These Igbt

Numro d'ordre : 2005-ISAL-0097 Anne 2005
THSE
prsente
devant l'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUES DE LYON
pour obtenir
LE GRADE DE DOCTEUR
COLE DOCTORALE : LECTRONIQUE LECTROTECHNIQUE AUTOMATIQUE
FORMATION DOCTORALE : GNIE LECTRIQUE
par
Pierre LEFRANC
Ingnieur Suplec
tude, conception et ralisation de circuits de commande
d'IGBT de forte puissance
Soutenue le 30 novembre 2005 devant la commission d'examen
Jury : Rapporteur S. Lefebvre SATIE - Matre de confrences
Rapporteur JP. Ferrieux LEG - Professeur
Directeur de thse JP. Chante CEGELY - Professeur
Directeur de thse D. Bergogne CEGELY - Matre de confrences
Examinateur T. Meynard LEEI Directeur de Recherche
Invit J.F. Roche ARCEL - Industriel
Cette thse a t prpare au Centre de Gnie Electrique de Lyon (CEGELY) avec le financement de la socit ARCEL,
Champagne Au mont d'Or 69.
Novembre 2003

INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON

Directeur : STORCK A.

Professeurs :
AMGHAR Y. LIRIS
AUDISIO S. PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
BABOT D. CONT. NON DESTR. PAR RAYONNEMENTS IONISANTS
BABOUX J.C. GEMPPM***
BALLAND B. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BAPTISTE P. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BARBIER D. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BASKURT A. LIRIS
BASTIDE J.P. LAEPSI****
BAYADA G. MECANIQUE DES CONTACTS
BENADDA B. LAEPSI****
BETEMPS M. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
BIENNIER F. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
BLANCHARD J.M. LAEPSI****
BOISSE P. LAMCOS
BOISSON C. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
BOIVIN M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES SOLIDES
BOTTA H. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Dveloppement Urbain
BOTTA-ZIMMERMANN M. (Mme) UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Dveloppement Urbain
BOULAYE G. (Prof. mrite) INFORMATIQUE
BOYER J.C. MECANIQUE DES SOLIDES
BRAU J. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Thermique du btiment
BREMOND G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
BRISSAUD M. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
BRUNET M. MECANIQUE DES SOLIDES
BRUNIE L. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
BUFFIERE J-Y. GEMPPM***
BUREAU J.C. CEGELY*
CAMPAGNE J-P. PRISMA
CAVAILLE J.Y. GEMPPM***
CHAMPAGNE J-Y. LMFA
CHANTE J.P. CEGELY*- Composants de puissance et applications
CHOCAT B. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Hydrologie urbaine
COMBESCURE A. MECANIQUE DES CONTACTS
COURBON GEMPPM
COUSIN M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
DAUMAS F. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et Thermique
DJERAN-MAIGRE I. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL
DOUTHEAU A. CHIMIE ORGANIQUE
DUBUY-MASSARD N. ESCHIL
DUFOUR R. MECANIQUE DES STRUCTURES
DUPUY J.C. PHYSIQUE DE LA MATIERE
EMPTOZ H. RECONNAISSANCE DE FORMES ET VISION
ESNOUF C. GEMPPM***
EYRAUD L. (Prof. mrite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
FANTOZZI G. GEMPPM***
FAVREL J. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
FAYARD J.M. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
FAYET M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES SOLIDES
FAZEKAS A. GEMPPM
FERRARIS-BESSO G. MECANIQUE DES STRUCTURES
FLAMAND L. MECANIQUE DES CONTACTS
FLEURY E. CITI
FLORY A. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATIONS
FOUGERES R. GEMPPM***
FOUQUET F. GEMPPM***
FRECON L. (Prof. mrite) REGROUPEMENT DES ENSEIGNANTS CHERCHEURS ISOLES
GERARD J.F. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
GERMAIN P. LAEPSI****
GIMENEZ G. CREATIS**
GOBIN P.F. (Prof. mrite) GEMPPM***
GONNARD P. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GONTRAND M. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GOUTTE R. (Prof. mrite) CREATIS**
GOUJON L. GEMPPM***
GOURDON R. LAEPSI****.
GRANGE G. (Prof. mrite) GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE
GUENIN G. GEMPPM***
GUICHARDANT M. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
GUILLOT G. PHYSIQUE DE LA MATIERE
GUINET A. PRODUCTIQUE ET INFORMATIQUE DES SYSTEMES MANUFACTURIERS
GUYADER J.L. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
GUYOMAR D. GENIE ELECTRIQUE ET FERROELECTRICITE

Novembre 2003

HEIBIG A. MATHEMATIQUE APPLIQUEES DE LYON
JACQUET-RICHARDET G. MECANIQUE DES STRUCTURES
JAYET Y. GEMPPM***
JOLION J.M. RECONNAISSANCE DE FORMES ET VISION
JULLIEN J.F. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
JUTARD A. (Prof. mrite) AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
KASTNER R. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Gotechnique
KOULOUMDJIAN J. (Prof. mrite) INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
LAGARDE M. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
LALANNE M. (Prof. mrite) MECANIQUE DES STRUCTURES
LALLEMAND A. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et thermique
LALLEMAND M. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Energtique et thermique
LAREAL P (Prof. mrite) UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Gotechnique
LAUGIER A. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE
LAUGIER C. BIOCHIMIE ET PHARMACOLOGIE
LAURINI R. INFORMATIQUE EN IMAGE ET SYSTEMES DINFORMATION
LEJEUNE P. UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
LUBRECHT A. MECANIQUE DES CONTACTS
MASSARD N. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
MAZILLE H. (Prof. mrite) PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
MERLE P. GEMPPM***
MERLIN J. GEMPPM***
MIGNOTTE A. (Mle) INGENIERIE, INFORMATIQUE INDUSTRIELLE
MILLET J.P. PHYSICOCHIMIE INDUSTRIELLE
MIRAMOND M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Hydrologie urbaine
MOREL R. (Prof. mrite) MECANIQUE DES FLUIDES ET DACOUSTIQUES
MOSZKOWICZ P. LAEPSI****
NARDON P. (Prof. mrite) BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
NAVARRO Alain (Prof. mrite) LAEPSI****
NELIAS D. LAMCOS
NIEL E. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
NORMAND B. GEMPPM
NORTIER P. DREP
ODET C. CREATIS**
OTTERBEIN M. (Prof. mrite) LAEPSI****
PARIZET E. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
PASCAULT J.P. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
PAVIC G. VIBRATIONS-ACOUSTIQUE
PECORARO S. GEMPPM
PELLETIER J.M. GEMPPM***
PERA J. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Matriaux
PERRIAT P. GEMPPM***
PERRIN J. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
PINARD P. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE
PINON J.M. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
PONCET A. PHYSIQUE DE LA MATIERE
POUSIN J. MODELISATION MATHEMATIQUE ET CALCUL SCIENTIFIQUE
PREVOT P. INTERACTION COLLABORATIVE TELEFORMATION TELEACTIVITE
PROST R. CREATIS**
RAYNAUD M. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Transferts Interfaces et Matriaux
REDARCE H. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
RETIF J-M. CEGELY*
REYNOUARD J.M. UNITE DE RECHERCHE EN GENIE CIVIL - Structures
RICHARD C. LGEF
RIGAL J.F. MECANIQUE DES SOLIDES
RIEUTORD E. (Prof. mrite) MECANIQUE DES FLUIDES
ROBERT-BAUDOUY J. (Mme) (Prof. mrite) GENETIQUE MOLECULAIRE DES MICROORGANISMES
ROUBY D. GEMPPM***
ROUX J.J. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON Thermique de lHabitat
RUBEL P. INGENIERIE DES SYSTEMES DINFORMATION
SACADURA J.F. CENTRE DE THERMIQUE DE LYON - Transferts Interfaces et Matriaux
SAUTEREAU H. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
SCAVARDA S. (Prof. mrite) AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
SOUIFI A. PHYSIQUE DE LA MATIERE
SOUROUILLE J.L. INGENIERIE INFORMATIQUE INDUSTRIELLE
THOMASSET D. AUTOMATIQUE INDUSTRIELLE
THUDEROZ C. ESCHIL Equipe Sciences Humaines de lInsa de Lyon
UBEDA S. CENTRE DINNOV. EN TELECOM ET INTEGRATION DE SERVICES
VELEX P. MECANIQUE DES CONTACTS
VERMANDE P. (Prof mrite) LAEPSI
VIGIER G. GEMPPM***
VINCENT A. GEMPPM***
VRAY D. CREATIS**
VUILLERMOZ P.L. (Prof. mrite) PHYSIQUE DE LA MATIERE

Directeurs de recherche C.N.R.S. :
BERTHIER Y. MECANIQUE DES CONTACTS
CONDEMINE G. UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
COTTE-PATAT N. (Mme) UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
ESCUDIE D. (Mme) CENTRE DE THERMIQUE DE LYON
FRANCIOSI P. GEMPPM***
MANDRAND M.A. (Mme) UNITE MICROBIOLOGIE ET GENETIQUE
POUSIN G. BIOLOGIE ET PHARMACOLOGIE
ROCHE A. INGENIERIE DES MATERIAUX POLYMERES
SEGUELA A. GEMPPM***
VERGNE P. LaMcos

Directeurs de recherche I.N.R.A. :
FEBVAY G. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
GRENIER S. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS
RAHBE Y. BIOLOGIE FONCTIONNELLE, INSECTES ET INTERACTIONS

Directeurs de recherche I.N.S.E.R.M. :
KOBAYASHI T. PLM
PRIGENT A.F. (Mme) BIOLOGIE ET PHARMACOLOGIE
MAGNIN I. (Mme) CREATIS**

* CEGELY CENTRE DE GENIE ELECTRIQUE DE LYON
** CREATIS CENTRE DE RECHERCHE ET DAPPLICATIONS EN TRAITEMENT DE LIMAGE ET DU SIGNAL
***GEMPPM GROUPE D'ETUDE METALLURGIE PHYSIQUE ET PHYSIQUE DES MATERIAUX
****LAEPSI LABORATOIRE DANALYSE ENVIRONNEMENTALE DES PROCEDES ET SYSTEMES INDUSTRIELS
2005
SIGLE ECOLE DOCTORALE NOM ET COORDONNEES DU RESPONSABLE
CHIMIE DE LYON
Responsable : M. Denis SINOU
M. Denis SINOU
Universit Claude Bernard Lyon 1
Lab Synthse Asymtrique UMR UCB/CNRS 5622
Bt 308
2
me
tage
43 bd du 11 novembre 1918
69622 VILLEURBANNE Cedex
Tl : 04.72.44.81.83 Fax : 04 78 89 89 14
sinou@univ-lyon1.fr
E2MC
ECONOMIE, ESPACE ET
MODELISATION DES COMPORTEMENTS
Responsable : M. Alain BONNAFOUS
M. Alain BONNAFOUS
Universit Lyon 2
14 avenue Berthelot
MRASH M. Alain BONNAFOUS
Laboratoire dEconomie des Transports
69363 LYON Cedex 07
Tl : 04.78.69.72.76
Alain.bonnafousish-lyon.cnrs.fr
E.E.A.
ELECTRONIQUE, ELECTROTECHNIQUE,
AUTOMATIQUE
M. Daniel BARBIER
M. Daniel BARBIER
INSA DE LYON
Laboratoire Physique de la Matire
Btiment Blaise Pascal
Tl : 04.72.43.64.43 Fax 04 72 43 60 82
Daniel.Barbier@insa-lyon.fr
E2M2
EVOLUTION, ECOSYSTEME,
MICROBIOLOGIE, MODELISATION
http://biomserv.univ-lyon1.fr/E2M2
M. Jean-Pierre FLANDROIS
M. Jean-Pierre FLANDROIS
UMR 5558 Biomtrie et Biologie Evolutive
Equipe Dynamique des Populations Bactriennes
Facult de Mdecine Lyon-Sud Laboratoire de Bactriologie BP
1269600 OULLINS
Tl : 04.78.86.31.50 Fax 04 72 43 13 88
E2m2biomserv.univ-lyon1.fr
EDIIS
INFORMATIQUE ET INFORMATION
POUR LA SOCIETE
http://www.insa-lyon.fr/ediis
M. Lionel BRUNIE
M. Lionel BRUNIE
INSA DE LYON
EDIIS
Btiment Blaise Pascal
Tl : 04.72.43.60.55 Fax 04 72 43 60 71
ediis @insa-lyon.fr
EDISS
INTERDISCIPLINAIRE SCIENCES-SANTE
http://www.ibcp.fr/ediss
M. Alain Jean COZZONE
M. Alain Jean COZZONE
IBCP (UCBL1)
7 passage du Vercors
69367 LYON Cedex 07
Tl : 04.72.72.26.75 Fax : 04 72 72 26 01
cozzone@ibcp.fr
MATERIAUX DE LYON
http://www.ec-lyon.fr/sites/edml
M. Jacques JOSEPH
M. Jacques JOSEPH
Ecole Centrale de Lyon
Bt F7 Lab. Sciences et Techniques des Matriaux et des
Surfaces
36 Avenue Guy de Collongue BP 163
69131 ECULLY Cedex
Tl : 04.72.18.62.51 Fax 04 72 18 60 90
Jacques.Joseph@ec-lyon.fr
Math IF
MATHEMATIQUES ET INFORMATIQUE
FONDAMENTALE
http://www.ens-lyon.fr/MathIS
M. Franck WAGNER
M. Franck WAGNER
Universit Claude Bernard Lyon1
Institut Girard Desargues
UMR 5028 MATHEMATIQUES
Btiment Doyen Jean Braconnier
Bureau 101 Bis, 1
er
tage
Tl : 04.72.43.27.86 Fax : 04 72 43 16 87
wagner@desargues.univ-lyon1.fr
MEGA
MECANIQUE, ENERGETIQUE, GENIE
CIVIL, ACOUSTIQUE
http://www.lmfa.ec-
lyon.fr/autres/MEGA/index.html
M. Franois SIDOROFF
M. Franois SIDOROFF
Ecole Centrale de Lyon
Lab. Tribologie et Dynamique des Systmes Bt G8
36 avenue Guy de Collongue
BP 163
69131 ECULLY Cedex
Tl :04.72.18.62.14 Fax : 04 72 18 65 37
Francois.Sidoroff@ec-lyon.fr
Ce matin, jai imagin que des hommes et des femmes venus de tous les horizons de
la connaissance, sociologues, mathmaticiens, historiens, biologistes, philosophes, politi-
ciens, auteurs de science-ction, astronomes, se runissaient dans un lieu isol de toute
inuence. Ils formeraient un club : le Club des visionnaires.
Jai imagin que ces spcialistes discuteraient et tenteraient de mler leurs savoirs et leurs
intuitions pour tablir une arborescence, larborescence de tous les futurs possibles pour
lhumanit, la plante, la conscience.
Ils pourraient avoir des avis contraires, cela naurait aucune importance. Ils pourraient
mme se tromper. Peu importe qui aurait raison ou tort, ils ne feraient quaccumuler, sans
notion de jugement moral, les pisodes possibles pour lavenir de lhumanit. Lensemble
constituerait une banque de donnes de tous les scnarios de futurs imaginables.
Sur les feuilles de larbres sinscriraient des hypothses : "Si une guerre mondiale clatait",
ou "Si la mtorologie se drglait", ou "Si lon se mettait manquer deau potable", ou
"Si on utilisait le clonage pour engendrer de la main doeuvre gratuite", ou "Si lon arrivait
crer une ville sur Mars", ou "Si lon dcouvrait quune viande a provoqu une maladie
contaminant tous ceux qui en ont consomm", ou "Si on russissait brancher des cer-
veaux directement sur des ordinateurs", ou "Si des matires radioactives commenaient
suppurer des sous-marins nuclaires russes couls dans les ocans".
Mais il pourrait y avoir des feuilles plus bnignes ou plus quotidiennes comme "Si la mode
des minijupes revenait", ou "Si on abaissait lge de la retraite", ou "Si lon rduisait le
temps de travail", ou "Si lon abaissait les normes de pollution automobile autorises".
On verrait alors sur cet immmense arbre se dployer toutes les branches et les feuilles du
futur possible de notre espce.
On verrait aussi apparatre de nouvelles utopies.
Ce travail dapprentissage visionnaire serait entirement reprsent dans ce schma. Evi-
demment, il naurait pas la prtention de "prdire lavenir" mais en tout cas lavantage de
dsigner les enchanements logiques dvnements.
Et travers cet arbre des futurs possibles, on discuterait ce que jai appel la VMV : "Voie
de moindre violence". On verrait quune dcision impopulaire sur le moment peut viter
un gros problme, moyen ou long terme.
LArbre des possible aiderait ainsi les politiciens surmonter leur peur de dplaire pour
revenir plus de pragmatisme. Ils pourraient dclarer : "LArbre des possibles montre que,
si jagis en ce sens, cela aura des consquences pnibles dans limmdiat, mais nous chap-
perons telle ou telle crise ; tandis que si je ne fais rien, nous risquons probablement telle
ou telle catastrophe."
Le public, moins apathique quon ne se le gure gnralement, comprendrait et ne r-
agirait plus de manire pidermique, mais en tenant compte de lintrt de ses enfants,
petits-enfants et arrires-petits-enfants.
Certaines mesures cologiques difciles prendre deviendraient plus acceptables.
LArbre des possibles aurait pour vocation non seulement de permettre de dtecter la VMV
mais aussi de passer un pacte politique avec les gnrations venir, en vue de leur laisser
une terre viable.
Bernard Werber, LArbre des possibles.
vi
Ces travaux de thse ont t effectus au sein du laboratoire CEGELY de
lINSA de Lyon et de la socit ARCEL. Je tiens en premier lieu remercier Mon-
sieur le Professeur Jean-Pierre Chante pour mavoir accueilli au sein de son labo-
ratoire et Monsieur Yves Paris au sein de sa socit.
Merci Dominique Bergogne et Jean-Pierre Chante davoir t mes directeurs
de thse. Jespre avoir t un bon thsard.
Je remercie Monsieur Stphane Lefebvre et Monsieur Jean-Paul Ferrieux de
participer au jury en tant que rapporteurs.
Je remercie Monsieur Thierry Meynard de participer au jury en tant quexami-
nateur.
Je remercie Monsieur Franois Costa, professeur au SATIE de lENS Cachan
et Monsieur Dejan Vasic pour leur collaboration et leur aide en matire de trans-
formateur pizolectrique.
Je remercie Monsieur Paul Gonnard, professeur au LGEF de lINSA de Lyon
pour sa collaboration et son aide en matire de transformateur pizolectrique.
Je tiens remercier Jean-Franois Roche pour mavoir encadr pendant ces
trois annes et de mavoir fait participer activement lactivit du service tech-
nique de la socit ARCEL.
Je remercie galement Philippe Lardet et Ludovic Derouen pour leurs conseils
et leur aide quotidienne. Mes remerciements se portent galement sur Mathieu He-
rodet (pour sa bonne humeur et sa culture musicale), Nonos (pour son rire), Aff
(pour ses discussions passionnantes), le BE (pour leurs blagues), Chantal - Fran-
oise - Caroline - Isabelle - Odile - Sandra et Jojo (pour leur gentillesse) et tous
ceux que je nai pas cit.
Un grand merci Herv Morel et Bruno Allard pour leurs conseils et leurs re-
lectures ; Dominique Planson pour mavoir con des enseignements et mavoir
grandement aid pour les simulations ; Pierre Brosselard pour son aide et ses
histoires de vieux tracteurs ; Jean-Pierre Masson et Pascal Venet pour mavoir
fait entrer au CEGELY; Cyril Buttay pour son aide gargantuesque ; "lpre",
"lbomb" et "lglaude" (ils se reconnatrons) ; et toute lquipe du CEGELY.
Un grand merci mes parents, mon frre et toute ma famille.
vii
Table des matires
Introduction gnrale xii
1 Etat de lart des modules IGBT de puissance 1
1.1 Les convertisseurs statiques . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
1.2 Les semiconducteurs de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
1.3 Les modules IGBT de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.1 Historique de lIGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.3.2 Comportement physique dune cellule IGBT . . . . . . . 4
1.3.3 Les diffrentes technologies de puces IGBT . . . . . . . . 8
1.3.4 Les diffrents types de botiers des modules IGBT . . . . 15
1.3.5 Les diodes des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.4 Bilan et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
2 Etat de lart des circuits de commande dIGBT 25
2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans leur environ-
nement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2.2 Commande de grille des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . 27
2.2.1 Commande en tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
2.2.2 Commande en courant . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
2.2.3 Commande mixte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 33
2.2.4 Commande en tension avec plusieurs rsistances de grille . 35
2.2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2.3 Protections des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
2.3.1 Causes de destruction de modules IGBT . . . . . . . . . . 37
2.3.2 Protection thermique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
2.3.3 Protections contre les court-circuits et surintensits . . . . 41
2.3.4 Protections contre les surtensions . . . . . . . . . . . . . 44
2.3.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
2.4 Transmission des ordres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
2.4.1 Transmission optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
2.4.2 Transformateur magntique . . . . . . . . . . . . . . . . 51
ix
TABLE DES MATIRES
2.4.3 Transformateur sans noyau magntique : transformateur
coreless . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
2.4.4 Transformateur piezo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . 54
2.4.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.5 Transmission de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
2.5.1 Transformateurs magntiques . . . . . . . . . . . . . . . 57
2.5.2 Transformateur coreless . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65
2.5.3 Transformateur piezo-lectrique . . . . . . . . . . . . . . 68
2.5.4 Transmission optique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 70
2.5.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
2.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 72
3 Analyse et modlisation en commutation des modules IGBT 73
3.1 Modlisation lectrique simplie de puce IGBT . . . . . . . . . 73
3.1.1 Modlisation statique des puces IGBT . . . . . . . . . . . 73
3.1.2 Modlisation des effets capacitifs des puces IGBT . . . . 74
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande 77
3.2.1 Commande de grille en tension avec diode parfaite - simu-
lation analytique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 78
3.2.2 Commande de grille en tension avec diode relle et induc-
tance de cblage - simulation analytique . . . . . . . . . . 85
3.2.3 Commande de grille en courant avec diode relle et c-
blage - simulation analytique . . . . . . . . . . . . . . . . 87
3.2.4 Inuence du circuit de commande de grille sur la commu-
tation de lIGBT - simulations analytique et numrique . . 93
3.2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.3 Modlisation et inuences des inductances de cblage de module
IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 98
3.3.1 Intrt de la prise en compte des inductances de cblage . 98
3.3.2 Inuence des inductances de cblage . . . . . . . . . . . 99
3.4 Estimation et identication de linductance dmetteur de modules
IGBT 1200A-3300V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.4.1 Prsentation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116
3.4.2 Identication de L
7
par une mesure en commutation . . . 117
3.4.3 Estimation de L
7
avec le logiciel InCa . . . . . . . . . . . 118
3.4.4 Comparaison des mthodes et des modules . . . . . . . . 122
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.2 Phnomne physique . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
3.5.3 Inuence de la nature des puces IGBT . . . . . . . . . . . 125
3.5.4 Inuence du courant coup et de la rsistance de grille . . 127
3.5.5 Simulation numrique dune cellule IGBT Punch Through 128
3.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139
x
TABLE DES MATIRES
4 Conception et ralisation dune gamme de drivers dIGBT 141
4.1 Contraintes de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2 Commande de grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 141
4.2.1 Conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144
4.2.2 Simultations et exprimentations . . . . . . . . . . . . . . 154
4.2.3 Consquences des gradients de tension sur la commande
de grille . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 159
4.3 Protection des modules IGBT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 162
4.3.1 Description de la solution . . . . . . . . . . . . . . . . . 163
4.3.2 Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . 174
4.4 Transmission des ordres . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180
4.4.1 Transmission du primaire vers secondaire . . . . . . . . . 180
4.4.2 Transmission du secondaire vers primaire . . . . . . . . . 185
4.5 Transmission de puissance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.5.1 Analyse et conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 192
4.5.2 Rsultats exprimentaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . 195
4.5.3 Alimentation base de transformateur piezolectrique . . 198
4.6 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 203
Conclusion gnrale et perspectives 205
Bibliographie 207
xi
Introduction gnrale
Depuis ses dbuts en 1980, lIGBT a pris une importance norme pour arriver
lheure actuelle concurrencer tous les autres composants de puissance : bipo-
laire, MOSFET, GTO, . . . Une large gamme de modules IGBT est actuellement
disponible : de quelques dizaines dAmpre quelques kilo-Ampre et de 300V
6500V.
Dans les convertisseurs de puissance, les modules IGBT sont associs une
carte appele "driver". Le driver a pour fonction de piloter son module IGBT as-
soci et de garantir son intgrit en cas de dfauts (surintensit et surtension). Le
driver constitue un sous systme au sein du convertisseur. Il devient aussi impor-
tant que le module IGBT. Lenjeu est de taille car certains modules cotent plus de
1000C lunit.
Le travail prsent dans ce mmoire a pour but dtudier la conception et la ra-
lisation dune gamme de circuits de commande de modules IGBT (gamme de trois
drivers). Ces drivers rpondent un besoin industriel et seront produits en moyenne
srie en technologie hybride (circuit imprim et composants traditionnels).
Le premier et second chapitre de ce mmoire constituent un tat de lart des
modules IGBT et des drivers dIGBT. Les diffrentes technologies de puces IGBT
propres aux diffrents constructeurs sont exposes et expliques an de clarier
labondance de technologies de puces. Les fonctions de base des drivers dIGBT
sont exposes ainsi que les solutions technologiques classiques associes.
Dans le troisime chapitre, une modlisation des puces IGBT est propose an
dtudier leurs commutations en vue de leur commande. On propose galement de
prendre en compte les effets inductifs dus au cblage dans les botiers des modules
IGBT. An de naliser la modlisation des puces IGBT, nous proposons ltude du
phnomne davalanche dynamique prsent sur certaines technologies de puces
laide dquations simples puis de simulations par lments nis.
Enn, nous proposons lanalyse et la conception des fonctions lmentaires
propres aux drivers dIGBT. Des mthodes de conception, des simulations et des
rsultats exprimentaux sont proposs.
xii
Chapitre 1
Etat de lart des modules IGBT
de puissance
Dans ce chapitre, nous exposons lhistorique de la technologie de lIGBT
1
de-
puis ses dbuts jusquen 2005. Les diffrentes structures de puce sont expliques
(PT
2
, NPT
3
, . . .) ainsi que les diffrentes technologies propres certains construc-
teurs (CSTBT
4
, IEGT
5
, . . .) dans le but de clarier les abrviations rencontres
dans la litterature.
1.1 Les convertisseurs statiques
La plupart des convertisseurs modernes sont constitus dinterrupteurs base
de composants semiconducteur, dlments passifs (inductances, capacits, r-
sistances, transformateurs magntiques et piezolectriques) et de dissipateurs ther-
miques. La nature de linterrupteur dpend de la frquence de dcoupage, du type
de commutation (dure, ZVS
6
, ZCS
7
, . . .), du courant et de la tension commuts.
Dans la majorit des cas, lobjectif est de diminuer le temps de conception (et in-
directement le cot), le poids et le volume du convertisseur tout en respectant les
contraintes CEM
8
. Ceci passe par un compromis entre :
la topologie de lalimentation
le type de commutation
la frquence de dcoupage
1
Insulated Gate Bipolar Transistor
2
Punch Through
3
Non Punch Through
4
Carrier Stored Trench gate Bipolar Transistor
5
Injection Enhancement Gate Transistor
6
Zero Voltage Switching
7
Zero Current Switching
8
Compatibilit Electro-Magntique
1
1.2 Les semiconducteurs de puissance
la nature du dissipateur thermique
la nature des interrupteurs
La gure 1.1 donne une bonne classication des applications des convertisseurs
en fonction des courants et tensions mis en jeux.
Tension [V]
Courant [A]
10 100 1000 10000
0.01
0.1
1
10
100
1000
Alimentations
intgres
Telecom
A
u
t
o
m
o
b
i
l
e
Contrle
moteur
Alimentation
dcoupage
Traction
HVDC
Modules
IGBT
FIG. 1.1 Classication des applications des convertisseurs statiques en fonction
du courant commut et de la tension bloque des composants semiconducteurs
[Bal96]
1.2 Les semiconducteurs de puissance
Les composants de puissance commandables sont apparus dans les annes
1950 avec les premiers thyristors de puissance. Ils nont cess dvoluer et ont
donn naissance au MOSFET
9
dans les annes 1970 et lIGBT dans les annes
9
Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor
2
1.3 Les modules IGBT de puissance
1980 [Bal96].
Le MOSFET est trs bien adapt pour les convertisseurs basse-tension et fr-
quence leve (infrieure 100V et suprieure 50kHz) alors que lIGBT est uti-
lis pour les tensions suprieures 300V et des frquences rarement suprieures
20kHz. Les GTO
10
et thyristors sont ddis aux applications haute tension (>1kV)
fort courant (>1kA). La gure 1.2 rsume cette classication de composants de
puissance en fonction de la frquence de commutation et du produit U.I des com-
posants.
FIG. 1.2 Classication des composants de puissance en fonction de la frquence
de dcoupage et le produit U.I des composants
Les modules IGBT ont un domaine dapplication qui recouvre totalement celui
des transistors bipolaires, partiellement celui des MOSFET et des GTO. Cest pour-
quoi les modules IGBT sont des composants davenir dans les fortes et moyennes
puissances [Bal96].
1.3.1 Historique de lIGBT
Les transistors MOSFET permettent dobtenir des commutations rapides avec
une commande qui ncessite peu dnergie. Ils prsentent des chutes de potentiel
levs et donc des pertes en conduction importantes surtout pour les composants
haute tension. Les transistors bipolaires ont une chute de tension ltat passant
trs faible surtout pour les hautes tensions mais ont des commutations lentes. Cer-
tains constructeurs ont voulu runir dans un composant de puissance les avantages
des MOSFET et des bipolaires.
10
Gate Turn Off thyristor
3
En 1982, General Electric dpose un brevet pour lIGR
11
et RCApour le COM-
FET
12
. En 1983, Motorola propose la structure GEMFET
13
. Dautres noms sont
associs cette structure de composant : IGT
14
, TGB
15
[Arn92], Bipolar MOS
Transistor, . . .[Per04]. Depuis le dbut des annes 1990, les constructeurs utilisent
couramment le nom dIGBT : Insulated Gate Bipolar Transistor.
1.3.2 Comportement physique dune cellule IGBT
Le point de dpart dune cellule IGBT est une cellule MOSFET canal hori-
zontal et courant vertical (VDMOS).
FIG. 1.3 Coupe schmatique dune cellule IGBT structure symtrique ou base
homogne
Sur la gure 1.4, on montre le mouvement des trous et des lectrons dans une
cellule IGBT lors de la conduction. On fait apparatre la zone de charge despace,
la cration dun effet JFET et du canal dlectron sous la grille.
Sur la gure 1.5, apparaissent les lments constitutifs internes cette struc-
ture. Tout dabord, un transistor bipolaire PNP qui a pour metteur le collecteur de
lIGBT. Ensuite, un transistor NPN qui a pour collecteur la zone de drain N
. Un
effet JFET est associ la zone de charge despace entre les caissons PP
+
prs de
lmetteur de lIGBT et augmente la rsistivit interne de lIGBT. Les diffrentes
rsistances internes sont galement associes aux types de couches.
Sur la gure 1.6, on reprsente les circuits quivalents dune cellule IGBT. On
voit apparatre sur la gure 1.6(a) une structure thyristor avec les transistors PNP
11
Insulated Gate Rectier
12
COnductivity Modulated Field Effect Transistor
13
Gain Enhanced Field Effect Transistor
14
Insulated Gate Transistor
15
Transistor Grille Bipolaire
4
FIG. 1.4 Conduction dune cellule IGBT - trajets des trous et des lectrons
FIG. 1.5 Schma de principe dune cellule IGBT - lments constitutifs et para-
sites
5
et NPN. Celle-ci ne doit pas tre active pour garder le contrle de louverture de
lIGBT par la grille.
Rn(mod)
Rb
Grille
Emetteur
Collecteur
P+
N-
Rn(mod)
Grille
Emetteur
Collecteur
N-
(a) (b)
FIG. 1.6 Circuits quivalents dune cellule IGBT
Pour que la structure thyristor N
+
PN
P
+
ne samorce pas (phnomne de d-
clenchement ou de verrouillage du thyristor parasite ou "latch-up"), il faut que la
jonction base-metteur du transistor NPN reste bloque. Pour cela, on diminue le
plus possible la rsistance R
b
qui court-circuite la jonction base-metteur du tran-
sistor NPN. Dans la pratique, le gain du transistor PNP est ajust 0.3 pour que
70% du courant passe par le MOSFET. Mais le gain du transistor PNP ne doit pas
tre trop diminu pour ne pas trop pnaliser la modulation de rsistivit de la zone
N
et de ce fait la chute de tension ltat passant.

