Tema2 0607

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores
Electrnica
TEMA2: F UNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES

n BIBLIOGRAFA BSICA: n CONTENIDOS
n n n n n n [PIER 94] R.F. PIERRET: "FUNDAMENTO S DE SEM ICONDUC TORES (II EDICIN)". ADDISO N-WESL EY IBERA MERIC ANA, 1994. DEL T EMA: ENLACE Y DE BANDAS DE ENERGA EN SLIDOS: TIPOS DE MATERIALES CARGA EN SEMICONDUCTORES DE PORTADORES
M ODELOS DE
P ORTADORES DE
CONCENTRACIN P ROCESOS P ROCESOS
DE GENERACIN-RECOMBINACIN DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES
ECUACIN DE CONTINUIDAD
Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla
Tr. 1
Electrnica
Modelo de Enlace
n=1 2 electrones 10 de los 14 e- estn fuertemente ligados al ncleo
Lbulo que representa un e- de valencia compartido
+4 +14
El enlace de los 4 e- restantes es mucho ms dbil (electrones de valencia )
+4
+4
Modelo de Enlace
n=2 8 electrones
+4
+4
+4
Cada tomo de Si tiene 14 electrones
n=3
Representacin de un tomo aislado de Si
+4
+4
+4
Crculo que representa el corazn de un tomo de Si
-Los dispositivos electrnicos de hoy en da usan materiales semiconductores. -Existen varios tipos de materiales semiconductores: elementales (IV): Si y Ge compuestos: AsGa, AsIn, otros -La disposicin de los tomos en los materiales influye en sus propiedades.
Nos centraremos en el estudio del Silicio (Si) que cristaliza en una estructura de diamante (cada tomo de Si est rodeado de otros cuatro tomos a la misma distancia espacial) Tr. 2
Electrnica
Modelo de enlace: Portadores

Representacin bidimensional de estructuras cristalinas q=1.6x10 -19 coulomb
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
+4
hueco
+4
h+
+4
+4
+4
+4
electrn libre
+4
+4
a)Cristal perfecto a T = 0K
e-
Suministramos Energa (Ionizacin)
b)Cristal Imperfecto a T > 0K

Tr. 3
Electrnica
Modelo de enlace: Portadores

-Los portadores son entidades que transportan carga de un lugar a otro en el seno del material, y por tanto, dan lugar a corrientes elctricas. -Idealmente, a T=0K, el semiconductor sera aislante porque todos los e- estn formando enlaces. Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar libre un e- para moverse en la estructura cristalina. -El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el elibre, pero tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
+4
+4
+4
+4
+4
hueco
+4 h+
+4
+4
+4
electrn libre
Suministramos Energa (Ionizacin)
Si: 5x1022 tomos/cm3

20x10 2 2 e- de valencia/cm 3 e- libres (Ta m b)=10 10 /cm 3 Tr. 4
Electrnica
Modelo de Enlace: movimiento de e - y h +

