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Se denominan transistores a los dispositivos semiconductores que utiliza la electronica moderna para diversos fines a saber: Amplificacin de seales elctricas analgicas, generacin de niveles de tensin para materializar las funciones lgicas que utiliza la electronica digital, Interruptor de corriente para controlar el flujo de potencia elctrica, en los sistemas desarrollados por la electronica de potencia , etc. En gral. Son dispositivos de tres conexiones o tres terminales. La caracterstica VI es mas compleja que los dispositivos de dos terminales que se pueden describir a travs de una sola ecuacin matemtica o grafica Funcionalmente se distinguen tres pares diferentes de terminales o puertos; pero es posible describir totalmente un dispositivo de tres terminales, considerando solamente dos de sus tres pares de terminales definidos como Terminal de entrada o conexin al circuito de entrada y Terminal de salida o conexin al circuito de salida
La caracterstica tensin corriente de dos pares principales de terminales puede modificarse, actuando sobre el tercer Terminal. Por ejemplo, si variamos la tensin o corriente en el Terminal A, podemos modificar la relacin vi existente entre los terminales B y C. Esta caracterstica permite que los dispositivos de tres terminales conectados en circuitos adecuados, lleven a cabo una amplia variedad de funciones de procesamiento de seales, incluyendo la amplificacin, conmutacin y control. Para estos dispositivos la caracterstica VI se establece entre dos terminales, para distintos valores de corriente o tensin del tercer Terminal. i2 i14 i13 i12 i11
v2 Por ejemplo si el terminal (C) es el terminal comn a la conexin del circuito de entrada y salida, la grafica VI del dispositivo que se conectara al circuito de salida, sern distintas curvas en funcin de los valores de corriente o de tensin del par de terminales
que se conectaran al circuito de entrada. Para el caso de la grafica, vemos que la relacin v2i2 es funcin de los valores que tome la corrientei1. Clasificacin de los transistores Clasificaremos a continuacin a los transistores segn construccin y forma de funcionamiento: Transistor de unin bipolar (BJT) Transistor de efecto de campo (FET) Transistor de induccin esttica (SIT) Transistor bipolar de compuerta aislada (IGBT) Transistores de unin bipolar (BJT): Existen dos tipos, PNP y NPN; se utilizan para amplificar seales analgicas, tratamiento de seales digitales y como conmutador de potencia elctrica, en circuitos con componentes discretos e integrados. Transistores de efecto de campo (FET): Fundamentalmente tenemos dos tipos, los FET de juntura (JFET) y los FET de metal-oxido-semiconductor (MOS o MOSFET). Los transistores JFET pueden ser de canal n o de canal p; estos, se utilizan para amplificar seales de baja frecuencia y potencia (seales de audiofrecuencias). Los transistores MOSFET a su vez se los clasifica en MOSFET de "empobrecimiento o deplexion", MOSFET de acumulacin o enriquecimiento y MESFET. Los MOSFET de empobrecimiento o deplexion pueden ser de canal n o canal p; estos tienen aplicaciones limitadas en amplificadores de radiofrecuencias de alta frecuencias en etapas de entrada, por su bajo nivel de ruido. Los MOSFET de enriquecimiento o acumulacin, se utilizan ampliamente en los sistemas digitales de alta densidad de integracin como las compuertas lgicas, memorias semiconductoras, microprocesadores, microcontroladores etc. Tambin se disponen de MOSFET de enriquecimiento como conmutador de alta potencia elctrica (ejemplo el VMOS). Los MESFET, son transistores de efecto de campo construidos con material semiconductor de arseniuro de galio (AsGa). Son de canal n y se los utiliza por su rapidez de conmutacin en circuitos de microondas, amplificadores de alta frecuencia y sistemas lgicos de alta velocidad. Transistores de induccin esttica (SIT): Son dispositivos de alta potencia y alta frecuencia. Son similares a los JFET, excepto por su construccin vertical y su compuerta enterrada. Se los utiliza en amplificadores de potencia lineal en audio, DHF, UHF y microondas. No se los utiliza como conmutador por la alta cada de tensin en sus terminales. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) Se los utiliza fundamentalmente en circuitos de conmutacin de potencia elctrica por ejemplo en circuitos inversores de corriente continua a corriente alterna, y otras aplicaciones. Estos dispositivos, combinan las ventajas de los transistores BJT y MOSFET.
