantidad de investigadores han propuesto para el inversor con diodos fijadores. Las principales ventajas y desventajas del convertidor multinivel con diodos fijadores son las siguientes: Ventajas: Todas las fases comparte un bus dc, lo cual minimiza los requerimientos de capacitancia del convertidor. Por esta razn, la topologa back-to-back no es solamente posible si no que tambin prctica para su uso en aplicaciones tales como interconexin back-to-back de alta tensin o drives de velocidad ajustable. Los capacitores pueden ser precargados como grupo. La eficiencia es alta para frecuencia de conmutacin fundamental. Desventajas: El flujo de potencia activa es difcil para un solo inversor por que los niveles dc intermedios tienden a sobrecargarse o descargarse sin un control y monitoreo preciso. El nmero de diodos fijadores requeridos est cuadrticamente relacionado con el nmero de niveles, lo cual puede ser imprctico para unidades con un alto nmero de niveles. C. Inversor Multinivel con Capacitor Flotante Esta estructura fue introducida por Meynard y Foch en el ao 1992. La topologa de este inversor es similar a la del inversor con diodo fijador excepto que en vez de utilizar diodos fijadores, utiliza condensadores. La topologa del circuito de un inversor multinivel con capacitor flotante se muestra en la Fig. 6. Esta topologa posee una estructura con condensadores en escalera, donde el voltaje en cada condensador difiere con el del siguiente. El incremento de voltaje entre dos piernas adyacentes entrega el tamao del escaln de voltaje en la seal de salida. Una ventaja del inversor con diodo flotante es que posee redundancias en niveles internos de voltaje; en otras palabras, dos o ms combinaciones de switches vlidos pueden sintetizar una tensin de salida. La Tabla 2 ensea una lista de todas las combinaciones de tensiones de fase posibles para el inversor de seis niveles ilustrado en la Fig. 6. A diferencia del inversor con diodo fijador, el inversor con capacitor flotante no requiere que todos los switches que estn en on se encuentren en serie. Es ms, el inversor con capacitor flotante posee redundancias de fase, mientras que el inversor con diodo fijador posee solamente redundancias lnea a lnea. Estas redundancias permiten la opcin de cargar/descargar condensadores especficos y pueden ser incorporados en el sistema de control para balancear las tensiones a lo largo de

varios niveles. ) capacitores de enlace dc, el Adicionalmente a los ( inversor multinivel con capacitor flotante de -niveles ) ( ) condensadores auxiliares requiere de ( por fase si el voltaje nominal de los condensadores es idntico al de los switches principales. Una aplicacin propuesta en la literatura para el inversor multinivel con capacitor flotante es la generacin esttica de var. Las principales ventajas y desventajas de un convertidor multinivel con capacitor flotante son las siguientes:
Voltaje Estado de Switch (sin redundancias) 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 0 1 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0 1 0 1 0 0 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 0 1 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 0 1 1 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 0 0 0 1 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 1 1 0 1 (4 redundancias)

(5 redundancias)

(6 redundancias)

(4 redundancias)

(sin redundancias)

TABLA 2 Niveles de tensin redundantes en convertidor multinivel con capacitor flotante y el correspondientes estado de switch.

Ventajas: Redundancias de fase se encuentran disponibles para el balance de niveles de tensin en los capacitores. Flujo de potencia real y reactiva puede ser controlado. El gran nmero de condensadores habilita al inversor a operar con cortes de baja duracin y profundas cadas de tensin. Desventajas: El control es complicado para trazar los niveles de tensin de los condensadores. Adems, precargar la totalidad de los capacitores al mismo nivel de voltaje y comenzar la operacin es complejo. La compatibilizacin de conmutacin y eficiencia es pobre para transmisin de potencia real.

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 El alto nmero de capacitores incrementa el precio y volumen mucho ms que los diodos fijadores en el convertidor basado en estos. El empaquetamiento tambin es ms complicado en inversores con una gran cantidad de niveles.

puente H en un convertidor en cascada [34]. El convertidor en cascada de 9 niveles incorpora un convertidor de tres niveles con diodo fijador como celda bsica. El convertidor multinivel en cascada con puente H requiere de cuatro fuentes dc independientes para una pierna de fase y doce para un

FIGURA 6

Estructura trifsica de seis niveles para un inversor con capacitor flotante.

D. Otras Estructuras de Inversores Multinivel Aparte de las tres topologas bsicas previamente presentadas, otras estructuras de convertidores multinivel han sido propuestas, sin embargo, la mayora de estas son circuitos hbridos que constan de combinaciones entre dos de las topologas bsicas o pequeas variaciones de estas. Adicionalmente, la combinacin de convertidores multinivel de potencia puede ser diseada para coincidir con una aplicacin especfica basada en las topologas bsicas. Con el inters de completar la presentacin, alguna de estas topologas sern expuestas y brevemente descritas. Topologa Multinivel General Los convertidores multinivel existentes tales como el con diodo fijador y con capacitor flotante pueden ser derivados de una topologa generalizada. Esta topologa generalizada puede balancear cada nivel de voltaje por si misma sin importar las caractersticas de la carga, conversin activa o reactiva de potencia, y sin ninguna asistencia de circuitos externos para cualquier nmero de niveles automticamente. As, la topologa provee una estructura multinivel completa que intrnsecamente soporta los convertidores multinivel existentes, en principio. Convertidor Multinivel Hbrido con Niveles Mixtos Para reducir el nmero de fuentes dc independientes para A.T. y alta potencia en aplicaciones con convertidores multinivel, estructuras con diodos fijadores o capacitor flotante pueden ser utilizados en reemplazo de la celda tipo

convertidor trifsico. Si un convertidor de 5 niveles reemplaza la celda de puente H, el nivel de tensin es efectivamente doblada para cada celda. As, para alcanzar los mismos 9 niveles de voltaje para cada fase, solo dos fuentes dc separadas son necesarias para una pierna de fase y seis para un convertidor trifsico. La configuracin posee unidades multinivel hbridas con niveles mixtos ya que contiene celdas multinivel como el bloque constructivo principal para el convertidor en cascada. Convertidor Multinivel de Conmutacin Suave Algunos mtodos de conmutacin suave pueden ser implementados para diferentes convertidores multinivel con el fin de reducir las prdidas por conmutacin e incrementar la eficiencia. Para el inversor en cascada, ya que cada celda es un circuito bi-nivel, la implementacin de conmutacin suave no es tan diferente a la utilizada en convertidores bi-nivel convencionales. Para convertidores con diodos fijadores o condensadores fijadores, los circuitos de conmutacin suave fueron propuestos con diferentes combinaciones circuitales. Uno de los circuitos de conmutacin suave es el de tipo cero tensin de conmutacin, el cual incluye polos resonantes auxiliares conmutados (ARCP), inductores acoplados con transicin de voltaje cero (ZVT), y sus combinaciones. Convertidor con Diodo Fijador en Configuracin Back-toBack Dos convertidores multinivel pueden ser conectados en un arreglo back-to-back (espalda con espalda) y luego la combinacin ser conectada al sistema elctrico en serie-

