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GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm) GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 480 SFH 481 SFH 482

2.54mm spacing

0.45

4.8 4.6

1 0.9 .1

Chip position (2.7)

Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400)

Radiant Sensitive area

5.6 5.3

5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g

GEO06314

0.45

(2.7)

Chip position

Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 0

2.54 mm spacing

welded 14.5 12.5

Approx. weight 0.35 g

Chip position (2.7) 0.45

5.5 5.0

14.5 12.5

5.3 5.0

5.6 5.3
GET06013

Approx. weight 0.5 g


Mae in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Semiconductor Group

1998-04-16

fet06092

Cathode (SFH 402, BPX 65) Anode (SFH 482)

2.54 spacing

4.8 4.6

Radiant sensitive area 1.1 .9 0 1.1 0.9

fet06091

5.3 5.0 6.4 5.6

4.8 4.6

1 0.9 .1
5.6 5.3
GET06091

glass lens

fet06090

1.1 .9 0

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Wesentliche Merkmale q Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren q Anode galvanisch mit dem Gehuseboden verbunden q Hohe Zuverlssigkeit q Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfnger q Hermetisch dichtes Metallgehuse q SFH 480: Gehusegleich mit SFH 216 q SFH 481: Gehusegleich mit BPX 43, BPY 63 q SFH 482: Gehusegleich mit BPX 38, BPX 65 Anwendungen q Lichtschranken fr Gleich- und Wechsellichtbetrieb q IR-Gertefernsteuerungen

Features q GaAIAs infrared emitting diode, fabricated in a liquid phase epitaxy process q Anode is electrically connected to the case q High reliability q Matches all Si-Photodetectors q Hermetically sealed package q SFH 480: Same package as SFH 216 q SFH 481: Same package as BPX 43, BPY 63 q SFH 482: Same package as BPX 38, BPX 65 Applications q Photointerrupters q IR remote control of various equipmet

Typ Type SFH 480-2 SFH 480-3 SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 SFH 482 SFH 482-1 SFH 482-2 SFH 482-3

Bestellnummer Ordering Code Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1088 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1089 Q62703-Q1667 Q62703-Q1668 Q62703-Q1669

Gehuse Package 18 A3 DIN 41876 (TO-18), Anschlsse im 2.54-mmRaster (1/10), Kathodenkennzeichnung: Nase am Gehuseboden 18 A3 DIN 41876 (TO-18), lead spacing 2.54 mm (1/10), cathode marking: projection at package

SFH 482-M E7800 Q62703-Q2186

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Grenzwerte (TC = 25 C) Maximum Ratings Bezeichnung Description SFH 481: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range SFH 480, SFH 482: Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Sperrspannung Reverse voltage Durchlastrom Forward current Stostrom, tp = 10 s, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Wrmewiderstand Thermal resistance Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Wellenlnge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % von Imax Spectral bandwidth at 50 % of Imax IF = 100 mA Abstrahlwinkel Half angle SFH 480 SFH 481 SFH 482 Aktive Chipflche Active chip area Symbol Symbol peak Wert Value 880 Einheit Unit nm Symbol Symbol Wert Value 55 ... + 100 Einheit Unit C

Top; Tstg

Top; Tstg

55 ... + 125

Tj VR IF IFSM Ptot RthJA RthJC

100 5 200 2.5 470 450 160

C V mA A mW K/W K/W

80

nm

6 15 30 0.16

Grad deg. mm2

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Description Abmessungen der aktive Chipflche Dimension of the active chip area Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel Distance chip front to lens top SFH 480 SFH 481 SFH 482 Schaltzeiten, Ie von 10 % auf 90 % und von 90 % auf 10 %, bei IF = 100 mA, RL = 50 Switching times, Ie from 10 % to 90 % and from 90 % to10 %, IF = 100 mA, RL = 50 Kapazitt Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 s Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Gesamtstrahlungsflu Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. e, Symbol Symbol Wert Value 0.4 0.4 Einheit Unit mm