El transistor de unin bipolar (BJT) Es un dispositivo de tres terminales donde las caractersticas VI de los terminales que se conectan al circuito de salida, esta controlada por la corriente que circula en los terminales que se conectan al circuito de entrada. Esta formado por dos junturas semiconductoras de silicio, germanio o AsGa, constituyendo un transistor de juntura tipo NPN o de tipo PNP. Veamos su construccin fsica simplificada, la denominacin de sus terminales y sus smbolos. Transistor tipo PNP emisor JE E P N base JC P C E colector Transistor tipo NPN emisor JE N P base JC N C colector
E B
E B
E: Terminal denominado emisor B: Terminal denominado base C: Terminal denominado colector JE: juntura semiconductora emisorbase JC: juntura semiconductora Colectorbase
Io
(+) Ve Pe (--)
(+) Vo Po (--)
Carga
Ze
Zo
Ze: impedancia de entrada que ve la fuente de seal Zo: impedancia de salida que ve la carga. Ganancia de tensin: se define como la relacin entre la tensin de salida sobre la carga y la tensin de entrada Av Vo / Ve Ganancia de corriente: Se define como la relacin entre la corriente que suministra el amplificador, a la carga, y la corriente de entrada provista por el generador de seal. Ai Io / Ie Ganancia de potencia: Se define como la relacin entre la potencia de salida del amplificador, hacia la carga, y la potencia de entrada suministrada por la fuente de seal. Ap Po / Pe. Con la intencin de tener una idea general, detallaremos, en forma cualitativa, las caractersticas elctricas de las configuraciones del transistor bipolar. Configuracin base comn Impedancia de entrada: es baja, del orden de las decenas a centenas de ohm Impedancia de salida: es alta, del orden de las centenas de K Ganancia de tensin: es alta; depende del tipo de transistor y elementos conectados.
E B P Vo N P
E B N Vo P N
Polarizacin del transistor bipolar Tenemos tres formas de polarizar al transistor bipolar: a)- polarizacin en zona activa: La juntura de emisor (JE) se polariza directamente y la juntura de colector (JC) inversamente. Esta polarizacin permite utilizar al transistor como amplificador lineal de seales elctricas analgicas. b)- polarizacin en zona de corte: ambas junturas, JE y JC se polarizan inversamente. En esta zona, prcticamente no circula corriente por el transistor.
VCB
Con esta polarizacin, la barrera de potencial decrece en JE y crece en JC. Vamos a suponer ahora que primero polarizamos JC; circulara entonces una corriente Ico debido a los portadores minoritarios, a cada lado de la juntura. (en transistores reales se denomina IcBo). Esta corriente ingresa por la base y sale por el colector. Ahora polarizamos directamente la juntura del emisor JE; circulara una corriente considerable debido a los portadores mayoritarios huecos del emisor y electrones de la base. Constructivamente, la zona fsica del emisor, esta fuertemente impurificada y la base, dbilmente impurificada y a su vez es fsicamente delgada. Por lo tanto la corriente del emisor IE esta compuesta mayoritariamente por los portadores mayoritarios huecos del emisor. Estos portadores, al ingresar a la base (en la base pasan a ser minoritarios), solamente transitan por ella, pasando directamente a la juntura del colector, dado que encuentran un campo elctrico favorable para que ello ocurra. Solamente algunos de estos portadores se recombinan con los portadores mayoritarios de la base (electrones). De esta manera la corriente del colector IC, esta compuesta por la corriente Ico y por la componente de corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor que transitaron por la base y pasaron al colector. La corriente de la base esta compuesta por la corriente entrante Ico , la corriente saliente de portadores mayoritarios de la base (electrones) que pasan al emisor, y la corriente saliente de portadores mayoritarios que se recombinaron con los portadores minoritarios que ingresaron a la base. Considerando la convencin de asignar valores positivos a las corrientes entrantes y negativo, a las salientes, podemos decir entonces que para un transistor PNP la corriente del emisor resulta entrante o sea positiva y las corrientes del colector y la base resultan salientes o sea negativas. En valores numricos, prcticamente la corriente del emisor es
JE
JC
(E)
IE
IpC1 P Ico
IC (C)
VEB
IB
VBC
(B)
IpE _____: Corriente debido a los portadores mayoritarios del emisor (huecos) InB ____ : de la base (electrones) InCo____: minoritarios del colector (electrones IpBo _____: de la base (huecos) Ico _____: inversa de la juntura de colector JC Ico=InCo+IpBo IpC1 ____: debido a los portadores mayoritarios del emisor que llegaron al colector (IpE Ipc1): Corriente debido a los portadores mayoritarios de la base (electrones) que se recombinaron con algunos portadores mayoritarios del emisor en su transito por la base, camino al colector. En el dibujo podemos apreciar el valor de la corriente del colector: IC = IpC1 + Ico como IpC1 depende de IE, entonces IC depende de IE Si IE = 0 IC = Ico (en valor absoluto) Para IE 0 IC > Ico En la prctica el valor de Ico es muy pequeo, del orden de los nanoamperes para transistores de silicio por lo que se lo suele despreciar. Ganancia de corriente para grandes seales en configuracin base comn
Con la finalidad de simplificar el anlisis, en el circuito de entrada polarizamos la juntura JE con la tensin VEB=0,7 volt para no agregar resistencia elctrica, en serie que limite la .corriente de polarizacin IE. (esta corriente queda limitada solamente por el valor dado a VEB). En la salida, conectamos una resistencia RL en serie con la fuente de alimentacin VCB que polariza inversamente la juntura de colector JC. Esta resistencia no va a modificar a la corriente IC, dado que segn la ultima expresin desarrollada para la misma, es independiente de VCB. Por otra parte si provocamos una pequea variacin de tensin entre el emisor y base, por medio de la fuente conectada en serie con VEB o sea VE , esta variacin dar lugar a un cambio relativamente grande IE de la corriente del emisor, dado que esta juntura JE, esta polarizada directamente. Como la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor, tambin sufrir una variacin IC= . IE (1). Esta variacin, circulara por la resistencia RL y provocara una variacin de tensin en sus extremos de valor: VL = RL. IC = RL. . IE
.75
regin saturac.