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 paralelo. Tanto la corriente demandada por la utilidad y la tensin entregada a la carga pueden ser controladas simultneamente. Este filtro de potencia activo en serieparalelo a sido denominado como el un acondicionador universal de potencia cuando es utilizado en sistemas elctricos de distribucin y como un controlador universal de flujo de potencia cuando es utilizado a nivel de transmisiones. Investigadores han propuesto la topologa con diodo fijador en configuracin back-to-back para ser utilizado como una interconexin dc de alta tensin entre dos sistemas ac asincrnicos o como un rectificador/inversor para un drive de velocidad variable en motores de alta tensin. El inversor con diodo fijador ha sido escogido por sobre las otras dos topologas multinivel para el uso de un acondicionador universal de potencia por las siguientes razones: Cada una de las seis fases (tres en cada inversor) puede compartir un enlace dc. Contrariamente, el convertidor en cascada requiere que cada enlace dc est separado, y esto no es propicio para una configuracin back-toback El convertidor con capacitor flotante tambin comparte un enlace dc sin embargo, cada pierna de fase requiere de una cantidad adicional excesiva de condensadores auxiliares. Estos condensadores extras pueden incrementar sustancialmente el costo y tamao de acondicionador. Dado que el convertidor con diodo fijador acta como como un acondicionador universal de potencia se puede esperar que para poder compensar armnicos y/o operar en la regin de bajos ndices de modulacin de amplitud, es necesario un control ms sofisticado a altas frecuencias de conmutacin por sobre la frecuencia fundamental. Por esta razn, la modulacin PWM multinivel en espacio de estados y basada en transportadoras han sido desarrolladas. III. MODULACIN DE INVERSOR MULTINIVEL EN CASCADA En este apartado, la celda de potencia monofsica puente H, que es el bloque constructivo del inversor multinivel en cascada con puentes H, es revisada. Adems, dos esquemas PWM basados en portadoras (modulaciones con desplazamiento de nivel y desplazamiento de fase) son analizados. Finalmente, se realiza una comparacin de desempeo armnico entre estos dos esquemas de modulacin. A. Inversor Puente H En la Fig. 7 se muestra la estructura simplificada de un inversor monofsico puente H. Est compuesto por dos piernas que a su vez poseen dos dispositivos de conmutacin IGBT por pierna. El bus de voltaje dc del inversor usualmente se encuentra fijo, mientras que la salida de voltaje ac puede ser ajustada por los esquemas de modulacin bipolar o unipolar.

B. PWM Bipolar En la Fig. 8 se ilustran las formas de onda tpicas de un inversor puente H con modulacin bipolar. El hecho de que la

FIGURA 7

Inversor monofsico puente H.

FIGURA 8 Formas de onda y espectro armnico de tensin de lnea para inversor puente H con modulacin bipolar ( , .8, []).

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 seal de salida ( ) cambie entre los niveles positivos y negativos , le otorga el nombre al esquema de modulacin. En la Fig. 8 tambin se muestra el espectro de la seal . Estos armnicos aparecen a los costados de los mltiplos del ndice de modulacin de frecuencia ( ). Los armnicos de orden menor a ( ) son eliminados o despreciables. La frecuencia de conmutacin de los dispositivos IGBT es idntica a la frecuencia de la portadora [ ].

ondas modulantes son comparadas con una onda portadora comn, generando dos seales de disparo para los correspondientes switches superiores de cada pierna en el inversor ( y en Fig. 7). En la Fig. 9 se observa que el cambio de estado entre los dos switches mencionados no es simultneo, cosa que es lo que distingue a este esquema de modulacin con la PWM bipolar, pues en esta ltima todos los switches cambian de estado en el mismo instante. La salida del inversor oscila entre cero y en la mitad positiva del ciclo, y entre cero y en la mitad negativa del ciclo de la frecuencia fundamental. As, este esquema es conocido como modulacin unipolar. La Fig. 9 muestra el espectro armnico de la tensin de lnea . Los armnicos estn situados a los costados de y . Los armnicos de bajo orden generados por la modulacin bipolar, tales como y son eliminados por el esquema unipolar. En este caso, los armnicos dominantes estn distribuidos alrededor de cuyas frecuencias rodean los [ ]. Esencialmente esta es la frecuencia de conmutacin del inversor , que tambin es la frecuencia de conmutacin que ve la carga. Comparndola con la frecuencia de conmutacin de los dispositivos [ ], la frecuencia de conmutacin del inversor es el doble. La modulacin unipolar tambin puede ser implementada utilizando solo una moduladora y dos portadoras, donde estas ltimas deben poseer un desfase de 8 . Una extensin de este esquema es el que se aplica a inversores multinivel en cascada. Como se mencion con anterioridad los esquemas de modulacin para inversores multinivel pueden ser clasificados en dos categoras: modulacin con desplazamiento de fase y nivel. Ambos esquemas de modulacin pueden aplicarse a inversores en cascada con puentes H. D. Modulacin Multiportadora con Desplazamiento de Fase (Phase-Shifted Multicarrier Modulation) En general, un inversor multinivel de niveles requiere de portadoras triangulares. En la modulacin multiportadora con desplazamiento de fase, todas las portadoras poseen la misma frecuencia y amplitud peak-topeak, pero el desplazamiento en fase entre dos ondas ( ). La seal de adyacentes viene dado por: modulacin usualmente es un juego balanceado y simtrico de ondas trifsicas sinusoidales. Las seales de disparo son obtenidas al comparar las moduladoras con las ondas portadoras. La Fig. 10 ilustra el principio de la modulacin con desplazamiento de fase para un inversor multinivel en cascada de 5 niveles, donde se requiere de cuatro portadoras con un desfase de entre cada portadora adyacente. De las tres fases moduladoras, slo se muestran las fases y por simplicidad. Las portadoras y son utilizadas para generar los disparos para los switches y en la pierna

FIGURA 9 Formas de onda y espectro armnico de tensin de lnea para inversor puente H con modulacin unipolar ( , .8, []).

