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Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 1

Vorlesung Schaltungstechnik
Kapitel 0
Berlin, Sommersemester 2011
Roland Thewes
TU Berlin
Fakultt IV, Elektrotechnik und Informatik
Fachgebiet Sensorik und Aktuatorik
Berlin
roland.thewes@tu-berlin.de
Kapitel 3:
Schaltungstechnische
Grundkonfigurationen
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 2
Teil I: Allgemeine Einfhrung
1. Diskret und integriert aufgebaute Schaltungen
2. Bauelemente und deren Modellierung
3. Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Teil II: Analoge Schaltungen
4. Analoge Grundschaltungen
5. Operationsverstrker
6. Rauschen und Parametervariationen
Teil III: Digitale Schaltungen
7. Logische Funktionen
8. Statische CMOS-Logik
9. Weitere Logik-Familien
10. Laufzeiten in Logikschaltungen
11. Einfache Schaltwerke
Vorlesung und bung Schaltungstechnik
Gesamtgliederung Vorlesung Schaltungstechnik
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 3
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
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Allgemeines
Einfhrung
Source bzw. Emitter dienen bei analytischer Beschreibung des MOSFETs bzw.
des Bipolar-Transistors blicherweise als Bezugs-Knoten.
Source bzw. Emitter sind in Schaltungen jedoch nicht notwendigerweise das
schaltungstechnisch kleinsignalmig relevante Bezugspotential.
Die Schaltungskonfigurationen
- Source-, Drain- und Gateschaltung fr den MOSFET
bzw.
- Emitter-, Kollektor- und Basisschaltung fr den Bipolartransistor
sind benannt nach demjenigen Transistoranschluss, der in der entsprechenden
Schaltung das kleinsignalmige Bezugspotential mit Kleinsignalspannung = 0
darstellt.
Diese generischen Betrachtungen sind historisch geprgt aus der Zeit der
Bipoltransistor-Schaltungstechnik, bei welcher als Lastelement hufig ohmsche
Widerstnde eingesetzt wurden.
Sie sind jedoch ebenso anwendbar in der MOS-Schaltungstechnik sowie bei
Schaltungstechniken, die als Lastelemente keine ohmschen sondern auch aktive
Bauelemente (heute blich: komplementre Transistoren) verwenden.
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Allgemeines
Gleichspgs.-/stromquellen in Kleinsignal-Betrachtungen
Quelle im Schaltbild: im Kleinsignalersatzschaltbild:
Gleichspannungsquelle Kurzschluss
Betriebsspannung Masse
(Spannungsquelle gegen Masse)
Spannung zur Einstellung
des Arbeitspunktes eines Masse
aktiven Bauelementes
Gleichstromquelle Unterbrechung
(entfllt im Kleinsignalersatzschaltbild)
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Allgemeines
Gleichspgs.-/stromquellen in Kleinsignal-Betrachtungen
Schaltbild:
Schaltung
Betriebsspannung
Gleichspannungsquelle(n) fr
die Arbeitspunkteinstellung
aktiver Bauelemente in der
Schaltung
Gleichstromquelle(n) fr die Arbeitspunkt-
einstellung aktiver Bauelemente in der Schaltung
Kleinsignal-
Ersatzschaltbild:
Schaltung nach
Ersatz aller aktiven
Bauelemente durch
deren Kleinsignal-
ersatzschaltbilder
Kurzschluss gegen Masse
Unterbrechung
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Allgemeines
Verstrkerschaltungen
Jede Verstrkerschaltung wird eingangsseitig durch eine Signalquelle gespeist
und treibt ausgangsseitig eine Last.
Die Signalquelle wird durch den Eingangswiderstand der Schaltung belastet, d.h.
eingangsseitig wirkt eine Verstrkerschaltung selbst als Last fr die Signalquelle.
Ausgangsseitig kann eine Verstrkerschaltung als eine mit einem
Innenwiderstand behaftete Quelle interpretiert werden.
Diese Betrachtungen gelten nicht nur fr lineare Verstrkerschaltungen, sondern
auch fr digitale Schaltungen (z.B. Logikgatter whrend des bergangs zwischen
zwei Schaltungszustnden).
Im folgenden werden die Grundschaltungen Sourceschaltung, Drainschaltung und
Gateschaltung bzw. Emitterschaltung, Kollektorschaltung und Basisschaltung
jeweils mit Ein- und Ausgangskondensator dargestellt, so dass eine reine
Wechselgren-Betrachtung durchgefhrt werden kann und Rckwirkungen auf
den Arbeitspunkt der Bauelemente ber Ein- oder Ausgang ausbleiben.
Ein- und Ausgangskondensator mgen so gro dimensioniert sein, dass sie fr
Wechselgren durch Kurzschlsse ersetzt werden knnen.
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Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
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U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
Source als Bezugsgre
auf Masse
R
G
und U
G
dienen der
Arbeitspunkteinstellung
(in der Praxis: Gate-
Arbeitspunkteinstellung
erfolgt blicherweise
durch vorausgegangene
Stufe)
R
D
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr Wechsel-
bzw. Kleinsignalgren
(in der Praxis hufiger:
aktive Lastelemente)
Konfiguration
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Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
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Spannungsverstrkung
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Berechnung der Verstrkung:
Stromsumme am Drainknoten = 0