regin de corte
La caracterstica de entrada en zona activa es simplemente la de un diodo polarizado directamente para distintos valores de VCB. Se puede observar que para tener corriente de emisor, la tensin VEB debe superar una tensin umbral V=0,55 volt aprox. En la caracterstica de salida vemos que la corriente de colector es prcticamente igual a la corriente de emisor. Se distinguen tres regiones, la activa, donde IC IE (JC polarizada inversamente y JE directamente), la de corte donde IE = 0 y IC = Ico (JC y JE polarizadas inversamente), y la de saturacin donde VCB 0 volt e IC es el valor mximo, solamente limitada por el circuito exterior (JC y JE polarizadas directamente). Configuracin del transistor en emisor comn La configuracin anterior presenta para la fuente de seal, una impedancia baja, lo que le exige suministrar, una considerable corriente de entrada, prcticamente igual a la de salida. Como vemos no tiene ganancia de corriente, si de tensin y potencia .En alta frecuencia esta etapa puede ser conveniente por la su baja capacidad. Teniendo en cuenta estas limitaciones, surge la conveniencia de conectar al transistor en emisor comn. En estas condiciones la corriente que debe suministrar la fuente de seal, es la corriente de base que es mucho menor que la de emisor. Veamos el circuito bsico de esta configuracin:
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IB (a) 30
Vce=0VCE=1v
20 10
En este caso la corriente de la base la podemos expresar como: IB = IBo.[e(vbe/.vT) --1]. Como vemos la caracterstica de entrada es similar a la de un diodo polarizado directamente, con una ligera dependencia de la tensin de salida VCE. El valor de V es la denominada tensin de codo o tensin umbral, valor de tensin de VBE donde comienza a producirse el aumento de la corriente de base, y con ello a circular corriente en el colector y emisor. Para diodos de silicio este valor oscila en alrededor de 0,5 volt. Para el germanio esta en alrededor de 0,15 volt. Si bien la caracterstica es similar a la de un diodo, la corriente IB es mucho menor. La corriente directa de esta juntura (JE), es en realidad IE.
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IC = . IB + Iceo expresin final Como dijimos es la ganancia de corriente en emisor comn; por ejemplo si =0,99 Entonces =99 o sea un valor mayor que uno (1). Analizando la relacin entre y se puede ver que una pequea variacin de , produce una gran variacin de . En la expresin desarrollada para la corriente del colector no aparece la dependencia de VCE debido al efecto Early. Variacin de y con la corriente con la corriente de emisor: Los valores de y no son constantes, varan de acuerdo con el valor de la corriente de emisor. Para IE = 0 =0 y se incrementa a medida que crece IE, tendiendo a su valor mximo = 1.