Une technique simple pour diminuer la valeur de Rp consiste doper plus forte-
ment le caisson P au niveau des mtallisations dmetteurs. Mais le dopage de cette
zone P est limit pour ne pas changer la tension de seuil du canal. Une technique
plus volue, mais largement rpandue, consiste utiliser des formes spciques
de cellules pour repousser le dclenchement du thyristor parasite [Alo98] [Per04].
Par exemple, pour la forme en U, on introduit une rsistance R
1
entre la source
du MOSFET et lmetteur de lIGBT (gures 1.7 et 1.8). La chute de tension dans
R
1
empche la polarisation de la jonction base-metteur du transistor NPN. Cette
technique repousse le phnomne de verrouillage du thyristor mais a pour effet de
rduire la valeur du courant de court-circuit [Alo98]. Cette technique se traduit par
la forme gomtrique des cellules dIGBT : sur la gure 1.8, apparat la rsistance
R
1
entre le contact mtallique dmetteur et la source du MOSFET.
6
FIG. 1.7 Schma de principe pour repousser le verrouillage de lIGBT
FIG. 1.8 Cellule en U pour rpousser le verrouillage de lIGBT
7
1.3.3 Les diffrentes technologies de puces IGBT
NPT - PT : description [Alo98] [Per04]
Historiquement, il existe deux types de structures de cellules IGBT : NPT
16
et
PT
17
. La structure NPT tant apparue en 1982 et PT en 1985 [Bal96].
(a) (b)
FIG. 1.9 Coupe schmatique dune cellule IGBT NPT (a) et PT (b)
Une cellule de type NPT est reprsente gure 1.9(a). Pour des tensions sup-
rieures ou gales 1200V, on peut utiliser directement une plaquette brute de type
N
. Il faut compter 10V par micromtre pour la tenue en tension de la couche N
.
Linconvnient est que pour les tensions infrieures 1200V, les plaquettes sont
nes et ncessitent des machines transport par coussin dair pour viter les casses
[Alo98] [Per04].
Pour la technologie NPT, la couche N
est le substrat, la couche P

+
ct col-
lecteur est ralise par diffusion ou implantation et est peu paisse. La tenue en ten-
sion directe bloque est assure par la zone paisse N
. Cette couche N
paisse
confre la puce IGBT une chute de tension ltat passant assez leve. Ceci
devient trs pnalisant surtout pour la gamme des tensions bloques infrieures
1200V. Mais, ce problme peut tre rsolu en utilisant une couche N
plus ne. La
quantit de charges stockes dans la zone N
peut tre contrle par la rduction

du coefcient dinjection
18
de trous en agissant sur lpaisseur et la concentration
de la couche P
+
.
Sur la gure 1.9(b), on reprsente une cellule de type PT. Le substrat est de
type P
+
sur lequel on fait crotre par pitaxie la couche N
+
(couche tampon) puis la
couche N
. Cela permet davoir une couche N
plus ne que pour la technologie

NPT pour la mme tenue en tension. Ceci est possible grce la dcroissance
rapide du champ lectrique en polarisation directe dans la zone tampon N
+
. Mais,
la tenue en tension dune cellule PT est dissymtrique contrairement une cellule
16
Non Punch Through : structure symtrique
17
Punch Through : structure asymtrique
18
rapport entre le courant total et le courant de trous au niveau de la couche P
+
ct collecteur
8
de type NPT. Une structure PT offre une chute de tension ltat passant trs faible
grce la faible paisseur de la zone N
mais ncessite soit une injection de mtaux

lourds soit une irradiation de la zone N
pour crer des centres de recombinaison

pour acclrer la recombinaison des trous (porteurs minoritaires de la zone N
)
lors de louverture de lIGBT (queue de courant) mais au dtriment du V
cesat
.
NPT - PT : comparaison, comportement
Dans cette partie, on montre les diffrences de comportement pour des IGBT
PT et NPT pour des tensions comprises entre 600V et 1200V. Les courbes et ana-
lyses sont tires de la publication [She03] qui donnent des rsultats pour des IGBT
PT et NPT "trench gate" (voir page 10).
La technologie PT permet davoir des pertes faibles en conduction alors que la
technologie NPT offre des pertes faibles en commutation. Mais la liaison entre ces
deux technologies se fait lavantage de la structure NPT. La gure 1.10(a) rsume
ces tendances.
La structure NPT est fabrique avec la technique "transparent anode" et permet
de contrler la concentration des porteurs du ct de lanode (collecteur) sans avoir
une grande rpercussion sur la concentration des porteurs du ct de la cathode
(metteur) ce qui est bon pour le compromis V
cesat
/E
o f f
.
Sur une structure de type PT, le substrat est la couche P
+
du collecteur, lpais-
seur est limite par les procds de fabrication pour des raisons mcaniques, son
dopage ne peut pas tre infrieur une certaine valeur (environ 10
18
cm
3
) cause
de la rsistance de cette couche. De plus, il est difcile de bien matriser le dopage
et lpaisseur de la couche tampon N
+
. Il faut utiliser une technique dirradiation
dlectrons de la couche N
pour limiter les pertes en commutation. Mais, la du-

re de vie des trous est amliore ct collecteur et malheureusement aussi ct
metteur de la zone N
ce qui a pour effet daugmenter le V

cesat
(gure 1.10(a)).
Vcesat
Eoff
Sans
Irradiation
Avec
irradiation
Trench IGBT
PT
NPT
Eoff
Tj
PT
NPT
(a) (b)
FIG. 1.10 Comportement des technologies PT et NPT
On voit que la technique "transparent anode" pour les IGBT NPT donne un
meilleur rsultat que la technique dirradiation pour les IGBT PT. Pour amliorer
9
les pertes louverture de la structure PT, on peut galement utiliser limplantation
ionique qui permet de concurrencer la structure NPT.
Sur la gure 1.10(b), on note que la structure PT est sensible la temprature au
niveau des pertes louverture (E
of f
). Sur la gure 1.11, on montre que la structure
PT est instable thermiquement avant la structure NPT dans les mmes conditions
de test.
F
Tj
PT
NPT
FIG. 1.11 Comportement en temprature des cellule NPT et PT en fonction de la
frquence de commutation
La structure NPT permet de tenir plus longtemps le court-circuit que la struc-
ture PT. Ceci sexplique par le fait que la zone N
de la structure PT est plus ne

que celle de la structure NPT. La temprature crot plus rapidement dans la zone
N
de la structure PT. Dans [She03], une simulation montre que la temprature

maximale pour la structure NPT est de 520K et de 750K pour la structure PT lors
dun court-circuit.
Trench gate
La structure "trench gate" est apparue en 1987 pour les IGBT [Bal96]. Cette
technologie permet dliminer leffet JFET entre les cellules IGBT : voir gure
1.12.
La chute de tension ltat passant de lIGBT est amliore pour la technologie
trench gate. Par ailleurs, la rsistance de canal (R
canal
) est rduite. La largeur de la
grille est plus petite quen technologie planar et permet une meilleure densit de
courant. De plus, le courant de "latch-up" est amlior [Mot98]. Linconvnient de
cette technologie est que la capacit grille-metteur augmente et de ce fait change
le comportement dynamique de lIGBT [Mal01].
10
(a) (b)
FIG. 1.12 Coupes schmatique de cellules planar et trench gate
Field Stop, Light Punch Through, Soft Punch Through
Apartir de la structure PT, les concepteurs de puce IGBT ont eu lide dutiliser
la couche N
comme substrat n, une couche tampon N et une couche P

+
pour
linjection de trous (gure 1.13).
FIG. 1.13 Coupe schmatique dune cellule IGBT Field Stop et prol du champ
lectrique lors dune polarisation directe bloque
Cette structure est appele Field Stop (FS) par Eupec et Fuji. La ne couche
N "Field Stop" faiblement dope modie linjection de trous de la couche P (ct
collecteur) et permet de stopper le champ lectrique de la zone N
en polarisation
directe bloque : voir gure 1.13 pour le prol du champ lectrique thorique de
la structure Field Stop. Le tableau 1.1 compare les diffrentes structures de cellule
11
PT NPT FS
Couche P ct
collecteur
Fortement dope,
forte injection
dans la couche
N
Faiblement
dope
Faiblement
dope
Zone de drain N
Fine : pitaxie Moyennement

paisse
Fine : substrat n
Couche addition-
nelle N
Stoppe le champ
lectrique ltat
bloqu
Pas de couche N Permet de stop-
per le champ E
ltat bloqu
Carrier lifetime Mthodes pour
acclrer la
recombinaison
Dure de vie non
optimise
Dure de vie non
optimise
TAB. 1.1 Comparaison des cellules PT, NPT et FS pour une tenue en tension
identique
IGBT : NPT, PT, FS.
De par sa nature, la structure FS ne prsente plus de queue de courant et sa
chute de tension ltat passant est faible. Lors de louverture de lIGBT , le champ
lectrique atteint la couche tampon "Field Stop" ce qui permet de rduire le phno-
mne de queue de courant [Las00].
Cette mme technologie est utilise par Mitsubishi mais est appele LPT :
Light Punch Through [Nak]. De son ct, ABB propose une structure Soft Punch
Through (SPT) qui est identique aux structures FS et LPT [Rah01].
IEGT - CSTBT - HiGT
Toshiba a dvelopp lIEGT (Injection Enhancement Gate Transistor) pour
combiner la chute de tension du GTO et lexcellente performance de commuta-
tion de lIGBT [Mur01] [Tso04].
La structure de lIEGT est la mme que celle de lIGBT avec un prol de do-
page diffrent pour la zone de drain N
. La gure 1.14 montre une cellule IGBT

PT Trench Gate et le prol de dopage de la zone N
. La gure 1.15 montre une

cellule IEGT Trench Gate et le prol de dopage de la zone N
N
+
. De son ct,
Mitsubishi Electric propose une structure dIGBT : CSTBT (Carrier Stored Trench
gate Bipolar Transistor) qui a pour but de rduire la chute de tension ltat passant
sans dtriorer les pertes louverture. Cette structure est la mme quune structure
"PT Trench Gate" avec une couche N ajoute ct metteur : couche "Carrier Sto-
red N Layer" [Tak] [Iur01]. Sur la gure 1.16, on reprsente une cellule IGBT LPT
CSTBT : Light Punch Through CSTBT. De mme, Hitachi propose la structure
HiGT (High conductivity IGBT) qui est base sur le mme principe que lIEGT
et le CSTBT : une couche N est ajoute ct metteur sur une cellule planar. La
12
FIG. 1.14 Coupe schmatique dune cellule IGBT Trench Gate et prol de dopage
FIG. 1.15 Coupe schmatique dune cellule IEGT Trench Gate et prol de dopage
13
FIG. 1.16 Coupe schmatique dune cellule LPT CSTBT et prol de dopage
gure 1.17 montre une cellule dun HiGT. On note que cette structure est proche de
FIG. 1.17 Coupe schmatique dune cellule HiGT et prol de dopage
la structure de lIEGT de Toshiba. Les prols de concentration de dopage sont trs
proches pour ces deux structures. Elles ont lavantage davoir une chute de tension
14
ltat passant rduite grce la couche "carrier stored" pour lIGBT CSTBT et
au dopage augment de la couche N
ct metteur pour lIEGT.

1.3.4 Les diffrents types de botiers des modules IGBT
Le rle du botier
Le botier a pour rle dassurer la liaison lectrique entre les puces diodes
et IGBT, lisolation lectrique entre les diffrentes connexions des modules et le
maintien mcanique de lensemble. Ceci doit tre ralis en optimisant les trans-
ferts thermiques de la puce IGBT vers lextrieur du botier et rduire les induc-
tances parasites. La gure 1.18 montre quelques botiers de modules IGBT.
FIG. 1.18 Diffrents types de botiers de modules IGBT
Dans la plupart des cas, les modules IGBT sont soit en botier plastique (avec
semelle mtallique), soit en botiers "press-pack". Ces deux technologies sont les
plus rpandues pour les IGBT disponibles dans le commerce. Nous dtaillons ces
deux technologies.
Botiers plastiques
Le problme de base de la mise en botier des puces IGBT et diode est davoir
un bon compromis entre la abilit et lvacuation des pertes des puces vers lex-
trieur. Ce compromis va conduire au choix des isolants, des semelles mtalliques
et des soudures.
15
La gure 1.19 montre la structure dun botier de module IGBT. On voit appa-
ratre la semelle (baseplate) qui garantit la rigidit mcanique de lensemble et le
transfert thermique de lintrieur vers lextrieur du botier ; les couches disolants
entre les puces de silicium et la semelle pour lisolation galvanique des botiers ;
les "bondings" et les connexions vers lextrieur.
FIG. 1.19 Coupe schmatique dun module IGBT mont sur radiateur
La abilit des modules IGBT en botier plastique est limite par la fatigue des
soudures entre "bondings" et puces IGBT; entre puces IGBT et isolant puis entre
isolant et semelle.
Pour les brasures entre "bondings" et puces, des forces lectromagntiques se
crent chaque impulsion de courant (voir gure 1.20). Le cisaillement se situe
sous le "bonding" sur la mtallisation de la puce (7 micromtre dpaisseur) au
talon de la soudure. La granulomtrie de laluminium des mtallisations augmente
et la liaison se dgrade puis se rompt. Par exprience, la soudure ultrasonique est
meilleure que la thermo-compression [Alo98].
Les soudures "puce - isolant" et "isolant - semelle" sont soumises des contraintes
mcaniques si les coefcients de dilatation thermiques sont diffrents entre les ma-
triaux souder. La gure 1.21 montre le type de dformation propre un empilage
de trois matriaux.
On peut calculer la contrainte S au centre de la puce par [Alo98] :
16
FIG. 1.20 Connexion par bonding
isolant
soudure
Si
isolant
soudure
Si
T T
FIG. 1.21 Dformation dun empilage cause de dilatations thermiques
17
S =
D T E
2 es
(1.1)
D : Diagonale de la puce
: Diffrence de coefcient de dilatation Si-brasure
T : Diffrence de temprature entre les deux matriaux
E : Module dlasticit Young du matriau
es : Epaisseur de la brasure
On distingue trois types de brasures :
brasure lastique : (dite brasure dure) base de molybdne, a pour avantages
davoir un coefcient de dilatation identique au silicium et un coefcient
dlasticit lev.
brasure tendre : base de plomb, dtain et dargent avec des alliages de mtaux
comme lindium et lantimoine.
colle epoxy charge dargent : pratique mais sa abilit reste tre prouve.
Pour les isolants, on distingue plusieurs matriaux utiliss dans lindustrie :
alumine (Al
2
O
3
) ; berylium (BeO) ; nitrure daluminium (AlN).
Pour les semelles, on utilise couramment le cuivre pour obtenir une bonne
conductivit thermique et lAlSiC
19
(mlange daluminium et de carbure de sili-
cium) pour une bonne abilit lors de cyclages thermiques.
Le mode de dfaillance des soudures est d la fatigue thermique sous lef-
fet de cyclage thermique. Les structures dempilage se dforment selon des cycles
imposs par les pertes dans le composant. On rencontre le plus souvent les ph-
nomnes de fatigue thermique dans les modules IGBT utiliss pour la traction.
On utilise alors des semelles AlSiC avec isolant AlN
20
. Le tableau 1.2 montre les
coefcients des matriaux utiliss pour llectronique de puissance.
Les gures suivantes montrent la composition du module Eupec FZ1200R33KF2.
Ce composant constitue un seul IGBT avec diode anti-parallle. Il est constitu de
six zones chacune constitue de quatre puces IGBT 50A et deux puces diode de
100A : voir gure 1.22.
Sur la gure 1.23, on montre plus en dtail une zone constitue de deux puces
IGBT et une puce diode. On voit apparatre plus clairement les systmes de connexion
en bus-barre et par "bonding".
Sur la gure 1.24, on fait apparatre lempilage des puces, de lisolant et de la
semelle. On distingue difcilement les soudures (couches trs nes).
19
Aluminium + Carbure de Silicium
20
Nitrure dAluminium
18
matriaux Coefcient
de dilatation
[ppm/C]
Module
Young
[GPa]
Charge de
rupture
[MPa]
Limite las-
tique [MPa]
Acier (Fe+C) 11 200 450 300
Aluminium (Al) 23 70 100 80
Antimoine (Sb) 11
Cuivre (Cu) 16 130 180 170
Etain (Sn) 20 50 250
Fer (Fe) 12 210 290 200
Germanium (Ge) 6 200
Kovar (Ni+Fe) 13 450 300
Molybdne (Mo) 5 325 650 500
Nickel (Ni) 13 200 520 360
Or (Au) 14 78 200
Plomb (Pb) 29 16 15 10
Silicium (Si) 4 200 100
Tungstne (W) 4.5 430
Tantale (T) 6.5
soudures
Au + 20 Sn 16 48 250 200
Au + 3 Si 12 80 230 200
PbAgIn 28
Pb + 5 Sn 13 10
Sn + 3.5 Ag + 1.5
Sb
20 15
Sn + 10 Ag + 10
Sb
47 30
Sn + 25 Ag + 10
Sb
65 50
SnSb 26
isolants
Mica 3
Quartz (SiO
2
) 13 310
Alumine (Al
2
O
3
) 6 340 193
Berylium (BeO) 6 158
Nitrure dalumi-
nium (AlN)
6
TAB. 1.2 Proprits mcaniques des matriaux de llectronique de puissance
19
FIG. 1.22 Module IGBT FZ1200R33KF2 avec et sans botier plastique
FIG. 1.23 Puces IGBT et diodes FZ1200R33KF2
20
FIG. 1.24 Empilage des couches puces - isolant - semelle FZ1200R33KF2
Botiers "press-pack"
Nous avons vu dans le paragraphe prcdent que lempilage puce - isolant - se-
melle est soumis des contraintes mcaniques lors de cyclages thermiques menant
la dtrioration des soudures (et des rsistances thermiques de ce fait). De mme
pour les bondings qui sont soumis des forces lectromagntiques et contraintes
thermiques. A partir de ce constat, il est intressant de supprimer les soudures.
Cest possible grce la technologie "press-pack" qui limine les soudures grce
une pression permanente en fonctionnement par le systme de "clamp". Cette
solution est utilise pour les diodes, thyristors, IGCT et IGBT dans le cadre dap-
plications de traction par exemple o les problmes de cyclage thermique sont les
plus svres.
[Sch01] prsente une description dun IGBT press-pack 6.5kV - 650A. Il est
constitu de 21 puces IGBT en parallle. Une puce est reprsente gure 1.25 avec
les connexions mtalliques.
FIG. 1.25 Coupe dun IGBT press-pack
Grce cet empilage, la rsistance thermique du composant est amliore par
21
1.4 Bilan et perspectives
FIG. 1.26 Montage press-pack
rapport un botier plastique car un radiateur est prsent sur les deux faces du
composant. La rsistance thermique du composant dpend de la force de serrage
du "clamp" [Eva99]. La gure 1.26 montre un montage de composant press-pack
avec les radiateurs et le clamp.
1.3.5 Les diodes des modules IGBT
Dans les modules IGBT de puissance, les diodes sont montes en anti-parallle.
Elles jouent le rle de roue-libre dans les onduleurs de tension commutation dure
dans la plupart des applications. Elles doivent supporter la mme tension que les
puces IGBT, avoir une chute de tension la plus faible possible, avoir un recouvre-
ment le plus faible possible pour minimiser les pertes la fermeture de lIGBT.
Les diodes jouent un rle important dans la performance du module IGBT
(pertes en commutation et conduction). La technologie des puces diode volue en
mme temps que celle des puces IGBT car les performances du module IGBT
dpendent des puces diodes et IGBT.
Les constructeurs proposent lheure actuelle une large gamme de produits qui
permet au module IGBT de trouver sa place dans bon nombre dapplications. Pour
reprsenter ltat actuel (2005) des possibilits des modules IGBT, on propose le
graphique de la gure 1.27 qui donne les courants coups maximums en fonction
des tensions de blocage pour trois types de modules IGBT :
22
single : module IGBT simple
dual : module IGBT double
six-pack : module IGBT pour onduleur triphas
Ce graphique est donn pour le constructeur Eupec. Il donne un bon aperu de
ltat actuel du march de lIGBT.
0.0 A
500.0 A
1.0 kA
1.5 kA
2.0 kA
2.5 kA
3.0 kA
3.5 kA
4.0 kA
0 V 1 kV 2 kV 3 kV 4 kV 5 kV 6 kV 7 kV
C
o
u
r
a
n
t

c
o
u
p

m
a
x
i
m
a
l

[
A
]
Tension bloque maximale[V]
single
dual
sixpack
FIG. 1.27 Gamme de modules IGBT du constructeur Eupec, botiers single, dual
et six-pack
On remarque que les possibilits venir sont importantes, notamment pour
les botiers "dual" qui reprsentent une part de march trs importante. En effet,
ces botiers sont parfaitement adapts pour la ralisation donduleurs. Les botiers
"single" 6500V-600A ont un intrt pour les applications haute-tension pour saf-
franchir de la mise en srie de composants. Les botiers "six-pack" sont intressants
pour la ralisation compacte donduleurs triphass tension rseau (rseau 380V).
Les avances technologiques se situent sur la tenue en tension des modules
(modules 6500V commercialiss lheure actuelle) et loptimisation du compro-
mis pertes en commutation - pertes en conduction des modules 1200V - 1700V -
3300V.
En effet, comme vu prcdemment (paragraphe 1.3.3 page 8), les constructeurs
se sont lancs dans une course aux dnominations des technologies de puce (FS,
LPT, SPT, IEGT, CSTBT, HiGT) qui ont toutes le mme objectif : rduction des
pertes et amlioration de la abilit des modules.
Du point de vue de la tenue en tension, lavance de la technologie silicium
semble tre faible. Pour comparaison, le plus gros calibre en tension pour les diodes
de redressement est de 10kV. Le prochain saut technologique se situe certainement
dans le camp du carbure de silicium (SiC) qui permettrait long terme de dpasser
les limites actuelles du silicium malgr le problme de mobilit du SiC compro-
23
1.5 Conclusion
mettant pour lIGBT.
1.5 Conclusion
Le dbut du chapitre a t consacr lhistorique de lIGBT et son com-
portement physique. Ensuite, nous avons vu les diffrentes technologies de cellule
IGBT dont les principales sont : punch through, non punch through et trench gate.
Les nouvelles structures et technologies de cellules ont t exposes pour clarier
les termes propres chaque constructeurs (FS, IEGT, CSTBT, HiGT. . . ). Enn,
nous avons dcrit les principaux avantages et inconvnients des botiers plastiques
et press-pack.
Dans le chapitre suivant, nous prsentons le composant indissociable au mo-
dule IGBT : le driver dIGBT.
24
Chapitre 2
Etat de lart des circuits de
commande dIGBT
Dans ce chapitre, nous prsentons lenvironnement et les fonctions associes
aux circuits de commande des modules IGBT. Pour chaque fonction, nous expo-
sons les objectifs atteindre puis les solutions technologiques employes et envi-
sageables.
2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans
leur environnement
Le circuit de commande de module IGBT est communment appel "driver".
Nous gardons cette dnomination pour la suite du manuscrit.
La dnition dun driver de module IGBT est relativement simple : cest un
circuit qui doit piloter tout type de module IGBT dans tout type de convertisseur
statique (hacheur, onduleur, redresseur command, convertisseur matriciel, . . .). Le
pilotage consiste provoquer et contrler les passages de ltat bloqu ltat
passant.
Dans lobjectif dintgrer ce produit dans les convertisseurs industriels, il faut
avoir comme objectif de raliser un driver dont le prix est en accord avec ceux
des modules IGBT et des convertisseurs. Ceci passe par lutilisation des solutions
technologiques ables et peu coteuses.
Pilotage :
Le driver a pour rle de piloter un module IGBT en fonction des ordres quil reoit
dune commande globale (voir gure 2.1). Le module IGBT peut tre compos
dun bras donduleur avec diodes de roue libre ou bien dun seul IGBT avec diode
de roue libre (gure 2.2).
Scurit :
Le driver doit effectuer la scurit rapproche du module quil pilote pour amliorer
sa survie en cas de dfaut. En cas de sur-intensit dans le composant de puissance
25
2.1 Description des circuits de commande dIGBT dans leur environnement
FIG. 2.1 Synoptique commande - driver - module IGBT - convertisseur statique
(a) (b)
FIG. 2.2 Topologie de modules IGBT double et simple
26
2.2 Commande de grille des modules IGBT
par exemple, le driver doit couper lIGBT et envoyer une information derreur la
commande globale. En cas douverture en court-circuit, le driver doit piloter lou-
verture de lIGBT de telle manire que sa tension V
ce
ne dpasse pas sa tension de
claquage. Des mesures et estimations de temprature peuvent tre effectues pour
la scurit thermique des modules IGBT. Des scurits en di/dt et dv/dt peuvent
tre implantes pour complter les scurits en court-circuit et sur-intensit.
Isolation galvanique :
Pour rpondre tous les types de module IGBT et tous les types de convertisseurs
statiques, les ordres qui proviennent de la commande globale et appliqus sur la
grille de lIGBT concern doivent tre isols galvaniquement. La qualit de cette
isolation galvanique tient dans sa tenue en tension statique qui permet de piloter
des IGBT des potentiels ottants (300V, 600V, 800V, 1500V, ) et galement
ses caractristiques dynamiques qui donneront au driver la possibilit de piloter
des modules IGBT de plus en plus rapides sans problmes de CEM (dv/dt) sur
llectronique du driver.
La commande de grille ncessite une puissance pour ouvrir et fermer lIGBT
(charge et dcharge des charges stockes dans la grille de lIGBT). Il faut donc
transmettre cette puissance avec une isolation galvanique du potentiel de la com-
mande globale au potentiel ottant (ou non ottant) de lIGBT. La qualit de cette
alimentation isole est soumise aux mmes caractristiques que la transmission
dordre : il faut tenir la tension statique et minimiser les capacits de couplage
entre le primaire et le secondaire de lalimentation isole.
Les capacits parasites entre le primaire et les secondaires ont pour effets de
gnrer des courants de mode commun lors des variations de tension sur les secon-
daires. Ces courants circulent au primaire du driver et au niveau de la commande
globale. Ils peuvent perturber llectronique au primaire du driver et au niveau de
la commande globale et ensuite provoquer des dysfonctionnements.
Pour synthtiser les caractristiques prcdentes, on reprsente gure 2.3 le
synoptique dun driver de module IGBT. On fait apparatre la notion de primaire et
secondaire pour lisolation galvanique.
Dans la suite de ce chapitre, nous prsentons les quatre grandes fonctionnalits
des drivers de modules IGBT :
commande de grille
protection des modules IGBT
transmission des ordres
transmission de puissance
Le but principal de la commande de grille est de faire commuter lIGBT (charge
et dcharge de la grille de lIGBT, lment comportement capacitif). Ensuite,
diffrentes contraintes viennent sajouter :
27
FIG. 2.3 Synoptique du driver dIGBT
contrle de la vitesse de commutation
respect des aires de scurit des composants de puissance
minimisation des pertes en conduction et commutation
A partir de la fonction principale et des contraintes prcdentes, on aboutit
une multitude de solutions :
commande en tension
commande en courant
commande mixte (tension et courant)
commande en tension avec plusieurs rsistances commutables
commande en tension et courant avec valeurs ajustables dans le temps
commande rsonance
2.2.1 Commande en tension
La commande en tension consiste faire commuter lIGBT avec une source de
tension commutable (deux tats stables possibles) et une (ou deux) rsistance(s) de
grille. La source de tension V
g
passe de V
dd
V
cc
pour la fermeture et de V
cc
V
dd
pour louverture : la gure 2.4 reprsente cette solution.
Nous nous intressons aux solutions technologiques pour raliser la source
commutable V
g
. Nous disposons de deux sources de tension aux valeurs V
cc
et
28
(a) (b)
FIG. 2.4 Commande de la grille en tension
V
dd
quil faut commuter sur la rsistance de grille de lIGBT laide dinterrup-
teurs commands. Nous disposons de composants commandables de type bipolaire
et MOSFET. Suite aux travaux de thse raliss par Mohamad Kheir El Chieckh
[EC95], nous exposons la liste des solutions possibles en technologie bipolaire et
MOSFET : gure 2.5.
Les signaux de commande a et b permettent de faire commuter indpendam-
ment lun ou lautre des interrupteurs de la structure. Le secondaire du driver doit
gnrer les signaux de commande a et b en fonction des ordres reus provenant du
primaire.
Push-pull bipolaire :
Les deux transistors bipolaires sont utiliss en suiveur de tension. Le gain en cou-
rant permet aux sources de tensions a et b de ne pas fournir un courant trop
important dans les bases des transistors bipolaires lors des impulsions du courant
de grille. Les potentiels a et b doivent tre relis, la commande de cette structure
ncessite une seule tension de commande qui commute entre V
cc
et V
dd
.
Push-pull invers bipolaire :
Les deux transistors sont utiliss en rgime de saturation. Un courant est extrait de
la base de T
1
pour la fermeture de lIGBT et un courant est inject de la base de
T
2
pour louverture de lIGBT. Cette solution ncessite un systme de temps mort
pour viter de court-circuiter les sources V
cc
et V
dd
.
Totem pole bipolaire :
Le transistor T
1
fonctionne en suiveur de tension et T
2
en rgime de saturation.
Cette structure est utilise en sortie des circuits TTL. Le pilotage de cette structure
ne pose pas de problme.
Push-pull MOSFET :
Cette structure ne permet pas de piloter convenablement une grille dIGBT. Sur la
gure 2.6, on reprsente la charge dune capacit C via une rsistance R avec un
transistor MOSFET.
29
(a)
(b)
FIG. 2.5 Commande de grille en technologie bipolaire et MOSFET
30
FIG. 2.6 Charge dune capacit avec un transistor MOSFET
On suppose que la tension V
gm
ne peut pas dpasser la tension dalimentation
V
cc
pour des raisons videntes de simplicit de la solution. Au temps t = 0
, le
condensateur C est initialement dcharg (V
c
= 0) et la tension V
gm
= 0. Au temps
t = 0
+
, la tension V
gm
passe de 0V V
cc
quasi instantanment. Le MOSFET entre
en conduction et charge la capacit C. La tension V
c
crot partir de 0V et atteint la
valeur dquilibre V
c
=V
cc
V
th
(V
th
: tension de seuil du transistor MOSFET). Or
ceci nest pas acceptable car la tension nale de V
c
peut atteindre 11V au lieu de
15V (V
cc
) par exemple ce qui ne permet pas de minimiser la tension de saturation
de lIGBT (V
cesat
= f (V
ge
, I
c
)) pilot par cette structure.
Push-pull invers MOSFET :
Les deux transistors sont utiliss en commutation et permettent dobtenir des temps
de monte et descente de T
1
et T
2
trs faibles. Un systme de temps mort sur les
commandes a et b permet dviter de court-circuiter les sources V
cc
et V
dd
.
Totem pole MOSFET :
Pour les mmes raisons que le push-pull MOSFET, le totem pole MOSFET ne
permet pas de piloter convenablement une grille dIGBT.
2.2.2 Commande en courant
La commande en courant consiste faire commuter lIGBT avec une source
de courant. La source doit pouvoir fournir un courant positif et ngatif avec une
tension aussi bien positive et ngative (source quatre quadrants). Des crteurs de
tension sont ajouts en parallle sur la grille de lIGBT pour limiter la tension V
ge
:
voir gure 2.7.
Or, cette solution nest pas ralisable telle quelle est prsente sur la gure
2.7. Il faut utiliser une source de courant et un puits de courant que lon commute
31
FIG. 2.7 Commande de grille en courant et diodes zener
pour la fermeture et louverture de lIGBT (voir gure 2.8).
FIG. 2.8 Commande en courant avec une source de courant I
s
et un puits de
courant I
p
, interrupteurs commandables a, b, c et d
Cette solution ncessite une synchronisation parfaite entre le interrupteurs a, b,
c et d pour que les sources de courant soient toujours connectes sur une charge.
Il faut noter galement que cette solution est trs coteuse car elle dissipe en
32
permanence la puissance I
s
.V
DZ1
quand lIGBT est ferm et I
p
.V
DZ2
quand lIGBT
est ouvert.
Une source de courant peut tre ralise par une source de tension et rsistance
en srie. La valeur de la source de tension doit tre suprieure la tension de charge
de la grille de lIGBT (gure 2.9).
(a) (b)
FIG. 2.9 Source de courant partir dune source de tension
Les diodes zener D
Z1
et D
Z2
limitent la tension de grille. Cette solution consomme
normment de puissance car la source de tension dbite en permanence dans la
rsistance R
g
et les diodes zener en rgime permanent. Cette solution est envisa-
geable pour la simulation ou pour la caractrisation de composants mais pas pour
un driver industriel pour des raisons videntes de consommation.
2.2.3 Commande mixte
Nous voyons que la commande par gnrateur de courant pose quelques pro-
blmes de consommation lors des rgimes permanents sur la tension de grille de
lIGBT. Ce problme peut tre contourn en associant des gnrateurs de courant
pour les phases transitoires et des gnrateurs de tension pour les rgimes perma-
nents. Cette solution est illustre gure 2.10.
Lors de la phase transitoire de charge de la grille de lIGBT, on commence
par fermer b, ouvrir a et e ( f et c ouverts, d ferm). La grille se charge courant
constant ce qui permet de matriser les gradients des grandeurs V
ce
et I
c
sur charge
inductive. Lorsque la tension V
ge
est proche de V
+
, on ferme a et e, on ouvre b
pour que la tension de grille nisse de se charger la tension V
+
via la rsistance
R. Lorsque la tension V
ge
a atteint la valeur V
+
, le courant de grille est quasi nul et
la consommation du circuit de charge est quasi nulle.
Cette solution ncessite la gestion de six interrupteurs (a, b, c, d, e et f ) qui
reprsente une des difcults de ce circuit.
Par souci doptimisation de la commutation de lIGBT, on peut extrapoler la
solution prcdente avec plusieurs sources de courant et de rsistances de grille.
Ceci peut tre utile pour matriser indpendamment les gradients de V
ce
et I
c
. La
gure 2.11 illustre une des nombreuses possibilits.
33
FIG. 2.10 Commande mixte, source de courant I
s
et puits de courant I
p
, interrup-
teurs commandables a, b, c et d
FIG. 2.11 Commande mixte gnralise
34
2.2.4 Commande en tension avec plusieurs rsistances de grille
Pour matriser indpendamment les vitesses de variation de V
ce
et I
c
sur un
IGBT sur charge inductive et avec une commande de grille en tension, une des
mthodes consiste utiliser plusieurs rsistances de grille que lon connecte en
fonction de ltat de commutation de lIGBT.
On illustre cette mthode sur la gure 2.12 qui permet de mettre en conduction
lIGBT avec trois rsistances de grille et deffectuer louverture avec une rsis-
tance.
FIG. 2.12 Commande de grille avec plusieurs rsistances de grille
Cette solution permet damliorer les pertes la mise en conduction de lordre
de 20% par rapport une commande avec une seule rsistance de grille [Man03].
Lors de la charge de la grille de lIGBT, la tension V
ge
est initialement la valeur
V
. Tant que la tension V

ge
reste infrieure V
th
(tension de seuil de lIGBT), on
commute la rsistance de grille R
1
(valeur trs faible) pour charger trs rapidement
la grille. Ensuite, lorsque V
ge
dpasse la valeur V
th
, le courant I
c
crot et la rsis-
tance de grille est R
2
(valeur forte) pour limiter les valeurs de dI
c
/dt et du courant
de recouvrement de la diode de roue libre qui induit des pertes importantes dans
lIGBT. Lorsque la commutation du courant est termine, la diode se bloque et la
tension V
ce
dcrot. La rsistance de grille est R
3
(valeur moyenne) pour acclrer
la dcroissance de la tension V
ce
pour minimiser les pertes en commutation. La
gure 2.13 montre les chronogrammes de cette solution.
Cette solution est effectivement trs efcace pour rduire les pertes en com-
mutation la mise en conduction mais ncessite une mise en oeuvre importante. Il
faut dtecter le dbut et la n de la commutation en courant de la diode.
2.2.5 Conclusion
Nous venons de voir que la commande de grille peut tre ralise avec plusieurs
solutions (commande en tension, courant, mixte). La commande en tension est
35
FIG. 2.13 Oscillogramme dune commande de grille avec plusieurs rsistances
de grille
36
2.3 Protections des modules IGBT
la plus simple mettre en oeuvre dans loptique de la conception de circuits de
commande utilisation industrielle. En effet, la commande en courant ncessite
de dissiper une puissance importante ou de grer un systme dinterrupteurs qui
augmente la complexit de commande.
Dans le chapitre 4, nous verrons que la commande de grille en tension per-
met dobtenir de bonnes performances pour les commutations en fonctionnement
normal (section 4.2 page 141) et de limiter la surtension sur le collecteur lors de
louverture en rgime de surintensit avec laide dune troisime rsistance de grille
(section 4.3 page 162).
La destruction dun module IGBT peut avoir des consquences importantes des
points de vue matriel, nancier et humain. Lors dun dysfonctionnement, un mo-
dule IGBT peut exploser et prendre feu. Il peut endommager le matriel environ-
nant et ventuellement dtruire la totalit de linstallation lectrique dans laquelle
le module IGBT est implant. Il savre indispensable de protger les modules
IGBT par leurs systmes de pilotage.
2.3.1 Causes de destruction de modules IGBT
La principale cause de destruction de modules IGBT est thermique. Llvation
de temprature excessive du composant provoque un changement physique des
puces IGBT et diodes qui entrane un comportement irrversible du composant
[Amm98].
Llvation anormale de la temprature peut tre provoque de diffrentes ma-
nires :
cyclage et fatigue thermique : laugmentation des rsistances thermiques des
modules IGBT due au cyclage thermique engendre une augmentation anor-
male de la temprature du module IGBT en fonctionnement normal [Coq99].
Les brasures se fragilisent lors des cycles de temprature. Le contact sur-
facique se dgrade et le transfert thermique diminue (rsistance thermique
locale augmente). La temprature et lexcursion de temprature augmentent
jusqu arriver la destruction du module.
court-circuit : en cas de court-circuit, la puissance dissipe par les puces IGBT
est norme. La temprature crot trs rapidement. Sans protection, le module
IGBT est dtruit en un temps assez court : de quelques s quelques dizaines
de s.
amorage dynamique : la structure quatre couches de lIGBT peut tre amorce
de faon irrversible lors de forts dv/dt sur le composant. Le composant nest
plus commandable louverture par la grille et est vou une mort rapide.
avalanche : lors de louverture des modules IGBT, une surtension est observe,
elle est due la dcroissance du courant dans les inductances de cblage.
37
Cette surtension peut atteindre la tension limite du composant et provoquer
lavalanche de celui-ci. Lnergie davalanche et la rptitivit du phno-
mne engendre une augmentation rapide de la temprature des puces diodes
et IGBT.
2.3.2 Protection thermique
La protection thermique permet de protger les modules IGBT contre llva-
tion trop importante de la temprature moyenne. Cette protection ne permet pas de
dtecter llvation de temprature due un court-circuit (constante de temps trop
faible lors dun court-circuit). Elle permet de dtecter si la temprature moyenne
de certaines puces IGBT ou diode est trop leve.
Pour cela, on mesure la temprature dune puce IGBT en fonctionnement, de
mme pour une puce diode. On mesure galement la temprature lintrieur du
module IGBT ou bien lextrieur sur le systme de refroidissement du module :
gure 2.14.
FIG. 2.14 Diffrents points de mesure de temprature pour la protection ther-
mique des modules
Mesure de la temprature du systme de refroidissement :
Cest la solution la plus simple envisageable pour dtecter une temprature trop
importante des puces diodes et IGBT. On suppose que la temprature du dissipateur
(ou du systme de refroidissement) est limage de la temprature moyenne des
puces diodes et IGBT. Si la temprature du dissipateur dpasse une valeur donne,
le driver ouvre les IGBT et envoie une information de dfaut la commande globale
(gure 2.1 page 26).
Mesure de la temprature du botier de lIGBT :
Pour tre plus prcis sur la mesure de temprature des puces, on mesure la temp-
rature du botier du module IGBT. Pour cela, on utilise la thermistance
1
intgre
certains modules IGBT. Elle permet de donner une estimation de temprature du
botier du module grce aux relations suivantes :
1
composant passif en semiconducteur
38
Pour une thermistance NTC
2
R(T) = R(T
0
). exp
_
B.(
1
T