+4 +4 +4 +4 +4 +4
+4
+4
hueco
+4
h+
+4
+4
hueco
+4
h +
+4
+4
+4
+4
+4
+4
e- y h+, con una masa eficaz cada uno Se libera un e-. El h+ a su vez acta atrayendo a otros e- (de otros enlaces o e-libres )=> Se produce un movimiento de partculas positivas ficticias (h+)
-La conduccin a T ordinaria puede tener lugar a travs de dos modos cunticos distintos, describibles por medio de dos partculas clsicas: e de carga -q y masa eficaz m e h de carga + q y masa eficaz m h Tr. 5
Electrnica
Semiconductores Puros
Semiconductor intrnseco indica un material semiconductor extremadamente puro que contiene una cantidad insignificante de tomos de impurezas
+4
+4
+4
Semiconductor intrnseco es un semiconductor cuyas propiedades son innatas al material, es decir, no son producidas por agentes externos
+4
+4
h+
hueco
+4
+4
+4
electrn libre
+4
-Electrones y huecos se liberan por pares en un semiconductor intrnseco. -Las masas eficaces no son, en general, iguales entre s, ni a la del electrn aislado. -Valores de ionizacin tpicos: 0,7 eV (Ge), 1,1 eV (Si), 1,4 eV (AsGa)
e - La concentracin de portadores en un semiconductor intrnseco es una de las propiedades intrnsecas que identifican al material. Si n=n de e-/cm 3 y p=n de h+/cm 3 que existen dentro de un semiconductor, se obtiene que, para un semiconductor intrnseco en condiciones de equilibrio n=p=ni
Tr. 6
Electrnica
Semiconductores Extrnsecos
Control de la concentracin de portadores = dopado Dopar = aadir cantidades controladas de tomos de impurezas para aumentar los e - h+ No se crea un par e-h tomo donador Columna V Energa de Ionizacin de la impureza 0,03 eV (Ge) --- 0,1 eV (Si) (don.) 0,02 eV (Ge) --- 0,06 eV (Si) (acep.) tomo aceptador Columna III
Tipo n
+4 +4
Tipo p
+4 +4
+4 (P, As,...)
+4
(B, Al,...)
+4
+5
+4
+4
+3
+4
e- extra
h+ extra
+4
+4
+4
+4
+4
+4
Tr. 7
Electrnica
Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos

Estados atmicos aislados Principio de exclusin de Pauli Niveles energticos permitidos Acoplos atmicos en cristales Principio de exclusin de Pauli Niveles energticos permitidos: desdoblamientos Bandas de energa
E2 E1
E2 E1
2 tomos de Hidrgeno
E 2 E2 E1 E1
Alejados Si hay Ne- Interactuando, los niveles ---> BANDAS

(En Si N=4x5x102 2e-/cm 3 )
Cercanos (enlace covalente) Desdoble de niveles

Tr. 8
Electrnica
Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos Tipos de materiales atendiendo al Diagrama de Bandas

Energa electrnica
Banda de Conduccin (vaca) Banda de Conduccin (parcialmente llena) Eg Banda de Valencia Ec

E g > 8 eV (aislante) Eg -- 1 eV (semiconductor)
Banda de Valencia
Ev
CONDUCTOR
Estados Internos AISLANTE o SEMICONDUCTOR
Datos: Eg (T=300K) = 1,1eV (Si), 0,7eV (Ge), 1,4eV (AsGa)

Tr. 9
Electrnica
Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos

Banda de Conduccin Ec Eg Banda de Valencia Ev Eg Banda de Valencia Ev h+ Banda de Conduccin eEc
ESTADO FUNDAMENTAL A T=0K: Banda Valencia totalmente ocupada Banda Conduccin totalmente vaca
ESTADO EXCITADO A T>0K: e- pasa Banda Valencia ---> ---->Banda Conduccin

Tr. 10
Electrnica
Impurezas en el Modelo de Bandas

Banda de Conduccin Ec Eg Banda de Valencia Ea Eg Ev Banda de Valencia Ed Ev Banda de Conduccin Ec
Semiconductor Extrnseco Semiconductor Extrnseco (tipo p) (tipo n) A T=0K: A T=0K: Ea vaco Ed llena BV llena---> BV llena---> (h+ impurezas aceptoras) BC vacia--->(e- impurezas donantes) BC vacia--->
Tr. 11
Electrnica

Banda de Conduccin Ec Eg Banda de Valencia Ea Ev Eg Banda de Valencia Ed Ev Banda de Conduccin Ec
Semiconductor Extrnseco (tipo p) p>n
Semiconductor Extrnseco (tipo n) n>p
EXCITADOS
T>0K
Tr. 12
Electrnica