C. PWM Unipolar En la modulacin unipolar generalmente se requiere de dos ondas sinusoidales moduladoras, de igual amplitud pero desfasadas en 8 tal como se ilustra en la Fig. 9. Estas dos

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 izquierda en las celdas de potencia y en Fig. 11, respectivamente. Las portadoras restantes, y , las cuales se encuentran desfasadas 8 con y , respectivamente, producen los disparos para los switches superiores y en la pierna derecha de las celdas de potencia de los puentes H.

disparos a los switches y en son generados al comparar y . con La tensin de fase del inversor est compuesta por , donde y son los voltajes de salida de las celdas y . De la Fig. 10 es claro que el voltaje de fase est compuesto por cinco niveles: . En la Fig. 12 se muestran los espectros armnicos de los voltajes , y para el inversor en cascada de cinco niveles bajo las condiciones de operacin [ ], .8, 8 [ ]y . La frecuencia de conmutacin de los dispositivos est dada por [ ], que es un valor tpico en la conmutacin de dispositivos en convertidores de alta frecuencia. Las formas de onda de y son prcticamente idnticas excepto por un pequeo desplazamiento causado por el esquema de modulacin. La forma de onda de est compuesta por 5 niveles de voltaje con un calor peak de . Dado que los IGBTs en los diferentes puentes no conmutan simultneamente, la magnitud del cambio de escaln en la tensin durante la conmutacin es solo . Esto permite obtener un bajo y reducir la interferencia electromagntica (EMI). El voltaje lnea a lnea tiene 9 niveles de tensin con una amplitud igual a . El espectro armnico de las formas de onda , y se ilustra en la Fig. 12. Los armnicos de ( . ) aparecen a los costados de los mltiplos centrales y . El contenido armnico de es idntico al de y por eso no se muestra en la figura. El voltaje de fase del inversor no posee armnicas del orden de , lo cual permite una significante reduccin en distorsin armnica ( 8. ). Se puede observar que contiene armnicas tales como , sin embargo, estas armnicas no estn presente en la tensin de lnea debido a la caracterstica trifsica balanceada del sistema, resultando una reduccin mayor en la distorsin armnica total ( . ). Como se estableci anteriormente, la frecuencia del armnico dominante en el voltaje de salida del inversor representa la frecuencia de conmutacin del inversor . Como los armnicos dominantes en y en Fig. 12 estn distribuidos alrededor de , la frecuencia de FIGURA 10 Formas de onda para modulacin con desplazamiento de fase ( .8, , 8 , [] y []). Descripcin primera fig. , , conmutacin del inversor viene dada por (), (), y . , que es cuatro veces la frecuencia de conmutacin de los dispositivos. El esquema PWM discutido anteriormente es esencialmente Esta es una caracterstica deseada en el inversor multinivel permite que una mayor cantidad la modulacin unipolar. Como se muestra en la Fig. 10, los pues un valor alto de

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 de armnicos en sea eliminado, mientras que un bajo valor de ayuda a reducir las prdidas por conmutacin. E. Modulacin Multiportadora con Desplazamiento de Nivel (Level-Shifted Multicarrier Modulation) Similarmente a la modulacin con desplazamiento de fase, un inversor en cascada con niveles utilizando el esquema de modulacin con desplazamiento de nivel requiere de portadoras triangulares, todas de igual frecuencia y amplitud. Las portadoras son dispuestas verticalmente de forma que la banda que estas ocupan sean contiguas. El ndice de , que modulacin de frecuencia est dado por permanece igual al del esquema de modulacin con desplazamiento de fase, mientras que ndice de modulacin de ( ) para amplitud queda definido por , donde es el valor peak de la moduladora y el valor de cada seal portadora. Existen tres esquemas de modulacin con cambio de nivel: (a) disposicin en fase (IPD), donde todas las portadoras se encuentran en fase; (b) disposicin de fase alternada (APOD), donde cada portadora est alternada en disposicin opuesta; y (c) disposicin opuesta de fase (POD), donde cada portadora sobre la referencia cero est en fase pero opuesta con las situadas bajo la referencia cero. En lo que sigue, solo el esquema de modulacin IPD ser abordado pues este provee el mejor perfil armnico de los tres esquemas de modulacin. En la Fig. 13 se ilustra el principio de modulacin IPD para el inversor en cascada de cinco niveles operando bajo la condicin de 8, .8, [ ], [ ]. El par de portadoras situado en el extremo superior e inferior, y , son utilizadas para generar las seales de disparo para los switches y en la celda de potencia de la Fig. 11. El par de portadoras internas, y , son para y en . Para las portadoras por sobre el cero de referencia ( y ), los switches y son encendidos cuando la moduladora de fase es mayor que las correspondientes portadoras. Para las portadoras bajo el cero de referencia ( y son y ), los switches encendidos cuando la moduladora de fase es menor que las ondas portadoras. Las seales de disparo para los switches de la parte baja de los puentes H son complementarias con su correspondiente switch superior. Las tensin de salida de los puentes H de la fase y son unipolares y se muestran en la Fig. 13. El voltaje de fase del inversor est compuesto por cinco niveles de tensin. En la modulacin con desplazamiento de fase, la frecuencia de conmutacin de los dispositivos es igual a la frecuencia de la portadora. Esta relacin, sin embargo, no se mantiene para el esquema de modulacin con desplazamiento de nivel IPD. Por ejemplo, con la frecuencia de la portadora de [ ] en la Fig. 13, la frecuencia de conmutacin de los dispositivos en es de [ ], que es obtenida por el nmero de pulsos por ciclo multiplicado por la frecuencia de la seal moduladora ( [ ]). Es ms, la frecuencia de conmutacin de los dispositivos no es la misma para diferentes celdas de

10

puente H. Los switches en la celda solo son encendidos y apagados 10 veces, lo que se traduce a una frecuencia de [ ]. En general, la frecuencia de conmutacin del

FIGURA 11 niveles

Diagrama por fase de inversor en cascada de cinco

FIGURA 12

Espectro armnico de , y .