1
T
0
)
_
Pour une thermistance PTC
3
R(T) = R(T
0
). exp
_
B.(
1
T
0
1
T
)
_
Dans la pratique, on utilise un gnrateur de courant ou un pont diviseur rsistif
pour avoir une tension image de la rsistance R, donc une image de la temprature
de celle-ci (gure 2.15). Si la temprature de la thermistance dpasse une valeur
xe, le driver doit ouvrir les IGBT et envoyer une information de dfaut la
commande globale.
La gure 2.16 montre un module IGBT "six pack" FS225R12KE3 (module
IGBT pour onduleur triphas 1200V- 225A) et sa thermistance intgre au module.
FIG. 2.15 Schmas lectriques de polarisation de thermistances des modules
IGBT
Estimation dune temprature de jonction des puces IGBT et diode :
Les deux mthodes exposes prcdemment ont le mrite dtre faciles mettre
en oeuvre. Mais, on ne peut pas mesurer avec prcision la temprature des puces
diodes et IGBT avec ces deux mthodes. Nous exposons une mthode dveloppe
par Cyril Buttay [But03]. Elle permet destimer la temprature et le courant des
MOSFET dans un bras donduleur sur charge inductive. On peut envisager duti-
liser cette mthode dans le cas des IGBT : on considre le bras donduleur de la
gure 2.17.
On suppose que la tension V
d1
de la puce d
1
dpend de la temprature T (quand
la diode est passante) et du courant qui la traverse (i
d1
). De mme, on suppose que
2
Coefcient de temprature ngatif
3
Coefcient de temprature positif, B : constante relle positive
39
(a) (b)
FIG. 2.16 Thermistance du module FS225R12KE3
FIG. 2.17 Bras donduleur sur charge inductive
40
la tension V
ce2
de la puce IGBT 2 dpend de la temprature T (quand lIGBT 2 est
passant) et du courant qui le traverse (i
c2
). Lors dune commutation, on suppose
que le courant reste constant dans la charge, on mesure la tension V
ce2
avant la
commutation, la tension V
d1
aprs la commutation :
V
ce2
= f
2
(T, I
0
) (2.1)
V
d1
= f
1
(T, I
0
) (2.2)
Comme on connat les fonctions f
1
et f
2
(aprs caractrisation des puces diodes
et IGBT) et que lon a mesur les tensions V
ce2
et V
d1
, on obtient lestimation de la
temprature T et du courant I
0
(par rsolution du systme constitu des quations
2.1 et 2.2).
On suppose que la temprature est la mme pour les puces IGBT1, IGBT2, d
1
et d
2
. Or, cette hypothse est difcilement vriable dans la pratique car les puces
sont espaces de plusieurs millimtres plusieurs centimtres dans le cas de mo-
dules IGBT. Mais, cette mthode peut donner des estimations de temprature plus
prcises et plus rapides que dans le cas de la mthode utilisant une thermistance
expose prcdemment
2.3.3 Protections contre les court-circuits et surintensits
Dnition du court-circuit et sur-intensit
On dit que lIGBT est en rgime de court-circuit quand le courant est suprieur au
courant nominal et quil est limit par lIGBT (rgime en zone sature : gure 3.1
page 74).
On dit que lIGBT est en rgime de sur-intensit quand le courant est suprieur
au courant nominal et quil est limit (ou impos) par le circuit extrieur lIGBT.
On dnit galement deux types de dfaut :
Type I : le dfaut est prsent avant la mise en conduction de lIGBT
Type II : le dfaut arrive quand lIGBT est en conduction
Intrt de la scurit en court-circuit et sur-intensit
Le rgime de court-circuit est support par la quasi totalit des modules IGBT
actuels. Les constructeurs prconisent de ne pas rester dans ce mode de fonction-
nement plus de 10s (valeur typique). Pour plus de prcision, il faut se reporter aux
SCSOA
4
des constructeurs.
En cas de rgime de court-circuit, le driver doit couper lIGBT et envoyer une
information de dfaut la commande globale (gure 2.3 page 28).
Le rgime de court-circuit rptitif entrane une chute de la dure de vie des
puces IGBT. Des travaux montrent que la probabilit de destruction des puces
IGBT est trs fortement lie au nombre de court-circuits que les puces IGBT ont
subi [SE04] [SE02].
4
Short Circuit Safe Operating Area
41
Ceci montre que si le rgime de court-circuit est raccourci ou mme vit, la
dure de vie du module IGBT est moins altre.
Mthodes de dtection de court-circuit et de surintensit
Lobjectif des scurits en court-circuit et en surintensit des drivers dIGBT est de
dtecter le plus vite possible ces modes de fonctionnement et douvrir lIGBT. Le
systme de protection contre les surtensions suite aux court-circuits et surintensits
est expos dans le paragraphe suivant.
La mthode la plus utilise consiste mesurer la tension collecteur-metteur
quand lIGBT est passant pour dtecter un courant anormal dans lIGBT. En effet,
lors dun court-circuit de type I ou II, la tension collecteur chute trs peu par rap-
port la tension de bus. Dans ce cas, le court-circuit est trs facile dtecter : la
tension collecteur atteint plusieurs centaines de volts au lieu de quelques volts en
fonctionnement normal.
Lors dun dfaut en surintensit la tension collecteur dcrot rapidement, atteint
la valeur correspondant au rseau statique V
ce
= f (V
ge
, I
c
). Ensuite, le courant col-
lecteur crot rapidement cause dune faible impdance inductive de dfaut. Dans
ce cas, la dtection du rgime de surintensit seffectue en comparant la mesure
de la tension V
ce
(= f (V
ge
, I
c
)) et une tension xe au pralable par lutilisateur
(V
re f
). Si la tension V
ce
dpasse la tension V
re f
, le driver coupe lIGBT et envoie
une information de dfaut la commande globale (voir gure 2.3 page 28).
La gure 2.19 montre les oscillogrammes pour un dfaut de court-circuit de
type I, la gure 2.20 pour un rgime de sur-intensit de type I pour un bras don-
duleur. Linductance L
moteur
modlise linductance de phase dun moteur et L
cc
linductance de dfaut de court-circuit (<1H) ou de surintensit (>quelques H).
FIG. 2.18 Bras donduleur avec impdance de court-circuit
Sur la gure 2.19, on remarque que dans le cas dun court-circuit, la tension
V
ce
ne dcrot pas jusqu une valeur proche de quelques Volts. La longueur du
plateau Miller est plus faible que lors de commutation en fonctionnement normal.
42
FIG. 2.19 Court-circuit de type I
FIG. 2.20 Sur-intensit type I
43
Cette information peut tre utilise pour dtecter un rgime de court-circuit. Dans
la thse de Robert Pasterczik [Pas93], diffrentes mthodes sont exposes pour
dtecter le rgime de court-circuit par la mesure de la tension grille-metteur.
En cas de dfaut, la monte du courant dans lIGBT est impose par limp-
dance de dfaut. Dans la plupart des cas, on modlise cette impdance par une
inductance de faible valeur, ce qui correspond bien la ralit. La monte du cou-
rant est trs rapide lors dun dfaut. La dtection peut tre effectue par la mesure
du di/dt dans lIGBT. Une mthode consiste mesurer la tension entre lmetteur
de puissance et lmetteur de commande qui donne une image du di/dt dans lIGBT
grce aux effets inductifs des connexions internes du module IGBT [Lef05] : voir
section 4.3 page 162.
2.3.4 Protections contre les surtensions
Lors de louverture en rgime de dfaut, la surtension prsente sur le collec-
teur du module IGBT est suprieure celle obtenue en commutation normale. Elle
peut dpasser la tension admissible par le module IGBT et provoquer sa destruc-
tion. Pour viter ce type de destruction de module IGBT, on utilise un systme qui
permet de limiter la surtension sur le collecteur en cas douverture de lIGBT en
rgime de dfaut.
La solution la plus rpandue consiste utiliser des diodes TRANSIL
5
entre
le collecteur et la grille du module IGBT : souvent appel "clamping" ou "clam-
ping actif". Ds que la tension collecteur-metteur dpasse la tension des diodes
TRANSIL T
r
, un courant i
TR
est inject dans la grille (gure 2.21), la tension V
ge
augmente, lIGBT fonctionne en linaire et la tension V
ce
est rduite.
FIG. 2.21 Hacheur en rgime de dfaut avec clamping diode TRANSIL
Sur la gure 2.22, on reprsente le courant collecteur I
c
, les tensions V
ge
et V
ce
sans et avec diode TRANSIL. Avec le systme de clamping, la tension V
ge
remonte
5
marque dpose
44
aprs le plateau Miller (phnomne expliqu dans le paragraphe 3.2.1 page 78) :
dans cette phase, la tension V
ge
est xe une tension pour limiter la tension V
ce

une valeur proche de la tension de la diode TRANSIL T
r
.
FIG. 2.22 Ouverture de lIGBT avec et sans systme de clamping diode TRAN-
SIL
Cette solution est trs utilise sur les drivers de module IGBT de type industriel.
Elle comporte nanmoins des risques : la contre-raction du collecteur sur la grille
peut engendrer des oscillations sur la tension de grille et la tension collecteur. Si
ces oscillations deviennent trop importantes, lIGBT peut repasser ltat satur.
Le courant dans lIGBT se met crotre, la scurit en surintensit coupe lIGBT et
louverture cre une surtension qui dpasse la valeur des diodes TRANSIL. A cause
de ce phnomne, lIGBT voit son courant augmenter trs rapidement, quelques
cycles sufsent pour que le module soit dtruit.
Pour viter ce phnomne, on ajoute une rsistance en srie avec les diodes
TRANSIL. Cette rsistance permet damortir les oscillations sur les tensions de
grille et collecteur. Mais, elle a pour consquence nfaste de modier la tension
maximale vue par le collecteur. Ceci implique un rglage prcis du systme de
clamping pour chaque convertisseur : choix de R
g
, R
T
et T
r
sur la gure 2.23.
An dtudier ce phnomne, nous avons ralis des essais de clamping sur
des modules IGBT. Les essais ont t raliss conformment au schma de la -
gure 2.23. La tension de bus est de 360V environ. La tension V
ge
passe de +16V
-16V lors de louverture du module IGBT. Une surtension apparat sur la tension
V
ce
, les diodes TRANSIL entrent en conduction et le courant i
g
qui est alors nga-
45
FIG. 2.23 Hacheur en rgime de dfaut avec clamping diode TRANSIL et rsis-
tance srie
tif crot rapidement pour atteindre des valeurs positives (gure 2.24). La tension
V
ge
augmente lgrement aprs le plateau Miller pour ralentir la dcroissance du
courant collecteur et ainsi limiter la surtension.
FIG. 2.24 Exemple de clamping diode TRANSIL
2.3.5 Conclusion
Compte tenu des cots des convertisseurs base de modules IGBT, on com-
prend lintrt de mettre en oeuvre des systmes de protection pour la thermique,
les court-circuits et surintensits, les surtensions.
La protection thermique avec la mesure de la temprature du systme de refroi-
dissement est la plus simple mettre en oeuvre mais fait intervenir des constantes
46
2.4 Transmission des ordres
de temps de plusieurs dizaines de minutes. La mesure de la temprature avec laide
dune thermistance permet de mesurer la temprature au plus prs des puces diodes
et IGBT du module. La mise en oeuvre est trs simple et son efcacit est excel-
lente.
Les systmes de mesure de temprature des puces diodes et IGBT sont beau-
coup plus lourds mettre en oeuvre et ne sont pas mis en oeuvre lheure actuelle
sur des drivers industriels. Ils ncessitent des systmes de mesures analogiques, de
conversions analogique-numrique et des tratements numriques.
Les systmes de protection contre les court-circuits, les surintensits et les sur-
tensions sont ncessaires car ils garantissent la sret de fonctionnement du conver-
tisseur de puissance lors de dfauts. A lheure actuelle, la mthode utilise consiste
mesurer la tension V
ce
lorsque lIGBT est passant (methode du V
cesat
) puis en cas
de dfaut douvir lIGBT comme en fonctionnement normal. Le systme diodes
TRANSIL est galement actif et limite la surtension aux bornes de lIGBT. Cette
mthode est assez simple mettre en oeuvre et est trs largement rpandue dans
les applications industrielles. Dans le chapitre 4, nous verrons les amliorations
que lon peut apporter cette mthode lorsque les dfauts ont des impdances ex-
trmement faibles, ceci pour viter de fonctionner en rgime de court-circuit et
seulement en rgime de surintensit.
La transmission des ordres a pour but de transmettre les ordres provenant du
primaire pour les restituer au secondaire (et inversement pour le retour dinforma-
tion dont les ordres proviennent du secondaire et sont restitus au primaire) : voir
gure 2.3 page 28. Cette transmission doit garantir une isolation galvanique sta-
tique et dynamique ; elle doit tre rapide pour minimiser le temps de transfert entre
la commande globale et la grille du module IGBT; elle doit rsister aux perturba-
tions lectromagntiques.
Dans cette partie, nous nous attachons aux diffrentes solutions technologiques
existantes avec lvaluation des performances sur les points suivants :
isolation galvanique statique
isolation galvanique dynamique : capacit de couplage entre primaire et secon-
daire
rapidit du transfert des ordres
consommation
mise en oeuvre
immunit aux perturbations lectromagntiques
Nous exposons quatre axes de solutions technologiques pour la transmission
des ordres. Dans chaque axe, il existe diffrentes variantes associes aux modes de
transmission des ordres et des choix des composants.
47
FIG. 2.25 Synoptique dune transmission dordre
2.4.1 Transmission optique
Cette solution consiste associer un metteur optique (LED) un rcepteur
photo-sensible (photo-transistor ou photo-diode).
Optocoupleur
La premire solution utilisable est loptocoupleur. La diode mettrice et le com-
posant photosensible sont dans le mme botier plastique. Le composant photosen-
sible peut tre un transistor bipolaire, un transistor bipolaire Darlington, un triac,
une diode ou un thyristor. Les performances de ces composants sont limites une
isolation statique de quelques kV et des dV/dt de quelques kV/s maximum. De
plus, les temps de propagation sont trs longs, ils peuvent varier de quelques s
quelques ms. Quelques optocoupleurs ont des temps de propagation infrieurs
100ns.
Cette solution est carter car les temps de propagation doivent tre infrieurs
1s pour les drivers de module IGBT. De plus, les dv/dt rencontrs dans des
applications peuvent atteindre quelques dizaines de kV/s pour les modules IGBT
et quelques centaines de kV/s pour les MOSFET dans des cas extrmes.
LED - photodiode - comparateur
Compte tenu des remarques prcdentes, il devient prfrable dutiliser des
composants "spars" pour la transmission dordre. Un guide de lumire entre
lmetteur et le rcepteur permet de bien sparer physiquement (quelques mm) les
deux parties pour augmenter la tenue en tension statique et minimiser les capacits
parasites entre lmetteur et le rcepteur. La gure 2.26 illustre cette solution o le
guide de lumire est une bre optique.
48
FIG. 2.26 LED et photodiode spares par une bre optique
La LED est alimente en fonction des ordres mettre. La logique de com-
mande est triviale. La photodiode peut tre modlise par un gnrateur de courant
qui dpend de lintensit lumineuse reue avec en parallle un condensateur dont
la valeur dpend de la tension inverse de la photodiode. Une utilisation simple de
ce principe est de connecter une rsistance en srie avec la photodiode, de mesurer
et de comparer la tension ses bornes pour faire commuter un comparateur (gure
2.27).
FIG. 2.27 Transmission avec LED - photodiode et comparateur
Les lments parasites sont reprsents sur cette gure pour faire apparatre les
points faibles de cette structure. Avec les composants actuels, on peut avoir une
photodiode qui a une capacit parasite de 10pF et un courant photo-lectrique de
10A. Si lon prend V
re f
=0.5V (valeur faible), il faut avoir une tension aux bornes
de R
3
qui varie entre 0V (presque 0V, dpend du courant de repos de la photodiode
et de la rsistance R
3
) et 1V. Il faut donc prendre R
3
=1V / 10A = 100k. Or, la
capacit parasite C
1
et la rsistance R
3
crent une constante de temps
1
de 1s.
Ce qui veut dire que la tension V
R3
met environ 1s pour passer de 0V 0.5V et
49
de 1V 0.5V. Ce temps est assez lev mais reste acceptable. Or, les niveaux de
tension sont trs faibles (dtecter 0.5V) pour un environnement qui est soumis de
nombreuses perturbations lectromagntiques. Si lon augmente R
3
500k pour
avoir une tension V
R3
=5V, on obtient
1
= 5s . . .
LED - photodiode - amplicateur - comparateur
Le principe de lmission est identique la solution prcdente. Lmetteur
et le rcepteur sont spars par une bre optique. Pour la rception, on voit quil
faut raliser un compromis entre la rapidit et limmunit aux parasites extrieurs
par rapport la solution prcdente. Pour contourner ce problme, on ralise un
amplicateur de transimpdance qui donne une tension image du courant de la
photodiode. Celle-ci nest plus connecte en srie avec une rsistance de forte va-
leur qui permet dobtenir des temps de monte et de descente rapides. La gure
2.28 propose un schma amplicateur de transimpdance.
FIG. 2.28 Transmission avec LED - photodiode - amplicateur - comparateur
En rgime statique, on obtient V
id
= i
d
(R
2
+R
3
). On xe la valeur maximale
de V
id
par les valeurs de rsistances R
2
et R
3
. En rgime dynamique, on ajuste les
rgimes transitoires avec les capacit C
2
et C
3
. La tension V
inv
permet de polariser
en inverse la photodiode d
2
qui a pour effet de rduire sa capacit parasite C
1
et
augmente ainsi la rapidit du systme.
LED - recepteur intgr
Cette solution est identique la prcdente. Lmetteur et le rcepteur sont
spars par une bre optique. Le systme de rception est entirement intgr. La
gure 2.29 illustre cette solution.
Les performances de cette solution technologiques sont exposes dans la partie
4.4.1 page 180.
50
FIG. 2.29 Transmission avec LED et rcepteur intgr
2.4.2 Transformateur magntique
Principe de base
Cette solution consiste transmettre un ordre isol galvaniquement laide de
bobinages et de matriaux magntiques (ferrites). Les bobinages sont soit raliss
sur circuit imprim (tranformateur planar), soit par des ls avec isolants bobins
sur le matriau magntique.
Le transformateur magntique est pilot par une lectronique pour lmission.
La rception est galement ralise par une lectronique pour mettre en forme le
signal reu au secondaire du transformateur : voir gure 2.30.
FIG. 2.30 Principe de base de lmission et rception dordre avec transformateur
magntique
Il existe deux grands types de transmission dordre par transformateur magn-
tique : transmission par modulation ou par impulsion.
51
Transmission par modulation damplitude
Dans ce cas, le primaire du transformateur est excit par une tension alterna-
tive frquence xe pour transmettre ltat "haut". Pour ltat "bas", la tension au
primaire du transformateur magntique est nulle. Dans le premier cas, la tension au
secondaire est alternative (de mme frquence que la tension au primaire). Dans le
second cas, la tension au secondaire est nulle. Llectronique du secondaire doit d-
tecter la prsence ou non de la tension alternative au secondaire du transformateur
pour faire changer ltat de sa sortie (gure 2.31).
FIG. 2.31 Transmission dordre avec transformateur magntique et modulation
damplitude
Transmission par impulsion
Dans ce cas, le primaire du transformateur est excit par des impulsions brves
chaque fois que la tension V
entree
change de valeur. Cette transmission est ralise
sur les fronts de V
entree
et non sur ces tats. La tension au secondaire du transforma-
teur est constitue dimpulsions qui sont dtectes par llectronique au secondaire
et remise en forme pour obtenir loscillogramme de la gure 2.32.
Il existe un problme majeur dans ce systme impulsion. On peut avoir des
perturbations importantes lors des commutations des modules IGBT. Le systme
de dtection des impulsions au secondaire peut alors soit ne pas dtecter une im-
pulsion ou soit tre perturb et voir une impulsion alors que celle-ci provient dun
parasite. Dans les deux cas, le module IGBT concern va entrer en dfaut : les deux
IGBT du mme bras sont en conduction en mme temps.
2.4.3 Transformateur sans noyau magntique : transformateur core-
less
Dans la suite de ce manuscrit, nous appelons transformateur coreless un trans-
formateur magntique qui na pas de noyau magntique. Un transformateur co-
52
FIG. 2.32 Transmission dordre avec transformateur magntique et impulsions
reless est constitu de bobinages coupls sans matriaux magntiques. Le plus
souvent, les bobinages sont srigraphis sur un circuit imprim. Les diffrents bo-
binages sont isols par le circuit imprim. Les coefcients de couplage entre les
bobinages permettent de raliser des transformateurs coreless : voir gure 2.33
pour exemple. Ce transformateur coreless a t ralis pour les drivers de la socit
ARCEL. Il est en matriau FR4 de 1.6mm et une paisseur de cuivre 35m. Il a t
spcialement conu pour la transmission du retour dfaut (information provenant
du secondaire en direction du primaire). Lanalyse et la conception sont prsentes
au paragraphe 4.4.2 page 185 : il est fait appel un logiciel de calcul numrique
3D, LTSpice
6
et des essais exprimentaux.
FIG. 2.33 Prototype de transformateur coreless ralis sur circuit imprim, di-
mension de 6mm x 6mm
Comme pour le transformateur magntique (voir paragraphe 2.4.2), le trans-
6
Marque dpose
53
formateur coreless est pilot par une lectronique pour lmission et la rception :
voir gure 2.30 page 51. Les modes de pilotage du transformateur coreless sont
identiques au transformateur magntique.
De nombreuses publications montrent les diffrentes formes de bobinage (carr,
rectangle, cercle) et les consquences sur les caractristiques des transformateurs
coreless [Tan99] [Hui99b] [Hui99a] [Tan99] [Tan00] [Tan01] [Hui97]. Des appli-
cations spciques ont t ralises pour la transmission dordre par modulation
pour driver dIGBT [Vas04].
2.4.4 Transformateur piezo-lectrique
Principe de base
Le transformateur piezo-lectrique est constitu dune (ou plusieurs) cramique(s)
piezo-lectrique(s) et de quatre lectrodes mtalliques. Leffet piezo-lectrique in-
verse est utilis pour crer une dformation mcanique partir dun champ lec-
trique (au primaire du transformateur). Leffet piezo-lectrique direct est utilis
pour crer une tension partir dune dformation mcanique (au secondaire du
transformateur). On illustre ce principe sur la gure 2.34 o lon reprsente un
transformateur piezo-lectrique en forme de barre.
FIG. 2.34 Principe de base du transformateur piezo-lectrique
Des applications base de transformateur piezo-lectrique sont utilises pour
piloter un bras donduleur IGBT [Vas01] [Vas02] [Vas03b].
Il faut noter quil existe plusieurs formes de transformateurs piezo-lectriques.
Les plus courants pour les applications de commande isole sont en barreau ou en
disque [Vas01] [Vas02] [Vas03b] [Vas03a].
Modes de transmission
Comme pour les transformateurs magntiques et coreless, on peut utiliser un
transformateur piezo-lectrique par modulation et par impulsion. La mthode par
54
2.5 Transmission de puissance
modulation semble tre la seule utilise dans la pratique [Vas04].
2.4.5 Conclusion
A priori, toutes les mthodes et solutions technologiques exposes prcdem-
ment pour la transmission des ordres semblent tre utilisables pour un driver in-
dustriel. Or, on peut tout de mme mettre quelques rserves vis vis des solutions
transformateurs magntiques et coreless qui utilisent une transmission par im-
pulsion car elles ncessitent une gestion plus complexe des ordres par rapport
une solution optique qui transmet des tats. En effet, les systmes impulsions
sont plus propices crer des dfauts sur un bras donduleur par exemple si une
impulsion correspondant louverture est "loupe" ou si un parasite envoie une
impulsion correspondant la fermeture alors que lIGBT doit tre ouvert.
Les transformateurs pizolectriques sont difciles mettre en oeuvre cause
de leur multiples rsonnances. De plus, des problmes mcaniques sont attendus
lors des phases de moulage des drivers et dutilisations en milieux soumis de
fortes vibrations.
Dans le chapitre 4, nous verrons que la solution optique avec rcepteur intgr
permet dobtenir des performances excellentes bien que son prix soit important.
Dun point de vue conomique, la solution transformateur coreless et trans-
mission par impulsion semble tre la meilleure. En effet, ce transformateur est
intgr au circuit imprim et cote seulement la surface quil occupe. Linconv-
nient de cette solution rside dans le pilotage de ce transformateur qui possde des
impdances trs faibles. Nous verrons dans le chapitre 4 les contraintes en courant
dans un tel dispositif.
La transmission de puissance a pour but de transmettre lnergie lectrique
du primaire au secondaire du driver (voir synoptique gure 2.3 page 28). Cette
transmission doit garantir une isolation galvanique statique et dynamique et doit
rsister aux perturbations lectromagntiques. Le rendement de la transmission de
puissance doit tre le plus lev possible.
Sur la gure 2.35, on montre le synoptique de la transmission de puissance
dans le cas dun driver qui pilote un module avec un IGBT simple et dans le cas
o le driver pilote un module avec deux IGBT en srie (bras donduleur). Ces deux
congurations sont les plus rencontres dans le milieu industriel.
55
FIG. 2.35 Synoptiques de deux drivers dIGBT avec alimentation isole et repr-
sentation des capacits parasites de mode commun
56
Dans cette partie, nous nous attachons aux diffrentes solutions technologiques
existantes et valuons les performances sur les points suivants :
isolation galvanique statique
isolation galvanique dynamique : capacits de couplage entre primaire et secon-
daires
immunit aux perturbations lectromagntiques
rendement
mise en oeuvre
2.5.1 Transformateurs magntiques
Les transformateurs magntiques sont trs utiliss pour ce type dapplication :
faible puissance (quelques Watt), fort isolement (quelques kV), faible couplage
capacitif entre bobinages, facilit de mise en oeuvre. Nous dcrivons tout dabord
les consquences des contraintes nonces prcdemment sur les transformateurs
magntiques.
Contraintes et consquences
Considrons le cas "simple" dun transformateur deux enroulements. Lisola-
tion galvanique statique est assure par les isolants entre les conducteurs des enrou-
lements et la ferrite. En effet, les ferrites sont considres comme des conducteurs
lectriques car leur rsistivit est trs faible dans certains cas. La ferrite seule ne
peut donc pas assurer lisolation statique.
Lisolation galvanique dynamique se quantie par le biais des capacits de cou-
plage entre les enroulements. Si lon considre un condensateur plan, la capacit C
sexprime par lexpression suivante :
C = .
S
e
=
0
.
r
.
S
e
57
: permittivit de lisolant
r
: permittivit relative de lisolant
0
: permittivit du vide
S : surface en regard
e : distance entre les surfaces
Cette considration simpliste permet de dgager plusieurs remarques dans le
cas des transformateurs magntiques. La nature de lisolant (
r
) conditionne les
capacits parasites de couplage, de mme pour la distance entre les enroulements
(e) et les surfaces en regard (S).
Compte tenu de ces remarques, on aura plutt tendance bobiner les transfor-
mateurs magntiques de faon ce que les enroulements se chevauchent le moins
possible. Ceci nest pas sans consquences, on diminue le couplage et on augmente
la valeur des inductances de fuites. La tension rcupre au secondaire est attnue
par le biais des inductances de fuite. Nous verrons par la suite que les inductances
de fuite peuvent tre utilises notre avantage : voir page 59.
Topologies et structures dalimentation
Les contraintes imposes par lisolation statique et dynamique obligent bo-
biner les enroulements sans chevauchement ce qui diminue les couplages magn-
tiques entre ceux-ci.
Ce constat nous oblige soit utiliser des structures dalimentation dcoupage
qui utilisent leur avantage les inductances de fuite du transformateur, soit utiliser
les circuits crteurs pour limiter les surtensions dues aux inductances de fuite. Il
est vident que pour des raisons de rendement, la premire solution est privilgier.
Transformateur planar
Cette technologie consiste utiliser les pistes dun circuit imprim pour raliser
les bobinages du transformateur. La ferrite se monte par le biais de dcoupes dans
le circuit imprim. La gure 2.36 montre un exemple de transformateur planar.
Il a t dvelopp pour les drivers de la socit ARCEL. Le circuit imprim est
constitu de six couches en matriau FR4 et une paisseur de cuivre de 70m.
La mise en oeuvre de ce type de transformateur nest pas facile pour respecter
la contrainte disolation statique. Prenons lexemple dun circuit imprim double
face : un bobinage est effectu sur chaque face du circuit imprim. Lorsque la
ferrite est insre sur le circuit imprim, elle est trs proche des pistes des deux
enroulements des deux faces du circuit imprim : gure 2.37.
Ce problme peut tre rsolu par linsertion de deux plaques de circuit imprim
entre les pistes et la ferrite : gure 2.38.
58
FIG. 2.36 Exemple de transformateur planar ralis au cours des travaux de re-
cherche
Les capacits parasites entre les enroulements dpendent des surfaces des pistes
en regard, de leurs dispositions et de lpaisseur du circuit imprim. Comme le
processus de gravure des pistes est industrialis et automatis, la rptabilit des
caractristiques des transformateurs planar est excellente.
Cette solution nest pas retenue par la suite car la rsistance des pistes est trop
importante. Les pertes produites par les bobinages sont trop importantes ce qui
cause une lvation de temprature du circuit imprim qui nest pas acceptable.
Transformateur bobin
Dans ce cas, le bobinage des enroulements est ralis avec du l isol. La ferrite
peut avoir des formes varies : tores, E, U, . . . . Nous nous intressons au cas dun
transformateur dit torique : la forme de la ferrite est un tore (gure 2.39).
Cette solution est trs utilise pour des drivers industriels car elle permet dob-
tenir dexcellentes caractristiques (isolation statique et dynamique, rendement,
mise en oeuvre, volume) pour des prix infrieurs aux transformateurs planars.
Lisolation statique est assure par lisolant sur les ls des bobinages et la pein-
ture isolante de la ferrite. Celle-ci permet de tenir une tension disolement comprise
entre 1500Vet 3000Ven standard. Lisolant des ls assure des isolations comprises
entre quelques centaines de volts et quelques kilo-volts en fonction de la nature et
lpaisseur de celui-ci.
Les capacits de couplage sont rduites si lon diminue le nombre de tours des
bobinages et que lon loigne les enroulements les uns des autres : gure 2.40.
Ceci nous incite utiliser des structures dalimentation frquence leve pour
diminuer le nombre de tours des bobinages et utiliser au maximum des commuta-
tions zro de tension qui utilisent les inductances de fuite des transformateurs :
structures rsonance et quasi rsonance.
Alimentation commutation douce zro de tension
Nous dveloppons deux exemples dalimentations spcialement adaptes pour
les drivers dIGBT : faible puissance, fort isolement galvanique, faible couplage
capacitif du transformateur associ.
59
FIG. 2.37 Problmes disolement entre pistes et ferrite sur un transformateur
planar
60
FIG. 2.38 Isolement dun transformateur planar laide de deux circuits imprims
supplmentaires
(a) (b)
FIG. 2.39 Tores en ferrite et transformateurs toriques - deux ferrites diffrentes et
nombre de tours diffrent entre (a) et (b) - (a) : diamtre de 16mm - (b) : diamtre
de 13mm
(a) (b)
FIG. 2.40 Isolation et transformateur torique
61
La premire est une alimentation Forward multi-rsonant en tension [Hei98].
En effet, elle possde deux condensateurs qui sont utiliss pour la rsonance. Nous
montrons le cheminement intellectuel pour arriver au schma nal.
(a) (b)
(c) (d)
(e)
FIG. 2.41 Construction de lalimentation Forward ZVS double resonance
Le schma a de la gure 2.41 reprsente un hacheur abaisseur avec la source V
e
et la tension de charge V
s
. Limplantation dun transformateur est impossible entre
la source et la charge car V
d
) ,= 0. On insre une diode d en srie avec la source
de tension qui ne change en rien le fonctionnement de labaisseur mais qui permet
dobtenir un degr de libert pour avoir V
d
) = 0 (schma b). Le schma c montre
une structure Forward sans dmagntisation du transformateur. Cette structure ne
peut pas fonctionner telle quelle est actuellement. L
R
modlise linductance de
fuite du transformateur rel et T le transformateur idal de rapport de transforma-
tion m. Sur la gure d, la structure abaisseur peut fonctionner commutation nulle
en tension sur Q
1
grce au condensateur C
R
: commutation mono-directionnelle en
tension. Le condensateur C
R2
sert obtenir une deuxime rsonance en tension au
62
secondaire du transformateur T.
Le deuxime exemple est une alimentation utilise sur des drivers industriels
disponibles dans le commerce. Cette structure est trs simple et fait fonctionner
linterrupteur zro de tension louverture et la fermeture. La gure 2.42 re-
prsente cette structure.
(a) (b)
FIG. 2.42 Alimentation commutation douce pour driver dIGBT
Cette structure nest pas conventionnelle comme le sont les structures yback
et forward. En effet, lorsque le MOSFET Q est ferm, le transfert dnergie entre
la source de tension V
e
et le rcepteur V
s
est direct. Lorsque le MOSFET Q souvre,
la tension V
ds
crot et la tension V
prim
dcrot. La tension V
sec
dcrot et le transfert
dnergie entre le primaire et la source diminue jusqu sannuler. A ce moment,
le courant dans la diode d sannule, la tension V
sec
devient limage de la tension
V
prim
. Le secondaire est dconnect du primaire. Le primaire est alors constitu de
linductance magntisante L
m
et linductance de fuite L
R
avec un courant positif
les traversant. Le condensateur C
R
et linductance L
m
+L
R
constituent un circuit
oscillant. La tension V
ds
et le courant dentre i
e
sont en quadrature de phase. La
frquence doscillation est :
f
R
=
1
2
_
(L
m
+L
R
).C
R
Comme L
m
L
R
on peut simplier lexpression de f
R
:
f
R
=
1
2
L
m
.C
R
Lorsque V
ds
devient ngative, la diode du MOSFET Q se met en conduction et
V
ds
= 0. La tension V
sec
devient positive quand la tension V
ds
passe en dessous de
V
e
. Le courant dans d stablit quand la tension V
sec
devient lgrement suprieure
V
s
. La charge V
s
absorbe un courant provenant du secondaire du transformateur.
Le courant dentre i
e
est ngatif et crot vers des valeurs positives. Le MOSFET
Q est remis en conduction quand sa diode intrinsque conduit. Lorsque le courant
i
e
devient positif, le MOSFET Q entre en conduction en polarisation directe. On
63
voit que linductance de fuite du transformateur L
R
intervient trs peu dans la fr-
quence doscillation f
R
si celle-ci est ngligeable devant L
m
. Ceci est vrai dans la
plupart des cas pour les transformateurs bobins. Cela implique que la faon dont
est bobin le transformateur a peu dinuence sur la frquence f
R
. La valeur de L
R
va surtout conditionner les commutations de la diode d du secondaire.
Pour illustrer ces explications, nous avons simul cette structure avec le logiciel
LTSpice avec les paramtres suivants :
T
on
: 0.7s temps de mise en conduction du MOSFET
T : 2.1s priode de dcoupage
C
R
: 1.2nF condensateur de rsonance
C
s
: 10F capacit de dcouplage de la charge
R
ch
: 470 rsistance de charge
L
R
: 100nH inductance de fuite du transformateur
m : 1.29 rapport de transformation
L
m
: 56H inductance magntisante du transformateur
V
s
: 19V tension de sortie de lalimentation
10
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
V
d
s