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IE (ma)
Aclaremos finalmente que los valores de y que estamos tratando, son los que corresponden para corriente continua o de corriente estacionaria; el valor de se lo suele especificar como hFE o sea la ganancia de corriente continua para la configuracin emisor comn. regin de corte para la configuracin emisor comn Esta zona o regin la habamos definido cuando ambas junturas JE y JC se polarizan inversamente. En primera instancia podramos suponer haciendo IB = 0; en este caso IC = . IB + Iceo = Iceo y IC= -IE; vemos que la corriente del colector pasa al emisor. De all que cuando hacemos IB=0 el transistor no esta en el corte dado que tiene que darse la situacin de IE=0; en este caso IC=Ico. Para que esto ocurra, debemos polarizar inversamente la juntura emisorbase. La teora demuestra que para un transistor de germanio, debemos aplicar una tensin en la entrada que haga a VBE=-0,1volt (transistor npn). Para el silicio, con hacer VBE=0 voltios, aseguramos el corte. Para el silicio se cumple que cerca del corte IE 0, el valor de tiende a cero Por lo tanto IC = . IB + Iceo = Iceo = Ico / (1-) Ico. Resumiendo, para que un transistor NPN pase al corte, debemos hacer VBE0volt para el silicio y VBE=-0,1 volt para el germanio. En el corte se verifica que IE=0 IC=Ico y IB=-Ico. En los transistores reales Ico se reemplaza por IcBo valor que tiene en cuenta, la componente de corriente superficial que atraviesa a JC y adems otra componente que se genera en la zona de transicin por colisin, provocando multiplicacin por avalancha y eventual ruptura si superamos una determinada tensin inversa en la juntura JC. A 25C IcBo es del orden de los a para el Ge. y del orden de los nanoamper para el Silicio, duplicndose este valor por cada 10C de aumento de la temperatura. En la practica, y para el caso de los transistores de Si (los mas utilizados), con IB= 0 IC = IE = Ico 0, el transistor esta cortado. El valor de IB =0 se produce prcticamente, cuando VBE < V (tensin umbral) o sea para valores menores a 0,5 volt. Consideraciones del circuito de entrada para el corte del transistor Esto se tiene en cuenta solamente para el caso de los transistores de germanio, donde la corriente IcB0 es del orden de los a y la resistencia serie equivalente de Thevenin de la seal, del circuito de entrada, es de un valor elevado. En este caso como dijimos para llevarlo al corte, debemos aplicar una tensin VBE -0,1 volt. Como la IcBo circula desde el colector, pasando por la base y por la resistencia serie RB, produce una cada
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Aplicando la ecuacin de malla al circuito de entrada tenemos: VBE = --VBB + RB. Icbo --0,1 volt Por ejemplo para RB = 100 k y Icbo = 100 a resulta VBB = --10.1 volt; con este valor logramos IE = 0
regin de saturacin para el transistor en la configuracin emisor comn Para que el transistor trabaje en esta zona, debemos polarizar ambas junturas en forma directa, o por lo menos a la tensin umbral. Cuando el transistor esta en la zona activa, la tensin VCB = VCE VBE, donde la VCE polariza inversamente la juntura de colector (JC). Podemos decir entonces que mientras VCE>= VBE, la juntura base colector esta polarizada inversamente, y el transistor esta en la zona activa. La mxima corriente de colector en la regin activa, la podemos obtener entonces, para VCB=0, o sea para VCE=VBE En este caso la corriente IC vale: IC = VCCVCE / RC = VCCVBE / RC La corriente de base, para este valor de IC vale: IBact.minima = IC / F (corriente de base limite entre la zona activa y saturacin) Si aumentamos la corriente de base por encima de IBM, entonces VBE aumenta, la corriente de colector tambin aumenta y la VCE disminuye por debajo de VBE. Si seguimos aumentando IB, la juntura colectorbase presenta polarizacin inversa, con VCB aproximadamente de 0,4 a 0,5 volt. Entonces el transistor pasa a la saturacin. En estas condiciones la tensin VCE es de algunas dcimas de volt. Esto quiere decir que en las caractersticas VI de salida, la regin de saturacin esta muy cerca del valor cero, en el eje de las tensiones, como se ve en el grafico. En esta zona las curvas se unen y caen rpidamente al origen.
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0,20 0,10
La saturacin de un transistor bipolar, podemos definirla como el punto arriba del cual todo aumento en la corriente de base, la corriente de colector no aumenta en forma apreciable. En esta zona, la tensin colectoremisor se identifica como VCEsat. En saturacin, la corriente de colector vale: IC = ICsat = ( VCC Vcesat.) / RC VCC / RC La corriente de base vale: IB = IBsat = ICsat / F (limite mnimo de saturacin) En las caractersticas VI de salida, vemos que la zona de saturacin comienza en la zona de codo de las curvas. En el dibujo y para la recta de carga definida , comenzara para un valor de IBsat = 0,15 ma. Si seguimos aumentado IBsat. Vemos que VCEsat. Ya no disminuye significativamente. Resistencia de saturacin : En la zona de saturacin , la caracterstica VI es prcticamente lineal,( para una determinada corriente de base IB).Se define entonces a la resistencia de saturacin, como la relacin Rc sat = VCEsat. / ICsat . Este valor se debe especificar para una determinada corriente de base de saturacin. Si para IBsat=0,20 mA resulta VCEsat = 0,15 volt e Icsat = 15 mA entonces : Rcsat = VCEsat / ICsat = 0,15 / 0,015 = 10