inversor utilizando el esquema de modulacin con desplazamiento de nivel es igual a la frecuencia de la portadora, , de donde la frecuencia promedio de ( ). conmutacin de los dispositivos es Dado que la frecuencia de conmutacin de los dispositivos no es homognea, el tiempo de conduccin de los dispositivos tampoco es distribuido equitativamente. Por ejemplo, el dispositivo en conduce un tiempo mucho menor que en por ciclo de la frecuencia fundamental. Con el fin de distribuir de mejor manera la conmutacin y las prdidas por

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 conduccin, el patrn de conmutacin se hace rotar de una

11 de la portadora [ ] parece extremadamente alta para convertidores de alta potencia, la frecuencia de conmutacin promedio por dispositivo es solo de [ ]. Los voltajes de salida de las celdas y son diferentes, lo que siguiere que los IGBTs operan a diferentes frecuencias con variados tiempos de conduccin. Similarmente a las formas de onda generadas por el esquema de modulacin con desplazamiento de fase, el voltaje de fase del inversor est compuesto por cinco niveles de tensin mientras que la tensin de lnea est compuesta por nueve niveles de voltaje. Los armnicos dominantes en y aparecen en torno a . El voltaje de fase del inversor contiene los armnicos , con la armnica dominante. Dado que estas armnicas no estn presentes en la tensin lnea a lnea, el THD de es slo de . en comparacin al THD de que es de 8. . Para comparar los esquemas de modulacin multinivel expuestos anteriormente, se impuso que la frecuencia promedio de conmutacin de los dispositivos de estado slido es de [ ]. De las figuras mostradas hasta el momento es fcil distinguir un esquema de otro. Se tiene que las THD de las distintas tensiones para cada esquema de modulacin son las siguientes:
Voltajes Fase A 77.62 38.61 29.42 THD (%) Desp. de Fase Desp. de Nivel 125.88 38.57 21.56

TABLA 3 Comparacin de THDs entre esquemas de modulacin con desplazamiento de fase y nivel.

De la Tabla 3 se concluye que es posible obtener tensiones de fase y de lnea iguales o mejores para el esquema de modulacin con desplazamiento de nivel que para el esquema con desplazamiento de fase, esto aplicado al inversor en cascada de cinco niveles.
FIGURA 13 Formas de onda para modulacin con desplazamiento de nivel ( .8, 8, 8 , [] y []). Descripcin primera fig. , , (), (), y .

celda H a otra. En las Fig. 13 y 14 se muestra una simulacin para un sistema inversor en cascada de cinco niveles con condiciones de operacin de 8, .8, [ ], [ ]y 8 [ ]. Aunque la frecuencia

Con el estudio de las distintas topologas y tcnicas de modulacin anteriormente expuestas, a continuacin se procede con el diseo de un inversor en cascada de 5 niveles con modulacin SPWM basada en multiportadoras con desplazamiento de nivel IPD.

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FIGURA 14 Formas de onda para modulacin con desplazamiento de nivel y espectros armnicos ( []).

.8,

8,

[] y

IV. INVERSOR EN CASCADA DE CINCO NIVELES CON MODULACIN BASADA EN MULTI-PORTADORAS CON DESPLAZAMIENTO DE NIVEL IPD A continuacin se procede con el diseo y simulacin de un inversor multinivel en cascada de 5 niveles. La Fig. 15 ilustra la estructura bsica del inversor. Se asume que el lado dc de cada celda es fijo y suministrado por algn otro sistema, tales como rectificadores multipulso, paneles solares, etc. El propsito de este inversor es proveer de energa a algn tipo de carga lineal trifsica de baja tensin, por lo que a la salida del convertidor se desea un juego de tensiones

simtricas y balanceadas con una tensin nominal de [ ] efectivos. La carga que debe suministrar este inversor es arbitraria en cuanto a su componente reactiva, sin embargo se impone una potencia activa mxima de [ ]. Basado en esto, se utiliza como prueba una carga trifsica balanceada inductiva de [ ] y factor de potencia igual a . 8 , esto asumiendo que ser alimentada por una tensin con muy baja distorsin armnica gracias a la etapa de filtrado previa que suprime, idealmente, toda componente de frecuencia mayor a la fundamental. Como se menciona anteriormente, [ ] efectivos son los que desea aplicar a la carga. La obtencin de esto tiene directa relacin con la magnitud de las fuentes dc que suministran las

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 celdas de cada fase del inversor y el ndice de modulacin de amplitud . De manera iterativa se encontr que para lograr que la componente fundamental a la salida del inversor de 5 niveles posea [ ], las fuentes de suministro dc deben estar fijas con un valor de tensin igual a [ ].

13

FIGURA 15 Estructura simplificada de inversor en cascada de 5 niveles. Cada celda bsica posee la topologa ilustrada en la Fig. 7.

semiconductores en los puentes de cada fase es de [ ], de acuerdo al nmero de pulsos por ciclo y la frecuencia de las moduladoras. Para los dispositivos de los puentes de cada fase, la frecuencia de conmutacin de los semiconductores es de [ ]. Estas magnitudes de conmutacin se encuentran dentro de los rangos aceptables para convertidores de alta frecuencia que, adems, dan una pista del grado de potencia que se estar disipando en cada celda si se consideraran semiconductores reales. Como se estudi anteriormente, la frecuencia de conmutacin del inversor, y que es la percibida por la carga, es igual a la frecuencia de las portadoras [ ], de donde la frecuencia de promedio de conmutacin por dispositivo semiconductor es [ ]. De acuerdo a las seales de disparo ilustradas se puede observar que los tiempos de conduccin a los cuales estn sometidos los switches de cada puente H (fase A) no son iguales, siendo los puentes los que presentan un mayor estrs de conduccin y los puentes un mayor estrs de conmutacin. Como se mencion en un apartado anterior, es posible ir rotando el patrn de modulacin entre celdas de cada fase, esto para equiparar las exigencias en los mdulos IGBT y as aumentar la vida til de estos mismos. En este caso particular se opt por dejar los patrones fijos con el fin de simplificar el desarrollo y exposicin del proyecto. Adems la teora fundamental del convertidor no se ve afectada. Las formas de onda de las distintas etapas del sistema son comentadas a continuacin. Cada una de las ondas que se presentarn corresponden a la fase A del inversor, pues dada la

Una vez explicadas y fijados las distintas suposiciones asumidas y los correspondientes parmetros, respectivamente, se procede con una descripcin de las etapas ms relevantes del sistema inversor diseado. El esquema de modulacin utilizado en esta oportunidad es la modulacin con desplazamiento de nivel en fase (IPD), que como ya se explic y comprob, concibe un mejor perfil armnico en las tensiones de fase y lnea. Para esto se utiliz un set trifsico simtrico y FIGURA 16 Seales de esquema de modulacin para inversor de 5 niveles. De arriba hacia abajo: Seales balanceado de ondas moduladoras y portadoras, seales de disparo para switches 11 y 31 en puente H1 de fase A y seales de disparo para switches 12 y 32 en puente H2 de fase A. moduladoras, y un set de cuatro ondas portadoras triangulares, donde los parmetros de modulacin son caracterstica simtrica y balanceada de la modulacin, las [ ], . , y [ ]. Las seales de las restantes fases poseen la misma forma pero desfasadas en . formas de onda se muestran en la Fig. 16. En las pginas siguientes se muestran las formas de onda En funcin de los ndices de modulacin utilizados se puede decir que la frecuencia de conmutacin de los dispositivos una vez simulado el sistema.