ENERGAS
DE IONIZACIN PARA DIVERSAS IMPUREZAS
eV
Ge 0,01 0,01 0,012 0,013 0,26 0,32 0,04 varios 0,01 0,01 0,01 0,011 0,011
Si --0,04 0,044 0,049 0,52 0,37 0,24 varios 0,045 0,057 --0,065 0,16
Tr. 13
Li D ONADORAS ACEPTORAS
Li B
Eg=0,68 eV
Ec Ed 0,01 eV 0,01 eV Ea Ev Ec 0,26 eV 0,32 eV Ea 0,04 eV Ev
Sb P As Cu Cu Cu Au B Al Ti Ga In
Cu Eg=0,68 eV Cu
Ed
Electrnica
Concentraciones de Equilibrio
Densidades volumtricas: ni = densidad de portadores en el material puro no = densidad de electrones en un semiconductor extrnseco en equilibrio po = densidad de huecos en un semiconductor extrnseco en equilibrio Nd = densidad de impurezas donadoras Nd += densidad de impurezas donadoras ionizadas Na = densidad de impurezas aceptoras Na - = densidad de impurezas aceptoras ionizadas Ecuacin de Neutralidad de Carga
+ p o no + N d N a = 0
Na
A T ambiente todas las impurezas ionizadas:
-= N a
Nd + = Nd
Tr. 14
Electrnica
Densidad de Estados de Energa

Distribucin de estados de energa=cuntos estados hay para una energa dada en las bandas de conduccin y valencia * * m e 2m e ( E E ) g C ( E ) = ------------3------C---------2 -- ------ E EC h Consideraciones de mecnica cuntica: m h 2m h ( E E ) gV ( E ) = ------------3--V------------2 -- ------- - h
* *
E EV
EC
g C (E)
Densidad de Estados= n de estados existentes a una energa dada E Funcin de Fermi f(E)= n de los estados existentes a la energa E ocupados por un electrn g C (E)dE ---> n de estados en la banda de conduccin/cm 3 con energas comprendidas en E y E+dE (si E>=E C) g V (E)dE ---> n de estados en la banda de valencia/cm 3 con energas comprendidas en E y E+dE (si E<=E V)
E EV g V(E)
Tr. 15
Electrnica
Estadstica de Portadores
Situacin de Equilibrio (= todo proceso equilibrado con su opuesto)
f = Funcin de Distribucin (Fermi-Dirac) = Probabilidad de que E est ocupado por un e -
Ef = Energa de Fermi
1 para E < Ef ; a T = 0K, f es 0 para = 0,5 E > Ef ; Para T > 0K: f(E )
f
kT(T=300K) = 0,026eV
1 f ( E ) = ----------------------1+e
(E E f ) -------------kT
k = cte. de Boltzmann = 8.62 x10 -5 eV/K
Ef va a ser un nivel cte. de referencia en el equilibrio= Energa de Fermi = Energa que corresponde a un valor de la funcin de distribucin de 1/2
f(E)
T1 = 0 K T2 > T1 T3 > T2
Ef
1 f ( E ) = ------------------------( E Ef) -------------kT 1+e
0,5 0
1-f(E) representa la probabilidad de que E est vacio Tr. 16
Electrnica
Concentraciones de Portadores
Concentracin de electrones n 0 = g C ( E )f ( E ) dE E
C
Concentracin de huecos p 0 = V g V ( E ) ( 1 f ( E) ) dE
E
Resultado: E V + 3kT Ef E C 3 kT ( E E ) c f ------------------kT
n o = N ce
con
po = Nv e
(E E ) f v ------------------kT
con
Semiconductor no degenerado 3 -3kT * 2 m e kT 2 EC N c 2 ----------------------- h2 3 -* 2 m h kT 2 EV N v 2 ---------------------- 3kT h2 ( E c E v) --------------------kT E g ------kT
Ef aqui... semiconductor degenerado Ef aqui... semiconductor no degenerado Ef aqui... semiconductor degenerado
Ley de accin de masas: p on o = N v N e c
= Nv N e c
Tr. 17
Electrnica
Semiconductores Intrnsecos
Material intrnseco: densidad de h+ = densidad de e- = n i (T)
no = po = ni no p o = n i2 (T) Nivel de Fermi de un semiconductor intrnseco: ni = Nc e = Nv e con E i = nivel de Fermi intrnseco
( E E ) c i ------------------kT ( E E ) i v ------------------kT
ni (T ) = ;
N vN e c
E g -----kT
Nc 1 1 1 kT E i = - ( E c + E v ) --- ln --- - ( Ec + E v ) = EV + - ( E c E v ) ---- N 2 2 2 2 v Tomaremos E i (mitad de la banda prohibida) como nivel de referencia
Expresiones alternativas en funcin de los parmetros Ei y n i :
(vlida para todo tipo de semiconductor)
despreciable a T=300K
no = nie
( Ef E i ) --------------kT
po = nie
( E i Ef ) 2 -------- n p = n -------o o i kT
Tr. 18
Electrnica
Valores Tpicos
Densidad equivalente de los estados en las bandas (Si, 300K) N c = 2,8 x 1019/cm 3 N v = 1,04 x 1019/cm 3
Densidades Tpicas de Impurezas (N d Na) 1013 at/cm3 ------1016 at/cm3
Densidad Atmica 5 x 1022 at/cm3 (Ge, Si)
Densidad intrnseca de portadores (ni) T (K) 200 300 400 600 Ge (/cm3) 5. 109 1,8. 1013 1,2. 1015 1,1. 1017 Si (/cm3) 0,5.10 8 1,1. 10 10 10 13 2. 1015
Tr. 19
Electrnica
Semiconductor Extrnseco Tipo n

