Resumen - Un breve resumen sobre la arquitectura de memoria y los procesos para varios tipos convencionales dentro de la familia MOS.

Las tendencias actuales y las limitaciones que se discutirn antes de que lleva a una cierta penetracin en la prxima generacin de productos de memoria. Palabras Clave: Memoria de acceso aleatorio, SRAM, DRAM, memoria Flash, FRAM, MRAM, PRAM. INTRODUCCIN La memoria de trmino se refiere a espacio de almacenamiento o chips capaces de almacenar datos. Memoria de semiconductores es la memoria del ordenador en un circuito integrado o chip. El da de hoy MOS (semiconductor de xido metlico), la familia se compone actualmente de SRAM (static memorias de acceso aleatorio), memorias DRAM (memorias dinmicas de acceso aleatorio), ROM (slo lectura memorias), PROM (programables memorias de slo lectura), la EPROM (programable y borrable de lectura memorias de slo), EEPROM (programable y borrable elctricamente memorias de slo lectura), y la memoria flash [1]. Durante los ltimos tres decenios y medio de existencia, la familia de las memorias de los semiconductores se ha extendido mucho y ha logrado una mayor densidad, mayor velocidad y menor consumo de energa, ms funcionalidad y menores costos de [2,3]. Al mismo tiempo, algunas de las limitaciones dentro de cada tipo de memoria son cada vez ms realizado. Como tal, hay varias tecnologas emergentes destinadas a ir ms all de esas limitaciones y potencialmente reemplazar todos o la mayora de las tecnologas de memoria de semiconductores existentes para convertirse en una memoria de semiconductor Universal (USM). La bsqueda de un dispositivo USM ha sido durante mucho tiempo un objetivo para las comunidades tcnicas y de investigacin. Adems, los beneficios para el logro de tal dispositivo sera la de hacerse con el control de un mercado enorme que se ha expandido de aplicaciones informticas a todos los productos electrnicos de consumo, como se muestra en la fig. 1 [3,4]. Algunas de estas tecnologas emergentes incluyen los FRAM (Ferro elctrica RAM), MRAM (magntica RAM), y la PRAM (cambio de fase RAM).

MEMORIAS DE CONVENCIONALES SEMICONDUCTORES Memorias de los semiconductores comenz a crecer, cuando Intel lanz el chip 1103, el primer chip DRAM 1kb disponible en el mercado, en 1970. La tecnologa ha evolucionado con xito a lo largo, siguiendo la tendencia caracterizada por la ley de Moore. En la actualidad, con memoria SRAM con el ms alto rendimiento en velocidad, que llegan a ocupar el espacio de la memoria inmediata en las computadoras, la comunicacin con la unidad de procesamiento central (CPU) como la memoria cach. Sin embargo, una matriz nica clula SRAM se compone de seis transistores (6T) con el fin de mantener un poco como se muestra en las figuras 2 y 3 (a). Esto se convierte en un gran factor de limitacin fsica en trminos de optimizacin de escalado. Adems, existe el problema con la estabilidad de los datos con las mayores velocidades y tener fugas de corriente de espera [3]. Despus, con DRAM que tiene un menor rendimiento de velocidad y los costes, que sirven principalmente como memoria principal dentro de las computadoras. Una matriz de clula DRAM solo es mucho ms denso con un solo transistor de paso y un condensador (1T1C) como se muestra en la fig. 3 (b). Al ser una forma de memoria no voltil, el factor ms importante limitante para la memoria DRAM sera la tasa de retencin de datos despus de cada ciclo de actualizacin. La DRAM 1T tambin se aproxima al lmite de su tamao de la celda. La memoria flash es un poco diferente, porque es una forma de memoria no voltil (NVRAM), a diferencia de los dos primeros tipos. Las memorias flash son especialmente

lento para escribir, por lo que no rentable en comparacin con la DRAM como se muestra en la fig. 2. Cada celda de memoria flash consta de un solo transistor de puerta flotante, lo que significa que es similar a un MOSFET estndar, excepto que hay dos puertas. Uno es la puerta de control (CG) y el otro es una puerta flotante (FG) rodeado por una capa de xido aislante entre el CG y el sustrato como se muestra en la fig. 4. El desarrollo en los ltimos aos fue impulsado por el inters en sus propiedades de volatilidad no y la portabilidad. Adems, la demanda de los consumidores para aplicaciones tales como cmaras digitales, telfonos celulares, y las unidades flash tambin han contribuido a impulsar este crecimiento. En cuanto a los factores limitantes, las capas de xido aislante alrededor de la puerta flotante permiten un tiempo de retencin amplia la fecha, sino que tambin obliga a las funciones de escribir y borrar para funcionar a niveles de tensin superiores a los CMOS convencionales para superar las barreras. Por otro lado, por hacer que las capas de xido eran cualquier diluyente conducira a la capacitancia de acoplamiento de las clulas adyacentes, debido a su diseo compacto ya [2,3]. Como tal, hay una cada de gran rendimiento en comparacin con la SRAM. Adems, memorias flash estn limitadas en el nmero de ciclos de escritura-borrado [3]. Por ltimo, por espacio de almacenamiento a largo plazo, unidades de disco duro cumplir los requisitos con sus bajos costos y prestaciones en comparacin con el resto como se muestra en la fig. 2 [3].