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FIGURA 17

Voltajes y corrientes de entrada a las celdas y de la fase A.

FIGURA 18

Voltajes y corrientes aplicados a semiconductores de puente de fase A (IF: Corriente directa de diodo en IGBT).

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FIGURA 19

Voltajes y corrientes aplicados a semiconductores de puente de fase A (IF: Corriente directa de diodo en IGBT).

FIGURA 20

Voltajes y corrientes a la salida de las celdas y previas a la etapa de filtrado.

FIGURA 21

Voltaje y corriente de fase A aplicado a la carga.

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FIGURA 22

Comparacin entre voltajes de fase y lnea para antes y despus de filtro.

La secuencia de imgenes mostradas anteriormente corresponde a las distintas formas de onda en las distintas etapas del sistema inversor. La Fig. 17 da cuenta de corriente solicitada al enlace dc (si este es entregado por un rectificador). De los datos adjuntados en las grficas se observa que existe un gran cantidad de componentes armnicas al comparar la potencia activa con la aparente, cosa que puede ser perjudicial en el desempeo y correcto funcionamiento del sistema que suministra energa. Las fuentes o enlaces dc deben tener la capacidad de entregar una potencia mxima de . [ ] . [ ] (en condiciones ideales) para suministrar una carga de [ ], esto en caso de que se utilice una rotacin en el patrn de modulacin. De no ser as, las fuentes que suministran los puentes deben entregar una potencia . [ ] .8[ ]. Dado que estas cifras se obtuvieron simulando con semiconductores ideales, en la prctica estas magnitudes deben ser sobre dimensionadas para poder suministrar las prdidas asociadas con la conmutacin de los switches. Otra observacin importante es que los puentes de las distintas fases manipulan aproximadamente la mitad de la potencia activa que manipulan los puentes . Esto nuevamente evidencia la sobre exigencia a la que estn sometidos los dispositivos semiconductores de los puentes , por lo que al momento de implementar el sistema es recomendable realizar una rotacin de los patrones de modulacin en las distintas fases con el fin de equiparar el estrs de los switches. En la Fig. 18 y 19 las corrientes y voltajes aplicados a los semiconductores de los puentes y son mostradas. Los datos relevantes que ayudan a escoger de buena manera los dispositivos son las magnitudes mximas de tensin y

corriente que estos deben soportar. Acorde a la simulacin, los valores mximos de voltaje y corriente que debe soportar un dispositivo en cualquiera de la fases es de [ ] y [ ] (aprox.), respectivamente. Con estos datos es posible escoger, dentro de la variada gama de mdulos dedicados, un set de semiconductores de potencia que cumplan con los requerimientos. Uno de estos mdulos es SEMIX101GD066HDs (DataSheet adjunto al final), que es un [ ] package de dos IGBT cuyos valores nominales son [ ] y temperatura de juntura mx. igual a [ ]. La ventaja de utilizar mdulos integrados de semiconductores de potencia es el bajo costo y facilidad de realizar reemplazos en caso de fallas. Luego, puesto que el inversor es de 5 niveles, requiere de 8 IGBT por fase. Esto da un total de 24 dispositivos, por lo que son necesarios 12 mdulos duales. En la Fig. 20 se encuentran las formas de onda presentes a la salida de los puentes H de la fase A y antes del Filtro Resonante LC. Como es de esperarse la tensin de fase (sin filtrar) es una composicin de las tensiones obtenidas a la salida de cada celda H. Este voltaje se caracteriza por tener [ ] (dos veces la tensin del enlace dc), . [ ] y . . Por otra parte, la corriente suministrada al conjunto filtro-carga se caracteriza por tener . [ ]y . . Para poder ver el efecto que tiene el filtro en la disminucin de la distorsin presente en las seales anteriormente mencionadas, se procede a describir el diseo de este. Bsicamente el filtro es un circuito resonante LC (Fig. 23), cuya frecuencia de resonancia es aprox. [ ]. Se escogi esta frecuencia pues como se puede observar en la Fig. 24, la tensin de fase (sin filtrar) no posee componentes frecuenciales en el intervalo aproximado de [ ] a

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Fig, 22 se realiza una comparacin de las seales antes y despus del filtro, agregndose la tensin de lnea . Es claro el efecto favorable que tiene el filtro sobre la seal proveniente del inversor, pues permite poner a disposicin de la carga la componente fundamental sin que esta se vea modificada. Otro aspecto de suma importancia es el rendimiento del sistema en su totalidad. Como se mencion antes, las fuentes que suministran los puentes y deben entregar una potencia activa de .8[ ] y . [ ], respectivamente. En total, la potencia activa suministrada por todas las fuentes o enlaces dc es . [ ], y la potencia activa consumida por la carga es de . [ ]. Con esto datos se tiene que el rendimiento (ideal) del inversor multinivel de 5 niveles es .
Variables 33.45
FIGURA 23 Diagrama de Bode de filtro resonante LC.

THD (%) Sin Filtrar 17.34 4.317 Filtrada 0.5548 0.3421 0.3392

. [ ] (debido al esquema de modulacin). Gracias a esto el filtro resonante no amplificar significativamente ninguna componente que se encuentre dentro de ese intervalo, dejando intacta la componente fundamental y eliminando toda componente superior a la frecuencia de resonancia. Los valores de los componentes del filtro son: [ ] y [ ]. En la Fig. 21 se muestran las formas de onda aplicadas a la carga inductiva de prueba. Se aprecia que el voltaje de fase es completamente suave y est libre de distorsin gracias a la accin del filtro pasivo, teniendo un . 8 . En la

TABLA 4 Comparacin de THDs entre voltajes y corriente de fase A.