=
D DS
aus
ein m
R r
u
u g +
D DS
D DS
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
mit r
DS
= 1 / g
DS
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 12
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
Spannungsverstrkung
Abschtzung der Beitrge
von r
DS
und R
D
:
Betrachtung Ausgangskennlinie
und Lastkennlinie
Spannungsabfall an R
D
: I
D
R
D
I
D
U
DS
U
DD
Steigung
= -1 / R
D
Steigung
= 1 / r
DS
DS D
r R
1 1
>> r
DS
>> R
D
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
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Spannungsverstrkung
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Berechnung der Verstrkung:
Stromsumme am Drainknoten = 0

=
D DS
aus
ein m
R r
u
u g +
D DS
D DS
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
Mit r
DS
>> R
D
:
D m
ein
aus
R g
u
u

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Eingangswiderstand
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Eingangswiderstand:
Anmerkung:
Da in der Praxis zumindest in integrierten Schaltungen - die Gate-
Arbeitspunkteinstellung blicherweise durch eine direkt vorausgegangene Stufe
erfolgt und nicht ber eine ber einen ohmschen Widerstand angeschlossene
Spannungsquelle gilt in solchen Schaltungen fr niedrige Frequenzen:
r
ein
=
Beispiele folgen in spteren Kapiteln.
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
G
ein
ein
ein
R
i
u
r = =
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 15
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
Ausgangswiderstand
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Vorstellung:
Am Ausgang wird eine Quelle angelegt, die eine Spannung an diesen anlegt
oder einen Strom einprgt.
Nherungslsung:
Wegen R
D
<< r
DS
folgt: r
aus
R
D
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung.
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
Ausgangswiderstand:
D DS
D DS
u
aus
aus
aus
R r
R r
i
u
r
ein
+
= =
=0
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Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr hhere Frequenzen
(Transistor in Inversion)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
C
GD
C
GS
Source- und Emitterschaltung
Sourceschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
G
R
D
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
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Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 18
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Emitter als Bezugsgre
auf Masse
R
B
und U
B
dienen der
Arbeitspunkteinstellung
R
C
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr Wechsel-
bzw. Kleinsignalgren
Konfiguration
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 19
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 20
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Spannungsverstrkung
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Berechnung der Verstrkung:
Stromsumme am Kollektorknoten = 0
C CE
aus
ein m
R r
u
u g +
=
( )
C CE ein m aus
R r u g u =
C CE
C CE
ein m aus
R r
R r
u g u
+
=
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 21
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Spannungsverstrkung
Abschtzung der Beitrge
von r
CE
und R
C
:
Betrachtung Ausgangskennlinie
und Lastkennlinie
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Spannungsabfall an R
C
= I
C
R
C
I
C
U
CE
U
DD
Steigung
= -1 / R
C
Steigung
= 1 / r
CE
CE C
r R
1 1
>> r
CE
>> R
C
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 22
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Spannungsverstrkung
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Nherungslsung fr Verstrkung mit r
CE
>> R
C
:

C CE
C CE
m
ein
aus
R r
R r
g
u
u
+
=
Arbeitspunktabhngigkeit :
mit
q kT
I
g
C
m

C
C
ein
aus
R
q kT
I
u
u

C m
ein
aus
R g
u
u

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r
ein
r
BE
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Eingangswiderstand:
B BE
B BE
B BE
B
ein
ein
ein
ein
R r
R r
R r
i
u
i
u
r
+
= = = =
Abschtzung einer Nherungslsung:
-
mit kT/q = 26 mV bei Raumtemperatur
B BE
I
q
kT
r =
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
- Grenordnung von R
B
:
~ UDD / I
B
(UDD >> kT/q)
Eingangswiderstand
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
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Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Ausgangswiderstand
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
Ausgangswiderstand:
Vorstellung:
Am Ausgang wird eine Quelle angelegt, die eine Spannung an diesen anlegt
oder einen Strom einprgt.
C CE
C CE
u
aus
aus
aus
R r
R r
i
u
r
ein
+
= =
=0
Nherungslsung:
Wegen R
C
<< r
CE
folgt: r
aus
R
C
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 25
Source- und Emitterschaltung
Emitterschaltung mit npn-Transistor
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr hhere Frequenzen
U
B
R
B
R
C
C
ein
C
aus
U
a
u
s
U
e
i
n
UDD
+
-
+
-
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
C
BC
C
BE
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 26
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 27
Source- und Emitterschaltung
Millereffekt
Komplexer Eingangsleitwert beim
n-MOSFET in Sourceschaltung
ein
ein
ein
u
i
y =
Komplexer Eingangsleitwert:
Berechnung:
( )
aus ein GD ein GS
G
ein
ein
u u C j u C j
R
u
i + + =
(

|
|

\
|
+ + =
ein
aus
GD GS
G
ein
u
u
C j C j
R
u 1
1

Ergebnis mit A = Verstrkung der Schaltung:
( ) [ ] A C C j
R
y
GD GS
G
ein
+ + = 1
1

D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
D
G
R
G
C
GD
C
GS
Die Kapazitt zwischen Eingang und Ausgang der Schaltung, C
GD
, wird mit dem
Faktor (1-A) gewichtet, bzw., da A negativ, mit (1+A).
C
GD
(1-A) bzw. C
GD
(1- A ) wird Miller-Kapazitt genannt.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 28
Source- und Emitterschaltung
Millereffekt
Komplexer Eingangsleitwert beim
npn-Transistor in Emitterschaltung
ein
ein
ein
u
i
y =
Komplexer Eingangsleitwert:
Berechnung:
( )
aus ein BC ein BE
BE
ein
B
ein
ein
u u C j u C j
r
u
R
u
i + + + =
(

|
|

\
|
+ + + =
ein
aus
BC BE
BE B
ein
u
u
C j C j
r R
u 1
1 1

Ergebnis mit A = Verstrkung der Schaltung:
( ) [ ] A C C j
r R
y
BC BE
BE B
ein
+ + + = 1
1 1

C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
u
e
i
n
R
C
B
r
BE
R
B
C
BC
C
BE
Die Kapazitt zwischen Eingang und Ausgang der Schaltung, C
BC
, wird mit dem
Faktor (1-A) gewichtet, bzw., da A negativ, mit (1+A).
C
BC
(1-A) bzw. C
BC
(1- A ) wird Miller-Kapazitt genannt.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 29
Source- und Emitterschaltung
Millereffekt
Allgemeine Zusammenfassung
Eine Kapazitt zwischen Ein- und Ausgang einer invertierenden Verstrker-
schaltung wirkt eingangsseitig gewichtet mit dem Faktor (1 + ( Verstrkung( ).
Im einfachen Transistorschaltungen (n-MOSFET: Sourceschaltung,
npn-Transistor: Emitterschaltung) erfahren Gate-Drain-Kapazitt bzw.
Basis-Kollektor- Kapazitt diese Wichtung.
Miller-Kapazitten belasten die den Eingang der Verstrkerschaltung treibende
Quelle.
Es gibt spezielle Schaltungskonzepte, die unter Verwendung weiterer
Transistoren die Auswirkungen des Miller-Effektes am Einzeltransistor umgehen.
In der Regel ist der Miller-Effekt nachteilig, da er die Bandbreite von Schaltungen
begrenzt.
Er wird jedoch in bestimmten Schaltungen auch ausgenutzt, wenn z.B. mit
vorhandenen Kapazitten mit physikalisch kleineren Werten die Wirkung groer
Kapazitten in einer Schaltung erreicht werden soll.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 30
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 31
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
Konfiguration
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Drain als Bezugsgre
auf festem Potential
(positive Betriebsspannung
UDD)
R
G
und U
G
dienen der
Arbeitspunkteinstellung
(in der Praxis: Gate-
Arbeitspunkteinstellung
erfolgt blicherweise durch
vorausgegangene Stufe)
R
S
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr Wechsel-
bzw. Kleinsignalgren
(in der Praxis blicherweise
aktive Stromquelle!)
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 32
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
!
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 33
Kleinsignal-Ersatzschaltbild (fr nicht zu groe Frequenzen)
Kleinsignalersatzschaltbild Schaltung
Bisher:
Nach Umordnung
der Elemente:
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
!
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 34
Spannungsverstrkung
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Berechnung Spannungsverstrkung:
Stromsumme am Sourceknoten = 0
( )
S DS
aus aus ein m
R r
u u u g
1
0 =
m ein
S DS
S DS
m aus
g u
R r
R r
g u =
|
|