Aproximacin:
n i2
+
Nd + N d
Na = 0
( Ec Ef ) -------------------kT
Concentracin de Portadores:
no po =
p o n o +N = 0
Nivel de Fermi:
n n o E = E + k T ln ----f c Nc
no N d
= N e c
2 n Nd 1 2 2 p = --i--n o = --- + - N d + 4n i , o --Nd 2 2
para Nd >> ni
d 2 ni p = ----o Nd no N
Nc Ef Ec kT ln ----Nd Nd Ef Ei + kT ln ----ni Ec Ef Ei Ev
Tr. 20
n 0 >> p0 tipo n
Electrnica
Semiconductor Extrnseco Tipo p

Aproximacin:
n i2 Na - N a Nd = 0
(E E ) v f ----------------kT
Concentracin de Portadores:
no po =
Nivel de Fermi:
p o = N Ve
po n o N a = 0
2 ni N 2 2 a 1 --p o = --- + - N a + 4 ni , n o = ----- N 2 2 a
N a E f E i kT ln ----ni Nv E f Ev + kT ln ----Na Ec Ei Ef Ev
Tr. 21
para Na >> ni
a 2 n i n o = ----Na po N
p0 >> n 0 tipo p
Electrnica
Dependencia con T
n0 -------Nd impurezas no ionizadas
T1
impurezas completamente ionizadas Regin Extrnseca
T2
Semiconductor extrnseco
Semiconductor intrnseco
comportamiento n i intrnsecos (no=po=ni) -------Nd
Congelacin
Regin Intrnseca
T bajas
150K 450K T moderadas
T
T altas
Ec Ed Ev
despreciable
dominante
(n=Nd +)
(n=Nd) concentraciones ctes
(n=n i)
Tr. 22
Electrnica
Procesos de Recombinacin-Generacin
Definicin general: generacin = proceso por el cual se crean portadores ( e- y h+)
recombinacin = proceso por el cual se destruyen portadores
Ambos procesos se caracterizan por unas cantidades que se denominan velocidades
G: velocidad de generacin
(nmero de portadores generados por unidad de tiempo y unidad de volumen)
R: velocidad de recombinacin
(nmero de portadores eliminados por unidad de tiempo y unidad de volumen)
U=R-G En equilibrio: R=G
velocidad neta de recombinacin U=0 U=0