Como se ha mencionado, la simulacin y conclusiones obtenidas se han realizado con semiconductores y elementos ideales. Es por esto que los valores entregados hasta ahora son una referencia y en la prctica se vern modificados debido al actuar no ideal de los IGBT, bobinas y condensadores. Potencias, voltajes y corrientes sufrirn modificaciones que diferirn un poco (aceptable) de los aqu mencionados y es por eso que en la prctica esto se debe considerar. En la Tabla 4 se realiza una comparacin entre los de las seales de

FIGURA 24

Comparacin entre espectros de tensiones de fase y lnea filtradas y no filtradas.

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 tensin y corriente en la etapa anterior y posterior al filtro resonante.

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V. IMPLEMENTACIN Uno de los aspectos del sistema presentado, que tambin se quiere abordar, corresponde a la implementacin circuital de lo expuesto hasta ahora, y especficamente lo que comprende a la excitacin de los gates de los distintos dispositivos semiconductores IGBT. La etapa encargada de generar todas las seales propias del esquema de modulacin utilizado, sea cual sea, se puede efectuar ya sea con sistemas anlogos o digitales. Dado el enorme auge de estos ltimos en las variadas reas de la electrnica, se han agotado esfuerzos en el desarrollo de dispositivos que cumplan las expectativas, ya sea para propsitos generales o especficos. Concretamente, en el rea de la electrnica de potencia, se han diseado diversos dispositivos idneos para ciertas topologas y aplicacin, ayudando a los mejores desempeos que la situacin actual de la tecnologa permite. Dentro de los dispositivos a los que mayormente se recurre para la modulacin y control de convertidores, se encuentran las FPGAs, microcontroladores y DSPs. Los circuitos de excitacin de los convertidores de potencia forman una importante interface entre la electrnica de alta potencia y las etapas inteligentes de control. Es por esto que es de suma importancia que esta interface sea bien diseada, pues tiene un impacto sustancial en el desempeo y confiabilidad (Fig. 25).

inyectar o remover corriente del terminar gate a altas tasas, con el fin de conmutar el switch de manera rpida. La capacitancia gate-drain puede ser pequea, sin embargo, puede requerir una cantidad significativa de carga debido a la magnitud de las tensiones presentes. Los convertidores de potencia son encontrados en variadas configuraciones. Cada una de estas posee una compleja funcin de conmutacin con el fin de alcanzar una conversin eficiente de energa. Estos convertidores hacen uso de varios potenciales flotantes (convertidor en cascada) para obtener a la salida tensiones ac o cuasi-dc. Los drivers de gates funcionan como buffers de corriente y convertidores de seales. Estos pueden comunicar la informacin de los estados de conmutacin y transmitir la potencia al dispositivos semiconductor durante el proceso de conmutacin. Los convertidores de potencia emplean configuraciones tipo puente, de las cuales se destaca un switch que se encuentra en la parte alta tal como lo ilustra la Fig. 26.

FIGURA 26 excitacin.

Estructura simple de topologa puente y circuito de

FIGURA 25

Esquema general de un sistema electrnico de potencia.

Los dispositivos controlados por voltaje son semiconductores que requieren un voltaje constante de excitacin en su terminal de excitacin con el fin de mantener su conduccin. Los requerimientos de los drives de entrada de estos dispositivos son sustancialmente menores que los de su contraparte (excitados por corriente) y son la eleccin preferente en la electrnica de potencia moderna. Dos de estos dispositivos son el MOSFET de potencia y el IGBT, los cuales son switches de conmutacin forzada completamente controlados a travs de su terminal gate bajo condiciones normales de operacin. Estos dispositivos no se enclavan al momento de conducir, y por lo tanto no requieren circuitos especiales de conmutacin. La juntura del terminal gate del MOSFET y del IGBT es puramente capacitiva, por lo tanto, no hay presencia de corrientes en estado estable, a diferencia de los transistores. Sin embargo, un voltaje mnimo de excitacin debe ser mantenido (por sobre tensin de umbral) en el terminal gate con el fin de mantener la conduccin. Un drive de alta corriente/baja impedancia es necesario para

Para llevar un dispositivo tal como un IGBT o MOSFET de potencia al estado de conduccin, el terminal gate debe ser positivo con respecto al terminar source o emisor. Se puede notar que el terminal emisor del IGBT1, en el esquema de la Fig. 26, puede estar flotando en cualquier lugar desde la tierra hasta el potencial del Bus dc dependiendo del estado de operacin de IGBT1 y IGBT2, y es por esto que no se encuentra referido al potencial cero del sistema. Por lo tanto es necesaria un fuente que provea energa a todo circuito asociado con dicho punto flotante medio. Este tipo de fuente es comnmente conocida como fuente flotante. Tres de los mtodos ms comunes para generan una fuente flotante son: Fuente Aislada: La manera ms simple de generar una fuente flotante es a travs de un transformador. En comparacin con otros mtodos, este tipo de fuente es capaz de suministrar una gran cantidad de corriente. Un transformador diseado para la frecuencia de red es barato, pero usualmente ocupa mucho espacio. Empleando un convertidor aislado dc-dc de alta frecuencia, alimentado desde la fuente dc existente, se puede crear una fuente flotante aislada utilizando un transformador de aislacin mucho ms pequeo.

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 Fuente Charge-pump: Esta tcnica superpone la tensin de una fuente sobre la otra. Es normalmente utilizada para generar un voltaje mayor por sobre la de la fuente de alta tensin. Esta fuente no es adecuada para generar un voltaje mayor para energizar el circuito flotante de la parte superior. El beneficio de implementar esta tcnica es que se obtiene una fuente continua de suministro hacia el circuito. Dada la complejidad y costo de este mtodo, este circuito no es comnmente utilizado para convertidores de potencia. Fuente Bootstrap: Es una tcnica muy comn para generar una fuente flotante. Esta es un circuito simple que solo utiliza un diodo y un capacitor de almacenamiento. Esta tcnica es muy utilizada pues es una solucin de bajo costo para convertidores que alcanzan potencias de muchos kilowatts. Aplicaciones tpicas incluyen los ballasts electrnicos y drives de velocidad variable para motores.