\
| +
+
|
|

\
|
+ + =
S DS
m m
ein
aus
R r
g g
u
u 1 1

D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 35
Spannungsverstrkung:
|
|

\
|
+ + =
S DS
m m
ein
aus
R r
g g
u
u 1 1
Abschtzung Nherungslsung:
mit g
m
>> 1 / R
S
, 1 / r
DS
folgt:
1
ein
aus
u
u
Anmerkung:
Die Bedingung g
m
>> 1 / r
DS
ist bei blichen MOS-Transistoren erfllt,
die Bedingung g
m
>> 1 / R
S
jedoch nicht notwendigerweise, so dass dann auch
Verstrkungen deutlich unter 1 erhalten werden knnen.
In integrierten Schaltungen wird R
S
durch eine aktive Stromquelle ersetzt und
dieses Problem tritt nicht mehr auf s. nchste Kapitel.
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
Spannungsverstrkung
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 36
Sourcefolger-Schaltung
Spannungsverstrkung u
aus
/ u
ein
1
(nicht invertierend)
Zweck der Schaltung: Impedanzwandlung, Arbeitspunktanpassung
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Die Schaltung wird hufig auch als
Sourcefolger bezeichnet, da das
Sourcepotential (Ausgang der
Schaltung) dem Gatepotential
(Eingang der Schaltung) versetzt
um die Gate-Source-Spannung folgt.
U
G
R
G
R
S
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 37
Eingangswiderstand
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Eingangswiderstand:
Anmerkung:
Da in der Praxis zumindest in integrierten Schaltungen - die Gate-
Arbeitspunkteinstellung blicherweise durch eine direkt vorausgegangene Stufe
erfolgt und nicht ber eine ber einen ohmschen Widerstand angeschlossene
Spannungsquelle gilt in solchen Schaltungen:
r
ein
=
Beispiele folgen in spteren Kapiteln.
G
ein
ein
ein
R
i
u
r = =
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 38
Ausgangswiderstand
(Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr nicht zu groe Frequenzen)
Ausgangswiderstand:
Vorstellung:
Am Ausgang wird eine Quelle angelegt, die eine Spannung an diesen anlegt
oder einen Strom einprgt.
0 =
=
ein
u
aus
aus
aus
i
u
r
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung.
Nherung: mit g
m
>> 1 / R
S
, 1 / r
DS
folgt:
m
aus
g
r
1