V
g
s

[
V
]
Temps [s]
V
ds
V
gs
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
i
L
R

i
d

[
A
]
Temps [s]
i
LR
i
d
40
30
20
10
0
10
20
30
40
50
60
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
V
d

V
s
e
c

[
V
]
Temps [s]
V
sec
V
d
FIG. 2.43 Simulation de la structure de la gure 2.42
64
2.5.2 Transformateur coreless
Le transformateur coreless peut tre utilis pour transmettre de lnergie lec-
trique avec isolation galvanique. Dans la littrature [Hui99b] [Hui99a] [Tan99], on
trouve des applications base de transformateurs coreless sur circuit imprim qui
permettent de transfrer les ordres et la puissance par le mme transformateur. Les
auteurs utilisent un systme de modulation haute frquence au primaire du transfor-
mateur. Au secondaire, le signal du transformateur est dmodul par un systme de
redresseur. La composante haute frquence de modulation permet de transmettre
lnergie et lordre en mme temps. Les puissances transmises au secondaire sont
infrieures 2W. Cette mthode permet dobtenir des circuits de commande de
MOSFET et IGBT avec une isolation suprieure 10kV. Les frquences de dcou-
page sur la grille des interrupteurs peuvent aller de 1Hz 300kHz [Hui99b], ce qui
permet de rpondre bon nombre dapplications. La gure 2.44 illustre ces propos.
FIG. 2.44 Transformateur coreless avec transmission de puissance et ordres de
commande
Dans [Tan99], un transformateur un primaire et deux secondaires permet de
65
piloter un bras donduleur. Les commandes sur les grilles des interrupteurs sont
isoles et complmentaires. Laspect CEM de cette solution technologique est ga-
lement trait : les auteurs montrent que le transformateur coreless rayonne trs peu
car il travaille en "champ proche". Le champ lectromagntique gnr par le trans-
formateur coreless est trs local. Il se concentre dans le circuit imprim entre les
deux enroulements et trs localement lextrieur. Du point de vue immunit aux
rayonnements extrieurs, il est peu sensible dans sa plage dutilisation : quelques
Mga-Hertz. De plus, les capacits de couplage entre primaire et secondaires sont
de lordre de 10pF et peuvent mme descendre en dessous de 3pF en fonction de
la taille du transformateur.
Cette solution permet denvoyer les ordres et la puissance via le mme signal.
La solution suivante permet davoir une alimentation isole base de transforma-
teur coreless. Dans [Tan01], une alimentation stabilise est mise en oeuvre. Le
transformateur coreless a un diamtre de 4.6mm. Lalimentation permet de trans-
mettre une puissance de 0.5W (5V, 100mA) avec un rendement total de 34%. Liso-
lation galvanique est assure par les proprits dilectriques du circuit imprim
(10kV 40kV par millimtre).
Les inductances quivalentes des bobinages et le coefcient de couplage tant
trs faibles, le transformateur coreless est utilis dans une structure rsonance au
secondaire du transformateur. La frquence de dcoupage est choisie pour avoir
des commutations zro de tension des interrupteurs au primaire et obtenir un
rendement et un gain en tension acceptables. La modlisation simplie de ce type
de transformateur permet de prdire son comportement sur une large gamme de
frquence. Leffet de peau est pris en compte, les auteurs ont choisi de modliser
laspect rsistif des bobinages de la faon suivante :
R
1
( f ) = R
2
( f ) = . f
3
+. f
2
+. f + (2.3)
f : frquence
, , , : coefcients rels
Le couplage inductif est modlis par deux inductances de fuite L
f 1
et L
f 2
et
par linductance magntisante L
m
. La capacit C
12
reprsente la capacit parasite
entre le primaire et le secondaire. La gure 2.45 reprsente cette modlisation.
La capacit C
s
et la rsistance R
s
reprsentent la charge au secondaire du trans-
formateur. La structure de alimentation de larticle [Tan01] est expose gure 2.46
o lon reprsente le circuit de commande, le demi-pont capacitif, le condensateur
de rsonance C
R
au secondaire du transformateur et le rgulateur linaire 5V.
Cette alimentation est peu attractive du point de vue de son rendement : 34%.
En effet, cause de la frquence dexcitation leve, des pertes importantes sont
gnres dans les enroulements cause de leffet de peau modlis par lquation
2.3 et cause des commutations des MOSFET du demi-pont et cel malgr des
commutations dites "douces". Mais, ses principaux atouts sont sa tenue en tension
statique trs importante (plus de 10 kilo-Volts) et sa capacit de couplage entre
primaire et secondaire trs petite (environ 10pF).
66
FIG. 2.45 Modlisation dun transformateur coreless [Tan01]
FIG. 2.46 Structure dune alimentation isole base de transformateur coreless
[Tan01]
67
2.5.3 Transformateur piezo-lectrique
Nous montrons dans ce paragraphe deux applications base de transforma-
teur piezo-lectrique. La premire ralise la transmission dordre et de puissance
par le mme transformateur pour deux IGBT en conguration de bras dondu-
leur [Vas02]. Rappelons que le principe de base du transformateur piezo-lectrique
consiste utiliser leffet piezo-lectrique inverse pour crer une dformation m-
canique partir dun champ lectrique au primaire du transformateur. Leffet direct
est utilis au secondaire pour crer une tension partir dune dformation mca-
nique : voir gure 2.34 page 54. Cette application permet de piloter un bras don-
duleur sous 300V, 20A 40kHz avec des rapports cycliques compris entre 0.1 et 1.
La gure 2.47 donne le schma de principe de cette application.
FIG. 2.47 Schma de principe de la commande de bras base de transformateur
piezo-lectrique
Au primaire, la commande cre deux ordres complmentaires avec temps mort.
Le circuit de modulation effectue une modulation pleine onde frquence xe.
Celle-ci est adapte la rsonance mcanique du transformateur. Au secondaire,
un circuit de mise en forme dmodule le signal reu pour commander la grille
(systme de dtection denveloppe) et le redresse pour charger un condensateur
qui fournit lnergie ncessaire au secondaire (alimentation de llectronique et la
commande de grille). Il existe donc un rapport cyclique minimum pour faire fonc-
tionner le secondaire convenablement. La rapidit du systme est base sur la vi-
tesse de transmission du transformateur. Le temps de propagation est minimis par
lutilisation dun matriau le plus dur possible (Zirconate de Titanate de Plomb :
PZT). Londe mcanique parcourt une distance minimise si le transformateur est
de faible paisseur et fonctionne en mode paisseur. Les deux cramiques sont iso-
les lectriquement et couples mcaniquement laide dune couche dalumine
de 300m. Les trois couches sont relies par de la colle poxy. La frquence dex-
citation du transformateur est choisie pour avoir un zro de contrainte au niveau du
68
collage : voir gure 2.48.
FIG. 2.48 Contrainte, dplacement et polarisation lectrique suivant lpaisseur
Cette conguration permet dobtenir un rendement de 72% pour 0.45W dis-
ponible au secondaire. Du fait des grandes surfaces en regard entre primaire et
secondaire, la capacit parasite de mode commun est importante. Elle est mesure
26pF pour un transformateur disque de 16mm de diamtre et 2.3mm dpaisseur.
Le deuxime exemple ralise une transmission de puissance laide dune c-
ramique en forme de pav [Vol99]. Cette structure permet de minimiser la capacit
parasite entre primaire et secondaire : les surfaces en regard sont beaucoup plus
faibles que dans lexemple prcdent avec une structure disque. Le maintien de la
cramique est ralis avec une enveloppe plastique spare par des chambres pour
augmenter lisolation lectrique. Les contacts entre le botier et la cramique sont
raliss avec des joints silicone : voir gure 2.49.
FIG. 2.49 Cramique et mise en botier
Du point de vue lectrique, le transformateur possde trois zros de phase pour
le courant dentre dans la gamme 40kHz - 54kHz. Un seul correspond un maxi-
mum dimpdance dentre : le point de fonctionnement se situe au plus proche de
ce point pour garantir un rendement optimum. La gure 2.50 montre les courbes
de phase pour le courant dentre et limpdance dentre.
69
FIG. 2.50 Phase du courant dentre et impdance dentre dans la gamme
40kHz-54kHz
Ces deux courbes dpendent de la temprature, de limpdance de sortie et de
la nature de la cramique : la frquence de fonctionnement doit tre asservie pour
avoir une phase nulle entre la tension et le courant dentre. La gure 2.51 donne
le schma de principe de lalimentation.
FIG. 2.51 Schma de principe de lalimentation
Un transformateur lvateur au primaire permet dutiliser une tension de quelques
centaines de volts au primaire de la cramique. Un transformateur abaisseur au se-
condaire donne une tension exploitable en basse tension. Avec un transformateur
de 150mm de long, 5mm de largeur et 2.5mm dpaisseur, lauteur obtient une
puissance de 7W avec un rendement de 80%. La capacit parasite est mesure
1.5pF.
2.5.4 Transmission optique
Cette solution consiste utiliser un metteur et un rcepteur optique spars
par un guide de lumire. Compte tenu des rendements actuels des dispositifs photo-
70
lectriques, il semble assez difcile dutiliser une telle technologie pour des appli-
cations de drivers classiques : 20% pour les metteurs infra-rouge et 30% pour les
cellules photo-voltaques.
On peut se demander comment transmettre une puissance de quelques Watts
avec un isolement de plusieurs dizaines de kilo-Volts avec une capacit de couplage
infrieurs quelques pico-Farads : la seule rponse possible actuellement est la
transmission de puissance par systme photo-lectrique.
Une quipe de chercheurs Japonnais a mis en oeuvre une alimentation isole
base dmetteurs et rcepteurs optiques pour isoler une source dnergie plu-
sieurs dizaines de kilo-Volts (teste 70kV) [Yas02]. Sur la gure 2.52, on dcrit
brivement le systme mis en oeuvre.
Contrle de
l'mission
Diodes laser
retour
Cellules
photovoltaques
LED
convertisseur
5V
2W
Fibres
optiques
FIG. 2.52 Alimentation isole base de composants photo-lectriques
Les metteurs sont des diodes laser (longueur donde : 808nm) et les rcepteurs
des cellules photovoltaques en GaAs dont le maximum du rendement quantique se
situe aux alentours de 800nm. Un convertisseur permet de fournir une tension de
5Ven sortie du secondaire. Un systme de retour a pour but de couper les metteurs
en cas de rupture des bres optiques ou en cas de problme au secondaire sur les
cellules photovoltaques. Ce systme a permis de fournir une puissance de 2W au
secondaire avec un rendement de 2.9%.
2.5.5 Conclusion
Nous venons de voir que les solutions base de transformateurs pizolec-
triques ont des rendements faibles. La solution optique a un rendement trs faible
mais une excellente tenue en tension statique et une capacit de couplage trs
faible.
Le transformateur planar nest pas utilisable car son volume et les pertes dans
les bobinages sont trop importants.
La meilleure solution semble tre celle base de transformateur magntique
bobin. Elle permet dobtenir des puissances volumiques et des rendements trs
71
2.6 Conclusion
satisfaisants grce notamment aux topologies utilisants les interrupteurs en com-
mutation zro de tension.
Dans le chapitre 4, nous verrons que notre systme de commande de grille
ncessite une tension symtrique (15V) et ceci a des consquences sur le choix
de la topologie de lalimentation isole.
2.6 Conclusion
Un driver de module IGBT doit comporter plusieurs fonctions de base. Celles-
ci peuvent tre ralises de diffrentes manires. Dans le chapitre 4, nous dcou-
vrirons les solutions apportes par rapport celle ce chapitre.
Dans le chapitre suivant, chapitre 3, nous tudions la modlisation et les com-
mutations des modules IGBT an de connatre au mieux les comportements des
modules IGBT pour la conception des drivers.
72
Chapitre 3
Analyse et modlisation en
commutation des modules IGBT
Dans ce chapitre, nous proposons une modlisation lectrique simple base
dlments passifs classiques (rsistance, inductance et capacit) de module IGBT.
La commutation de lIGBT est prsente avec un modle lectrique simpli. On
montre que le type de commande de grille a une inuence sur la commutation de
lIGBT (commande de grille en tension ou courant) ainsi que la vitesse des impul-
sions de tension sur la rsistance de grille dans le cas de la commande de grille en
tension (phnomne qui prend de limportance dans la pratique).
Limportance de la prise en compte des inductances de cblage et des couplages
magntiques entre puissance et commande est mise en vidence par des simula-
tions dun module IGBT.
Un exemple de modlisation des inductances de cblage est ralis grce au logi-
ciel InCa
1
(Inductance Calculation) pour deux modules IGBT 1200A - 3300V du
commerce.
Pour nir, nous exposons le phnomne davalanche dynamique prsent sur des
modules IGBT dune certaine technologie avec exprimentations, simulations nu-
mriques et modlisations lappui.
3.1 Modlisation lectrique simplie de puce IGBT
Dans cette partie, nous proposons une modlisation lectrique simple qui prend
en compte les courbes statiques des modules IGBT, les capacits quivalentes des
puces IGBT et le recouvrement inverse des diodes.
3.1.1 Modlisation statique des puces IGBT
La modlisation statique des modules IGBT consiste donner le rseau de
courbes liant I
c
, V
ge
, V
ce
diffrentes tempratures. Les constructeurs donnent en
1
marque dpose
73
gnral la courbe qui lie I
c
V
ce
pour diffrentes valeurs de V
ge
.
Sur la gure 3.1, on distingue trois zones de fonctionnement pour lIGBT. La
premire zone caractrise lIGBT courant collecteur nul et tension collecteur
quelconque (axe I
c
=0) ; la seconde zone dite "zone sature" o lIGBT fonctionne
en limitation de courant, puis la zone ohmique quand lIGBT est dit "ferm". La
gure 3.2 montre la courbe statique I
c
= f (V
ce
,V
ge
) pour deux modules de calibre
en courant diffrent.
Vce
Ic
Zone
ohmique
Zone
sature
Vge=20V Vge=11V
Vge=8V
Vge=9V
Vge=10V
V
0
FIG. 3.1 Rseaux statique du comportement de lIGBT en direct
Le fonctionnement statique des modules IGBT est modlis trs simplement.
Tout dabord, dans la zone ohmique, on donne lquation simple :
V
ce
=V
0
+R Ic
Ensuite, dans la zone sature, on modlise le comportement par lquation :
I
c
= K f (V
ge
)
o K est une constante de lIGBT et f est une fonction. Dans la littrature, on
trouve deux types de fonction f : simple droite ou parabole.
f (V
ge
) = (V
ge
V
th
) [EC95][Pas93][Fre03]
f (V
ge
) = (V
ge
V
th
)
2
[Sar95]
V
th
: tension de seuil du canal de lIGBT
(3.1)
3.1.2 Modlisation des effets capacitifs des puces IGBT
Dans cette partie nous prsentons une modlisation simplie des lments
capacitifs dune puce IGBT. On considre une section de puce IGBT sur la gure
3.3 o lon reprsente les capacits prises en compte dans notre modlisation.
74
FIG. 3.2 Caractristiques statiques des modules FF300R12KT3 et 1MBI800UB-
120 - sources datasheets Eupec et Fuji Electric
FIG. 3.3 Elments capacitifs dune cellule IGBT
75
C
1
: capacit entre grille et metteur, dpend de lpaisseur de loxyde disole-
ment entre les contacts de grille et dmetteur et de la gomtrie des cellules.
C
2
- C
4
: capacits entre grille et metteur (de la zone P
+
), C
2
dpend de lpais-
seur de loxyde de grille et de la gomtrie des cellules ; C
4
dpend de ltat
de la zone de dpltion de la jonction N
+
P.
C
3
- C
5
: capacits entre grille et collecteur ; C
3
dpend de lpaisseur de loxyde
de grille et de la gomtrie des cellules ; C
5
dpend de ltat de la zone de
dpltion de la jonction P/P
+
N
.
C
6
: capacit entre metteur et collecteur ; dpend de ltat de la zone de dpl-
tion de la jonction P/P
+
N
.
Les paramtres dnis prcdemment sur une cellule sont macroscopiques.
Pour des raisons de simplicit, on peut considrer que cette modlisation reste vraie
pour une approche globale dune cellule IGBT. On reprsente alors une cellule
IGBT et ses lments capacitifs comme sur la gure 3.4.
FIG. 3.4 Circuit quivalent dune cellule IGBT
Les associations srie-parallle des diffrentes capacits peuvent tre simpli-
es pour arriver la gure 3.5.
Nous reviendrons sur cette modlisation lectrique simplie pour tudier la
commutation de lIGBT (paragraphe 3.2) o nous ferons des hypothses simpli-
catrices sur la non-linarit des capacits C
ge
C
gc
et C
ce
.
Cette modlisation lectrique simplie nous permet de dcrire le comporte-
ment dune cellule et dune puce IGBT. Elle ne permet pas elle seule de dcrire le
comportement de modules IGBT qui sont pour la pluspart des composants multi-
puces. Il faut pour cela prendre en compte les impdances dues au cblage des
modules (bondings, connexions bus-barre) : voir paragraphe 3.3
76
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de leur commande
FIG. 3.5 Circuit quivalent simpli dune cellule IGBT
3.2 Analyse des commutations de puces IGBT en vue de
leur commande
Nous prsentons lanalyse des commutations dune puce IGBT dans un ha-
cheur sur charge inductive. Les rsultats sont issus de simulations analytiques (pour
les sections 3.2.1, 3.2.2, 3.2.3, 3.2.4). On suppose que le courant dans linductance
est constant pendant les commutations. La gure 3.6 reprsente le schma du ha-
cheur et la commande de grille. On reprsente seulement L
cab
qui modlise les
inductances de cblage.
FIG. 3.6 Hacheur IGBT sur charge inductive
77
3.2.1 Commande de grille en tension avec diode parfaite - simulation
analytique
Nous considrons le schma de la gure 3.7 et la diode D comme parfaite. La
source de tension V
g
part de V
dd
et rejoint la valeur V
cc
avec un front inniment
rapide.
FIG. 3.7 Commande de grille en tension
Avant tout, il faut modliser les capacits C
ge
, C
gc
et C
ce
lors des commutations
car elles ont un comportement non-linaire. On modlise ces capacits selon les
gures 3.8 (a), (b) et (c).
C
ge
: constante, elle est due la couche doxyde sous la grille et la mtallisation
de lmetteur.
C
ce
: reprsente la capacit entre le collecteur et lmetteur, elle est non-linaire
en fonction de V
ce
.
C
gc
: reprsente les changes de charges entre la grille et le drain du MOSFET
interne, cest dire entre la grille de lIGBT et la base du transistor pnp in-
terne. Cette capacit est fortement non-linaire en fonction de la tension V
ce
Dans cette premire tude, on ne prend pas en compte linductance L
cab
. Sur la
gure 3.9, on montre les formes donde lors de la mise en conduction.
Sur la gure 3.10, on reprsente le chemin parcouru par le point de fonction-
nement de lIGBT sur la courbe statique I
c
= f (V
ce
,V
ge
).
t < T
0
:
Le montage est ltat de repos, le courant dans la diode est impos par linduc-
78
(a) (b)
(c)
FIG. 3.8 Variation des capacits de lIGBT en fonction de V
ce
79
FIG. 3.9 LIGBT la mise en conduction - commande en tension
80
FIG. 3.10 Parcours de Vce et Ic lors de la mise en conduction - commande en
tension
tance I
0
, lIGBT est bloqu, la tension V
ce
est gale la pleine tension V
bus
, la com-
mande V
g
est V
dd
(V
ge
=V
dd
et i
g
= 0). On a galement C
gc
=C
gc2
et C
ce
=C
ce2
.
T
0
<t < T
1
:
La tension de grille part de V
dd
et crot jusqu V
th
(tension de seuil de lIGBT). La
capacit C
ge
se charge alors que C
gc
se dcharge, la tension V
ge
volue comme la
charge de la capacit quivalente C
ge
+C
gc2
:
V
ge
(t) = (V
cc
V
dd
)
_
1e
t
Rg(Cge+C
gc2
)
_
+V
dd
(3.2)
i
g
(t) =
V
cc
V
dd
R
g
e
t
Rg(Cge+C
gc2
)
(3.3)
LIGBT reste bloqu : I
c
= 0, V
cc
=V
bus
.
T
1
<t < T
2
:
LIGBT entre en conduction dans sa zone de saturation. I
c
(t) est li la tension
V
ge
(t) :
I
c
= K (V
ge
(t) V
th
)
2
(3.4)
Le courant de la charge est suppos constant, le courant dans la diode dcroit de
I
0
0 pour faire crotre le courant collecteur de 0 I
0
. Comme la diode D est
conductrice, sa chute de tension est faible devant V
bus
, on a V
ce
=V
bus
. Les formes
donde pour i
g
et V
ge
sont exprimes par les quations de lintervalle prcdent.
T
2
<t < T
3
:
A linstant T
2
, le courant dans la diode a tendance sinverser, elle retrouve son
81
pouvoir de blocage. Le courant collecteur est impos par la charge : I
0
. La tension
V
ge
se stabilise la tension V
geI0
appele tension de plateau Miller :
V
geI0
=
_
I
0
K
+V
th
(3.5)
La tension de grille constante entrane un courant de grille constant :
I
gI0
=
V
cc
V
geI0
R
g
(3.6)
Ce courant constant dcharge la capacit C
gc
(t) =C
gc2
, on a alors lquation sui-
vante :
dV
cg
(t)
dt
=
I
geI0
C
gc2
=
dV
ce
(t)
dt
=
V
cc
V
geI0
R
g
C
gc2
(3.7)
T
3
<t < T
4
:
A linstant T
3
, la tension V
ce
atteint la valeur V
geI0
et on a V
cg
(t) =0 et C
gc
(t) =C
gc1
(forte augmentation). Les quations sont les mmes que pour la phase prcdente :
dV
cg
(t)
dt
=
I
geI0
C
gc1
=
dV
ce
(t)
dt
=
V
cc
V
geI0
R
g
C
gc1
(3.8)
T
4
<t < T
5
:
A linstant T
4
, lIGBT entre dans sa zone ohmique. La tension V
ge
crot pour com-
penser la chute de V
ce
courant collecteur constant. La source de tension V
g
charge
la capacit quivalente C
ge
+C
gc1
(>C
ge
+C
gc2
) travers R
g
.
t > T
5
:
A linstant T
5
, la tension V
ce
atteint sa valeur nale V
cesat
. La mise en conduction
de lIGBT est termine.
Sur la gure 3.11, on reprsente les formes dondes lors de louverture de
lIGBT et sur la gure 3.12 le chemin parcouru par lIGBT sur la courbe I
c
=
f (V
ge
,V
ce
).
t < T
6
:
La charge impose le courant collecteur (I
0
), lIGBT est conducteur en zone oh-
mique (V
ce
=V
cesat
), i
g
(t) = 0, V
ge
(t) =V
cc
, V
g
(t) =V
cc
, la capacit C
gc
(t) =C
gc1
est charge V
ce
=V
cesat
.
T
6
<t < T
7
:
A linstant T
6
, la commande V
g
(t) passe de V
cc
V
dd
avec un front inniment raide.
82
FIG. 3.11 LIGBT louverture - commande en tension
83
FIG. 3.12 Parcours de V
ce
et I
c
lors de louverture - commande en tension
Ceci a pour effet de dcharger les capacits C
ge
et C
gc1
. La tension V
ge
(t) et le
courant i
g
(t) voluent de la faon suivante :
V
ge
(t) = (V
dd
V
cc
)
_
1e
t
Rg(Cge+C
gc1
)
_
+V
dd
(3.9)
i
g
(t) =
V
dd
V
cc
R
g
e
t
Rg(Cge+C
gc1
)
(3.10)
LIGBT reste sur la partie ohmique de sa caractristique statique (I
c
=I
0
, V
ge
(t) ,
V
ce
(t) )
T
7
<t < T
8
:
La tension V
ce
continue augmenter lgrement, lIGBT fonctionne dans sa zone
ohmique (proche de la zone sature). La tension V
ge
diminue galement pour se
rapprocher de la zone sature pour garantir I
c
= I
0
.
T
8
<t < T
9
:
A linstant T
8
, lIGBT entre dans sa zone sature. La tension V
ge
se stabilise la
valeur V
geI0
et rpond lquation :
V
geI0
=
_
I
0
K
+V
th
(3.11)
Le courant dans la rsistance R
g
est donc constant :
I
gI0
=
V
dd
V
geI0
R
g
(3.12)
84
Ce courant de grille dcharge la capacit C
gc
(t) = C
gc1
, on peut crire lquation
suivante :
dV
cg
(t)
dt
=
I
geI0
C
gc1
(3.13)
Comme la tension V
ge
(t) est constante, on peut crire galement :
dV
cg
(t)
dt
=
dV
ce
(t)
dt
=
V
dd
V
geI0
R
g
C
gc1
(3.14)
T
9
<t < T
10
:
Losque V
cg
(t) sannule, la valeur de C
gc
passe de C
gc1
C
gc2
. Il y a un changement
de pente pour les tensions V
cg
(t) et V
ce
(t).
dV
cg
(t)
dt
=
dV
ce
(t)
dt
=
V
dd
V
geI0
R
g
C
gc2
(3.15)
T
10
<t < T
11
:
Losque V
ce
atteint la tension V
bus
, la diode D se met en conduction et le courant
collecteur commence chuter. La tension V
ge
(t) dcrot :
V
ge
(t) = (V
dd
V
geI0
)
_
1e
t
Rg(Cge+C
gc2
)
_
+V
geI0
(3.16)
i
g
(t) =
V
dd
V
geI0
R
g
e
t
Rg(Cge+C
gc2
)
(3.17)
T
11
<t < T
12
:
A linstant T
11
, il ne reste plus que le courant de trous annuler. Ces charges po-
sitives sont principalement stockes dans la zone de drain N
de lIGBT. Elles
reprsentent des charges minoritaires qui doivent se recombiner et engendrent un
temps de dcroissance important du courant collecteur : phnomne couramment
appel "queue de courant".
t > T
12
:
LIGBT est bloqu, la tension de grille nvolue plus, V
ce
=V
bus
, I
c
= 0, V
ge
=V
dd
.
3.2.2 Commande de grille en tension avec diode relle et inductance
de cblage - simulation analytique
On garde les mmes conditions que dans la partie prcdente (gure 3.7 page
78). On ajoute deux phnomnes pour complter ltude de la commutation de
85
FIG. 3.13 Mise en conduction avec diode relle et cblage - commande en tension
86
lIGBT. On prend en compte le recouvrement de la diode D et linductance de
cblage L
cab
.
Tout dabord, pour la fermeture de lIGBT, on reprsente les formes dondes
sur la gure 3.13.
Lors de la croissance du courant dans le collecteur, on observe une chute de
tension sur le collecteur due linductance de cblage L
cab
:
V
ce
= L
cab
dI
c
dt
(3.18)
Lorsque le courant atteint la valeur I
0
xe par la charge, la diode se bloque mais
passe par une phase de recouvrement qui vient ajouter le courant I
RM
I
0
au courant
collecteur. Pendant cette phase de recouvrement, la tension dpasse la valeur V
geI0
pour satisfaire lquation :
V
ge
(t) =
_
I
c
(t)
K
+V
th
=
_
I
0
+I
RM
K
+V
th
>
_
I
0
K
+V
th
=V
geI0
A la n du recouvrement, la tension V
ge
se stabilise V
geI0
et la commutation se
termine comme dans le paragraphe prcdent.
Ensuite, pour louverture de lIGBT, on reprsente les formes dondes sur la
gure 3.14. On remarque que seule la tension V
ce
est change par rapport la
gure 3.11 page 83. Effectivement, pendant la dcroissance du courant collecteur,
la tension V
ce
dpasse V
bus
de la valeur V
ce
:
V
ce
= L
cab
dI
c
dt
(3.19)
Ensuite, pendant la queue de courant, le dI
c
/dt est faible et provoque une surten-
sion ngligeable.
3.2.3 Commande de grille en courant avec diode relle et cblage -
simulation analytique
Dans ce paragraphe, nous prsentons la commande de grille sur charge induc-
tive laide dun gnrateur de courant. Pour cela, nous considrons le schma de
la gure 3.15. Nous prenons en compte le recouvrement de la diode D et linduc-
tance de cblage pour louverture seulement. On suppose que la source de courant
est parfaite pour des tensions comprises entre V
dd
et V
cc
. On garde les hypothses
de non-linarit des capacits C
ge
, C
gc
et C
ce
qui sont reprsentes gure 3.8 page
79.
Avant la mise en conduction, on suppose que lIGBT est bloqu : V
ce
= V
bus
,
I
c
= 0. La source de courant i
g
est bloque V
dd
et maintient la tension V
ge
V
dd
.
Linductance L impose le courant I
0
dans la diode D. Sur la gure 3.16, on repr-
sente les formes dondes la fermeture de lIGBT.
87
FIG. 3.14 Ouverture avec diode relle et cblage - commande en tension
88
FIG. 3.15 Commande de grille en courant
t < T
0
:
LIGBT est bloqu, la tension de grille est gale V
dd
, la source de courant i
g
(t)
fournit un courant ngatif pour maintenir la tension V
ge
V
dd
(courant de fuite de
la grille). Les capacits C
gc
(t) et C
ce
(t) ont pour valeur C
gc2
et C
ce2
.
T
0
<t < T
1
:
Le gnrateur de courant fournit un courant i
+
g0
qui charge la capacit C
ge
et d-
charge C
gc
. LIGBT est bloqu. La tension V
ge
(t) volue suivant lquation :
V
ge
(t) =
i
+
g0
C
ge
+C
gc2
t +V
dd
(3.20)
T
1
<t < T
2
:
La tension V
ge
dpasse la tension de seuil V
th
et le courant de lIGBT commence
crotre. La diode D est passante et la tension collecteur reste V
bus
. Le courant
collecteur volue de la faon suivante :
I
c
(t) = K (V
ge
(t) V
th
)
2
V
ge
(t) =
i
+
g0
C
ge
+C
gc2
t +V
th
I
c
(t) = K
_
i
+
g0
C
ge
+C
gc2
_
2
t
2
(3.21)
T
2
<t < T
3
:
Lorsque le courant collecteur atteint I
0
, la diode se bloque et passe par une phase
de recouvrement. Elle impose I
c
la valeur I
0
+I
RM
qui a pour consquence daug-
menter la tension V
ge
:
V
ge
(t) =
_
I
c
(t)
K
+V
th
=
_
I
0
+I
RM
K
+V
th
>
_
I
0
K
+V
th
=V
geI0
89
FIG. 3.16 Fermeture de lIGBT - commande en courant
90
La tension collecteur commence dcrotre, si on nglige le recouvrement de la
diode, on a :
V
ge
(t) = V
geI0
I(C
ge
) = 0
dV
gc
dt
=
dV
ce
dt
dV
ce
dt
=
i
+
g0
C
gc2
(3.22)
T
3
<t < T
4
:
La diode D a ni son recouvrement, elle est compltement bloque. Lquation
3.22 est valide pour cet intervalle de temps.
T
4
<t < T
5
:
Lorsque V
ce
atteint la valeur V
geI0
, on a la capacit C
gc
(t) qui passe de C
gc2
C
gc1
(>C
gc2
). La pente des tensions V
cg
et V
ce
diminue :
dV
ce
dt
=
dV
gc
dt
=
i
+
g0
C
gc1
T
5
<t < T
6
:
Lorsque la tensionV
ce
atteint des valeurs trs faibles proches de V
cesat
, lIGBT fonc-
tionne dans la zone ohmique. La tension V
ce
continue de diminuer pour atteindre
V
cesat
. La tension V
ge
volue de la faon suivante :
V
ge
(t) =
i
+
g0
C
ge
+C
gc1
t +V
gI0
(3.23)
t > T
6
:
Lorsque la tension V
ge
atteint la valeur V
cc
, la source de courant se bloque et main-
tient V
ge
la tension V
cc
. Le courant dans lIGBT est gale I
0
et sa tension collec-
teur vaut V
cesat
.
Pour louverture de lIGBT avec une source de courant, on considre la gure
3.15. LIGBT est en conduction et la diode D est bloque. On prend en compte
linductance L
cab
. Les formes donde pour louverture avec une source de courant
sont reprsentes gure 3.17.
On observe que la dcharge de la grille est la mme qu la charge (hormis
le phnomne d au recouvrement de la diode). Une surtension sur le collecteur
est d au cblage et la dcroissance rapide du courant dlectron de lIGBT.
Lorsque la tensionV
ge
passe en dessous de V
th
, le courant de trous dcrot lentement
(phnomne de recombinaison des trous dans la zone de drain N
).
91
FIG. 3.17 Ouverture de lIGBT - commande en courant
92
3.2.4 Inuence du circuit de commande de grille sur la commutation
de lIGBT - simulations analytique et numrique
Dans les paragraphes prcdents, nous considrons la commande en tension
passant instantanment de V
dd
V
cc
(ou de V
cc
V
dd
). Or, dans la pratique, ceci
nest pas ralisable. En fonction des technologies et des solutions employes, nous
avons un temps de monte (et de descente) de la tension de commande de grille
qui nest pas nul et engendre des consquences sur les commutations des IGBT.
Tout dabord, nous tudions la charge et la dcharge dune capacit (C) par une
rsistance (R) et un gnrateur de tension non idal. Le schma est reprsent gure
3.18.
FIG. 3.18 Circuit de charge dune capacit avec une source de tension et temps
de monte non nul
La capacit est initialement charge la tension V
dd
. La tension de commande
passe de V
dd
V
cc
avec un temps de monte not t
m
. La croissance de V
g
est linaire.
Nous tudions seulement la monte. Les quations de courant i et de la tension V
c
sont les suivantes :
0 t t
m
_
i(t) =
V
cc
V
dd
t
m
C
_
1exp(
t
)
_
V
c
(t) =
V
cc
V
dd
t
m

