RAM

CARACTERSTICAS Un solo 3,3 V 0,3 V fuente de alimentacin estndar de la industria patillas x16, el tiempo, las funciones, y el paquete de 12 filas, 10 direcciones de la columna (R6) 13 fila, columna 9 direcciones (N3) Alto rendimiento CMOS de silicio de compuerta proceso de Todas las entradas, salidas y los relojes son compatibles con LVTTL Ampliacin de los datos de salida (EDO) PGINA modo de acceso 4096-ciclo de CAS-ANTES-RAS # (CBR) REFRESCO distribuidos en 64 ms Opcin de auto actualizacin (S) de bajo consumo de datos retencin El 4 x 16 Meg DRAM es un CMOS de alta velocidad, dinmica de acceso aleatorio memoria del dispositivo que contiene 67108864 bits y diseado para operar desde 3V a 3.6V. El dispositivo est funcionalmente organizado de 4.194.304 lugares que contienen 16 bits cada uno. La 4.194.304 ubicaciones de memoria estn dispuestos en filas por 4.096 1.024 columnas en las filas MT4LC4M16R6 o 8.192 por 512 columnas de la MT4LC4M16N3. Durante la lectura o escritura ciclos, cada lugar es la nica dirigida a travs de la Direccin: 12 bits de direccin de la fila-bits (A0-A11) y 10 columna de direccin-bits (A0-A9) en el MT4LC4M16R6 o 13-bits de direccin de la fila (A0-A12) y 9 bits de direccin de columna (A0-A8) en la versin MT4LC4M16N3. Adems, tanto de bytes y la palabra son compatibles con los accesos a travs de los dos CAS # pines (CASL y CASH # #). El CAS # funcionalidad y el tiempo relacionados con la frente y funciones de control (por ejemplo, la columna de retencin direcciones o seleccionando CBR REFRESH) es tal que el interna seal CAS # est determinada por la primera externo CAS # de la seal (CASL # o # EFECTIVO) a la transicin y la BAJA el ltimo en la transicin con respaldo alto. El CAS # funcionalidad y temporizacin relacionada con la conduccin o de enclavamiento de datos es tal que cada seal de CAS # controla de forma independiente del asociado DQ ocho pines. La direccin de fila est enganchada por la seal RAS #, entonces la direccin de columna est bloqueada por el CAS. Este dispositivo ofrece EDO-PAGE-modo de operacin, lo que permite rpida sucesivas operaciones de datos (lectura, escritura o READMODIFYESCRITURA) dentro de una fila determinada. El 4 x 16 Meg DRAM debe ser renovado peridicamente con el fin de retener los datos almacenados.
Deshacer cambios

ROM
Caractersticas 3V a 3.6V Voltaje bajo en la Operacin Leer Tiempo de acceso: 100 ns configurable a nivel de byte o Word de gran 16 Mbit ROM mscara de repuesto Bajo consumo de energa - Activo corriente: 30 mA a 8 MHz - Corriente en reposo: 60 mA Programacin de Voltaje: 12,5 V 0,25 V Programacin de tiempo: 50 mS / palabra Firma Electrnica - Cdigo de fabricante: 20h - Dispositivo Cdigo: B1H El M27V160 es una de baja tensin de 16 Mbit EPROM se ofrecen en los dos rangos de UV (ultra violeta borrado) y OTP (one time programable). Es ideal para los sistemas de microprocesadores que requieren grandes volmenes de datos o almacenamiento del programa. Est organizada como sea 2 Mbit palabras de 8 bits o 1 Mbit palabras de 16 bits. El pasador de salida es compatible con una ROM de la mscara 16 Mbits. El M27V160 opera en el modo de lectura con una tensin de alimentacin tan bajo como 3V. La disminucin en potencia de funcionamiento permite que sea una reduccin del tamao de la batera o un aumento en el tiempo entre recargas de la batera. El FDIP42W (ventana de cermica frita-sellado) tiene una tapa transparente que permite que el usuario para exponer el chip a la luz ultravioleta para borrar el patrn de bits. Un nuevo patrn puede entonces ser escrito rpidamente al dispositivo siguiendo el procedimiento de programacin. Para aplicaciones en las que est programado el contenido slo una vez y no es borrado es necesario, el M27V160 se ofrece en paquetes de PDIP42, SDIP42, PLCC44 y SO44. Con el fin de cumplir con los requisitos ambientales, ST ofrece la M27V160 en ECOPACK paquetes. ECOPACK paquetes estn libres de plomo. La categora de interconexin de segundo nivel est indicado en el envase y en la etiqueta de la caja, de acuerdo con JEDEC estndar JESD97. Los valores mximos relativos a las condiciones de soldadura tambin se marcan en el interior cuadro de la etiqueta.