Directos o banda-a-banda e e
generacin recombinacin
En no equilibrio: R = G
Si no hay otros procesos: dn = G R = U dt dp = G R = U dt Para saber G, R y U hay que distinguir entre procesos directos o indirectos
h h Indirectos o basados en centros de recombinacin

t E t permitido debido
E : nivel de energa a ciertas impurezas Tr. 23
Electrnica
Procesos de Recombinacin-Generacin Directos

G slo depende de T: G = g(T) R depende de T y de la concentracin de e- y h+ : R = r(T)np En equilibrio: R = G n = no p = po En no equilibrio: R = G n = no + n p = po+ p g(T) = r(T)nopo
U = r(T) [np - nopo] = r(T) [np+ npo+ pn o]
Caso particular de inters: Bajo nivel de inyeccin Tipo n : po<< no
n y p mucho menor que n o + po Tipo p:
no<< po
p' -U = r(T)pno = --p 1 = -----p rn o
n' -U = r(T)npo = --n 1 vida media de n = ------rp o portadores minoritarios

Tr. 24
Electrnica
Procesos de Recombinacin-Generacin Indirectos

Estos procesos tienen su base en la existencia de un nivel de energa Et permitido dentro de la BP debido a una concentracin N t de impurezas.
Cada par e- - h+ se recombina en Et en dos pasos: Ec
captura de un ecaptura de un h +
Et
captura de un e- = un e- de la BC disminuye su energa a E t captura de un h += un e- en Et disminuye su energa y va a la BV
Ev
La estadstica asociada a estos procesos es compleja. Pero se puede demostrar que: 2 pn n i donde p y n se definen ahora en funcin de unos U = ---------------------------------------------- [p + n ] + [n + n ] coeficientes de captura C cp y C cn n i p i
1 = -------------C N cp t
1 n = -------------C N cn t
Valores tpicos:
GaAs << Si, Ge

1ns 1 s
Para bajo nivel de inyeccin: p' n' U = ---U = ---tipo n tipo p p n
Tr. 25
Electrnica
Fenmenos de Transporte en Semiconductores

En equilibrio trmico, el movimiento de portadores de carga es aleatorio por lo que contribuyen a un promedio de corriente elctrica cero j = 0 En Semiconductores existen dos procesos de transporte que producen corriente elctrica j = 0 ARRASTRE
Movimiento de portadores en respuesta a un campo elctrico
DIFUSIN
Movimiento de portadores debido a un gradiente de concentracin
huecos electrones
va
Movimiento de portadores tendiendo a ir desde regiones de alta concentracin hacia regiones de baja concentracin
Movimiento aleatorio con componente neta de velocidad va en direccin del campo
Tr. 26
Electrnica
Fenmenos de Arrastre en Semiconductores

El
acelera a los portadores y sus colisiones con impurezas o con la estructura cristalina
Movimiento aleatorio con componente neta de velocidad va en direccin del campo x
Macroscpicamente: impulso entre colisiones = cantidad de movimiento

(fuerza x tiempo) (masa x velocidad ) para electrones qt para huecos
col = m e v an q t col = m h v ap an = n v ap = p
Movilidades:
Velocidades de arrastre: v
qt col n = ---------------me q tcol = ---------------p m h
La es una medida de la facilidad de movimiento de los portadores en el semiconductor Un incremento de colisiones retarda el movimiento y reduce la movilidad
Valores de movilidad: Silicio ;T=300K; dopado<10 16 cm -3 n =1417cm2 /v X s p =471cm 2 /v x s
La varia con la T, el dopado y el campo