_
t +exp(
t
)
_
+V
dd
_
1+

t
m
_

t
m
V
cc
t t
m
_
_
i(t) =
V
cc
V
ctm
R
exp(
t
)
V
c
(t) = (V
cc
V
ctm
)
_
1exp(
t
)
_
V
ctm
= V
cc
_
1+

t
m
_
1+exp(
t
)
_
_
+V
dd

t
m
_
1exp(
t
)
_
= R C
Grce ces quations, on peut tudier linuence des trois paramtres (R, C,
t
m
) sur la forme de la tension V
c
et du courant i. Dans une premire approche, on
93
peut supposer R et t
m
comme constants (qui modlisent une solution donne de
commande de grille) et faire varier C (pour modliser plusieurs IGBT diffrents).
On prend arbitrairement t
m
= 70ns et R = 3.3 (qui reprsente bien la ralit) et
des valeurs de C allant de 10nF 220nF. Sur la gure 3.19, on reprsente la charge
de la capacit C pour diffrentes valeurs.
On remarque que les formes dondes sont diffrentes dune charge de capacit
avec une source parfaite (front de monte inniment raide). Le courant maximal
ne dpend pas uniquement de la tension de commande et de la rsistance R. Plus la
constante de temps R.C est proche de t
m
, plus la forme du courant i sloigne de sa
forme avec une source de tension parfaite. En effet, le courant maximal avec une
source parfaite est :
i
max1
= i(t = 0) =
V
cc
V
dd
R
(3.24)
et dans le cas de la source relle :
i
max2
= i(t =t
m
) =
V
cc
V
dd
t
m
C
_
1exp(
t
m
)
_
(3.25)
Sur la gure 3.20(a), reprsente la courbe de i
max2
en fonction de t
m
. Lorsque
t
m
tend vers zro, on retrouve la valeur i
max1
.
Sur la gure 3.20(b), on reprsente la courbe i
max2
en fonction de C. Cette
courbe est la plus intressante car elle donne la valeur i
max2
pour une solution don-
ne de commande de grille (t
m
xe et R ajustable) et pour diffrents IGBT modli-
ss par la capacit C.
Cette modlisation est simpliste mais permet de montrer que si la constante de
temps R.C est du mme ordre de grandeur que le temps de monte (et de descente)
de la source de tension, les formes dondes et les quations des paragraphes 3.2.1
et 3.2.2 ne sont plus valides. La prise en compte de t
m
est ncessaire. Ltude de
linuence de la commande de grille sur la commutation de lIGBT passe par des
simulations sur une puce IGBT dans un montage hacheur sur charge inductive
(3.6).
Sur la gure 3.21, on montre les simulations pour diffrents temps de mon-
te de la tension de commande V
g
. Le logiciel est SIMPLORER
2
. Les conditions
de simulations sont dcrites en dtail dans le paragraphe 3.3 page 98. Le schma
considr est reprsent gure 3.24. La tension V
ee
reprsente la tension V
EpEs
.
On remarque que les commutations en tension et en courant sont retardes si
lon augmente le temps de monte t
m
. La vitesse de variation de la tension V
ce
diminue trs peu si t
m
augmente. La tension V
ge
et le courant i
g
sont inuencs
par la valeur de t
m
. Comme vu prcdemment, la courant de grille maximum et la
vitesse de variation du courant i
c
dpendent de t
m
.
2
marque dpose
94
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant Ic
10nF
33nF
100nF
220nF
-15
-10
-5
0
5
10
15
0 s 100 ns 200 ns 300 ns 400 ns 500 ns 600 ns 700 ns 800 ns 900 ns 1 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension Vc
10nF
33nF
100nF
220nF
FIG. 3.19 Charge dune capacit par une source de tension avec un transitoire de
monte non nul - R=3.3 et t
m
=70ns
95
(a)
(b)
FIG. 3.20 Courant maximal en fonction de t
m
et C
96
20
15
10
5
0
5
10
15
20
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
V
g

[
V
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
20
15
10
5
0
5
10
15
20
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
0
2
4
6
8
10
12
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
100
0
100
200
300
400
500
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
I
c

[
A
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
8
6
4
2
0
2
4
6
8
12.5 us 13.0 us 13.5 us 14.0 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
50ns
200ns
400ns
FIG. 3.21 Inuence du temps de monte de la tension de grille V
g
sur la commu-
tation dune puce IGBT la mise en conduction - simulation SIMPLORER.
97
3.3 Modlisation et inuences des inductances de cblage de module IGBT
3.2.5 Conclusion
Deux types de commande (tension et courant) ont t tudies an de dtermi-
ner les formes donde lors de commutations sur charge inductive. On peut dgager
plusieurs remarques qui seront utiles lors de la conception de la fonction de com-
mande de grille ( section 4.2 page 141).
Tout dabord, on note que les deux types de commande permettent de contrler
les vitesses de variation des grandeurs lectriques ct puissance (V
ce
et I
c
). Ceci
implique que le choix retenu pour la conception dpend de critres technologiques.
En effet, la solution base de gnrateur de courant nest pas viable pour un driver
industriel, elle est trop complexe mettre en oeuvre. La solution avec une source
de tension et une rsistance de grille est trs intressante car les ralisations tech-
nologiques envisageables sont simples mettre en oeuvre : voir section 4.2.2 page
154.
En dernier point, nous avons mis en vidence, dans la cas de la commande
en tension, que la vitesse de variation de la source de tension qui commande la
rsistance de grille a une inuence sur les commutations des modules IGBT. Une
attention toute particulire sera porte sur ce phnomne lors de la conception de
la commande de grille (section 4.2.2 page 154).
3.3 Modlisation et inuences des inductances de cblage
de module IGBT
Dans la section prcdente (3.2), nous avons tudi les commutations de puces
IGBT. Le modle dIGBT utilis prcdemment ne prend pas en compte les effets
inductifs dus aux connexions dans les modules IGBT. Dans ce paragraphe, nous
exposons lintrt de la prise en compte des inductances de cblage des modules
IGBT et leurs inuences sur les commutations. Puis, grce au logiciel SIMPLO-
RER, nous prsentons des simulations de commutations de puces IGBT avec des
inductances de cblage.
3.3.1 Intrt de la prise en compte des inductances de cblage
La modlisation lectrique complte des modules IGBT passe par la connais-
sance et la caractrisation des puces IGBT (caractrisation statique, non linarit
des effets capacitifs) et par la modlisation des inductances et des couplages dus
la connectique.
En effet, les modules IGBT possdent des systmes de connectique qui al-
lient bus-barres et bondings pour relier les diffrentes puces IGBT et diodes aux
connexions lectriques externes. Il faut prendre conscience que la moindre connexion
mtallique possde une inductance propre et des coefcients de couplage avec les
autres connexions.
Sur la gure 3.22 on montre deux modules composs de plusieurs puces IGBT
et diode : ECONOPACK FS225R12KE3 et FZ1200R33KE3. On voit apparatre
98
les connexions par bondings et bus-barres. On note galement que les connexions
de puissance et de commande sont proches les unes des autres et va engendrer des
couplages entre puissance et commande.
(a) (b)
FIG. 3.22 Modules IGBT, connexions par bus-barres et bondings
3.3.2 Inuence des inductances de cblage
Descripion du montage
Dans cette partie, nous considrons une puce IGBT connecte aux bornes de
Grille-signal (Gs), Emetteur-signal (Es), Collecteur-signal(Cs), Emetteur-puissance
(Ep) et Collecteur-puissance (Cp) par des connexions modlises par les induc-
tances propres L
1
L
7
et les coefcients de couplage M
i j
. Sur la gure 3.23(a), on
reprsente la puce IGBT, les inductances et les couplages.
Dune manire plus systmatique, on reprsente la puce et le cblage suivant
le schma de la gure 3.23(b) pour faire apparatre la matrice symtrique dinduc-
tance M :
_
_
V
1
V
2
V
3
V
4
V
5
V
6
V
7
_
_
=
_
_
V
CpA
V
CsA
V
AC
V
GsG
V
EB
V
BEs
V
BEp
_
_
=
_
_
L
1
M
12
M
13
M
14
M
15
M
16
M
17
L
2
M
23
M
24
M
25
M
26
M
27
L
3
M
34
M
35
M
36
M
37
L
4
M
45
M
46
M
47
L
5
M
56
M
57
L
6
M
67
L
7
_
d
dt
_
_
i
1
i
2
i
3
i
4
i
5
i
6
i
7
_
_
99
(a) (b)
FIG. 3.23 Puce IGBT et matrice dimpdances
V = M
di
dt
(3.26)
M = M
t
(3.27)
V : vecteur tension
i : vecteur courant
M : matrice dinductance
Nous considrons le montage hacheur reprsent gure 3.24 pour commenter
linuence des valeurs des coefcients de la matrice M sur les commutations de
lIGBT. On considre que la source V
g
est parfaite (temps de monte et descente
nuls).
L
1
, L
3
, L
7
: inductances en srie avec L
cab
, elles augmentent la surtension de V
ce
louverture.
L
2
: na pas dinuence dans cette conguration car la connexion C
s
nest pas
relie.
L
4
, L
6
: elles ralentissent la monte et la descente du courant de grille i
g
chaque
commutation. Elles peuvent engendrer des oscillations sur la tension de grille
et provoquer des instabilits.
100
FIG. 3.24 Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impdances
de cblage
101
L
5
: elle ralentit la monte (et la descente) du courant de grille i
g
(comme L
4
et
L
6
) et cre une contre-raction sur la tension de grille lors des commutations
du courant collecteur i
c
qui a pour effet de ralentir la monte (et la descente)
de la tension V
ge
.
L
cc
: inductance de charge du hacheur.
L
d
: inductance srie de la diode de roue libre.
L
cab
: inductance de cblage de la source de tension V
bus
et du bus-barre du ha-
cheur.
Le montage hacheur est simul avec le logiciel SIMPLORER. La puce IGBT
est modlise par un composant IGBT "N channel IGBT" de la librairie "semicon-
ductors device level". Son calibre en courant est de 400A et en tension de 3300V.
La diode d est modlise par le composant "diode" de la librairie "semiconductors
device level" avec les mmes calibres en courant et tension que la puce IGBT.
Analyses et inuences des inductances propres et mutuelles
Tout dabord, pour simplier lanalyse, on suppose que les couplages entre L
cc
,
L
d
, L
cab
et les inductances du module IGBT sont nuls.
Les inductances L
4
et L
6
modlisent le cblage de la commande de grille. La
mutuelle M
46
augmente ou diminue la valeur de linductance vue par la tension V
g
(commande grille). En effet, comme L
4
et L
6
sont parcourues par le mme courant
i
g
, on a les formules suivantes :
V
GsEs
= V
4
+V
GE
+V
5
+V
6
V
4
= L
4
.
di
g
dt
+M
45
.
d
dt
(i
g
+i
c
) +M
46
.
di
g
dt
V
5
= L
5
.
d
dt
(i
g
+i
c
) +M
45
.
di
g
dt
+M
56
.
di
g
dt
V
6
= L
6
.
di
g
dt
+M
56
.
d
dt
(i
g
+i
c
) +M
46
.
di
g
dt
V
GsEs
= V
GE
+(L
4
+L
5
+L
6
+2.M
45
+2.M
46
+2.M
56
).
di
g
dt
+(L
5
+M
45
+M
56
).
di
c
dt
V
GsEs
= V
GE
+L
g1
.
di
g
dt
+L
g2
.
di
c
dt
L
g1
= L
4
+L
5
+L
6
+2.M
45
+2.M
46
+2.M
56
L
g2
= L
5
+M
45
+M
56
_
_
_
si M
46
= 0 = L
g
= L
4
+L
6
+2.M
45
+2.M
56
si M
46
0 = L
g
L
4
+L
6
+2.M
45
+2.M
56
si M
46
0 = L
g
L
4
+L
6
+2.M
45
+2.M
56
102
On remarque que la structure gomtrique des connexions de grille et dmet-
teur peut avoir un effet de rduction sur linductance L
g
vue par la commande de
grille (effet bus-barre).
Nous venons de faire apparatre linductance L
5
et ses coefcients de couplage
avec L
4
et L
6
dans lquation de commande de grille. Celle-ci est parcourue dune
part par le courant de grille et dautre part par le courant collecteur. Ceci nous
montre que le courant collecteur a un effet direct sur la maille de commande de
grille par le biais de linductance L
5
et des mutuelles M
45
et M
56
.
Du ct de la partie puissance, quatre inductances interviennent dans la maille :
L
1
, L
3
, L
5
et L
7
. On nglige pour le moment les effets de couplage entre la partie
commande (modlise par L
4
et L
6
) et la partie puissance (modlise par L
3
, L
5
et
L
7
) pour des raisons de simplicit du modle.
V
CpEp
= V
1
+V
3
+V
CE
+V
5
+V
7
V
CpEp
= (L
1
+L
3
+L
5
+L
7
+2.M
13
+2.M
15
+2.M
17
+2.M
35
+2.M
37
+
2.M
57
).
di
c
dt
+V
CE
+(L
5
+M
15
+M
35
+M
57
).
di
g
dt
V
CpEp
= L
c1
.
di
c
dt
+V
CE
+L
c2
.
di
g
dt
(3.28)
L
c1
= L
1
+L
3
+L
5
+L
7
+2.M
13
+2.M
15
+2.M
17
+2.M
35
+2.M
37
+2.M
57
(3.29)
L
c2
= L
5
+M
15
+M
35
+M
57
La structure gomtrique des connexions de puissance inuence la valeur de
L
c1
et L
c2
par le biais des coefcients de couplage et peut favoriser la diminution
de L
c1
et L
c2
(effet bus-barre). La variation du courant de grille i
g
a une inuence
sur le circuit de puissance cause de limpdance commune L
5
et des coefcients
de couplage entre L
5
et (L
1
-L
3
-L
7
).
La connexion C
s
nest pas relie un potentiel ou une impdance, on nglige
L
2
, M
12
, M
23
, M
24
, M
25
, M
26
et M
27
. Il reste les coefcients de couplage entre la
puissance et la commande : M
14
, M
16
, M
17
, M
34
, M
36
, M
47
et M
67
. Leurs inuences
sont exposes et analyses dans le paragraphe suivant.
Simulation du montage
Les quations analytiques permettent de comprendre les implications des va-
riations des paramtres de la matrice dinductance M sur les formes dondes as-
socies au montage hacheur gure 3.24. Les simulations numriques apportent un
complment danalyse avec le comportement des puces IGBT.
Nous tudions tout dabord linuence de L
1
, L
7
et M
17
sur les commutations
douverture et de fermeture.
Sur les gures 3.25, 3.26 et 3.27, on montre linuence de L
1
, L
7
et K
17
sur les
tensions et courants suivants : V
GsEs
, i
g
, V
CpEp
, i
c
et V
ee
. On note que les inductances
103
L
1
et L
7
ont les mmes effets sur les commutations. La seule diffrence intervient
sur la tension V
ee
(= L
6
.
di
g
dt
L
7
.
di
c
dt
). Le coefcient de couplage K
17
est dni par
la formule suivante :
K
17
=
M
17
L
1
.L
7
Les valeurs choisies pour L
1
et L
7
(10nH, 30nH, 100nH, 300nH) reprsentent une
large gamme de valeurs et ne sont pas des valeurs conformes la ralit (comme
1nH et 300nH). Les valeurs de K
17
sont choisies arbitrairement -0.3, 0 et 0.3.
L
1
: sur la gure 3.25, on montre linuence de L
1
sur les commutations de
lIGBT. L
1
appartient la maille de puissance du montage hacheur et ralen-
tit la monte et la descente du courant I
c
. De ce fait, les tensions V
ce
et V
CpEp
sont diffrentes en fonction de la valeur de L
1
(L
1
, L
3
, L
5
, L
7
, L
cab
.
di
c
dt
).
Comme le courant i
c
et les tensions V
ce
et V
ge
sont lis par la caractristique
statique de la puce IGBT, la valeur de L
1
a une inuence sur la maille de com-
mande de grille. La tension V
ge
et le courant i
g
sont inuencs par la valeur
de L
1
lors des commutations en courant et trs peu lors des commutations en
tension. On note que pour L
1
= 300nH, des oscillations apparaissent sur V
ge
et i
g
. Ceci est d aux oscillations de i
c
louverture. Lors de manipulations,
il est trs peu pratique davoir accs aux points G, C et E des modules. La
tension V
CpEp
est celle mesure dans la pratique (connexions accessibles de
lIGBT). Or, on remarque que la valeur maximale louverture de V
ce
aug-
mente lorsque L
1
augmente et que ceci nest pas vrai pour la tension V
CpEp
.
La diminution de la vitesse de commutation du courant collecteur (di
c
/dt) ne
contre pas totalement leffet de laugmentation de la valeur de L
1
. Il est donc
important de prendre conscience que la tension mesure V
CpEp
ne rete pas
la tension prsente aux bornes de la puce IGBT.
L
7
7
lIGBT. L
7
est en srie avec L
1
, elle a donc le mme effet que celle-ci. Seule
la tension V
ee
est modie diffrement que avec L
1
car V
ee
= L
6
.di
g
/dt
L
7
.di
c
/dt. Plus L
7
a une valeur importante, plus V
ee
atteint des valeurs im-
portantes lors des commutations en courant de lIGBT (tension V
CE
).
K
17
: sur la gure 3.27, on montre linuence de K
17
lIGBT. Quand K
17
= 0, on dit que L
1
et L
7
ne sont pas couples, ce qui ne
correspond pas la ralit. Lorsque K
17
< 0, on dit que L
1
et L
7
ralisent un
effet bus-barre, cest dire que linductance quivalente de L
1
et L
7
est r-
duite (voir les quations 3.28 et 3.29). Lorsque K
17
> 0, leffet bus-barre est
"ngatif", cette conguration ne reprsente pas de cas rel et comporte seule-
ment un intrt pdagogique. Nous comparons des courbes de la gure 3.27
lorsque K
17
= 0 et 0.3. On remarque que lorsque K
17
= 0.3, la commu-
tation en courant est plus rapide louverture et la fermeture que lorsque
K
17
=0 (effet bus-barre). De mme, pour la surtension aux bornes de la puce
IGBT louverture. On note que la tension V
ge
et le courant i
g
sont trs peu
104
inuencs par la valeur de K
17
dans lintervalle [-0.3 , 0.3].
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
FIG. 3.25 Inuence de la valeur de L
1
- simulation
105
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
0
200
400
600
800
1000
1200
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
100
80
60
40
20
0
20
40
60
80
100
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
300nH
7
- simulation
106
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
14
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
K17 = 0.3
K17 = 0
K17 = 0.3
FIG. 3.27 Inuence de la valeur de K
17
- simulation
107
Sur les gures 3.28, 3.29 et 3.30, on montre linuence de L
4
, L
6
et K
46
sur les
tensions et courants suivants : V
GsEs
, i
g
, V
CpEp
, i
c
et V
ee
. Le coefcient de couplage
K
46
est dni par la formule suivante :
K
46
=
M
46
L
4
.L
6
Les valeurs choisies pour L
4
et L
6
(1nH, 30nH, 100nH) reprsentent une large
gamme de valeurs. Les valeurs de K
46
sont choisies arbitrairement -0.3, 0 et 0.3.
L
4
4
sur les commutations. L
4
ap-
partient la maille de commande de grille. Elle ralentit la monte du courant
de grille. Elle peut galement provoquer des oscillations sur la tension et le
courant de grille lorsque sa valeur est trop leve mais nest pas visible dans
les gures proposes. Elle est galement la cause dun dcrochement lors de
la mise en conduction et de la fermeture de lIGBT sur la tension V
GsEs
(ten-
sion accessible facilement) : sur la courbe V
GsEs
de la gure 3.28, on voit ces
deux dcrochements pour louverture 10.1s et pour la fermeture 12.5s.
Les formes donde V
GsEs
et i
g
sont lgrement diffrentes pour des valeurs
de L
4
comprises entre 1nH et 100nH (ce qui correspond des valeurs relles
de modules IGBT). De ce fait, la tension V
CpEp
et le courant i
c
sont trs peu
inuencs par les variations de L
4
.
L
6
6
sur les commutations. Elle
appartient la maille de commande de grille au mme titre que L
4
. Les re-
marques prcdentes concernant L
4
sont donc valables pour L
6
. La seule
diffrence concerne la tension V
ee
qui dpend directement de L
6
. On voit, sur
les courbes de la tension V
ee
, linuence de L
6
et de la variation du courant
de grille i
g
.
K
46
: sur la gure 3.30, on montre linuence de K
46
sur les commutations. On a
choisi arbitrairement les valeurs -0.3, et 0.3. Cette dernire valeur a un in-
trt purement pdagogique car les structures classiques des modules IGBT
privilgient les couplages ngatifs (effet bus-barre). K
46
modlise le cou-
plage entre la connexion de grille et la connexion dmetteur de commande.
Lorsque K
46
< 0, L
4
et L
6
ralisent un effet bus-barre. Linductance vue par
le circuit de commande (modlis par la tension V
g
) est rduite. Ceci permet
dacclrer les variations du courant de grille et par consquent les variations
du courant collecteur. Cela est vri sur les courbes de i
c
et V
ce
de la gure
3.30. La tension V
ee
est galement sensible aux variations de K
46
car elle est
directement lie M
46
et la vitesse de variation de i
c
(par le biais de L
7
)
qui dpend de K
46
.
108
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
c
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
4
- simulation
109
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
c
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
1nH
30nH
100nH
6
- simulation
110
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
c
e

[
V
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
40
35
30
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
30
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
K46 = 0.3
K46 = 0
K46 = 0.3
46
- simulation
111
Nous avons vu linuence sur les commutations des valeurs des inductances
de la maille de commande (L
4
et L
6
) et de la maille de puissance (L
1
et L
7
). Les
couplages tudis prcdemment font intervenir des inductances appartenant la
mme maille : M
46
et M
17
. Il est maintenant intressant dtudier linuence des
couplages entre la puissance et la commande. Considrons le cas du couplage entre
L
4
de la maille de commande et L
7
de la maille de puissance modlis par la mu-
tuelle M
47
et le coefcient de couplage K
47
:
K
47
=
M
47
L
4
.L
7
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
6
4
2
0
2
4
6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
K47 = 0.1
K47 = 0
K47 = 0.1
47
- simulation
112
Ce couplage a pour effet de lier le circuit de commande (L
4
) au circuit de
puissance (L
7
) lors des variations des courants i
g
et i
c
. En effet, sur la gure 3.31,
on note que la tension V
GsEs
est fortement inuence par la valeur de K
47
. Lors
de la mise en conduction, quand la vitesse de variation du courant i
c
est la plus
importante, la tension V
GsEs
est fortement perturbe. A louverture, la variation
de i
c
est plus faible, la tension V
GsEs
est trs peu perturbe. Ces remarques sont
valables pour le courant de grille i
g
.
Sur la gure 3.32, on montre linuence de L
cab
sur les commutations. Elle a
une inuence importante sur les tensions V
CpEp
et V
ce
. En effet, lors des commuta-
tions du courant i
c
, L
cab
joue un rle important. A louverture, les surtensions sur
V
CpEp
et V
ce
ont pour origine principalement L
cab
.di
c
/dt ; puis la fermeture, les
tensions V
CpEp
et V
ce
ont un creux d galement L
cab
.di
c
/dt. Les variations du
courant i
c
louverture et la fermeture sont trs peu affectes par la valeur de
L
cab
dans la gamme [5nH , 100nH] ainsi que la tension V
ge
et le courant i
g
.
Sur la gure 3.33, on montre linuence de L
5
sur les commutations. Cette
inductance est commune la maille de commande et de puissance. Elle a un effet
nfaste sur la commutation en courant de lIGBT. Lors de la fermeture par exemple,
la tension L
5
.di
c
/dt se soustrait la tension V
ge
et ralentit la monte du courant i
c
.
Ceci se vrie sur la gure 3.33 o lon voit que la vitesse dtablissement du
courant dcroit lorsque L
5
augmente.
Conclusion
Grce des hypothses simplicatrices, nous avons tudi linuence de cer-
taines valeurs dinductances propres et mutuelles.
Tout dabord, on remarque que les inductances de la maille de commande de
grille (L
4
et L
6
) ont une faible inuence sur les commutations dans la gamme de
valeur : 1nH - 300nH. Ceci implique que la longueur des cbles entre la rsistance
de grille et le module IGBT peut tre de quelques centimtres quelques dizaines
de centimtres sans avoir de rpercussions sur les commutations. Cette remarque
est intressante surtout pour les concepteurs de convertisseurs qui peuvent se per-
mettrent de placer les drivers quelques centimtres des modules IGBT sans avoir
de problme doscillations sur la commande de grille. Cette remarque ne prend pas
en compte les effets de couplages qui peuvent exister entre le cblage du circuit de
commande de grille et le reste du convertisseur.
On a pu mettre en vidence linuence de la contre-raction de L
5
sur la com-
mutation la mise en conduction. Or, la valeur de cette inductance est impose par
la topologie des modules IGBT. Dans loptique de la conception dun driver, celle
valeur est impose.
La mme remarque se prole pour L
1
et L
7
dont les valeurs dpendent du mo-
dule IGBT. Elles ont pour consquence de changer les vitesses de variation des
grandeurs lectriques i
c
et V
ce
et la valeur de la surtension de V
ce
. Pour la conception
du driver, ces valeurs sont prendre en compte pour lestimation des surtensions
de V
ce
.
113
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
6
4
2
0
2
4
6
8
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
6
4
2
0
2
4
6
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
5nH
50nH
100nH
cab
- simulation
114
20
15
10
5
0
5
10
15
20
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
G
s
E
s

[
V
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
g
r
i
l
l
e

[
A
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
p
E
p

[
V
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
100
0
100
200
300
400
500
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
I
c

[
A
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
0
200
400
600
800
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
C
E

[
V
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
10 us 11 us 12 us 13 us 14 us 15 us
V
e
e

[
V
]
Time [s]
1nH
5nH
10nH
5
- simulation
115
3.4 Estimation et identication de linductance dmetteur de modules IGBT
1200A-3300V
Pour la conception du driver au chapitre 4, nous pouvons retenir que la plus-
part des valeurs des inductances de la modlisation propose sont imposes par le
module IGBT aux exceptions de L
4
et L
6
. Nous verrons par la suite que la connais-
sance de la valeur de L
7
prsente un enjeu important pour la protection en court-
circuit propose au chapitre 4.
3.4 Estimation et identication de linductance dmet-
teur de modules IGBT 1200A-3300V
3.4.1 Prsentation
Dans cette section, nous proposons didentier linductance dmetteur (no-
te L
7
sur les gures 3.23(a) et 3.24) des modules FZ1200R33KF2 (Eupec) et
CM1200HB66H (Mitsubishi). Deux mthodes sont exposes et compares : lune
exprimentale base sur lextraction de paramtre partir dune commutation,
lautre base sur une description physique du cblage et rsolution numrique du
systme.
Limportance de connatre L
7
est dveloppe dans la section 4.3.2 page 179 o
lon utilise cette inductance pour avoir limage de di
c
/dt lors des commutations
sur des faibles impdances de court-circuit.
Nous proposons de comparer deux modules 1200A-3300V de deux construc-
teurs diffrents. Ce sont des IGBT simples constitus chacun de 24 puces IGBT
de 50A et 12 puces diodes de 100A. On distingue 6 zones rectangulaires (4 puces
IGBT et deux puces diodes) relies deux deux par les connexions de puissance
extrieures : voir gures 3.34(a) pour le module FZ1200R33KF2 et 3.34(b) pour
le module CM1200HB66H.
(a) (b)
FIG. 3.34 Modules IGBT FZ1200R33KF2 et CM1200HB66H dcapots
116
1200A-3300V
3.4.2 Identication de L
7
par une mesure en commutation
Le principe de base consiste modliser le module IGBT comme sur la gure
3.35 : une seule puce IGBT et sept inductances couples. On suppose que les cou-
plages M
i7
sont nuls (1 i 6). Nous vrions la validit de ces simplications
laide des rsultats obtenus.
FIG. 3.35 Montage hacheur sur charge inductive, prise en compte des impdances
de cblage
Sur le montage de la gure 3.35, lors de la mise en conduction avec un courant
non nul dans L
cc
, la diode souvre avec un recouvrement. Le courant dans lIGBT
volue rapidement. Une tension est engendre aux bornes de L
7
: L
7
.di
c
/dt. Elle
peut tre mesure par lintermdiaire de la tension V
EpEs
qui est accessible par les
connexions externes du module IGBT :
V
EpEs
= L
6
.
di
g
dt
L
7
.
di
c
dt
Dans cette formule, on suppose que tous les couplages M
i6
et M
i7
sont nuls. Lorsque
le courant collecteur commute, le courant de grille a un gradient trs faible ce qui
permet didentier V
EpEs
di
c
/dt. La drive du courant i
c
est calcule numri-
quement partir de i
c
. La tension V
EpEs
est mesure simplement avec une sonde
de tension. On fait le ratio de la tension V
EpEs
et de di
c
/dt sur une partie de la
117
1200A-3300V
commutation o di
c
/dt est non nul pour obtenir une estimation de L
7
. Pour vrier
la validit de la valeur trouve, on superpose V
EpEs
et L
7
.di
c
/dt.
Les gures 3.36 et 3.37 montrent les commutations et les rsultats obtenus pour
les modules FZ1200R33KF2 et CM1200HB66H.
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
i
c
[
A
]
Temps [s]
ic
15
10
5
0
5
10
15
1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
V
e
e
[
V
]

e
t

L
7
.
d
I
c
/
d
t
[
V
]
Temps [s]
L
7
= 3nH
Vee
L
7
.dI
c
/dt
FIG. 3.36 Estimation de L
7
pour le module FZ1200R33KF2 - valeur estime :
3nH
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us
i
c
[
A
]
Temps [s]
ic
30
20
10
0
10
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us
V
e
e
[
V
]

e
t

L
7
.
d
I
c
/
d
t
[
V
]
Temps [s]
L
7
= 5nH
Vee
L
7
.dI
c
/dt
FIG. 3.37 Estimation de L
7
pour le module CM1200HB66H - valeur estime :
5nH
3.4.3 Estimation de L
7
avec le logiciel InCa
Nous proposons une estimation de L
7
avec le logiciel InCa. Pour le module
FZ1200R33KF2, nous effectuons une simplication qui permet de considrer une
seule zone du module pour estimer L
7
si lon considre que les six zones sont
identiques. Le courant se divise en trois de faon quilibr, ensuite en deux puis en
deux (gure 3.38). Pour estimer L
7
, on calcule les inductances lmentaires, on les
pondre par la proportion du courant qui les traverse puis on somme ces valeurs. La
gure 3.38 montre une zone du module FZ1200R33KF2 et le chemin du courant.
La gure 3.39 montre le schma quivalent de la gure 3.38.
Sur la gure 3.40, on reprsente les descriptions faites avec le logiciel InCa
pour le calcul de L
a
, L
b
, L
c
et L
d
du module FZ1200R33KF2.
118
1200A-3300V
FIG. 3.38 Module FZ1200R33KF2 et distribution du courant dmetteur
FIG. 3.39 Schma quivalent des connexions du module FZ1200R33KF2
119
1200A-3300V
L
a
et L
b
L
c
L
d
FIG. 3.40 Descriptions physiques des connexions dmetteur du module
FZ1200R33KF2 avec le logiciel InCa
La rsolution 2D de InCa donne les rsultats suivants :
L
a
= 0.5nH
L
b
= 25nH
L
c
= 3.25nH
L
d
= 20nH
_
_
1MHz
Pour obtenir L
7
, on ajoute ces valeurs dinductance corriges par leurs coef-
cients respectifs :
L
7
=
L
a
3
+
L
b
+L
c
6
+
L
d
12
=
0.5
3
+
25+3.25
6
+
20
12
6.5nH
120
1200A-3300V
Nous effectuons le mme raisonnement pour le module CM1200HB66H. Il est
constitu de six zones. Elles sont relies deux par deux la connexion dmetteur
de puissance. Le courant est suppos quirparti entre les trois connexions. On
modlise une seule connexion dmetteur de puissance puis on divise sa valeur
par trois. La gure 3.41 montre le module CM1200HB66H avec les six zones.
Les connexions dmetteur de puissance ne sont pas prsentes sur la photographie
(arraches pour pouvoir ouvrir le module). La gure 3.42 montre la modlisation
physique de cette partie du module.
FIG. 3.41 Module CM1200HB66H dcapot
FIG. 3.42 Description physique des connexions dmetteur du module
CM1200HB66H avec le logiciel InCa
121
3.5 Avalanche dynamique de module IGBT
On trouve grce au logiciel InCa :
L
7
27
3
= 9nH 1MHz
3.4.4 Comparaison des mthodes et des modules
Le tableau 3.1 donne les rsultats obtenus avec lidentication laide des
commutations et les simulations avec le logiciel InCa.
Module Commutation InCa
FZ1200R33KF2 3nH 6.5nH
CM1200HB66H 5nH 9nH
TAB. 3.1 Comparaison des valeurs de L7
On note que les valeurs donnes par le logiciel InCa sont plus grandes que les
valeurs identies avec les commutations. La tendance est la mme avec les deux
modules. On peut expliquer ce phnomne car, avec le logiciel InCa, nous navons
pas pris en compte leffet bus-barre qui existe entre la connexion dmetteur et la
connexion de collecteur. Dans la ralit, la valeur de linductance dmetteur vue
par le circuit extrieur est plus faible que sa valeur dinductance propre grce au
couplage entre le collecteur et lmetteur.
3.5.1 Introduction
Lavalanche dynamique est un phnomne quil faut prendre en compte lors
de louverture sur dfaut de certains modules IGBT pour pouvoir expliquer les
formes dondes [Ogu04a]. En effet, lors de louverture en cas de dfaut, le courant
coup par lIGBT est suprieur au courant nominal et une surtension importante est
prsente lors de louverture. Un exemple de commutation louverture est donn
gure 3.43 avec avalanche dynamique : module IGBT Mitsubishi CM300DU-24H
(1200V - 300A).
Pour la tension V
ce
correspondant au courant coup de 380A (valeur lgre-
ment suprieure au courant nominal de 300A), la surtension est de 100V. Pour
des courants suprieurs la valeur nominale (770A et 1100A), la surtension est de
130V environ. La tension V
ce
prsente un plateau 730V environ qui caractrise un
fonctionnement en avalanche car la tension davalanche en statique est de 1200V.
3.5.2 Phnomne physique
La tenue en tension de lIGBT est assure par la couche pitaxie N
. Sur la
gure 3.44, on reprsente en coupe une demie cellule IGBT. En fonctionnement
122
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
pour diffrents courants coups
I
c
=380A
770A
1100A
0
200
400
600
800
1000
1200
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
I
c
=380A
770A
1100A
FIG. 3.43 Mise en vidence de lavalanche dynamique du module CM300DU-
24H - photographies du montage hacheur - courbes de commutation louverture
- schma lectrique du dispositif
123
"ferm", le courant circule du collecteur vers lmetteur et polarise la jonction
P
+
N
(couche P
+
ct collecteur) en direct. La zone N
est en rgime de forte