Ganancia de corriente continua en la zona de saturacin: En esta zona la definimos como hFEsat = ICsat / IBsat. Si conocemos ICsat VCC / RC y hFEsat, podemos determinar la corriente de base necesaria para llevar al transistor a la saturacin :
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Valores tpicos de las tensiones de polarizacin para transistores de seal VCEsat 0,2 0,1 VBEsat 0,8 0,3 VBEact. 0,7 0,2 V(umbral) 0,5 0,1 VBE corte 0,00 --0,1
Silicio Germanio
Problema
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IB=230(a)
0,25
8,5 10
VCE(v)
Un transistor bipolar esta conectado en la entrada y en la salida por dos circuitos equivalentes de Thevenin segn lo muestra el dibujo, con unas caractersticas VI segn las graficas. Se solicita : a)- Determinar la corriente de base para VBB = 1 volt y VBB= 3 volt. IB1 =( VBB1 VBEact) / RB = (1 0,7) / 10k = 30 a IB2 = (VBB2 VBEact) / RB = ( 3 0,75 ) / 10k = 225 a Para encontrar grficamente IB1, debemos trazar la recta de carga sobre la caracterstica de entrada como muestra la figura: Aplicamos 1 ley de Kirchoff en el circuito de entrada VBB1 = RB . IB + VBE despejamos IB1 y obtenemos la ecuacin de la recta de carga: IB1 = VBB1/RB VBE / RB Esta recta corta a los coordenados en : VBE = VBB1 para IB = 0 IB = VBB1 / RB para VBE = 0 La interseccin con la curva, nos da el punto de polarizacin en la entrada o sea : IB1 = 30 a VBE1 = 0,7 volt. Realizando lo mismo para VBB2 = 3 voltios, obtenemos IB2 = 225 a VBE2 = 0,75 volt b)- Determinar la corriente de colector y la tensin VCE para los valores dados de VBB En este caso aplicamos la 1 ley de Kirchoff al circuito de salida y obtenemos la recta de carga, de la misma forma que hicimos con el circuito de entrad. Para graficarla tendremos que encontrar los puntos de interseccin con los ejes. Estos se dan para IC = VCC / RC 10volt / 1k para VCE = 0 VCE = VCC = 10 volt para IC = 0 Para VBB1 corresponde IB = 30 a; la interseccin con la curva correspondiente a IB = 30 a nos da el punto de operacin o polarizacin:
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Como consecuencia de estas capacidades, ante una seal digital de excitacin en su entrada, el transistor no conmuta al instante. La figura siguiente, muestra las formas de onda y tiempos de conmutacin. vB V1 0 -V2 iB IB1 kT (1-kT) t
0 -IB2 t
0,1 Ics 0 td tr tn ts tf to t
Cuando la tensin de entrada aumenta de cero a V1 y la corriente de base aumenta a IB1, la corriente de colector no lo hace en forma inmediata. Se produce un retardo, denominado tiempo de retardo td para que la corriente de colector comience a crecer. Este retardo se produce por la carga de la capacidad de la JE Ce hasta la tensin de polarizacin directa VBE 0,6 a 0,7 volt. Despus del retardo td, la corriente de colector comienza a aumentar hasta el valor Ics de estado permanente. El tiempo que tarda en llegar a este valor , denominado tr depende de la constante de tiempo de carga de la capacidad de la juntura de emisor (JE).
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.IB
VBE
2 aproximacin: En este caso consideramos que la juntura de emisor JE tiene una cada de tensin VBE = 0,7 volt; este valor es necesario cuando la tensin VBB es de algunos voltios. El circuito de salida es similar al caso anterior B IB (+) VBE (--) Emisor IB VCE IC C (+) VCE (--) IC IB4 IB3 IB2 IB1
.IB
0,7 v VBE 3 aproximacin: En esta aproximacin se debe considerar que la juntura de emisor tiene una cada de tensin resistiva que hace que VBE sea mayor que 0,7 volt VBE 0,7 v +IE . rB (emisor). adems la juntura de colector tiene una resistencia en serie con la fuente de corriente del colector rB(colector, que se manifiesta solamente cuando el transistor esta en saturacin; en zona activa no se la tiene en cuenta
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IB=IE/ B + VBE __ E
IC=.IE C
IE
Resistencia de dispersin de la base rb Es la resistencia que aparece en la regin de la base(esta es estrecha) al paso de la corriente de la base. Teniendo en cuenta el modelo anterior, y si la tenemos en cuenta resulta:
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IC
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Ruptura por perforacin: Es resultado de la ampliacin del ancho de la zona de la regin de la carga espacial en la juntura de colector JC, al incrementarse la tensin inversa aplicada(efecto Early). La perforacin difiere de la ruptura por avalancha en que tiene lugar a una tensin fija entre colector y base y no depende de la configuracin del circuito. Para un determinado transistor, el lmite de tensin esta determinado por la perforacin o por la ruptura por avalancha, segn cual sea mas bajo. En gral. Los fabricante, especifican los valores mximos de tensin en las distintas configuraciones y con distintos valores de resistencias conectados entre la base y el emisor. Como regla gral., para un correcto diseo, es necesario incluir un factor de seguridad para no acortar la vida del transistor, si se emplean con valores de tensin cercanos a los mximos . Un factor de seguridad de 2 es comn; en algunos casos se puede considerar un factor de 10. Problema Analizar y calcular el circuito amplificador bsico con transistor bipolar determinando: IB, IC, IE, VCE, VCB. Tomar como datos para el calculo VBE0,7 volt y hFE=100