Drain- und Kollektorschaltung


Drainschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
Berechnung:
aus m
DS S
aus
aus
u g
r R
u
i + =
m
DS S aus
g
r R r
1
=
Anmerkung:
g
m
>> 1 / r
DS
ist bei blichen MOS-Transistoren immer erfllt,
g
m
>> 1 / R
S
jedoch nicht notwendigerweise.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 39
Kleinsignal-Ersatzschaltbild fr hhere Frequenzen
C
GS
Wegen u
aus
u
ein
kann C
GS
meist vernachlssigt werden
Drain- und Kollektorschaltung
Drainschaltung mit n-MOSFET
D
S
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
S
G
R
G
C
GD
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 40
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
Konfiguration
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Kollektor als Bezugsgre
auf festem Potential
(positive Betriebsspg. UDD)
R
B
und U
B
dienen der
Arbeitspunkteinstellung
R
E
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr Wechsel-
bzw. Kleinsignalgren
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 41
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
!
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 42
Kleinsignal-Ersatzschaltbild (fr nicht zu groe Frequenzen)
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Kleinsignalersatzschaltbild Schaltung
Bisher:
Nach Umordnung
der Elemente:
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 43
Spannungsverstrkung
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Berechnung Spannungsverstrkung:
Stromsumme am Emitterknoten = 0
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
( ) ( )
E CE
aus aus ein
BE
aus ein m
R r
u u u
r
u u g
1 1
0 + =
|
|

\
|
+ =
|
|

\
| +
+ +
BE
m ein
E CE
E CE
BE
m aus
r
g u
R r
R r
r
g u
1 1
|
|

\
| +
+ +
|
|

\
|
+ =
E CE
E CE
BE
m
BE
m
ein
aus
R r
R r
r
g
r
g
u
u 1 1

Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 44
Spannungsverstrkung
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Spannungsverstrkung:
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
|
|

\
| +
+ +
|
|

\
|
+ =
E CE
E CE
BE
m
BE
m
ein
aus
R r
R r
r
g
r
g
u
u 1 1
Abschtzung Nherungslsung:
1.) r
CE
>> R
E
2.) bzw.
C E
I UDD R 2 / 1 UDD I R
C E
2 1
3.) bzw.
C B BE
I
q
kT
I
q
kT
r =
q kT
I
q kT
I
r
C B
BE

=
1
4.)
q kT
I
g
C
m

Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 45
Emitterfolger-Schaltung
Spannungsverstrkung u
aus
/ u
ein
1
(nicht invertierend)
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
U
B
R
B
R
E
C
ein
C
aus
UDD
+
-
+
-
u
e
i
n
u
a
u
s
Die Schaltung wird hufig auch als
Emitterfolger bezeichnet, da das
Emitterpotential (Ausgang der
Schaltung) dem Basispotential
(Eingang der Schaltung) versetzt
um die Basis-Emitter-Spannung folgt.
Zweck der Schaltung: Impedanzwandlung
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 46
Eingangswiderstand
Eingangswiderstand:
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Kleinsignalersatzschaltbild
C
E
r
CE
u
e
i
n
R
E
B
r
BE
R
B
i
B
i
B
Kleinsignalersatzschaltbild-
Variante: hier einfacher
ein
ein
ein
i
u
r =
B
B
ein
ein
i
R
u
i + = Mit
BE
E B ein
B
r
R i u
i

=
BE
ein
BE
E
B
r
u
r
R
i =
|
|

\
|
+

1
E
ein
B
R
u
i

R
E
>> r
BE

folgt schlielich:
E
ein
B
ein
ein
R
u
R
u
i

+ =
und:
B E
B E
E B
ein
R R
R R
R R
r
+
=
|
|

\
|
+ =

1
1 1
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 47
Ausgangswiderstand
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Ausgangswiderstand:
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
e
)
R
E
B
r
BE
R
B
Vorstellung:
Am Ausgang wird eine Quelle angelegt, die eine Spannung an diesen anlegt
oder einen Strom einprgt
0 =
=
ein
u
aus
aus
aus
i
u
r
r
aus
ist ein Ma fr den Strom- oder Spannungsquellencharakter der Schaltung
Nherung:
m
aus
g
r
1

m
BE CE E aus
g
r r R r
1
=

Berechnung:
aus m
BE CE E
aus
aus
u g
r r R
u
i + =
m
BE CE E aus
aus
g
r r R u
i
+ =
1

Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 48
Kleinsignal-Ersatzschaltbild fr hhere Frequenzen
C
BC
C
BE
Drain- und Kollektorschaltung
Kollektorschaltung mit npn-Transistor
C
E
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
g
m
(
u
e
i
n
-
u
a
u
s
)
R
E
B
r
BE
R
B
Wegen u
aus
u
ein
kann C
BE
meist vernachlssigt werden
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 49
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 50
Gate als Bezugsgre
auf festem Potential U
G,
,
U
G
dient der
Arbeitspunkteinstellung
R
S
dient der
Arbeitspunkteinstellung
R
D
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr
Wechsel- bzw.
Kleinsignalgren
Konfiguration
Gate- und Basisschaltung
Gateschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 51
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
D
G
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
D
S
R
S
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Gate- und Basisschaltung
Gateschaltung mit n-MOSFET
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 52
Eigenschaften (bei nicht zu groe Frequenzen)
Spannungsverstrkung:
Eingangswiderstand:
Ausgangswiderstand:
( )
DS D
DS D
m DS D m
ein
aus
r R
r R
g r R g
u
u
+
=
m
ein
g
r
1

D aus
R r
Gate- und Basisschaltung
Gateschaltung mit n-MOSFET
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 53
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr hhere Frequenzen
D
G
r
DS
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
D
S
R
S
C
GS
C
GD
Gate- und Basisschaltung
Gateschaltung mit n-MOSFET
U
G
R
S
R
D
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 54
Basis als Bezugsgre
auf festem Potential U
B,
,
U
B
dient der
Arbeitspunkteinstellung
R
E
dient der
Arbeitspunkteinstellung
R
C
dient zum einen der
Arbeitspunkteinstellung
und ist zum anderen
Lastelement fr
Wechsel- bzw.
Kleinsignalgren
Konfiguration
Gate- und Basisschaltung
Basisschaltung mit npn-Transistor
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 55
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
(fr nicht zu groe Frequenzen)
Gate- und Basisschaltung
Basisschaltung mit npn-Transistor
C
B
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
C
E
r
BE
R
E
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 56
Eigenschaften (bei nicht zu groe Frequenzen)
Gate- und Basisschaltung
Basisschaltung mit npn-Transistor
Spannungsverstrkung:
Eingangswiderstand:
Ausgangswiderstand:
( )
CE C
CE C
m CE C m
ein
aus
r R
r R
g r R g
u
u
+
=
m
ein
g
r
1

C aus
R r
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 57
Kleinsignal-Ersatzschaltbild
fr hhere Frequenzen
Gate- und Basisschaltung
Basisschaltung mit npn-Transistor
C
B
r
CE
u
a
u
s
u
e
i
n
- g
m
u
ein
R
C
E
r
BE
R
E
C
BE
C
BC
U
B
R
E
R
C
C
ein
C
aus
u
a
u
s
u
e
i
n
UDD
+
-
+
-
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 58
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 59
Vergleich der Grundschaltungen
Grundschaltungen mit n-MOSFET
Sourceschaltung Drainschaltung Gateschaltung
Spannungs-
verstrkung
Eingangs-
widerstand
Ausgangs-
widerstand
~ - g
m
R
D
~ R
G
bzw.
~ R
D
~ 1
~ 1 / g
m
~ g
m
R
D
~ 1 / g
m
~ R
D
~ R
G
bzw.
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 60
Vergleich der Grundschaltungen
Grundschaltungen mit npn-Transistor
Emitterschaltung Kollektorschaltung Basisschaltung
Spannungs-
verstrkung
Eingangs-
widerstand
Ausgangs-
widerstand
~ - g
m
R
C
~ r
BE
~ R
C
~ 1
~ R
E
~ 1 / g
m
~ g
m
R
C
~ 1 / g
m
~ R
C
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 61
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 62
Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen
mit komplementren Bauelementen
UDD
Konfiguration (Beispiel)
U
ein
Schaltung:
g
m
u
e
i
n
r
DS,n
g
m
u
e
i
n
r
DS,p
Kleinsignal-Ersatzschaltbild:
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 63
Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen
mit komplementren Bauelementen
Alternative Betrachtung:
U
ein
U
ein
g
m
u
e
i
n
r
DS,n
g
m
u
e
i
n
r
DS,p
u
ein
S
D G
G
u
ein
S
D
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 64
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 65
Bandbreite
Wiederholung: Umwandlung verlustbehafteter Quellen
Spannungsquelle Stromquelle:
U
R
*
R
*
I = U / R
Stromquelle Spannungsquelle:
R
*
I U = I R
R
*
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 66
Bandbreite
Wiederholung: Umwandlung verlustbehafteter Quellen
Spannungsquelle mit zwei Serienwiderstnden Stromquelle:
U
*
Stromquelle mit zwei Parallelwiderstnden Spannungsquelle:
R
1
*
I
R
2
I