injection (injection forte de trous provenant de la couche P
+
du collecteur) crant
une zone de plasma caractrise par une faible chute de tension. A ltat "bloqu",
la tenue en tension de lIGBT est assure par la jonction P
+
N
(P
+
ct met-
teur) polarise en inverse. En rgime statique, la tenue en tension est assure par la
largeur de la couche N
pitaxie W
B
. Il faut que la largeur de la zone de charge
despace soit infrieure W
B
. Si la largeur de la zone de charge despace est sup-
rieure W
B
, on a perage de la couche N
(couche pitaxie).
Lors de louverture de lIGBT sur charge inductive, la tension V
ce
augmente.
Quand elle atteint la tension de bus, la diode de roue libre entre en conduction, le
courant dans lIGBT dcrot. Le fort gradient de courant dans lIGBT cre une sur-
tension cause des inductances de cblage. La tensionV
ce
cre un champ lectrique
E
M
dans la rgion N
(couche pitaxie) et peut mener lavalanche si celui-ci est

suprieur au champ critique E
C
. En rgime de forte injection, le champ maximum
E
M
dpend de la densit de courant dans lIGBT. En effet, nous avons les qua-
tions suivantes dans les cas de faible et forte injections pour la jonction P
+
N ct
metteur en polarisation inverse :
Faible injection :
J
p
= q.
p
.p.E q.D
p
.
p
x
(3.30)
E
M
=
q.N
D
.W
SC
(3.31)
Forte injection :
J
p
= q.p.V
s
p
(3.32)
p =
J
p
q.V
s
p
(3.33)
p >> N
D
(3.34)
E
M
=
q.(N
D
+ p).W
SC
(3.35)
E
M
(J
p
) =
q.
_
N
D
+
J
p
q.V
s
p
_
.W
SC
(3.36)
q : charge lmentaire 1,6.10
19
C
p
: mobilit des trous [cm
2
.V
1
.s
1
]
p : densit de trous [cm
3
]
E : champ lectrique [V.cm
1
]
D
p
: constante de diffusion des trous [cm
2
.s
1
]
N
D
: densit datome donneurs [cm
3
]
W : largeur de la zone N
[cm]
SC
: permittivit dilectrique du matriau [F.cm
1
]
V
s
p
: vitesse de saturation des trous [cm.s
1
]
124
FIG. 3.44 Coupe dune cellule IGBT et champ critique
3.5.3 Inuence de la nature des puces IGBT
Sur la gure 3.43, nous montrons que lavalanche dynamique apparat pour
un courant coup suprieur deux fois le courant nominal. LIGBT utilis est le
CM300DU-24H de technologie PT (Punch Through). Nous faisons commuter un
module IGBT FZ1200R33KF2 (3300V - 1200A) de technologie NPT (Non Punch
Through) pour vrier si le phnomne existe sur cette technologie. En effet, lava-
lanche dynamique na jamais t observe. Lors des essais, le courant commut est
de 8kA, ce qui correspond six fois le courant nominal de 1200A (gure 3.45).
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
8.0 us 8.5 us 9.0 us 9.5 us 10.0 us 10.5 us 11.0 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
module FZ1200R33KF2, courant coup = 8kA
V
ce
FIG. 3.45 Commutation louverture du module FZ1200R33KF2 8kA coup
Pour expliquer que lavalanche dynamique apparat sur les modules IGBT de la
technologie PT et pas sur la technologie NPT, il faut considrer lquation suivante
[Per04] :
125
dE(x, t)
dx
=
q
SC
(N
D
+ p(x, t) n(x, t)) (3.37)
E(x, t) : champ lectrique dans la zone de charge centrale N
de la cellule IGBT [V.cm

1
]
N
D
: densit datomes donneurs [cm
3
]
p(x, t) : densit de trous [cm
3
]
n(x, t) : densit dlectrons [cm
3
]
19
C
SC
: permittivit du matriau [F.cm
1
]
Cette quation peut tre dveloppe si lon considre les paramtres suivants :
v
n
(x, t) : vitesse des lectrons
K
PNP
=
J
p
(x,t)
J
n
(x,t)
: rapport des densits de trous et dlectrons dans la zone N
(x, t) =
v
n
(x,t)
v
p
(x,t)
: rapport des vitesses dlectrons et de trous
19
C
SC
1
]
J
c
: densit de courant dans lIGBT [A.cm
2
]
dE(x, t)
dx
=
q
SC
_
N
D
+
1
q v
n
(x, t)
K
PNP
(x, t) (x, t) 1
1+K
PNP
(x, t)
J
c
_
(3.38)
On peut supposer K
PNP
gal au gain dynamique du transistor PNP
PNPdyn
et
constant au long de la zone de charge despace. A fort champ lectrique, on peut
supposer que v
n
= v
p
=V
s
p
= 10
7
cm/s et que cela implique (x, t) = 1. Lquation
prcdente devient alors :
dE(x, t)
dx
=
q
SC
_
N
D
+
1
q V
s
p
PNPdyn
1
1+
PNPdyn
J
c
_
(3.39)
V
s
p
: vitesse de saturation
PNPdyn
: gain dynamique du transistor PNP
Le champ maximal atteint not E
M
est situ la jonction P
+
N
et vaut :
E
M
=
q W
SC
_
N
D
+
1
q V
s
p
PNPdyn
1
1+
PNPdyn
J
c
_
(3.40)
W : largeur de la zone de charge despace cot N
126
La valeur du paramtre
PNPdyn
dtermine si lIGBT concern peut ou non
fonctionner en avalanche dynamique. On considre trois cas :

PNPdyn
= 1 : le champ maximal E
M
nest pas inuenc par la densit de
courant dans lIGBT. On ne peut pas observer davalanche dynamique avec
ce type dIGBT.

PNPdyn
> 1 : le champ maximal E
M
crot avec le courant, on peut observer
le phnomne davalanche dynamique avec ce type dIGBT.

PNPdyn
< 1 : le champ maximal E
M
dcrot avec le courant, on ne peut pas
observer le phnomne davalanche dynamique avec ce type dIGBT.
Le problme se situe dans la connaissance du paramtre
PNPdyn
. Celui varie
lors de la commutation et il est trs difcile de le calculer de faon analytique. On
peut simplement effectuer lanalyse suivante : les IGBT de technologie PT ont une
zone N
peu paisse, ce qui leur confre une valeur de

PNP
importante et favorise
lavalanche dynamique. Pour la technologie NPT, la zone N
est paisse et le gain

statique
PNP
est faible et lavalanche dynamique est difcile obtenir avec cette
technologie.
3.5.4 Inuence du courant coup et de la rsistance de grille
Nous montrons linuence de la rsistance de grille louverture et du courant
coup sur la forme donde de la tension V
ce
en rgime davalanche dynamique
[Ogu04b]. LIGBT considr est le CM300DU-24H (1200V - 300A Mitsubishi,
technologie PT). Les tests sont raliss en montage hacheur abaisseur sur charge
inductive. La diode de roue libre est la diode anti-parallle du module IGBT :
schma gure 3.46.
127
FIG. 3.46 Montage hacheur pour les rsultats exprimentaux pour lavalanche
dynamique
Sur les courbes 3.47 et 3.48, on note que la tension maximale V
ce
dpend du
courant coup et lgrement de la rsistance de grille dans la gamme [1.5- 22] :
I
c
[A] V
ce
[V]
380 720
770 730
1100 740
0n pourrait envisager ne pas utiliser de systme de protection contre les surten-
sions lors douverture en rgime de surintensit. En effet, le systme de clamping
fait fonctionner lIGBT en zone sature (gure 3.1 page 74 pour absorber lnergie
des inductances de cblage. Cette nergie est absorbe par les puces IGBT. Lors de
lavalanche dynamique, la puce IGBT absorbe un courant sous la tension bus et a
pour effet dabsorber lnergie des inductances de cblage. On voit que le systme
de clamping et le fonctionnement en avalanche dynamique ont le mme effet nal
(limiter la surtension louverture) et la mme consquence : la puce IGBT ab-
sorbe de lnergie. Le constructeur ABB proposent des composants auto-protgs
contre les surtensions en rgime de dfaut : technologie SPT (Soft Punch Through :
voir paragraphe page 11). Cette technologie de puce est proche de la structure PT
(Punch Through) car elle possde une couche tampon entre la couche P
+
(ct
collecteur) et la couche N
et de ce fait possde les mmes comportements (faible

queue de courant, avalanche dynamique).
3.5.5 Simulation numrique dune cellule IGBT Punch Through
Le but de ce paragraphe est dtudier lavalanche dynamique laide de simu-
lations numriques lments nis. Dans les paragraphes prcdents, nous avons
tudi le phnomne davalanche dynamique laide des quations des semicon-
ducteurs et des mesures systmatiques. Le phnomne a pu tre expliqu grce
128
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
pour I
c
=380A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
pour I
c
=380A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
pour I
c
=770A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
pour I
c
=770A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
pour I
c
=1100A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0.00 s 250.00 ns500.00 ns750.00 ns 1.00 us 1.25 us 1.50 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
pour I
c
=1100A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
FIG. 3.47 Inuence du courant coup et de la rsistance de grille - courbes tem-
porelles - mesures sur le module CM300DU-24H
129
0
100
200
300
400
0 100 200 300 400 500 600 700 800
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Tension [V]
I
c
=f(V
ce
) pour I
c
=380A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0 100 200 300 400 500 600 700 800
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Tension [V]
I
c
=f(V
ce
) pour I
c
=770A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
0 100 200 300 400 500 600 700 800
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Tension [V]
I
c
=f(V
ce
) pour I
c
=1100A
R
goff
=1.5
=4.7
=10
=15
=22
FIG. 3.48 Inuence du courant coup et de la rsistance de grille - courbes I
c
=
f (V
ce
) - mesures sur le module CM300DU-24H
130
des quations simples qui ont ncessit des hypothses simplicatrices impor-
tantes. Dans ce paragraphe, nous apportons des prcisions sur les phnomnes
physiques mis en jeux grce aux outils de simulation par lments nis.
Dans les paragraphes prcdents, nous avons obtenu des quations qui per-
mettent de mettre en vidence le phnomne davalanche dynamique : quations
3.39 et 3.40 page 126.
Avant dentrer dans le dtail des simulations, nous faisons un rappel les qua-
tions considrer pour la suite [Cha80] :
div(
E) =

SC
(3.41)
: densit de charge [C.cm
3
]
SC
1
]
E : champ lectrique [V.cm

1
]
Si lon considre que le champ varie sur une seule direction de lespace, on
peut simplier lquation 3.42 de la faon suivante :
E
x
(x, t)
x
=
(x, t)
SC
(3.42)
(x, t) = q.(p(x, t) n(x, t) +N
d
(x) n
d
(x) N
a
(x) + p
a
(x))
(x, t) = q. (p(x, t) +N
d
(x) [n(x, t) +N
a
(x)])
(x, t) = q.
np
(x, t)
np
(x, t) = p(x, t) +N
d
(x) [n(x, t) +N
a
(x)]
E
x
(x, t)
x
=
q.
np
(x, t)
SC
(3.43)
N
d
: densit datomes donneurs [cm
3
]
n
d
: densit dlectrons libres lis aux atomes donneurs, suppose nulle
temprature ambiante [cm
3
]
N
a
: densit datomes accepteurs [cm
3
]
n
a
: densit de liaisons covalentes libres lies aux atomes accepteurs, suppose
nulle temprature ambiante [cm
3
]
n : densit dlectrons libres dans la bande de conduction [cm
3
]
p : densit de trous libres dans la bande de valence [cm
3
]
q : charge lmentaire [C]
Daprs lquation 3.43, la drive du champ lectrique dpend de la diffrence
de charge entre les lectrons et les trous.
Le calcul du champ rel passe obligatoirement par une simulation numrique
compte tenu de la complexit de lquation rsoudre :
E
x
(x, t) =
q
SC
.
Z
x
0
np
(u, t).du (3.44)
131
En effet, le terme
np
(x, t) dpend du temps et de labscisse x. Lors de la commu-
tation de lIGBT, ce terme volue de faon trop complexe pour effectuer un calcul
analytique.
Pour mettre en vidence lavalanche dynamique dune cellule IGBT, nous consi-
drons le schma de la gure 3.49.
FIG. 3.49 Montage hacheur - simulation du phnomne davalanche dynamique
Une coupe de la cellule de technologie Punch Through est donne gure 3.50(a).
Cette reprsentation ne respecte pas les proportions relles. La cellule est consti-
tue dune zone de drain faiblement dope N
qui constitue le corps de la cellule

IGBT. Les couches fortement dopes de type N
+
et P
+
ct collecteur sont rali-
ses par diffusion en face arrire. La coupe relle de la puce est prsente gure
3.50(b) en respectant les proportions relles.
Les caractristiques statiques sont prsentes sur la gure 3.51 : le rseau de
courbes I
c
= f (V
ce
,V
ge
) et la courbe de claquage en polarisation directe bloque. La
caractristique statique ne correspond pas un IGBT en particulier. On remarque
que les tensions de saturation et les rsistances dynamiques sont importantes. La
tension de claquage directe bloque est de 1200V environ. Nous utiliserons cette
cellule dans le montage hacheur (gure 3.49) avec une tension de bus V
bus
de 500V.
Dans le cadre de ltude sur lavalanche dynamique dune cellule IGBT, nous
nous intressons tout particulirement au schma de la gure 3.49 lors de louver-
ture de la cellule IGBT. La simulation mixte MEDICI
3
- SPICE permet de simuler
le comportement physique de la puce (MEDICI) et le comportement lectrique du
reste du circuit. La commande de grille V
g
est pilote pour mettre la cellule IGBT
en conduction, le courant collecteur i
c
atteint un certain niveau de courant par lin-
termdiaire de linductance L
cc
, puis la cellule est commande louverture. Lors
de louverture, linductance L
cab
cre une surtension aux bornes de lIGBT. Cette
phase est tout particulirement intressante car elle conjugue une densit de cou-
rant importante dans la cellule IGBT et une tension importante ses bornes.
3
marque dpose
132
10
9
10
12
10
15
10
18
10
21
0 50 100 150 200 250
d
o
p
a
g
e

[
c
m
3
]
y [m]
profil de dopage pour x = 0 de la structure IGBT
(a) (b)
FIG. 3.50 Description de la cellule IGBT avec le logiciel MEDICI
0 A
5 A
10 A
15 A
20 A
25 A
30 A
0 V 2 V 4 V 6 V 8 V 10 V
I
c

[
A
]
V
ce
[V]
caractristique statique de la structure IGBT
V
ge
=8V
10V
12V
15V
0 A
10 pA
20 pA
30 pA
40 pA
50 pA
60 pA
70 pA
0.0 V 400.0 V 800.0 V 1.2 kV
I
c

[
A
]
V
ce
[V]
caractristique directe bloque de la structure IGBT
(a) (b)
FIG. 3.51 Caractristiques statiques de la cellule IGBT - simulation MEDICI
133
Pendant cette phase, un champ lectrique se cre en chaque point de la cellule
IGBT. Il est constitu de la somme de deux champs lectriques :
E (t) =

EV
ce
(t)+

EJ
c
(t) (3.45)
E
V
ce
: champ lectrique d la tension V
ce
E
J
c
: champ lectrique d la forte
densit de courant
Le champ lectrique est principalement localis la jonction P
+
N
du ct
metteur. En effet, cette jonction est polarise en inverse : gure 3.52.
FIG. 3.52 Coupe de la cellule IGBT lors de louverture
Nous considrons par la suite que le champ et les autres variables ne dpendent
pas de la position sur laxe z : la demi-cellule est modlise en deux dimensions
avec un facteur dchelle de 4.10
5
sur laxe z pour obtenir une cellule de 1cm
2
.
On peut reprendre lquation 3.41 de la page 131 :
div(
E) =
q
SC
. p(x, y, t) +N
d
(x, y) [n(x, y, t) +N
a
(x, y)] (3.46)
Les rsultats de simulation sont obtenus avec la conguration suivante :
V
bus
= 500V
L
cab
= 100nH
L
cc
= 2H
R
g
= 10
V
g
: temps de conduction de 2.5s
Sur la gure 3.53, on montre la monte du courant dans la cellule IGBT. Ensuite,
sur la gure 3.54, on montre louverture en dtail pour identier lavalanche dyna-
mique entre 12.85s et 13s.
134
0 A
200 A
400 A
600 A
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
I
c

[
A
]
Temps [s]
0 V
200 V
400 V
600 V
800 V
1 kV
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
V
c
e

[
V
]
Temps [s]
2.0 A
1.5 A
1.0 A
500.0 mA
0.0 A
500.0 mA
1.0 A
1.5 A
2.0 A
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
I
g

[
A
]
Temps [s]
5 V
0 V
5 V
10 V
15 V
20 V
9 us 10 us 11 us 12 us 13 us
V
g
e

[
V
]
Temps [s]
FIG. 3.53 Monte du courant dans la cellule IGBT - simulation
0 A
100 A
200 A
300 A
400 A
500 A
600 A
700 A
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
I
c

[
A
]
Temps [s]
0 V
100 V
200 V
300 V
400 V
500 V
600 V
700 V
800 V
900 V
1 kV
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
V
c
e

[
V
]
Temps [s]
2.0 A
1.5 A
1.0 A
500.0 mA
0.0 A
500.0 mA
1.0 A
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
I
g

[
A
]
Temps [s]
5 V
0 V
5 V
10 V
15 V
12.7 us 12.8 us 12.9 us 13.0 us 13.1 us 13.2 us
V
g
e

[
V
]
Temps [s]
FIG. 3.54 Phnomne davalanche dynamique louverture de la cellule IGBT
et rgime de sur intensit - simulation
135
Nous proposons de visualiser les grandeurs lectriques suivantes pour le point
dabscisse x = 0 aux temps 12.85s, 12.9s et 12.95s de la commutation lou-
verture de la gure 3.54 pour identier les zones qui sont lorigine du phnomne
davalanche :
module du champ lectrique
courant dionisation par impact
concentration de charges :
Sur la gure 3.55, on reprsente les grandeurs physiques proposes. Il est
vident que la jonction P
+
N
du ct metteur est lorigine de lavalanche. Au

temps t=12.9s, on voit bien laccumulation de charges positives entre 7m et 9m
qui provoque un champ lectrique local intense. Le courant de gnration par im-
pact est galement trs fort dans cette zone. Sur la gure 3.56, on reprsente le
courant de gnration par impact en 2D. La zone davalanche est clairement iden-
tie.
136
0 V/m
100 kV/m
200 kV/m
300 kV/m
5 m 10 m 15 m
c
h
a
m
p

l
e
c
t
r
i
q
u
e

[
V
/
m
]
distance
12.85s
12.9s
12.95s
1.6e+016
1.2e+016
8.0e+015
4.0e+015
0.0e+000
4.0e+015
5 m 10 m 15 m
c
o
n
c
e
n
t
r
a
t
i
o
n

d
e

c
h
a
r
g
e

[
c
m
3
]
distance
12.85s
12.9s
12.95s
0e+000
1e+025
2e+025
3e+025
4e+025
5e+025
6e+025
7e+025
5 m 10 m 15 m
c
o
u
r
a
n
t

d
e

g
r
a
t
i
o
n

[
c
m
3
.
s
1
]
distance
12.85s
12.9s
12.95s
FIG. 3.55 Champ lectrique - concentration de charge - courant gnr par ioni-
sation par impact - simulation MEDICI
137
FIG. 3.56 Reprsentation 2D du courant gnr par ionisation par impact - simu-
lation MEDICI - t=12.9s
138
3.6 Conclusion
3.6 Conclusion
Dans un premier temps, nous avons prsent le modle lectrique simpli
des puces IGBT pour effectuer ltude analytique dune cellule de commutation
avec une puce IGBT. Ltude des commandes en tension et courant a permis de
montrer que ces deux solutions sont quivalentes. La commande en tension est bien
videmment beaucoup plus simple mettre en oeuvre que la commande en courant.
Dans le chapitre 4, nous prsentons plusieurs possibilits pour la commande en
tension. Nous porterons une attention la monte et la descente de la tension de
commande de grille qui a une inuence sur la charge et la dcharge de la grille.
Ensuite, pour complter ltude analytique, nous avons tudi les inuences
des inductances de cblage des modules IGBT laide de simulations. Nous avons
mis en vidence les interactions entre la partie commande et la partie puissance
des modules IGBT. Les valeurs des inductances et des couplages tudis prc-
demment sont imposs par le modules IGBT sauf pour les inductances notes L
4
et L
6
. Nous avons montr que leurs valeurs peuvent atteindre 300nH sans que cela
soit pnalisant pour les commutations.
Lestimation et lidentication de linductance dmetteur note L
7
a t rali-
se pour des modules IGBT issus du commerce. Dans le chapitre 4, nous verrons
que la connaissance de sa valeur nous permet de raliser une lecture du di/dt du
courant collecteur an de protger le module IGBT contre des dfauts de surin-
tensit et de court-circuit. Un outil de simulation et une mthode didentication
ont t confronts. La mthode exprimentale est plus simple mettre en oeuvre
et permet dobtenir des rsultats sans connatre la structure physique interne du
module.
Enn, le phnomne davalanche dynamique a t observ puis expliqu grce
des quations simples. An de mieux comprendre ce phnomne, des simula-
tions par lments nis ont permis de comprendre le comportement interne dune
puce IGBT de technologie Punch Through lors dune ouverture en rgime de sur-
intensit. Ce phnomne est intressant car il permettrait dauto-protger les puces
diodes et IGBT des modules lors de louverture en cas de rgime de dfaut. En
effet, la puce limite la surtension ses bornes en cas de rgime de surintensit.
139
Chapitre 4
Conception et ralisation dune
gamme de circuits de commande
dIGBT
Dans ce chapitre, nous prsentons les solutions dveloppes et mises en oeuvre
au cours de cette thse pour la gamme de drivers industriels de la socit ARCEL.
Une brve introduction expose les contraintes technologiques et conomiques pour
le dveloppement de la gamme de driver. Les solutions pour les diffrentes fonc-
tions sont ensuite dveloppes et analyses.
4.1 Contraintes de conception
Ces travaux de recherche sont inscrits dans le cadre du dveloppement et la
ralisation dune gamme de drivers de modules IGBT de forte puissance. Les so-
lutions proposes sont en accord avec les contraintes conomiques et industrielles
imposes par le contexte. Pour apprhender la suite, nous exposons le cahier des
charges des drivers dvelopps. La gamme comprend trois drivers pour le pilo-
tage de modules IGBT : drivers A, B et C. Le tableaux 4.1 donne les principales
caractristiques de ces drivers.
Les gures 4.1 et 4.2 donnent les schmas de principe des drivers A, B et
C. Nous faisons apparatre les sous-ensembles et les fonctions dveloppes par
la suite : la commande de grille, les protections, les transmissions dordres et de
retour dfaut puis la transmission de puissance. Pour chacune des fonctions, nous
dveloppons les solutions tudies puis celles retenues.
4.2 Commande de grille
Nous appelons commande de grille la fonction lectronique qui reoit un signal
logique (0V; +15V) provenant de la fonction "logique" (voir gures 4.1 et 4.2) et
141
Spcications A B C
Nombre de voie 2 2 1
Puissance disponible par
voie sur la grille
2W 4W 4W
Isolation galvanique 3kV 3kV 6kV
Courant de grille maxi-
mum
10A 20A 20A
Protection V
cesat
oui oui oui
Protection di/dt non non oui
Protection alimentation
secondaire
oui oui oui
Temps de propagation des
ordres du primaire au se-
condaire
1s 1s 1s
Commande directe oui oui oui
Commande demi-pont oui oui non car une seule voie
Mode multi niveaux non non oui
Retour dfaut oui oui oui
Acquittement de commu-
tation
non non oui
TAB. 4.1 Cahier des charges des drivers dvelopps
FIG. 4.1 Schma de principe des drivers A et B
142
FIG. 4.2 Schma de principe du driver C
qui permet en sortie de piloter directement la grille de lIGBT (tensions V
et
V
+
) : voir gure 4.3. Elle ne prend pas en compte les protections qui reprsentent
une fonction spare dans notre dmarche de conception.
FIG. 4.3 Fonction de commande de grille
La fonction "commande de grille" reoit un signal logique dordre, fournit un
signal analogique capable de piloter la grille de modules IGBT et de fournir le
courant ncessaire la commutation. Celui-ci peut atteindre 30 Ampres crte.
Les tensions de grille en rgime tabli sont respectivement V
+
et V
pour les va-

leurs maximale et minimale. Le standard industriel est V
+
15V et V
-15V. La
tension V
+
permet dobtenir des pertes en conduction les plus faibles possibles. La
tension V
a pour but de bloquer la grille de lIGBT le plus bas possible pour se

prmunir des parasites extrieurs qui peuvent faire augmenter la tension de grille
de lIGBT et le remettre en conduction alors que celui-ci est ouvert. Ensuite, la
rapidit des transitions pour passer de V
+
V
et inversement conditionne les

pertes en commutation. A la mise en conduction, la vitesse de croissance du cou-
rant dans lIGBT conditionne la valeur du courant de recouvrement de la diode de
roue libre. Si ce dernier augmente, les pertes la fermeture augmentent. A louver-
ture, la dcroissance du courant conditionne la surtension prsente sur le collecteur
de lIGBT et peut dtruire lIGBT si celle-ci est suprieure la valeur critique du
module. Voir gure 4.4 pour la fermeture et louverture dun IGBT.
143
(a) (b) (c)
FIG. 4.4 Mise en conduction et ouverture dune cellule de commutation
Trop lente Trop rapide
Fermeture perte trop importante cause du
temps de fermeture trop long
recouvrement de la diode aug-
mente si le di/dt augmente, les
pertes augmentent et risque de
sortir du SOA de la diode
Ouverture perte trop importante cause du
temps douverture trop long
surtension aux bornes de
lIGBT, risque de destruction en
avalanche de lIGBT
TAB. 4.2 Rsum des contraintes la fermeture et louverture pour la commande
de grille
4.2.1 Conception
Nous nous intressons la commande de grille en tension. Elle permet de pi-
loter la grille grce une ou plusieurs rsistances et une ou plusieurs sources de
tension.
FIG. 4.5 Schma de principe de commande de grille en tension
Sur la gure 4.5, on fait apparatre la rsistance de grille R
g
, limpdance den-
tre Z
in
et la source de tension commande V
g
. Celle-ci doit avoir une impdance
144
de sortie minimale pour des raisons de CEM que nous expliquons par la suite. Les
fronts de tension doivent tre les plus raides possibles pour ne pas entrer en consi-
dration dans la dynamique de commutation de lIGBT (voir section 3.2.4 page
93). Le temps de propagation entre V
ordre
et V
g
doit tre le plus faible possible.
Pour rpondre au mieux ces caractristiques, nous dveloppons une mthode
de conception de source de tension commande en tension : source que nous appe-
lons scv v, voir gure 4.6 [Ald99].
FIG. 4.6 Source relle commande scv v
On dnit la matrice Z, telle que :
_
V
e
V
s
_
= Z
_
I
e
I
s
_
_
V
e
V
s
_
=
_
Z
11
Z
12
Z
21
Z
22
_
_
I
e
I
s
_
Le paramtre Z
21
est appel coefcient de transfert ou gain.
FIG. 4.7 Paramtres en Z dune source commande
Pour obtenir une source commande oprationnelle, il faut que Z
21
. Ce
qui conduit avoir la matrice chane A nulle (matrice A dnie ci-dessous). On
veut que les grandeurs lectriques de la sortie (V
s
et I
s
) naient aucune inuence sur
celles de lentre (V
e
et I
e
).
_
V
e
I
e
_
=
_
a
11
a
12
a
21
a
22
_
_
V
s
I
s
_
145
_
V
e
I
e
_
= A
_
V
s
I
s
_
A =
_
_
Z
11
Z
21
Z
11
.Z
21
Z
12
.Z
21
Z
21
1
Z
21
Z
22
Z
21
_
_
On obtient un quadriple qui a le comportement suivant : V
e
et I
e
sont nuls, V
s
et I
s
dpendent du circuit extrieur. Ce nouveau quadriple sappelle un nulleur :
voir gure 4.8
FIG. 4.8 Quadriple nulleur
Nous dnissions deux nouveaux diples pathologiques : nullateur et norateur
(gure 4.9). Ils ne correspondent aucun composant rel : ils sont appels patho-
logiques pour cette raison.
FIG. 4.9 Nullateur et norateur
Pour le nullateur, le courant et la tension sont nuls. Pour le norateur, le courant
et la tension sont imposs par le circuit extrieur.
Le principe de rtroaction nous permet de raliser des sources commandes
performantes partir de quadriples grand gain. La gure 4.10 illustre ces pro-
pos : le gain modlise le nulleur et le gain la chane de retour qui permet de
xer le gain en boucle ferme.
La fonction de transfert sexprime de la faon suivante :
s
e
=