Problema Para el circuito de la figura, determinar los valores de RC , RB y VCC, que permitan ubicar el punto de polarizacin Q en el centro de la recta de carga con valores de IC = 1ma y VCE = 3volt. Datos del transistor : VBE =0,7 volt y hFE = 70
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Problema Para el circuito de la figura, determinar los niveles lgicos de la seal de entrada VE Que lleven al transistor bipolar al corte y la saturacin. Datos : hFEsat=20 VBEsat= 0,85
Problema Para el circuito de la figura, se solicita: a)- Analizar si el transistor se encuentra en la zona activa, corte o saturacin. b)- Determinada la zona de funcionamiento solicitada en el punto a, encontrar los valores de VE que lo lleven a las otras zonas de funcionamiento. Datos: act =100 sat=20 VBEact = 0,7 volt. Vesta = 0,85
Problema El circuito de la figura acta como una compuerta lgica cuando el transistor se polariza al corte y saturacin , por la aplicacin de la tensin de entrada VE. Determinar:
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Problema Analizar el circuito de la figura y determinar que tipo de compuerta lgica representan, en el caso que los valores de V1 y V2 lleven al transistor a la zona de corte y saturacin
Problema Analizar el circuito de la figura y determinar el tipo de compuerta lgica que representa cuando los valores lgicos de V1 y V2 llevan al transistor al corte y la saturacin
Problema Disear los dos ltimos circuitos anteriores con los siguientes datos:
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2 4 6
10 12 VCE(v)
En este caso se utiliza una sola fuente de alimentacin VCC, para polarizar en zona activa al transistor. Los capacitares C1 y C2 desacoplan la corriente continua respecto del circuito de entrada y salida. Las corrientes de polarizacin las calculamos como: IB = VCC VBE / RB = (12 0,7) / 37,7k 300 a IC = . IB = 100 . 0,3 = 30 ma Supondremos adems que aplicaremos una tensin alterna a travs del capacitor de acoplamiento C1 con un valor de 60 mv p.p. Esta tensin se sumara y restara a la
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En este caso la resistencia de la base RB es llevada al emisor (RE). En este caso el emisor ya nos es el terminal comn. Para determinar el punto de polarizacin , procedemos de la siguiente manera:
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Solucin: a)- adoptaremos VBE = 0,7 volt.(Si) y 100 < > 150 VE = VBB VBE = 5 0,7 = 4,3 volt IE = VE / RE = 4,3 / 2,2 1,95 ma. 1 =1 / (1+ 1) = 100 /(1+100) = 0,9901 ; 2 = 2 / ( 1+2) =150 / (1+150) = 0,993 IC1 = 1. IE = 1,9306ma IC2 = 2 . IE = 1,936ma . promediamos IC = 1,93 ma
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IC (ma) 10,7
excitacin de diodos luminosos con polarizacin por base y emisor Primero analizaremos la excitacin por base segn el circuito de la figura, teniendo en cuenta que la cada de tensin de estos diodos vale 1,8 < vd < 2,5 volt
Calcularemos la corriente que el transistor suministra al diodo para el caso que el interruptor se cierre y pase a la saturacin IC1 = ID = (VCC VDl VCEsat) / RC (15 1,8) / 1,5 k = 8,8 ma
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Cuando el interruptor esta abierto ID = IC IE = 0 ma Cuando cerramos el interruptor ID = IC IE = (VBBVBE) / RE ID = (12 0,8) / 1,5 k = 7,47 ma y este valor se mantendr constante si cambia la cada de tensin del diodo. La ventaja de este tipo de excitacin es que cambiando el valor de RE o VBB modificamos la corriente que circula por el diodo y con ello modificamos la luminosidad. Por ejemplo si aplicamos a la polarizacin una tensin alterna superpuesta, la corriente del diodo variara de la misma forma y tambin su luminosidad. Si a este flujo luminoso variable lo direccionamos a travs de una fibra ptica, podemos transportarla. Si en el final de la fibra ptica colocamos un fotodiodo, la corriente que circula por el mismo comenzara a variar de la misma forma. Si ahora a esta corriente la hacemos circular por una resistencia, entonces hemos transportado la variacin de tensin de la fuente de seal. Este, es el principio de la transmisin por fibras pticas.
Nota: Cabe aclarar que el circuito bsico presentado para polarizar por emisor, es impracticable como amplificador de seales dbiles, dado que la fuente de tensin conectada en la base (VBB), representa un cortocircuito para la seal de entrada. Mas adelante veremos que la polarizacin por emisor , se resuelve reemplazando a VBB por un divisor resistivo, que le presenta una resistencia de entrada a ve.