EMERGENTES memorias de semiconductores Para mejorar en algunas de las limitaciones como encontradas por la memoria convencional, hay algunos candidatos emergentes que muestran alguna promesa. Con el foco centrado en la no volatilidad y la portabilidad en primer lugar, hay tres nuevos tipos de memoria, cada uno de las propiedades que poseen casi ideales, es decir, de acceso aleatorio rpido, voltajes relativamente bajos, y un rendimiento mucho ms alto. En primer lugar, entre sus competidores directos, es el FRAM o FeRAM, que utiliza una topologa similar a las clulas DRAM con un transistor y un condensador ferroelctrico (1T1C) como se muestra en la fig. 5 (a). El material para el condensador es tpicamente conducir zirconato titanato o PZT. Mediante el uso de la caracterstica ferroelctrico del condensador, los datos binarios se pueden almacenar en funcin de la polaridad de las clulas. Materiales ferroelctricos tienen una relacin no lineal entre el campo elctrico aplicado y la carga almacenada aparente, o ms especficamente, se caracteriza por la forma de un bucle de histresis, como se muestra en la fig. 6. Debido a esta naturaleza, el proceso de escritura se lleva a cabo mediante la aplicacin de un campo a travs de las placas del condensador y la polarizacin de los tomos puede ocurrir extremadamente rpido. Sin embargo, para el proceso de lectura, un estado inicial se supone primero. Si el estado es correcto, entonces no pasa nada, pero si el Estado asumi no es correcto, un nuevo ciclo WRITE tiene que ocurrir despus de el ciclo de lectura. Aunque no hay un lmite superior para el nmero de ciclos de escritura, la posible exigencia de un ciclo de escritura despus de cada ciclo de lectura es un factor limitante potencial [5]. Adems, tambin podra ser la degradacin de polarizacin dentro del condensador ferroelctrico con el tiempo [3]. Por ltimo, FRAMs actuales da todava estn tratando de lograr una mayor densidad. Otro tipo de memoria es la memoria MRAM, utilizando el principio del magnetismo y el desarrollo de la unin tnel magntica (MTJ) dando algunas operaciones de alta velocidad

comparables a las SRAM. La matriz de clula consiste de un transistor y una MJT (1T1MTJ) como se muestra en la fig. 7 (a). El MTJ est formado por dos placas ferromagnticas separadas por una fina capa aislante. Cada una de las placas puede contener un campo magntico, con un conjunto de una polaridad determinada, y la otra placa cambiar en consecuencia, dependiendo del campo externo. La limitacin ms importante de esta tecnologa es la corriente generada por escrito grandes para superar los campos existentes entre las dos placas. Ha habido modificaciones basadas en el concepto MJT, como el uso de una estructura de mltiples capas de clulas y una nueva tcnica llamada spin-Torque Transfer (STT) [6]. La idea detrs de STT es que si los electrones en una capa de tener que cambiar su giro, se desarrollar un par que puede ser transferida a la siguiente capa ms cercana. De esta manera, la cantidad total de actual necesidad de escribir a las clulas se baja. En general, la tecnologa MRAM tiene una velocidad similar a la SRAM, la densidad similar a la DRAM, el consumo de energa mucho ms baja que la DRAM, y no sufre degradacin en el tiempo en comparacin con la memoria flash. El tercer tipo de memoria es PRAM, que utiliza el comportamiento nico de vidrio calcogenuro, que puede cambiar entre dos estados, ya sea cristalino o amorfo, con la adicin de calor. Los dos estados tienen valores de resistividad elctrica radicalmente diferentes, y esto forma la base sobre la cual se almacenan los datos. El estado amorfo es una condicin de alta resistencia y se utiliza para representar un 0 binario, mientras que el estado cristalino es un estado de baja resistencia y se utiliza para representa un 1 binario. Casi todos los dispositivos prototipo PRAM hacer uso de una aleacin de calcogenuro de germanio, antimonio y telurio (GeSbTe) llamado GST. Se se calienta a ms de 600 C, en cuyo punto el calcogenuro se convierte en un lquido. Una vez enfriado, se congela en un estado amorfo similar al vidrio del estado y su resistencia elctrica es muy alta. Al calentar el calcogenuro a una temperatura por encima de su punto de cristalizacin, pero por debajo del punto de fusin, que se transformar en un estado cristalino con una resistencia mucho menor. Este proceso de transicin de fase se puede completar en tan rpidamente como 5 nanosegundos, por lo que es comparable a las velocidades de la DRAM [7]. La matriz de clulas de un cochecito de nio es de nuevo similar a DRAM con un solo transistor y la resistencia variable desde el cristal de calcogenuro como se muestra en la fig. 7 (b). Hay variaciones en esta matriz de clulas, donde puede ser un diodo utilizados en lugar de un transistor para minimizar el tamao. Algunas de las limitaciones implicar el uso de grandes cantidades de corriente para calentar el vidrio calcogenuro.