Tr. 27
Electrnica
Dependencias de la Movilidad ()
Dependencia de la movilidad con el dopado y la temperatura Dependencia de la movilidad con el dopado a T=cte
Movilidad de electrones para una muestra de Si tipo-n
Movilidad de electrones y huecos en Si y AsGa a T=300K Tr. 28
Electrnica
Velocidad de arrastre
va
Dependencia de la velocidad de arrastre con el campo elctrico
A PEQUEOS va << V T RM ICA TIENE
POCO EFEC TO SOB RE
LA ENER GA TOTA L DE LOS ELEC TR ONES
A GRAN DES v a V TRM ICA

LA ENER GA TOTA L DE U N ELEC TRN INC REMEN TA C ONSIDER ABLEMENTE
CUA NDO ESTO S ELEC TRONES COLISIONAN C ON LOS TO MOS DE LA RED , EXC ITAN LA RED EN UN NUEVO MODO DE VIB RAC IN QUE TIENE UNA SEC C IN MAYOR PAR A INTERC EPTA R MS ELECTRONES . DE ESTA FOR MA , LA DISPER SIN POR LOS TOMOS DE LA RED ES MUY GRA NDE , CA USAN DO QU E LA VELOC IDAD DE A RRASTRE SE SATUR E.
C OMO LA ENER GA C INTIC A EST R ELAC IONA DA C ON
A DIC HOS ELEC TR ONES SE LES LLAMAN ELEC TRONES CALIENTES
Tr. 29
Electrnica
Corrientes de Arrastre
I
A Densidad de corriente = carga por unidad de tiempo y de superficie que atraviesa un plano arbitrario perpendicular a la direccin de flujo de portadores
Carga que atraviesa A durante un tiempo t: qpv a p A t Densidades de corriente: j ap = qp v ap = qp p
h e jap jan
huecos electrones
j an = q nv an = qn n
Corriente Total de Arrastre :
= j
ap
+j
an
= q ( p
+ n ) n
Conductividad: = q ( p + n ) p n
Un mismo semiconductor puede tener distintos valores de
1 Resistividad: =
control de las propiedades elctricas con el dopado Tr. 30
Electrnica
Curvatura de Bandas en Semiconductores

La existencia de un campo elctrico hace que las bandas de energa dependan de la posicin
Ec Ev
Ec(x) Ev(x)
Curvatura de bandas
Relacin entre campo y curvatura:

x
Con E > Eg se crean portadores mviles dentro del semiconductor
E
E ref
Ec Ev
E - E c = energa cintica de los eEv - E = energa cintica de los h+ Ec - Eref = energa potencial del e-
Para un potencial electrosttico V: -q V = Ec - Eref Como: = V d = ( V) dx 1 1 1 = -- d ( Ec) = -- d ( Ev ) = -- d (E i) q dx q dx q dx
campo relacionado con la pendiente de Ec, Ev o Ei

Tr. 31
Electrnica
Corrientes de Difusin
El movimiento de portadores de carga debido a la difusin da lugar a corrientes elctricas
h
e jpdif jndif
Corrientes de Difusin:
j pdif = q Dp p j ndif = qDn n Dp kT --- = -----p q D p y Dn son las constantes de difusin ( cm2/s)
Relacin de Einstein: establece la relacin entre la constante de difusin

D n kT --- = ----- q n y la movilidad de cada portador
Podemos predecir la corriente total que fluye en el dispositivo semiconductor si conocemos las concentraciones de los portadores de carga mviles
Ecuacin general de transporte:

jp = q p p qDp p jn = q n n + qDn n
Tr. 32
Electrnica
Ecuacin de Continuidad
Objetivo: Calcular la distribucin de las concentraciones de los portadores
Luz
I
rea A
Jh(x+x) Jh(x)
x
GL G-R
x+x
Dinmica de los portadores: efecto combinado de todos los procesos que originan cambio de portadores con el tiempo w Arrastre y Difusin (fenm. de transporte) w Generacin/Recombinacin de pares e -h w Otros (iluminacin)
Concentracin de huecos
Dentro del volumen infinitesimal (Ax): -hay distintas densidades de corriente en cada punto del volumen--> J h ( x ) J h ( x + x ) -se dan procesos de recombinacin y generacin en el tiempo (G-R) -se crean portadores por iluminacin (G L )
(x ( x + x p ( x, t )[ volumen] = I-----) I-----------) -h --- -h---------t q q transporte + p t RG [ volumen] + p t [ volumen ] otros
1 p ( x, t) = - [ J ( x ) J ( x + x ) ] --A-- + p ---+ p h t q h A x t R G t otros