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drive superior comience el proceso de conmutacin del switch IGBT1, la seal de control , la cual est referida a la tierra del circuito de control, necesita ser referenciada al potencial flotante en el emisor del IGBT1. Esto implica que la seal de control debe ser desplazada en nivel hacia tal como se muestra en la Fig. 28. El valor mximo alcanzado por ser . En convertidores de potencia operando con tensin de red, estos niveles pueden exceder los [ ]. El desplazamiento de nivel puede ser alcanzado a travs de las siguientes formas mencionadas: Desplazamiento de nivel por transformador (Fig. 29) Ventajas o Excelente inmunidad al ruido en comparacin a optocopladores. o Provee las seales de control y excitacin del terminal gate hacia el dispositivo semiconductor. Esto elimina la necesidad de una fuente de potencia flotante. o

FIGURA 27 flotante.

Tcnica Bootstrap empleada para crear una fuente

Un esquema simplificado del circuito bootstrap es ilustrado en la Fig. 27. Cuando el switch del lado bajo IGBT2 est encendido (IGBT1 apagado), el diodo bootstrap D conduce y carga el capacitor de almacenamiento. Si se asume que las cadas de tensin en el diodo y el switch IGBT2 son despreciables, el condensador se carga aproximadamente al voltaje de la fuente de baja tensin. Cuando el switch del lado alto est encendido y el del lado bajo est apagado, D es polarizado inversamente y el circuito del lado alto queda energizado por C. En esta condicin, el voltaje de C cae ya que este se descarga al suministrar el circuito superior. La tasa de descarga del condensador es funcin del consumo de corriente, el tamao del capacitor y la frecuencia de operacin del convertidor. El segundo requerimiento para manipular el switch de la parte superior, es que la seal de control entregada por la electrnica PWM debe ser llevada al circuito de excitacin flotante. Para lograr esto es necesario un circuito desplazador de nivel. Los bloques GD1 y GD2 son los respectivos circuitos de excitacin del lado superior e inferior. Con el fin de que el

FIGURA 28 Concepto de desplazamiento de nivel e inyeccin de las seales de conmutacin hacia el circuito de excitacin superior.

Desventajas o A altas frecuencias, transformadores especiales deben ser utilizados con el fin de evitar el efecto adverso de las inductancias de enlace. o Limitacin en corriente a altas frecuencia de operacin. o Componentes parsitos se tornan significantes.

Electrnica de Potencia 543 248 Junio 2011 o Para suministrar grandes peaks de corriente con rise y fall times rpidos, el nmero de vueltas es minimizado. o Restricciones cuando ciclo de trabajo es muy alto.

20 es del orden de [ ]. Desventajas o Es necesaria una fuente flotante adicional en la parte receptora que acompaa los circuitos de excitacin del gate en la interface. o Susceptibles a ruido y transiciones rpidas de tensin, lo que es comn en circuitos drives. o Estos requerimientos demandan mayor esfuerzo en las etapas de filtrado de la fuente y en la plantilla PCB que rodea al optocoplador. Desplazamiento de nivel ptico Link de fibra ptica (Fig. 30) Ventajas o Los conductores elctricos son suceptibles a campos electromagnticos, y por lo tanto pueden irradiar y captar ruido electromagntico. Enlaces de fibra ptica son inmunes al ruido electromagntico. o Elimina todo loop de tierra o problemas de ruido en modo comn. o La aislacin galvnica y los niveles de inmunidad al ruido en el enlace pueden ser incrementados a casi cualquier valor deseado ajustando el largo del cable de fibra ptica. Desventajas o Alto costo en la implementacin. En la Tabla 5 se muestra una comparacin de las estrategias de desplazamiento de nivel expuestas anteriormente. Los circuitos de disparo incorporan aislacin elctrica, lo cual provee al sistema de una buena inmunidad al ruido entre los circuitos de potencia y control. Esto es el resultado de las tierras separadas. Existen muchos tipos de circuitos de excitacin aislados: Fuente de poder aislada con seales de control optoacopladas. Driver acoplado por transformador suministrando seales de control y potencia. Driver acoplado por transformador con capacidad de ciclos de trabajo amplios. Driver con modulacin de seales acopladas por transformador. Fuente de poder flotante de alta frecuencia. A modo de ejemplo, se desarrolla y describe el primer tipo de fuente enunciada. Una tcnica estndar aplicada ampliamente, es generar fuentes flotantes a travs del uso de la red principal y un transformador de aislacin (Fig. 31). Aunque no es una solucin eficiente en cuanto a espacio respecta (por el tamao del transformador de baja frecuencia) en comparacin con otros mtodos, esta tcnica an es utilizada en la gran mayora

a)

b)
FIGURA 29 a) Combinacin de desplazador de nivel con transformador y excitacin de terminal gate. b) Formas de onda de operacin para el circuito transformador de pulsos para distintos ciclos de trabajo.

FIGURA 30 Circuito de desplazamiento de nivel con fibra ptica utilizado para alta velocidad, inmunidad extrema al ruido y muy alta capacidad de aislacin.

Desplazamiento de nivel ptico Optocopladores. Ventajas o Ofrece una solucin efectiva y econmica. o Footprint pequeo (6-8 pins). o El aislamiento de voltaje tpico de optocopladores

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TABLA 5

Comparacin entre varias tcnicas de desplazamiento de nivel para drives de puertas.

de las aplicaciones con convertidores electrnicos. La fuente de poder puede estar compuesta por puentes rectificadores de baja tensin en mdulos estndar. Una fuente regulada es fcilmente realizable si se incorporan reguladores de voltaje, que fcilmente pueden suministrar una potencia continua al circuito drive por sobre los [ ]. Con cada devanado y su fuente de poder asociada, referenciados al terminar emisor del IGBT, este sistema es una solucin segura y de costo medio para prcticamente todo tipo de convertidores de potencia con frecuencia de conmutacin muy por debajo de [ ]. Para frecuencias de operacin mayores la capacitancia de los devanados internos del transformador principal conduce el ruido de alimentacin a travs del acoplamiento. Esto causa efectos espurios, tales como encendido no programado de los dispositivos semiconductor debido al ruido presente en la tierra del circuito drive. La solucin para este problema es introducir un convertidor dc-dc de alta frecuencia, el cual incorpora un pequeo transformador HF de aislacin con una capacitancia parsita mucho menor. El desplazamiento de nivel de las seales de conmutacin, provenientes de la etapa de control, es logrado a travs de aislacin ptica, donde los diodos de entrada ( y por el lado primario del optocoplador) se encuentran referenciado a la tierra lgica del circuito procesador de seales. La baja