Problema Para el circuito de la figura, determinar la corriente de emisor IE y la tensin de colector VC.
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Problema Para los dos circuitos de la figura, determinar la corriente que circula por los diodos luminosos.
El fototransistor Este dispositivo, es mucho ms fotosensible que el fotodiodo. Se conecta normalmente en la configuracin emisor comn con la base abierta y la radiacin se concentra en la regin cercana a la juntura de colector JC. Para interpretar el funcionamiento de este semiconductor, admitimos que la juntura JE esta ligeramente polarizada en sentido directo y la JC en inverso, significando esto que el transistor esta en zona activa.
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IC (ma) 10 8 6 4 2 0 5
--1/RC
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15
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VCE( volt)
En el circuito bsico, tambin es posible ingresar corriente por la base . En estas condiciones , la corriente de colector vale: : IC =.IB + (+1). (Ico + IL ). La mayor sensibilidad de un fototransistor se logra con la base abierta. Si quisiramos bajar la sensibilidad, debemos colocar una resistencia variable entre la base y el emisor
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Estabilidad del punto de polarizacin para un amplificador lineal Cuando se utiliza el transistor bipolar para amplificar linealmente seales elctricas, debemos polarizarlo en zona activa. Este punto de operacin, en su representacin grafica en las caractersticas VI de salida del transistor, se encuentra ubicado en la recta de carga (esttica), entre las zonas de corte y saturacin. La ubicacin , definida por el par de valores IC y VCE debera ser fija, ante alteraciones de algunos de los parmetros que definen al transistor. De no ser as, su posible desplazamiento, lo podra llevar cerca de las zonas de saturacin o corte, provocando una marcada distorsin de la seal amplificada.
IC (ma)
IC
VCE
VCE(volt)
Los parmetros elctricos que pueden modificar la ubicacin original de diseo del punto de operacin Q son VBE , Ico y (o hFE).
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Este circuito establece un determinado grado de estabilizacin del punto de polarizacin, mediante la alimentacin de la corriente de base por VCE. Si IC aumenta ,
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El circuito de la izquierda muestra el principio de operacin que ya lo hemos analizado para excitacin de dispositivos conectados al colector del transistor. En este caso habamos determinado : IC IE = (VBB VBE) / RE VBB / RE Constante. En este circuito, la realimentacin negativa del emisor que estabiliza el punto Q la podemos ver, aplicando la ley de malla de Kirchoff, al circuito de entrada, luego reemplazar la corriente la corriente de emisor, y finalmente despejar la corriente de base: VBBVBEVE = 0 (1) VE = RE . IE (2) IE = IC+IB (3) Reemplazando (2) y (3) en (1) y despejando IB tenemos: IB = (VBBVBERE. IC) / RE Vemos que si se produce un aumento o disminucin de IC provocara una disminucin o aumento de IB respectivamente y como IC . IB tal variacin de IC tendera a anularse. El circuito de la derecha , muestra el circuito prctico para uso con componentes discretos. (los circuitos integrados lineales usan otros mtodos para estabilizar) Como la fuente de tensin VBB dijimos que representa un cortocircuito para la seal a amplificar, se reemplaza por un divisor resistivo formado por RA y RB. La seal de entrada, es introducida a la base de Q1 por medio de un capacitor de desacople de la CC, Para este caso la impedancia que ve la seal de entrada al amplificador ya no ser un cortocircuito sino el paralelo de RA, RB y la resistencia interna medida entre base y el Terminal comn. RE = //RA//RB//Rint. anlisis simplificado del circuito: Si el circuito esta bien diseado, IA >> IB resultando tambin IAIB IA, resultando: VB = IA . RB = VCC . RB / (RA+RB) IE = VE / RE = (VBBVBE) / RE IC VC = VCCRC.IC VCE = VCVE; con VCE e IC hemos encontrado el punto de polarizacin. Problema
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El circuito es similar a los ya analizados solamente con el agregado de los capacitores de desacoplo C1 C2 y CE. El capacitor C1 no deja pasar la tensin continua de la seal ve al circuito de polarizacin de entrada (puede ser el circuito de salida de otra etapa amplificadora que le antecede). El capacitor C2 no deja pasar la tensin continua de polarizacin del circuito de salida, al circuito de carga(puede ser el circuito de entrada de otra etapa amplificadora que le precede). El capacitor CE se coloca para evitar una disminucin de la ganancia en seal alterna, por la cada de tensin que producira a la seal de salida vo Estos capacitores , a las frecuencias de funcionamiento de las seales a amplificar, deben calcularse para que se comporten como un cortocircuito (Baja impedancia). Es de aclarar que este tipo de amplificador, en la prctica ya no se los utiliza, reemplazandolos por amplificadores con tecnologa integrada. El circuito de estos ltimos es diferente dado que tienen que adaptarse a las caractersticas particulares de los CI. No obstante estos circuitos tienen un valor conceptual muy importante, por lo cual se sigue desarrollando su teora para comprender mejor la amplificacin electronica de seales elctricas. Polarizacin y estabilizacin de emisor con dos fuentes de tensin