LB LW

H H H tr, tf

4.0 ... 4.8 2.8 ... 3.7 2.1 ... 2.7 0.6/0.5

mm mm mm s

Co

25

pF

VF VF IR

1.50 ( 1.8) 3.00 ( 3.8) 0.01 ( 1)

V V A

12

mW

TCI

0.5

%/K

IF = 100 mA

Temperature coefficient of Ie or e, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von , IF = 100 mA Temperature coefficient of , IF = 100 mA

TCV TC

2 + 0.25

mV/K nm/K

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Gruppierung der Strahlstrke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel = 0.01 sr Grouping of radiant intensity Ie in axial direction at a solid angle of = 0.01 sr Bezeichnung Description Symbol Symbol SFH 480-2 Strahlstrke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstrke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s Bezeichnung Description SFH 480-3 Wert Value SFH 481 SFH 481-1 SFH 481-2 Einheit Unit

40

63

10

10 20

16

mW/sr mW/sr

Ie typ. Symbol Symbol

540

630

220 Wert Value

130

220

mW/sr Einheit Unit

SFH 482 Strahlstrke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Ie min Ie max Strahlstrke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 s
1)

SFH 482-1

SFH 482-2

SFH 482-3

SFH 482-M E 78001)

3.15

3.15 6.3

5 10

1.6 ... 3.2

mW/sr mW/sr

Ie typ.

40

65

80

mW/sr

1)

Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser der Lochblende: 2.0 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserckseite: 5.4 mm). Dadurch wird sichergestellt, da bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche ber Zusatzoptiken strend (z.B. Lichtschranken groer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen ebenfalls durch Blenden unterdrckt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meverfahren ergibt sich fr den Anwender eine besser verwertbare Gre. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den Eintrag E 7800, der an die Typenbezeichnung angehngt ist. An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle (diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values. This aperture measurement is denoted by E 7800 added to the type designation.

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Radiation characteristics, SFH 480 Irel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHR01888

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Radiation characteristics, SFH 481 Irel = f ()


40 30 20

10

0 1.0

OHR01889

50 0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Radiation characteristics, SFH 482 Irel = f ()


40 30 20 10 0 1.0
OHR01890

50

0.8 60

0.6

70

0.4

80 90

0.2 0

100

1.0

0.8

0.6

0.4

20

40

60

80

100

120

Semiconductor Group

1998-04-16

SFH 480, SFH 481, SFH 482

Relative spectral emission Irel = f ()


100 rel % 80
OHR00877

Radiant intensity

Ie = f (IF) Ie 100 mA
OHR00878

Single pulse, tp = 20 s
10 2 e e (100mA) 10 1

Max. permissible forward current SFH 481, IF = f (TA, TC)


240
OHR00946

F mA
200

160
60
10 0

R thJC = 160 K/W

120
40
10
-1

80
20
10 -2

R thJA = 450 K/W

40

0 750

10 -3

800

850

900

950 nm 1000

10 0

10 1

10 2

10 3 mA 10 4 F

20

40

60

80 C 100 T A,T C

Forward current, IF = f (VF) Single pulse, tp = 20 s


10 1
OHR00881

Permissible pulse handling capability IF = f (), TC = 25 C, duty cycle D = parameter


10 4
OHR00948

Max. permissible forward current SFH 480, SFH 482, IF = f (TA, TC)
240
OHR00396

F mA 5

tp tp D= T D = 0.005 0.01 0.02


0.05

F
T

F mA
200

10 0

160

R thJC = 160 K/W

10

-1

10 3

0.1 0.2

120

5
10 -2

80

R thJA = 450 K/W

0.5
40

DC
10 -3 0 1 2 3 4 5 6 V VF 8

10 2 10 -5

10 -4

10 -3

10 -2

10 -1 s 10 0 tp

20

40

60

80

100 C 130 T A,T C

Semiconductor Group

1998-04-16