=

U

/

R
1
R
1
*
R
2
oder:
R
2
*
R
1
I

=

U

/

R
2 R
1
R
2
U

=

I

R
1
*
R
2
R
1
U

=

I

R
2
*
R
1
R
2
oder:
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 67
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Topologie sehr vieler Verstrker bzw. Verstrkerstufen:
r
aus
u
a
u
s
g
m
u
e
i
n
Verstrkungsberechnung unbelastete Stufe:
0 = g
m
u
ein
+ u
aus
/ r
aus
Verstrkung A = u
aus
/ u
ein
= - g
m
r
aus
bzw. A = g
m
r
aus
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 68
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Kapazitiv belasteter Verstrker bzw. Verstrkerstufe:
r
aus
u
a
u
s
g
m
u
e
i
n
C
L
Nach Quellenumwandlung:
r
aus
u
a
u
s
g
m
r
a
u
s
u
e
i
n
C
L
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 69
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Berechnung der Verstrkung
als Funktion der Frequenz:
r
aus
u
a
u
s
g
m
r
a
u
s
u
e
i
n
C
L
L
aus
L
ein aus m aus
C j
r
C j
u r g u

1
1
+
=
Ansatz:
L aus
aus m
ein
aus
C r j
r g
u
u
A

+
= =
1
1
) (
Ergebnis:
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 70
Verstrkung als Funktion der Frequenz in dB:
A
dB
= 20 log
10
(A())
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Verstrkung als Funktion der Frequenz:
L aus
aus m
ein
aus
C r j
r g
u
u
A

+
= =
1
1
) (
Betrag der Verstrkung als Funktion der Frequenz:
( )
2
1
1
) (
L aus
aus m
C r
r g A

+
=
Phase:
( )
( )
( )
( )
L aus
C r
A
A
A

= |

\
|
= arctan
) ( Re
) ( Im
arctan ) (
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 71
Bandbreite
g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Bode-Diagramm
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
50
1.E+01 1.E+02 1.E+03 1.E+04 1.E+05 1.E+06 1.E+07 1.E+08
Kreisfrequenz [Hz]
V
e
r
s
t

r
k
u
n
g

[
d
B
]
-105
-90
-75
-60
-45
-30
-15
0
15
30
45
60
75
P
h
a
s
e

[

]
Beispiel mit:
g
m
= 1 mA/V
r
DS
= 100 k
C
L
= 100 pF
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 72
Bandbreite
Bandbreite von g
m
r
aus
- Verstrker / Verstrkerstufen
Verstrkungs-Bandbreite-Produkt:
Das Verstrkungs-Bandbreite-Produkt ist definiert durch die Frequenz f
0
,
bei der der Betrag der Verstrkung = 1 (bzw. 0 dB) ist.
Hier:
In wird A()= 1 wegen g
m
/ r
aus
>> 1
erreicht fr 2 r
aus
C
L
>> 1, so dass gilt:
( )
2
2 1
1
) (
L aus
aus m
C r f
r g A

+
=
L
m
C f
g
0
2
1

=
Damit:
L m
C g f 2
0
=
Die Bandbreite bzw. das Verstrkungs-Bandbreite-Produkt
hngt nur von g
m
, nicht aber von r
aus
ab und damit auch nicht
von der Verstrkung bei niedrigen Frequenzen !
Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011 73 Vorlesung Schaltungstechnik Kapitel 3: Schaltungstechnische Grundkonfigurationen Roland Thewes TU Berlin Sommersemester 2011
Schaltungstechnische Grundkonfigurationen
Inhalt
3.1 Allgemeines
3.2 Source- und Emitterschaltung
3.3.1 Sourceschaltung
3.3.2 Emitterschaltung
3.3.3 Miller-Effekt
3.3 Drain- und Kollektorschaltung
3.4 Gate- und Basisschaltung
3.5 Vergleich der Grundschaltungen
3.6 Kleinsignal-Ersatzschaltbilder von Schaltungen mit
komplementren Bauelementen
3.7 Bandbreite