1+.
et
146
FIG. 4.10 Source commande base de rtroaction
lim
1+.
=
1
Comme le gain dun nulleur est thoriquement inni, on peut synthtiser les quatre
structures de base de sources oprationnelles : scv v, scv i, sci i et sci v.
Pour cela, on considre les grandeurs e et s comme tant soit des courants soit des
tensions. Sur la gure 4.11 on montre la dmarche qui considre le schma bloc de
la gure 4.10 pour arriver une source de tension commande en tension de gain
1/ : scv v.
Notre but est de crer une source scv v gain thoriquement inni. Or, on
voit que la structure scv v propose la gure 4.12 a un gain de valeur nie :
R
1
+R
2
R
1
La mise en cascade de sources commandes incompatibles permet de raliser
des gains trs levs avec un faible nombre dtages lmentaires : voir gure 4.13.
Il faut ensuite trouver un composant physique qui correspond au mieux au
comportement du nulleur. Si on considre un transistor bipolaire parfait ( ),
son courant de base est nul et sa tension Base-Emetteur galement. Sa tension
Collecteur-Emetteur dpend du circuit externe. La jonction Base-Emetteur peut
tre modlise par un nullateur et le diple Collecteur-Emetteur par un norateur :
voir gure 4.14.
La gure 4.15 donne les deux structures scv i et scv v base de transistors
bipolaires.
On reprend le schma de la gure 4.13 qui reprsente trois sources comman-
des scv i : scv i : scv v et lon applique la reprsentation en technologie
bipolaire on obtient les schmas de la gure 4.16.
Nous avons choisi une entre diffrentielle qui permet de xer une des deux
entres une tension de rfrence constante (7.5V par exemple) et de connecter
lautre entre au signal provenant de la logique de commande. Linformation est
ensuite transmise par deux structures scv i puis une structure scv v de gain
unitaire communment appele push-pull.
Une deuxime faon dobtenir une source commande grand gain consiste
utiliser des transistors MOSFET en commutation. On considre toujours la gure
4.5 page 144. La tension V
ordre
varie entre 0V et +15V (signal provenant de la
logique de commande). On utilise un MOSFET de type P et un de type N pour
effectuer la commutation de grille. La gure 4.17 montre une bauche pour la
commande de grille en technologie MOSFET.
147
FIG. 4.11 Dmarche de conception de la source scv v commande base de
nulleur
148
V
s
V
e
=
R
1
+R
2
R
1
I
s
V
e
=
1
R
I
s
I
e
=
R
1
+R
2
R
2
V
s
I
e
=R
FIG. 4.12 Sources commandes idales
FIG. 4.13 Mise en cascade de structures incompatibles
149
FIG. 4.14 Modlisation de transistors npn et pnp base de nullateur et norateur
scv i, gain 1/R
scv v, gain unitaire, R
2
= 0 et R
1
est supprime par le norateur
FIG. 4.15 Sources commandes lementaires base de transistors bipolaires
150
FIG. 4.16 Circuit de commande de grille en technologie bipolaire
FIG. 4.17 Premire tape
151
Les transistors B
1
et B
2
isolent la tension de commande V
ordre
du circuit de
commutation. La source de tension V
0
permet de dcaler la tension V
ordre
pour
commander le MOSFET M
2
. Lorsque V
ordre
= 15V, le MOSFET M
1
est bloqu
et M
2
passant et inversement lorsque V
ordre
= 0V. Le problme majeur de cette
structure rside dans le courant de croisement i
mos
lors des transitions. En effet,
chaque commutation, les deux transistors M
1
et M
2
sont passant en mme temps.
La seule impdance qui limite le courant i
mos
est la somme r
dson1
+r
dson2
qui a pour
valeur quelques Ohms. Le courant i
mos
atteint alors des valeurs trop importantes :
quelques Ampre 30 Ampre. Une des solutions consiste insrer une rsistance
en srie entre les deux MOSFET (gure 4.18).
FIG. 4.18 Deuxieme tape
Linsertion de R nest pas sans consquence. Lors de transitions, la rsistance
R et les capacits parasites C
1
et C
2
forment deux circuits RC. Sur la gure 4.19,
on reprsente les deux tensions V
a
et V
b
de la gure 4.18.
La rsistance R
g
ne peut pas tre pilote directement par les tensions V
a
ou
V
b
. Elle est commande par un deuxime tage MOSFET qui permet de fournir
le courant de grille. On retrouve le mme problme lors des transitions, le courant
commun aux deux MOSFET est prohibitif. On propose deux solutions. La premire
consiste piloter le MOSFET canal P par la tension V
a
et le canal N par V
b
. Ceci
permet de couper le P MOSFET avant de mettre en conduction le N MOSFET et
inversement (gure 4.20).
La deuxime solution consiste utiliser la tension V
b
pour commander la sortie
MOSFET et utiliser deux rsistances de grille pour limiter le courant dans M
3
et
M
4
lors des transitions. Le MOSFET M
3
est command la fermeture avec un front
trs raide ce qui permet dobtenir un front trs raide sur la tension S lors de la mise
152
FIG. 4.19 Tension V
a
et V
b
, inuence de R
FIG. 4.20 Premire solution, sortie MOSFET
153
en conduction de lIGBT (gure 4.21).
FIG. 4.21 Deuxime solution, sortie MOSFET
4.2.2 Simultations et exprimentations
Dans cette section, nous prsentons les simulations et les rsultats exprimen-
taux de la structure drive des schmas gures 4.20 et 4.21 en technologie MOS-
FET et la structure de la gure 4.25 en technologie bipolaire.
Dans les deux cas, nous remplaons la grille de lIGBT par un condensateur
qui nous permet deffectuer des simulations simples. Le fait de connecter un IGBT
naurait rien apport sur lanalyse du comportement de la structure de commande
de grille.
Les simulations sont effectues avec le logiciel SwitcherCAD III / LTSpice
1
de
Linear Technology. Ce logiciel est bas sur le noyau SPICE 3F4/5.
Technologie MOSFET
Nous considrons le schma de la gure 4.22. La tension V
ordre
provient dune
porte logique CMOS classique. Les rsistances de grille R
g1
et R
g2
valent 1.5 et
la capacit C
1
220nF.
Nous montrons que le courant commun aux MOSFET M
5
et M
6
dpend des
rsistances R
2
et R
3
. Plus celles-ci augmentent, plus ce courant commun diminue.
La gure 4.23(a) montre I
R4
et I
R5
pour les rsultats exprimentaux et la gure
4.23(b) pour les simulations.
Les gures 4.24 (a) et (b) montrent que la tension V
C1
et le courant i
C1
sont peu
inuencs par les variations de R
2
et R
3
dans la gamme 22 - 220.
1
marque dpose
154
FIG. 4.22 Commande de grille en technologie MOSFET
155
I
R4
I
R5
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
courant dans le MOS 5
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
3.0 us 3.1 us 3.2 us 3.3 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
10
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
1.0 us 1.1 us 1.2 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
Rsultats exprimentaux
(a)
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
25
20
15
10
5
0
5
0.0 s 1.0 us 2.0 us 3.0 us 4.0 us 5.0 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
1
0
1
2
3
4
5
6
7
8
3.00 us 3.05 us 3.10 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
10
8
6
4
2
0
2
1.00 us 1.02 us 1.04 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
Rsultats de simulations avec LTSpice
(b)
FIG. 4.23 Courant de croisement dans les MOSFET M5 et M6 - comparaison
entre rsultats exprimentaux et simulations - commande de grille en technologie
MOSFET - schma de la gure 4.22
156
Or, elles ont pour avantage de limiter le courant de croisement dans les MOS-
FET M
5
et M
6
sans modier les formes dondes de V
C1
et i
C1
. Le courant de croi-
sement doit tre limit car il constitue une perte de puissance pour le driver et donc
une augmentation de temprature pour lalimentation du driver et les MOSFET M
5
et M
6
. De plus, les rsistances R
2
et R
3
limitent les courants de croisement dans
M
1
, M
2
, M
3
et M
4
lors des commutations. Plus R
2
et R
3
sont de forte valeur, moins
il y a de pertes dans les quatre MOSFET M
1
-M
2
-M
3
-M
4
.
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
tension aux bornes de C1 : V
C1
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
tension aux bornes de C1 : V
C1
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
courant dans C1 : i
C1
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
courant dans C1 : i
C1
R
2
=R
3
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
Rsultats exprimentaux Rsultats de simulations avec LTSpice
(a) (b)
FIG. 4.24 Tension V
C1
et courant i
C1
, comparaison entre rsultats exprimentaux
et simulations - commande de grille en technologie MOSFET - schma de la gure
4.22
Technologie bipolaire
Nous considrons le schma de la gure 4.25. Le signal V
ordre
provient de la
sortie dun comparateur en collecteur ouvert. Les rsultats exprimentaux et de
simulation sont sur la gure 4.26.
On note que cette structure de commande de grille nest pas symtrique : les
courants i
C1
la fermeture et louverture ne sont pas identiques. Ceci vient de la
commande en collecteur ouvert lentre de la structure, la tension V
ordre
est trs
rapide pour commuter de +15V 0V et lente pour commuter de 0V +15V. La
rsistance R (schma gure 4.25) a un rle dterminant sur la rapidit de transmis-
sion de lordre louverture et sur la raideur des fronts de tension sur la rsistance
de grille louverture galement. Cette rsistance limite le courant de croisement
157
FIG. 4.25 Commande de grille, technologie bipolaire
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension du condensateur C
1
: V
C1
R
2
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
20
15
10
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension du condensateur C
1
: V
C1
R
2
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant du condensateur C
1
: i
C1
R
2
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
5
0
5
10
15
20
0 s 1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant du condensateur C
1
: i
C1
R
2
=22 ohm
47 ohm
100 ohm
220 ohm
Rsultats exprimentaux Rsultats de simulations avec LTSpice
(a) (b)
FIG. 4.26 Tension V
C1
et courant i
C1
, comparaison entre rsultats exprimentaux
et simulations - commande de grille en technologie bipolaire - schma de la gure
4.25
158
dans les MOSFET M
1
et M
2
. Elle permet de limiter les pertes dues ce phno-
mne. Un compromis doit tre fait entre rapidit et dissipation thermique sur M
1
,
M
2
et R.
Comparaison MOSFET - bipolaire
On voit trs nettement se dgager les avantages et les inconvnients des deux
structures proposes. La technologie MOSFET permet dobtenir des fronts de ten-
sion trs raides en amont de la rsistance de grille (fonctionnement en commuta-
tion) mais avec la prsence de courants de croisement qui augmentent les pertes
dans la structure de commande de grille. La technologie bipolaire permet dviter
les courants de croisement mais au dtriment dune chute de tension due aux deux
jonctions V
be
en montage Darlington et de fronts moins raides : fonctionnement
linaire en suiveur de tension.
4.2.3 Consquences des gradients de tension sur la commande de grille
Nous prenons le cas dun onduleur de tension sur charge inductive et consid-
rons un bras lors des commutations : gure 4.27. Nous supposons le courant de
charge I
0
constant lchelle de temps de la commutation. Il apparat quatre cas de
commutation pour lIGBT ottant :
(a) : mise en conduction du module IGBT sur fonctionnement de la puce
IGBT, gure 4.28(a).
(b) : mise en conduction du module IGBT sur fonctionnement de la puce
diode, gure 4.28(b).
(c) : ouverture du module IGBT sur fonctionnement de la puce IGBT, gure
4.28(c).
(d) : ouverture du module IGBT sur fonctionnement de la puce diode, gure
4.28(d).
FIG. 4.27 Bras donduleur sur charge inductive
159
(a)
(b)
(c)
(d)
FIG. 4.28 Quatre types de commutation sur charge inductive et temps mort
160
On voit se dgager deux types de commutation en tension : les cas (a) et (d)
sont en commutation rapide et les cas (b) et (c) en commutation lente. En effet,
pour les cas (a) et (d), le gradient en tension (dV
ce
/dt) est impos par les modules
IGBT du bras, synonyme de commutation rapide. Alors que dans les cas (b) et (c),
la variation du point milieu (et donc des tensions V
ce
) est impose par le courant de
charge I
0
et les capacits intrinsques C
ce
des modules IGBT et donnent naissance
des commutations plus lentes lors du temps mort.
Nous analysons ce qui se passe dans les cas (a) et (d) cause des forts gradients
de tension. Pour le cas (a), le module IGBT est command la fermeture pour faire
fonctionner sa puce diode (gure 4.28(a)). La gure 4.29 modlise ltat du circuit
lors de la commutation en tension [Fre03].
FIG. 4.29 Etat du circuit de commande et de puissance dans le cas (a) de la gure
4.28 lors de la commutation en tension
R
g1
: rsistance de grille + rsistance interne de la source de tension V
g
.
R
g2
: rsistance interne au module IGBT.
C
gc
: capacit intrinsque Grille-Collecteur.
C
1
: capacit parasite entre le point A et la masse de puissance.
i
pert
: courant gnr lors des commutations en tension.
V
geth
: tension de seuil du module IGBT.
V
g
: source de tension de commande de grille = +15V lors de la mise en
conduction.
A partir de la gure 4.29, on obtient les quations suivantes :
dV
ce
dt
=
V
geth
V
g
C
gc
.(R
g1
+R
g2
)
R
g1
C
gc
.(R
g1
+R
g2
)
.i
pert
i
pert
=C
1
.
dV
Am
dt
Ala mise en conduction du module IGBT, on a dV
ce
/dt <0. Le terme
V
geth
V
g
C
gc
.(R
g1
+R
g2
)
est ngatif : V
geth
= quelques Volt et V
g
=+15V. Le terme dV
Am
/dt est positif ce qui
implique que i
pert
est ngatif et que le terme
R
g1
C
gc
.(R
g1
+R
g2
)
.i
pert
est positif. Le cou-
rant i
pert
ralentit la mise en conduction de lIGBT.
161
4.3 Protection des modules IGBT
Pour le cas (d), le module IGBT est command louverture alors que sa puce
diode conduit (gure 4.28(d)). La gure 4.30 modlise ltat du circuit lors de la
commutation en tension.
FIG. 4.30 Etat du circuit de commande et de puissance dans le cas (d) de la gure
4.28 lors de la commutation en tension
Lorsque lIGBT du bas commute en tension, la tension V
g
=15V et la tension
V
ge
a dj atteint -15V si le temps mort est sufsant. Le courant i
pert
est positif, il se
rpartit entre R
g1
et R
g2
et a pour consquence de faire augmenter momentanment
V
ge
et peut faire repasser lIGBT en conduction. Ce phnomne explique pourquoi
on bloque les IGBT une tension ngative : on augmente la marge de scurit qui
vite la remise en conduction de lIGBT lors des commutations en tension.
La protection des modules est une fonction essentielle des drivers dIGBT. Elle
garantit la survie du composant et de ce fait celle du convertisseur de puissance
lors de dfauts survenant sur celui-ci. Comme expos la section 2.3 page 37, les
consquences peuvent tre importantes dun point de vue matriel, conomique et
humain.
Dans cette section, nous prsentons la solution retenue pour la scurit en
court-circuit et surintensit des modules simples 3300V-1200A [Lef05].
Nous prsentons une nouvelle mthode de protection de module IGBT en r-
gime de dfaut. Lobjectif de base est de dtecter le plus tt possible le rgime de
dfaut an de ne pas faire fonctionner lIGBT en rgime de court-circuit mais tou-
jours en rgime de surintensit : le nombre de passages en rgime de court-circuit
ayant un impact sur la dure de vie des puces IGBT [SE02] [SE04].
Nous montrons que notre solution est la runion de trois mthodes de dtection
de dfaut et de deux pour louverture en rgime de dfaut.
Tout dabord, il faut lister et apprhender tous les types de dfaut qui peuvent
survenir sur un bras donduleur ou un hacheur pour expliquer les diffrentes parties
162
de la protection. La liste suivante donne toutes les congurations de dfaut que lon
peut rencontrer :
1. Type I avec impdance de dfaut trs faible (< 1H)
2. Type I avec impdance de dfaut moyenne (de quelques H 100H)
3. Type I avec impdance de dfaut leve (> 100H)
4. Type II avec impdance de dfaut trs faible (< 1H)
5. Type II avec impdance de dfaut moyenne (de quelques H 100H)
6. Type II avec impdance de dfaut leve (> 100H)
7. Dfaut de la commande, temps de conduction trop long avec impdance de
charge normale
8. Conduction des deux IGBT en mme temps sur le mme bras (dfaut diam-
tral)
Type I : le dfaut est prsent avant que lIGBT soit command la fermeture,
appel dfaut HSF : Hard Switching Fault.
Type II : le dfaut intervient pendant que lIGBT est ferm, appel dfaut FUL :
Fault Under Load.
La gure 4.31 illustre les dfauts de type I et II. LIGBT est modlis par un
interrupteur. Dans le cas du dfaut de type I, cest partir du moment o lIGBT
est command la fermeture que le dfaut a une consquence sur le circuit. Dans
le cas du type II, lIGBT est ferm, le dfaut est modlis par un interrupteur qui
est ouvert et qui se ferme pour appliquer le rgime de dfaut lIGBT.
FIG. 4.31 Exemple de dfauts de type I et II
4.3.1 Description de la solution
Dtection des dfauts
Nous commenons par les dfauts les plus simples dtecter et traiter : les d-
fauts (3), (6) et (7). Le gradient du courant collecteur impos par le dfaut est faible,
la mesure de la tension V
cesat
permet de dtecter la surintensit (I
c
= f (V
ge
,V
ce
)).
A cause du dfaut (3), il faut utiliser un "blanking time" la mise en conduction,
163
temps pendant lequel la mesure de la tension V
ce
nest pas active. En effet, lors de la
mise en conduction, la tension V
ce
dcrot de la tension bus pour rejoindre la valeur
V
cesat
(= f (V
ge
, I
c
)). Cette dcroissance dure entre 3 et 4s pour des modules du
calibre 1200V-300A et 8 10s pour des calibres 3300V-1200A. La tension V
ce
est
mesure laide de diodes haute tension polarises par un gnrateur de courant
I
0
: voir gure 4.32 pour le schma. La capacit C et le gnrateur de courant I
0
permettent de calibrer le "blanking time" : voir gure 4.33. Le MOSFET M court-
circuite le condensateur C quand lIGBT est ouvert ce qui inhibe la lecture de la
tension V
ce
. La tension V
c
permet davoir limage de la tension V
ce
plus la chute
de tension aux bornes des diodes haute tension. Si la tension V
c
dpasse la ten-
sion V
re f
pralablement rgle par lutilisateur, le driver coupe lIGBT en coupure
douce (rsistance de grille louverture suprieure la valeur spcie lors des
commutations normales) pour limiter la surtension louverture [Lef04] [Lef05].
FIG. 4.32 Schma de principe de mesure de la tension V
cesat
Le dfaut (8) est quivalent au (1) : dans le cas (8), lIGBT du bas dun bras
donduleur (par exemple) est command la fermeture alors que lIGBT du haut
est dj ferm. Le courant dans le bras de londuleur est limit seulement par les
inductances de cblage des condensateurs du bus continu, des modules IGBT et du
bus barre. Linductance totale de la maille est trs faible : entre 30nH et 200nH.
Pour les dfauts (1), (4) et (8), limpdance de dfaut est trs faible : de 30nH
quelques H. Le courant dans lIGBT crot trs rapidement. Le dfaut doit tre
dtect en quelques s au dbut de la fermeture de lIGBT pour les dfauts (1) et
(8).
La mthode de mesure du V
ce
expose prcdemment nest pas adapte cause
du "blanking time". En effet, lors du "blanking time", le courant peut atteindre
des valeurs prohibitives avec une impdance de 1H par exemple pendant 10s
sous 1500V de tension de bus : I
c
= T.V
bus
/L = 10.10
6
.1500/10
6
= 15kA.
La solution propose consiste lire la valeur du dI
c
/dt impos par limpdance de
dfaut au dbut de la mise en conduction pour les dfauts (1) et (8). Si la valeur du
dI
c
/dt est suprieure une valeur prdtermine par lutilisateur, le driver coupe
lIGBT avec la rsistance de grille des commutations normales.
164
(a) (b)
FIG. 4.33 Fermeture sans et avec dfaut - "blanking time" - courbes thoriques
La valeur du dI
c
/dt est mesure par le biais de la tension entre lmetteur de
puissance et lmetteur de commande : tension Vee, voir section 3.3 page 98. La
gure 4.34 donne le schma et les formes dondes associes.
Cette mthode permet de raliser une anticipation sur la valeur du courant col-
lecteur. Si juste aprs la n de la fermeture du module IGBT le gradient du courant
collecteur est trop lev, le courant risque datteindre des valeurs trop importantes
par la suite si lIGBT nest pas ouvert. LIGBT est alors command louverture
avec la mme rsistance de grille quen commutation normale.
On note que la lecture de la tension V
ee
doit tre effective le plus vite possible
mais pas avant que le diode nait ni de recouvrer. Ce temps est compris entre 2s
et 4s et dpend du courant commut. Il doit tre ajust en fonction du module
IGBT et de la diode de roue libre associe. Les gures 4.35 (a), (b) et (c) montrent
des fermetures du module IGBT CM1200HB-66H (Mitsubishi 3300V-1200A) en
montage hacheur avec une inductance de dfaut de 13H. Le courant commut
varie de 450A 4300A. On voit bien la proportionnalit entre la tension V
ee
et le
signal dI
c
/dt : voir identication de linductance du module IGBT dans la section
3.4 page 116. Plus le courant commut est lev, plus le temps de commutation du
module IGBT et de la diode de roue libre est important.
Pour le dfaut (2), limpdance de dfaut est comprise entre quelques H et
100H. La mthode de V
cesat
nest pas trs bien adapte pour les valeurs dimp-
dances de quelques H car pendant le "blanking time", le courant peut atteindre
plusieurs kA. Le dfaut doit tre dtect plus tt. La mthode du dI
c
/dt nest pas
adapte car la tension V
ee
est trop faible pour des valeurs dimpdance de dfaut
suprieures quelques H.
Lors de la fermeture de lIGBT, on note que la dcroissance de la tension V
ce
dpend de limpdance de dfaut. Plus limpdance est faible, plus la tension V
ce
165
FIG. 4.34 Mesure du dI
c
/dt et dtection du dfaut - schma de principe et courbes
associes
166
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us
I
c

[
A
]
Time [s]
450A
900A
1300A
1700A
1900A
3600A
4300A
25
20
15
10
5
0
5
10
15
20
25
V
e
e

[
V
]
Time [s]
450A
900A
1300A
1700A
1900A
3600A
4300A
(a) (b)
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
d
I
c
/
d
t

[
k
A
/
u
s
]
Time [s]
450A
900A
1300A
1700A
1900A
3600A
4300A
(c) (d)
FIG. 4.35 Commutation la fermeture et inuence du courant commut sur le
temps de commutation de lIGBT et de la diode de roue libre - courbes exprimen-
tales - module IGBT CM1200HB-66H
167
dcrot lentement. Le principe de base consiste lire linformation de vitesse de
dcroissance de la tension V
ce
la mise en conduction. Sur la gure 4.36, on montre
la mise en conduction du module CM1200HB-66H avec le mme courant coup
mais avec une impdance de dfaut de 13H et 110H. On note que la dcroissance
de la tension V
ce
dpend de limpdance de dfaut.
0
10
20
30
40
50
60
70
80
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us
V
c
e

[
V
]
Temps [s]
13uH
110uH
0
500
1000
1500
2000
1 us 2 us 3 us 4 us 5 us 6 us 7 us 8 us 9 us 10 us
I
c

[
A
]
Temps [s]
13uH
110uH
(a) (b)
FIG. 4.36 Mise en conduction avec deux inductances de charge diffrentes -
courbes exprimentales - module IGBT CM1200HB-66H
Nous utilisons ce phnomne pour dtecter que lIGBT commute une induc-
tance de trop faible valeur. Pour cela, on mesure la tension collecteur laide de
diodes haute tension et dun gnrateur de courant (comme dans le cas de la m-
thode V
cesat
gure 4.32) qui peut accepter une tension V
c
de 40V minimum : gure
4.37.
FIG. 4.37 Schma de principe de mesure de la tension V
cedyn
On compare la tension V
c
une tension de rfrence V
re f
, si V
c
>V
re f
on coupe
lIGBT en coupure normale. La gure 4.38 illustre ce mode de dtction de dfaut.
Le tableau 4.3 rsume les mthodes de dtection de dfaut en fonction du type
de dfaut et laction associe louverture du dfaut.
168
(a) (b)
FIG. 4.38 Fermeture sans et avec dfaut - mthode du V
cedyn
- courbes thoriques
Dfaut Dtection Ouverture
1-4-8 di/dt R
go f f
ouverture normale, clamping diodes TRANSIL
3-6-7 V
cesat
coupure douce
2 V
cedyn
R
go f f
ouverture normale, clamping diodes TRANSIL
5 V
cesat
coupure douce
TAB. 4.3 Rsum des dfauts et actions associes
169
Ouverture en cas de dfaut
En cas de dfaut, le courant dans lIGBT louverture est suprieur au courant
nominal. Lnergie magntique emmagasine dans les inductances de cblage est
plus forte que lors des commutations normales. Cette nergie provoque une surten-
sion aux bornes de lIGBT louverture de celui-ci. La surtension peut dpasser la
valeur maximale admise par le composant et le dtruire.
La solution la plus connue et la plus utilise est le clamping diode TRANSIL :
voir section 2.3.4 page 44. Elle permet de limiter la tension collecteur par le biais
dune rtroaction sur la grille. Cette protection est connecte en permanence mais
est seulement active lors de louverture en rgime de dfaut.
La deuxime solution consiste ouvrir lIGBT plus lentement quen commu-
tation normale, la drive du courant collecteur est limite et la surtension aux
bornes de lIGBT est rduite par consquence [Lef04]. Nous choisissons dutiliser
une troisime rsistance de grille de valeur plus leve pour raliser la fonction.
Nous montrons quil est possible de limiter la surtension lors de louverture en cas
de dfaut comme le montre la gure 4.39.
300
350
400
450
500
550
600
650
700
2 kA 4 kA 6 kA 8 kA 10 kA
V
c
e

[
V
]
Courant coup
FIG. 4.39 Surtension mesure en fonction du courant coup avec la coupure
douce sur un montage hacheur - module IGBT CM1200HB-66H
La surtension V
ce
est la tension prsente aux bornes de lIGBT en plus de
la tension de blocage : V
ce
= V
cemax
V
bus
. Le schma est prsent gure 4.40.
Linductance L
cc
vaut 700nH, le courant coup varie de 3.5kA 10kA, R
go f f so f t
=
10. Grce la coupure douce, il est possible de couper 10kA sans dpasser 1kV
de surtension.
Solution complte
La solution nale a pour but de dtecter le plus rapidement possible tous les
types de dfaut et dagir en consquence en fonction du type de dtection. Le ta-
bleau 4.3 rsume les actions effectuer en fonction du type de dtection qui est
active :
di/dt : coupure normale
170
FIG. 4.40 Circuit de test de la coupure douce
V
cedyn
: coupure normale
V
cesat
: coupure douce
La gure 4.41 donne le schma de principe de cette solution. Les interrupteurs
com1, com2 et com3 sont commands en fonction des ordres reus du "rcepteur
bre optique" et des dfauts par la fonction "logique de commande". Les rsis-
tances R
1
et R
2
permettent dajuster la tension de clamping.
FIG. 4.41 Synoptique du driver avec scurit en surintensit
171
Clamping capacitif
Dans le cadre de ltude systmatique des protections de lIGBT une solution
alternative au clamping diode TRANSIL a t imagine et mise en oeuvre pour
les modules de faible courant : 100A - 1200V par exemple [Lef03a] [Lef03b]. Elle
permet de saffranchir des tolrances des diodes TRANSIL et de leur rsistance
dynamique.
Le principe de base consiste remplacer les diodes TRANSIL par un conden-
sateur charg la tension de bus du convertisseur : voir gure 4.42 pour le schma
de "clamping capacitif".
La tensionV
re f
permet dajuster la valeur maximale de la tension collecteur lors
douverture en cas de dfaut. Or, la tension V
re f
doit tre suprieure la tension de
blocage de lIGBT. Ceci implique que la source de tension V
re f
soit suprieure la
tension V
bus
et pose un problme pour la ralisation technologique de cette solution.
Pour contourner ce problme, on xe V
re f
V
bus
et on rgle la tension maximale
aux bornes de lIGBT avec la valeur de la rsistance R
5
. La gure 4.43 montre
les commutations louverture du module Mitsubishi CM100DU-24H (100A -
1200V) sur un montage hacheur charge inductive. La rsistance R
1
charge le
condensateur C la tension bus. Les diodes d
1
et d
2
bloquent le systme de clam-
ping quand lIGBT est ferm. La rsistance R
5
permet dajuster la valeur maximale
de la tension collecteur.
FIG. 4.42 Principe de base du clamping "capacitif"
Sur la gure 4.43, on note que la valeur maximale de la tension V
ce
dpend
de la valeur de R
5
. Le courant de grille louverture lors du clamping augmente
pour limiter la vitesse de dcharge de la tension de grille et diminuer la vitesse
de commutation du courant collecteur et par consquent la valeur maximale de la
172
0
100
200
300
400
500
600
700
800
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
pour diffrentes valeurs de R
5
200A
R
5
=50
100
250
330
500
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant i
g
5
200A
R
5
=50
100
250
330
500
0
50
100
150
200
250
300
9.6 us 9.8 us 10.0 us 10.2 us 10.4 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant i
c
5
200A
R
5
=50
100
250
330
500
FIG. 4.43 Inuence de R
5
sur la tension maximale - courbes exprimentales -
module IGBT CM100DU-24H
173
tension V
ce
.
Cette solution est une alternative au clamping diodes TRANSIL et ncessite
galement un rglage pour chaque application. De plus, le domaine dapplication
de cette solution est limit aux petits modules IGBT prsentant une faible valeur
de capacit de grille. En effet, lors du fonctionnement du systme de clamping, le
courant inject dans la grille de lIGBT provient de la capacit C :
i
d2
=C.
V
c
t
C
ge
.
V
ge
t
Pour que le systme fonctionne convenablement, il faut que la tensionV
c
naug-
mente pas de manire excessive. Pour cela, on pose lingalit suivante :
V
c
< V
ge
Ce qui implique :
C >C
ge
Pour des modules IGBT 1200V-100A, la capacit C
ge
a une valeur de quelques
nano-Farad. La valeur de la capacit C doit donc tre suprieure ou gale 10nF
par exemple. Cette capacit doit supporter la tension bus plus la surtension prsente
sur le collecteur : soit 1kV environ pour un module IGBT 1200V utilis avec un
bus 600V. Elle doit galement pouvoir fournir un courant de quelques Ampre
lors du fonctionnement du circuit de clamping. Le problme survient pour utiliser
cette solution sur des modules de plus fort calibre en courant. Par exemple, le
module Eupec FF800R12KL4C (1200V-800A) a une capacit C
ge
de 40nF environ.
Il faudrait utiliser une valeur de 100nF pour le condensateur C pour ce module. La
taille de ce condensateur devient prohibitive (son prix galement) devant la taille
du driver qui pilote ce module.
4.3.2 Rsultats exprimentaux
Nous exposons les rsultats exprimentaux du schma de la gure 4.44 associ
la logique de gestion des dfauts du tableau 4.4. Le montage utilis est un mon-
tage hacheur abaisseur : voir gure 4.45. Le module IGBT est le FZ1200R33KF2
(1200A-3300V) et la diode DD800S33K2 (800A-3300V) qui sont des composants
du constructeur Eupec.
Dfaut Action Limitation surtension
V
cesat
R
go f f sof t
coupure douce + TRANSIL
V
cedyn
R
go f f
TRANSIL
di/dt R
go f f
TRANSIL
TAB. 4.4 Logique de fonctionnement en dfaut
174
FIG. 4.44 Synoptique du driver avec scurit en surintensit
175
FIG. 4.45 Montage hacheur et scurit en surintensit
176
Dtection V
cesat
La mthode de dtection en V
cesat
est explique section 4.3.1 page 163. Les
rsultats suivants permettent de montrer lefcacit conjointe de la dtection en
V
cesat
et de la coupure douce : gure 4.46
20
15
10
5
0
5
10
15
20
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
V
g
e

[
V
]
Tensions V
ge
et V
ce
0.0
200.0
400.0
600.0
800.0
1.0 k
1.2 k
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
V
c
e

[
V
]
Temps [s]
0
5
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
V
c
e
m
e
s
u
r
e

[
V
]
Tension V
cemesure
et courant I
c
0
1 k
2 k
50 us 0 s 50 us 100 us 150 us 200 us 250 us
I
c

[
A
]
Temps [s]
FIG. 4.46 Dtection en V
cesat
et coupure douce - courbes exprimentales - module
IGBT FZ1200R33KF2
20
15
10
5
0
5
10
15
20
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
V
g
e

[
V
]
Tensions V
ge
et V
ce
avec
sans
0.0
500.0
1.0 k
1.5 k
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
V
c
e

[
V
]
Temps [s]
avec
sans
0
5
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
V
c
e
m
e
s
u
r
e

[
V
]
Tension V
cemesure
et courant I
c
avec
sans
0
1 k
2 k
230 us 240 us 250 us 260 us 270 us
I
c

[
A
]
Temps [s]
avec
sans
cesat
, comparaison avec et sans coupure douce - courbes
exprimentales - module IGBT FZ1200R33KF2
Pour les rsultats obtenus gures 4.46 et 4.47, nous avons pris la conguration
suivante :
V
bus
= 600V
R
gon
= 1.5
R
go f f
= 1.5
R
go f f so f t
= 10
L
cc
= 70H
Sur la gure 4.46, on montre trois conductions de lIGBT de 150s, 175s et
177
230s respectivement. Le courant collecteur atteint respectivement 1.3kA, 1.6kAet
2kA. Sur la troisime courbe, le driver dtecte une surintensit par la comparaison
de la tension V
cemesure
avec une rfrence de 7.3V. Le driver coupe lIGBT avec
une coupure douce (ouverture avec une rsistance de grille de 10). Le dtail de
louverture est donn gure 4.47. On montre bien linuence de la coupure douce
sur la tension de grille (plateau Miller plus long avec coupure douce) et la tension
V
ce
(tension V
ce
maximale plus faible avec coupure douce).
La runion de la dtection en V
cesat
et de la coupure douce est bien adapte
pour la gestion des dfauts avec des inductances de dfaut suprieures quelques
dizaines de -Henry. En effet, la coupure a pour consquence de limiter la vitesse
de dcroissance du courant collecteur, mais dallonger le dlai entre le dbut et la
n de louverture de lIGBT, ce qui peut devenir critique lors de dfauts avec des
impdances trs faibles (infrieures quelques -Henry).
Dtection en V
cedyn
La mthode en V
cedyn
est explique la section 4.3.1 page 163. Les rsultats
suivants montrent le dtection de dfaut avec cette mthode : gure 4.48.
20
15
10
5
0
5
10
15
20
2 us 0 s 2 us 4 us 6 us 8 us 10 us 12 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ge
avec
sans
0
2
4
6
8
10
12
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
mesure
avec
sans
100
0
100
200
300
400
500
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
avec
sans
2
1
0
1
2
3
4
5
6
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ce
mesure, attnue et filtre
avec
sans
cedyn
et coupure normale - courbes exprimentales -
module IGBT FZ1200R33KF2
Pour les rsultats obtenus gure 4.48, nous avons pris la conguration sui-
vante :
V
bus
= 600V (dfaut dtect) et 500V (dfaut non dtect)
178
R
gon
= 1.5
R
go f f
= 1.5
L
cc
= 13H
La tension "V
ce
mesure" correspond la tension V
ce
mesure par le systme
gnrateur de courant et diode de la gure 4.37 page 168. La tension "V
ce
mesure,
attnue et ltre" correspond la tension dcrite prcdente ltre par un pont
diviseur rsistif.
Nous montrons deux conductions avec et sans dtection en V
cedyn
. Le systme
de mesure (tension "V
cemesure
") commence lire la tension 3s aprs le dbut de la
commutation, ce qui permet de couper lIGBT trs tt si un dfaut est prsent.
Dtection en di/dt
La mthode en di/dt est explique la section 4.3.1 page 163. Les rsultats
suivants montrent le dtection de dfaut avec cette mthode : gure 4.49.
20
15
10
5
0
5
10
15
20
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ge
avec
sans
20
15
10
5
0
5
10
15
20
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ee
avec
sans
500.0
0.0
500.0
1.0 k
1.5 k
2.0 k
2.5 k
3.0 k
3.5 k
4.0 k
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant I
c
avec
sans
2
0
2
4
6
8
10
12
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
ee
filtre et inverse
avec
sans
FIG. 4.49 Protection en di/dt, avec et sans dtection - courbes exprimentales -
module IGBT FZ1200R33KF2
Pour les rsultats obtenus gure 4.49, nous avons pris la conguration sui-
vante :
V
bus
= 600V (avec dtection) et 90V (sans dtection)
R
gon
= R
go f f
= 1.5
L
cc
= 600nH
179
Un systme de fentre permet de bloquer la mesure de la tension V
ee
les quatre
premires -secondes de la conduction. Elle permet de masquer le recouvrement
de la diode de roue libre d.
La tension V
ee
est la tension entre lmetteur de puissance et lmetteur de
commande de grille. Cette tension est inverse, ltre et amplie puis applique
un systme de fentre pour donner la tension "V
ee
ltre et inverse".
Lors de la dtection, le dfaut est dtect 4.7s aprs le dbut de la conduction.
Le courant collecteur atteint est de 4kA. Avec la dtection en V
cesat
dans les mmes
conditions, le "blanking time" de 10s donnerait un courant maximal de 10kA
environ.
Le fonction "mission dordre" permet de transmettre les ordres de commande
de grille du primaire au secondaire et le "retour dfaut" du secondaire au primaire.
Les contraintes pour raliser ces fonctions sont les suivantes :
temps de propagation : temps pour faire passer linformation du primaire au
secondaire (et inversement). Il doit tre infrieur 1s.
isolation : la fonction doit isoler galvaniquement la partie rception de lmis-
sion des points de vue statique et dynamique. La tenue statique doit atteindre
plusieurs kilo-Volts (dpend de lapplication nale vise) : tests en dcharges
partielles. Pour la contrainte dynamique, les capacits de couplage entre pri-
maire et secondaire doivent tre minimises an de limiter la circulation des
courants de mode commun lors de gradients de tension entre primaire et
secondaire.
compatibilit lectromagntique : la fonction doit tre insensible aux pertur-
bations rencontres lors du fonctionnement.
cot : le cot de la fonction doit tre le plus faible possible tout en respectant
les critres techniques prcdents.
4.4.1 Transmission du primaire vers secondaire : "mission dordre"
Nous avons choisi un systme optique : LED mettrice, bre optique, rcep-
teur optique intgr. Cette solution est commente section 2.5.4 page 70. Nous
commentons ici principalement son inconvnient majeur : la sensibilit du rcep-
teur optique intgr. Il est bas sur le schma de la gure 4.50.
Le courant de diode i
d
est ampli et transform en une tension V
id
. Le cou-
rant photolectrique i
d
est de quelques nA au repos et de quelques A quand le
rcepteur est excit par une bre optique.
Lors de fortes variations de potentiels dans les convertisseurs de puissance, des
champs lectromagntiques impulsionnels intenses sont rayonns. Prenons le cas
concret dun bras donduleur (gure 4.51) o lIGBT T
1
souvre et T
2
se ferme. La
tension V
ce2
chute trs rapidement de V
bus
0V. Ce gradient de tension provoque
180
FIG. 4.50 Schma de principe du rcepteur optique intgr
un rayonnement lectromagntique front raide.
FIG. 4.51 Source du rayonnement lectromagntique lors des variations de ten-
sion sur un bras donduleur
Ce champ lectromagntique se couple au circuit de rception optique (gure
4.50) au niveau du secondaire du driver de lIGBT T
1
. La sortie du rcepteur op-
tique change dtat et a pour effet de ramorcer de faon transitoire lIGBT T
1
. Les
deux IGBT T
1
et T
2
sont en conduction en mme temps et a pour effet de crer un
rgime de dfaut dans le bras donduleur.
Le champ lectromagntique mis se couple sur les connexions qui relient la
photodiode lamplicateur de transimpdance (gure 4.52). Ce couplage est com-
munment appel couplage "champ l" o les connexions jouent le rle dan-
tenne. Le courant gnr dans ces connexions circule grce leffet capacitif de la
photodiode et est ampli par lamplicateur de transimpdance.
Pour rduire ce phnomne, il faut protger le rcepteur contre les rayonne-
ments extrieurs. La seule solution est le blindage du rcepteur par un feuillard
mtallique. Nous avons ralis cette fonction laide dun ruban de cuivre (entre
100m et 200m dpaisseur) qui est reli la masse du circuit : voir gure 4.53.
Cette solution nous permet dobtenir un fonctionnement normal sur un onduleur
181
FIG. 4.52 Schma de principe du rcepteur optique - perturbation rayonne -
couplage "champ l"
182
triphas. De plus, il permet de ne pas tre perturb lors dessais en commutations
rapides atteignant plus de 150kV/s (gure 4.54). Les tests ont t raliss sur un
montage comme celui de la gure 4.51 en remplacant les IGBT par des MOSFET.
FIG. 4.53 Blindage du rcepteur optique
183
-200
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
800
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns
V
d
s