Tr. 33
Electrnica
Ecuacin de Continuidad
SI X ----> d X , DESAR ROLLO
EN SER IE DE TAYLOR:
J h ( x + dx) = J h ( x ) + J h dx x j 1 p p = + GL U t q x j 1 n n = + GL U t q x
Ec. de continuidad para huecos: Ec. de continuidad para electrones:

donde, j j p
= q p qD p p p x
= q n + qD n n n n x
F ENMENOS DE TRANSPORTE (ARRASTRE Y DIFUSIN )
U = velocidad neta de generacin-recombinacin trmica GL = velocidad de generacin-recombinacin por iluminacin
Tr. 34

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TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

TEMA2: F UNDAMENTOS DE SEMICONDUCTORES

CONCENTRACIN P ROCESOS P ROCESOS

DE GENERACIN-RECOMBINACIN DE TRANSPORTE EN SEMICONDUCTORES

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Lbulo que representa un e- de valencia compartido

Cada tomo de Si tiene 14 electrones

Representacin de un tomo aislado de Si

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de enlace: Portadores

Suministramos Energa (Ionizacin)

b)Cristal Imperfecto a T > 0K

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de enlace: Portadores

Suministramos Energa (Ionizacin)

Si: 5x1022 tomos/cm3

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de Enlace: movimiento de e - y h +

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos

Alejados Si hay Ne- Interactuando, los niveles ---> BANDAS

Cercanos (enlace covalente) Desdoble de niveles

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos Tipos de materiales atendiendo al Diagrama de Bandas

Banda de Conduccin (vaca) Banda de Conduccin (parcialmente llena) Eg Banda de Valencia Ec

Estados Internos AISLANTE o SEMICONDUCTOR

Datos: Eg (T=300K) = 1,1eV (Si), 0,7eV (Ge), 1,4eV (AsGa)

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Modelo de Bandas en Slidos Cristalinos

ESTADO EXCITADO A T>0K: e- pasa Banda Valencia ---> ---->Banda Conduccin

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Impurezas en el Modelo de Bandas

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Impurezas en el Modelo de Bandas

Semiconductor Extrnseco (tipo p) p>n

Semiconductor Extrnseco (tipo n) n>p

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Impurezas en el Modelo de Bandas

Ec Ed 0,01 eV 0,01 eV Ea Ev Ec 0,26 eV 0,32 eV Ea 0,04 eV Ev

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

A T ambiente todas las impurezas ionizadas:

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Densidad de Estados de Energa

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

k = cte. de Boltzmann = 8.62 x10 -5 eV/K

1 f ( E ) = ------------------------( E Ef) -------------kT 1+e

1-f(E) representa la probabilidad de que E est vacio Tr. 16

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla

TEMA 2: Fundamentos de Semiconductores

Resultado: E V + 3kT Ef E C 3 kT ( E E ) c f ------------------kT

Semiconductor no degenerado 3 -3kT * 2 m e kT 2 EC N c 2 ----------------------- h2 3 -* 2 m h kT 2 EV N v 2 ---------------------- 3kT h2 ( E c E v) --------------------kT E g ------kT

Ef aqui... semiconductor degenerado Ef aqui... semiconductor no degenerado Ef aqui... semiconductor degenerado

Ley de accin de masas: p on o = N v N e c

Departamento de Electrnica y Electromagnetismo- Universidad de Sevilla