impedancia del drive se obtiene gracias a un buffer integrado de alta velocidad y alta corriente; o bien con configuracin complementaria BJT o MOS con etapa ttem pole. La alimentacin de los optocopladores y buffers es suministrada por las respectivas fuentes flotantes. El circuito mostrado en la Fig. 31 no presenta limitaciones respecto al ciclo de trabajo debido a las fuentes de poder flotantes. La red pasiva compuesta por , y , controlan la velocidad de conmutacin del IGBT e impactan directamente en el rendimiento y eficiencia del convertidor. La resistencia controla la velocidad de encendido del switch IGBT1. Adems controla las prdidas del dispositivo semiconductor as como la caracterstica en el apagado del diodo volante (IGBT2) para cargas inductivas. El diodo desconecta del circuito mientras IGBT1 se encuentra encendido. La velocidad de apagado de IGBT1 es controlada por , lo que provoca que sea mucho menos que . Esta es una caracterstica deseada en inversores de voltaje, ya que asegura un tiempo muerto mnimo entre las transiciones de estado de los dispositivos como se muestra en la Fig. 32. Las seales y en la Fig. 32 representan la seal de salida del driver a con un ciclo de trabajo igual al . La red pasiva en los terminales gate de cada IGBT, alteran las seales de excitacin debido a la constante de tiempo

FIGURA 32 Transformador empleado para generar fuentes flotantes. Simple y confiable, pero abultada en comparacin a otros mtodos gracias al transformador de entrada. Funciona bien para un medio puente, pero requerir de ms fuentes aisladas si una topologa puente completo es utilizada.

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FIGURA 32 en Fig. 31.

Formas de onda de conmutacin para el circuito ilustrado

formada entre el resistor del drive y la capacitancia del terminal gate. Estas seale son ilustradas como , las cuales pueden ser medidas directamente en el terminal gate. La deformacin en la seales del gate provoca que el IGBT encienda con un pequeo retardo. El estado de conduccin acurre cuando el voltaje del terminal gate alcanza su nivel de umbral ( ). El resultado de esto es un lapso de tiempo muerto creado entre las transiciones de conmutacin. Es requerido en toda configuracin puente para evitar cortocircuitos y es representado por la forma de onda de la corriente de colector ( ) para una carga resistiva pura en la Fig. 32.

Estructura modular: El inversor multinivel est compuesto por mltiples unidades de idnticas celdas puente-H, lo que permite una reduccin considerable en el costo de manufactura. : La forma de onda de la Bajo THD de voltaje y salida de voltaje del inversor est conformada por una serie de mltiples niveles de pequeos escalones de voltajes. Comparado con un inversor de dos niveles, el inversor en cascada puede producir un voltaje de salida con un valor mucho ms bajo de THD y . Operacin en alto voltaje sin dispositivos de conmutacin en serie: Las celdas de potencia de puente-H son conectadas en cascada para producir altas tensiones ac. Los problemas de igual voltaje compartido para dispositivos conectados en serie son eliminados. Gran nmero de fuentes independientes: Las fuente de suministro dc del inversor multinivel en cascada son usualmente obtenidas desde un rectificadores multipulso empleando un transformador con desplazamiento de fase, o fuentes de energa renovable tales como celdas solares. Alta cantidad de componentes: El inversor en cascada utiliza un gran nmero de mdulos IGBT. Un inversor de nueve niveles requiere de 64 IGBTs con el mismo nmero de drivers. Soluciones integradas en la electrnica de potencia ha sido la tendencia para ciertas aplicaciones, esto en conjunto con el desarrollo de mdulos de potencia inteligentes. Estos mdulos pueden contener completamente ya sea los semiconductores como la circuitera referente a los drivers. Esta tecnologa elimina los desafos de diseo para los inversores y circuitos de disparo, permitiendo la creacin rpida de prototipos. Los desarrolladores de los dispositivos semiconductores de potencia estn constantemente mejorando la estructura de estos; esto para reducir las capacitancias de entrada (IGBT y MOSFET), dando como resultado requerimientos menores en los drivers de potencia a altas frecuencias de conmutacin. REFERENCIAS
[1] G. O. Young, Synthetic structure of industrial plastics (Book style with paper title and editor), in Plastics, 2nd ed. vol. 3, J. Peters, Ed. New York: McGraw-Hill, 1964, pp. 1564. W.-K. Chen, Linear Networks and Systems (Book style). Belmont, CA: Wadsworth, 1993, pp. 123135. H. Poor, An Introduction to Signal Detection and Estimation. New York: Springer-Verlag, 1985, ch. 4. B. Smith, An approach to graphs of linear forms (Unpublished work style), unpublished. E. H. Miller, A note on reflector arrays (Periodical styleAccepted for publication), IEEE Trans. Antennas Propagat., to be published. J. Wang, Fundamentals of erbium-doped fiber amplifiers arrays (Periodical styleSubmitted for publication), IEEE J. Quantum Electron., submitted for publication. C. J. Kaufman, Rocky Mountain Research Lab., Boulder, CO, private communication, May 1995. Y. Yorozu, M. Hirano, K. Oka, and Y. Tagawa, Electron spectroscopy studies on magneto-optical media and plastic substrate interfaces (Translation Journals style), IEEE Transl. J. Magn.Jpn., vol. 2, Aug. 1987, pp. 740741 [Dig. 9th Annu. Conf. Magnetics Japan, 1982, p. 301].

VI. CONCLUSION El informe presentado de enfoca en las topologas, configuraciones y modulacin (primordialmente en convertidor en cascada) de inversores multinivel. El inversor en cascada est principalmente compuesto por celdas inversoras de puente completo conectadas en cascada. En la prctica, el nmero de celdas de potencia en el convertidor en cascada es determinado por el voltaje de operacin deseado, desempeo armnico y costo de manufactura. Esta topologa ltimamente ha sido introducida ampliamente en la industria en aplicaciones (drives) de alta potencia/media tensin, donde los dispositivos IGBT son utilizados exclusivamente como elemento de conmutacin. Son presentadas una serie de esquemas de modulacin PWM basadas en multiportadoras; la modulacin con desplazamiento de nivel y fase. Varios aspectos asociados con los esquemas de modulacin, para el inversor en cascada, son discutidos, los cuales incluyen arreglos de seales de disparo, anlisis espectral, y perfiles de distorsin armnica (THD). Los performance de los distintos esquemas de modulacin son comparados. El inversor multinivel en cascada posee una cantidad de caractersticas destacables:

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