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El circuito muestra una forma de lograr la polarizacin por emisor utilizando dos fuentes de alimentacin opuestas, referidas al terminal comn o masa. Analizando el circuito de malla de la entrada, podremos establecer: VB = --RB. IB = VBE + RE. IE VEE. Como IB IC / IE / dado que IC IE Entonces reemplazando en la ecuacin anterior y despejando IE tenemos: IE = IC = ( VEEVBE) / ( RE + RB/) si resulta RE>> RB/ tendremos finalmente: IE = IC = ( VEEVBE ) / RE Vemos que bajo las condiciones de RE>> RB/ la corriente del punto de polarizacin es prcticamente independiente de las variaciones del valor de . El calculo de VE y VC resulta: VC = VCCRC.IC VE = RE. IE VEE --VBE si despreciamos la cada de tensin en RB, producida por la corriente de base. Polarizacin y estabilizacin de amplificadores lineales en circuitos integrados. Previo al desarrollo del tema especifico, adelantaremos algunas caractersticas generales de los circuitos electrnicos construidos bajo la tcnica integrada. En temas posteriores, lo desarrollaremos con ms detalle. Los CI, estn constituidos por un monocristal , normalmente de silicio, de dimensiones muy reducidas (puede ser por ejemplo 1250 x 1250 m), que contiene los elementos activos , pasivos y sus conexiones. En el proceso de fabricacin de la pastilla semiconductora de silicio, todos los componentes del circuito electrnico, incluida sus conexiones, se fabrican durante un solo proceso. Comparando la tecnologa de los circuitos integrados con la de los componentes discretos interconectados con tcnicas convencionales, cabe observar algunas de las siguientes ventajas: 1)-Son de bajo costo (debido a las grandes cantidades de produccin) 2)-Son de tamao reducido. 3)- Elevada fiabilidad (los componentes se fabrican simultneamente, sin soldadura) 4)-Mejor rendimiento (debido a su bajo costo ,se pueden emplear circuitos mas complejos, para obtener mejores caractersticas funcionales. Debido a las caractersticas propias de los CI, los circuitos desarrollados para tcnicas discretas, difieren en algunos aspectos, de los utilizados con tcnicas integradas.
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VBE1 = VBE2 =VBE IC1 = IC2 por ser transistores idnticos y tienen igual VBE I1 = (VCCVBE) / R1 = IC1+ IB1+IB2 despejamos IC1 resultando
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B) En este circuito tambin los transistores son iguales, Q1 = Q2 (1) y RB1 = RB2(2)
IB1 = IB2 = IB (3). La corriente I1 vale: I1 = 2 . IB +IC1 (4) y tambin I1 vale: I1 = (VCCVA) / R1 (5) . Por otra parte la tensin del punto A vale: VA = VBE + RB2 . IB (6) Reemplazando en (5) por (4) y (6) tendremos: 2.IB + IC1 = (VCCVBER2.IB) / R1. despejando IC1 tenemos: IC1 = (VCCVBE) / R1 -- (2 +RB2/R1).IB. Si hacemos ahora que VBE<<VCC y (2+RB2/R1).IB << IC1 la expresin de IC1 se simplifica: IC1 VCC / R1 = constante. Luego IC2 = IC1= cte. Por ser Q1 = Q2 y estar excitados por la misma corriente de base. adems si hacemos RC = R1 / 2 entonces tendremos: VCE = VCC IC2 . RC = VCC -- VCC/R1 . R1/2 = 1/2 VCC. Como puede verse , se ha logrado ubicar al punto de polarizacin en el centro de la recta de carga.
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Para el desarrollo asumiremos que IC IE adems IE = VE / RE La tensin en la base respecto al Terminal comn vale: VB =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD Luego VE vale: VE = VBVBE =[ (VCCnVD) / (R1+R2)].R2 + nVD VBE Operando esta expresin nos queda de la siguiente forma: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) + [ (R1.nVD)/(R1+R2) VBE ] Si hacemos ahora (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE entonces la expresin entre corchetes se hace igual a cero, quedndonos la expresin de VE como: VE = (VCC . R2) /( R1+R2) Si en la expresin : (R1.nVD)/(R1+R2) = VBE Hacemos n = 2 resulta operando: R1 = R2 lo cual VE = 1/2.VCC. Los valores son tericos , debemos tener en cuenta que la cada de tensin en los diodos deben ser idnticas y para VE = 1/2.VCC es necesario disminuir R1 para tener en cuenta la corriente adicional de base IB que circula por ella.
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