[
V
]
-200
-150
-100
-50
0
50
100
-10 ns 0 s 10 ns 20 ns
d
V
d
s
/
d
t

[
k
V
/
u
s
]
Temps [s]
FIG. 4.54 Tension V
ds
du MOSFET pilot par le driver - test dimmunit en dv/dt
184
4.4.2 Transmission du secondaire vers primaire : "retour dfaut"
Comme nous venons de le voir, la solution optique est trs performante mais
reste nanmoins trs coteuse. La fonction "retour dfaut" permet dinformer le
primaire du driver quun dfaut est survenu au secondaire (dfaut de surintensit
...). On pourrait utiliser la solution optique mais celle-ci est trs coteuse et peut
tre remplace par une solution base de transformateur coreless dans ce cas pr-
cis. Nous allons voir que cette solution caractre impulsionnel consomme un
courant crte trs important.
Schma du circuit de transmission
FIG. 4.55 Retour dfaut par transformateur coreless
La tension V
de f aut
vient de la logique de commande. Lors dun dfaut, une
brve impulsion 0V est gnre. Le circuit dexcitation gnre une impulsion de
tension aux bornes dun enroulement de transformateur coreless. Linformation est
rcupre ct primaire du driver par un systme de redresseur (diode d) et deffet
mmoire (R
3
C
4
) : voir gure 4.55.
Contraintes technologiques
Nous avons comme contrainte technologique la largeur des pistes sur le circuit
imprim et le nombre de tours des enroulements. Nous avons ralis un transfor-
mateur coreless avec une largeur de piste de 0.2mm (espaces de 0.2mm) avec
quatre spires au primaire et au secondaire. Ce nombre de tour dpend de la largeur
disponible entre les empreintes dune rsistance CMS de 0 en botier 1206 (2mm
x 3mm) : voir gure 4.56 pour un enroulement du transformateur coreless.
185
FIG. 4.56 Enroulement du transformateur coreless
Modlisation et caractrisation physique du transformateur coreless
Nous modlisons le transformateur par deux inductances propres et une mu-
tuelle inductance : L
1
, L
2
, M. Laspect rsistif des pistes est pris en compte avec les
deux rsistances R
1
et R
2
. La gure 4.57 donne le schma lectrique quivalent du
transformateur coreless.
FIG. 4.57 Modle lectrique du transformateur coreless
Les quations associes sout les suivantes :
v
1
= R
1
.i
1
+L
1
.
di
1
dt
+M.
di
2
dt
v
2
= R
2
.i
2
+L
2
.
di
2
dt
+M.
di
1
dt
La description physique du transformateur coreless et la rsolution avec le lo-
giciel InCa nous permet de calculer de faon prcise les paramtres L
1
, L
2
et M.
La gure 4.58 reprsente la description du transformateur coreless avec le logiciel
InCa.
La rsolution par le logiciel InCa en 2D donne les rsultats suivants :
M =
_
L
1
M
M L
2
_
=
_
73nH 21nH
21nH 100nH
_
=
M
L
1
.L
2
0.24
R
L1
= 135m
186
FIG. 4.58 Transformateur coreless modlis avec le logiciel InCa
R
L2
= 172m
Simulations et rsultats exprimentaux
Les simulations du circuit gure 4.55 nous permettent de voir si le transfor-
mateur coreless propose gure 4.56 est capable de rpondre aux exigences de la
fonction.
Sur le schma de la gure 4.59, on tudie linuence de la valeur de certains
paramtres : les condensateurs C
2
et C
3
. Les valeurs de ces composants jouent un
rle important dans les formes dondes associes V
1
et V
2
: 4.60.
FIG. 4.59 Schma de la fonction retour dfaut par transformateur coreless
La tension V
1
est trs peu inuence par les valeurs de C
2
et C
3
. La tension V
2
187
Inuence de C
2
5
0
5
10
15
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
pour diffrentes valeurs de C
2
C
2
=100pF
1nF
4.7nF
10nF
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
2
C
2
=100pF
1nF
4.7nF
10nF
Inuence de C
3
5
0
5
10
15
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
3
C
2
=100pF
1nF
10nF
22nF
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Tension V
2
3
C
2
=100pF
1nF
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
10nF
22nF
FIG. 4.60 Simulation, inuence de C
2
et C
3
188
dpend trs peu de la valeur de C
2
mais beaucoup de celle de C
3
. En effet, lorsque
C
3
= 100pF, la tension V
2
atteint 4.5V et oscille une frquence de plusieurs
dizaines de MHz. Pour 1nF et 10nF, la valeur maximale est 5.2V et pour 22nF de
4.5V. Loptimum se situe entre 1nF et 10nF pour la valeur de C
3
. Les contraintes
en courant sur le MOSFET M sont assez importantes, il faut choisir un MOSFET
capable de supporter cette surcharge en courant. La gure 4.61 donne le courant
i
mos
dans la source du MOSFET M pour diffrentes valeurs de C
2
et C
3
. Pour un
circuit de commande de MOSFET donn (V
ordre
, R
1
, C
1
, R
2
), la forme de i
mos
dpend trs peu de C
2
et C
3
.
20
15
10
5
0
5
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant i
mos
2
C
2
=100pF
1nF
4.7nF
10nF
20
15
10
5
0
5
0.0 s 500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us 3.0 us
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
Temps [s]
Courant i
mos
3
C
3
=100pF
1nF
10nF
22nF
FIG. 4.61 Simulation, inuence de C
2
et C
3
sur le courant i
mos
Nous vrions que le modle choisi est bien conforme la ralit. Les rsultats
exprimentaux sont prsents gure 4.62 pour linuence de C
2
et C
3
.
Nous considrons galement linuence de la rsistance R
1
sur le circuit : voir
gure 4.63. On note limportance de sa valeur qui doit tre comprise entre quelques
dizaines dohm et quelques centaines dohm pour C
1
= 100nF et R
2
= 10k.
Sur la gure 4.64, nous comparons les rsultats exprimentaux ceux de si-
mulation pour la conguration suivante : R
1
= 220 - C
1
= 100nF - R
2
= 10k -
C
2
= 1nF - C
3
= 10nF. Les simulations sont ralises avec le logiciel LTSpice.
En ajustant les valeur de M et des rsistances des bobinages, on obtient les
courbes de la gure 4.65 :
M =
_
L
1
M
M L
2
_
=
_
100nH 32nH
32nH 100nH
_
R
L1
= R
L2
= 400m
Tenue en tension et capacit parasite
La tenue en tension statique entre le primaire et le secondaire dpend principa-
lement de la nature du matriau du circuit imprim et de son paisseur. La rigidit
dilectrique du matriau Epoxy FR4 utilis est de plusieurs k-Volt/mm. Lpaisseur
du circuit est de 1.6mm, ce qui garantit une tenue en tension largement sufsante
pour les applications vises : tenue en tension de 300V quelques kilo-Volts.
189
Inuence de C
2
5
0
5
10
15
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
2
C
2
=1nF
4.7nF
10nF
2
1
0
1
2
3
4
5
6
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
2
C
2
=1nF
4.7nF
10nF
Inuence de C
3
5
0
5
10
15
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
3
C
2
=100pF
1nF
10nF
22nF
2
1
0
1
2
3
4
5
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
3
C
2
=100pF
1nF
10nF
22nF
FIG. 4.62 Rsultats exprimentaux, inuence de C
2
et C
3
5
0
5
10
15
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
1
R
1
=1k
220
47
2
1
0
1
2
3
4
5
0.0 s 250.0 ns 500.0 ns 750.0 ns 1.0 us 1.3 us 1.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
1
R
1
=1k
220
47
FIG. 4.63 Rsultats exprimentaux, inuence de R
1
190
0
5
10
15
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
: comparaison rsultats exprimentaux et simulation
exprimental
simulation
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
exprimental
simulation
FIG. 4.64 Comparaison entre rsultats exprimentaux et simulations, tensions V
1
et V
2
- logiciel LTSpice
0
5
10
15
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
1
exprimental
simulation
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
500.0 ns 1.0 us 1.5 us 2.0 us 2.5 us
T
e
n
s
i
o
n

[
V
]
Temps [s]
Tension V
2
exprimental
simulation
FIG. 4.65 Comparaison entre rsultats exprimentaux et simulations, tensions V
1
et V
2
, nouveaux paramtres du transformateur coreless - logiciel LTSpice
191
La capacit parasite peut tre estime si lon caractrise le diple suivant
laide dun analyseur dimpdance :
FIG. 4.66 Caractrisation des capacits parasites du transformateur coreless
La mesure de la capacit parasite avec lanalyseur dimpdance HP 4191A
donne une valeur de 1.4pF 50MHz. Cette valeur est trs faible et est la limite des
valeurs mesurables avec cet appareil. En effet, si lon mesure la capacit parasite
de la sonde de mesure de lanalyseur dimpdance, celui-ci afche une valeur de
1.2pF. On peut donc majorer la valeur de la capacit parasite du transformateur
coreless quelques pF. Cette valeur est trs satisfaisante car elle est du mme ordre
de grandeur que celle de lalimentation isole propose par la suite (gure 4.74
page 197).
La fonction "transmission de puissance" permet de fournir de lnergie lec-
trique au(x) secondaire(s) des drivers. Elle assure une isolation statique et dyna-
mique entre le primaire et les secondaires et les secondaires entre eux.
Si lon se rfre au tableau 4.1 page 142, les contraintes les plus importantes
sont les suivantes :
consommation par voie : 4W (8W au total pour les deux secondaires)
isolation statique : 6kV
courant impulsionnel fournir la grille : 20A
Nous prenons en compte les critres noncs ci-dessus pour exposer la solution
retenue. La dernire contrainte provient de la solution retenue pour la commande
de grille : lalimentation doit tre symtrique. La gure 4.67 donne le synoptique
de lalimentation concevoir.
4.5.1 Analyse et conception
Les solutions proposes aux gures 2.5.1 page 59 et gure 2.5.1 page 59 n-
cessitent un enroulement primaire et un secondaire pour une alimentation asym-
trique (0V;+15V) ou (0V;-15V). Pour concevoir lalimentation du synoptique -
192
FIG. 4.67 Synoptique de lalimentation
gure 4.67, il faudrait un enroulement primaire commun et quatre enroulements
secondaires (deux pour chaque secondaire). La solution compte cinq enroulements
bobiner sur un corps de ferrite torique. Or, pour la gamme de puissance trans-
mettre, la taille des tores permet difcilement de bobiner cinq enroulements sur le
mme tore.
Pour contourner ce problme, nous proposons une solution qui utilise quatre
enroulements au total. Nous partons de la structure de base du montage hacheur
abaisseur pour arriver au montage push-pull : voir gure 4.68 [Sad91].
FIG. 4.68 Montage push-pull et doubleur de tension - mthodologie de concep-
tion
Ce montage push-pull propos gure 4.68 ne permet pas dobtenir de tension
symtrique tel quel. Nous modions le secondaire du montage push-pull clas-
sique. Le primaire excite le matriau magntique de manire symtrique dans le
193
plan (B,H). Pour rcuprer une tension alternative, il suft de coupler un seul
enroulement sur le noyau magntique. Pour obtenir deux tensions symtriques (-
15V;0V;+15V), on utilise un doubleur de tension qui nous permet de crer les
tensions symtriques partir dune source alternative : voir gure 4.69. Le schma
de lalimentation nale dcoule des gures 4.68 et 4.69 : voir gure 4.70.
FIG. 4.69 Doubleur de tension
FIG. 4.70 Solution propose, push-pull et doubleurs de tension
Cette solution a pour principal avantage de fournir deux alimentations sym-
triques isoles avec un nombre rduit de composants et un encombrement mini-
mum :
194
un tore et quatre enroulements
deux MOSFET
quatre diodes de redressement
un circuit dcrtage pour les MOSFET
capacits de dcouplage pour fournir les courants impulsionnels pour le cir-
cuit dattaque de grille
Le principal inconvnient de cette structure vient des contraintes en courant
des diodes de redressement d
1
, d
2
, d
3
et d
4
. A la mise en conduction du MOSFET
M
1
, les diodes d
2
et d
4
entrent en conduction et chargent les condensateurs C
2
et
C
4
. Dans le cas o le transformateur est parfait, les courants de charge des conden-
sateurs C
2
et C
4
sont limits uniquement par les fronts de tension et les rsistances
dynamiques des diodes. Les contraintes en courant des diodes de redressement sont
trs importantes et doivent tre choisies en consquence. Dans le cas o le transfor-
mateur nest pas parfait (cas rel), le courant est limit en plus par les inductances
de fuite du transformateur. La gure 4.71 donne le schma quivalent dune partie
de lalimentation lors de la mise en conduction de M
2
.
FIG. 4.71 Schma quivalent lors des commutations
4.5.2 Rsultats exprimentaux
Nous donnons les caractristiques lectriques de lalimentation dveloppe :
tensions de sortie en fonction de la puissance de sortie totale
rendement en fonction de la puissance de sortie totale
estimation des capacits parasites
La gure 4.72 montre les ralisations physiques des deux alimentations des
drivers A et B du tableau 4.1 page 142.
Les caractristiques lectriques V
s
= f (P
s
) et = f (P
s
) sont donnes gure
4.73. Diffrentes courbes sont exposes pour analyser linuence de la frquence
de dcoupage. La tension moyenne de sortie et le rendement dpendent de la fr-
quence de dcoupage. Un compromis doit tre fait entre rendement et tension de
195
FIG. 4.72 Alimentations isoles des drivers A et B
13.5
14.0
14.5
15.0
15.5
16.0
16.5
4 6 8 10 12 14
V
s

[
V
]
P
s
[W]
Tension moyenne de sortie V
s
f=90kHz
f=135kHz
f=200kHz
f=285kHz
80
82
84
86
88
90
4 6 8 10 12 14
n

[
%
]
P
s
[W]
Rendement de lalimentation[%]
f=90kHz
f=135kHz
f=200kHz
f=285kHz
FIG. 4.73 Caractristiques lectriques mesures de lalimentation du driver B en
fonction de la frquence de dcoupage
sortie.
Lanalyseur dimpdance HP 4194A permet destimer la capacit de couplage
entre le primaire et les secondaires et entre les secondaires : gure 4.74.
Les capacits parasites proviennent principalement du transformateur. La -
gure 4.75 et le tableau 4.5 permettent de mieux apprhender le problme du bo-
binage et de son inuence sur les capacits parasites. On effectue six bobinages
diffrents : on tudie de faon exprimentale linuence sur les capacits para-
sites le nombre de tours des bobinages et leurs positions relatives sur une ferrite en
forme de tore.
(a) (b) (c) (d) (e) (f)
Capacit parasite 2.9pF 2.5pF 2pF 1.6pF 1.6pF 1.8pF
TAB. 4.5 Inuence de la nature du bobinage sur les capacits parasites
On remarque que les capacits parasites sont principalement apportes par le
transformateur. Il y a trs peu de diffrences entre les valeurs de lalimentation et le
transformateur seul. En effet, les principales surfaces en regard sont situes sur le
transformateur au niveau des bobinages. Le tableau 4.5 et la gure 4.75 permettent
de conrmer que les capacits parasites dpendent des surfaces en regard au niveau
du transformateur. Les gures 4.75 (a), (b), (c) et (d) montrent des transformateurs
196
Alimentation Transformateur seul
C
ps
4.6pF 4.4pF
C
ss
4.3pF 3.7pF
C
ps
: capacit parasite entre primaire et un secondaire
C
ss
: capacit parasite entre les secondaires
FIG. 4.74 Capacits parasites de lalimentation et du transformateur torique
(a) 10 tours (b) 8 tours (c) 6 tours
2.9pF 2.5pF 2pF
(d) 4 tours 180 (e) 4 tours et 90 (f) 4 tours colls
1.6pF 1.6pF 1.8pF
FIG. 4.75 Inuence de la nature du bobinage sur les capacits parasites
197
avec respectivement 10, 8, 6 et 4 tours. La situation relative des deux bobinages
a une inuence trs faible sur la capacit parasite : cas (d), (e) et (f). La capacit
parasite dpend du nombre de tours des enroulements du transformateur.
4.5.3 Alimentation base de transformateur piezolectrique
Suite aux bons rsultats obtenus avec la technologie transformateur magn-
tiques, nous tudions la possibilit dutiliser des transformateurs pizolectriques.
Cette axe de recherche a eu pour but dtudier la faisabilit et le prototypage dune
alimentation isole de 3W base de transformateur pizolectrique. Ltude a t
ralise en partenariat avec le laboratoire SATIE de lENS Cachan qui a fourni
les cramiques pizolectriques et leurs premires caractrisations. La suite des re-
cherches et du dveloppement de lalimentation a t effectue conjointement avec
le LGEF et le CEGELY INSA de Lyon.
Lalimentation propose doit rpondre aux caractristiques suivantes :
tension dentre : +15V
tension de sortie : 15V
puissance transmise : 3W
capacit de couplage entre primaire et secondaire : <10pF
tension disolement : 12kV RMS 50Hz
Le transformateur pizolectrique vibre selon diffrents modes correspondants
aux frquences permettant ltablissement dondes stationnaires. Sur la gure 4.76,
on reprsente les modes de vibration dune cramique pizolectrique.
FIG. 4.76 Modes de vibration dune cramique pizolectrique
Une analyse frquentielle montre que le barreau pizolectrique entre en r-
198
sonance en longueur, largeur et paisseur des frquences bien prcises lies aux
paramtres physiques du barreau pizolectrique. La gure 4.77 donne lvolu-
tion du gain en tension dun transformateur en forme de barreau. On constate la
prsence dun grand nombre de pics qui proviennent des diffrents multiples de
rsonance (/2, , 3./2, . . .) des trois dimensions du matriau : longueur, largeur
et paisseur.
FIG. 4.77 Gain en tension vide en fonction de la frquence dun transformateur
pizolectrique en forme de barreau
La premire partie de ltude porte sur la caractrisation des transformateurs
et loptimisation des mtallisations des transformateurs. Nous disposons de deux
cramiques de tailles diffrentes en PZT (Plomb Zirconate Titanate) : voir gure
4.78.
FIG. 4.78 Deux cramiques pizolectriques de dimensions diffrentes
La caractrisation des transformateurs consiste obtenir leurs paramtres lec-
triques laide dun amplicateur de puissance (voir gure 4.79) :
P : puissance de sortie maximale fournie au secondaire
R
ch
: rsistance de charge optimale pour obtenir le meilleur rendement
V
cc
: tension crte--crte en sortie du transformateur
Fr : premire frquence de rsonance
C : capacit de couplage parasite entre primaire et secondaire
199
FIG. 4.79 Circuit de caractrisation des transformateurs
Transformateurs P R
ch
V
cc
F
r
C
T
1
0.64W 220 16V 177kHz 10pF
T
2
0.31W 100 7.9V 236kHz 18pF
T
3
1.64W 110 19V 88kHz 64pF
T
4
1.13W 44 10V 178kHz -
T
5
0.73W 220 18V 178kHz -
T
6
1.82W 110 20V 110kHz -
TAB. 4.6 Caractristiques des transformateurs raliss
Nous avons ralis six transformateurs base des deux types de cramiques
(gure 4.78). La gure 4.80 donne les dimensions des transformateurs et des m-
tallisations.
Le tableau 4.6 donne les caractristiques de chaque transformateur.
Le transformateur 1 est fabriqu avec notre premire cramique. Il a t fourni
tel quil apparat sur la gure 4.80. Les mtallisations font 10mm de longueur. La
tension crte--crte est de 16V 177kHz sous 200. La puissance au secondaire
est de 0.64W. On constate que la tension et la puissance disponibles au secondaire
sont trop faibles.
Le transformateur 2 est fabriqu avec notre deuxime cramique fournie par le
SATIE. Elle est plus paisse et plus large que la premire. On peut donc sattendre
transmettre plus de puissance avec cette cramique. Avec cette conguration, on
transmet 0.31W sous 100 236kHz. La tension est de 7.9V crte--crte. La
tension au secondaire est trs faible, ainsi que le puissance disponible.
Pour amliorer les performances, on modie les mtallisations du transforma-
teur 2 pour obtenir le transformateur 3. La surface au secondaire est plus grande
que celle du primaire pour obtenir un effet lvateur par rapport transformateur
2. En effet, la puissance transmise est de 1.64W sous 110 88kHz. La tension
secondaire est de 19V crte crte. La capacit parasit augmente cause de la sur-
face des lectrodes : 18pF pour le transformateur 2 et 64pF pour le transformateur
3.
Pour amliorer les performances du transformateur 1, on augmente les sur-
faces des lectrodes pour donner le transformateur 4. La puissance transmise est
amliore. Elle est de 1.13W sous 44 178kHz. La tension secondaire est de
10V crte--crte.
200
Transformateur 1
Transformateur 2
Transformateur 3
Transformateur 4
Transformateur 5
Transformateur 6
FIG. 4.80 Diffrents transformateurs - cramiques et mtallisations
201
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0 100 200 300 400 500 600 700
P

[
W
]
R []
Puissance de sortie P en fonction de la rsistance de charge R
ch
T
1
T
4
T
5
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0 100 200 300 400 500 600 700
P

[
W
]
R []
Puissance de sortie P en fonction de la rsistance de charge R
ch
T
2
T
3
T
6
FIG. 4.81 Puissance de sortie en fonction de la rsistance de charge pour les
transformateurs
202
4.6 Conclusion
La tension disponible sur le transformateur 4 est trop faible. La cramique vibre
dans le mode de la largeur 178kHz (cramique 1). Comme la tension est propor-
tionnelle lintgrale de la contrainte et que celle-ci est positive sur une moiti de
la largeur puis ngative ensuite (voir gure 4.82), nous avons ralis llectrode
secondaire sur une moiti de largeur.
FIG. 4.82 Contrainte en mode largeur dun transformateur pizolectrique en
En effet, la tension obtenue est de 18V crte--crte contre 10V prcdemment.
La puissance est de 0.73W sous 220 178kHz.
Pour le transformateur 6, une structure diffrente a t ralise avec la cra-
mique 2. Le primaire est constitu dlectrodes places aux deux extrmits et le
secondaire dlectrodes au milieu de la cramique. La puissance transmise est de
1.82W sous 110 110kHz. La tension secondaire est de 20V crte--crte. Cette
structure permet dobtenir les meilleurs rsultats.
Une alimentation isole a t ralise avec le transformateur 6. Le primaire du
transformateur est excit avec une pont en H. La frquence de dcoupage est as-
servie pour avoir le courant et la tension du primaire du transformateur en phase
(systme comparateur de phase et VCO
2
). Le secondaire est constitu dun re-
dresseur. Diffrents types de redresseurs ont t expriments. En effet, cause du
comportement fortement capacitif du transformateur pizolectrique, il ne semblait
pas vident quun pont de Gratz soit la meilleure solution. La gure 4.83 donne
le synoptique de lalimentation ralise.
Le transformateur pizolectrique ne constitue pas une solution utilisable dans
limmdiat pour notre application. Les valeurs de capacits parasites ne rpondent
pas aux exigences : doivent tre infrieures 10pF (seul le transformateur 1 pour-
rait rpondre ce critre). Les puissances transmises sont toutes infrieures aux
exigences.
4.6 Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons dcoup le fonctionnement global dun driver
dIGBT en fonctions lmentaires. La premire, qui est la commande de grille, a
2
Voltage Controlled Oscillator
203
4.6 Conclusion
FIG. 4.83 Synoptique de lalimentation base de transformateur pizolectrique
ncessit une approche trs synthtique pour aboutir des solutions technologiques
base de transistors bipolaires et MOSFET. Les solutions proposes permettent de
piloter correctement les modules IGBT lheure actuelle. Les solutions base de
transistor MOSFET prsentent une bonne symtrie de commande de grille alors
que ce nest pas le cas pour celles base de transistors bipolaires.
Ensuite, une nouvelle mthode pour la protection des modules IGBT a t mise
en oeuvre. Elle permet de ne pas faire fonctionner lIGBT en rgime de court-
circuit. Lors des dfauts avec des impdances de dfauts trs faibles, cette solution
permet danticiper le niveau de courant et douvrir lIGBT alors quil est en rgime
de surintensit avant quil passe en rgime de court-circuit.
Pour la transmission des ordres, la solution classique par bre optique est ex-
pose ainsi que son principal inconvnient : sa sensibilit aux rayonnements lec-
tromagntiques. Comme alternative, nous avons effectu la conception dun trans-
formateur coreless laide de simulations. Les rsultats exprimentaux sont trs
satisfaisants et montrent que cette solution devient envisageable pour la transmis-
sion dordres du primaire vers le secondaire si les contraintes en courant du circuit
dexcitation du transformateur coreless sont minimiss.
Une solution base de transformateur magntique est expose pour la trans-
mission de puissance. Lanalyse des capacits de couplage en fonction du type des
bobinages du transformateur est galement prsente. Les positions relatives des
bobinages ne jouent pas un rle prpondrant pour les valeurs des capacits pa-
rasites. Enn, une alimentation base de transformateur pizolectrique nous a
permis deffectuer une recherche sur le type de transformateur et de mtallisation
les mieux adapts nos besoins. A lheure actuelle, une solution base de trans-
formateur pizolectrique ne permet pas de rpondre notre cahier des charges.
204
Conclusion gnrale et
perspectives
Les travaux prsents dans ce mmoire ont pour principal objectif la concep-
tion et la ralisation dune gamme de drivers de modules IGBT.
Avant daborder la conception des drivers, nous avons tudi les technologies
des modules IGBT disponibles dans le commerce. Pour ce faire, nous avons tudi
les principaux avantages et inconvnients des diffrentes technologies de puce et
de botiers (plastique et press-pack). On a pu constat que la tendance actuelle des
constructeurs est de proposer des noms de puce qui leur sont propres pour dcrire
le mme type de puce : Field Stop de Eupec, Light Punch Through de Mitsubishi
et Soft Punch Through de ABB. Cette technologie est ne dun judicieux process
de fabrication qui tente de garder les avantages des structures Punch Through et
Non Punch Through. Depuis quelques annes, les technologies ont volues vers
des puces dont le prol de dopage sapproche de ceux des GTO an de rduire les
pertes en conduction : IEGT de Toshiba, CSTBT de Mitsubishi et HiGT de Hitachi.
Ensuite, an de comprendre aux mieux les contraintes et les fonctions des dri-
vers, nous avons tudi la modlisation des modules IGBT et leurs commutations.
Pour cela nous avons propos un modle simple de puce et les quations de com-
mutation qui en dcoulent. Les effets inductifs ont t pris en considration laide
de simulations. Nous avons mis en vidence que lorsque le circuit de commande et
de puissance sont coupls (soit par impdance commune, soit par couplage induc-
tif) que les gradients de courant et de tension sont modis. Nous avons galement
apport un complment danalyse sur lavalanche dynamique dune cellule IGBT
en rgime de surintensit. Nous avons montr que le phnomne est d laccumu-
lation de charges positives dans une zone bien prcise de la cellule qui a pour effet
daugmenter trs localement le champ lectrique et de gnrer des paires lectron-
trou par ionisation par impact.
Aprs avoir pralablement tudi les drivers existants et les commutations des
modules IGBT, nous avons analys le cahier des charges de la gamme de drivers
dvelopper. Le dcoupage du driver en fonctions lmentaires nous a permis def-
fectuer une synthse mthodique pour chacune delles. Tout dabord, la fonction
"commande de grille" a t dveloppe de faon synthtique et mthodique pour
aboutir deux solutions base de transistors bipolaires et MOSFET. La fonction de
protection a abouti une solution qui permet danticiper la valeur du courant col-
205
4.6 Conclusion
lecteur et de couper lIGBT avant dtre en rgime de court-circuit. Pour la trans-
mission dordre, la solution optique a pour principal inconvnient sa sensibilit
aux champs rayonns par les commutations. Comme alternative la technologie
optique, nous avons mis en oeuvre une solution base de transformateur coreless.
Pour la transmission de puissance, nous avons dvelopp une alimentation isole
base de transformateur magntique. Pour complter son tude, nous avons tudi
diffrents types de transformateurs pizolectriques (dimensions des barreaux, po-
sitions et tailles des mtallisations).
En conclusion, les perspectives se dirigent vers la transmission dordre trans-
formateur coreless cause de son prix (trs faible en comparaison un systme
bre optique), de sa rptabilit de production et de ses qualits en matire de
CEM. Ceci est possible si un circuit de pilotage du transformateur coreless per-
met de le piloter de faon transmettre une information tout en minimisant le
courant dexcitation du transformateur qui pose un problme dchauffement. Une
nouvelle structure dalimentation devrait tre envisage an damliorer les pertes
dans la structure utilise lheure actuelle. En effet, les diodes de redressement
fonctionnent en rgime de sur contrainte en courant et ont une temprature de fonc-
tionnement leve.
206
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212
FOLIO ADMINISTRATIF
THESE SOUTENUE DEVANT L'INSTITUT NATIONAL DES SCIENCES APPLIQUEES DE LYON
NOM : LEFRANC DATE de SOUTENANCE : 30 novembre 2005
(avec prcision du nom de jeune fille, le cas chant)
Prnoms : Pierre
TITRE : Etude, conception et ralisation de circuits de commande d'IGBT de forte puissance.
NATURE : Doctorat Numro d'ordre : 05 ISAL
Ecole doctorale : EEA
Spcialit : Gnie Electrique
Cote B.I.U. - Lyon : T 50/210/19 / et bis CLASSE :
RESUME :
L'IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) a pris une part importante dans les applications de l'lectronique de puissance. Depuis ses
dbuts dans les annes 1980, il n'a cess de concurrencer les composants comme le thyristor, le GTO, le MOSFET et le transistor bipolaire.
A l'heure actuelle, le transistor IGBT permet d'tre utilis dans beaucoup d'applications notamment sous forme de module IGBT dont il est
question dans cette thse.
Les modules IGBT font partie intgrante des convertisseurs de puissance. Ils sont associs leurs circuits de commande (aussi appels
drivers). Ils ont pour fonction de piloter les modules IGBT qui leurs sont associs et de garantir leur intgrit en cas de dfauts (surintensit,
surtension).
Dans ce mmoire, nous traitons de la ralisation et la conception de drivers de modules IGBT. Pour mener bien cette tude, nous
prsentons tout d'abord un tat de l'art sur les modules IGBT et leurs drivers. Ensuite, nous proposons une analyse et une modlisation des
modules IGBT en prenant en compte le cblage. Nous apportons un complment d'tude sur le phnomne d'avalanche dynamique des
puces IGBT en rgime de surintensit. Enfin, nous effectuons la conception et la ralisation de drivers de modules IGBT. La fonction
principale des drivers est dcoupe en sous fonctions qui permettent d'effectuer une tude structure. Chaque sous fonction est tudie et les
solutions apportes sont exposes avec simulations et rsultats exprimentaux l'appui.
MOTS-CLES :
IGBT, commande rapproche d'IGBT, isolation galvanique, protection des IGBT, modlisation, simulation, CEM, avalanche dynamique.
Laboratoire (s) de recherche : Centre de Gnie Electrique de Lyon (CEGELY)
Directeurs de thse: Jean-Pierre CHANTE
Dominique BERGOGNE
Prsident de jury :
Composition du jury : Jean-Pierre CHANTE (CEGELY Lyon)
Dominique BERGOGNE (CEGELY Lyon)
Stphane LEFEBVRE (SATIE Cachan)
Jean-Paul FERRIEUX (LEG Grenoble)
Thierry MEYNARD (LEEI Toulouse)
Jean-Franois ROCHE (ARCEL Lyon)

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Numro d'ordre : 2005-ISAL-0097 Anne 2005

et de ce fait la chute de tension ltat passant.

. Il faut compter 10V par micromtre pour la tenue en tension de la couche N

est le substrat, la couche P

peut tre contrle par la rduction

. Cela permet davoir une couche N

plus ne que pour la technologie

mais ncessite soit une injection de mtaux

pour crer des centres de recombinaison

pour limiter les pertes en commutation. Mais, la du-

ce qui a pour effet daugmenter le V

de la structure PT est plus ne

de la structure PT. Dans [She03], une simulation montre que la temprature

comme substrat n, une couche tampon N et une couche P

Fine : pitaxie Moyennement

. La gure 1.14 montre une cellule IGBT

. La gure 1.15 montre une

ct metteur pour lIEGT.

. Tant que la tension V

est en rgime de forte

(couche pitaxie) et peut mener lavalanche si celui-ci est

de la cellule IGBT [V.cm

peu paisse, ce qui leur confre une valeur de

est paisse et le gain

et de ce fait possde les mmes comportements (faible

E : champ lectrique [V.cm

qui constitue le corps de la cellule

du ct metteur est lorigine de lavalanche. Au

pour les va-

a pour but de bloquer la grille de lIGBT le plus bas possible pour se

et inversement conditionne les

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